KR20190056111A - 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법 - Google Patents

탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190056111A
KR20190056111A KR1020170153203A KR20170153203A KR20190056111A KR 20190056111 A KR20190056111 A KR 20190056111A KR 1020170153203 A KR1020170153203 A KR 1020170153203A KR 20170153203 A KR20170153203 A KR 20170153203A KR 20190056111 A KR20190056111 A KR 20190056111A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing
infrared
sensing film
film
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170153203A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102008720B1 (ko
Inventor
정대웅
김재건
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020170153203A priority Critical patent/KR102008720B1/ko
Publication of KR20190056111A publication Critical patent/KR20190056111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102008720B1 publication Critical patent/KR102008720B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/0225Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
    • G01J5/023Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시 예는 탄소나노섬유를 이용하여 적외선 감지물질을 형상하므로, 적외선 센서의 제조 비용이 절감되며, 적외선에 대한 감도가 향상된 적외선 센서를 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서는, 기판; 기판과 결합하는 지지부; 탄소나노섬유로 형성되고, 적외선을 흡수하여 전기저항이 가변하며, 지지부의 상부벽이 타공되어 형성된 타공부에 인입되고 지지부와 결합하여 지지부에 의해 지지되는 감지막; 상기 기판과 상기 지지부의 결합에 의해 형성된 공간으로, 상기 감지막을 통과한 적외선이 공진되는 공진공간; 및 상기 공진공간에 위치하고, 상기 기판과 결합하는 반사막;을 포함한다.

Description

탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법{AN INFRARED SENSOR HAVING CARBON NANOTUBE SENSING FILM AND A METHOD FOR SENSING INFRARED RAY USING THE SAME}
본 발명은 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 탄소나노섬유를 이용하여 적외선 감지물질을 형상하므로, 적외선 센서의 제조 비용이 절감되며, 적외선에 대한 감도가 향상된 적외선 센서에 관한 것이다.
비냉각형 적외선 센서는 크게 볼로미터(Bolometer)형, 열전쌍(Thermocouple)형, 초전(Pyroelectric)형의 3가지 형태로 나눌 수 있다. 초전형 적외선 센서는 검출력은 좋지만 생산성이 낮고, 볼로미터형과 열전쌍형 적외선 센서는 초전형 적외선 센서보다는 검출력이 낮지만 검출 회로와 함께 실리콘 웨이퍼 상에 모노리식(Monolithic)으로 제조되므로 생산성이 좋기 때문에 민수용으로 널리 사용되고 있다. 이 중 볼로미터형 적외선 센서는 물체에서 방사되는 적외선을 흡수하여 열에너지로 바뀔 때 그로 인한 온도상승으로 전기저항이 변화하는 것을 이용하여 적외선을 검출한다.
기존의 적외선 센서는 감지물질로 사용되는 금속산화물(VOx or a-SiGe)을 이용하는데, 금속산화물(VOx or a-SiGe)보다 저렴한 물질로 형성되고 감도가 향상되는 감지물질이 요구되고 있다.
그리고, 기존의 적외선 센서는 고정된 형상으로 인하여 적외선 센서 자체 내에서 센서의 감도 향상을 위한 별다른 구성을 구비하지 못한다는 문제가 있다.
대한민국 공개특허 제2002-0041540호에서는, 스피넬 구조의 금속 산화물로 이루어진 초박형 서미스터 소자를 테이프 캐스팅법으로 제조하고 상기 서미스터 소자를 안치 고정하기 위한 소자 장착홈, 중공부 및 열차단부가 형성되어 있는 열절연 기판을 이용하여 용이하게 열 고립구조를 이루고 상기 기판 전면 및 후면에 서미스터 소자(20)를 안치 고정하여 자체적으로 온도 보상이 되도록 하는 볼로미터형 적외선 센서가 개시되어 있다.
대한민국 공개특허 제2002-0041540호
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 금속산화물이나 비정질재료가 아닌 다른 소재의 감지물질을 이용하여 적외선 센서를 제조하는 것이다.
그리고, 본 발명의 목적은, 감도 향상을 위하여 적외선 센서의 형상이 변경 가능하도록 구성하도록 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 기판; 상기 기판과 결합하는 지지부; 탄소나노섬유로 형성되고, 적외선을 흡수하여 전기저항이 가변하며, 상기 지지부의 상부벽이 타공되어 형성된 타공부에 인입되고 상기 지지부와 결합하여 상기 지지부에 의해 지지되는 감지막; 상기 기판과 상기 지지부의 결합에 의해 형성된 공간으로, 상기 감지막을 통과한 적외선이 공진되는 공진공간; 및 상기 공진공간에 위치하고, 상기 기판과 결합하는 반사막;을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 지지부와 결합하고, 길이가 가변하여, 상기 반사막의 상면으로부터 상기 감지막의 하면까지 거리인 상기 공진공간의 높이를 가변시키는 액추에이터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 공진공간의 높이는, 2 내지 3.5 마이크로미터(㎛)일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 감지막은 300 내지 600도의 온도에서 열처리될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 감지막은, 산성 용액을 이용하여 산 처리될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 감지막은, 전기방사에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 기판은, 상기 기판 상에 형성되는 절연층을 구비할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 감지막 상에 형성되고, 상기 감지막으로 향하는 적외선을 투과시키며, 상기 감지막을 보호하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 반사막은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 철(Fe)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 지지부와 결합하고, 상기 감지막과 연결되어 상기 감지막에 전기를 제공하는 전극부를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, i) 적외선 감지 대상인 감지대상으로부터 상기 감지막으로 적외선이 조사되는 단계; ii) 제어부가 상기 감지막에 대한 적외선의 조사 여부를 판단하는 단계; iii) 상기 제어부가 액추에이터로 제어신호를 전달하여, 상기 액추에이터의 구동으로 상기 액추에이터의 길이가 조절됨으로써, 상기 공진공간의 높이가 가변되는 단계; iv) 상기 제어부가 상기 감지막의 전기저항 값이 최대로 되는 상기 공진공간의 높이를 판단하는 단계; 및 v) 상기 감지대상으로부터 발산되는 적외선을 감지하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 iv) 단계에서, 상기 제어부는 소정의 시간 간격으로 상기 공진공간의 높이를 조절할 수 있다.
상기와 같은 구성에 따른 본 발명의 효과는, 탄소나노섬유를 이용하여 적외선 감지물질을 형상하므로, 적외선 센서의 제조 비용이 절감되며, 적외선에 대한 감도가 향상된 적외선 센서를 제조할 수 있다는 것이다.
그리고, 본 발명의 효과는, 적외선 센서의 형상이 변경됨으로써 공진 구조의 높이를 조절 가능하므로, 공진 구조의 높이를 적외선 파장대에 맞게 최적화시킬 수 있어, 적외선 센서의 효율을 향상시킬 수 있다는 것이다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적외선 센서의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 적외선 센서의 단면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시 예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적외선 센서의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 적외선 센서의 단면도이다.
여기서, 도 2는, 도 1의 A-A'라인을 기준으로 한 본 발명의 적외선 센서의 단면도이다.
도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 적외선 센서는, 기판(600); 기판(600)과 결합하는 지지부(300); 탄소나노섬유(Carbon Nano Tube, CNT)로 형성되고, 적외선을 흡수하여 전기저항이 가변하며, 지지부(300)의 상부벽이 타공되어 형성된 타공부에 인입되고 지지부(300)와 결합하여 지지부(300)에 의해 지지되는 감지막(100); 기판(600)과 지지부(300)의 결합에 의해 형성된 공간으로, 감지막(100)을 통과한 적외선이 공진되는 공진공간(400); 및 공진공간(400)에 위치하고, 기판(600)과 결합하는 반사막(500);을 포함할 수 있다.
기판(600)은, 반도체 실리콘으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
지지부(300)는, 하부가 개방된 하우징의 형상으로써, 측벽과 상부벽을 구비하고, 지지부(300)의 상부벽이 타공되어 타공부가 형성될 수 있다. 그리고, 지지부(300)의 측벽이 신축부(310)와 결합하고, 신축부(310)가 기판(600)과 결합할 수 있다. (신축부(310)에 대해서는 하기에 상세히 설명하기로 한다.)
도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 감지막(100) 일 부위는 지지부(300)의 상부벽에 형성된 타공부에 인입될 수 있다
반사막(500)은 기판(600) 상에 형성됨과 동시에 공진공간(400)에 위치할 수 있다. 반사막(500)은 감지막(100)을 통과한 적외선을 감지막(100)으로 반사시켜, 감지막(100)에 흡수되는 적외선의 양을 증대시키는 기능을 수행할 수 있다.
이에 따라, 적외선 감지 대상인 감지대상으로부터 감지막(100)으로 적외선이 조사되는 경우, 일부 적외선은 감지막(100)에 바로 흡수되어 감지막(100)의 온도를 상승시키면서 감지막(100)의 전기저항 값을 상승시킬 수 있다. 그리고, 감지막(100)을 통과한 나머지 적외선은 반사막(500)에 의해 감지막(100)으로 반사되어 흡수되고, 이에 따라 감지막(100)의 전기저항 값이 더 상승할 수 있다.
본 발명의 적외선 센서는, 상기와 같이 감지막(100)이 적외선을 흡수하여 온도가 증가하고, 이에 따라 감지막(100)의 전기저항 값이 변하는 것을 이용하여 적외선 센싱을 수행할 수 있다.
도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 지지부(300)와 결합하고, 감지막(100)과 연결되어 감지막(100)에 전기를 제공하는 전극부(700)를 더 포함할 수 있다.
전극부(700)는, 감지막(100)의 일측과 결합하는 제1전극(710) 및 감지막(100)의 타측과 결합하는 제2전극(720)을 구비할 수 있다.
제1전극(710)은 감지막(100)의 일측으로부터 지지부(300)의 말단으로 연결되면서 형성될 수 있고, 마찬가지로, 제2전극(720)은 감지막(100)의 타측으로부터 지지부(300)의 말단으로 연결되면서 형성될 수 있다.
여기서, 전극부(700)는, 지지부(300)의 외측면을 따라 지지부(300)의 외측면과 접촉하면서 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에서는, 전극부(700)가 제1전극(710) 및 제2전극(720)으로 구성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 전극부(700)는 3개 이상의 전극으로 구성될 수 있다.
전극부(700)를 형성하는 전극은, 알루미늄(Al), 티타늄텅스텐(TiW) 및 니켈크롬(NiCr)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성될 수 있다.
지지부(300)와 결합하고, 길이가 가변하여, 반사막(500)의 상면으로부터 감지막(100)의 하면까지 거리인 공진공간의 높이(d)를 가변시키는 액추에이터(actuator)(200)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 액추에이터(200)는 전자기식 액추에이터(electromagnetic actuator)일 수 있다.
그리고, 지지부(300)는, 지지부(300)와 기판(600) 사이에 형성되며, 신축성을 구비하는 소재로 형성되고, 액추에이터(200)의 길이 변화에 따라 신장 또는 수축되는 신축부(310)를 구비할 수 있다.
도 2에서 보는 바와 같이, 액추에이터(200)는 공진공간(400)에 적어도 하나 이상 구비될 수 있다. 그리고, 각각의 액추에이터(200)는 전기에너지에 의해 길이가 증가 또는 감소할 수 있다.
액추에이터(200)의 일단은 지지부(300)의 상부벽과 결합하고, 액추에이터(200)의 타단은 기판(600)과 결합할 수 있다.
액추에이터(200)의 길이가 증가하면, 액추에이터(200)는 기판(600)과 지지부(300)를 밀게 되고, 이에 따라 신축부(310)가 신장됨과 동시에 공진공간의 높이(d)가 증가될 수 있다.
그리고, 액추에이터(200)의 길이가 감소하면, 액추에이터(200)는 기판(600)과 지지부(300)를 당기게 되고, 이에 따라 신축부(310)가 수축됨과 동시에 공진공간의 높이(d)가 감소될 수 있다.
공진공간의 높이(d)는, 2 내지 3.5 마이크로미터(㎛)일 수 있다.
적외선은 8 내지 14 마이크로미터(㎛) 크기의 파장을 구비할 수 있다. 그리고, 공진공간(400)은 적외선의 흡수가 최대가 되도록 하기 위한 것으로, 공진공간의 높이(d)는 8 내지 14 마이크로미터(㎛) 크기의 파장의 1/4의 값인 2 내지 3.5 마이크로미터(㎛)로 형성될 수 있다.
본 발명의 적외선 센서는, 액추에이터(200)에 공급되는 전기량을 제어하고, 전극부(700)와 연결되어 감지막(100)의 전기저항 값을 판단하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
적외선 감지 대상인 감지대상으로부터 감지막(100)으로 적외선이 조사되어 감지막(100)의 전기저항 값이 변화하기 시작하면, 이를 감지하여 본 발명의 적외선 센서의 작동 시작을 판단할 수 있다.
그리고, 상기와 같이 제어부가 본 발명의 적외선 센서의 작동 시작을 판단하면, 각각의 액추에이터(200)에 제어신호를 전달하고, 각각의 액추에이터(200)의 길이를 실시간으로 조절하여, 공진공간의 높이(d)가 실시간으로 가변될 수 있다.
여기서, 공진공간의 높이(d)가 조절되는 중에, 제어부는 감지막(100)의 전기저항 값이 최대로 되는 공진공간의 높이(d)인 최대공진높이를 측정할 수 있고, 최대공진높이 상태에서 감지대상으로부터 발산되는 적외선을 감지하도록 제어부가 제어할 수 있다.
그리고, 소정의 시간 간격으로 최대공진높이도 조절되도록 제어부가 액추에이터(200)에 제어신호를 전달할 수 있다.
상기와 같은 제어부의 제어에 의해, 본 발명의 적외선 센서의 감도를 최대로 유지할 수 있다.
감지막(100)은, 전기방사(electro spinning)에 의해 형성될 수 있다. 본 발명의 감지막(100)은 공지된 기술의 전기방사법에 의해 제조될 수 있다.
여기서, 감지막(100)은 탄소나노섬유가 적층되어 형성될 수 있다.
구체적으로, 먼저 고분자 물질로 형성되는 필름을 마련하고, 필름 상에 전기방사법을 이용하여 탄소나노섬유로 형성되는 하나의 탄소나노섬유층을 형성할 수 있다. 그리고, 하나의 탄소나노섬유층 상에 전기방사법을 이용하여 탄소나노섬유를 형성함으로써 다른 탄소나노섬유층을 형성할 수 있다.
그 후, 필름을 제거하고, 경화 공정을 수행하여 감지막(100)이 형성될 수 있다.
감지막(100)은 300 내지 600도의 온도에서 열처리될 수 있다.
감지막(100)은 탄소나노섬유로 형성되므로, 상기와 같은 온도 범위 내에서 열처리되는 경우, 탄소나노섬유가 탄화되어 전기전도도가 증가하므로, 감지막(100)에 전기를 통전하여 감지막(100)의 전기저항 값의 변화를 측정할 수 있다.
또는, 감지막(100)은, 산성 용액을 이용하여 산 처리될 수 있다.
여기서, 산성 용액은, 염산(HCl) 용액 또는 황산(H2SO4) 용액일 수 있다.
감지막(100)은 탄소나노섬유로 형성되므로, 상기와 같은 산성 용액으로 산 처리되는 경우, 탄소나노섬유가 산화되어 전기전도도가 증가하므로, 감지막(100)에 전기를 통전하여 감지막(100)의 전기저항 값의 변화를 측정할 수 있다.
반사막(500)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 철(Fe)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에서는, 반사막(500)이 상기와 같은 물질로 형성된다고 설명하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 적외선을 반사시키는 물질은 모두 이용될 수 있다.
기판(600)은, 기판(600) 상에 형성되는 절연층(610)을 구비할 수 있다.
구체적으로, 도2에서 보는 바와 같이, 반사막(500)과 결합하는 기판(600)의 상면 상에 절연층(610)이 형성되고, 절연층(610) 상에 반사막(500)이 형성될 수 있다.
그리고, 기판(600)의 상면 상에 절연층(610)이 형성되는 경우, 절연층(610)과 액추에이터(200)의 타단이 결합하고, 절연층(610)과 지지부(300) 사이에 신축부(310)가 형성될 수 있다.
절연층(610)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(Si3N4) 등 실리콘 화합물로 형성될 수 있다.
본 발명의 적외선 센서는, 감지막(100) 상에 형성되고, 감지막(100)으로 향하는 적외선을 투과시키며, 감지막(100)을 보호하는 보호층(110)을 더 포함할 수 있다.
보호층(110)은 투명한 재질로 형성되며, 외부의 충격으로부터 감지막(100)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
보호층(110)은 실리콘, 유리 또는 합성수지로 형성될 수 있다.
상기와 같이, 탄소나노섬유를 이용하여 감지막(100)을 형성하고, 이를 이용하여 적외선을 감지하므로, 적외선 센서의 제조 비용이 절감되며, 적외선에 대한 감도가 향상된 적외선 센서를 제조할 수 있다.
또한, 액추에이터(200)에 의해 공진공간의 높이(d)가 조절되므로, 공진공간의 높이(d)를 적외선 파장대에 맞게 최적화시킬 수 있어, 적외선 센서의 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 적외선 센서를 포함하는 스마트폰을 제조할 수 있다.
일 실시 예로써, 본 발명의 적외선 센서를 스마트폰에 결합시켜, 사용자의 동작을 적외선 센서로 판단하여, 사용자의 동작 정보를 스마트폰의 프로세서칩에 전달할 수 있다.
본 발명의 적외선 센서를 포함하는 자동차를 제조할 수 있다.
일 실시 예로써, 본 발명의 적외선 센서를 자동차의 운전대에 결합시켜, 운전자의 동작을 적외선 센서로 판단하여, 운전자의 동작 정보를 자동차에 내장된 프로세서칩에 전달할 수 있다.
이하, 본 발명의 적외선 센서를 이용한 적외선 센싱 방법에 대해 설명하기로 한다.
첫째 단계에서, 적외선 감지 대상인 감지대상으로부터 감지막(100)으로 적외선이 조사될 수 있다.
둘째 단계에서, 제어부가 감지막(100)에 대한 적외선의 조사 여부를 판단할 수 있다.
셋째 단계에서, 제어부가 액추에이터(200)로 제어신호를 전달하여, 액추에이터(200)의 구동으로 액추에이터(200)의 길이가 조절됨으로써, 공진공간의 높이(d)가 가변될 수 있다.
넷째 단계에서, 제어부가 감지막(100)의 전기저항 값이 최대로 되는 공진공간의 높이(d)(최대공진높이)를 판단할 수 있다.
여기서, 제어부는 소정의 시간 간격으로 공진공간의 높이(d)를 조절할 수 있다.
이에 따라, 감지대상 적외선의 변화, 또는 감지대상이 교체되어 생성되는 적외선의 변화에 대해, 소정의 시간 간격으로 최대공진높이를 가변시켜, 본 발명의 적외선 센서의 감도를 최대로 유지시킬 수 있다.
다섯째 단계에서, 감지대상으로부터 발산되는 적외선을 감지할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 감지막
110 : 보호층
200 : 액추에이터
300 : 지지부
310 : 신축부
400 : 공진공간
500 : 반사막
600 : 기판
610 : 절연층
700 : 전극부
710 : 제1전극
720 : 제2전극

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판과 결합하는 지지부;
    탄소나노섬유로 형성되고, 적외선을 흡수하여 전기저항이 가변하며, 상기 지지부의 상부벽이 타공되어 형성된 타공부에 인입되고 상기 지지부와 결합하여 상기 지지부에 의해 지지되는 감지막;
    상기 기판과 상기 지지부의 결합에 의해 형성된 공간으로, 상기 감지막을 통과한 적외선이 공진되는 공진공간; 및
    상기 공진공간에 위치하고, 상기 기판과 결합하는 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부와 결합하고, 길이가 가변하여, 상기 반사막의 상면으로부터 상기 감지막의 하면까지 거리인 상기 공진공간의 높이를 가변시키는 액추에이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 공진공간의 높이는, 2 내지 3.5 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 감지막은 300 내지 600도의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 감지막은, 산성 용액을 이용하여 산 처리되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 감지막은, 전기방사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은, 상기 기판 상에 형성되는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 감지막 상에 형성되고, 상기 감지막으로 향하는 적외선을 투과시키며, 상기 감지막을 보호하는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사막은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 철(Fe)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부와 결합하고, 상기 감지막과 연결되어 상기 감지막에 전기를 제공하는 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 선택되는 어느 하나의 항에 의한 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 스마트폰.
  12. 청구항 1 내지 청구항 10 중 선택되는 어느 하나의 항에 의한 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 자동차.
  13. 청구항 1의 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서를 이용한 적외선 센싱 방법에 있어서,
    i) 적외선 감지 대상인 감지대상으로부터 상기 감지막으로 적외선이 조사되는 단계;
    ii) 제어부가 상기 감지막에 대한 적외선의 조사 여부를 판단하는 단계;
    iii) 상기 제어부가 액추에이터로 제어신호를 전달하여, 상기 액추에이터의 구동으로 상기 액추에이터의 길이가 조절됨으로써, 상기 공진공간의 높이가 가변되는 단계;
    iv) 상기 제어부가 상기 감지막의 전기저항 값이 최대로 되는 상기 공진공간의 높이를 판단하는 단계; 및
    v) 상기 감지대상으로부터 발산되는 적외선을 감지하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서를 이용한 적외선 센싱 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 iv) 단계에서, 상기 제어부는 소정의 시간 간격으로 상기 공진공간의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서를 이용한 적외선 센싱 방법.
KR1020170153203A 2017-11-16 2017-11-16 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법 KR102008720B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170153203A KR102008720B1 (ko) 2017-11-16 2017-11-16 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170153203A KR102008720B1 (ko) 2017-11-16 2017-11-16 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190056111A true KR20190056111A (ko) 2019-05-24
KR102008720B1 KR102008720B1 (ko) 2019-08-09

Family

ID=66680398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170153203A KR102008720B1 (ko) 2017-11-16 2017-11-16 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102008720B1 (ko)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020041540A (ko) 2000-11-28 2002-06-03 이 해 욱 볼로미터형 적외선 센서
JP2003337066A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 熱型赤外線検出器及びその製造方法
KR20050012353A (ko) * 2003-07-25 2005-02-02 주식회사 오카스 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법
KR100502577B1 (ko) * 2004-09-06 2005-07-20 주식회사 오카스 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서
KR100785738B1 (ko) * 2006-06-19 2007-12-18 한국과학기술원 볼로미터
KR100869548B1 (ko) * 2008-05-20 2008-11-19 아이쓰리시스템 주식회사 신호대잡음비가 향상된 볼로미터형 적외선 센서 및 그의제작 방법
KR20090088071A (ko) * 2008-02-14 2009-08-19 (주)유우일렉트로닉스 SoC기반 공간 감지용 적외선 센서
KR20120016444A (ko) * 2010-08-16 2012-02-24 연세대학교 산학협력단 전도성 고분자와 탄소나노튜브 복합재를 감지물질로 이용한 가스센서 제조방법
US20120286161A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 The Regents Of The University Of Michigan Infrared sensing using pyro/piezo-electric resonators
KR20130072806A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 삼성전자주식회사 적외선 검출기 및 이를 사용하는 적외선 검출 방법
US20130214158A1 (en) * 2011-08-17 2013-08-22 Public Service Solutions, Inc. Passive detectors for imaging systems
KR101439263B1 (ko) * 2013-11-22 2014-09-11 한국광기술원 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
KR20150108058A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 주식회사 템퍼스 멤스 써모파일 센서 및 그 제조방법
JP2015194390A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 Tdk株式会社 赤外線検知装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020041540A (ko) 2000-11-28 2002-06-03 이 해 욱 볼로미터형 적외선 센서
JP2003337066A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Mitsubishi Electric Corp 熱型赤外線検出器及びその製造方法
KR20050012353A (ko) * 2003-07-25 2005-02-02 주식회사 오카스 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법
KR100502577B1 (ko) * 2004-09-06 2005-07-20 주식회사 오카스 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서
KR100785738B1 (ko) * 2006-06-19 2007-12-18 한국과학기술원 볼로미터
KR20090088071A (ko) * 2008-02-14 2009-08-19 (주)유우일렉트로닉스 SoC기반 공간 감지용 적외선 센서
KR100869548B1 (ko) * 2008-05-20 2008-11-19 아이쓰리시스템 주식회사 신호대잡음비가 향상된 볼로미터형 적외선 센서 및 그의제작 방법
KR20120016444A (ko) * 2010-08-16 2012-02-24 연세대학교 산학협력단 전도성 고분자와 탄소나노튜브 복합재를 감지물질로 이용한 가스센서 제조방법
US20120286161A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 The Regents Of The University Of Michigan Infrared sensing using pyro/piezo-electric resonators
US20130214158A1 (en) * 2011-08-17 2013-08-22 Public Service Solutions, Inc. Passive detectors for imaging systems
KR20130072806A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 삼성전자주식회사 적외선 검출기 및 이를 사용하는 적외선 검출 방법
KR101439263B1 (ko) * 2013-11-22 2014-09-11 한국광기술원 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
KR20150108058A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 주식회사 템퍼스 멤스 써모파일 센서 및 그 제조방법
JP2015194390A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 Tdk株式会社 赤外線検知装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102008720B1 (ko) 2019-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20030060717A1 (en) Infrared Thermometer With Heatable Probe Tip And Protective Cover
EP2811271B1 (en) Infrared sensor
WO2015186295A1 (ja) 静電式把持検出装置
US10151638B2 (en) Bolometer, method of fabricating the same, and bolometric method
WO2013153874A1 (ja) シャント抵抗式電流センサ
JP4277927B2 (ja) 誘導加熱調理器
WO2013140711A1 (ja) 体温計
US9097579B2 (en) Electrical calibrated radiometer
JP2004095313A (ja) 誘導加熱調理器
KR20190056111A (ko) 탄소나노섬유 감지막을 구비한 적외선 센서 및 이를 이용한 적외선 센싱 방법
JP2010278142A (ja) 熱型素子及び熱型素子の製造方法
JP2009210289A (ja) 赤外線検出システム
JP2013231714A (ja) ボロメータ
WO2013140720A1 (ja) 体温計及び体温計のアンテナユニットならびにその製造方法
EP3055658B1 (en) Infrared detector based on mechanical vibrations
KR100785738B1 (ko) 볼로미터
WO2018110310A1 (ja) 光検出器
CN109084901A (zh) 一种红外辐射传感器
US9130081B2 (en) Bolometer having absorber with pillar structure for thermal shorting
JP2013113692A (ja) 赤外線センサ
JP2002156283A (ja) サーモパイル型赤外線センサ
JP4490580B2 (ja) 赤外線センサー
KR102177261B1 (ko) 테라헤르츠파 감지소자
JP6282526B2 (ja) 非接触型温度センサ
CN218596118U (zh) 一种红外热电堆传感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right