KR20190046352A - 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 접속저항이 낮고, 인쇄성, 절연성 및 자가융착성이 우수한 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법{Adhesive resin, self-assembled conductive bonding paste comprising the same and manufacturing method thereof}
본 발명은 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 접속저항이 낮고, 인쇄성, 절연성 및 자가융착성이 우수한 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 전도성 접착제는 이방성 도전 접착제와 등방성 도전 접착제로 구분할 수 있으며, 특히 이방성 도전 접착체 성분으로 제조된 이방성 도전 필름은 반도체와 같은 전자부품, 예를 들어 LCD, PDP, EL 등의 평판표시소자의 실장에 사용된다. 이방성 도전 필름은 도전성분과 열에 의해 경화되는 접착 성분을 포함하고 있으며, 주로 LCD 패널과 TCP 또는 PCB와 TCP 등의 전기적인 접속에 사용되고 있다.
이러한 이방성 도전 필름(ACF ; anisotropic conductive adhesive films)은 배선기구 중의 하나로서 유용하며, 접속부재로서의 역할을 하고 있다. 구체적으로, 도 1을 참조하여 이방성 도전 필름(ACF)를 설명하면, 이방성 도전 필름은 접착수지와 이 수지에 충분한 양으로 분산된 금속, 흑연 또는 그와 유사한 도전성 입자(conductive particle)로서 구성된다. 이러한 이방성 도전필름은 접속하고자 하는 복수의 회로부재(FPC, IC, ITO Glass, CPT, LCD 패널 등) 사이에 위치시킨 후 가열(Heat) 및 가압(Pressure)을 가하는 공정이 진행되고, 가열(Heat) 및 가압(Pressure)에 의해 이방성 도전필름에 포함되는 도전성 입자(conductive particle) 일부는 복수의 회로부재의 전극(Electrode) 부분에 형성되어 회로부재 간의 전기적인 접속이 발생하고, 이와 동시에 접착수지는 경화되어 복수의 회로부재를 접착시킨다. 압력이 가해지는 방향의 수직방향으로는 도전물질의 입자(conductive particle)가 서로 산만하게 위치되어 전기적 절연을 유지한다.
이와 같은, 이방성 도전필름은 특정 접점만이 물리적으로 접촉되므로 상대적으로 낮은 도전성으로 인한 불안정하고 높은 접속저항, 낮은 접합강도 및 이온 마이그레이션 등의 단점을 가지고 있다. 또한, 해당기술에 사용되는 도전성 입자는 요구되는 피치 이하에서 균일한 크기의 폴리머 탄성볼에 별도의 귀금속 도금처리 및 절연처리가 필요하므로 품질관리가 곤란하며 비용이 비싸다는 단점이 있다.
이 뿐만 아니라, 이방성 도전필름을 이용한 접촉 방식은 접촉을 위해 별도의 고가의 설비가 필요하며, 온도와 시간 외에 필수로 압력이 가해지게 되는 바 피착되는 회로기판 또는 전자부품 등에 손상을 발생시킬 우려가 있다.
따라서, 별도의 고가장비 없이도, 회로부재 간의 전기적인 접속이 가능할 뿐만 아니라, 피착제간의 접착력 향상, 접속저항의 감소 및 부품들 간의 압력손상을 제거할 수 있는 도전성 접착제가 필요하다.
한국 공개특허번호 제2012-0122943호(공개일 : 2012.11.07)
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 압력을 가하는 장비없이 융용금속에 의한 접점 도통을 통해 회로부재(회로기판, 반도체 칩, ITO Class, 플라스티 소자 기판의 단자부 등)간 전기 접속을 구현할 뿐만 아니라, 피착제간의 접착력이 우수하고, 접속저항이 낮을 뿐만 아니라, 인쇄성, 절연성 및 자가융착성이 우수한 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 접착수지는 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함하고, 상기 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지를 1 : 1.86 ~ 2.8 중량비로 포함할 수 있다.
