KR20190046561A - 표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190046561A
KR20190046561A KR1020170140493A KR20170140493A KR20190046561A KR 20190046561 A KR20190046561 A KR 20190046561A KR 1020170140493 A KR1020170140493 A KR 1020170140493A KR 20170140493 A KR20170140493 A KR 20170140493A KR 20190046561 A KR20190046561 A KR 20190046561A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cation
copper
thin film
metal
nickel oxide
Prior art date
Application number
KR1020170140493A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102152623B1 (ko
Inventor
권병화
주철웅
이종희
이현구
조현수
조남성
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020170140493A priority Critical patent/KR102152623B1/ko
Priority to US16/053,333 priority patent/US10490763B2/en
Publication of KR20190046561A publication Critical patent/KR20190046561A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102152623B1 publication Critical patent/KR102152623B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/135—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising mobile ions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/50—Oxidation-reduction potentials, e.g. excited state redox potentials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 표시소자 및 그 제조방법에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑되는 산화 니켈 박막을 포함하는 표시소자 및 그 제조방법에 대한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층; 상기 기판 상에 형성되는 제1 공통층; 상기 제1 공통층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 공통층; 및 상기 제2 공통층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 공통층은 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 포함하고, 상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자를 제공한다.

Description

표시소자 및 그 제조방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시소자 및 그 제조방법에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑되는 산화 니켈 박막을 포함하는 표시소자 및 그 제조방법에 대한 것이다.
산화물 박막의 전기 전도도를 증가시키기 위한 대표적인 방법으로 도핑을 통해 재료 자체의 전하 농도(Carrier concentration)를 증가시키는 것이 알려져 있다. 산화물 박막의 전하 농도는 산화물 박막의 금속 양이온의 산화수와 도펀트(Dopant) 이온의 산화수 차이, 도펀트에 의해 변형되는 격자 구조(Lattice structure) 내부의 공공(Vacancy), 침입형(Interstitial) 원소, 치환형(Substitution) 원소 등에 의해 증가될 수 있다.
도펀트는 도핑의 원리 및 산화물 박막의 금속 원소에 따라 매우 다양하게 구성될 수 있고, 일반적으로 단일 원소 또는 서로 다른 원소들이 도펀트로 사용될 수 있다.
용액 공정(Solution-process)에서, 도펀트의 전구체 물질 또는 용액을 산화물 용액 또는 전구체 용액에 혼합한 후, 박막을 형성하고, 열처리를 하여 도펀트를 활성화하거나 산화물 박막에 분포시켜 도핑을 완료할 수 있다.
본 발명은 전기 전도도가 뛰어나고, 이온화 에너지가 크며, 전류 밀도 및 휘도 특성이 우수한 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층; 상기 기판 상에 형성되는 제1 공통층; 상기 제1 공통층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 공통층; 및 상기 제2 공통층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 공통층은 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 포함하고, 상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자를 제공한다.
또한, 상기 산화 니켈 박막은 X선 광전자 분광법을 이용한 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과에서 피크 비(Peak ration)가 3.5 내지 4.0일 수 있다.
또한, 상기 산화 니켈 박막은 자외선 광전자 분광법을 이용하여 계산한 이온화 에너지가 5.45eV 내지 5.55eV일 수 있다.
또한, 상기 제1 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나이고, 상기 제2 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나일 수 있다.
또한, 상기 제1 금속 양이온은 구리 1가 양이온이고, 상기 제2 금속 양이온은 구리 2가 양이온일 수 있다.
또한, 상기 제1 금속 양이온은 주기율표 1족 양이온이고, 상기 제2 금속 양이온은 주기율표 2족 양이온일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 제1 공통층을 형성하는 단계; 상기 제1 공통층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 제2 공통층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 공통층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 공통층을 형성하는 단계는: 산화 니켈의 전구체 용액, 제1 금속 양이온의 전구체 용액 및 제2 금속 양이온의 전구체 용액을 혼합하는 단계; 및 혼합된 용액을 스핀 코팅한 후 열처리하여 상기 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 산화 니켈 박막에서 상기 제1 금속 양이온 및 상기 제2 금속 양이온을 합한 원자 수의 비율이 15% 내지 25%일 수 있다.
본 발명은 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑되는 산화 니켈 박막을 구비 함으로써, 전기 전도도가 뛰어나고, 이온화 에너지가 크며, 전류 밀도 및 휘도 특성이 우수한 표시소자 및 그 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시소자를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 C-AFM(conductive atomic force microscopy) 이미지들이다.
도 3a는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 2차 컷오프 스펙트럼을 설명하는 도면이다.
도 3b는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 가전자대 온셋 스펙트럼을 설명하는 도면이다.
도 3c는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 에너지 준위를 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 전압에 따른 전류밀도 및 휘도를 설명하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5m 은 본 발명에 따른 산화 니켈 박막들의 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과를 설명하는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시소자를 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 표시소자는 기판(110), 제1 전극층(120), 제1 공통층(130), 발광층(140), 제2 공통층(150) 및 제2 전극층(160)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 기판(110)은 유기막 또는 무기막을 포함하는 절연막을 포함할 수 있다.
상기 기판(110) 상에 제1 전극층(120)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극층(120)은 양극 전극일 수 있다. 상기 제1 전극층(120)은 전도성 및 일함수(work function)가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1 전극층(120)은 투명한 전도성 산화물이 될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(120)은 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 인듐갈륨아연 산화물, 플루오르아연 산화물, 갈륨아연 산화물, 주석 산화물, 또는 아연 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극층(120) 상에 제1 공통층(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 공통층(130)은 상기 제1 전극층(120)과 발광층(140) 사이에서 정공의 주입 및 수송에 기여할 수 있다.
상기 제1 공통층(130) 상에 발광층(140)이 형성될 수 있다. 상기 발광층(140)은 청색광, 녹색광, 또는 백생광을 생성할 수 있다. 상기 발광층(140)은 형광 발광물질 또는 인광 발광물질을 포함할 수 있다.
상기 발광층(140) 상에 제2 공통층(150)이 형성될 수 있다. 상기 제2 공통층(150)은 제2 전극층(160)과 발광층(140) 사이에서 전자의 주입 및 수송에 기여할 수 있다.
상기 제2 공통층(150) 상에 제2 전극층(160)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(160)은 음극 전극일 수 있다. 상기 제2 전극층(160)은 일함수가 낮은 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극층(160)은 리튬, 마그네슘, 알루미늄 등을 포함할 수 있다.
상기 표시소자는 제2 전극층(160)으로부터 주입된 전자와 제1 전극층(120)으로부터 주입된 정공이 발광층(140)에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광할 수 있다.
상기 제1 공통층(130)은 산화 니켈(NiO)을 포함하는 박막일 수 있다. 산화 니켈 박막은 뛰어난 광학, 전기, 화학적 특성을 가질 수 있다. 순수한 산화 니켈 박막의 전기 전도도는 약 10-4 Scm-1 내지 약 10-6 Scm-1 수준으로 매우 낮을 수 있다.
산화 니켈 박막의 전기 전도도는 비 화학양론적 산화 니켈(Non-stoichiometric NiOx)의 비율이 증가할수록 증가할 수 있다. 즉, 니켈 공공(Ni2 + vacancy)의 비율이 증가할수록 산화 니켈 박막의 전기 전도도가 증가할 수 있다.
산화 니켈 박막의 전기 전도도 증가를 위해 열처리 또는 플라즈마 처리를 할 수 있다. 또한, 산화 니켈 박막에 금속 양이온을 도핑하여 산화 니켈 박막의 전기 전도도를 증가시킬 수 있다. 금속 양이온의 일 예로, 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 등이 도핑될 수 있다. 또한, 금속 양이온의 다른 예로, 주기율표의 1족 양이온, 주기율표의 2족 양이온이 도핑될 수 있다. 그 중에서도, 산화 니켈 박막에 구리 양이온을 도핑하는 것은 뛰어난 도핑 효율성 및 용액 공정의 적용 가능성을 가질 수 있다. 또한, 산화 니켈 박막에 두 개의 금속 양이온을 공동 도핑(codoping)할 수 있다. 산화 니켈 박막에 공동 도핑된 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온을 합한 원자 수의 비율은 전체 산화 니켈 박막 원자 수의 15% 내지 25%일 수 있다.
산화 니켈 박막에 구리 2가 양이온(Cu2 +)을 도핑할 수 있다. 도핑된 구리 2가 양이온은 산화 니켈 박막 격자(Lattice)의 니켈 2가 양이온(Ni2 +)의 치환형 원소로 작용할 수 있다. 구리 2가 양이온(Cu2 +)의 반경이 니켈 2가 양이온(Ni2 +)의 반경보다 큼으로 인하여, 산화 니켈 박막에서 비 화학양론적 산화 니켈의 비율이 증가할 수 있다. 이에 따라, 산화 니켈 박막의 니켈 공공의 비율이 증가할 수 있고, 산화 니켈 박막의 전기 전도도가 증가할 수 있다.
산화 니켈 박막에 구리 1가 양이온(Cu1 +) 및 구리 2가 양이온(Cu2 +)을 공동 도핑(codoping)할 수 있다. 도핑된 구리 1가 양이온(Cu1 +)은 산화 니켈 박막의 산소와 결합하여 제1 산화구리(Cu2O)를 형성할 수 있다. 도핑된 구리 2가 양이온(Cu2 +)은 산화 니켈 박막의 산소와 결합하여 제2 산화구리(CuO)를 형성할 수 있다. 제1 산화구리는 입방 구조(Cubic structure)의 격자 구조를 가지고, 제2 산화구리는 단사 구조(Monoclinic structure)의 격자 구조를 가질 수 있다. 즉, 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온은 산화 니켈 박막에 도핑되어 다른 격자 구조를 가질 수 있다. 산화 니켈 박막에 구리 2가 양이온만을 도핑한 것 보다, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온을 공동 도핑하는 것이, 비 화학양론적 산화 니켈의 비율을 더 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 산화 니켈 박막의 니켈 공공의 비율이 더 증가할 수 있고, 산화 니켈 박막의 전기 전도도가 더 증가할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시소자는 제1 공통층(130)이 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막일 수 있다. 이에 따라, 표시소자는 투과도의 측면에서 불리하지 않고, 전기 전도도가 뛰어나며, 이온화 에너지가 크고, 전류 밀도 및 휘도 특성이 우수할 수 있다. 이에 따라, 표시소자는 디스플레이, 태양전지, 전기변색소자 등 다양한 광전 기기에 응용될 수 있다.
산화 니켈 박막에 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온을 공동 도핑하는 방법을 이하에서 설명한다. 이하의 방법에서, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온을 대신하여 다른 금속 양이온들이 공동 도핑될 수도 있다. 예를 들어, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 등이 공동 도핑될 수 있다. 또한, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온을 대신하여 주기율표 1족 양이온 및 주기율표 2족 양이온이 공동 도핑될 수 있다. 또한, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온 중 하나만 도핑될 수도 있다. 즉, 이하의 방법은 공동 도핑이 아닌 경우에도 적용 가능하다.
구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막은 졸겔법(Sol-gel process)에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로는, 각 물질의 전구체 용액을 합성하고, 스핀 코팅(Spin-coating)한 후, 열처리를 하여 형성할 수 있다.
산화 니켈의 전구체 용액은 니켈 아세트산 테트라 수화물(Nickel(II) acetate tetrahydrate, (CH3CO2)2Ni·4H2O)을 0.1M의 농도로 에탄올에 용해시킨 후 첨가제로써 에탄올 아민(Ethanolamine, NH2CH2CH2OH)을 첨가하고, 60℃의 온도에서 12시간 동안 스터링(Stirring)하여 얻을 수 있다.
구리 1가 양이온의 전구체 용액은 아세트산 제1 구리(Copper(I) acetate)를 0.1M의 농도로 에탄올에 용해시킨 후 첨가제로써 에탄올 아민을 첨가하고, 상온에서 10분간 스터링하여 얻을 수 있다.
구리 2가 양이온의 전구체 용액은 아세트산 제2 구리 수화물(Copper(II) acetate monohtdrate)을 0.1M의 농도로 에탄올에 용해시킨 후 첨가제로써 에탄올 아민을 첨가하고, 상온에서 10분간 스터링하여 얻을 수 있다.
