KR20190053452A - Manufacturing method of absorb layer for perovskite solar cell and sputtering apparatus for perovskite thin film - Google Patents

Manufacturing method of absorb layer for perovskite solar cell and sputtering apparatus for perovskite thin film Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an absorption layer thin film of perovskite solar cells using an oblique deposition sputtering method and to a sputtering device for manufacturing absorption layer thin film of perovskite solar cells. According to one embodiment of the present invention, the method for manufacturing an absorption layer thin film of perovskite solar cells comprises the steps of: using an oblique deposition sputtering method to form a PbO thin film or PbI_2 thin film on a substrate; and supplying methyl ammonium iodide (MAI) gases on the PbO thin film or the Pbl_2 thin film to react the PbO thin film or the PbI_2 thin film with the MAI gases and forming MAPbI_3 perovskite thin film on a substrate. Accordingly, the present invention may form a uniform perovskite thin film in a large area.

Description

페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막 제조방법 및 페로브스카이트 박막 제조용 스퍼터링 장치{MANUFACTURING METHOD OF ABSORB LAYER FOR PEROVSKITE SOLAR CELL AND SPUTTERING APPARATUS FOR PEROVSKITE THIN FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a thin film of an absorber layer for a perovskite solar cell and a sputtering apparatus for manufacturing a perovskite thin film,

본 발명은 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 경사증착 스퍼터링법을 이용한 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박박을 제조하는 방법과 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막을 제조하기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a perovskite solar cell, and more particularly, to a method of manufacturing a perovskite solar cell absorber thin foil using an oblique deposition sputtering method and a sputtering apparatus for producing a perovskite solar cell absorber thin film .

유기-무기 하이브리드 페로브스카이트(Inorganic-Organic Hybrid Perovskite) 화합물은 유기 양이온(A), 금속 양이온(M) 및 할로겐 음이온(X)으로 이루어지며, 페로브스카이트 구조를 갖는 AMX3의 화학식 구조를 갖는다. 이러한 페로브스카이트 화합물은 소재 가격이 낮고 저온 공정이 가능하여, 발광소자, 메모리소자, 센서, 광발전소자 등 다양한 분야에서 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 최근에 들어 이러한 페로브스카이트 화합물을 태양전지의 흡수층 박막으로 많은 연구가 이루어지고 있다.The organic-inorganic hybrid perovskite compound is composed of an organic cation (A), a metal cation (M) and a halogen anion (X), and has a chemical structure of AMX 3 having a perovskite structure . Such perovskite compounds have been under active research in various fields such as light emitting devices, memory devices, sensors, photovoltaic devices, etc., since the material cost is low and the low temperature process is possible. Especially recently, many researches have been carried out using such a perovskite compound as an absorber layer of a solar cell.

기존에 보고된 페로브스카이트 태양전지는 스핀 코팅(Spin Coating) 등의 용액법으로 제작되어 태양전지의 효율이 20% 이상이 된다고 보고하고 있으나, 이는 1 cm3 이하의 소면적에서 구현한 것이고, 용액법으로 페로브스카이트 태양전지를 제작할 경우, 대면적에서는 균일한 박막 형성이 불가능하고 박막 내부의 핀홀(Pin Hole)을 제어할 수 없는 문제점이 있다. 또한, 용액법으로 증착된 페로브스카이트 박막은 열처리 등에 의한 상전이가 필요하고 이 과정에서 박막에 많은 스트레스(stress)가 인가되는 문제점이 있어, 특히 대면적으로 페로브스카이트 태양전지를 제조할 경우 더욱 문제가 된다. 따라서, 대면적에서 스트레스를 최소화할 수 있는 새로운 방법의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법이 개발되어야 필요성이 있다.Conventionally reported perovskite solar cells are fabricated by a solution method such as spin coating, and the efficiency of the solar cell is reported to be over 20%, but this is realized in a small area of 1 cm 3 or less , When a perovskite solar cell is manufactured by a solution method, it is impossible to form a uniform thin film in a large area and the pin hole inside the thin film can not be controlled. In addition, the perovskite thin film deposited by the solution method requires a phase transition by heat treatment or the like, and there is a problem that a lot of stress is applied to the thin film in this process. Particularly, a perovskite thin film This becomes even more problematic. Therefore, there is a need to develop a new method of manufacturing a perovskite solar cell capable of minimizing stress on a large area.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 대면적에서 스트레스를 최소화할 수 있는 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막 제조방법을 제공하는 데에 있다. 또한, 본 발명은 이러한 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막 제조용 스퍼터링 장치를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thin film of an absorber layer of a perovskite solar cell that can minimize stress in a large area. The present invention also provides a sputtering apparatus for producing such a thin film of a perovskite solar battery absorbing layer.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막 제조방법에 대한 일 실시예는 경사증착 스퍼터링법을 이용하여 기판 상에 PbO 박막 또는 PbI2 박막을 형성하는 단계; 및 상기 PbO 박막 또는 PbI2 박막 상에 MAI(MethylAmmonium Iodide) 가스를 공급하여 상기 PbO 박막 또는 PbI2 박막과 상기 MAI 가스를 반응시킴으로써, 상기 기판 상에 MAPbI3 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a thin film of a perovskite solar battery, comprising: forming a PbO thin film or a PbI 2 thin film on a substrate using a tilted deposition sputtering method; And forming said PbO film or PbI 2 thin film onto the supplying an MAI (MethylAmmonium Iodide) gas by reacting the PbO film or PbI 2 film and the MAI gas, MAPbI on the substrate 3 perovskite thin film; .

본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막 제조방법에 있어서, 상기 경사증착 스퍼터링법은, RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원 공급부를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 수행할 수 있다.In the method of manufacturing a thin film of perovskite solar battery absorbing layer according to an embodiment of the present invention, the tilted deposition sputtering method can be performed by generating plasma using a hybrid power supply unit in which an RF power source and a DC power source are mixed .

본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막 제조방법에 있어서, 상기 기판은 투명전극 및 전자 수송층이 순차적으로 형성된 기판일 수 있다.In the method of manufacturing a thin film of a perovskite solar battery absorbing layer according to an embodiment of the present invention, the substrate may be a substrate on which a transparent electrode and an electron transporting layer are sequentially formed.

본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막 제조방법에 있어서, 상기 MAPbI3 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계는 50 ~ 150 ℃의 범위의 온도에서 수행할 수 있다.In the method for manufacturing a perovskite solar battery absorbing layer thin film according to an embodiment of the present invention, the step of forming the MAPbI 3 perovskite thin film may be performed at a temperature ranging from 50 to 150 ° C.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 페로브스카이트 박막 제조용 스퍼터링 장치에 대한 일 실시예는 스퍼터링 챔버; 상기 스퍼터링 챔버 내에 기판을 배치되며, 기판을 지지하고, 상기 기판의 둘레방향으로 회전시키는 회전 구동수단을 구비한 기판 지지부; 상기 스퍼터링 챔버 내에 상기 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 기판에 PbO 박막 또는 PbI2 박막이 증착될 수 있는 증착물질을 제공하는 스퍼터 타겟; 및 상기 스퍼터 타겟에 연결되어 상기 스퍼터링 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부;를 포함하며, 상기 기판에 대한 법선과 상기 스퍼터 타겟에 대한 법선이 경사각도(θ)를 이루도록, 상기 기판 지지부와 상기 스퍼터 타겟이 배치되고, 상기 전원 공급부는 RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원을 상기 스퍼터 타겟에 공급시킨다.According to an aspect of the present invention, there is provided a sputtering apparatus for manufacturing a perovskite thin film, including: a sputtering chamber; A substrate support disposed in the sputtering chamber, the substrate support having a rotation driving means for supporting the substrate and rotating it in the circumferential direction of the substrate; A sputter target disposed in the sputtering chamber so as to face the substrate and providing a deposition material capable of depositing a PbO thin film or a PbI 2 thin film on the substrate; And a power supply connected to the sputtering target and generating a plasma in the sputtering chamber, wherein the substrate supporting part and the sputtering target, so that the normal to the substrate and the normal to the sputtering target form an inclination angle, And the power supply unit supplies the sputter target with a hybrid power source in which an RF power source and a DC power source are mixed.

본 발명에 따르면, 스퍼터링법으로 PbO 박막 또는 PbI2 박막을 형성함으로써, 대면적에서도 균일한 페로브스카이트 박막을 형성할 수 있다. 그리고 PbO 박막 또는 PbI2 박막을 경사증착 스퍼터링법으로 형성하므로, 대면적에서도 스트레스가 많지 않은 페로브스카이트 박막을 형성할 수 있게 된다. 또한, 경사증착 스퍼터링 공정 수행시 RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원 공급부를 이용함으로써 페로브스카이트 박막의 하부막을 이루는 전자 수송층에 플라즈마 공정시에 발생할 수 있는 플라즈마 손상을 최소화할 수 있게 된다.According to the present invention, by forming a thin film PbO or PbI 2 thin film by sputtering, it is possible to form a homogeneous perovskite thin film in a large area. Since the PbO thin film or the PbI 2 thin film is formed by the oblique deposition sputtering method, it is possible to form a perovskite thin film having less stress even in a large area. In addition, by using a hybrid power supply unit in which an RF power source and a DC power source are mixed when performing the oblique deposition sputtering process, plasma damage that may occur in the plasma process can be minimized in the electron transport layer constituting the lower film of the perovskite thin film.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 박막 제조용 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing an absorption layer thin film of a perovskite solar cell according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a sputtering apparatus for producing a perovskite thin film according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to any particular shape of the regions illustrated herein, including, for example, variations in shape resulting from manufacturing. The same reference numerals denote the same elements at all times. Further, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the invention is not limited by the relative size or spacing depicted in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing an absorption layer thin film of a perovskite solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막을 제조하는 방법은 우선 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 PbO 박막 또는 PbI2 박막(120)을 경사증착 스퍼터링법으로 형성한다. 이때 기판(110)은 유리 기판(112) 상에 투명전극(114)과 전자 수송층(116)이 순차적으로 적층된 기판일 수 있다. 투명전극(114)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 FTO(Flourine doped Tin Oxide)와 같은 투명산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)와 같은 물질로 이루어질 수도 있고, OMO(Oxide-Metal-Oxide) 구조로 이루어질 수도 있다. 전자 수송층(116)은 전자전달물질(Electron Transport Material, ETM)로 이루어질 수 있으며, 예컨대 TiO2와 같은 산화물로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing an absorption layer thin film of a perovskite solar cell according to an embodiment of the present invention includes: forming a PbO thin film or a PbI thin film on a substrate 100, 2 thin film 120 is formed by an oblique deposition sputtering method. At this time, the substrate 110 may be a substrate on which a transparent electrode 114 and an electron transport layer 116 are sequentially stacked on a glass substrate 112. The transparent electrode 114 may be formed of a material such as a transparent oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) or FTO (Flourine Doped Tin Oxide) or an OMO (oxide-metal-oxide) It is possible. The electron transport layer 116 may be formed of an electron transport material (ETM), for example, an oxide such as TiO 2 .

PbO 박막 또는 PbI2 박막(120)은 경사증착 스퍼터링법으로 형성될 수 있다. 스퍼터링(sputtering)은 스퍼터 타겟과 기판 사이에 플라즈마를 발생시켜, 플라즈마에 의해 이온화된 입자를 스퍼터 타겟에 충돌시켜 떨어져나온 타겟 입자를 기판에 증착시키는 방법으로 널리 이용되는 박막 증착방법이다. 일반적인 스퍼터링은 스퍼터 타겟에 대한 법선과 기판에 대한 법선이 이루는 각도가 거의 0도에 가까운, 즉, 스퍼터 타겟과 기판이 거의 평행하게 위치한 상태에서 공정이 수행된다. 이에 반해 경사증착(Oblique Angle Deposition, OAD) 스퍼터링은 스퍼터 타겟에 대한 법선과 기판에 대한 법선이 소정의 경사각도(θ)를 이루도록 스퍼터 타겟과 기판이 배치된 상태에서 공정이 수행된다. 즉, 경사증착 스퍼터링은 스퍼터 타겟 또는 기판 중 하나(또는 둘 모두)가 경사지게 배치되어 스퍼터 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자가 경사각도를 가지고 기판에 입사되어 증착되는 방법이다. PbO or PbI 2 thin films 120 can be formed in the oblique vapor deposition sputtering. Sputtering is a thin film deposition method widely used as a method of generating a plasma between a sputter target and a substrate and colliding the ionized particles with the sputter target by plasma to deposit the separated target particles on the substrate. In general sputtering, a process is performed in a state in which the angle between the normal to the sputter target and the normal to the substrate is close to zero degree, that is, the sputter target and the substrate are substantially parallel. On the other hand, the oblique deposition (OAD) sputtering is performed in a state where the sputter target and the substrate are disposed such that the normal to the sputter target and the normal to the substrate are at a predetermined angle of inclination. That is, the oblique deposition sputtering is a method in which one (or both) of the sputter target or the substrate is obliquely arranged so that the target particles separated from the sputter target are incident on the substrate at an inclination angle and deposited.

이와 같이 경사증착 스퍼터링법으로 박막을 형성하면, 박막이 기판에 대해 수직하게 성장하지 않고 경사지게 성장하므로 박막 내에 스트레스가 감소하게 된다. 따라서 대면적 기판에 페로브스카이트 박막을 형성할 때 일반적인 스퍼터링보다 경사증착 스퍼터링법을 이용하는 것이 스트레스 문제를 해소하기에 더욱 효과적이 된다.When the thin film is formed by the inclined deposition sputtering method as described above, the thin film grows at a slant without growing vertically to the substrate, so that the stress is reduced in the thin film. Therefore, when the perovskite thin film is formed on a large area substrate, it is more effective to use the oblique deposition sputtering method than the general sputtering to solve the stress problem.

PbO 박막 또는 PbI2 박막(120)을 경사증착 스퍼터링법으로 증착하는 스퍼터링 장치의 개략적인 도면을 도 2에 나타내었다.A schematic diagram of a sputtering apparatus for depositing a PbO thin film or a PbI 2 thin film 120 by an oblique deposition sputtering method is shown in FIG.

도 2를 참조하면, PbO 박막 또는 PbI2 박막을 증착하는 스퍼터링 장치(200)는 스퍼터링 챔버(210), 기판 지지부(220), 스퍼터 타겟(230), 전원 공급부(240), 가스 공급부(250) 및 배기 펌프(260)를 구비한다.Referring to FIG. 2, a sputtering apparatus 200 for depositing a PbO thin film or a PbI 2 thin film includes a sputtering chamber 210, a substrate support 220, a sputter target 230, a power supply unit 240, a gas supply unit 250, And an exhaust pump 260.

스퍼터링 챔버(210)는 기판 지지부(220)에 위치하는 기판(W) 상에 스퍼터링 박막을 증착하는 챔버로, 프로세싱 존(216)을 둘러싸는 챔버 측벽(215)을 포함한다. The sputtering chamber 210 is a chamber for depositing a sputtering thin film on a substrate W positioned in the substrate support 220 and includes a chamber side wall 215 surrounding the processing zone 216.

스퍼터링 챔버(210) 내에는 기판(W) 상에 PbO 박막 또는 PbI2 박막이 증착될 수 있는 증착물질을 제공하는 스퍼터 타겟(230)이 배치된다. 예컨대, 스퍼터 타겟(230)은 PbO 또는 PbI2로 이루어질 수 있다. 스퍼터 타겟(130)은 절연물질에 의해 스퍼터링 챔버(110)로부터 전기적으로 절연된다. 스퍼터 타겟(230)은 백킹 플레이트(미도시)에 의해 지지된다. 그리고 마그네트론 스퍼터링을 위해 스퍼터 타겟(230)의 후면에 마그넷(미도시)이 배치될 수 있다. A sputter target 230 is disposed in the sputtering chamber 210 to provide a deposition material on which a PbO thin film or a PbI 2 thin film can be deposited. For example, the sputter target 230 may be made of PbO or PbI 2 . The sputter target 130 is electrically insulated from the sputtering chamber 110 by an insulating material. The sputter target 230 is supported by a backing plate (not shown). A magnet (not shown) may be disposed on the rear surface of the sputter target 230 for magnetron sputtering.

기판 지지부(220)는 스퍼터링 챔버(210) 내에 배치되어 기판(W)을 안착시키며 안착된 기판(W)은 정전척 등에 의해 고정된다. 기판 지지부(220)는 스퍼터 타겟(230)에서 스퍼터링된 물질이 기판(W) 상에 증착될 수 있도록 스퍼터 타겟(230)과 대향되게 배치된다. 기판 지지부(220)는 석영이나 스테인리스 스틸 등으로 이루어질 수 있으며, 스퍼터링 공정 중에 기판(W)을 프로세싱 온도로 증가시키기 위해 기판 지지부(220) 내부에는 히터가 매립될 수 있다.The substrate support 220 is disposed in the sputtering chamber 210 to seat the substrate W and the mounted substrate W is fixed by an electrostatic chuck or the like. The substrate support 220 is disposed opposite the sputter target 230 so that the sputtered material in the sputter target 230 can be deposited on the substrate W. [ The substrate support 220 may be made of quartz, stainless steel, etc., and a heater may be embedded within the substrate support 220 to increase the substrate W to a processing temperature during the sputtering process.

본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)는 경사증착 스퍼터링을 수행하기 위해, 기판(W)에 대한 법선과 스퍼터 타겟(230)에 대한 법선이 소정의 경사각도(θ)를 이루도록, 기판 지지부(220)가 경사지게 배치된다. 기판 지지부(220)는 경사각도가 최적의 각도가 되도록 기판 지지부(220)가 경사진 정도를 조절할 수 있는 기판 지지부 경사수단(미도시)을 구비할 수 있다. 그리고 기판 지지부(220)는 증착되는 박막이 균일하게 증착되도록 기판(W)을 둘레방향으로 회전시키는 회전 구동수단(미도시)을 구비할 수 있다. 도 2에서는 기판 지지부(220)가 경사지게 배치되어 있는 형태를 도시하였으나 이에 한정되지 않으며, 기판(W)과 스퍼터 타겟(230)의 법선이 소정의 경사각도를 이루기만 한다면 스퍼터 타겟(230)이 경사지게 배치되거나, 기판 지지부(220)와 스퍼터 타겟(230) 모두가 경사지게 배치될 수도 있다.The sputtering apparatus 200 according to an exemplary embodiment of the present invention may be configured to perform the oblique deposition sputtering so that the normal to the substrate W and the normal to the sputter target 230 form a predetermined tilt angle? The support portion 220 is disposed in an inclined manner. The substrate support 220 may include a substrate support tilter (not shown) capable of adjusting the inclination of the substrate support 220 such that the tilt angle is an optimal angle. The substrate supporting unit 220 may include rotation driving means (not shown) for rotating the substrate W in the circumferential direction so as to uniformly deposit the deposited thin film. 2, the substrate support 220 is inclined. However, the present invention is not limited thereto. If the normal line between the substrate W and the sputter target 230 has a predetermined angle of inclination, the sputter target 230 may be inclined Or both the substrate support 220 and the sputter target 230 may be disposed at an angle.

전원 공급부(240)는 스퍼터 타겟(230)과 연결되며, 전원 공급부(240)에 의해 공급되는 전원에 의해 프로세싱 존(216)에 플라즈마가 생성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)는 페로브스카이트 태양전지의 광흡수층에 이용되는 PbO 박막 또는 PbI2 박막을 증착하는 장치로 이를 위해 기판(W)은 상술한 바와 같이, 유리 기판(112) 상에 투명전극(114)과 전자 수송층(116)이 순차적으로 적층된 기판일 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)에서 증착되는 PbO 박막 또는 PbI2 박막은 TiO2과 같은 산화물 박막으로 이루어진 전자 수송층(116) 상에 증착되며, 이러한 전자 수송층(116)은 PbO 박막 또는 PbI2 박막(120)을 스퍼터링법에 의해 증착할 때 발생되는 플라즈마에 의해 손상을 받을 수 있다. 따라서 보다 효율이 높은 페로브스카이트 태양전지를 제조하기 위해서는 전자 수송층(116)의 플라즈마 손상(plasma damage)을 감소시켜야 한다. 이를 위해, 전원 공급부(240)는 RF 전원부(242)와 DC 전원부(244)를 모두 구비한다. 그리고 전원 공급부(240)는 RF 전원부(242)에서 공급되는 RF 전원과 DC 전원부(244)에서 공급되는 DC 전원이 하나의 공급 단자(246)에 의해 스퍼터 타겟(230)에 공급되도록 한다. 이와 같이, 전원 공급부(240)에 의해 RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원을 스퍼터 타겟(230)에 공급하여 플라즈마를 생성시키면 하부막을 이루는 전자 수송층(116)의 플라즈마 손상이 감소하게 된다.A power supply 240 is connected to the sputter target 230 and a plasma is generated in the processing zone 216 by the power supplied by the power supply 240. The sputtering apparatus 200 according to an embodiment of the present invention is an apparatus for depositing a PbO thin film or a PbI 2 thin film used in a light absorbing layer of a perovskite solar cell. A transparent electrode 114 and an electron transport layer 116 may be sequentially stacked on a substrate 112. [ Therefore, the PbO thin film or the PbI 2 thin film deposited in the sputtering apparatus 200 according to an embodiment of the present invention is deposited on the electron transport layer 116 made of an oxide thin film such as TiO 2, and the electron transport layer 116 is formed of PbO The thin film or the PbI 2 thin film 120 may be damaged by the plasma generated when the thin film or the PbI 2 thin film 120 is deposited by the sputtering method. Therefore, in order to manufacture a more efficient perovskite solar cell, the plasma damage of the electron transport layer 116 must be reduced. To this end, the power supply unit 240 includes both the RF power supply unit 242 and the DC power supply unit 244. The power supply unit 240 allows the RF power supplied from the RF power supply unit 242 and the DC power supplied from the DC power supply unit 244 to be supplied to the sputter target 230 by one supply terminal 246. As described above, when plasma power is generated by supplying the sputter target 230 with a hybrid power source in which the RF power source and the DC power source are mixed by the power supply unit 240, the plasma damage of the electron transport layer 116 constituting the lower film is reduced.

가스 공급부(250)는 스퍼터링 챔버(210) 내로 가스를 공급하는 것으로, 가스 공급부(280)를 통해 플라즈마를 생성시키기 위한 프로세싱 가스가 공급된다. 프로세싱 가스는 아르곤(Ar)과 같은 비활성 가스일 수도 있고, 반응성 스퍼터링을 위한 산소(O2)와 같은 가스일 수 있다.The gas supply unit 250 supplies gas into the sputtering chamber 210 and is supplied with a processing gas for generating a plasma through the gas supply unit 280. The processing gas may be an inert gas such as argon (Ar), or may be a gas such as oxygen (O 2 ) for reactive sputtering.

스퍼터링 챔버(210) 내에서 소비된 프로세싱 가스 및 부산물은 스퍼터링 챔버(210)와 연결된 배기 펌프(260)에 의해 스퍼터링 챔버(210)로부터 외부로 배기된다.The spent processing gas and by-products in the sputtering chamber 210 are exhausted out of the sputtering chamber 210 by an exhaust pump 260 connected to the sputtering chamber 210.

다시 도 1로 돌아가, 상술한 도 2에 도시된 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 PbO 박막 또는 PbI2 박막(120)을 형성하면, 대면적에서도 스트레스가 작고 하부막을 이루는 전자 수송층(116)의 플라즈마 손상이 적게 된다. 1, when the PbO thin film or the PbI 2 thin film 120 is formed using the sputtering apparatus 200 shown in FIG. 2, the stress is small even in a large area, and the plasma of the electron transport layer 116 constituting the bottom film Less damage.

다음으로, 도 1(b)에 도시된 바와 같이, PbO 박막 또는 PbI2 박막(120) 박막 상에 MAI(MethylAmmonium Iodide) 가스를 공급한다. MAI 가스의 공급은 진공챔버 내에서 수행할 수 있으며, 이때의 공정 온도는 50 ~ 150 ℃의 범위에서 수행할 수 있다. MAI 가스는 MAI 고체 소스를 증발시켜 공급할 수 있다. PbO 박막 또는 PbI2 박막(120) 박막 상에 MAI 가스를 공급하면, PbO 박막 또는 PbI2 박막(120) 박막과 MAI 가스가 반응하여 도 1(c)에 도시된 바와 같은 MAPbI3와 같은 페로브스카이트 박막(130)이 형성되며, 이 페로브스카이트 박막(130)은 페로브스카이트 태양전지의 흡수층으로 이용된다. 도 1(a)에서 형성된 박막이 PbI2 박막(120)인 경우에 100 ℃ 정도의 공정온도에서 MAI 가스가 PbI2 박막(120)에 공급되면 MAPbI3 페로브스카이트 박막(130)이 형성된다. 그리고 도 1(a)에서 형성된 박막이 PbO 박막(120)인 경우에 100 ℃ 정도의 공정온도에서 MAI 가스가 PbO 박막(120)에 공급되면 먼저 PbO와 MAI가 반응하여 PbI2 생성되고 계속하여 공급되는 MAI 가스에 의해 MAPbI3 페로브스카이트 박막(130)이 형성된다. 따라서 PbO 박막이나 PbI2 박막(120)을 형성시킨 후 100 ℃ 정도의 공정온도에서 MAI 가스를 공급하면 MAPbI3 페로브스카이트 박막(130)을 형성할 수 있게 된다.Next, as shown in FIG. 1 (b), MAI (Methylemmonium Iodide) gas is supplied onto the PbO thin film or the PbI 2 thin film 120. The MAI gas may be supplied in a vacuum chamber, and the process temperature may be in the range of 50 to 150 ° C. The MAI gas can be supplied by evaporating the MAI solid source. PbO film or PbI 2 thin film 120 by supplying the MAI gas on the thin film, such as PbO film or PbI 2 thin film 120 is a thin film and MAI gas is reacted MAPbI as shown in Figure 1 (c) and 3 Fe lobe A skewed thin film 130 is formed, and this perovskite thin film 130 is used as an absorption layer of a perovskite solar cell. When the thin film formed in FIG. 1 (a) is the PbI 2 thin film 120, when the MAI gas is supplied to the PbI 2 thin film 120 at a process temperature of about 100 ° C., the MAPbI 3 perovskite thin film 130 is formed . When the thin film formed in FIG. 1 (a) is a PbO thin film 120, when MAI gas is supplied to the PbO thin film 120 at a process temperature of about 100 ° C., PbO and MAI react first to generate PbI 2, The MAPBI 3 perovskite thin film 130 is formed by the MAI gas. Therefore, when the PbO thin film or the PbI 2 thin film 120 is formed and the MAI gas is supplied at a process temperature of about 100 ° C, the MAPbI 3 perovskite thin film 130 can be formed.

이와 같은 방법을 이용하여 페로브스카이트 태양전지 흡수층 박막을 형성하게 되면, 스퍼터링을 이용하므로 대면적에서도 균일한 박막을 형성할 수 있으며, 경사증착 스퍼터링법에 의해 PbO 박막이나 PbI2 박막(120)을 형성시킴으로 내부의 스트레스가 감소되므로, PbO 박막이나 PbI2 박막(120)이 MAI 가스와 반응하여 MAPbI3 페로브스카이트 박막(130)을 형성할 때 종래의 방법으로 페로브스카이트 박막을 형성할 때와 달리, 페로브스카이트 박막이 큰 스트레스를 받는 것을 것을 방지할 수 있다. 또한, RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원을 이용하여 PbO 박막이나 PbI2 박막(120)을 형성함으로써 하부막을 이루는 전자 수송층(116)의 플라즈마 손상을 감소시킬 수 있어 페로브스카이트 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있게 된다.If the perovskite solar cell absorbing layer is formed by using such a method, a uniform thin film can be formed even in a large area by using sputtering, and the PbO thin film or the PbI 2 thin film 120 can be formed by the oblique deposition sputtering method. The PbO thin film 120 or the PbI 2 thin film 120 reacts with the MAI gas to form the MAPbI 3 perovskite thin film 130. The perovskite thin film 130 is formed by a conventional method, It is possible to prevent the perovskite thin film from being subjected to great stress. In addition, by forming a PbO thin film or a PbI 2 thin film 120 using a hybrid power source in which an RF power source and a DC power source are mixed, the plasma damage of the electron transport layer 116 constituting the lower film can be reduced, The efficiency can be increased.

이상에서 본 발명의 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limited to the particular embodiments set forth herein. It will be understood by those skilled in the art that various changes may be made and equivalents may be resorted to without departing from the scope of the appended claims.

100 : 기판
112 : 유리 기판
114 : 투명 전극
116 : 전자 수송층
120 : PbO 박막 또는 PbI2 박막
130 : MAPbI3 페로브스카이트 박막
200 : 스퍼터링 장치
210 : 스퍼터링 챔버
220 : 기판 지지부
230 : 스퍼터 타겟
240 : 전원 공급부
250 : 가스 공급부
260 : 배기 펌프100: substrate
112: glass substrate
114: transparent electrode
116: electron transport layer
120: PbO thin film or PbI 2 thin film
130: MAPbI 3 perovskite thin film
200: sputtering device
210: sputtering chamber
220:
230: sputter target
240: Power supply
250: gas supply part
260: Exhaust pump

Claims (4)

경사증착 스퍼터링법을 이용하여 기판 상에 PbO 박막 또는 PbI2 박막을 형성하는 단계; 및
상기 PbO 박막 또는 PbI2 박막 상에 MAI(MethylAmmonium Iodide) 가스를 공급하여 상기 PbO 박막 또는 PbI2 박막과 상기 MAI 가스를 반응시킴으로써, 상기 기판 상에 MAPbI3 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막 제조방법.Forming a PbO thin film or a PbI 2 thin film on the substrate by a tilted deposition sputtering method; And
By reacting the PbO film or PbI 2 thin film on said PbO film or PbI 2 film and the MAI gas by supplying the MAI (MethylAmmonium Iodide) gas for forming a MAPbI 3 perovskite thin film on the substrate, the The method according to claim 1, wherein the perovskite-type solar cell is a solar cell. 제1항에 있어서,
상기 경사증착 스퍼터링법은,
RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원 공급부를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막 제조방법.The method according to claim 1,
In the tilted deposition sputtering method,
Wherein the plasma is generated by using a hybrid power supply unit in which an RF power source and a DC power source are mixed. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판은 투명전극 및 전자 수송층이 순차적으로 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 흡수층 박막 제조방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate is a substrate on which a transparent electrode and an electron transport layer are sequentially formed. 스퍼터링 챔버;
상기 스퍼터링 챔버 내에 기판을 배치되며, 기판을 지지하고, 상기 기판의 둘레방향으로 회전시키는 회전 구동수단을 구비한 기판 지지부;
상기 스퍼터링 챔버 내에 상기 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 기판에 PbO 박막 또는 PbI2 박막이 증착될 수 있는 증착물질을 제공하는 스퍼터 타겟; 및
상기 스퍼터 타겟에 연결되어 상기 스퍼터링 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부;를 포함하며,
상기 기판에 대한 법선과 상기 스퍼터 타겟에 대한 법선이 경사각도(θ)를 이루도록, 상기 기판 지지부와 상기 스퍼터 타겟이 배치되고,
상기 전원 공급부는 RF 전원과 DC 전원이 혼용된 하이브리드 전원을 상기 스퍼터 타겟에 공급시키는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 박막 제조용 스퍼터링 장치.A sputtering chamber;
A substrate support disposed in the sputtering chamber, the substrate support having a rotation driving means for supporting the substrate and rotating it in the circumferential direction of the substrate;
A sputter target disposed in the sputtering chamber so as to face the substrate and providing a deposition material capable of depositing a PbO thin film or a PbI 2 thin film on the substrate; And
And a power supply connected to the sputter target to generate plasma in the sputtering chamber,
Wherein the substrate support and the sputter target are disposed so that a normal to the substrate and a normal to the sputter target form an inclination angle [theta]
Wherein the power supply unit supplies the sputter target with a hybrid power in which an RF power and a DC power are mixed.
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