KR20190044260A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간 내의 공정 가스를 여기하는 플라스마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판; 및 링 형상으로 상기 지지판의 둘레에 제공되고, 상부에 탄화 규소가 베타 탄화 규소의 결정 형태로 결정 방향 <111>이 우선 성장되어 형성되는 코팅 층이 형성된 에지 링을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품{Substrate treating apparatus component of substrate treating apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기 시킨다.
플라스마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
본 발명은 사용 수명이 긴 부품 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간 내의 공정 가스를 여기하는 플라스마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판; 및 링 형상으로 상기 지지판의 둘레에 제공되고, 상부에 탄화 규소가 베타 탄화 규소의 결정 형태로 결정 방향 <111>이 우선 성장되어 형성되는 코팅 층이 형성된 에지 링을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 코팅 층은 상기 결정 방향 <111>이 90%이상 일 수 있다.
또한, 상기 코팅 층은 결정 크기가 2㎛ 이하로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 공간 내의 공정 가스를 여기하는 플라스마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 지지판; 및 링 형상으로 상기 지지판의 둘레에 제공되고, 상부에 결정 크기가 2㎛ 이하인 코팅 층을 갖는 에지 링을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치의 부품으로서, 기재; 및 상기 기재에 형성되고, 플라즈마에 내성을 갖는 코팅 층을 포함하되, 상기 코팅 층은 탄화 실리콘이 베타 탄화 실리콘의 결정 형태로 결정 방향 <111>이 우선 성장되어 형성되는 부품이 제공될 수 있다.
또한, 상기 코팅 층은 상기 결정 방향 <111>이 90%이상 일 수 있다.
또한, 상기 코팅 층은 결정 크기가 2㎛ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 사용 수명이 긴 부품 및 이를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에서 에지 링이 위치되는 부분을 확대한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시 예에서는 유도결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라즈마를 생성하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량결합형 플라즈마(CCP: Conductively Coupled Plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마 방식 등 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시 예에서는 지지 유닛으로 정전척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 및 배기 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110) 및 커버(120)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척 방식으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척 방식으로 제공된 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 척(220, 230, 250) 및 에지 링(240)을 포함한다.
척(220, 230, 250)은 공정 처리 시 기판을 지지한다. 척(220, 230, 250)은 지지판(220), 유로 형성판(230) 및 절연 플레이트(250)를 포함한다.
지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 지지판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 지지판(220) 내에는 정전 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.
정전 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 설정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 지지판(220)의 하부에는 유로 형성판(230)이 위치된다. 지지판(220)의 저면과 유로 형성판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
지지판(220)의 아래에는 유로 형성판(230)이 위치될 수 있다.
유로 형성판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 유로 형성판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 유로 형성판(230)을 냉각한다. 유로 형성판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. 상술한 바와 같은 이유로, 일반적으로, 에지 링(240)의 하부는 상부에 비해 낮은 온도로 제공된다.
유로 형성판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 유로 형성판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 지지판으로 안착시키는 리프트 핀 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
도 2는 도 1에서 에지 링이 위치되는 부분을 확대한 도면이다.
도1 및 도 2를 참조하면, 에지 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 에지 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)을 둘러싸도록 제공된다. 예를 들면, 에지 링(240)은 지지판(220)의 둘레를 따라 배치된다.
지지판(220)의 외측면과 에지 링(240)의 내측면은 설정 거리 이격될 수 있다. 에지 링(240)은 쉬스, 플라즈마 계면을 조절한다.
에지 링(240)의 상면에는 제1층(241) 및 제2층(242)이 형성될 수 있다. 제1층(241)과 제2층(242)은 에지 링(240)의 높이를 기준으로 구분할 수 있다.
제1층(241)은 에지 링(240)의 내측 영역에 위치된다.
제1층(241)은 지지판(220)의 상면에 대응되는 높이로 제공되어, 기판(W)의 외측 영역을 지지할 수 있다. 일 예로, 제1층(241)은 지지판(220)의 상면과 동일한 높이로 제공되어, 기판(W)의 외측 하면과 접할 수 있다. 또는, 제1층(241)은 지지판(220)의 상면보다 설정 치수만큼 낮게 제공되어, 기판의 외측 하면와 제1층(241) 사이에는 설정 간격이 형성될 수 있다. 제1층(241)은 기판(W)의 하면과 나란하게 평면으로 제공될 수 있다.
제2층(242)은 제1층(241)보다 높게, 제1층(241)의 외측 단부에서 위쪽으로 돌출되어 형성된다.
제1층(241)과 제2층(242)의 높이 차이에 의해, 시스, 플라즈마 계면 및 전기장을 조절되어, 플라스마는 기판(W) 상으로 집중되도록 유도될 수 있다. 에지 링(240)은 도전성 소재로 제공될 수 있다. 에지 링(240)은 규소, 탄화 규소 등으로 제공될 수 있다.
에지 링(240)의 아래쪽에는 커플러(246)가 제공될 수 있다. 커플러(246)는 유로 형성판(230)에 에지 링(240)을 고정시킬 수 있다. 커플러(246)는 열 전도성이 높은 소재로 제공된다. 일 예로, 커플러(246)는 알루미늄 등과 같은 금속성 소재로 제공될 수 있다. 또한, 커플러(246)는 열전도 접착제(미도시)에 의해 유로 형성판(230)의 상부면에 접합될 수 있다. 또한, 에지 링(240)은 열전도 접착제(미도시)에 의해 커플러(246)의 상부면에 접합될 수 있다. 일 예로, 열전도 접착제는 실리콘 패드를 이용할 수 있다.
또는 커플러(246)는 생략되고, 에지 링(240)은 척(220, 230, 250)과 직접 접하게 위치될 수 도 있다.
에지 링(240)의 외측에는 차폐 부재(247)가 위치될 수 있다. 차폐 부재(247)는 에지 링(240)의 외측을 둘러 싸도록 링 형상으로 제공된다. 차폐 부재(247)는 에지 링(240)의 측면이 플라즈마에 직접 노출되거나, 에지 링(240)의 측부로 플라즈마가 유입되는 것을 방지한다.
에지 링(240)은 기재에 플라즈마에 내성을 갖는 코팅 층이 형성되는 방식으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 에지 링(240)은 기재의 상면 또는 기재의 외면에 코팅 층이 형성되는 방식으로 제공될 수 있다. 기재의 상면에 코팅 층이 형성되는 경우, 코팅 층은 플라즈마에 노출되는 제1층 및 제2층에 형성된다.
코팅 층은 탄화 규소로 제공된다. 코팅 층은 화학적 기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition), 물리적 기체 수송법(PVT, Physical Vapor Transport) 등으로 형성될 수 있다.
코팅 층의 결정은 결정방향이 특정 방향을 향하면서 성장되도록 형성된다. 코팅 층의 결정은 섬아연광형 구조를 갖는 베타 탄화 규소(β-SiC) 결정으로 형성된다.
코팅 층은 결정 방향이 <111>을 향하도록 형성된다.
결정방향 면적 면밀도
111 (√3/2)a2 1
220 2 a2 1/2.3
311 (√19/2)a2 1/2.5
표 1은 탄화 규소가 베타 탄화 규소 결정 형태를 가질 때, 특정 결정 방향의 면적 및 해당 결정 방향을 면밀도를 나타낸다.
표 1을 참조하면, 베타 탄화 규소 결정에 있어, <111>결정 방향은 다른 결정 방향보다 면적이 작게 형성된다. 따라서, <111> 결정 방향은 밀도가 높게 형성된다. 그리고 밀도가 높게 형성되면, 결정을 구성하는 원자와 원자 사이의 거리가 짧아져 결정이 치밀해 질 수 있다.
에지 링(240)의 상면은 기판 처리 장치의 사용에 따라, 플라즈마에 노출되어 식각된다. 따라서, 기판 처리 공정 횟수, 기판 처리 시간 등이 경과함에 따라, 에지 링(240)의 상면은 식각으로 인해 높이가 낮아지고, 이는 쉬스, 플라즈마 계면의 높이 변화를 야기한다. 따라서, 에지 링(240)의 식각 정도로 설정치를 초과하면, 에지 링(240)은 교체되어야 한다.
탄화 규소의 결정이 치밀에 지면, 결정에 작용하는 기계적, 화학적 외력에 대한 저항성이 증가된다. 따라서, 에지 링(240)에 형성된 탄화 규소 코팅 층의 결정이 치밀해 지면, 플라즈마에 의한 식각 정도가 감소되어, 에지 링(240)의 사용 수명이 증가된다. 일 예로, 본 발명에 따른 코팅 층은 결정 방향이 <111>을 향하도록 형성되어, 결정 방향이 <111>을 향하는 결정이 90%이상을 차지하도록 제공된다.
Figure pat00001
수학식 1은 결정의 크기와 항복 강도의 관계를 나타낸다. σo는 물질의 종류에 따라 결정되는 고유의 값으로 상수로 제공된다. D는 결정의 지름을 나타내고, k는 물질의 종류에 따른 계수이다.
수학식 1을 참조하면, 항복 강도와 결정의 크기는 반비례의 관계에 있다. 따라서, 코팅 층에 형성되는 결정이 크기가 조절되지 않은 상태로 형성되면, 코팅 층의 강도가 저하된다. 본 발명에 따른 에지 링(240)의 코팅 층은 결정 크기가 2㎛가 되도록 조절되면서 성장된다. 따라서, 코팅 층은 높은 항복 강도를 갖는다. 그리고 항복 강도가 증가되면, 결정과 결정이 높은 결합력을 가져 플라즈마에 대한 저항성이 증가될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 에지 링(240)의 코팅 층은 결정의 크기와 결정 방향이 함께 조절되면서 형성될 수 있다.
또한, 에지 링(240) 이외의 구성도, 외면 전체 또는 플라즈마에 노출되는 부분이 플라즈마에 대한 내성을 갖도록, 상술한 결정 방향, 결정 크기 또는 결정 방향과 결정 크기를 갖는 코팅 층이 기재에 형성되는 방식으로 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 챔버
200: 지지 유닛 240: 에지 링
300: 가스 공급 유닛 400: 플라스마 소스
500: 배기 유닛

Claims (7)

  1. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 처리 공간 내의 공정 가스를 여기하는 플라스마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    상기 기판이 놓이는 지지판; 및
    링 형상으로 상기 지지판의 둘레에 제공되고, 상부에 탄화 규소가 베타 탄화 규소의 결정 형태로 결정 방향 <111>이 우선 성장되어 형성되는 코팅 층이 형성된 에지 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅 층은 상기 결정 방향 <111>이 90%이상 인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅 층은 결정 크기가 2㎛ 이하로 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 처리 공간 내의 공정 가스를 여기하는 플라스마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    상기 기판이 놓이는 지지판; 및
    링 형상으로 상기 지지판의 둘레에 제공되고, 상부에 결정 크기가 2㎛ 이하인 코팅 층을 갖는 에지 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치의 부품으로서,
    기재; 및
    상기 기재에 형성되고, 플라즈마에 내성을 갖는 코팅 층을 포함하되,
    상기 코팅 층은 탄화 실리콘이 베타 탄화 실리콘의 결정 형태로 결정 방향 <111>이 우선 성장되어 형성되는 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 코팅 층은 상기 결정 방향 <111>이 90%이상 인 부품.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 코팅 층은 결정 크기가 2㎛ 이하로 형성되는 부품.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023196137A1 (en) * 2022-04-04 2023-10-12 Silfex, Inc. Silicon components welded by electron beam melting
WO2024010101A1 (ko) * 2022-07-04 2024-01-11 주식회사 티씨케이 반도체 제조장치용 부품 및 그의 제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021068782A (ja) * 2019-10-21 2021-04-30 東京エレクトロン株式会社 載置台アセンブリ、基板処理装置、及びシール部材
CN113539771B (zh) * 2020-04-16 2024-04-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 零部件、其表面形成涂层的方法和等离子体反应装置
KR102585287B1 (ko) * 2020-09-08 2023-10-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 커버링
TWI749935B (zh) * 2020-12-03 2021-12-11 天虹科技股份有限公司 用以產生穩定偏壓的晶圓承載盤及應用該晶圓承載盤的薄膜沉積設備
CN112530854B (zh) * 2021-02-18 2022-01-04 北京中硅泰克精密技术有限公司 半导体承载装置及半导体设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08509575A (ja) * 1992-12-07 1996-10-08 オレゴン グラデュエイト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジイ ３ｃ−炭化ケイ素の成長のための基板
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
US6562183B1 (en) * 1999-04-07 2003-05-13 Ngk Insulators, Ltd. Anti-corrosive parts for etching apparatus
KR20040008169A (ko) * 2001-05-25 2004-01-28 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 α-ＳｉＣ 웨이퍼의 제조 방법
JP2009161858A (ja) * 1998-08-27 2009-07-23 Toyo Tanso Kk 耐食性ＣＶＤ―ＳｉＣ被覆材及びＣＶＤ装置用治具
KR101628689B1 (ko) * 2016-01-29 2016-06-09 하나머티리얼즈(주) 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법
JP2017191751A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 東京エレクトロン株式会社 部品及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6936102B1 (en) * 1999-08-02 2005-08-30 Tokyo Electron Limited SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor
JP2002037669A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Kyocera Corp 炭化珪素材、耐プラズマ部材及び半導体製造用装置
US7479464B2 (en) * 2006-10-23 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Low temperature aerosol deposition of a plasma resistive layer
KR20180108637A (ko) * 2016-01-27 2018-10-04 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 세라믹스 재료, 정전 척 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08509575A (ja) * 1992-12-07 1996-10-08 オレゴン グラデュエイト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジイ ３ｃ−炭化ケイ素の成長のための基板
JP2009161858A (ja) * 1998-08-27 2009-07-23 Toyo Tanso Kk 耐食性ＣＶＤ―ＳｉＣ被覆材及びＣＶＤ装置用治具
US6562183B1 (en) * 1999-04-07 2003-05-13 Ngk Insulators, Ltd. Anti-corrosive parts for etching apparatus
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
KR20040008169A (ko) * 2001-05-25 2004-01-28 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 α-ＳｉＣ 웨이퍼의 제조 방법
KR101628689B1 (ko) * 2016-01-29 2016-06-09 하나머티리얼즈(주) 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법
JP2017191751A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 東京エレクトロン株式会社 部品及びプラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023196137A1 (en) * 2022-04-04 2023-10-12 Silfex, Inc. Silicon components welded by electron beam melting
WO2024010101A1 (ko) * 2022-07-04 2024-01-11 주식회사 티씨케이 반도체 제조장치용 부품 및 그의 제조방법

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