산화 니켈, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 전구체 용액을 일정 비율로 혼합하고, 혼합된 용액을 스핀 코팅한 후, 500℃에서 1시간 동안 열처리를 하면 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 얻을 수 있다.
아래의 [표 1]은 상기 방법으로 제조된 산화 니켈 박막의 샘플들의 조성 등을 나타낸 것이다. 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 전구체 용액 비율에 따라, 하기 [표 1]과 같은 산화 니켈 박막의 샘플을 얻을 수 있다.
# 샘플명 조성 구리 도핑 농도 (at%) 구리 1가 양이온 비율 구리 2가 양이온 비율
1 NiOx NiOx 0 0 0
2 CuNiOx (5:5) 5 at% CuNiOx 5 5 5
3 CuNiOx (0:10) 5 at% 5 0 10
4 CuNiOx (5:5) 20 at% 20 5 5
5 CuNiOx (0:10) 20 at% 20 0 10
상기 [표 1]에서, 구리 도핑 농도는 산화 니켈 박막 샘플의 전체 원자 수에서 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 원자 수를 합한 것의 비율이다. 구리 1가 양이온 비율 및 구리 2가 양이온 비율은 구리 양이온 중 구리 1가 양이온 또는 구리 2가 양이온이 차지하는 원자 수의 비율이다.
샘플 1은 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 도핑이 되지 않은 순수한 산화 니켈로 이루어진 산화 니켈 박막이다.
샘플 2는 구리가 5 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온의 비율이 5:5인 것이다.
샘플 3은 구리가 5 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온은 도핑되지 않고, 구리 2가 양이온만 도핑된 것이다.
샘플 4는 구리가 20 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온의 비율이 5:5인 것이다.
샘플 5는 구리가 20 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온은 도핑되지 않고, 구리 2가 양이온만 도핑된 것이다.
위와 같이, 각 샘플들의 조성, 구리 도핑 농도, 구리 1가 양이온 비율 및 구리 2가 양이온 비율은 샘플명에 따라 확인될 수 있다.
샘플 1 내지 샘플 5는 가시광 영역(400~700 nm)의 파장에서 ITO 기판 대비 1.8% 이내의 투과도 감소를 보일 수 있다. 샘플 2 내지 샘플 5를 비교하면, 구리가 도핑된 농도가 높을수록 투과도가 감소할 수 있다. 다만, 동일한 구리 도핑 농도에서는 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 비율과 투과도는 무관할 수 있다. 따라서, 투과도의 측면에서, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온을 공동 도핑한 산화 니켈 박막은 구리 2가 양이온만을 도핑한 산화 니켈 박막에 비해 불리하지 않을 수 있다.
샘플 1 내지 샘플 5의 광학적 밴드갭을 비교하면, 샘플 1이 3.62eV, 샘플 2 및 3이 3.60eV, 샘플 4 및 5가 3.57eV의 광학적 밴드갭을 가질 수 있다. 이에 따라, 구리가 도핑된 농도가 높을수록 광학적 밴드갭이 감소할 수 있다. 다만, 동일한 구리 도핑 농도에서는 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온의 비율과 광학적 밴드갭은 무관할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 C-AFM(Conductive atomic force microscopy) 이미지들이다.
C-AFM(Conductive atomic force microscopy)은 일정 전압 하에서 박막에 흐르는 전류를 측정하는 장비로, C-AFM을 통해 박막의 전기 전도도를 측정할 수 있다. 도 2에서 나타난 바와 같이, 샘플 1 내지 샘플 5의 C-AFM 이미지 중 샘플 1의 C-AFM의 이미지가 가장 어둡고, 샘플 4의 C-AFM의 이미지가 가장 밝은 것을 확인할 수 있다. 따라서, 샘플 1의 전기 전도도가 가장 낮고, 샘플 4의 전기 전도도가 가장 높은 것을 확인할 수 있다. 도 2에 나타난 이미지 영역에 대한 평균 수직 전류는 샘플 1이 0.787㎂, 샘플 2가 1.72㎂, 샘플 3이 1.53㎂, 샘플 4가 3.364㎂, 샘플 5가 2.351㎂로 측정될 수 있다. 위의 결과를 참조하면, 구리 도핑 농도가 증가할수록 산화 니켈 박막에 흐르는 수직 전류가 증가할 수 있고, 전기 전도도가 증가할 수 있다. 또한, 동일한 구리 도핑 농도에서는 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온이 공동 도핑되는 경우 산화 니켈 박막에 흐르는 전류가 증가할 수 있고, 전기 전도도가 증가할 수 있다. 이에 따라, 공동 도핑이 더욱 효과적으로 산화 니켈 박막의 전기 전도도를 증가시킨다는 것을 확인할 수 있다.
도 3a는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 2차 컷오프 스펙트럼을 설명하는 도면이고, 도 3b는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 가전자대 온셋 스펙트럼을 설명하는 도면이며, 도 3c는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 에너지 준위를 설명하는 도면이다.
본 발명에 따른 산화 니켈 박막은 광전자 소자(Optoelectronic device)에서 정공 주입층(Hole injection layer)으로 사용될 수 있고, 이 경우 산화 니켈 박막의 이온화 에너지(Ionization energy, IE)가 클수록 유리한 구성이 가능할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 자외선 광전자 분광법(Ultraviolet photoelectron spectroscopy)를 이용하여 산화 니켈 박막 샘플들의 2차 컷오프 스펙트럼 및 가전자대 온셋 스펙트럼을 구할 수 있다. 이에 따라, 산화 니켈 박막 샘플들의 이온화 에너지를 계산할 수 있고, 계산된 이온화 에너지는, 샘플 1이 5.31eV, 샘플 2가 5.39eV, 샘플 3이 5.32eV, 샘플 4가 5.45eV, 샘플 5가 5.42eV일 수 있다. 위의 결과를 참조하면, 구리 도핑 농도가 증가할수록 산화 니켈 박막의 이온화 에너지가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 동일한 구리 도핑 농도에서는 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온이 공동 도핑되는 경우 산화 니켈 박막의 이온화 에너지가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 전압에 따른 전류밀도 및 휘도를 설명하는 도면이다.
도 4에서, 내부가 빈 도형들로 이루어진 선은 전류밀도를 나타내고, 내부가 채워진 도형들로 이루어진 선은 휘도를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 샘플 1 및 샘플 2를 비교하여 볼 때 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 산화 니켈 박막에 공동 도핑되면 전류 밀도 및 휘도 특성이 우수해 지는 것을 확인할 수 있다. 샘플 2와 샘플 4를 비교하여 보면, 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온이 동일한 비율로 도핑된 경우라도, 전체 구리 도핑 농도가 높을수록 산화 니켈 박막의 전류 밀도 및 휘도 특성이 우수해 지는 것을 확인할 수 있다.
도 5a 내지 도 5m은 본 발명에 따른 산화 니켈 박막 샘플들의 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과를 설명하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5m을 참조하면, X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy)을 이용한 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과에서, 산화 니켈 박막 샘플들의 화학적 조성을 확인할 수 있다. Ni2 +의 피크(Ni2 + Peak) 및 Ni3+의 피크(Ni3 + Peak)의 꼭지점에서의 결합 에너지(Binding energy)를 구하여 Ni2 +의 피크 및 Ni3 +의 피크의 결합 에너지(Binding energy)를 구할 수 있다. Ni2 +의 피크 및 Ni3 +의 피크를 디콘볼루션(Deconvolution)하여 Ni2 +의 피크 및 Ni3 +의 피크의 면적(Area)을 구할 수 있다. Ni2 +의 피크는 화학양론적으로 안정한 산화 니켈(Stoichiometric NiO)을 나타내고, Ni3 +의 피크는 비 화학양론적 산화 니켈(Non-stoichiometric NiOx)을 나타낸다. 따라서, Ni2 +의 피크 및 Ni3 +의 피크의 면적으로, 화학양론적으로 안정한 산화 니켈 및 비 화학양론적 산화 니켈의 비율을 구할 수 있다. 피크 비(Peak ratio)는 Ni3 +의 피크 면적을 Ni2 +의 피크 면적으로 나눈 값을 의미한다. 위와 같이, 도 5a 내지 도 5m을 분석하여 아래의 [표 2]에 표시된 값을 구할 수 있다.
아래의 [표 2]는 상기 산화 니켈 박막의 샘플들의 피크 비 등을 나타낸 것이다.
# 샘플명 Ni2 + Peak Ni3 + Peak Peak
ratio
Binding energy (eV) Area
(a.u.)		 Binding energy (eV) Area
(a.u.)
1 NiOx 854.61 90412.3 856.75 44726.6 0.5
2 CuNiOx (5:5) 5 at% 853.51 42930.7 855.24 108565.6 2.53
3 CuNiOx (0:10) 5 at% 853.48 42233.6 855.17 100688.9 2.38
4 CuNiOx (5:5) 20 at% 853.52 23238 855.2 87617.7 3.77
5 CuNiOx (0:10) 20 at% 853.43 36822.3 855.03 118173.9 3.21
6 CuNiOx (5:5) 15 at% 852.69 23850.4 854.45 67103 2.81
7 CuNiOx (0:10) 15 at% 852.79 24743.7 854.52 65101.3 2.63
8 CuNiOx (5:5) 25 at% 852.9 20926.5 854.6 66521.2 3.18
9 CuNiOx (0:10) 25 at% 853.1 22091.8 854.85 59056.5 2.67
10 CuNiOx (5:5) 30 at% 853.07 21652.4 854.8 56565.1 2.61
11 CuNiOx (0:10) 30 at% 852.95 22105.3 854.7 53656.3 2.43
12 CuNiOx (5:5) 40 at% 852.98 17965.3 854.75 47091.5 2.62
13 CuNiOx (0:10) 40 at% 853.02 19187.5 854.82 46788.8 2.44
샘플 6 내지 샘플 13의 경우, [표 1]에서 설명한 샘플 2 내지 샘플 5와 마찬가지로, 샘플명에 따른 조성, 구리 도핑 농도, 구리 1가 양이온 비율 및 구리 2가 양이온 비율을 가진다.
예를 들어, 샘플 6은 CuNiOx의 조성을 가지고, 구리가 15 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온과 구리 2가 양이온의 비율이 5:5인 것이다.
또한, 샘플 9는 CuNiOx의 조성을 가지고, 구리가 25 at%의 농도로 도핑된 산화 니켈 박막으로, 구리 1가 양이온은 도핑되지 않고, 구리 2가 양이온만 도핑된 것이다.
[표 2]를 참조하면, 구리 도핑 농도가 0 at% 내지 20 at%인 경우, 구리 도핑 농도가 증가할수록 피크 비가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 구리 도핑 농도가 20 at% 내지 30 at%인 경우, 구리 도핑 농도가 증가할수록 피크 비가 감소하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 구리 도핑 농도가 30 at % 내지 40 at%인 경우, 구리 도핑 농도의 변화는 피크 비에 큰 영향을 미치지 않는 것을 확인할 수 있다.
구리 도핑 농도가 동일한 경우, 구리 1가 양이온 및 구리 2가 양이온이 5:5의 비율로 공동 도핑된 것이 구리 2가 양이온만 도핑된 것보다 피크 비가 큰 것을 확인할 수 있다.
위의 결과를 종합하면, 모든 샘플 중 샘플 4의 피크 비가 가장 크고, 그에 따라 비 화학양론적 산화 니켈의 비율이 가장 높은 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 모든 샘플 중 샘플 4에서 산화 니켈 박막의 니켈 공공이 가장 많을 수 있고, 샘플 4의 전기 전도도가 가장 높을 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110 : 기판
120 : 제1 전극층
130 : 제1 공통층
140 : 발광층
150 : 제2 공통층
160 : 제2 전극층

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층;
    상기 기판 상에 형성되는 제1 공통층;
    상기 제1 공통층 상에 형성되는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성되는 제2 공통층; 및
    상기 제2 공통층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고,
    상기 제1 공통층은 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 포함하고,
    상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화 니켈 박막은 X선 광전자 분광법을 이용한 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과에서 피크 비(Peak ratio)가 3.5 내지 4.0인 표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화 니켈 박막은 자외선 광전자 분광법을 이용하여 계산한 이온화 에너지가 5.45eV 내지 5.55eV인 표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나이고,
    상기 제2 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나인 표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 구리 1가 양이온이고,
    상기 제2 금속 양이온은 구리 2가 양이온인 표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 주기율표 1족 양이온이고,
    상기 제2 금속 양이온은 주기율표 2족 양이온인 표시소자.
  7. 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극층 상에 제1 공통층을 형성하는 단계;
    상기 제1 공통층 상에 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에 제2 공통층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 공통층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 공통층을 형성하는 단계는:
    산화 니켈의 전구체 용액, 제1 금속 양이온의 전구체 용액 및 제2 금속 양이온의 전구체 용액을 혼합하는 단계; 및
    혼합된 용액을 스핀 코팅한 후 열처리하여 상기 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화 니켈 박막에서 상기 제1 금속 양이온 및 상기 제2 금속 양이온을 합한 원자 수의 비율이 15% 내지 25%인 표시소자 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나이고,
    상기 제2 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나인 표시소자 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 구리 1가 양이온이고,
    상기 제2 금속 양이온은 구리 2가 양이온인 표시소자 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 금속 양이온은 주기율표 1족 양이온이고,
    상기 제2 금속 양이온은 주기율표 2족 양이온인 표시소자 제조방법.
KR1020170140493A 2017-10-26 2017-10-26 표시소자 및 그 제조방법 KR102152623B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170140493A KR102152623B1 (ko) 2017-10-26 2017-10-26 표시소자 및 그 제조방법
US16/053,333 US10490763B2 (en) 2017-10-26 2018-08-02 Display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170140493A KR102152623B1 (ko) 2017-10-26 2017-10-26 표시소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190046561A true KR20190046561A (ko) 2019-05-07
KR102152623B1 KR102152623B1 (ko) 2020-09-09

Family

ID=66244392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170140493A KR102152623B1 (ko) 2017-10-26 2017-10-26 표시소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10490763B2 (ko)
KR (1) KR102152623B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110164939B (zh) * 2019-05-30 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性有机发光二极管显示面板及其制造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100106728A (ko) * 2009-03-24 2010-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2011132215A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびそれを備えた有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR20110124215A (ko) * 2009-02-10 2011-11-16 파나소닉 주식회사 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법
KR20120092575A (ko) * 2009-10-27 2012-08-21 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전이 금속 화합물 함유 나노 입자 및 그 제조 방법, 정공 주입 수송층용 잉크, 및 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법
KR20130073014A (ko) * 2010-10-15 2013-07-02 파나소닉 주식회사 유기 발광 패널과 그 제조 방법, 및 유기 표시 장치
KR101552662B1 (ko) * 2014-04-16 2015-09-14 경북대학교 산학협력단 발광 소자 및 발광 소자용 정공주입/수송층 제조 방법
KR20150120025A (ko) * 2014-04-16 2015-10-27 경북대학교 산학협력단 발광 소자 및 발광 소자 제조 방법
KR20160040352A (ko) * 2014-10-02 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710003B1 (ko) 2005-11-08 2007-04-20 한국에너지기술연구원 용융염법을 이용한 저전압 리튬이온전지용 리튬 도핑된니켈산화물 및 그 제조방법
WO2008091226A1 (en) 2007-01-22 2008-07-31 Agency For Science, Technology And Research Co-doped nickel oxide
US9053937B2 (en) 2010-04-15 2015-06-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101973207B1 (ko) * 2011-06-23 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자
EP2734601B1 (en) 2011-07-21 2019-09-04 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic nickel oxide simultaneously doped with lithium and a metal dopant
US8941111B2 (en) * 2012-12-21 2015-01-27 Invensas Corporation Non-crystalline inorganic light emitting diode
KR20160127866A (ko) 2015-04-27 2016-11-07 곽준영 습식 코팅법에 의한 전기변색층 제조방법 및 그를 포함하는 전기변색소자

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110124215A (ko) * 2009-02-10 2011-11-16 파나소닉 주식회사 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법
KR20100106728A (ko) * 2009-03-24 2010-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR20120092575A (ko) * 2009-10-27 2012-08-21 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전이 금속 화합물 함유 나노 입자 및 그 제조 방법, 정공 주입 수송층용 잉크, 및 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011132215A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびそれを備えた有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR20130073014A (ko) * 2010-10-15 2013-07-02 파나소닉 주식회사 유기 발광 패널과 그 제조 방법, 및 유기 표시 장치
KR101552662B1 (ko) * 2014-04-16 2015-09-14 경북대학교 산학협력단 발광 소자 및 발광 소자용 정공주입/수송층 제조 방법
KR20150120025A (ko) * 2014-04-16 2015-10-27 경북대학교 산학협력단 발광 소자 및 발광 소자 제조 방법
KR20160040352A (ko) * 2014-10-02 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US10490763B2 (en) 2019-11-26
KR102152623B1 (ko) 2020-09-09
US20190131559A1 (en) 2019-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Convenient preparation of CsSnI 3 quantum dots, excellent stability, and the highest performance of lead-free inorganic perovskite solar cells so far
Zhang et al. SrCl2 derived perovskite facilitating a high efficiency of 16% in hole‐conductor‐free fully printable mesoscopic perovskite solar cells
Song et al. Incorporating of lanthanides ions into perovskite film for efficient and stable perovskite solar cells
Karunakaran et al. Europium (II)‐Doped All‐Inorganic CsPbBr3 Perovskite Solar Cells with Carbon Electrodes
JP7381504B2 (ja) 改良された安定性を有するドープされた金属ハロゲン化物ペロブスカイト及びそれを含む太陽電池
Chen et al. Rare earth ions doped NiOx hole transport layer for efficient and stable inverted perovskite solar cells
Mo et al. Highly efficient and ultra‐broadband yellow emission of lead‐free antimony halide toward white light‐emitting diodes and visible light communication
Feizi et al. 12CaO. 7Al $ _ {2} $ O $ _ {3} $ ceramic: a review of the electronic and optoelectronic applications in display devices
Ge et al. 3D low toxicity Cu–Pb binary perovskite films and their photoluminescent/photovoltaic performance
Zhou et al. Near‐Unity Quantum Yield and Superior Stable Indium‐Doped CsPbBrxI3− x Perovskite Quantum Dots for Pure Red Light‐Emitting Diodes
Li et al. Strontium ion B‐site substitution for spectral‐stable blue emitting perovskite light‐emitting diodes
CN111509131B (zh) 发光器件及其制备方法和显示装置
Liu et al. Host-sensitized luminescence of Dy3+, Pr3+, Tb3+ in polycrystalline SrIn2O4 for field emission displays
Liu et al. A multifunctional additive strategy enables efficient pure‐blue perovskite light‐emitting diodes
CN108832012A (zh) 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法
Li et al. Realization of 1.54‐µm Light‐Emitting Diodes Based on Er3+/Yb3+ Co‐Doped CsPbCl3 Films
Huang et al. Sodium doping for enhanced performance by highly efficient CsPbBr 3 quantum dot-based electroluminescent light-emitting diodes
Sadhukhan et al. Super‐bright green perovskite light‐emitting diodes using ionic liquid additives
KR102152623B1 (ko) 표시소자 및 그 제조방법
He et al. Unlocking the Potential of Halide Perovskites Through Doping
Wang et al. Bandgap tuning of a CsPbBr 3 perovskite with synergistically improved quality via Sn 2+ doping for high-performance carbon-based inorganic perovskite solar cells
Ogawa et al. Band‐gap modification and tunable blue luminescence of wurtzite MgxZn1–xO thin films
Zhu et al. Antimony doped CsPbI2Br for high-stability all-inorganic perovskite solar cells
Ren et al. Interface modification of an electron transport layer using europium acetate for enhancing the performance of P3HT-based inorganic perovskite solar cells
Kang et al. ZnO films using a precursor solution irradiated with an electron beam as the cathode interfacial layer in inverted polymer solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant