KR102153168B1 - Semiconductor Device Attaching Method - Google Patents

Semiconductor Device Attaching Method Download PDF

Info

Publication number
KR102153168B1
KR102153168B1 KR1020180078142A KR20180078142A KR102153168B1 KR 102153168 B1 KR102153168 B1 KR 102153168B1 KR 1020180078142 A KR1020180078142 A KR 1020180078142A KR 20180078142 A KR20180078142 A KR 20180078142A KR 102153168 B1 KR102153168 B1 KR 102153168B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
vision unit
attaching
hole
semiconductor material
Prior art date
Application number
KR1020180078142A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190038280A (en
Inventor
이경식
Original Assignee
한미반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한미반도체 주식회사 filed Critical 한미반도체 주식회사
Priority to CN201811074331.4A priority Critical patent/CN109616427B/en
Priority to TW107132850A priority patent/TWI784051B/en
Publication of KR20190038280A publication Critical patent/KR20190038280A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102153168B1 publication Critical patent/KR102153168B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 자재를 어태칭하는 과정에서 어태칭 포지션의 위치오차를 신속하고 정확하게 수정할 수 있는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 비전유닛의 화각 내 검출되는 자재가 어탱칭될 어태칭 영역의 행열정보에 따라 산출된 간격만큼 비전 또는 테이블을 이동시켜 각각의 타겟 어태칭 영역이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하고 이들의 영상들로부터 타겟 어태칭 영역의 위치를 판단하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an attaching method of a semiconductor material attaching apparatus capable of quickly and accurately correcting a positional error of an attaching position in a process of attaching a semiconductor material. According to the present invention, by moving the vision or the table by the interval calculated according to the matrix information of the attaching area in which the material detected in the angle of view of the vision unit is to be attached, a plurality of images in which each target attaching area is at different positions are displayed. It is characterized by acquiring and determining the position of the target attaching area from the images.

Description

반도체 자재 어태칭 방법{Semiconductor Device Attaching Method}Semiconductor material attaching method {Semiconductor Device Attaching Method}

본 발명은 반도체 자재 어태칭 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 반도체 자재의 어태칭 포지션을 정확하게 검출하여 검사 정밀도를 향상시키기 위한 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of attaching a semiconductor material. More specifically, the present invention relates to an attaching method of a semiconductor material attaching apparatus for improving inspection precision by accurately detecting an attaching position of a semiconductor material.

반도체 자재 어태칭 장치에서 개별화된 반도체 자재는 후속 공정을 위하여 어태칭 대상물에 어태칭하기 위해서 어태칭 대상물의 미리 결정된 어태칭 위치를 먼저 정확하게 파악해야 한다. In the semiconductor material attaching apparatus, in order to attach the individualized semiconductor material to the attaching object for a subsequent process, the predetermined attaching position of the attaching object must first be accurately identified.

이러한 어태칭 장치는 다수의 반도체 자재를 기판에 본딩하기 위한 본딩장치가 될 수도 있고, 그 외에 후속 공정을 위해 테이프 상에 부착되기 위한 부착장치일 수도 있다. 또한 반도체 자재에 전자파 차단을 위한 EMI 스퍼터링을 위해 타공된 테이프에 반도체 자재의 볼면이 수용되도록 반도체 자재를 테이프에 부착하는 어태칭 장치가 될 수 있다. Such an attaching device may be a bonding device for bonding a plurality of semiconductor materials to a substrate, or may be an attachment device for attaching to a tape for a subsequent process. In addition, it can be an attaching device that attaches a semiconductor material to a tape so that the ball surface of the semiconductor material is accommodated in a perforated tape for EMI sputtering to block electromagnetic waves in the semiconductor material.

특히, EMI 스퍼터링을 위한 어태칭 장치에서는, 반도체 자재를 테이프에 부착시 테이프의 홀 위치를 정확히 검출하여 홀이 형성된 부분에 반도체 자재의 볼면(범프)이 수용될 수 있도록 정확한 위치에 부착하여 범프는 전자파 차단 재료로부터 보호되어야 한다. 만약 반도체 자재가 홀의 정위치에 부착되지 않았을 경우에는 리크(leak)된 부분을 통해 반도체 자재의 범프에도 스퍼터링이 되어 반도체 자재의 전기적 특성에 악영향을 미치게 된다. In particular, in the attaching device for EMI sputtering, when the semiconductor material is attached to the tape, the hole position of the tape is accurately detected, and the bump is attached at the correct position so that the ball surface (bump) of the semiconductor material can be accommodated in the hole formed part. It must be protected from electromagnetic shielding materials. If the semiconductor material is not attached to the correct position of the hole, it is sputtered to the bump of the semiconductor material through the leaked part, which adversely affects the electrical properties of the semiconductor material.

따라서, 어태칭 테이블이나 위치를 검출하는 비전 카메라에 의한 광학적인 옵셋값(X축, Y축, Z축) 으로 인해 평면 상의 위치오차 또는 θ축 상의 틀어짐 등의 위치오차가 정밀도에 반영이 되기 때문에 어태칭 공정을 위하여 어태칭 대상물 상의 다수의 어태칭 포지션을 정확하게 검출하는 것이 매우 중요하다. Therefore, due to optical offset values (X, Y, and Z) by the attaching table or the vision camera that detects the position, position errors such as position errors on the plane or distortion on the θ axis are reflected in the accuracy. For the attaching process, it is very important to accurately detect a plurality of attaching positions on an object to be attached.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 하나의 어태칭 포지션의 정확도 판단을 위해 어태칭 포지션 상부에서 비전유닛을 통해 각각의 어태칭 포지션을 하나씩 복수 회 촬상할 경우에는 정밀도 검사에 많은 시간이 소요될 수 밖에 없었다. In order to solve this problem, in order to determine the accuracy of one attaching position, when each attaching position is imaged multiple times one by one through the vision unit above the attaching position, it takes a lot of time to check the accuracy.

한편, 최근들어 반도체 공정성능이 향상되어 고속, 고해상도의 카메라가 증가되고, 반도체 자재의 사이즈는 점점 작아지는 추세이므로, FOV(field of view) 내에 들어오는 자재의 개수가 증가하고 있다. On the other hand, in recent years, as semiconductor processing performance has improved, high-speed, high-resolution cameras are increasing, and the size of semiconductor materials is gradually decreasing, so the number of materials entering the field of view (FOV) is increasing.

따라서 생산성 향상을 위해 FOV 내에 들어오는 자재들을 모두 검사한다고 하더라도 어태칭 테이블과 비전카메라의 기구적인 오차값이 정밀도에 반영이 될 수 밖에 없었다. Therefore, even if all materials in the FOV were inspected to improve productivity, the mechanical error values of the attaching table and vision camera were inevitably reflected in the precision.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 반도체 자재의 어태칭 위치를 신속하고 정확하게 검출할 수 있는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다. An object of the present invention is to provide a method for attaching a semiconductor material attaching apparatus capable of quickly and accurately detecting an attaching position of a semiconductor material in order to solve the above-described problem.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 자재가 본딩되는 복수개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 회로기판의 본딩영역을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서, 상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계; 상기 타겟 본딩영역을 촬상한 후 타겟 본딩영역이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계; 상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 제2촬상단계; 상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및 상기 획득된 복수개의 타겟 본딩영역의 영상들로부터 상기 타겟 본딩영역의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법을 제공할 수 있다.In order to solve the above problems, the present invention is a circuit board having a plurality of bonding regions to which a semiconductor material is bonded; A table on which the circuit board is placed; And an attaching method of a semiconductor material attaching device including a vision unit for imaging a bonding area of the circuit board, wherein a plurality of bonding areas adjacent to a target bonding area to which the semiconductor material is to be bonded are taken with the vision unit. A first imaging step of imaging with ); After imaging the target bonding area, transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the bonding area entering the view angle of the vision unit so that the target bonding area enters another position within the view angle of the vision unit; A second imaging step of photographing the target bonding area with the vision unit while the vision unit or table is transferred at the calculated interval; Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to obtain a plurality of images in which the target bonding regions are at different positions within the angle of view of the vision unit; And determining the position of the target bonding area from the acquired images of the plurality of target bonding areas.

또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 상기 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 테이프의 관통홀을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서, 상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재의 범프가 수용될 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관통홀을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계; 상기 타겟 관통홀을 촬상한 후 타겟 관통홀이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계; 상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 제2촬상단계; 상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및 상기 획득된 복수개의 타겟 관통홀의 영상들로부터 상기 타겟 관통홀의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법을 제공할 수 있다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention includes a tape having a plurality of through-holes for accommodating bumps of a semiconductor material, and attached to a stencil for a sputtering process of the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And an attaching method of a semiconductor material attaching device having a vision unit for imaging the through hole of the tape, wherein the vision unit makes a plurality of through holes adjacent to a target through hole in which the bump of the semiconductor material will be accommodated ( a first imaging step of taking an image with a shot); After imaging the target through-hole, transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the through-hole entering the vision unit so that the target through-hole enters another position within the field of view of the vision unit; A second imaging step of photographing the target through hole with the vision unit while the vision unit or table is transferred at the calculated interval; Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to obtain a plurality of images in which the target through-holes are at different positions within the angle of view of the vision unit; And determining a location of the target through hole from the obtained images of the plurality of target through-holes.

이 경우, 상기 제1촬상단계 및 제2촬상단계는 각각의 위치에서 복수회 반복 촬상하며, 반복 촬상하여 얻은 복수개의 위치값들의 평균값으로 위치를 판단할 수 있다.In this case, in the first imaging step and the second imaging step, the image is repeatedly imaged at each position a plurality of times, and the position may be determined based on an average value of a plurality of position values obtained through repeated image sensing.

또한, 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우 해당 데이터를 필터링하고, 제1촬상단계의 위치값 및 제2촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 복수의 데이터에서 모두 상이한 편차가 발생되는 경우에는 재얼라인을 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주할 수 있다.In addition, when a specific bouncing position value is found among a plurality of position values obtained by repeating the position value of the first imaging step and the second imaging step a plurality of times, the data is filtered, and the position value and the second imaging step are If different deviations occur in all of the plurality of data among a plurality of position values obtained by repeating the imaging step a plurality of times, re-alignment may be performed or the position value may be regarded as defective.

또한, 상기 비전유닛의 화각에 들어오는 상기 본딩영역은 M행 X N열로 형성되고, 상기 M, N은 정수이며, 상기 제2촬상단계는, 상기 M이 짝수인 경우에 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에 (M+1)/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하며, 상기 N이 짝수인 경우에 N/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상할 수 있다.In addition, the bonding area entering the angle of view of the vision unit is formed by M rows and XN columns, the M and N are integers, and the second imaging step, when the M is an even number, moves by an M/2 column interval. The target bonding area is imaged, and when M is an odd number, the target bonding area is imaged while moving by an interval of (M+1)/2 columns, and when N is an even number, the target bonding area is imaged while moving by an interval of N/2 rows. The target bonding area may be imaged, and when N is an odd number, the target bonding area may be imaged while moving by (N+1)/2 row intervals.

그리고, 상기 비전유닛의 화각에 들어오는 상기 관통홀은 M행 X N열로 형성되고, 상기 M, N은 정수이며, 상기 제2촬상단계는, 상기 M이 짝수인 경우에 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에 (M+1)/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하며, 상기 N이 짝수인 경우에 N/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상할 수 있다.In addition, the through hole entering the angle of view of the vision unit is formed in M rows and XN columns, the M and N are integers, and the second imaging step, when the M is an even number, moves by an M/2 column interval. The target through-hole is imaged, and when M is an odd number, the target through-hole is imaged while moving by (M+1)/2 column intervals, and when the N is an even number, while moving by N/2 row interval The target through-hole may be imaged, and when N is an odd number, the target through-hole may be imaged while moving by an interval of (N+1)/2 rows.

또한, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상할 수 있다.In addition, while the vision unit or the table moves at an interval of one pitch, the vision unit may capture the target bonding area.

또한, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 한 피치 간격으로 이동하면서 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상할 수 있다.In addition, while the vision unit or the table moves at an interval of one pitch, the vision unit may capture the target through hole.

그리고, 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 본딩영역이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득할 수 있다.In addition, the step of acquiring a plurality of images in which the target bonding regions are at different positions may include obtaining images in which the target bonding regions are located at the upper left, upper right, lower left, and lower right, based on the center of the vision unit. Images may be acquired by imaging with the vision unit at intervals calculated to be able to do so.

또한, 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 관통홀이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 상기 비전유닛 또는 테이블을 이동시키면서 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득할 수 있다.In addition, the step of acquiring a plurality of images in which the target through-holes are at different positions may include obtaining images in which the target through-holes are located in the upper left, upper right, lower left, and lower right of the center of the vision unit. While moving the vision unit or the table at an interval calculated so that the image can be captured by the vision unit, an image may be obtained.

또한, 상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며, 상기 비전유닛 촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽 의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인할 수 있다. In addition, the stencil includes a plurality of through holes formed larger than the tape through holes at positions corresponding to the through holes formed in the tape, and in the vision unit imaging step, an outer periphery of the through-hole of the stencil and an outer periphery of the tape through-hole It is possible to obtain a tolerance between the through-hole of the stencil and the through-hole of the tape by extracting an image of, and determine whether the obtained tolerance is within an initial setting range.

또한, 상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며, 상기 반도체 자재의 범프가 상기 테이프의 관통홀에 수용된 후에는 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 반도체 자재의 범프의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착 상태를 검사할 수 있다.In addition, the stencil has a plurality of through holes formed larger than the tape through holes at positions corresponding to the through holes formed in the tape, and after the bumps of the semiconductor material are received in the through holes of the tape, the stencil penetrates The adhesion state of the semiconductor material may be inspected by comparing the tolerance between the hole and the tape through hole and the position of the bump of the semiconductor material.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법에 의하면, 반도체칩 등의 반도체 자재 및 상기 반도체 자재가 어태칭될 어태칭 포지션(회로기판, 테이프)의 크기가 미세화되어도 어태칭 포지션의 위치오차를 정확하게 판단하여 정밀도를 향상시킬 수 있다. According to the attaching method of the semiconductor material attaching device according to the present invention, even if the size of a semiconductor material such as a semiconductor chip and the attaching position (circuit board, tape) to which the semiconductor material is to be attached is reduced, the position error of the attaching position It is possible to improve precision by accurately judging.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 비전유닛의 화각 내에 복수 개의 어태칭 포지션이 배치되도록 하고, 그 중 타겟 어태칭 포지션의 위치가 화각 내에 서로 다른 위치에 배치되도록 하여 촬상된 복수 개의 이미지로부터 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하므로 위치오차의 판단의 정확성이 향상될 수 있다. In addition, according to the semiconductor material attaching method according to the present invention, a plurality of attaching positions are arranged in the angle of view of the vision unit, and the positions of the target attaching positions are arranged at different positions within the angle of view. Since the position error of the target attaching position is determined from the images of the dog, the accuracy of the determination of the position error may be improved.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 화각 내 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 최적의 피치 간격으로 이동하면서 각각의 검사에서 얻은 중첩된 영상을 통해 비전 센터를 기준으로 하나의 타겟 어태칭 포지션이 좌상, 우상, 좌하, 우하 각각 다른 위치에서 검출되는 영상 정보를 획득할 수 있으므로, 하나의 타겟 어태칭 포지션에 대한 멀티샷 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 비전 검사시 기구적, 영상적, 위치적 결함을 배제할 수 있으므로 영상 불량을 줄이고 신뢰성있는 영상 정보를 얻을 수 있다.In addition, according to the method of attaching a semiconductor material according to the present invention, based on the vision center through the superimposed images obtained from each inspection while moving at the optimal pitch interval calculated according to the matrix information of the attachment target detected in the angle of view. Since one target attaching position can acquire image information detected at different positions in the upper left, upper right, lower left, and lower right, it is possible to obtain a multi-shot effect for one target attaching position and mechanically during vision inspection. In addition, image defects can be eliminated and reliable image information can be obtained because image and positional defects can be excluded.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법에 의하면, 반도체 자재 사이즈가 작아서 화각 내 검출되는 어태칭 대상(자재)가 많아질 경우에도 화각 내 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 최적의 피치 간격으로 비전을 이동시켜 비전 검사 위치를 다르게 함으로써, 비전 검사 속도를 단축시킬 수 있어 UPH(unit per hour)를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the method for attaching a semiconductor material according to the present invention, even when the size of the semiconductor material is small and the number of attaching targets (materials) detected in the angle of view increases, the optimal value calculated according to the matrix information of the attaching target detected in the angle of view By moving the vision at pitch intervals to change the vision inspection position, it is possible to shorten the vision inspection speed and improve UPH (unit per hour).

또한, 화각 내 검출 가능한 모든 어태칭 포지션을 검사하되, 샷간에 검사되는 타겟 어태칭 포지션을 중첩시켜 검출함으로써 한 자재에 대한 멀티샷 효과가 가능해지며, 멀티샷을 통해 검출된 위치들을 평균내어 보다 정확한 위치값 산출이 가능하며, 기구적인 오차값을 확인 및 오차값의 영향을 배제할 수 있다. In addition, it inspects all detectable attaching positions within the angle of view, but by overlapping and detecting the inspected target attaching positions between shots, a multi-shot effect for one material is possible, and the positions detected through multi-shots are averaged to make it more accurate. It is possible to calculate the position value, check the mechanical error value and exclude the influence of the error value.

또한, 검출된 여러샷의 촬영 영상들 중 특정위치에서의 촬영값이 좋지 않을 경우에는 해당 데이터를 필터링해서 사용하거나, 반복적으로 특정 위치값이 튀는 경우에는 특정 위치의 영상면(조도)에 문제가 있음을 알 수 있기 때문에 이를 반영하여 정확한 위치값을 산출할 수도 있고, 여러샷의 영상 모두에서 상이한 편차가 발생할 경우 해당 위치를 재얼라인하거나, 불량으로 간주하여 추후 공정에서 배제시킴으로써 불량을 사전에 방지할 수 있다. In addition, if the captured images of several detected shots are not good at a specific location, the data is filtered and used, or when a specific location value repeatedly bounces, a problem occurs in the image surface (illumination) at a specific location. Because it can be seen that there is, it is possible to reflect this and calculate the exact position value. If different deviations occur in all of the images of several shots, the corresponding position is re-aligned, or it is regarded as defective and is excluded from the later process to eliminate the defect in advance. Can be prevented.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법의 다른 실시예에 따르면, 자재의 옵셋검사 및 PBI(Post Bonding Inspection) 검사도 가능해진다. Further, according to another embodiment of the attaching method of the semiconductor material attaching apparatus according to the present invention, an offset inspection of a material and a Post Bonding Inspection (PBI) inspection are also possible.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 있어서, 반도체 자재를 어태칭하는 복수 개의 어태칭 포지션이 구비되는 어태칭 대상물의 평면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛이 어태칭 공정 전에 어태칭 포지션을 촬상하는 상태를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛 및 어태칭 대상물이 거치되는 어태칭 테이블이 상대 이송하며, 타겟 어태칭 포지션이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 어태칭 포지션이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 도 3의 비전유닛에 의하여 촬상된 복수의 이미지에서의 타겟 어태칭 포지션을 중첩시킨 이미지를 도시한다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프가 부착된 스탠실 부재의 부착홀의 단면도 및 상기 부착홀에 스퍼터링 대상 반도체 자재인 BGA 방식의 반도체칩이 부착된 상태의 단면도를 도시한다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛이 어태칭 공정 전에 본딩영역을 촬상하는 상태를 도시한다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛 및 웨이퍼가 거치되는 웨이퍼 테이블이 상대 이송하며, 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 본딩영역이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 있어서, 도 7의 비전유닛에 의하여 촬상된 복수의 이미지에서의 타겟 본딩영역을 중첩시킨 이미지를 도시한다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛의 어태칭 공정 전에 X축 방향으로 산출된 피치간격으로 이동하면서 본딩영역을 촬상하면서 중첩시킨 이미지를 도시한다.1 is a plan view of an attaching object provided with a plurality of attaching positions for attaching a semiconductor material in a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a state in which the vision unit captures an attaching position before the attaching process in the first embodiment of the present invention.
3 is a first embodiment of the present invention, the vision unit and the attaching table on which the attaching object is mounted are relative transfer, and the target attaching position is included in a state in which the target attaching positions are arranged at different positions. A process of capturing a plurality of images is shown.
FIG. 4 shows an image in which target attaching positions in a plurality of images captured by the vision unit of FIG. 3 are superimposed in the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of an attachment hole of a stencil member to which a sputtering tape is attached for a sputtering process, and a cross-sectional view of a state in which a BGA type semiconductor chip, which is a semiconductor material to be sputtered, is attached to the attachment hole in the first embodiment of the present invention. Shows.
6 is a diagram illustrating a state in which a vision unit of a semiconductor material attaching apparatus according to a second embodiment of the present invention captures an image of a bonding area before an attaching process.
7 is a diagram illustrating a vision unit of a semiconductor material attaching apparatus according to a second embodiment of the present invention and a wafer table on which a wafer is mounted relative to each other, and a target bonding area is included in a state in which the target bonding areas are disposed at different positions. A process of capturing a plurality of images is shown.
FIG. 8 shows an image obtained by superimposing target bonding regions in a plurality of images captured by the vision unit of FIG. 7 according to the second embodiment of the present invention.
9 illustrates an image of a bonding area being superimposed while moving at a pitch interval calculated in the X-axis direction before the attaching process of the vision unit of the semiconductor material attaching device according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents may be thorough and complete, and the spirit of the invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Throughout the specification, the same reference numbers indicate the same elements.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 어태칭 유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치(attaching device)가 반도체 자재를 픽업하여 어태칭하는 복수 개의 어태칭 포지션(110)이 구비되는 어태칭 대상물(100)의 평면도를 도시하며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 있어서, 비전유닛(200)이 어태칭 공정 전에 어태칭 포지션(110)의 위치오차 판단을 위하여 촬상하는 상태를 도시한다. 1 is an attaching object provided with a plurality of attaching positions 110 for picking up and attaching a semiconductor material by a semiconductor material attaching device having an attaching unit according to a first embodiment of the present invention ( 100) is a plan view, and FIG. 2 shows a state in which the vision unit 200 captures an image to determine a position error of the attaching position 110 before the attaching process in the first embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 자재 어태칭 방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 예를 들면, 기판에 본딩 대상 반도체 자재를 본딩하는 본딩장치이거나, 후속 공정을 위해 테이프에 반도체 자재를 부착하는 부착장치가 될 수도 있다. 또한, 스퍼터링 공정을 위하여 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스퍼터링 부재(S)에 스퍼터링 대상 반도체 자재를 본딩 또는 부착하기 위하여 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치가 될 수도 있으나, 이에 한정되지 않으며 반도체 공정 상에서 반도체 자재를 어태칭 대상물(100)에 어태칭 하는 경우에는 모두 적용이 가능하다. The semiconductor material attaching device used in the semiconductor material attaching method of the present invention may be, for example, a bonding device for bonding a semiconductor material to be bonded to a substrate, or an attachment device for attaching a semiconductor material to a tape for a subsequent process. have. In addition, it may be a semiconductor material attaching device used to bond or attach a semiconductor material to be sputtered to the sputtering member (S) to which the sputtering tape (t) is attached for the sputtering process, but is not limited thereto. In the case of attaching the material to the attachment object 100, all can be applied.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 방법은 반도체 자재를 기판이나 웨이퍼에 본딩하기 위한 제1어태칭방법과 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제2어태칭방법으로 크게 분류될 수 있다. The semiconductor material attaching method according to the present invention can be broadly classified into a first attaching method for bonding a semiconductor material to a substrate or a wafer, and a second attaching method for attaching a semiconductor material to a tape.

먼저, 본 발명의 제1어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재가 본딩되는 복수 개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하되, 상기 타겟 본딩영역이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛을 포함하며, 상기 회로기판과 상기 비전유닛은 상대 이동에 의해 이동 가능하게 구비되고, 상기 비전유닛이 FOV내에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치(pitch) 간격으로 이동하면서 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 한다. First, the semiconductor material attaching apparatus used in the first attaching method of the present invention includes: a circuit board having a plurality of bonding regions to which the semiconductor material is bonded; A table on which the circuit board is placed; And a vision unit that photographs a plurality of bonding areas adjacent to the target bonding area to which the semiconductor material is to be bonded, with one shot, and imaging the target bonding area a plurality of times so that the target bonding area is detected at different positions over several shots, The circuit board and the vision unit are provided to be movable by relative movement, and the vision unit is moved at a pitch interval calculated according to the matrix information of the attaching object detected in the FOV to image the bonding area. It is characterized.

여기에서 회로기판은 사각형 타입의 기판이 될 수도 있고, 웨이퍼가 될 수도 있다. Here, the circuit board may be a rectangular type substrate or a wafer.

본 발명에서 회로기판과 비전유닛은 상대 운동에 의해 이동하면서 촬상이 가능하다. 이때, 회로기판과 상기 비전유닛의 상대 운동은 회로기판이 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되는 상태에서 비전유닛이 고정타입이 될 수도 있고, 반대로 회로기판이 고정 타입이고, 비전유닛이 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수도 있으며, 회로기판이 X축(또는 Y축) 방향으로 이동 가능하고, 비전유닛이 Y축(또는 X축) 방향으로 이동 가능하게 구성하여 회로기판과 비전유닛이 각각의 일축 방향으로 상대 이동 함에 따라 촬상할 수도 있다. In the present invention, the circuit board and the vision unit can capture images while moving by relative motion. At this time, in the relative motion of the circuit board and the vision unit, the vision unit may be a fixed type while the circuit board is provided to be movable in the X-axis and Y-axis directions. Conversely, the circuit board is a fixed type, and the vision unit is The circuit board can be configured to be movable in the X-axis and Y-axis directions, and the circuit board can be moved in the X-axis (or Y-axis) direction, and the vision unit is configured to be movable in the Y-axis (or X-axis) direction. It is also possible to capture images as the vision unit moves relative to each other in the uniaxial direction.

이러한 구성은 작업자 및 장비의 구성에 따라 적절하게 변형하여 적용될 수 있다. This configuration can be appropriately modified and applied according to the configuration of workers and equipment.

본 발명에서 타겟 본딩영역이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수회 촬상한다는 것은 비전유닛의 화각 내에 들어오는 타겟 본딩영역(어태칭 영역)에 대하여 비전 센터를 중심으로 타겟 본딩영역이 좌상, 좌하, 우상, 우하에 각각 위치하는 것을 의미할 수 있다, 즉, 동일한 타겟 본딩영역에 대하여 비전 센터를 중심으로 좌상(왼쪽 상부), 우상(오른쪽 상부), 좌하(왼쪽 하부), 우하(오른쪽 하부) 부근에 타겟 본딩영역이 위치하도록 비전유닛과 회로기판의 상대 운동을 통해 복수회 촬상하고 이들의 영상을 통해 타겟 본딩영역의 위치를 정확하게 검출할 수 있게 된다.In the present invention, imaging multiple times so that the target bonding area is detected at different positions over several shots means that the target bonding area is centered on the vision center with respect to the target bonding area (attachment area) entering the angle of view of the vision unit. It can mean that they are located at the top right and bottom right, that is, around the top left (top left), top right (top right), bottom left (bottom left), and bottom right (bottom right) around the vision center for the same target bonding area. A plurality of images are captured through the relative motion between the vision unit and the circuit board so that the target bonding area is located in the image, and the position of the target bonding area can be accurately detected through the images.

본 발명의 제2어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 복수의 관통홀 중 검사하고자 하는 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관톨홀을 한 샷으로 촬상하되, 상기 타겟 관통홀이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛을 포함하며, 상기 테이블과 상기 비전유닛은 상대 이동이 가능하게 구비되며, 상기 비전유닛이 FOV내에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치 간격으로 상기 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 한다. A semiconductor material attaching device used in the second attaching method of the present invention includes a tape having a plurality of through holes for accommodating bumps of the semiconductor material, and attached to a stencil for a sputtering process of the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And a vision unit that photographs a plurality of tube toll holes adjacent to a target through hole to be inspected among the plurality of through holes as a single shot, and photographs the target through hole a plurality of times so that the target through hole is detected at different positions over several shots, The table and the vision unit are provided so as to be able to move relative to each other, and the vision unit is characterized in that the through hole is imaged at a pitch interval calculated according to matrix information of an attaching target detected in the FOV.

본 발명의 제 1어태칭방법 및 제2어태칭방법에 사용되는 반도체 자재 어태칭 장치는 여러샷에 걸쳐 타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀이 다른 위치에 검출되도록 비전유닛으로 복수 회 촬상할 때, 각각의 위치에서 2회 이상 반복 촬상할 수도 있다. 한자리에서 2회 이상 반복 촬상하는 경우 장비 구동 중 또는 외부 요인에 의해 장비에 가해지는 진동의 영향을 배제할 수 있어서 더욱 신뢰성있는 정확한 위치값을 획득할 수 있다. The semiconductor material attaching device used in the first attaching method and the second attaching method of the present invention is used to capture multiple images with a vision unit so that a target bonding area or a target through hole is detected at different positions over several shots, respectively. It is also possible to repeatedly image two or more times at the position of. In the case of repetitive imaging more than two times in one place, the influence of vibrations applied to the equipment during operation or by external factors can be eliminated, so that more reliable and accurate position values can be obtained.

최근에는 반도체칩 등의 반도체 자재의 크기가 미세화되고, 이를 어태칭 대상물(100)(회로기판 또는 테이프)에 어태칭하는 경우에도 기판의 단자 등의 크기가 미세화되므로 어태칭 공정의 정밀도가 요구된다. In recent years, the size of semiconductor materials such as semiconductor chips has been miniaturized, and even when attaching them to the object 100 (circuit board or tape), the size of terminals of the substrate is miniaturized, so the accuracy of the attaching process is required.

이와 같이, 어태칭 공정의 정밀도를 위하여, 일반적으로 반도체 자재의 반도체 자재 어태칭 장치는 반도체 자재가 어태칭될 타켓 어태칭 포지션(110)(타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀)을 촬상하여 어태칭 포지션(110)을 포함하는 이미지를 추출하기 위한 비전유닛(200)을 구비하고, 반도체 자재 어태칭 장치의 제어부는 반도체 자재를 어태칭 대상물(100)에 어태칭하기 전에 미리 설정된 기준치 만큼 비전유닛(200) 또는 어태칭 테이블을 이동시켜 타겟 어태칭 포지션을 촬상한다. 이때 비전유닛이나 어태칭 테이블의 X축, Y축, Z축 틀어짐(straightness, flatness, rolling, pitching, yawing) 때문에 미리 설정된 기준치로 이동한다 하더라도 작업 위치별로 비전유닛 FOV내에 오차가 생길 수 있으며, 기구적인 오차 또는 외부 환경의 변수로 인해 비전에서 검출 오류가 발생하고 반도체 자재를 잘못 본딩할 수 있는 문제가 생길 수도 있다. As described above, for the accuracy of the attaching process, in general, a semiconductor material attaching device made of a semiconductor material captures a target attaching position 110 (a target bonding area or a target through hole) to which the semiconductor material is to be attached, and the attaching position. A vision unit 200 for extracting an image including 110 is provided, and the controller of the semiconductor material attaching device includes the vision unit 200 as much as a preset reference value before attaching the semiconductor material to the attachment object 100. Alternatively, the attaching table is moved to capture a target attaching position. At this time, an error may occur in the FOV of the vision unit for each work position, even if the vision unit or the attaching table moves to a preset reference value due to the straightness, flatness, rolling, pitching, and yawing of the X-axis, Y-axis, and Z-axis. A detection error may occur in the vision due to a natural error or a variable in the external environment, and there may be problems that may lead to incorrect bonding of semiconductor materials.

따라서, FOV 내에 들어오는 반도체 자재를 검사시 기구적인 오차값으로 검사하는 위치 또는 FOV 영역 내의 검출 영역에 따라 다른 오차값이 생길 수 있기 때문에 본 발명에서는 멀티 포지션 검사를 통해 평균적인 오차값을 확보할 수 있다. Therefore, in the present invention, the average error value can be secured through multi-position inspection because different error values may occur depending on the location where the semiconductor material entering the FOV is inspected as a mechanical error value or the detection area in the FOV area. have.

따라서 위치별로 검출된 옵셋들의 평균 또는 보상치를 구하면 기구적인 부분에서 발생하는 오차의 영향을 줄일 수 있게 되고 정밀도를 확보할 수 있게 된다. Therefore, if the average or compensation value of the detected offsets for each position is obtained, the influence of the error occurring in the mechanical part can be reduced and precision can be secured.

이러한 본 발명의 검사방법은 비전 검사시 레퍼런스(reference)나 기준마크(fiducial)가 없어 상대 보정이 불가능한 경우에 특히 유용하다. 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 반복적으로 구하고, 위치별로 검출된 오차값의 보상값을 계산하고, 구해진 보상값을 사용함으로써 기구적인 부분에서 발생하는 오차를 없앨 수 있게 된다. The inspection method of the present invention is particularly useful when relative correction is impossible because there is no reference or fiducial during vision inspection. By repeatedly obtaining the position error of the target attaching position, calculating the compensation value of the error value detected for each position, and using the obtained compensation value, it is possible to eliminate errors occurring in the mechanical part.

여기서, 타켓 어태칭 포지션이란 반도체 자재가 부착되어야 할 복수 개의 어태칭 포지션 중 특정 순서에 어태칭 유닛에 의하여 반도체 자재가 부착될 목표 어태칭 포지션을 의미하는 것으로, 복수 개의 어태칭 포지션은 잠재적으로 타겟 어태칭 포지션이 될 수 있다. 본 발명에서 타겟 어태칭 포지션을 타겟 본딩영역 또는 타겟 관통홀이라 칭할 수 있다.Here, the target attaching position means the target attaching position to which the semiconductor material will be attached by the attaching unit in a specific order among the plurality of attaching positions to which the semiconductor material is to be attached, and the plurality of attaching positions are potentially targets. It can be an attaching position. In the present invention, the target attaching position may be referred to as a target bonding area or a target through hole.

최근에는 비전유닛(200)을 구성하는 이미지 소자 등의 화소, 해상도 또는 렌즈의 화각 등이 개량되고, 반도체 자재의 사이즈는 점점 작아지는 추세이므로 화각 내에 들어오는 자재의 개수가 증가되기 때문에 넓은 영역을 비전을 이용하여 정밀하게 검출하는 방법이 지속적으로 개발되고 있다. In recent years, the pixel, resolution, or angle of view of the lens, etc. of the image elements constituting the vision unit 200 have been improved, and the size of semiconductor materials has become increasingly smaller, so the number of materials entering the field of view increases. The method for precise detection using the is continuously developed.

종래에는 반도체 자재를 어태칭하기 위한 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하기 위하여 비전유닛(200)으로 타켓 어태칭 포지션을 촬상하는 경우, 촬상 결과의 품질의 편차 등으로 인해 하나의 화각(FOV) 내에 하나의 타겟 어태칭 포지션이 중심부에 배치된 상태에서 여러 번 촬상하여 타겟 어태칭 포지션의 위치오차를 판단하는 방법을 사용하였으나, 촬상 과정에서 빛의 방향 또는 그림자 등의 요인은 쉽게 변경되지 않으므로, 여러 번 동일한 타켓 어태칭 포지션을 촬상하여도 위치오차를 정확하게 판단하기 위한 이미지를 얻지 못하는 경우가 발생될 수 있었다. 또한, 각각의 타겟 어태칭 포지션을 각각 복수회 촬상함에 따라 수많은 타겟 어태칭 포지션을 복수회 검사하는데는 상당히 많은 시간이 소요되었다.Conventionally, in the case of imaging a target attaching position with the vision unit 200 in order to determine the positional error of the attaching position for attaching a semiconductor material, one within one field of view (FOV) due to variations in the quality of the imaged result. While the target attaching position of is placed in the center, the method of determining the positional error of the target attaching position was used several times, but factors such as the direction of light or shadow are not easily changed during the imaging process. Even if the same target attaching position is captured, an image for accurately determining the position error may not be obtained. In addition, as each target attaching position is imaged a plurality of times, it takes a considerable amount of time to inspect numerous target attaching positions a plurality of times.

그러나, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치는 비전유닛의 화각(fov) 내에 들어오는 반도체 자재를 모두 검사하되, 한 피치씩 이동한 상태에서 중첩된 검사의 멀티샷으로 정확성과 신뢰도를 더욱 높일 수 있다. 즉, 본 발명은 검사하고자 하는 타겟 어태칭 포지션과 인접한 복수 개의 어태칭 포지션을 한샷으로 촬상하되, 타겟 어태칭 포지션이 여러샷에 걸쳐 다른 위치(비전 센터를 중심으로 타겟 어태칭 포지션이 왼쪽 상부, 오른쪽 상부, 왼쪽 하부, 오른쪽 하부에 위치하도록)에 검출될 수 있도록 한 피치씩 이동하면서 복수 회 촬상함으로써 촬상시 조면 및 작업위치가 달라지게 되어 같은 검출오류를 배제할 수 있어 신뢰도 있는 검사가 가능해진다. However, the semiconductor material attaching device according to the present invention inspects all semiconductor materials entering the fov of the vision unit, but it is possible to further increase the accuracy and reliability by multi-shots of the superimposed inspection while moving one pitch at a time. . That is, the present invention captures a plurality of attaching positions adjacent to the target attaching position to be inspected in one shot, but the target attaching position is different over several shots (the target attaching position centered on the vision center is the upper left, By moving one pitch and taking multiple images so that they can be detected in the upper right, lower left, and lower right), the rough surface and working position are changed during imaging, so that the same detection error can be excluded, enabling reliable inspection. .

따라서, 본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치는 타켓 어태칭 포지션(110)의 위치오차를 정확하게 판단하기 위하여 상기 어태칭 대상물(100)에서 검사하고자 하는 타겟 어태칭 포지션과 인접한 복수 개의 타겟 어태칭 포지션을 한샷으로 촬상하되, 타겟 어태칭 포지션이 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 복수 회 촬상하는 비전유닛(200)을 포함할 수 있고, 상기 비전유닛은 상기 타겟 어태칭 포지션이 여러 샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 FOV에 검출되는 어태칭 대상의 행열 정보에 따라 산출된 피치만큼 이동하면서 촬상하여 샷간에 검사되는 어태칭 포지션의 중첩된 이미지를 획득할 수 있고 이에 의해 타겟 어태칭 포지션 간에 정확한 위치값을 산출할 수 있게 된다. Accordingly, in the semiconductor material attaching apparatus according to the present invention, in order to accurately determine the position error of the target attaching position 110, a plurality of target attaching positions adjacent to the target attaching position to be inspected on the attaching object 100 It is possible to image a single shot, but may include a vision unit 200 for imaging a plurality of times so that the target attaching position is detected at different positions over several shots, the vision unit is the target attaching position is different over several shots. The image is captured while moving by the calculated pitch according to the matrix information of the attaching target detected in the FOV to be detected at the position, thereby obtaining an overlapped image of the attaching position inspected between shots, thereby obtaining an accurate position value between the target attaching positions Can be calculated.

이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치로서, 도 1 내지 도 5를 참고로 설명한다. 제1실시예에서는 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제2어태칭장치를 예로 들어 설명한다. Hereinafter, an apparatus for attaching a semiconductor material according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. In the first embodiment, a second attaching device for attaching a semiconductor material to a tape will be described as an example.

앞서 어태칭 대상물은 회로기판이나 웨이퍼가 될 수도 있으며, 테이프가 부착된 링프레임일 수도 있고, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프가 부착된 스퍼터링부재 또는 스탠실 부재일 수 있지만, 도 1에서는 테이프(100)라 명명할 수 있다. 테이프에는 복수 개의 관통홀(110)이 복수 개의 열과 행으로 배치되도록 구성될 수 있다. 여기서, 테이프는 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프로, 테이프를 지지하는 스퍼터링부재 또는 스탠실에 부착되어 있으며, 테이프 테이블에 재치된 상태로 공급될 수 있다. The attachment object may be a circuit board or a wafer, a ring frame with a tape attached thereto, a sputtering member or a stencil member with a sputtering tape for a sputtering process of a semiconductor material, but in FIG. It can be named (100). The tape may be configured such that a plurality of through holes 110 are arranged in a plurality of columns and rows. Here, the tape is a sputtering tape for a sputtering process of a semiconductor material, is attached to a sputtering member or stencil supporting the tape, and may be supplied while being mounted on a tape table.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에는 4개의 관통홀(110)이 촬상되며, 하나의 촬상 이미지에 4개의 관통홀(110)을 함께 포함되어 촬상한다. As shown in FIG. 2, four through-holes 110 are captured in the FOV of the vision unit 200 of the semiconductor material attaching device according to the first embodiment of the present invention, and one captured image The four through holes 110 are included together to capture an image.

상기 관통홀에는 반도체 자재의 볼면(범프)이 수용된 상태로, 반도체 자재의 테두리 부분이 테이프에 부착된다. 비전유닛에 의해 촬상되는 관통홀(110)은 도 2에 도시된 비전유닛(200)의 화각 내에 4개가 배치될 수 있고, 테이프가 재치되는 테이블의 이동 또는 비전유닛(200) 중 어느 하나가 이송되는 방법으로 한 피치씩 이동하면서 테이프 관통홀을 촬상하고, 샷 간에 관통홀을 중첩해서 검사함으로써 하나의 관통홀을 여러샷에 걸쳐 다른 위치에 검출되도록 촬상될 수 있음을 의미한다. In the through hole, a ball surface (bump) of a semiconductor material is accommodated, and an edge portion of the semiconductor material is attached to the tape. Four through-holes 110 photographed by the vision unit may be disposed within the angle of view of the vision unit 200 shown in FIG. 2, and either the movement of the table on which the tape is placed or the vision unit 200 is transferred. It means that one through hole can be imaged to be detected at different locations over several shots by photographing the tape through-hole while moving one pitch in a way that overlaps and inspects through-holes between shots.

즉, 이물질의 존재, 간섭, 빛의 방향 또는 그림자 등의 요인과 장치에서 발생되는 진동 등의 이유로 타겟 관통홀의 이미지가 정확하지 않은 경우, 도 2에 도시된 화각 내에서 타겟 관통홀의 위치가 바뀌도록 이송한 후 이를 촬상하여 타겟 관통홀의 위치오차 정보를 정확하게 판단할 수 있다. That is, when the image of the target through-hole is not accurate due to factors such as the presence of foreign matter, interference, light direction or shadow, and vibration generated by the device, the position of the target through-hole is changed within the angle of view shown in FIG. After transferring, it is possible to accurately determine the position error information of the target through hole by photographing it.

예를 들어, 복수의 이미지를 통해 타켓 관통홀의 위치 오차의 평균을 구하여 위치오차를 결정하거나, 특별하게 큰 오차값을 갖는 이미지는 촬영 과정에서 오류가 있는 것으로 판단하여 이를 배제 또는 필터링하여 양질의 데이터만을 위치오차 판단자료로 활용할 수 있다. For example, the position error is determined by obtaining the average of the position error of the target through-hole through a plurality of images, or an image with a particularly large error value is determined to have an error in the photographing process and is excluded or filtered to provide high-quality data. Bay can be used as the data for determining positional error.

본 발명의 제1실시예에서는 비전유닛의 화각이 2행 X 2열로 한 샷에4개의 관통홀의 이미지를 검출할 수 있기에 한 피치씩 이동하면서 중첩된 영상을 획득하였으나, 비전유닛의 화각에 한번에 들어오는 관통홀의 행열 정보에 따라 촬영 간격은 다를 수 있다.In the first embodiment of the present invention, since images of four through holes in one shot can be detected in two rows by two columns of the vision unit, an overlapped image is acquired while moving one pitch at a time. The shooting interval may be different according to the matrix information of the through hole.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200) 및 테이프(100)가 거치되는 테이블이 이송하며, 테이프에 형성된 타겟 관통홀(tap)이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 관통홀(tap)이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한다. 3 is a table in which the vision unit 200 and the tape 100 of the semiconductor material attaching device according to the first embodiment of the present invention are transferred, and target through holes formed in the tape are at different positions. It shows a process of capturing a plurality of images including a target through hole (tap) in the disposed state.

비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에 타겟 관통홀(tap)의 위치가 변경되도록 하는 방법으로 상기 테이블 및 상기 비전유닛(200) 중 적어도 하나는 X-Y 평면상에서 이송이 가능하도록 구성되면 된다. In a method of changing the position of the target through-hole (tap) within the FOV of the vision unit 200, at least one of the table and the vision unit 200 may be configured to be transportable on the X-Y plane.

상기 테이블 및 상기 비전유닛(200) 중 하나의 구성이 X-Y 평면상에서 이송하게 구성될 수도 있으나, 상기 비전유닛(200)이 X축(또는 Y축) 방향으로 이송하고, 상기 테이블이 Y축(또는 X축) 방향으로 이송하도록 구성되어 비전유닛과 테이블이 서로 상대이동 가능하게 구성될 수도 있다. One of the table and the vision unit 200 may be configured to be transferred on the XY plane, but the vision unit 200 is transferred in the X-axis (or Y-axis) direction, and the table is Y-axis (or X-axis) direction may be configured so that the vision unit and the table can move relative to each other.

도 3에 도시된 실시예에서, 상기 비전유닛(200)은 X축 이송이 가능하고, 상기 테이프(100)가 거치된 어태칭 테이블은 Y축 방향 이송이 가능한 것으로 예를들어 설명한다. In the embodiment shown in FIG. 3, it will be described for example that the vision unit 200 can be transferred in the X-axis, and the attaching table on which the tape 100 is mounted can be transferred in the Y-axis direction.

도 3은 상기 타겟 관통홀(tap)이 비전유닛(200)의 화각(FOV) 내에 2행 2열 총 4개가 촬상되는 경우, 비전유닛(200) 또는 테이블의 이송에 따라 타겟 관통홀(tap)의 위치가 변화되며 촬상되는 과정을 도시하며, 도 4는 도 3에서 촬상되는 이미지들을 상기 타켓 관통홀(110)을 중심으로 중첩시킨 이미지를 도시한다. 3 is a target through-hole (tap) according to the transfer of the vision unit 200 or the table when the target through-hole (tap) is captured in a total of 4 2 rows and 2 columns within the field of view (FOV) of the vision unit 200 The position of is changed and an image is captured, and FIG. 4 shows an image in which the images captured in FIG. 3 are superimposed around the target through hole 110.

도 3(a)는 초기 조건에서 타겟 관통홀(tap)이 오른쪽 하부에 배치된 상태를 도시하며, Figure 3(a) shows a state in which the target through hole (tap) is disposed in the lower right under the initial condition,

도 3(b)는 도 3(a)에 도시된 상태에서 비전유닛(200)이 X축 방향 오른쪽으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 왼쪽 하부로 위치가 변경된 상태를 도시하며, 3(b) shows a state in which the vision unit 200 is transferred to the right in the X-axis direction in the state shown in FIG. 3(a) and the target through hole tap is changed to the lower left,

도 3(c)는 도 3(b)에 도시된 상태에서 어태칭 테이블이 Y축 방향 하방으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 왼쪽 상부로 위치가 변경된 상태를 도시하며, FIG. 3(c) shows a state in which the attaching table is transferred downward in the Y-axis direction in the state shown in FIG. 3(b), and the target through hole tap is changed to the upper left,

도 3(d)는 도 3(c)에 도시된 상태에서 비전유닛(200)이 X축 방향으로 왼쪽으로 이송되어, 상기 타겟 관통홀(tap)이 오른쪽 상부로 위치가 변경된 상태를 도시한다. 3(d) shows a state in which the vision unit 200 is moved to the left in the X-axis direction in the state shown in FIG. 3(c), and the target through hole tap is changed to the upper right.

즉, 이를 좌표화하여 표시하면, 상기 타겟 어태칭 관통홀(tap)은 화각 내의 왼쪽 하부의 포지션의 좌표를 (1, 1)로 가정하는 경우, 도 3(a), 도 3(b), 도 3(c) 및 도 3(d)의 좌표는 (1, 2), (1, 1), (2, 1) 및 (2, 2)로 4개의 좌표로 이동하는 효과를 얻을 수 있다. That is, when it is coordinated and displayed, when the coordinates of the lower left position in the angle of view are assumed to be (1, 1), the target attaching through hole (tap) is shown in FIGS. 3(a), 3(b), The coordinates of FIGS. 3(c) and 3(d) are (1, 2), (1, 1), (2, 1), and (2, 2).

본 발명의 제1실시예인 도 2 내지 도 4를 참조하면, 비전유닛의 FOV가 2행 X 2열인 경우 1피치씩 이동하면서 촬영하여 각각의 관통홀은 중첩되어 하나의 타겟 관통홀당4번의 멀티샷 효과가 있다. 만약 어태칭될 자재의 크기가 더 작아 비전유닛의 FOV가 3행X 3열인 경우에 1피치씩 이동하면서 촬영하는 경우에는 각각의 관통홀이 중첩되어 하나의 타겟 관통홀당 9번의 멀티샷 효과를 갖게된다. Referring to Figs. 2 to 4, which are the first embodiment of the present invention, when the FOV of the vision unit is 2 rows x 2 columns, photographs are taken while moving one pitch at a time, and each through hole is overlapped so that 4 multi-shots per target through hole. It works. If the size of the material to be attached is smaller and the FOV of the vision unit is 3 rows x 3 columns, when shooting while moving by 1 pitch, each through hole overlaps to have a multi-shot effect of 9 times per target through hole. do.

본 발명은 전술한 바와 같이, 하나의 타겟 관통홀(tap)을 하나의 화각 내에서 서로 다른 위치, 바람직하게는 비전센터를 기준으로 상하좌우의 4군데 위치(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 배치되도록 하여 여러 장의 이미지를 획득하여 이를 기초로 타켓 관통홀의 위치오차를 판단하는 경우, 그 위치오차의 판단의 정확성이 향상될 수 있는 것이다. In the present invention, as described above, one target through hole (tap) is at different positions within one angle of view, preferably at four positions (upper left, upper right, lower left, lower right) based on the vision center. When multiple images are acquired by arranging them and the positional error of the target through-hole is determined based on this, the accuracy of the determination of the positional error can be improved.

즉, 타켓 관통홀(110)이 화각 내부의 동일한 위치에 배치된 상태에서 여러 장의 이미지를 촬상하는 경우, 이물질, 광량, 빛의 방향 또는 그림자 등의 영향을 동일하게 받을 가능성이 크지만, 비전유닛(200)의 화각 내에 복수 개의 관통홀(110)이 함께 촬상될 수 있는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 비전유닛(200)의 화각 내에서 타겟 관통홀(tap)의 위치를 변경하며, 타겟 어태칭 포지션(tap)이 포함된 여러 장의 이미지를 통해 타겟 관통홀의 보다 정확한 위치를 판단할 수 있다. In other words, when multiple images are captured while the target through-hole 110 is disposed at the same position inside the angle of view, there is a high possibility that foreign matter, light amount, direction of light, or shadow are equally affected, but the vision unit When a plurality of through-holes 110 can be captured together within the field of view of 200, the position of the target through-hole (tap) within the field of view of the vision unit 200 is changed as shown in FIG. 3, and the target A more accurate position of the target through-hole can be determined through multiple images including the attaching position (tap).

도 4에 도시된 바와 같이, 총 4개의 촬상 이미지에서 상기 타겟 관통홀 (tap)의 상대적인 위치는 서로 다르지만 서로 다른 위치에 배치된 타켓 관통홀 (110)의 위치를 촬상하여 각각의 이미지에 반영된 오차를 비교 분석하여 반도체 자재를 어태칭하는 과정에서 위치오차를 수정하여 어태칭할 수 있다. As shown in FIG. 4, the relative positions of the target through-holes (tap) in a total of four captured images are different from each other, but the error reflected in each image by capturing the positions of the target through-holes 110 disposed at different positions In the process of attaching semiconductor materials by comparing and analyzing them, position errors can be corrected and attached.

따라서, 전술한 예에서, 상기 비전유닛(200)은 2행 X 2열의 관통홀(110)을 하나의 이미지로 촬상이 가능하고, 상기 비전유닛은 타켓 관통홀(110)이 2행 X 2열의 각각의 4개의 위치에 배치된 상태의 4개의 이미지를 획득하고 이들의 위치를 설정된 기준치와 비교하여 4개의 위치 오차값을 획득하게 된다. 이들의 위치 오차값 중에서 일부 촬영값 중 특정 위치에서 얻은 데이터값이 유독 오차범위를 벗어나거나 잘못 나왔을 경우에는 해당 위치 촬영시 장비의 구동 또는 검출면이 불균일하거나 파티클 등의 외부 요인으로 오차가 발생한 것으로 간주하고, 해당 위치 데이터값은 필터링해서 사용하면 된다. 만약 4개의 위치 오차값이 모두 편차가 있을 경우에는 다시 검사를 수행해보거나, 해당 포지션에 문제가 있음을 간주하고 해당 포지션에는 추후 반도체 자재 부착을 생략함으로써 자재 낭비 및 불량을 최소화할 수 있다. Therefore, in the above-described example, the vision unit 200 can take an image of the through holes 110 of 2 rows x 2 columns as a single image, and the vision unit has a target through hole 110 of 2 rows x 2 columns. Four images of the state arranged at each of the four positions are acquired, and four position error values are obtained by comparing their positions with a set reference value. Among these position error values, if the data value obtained at a specific position among some of the photographing values is out of the toxic error range or is incorrectly displayed, the driving or detection surface of the equipment is uneven or the error occurred due to external factors such as particles. It is considered, and the location data value can be filtered and used. If there are deviations in all four position error values, it is possible to minimize material waste and defects by re-inspecting or by considering that there is a problem in the position and omitting the attachment of semiconductor materials to the position later.

정리하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재의 어태칭 방법은 반도체 자재를 어태칭할 타겟 관통홀(본딩영역) 및 상기 타겟 관통홀(본딩영역)과 인접한 어태칭 타겟 관통홀(본딩영역)이 비전유닛의 화각 내에 배치된 상태로 비전유닛으로 촬상하는 비전유닛 촬상단계, 타켓 관통홀(본딩영역)을 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치로 이송하는 타겟 이송단계, 상기 비전유닛 촬상단계에서 촬상된 이미지를 통해 상기 타켓 관통홀(본딩영역)의 위치오차를 판단하는 위치오차 판단단계; 상기 위치오차 판단단계의 판단 결과에 따라 반도체 자재를 어태칭하는 반도채 자재 어태칭 단계;를 포함하고, 상기 비전유닛 촬상단계 및 상기 타겟 이송단계는 복수 회 반복하여 수행되며, 상기 위치오차 판단단계는 상기 비전유닛 촬상단계에서 촬상된 복수 개의 이미지를 근거로 구해진 복수 개의 영상들의 위치값을 평균내어 타겟 관통홀(본딩영역)의 위치를 판단하는 방법을 사용하여 위치 판단의 정확성을 향상시키고, 정확하게 반도체 자재를 어태칭할 수 있다. In summary, the method of attaching a semiconductor material according to the first embodiment of the present invention includes a target through hole (bonding area) to which a semiconductor material is attached and an attaching target through hole (bonding area) adjacent to the target through hole (bonding area). ) Is placed within the vision unit's field of view and the vision unit imaging step, the target transfer step of transferring a target through hole (bonding area) to another position within the vision unit's field of view, and the vision unit imaging step A position error determination step of determining a position error of the target through hole (bonding area) through the captured image; A semi-conductor material attaching step of attaching a semiconductor material according to the determination result of the position error determination step, wherein the vision unit imaging step and the target transfer step are repeatedly performed a plurality of times, and the position error determination step is By using a method of determining the position of the target through hole (bonding area) by averaging the position values of the plurality of images obtained based on the plurality of images captured in the vision unit imaging step, the accuracy of the position determination is improved, and Materials can be attached.

이때, 비전유닛 촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들의 평균을 산출하여 위치값으로 설정할 수 있고, 각각의 위치값들을 통해 위치오차값을 산출할 수 있으며 이에 의해 위치 보상값을 구할 수도 있다. At this time, the average of a plurality of position values obtained by repeating the vision unit imaging step multiple times can be calculated and set as a position value, and a position error value can be calculated through each of the position values, thereby obtaining a position compensation value. have.

한편, 비전유닛 촬상단계를 복수 회 반복하여 얻은 복수 개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우 해당 데이터를 필터링 할 수 있으며, 반복적으로 특정 위치값이 튀는 경우에는 특정 위치의 영상면(조도)이 문제가 있음을 알 수 있기 때문에 이를 반영하여 정확한 위치값을 산출할 수도 있고, 복수의 데이터에서 모두 편차가 발생되는 경우에는 재검사를 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주할 수도 있다. On the other hand, if a specific bouncing position value is found among a plurality of position values obtained by repeating the vision unit imaging step multiple times, the data can be filtered. In the case of repeatedly bouncing a specific position value, the image surface at a specific position (illumination ) Since it can be seen that there is a problem, an accurate position value can be calculated by reflecting this, or if a deviation occurs in all of a plurality of data, a re-inspection can be performed or the corresponding position value can be regarded as defective.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스탠실 부재(S)의 부착홀의 단면도 및 상기 부착홀에 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에 의하여 스퍼터링 대상 반도체 자재인 BGA 방식의 반도체칩이 부착된 상태의 단면도를 도시한다. 5 is a cross-sectional view of an attachment hole of a stencil member S to which a sputtering tape t is attached for a sputtering process according to the first embodiment of the present invention, and a semiconductor material according to the first embodiment of the present invention in the attachment hole A cross-sectional view of a semiconductor chip of the BGA method, which is a semiconductor material to be sputtered, is attached by the attaching device.

전술한 바와 같이, 상기 반도체 자재는 볼전극이 저면에 구비된 BGA(Ball Grid Array) 방식의 반도체 자재이며, 상기 테이프(100)는 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 스퍼터링 테이프(t)가 부착된 스탠실 부재(S)이며, 상기 관통홀(110)은 상기 스퍼터링 테이프(t)와 상기 스탠실 부재(S)에 함께 형성된 반도체 자재의 볼전극면 관통을 위하여 형성된 복수 개의 홀일 수 있다. As described above, the semiconductor material is a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor material in which the ball electrode is provided on the bottom, and the tape 100 is a stand attached with a sputtering tape t for a sputtering process of the semiconductor material. The seal member S, and the through hole 110 may be a plurality of holes formed to penetrate the ball electrode surface of a semiconductor material formed together with the sputtering tape t and the stencil member S.

상기 스탠실 부재와 상기 스퍼터링 테이프(t)는 도 5(a)에 도시된 바와 같이 대응되는 위치에 홀(th, sh)을 형성하여 타켓 어태칭 포지션(110)으로서의 관통홀을 형성한다. 상기 스탠실 부재와 상기 스퍼터링 테이프(t)에 형성된 홀은 대응되는 위치에 형성되어 관통홀을 형성하지만 스퍼터링 테이프(t)에 형성된 홀의 크기가 더 작게 구성되어 스퍼터링 작업 중에 테이프에 형성된 홀 틈새로 누설되어 자재의 볼면에 스퍼터링 되는 것을 막을 수 있고, 혹시라도 누설된 스퍼터링 증착제로 스탠실 부재가 오염되는 것을 막을 수 있다. The stencil member and the sputtering tape t form a through hole as a target attaching position 110 by forming holes th and sh at corresponding positions as shown in FIG. 5(a). The stencil member and the hole formed in the sputtering tape (t) are formed at corresponding positions to form a through hole, but the size of the hole formed in the sputtering tape (t) is configured to be smaller and leaks into the gap formed in the tape during sputtering operation. As a result, sputtering on the ball surface of the material can be prevented, and contamination of the stencil member with the leaked sputtering evaporation agent can be prevented.

BGA(Ball Grid Array) 방식의 반도체 자재의 스퍼터링 공정시 반도체칩의 하면의 볼전극 또는 볼전극면이 스퍼터링되는 것을 방지하기 위하여 접착물질이 도포된 스퍼터링 테이프(t)에 관통홀을 형성하고 상기 관통홀 주변에 반도체칩의 저면 테두리가 부착되도록 하고 볼전극은 관통홀을 통해 하방으로 노출되도록 할 수 있다 In order to prevent sputtering of the ball electrode or the ball electrode surface of the bottom surface of the semiconductor chip during the sputtering process of the semiconductor material of the BGA (Ball Grid Array) method, a through hole is formed in the sputtering tape (t) coated with an adhesive material, and the through hole is formed. The bottom edge of the semiconductor chip can be attached around the hole, and the ball electrode can be exposed downward through the through hole.

즉, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체칩의 크기는 반도체칩 하면의 볼범프는 스퍼터링 되지 않고 반도체칩의 테두리 부분이 스퍼터링 테이프에 잘 부착될 수 있도록 스퍼터링 테이프의 관통홀의 크기보다 크게 구성되는 것이 바람직하다. 스퍼터링 부재에는 상기 테이프의 관통홀에 대응되는 위치에 테이프홀보다 약간 크게 형성된 관통홀이 복수 개 마련되어 있으며, 스퍼터링 부재의 관통홀과 테이프의 관통홀은 모두 직사각형의 개구이다. 또한, 스퍼터링 부재의 두께는 반도체칩의 범프의 두께와 대략 동일하거나 범프의 두께보다 약간 두껍게 형성된다. That is, as shown in Fig. 5(b), the size of the semiconductor chip is larger than the size of the through hole of the sputtering tape so that the ball bump on the lower surface of the semiconductor chip is not sputtered and the edge of the semiconductor chip is well attached to the sputtering tape. It is desirable to be largely configured. The sputtering member is provided with a plurality of through holes slightly larger than the tape holes at positions corresponding to the through holes of the tape, and both the through holes of the sputtering member and the through holes of the tape are rectangular openings. In addition, the thickness of the sputtering member is approximately equal to the thickness of the bump of the semiconductor chip or slightly thicker than the thickness of the bump.

한편, 본 발명에서 반도체칩이 테이프의 홀에 부착이 되면 테이프의 크기보다 큰 반도체칩에 의해 테이프의 홀을 검출할 수가 없다. 이를 위해 반도체 자재가 부착된 후에는 부착된 자재를 뒤집을 경우 스탠실의 테두리와 스퍼터링 테이프의 테두리를 모두 검출할 수 있기 때문에 스탠실과 테이프의 외곽을 각각 추출하여 이들의 공차를 검출하여 재검증이 가능하다. 또한 스탠실의 외곽으로부터 반도체 칩의 범프를 함께 검사함으로써 본딩 후의 PBI(Post Bonding Inspection) 검사도 가능해진다. On the other hand, in the present invention, when a semiconductor chip is attached to a hole in a tape, a hole in the tape cannot be detected by a semiconductor chip larger than the size of the tape. To this end, if the attached material is turned over after the semiconductor material is attached, both the edges of the stencil and the sputtering tape can be detected. Therefore, the outer edges of the stencil and the tape can be extracted and their tolerances can be detected and re-verified. Do. In addition, PBI (Post Bonding Inspection) inspection after bonding becomes possible by inspecting the bumps of semiconductor chips from the outside of the stencil together.

상기 비전유닛 촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인한다. 최초 설정범위 이내의 범위에 있을 경우에는 스탠실의 관통홀에 테이프 관통홀이 잘 맞게 형성되어 있는지를 판단할 수 있다. 만약 최초 설정범위를 벗어난 경우에는 스탠실의 관통홀에 테이프 관통홀이 불량으로 형성된 경우이거나, 비전이 잘못 촬영한 경우이므로 재검사를 수행한다. 재검사를 수행한 이후에도 스탠실의 관통홀과 테이프 관통홀의 공차가 맞지 않는 경우에는 불량으로 간주하여 상기 관통홀에는 반도체 자재를 부착하지 않는다. In the vision unit imaging step, an image of the outer periphery of the through-hole of the stencil and the outer periphery of the tape through-hole is extracted to obtain a tolerance between the through-hole of the stencil and the through-hole of the tape, and the obtained tolerance is within an initial set range. