KR20190048256A - 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈 - Google Patents

확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20190048256A
KR20190048256A KR1020170143048A KR20170143048A KR20190048256A KR 20190048256 A KR20190048256 A KR 20190048256A KR 1020170143048 A KR1020170143048 A KR 1020170143048A KR 20170143048 A KR20170143048 A KR 20170143048A KR 20190048256 A KR20190048256 A KR 20190048256A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermoelectric
leg
thermoelectric leg
oxidation
thermoelectric module
Prior art date
Application number
KR1020170143048A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102198213B1 (ko
Inventor
주성재
김봉서
민복기
Original Assignee
한국전기연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전기연구원 filed Critical 한국전기연구원
Priority to KR1020170143048A priority Critical patent/KR102198213B1/ko
Publication of KR20190048256A publication Critical patent/KR20190048256A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102198213B1 publication Critical patent/KR102198213B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H01L35/02—
    • H01L35/16—
    • H01L35/32—
    • H01L35/34—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고온부에 설치되는 열전레그의 구성원소와 전극물질의 상호확산을 막고, 외부환경에 노출되어 열전레그의 휘발이나 산화가 발생하지 않도록 보호막이 형성된 열전레그에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 고온부의 기판에 설치되는 상부기판전극과 저온부의 기판에 설치되는 하부기판전극 사이에 연결되는 복수 개의 열전레그에 있어서, 상기 열전레그의 상부면에 형성되는 확산방지층과 상기 확산방지층의 상부면과 상기 열전레그의 외부면에 형성되어 산화가 방지되는 산화방지막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈을 제공한다.

Description

확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈{A thermoelectric module composed of a thermoelectric leg and a thermoelectric leg having an anti-diffusion barrier layer and anti-oxidation layer}
본 발명은 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고온부에 설치되는 열전레그의 구성원소와 전극물질의 상호확산을 막고, 외부환경에 노출되어 열전레그의 휘발이나 산화가 발생하지 않도록 보호막이 형성된 열전레그에 관한 것이다.
열전모듈(thermoelectric module)은 열과 전기의 상호작용으로 나타나는 각종 효과를 총칭하는 것으로, 회로의 안정화와 열, 전력, 빛 검출 등에 사용하는 서미스터, 온도를 측정할 때 사용하는 제베크효과를 이용한 소자, 냉동기나 항온조 제작에 사용되는 펠티에소자 등이 있다.
특히, 온도차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제베크효과를 이용한 모듈은, 최근 전 세계적으로 화석 연료 사용에 따른 환경오염 문제, 에너지 고갈 문제 등이 심각하게 대두되면서, 대체 에너지로서 연구가 활발히 진행되고 있다. 이와 같은 열전모듈을 이용하여 대체 에너지원으로 구성한 발전용 열전 모듈은, 양단에서의 온도차에 의해 고온부에서 저온부로 열 이동시 n형 열전레그와 p형 열전레그에서 각각 전자와 홀(hole)이 고온부에서 저온부로 이동함으로써, 전기적 에너지가 발생된다.
또한, 발전용 열전모듈의 효율은 n형 열전레그 및 p형 열전레그의 열기전력, 열전도도 및 전기 비저항과 같은 열전특성과 열전모듈 커플(couple) 수에 의해 결정된다. 무소음, 무진동으로 유지, 보수가 필요 없고, 신뢰성이 높은 열전발전은 초기에는 군사용 전원 장치를 비롯한 특수 소형 전원 장치에의 응용을 위해 개발되었으나, 온도차만 부여하면 발전이 가능하므로 100℃ 미만의 저열원에서 1000℃ 정도의 고열원에 걸쳐 이용 가능한 열원의 종류가 다양하기 때문에 산업 폐열을 이용한 열전 발전기, 대체 독립 전원 등의 분야로 경제적 용도가 크게 확대되고 있다.
종래의 발전용 열전모듈로는 내부 저항을 감소시켜 발전 효율을 향상시키며 열전레그와 전극 사이의 확산을 방지하기 위한 확산방지층이 형성된 대한민국특허청 제10-2011-0077492호가 알려져 왔다. 그러나 확산방지층은 전극과 접촉하는 상부와 하부에만 보호막이 형성되어 고온에서 사용되는 열전레그에서는 휘발이 발생하게 되어 성능이 퇴화되고 신뢰성이 낮아진다.
또한, 열전레그의 상부에 제1 산화막과 상기 제1 산화막의 상부에 제2 산화막을 형성하여 산화 및 휘발을 억제하는 열전레그인 대한민국특허청 제10-1772392호가 알려져 왔다. 그러나 상부면을 제외한 외부환경에 노출되는 측면에서 휘발이나 산화가 발생하는 문제점이 발생하였다.
이에 따라 두 종류의 코팅막을 형성하는 공정을 열전모듈 제작공정에 접목하는 기술적 방안이 요구되고 있다.
KR 10-2011-0077492 A KR 10-1772392 B1
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 고온에서 사용되는 열전레그의 구성원소와 전극물질의 상호확산을 막는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈을 제공하는데에 목적이 있다.
또한, 열전레그의 휘발이나 산화가 발생하지 않는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈을 제공하는데에 목적이 있다.
이와 같은 본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 고온부의 기판에 설치되는 상부기판전극과 저온부의 기판에 설치되는 하부기판전극 사이에 연결되는 복수 개의 열전레그에 있어서, 상기 열전레그의 상부면에 형성되는 확산방지층과 상기 확산방지층의 상부면과 상기 열전레그의 외부면에 형성되어 산화가 방지되는 산화방지막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈을 제공한다.
또한, 상기 열전레그는 p형과 n형이 교번 배치되어 양단에 구비되는 전극에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 열전레그는 마그네슘 실리사이드(Mg2Si) 재질로 상부면에 형성되는 확산방지층이 니켈, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 크롬, 철, 스테인리스 강 등의 금속이거나, TaN, TiN, TaSiN, TiSiN, MoSi2, TiSi2, TaSi2 중 어느 하나의 재질일 수 있다.
또한, 상기 확산방지층은 상기 열전레그의 상부에 스퍼터링 기법을 사용하여 증착시킬 수 있다.
또한, 상기 산화방지막은 스퍼터링 기법을 사용하여 증착된 Al 또는 Cr이 대기중 또는 산소분위기에서 온도를 올려 산화되어 상기 열전레그의 상부면과 하부면을 제외한 측면부에 알루미늄 산화막(Al2O3) 또는 크롬 산화막(Cr2O3)이 형성될 수 있다.
상기 과제의 해결 수단에 의한 본 발명에 따른 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈는 확산방지층에 의해 열전레그와 전극 사이의 확산을 방지하는 효과가 있다.
또한, 산화방지막에 의해 추가적인 산화가 진행되지 않도록 하며 열전레그의 휘발도 방지하는 역할을 한다.
도 1은 일반적인 열전모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳 상부면에 형성된 확산방지층을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳을 절단하여 형성된 열전레그를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 열전레그의 상부면과 측면에 형성된 산화방지막을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 열전레그를 전극과 접합한 열전모듈을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 Cr2O3 코팅막의 보호능력을 검사하는 열무게 분석 결과를 나타내는 도면이다.
이하 본 발명의 일실시예에 따른 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈을 도면을 통해 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 열전모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳 상부면에 형성된 확산방지층을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 열전소재의 잉곳을 절단하여 형성된 열전레그를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 열전레그의 상부면과 측면에 형성된 산화방지막을 나타내며 도 5-(a) 사시도와 도 5-(b)는 도 5-(a)의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 열전레그를 전극과 접합한 열전모듈을 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 열전모듈은 모듈기판(100), 상부기판전극(200), 하부기판전극(300), 열전레그로 구성된다. 이후 설명될 열전모듈의 상부를 고온부로 하부를 저온부로 정하여 설명하기로 한다. 열전모듈은 고온부의 상기 모듈기판(100)에 설치되는 상기 상부기판전극(200)과 저온부의 상기 모듈기판(100)에 설치되는 상기 하부기판전극(300) 사이에 연결되는 복수 개의 열전레그로 구성된다. 그리고 복수 개의 열전레그는 p형과 n형이 교번 배치되어 양단에 구비되는 전극에 의해 서로 전기적으로 연결된다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그는 열전레그(10), 확산방지층(20), 산화방지막(30)으로 구성되며 이하 각 구성을 자세히 설명하면 다음과 같다.
상기 열전레그(10)는 고온부의 기판에 설치되는 상기 상부기판전극(200)과 저온부의 기판에 설치되는 상기 하부기판전극(300) 사이에 연결된다.
또한, 이후 설명될 바람직한 일실시예에 따른 상기 열전레그(10)로 열전모듈을 형성할 때 고온부에 상부면이 위치하고 저온부에 하부면이 위치하는 것을 기준으로 설명한다.
그리고 이후 설명될 상기 확산방지층(20)이 상기 열전레그(10)의 상부에 형성된 열전소재의 잉곳을 Z축 방향으로 절단하여 직육면체 모양의 상기 열전레그(10)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 열전레그(10)는 직육면체가 아닌 원통형 등의 다른 모양일 수 있으며 형상을 한정하지 않는다.
이러한 상기 열전레그(10)를 형성하는 열전소재의 잉곳은 몰드(mold)에 원료분말을 장입하여 고온과 고압하에 소결(sintering)기술을 사용하여 합성한다.
상기 확산방지층(20)은 상기 열전레그(10)의 상부면에만 형성되며 나머지 면은 상기 열전레그(10)가 노출된 상태가 되도록 절단된다. 그리고 열전소재의 절단에는 wire sawing, 플라즈마 방전가공 등의 기술이 사용될 수 있다.
상기 확산방지층(20)은 고온부 측에 위치하여 상기 열전레그(10)의 구성원소와 전극물질의 상호확산을 막을 수 있다.
그리고 상기 확산방지층(20)은 상기 열전레그(10)를 구성하는 소재에 따라 재질을 선정할 수 있다.
상기 열전레그(10)의 소재로 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 사용할 경우 니켈, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 크롬, 철, 스테인리스 강 등의 금속이거나, TaN, TiN, TaSiN, TiSiN, MoSi2, TiSi2, TaSi2 중 어느 하나의 재질을 선정할 수 있다. 또한, 상기 확산방지층(20)은 상기 열전레그의 상부에 스퍼터링 기법을 사용하여 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 산화방지막(30)은 상기 확산방지층(20)의 상부면과 상기 열전레그(10)의 외부면에 형성되어 열전레그의 휘발이나 산화가 발생하지 않도록 보호막 역할을 한다.
이러한 상기 산화방지막(30)은 형성방법에 따라 저온부 측의 하부면을 제외한 나머지 5면에만 상기 산화방지막(30)을 형성할 수 있으며 6면에 모두 형성할 수 있으면 모두 형성하는 것도 무방하다.
상기 산화방지막(30) 또한 스퍼터링 기법을 사용하여 증착시킬 수 있으며 다른 기상증착, 도금 등으로 형성할 수 있는 방법은 다양하여 본 발명은 해당 기법에 제약받지 않는다.
그리고 상기 산화방지막(30)은 산화되었을 때 치밀하고 단단한 산화막을 형성하여 내부를 보호할 수 있는 금속인 것이 바람직하다. 대표적으로 Al과 Cr이 사용되며 상기 열전레그(10)에 증착한 후 열전모듈을 제작한다.
열전모듈을 대기중 또는 산소 분위기에서 온도를 올려 상기 열전레그(10) 측면에 형성된 상기 산화방지막(30)이 대기중의 노출로 인해 산화되어 산화막(31)이 형성된다.
이때, 외부에 노출된 측면에서는 상기 산화막(31)이 형성되지만 상기 상부기판전극(200)과 접합된 고온부 측의 상기 열전레그(10)의 상부면에 형성된 상기 산화방지막(30)은 산화가 일어나지 않으므로 그대로 남아 있게 된다.
즉, 상기 열전레그(10)의 상부면과 상기 상부기판전극(200) 사이에는 상기 확산방지층(20)과 상기 확산방지층(20)의 상부면에 상기 산화방지막(30)이 층층이 형성되어 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 열전레그의 확산방지층과 산화방지막 형성과정은 다음과 같다.
일실시예에서는 열전소재 중 하나인 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 예로 들어 설명한다.
제 1단계 : 도 2에 도시한 바와 같이, 본 일실시예에서는 스파크 플라즈마 소결(spark plasma sintering) 기술을 사용하여 소결온도는 750℃, 소결 중의 압력은 50MPa 조건에서 직경 12.7mm, 높이 약 15mm의 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)의 잉곳을 합성한다.
제 2단계 : 도 3에 도시한 바와 같이, 기판온도 100℃, 공정압력 5mTorr, Ar/N2 유량비=4 인 조건에서 약 3㎛ 두께의 TiN 막을 스퍼터링 기법으로 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)의 잉곳 상부면에 증착하여 열전소재의 잉곳의 상부면에 TiN 재질의 상기 확산방지층(20)을 형성한다.
제 3단계 : 도 4에 도시한 바와 같이, 열전소재의 잉곳을 z방향(도 3 참조)으로 wire sawing, 플라즈마 방전가공 등의 기술로 절단하여 직육면체 모양의 상기 열전레그(10)를 형성한다. 여기서 상기 열전레그(10)의 상부면에만 상기 확산방지층(20)이 존재하고 나머지 면은 상기 열전레그(10)가 노출된 상태가 된다.
제 4단계 : 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 확산방지층(20)이 형성된 마그네슘 실리사이드(Mg2Si) 상기 열전레그(10)의 저온부 측인 하부면을 제외한 나머지 5면 또는 6면이 모두 가능하다면 모든 면에 스퍼터링 기술을 사용하여 Cr을 약 100nm의 두께로 상기 산화방지막(30)을 증착한다.
제 5단계 : 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 확산방지층(20)과 상기 산화방지막(30)이 형성된 상기 열전레그(10)를 사용하여 열전모듈을 제작한다.
이때, 상기에서 기술한 바와 같이 상기 열전레그(10)의 상부면이 고온부 측에 위치하도록 주의하여 상기 열전레그를 상기 상부기판전극(200)과 상기 하부기판전극(300)에 접합한다.
이후 열전모듈을 대기중 또는 산소 분위기에서 온도를 올려 상기 열전레그(10)의 측면에 형성된 상기 산화방지막(30)을 산화시켜 Cr2O3의 상기 산화막(31)을 형성한다. 상기 산화막(31)을 형성하는데 필요한 온도는 중온 열전모듈의 사용온도인 400~600℃ 범위인 것이 바람직하며, 상기 열전레그(10)의 내열성과 상기 산화방지막(30)의 재질 및 두께에 따라 달라진다.
일실시예에서는 1기압 산소분위기에서 500℃ 조건에서 1시간 동안 산화를 실시한다.
여기서 외부에 노출된 측면에서는 상기 산화막(31)이 형성되지만, 상기 상부기판전극(200)과 접합된 고온부 측의 상부면에서는 산화가 일어나지 않아 원래의 상기 산화방지막(30)으로 남아 있게 된다.
도 7에 도시한 바와 같이, 표면에 형성된 Cr2O3 코팅막의 보호능력을 검사하기 위해 대기 중에서 열무게 분석(Thermogravimetric analysis : TGA)을 실시한 결과이다. 코팅막이 없는 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)가 Mg의 휘발로 인해 큰 폭의 중량변화를 보임에 비해 Cr2O3 코팅막이 형성된 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)는 현저한 개선을 보여주고 있다. 이것은 Cr2O3가 효과적으로 산화방지 및 휘발방지 기능을 수행하고 있음을 의미한다.
상기와 같이 설명된 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈은 본 발명의 바람직한 일실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 일실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
100 : 모듈기판
200 : 상부기판전극
300 : 하부기판전극
10 : 열전레그
20 : 확산방지층
30 : 산화방지막
31 : 산화막

Claims (5)

  1. 고온부의 기판에 설치되는 상부기판전극과 저온부의 기판에 설치되는 하부기판전극 사이에 연결되는 복수 개의 열전레그에 있어서,
    상기 열전레그의 상부면에 형성되는 확산방지층;
    상기 확산방지층의 상부면과 상기 열전레그의 외부면에 형성되어 산화가 방지되는 산화방지막;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열전레그는,
    p형과 n형이 교번 배치되어 양단에 구비되는 전극에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열전레그는,
    마그네슘 실리사이드(Mg2Si) 재질로 상부면에 형성되는 확산방지층이 니켈, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 크롬, 철, 스테인리스 강 등의 금속이거나, TaN, TiN, TaSiN, TiSiN, MoSi2, TiSi2, TaSi2 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 확산방지층은,
    상기 열전레그의 상부에 스퍼터링 기법을 사용하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화방지막은,
    스퍼터링 기법을 사용하여 증착된 Al 또는 Cr이 대기중 또는 산소분위기에서 온도를 올려 산화되어 상기 열전레그의 상부면과 하부면을 제외한 측면부에 알루미늄 산화막(Al2O3) 또는 크롬 산화막(Cr2O3)이 형성되는 것을 특징으로 하는 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈.


KR1020170143048A 2017-10-31 2017-10-31 확산방지층과 산화방지막, 산화막이 형성된 열전레그가 구비된 열전모듈 제조방법 및 그에 의한 열전모듈 KR102198213B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143048A KR102198213B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 확산방지층과 산화방지막, 산화막이 형성된 열전레그가 구비된 열전모듈 제조방법 및 그에 의한 열전모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170143048A KR102198213B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 확산방지층과 산화방지막, 산화막이 형성된 열전레그가 구비된 열전모듈 제조방법 및 그에 의한 열전모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190048256A true KR20190048256A (ko) 2019-05-09
KR102198213B1 KR102198213B1 (ko) 2021-01-04

Family

ID=66546296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170143048A KR102198213B1 (ko) 2017-10-31 2017-10-31 확산방지층과 산화방지막, 산화막이 형성된 열전레그가 구비된 열전모듈 제조방법 및 그에 의한 열전모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102198213B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321112A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Lg Semicon Co Ltd 半導体素子の金属配線形成方法
KR20110077492A (ko) 2009-12-30 2011-07-07 한국전기연구원 발전용 열전 모듈 및 그 제조 방법
KR20160027050A (ko) * 2013-07-09 2016-03-09 가부시키가이샤 케르쿠 열전 발전 모듈
KR20170090167A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 한국에너지기술연구원 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법
KR101772392B1 (ko) 2016-12-13 2017-08-29 한국세라믹기술원 산화 및 휘발이 억제되는 열전소자 및 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321112A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Lg Semicon Co Ltd 半導体素子の金属配線形成方法
KR20110077492A (ko) 2009-12-30 2011-07-07 한국전기연구원 발전용 열전 모듈 및 그 제조 방법
KR20160027050A (ko) * 2013-07-09 2016-03-09 가부시키가이샤 케르쿠 열전 발전 모듈
KR20170090167A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 한국에너지기술연구원 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법
KR101772392B1 (ko) 2016-12-13 2017-08-29 한국세라믹기술원 산화 및 휘발이 억제되는 열전소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102198213B1 (ko) 2021-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8033722B2 (en) Thermocouple for gas turbine environments
JP5238072B2 (ja) 単結晶太陽電池セルの製造方法
EP2920825B1 (en) Thermoelectric device and method of making same
KR20160045730A (ko) 보호 프레임을 포함하는 측정 션트
JP2012124469A (ja) 熱電素子及び熱電モジュール
Gromov et al. Mo/Ni and Ni/Ta–W–N/Ni thin-film contact layers for (Bi, Sb) 2 Te 3-based intermediate-temperature thermoelectric elements
KR20180114694A (ko) 스커테루다이트 열전소재의 Fe-Ni/Ti 메탈라이징 방법, 스커테루다이트 열전소재용 Fe-Ni/Ti 다층 메탈라이징 구조, Fe-Ni/Ti 메탈라이징 처리된 스커테루다이트 열전소재 및 이의 제조방법
JP2005190862A (ja) 固体酸化物形燃料電池セル
US20220359806A1 (en) Heat-utilizing power generation module
KR20190048256A (ko) 확산방지층과 산화방지막이 형성된 열전레그 및 열전레그로 구성된 열전모듈
FR3005529A1 (fr) Module thermoelectrique
CN108713259A (zh) 热电转换模块
KR101517784B1 (ko) 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 및 그 제조 방법
KR20170061229A (ko) 다중막 구조를 구비하는 열전 모듈
WO2019064949A1 (ja) 熱電変換素子および熱電変換素子の製造方法
US20240147858A1 (en) Heat-utilizing power generation module and thermal power generation device equipped with same
US20050263752A1 (en) Thermoelectric material with integrated de broglie wave filter
KR102673621B1 (ko) 발전용 박막열전소자
JP2018088457A (ja) 黒鉛層間化合物
KR20160092305A (ko) 다공성 기판이 적용된 박막형 열전소자
KR20160065329A (ko) 열전 소자
US20190103540A1 (en) Double-sided metal clad laminate based flexible thermoelectric device and module
JP2016092015A (ja) 放熱装置
CN115597735A (zh) 一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法
US20070241320A1 (en) Thin Film Electron Source

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant