KR20190038280A - Semiconductor Device Attaching Method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a semiconductor material attaching method, capable of quickly and precisely correcting a position error of an attaching position during a process of attaching a semiconductor material. According to the present invention, the material detected in an angle of view of a vision unit moves vision or a table as much as an interval calculated in accordance with matrix information of an attaching area to be attached with the material so that each of target attaching areas obtains a plurality of images positioned at different positions with each other and determines a position of the target attaching area from the images.

Description

반도체 자재 어태칭 방법{Semiconductor Device Attaching Method}[0001] Semiconductor Device Attaching Method [

본 발명은 반도체 자재 어태칭 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 반도체 자재의 어태칭 포지션을 정확하게 검출하여 검사 정밀도를 향상시키기 위한 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of attaching a semiconductor material. More particularly, the present invention relates to a method of attaching a semiconductor material attaching device for accurately detecting an attaching position of a semiconductor material to improve inspection accuracy.

반도체 자재 어태칭 장치에서 개별화된 반도체 자재는 후속 공정을 위하여 어태칭 대상물에 어태칭하기 위해서 어태칭 대상물의 미리 결정된 어태칭 위치를 먼저 정확하게 파악해야 한다. The semiconductor material customized in the semiconductor material attaching apparatus must first accurately determine a predetermined attaching position of the attaching object in order to attach the attaching object to the object for subsequent processing.

이러한 어태칭 장치는 다수의 반도체 자재를 기판에 본딩하기 위한 본딩장치가 될 수도 있고, 그 외에 후속 공정을 위해 테이프 상에 부착되기 위한 부착장치일 수도 있다. 또한 반도체 자재에 전자파 차단을 위한 EMI 스퍼터링을 위해 타공된 테이프에 반도체 자재의 볼면이 수용되도록 반도체 자재를 테이프에 부착하는 어태칭 장치가 될 수 있다. Such an attaching device may be a bonding device for bonding a plurality of semiconductor materials to a substrate or may be an attaching device for attaching to a tape for a subsequent process. It may also be an attaching device for attaching a semiconductor material to a tape so that the ball surface of the semiconductor material is received on a perforated tape for EMI sputtering for shielding electromagnetic waves from the semiconductor material.

특히, EMI 스퍼터링을 위한 어태칭 장치에서는, 반도체 자재를 테이프에 부착시 테이프의 홀 위치를 정확히 검출하여 홀이 형성된 부분에 반도체 자재의 볼면(범프)이 수용될 수 있도록 정확한 위치에 부착하여 범프는 전자파 차단 재료로부터 보호되어야 한다. 만약 반도체 자재가 홀의 정위치에 부착되지 않았을 경우에는 리크(leak)된 부분을 통해 반도체 자재의 범프에도 스퍼터링이 되어 반도체 자재의 전기적 특성에 악영향을 미치게 된다. Particularly, in the attaching device for EMI sputtering, when the semiconductor material is attached to the tape, the hole position of the tape is accurately detected, and the hole is adhered to the portion where the hole is formed so that the ball surface (bump) It must be protected from electromagnetic interference material. If the semiconductor material is not attached to the hole, the sputtering is also applied to the bump of the semiconductor material through the leaked portion, which adversely affects the electrical characteristics of the semiconductor material.

따라서, 어태칭 테이블이나 위치를 검출하는 비전 카메라에 의한 광학적인 옵셋값(X축, Y축, Z축) 으로 인해 평면 상의 위치오차 또는 θ축 상의 틀어짐 등의 위치오차가 정밀도에 반영이 되기 때문에 어태칭 공정을 위하여 어태칭 대상물 상의 다수의 어태칭 포지션을 정확하게 검출하는 것이 매우 중요하다. Therefore, the positional errors such as the positional error on the plane or the shift on the? Axis are reflected in the accuracy due to the optical offset values (X-axis, Y-axis, Z-axis) It is very important to accurately detect a plurality of matching positions on the object to be tagged.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 하나의 어태칭 포지션의 정확도 판단을 위해 어태칭 포지션 상부에서 비전유닛을 통해 각각의 어태칭 포지션을 하나씩 복수 회 촬상할 경우에는 정밀도 검사에 많은 시간이 소요될 수 밖에 없었다. In order to solve such a problem, in order to judge the accuracy of an assortment position, it takes much time to perform the accuracy check when the respective assortment positions are imaged a plurality of times through the vision unit above the assortment position.

한편, 최근들어 반도체 공정성능이 향상되어 고속, 고해상도의 카메라가 증가되고, 반도체 자재의 사이즈는 점점 작아지는 추세이므로, FOV(field of view) 내에 들어오는 자재의 개수가 증가하고 있다. On the other hand, in recent years, the number of materials entering the field of view (FOV) is increasing because the semiconductor process performance is improved, the number of high-speed and high-resolution cameras is increased, and the size of semiconductor materials is gradually decreasing.

따라서 생산성 향상을 위해 FOV 내에 들어오는 자재들을 모두 검사한다고 하더라도 어태칭 테이블과 비전카메라의 기구적인 오차값이 정밀도에 반영이 될 수 밖에 없었다. Therefore, even if all the materials entering the FOV are inspected to improve the productivity, the mechanical error of the attaching table and the vision camera must be reflected in the accuracy.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 반도체 자재의 어태칭 위치를 신속하고 정확하게 검출할 수 있는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of attaching a semiconductor material attaching device capable of quickly and accurately detecting an attaching position of a semiconductor material in order to solve the above-mentioned problems.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 자재가 본딩되는 복수개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 회로기판의 본딩영역을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서, 상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계; 상기 타겟 본딩영역을 촬상한 후 타겟 본딩영역이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계; 상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 제2촬상단계; 상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및 상기 획득된 복수개의 타겟 본딩영역의 영상들로부터 상기 타겟 본딩영역의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법을 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a circuit board having a plurality of bonding regions on which semiconductor material is bonded; A table on which the circuit board is placed; And a vision unit for picking up a bonding area of the circuit board, wherein the vision unit includes a plurality of bonding areas adjacent to a target bonding area to which the semiconductor material is to be bonded, ); Transferring the vision unit or the table at the calculated distance according to the matrix information of the bonding area entering the view angle of the vision unit such that the target bonding area is located at another position within the view angle of the vision unit after capturing the target bonding area; A second imaging step of imaging the target bonding area with the vision unit while the vision unit or the table is transferred at the calculated interval; Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to acquire a plurality of images in which the target bonding areas are at different positions within an angle of view of the vision unit; And determining a position of the target bonding area from the obtained images of the plurality of target bonding areas.

또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 상기 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 테이프의 관통홀을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서, 상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재의 범프가 수용될 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관통홀을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계; 상기 타겟 관통홀을 촬상한 후 타겟 관통홀이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계; 상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 제2촬상단계; 상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및 상기 획득된 복수개의 타겟 관통홀의 영상들로부터 상기 타겟 관통홀의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a tape having a plurality of through holes for receiving bumps of a semiconductor material, the tape being attached to the stamper for sputtering the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And a vision unit for picking up a through hole of the tape, wherein the vision unit includes a plurality of through holes adjacent to a target through hole to receive the bumps of the semiconductor material, a first imaging step of imaging an object with a plurality of shots; Transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the through hole entering the view angle of the vision unit such that the target through hole enters the other position in the view angle of the vision unit after imaging the target through hole; A second imaging step of imaging the target through-hole with the vision unit, with the vision unit or table being transferred at the calculated interval; Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to acquire a plurality of images in which the target through-holes are at different positions within an angle of view of the vision unit; And determining a position of the target through-hole from the obtained images of the plurality of target through-holes.

이 경우, 상기 제1촬상단계 및 제2촬상단계는 각각의 위치에서 복수회 반복 촬상하며, 반복 촬상하여 얻은 복수개의 위치값들의 평균값으로 위치를 판단할 수 있다.In this case, the first imaging step and the second imaging step may be repeated several times at each position, and the position may be determined by an average value of a plurality of position values obtained by repeated imaging.

또한, 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우 해당 데이터를 필터링하고, 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 복수의 데이터에서 모두 상이한 편차가 발생되는 경우에는 재얼라인을 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주할 수 있다.When a specific bouncing position value is found out of a plurality of position values obtained by repeating the positional value of the first imaging step and the second imaging step a plurality of times, the corresponding data is filtered and the positional value of the first imaging step and the second When different deviations are generated in all of a plurality of positions among a plurality of position values obtained by repeating the imaging step a plurality of times, re-alignment may be performed or the position value may be regarded as defective.

또한, 상기 비전유닛의 화각에 들어오는 상기 본딩영역은 M행 X N열로 형성되고, 상기 M, N은 정수이며, 상기 제2촬상단계는, 상기 M이 짝수인 경우에 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에 (M+1)/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하며, 상기 N이 짝수인 경우에 N/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상할 수 있다.In addition, the bonding region that enters the view angle of the vision unit is formed by M rows and XN columns, M and N are integers, and the second image capturing step moves by M / 2 column spacings when the M is an even number (M + 1) / 2 when the M is an odd number, capturing the target bonding area while moving the target bonding area by N / 2 row intervals when N is an even number, (N + 1) / 2 when the N is an odd number, the image of the target bonding area can be picked up.

그리고, 상기 비전유닛의 화각에 들어오는 상기 관통홀은 M행 X N열로 형성되고, 상기 M, N은 정수이며, 상기 제2촬상단계는, 상기 M이 짝수인 경우에 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에 (M+1)/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하며, 상기 N이 짝수인 경우에 N/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상할 수 있다.The through-holes entering the view angle of the vision unit are formed by M rows and XN columns, and M and N are integers, and the second image pick-up step moves by M / 2 column intervals when the M is an even number Imaging the target through hole while moving the target through hole by (M + 1) / 2 when the M is an odd number; moving the target through hole by N / 2 row spacing when N is an even number The target through-hole can be imaged, and when the N is an odd number, the target through-hole can be imaged while moving by (N + 1) / 2 rows.

또한, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상할 수 있다.Further, the vision unit or the table can pick up the target bonding area with the vision unit while moving at a pitch interval.

또한, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상할 수 있다.Further, the vision unit or the table can capture the target through-hole with the vision unit while moving at a pitch interval.

그리고, 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 본딩영역이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득할 수 있다.The step of acquiring a plurality of images having different positions of the target bonding region may include acquiring images in which the target bonding region is positioned at the upper left, upper right, lower left, and lower right with respect to the center of the vision unit It is possible to capture an image by the vision unit at a calculated interval to acquire an image.

또한, 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 관통홀이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 상기 비전유닛 또는 테이블을 이동시키면서 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득할 수 있다.The step of acquiring a plurality of images having different positions of the target through holes may include acquiring an image positioned on the upper left, upper right, lower left, and lower right of the target through hole with respect to the center of the vision unit It is possible to acquire an image by capturing the vision unit or table while moving the vision unit at an interval calculated so as to be able to capture the vision unit.

또한, 상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며, 상기 비전유닛 촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽 의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인할 수 있다. The stencil may include a plurality of through holes formed at positions corresponding to the through holes formed in the tape, the through holes being larger than the tape through holes. In the vision unit imaging step, To obtain a tolerance between the through hole of the stencil and the through hole of the stencil, and to confirm whether the obtained tolerance is within the initial setting range.

또한, 상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며, 상기 반도체 자재의 범프가 상기 테이프의 관통홀에 수용된 후에는 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 반도체 자재의 범프의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착 상태를 검사할 수 있다.The stamper may include a plurality of through holes formed at positions corresponding to the through holes formed in the tape, the through holes being larger than the through holes of the tape. After the bumps of the semiconductor material are accommodated in the through holes of the tape, The mounting state of the semiconductor material can be checked by comparing the tolerance between the hole and the through hole of the tape and the position of the bump of the semiconductor material.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법에 의하면, 반도체칩 등의 반도체 자재 및 상기 반도체 자재가 어태칭될 어태칭 포지션(회로기판, 테이프)의 크기가 미세화되어도 어태칭 포지션의 위치오차를 정확하게 판단하여 정밀도를 향상시킬 수 있다. According to the method of attaching the semiconductor material tagging device according to the present invention, even if the size of the semiconductor material such as a semiconductor chip and the attaching position (circuit board, tape) to which the semiconductor material is to be attached is miniaturized, The precision can be improved.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 비전유닛의 화각 내에 복수 개의 어태칭 포지션이 배치되도록 하고, 그 중 타겟 어태칭 포지션의 위치가 화각 내에 서로 다른 위치에 배치되도록 하여 촬상된 복수 개의 이미지로부터 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하므로 위치오차의 판단의 정확성이 향상될 수 있다. According to the semiconductor material tagging method of the present invention, a plurality of tagging positions can be arranged within the angle of view of the vision unit, and the position of the target tagging position can be arranged at different positions within the angle of view, The accuracy of the determination of the position error can be improved because the position error of the target touching position is determined from the images.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 화각 내 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 최적의 피치 간격으로 이동하면서 각각의 검사에서 얻은 중첩된 영상을 통해 비전 센터를 기준으로 하나의 타겟 어태칭 포지션이 좌상, 우상, 좌하, 우하 각각 다른 위치에서 검출되는 영상 정보를 획득할 수 있으므로, 하나의 타겟 어태칭 포지션에 대한 멀티샷 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 비전 검사시 기구적, 영상적, 위치적 결함을 배제할 수 있으므로 영상 불량을 줄이고 신뢰성있는 영상 정보를 얻을 수 있다.According to the semiconductor material tagging method according to the present invention, it is possible to detect the position of the center of gravity on the basis of the vision center through the superimposed image obtained from each test while moving at the optimum pitch interval calculated according to the matrix information of the tagging object detected in the angle of view It is possible to acquire image information in which one target matching position is detected at different positions in the upper left, upper right, lower left, and lower right, so that not only a multi shot effect for one target matching position can be obtained, , Image and positional defects can be eliminated, so that the image defect can be reduced and reliable image information can be obtained.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 반도체 자재 사이즈가 작아서 화각 내 검출되는 어태칭 대상(자재)가 많아질 경우에도 화각 내 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 최적의 피치 간격으로 비전을 이동시켜 비전 검사 위치를 다르게 함으로써, 비전 검사 속도를 단축시킬 수 있어 UPH(unit per hour)를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the semiconductor material sticking method of the present invention, even when the semiconductor material size is small and an object to be detected (material) is detected in an angle of view, By moving the vision to the pitch interval and changing the vision inspection position, the vision inspection speed can be shortened and the UPH (unit per hour) can be improved.

또한, 화각 내 검출 가능한 모든 어태칭 포지션을 검사하되, 샷간에 검사되는 타겟 어태칭 포지션을 중첩시켜 검출함으로써 한 자재에 대한 멀티샷 효과가 가능해지며, 멀티샷을 통해 검출된 위치들을 평균내어 보다 정확한 위치값 산출이 가능하며, 기구적인 오차값을 확인 및 오차값의 영향을 배제할 수 있다. In addition, it is possible to perform multi-shot effect on one material by detecting all the matching positions detectable in the angle of view and detecting overlapping target detecting positions between shots, and it is possible to obtain a more accurate Position value can be calculated, and it is possible to confirm the mechanical error value and to eliminate the influence of the error value.

또한, 검출된 여러샷의 촬영 영상들 중 특정위치에서의 촬영값이 좋지 않을 경우에는 해당 데이터를 필터링해서 사용하거나, 반복적으로 특정 위치값이 튀는 경우에는 특정 위치의 영상면(조도)에 문제가 있음을 알 수 있기 때문에 이를 반영하여 정확한 위치값을 산출할 수도 있고, 여러샷의 영상 모두에서 상이한 편차가 발생할 경우 해당 위치를 재얼라인하거나, 불량으로 간주하여 추후 공정에서 배제시킴으로써 불량을 사전에 방지할 수 있다. If the photographed value of a specific position is not good among the detected photographed images of a plurality of shots, the data may be filtered and used. Alternatively, if a specific position value repeatedly jumps, there is a problem in the image surface It is possible to calculate the accurate position value by reflecting this, or when different deviations occur in the images of multiple shots, the position is re-aligned, or it is regarded as defective and excluded from the subsequent process, .

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법의 다른 실시예에 따르면, 자재의 옵셋검사 및 PBI(Post Bonding Inspection) 검사도 가능해진다. In addition, according to another embodiment of the method of attaching a semiconductor material tagging apparatus according to the present invention, it is possible to perform an offset inspection of a material and a PBI (Post Bonding Inspection) inspection.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 있어서, 반도체 자재를 어태칭하는 복수 개의 어태칭 포지션이 구비되는 어태칭 대상물의 평면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛이 어태칭 공정 전에 어태칭 포지션을 촬상하는 상태를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛 및 어태칭 대상물이 거치되는 어태칭 테이블이 상대 이송하며, 타겟 어태칭 포지션이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 어태칭 포지션이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 도 3의 비전유닛에 의하여 촬상된 복수의 이미지에서의 타겟 어태칭 포지션을 중첩시킨 이미지를 도시한다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프가 부착된 스탠실 부재의 부착홀의 단면도 및 상기 부착홀에 스퍼터링 대상 반도체 자재인 BGA 방식의 반도체칩이 부착된 상태의 단면도를 도시한다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛이 어태칭 공정 전에 본딩영역을 촬상하는 상태를 도시한다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛 및 웨이퍼가 거치되는 웨이퍼 테이블이 상대 이송하며, 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 본딩영역이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 있어서, 도 7의 비전유닛에 의하여 촬상된 복수의 이미지에서의 타겟 본딩영역을 중첩시킨 이미지를 도시한다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛의 어태칭 공정 전에 X축 방향으로 산출된 피치간격으로 이동하면서 본딩영역을 촬상하면서 중첩시킨 이미지를 도시한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view of an object to be tagged provided with a plurality of attaching positions for attaching a semiconductor material according to a first embodiment of the present invention; Fig.
Fig. 2 shows a state in which the vision unit captures an attachment position before the attaching process in the first embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 3 is a schematic diagram of a first embodiment of the present invention, in which a vision unit and an attachment table on which an attachment object is mounted are moved relative to each other and the target attachment position is located at a different position, FIG. 3 shows a process of picking up a plurality of images.
Fig. 4 shows an image in which the target attitude position in a plurality of images picked up by the vision unit of Fig. 3 is superimposed in the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a mounting hole of a stamper member to which a sputtering tape for a sputtering process is attached in a first embodiment of the present invention, and a cross-sectional view of a state in which a BGA type semiconductor chip as a sputtering semiconductor material is attached to the mounting hole / RTI >
6 shows a state in which the vision unit of the semiconductor material attaching apparatus according to the second embodiment of the present invention picks up the bonding area before the attaching process.
FIG. 7 is a schematic view of a semiconductor wafer fixture according to a second embodiment of the present invention, in which the vision unit and the wafer table on which the wafer is mounted are relatively moved, FIG. 3 shows a process of picking up a plurality of images.
Fig. 8 shows an image in which a target bonding area in a plurality of images picked up by the vision unit of Fig. 7 is superimposed in the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 shows an image superimposed while picking up a bonding region while moving in a pitch interval calculated in the X-axis direction before the sticking process of the vision unit of the semiconductor material sticking device according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 어태칭 유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치(attaching device)가 반도체 자재를 픽업하여 어태칭하는 복수 개의 어태칭 포지션(110)이 구비되는 어태칭 대상물(100)의 평면도를 도시하며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛(200)이 어태칭 공정 전에 어태칭 포지션(110)의 위치오차 판단을 위하여 촬상하는 상태를 도시한다. FIG. 1 is a schematic diagram of an attaching device according to a first embodiment of the present invention, in which a semiconductor material attaching device having an attaching unit includes a plurality of attaching positions 110, FIG. 2 shows a state in which the vision unit 200 picks up an image of the assisting position 110 to determine the position error before the sticking process in the first embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 자재 어태칭 방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 예를 들면, 기판에 본딩 대상 반도체 자재를 본딩하는 본딩장치이거나, 후속 공정을 위해 테이프에 반도체 자재를 부착하는 부착장치가 될 수도 있다. 또한, 스퍼터링 공정을 위하여 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스퍼터링 부재(S)에 스퍼터링 대상 반도체 자재를 본딩 또는 부착하기 위하여 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치가 될 수도 있으나, 이에 한정되지 않으며 반도체 공정 상에서 반도체 자재를 어태칭 대상물(100)에 어태칭 하는 경우에는 모두 적용이 가능하다. The semiconductor material tacking device used in the semiconductor material tacking method of the present invention may be, for example, a bonding device for bonding a semiconductor material to be bonded to a substrate or an attachment device for attaching semiconductor material to a tape for a subsequent process have. In addition, it may be a semiconductor material sticking device used for bonding or adhering a semiconductor material to be sputtered to a sputtering member S having a sputtering tape (t) attached thereto for a sputtering process. However, The present invention can be applied to the case where the material is attached to the object 100 to be printed.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법은 반도체 자재를 기판이나 웨이퍼에 본딩하기 위한 제1어태칭방법과 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제2어태칭방법으로 크게 분류될 수 있다. The method of attaching a semiconductor material according to the present invention can be roughly divided into a first attaching method for bonding a semiconductor material to a substrate or a wafer and a second attaching method for attaching the semiconductor material to a tape.

먼저, 본 발명의 제1어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재가 본딩되는 복수 개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하되, 상기 타겟 본딩영역이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛을 포함하며, 상기 회로기판과 상기 비전유닛은 상대 이동에 의해 이동 가능하게 구비되고, 상기 비전유닛이 FOV내에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치(pitch) 간격으로 이동하면서 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 한다. First, a semiconductor material tagging apparatus used in a first tagging method of the present invention comprises: a circuit board having a plurality of bonding regions on which a semiconductor material is bonded; A table on which the circuit board is placed; And a vision unit for picking up a plurality of bonding regions adjacent to a target bonding region to which the semiconductor material is to be bonded with a shot so that the target bonding region is detected at different positions over a plurality of shots a plurality of times, Wherein the circuit board and the vision unit are movably provided by relative movement and the vision unit captures the bonding area while moving at a pitch interval calculated according to the matrix information of the object to be tagged detected in the FOV .

여기에서 회로기판은 사각형 타입의 기판이 될 수도 있고, 웨이퍼가 될 수도 있다. Here, the circuit board may be a rectangular type substrate, or may be a wafer.

본 발명에서 회로기판과 비전유닛은 상대 운동에 의해 이동하면서 촬상이 가능하다. 이때, 회로기판과 상기 비전유닛의 상대 운동은 회로기판이 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되는 상태에서 비전유닛이 고정타입이 될 수도 있고, 반대로 회로기판이 고정 타입이고, 비전유닛이 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수도 있으며, 회로기판이 X축(또는 Y축) 방향으로 이동 가능하고, 비전유닛이 Y축(또는 X축) 방향으로 이동 가능하게 구성하여 회로기판과 비전유닛이 각각의 일축 방향으로 상대 이동 함에 따라 촬상할 수도 있다. In the present invention, the circuit board and the vision unit can be picked up while moving by relative motion. In this case, the relative movement between the circuit board and the vision unit may be a fixed type in a state where the circuit board is movably provided in the X-axis and Y-axis directions, or the circuit board may be fixed type, (Or Y-axis) direction, and the vision unit is movable in the Y-axis (or X-axis) direction so that the circuit board can be moved in the X- And the vision unit move relative to each other in the unidirectional direction.

이러한 구성은 작업자 및 장비의 구성에 따라 적절하게 변형하여 적용될 수 있다. Such a configuration can be appropriately modified and applied according to the configuration of the operator and the equipment.

본 발명에서 타겟 본딩영역이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수회 촬상한다는 것은 비전유닛의 화각 내에 들어오는 타겟 본딩영역(어태칭 영역)에 대하여 비전 센터를 중심으로 타겟 본딩영역이 좌상, 좌하, 우상, 우하에 각각 위치하는 것을 의미할 수 있다, 즉, 동일한 타겟 본딩영역에 대하여 비전 센터를 중심으로 좌상(왼쪽 상부), 우상(오른쪽 상부), 좌하(왼쪽 하부), 우하(오른쪽 하부) 부근에 타겟 본딩영역이 위치하도록 비전유닛과 회로기판의 상대 운동을 통해 복수회 촬상하고 이들의 영상을 통해 타겟 본딩영역의 위치를 정확하게 검출할 수 있게 된다.In the present invention, a plurality of images are captured so that the target bonding region is detected at different positions over a plurality of shots. That is, a target bonding region (upper region) (Right upper portion), left lower portion (lower left portion), lower right portion (lower right portion), and right lower portion (lower right portion) of the same target bonding area, So that the position of the target bonding area can be accurately detected through the images of the target unit by a plurality of times of relative movement between the vision unit and the circuit board so that the target bonding area is located.

본 발명의 제2어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 복수의 관통홀 중 검사하고자 하는 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관톨홀을 한 샷으로 촬상하되, 상기 타겟 관통홀이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛을 포함하며, 상기 테이블과 상기 비전유닛은 상대 이동이 가능하게 구비되며, 상기 비전유닛이 FOV내에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치 간격으로 상기 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 한다. A semiconductor material sticking device used in a second sticking method of the present invention includes: a tape having a plurality of through holes for receiving bumps of a semiconductor material and attached to a stencil for a sputtering process of the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And a vision unit for picking up a plurality of pipe trough holes adjacent to a target through hole to be inspected among the plurality of through holes in one shot so that the target through hole is detected at different positions over a plurality of shots a plurality of times, The table and the vision unit are provided so as to be movable relative to each other and the vision unit captures the through hole at a pitch interval calculated according to the matrix information of the object to be tagged detected in the FOV.

본 발명의 제 1어태칭방법 및 제2어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 여러샷에 걸쳐 타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀이 다른 위치에 검출되도록 비전유닛으로 복수 회 촬상할 때, 각각의 위치에서 2회 이상 반복 촬상할 수도 있다. 한자리에서 2회 이상 반복 촬상하는 경우 장비 구동 중 또는 외부 요인에 의해 장비에 가해지는 진동의 영향을 배제할 수 있어서 더욱 신뢰성있는 정확한 위치값을 획득할 수 있다. The semiconductor material sticking device used in the first sticking method and the second sticking method according to the present invention is characterized in that when a plurality of shots are taken by the vision unit so that the target bonding area or the target through hole is detected at different positions, The image may be repeated two or more times. In the case of two or more repetitions of imaging in one place, it is possible to exclude the influence of vibration applied to the equipment during operation of the apparatus or due to external factors, thereby obtaining a more reliable and accurate position value.

최근에는 반도체칩 등의 반도체 자재의 크기가 미세화되고, 이를 어태칭 대상물(100)(회로기판 또는 테이프)에 어태칭하는 경우에도 기판의 단자 등의 크기가 미세화되므로 어태칭 공정의 정밀도가 요구된다. In recent years, even when the semiconductor material such as a semiconductor chip is miniaturized and is attached to the object 100 (circuit board or tape), the size of the terminal or the like of the substrate is miniaturized, so that the accuracy of the attaching process is required.

이와 같이, 어태칭 공정의 정밀도를 위하여, 일반적으로 반도체 자재의 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재가 어태칭될 타켓 어태칭 포지션(110)(타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀)을 촬상하여 어태칭 포지션(110)을 포함하는 이미지를 추출하기 위한 비전유닛(200)을 구비하고, 반도체 자재 어태칭 장치의 제어부는 반도체 자재를 어태칭 대상물(100)에 어태칭하기 전에 미리 설정된 기준치 만큼 비전유닛(200) 또는 어태칭 테이블을 이동시켜 타겟 어태칭 포지션을 촬상한다. 이때 비전유닛이나 어태칭 테이블의 X축, Y축, Z축 틀어짐(straightness, flatness, rolling, pitching, yawing) 때문에 미리 설정된 기준치로 이동한다 하더라도 작업 위치별로 비전유닛 FOV내에 오차가 생길 수 있으며, 기구적인 오차 또는 외부 환경의 변수로 인해 비전에서 검출 오류가 발생하고 반도체 자재를 잘못 본딩할 수 있는 문제가 생길 수도 있다. In this way, for the accuracy of the attaching process, the semiconductor material attaching device of the semiconductor material generally implements the target attaching position 110 (the target bonding area or the target through hole) to which the semiconductor material is to be attached, (200) for extracting an image including the semiconductor element (110), and the control unit of the semiconductor material catching apparatus includes a control unit (200) for detecting the semiconductor material by the preset reference value before attaching the semiconductor material to the object Or moving the matching table to capture the target matching position. At this time, an error may occur in the vision unit FOV depending on the work position even if it moves to the preset reference value due to the X-axis, Y-axis, Z-axis shift (straightness, flatness, rolling, pitching, yawing) There may be a problem that a detection error occurs in the vision due to an error or an external environment variable and the semiconductor material may be bonded incorrectly.

따라서, FOV 내에 들어오는 반도체 자재를 검사시 기구적인 오차값으로 검사하는 위치 또는 FOV 영역 내의 검출 영역에 따라 다른 오차값이 생길 수 있기 때문에 본 발명에서는 멀티 포지션 검사를 통해 평균적인 오차값을 확보할 수 있다. Therefore, since different error values may be generated depending on the position where inspection of the semiconductor material entering the FOV is performed with a mechanical error value or the detection area within the FOV area, the present invention can secure an average error value through the multi- have.

따라서 위치별로 검출된 옵셋들의 평균 또는 보상치를 구하면 기구적인 부분에서 발생하는 오차의 영향을 줄일 수 있게 되고 정밀도를 확보할 수 있게 된다. Therefore, by obtaining the average or compensation value of the detected offsets by position, it is possible to reduce the influence of the error occurring in the mechanical part and ensure the accuracy.

이러한 본 발명의 검사방법은 비전 검사시 레퍼런스(reference)나 기준마크(fiducial)가 없어 상대 보정이 불가능한 경우에 특히 유용하다. 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 반복적으로 구하고, 위치별로 검출된 오차값의 보상값을 계산하고, 구해진 보상값을 사용함으로써 기구적인 부분에서 발생하는 오차를 없앨 수 있게 된다. This inspection method of the present invention is particularly useful when there is no reference or fiducial in the vision inspection and relative correction is impossible. It is possible to eliminate the error occurring in the mechanical part by repeatedly obtaining the position error of the target tracking position, calculating the compensation value of the error value detected for each position, and using the obtained compensation value.

여기서, 타켓 어태칭 포지션이란 반도체 자재가 부착되어야 할 복수 개의 어태칭 포지션 중 특정 순서에 어태칭 유닛에 의하여 반도체 자재가 부착될 목표 어태칭 포지션을 의미하는 것으로, 복수 개의 어태칭 포지션은 잠재적으로 타겟 어태칭 포지션이 될 수 있다. 본 발명에서 타겟 어태칭 포지션을 타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀이라 칭할 수 있다.Here, the target tagging position means a target tagging position to which the semiconductor material is to be attached by the tagging unit in a specific sequence among a plurality of tagging positions to which the semiconductor material is to be attached, and the plurality of tagging positions are potentially target It can be an offset position. In the present invention, the target attaching position may be referred to as a target bonding area or a target through hole.

최근에는 비전유닛(200)을 구성하는 이미지 소자 등의 화소, 해상도 또는 렌즈의 화각 등이 개량되고, 반도체 자재의 사이즈는 점점 작아지는 추세이므로 화각 내에 들어오는 자재의 개수가 증가되기 때문에 넓은 영역을 비전을 이용하여 정밀하게 검출하는 방법이 지속적으로 개발되고 있다. In recent years, since the pixels of image elements constituting the vision unit 200, the resolution of the image, the angle of view of the lens, and the like are improved and the size of the semiconductor material is gradually decreasing, the number of materials entering the angle of view increases, A method for precisely detecting a signal using a signal is continuously being developed.

종래에는 반도체 자재를 어태칭하기 위한 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하기 위하여 비전유닛(200)으로 타켓 어태칭 포지션을 촬상하는 경우, 촬상 결과의 품질의 편차 등으로 인해 하나의 화각(FOV) 내에 하나의 타겟 어태칭 포지션이 중심부에 배치된 상태에서 여러 번 촬상하여 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하는 방법을 사용하였으나, 촬상 과정에서 빛의 방향 또는 그림자 등의 요인은 쉽게 변경되지 않으므로, 여러 번 동일한 타켓 어태칭 포지션을 촬상하여도 위치오차를 정확하게 판단하기 위한 이미지를 얻지 못하는 경우가 발생될 수 있었다. 또한, 각각의 타겟 어태칭 포지션을 각각 복수회 촬상함에 따라 수많은 타겟 어태칭 포지션을 복수회 검사하는데는 상당히 많은 시간이 소요되었다.Conventionally, when the target sensing position is imaged by the vision unit 200 to determine the positional error of the sensing position for assisting the semiconductor material, there is a possibility that one In the state in which the target engaging position of the target is positioned at the center, the position error of the target engaging position is determined by imaging several times. However, since the factors such as the direction of the light or the shadow are not easily changed during the imaging process, There is a case where an image for accurately determining the position error can not be obtained even if the same target tagging position is captured. Further, since each of the target touching positions is imaged a plurality of times, it takes a considerably long time to inspect a large number of target touching positions a plurality of times.

그러나, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치는 비전유닛의 화각(fov) 내에 들어오는 반도체 자재를 모두 검사하되, 한 피치씩 이동한 상태에서 중첩된 검사의 멀티샷으로 정확성과 신뢰도를 더욱 높일 수 있다. 즉, 본 발명은 검사하고자 하는 타겟 어태칭 포지션과 인접한 복수 개의 어태칭 포지션을 한샷으로 촬상하되, 타겟 어태칭 포지션이 여러샷에 걸쳐 다른 위치(비전 센터를 중심으로 타겟 어태칭 포지션이 왼쪽 상부, 오른쪽 상부, 왼쪽 하부, 오른쪽 하부에 위치하도록)에 검출될 수 있도록 한 피치씩 이동하면서 복수 회 촬상함으로써 촬상시 조면 및 작업위치가 달라지게 되어 같은 검출오류를 배제할 수 있어 신뢰도 있는 검사가 가능해진다. However, the semiconductor material sticking device according to the present invention inspects all the semiconductor materials entering the angle of view (fov) of the vision unit, and can increase accuracy and reliability with multiple shots of overlapped inspection while moving by one pitch . That is, according to the present invention, a plurality of matching positions adjacent to a target matching position to be inspected are photographed in one shot, and the target matching position is positioned at a different position (the center of the vision center, The upper surface, the lower left, and the lower right) so that the rough surface and the working position are different at the time of imaging, thereby making it possible to eliminate the same detection error and to perform a reliable inspection .

따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치는 타켓 어태칭 포지션(110)의 위치오차를 정확하게 판단하기 위하여 상기 어태칭 대상물(100)에서 검사하고자 하는 타겟 어태칭 포지션과 인접한 복수 개의 타겟 어태칭 포지션을 한샷으로 촬상하되, 타겟 어태칭 포지션이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛(200)을 포함할 수 있고, 상기 비전유닛은 상기 타겟 어태칭 포지션이 여러 샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 FOV에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치만큼 이동하면서 촬상하여 샷간에 검사되는 어태칭 포지션의 중첩된 이미지를 획득할 수 있고 이에 의해 타겟 어태칭 포지션 간에 정확한 위치값을 산출할 수 있게 된다. Therefore, in order to accurately determine the positional error of the target touching position 110, the semiconductor material touching device according to the present invention includes a plurality of target touching positions adjacent to the target touching position to be inspected in the touching object 100, And a vision unit (200) for picking up a plurality of shots, one shot at a time, such that a target attatching position is detected at a different position over a plurality of shots, wherein the vision unit Position of the target position to be inspected so as to obtain a superimposed image of the matching position that is inspected between shots so as to obtain an accurate position value . ≪ / RTI >

이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치로서, 도 1 내지 도 5를 참고로 설명한다. 제1실시예에서는 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제2어태칭장치를 예로 들어 설명한다. Hereinafter, a semiconductor material tagging apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. In the first embodiment, a second tagging apparatus for attaching a semiconductor material to a tape will be described as an example.

앞서 어태칭 대상물은 회로기판이나 웨이퍼가 될 수도 있으며, 테이프가 부착된 링프레임일 수도 있고, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프가 부착된 스퍼터링부재 또는 스탠실 부재일 수 있지만, 도 1에서는 테이프(100)라 명명할 수 있다. 테이프에는 복수 개의 관통홀(110)이 복수 개의 열과 행으로 배치되도록 구성될 수 있다. 여기서, 테이프는 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프로, 테이프를 지지하는 스퍼터링부재 또는 스탠실에 부착되어 있으며, 테이프 테이블에 재치된 상태로 공급될 수 있다. The object to be tagged may be a circuit board, a wafer, a ring frame to which a tape is attached, or a sputtering member or a stamper member having a sputtering tape for sputtering a semiconductor material. In FIG. 1, (100). The tape may have a plurality of through holes 110 arranged in a plurality of rows and columns. Here, the tape is a sputtering tape for a sputtering process of a semiconductor material, attached to a sputtering member or a stencil supporting the tape, and can be supplied in a state of being mounted on a tape table.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에는 4개의 관통홀(110)이 촬상되며, 하나의 촬상 이미지에 4개의 관통홀(110)을 함께 포함되어 촬상한다. As shown in FIG. 2, four through-holes 110 are picked up within the angle of view (FOV) of the vision unit 200 of the semiconductor material tagging apparatus according to the first embodiment of the present invention, Four through-holes 110 are included in the image.

상기 관통홀에는 반도체 자재의 볼면(범프)이 수용된 상태로, 반도체 자재의 테두리 부분이 테이프에 부착된다. 비전유닛에 의해 촬상되는 관통홀(110)은 도 2에 도시된 비전유닛(200)의 화각 내에 4개가 배치될 수 있고, 테이프가 재치되는 테이블의 이동 또는 비전유닛(200) 중 어느 하나가 이송되는 방법으로 한 피치씩 이동하면서 테이프 관통홀을 촬상하고, 샷 간에 관통홀을 중첩해서 검사함으로써 하나의 관통홀을 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 촬상될 수 있음을 의미한다. The rim of the semiconductor material is attached to the tape with the ball surface (bump) of the semiconductor material being accommodated in the through hole. The through holes 110 picked up by the vision unit can be arranged in the angle of view of the vision unit 200 shown in Fig. 2, and any one of the movement or vision units 200 on which the tape is placed can be conveyed It is possible to pick up a through-hole through a shot by moving one pitch at a time, inspect the overlap of the through-holes between the shots, and detect one through-hole at different positions over a plurality of shots.

즉, 이물질의 존재, 간섭, 빛의 방향 또는 그림자 등의 요인과 장치에서 발생되는 진동 등의 이유로 타겟 관통홀의 이미지가 정확하지 않은 경우, 도 2에 도시된 화각 내에서 타겟 관통홀의 위치가 바뀌도록 이송한 후 이를 촬상하여 타겟 관통홀의 위치오차 정보를 정확하게 판단할 수 있다. That is, when the image of the target through hole is not correct due to the presence of foreign matter, interference, light direction or shadow, and vibration generated in the apparatus, the position of the target through hole in the view angle shown in FIG. 2 is changed The positional error information of the target through hole can be accurately determined.

예를 들어, 복수의 이미지를 통해 타켓 관통홀의 위치 오차의 평균을 구하여 위치오차를 결정하거나, 특별하게 큰 오차값을 갖는 이미지는 촬영 과정에서 오류가 있는 것으로 판단하여 이를 배제 또는 필터링하여 양질의 데이터만을 위치오차 판단자료로 활용할 수 있다. For example, a position error is determined by determining an average of position errors of a target through-hole through a plurality of images, or an image having a particularly large error value is judged as an error in the shooting process and excluded or filtered, Can be utilized as position error judgment data.

본 발명의 제1실시예에서는 비전유닛의 화각이 2행 X 2열로 한 샷에4개의 관통홀의 이미지를 검출할 수 있기에 한 피치씩 이동하면서 중첩된 영상을 획득하였으나, 비전유닛의 화각에 한번에 들어오는 관통홀의 행열 정보에 따라 촬영 간격은 다를 수 있다.In the first embodiment of the present invention, since the view angle of the vision unit is able to detect four images of the through holes in one shot with 2 rows and 2 columns, the overlapped images are obtained while moving by pitches. However, The photographing interval may be different depending on the matrix heat information of the through holes.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200) 및 테이프(100)가 거치되는 테이블이 이송하며, 테이프에 형성된 타겟 관통홀(tap)이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 관통홀(tap)이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다. FIG. 3 is a table showing the vision unit 200 and the tape 100 on which the tape 100 is mounted, according to the first embodiment of the present invention. The target through holes formed on the tape are located at different positions And capturing a plurality of images including a target through hole in a deployed state.

비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에 타겟 관통홀(tap)의 위치가 변경되도록 하는 방법으로 상기 테이블 및 상기 비전유닛(200) 중 적어도 하나는 X-Y 평면상에서 이송이 가능하도록 구성되면 된다. At least one of the table and the vision unit 200 may be configured to be capable of being moved on the X-Y plane in such a manner that the position of the target through hole (tap) is changed within the view angle FOV of the vision unit 200.

상기 테이블 및 상기 비전유닛(200) 중 하나의 구성이 X-Y 평면상에서 이송하게 구성될 수도 있으나, 상기 비전유닛(200)이 X축(또는 Y축) 방향으로 이송하고, 상기 테이블이 Y축(또는 X축) 방향으로 이송하도록 구성되어 비전유닛과 테이블이 서로 상대이동 가능하게 구성될 수도 있다. Although the configuration of one of the table and the vision unit 200 may be configured to be carried on the XY plane, the vision unit 200 may be moved in the X-axis (or Y-axis) X axis) direction so that the vision unit and the table can be configured to be movable relative to each other.

도 3에 도시된 실시예에서, 상기 비전유닛(200)은 X축 이송이 가능하고, 상기 테이프(100)가 거치된 어태칭 테이블은 Y축 방향 이송이 가능한 것으로 예를들어 설명한다. In the embodiment shown in FIG. 3, the vision unit 200 is capable of X-axis transfer, and the attachment table on which the tape 100 is mounted is capable of Y-axis direction transfer.

도 3은 상기 타겟 관통홀(tap)이 비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에 2행 2열 총 4개가 촬상되는 경우, 비전유닛(200) 또는 테이블의 이송에 따라 타겟 관통홀(tap)의 위치가 변화되며 촬상되는 과정을 도시하며, 도 4는 도 3에서 촬상되는 이미지들을 상기 타켓 관통홀(110)을 중심으로 중첩시킨 이미지를 도시한다. 3 shows a case where a target through hole is formed in accordance with the conveyance of the vision unit 200 or the table when four of the two rows and two columns are picked up within the angle of view FOV of the vision unit 200, FIG. 4 illustrates an image obtained by superimposing images captured in FIG. 3 around the target through hole 110. FIG.

도 3(a)는 초기 조건에서 타겟 관통홀(tap)이 오른쪽 하부에 배치된 상태를 도시하며, 3 (a) shows a state in which a target through hole (tap) is arranged at the lower right under the initial condition,

도 3(b)는 도 3(a)에 도시된 상태에서 비전유닛(200)이 X축 방향 오른쪽으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 왼쪽 하부로 위치가 변경된 상태를 도시하며, 3 (b) shows a state in which the vision unit 200 is transferred to the right in the X-axis direction in the state shown in FIG. 3 (a), and the position of the target through hole is changed to the lower left,

도 3(c)는 도 3(b)에 도시된 상태에서 어태칭 테이블이 Y축 방향 하방으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 왼쪽 상부로 위치가 변경된 상태를 도시하며, 3 (c) shows a state in which the attaching table is moved downward in the Y-axis direction in the state shown in FIG. 3 (b), and the position of the target through hole is changed to the upper left position,

도 3(d)는 도 3(c)에 도시된 상태에서 비전유닛(200)이 X축 방향으로 왼쪽으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 오른쪽 상부로 위치가 변경된 상태를 도시한다. 3 (d) shows a state in which the vision unit 200 is transferred to the left in the X-axis direction in the state shown in FIG. 3 (c), and the target through hole is changed to the upper right position.

즉, 이를 좌표화하여 표시하면, 상기 타겟 어태칭 관통홀(tap)은 화각 내의 왼쪽 하부의 포지션의 좌표를 (1, 1)로 가정하는 경우, 도 3(a), 도 3(b), 도 3(c) 및 도 3(d)의 좌표는 (1, 2), (1, 1), (2, 1) 및 (2, 2)로 4개의 좌표로 이동하는 효과를 얻을 수 있다. That is, when the coordinates of the position of the target touching through hole are assumed to be (1, 1) in the lower left position in the view angle as shown in FIG. 3 (a), FIG. 3 The coordinates of FIG. 3 (c) and FIG. 3 (d) can be shifted to four coordinates by (1, 2), (1, 1), (2, 1) and (2, 2).

본 발명의 제1실시예인 도 2 내지 도 4를 참조하면, 비전유닛의 FOV가 2행 X 2열인 경우 1피치씩 이동하면서 촬영하여 각각의 관통홀은 중첩되어 하나의 타겟 관통홀당4번의 멀티샷 효과가 있다. 만약 어태칭될 자재의 크기가 더 작아 비전유닛의 FOV가 3행X 3열인 경우에 1피치씩 이동하면서 촬영하는 경우에는 각각의 관통홀이 중첩되어 하나의 타겟 관통홀당 9번의 멀티샷 효과를 갖게된다. 2 to 4, when the FOV of the vision unit is 2 rows and 2 columns, the imaging is performed while moving by one pitch, and each of the through holes is overlapped to form four multi-shot It is effective. If the size of the material to be tagged is smaller, and the FOV of the vision unit is 3 rows by 3 columns, when shooting while moving by one pitch, each through hole is overlapped to have 9 multi shot effects per target through hole do.

본 발명은 전술한 바와 같이, 하나의 타겟 관통홀(tap)을 하나의 화각 내에서 서로 다른 위치, 바람직하게는 비전센터를 기준으로 상하좌우의 4군데 위치(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 배치되도록 하여 여러 장의 이미지를 획득하여 이를 기초로 타켓 관통홀의 위치오차를 판단하는 경우, 그 위치오차의 판단의 정확성이 향상될 수 있는 것이다. As described above, according to the present invention, one target through-hole is positioned at four different positions (upper left, upper right, lower left, lower right) in upper, lower, left, and right positions at different positions within a single angle of view, The accuracy of the determination of the positional error can be improved when a plurality of images are acquired and the positional error of the target through-hole is determined on the basis of the plurality of images.

즉, 타켓 관통홀(110)이 화각 내부의 동일한 위치에 배치된 상태에서 여러 장의 이미지를 촬상하는 경우, 이물질, 광량, 빛의 방향 또는 그림자 등의 영향을 동일하게 받을 가능성이 크지만, 비전유닛(200)의 화각 내에 복수 개의 관통홀(110)이 함께 촬상될 수 있는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 비전유닛(200)의 화각 내에서 타겟 관통홀(tap)의 위치를 변경하며, 타겟 어태칭 포지션(tap)이 포함된 여러 장의 이미지를 통해 타겟 관통홀의 보다 정확한 위치를 판단할 수 있다. That is, when a plurality of images are captured in a state in which the target through-holes 110 are disposed at the same position inside the view angle, there is a high possibility that the influence of foreign substances, light quantity, direction of light, shadows, When a plurality of through-holes 110 can be captured together within the angle of view of the vision unit 200, the position of the target through-hole is changed within the angle of view of the vision unit 200 as shown in FIG. 3, A more accurate position of the target through hole can be determined through the plurality of images including the tapping position (tap).

도 4에 도시된 바와 같이, 총 4개의 촬상 이미지에서 상기 타겟 관통홀 (tap)의 상대적인 위치는 서로 다르지만 서로 다른 위치에 배치된 타켓 관통홀 (110)의 위치를 촬상하여 각각의 이미지에 반영된 오차를 비교 분석하여 반도체 자재를 어태칭하는 과정에서 위치오차를 수정하여 어태칭할 수 있다. 4, the relative positions of the target through-holes in the four captured images are different from each other, but the positions of the target through-holes 110 disposed at different positions are imaged, and errors So that the position error can be corrected in the process of attaching the semiconductor material.

따라서, 전술한 예에서, 상기 비전유닛(200)은 2행 X 2열의 관통홀(110)을 하나의 이미지로 촬상이 가능하고, 상기 비전유닛은 타켓 관통홀(110)이 2행 X 2열의 각각의 4개의 위치에 배치된 상태의 4개의 이미지를 획득하고 이들의 위치를 설정된 기준치와 비교하여 4개의 위치 오차값을 획득하게 된다. 이들의 위치 오차값 중에서 일부 촬영값 중 특정 위치에서 얻은 데이터값이 유독 오차범위를 벗어나거나 잘못 나왔을 경우에는 해당 위치 촬영시 장비의 구동 또는 검출면이 불균일하거나 파티클 등의 외부 요인으로 오차가 발생한 것으로 간주하고, 해당 위치 데이터값은 필터링해서 사용하면 된다. 만약 4개의 위치 오차값이 모두 편차가 있을 경우에는 다시 검사를 수행해보거나, 해당 포지션에 문제가 있음을 간주하고 해당 포지션에는 추후 반도체 자재 부착을 생략함으로써 자재 낭비 및 불량을 최소화할 수 있다. Therefore, in the above-described example, the vision unit 200 is capable of capturing a through-hole 110 of 2 rows and 2 columns in one image, and the vision unit has a target through- Four images in a state in which they are arranged at four positions are obtained and their positions are compared with the set reference values to obtain four position error values. If the data value obtained from a specific position among the positional error values out of the positional error values is out of the toxic error range or is erroneous, the driving or detecting surface of the device may be uneven or the error may be caused by external factors such as particles , And the corresponding position data value can be used by filtering. If there are deviations in all four position error values, it is possible to perform the inspection again, or to consider that there is a problem in the position, and to avoid the waste of material and defects by omitting the attachment of the semiconductor material later.

정리하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재의 어태칭 방법은 반도체 자재를 어태칭할 타겟 관통홀(본딩영역) 및 상기 타겟 관통홀(본딩영역)과 인접한 어태칭 타겟 관통홀(본딩영역)이 비전유닛의 화각 내에 배치된 상태로 비전유닛으로 촬상하는 비전유닛 촬상단계, 타켓 관통홀(본딩영역)을 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치로 이송하는 타겟 이송단계, 상기 비전유닛 촬상단계에서 촬상된 이미지를 통해 상기 타켓 관통홀(본딩영역)의 위치오차를 판단하는 위치오차 판단단계; 상기 위치오차 판단단계의 판단 결과에 따라 반도체 자재를 어태칭하는 반도채 자재 어태칭 단계;를 포함하고, 상기 비전유닛 촬상단계 및 상기 타겟 이송단계는 복수 회 반복하여 수행되며, 상기 위치오차 판단단계는 상기 비전유닛 촬상단계에서 촬상된 복수 개의 이미지를 근거로 구해진 복수 개의 영상들의 위치값을 평균내어 타겟 관통홀(본딩영역)의 위치를 판단하는 방법을 사용하여 위치 판단의 정확성을 향상시키고, 정확하게 반도체 자재를 어태칭할 수 있다. In summary, a method of attaching a semiconductor material according to a first embodiment of the present invention includes a target through hole (bonding area) to which a semiconductor material is to be attached and an attaching target through hole (bonding area) adjacent to the target through hole ) Imaging unit for imaging the target unit with the vision unit in a state of being disposed within the angle of view of the vision unit, a target transfer step for transferring the target through hole (bonding area) to another position in the angle of view of the vision unit, A position error determination step of determining a position error of the target through hole (bonding area) through the captured image; And a semitransparent material attaching step of attaching the semiconductor material according to a result of the determination of the position error, wherein the vision unit imaging step and the target transfer step are repeated a plurality of times, The position of the target through hole (bonding area) is determined by averaging the position values of a plurality of images obtained on the basis of the plurality of images picked up in the vision unit imaging step, Material can be attached.

이때, 비전유닛 촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들의 평균을 산출하여 위치값으로 설정할 수 있고, 각각의 위치값들을 통해 위치오차값을 산출할 수 있으며 이에 의해 위치 보상값을 구할 수도 있다. At this time, an average of a plurality of position values obtained by repeating the vision unit imaging step a plurality of times can be calculated and set as a position value, and a position error value can be calculated through each position value, thereby obtaining a position compensation value have.

한편, 비전유닛 촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우 해당 데이터를 필터링 할 수 있으며, 반복적으로 특정 위치값이 튀는 경우에는 특정 위치의 영상면(조도)이 문제가 있음을 알 수 있기 때문에 이를 반영하여 정확한 위치값을 산출할 수도 있고, 복수의 데이터에서 모두 편차가 발생되는 경우에는 재검사를 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주할 수도 있다. Meanwhile, when a specific bouncing position value is found out of a plurality of position values obtained by repeating the vision unit imaging step a plurality of times, the corresponding data can be filtered. If the specific position value repeatedly bounces, ), It is possible to calculate the accurate position value by reflecting this problem, or when the deviation is generated in all of the plurality of data, the retest may be performed or the position value may be regarded as bad.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스탠실 부재(S)의 부착홀의 단면도 및 상기 부착홀에 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에 의하여 스퍼터링 대상 반도체 자재인 BGA 방식의 반도체칩이 부착된 상태의 단면도를 도시한다. 5 is a cross-sectional view of a mounting hole of a stamper member S to which a sputtering tape (t) is attached for a sputtering process according to the first embodiment of the present invention, And a BGA semiconductor chip, which is a semiconductor material to be sputtered by a sticking device, is attached.

전술한 바와 같이, 상기 반도체 자재는 볼전극이 저면에 구비된 BGA(Ball Grid Array) 방식의 반도체 자재이며, 상기 테이프(100)는 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스탠실 부재(S)이며, 상기 관통홀(110)은 상기 스퍼터링 테이프(t)와 상기 스탠실 부재(S)에 함께 형성된 반도체 자재의 볼전극면 관통을 위하여 형성된 복수 개의 홀일 수 있다. As described above, the semiconductor material is a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor material having a ball electrode on its bottom surface. The tape 100 has a stamper with a sputtering tape (t) for sputtering a semiconductor material And the through hole 110 may be a plurality of holes formed for penetrating the ball electrode surface of the semiconductor material formed together with the sputtering tape t and the stamper member S. [

상기 스탠실 부재와 상기 스퍼터링 테이프(t)는 도 5(a)에 도시된 바와 같이 대응되는 위치에 홀(th, sh)을 형성하여 타켓 어태칭 포지션(110)으로서의 관통홀을 형성한다. 상기 스탠실 부재와 상기 스퍼터링 테이프(t)에 형성된 홀은 대응되는 위치에 형성되어 관통홀을 형성하지만 스퍼터링 테이프(t)에 형성된 홀의 크기가 더 작게 구성되어 스퍼터링 작업 중에 테이프에 형성된 홀 틈새로 누설되어 자재의 볼면에 스퍼터링 되는 것을 막을 수 있고, 혹시라도 누설된 스퍼터링 증착제로 스탠실 부재가 오염되는 것을 막을 수 있다. The stamper member and the sputtering tape (t) form holes (th, sh) at corresponding positions as shown in FIG. 5 (a) to form through holes as the target seating position 110. The holes formed in the stamper member and the sputtering tape (t) are formed at corresponding positions to form through holes. However, the holes formed in the sputtering tape (t) are smaller in size, It is possible to prevent sputtering on the ball surface of the material and to prevent the stencil member from being contaminated by the leaked sputtering evaporator.

BGA(Ball Grid Array) 방식의 반도체 자재의 스퍼터링 공정시 반도체칩의 하면의 볼전극 또는 볼전극면이 스퍼터링되는 것을 방지하기 위하여 접착물질이 도포된 스퍼터링 테이프(t)에 관통홀을 형성하고 상기 관통홀 주변에 반도체칩의 저면 테두리가 부착되도록 하고 볼전극은 관통홀을 통해 하방으로 노출되도록 할 수 있다 In order to prevent sputtering of the ball electrode or the ball electrode surface on the bottom surface of the semiconductor chip in the sputtering process of the semiconductor material of the BGA (Ball Grid Array) system, a through hole is formed in the sputtering tape (t) The bottom edge of the semiconductor chip may be attached to the periphery of the hole and the ball electrode may be exposed downward through the through hole

즉, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체칩의 크기는 반도체칩 하면의 볼범프는 스퍼터링 되지 않고 반도체칩의 테두리 부분이 스퍼터링 테이프에 잘 부착될 수 있도록 스퍼터링 테이프의 관통홀의 크기보다 크게 구성되는 것이 바람직하다. 스퍼터링 부재에는 상기 테이프의 관통홀에 대응되는 위치에 테이프홀보다 약간 크게 형성된 관통홀이 복수 개 마련되어 있으며, 스퍼터링 부재의 관통홀과 테이프의 관통홀은 모두 직사각형의 개구이다. 또한, 스퍼터링 부재의 두께는 반도체칩의 범프의 두께와 대략 동일하거나 범프의 두께보다 약간 두껍게 형성된다. That is, as shown in FIG. 5 (b), the size of the semiconductor chip is smaller than the size of the through hole of the sputtering tape so that the ball bump on the bottom surface of the semiconductor chip is not sputtered and the rim portion of the semiconductor chip adheres well to the sputtering tape. . The sputtering member is provided with a plurality of through holes at positions corresponding to the through holes of the tape and slightly larger than the tape holes. The through holes of the sputtering member and the through holes of the tape are both rectangular openings. Further, the thickness of the sputtering member is formed to be approximately equal to the thickness of the bump of the semiconductor chip or slightly larger than the thickness of the bump.

한편, 본 발명에서 반도체칩이 테이프의 홀에 부착이 되면 테이프의 크기보다 큰 반도체칩에 의해 테이프의 홀을 검출할 수가 없다. 이를 위해 반도체 자재가 부착된 후에는 부착된 자재를 뒤집을 경우 스탠실의 테두리와 스퍼터링 테이프의 테두리를 모두 검출할 수 있기 때문에 스탠실과 테이프의 외곽을 각각 추출하여 이들의 공차를 검출하여 재검증이 가능하다. 또한 스탠실의 외곽으로부터 반도체 칩의 범프를 함께 검사함으로써 본딩 후의 PBI(Post Bonding Inspection) 검사도 가능해진다. On the other hand, when the semiconductor chip is attached to the hole of the tape, the hole of the tape can not be detected by the semiconductor chip larger than the tape. After the semiconductor material is attached, it is possible to detect both the edge of the stencil and the edge of the sputtering tape when the attached material is reversed, so that the outer edge of the stencil and the tape can be extracted separately, Do. In addition, by inspecting the bumps of the semiconductor chip from the outside of the stencil, PBI (Post Bonding Inspection) after bonding can be inspected.

상기 비전유닛 촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인한다. 최초 설정범위 이내의 범위에 있을 경우에는 스탠실의 관통홀에 테이프 관통홀이 잘 맞게 형성되어 있는지를 판단할 수 있다. 만약 최초 설정범위를 벗어난 경우에는 스탠실의 관통홀에 테이프 관통홀이 불량으로 형성된 경우이거나, 비전이 잘못 촬영한 경우이므로 재검사를 수행한다. 재검사를 수행한 이후에도 스탠실의 관통홀과 테이프 관통홀의 공차가 맞지 않는 경우에는 불량으로 간주하여 상기 관통홀에는 반도체 자재를 부착하지 않는다. An image of the outside of the through hole of the stencil and the outside of the tape through hole is extracted to obtain a tolerance between the through hole of the stencil and the through hole in the vision unit, . If it is within the range of the initial setting range, it is possible to judge whether or not the through hole of the stencil is well formed. If the initial setting range is exceeded, the tape through hole is formed in the through hole of the stencil poorly, or the vision is erroneously photographed, so the retest is performed. If the tolerance between the through hole of the stencil and the through hole of the tape is not matched even after the re-inspection, it is regarded as a defect and the semiconductor material is not attached to the through hole.

또한, 상기 반도체 자재가 상기 테이프의 관통홀에 부착이 된 후에는 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 반도체 자재의 볼전극의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착상태 PBI(post bonding inspection) 검사를 수행할 수 있다. PBI검사시 또는 스탠실과 테이프의 외곽을 추출하고자 할 때는 복합 조명을 사용하여 검사시 밝기를 조절함으로써 더욱 선명한 영상 획득이 가능하다. Further, after the semiconductor material is attached to the through hole of the tape, the tolerance between the through hole of the stencil and the through hole of the tape is compared with the position of the ball electrode of the semiconductor material, bonding inspection can be performed. When you want to extract the PBI inspection or the outside of the stencil and tape, you can use composite lighting to adjust the brightness during inspection to obtain clearer images.

앞서, 도 1 내지 도 5를 참고하여 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치를 설명하였으나, 이하에서는 도 6내지 도 9를 참고하여 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치를 설명한다.1 to 5, a description has been given of a semiconductor material sticking device according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, a semiconductor material sticking device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. A description will be given of a matting device.

본 발명의 제2실시예는 본딩될 자재의 크기가 작아 비전유닛의 화각에 여러 개의 부착영역이 들어오는 경우 각각의 본딩영역에 대한 영상을 제1실시예와 같이 1피치씩 이동하면서 영상을 획득하는데는 많은 검사시간이 소요되기 때문에 자재가 본딩될 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 피치 간격만큼 이동하면서 영상을 획득할 수 있는 최적의 검사방법이다.In the second embodiment of the present invention, when a plurality of attachment regions are included in a view angle of a vision unit due to a small size of a material to be bonded, an image for each bonding region is acquired while moving by one pitch as in the first embodiment Is an optimal inspection method that can acquire an image while moving by the calculated pitch interval according to the matrix information of the bonding region to which the material is to be bonded because it takes a lot of inspection time.

참고로, 제1실시예에서는 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제 2어태칭장치의 어태칭 방법을 설명하였으나, 제 2실시예에서는 반도체 자재를 웨이퍼(100')에 본딩하기 위한 제1어태칭장치의 어태칭 방법을 예로들어 설명하고자 한다.For reference, in the first embodiment, a method of attaching a semiconductor device to a tape has been described. However, in the second embodiment, a first attaching method for bonding a semiconductor material to the wafer 100 ' The method of attaching the device will be described as an example.

또한, 제1실시예에서 비전유닛의 화각(fov) 내에는 2행 X 2열의 어태칭 대상이 한 샷에 검출되지만, 제2실시예에서는 3행 X 3열의 어태칭 대상이 한 샷에 검출되는 경우를 나타내었다. 제1실시예와 중복되는 내용은 생략한다.In the first embodiment, the object to be matched in the 2 rows and 2 columns is detected in one shot in the view angle fov of the vision unit, but in the second embodiment, the object to be matched in the 3 rows X 3 columns is detected in one shot Respectively. The contents overlapping with the first embodiment will be omitted.

도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200')의 화각(fov) 내에는 3행 X 3열로 9개의 본딩영역(110')이 촬상되며, 하나의 촬상 이미지에 9개의 본딩영역(110')이 함께 포함되어 촬상한다.As shown in FIG. 6, nine bonding regions 110 'are arranged in three rows and three columns in the view angle fov of the vision unit 200' of the semiconductor wafer aligning apparatus according to the second embodiment of the present invention. And nine imaging areas 110 'are included together in one imaging image.

상기 본딩영역(110')에는 각각의 반도체 칩이나 반도체 자재가 부착되는 곳으로 웨이퍼(또는 기판)와 칩(자재)의 정확한 전기적 연결이 수행되기 때문에 정밀하고 정확한 본딩을 위하여 본딩영역(어태칭 포지션)의 정확한 위치 정보를 검출하는 것이 중요하다. 그러나 앞서 설명한 바와 같이 본딩영역의 정확도 판단을 위해 각각의 본딩영역을 하나씩 복수회 촬상할 경우에는 정밀도 검사에 많은 시간이 소요될 수 밖에 없고, 작업위치, 조면, 또는 기구적 오차값에 의해 타겟 본딩영역(tap)의 위치에 따라 검출된 영상에 결함이 있을 수 있으므로, 화각 내 검출 가능한 모든 본딩영역(110')을 검사하되, 샷간에 검사되는 타겟 본딩영역을 중첩시켜 검출함으로써 타겟 본딩영역에 대한 멀티샷 효과를 얻을 수 있게 되는 것이다.Since accurate electrical connection between the wafer (or substrate) and the chip (material) is performed in the bonding region 110 'where each semiconductor chip or semiconductor material is attached, the bonding region 110' It is important to detect the precise position information of the target position. However, as described above, in order to judge the accuracy of the bonding area, it takes a lot of time to perform the accuracy inspection when each bonding area is imaged a plurality of times, one by one, and the target bonding area it is possible to inspect all the bonding areas 110 'detectable within the angle of view, so that the target bonding areas to be inspected between the shots are overlapped and detected, A shot effect can be obtained.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에서, 비전유닛의 화각 내에 웨이퍼에 형성된 본딩영역이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 본딩영역이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한 것이다. Fig. 7 is a schematic view of a semiconductor material aligning apparatus according to a second embodiment of the present invention, in which a plurality of images including a target bonding region are picked up in a state in which bonding regions formed on a wafer are arranged at different positions within a view angle of the vision unit FIG.

이때 비전유닛의 화각 내에 타겟 본딩영역의 위치가 변경되도록 하는 방법으로 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 테이블과 비전유닛 중 적어도 하나는 X-Y 평면 상에서 이송이 가능하도록 구성된다.At least one of the wafer table and the vision unit on which the wafer is placed is configured to be capable of being transferred on the X-Y plane in such a manner that the position of the target bonding region is changed within the angle of view of the vision unit.

웨이퍼 테이블과 비전유닛(200') 중 하나의 구성이 X-Y 평면상에서 이송 가능하게 구성될 수도 있고, 웨이퍼 테이블은 Y축(또는 X)축, 비전유닛(200')은 X축(또는 Y축) 방향으로 이송 가능하게 구성될 수도 있다. 따라서, 비전유닛과 웨이퍼 테이블은 서로 상대 이동이 가능하게 구비된다. (Or X) axis, and the vision unit 200 'is an X-axis (or a Y-axis), and the wafer table and the vision unit 200' may be configured to be movable on the XY plane. Direction. ≪ / RTI > Therefore, the vision unit and the wafer table are provided so as to be movable relative to each other.

도 7에 도시된 제2실시예에서, 상기 비전유닛(200')은 X축 이송이 가능하고, 웨이퍼가 거치된 웨이퍼 테이블은 Y축 이송이 가능한 것으로 예를들어 설명한다.In the second embodiment shown in FIG. 7, the vision unit 200 'is capable of X-axis transfer, and the wafer table on which the wafer is mounted is capable of Y-axis transfer.

도 7은 타겟 본딩영역이 비전유닛(200')의 화각(fov) 내에서 3행 X 3열로 총 9개가 촬상되는 경우, 비전유닛 또는 웨이퍼 테이블의 이송에 따라 타겟 본딩영역의 위치가 변화되며 촬상되는 과정을 도시하며, 도 8은 도 7에서 촬상되는 이미지들을 타겟 본딩영역을 중심으로 중첩시킨 이미지를 도시한다.Fig. 7 shows a case where the target bonding area is shifted in the 3 x 3 rows in the view angle fov of the vision unit 200 ', and the position of the target bonding area is changed according to the transfer of the vision unit or the wafer table, FIG. 8 shows an image in which the images captured in FIG. 7 are superimposed on the target bonding area.

도 7(a)는 초기 조건에서 타겟 본딩영역이 우측 하부에 배치된 상태를 도시하고, Fig. 7 (a) shows a state in which the target bonding region is disposed on the right lower side under the initial condition,

도 7(b)는 도 7(a)에 도시된 상태에서 비전유닛(200')이 X축 방향으로 우측으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 좌측 하부에 배치된 상태를 도시하며,7 (b) shows a state in which the vision unit 200 'is shifted two pitches to the right in the X-axis direction in the state shown in FIG. 7 (a) and the target bonding region is arranged at the lower left,

도 7(c)는 도 7(b)에 도시된 상태에서 웨이퍼 테이블이 Y축 방향으로 하방으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 좌측 상부에 배치된 상태를 도시하며,7 (c) shows a state in which the wafer table is moved downward in the Y-axis direction by two pitches in the state shown in Fig. 7 (b), and the target bonding region is arranged at the upper left side,

도 7(d)는 도 7(c)에 도시된 상태에서 비전유닛이 X축 방향으로 좌측으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 우측 상부에 배치된 상태를 도시한다.Fig. 7 (d) shows a state in which the vision unit is shifted two pitches to the left in the X-axis direction in the state shown in Fig. 7 (c), and the target bonding region is arranged on the upper right side.

즉, 이를 좌표화하여 표시하면, 타겟 본딩영역은 화각 내의 좌측 하부의 포지션의 좌표를 (1,1)로 가정하는 경우 도 7(a)는 (1,3), (1,1), (3,1) 및 (3,3)의 4개의 좌표로 이동하는 효과를 얻을 수 있다.That is, when the target bonding area is expressed by coordinates and the target bonding area is (1, 1) as the coordinates of the lower left position in the angle of view, FIG. 7A shows (1,3), (1,1) 3, 1) and (3, 3).

앞서 도 1내지 도 4에 따른 제1실시예에서는 비전유닛(200)의 FOV가 2행X 2열인 경우를 도시하여 각각의 관통홀이 중첩되어 하나의 본딩영역(110')당 4번의 멀티샷 효과를 가지며, 도 6 내지 도 9에 따른 제 2실시예에서는 비전유닛(200')의 FOV가 3행X 3열인 경우이다.In the first embodiment according to the first to fourth embodiments, the FOV of the vision unit 200 is 2 rows and 2 columns, and each of the through holes is overlapped to form 4 multi-shot regions In the second embodiment according to Figs. 6 to 9, the FOV of the vision unit 200 'is 3 rows X 3 rows.

비전유닛(200')의 FOV가 3행X 3열인 경우에는 2피치씩 이동하면서 촬영하여 마찬가지로 각각의 본딩영역(110')이 중첩되어 하나의 타겟 본딩영역 당 동일하게 4번의 멀티샷 효과를 갖게된다. 이때 4번이라 함은 동일한 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에서 검출되도록 비전센터를 기준으로 상하좌우(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 위치한 영상을 획득하는 것을 의미한다.In the case where the FOV of the vision unit 200 'is 3 rows and 3 columns, it is photographed while moving by two pitches, and similarly, the bonding regions 110' are overlapped to have the same multi shot effect per one target bonding region do. In this case, the term '4' means to acquire images located in upper, lower, left and right (upper left, upper right, lower left, lower right) based on the vision center so that the same target bonding area is detected at different positions.

비전 중심 라인에 위치한 본딩영역(110')의 경우에는 작업위치에 따른 옵셋값이 적어 정확한 위치값 획득이 가능하지만 각각 외곽에 위치한 본딩영역(110')은 위치에 따라 기구적, 광학적 옵셋값이 생길 수 있기 때문에 동일한 본딩영역(110')이 서로 다른 위치(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 배치된 상태에서 각각의 위치에서 얻은 영상들을 중첩하여 해당 타겟 본딩영역에 대한 정확한 위치 정보를 획득할 수 있다. 또한, 타겟 본딩영역에서 각각 서로 다른 위치에서 검출된 여러장의 이미지를 획득할 수 있다. 따라서 본딩영역의 행열 정보에 따라 산출된 피치 간격만큼 이동하면서 영상을 획득하면 검사시간을 단축시켜 UPH를 향상시키면서도 각각의 본딩영역 본딩영역(110')에 대한 정밀한 위치 판단이 가능해진다.In the case of the bonding area 110 'located on the vision center line, although the offset value according to the working position is small, it is possible to obtain accurate position value. However, the bonding area 110' It is possible to obtain accurate positional information on the target bonding region by superimposing the images obtained at the respective positions in a state where the same bonding region 110 'is disposed at different positions (upper left, upper right, lower left, lower right) . In addition, a plurality of images detected at different positions in the target bonding area can be obtained. Accordingly, if an image is acquired while moving by the calculated pitch interval according to the matrix information of the bonding region, the inspection time can be shortened to improve the UPH, and accurate position determination can be performed on each bonding region bonding region 110 '.

한편, 본 발명의 제2실시예에서 피치를 산출하는 방법은 다음과 같다. 일반적으로 fov 는 정방형 원 형태로 영상을 검출하게 되며, fov 에 검출되는 자재는 자재의 형상에 따라 M행 X N열의 영상을 얻을 수 있다.Meanwhile, a method of calculating the pitch in the second embodiment of the present invention is as follows. In general, fov detects an image in the form of a square circle, and the material detected in the fov can obtain an image of M rows and N columns according to the shape of the material.

이때 M과 N은 정수이며, 짝수일 수도 있고, 홀수일 수도 있다.Where M and N are integers and may be even or odd.

M이 짝수인 경우에는 M/2 열 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있고, M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 타겟 포지션의 영상을 획득할 수 있다. 마찬가지로 N이 짝수인 경우에는 N/2 행 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있고, N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있다.If M is an even number, the image of the target bonding region can be acquired while moving by M / 2 column intervals. If M is odd, the image of the target position is acquired while moving by (M + 1) . Likewise, if N is an even number, the image of the target bonding area can be obtained while moving by N / 2 rows. If N is odd, the image of the target bonding area is moved by (N + 1) Can be obtained.

본 발명의 제2실시예에서는 3행X 3열인 경우로 각각 3의 홀수이므로 (3+1)/2= 2피치만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있게 된다. In the second embodiment of the present invention, the image of the target bonding area can be obtained while moving by (3 + 1) / 2 = 2 pitches because the number of rows is 3 and the number of rows is three.

마찬가지로 4행 X 4열인 경우에는 2피치씩 이동하면서 영상을 획득하게 되고, 5행 X 5열인 경우에는 3피치씩 이동하면서 영상을 획득할 수 있게 된다.Similarly, in the case of 4 rows X 4 columns, the image is acquired while moving by 2 pitches, and in the case of 5 rows X 5 columns, the image can be acquired while moving by 3 pitches.

참고로, 자재의 형상에 따라 비전의 FOV가 검출하는 M행의 수와 N열의 수는 서로 다를 수도 있다. 즉, 4행 X 3열의 영상을 검출하게 되는 경우에는 열 간격은 M이 짝수이므로 4/2=2피치씩 이동하면서 검출하고, 행 간격은 N이 홀수이므로 (3+1)/2=2피치씩 이동하면서 중첩되는 영상을 획득할 수 있다.For reference, the number of M rows and the number of N columns detected by the FOV of the vision may be different from each other depending on the shape of the material. (3 + 1) / 2 = 2 pitches, since the row intervals are detected by moving by 2 pitches, since N is an odd number, It is possible to acquire the superimposed image while moving by one.

한편, 도 9에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에서 비전유닛의 본딩 공전 전에 본딩영역(110')을 촬상하는 간격에 따른 타겟 본딩영역을 중첩시킨 이미지이며, 비전유닛(200')이 본딩영역(110')의 행열 정보에 따라 산출된 2피치 간격으로 X축 방향으로 피치 이동하면서 촬상한 이미지를 도시한 것이다.9, in the semiconductor material sticking device according to the second embodiment of the present invention, an image obtained by superimposing a target bonding area according to an interval for imaging the bonding area 110 'before the vision unit is bonded And the vision unit 200 'move in the pitch in the X-axis direction at two pitch intervals calculated according to the matrix information of the bonding region 110'.

본 발명의 제2실시예에서 하나의 화각(fov) 에 3행 X 3열의 영상이 획득되며, M이 홀수이므로 (3+1)/2=2열 간격만큼 피치 이동하면서 영상을 획득하게 된다. X축 방향(우측)으로 이동하면서 웨이퍼의 1~3행에 대한 영상을 다 획득한 후에는 N이 홀수이므로 (3+1)/2=2행 간격만큼 테이블이 Y축 방향(하방)으로 2피치 이동한 후 이동한 후 비전 카메라를 X축 방향(좌측)으로 이동하면서 2열 간격으로 피치 이동하면서 웨이퍼의 3~5행에 대한 본딩영역의 영상을 획득하게 된다. 이러한 과정을 순차적으로 반복하면서 웨이퍼의 본딩영역의 영상을 수집하면 각각의 타겟 본딩영역에 대한 중첩된 영상을 획득할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, an image of 3 rows and 3 columns is acquired at one angle of view (fov), and since M is odd, the image is acquired while shifting the pitch by (3 + 1) / 2 = 2 column intervals. (3 + 1) / 2 = 2 rows in the Y-axis direction (downward) by an interval of 2 rows after acquiring images for 1 to 3 rows of the wafer while moving in the X-axis direction After moving the pitch, the vision camera is moved in the X-axis direction (left) while moving the pitch at intervals of two rows, thereby acquiring images of bonding regions for 3 to 5 rows of wafers. By repeating this process sequentially and collecting the image of the bonding area of the wafer, it is possible to obtain the overlapped image of each target bonding area.

참고로, 본 발명의 제1 및 제 2실시예에서는 설명의 편의를 위해 3행에 위치한 타겟 본딩영역을 기준으로 설명하였으나, 1,2행에 위치한 타겟 본딩영역을 검사하기 위해서는 1,2행에 위치한 타겟 본딩영역이 비전 센터를 기준으로 좌상, 우상, 좌하, 우하에 각각 위치한 영상을 얻을 수 있도록 본딩영역(110')이 존재하지 않는 외곽영역에서부터 촬영을 시작할 수도 있다.In the first and second embodiments of the present invention, the target bonding region located in the third row is used as a reference for convenience of explanation. However, in order to inspect the target bonding region located in the first and second rows, It is possible to start the shooting from the outer region where the bonding region 110 'does not exist so that the target bonding region in which the positioned target bonding region is positioned can be obtained in the upper left, upper right, lower left, and lower right with respect to the vision center.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법은 이와 같이 미세화된 크기의 반도체 자재의 본딩영역(110')의 위치오차를 비전유닛(200')으로 판단하여 어태칭 과정에서 위치오차가 수정되도록 하여 어태칭 공정의 후속 공정, 예를 들면 반도체 자재의 본딩공정 또는 스퍼터링 공정 등에서 제품의 불량 등을 최소화할 수 있다. In the method of attaching the semiconductor material attaching apparatus according to the present invention, the positional error of the bonding area 110 'of the semiconductor material of the miniaturized size is determined by the vision unit 200' So that defective products can be minimized in a subsequent step of the sticking process, for example, a bonding process of a semiconductor material or a sputtering process.

즉, 본 발명의 1실시예 및 2 실시예에서는 반도체 자재가 웨이퍼나 테이프에 부착하기 전에 각각 웨이퍼의 본딩영역, 테이프의 관통홀을 검사하는 예로 설명하였으나, 각각의 본딩영역에 반도체 칩이나 자재가 부착된 후 잘부착되었는지 PBI(post bonding inspection) 등의 검사에서도 동일한 방식으로 검사함으로써 검사 신뢰도를 높일 수 있게 된다.In other words, in the first and second embodiments of the present invention, the bonding regions of the wafers and the through holes of the tape are inspected before the semiconductor material is attached to the wafers or tapes, respectively. However, It is possible to increase the reliability of inspection by inspecting in the same manner in the inspection of PBI (post bonding inspection) or the like.

본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. . It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.

100 : 어태칭 대상물 100': 웨이퍼
110 : 어태칭 포지션 110': 본딩영역
tap : 타겟 어태칭 포지션(타겟 본딩 포지션)
200, 200' : 비전유닛
fov : 화각
sp : 반도체칩 100: object to be etched 100 ': wafer
110: matching position 110 ': bonding area
tap: target attatching position (target bonding position)
200, 200 ': vision unit
fov: angle of view
sp: semiconductor chip

Claims (12)

반도체 자재가 본딩되는 복수 개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 회로기판의 본딩영역을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서,
상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계;
상기 타겟 본딩영역을 촬상한 후 타겟 본딩영역이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계;
상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 제2촬상단계;
상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및
상기 획득된 복수개의 타겟 본딩영역의 영상들로부터 상기 타겟 본딩영역의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법.1. A semiconductor device comprising: a circuit board having a plurality of bonding regions on which semiconductor material is bonded; A table on which the circuit board is placed; And a vision unit for picking up a bonding area of the circuit board, the method comprising:
A first imaging step of imaging a plurality of bonding areas adjacent to a target bonding area to which the semiconductor material is to be bonded with the vision unit, in a shot;
Transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the bonding area entering the view angle of the vision unit such that the target bonding area is located at another position within the view angle of the vision unit after capturing the target bonding area;
A second imaging step of imaging the target bonding area with the vision unit while the vision unit or the table is transferred at the calculated interval;
Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to acquire a plurality of images in which the target bonding areas are at different positions within an angle of view of the vision unit; And
And determining the position of the target bonding region from the obtained images of the plurality of target bonding regions. 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 상기 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 테이프의 관통홀을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서,
상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재의 범프가 수용될 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관통홀을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계;
상기 타겟 관통홀을 촬상한 후 타겟 관통홀이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계;
상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 제2촬상단계;
상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및
상기 획득된 복수개의 타겟 관통홀의 영상들로부터 상기 타겟 관통홀의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법. A tape having a plurality of through holes formed therein for receiving bumps of the semiconductor material and attached to the stencil for sputtering the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And a vision unit for picking up a through hole of the tape, the method comprising:
A first imaging step of imaging a plurality of through-holes adjacent to a target through-hole in which the bumps of the semiconductor material are to be accommodated, into one shot with the vision unit;
Transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the through hole entering the view angle of the vision unit such that the target through hole enters the other position in the view angle of the vision unit after imaging the target through hole;
A second imaging step of imaging the target through-hole with the vision unit, with the vision unit or table being transferred at the calculated interval;
Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to acquire a plurality of images in which the target through-holes are at different positions within an angle of view of the vision unit; And
And determining the position of the target through-hole from the obtained images of the plurality of target through-holes. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1촬상단계 및 제2촬상단계는 각각의 위치에서 복수 회 반복 촬상하며, 반복 촬상하여 얻은 복수 개의 위치값들의 평균값으로 위치를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first imaging step and the second imaging step are repeated several times at respective positions and the position is determined by an average value of a plurality of position values obtained by repeated imaging. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우 해당 데이터를 필터링하고,
상기 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 복수의 데이터에서 모두 상이한 편차가 발생되는 경우에는 재얼라인을 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein when the position value of the first image pickup step and the position value of a specific splitting out of a plurality of position values obtained by repeating the second image pickup step a plurality of times are found,
When different deviations are generated in all of a plurality of position values obtained by repeating the positional value of the first imaging step and the second imaging step a plurality of times, a re-alignment is performed, Wherein the semiconductor wafer is subjected to a heat treatment. 제1항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 M이 짝수인 경우에는 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하며,
상기 N이 짝수인 경우에는 N/2행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method according to claim 1,
Wherein a bonding region which enters the view angle of the vision unit is formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
Wherein the second imaging step comprises:
(M + 1) / 2 when the M is an odd number, capturing the target bonding area while moving the target bonding area by a distance of M / 2 when the M is an even number,
Capturing the target bonding area while moving by N / 2 rows when N is an even number, and capturing the target bonding area while moving by N + 1/2 rows when N is an odd number Wherein the method comprises the steps of: 제2항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 M이 짝수인 경우에는 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하며,
상기 N이 짝수인 경우에는 N/2행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법3. The method of claim 2,
The through holes entering the view angle of the vision unit are formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
Wherein the second imaging step comprises:
(M + 1) / 2 when the M is an odd number, capturing the target through-hole while moving by an interval of M / 2 when the M is an even number,
When the N is an even number, capturing the target through-hole while moving by an N / 2 row interval, and when the N is an odd number, imaging the target through-hole while moving by (N + 1) Characterized by a semiconductor material tacking method 제1항에 있어서,
상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method according to claim 1,
Wherein the vision unit captures the target bonding area with the vision unit while the vision unit or the table moves at a pitch interval. 제2항에 있어서,
상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the vision unit or the table captures the target through-hole with the vision unit while moving at a pitch interval. 제1항에 있어서,
상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 본딩영역이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method according to claim 1,
The step of acquiring a plurality of images having different target bonding areas may acquire an image in which the target bonding area is positioned at the upper left, upper right, lower left, and lower right with respect to the center of the vision unit And the image is picked up by the vision unit at a calculated interval to acquire an image. 제2항에 있어서,
상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 관통홀이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 상기 비전유닛 또는 테이블을 이동시키면서 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. 3. The method of claim 2,
The acquiring of a plurality of images having different positions of the target through-holes may acquire an image in which the target through-hole is located at the upper left, upper right, lower left, and lower right with respect to the center of the vision unit And the image is captured by the vision unit while moving the vision unit or the table at the calculated intervals. 제2항에 있어서,
상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며,
상기 비전유닛 촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽 의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. 3. The method of claim 2,
Wherein the stencil has a plurality of through holes formed at positions corresponding to the through holes formed in the tape, the through holes being larger than the tape through holes,
An image of the outside of the through hole of the stencil and the outside of the tape through hole is extracted to obtain a tolerance between the through hole of the stencil and the through hole in the vision unit, Wherein the step of confirming whether or not the semiconductor wafer is mounted on the semiconductor wafer is confirmed. 제2항에 있어서,
상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며,
상기 반도체 자재의 범프가 상기 테이프의 관통홀에 수용된 후에는 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 반도체 자재의 범프의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the stencil has a plurality of through holes formed at positions corresponding to the through holes formed in the tape, the through holes being larger than the tape through holes,
And after the bumps of the semiconductor material are accommodated in the through holes of the tape, the mounting state of the semiconductor material is inspected by comparing the tolerance between the through holes of the stencil and the through holes of the stencil and the positions of the bumps of the semiconductor material. A method of attaching a semiconductor material.
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