이 때, 상기 접착수지는 자가융착형 도전접속 페이스트용으로 사용할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 접착수지는 에폭시 당량이 230 ~ 250 g/eq일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 접착수지는 60 ~ 120℃에서 80 ~ 3,300 mPas의 점도를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 접착수지는 361 ~ 543의 수평균분자량(Mn), 2733 ~ 4100의 중량평균분자량(Mw)를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 고무 변성 에폭시 수지는 702 ~ 1054의 수평균분자량(Mn), 12002 ~ 18004의 중량평균분자량(Mw)를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 비스페놀 A형 에폭시 수지는 278 ~ 418의 수평균분자량(Mn), 348 ~ 524의 중량평균분자량(Mw)를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 고무 변성 에폭시 수지의 고무는 CTBN(Carboxylic terminated butadiene acrylonitrile), NBR(nitrile butadiene rubber), 아크릴(acrylic rubber) 및 실리콘(silicone) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 고무 변성 에폭시 수지의 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 앞서 언급한 접착수지, 도전성 입자, 환원제 및 용매를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 접착수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자 567 ~ 851 중량부, 환원제 80 ~ 120 중량부 및 용매 23 ~ 36 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 도전성 입자는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 도전성 입자는 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금으로, 비스무트 및 주석을 1 : 0.57 ~ 0.87 중량비로 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 환원제는 로진계 환원제, 유기산류 환원제, 금속성 환원제 및 아민염 환원제 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 용매는 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether), 에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Ethylene glycol dimethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Triethylene glycol dimethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 다이에틸 에스터(Diethylene glycol diethyl ether) 및 다이에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스터(Diethylene glycol methyl ethyl ether) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 150 ~ 180℃의 온도에서, 2 ~ 5 kgf/cm의 접착력, 0.001 ~ 1 Ω/cm 의 접착저항을 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 100 ~ 180℃의 온도에서 30 ~ 3,000mPa·s의 점도를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 회로기판, 반도체 칩, ITO Glass 또는 플라스틱 소재의 기판 중에서 선택되는 1종 이상을 접합할 수 있다.
한편, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트의 제조방법은 접착수지 100 중량부에 대하여, 환원제 80 ~ 120 중량부 및 용매 23 ~ 36 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하는 제1단계 및 상기 혼합물에 접착수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자 567 ~ 851 중량부를 혼합하여, 자가융착성 도전접속 페이스트를 제조하는 제2단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 접착수지, 이를 포함하는 자가융착형 도전접속 페이스트 및 이의 제조방법은 압력을 가하는 장비없이 융용금속에 의한 접점 도통을 통해 회로부재(회로기판, 반도체 칩, ITO Class, 플라스틱 소자 기판의 단자부 등)간 전기 접속을 구현할 뿐만 아니라, 피착제간의 접착력이 우수하고, 접속저항이 낮을 뿐만 아니라, 인쇄성, 절연성 및 자가융착성이 우수하다.
또한, 본 발명은 자가융착형 도전접속 페이스트에 포함된 도전성 입자가 회로부재의 전극(Electrode) 부분에만 선택적으로 형성되고, 전극부분 외에는 접착수지(환원제 포함)로 구성되어 전극 부분을 보호할 수 있어서, 외부 충격에 의한 회로 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 이방성 도전필름(ACF)의 도통 구현방식을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2은 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트(Self-assembled conductive bonding paste)의 도통 구현방식을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 구체적인 일구현예로서, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트가 열처리되어, 도전성 입자가 회로부재의 전극부분에 응집되어 회로부재 간의 전기적 도통이 이루어지는 것을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.
종래의 이방도전성 필름은 필름을 구성하는 도전성 입자가 상하 전극에 접속되어 물리적 접촉에 의한 회로간 도전을 추구하는 방식이나, 이는 특정 접점만으로 물리적으로 접촉되므로 상대적으로 낮은 도전성으로 인한 불안정하고 높은 접속저항, 낮은 접합강도 및 이온 마이그레이션 등의 단점을 가지고 있었지만, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 특정 성분이 특정 함량 범위로 포함되어, 금속끼리 뭉치는 성질을 이용하여 자가융착이 우수하고, 접착력, 접속저항, 인쇄성 및 절연성 또한 우수하다.
구체적으로, 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트(Self-assembled conductive bonding paste)는 압력의 가함이 없이 열처리 만으로 도전성 입자(conductive particle)가 용융되고, 용융된 도전성 입자는 회로부재(회로기판, 반도체 칩, ITO Class, 플라스틱 소자 기판의 단자부 등)의 전극 부위(Electrode)에만 선택적으로 자가 융착하는 효과가 발생한다. 이 때, 수지 조성물(Resin) 부분에는 잔류된 도전성 입자(conductive particle)가 없어 접착력이 우수하고, 접속저항은 낮을 뿐만 아니라 절연성이 우수하다.
본 발명의 접착수지는 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지 를 포함한다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지를 1 : 1.86 ~ 2.8 중량비, 바람직하게는 1 : 2.1 ~ 2.57 중량부, 더욱 바람직하게는 1 : 2.21 ~ 2.45 중량비로 포함할 수 있다. 만일, 본 발명의 접착수지가 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지를 1 : 1.86 중량비 미만으로 포함한다면 점도가 낮아 인쇄성이 나빠지는 문제가 발생할 수 있고, 1 : 2.8 중량비를 초과하면 포함한다면 본 발명의 접착수지를 포함하는 페이스트의 경시성이 나빠지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 접착수지는 열처리에 의하여 경화되어 복수의 회로부재를 접착시키는 물질로서, 자가융착형 도전접속 페이스트용으로서 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 접착수지는 에폭시 당량이 230 ~ 250 g/eq일 수 있다.
이 뿐만 아니라, 본 발명의 접착수지는 60 ~ 120℃에서 80 ~ 3,300 mPa·s의 점도, 바람직하게는 80 ~ 3,000 mPa·s의 점도, 더욱 바람직하게는 80 ~ 2,700 mPa·s의 점도를 가지는 수지일 수 있다.
한편, 본 발명의 접착수지는 361 ~ 543의 수평균분자량(Mn), 바람직하게는 406 ~ 500의 수평균분자량(Mn), 더욱 바람직하게는 429 ~ 475의 수평균분자량(Mn)을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 접착수지는 2733 ~ 4100의 중량평균분자량(Mw), 바람직하게는 3075 ~ 3760의 중량평균분자량(Mw), 더욱 바람직하게는 3246 ~ 3588의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다.
본 발명의 비스페놀 A형 에폭시 수지는 액상으로서, 278 ~ 418의 수평균분자량(Mn), 바람직하게는 313 ~ 383의 수평균분자량(Mn), 더욱 바람직하게는 330 ~ 366의 수평균분자량(Mn)을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 비스페놀 A형 에폭시 수지는 348 ~ 524의 중량평균분자량(Mw), 바람직하게는 392 ~ 480의 중량평균분자량(Mw), 더욱 바람직하게는 414 ~ 458의 중량평균분자량(Mw)를 가질 수 있다. 만일, 본 발명의 비스페놀 A형 에폭시 수지의 수평균분자량이 278 미만이거나, 중량평균분자량이 348 미만이면 점도가 낮아 페이스트의 경시성의 문제가 발생할 수 있고, 수평균분자량이 418을 초과하거나, 중량평균분자량이 524를 초과하면 인쇄성의 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 고무 변성 에폭시 수지는 에폭시 수지에 고무가 반응하여 변성된 수지이다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지의 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 고무 변성 에폭시 수지의 고무는 CTBN(Carboxylic terminated butadiene acrylonitrile), NBR(nitrile butadiene rubber), 아크릴(acrylic rubber) 및 실리콘(silicone) 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 CTBN(Carboxylic terminated butadiene acrylonitrile)를 포함할 수 있다.
또한, 고무 변성 에폭시 수지의 고무로서 CTBN(Carboxylic terminated butadiene acrylonitrile)을 포함할 때, CTBN은 유리전이온도(Tg)가 -50 ~ -10℃, 바람직하게는 -40 ~ -20℃, 더욱 바람직하게는 -45 ~ -25℃, 수평균분자량(Mn)이 2520 ~ 3780, 바람직하게는 2835 ~ 3465, 더욱 바람직하게는 2992 ~ 3308일 수 있다.
한편, 본 발명의 고무 변성 에폭시 수지는 702 ~ 1054의 수평균분자량(Mn), 바람직하게는 790 ~ 966의 수평균분자량(Mn), 더욱 바람직하게는 834 ~ 922의 수평균분자량(Mn)을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 고무 변성 에폭시 수지는 12002 ~ 18004의 중량평균분자량(Mw), 바람직하게는 13502 ~ 16504의 중량평균분자량(Mw), 더욱 바람직하게는 14252 ~ 15754의 중량평균분자량(Mw)를 가질 수 있다. 만일, 본 발명의 고무 변성 에폭시 수지의 수평균분자량이 702 미만이거나, 중량평균분자량이 12002 미만이면 페이스트의 점도가 낮아지고 공정 시 수지가 많이 흐름으로 인해 오염이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 수평균분자량이 1054을 초과하거나, 중량평균분자량이 18004를 초과하면 과도한 점도 상승으로 인해 공정 중 도전입자의 융착에 방해를 주는 문제가 있을 수 있다.
한편, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 앞서 언급한 접착수지, 도전성 입자, 환원제 및 용매를 포함한다.
본 발명의 도전성 입자(conductive particle)는 복수의 회로기판을 전기적으로 도통시키는 물질로서, 접착수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자 567 ~ 851 중량부, 바람직하게는 638 ~ 781 중량부, 더욱 바람직하게는 673 ~ 745 중량부를 포함할 수 있다.
만일, 도전성 입자가 접착수지 100 중량부에 대하여 567 중량부 미만으로 포함한다면 불균일한 자가융착이 형성되는 문제 또는 전기적 성질이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 851 중량부를 초과한다면 회로 대비 과량으로 인해 전기절연성이 부족해지는 문제가 발생할 수 있다.
도전성 입자는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 비스무트(Bi), 주석(Sn) 및 은(Ag)의 합금 및 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금을 포함할 수 있다.
도전성 입자로서, 비스무트(Bi), 주석(Sn) 및 은(Ag)의 합금을 포함할 때, 비스무트 100 중량부에 대하여, 주석 58.2 ~ 87.4 중량부, 바람직하게는 65.5 ~ 80.1 중량부, 더욱 바람직하게는 69.1 ~ 76.5 중량부를 포함할 수 있다. 또한, 도전성 입자로서, 비스무트(Bi), 주석(Sn) 및 은(Ag)의 합금을 포함할 때, 비스무트 100 중량부에 대하여, 은 0.41 ~ 0.63 중량부, 바람직하게는 0.46 ~ 0.58 중량부, 더욱 바람직하게는 0.49 ~ 0.55 중량부를 포함할 수 있다.
한편, 도전성 입자로서, 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금을 포함할 때, 비스무트 및 주석을 1 : 0.57 ~ 0.87 중량비, 바람직하게는 1 : 0.65 ~ 0.8 중량비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.68 ~ 0.77 중량비로 포함할 수 있다.
나아가, 본 발명의 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛, 바람직하게는 5 ~ 45㎛, 더욱 바람직하게는 10 ~ 38㎛일 수 있다. 만일, 도전성 입자의 입경이 2㎛ 미만일 경우 비표면적의 증가로 산화된 입자 표면의 환원반응이 제대로 일어나지 않는 문제뿐만 아니라 페이스트의 점도가 매우 높아져 페이스트 사용시 도포 공정이 어려워지는 문제가 발생할 수 있고, 75㎛를 초과하면 페이스트의 보관 및 사용시 도전성 입자의 침전이 발생하고, 균일한 자가융착이 어려운 문제가 발생할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 환원제는 접착수지 100 중량부에 대하여, 80 ~ 120 중량부, 바람직하게는 90 ~ 110 중량부, 더욱 바람직하게는 95 ~ 105 중량부를 포함할 수 있다.
만일, 환원제가 접착수지 100 중량부에 대하여 80 중량부 미만으로 포함한다면 도전성 입자의 용융성 저하로 인한 자가융착이 불안정한 문제 또는 도전성 입자의 환원 부족으로 전기적 특성이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 120 중량부를 초과한다면 페이스트 형성에 문제 또는 반응성이 높아져서 경시성이 나빠지는 문제가 생길 수 있다.
본 발명의 환원제는 로진계 환원제, 유기산계 환원제, 금속성 환원제 및 아민염 환원제 중에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 유기산계 환원제를 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 유기산계 환원제인 아디프 산(adipic acid) 및 시트르 산(citric acid) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 용매는 접착수지의 용해성을 향상시킬 수 있는 물질로서, 본 발명의 도전접속 페이스트를 이용하여 회로부재의 적용되는 공정시, 일반적인 공정온도인 160 ~ 180℃에서 휘발되는 특성을 가지는 물질일 수 있다.
본 발명의 용매는 접착수지 100 중량부에 대하여, 23 ~ 36 중량부, 바람직하게는 26 ~ 33 중량부, 더욱 바람직하게는 28 ~ 32 중량부를 포함할 수 있다.
만일, 용매가 접착수지 100 중량부에 대하여 23 중량부 미만으로 포함한다면 경시성이 저하되는 문제가 발생할 수 있고, 36 중량부를 초과하여 포함된다면 인쇄성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 용매는 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether), 에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Ethylene glycol dimethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Triethylene glycol dimethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 다이에틸 에스터(Diethylene glycol diethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스터(Diethylene glycol methyl ethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 메틸 부틸 에스터(Diethylene glycol methyl butyl ether), 트리에틸렌 글리콜 메틸 부틸 에스터(Triethylene glycol methyl butyl ether), 프로필렌 글리콜 다이메틸 에스터(Propylene glycol dimethyl ether), 다이프로필렌 글리콜 다이메틸 에스터(Dipropylene glycol dimethyl ether) 및 메틸 에틸 케톤(Methyl ethyl ketone) 중 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether), 에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Ethylene glycol dimethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Triethylene glycol dimethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 다이에틸 에스터(Diethylene glycol diethyl ether) 및 다이에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스터(Diethylene glycol methyl ethyl ether) 중 1종 이상을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether)을 포함할 수 있다.
