KR20190059129A - 가스 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 처리 장치에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따르면, 내측에 처리 대상 가스가 흐르는 유로가 형성되는 통로 부재; 및 상기 통로 부재의 둘레면의 외측에 배치되는 내측 커버 부재; 상기 통로 부재와 상기 내측 커버 부재의 사이에 형성되는 기화 공간에 연결되어 상기 기화 공간에 반응 용액을 주입하는 용액 공급 장치를 포함하고, 상기 통로 부재는 상기 처리 대상 가스의 열이 상기 기화 공간 내에 주입된 상기 반응 용액으로 전달되도록 제공되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.

Description

가스 처리 장치{GAS TREATING APPARATUS}
본 발명은 가스 처리 장치에 대한 발명이다.
반도체 또는 디스플레이를 생산함에 있어서 LPCVD(저압 화학 기상 증착법), 나이트라이드 공정이 적용될 수 있고, 이러한 공정에는 다양한 가스들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 가스는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼의 표면을 에칭하기 위한 BCl3, Cl2, F2, HBr, HCl, HF 등의 산성가스 및 CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F6, C4F8, C5F8, SF6 등과 같은 PFCs 가스일 수 있고, 웨이퍼의 표면 증착을 위한 AsH3, NH3, PH3, SiH4, Si2H2Cl2 등의 가스일수 있으며, 세정 단계에서 사용되는 NF3, C2F6, C3F8 등과 같은 PFCs 가스일 수 있다.
전술한 PFCs 가스를 제거하기 위한 방법으로는 직접연소법, 간접히팅법, 촉매법, 플라즈마법 등이 있다. 직접연소법은 액화천연가스(LNG) 또는 수소의 연소시 발생하는 1,400 내지 1,600℃의 불꽃을 이용하여 PFCs 가스를 산화시킴으로써 이산화탄소, 불소(F2), HF 가스로 전환시켜 제거한다. 이러한 직접연소법은 액화천연가스 등을 연료로 사용하기 때문에 액화천연가스 등의 공급설비가 없는 기존의 공정에는 적용되기 어려울 뿐만 아니라 화재 및 폭발 등의 위험에 대응하기 위한 안전 대책을 필요로 한다. 게다가, 직접연소법에 따르면 PFCs 가스가 1,400 내지 1,600℃의 고온에서 처리되므로 처리 비용이 증가한다는 문제점이 있다. 또한, 고온에서의 연소로 인해 산성비, 광화학스모그의 원인이 되는 질소산화물(NOx)이 다량 발생되어 2차 대기오염이 발생된다는 문제점이 있다.
간접히팅법은 히터를 이용하여 간접적으로 반응기의 온도를 상승시킴으로써 PFCs 가스를 산화시켜 제거하는 방식이다. 이러한 간접히팅법에 따르면 800 내지 1,000℃의 온도 범위에서 PFCs 가스를 처리하기 때문에 CF4 등과 같은 난분해성 PFCs 가스의 제거가 어렵다는 문제점이 있다. 또한, 간접히팅법은 고온 히팅으로 인해 히터의 수명이 단축되어 연속 웨이퍼 생산이 곤란하다는 문제점이 있다.
촉매법은 촉매를 이용하여 저온 온도 범위(800℃)에서 PFCs 가스를 제거하는 방식이다. 촉매법에 따르면 PFCs 가스는 에칭 공정 또는 CVD 공정에서 유입되는 Al2O3, SiO2등과 같은 고체 산화물로 전환되어 처리된다. 그러나, 고체 산화물 등은 촉매층에서 침적되어 촉매층의 유로를 막게 되므로 촉매층의 압력손실이 증가하게 된다. 또한, PFCs 가스 분해 후 발생되는 산성 물질이 촉매층에 유입될 경우 이들 산성 물질이 촉매에 흡착 및 반응하여 비가역적으로 촉매의 활성을 저하시킨다는 문제점이 있다.
직접연소법, 간접히팅법, 촉매법에서는 상기와 같은 문제점들이 있기 때문에, 최근에는 플라즈마법을 이용하여 PFCs 가스를 처리하는 것이 주목받고 있다. 플라즈마법에서는 고온 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치를 이용하여 PFCs 가스를 분해 제거한다. 그러나, 플라즈마 발생 장치를 이용하여 유해가스를 처리하는 과정에서 생성되는 Cl, F, Br 등의 할로겐 원소 또는 그 화합물 등은 완벽하게 처리되지 않기 때문에 장치 내부의 부식 뿐만 아니라 배기 덕트 등의 부식을 야기할 수 있다. 또한, NOx 등의 부생성물들도 발생하기 때문에 이를 제어하지 않으면 대기 오염에 영향을 줄 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상기와 같은 종래의 문제점에 착안하여 발명된 것으로서, PFCs 가스와 같은 가스 상태의 할로겐 화합물의 처리 효율을 높이고, 질소 산화물 등의 부 생성물의 발생량을 줄일 수 있는 가스 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내측에 처리 대상 가스가 흐르는 유로가 형성되는 통로 부재; 및 통로 부재의 둘레면의 외측에 배치되는 내측 커버 부재; 통로 부재와 내측 커버 부재의 사이에 형성되는 기화 공간에 연결되어 상기 기화 공간에 반응 용액을 주입하는 용액 공급 장치를 포함하고, 상기 통로 부재는 상기 처리 대상 가스의 열이 상기 기화 공간 내에 주입된 상기 반응 용액으로 전달되도록 제공되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 내측 커버 부재는, 통로 부재의 둘레면을 둘러싸고 통로 부재로부터 이격된 파이프로 구성되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 냉매의 유동을 위한 냉각 공간을 형성하기 위해 내측 커버 부재의 둘레면의 외측에 배치되는 외측 커버 부재; 및 냉각 공간에 냉매를 공급하는 냉각기를 더 포함하고, 냉각 공간은 내측 커버 부재와 외측 커버 부재의 사이에 제공되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 내측 커버 부재는, 통로 부재의 둘레를 둘러싸고 통로 부재로부터 이격된 파이프로 구성되고, 외측 커버 부재는, 내측 커버 부재를 둘러싸고 내측 커버 부재로부터 이격된 파이프로 구성되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 통로 부재와 내측 커버 부재에 연결되어 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하고, 냉각기는, 냉각 공간에 냉매를 공급하기 위하여 연결부에 연결되고 냉각 공간과 연통하는 냉매 파이프; 및 냉매가 냉매 파이프를 순환하기 위한 동력을 제공하는 냉매 펌프를 포함하는 가스 처리 장치를 포함하는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 통로 부재와 내측 커버 부재에 연결되어 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 용액 공급 장치는 반응 용액을 공급하기 위하여 연결부에 연결되는 반응 용액 파이프를 더 포함하고, 연결부에는 유로와 반응 용액 파이프를 연통하기 위한 관통홀이 형성되며, 반응 용액은 반응 용액 파이프로부터 연결부의 관통홀을 통과하여 기화 공간으로 주입되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 연결부는, 내측 커버 부재의 상측 단부에 연결되는 제1 연결부; 및 내측 커버 부재의 하측 단부 및 내측 커버 부재에 연결되는 제2 연결부를 포함하는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 연결부는 내측 커버 부재의 내측 및 외측으로 연장되는 플랜지로 구성되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 내측 커버 부재의 상측에는 기화 공간으로 반응 용액을 공급하기 위한 갭이 제공되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 통로 부재의 상측에는 기화 공간과 유로를 연통시키는 반응 가스 공급구가 제공되고, 반응 가스 공급구를 통해 반응 용액이 기화 공간에서 기화되어 발생한 반응 가스가 유로로 유입되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 반응 가스 공급구는 통로 부재의 상측 가장자리가 내측 커버 부재의 상측 가장자리 보다 아래에 위치하도록 구성됨으로써 형성되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 통로 부재와 내측 커버 부재에 연결되어 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하고, 반응 가스 공급구는 통로 부재의 상측 가장자리가 연결부와 이격됨으로써 형성되는 갭에 의해 제공되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 기화 공간의 하부에 배치되는 산화 부재를 더 포함하는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 처리 대상 가스를 가열하는 가열 장치를 더 포함하고, 통로 부재는 가열 장치의 하류에 배치되어 가열 장치로부터 가열된 처리 대상 가스를 공급받는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 가열 장치는 상기 처리 대상 가스가 유동하는 공간에서 음전극과 음전극에 전압을 가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치로 구성되고, 상기 처리 대상 가스는 상기 유로에서 상기 플라즈마 발생 장치에 의해 발생된 플라즈마에 의해 처리되는 가스 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, PFCs 가스를 포함한 가스 상태의 할로겐 화합물의 처리 효율을 높일 수 있다는 효과가 있다.
또한, 처리 대상 가스를 처리하는 과정에서 발생하는 질소 산화물의 양을 줄일 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 처리 장치를 개념적으로 나타낸 측면도이다.
도 2는 도 1의 가스 처리 장치에서 반응 용액이 공급되는 부분을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2를 X-X에 따라 절개한 가스 처리 장치의 종단면도이다.
도 4는 일 실시예의 제1 변형예의 가스 처리 장치의 종단면도이다.
도 5는 일 실시예의 제2 변형예의 가스 처리 장치의 종단면도이다.
도 6는 일 실시예의 제3 변형예의 가스 처리 장치의 종단면도이다.
도 7은 일 실시예의 제4 변형예의 가스 처리 장치의 종단면도이다.
도 8은 일 실시예의 제5 변형예의 가스 처리 장치의 종단면도이다.
이하에서는 본 발명의 사상을 구현하기 위한 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
아울러 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결', '공급'된다고 언급된 때에는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 공급될 수도 있지만 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.
또한, 본 명세서에서 상측, 하측, 측면 등의 표현은 도면에 도시를 기준으로 설명한 것이며 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다.
가스 처리 장치(1)에 유입된 처리 대상 가스는, 가스 처리 장치(1) 내의 소정의 경로를 따라 흐르는 동안 가열될 수 있고, 유동하는 동안 반응 가스와 반응할 수 있다. 예를 들어, 가스 처리 장치(1)가 처리하는 처리 대상 가스는 Cl2, HCl, PFCs 가스를 포함할 수 있다. 처리 대상 가스에 포함된 유해 성분은 가열 및 반응 가스와의 반응을 통해 제거될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 처리 장치의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 처리 장치(1)는 반응부(10), 디녹스부(20), ?칭부(30), 가열 장치(40), 제어부(50), 폐수 처리부(60), 및 후처리부(70)를 포함할 수 있다.
반응부(10)는 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200), 외측 커버 부재(300), 용액 공급 장치(400), 냉각기(500), 연결부(600) 및 산화 부재(700)를 포함할 수 있다.
통로 부재(100)는 내측에 처리 대상 가스가 흐르는 유로(101)를 제공할 수 있다. 일 예로, 통로 부재(100)은 가열 장치(40)의 하측으로부터 지면을 향하여 연장되는 튜브일 수 있다. 통로 부재(100)의 내측에는 유로(101)가 제공되고, 통로 부재(100)의 외측에는 내측 커버 부재(200)에 의해 형성된 기화 공간(S1)이 제공될 수 있다. 통로 부재(100)는 연결부(600)에 의해 고정 설치될 수 있다. 이러한 기화 공간(S1)은 용액 공급 장치(400)에 의해 주입된 반응 용액이 처리 대상 가스의 열에 의해 가열되어 기화할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 다시 말해, 기화 공간(S1)에 주입된 반응 용액은 처리 대상 가스의 열에 의해 가열되어 반응 가스로 기화될 수 있다.
통로 부재(100)는 유로(101)와 기화 공간(S1)을 연통하는 반응 가스 공급구(110)를 제공할 수 있다. 기화 공간(S1)에서 반응 용액의 기화에 의해 발생된 반응 가스는 반응 가스 공급구(110)를 통해 유로(101)로 유입될 수 있다. 이러한 반응 가스 공급구(110)는 통로 부재(100)의 상측에 제공될 수 있다. 예를 들어, 반응 가스 공급구(110)는 도 3과 같이 통로 부재(100)가 가열 장치(40)와 같은 다른 구성요소로부터 소정 간격 이격됨으로써 형성된 갭일 수 있다. 반응 가스 공급구(110)가 갭으로 형성되는 경우, 갭은 통로 부재(100)의 상측 가장자리(상측 단부)가 내측 커버 부재(200)의 상측 가장자리(상측 단부) 보다 아래에 위치하도록 구성됨으로써 형성될 수 있다.
이러한 통로 부재(100)는 유로(101)의 처리 대상 가스의 열이 기화 공간(S1) 내의 반응 용액으로 잘 전달될 수 있도록 구성될 수 있다. 또한, 통로 부재(100)는 세라믹을 포함하는 재료로 형성됨으로써 부식되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 통로 부재(100) 내부의 유로(101)는 플라즈마 발생 장치와 같은 가열 장치(40)에 의해 처리 대상 가스가 열분해될 수 있는 반응 영역(Reaction Section)의 역할을 할 수도 있다.
내측 커버 부재(200)는 기화 공간(S1)을 형성할 수 있도록 통로 부재(100)의 외측 둘레면(102)의 외측에 배치될 수 있다. 또한, 내측 커버 부재(200)는 통로 부재(100)의 외측 둘레면(102)을 완전히 둘러싸지 않고 일부를 둘러싸도록 구성될 수도 있다. 또한, 내측 커버 부재(200)는 연결부(600)에 의해 고정 설치될 수 있다. 기화 공간(S1)은 통로 부재(100)와 내측 커버 부재(200)로 둘러싸여 형성될 수 있다. 이러한 기화 공간(S1)은 지면을 향하여 길게 연장 형성될 수 있다. 또한, 내측 커버 부재(200)는, 일 예로 통로 부재(100)가 연장되는 방향과 동일한 방향으로 연장되고, 통로 부재(100)의 둘레를 둘러싸면서 통로 부재(100)로부터 이격 배치되는 파이프일 수 있다. 이 경우, 내측 커버 부재(200)의 내측에 통로 부재(100)가 배치될 수 있고, 횡 단면에서 보았을 때 기화 공간(S1)은 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 내측 커버 부재(200)가 파이프인 경우 통로 부재(100)와 동심으로 배치될 수 있다.
한편, 도 3에서는 기화 공간(S1)이 연결부(600)에 형성된 관통홀(611)을 통하여 후술할 반응 용액 파이프(420)에 연결되는 것으로 나타내었으나, 본 발명의 사상이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
외측 커버 부재(300)는 냉각 공간(S2)을 형성하기 위해 내측 커버 부재(200)의 외측 둘레면(202)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 외측 커버 부재(300)는 내측 커버 부재(200)의 외측 둘레면(202)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 외측 커버 부재(300)는 연결부(600)에 의해 고정 설치될 수 있다. 이러한 외측 커버 부재(300)의 내측에는 냉매가 유동하기 위한 냉각 공간(S2)을 제공할 수 있다. 냉각 공간(S2)은 외측 커버 부재(300)와 내측 커버 부재(200)에 둘러싸여 형성된 공간일 수 있다. 이러한 외측 커버 부재(300)는, 일 예로 내측 커버 부재(200)를 둘러싸며 내측 커버 부재(200)로부터 이격 배치되는 파이프일 수 있다. 이 경우, 외측 커버 부재(300)의 내측에 내측 커버 부재(200)가 배치될 수 있다. 또한, 외측 커버 부재(300)가 파이프인 경우 통로 부재(100) 및 내측 커버 부재(200)와 동심으로 배치될 수 있다.
한편, 도 3에서는 냉각 공간(S2)이 연결부(600)에 형성된 관통홀을 통하여 후술할 냉매 파이프(510)에 연결되는 것으로 나타내었으나, 본 발명의 사상이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
용액 공급 장치(400)는 기화 공간(S1)과 연통하도록 연결되고, 이러한 기화 공간(S1)에 반응 용액을 공급할 수 있는 장치이다. 용액 공급 장치(400)가 공급하는 반응 용액은 유해물질과 반응하여 안정화되어 무해화되거나 물에 잘 용해될 수 있는 물질로 전환될 수 있는 성분, 및 이러한 물질들의 혼합물일 수 있다. 예를 들어, 반응 용액은 물, 암모니아수, 알코올, 과산화수소수 등과 같이 수소(H)를 포함하는 물질일 수 있다. 반응 용액은 유로(101)를 통과하는 처리 대상 가스의 열로 인하여 기화 공간(S1)에서 반응 가스로 기화된다.
용액 공급 장치(400)는 반응 용액을 저장하는 반응 용액 저장소(410), 및 반응 용액 저장소(410)와 기화 공간(S1)을 연결하는 반응 용액 파이프(420)를 포함할 수 있다. 또한, 용액 공급 장치(400)는 반응 용액을 소량으로 기화 공간(S1)에 공급할 수 있다. 용액 공급 장치(400)가 공급하는 반응 용액의 양은 제어부(50)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 처리 대상 가스가 Cl2인 경우 용액 공급 장치(400)는 0.8cc/min이상 45cc/min 이하의 반응 용액을 기화 공간(S1)에 공급하도록 구성될 수 있다.
또한, 반응 용액은 처리 대상 가스에 포함된 유해 성분에 대하여 1.5배 이상 2배 이하의 화학량론비를 가지도록 공급될 수 있다. 예를 들어, 아래의 [표 1]과 같이 처리 대상 가스가 90 SLM 의 유량으로 유로(101)를 흐르고, 이러한 처리 대상 가스 내에 유해 성분인 Cl2 이 1 SLM의 양으로 포함된 경우, 물(H2O)이 반응 용액으서 1.2cc/min 이상 1.6cc/min 이하로 공급될 수 있다. 이처럼, 처리 대상 가스의 유해 성분에 대한 반응 가스의 화학량론비 보다 더 많은 양의 반응 가스가 공급됨으로써, Cl2 및 NOx 배출 농도가 현저히 낮아질 수 있다.
실험 조건 배출량
유해 성분(Cl2)의 유입양 [SLM] 처리 대상 가스의 양[SLM] 가열 장치가 사용하는 에너지[kW] 반응 용액
(H2O) 공급량
(MFC) [cc/min]		 유해 성분(Cl2)의 배출량[ppm] NOx 배출량
[ppm]
1 91 8.75 1.6 0.18 62
8.75 1.2 0.23 33
반응 용액 파이프(420)는 기화 공간(S1)의 상측 단부에 반응 용액을 주입할 수 있도록 구성될 수 있다. 다시 말해, 기화 공간(S1)의 상측 단부는 반응 용액 파이프(420)와 직접 연통할 수 있고, 도 3과 같이 후술할 제1 연결부(610)를 통해 간접적으로 연통할 수도 있다.
냉각기(500)는 냉각 공간(S2)으로 냉매를 공급하고, 냉각 공간(S2) 내에서 냉매를 유동시킬 수 있다. 유로(101) 내의 온도가 약 800℃이상으로 지나치게 높아지게 되면 처리 대상 가스가 가열되어 질소 산화물이 급격하게 발생하게 된다. 냉각기(500)는 통로 부재(100)를 냉각시킴으로써 유로(101)에서 유동하는 처리 대상 가스의 온도가 지나치게 상승하는 것을 방지할 수 있고, 따라서 질소 산화물의 발생을 억제할 수 있다. 냉각기(500)는 냉각 공간(S2)의 일측과 타측에 연결되는 냉매 파이프(510), 및 냉매 파이프(510)에 설치되어 냉매가 순환하기 위한 동력을 제공하는 냉매 펌프(520)를 포함할 수 있다. 냉각기(500)가 공급하는 냉매는 물, 오일, 부동액 등일 수 있다.
연결부(600)는 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300) 중 적어도 둘 이상을 서로 연결시키도록 구성될 수 있다. 이러한 연결부(600)는 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)를 고정시킬 수 있으며, 하나 이상 제공될 수 있다.
연결부(600)는, 내측 커버 부재(200)의 상측 단부에 배치되는 제1 연결부(610), 및 내측 커버 부재(200)의 하측 단부에 배치되는 제2 연결부(620)를 포함할 수 있다. 제1 연결부(610)는 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)의 상측 단부에 연결되어 내측 커버 부재(200)와 외측 커버 부재(300)를 서로 고정시킬 수 있다. 제2 연결부(620)는 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)의 하측 단부에 연결되어, 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)를 서로 고정시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 도면에서는 연결부(600)가 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200), 외측 커버 부재(300) 등의 내측, 외측으로 연장되는 플랜지일 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시예에 따른 도면에서는 연결부(600)가 다른 구성요소들과 별체인 것으로 나타내었으나, 다른 예로 연결부(600)는 통로 부재(100), 내측 커버 부재(200), 외측 커버 부재(300) 중 하나 이상과 일체로 형성될 수도 있다.
산화 부재(700)는 기화 공간(S1) 내에서 반응 용액, 반응 가스 중 하나 이상에 의해 산화될 수 있다. 산화 부재(700)는 산화됨으로써 반응 가스에 포함된 산소(O) 성분을 제거할 수 있다. 산화 부재(700)는 금속일 수 있으며, 기화 공간(S1)의 하부에 배치될 수 있다.
디녹스부(20)는 상기와 같은 반응부(10)의 하류에 배치될 수 있다. 이러한 디녹스부(20)는 처리 대상 가스를 냉각시킴으로써 질소 산화물의 발생량을 감소시킬 수 있다. 디녹스부는 반응부(10)의 유로(101)와 연결되는 유동 공간을 제공할 수 있으며, 일 예로 통로 부재(100)와 ?칭부(30)의 사이에 연결되는 파이프를 포함할 수 있다.
?칭부(30)는 디녹스부(20)의 하류에 배치될 수 있다. ?칭부(30)는 디녹스부(20)를 통과한 처리 대상 가스를 급랭시킬 수 있으며, 이를 위해 디녹스부(20)의 유동 공간과 연통하는 공간을 제공할 수 있다. 일 예로, ?칭부(30)는 디녹스부(20)와 물탱크부(60)의 사이에 연결되는 파이프를 포함할 수 있다.
가열 장치(40)는 통로 부재(100)의 상류에 구비되어 처리 대상 가스에 포함된 유해 성분을 제거하기 위해 처리 대상 가스를 가열할 수 있다. 이러한 가열 장치(40)에서 가열된 처리 대상 가스는 통로 부재(100) 내의 유로(101)로 흘러갈 수 있다. 이러한 가열 장치(40)는, 예를 들어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치일 수 있다. 플라즈마 발생 장치는 음전극과 양전극 사이에 전압을 가하여 플라즈마를 발생시킴으로써, 처리 대상 가스를 가열할 수 있고, 처리 대상 가스에서의 화학 반응을 촉진시킬 수 있다. 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 토치를 포함할 수 있다. 플라즈마 토치는 에칭 및 CVD 공정 후 유입되는 가스를 고온 열분해 처리하기 위해 플라즈마 챔버를 포함할 수 있으며, 이러한 플라즈마 챔버에 플라즈마 불꽃을 발생시킬 수 있다. 이상에서는 가열 장치(40)가 플라즈마 발생 장치인 것으로 서술하였으나, 다른 예로, 가열 장치(40)는 버너, 전기 히터 등으로 구성될 수도 있다.
제어부(50)는 용액 공급 장치(400), 냉각기(500), 가열 장치(40)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 제어부(50)의 제어를 위해 가열 장치(40), 통로 부재(100)의 유로(101)에 흐르는 처리 대상 가스의 양, 온도 등을 검출할 수 있는 센서가 제공될 수 있다. 제어부(50)는 검지된 처리 대상 가스의 양과 온도에 따라 용액 공급 장치(400)가 공급하는 반응 용액의 양을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(50)는 센서를 통해 처리 대상 가스의 양을 감지하고, 처리 대상 가스의 유해 성분에 대한 반응 가스의 화학량론비 보다 1.5배 이상 2배 이하로 더 많은 양의 반응 가스가 유로(101)에 유입되도록, 용액 공급 장치(400)가 공급하는 반응 용액의 양을 제어할 수 있다. 또한, 제어부(50)는 냉각기(500)를 제어함으로써 냉각 공간(S2) 내에서의 냉매의 유동 속도를 조절할 수 있고, 처리 대상 가스의 온도가 제어되도록 가열 장치(40)를 제어할 수 있다. 이러한 제어부(50)는 마이크로프로세서를 포함하는 연산 장치에 의해 구현될 수 있으며, 그 구현 방식은 당업자에게 자명한 사항이므로 더 이상의 자세한 설명을 생략한다.
폐수 처리부(60)는 처리 대상 가스가 유로(101), 후처리부(70) 등을 흐르는 동안 냉각 및 액화되어 발생한 폐수를 저장할 수 있으며, 저장된 폐수를 정화 처리하여 배출할 수 있다.
후처리부(70)는 가열 장치(40)와 통로 부재(100)를 흐르는 동안 1차적으로 처리된 처리 대상 가스 2차적으로 처리할 수 있다. 후처리부(70)는 이러한 2차 처리를 위해 처리 대상 가스에 물을 주입할 수 있다. 2차 처리에서는 반응부(10), 디녹스부(20), ?칭부(30) 등에서 처리 대상 가스가 1차적으로 처리되는 동안에 생성되는 수용성 가스, 산성 가스, 입자상 물질 등을 처리할 수 있다. 이러한 물의 주입은 노즐에 의한 분사 또는 폴링으로 처리될 수 있다.
이하에서는 상술한 바와 같은 구성을 갖는 가스 처리 장치의 작용 및 효과에 대하여 설명한다. 유해 성분을 포함하는 처리 대상 가스는 가스 처리 장치(1)의 가열 장치(40)에 유입되어 가열된다. 가열된 처리 대상 가스는 통로 부재(100)내부의 유로(101)로 유입되어 후처리부(70)를 향해 흘러간다.
한편, 가스 처리 장치(1)의 기화 공간(S1)의 상부에 용액 공급 장치(400)로 인해 반응 용액이 공급된다. 반응 용액은 물, 과산화수소수 등과 같이 수소(H)를 포함하는 물질일 수 있다. 반응 용액은 기화 공간(S1)에서 유로(101)를 흐르는 처리 대상 가스의 열에 의해 가열될 수 있다. 가열된 반응 용액이 기화됨으로써 기화 공간(S1)에서 반응 가스가 발생한다. 기화 공간(S1)의 반응 가스는 기화 공간(S1) 상부에 제공되는 반응 가스 공급구(110)를 통해 유로(101)로 유입된다. 유로로 유입된 반응 가스는 Cl, F 등의 유해 성분과 반응함으로써, 유해 성분을 처리 대상 가스로부터 제거할 수 있다.
이상의 실시예에 따르면, 처리 대상 가스가 가열되어 발생하는 폐열을 효과적으로 활용함으로써 가스 처리 장치(1)의 처리 효율을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다. 예를 들어, 가열 장치(40)가 플라즈마 발생 장치로 구성되는 경우, 플라즈마 발생 장치에서 처리 대상 가스를 충분히 가열하여 처리하고 남은 에너지(폐열)를 이용하여 간접적으로 반응 용액을 가열시킬 수 있다. 또한, 반응 용액 및 반응 가스를 공급하는 구성이 플라즈마 발생 장치의 열원에 직접 노출되지 않기 때문에 부식이 발생할 위험을 현저히 낮출 수 있다는 효과가 있다. 또한, 통로 부재(100) 외측에 형성된 기화 공간(S1)을 이용하여 반응 용액을 가열시킴으로써 반응 용액을 균일하고 안정적으로 기화시킬 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 실시예에 따른 가스 처리 장치(1)는 산소 기체(O2)를 직접적으로 공급하는 대신에, 수소를 포함하는 반응 가스를 공급하므로, 유로(101)에서 처리 대상 가스와 반응 가스의 반응으로 인해 발생하는 질소 산화물(NOx)의 양을 현저하게 감소시킬 수 있다.
유해 성분을 포함한 반응 가스는 하류로 진행하는 동안 냉각될 수 있고, 냉각 과정에서 처리 대상 가스로부터 폐수가 발생할 수 있다. 처리 대상 가스에서 발생한 폐수는 폐수 처리부(60)에서 처리되어 가스 처리 장치(1)의 외부로 배출될 수 있다.
한편, 상술한 구성들은 본 발명의 사상에 벗어나지 않는 범위 내에서 변형 실시될 수 있다. 이하에서는 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 실시예에 대한 제1 내지 제5 변형예를 설명한다. 상술한 실시예에 대한 차이점 위주로 변형예들을 설명하고, 동일한 설명 및 도면부호는 원용한다.
먼저, 도 4를 참조하여 제1 변형예를 설명한다. 도 4를 참조하면 제1 변형예에 따른 가스 처리 장치(1)의 용액 공급 장치(400)는 기화 공간(S1)에 반응 액체를 분사할 수 있는 용액 분사 노즐(430)을 더 포함할 수도 있다. 이러한 용액 분사 노즐(430)은 제1 연결부(610) 또는 내측 커버 부재(200)에 고정 설치될 수 있고, 그 동작은 제어부(50)에 의해 제어될 수 있다. 용액 분사 노즐(430)은 기화 공간(S1)에 공급되는 반응 액체의 양을 조절할 수 있다. 또한, 용액 분사 노즐(430)은 반응 용액이 기화 공간(S1)에 분사되는 방향을 조절할 수 있으며, 용액 분사 노즐은 반응 용액을 통로 부재(100)의 외측 둘레면(102)에 분사할 수 있다. 외측 둘레면(102)에 반응 용액이 분사될 경우 반응 용액은 더욱 효과적으로 가열, 기화될 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여 제2 변형예를 설명한다. 도 5를 참조하면 제2 변형예에 따른 가스 처리 장치(1)의 반응 가스 공급구(110)는 통로 부재(100)의 상측을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우 통로 부재(100)의 상측 단부는 제1 연결부(610)와 연결됨으로써 고정될 수 있다. 따라서, 통로 부재(100)는 보다 안정적으로 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)에 연결될 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 제3 변형예를 설명한다. 도 6을 참조하면 제3 변형예에 따른 가스 처리 장치(1)의 반응 용액 파이프(420)는 내측 커버 부재(200) 및 외측 커버 부재(300)를 관통하여 기화 공간(S1)과 연결될 수도 있다. 또한, 냉매 파이프(510)가 외측 커버 부재(300)를 관통하여 냉각 공간(S2)에 연결되는 것도 가능하다. 본 변형예에 따르면, 연결부(600)에 형성된 관통홀의 수가 감소되거나, 연결부(600)에 형성된 관통홀이 제거됨으로써 연결 방식 및 제조 과정이 보다 간소화될 수 있다.
다음으로 도 7을 참조하여 제4 번형예를 설명한다. 도 7을 참조하면 제4 변형예에 따른 가스 처리 장치(1)의 냉각기(500)는 저온의 가스를 분사하는 냉각용 가스 분사 노즐(540)을 포함할 수 있다. 냉각용 가스 분사 노즐(540)은 통로 부재(100)의 내측 둘레면에 배치될 수 있으며, 소정의 간격을 가지는 복수 개의 노즐로 제공될 수 있다.
냉각용 가스 분사 노즐(540)을 통하여 저온의 가스가 유로(101) 내로 분사될 수 있다. 저온의 가스는 반응성이 없거나 낮은 가스가 이용될 수 있다. 일 예로, 저온의 가스는 질소 가스 및 아르곤 가스 중 하나 이상을 포함한 불활성 가스일 수 있다. 저온의 가스의 온도는 유로(101)의 상류에서 처리된 가스를 질소 산화물이 생성되는 온도 이하로 급냉할 수 있는 온도를 가지며, 일 예로, 약 300 ℃ 이하일 수 있다.
한편, 유로(101)의 상류에서 처리된 고온의 가스가 유로(101)의 하류 측으로 이동하게 되면, 냉각용 가스 분사 노즐(540)로부터 분사되는 저온의 가스가 고온의 처리 대상 가스를 급격하게 냉각시켜 질소 산화물의 생성을 감소시킬 수 있다. 냉각용 가스 분사 노즐(540)이 유로(101)의 상류에 배치되는 경우 유해 가스의 처리 효율이 낮아질 수 있으며, 냉각용 가스 분사 노즐(540)이 유로(101)의 하류에 배치되는 경우 질소 산화물 감소 효과가 저감되기 때문에, 처리 대상 가스의 처리 효율과 질소 산화물 감소 효과를 모두 만족하도록 냉각용 가스 분사 노즐(540)을 배치하는 것이 요구될 수 있다. 예를 들어, 처리 대상 가스의 온도가 약 750 ℃~ 850℃인 구역에 냉각용 가스 분사 노즐(540)을 배치하는 경우, 처리 대상 가스의 처리 효율이 저감되지 않으면서도 질소 산화물의 생성을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
다음으로 도 8을 참조하여 제5 번형예를 설명한다. 도 7을 참조하면 제5 변형예에 따른 가스 처리 장치(1)의 냉각기(500)는 유로(101)의 하류에 배치되는 열교환기(550)로 구성될 수 있다. 또한, 열교환기(550)는 액화수소와 같은 냉매가 유동하는 다수의 열교환용 파이프로 구성될 수 있다. 다만, 열교환기(550)는 열교환 파이프에 한정되는 것은 아니며, 열교환을 수행하는 열교환 플레이트, 튜브 등으로 대체될 수 있다. 유로(101)의 상류에서 처리된 고온의 가스가 유로(101)로 이동하게 되면, 열교환기(550)가 고온의 처리 대상 가스를 급격하게 냉각시켜 질소 산화물의 생성을 감소시킬 수 있다.
이상 본 발명의 실시예 및 그 변형예들을 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합/치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.
1: 가스 처리 장치 10: 반응부
20: 디녹스부 30:
40: 가열 장치 50: 제어부
60: 폐수 처리부 70: 후처리부
100: 통로 부재 101: 유로
102: 통로 부재의 외측 둘레면
200: 내측 커버 부재 202: 내측 커버 부재의 외측 둘레면
300: 외측 커버 부재 400: 용액 공급 장치
410: 반응 용액 저장소 420: 반응 용액 파이프
500: 냉각기 510: 냉매 파이프
520: 냉매 펌프 600: 연결부
610: 제1 연결부 620: 제2 연결부
700: 산화 부재
S1: 기화 공간 S2: 냉각 공간

Claims (16)

  1. 내측에 처리 대상 가스가 흐르는 유로가 형성되는 통로 부재;
    상기 통로 부재의 둘레면의 외측에 배치되는 내측 커버 부재; 및
    상기 통로 부재와 상기 내측 커버 부재의 사이에 형성되는 기화 공간에 연결되어 상기 기화 공간에 반응 용액을 주입하는 용액 공급 장치를 포함하고,
    상기 통로 부재는 상기 처리 대상 가스의 열이 상기 기화 공간 내에 주입된 상기 반응 용액으로 전달되도록 제공되는 가스 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내측 커버 부재는, 상기 통로 부재의 상기 둘레면을 둘러싸고 상기 통로 부재로부터 이격된 파이프로 구성되는 가스 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    냉매의 유동을 위한 냉각 공간을 형성하기 위해 상기 내측 커버 부재의 둘레면의 외측에 배치되는 외측 커버 부재; 및
    상기 냉각 공간에 상기 냉매를 공급하는 냉각기를 더 포함하고,
    상기 냉각 공간은 상기 내측 커버 부재와 상기 외측 커버 부재의 사이에 제공되는 가스 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 내측 커버 부재는, 상기 통로 부재의 둘레를 둘러싸고 상기 통로 부재로부터 이격된 파이프로 구성되고,
    상기 외측 커버 부재는, 상기 내측 커버 부재를 둘러싸고 상기 내측 커버 부재로부터 이격된 파이프로 구성되는 가스 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 통로 부재와 상기 내측 커버 부재에 연결되어 상기 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하고,
    상기 냉각기는,
    상기 냉각 공간에 상기 냉매를 공급하기 위하여 상기 연결부에 연결되고 상기 냉각 공간과 연통하는 냉매 파이프; 및
    상기 냉매가 상기 냉매 파이프를 순환하기 위한 동력을 제공하는 냉매 펌프를 포함하는 가스 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 통로 부재와 상기 내측 커버 부재에 연결되어 상기 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하는 가스 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 용액 공급 장치는 상기 기화 공간에 상기 반응 용액을 공급하기 위하여 상기 연결부에 연결되는 반응 용액 파이프를 더 포함하고,
    상기 연결부에는 상기 유로와 상기 반응 용액 파이프를 연통하기 위한 관통홀이 형성되며,
    상기 반응 용액은 상기 반응 용액 파이프로부터 상기 연결부의 상기 관통홀을 통과하여 상기 기화 공간으로 주입되는 가스 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 연결부는,
    상기 내측 커버 부재의 상측 단부에 연결되는 제1 연결부; 및
    상기 내측 커버 부재의 하측 단부 및 상기 내측 커버 부재에 연결되는 제2 연결부를 포함하는 가스 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 연결부는 상기 내측 커버 부재의 내측 및 외측으로 연장되는 플랜지로 구성되는 가스 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 내측 커버 부재의 상측에는 상기 기화 공간으로 상기 반응 용액을 공급하기 위한 갭이 제공되는 가스 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 통로 부재의 상측에는 기화 공간과 상기 유로를 연통시키는 반응 가스 공급구가 제공되고,
    상기 반응 가스 공급구를 통해 상기 반응 용액이 상기 기화 공간에서 기화되어 발생한 반응 가스가 상기 유로로 유입되는 가스 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급구는 상기 통로 부재의 상측 가장자리가 상기 내측 커버 부재의 상측 가장자리 보다 아래에 위치하도록 구성됨으로써 형성되는 가스 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 통로 부재와 상기 내측 커버 부재에 연결되어 상기 내측 커버 부재를 고정시키는 연결부를 더 포함하고,
    상기 반응 가스 공급구는 상기 통로 부재의 상측 가장자리가 상기 연결부와 이격됨으로써 형성되는 갭에 의해 제공되는 가스 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 기화 공간의 하부에 배치되는 산화 부재를 더 포함하는 가스 처리 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 대상 가스를 가열하는 가열 장치를 더 포함하고,
    상기 통로 부재는 상기 가열 장치의 하류에 배치되어 상기 가열 장치로부터 가열된 상기 처리 대상 가스를 공급받는 가스 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 가열 장치는 상기 처리 대상 가스가 유동하는 공간에서 음전극과 음전극에 전압을 가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치로 구성되고,
    상기 처리 대상 가스는 상기 유로에서 상기 플라즈마 발생 장치에 의해 발생된 플라즈마에 의해 처리되는 가스 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230033825A (ko) * 2021-09-02 2023-03-09 주식회사 에프에스티 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000035573A1 (en) * 1998-12-15 2000-06-22 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for point-of-use treatment of effluent gas streams
KR20010039524A (ko) * 1999-10-18 2001-05-15 바누치 유진 지. 반도체 제조 공정의 배출 가스 처리 장치 및 방법
KR20020086527A (ko) * 2000-02-14 2002-11-18 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응 부생성물 부착방지수단을 구비하는 배기관 및부착방지방법
KR20090104804A (ko) * 2007-01-30 2009-10-06 칸켄 테크노 가부시키가이샤 가스 처리장치
KR20110017126A (ko) * 2009-08-13 2011-02-21 주식회사 다원시스 하이브리드 스크러버용 반응기 조립체

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296206A (en) * 1992-07-31 1994-03-22 Foster Wheeler Energy Corporation Using flue gas energy to vaporize aqueous reducing agent for reduction of NOx in flue gas
WO2004064983A1 (en) * 2003-01-13 2004-08-05 Applied Materials, Inc. Treatment of effluent from a substrate processing chamber
JP2005131509A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Unisem Co Ltd 廃ガス処理処置及び廃ガス処理方法
JP2008272638A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Jdc Corp 処理装置
JP5194026B2 (ja) * 2007-11-22 2013-05-08 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー プラズマ処理装置
GB0902234D0 (en) * 2009-02-11 2009-03-25 Edwards Ltd Method of treating an exhaust gas stream
KR101122748B1 (ko) * 2009-04-24 2012-03-23 호성산업개발(주) 배기가스 정화장치 및 배기가스 정화방법
JP5540035B2 (ja) * 2012-03-22 2014-07-02 カンケンテクノ株式会社 ガス処理装置
CN107073392B (zh) * 2014-10-06 2020-08-25 北京康肯环保设备有限公司 废气处理装置
KR101689166B1 (ko) * 2014-10-20 2016-12-26 씨에스케이(주) 스크러버 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000035573A1 (en) * 1998-12-15 2000-06-22 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for point-of-use treatment of effluent gas streams
KR20010039524A (ko) * 1999-10-18 2001-05-15 바누치 유진 지. 반도체 제조 공정의 배출 가스 처리 장치 및 방법
KR20020086527A (ko) * 2000-02-14 2002-11-18 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응 부생성물 부착방지수단을 구비하는 배기관 및부착방지방법
KR20090104804A (ko) * 2007-01-30 2009-10-06 칸켄 테크노 가부시키가이샤 가스 처리장치
KR20110017126A (ko) * 2009-08-13 2011-02-21 주식회사 다원시스 하이브리드 스크러버용 반응기 조립체

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230033825A (ko) * 2021-09-02 2023-03-09 주식회사 에프에스티 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법

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