나아가, 본 발명의 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 상온에서, 바람직하게는 15 ~ 35℃, 더욱 바람직하게는 20 ~ 30℃의 온도에서 100,000 ~ 168,000mPa·s의 점도, 바람직하게는 110,000 ~ 165,000mPa·s의 점도를 가질 수 있다.
이 때, 본 발명의 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 100 ~ 180℃의 온도에서 30 ~ 3,000mPa·s의 점도, 바람직하게는 30 ~ 2,000mPa·s의 점도, 더욱 바람직하게는 30 ~ 1,500mPa·s의 점도를 가질 수 있으며, 만일, 100 ~ 180℃의 온도에서 점도가 30mPa·s 미만이면 경화 온도에서 접착수지의 과한 흐름성에 의한 불필요 부위의 오염이 발생되는 문제가 발생할 수 있고, 3,000mPa·s를 초과하면 자가융착성이 저하될 수 있다.
본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 100 ~ 180℃의 온도에서 30 ~ 3,000mPa·s의 점도, 바람직하게는 30 ~ 2,000mPa·s의 점도, 더욱 바람직하게는 30 ~ 1,500mPa·s의 점도를 가질 수 있으며, 만일, 100 ~ 180℃의 온도에서 점도가 30mPa·s 미만이면 경화 온도에서 접착수지의 과한 흐름성에 의한 불필요 부위의 오염이 발생되는 문제가 발생할 수 있고, 3,000mPa·s를 초과하면 자가융착성이 저하될 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 특정 성분이 특정 함량 범위로 포함되어, 도전성 입자가 회로부재(회로기판, 반도체 칩, ITO Class, 플라스틱 소자 기판의 단자부 등)의 전극 부위에만 선택적으로 접속되어 도통되도록 자가융착이 일어날 수 있는 점도 범위를 가질 수 있다.
이는 도 3에서 확인할 수 있는데 도 3을 참조하여 설명하면, 경화전인 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트(3a)는 도전성 입자가 전체적으로 분포하고 있지만, 열처리를 통해 경화된 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트(3b)는 도전성 입자가 전극부위에 응집되어 전극을 통한 회로부재 간의 전기적 도통이 이루어지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 3에서 확인할 수 있듯이, 열처리를 통해 경화된 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트(3b)는 전극부위 이외에는 접착수지(환원제 포함)로 구성되어 외부 충격 등으로부터 전극 부위를 보호할 수 있으므로 충격에 의한 회로부재 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 150 ~ 180℃의 온도에서, 2 ~ 5 kgf/cm의 접착력, 바람직하게는, 2.2 ~ 4 kgf/cm의 접착력을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 150 ~ 180℃의 온도에서, 0.001 ~ 1 Ω/cm의 접착저항을 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 회로기판, 반도체 칩, ITO Glass 또는 플라스틱 소재의 기판 중에서 선택되는 1종 이상을 접합할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
나아가, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트의 제조방법은 다음과 같다.
먼저, 제1단계에서 접착수지, 환원제 및 용매를 혼합하여 혼합물을 제조할 수 있다. 이 때, 혼합물은 접착수지 100 중량부에 대하여, 환원제 80 ~ 120 중량부 및 용매 23 ~ 36 중량부를 혼합할 수 있다.
다음으로, 제2단계에서 앞서 제1단계에서 제조된 혼합물에 도전성 입자 및 용매를 혼합하여 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조할 수 있다. 이 때, 도전성 입자는 접착수지 100 중량부에 대하여, 567 ~ 851 중량부를 혼합할 수 있다.
한편, 본 발명의 자가융착형 도전접속 페이스트는 복수의 회로가 인쇄되어 있는 기판(=회로부재)을 전기적으로 연결시키는데 사용되는데, 이러한 자가융착형 도전접속 페이스트를 포함하는 회로부재를 제조하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 자가융착형 도전접속 페이스트 일면에는 복수의 제1전극이 형성된 제1회로부재를 적층하고, 타면에는 상기 제1전극에 대향하여 복수의 제2전극이 형성된 제2회로부재를 적층할 수 있다.
그 뒤, 히팅 툴(Heating tool)을 이용하여, 140 ~ 260℃에서 10초 ~ 60분, 바람직하게는 30초 ~ 50분, 더욱 바람직하게는 1분 ~ 30분 동안 가열시킬 수 있다. 이와 같은 가열을 통하여, 자가융착형 도전접속 페이스트에 포함된 도전성 입자는 용융되며, 용융된 입자는 제1전극과 제2전극이 전기적으로 도통되도록 자가융착할 수 있다. 만일, 온도가 140℃ 미만일 경우에는 도전성 입자가 미융착되는 문제가 있을 수 있고, 상기 히팅 툴의 온도가 260℃를 초과할 경우에는 열에 의한 부품의 손상이 발생되는 문제가 있을 수 있으므로, 상기의 범위가 좋다.
히팅 툴은 본 발명의 접속필름에 열을 가하여 도전성 입자들을 용융시킬 수 있는 수단이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 가열 오븐 또는 리플로우 건조단 등을 포함할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 구현예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명의 구현예를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 구현예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
준비예 1 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지는 1 : 2.33 중량비로 혼합하였다.
준비예 2 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지는 1 : 2.1 중량비로 혼합하였다.
준비예 3 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지는 1 : 2.57 중량비로 혼합하였다.
비교준비예 1 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지는 1 : 1.63 중량비로 혼합하였다.
비교준비예 2 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지는 1 : 3.03 중량비로 혼합하였다.
비교준비예 3 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 크레졸 노볼락 에폭시 수지(YDCN-500-7P, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 크레졸 노볼락 에폭시 수지는 1 : 2.33 중량비로 혼합하였다.
비교준비예 4 : 접착수지의 제조
고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON) 및 DCPD형 에폭시 수지(KR-102, 국도화학)를 혼합하여 접착수지를 제조하였다.
이 때, 고무 변성 에폭시 수지 및 DCPD형 에폭시 수지는 1 : 2.33 중량비로 혼합하였다.
실시예 1 : 자가융착형 도전접속 페이스트의 제조
준비예 1에서 제조된 접착수지 100 중량부에 대하여, 시트르산(citric acid) 100 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하였다.
제조된 혼합물에 고무 변성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자(입경 : 20 ~ 38㎛, Sn 및 Bi가 28 : 42 중량비로 포함하는 합금) 709.1 중량부 및 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether) 29.87중량부를 혼합하고, 절연화 처리한 후 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
실시예 2 ~ 13
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 하기 표 1와 같이 접착수지에 혼합되는 도전성 입자, 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터, 시트르산의 중량부를 달리하여 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
Figure pat00001
실시예 14
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터 대신, 메틸에틸케톤을 사용하여 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
실시예 15
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 용매를 사용하지 않고, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
실시예 16
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 준비예 2에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
실시예 17
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 준비예 3에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 1
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 비교준비예 1에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 2
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 비교준비예 2에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 3
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 비교준비예 3에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 4
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 비교준비예 4에서 제조된 접착수지를 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 5
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 고무 변성 에폭시 수지(TSR-601, EPICLON)만을 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
비교예 6
실시예 1과 동일한 방법으로 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다. 다만, 준비예 1에서 제조된 접착수지 대신 비스페놀 A형 에폭시 수지(YD128, 국도화학)만을 사용하여, 자가융착형 도전접속 페이스트를 제조하였다.
실험예 1
실시예 및 비교예에서 제조된 자가융착형 도전접속 페이스트를 각각 다음과 같은 물성평가법을 기준으로 하여 평가를 실시하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
(1) 접속저항 측정(Ω/cm)
실시예 및 비교예에서 제조한 도전접속 페이스트를 각각 제 1 회로기판 (단자 100 ㎛, 단자간 거리 50㎛, 단자 높이 35 ㎛)에 스탠실(메탈마스크)과 스퀴지를 이용하여 80㎛의 두께로 도포한 후, 이어서 제 2 회로기판(단자 100 ㎛, 단자간 거리 50 ㎛, 단자 높이 35㎛)을 단자가 겹치게 가압착 한 후 120 내지 170℃의 건조오븐에 10분간 경화 및 자가융착 진행 후, 측정기(Keithley 사 2000 Multimeter)를 이용하여 4-probe 방식으로 시험 전류 1 mA를 인가하여 초기 접속 저항을 측정하여 그 평균값을 계산하였다.
(2) 접착력 측정(kgf/cm)
실시예 및 비교예에서 제조된 도전접속 페이스트를 각각 제 1 회로부재 (단자 100 ㎛, 단자간 거리 50 ㎛, 단자 높이 35 ㎛)에 스탠실과 스퀴지를 이용하여 80㎛의 두께로 도포한 후, 이어서 제 2회로기판(단자 100 ㎛, 단자간 거리 50 ㎛, 단자 높이 35 ㎛)을 단자가 겹치게 가압착 한 후 180℃의 건조오븐에 10분간 경화 및 자가융착 진행 후, 복수개의 시편을 준비하여. UTM 측정기(Universal Testing Machine, Hounsfield 사, H5KT 모델)를 이용하여 10 N Load Cell을 장착한 후, 그립(grip)을 설치하여 측정 준비를 마무리하고 샘플을 그립(grip)에 물린 후에 인장시험(tensile test speed) 20 mm/min 속도 조건에서 접착력을 측정하였다.
(3) 절연성 측정
실시예 및 비교예에서 제조한 도전접속 페이스트를 각각 제 1 회로기판 (단자 100 ㎛, 단자간 거리 50㎛, 단자 높이 35 ㎛)에 스탠실(메탈마스크)과 스퀴지를 이용하여 80㎛의 두께로 도포한 후, 이어서 제 2 회로기판(단자 100 ㎛, 단자간 거리 50 ㎛, 단자 높이 35㎛)을 단자가 겹치게 가압착 한 후 120 내지 170℃의 건조오븐에 10분간 경화 및 자가융착 진행 후, 멀티테스터기(HIOKI社, 3244-60 CARD HITESTER)를 이용하여, 회로기판의 이웃한 회로간 전기적 도통 유무를 확인하여 절연성을 측정하였다.
(4) 자가융착성 측정
실시예 및 비교예에서 제조한 도전접속 페이스트를 각각 제 1 회로기판 (단자 100 ㎛, 단자간 거리 50㎛, 단자 높이 35 ㎛)에 스탠실(메탈마스크)과 스퀴지를 이용하여 80㎛의 두께로 도포한 후, 이어서 제 2 회로기판(단자 100 ㎛, 단자간 거리 50 ㎛, 단자 높이 35㎛)을 단자가 겹치게 가압착 한 후 120 내지 170℃의 건조오븐에 10분간 경화 및 자가융착 진행 후, 멀티테스터기(HIOKI社, 3244-60 CARD HITESTER)를 이용하여, 페이스트에 의해 연결된 제1, 제2 회로기판의 회로단자의 전기적 도통 유무를 확인 및 외관을 고배율 현미경으로 확인하여 자가융착성을 측정하였다.
(5) 인쇄성 측정
실시예 및 비교예에서 제조한 도전접속 페이스트를 각각 제 1 회로기판 (단자 100 ㎛, 단자간 거리 50㎛, 단자 높이 35 ㎛)에 스탠실(메탈마스크)과 스퀴지를 이용하여 80㎛의 두께로 도포한 후, 외관을 육안(또는 현미경)으로 확인하여 인쇄성을 측정하였다.
(6) 점도 측정
Malcom 사의 PCU-205를 이용하여, JIS 측정법에 의거하여 25℃의 온도 범위에서 실시예 및 비교예에서 제조된 자가융착형 도전접속 페이스트의 점도를 측정하였다.
Figure pat00002
표 2를 참조하여 설명하면, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 8에서 제조된 도전접속보다 접착력이 현저히 우수하고, 접속저항이 낮으며, 자가융착성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 9에서 제조된 도전접속보다 절연성이 현저히 우수하고, 자가융착성 및 인쇄성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 10에서 제조된 도전접속보다 접속저항이 낮고, 접착력 및 절연성이 현저히 우수하며, 자가융착성 및 인쇄성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 11, 12에서 제조된 도전접속보다 인쇄성이 현저히 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 13에서 제조된 도전접속보다 접속저항이 낮고, 접착력 및 인쇄성이 현저히 우수하며, 자가융착성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 14, 12에서 제조된 도전접속보다 인쇄성이 현저히 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 실시예 15에서 제조된 인쇄성이 현저히 우수하며, 자가융착성 및 절연성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 비교예 1, 2, 5 및 6에서 제조된 도전접속보다 인쇄성이 현저히 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1 ~ 7, 16 및 17에서 제조한 도전접속 페이스트는 비교예 3, 4에서 제조된 도전접속보다 접속저항이 낮고, 접착력 및 절연성이 현저히 우수하며, 자가융착성 및 인쇄성이 우수함을 확인할 수 있었다.
본 발명의 단순한 변형이나 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해서 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (17)

  1. 고무 변성 에폭시 수지; 및
    비스페놀 A형 에폭시 수지; 를 포함하고,
    상기 고무 변성 에폭시 수지 및 비스페놀 A형 에폭시 수지를 1 : 1.86 ~ 2.8 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착수지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착수지는 에폭시 당량이 230 ~ 250 g/eq인 것을 특징으로 하는 접착수지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착수지는 60 ~ 120℃에서 80 ~ 3,300 mPas의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 접착수지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착수지는 361 ~ 543의 수평균분자량(Mn), 2733 ~ 4100의 중량평균분자량(Mw)를 가지는 것을 특징으로 하는 접착수지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고무 변성 에폭시 수지는 702 ~ 1054의 수평균분자량(Mn), 12002 ~ 18004의 중량평균분자량(Mw)를 가지고,
    상기 비스페놀 A형 에폭시 수지는 278 ~ 418의 수평균분자량(Mn), 348 ~ 524의 중량평균분자량(Mw)를 가지는 것을 특징으로 하는 접착수지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고무 변성 에폭시 수지의 고무는 CTBN(Carboxylic terminated butadiene acrylonitrile), NBR(nitrile butadiene rubber), 아크릴(acrylic rubber) 및 실리콘(silicone) 중 1종 이상을 포함하고
    상기 고무 변성 에폭시 수지의 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착수지.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 접착수지;
    도전성 입자;
    환원제; 및
    용매;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 접착수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자 567 ~ 851 중량부, 환원제 80 ~ 120 중량부 및 용매 23 ~ 36 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트
  9. 제7항에 있어서,
    상기 도전성 입자는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도전성 입자는 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금으로,
    비스무트 및 주석을 1 : 0.57 ~ 0.87 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 도전성 입자의 입경은 2 ~ 75㎛인 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 환원제는 로진계 환원제, 유기산류 환원제, 금속성 환원제 및 아민염 환원제 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 용매는 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(diethylene glycol dimethyl ether), 에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Ethylene glycol dimethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 다이메틸 에스터(Triethylene glycol dimethyl ether), 다이에틸렌 글리콜 다이에틸 에스터(Diethylene glycol diethyl ether) 및 다이에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스터(Diethylene glycol methyl ethyl ether) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 도전접속 페이스트는 150 ~ 180℃의 온도에서, 2 ~ 5 kgf/cm의 접착력, 0.001 ~ 1 Ω/cm 의 접착저항을 갖는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 도전접속 페이스트는 100 ~ 180℃의 온도에서 30 ~ 3,000mPa·s의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  16. 제7항에 있어서,
    상기 도전접속 페이스트는 회로기판, 반도체 칩, ITO Glass 또는 플라스틱 소재의 기판 중에서 선택되는 1종 이상을 접합하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트.
  17. 접착수지 100 중량부에 대하여, 환원제 80 ~ 120 중량부 및 용매 23 ~ 36 중량부를 혼합하여 혼합물을 제조하는 제1단계; 및
    상기 혼합물에 접착수지 100 중량부에 대하여, 도전성 입자 567 ~ 851 중량부를 혼합하여, 자가융착성 도전접속 페이스트를 제조하는 제2단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가융착형 도전접속 페이스트의 제조방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102164171B1 (ko) * 2019-04-26 2020-10-13 (주)엘프스 미니 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 미니 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR102355782B1 (ko) * 2020-09-25 2022-02-07 (주)엘프스 접착력이 우수한 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR20220163541A (ko) * 2021-06-02 2022-12-12 주식회사 동성실리콘 온도에 따라 색이 변하는 자기 융착 실리콘 테이프 및 이의 제조방법
WO2023128632A1 (ko) * 2021-12-28 2023-07-06 주식회사 노피온 플렉서블 회로기판용 이방성 도전접착제

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102421626B1 (ko) * 2020-09-25 2022-07-15 ㈜ 엘프스 전기적 특성이 우수한 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040029932A (ko) * 2001-11-30 2004-04-08 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 회로 접속용 페이스트, 이방성 도전 페이스트 및 이들의사용방법
KR20110106313A (ko) * 2008-12-25 2011-09-28 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 필름 형상 접착제 및 이방 도전성 접착제
KR20120122943A (ko) 2011-04-28 2012-11-07 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 이방성 도전 필름, 접속 방법 및 접속 구조체
JP2015044912A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 日東電工株式会社 導電性接合組成物、導電性接合シート、電子部品およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040029932A (ko) * 2001-11-30 2004-04-08 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 회로 접속용 페이스트, 이방성 도전 페이스트 및 이들의사용방법
KR20110106313A (ko) * 2008-12-25 2011-09-28 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 필름 형상 접착제 및 이방 도전성 접착제
KR20120122943A (ko) 2011-04-28 2012-11-07 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 이방성 도전 필름, 접속 방법 및 접속 구조체
JP2015044912A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 日東電工株式会社 導電性接合組成物、導電性接合シート、電子部品およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102164171B1 (ko) * 2019-04-26 2020-10-13 (주)엘프스 미니 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 미니 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR102355782B1 (ko) * 2020-09-25 2022-02-07 (주)엘프스 접착력이 우수한 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 조성물, 이를 포함하는 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
KR20220163541A (ko) * 2021-06-02 2022-12-12 주식회사 동성실리콘 온도에 따라 색이 변하는 자기 융착 실리콘 테이프 및 이의 제조방법
WO2023128632A1 (ko) * 2021-12-28 2023-07-06 주식회사 노피온 플렉서블 회로기판용 이방성 도전접착제

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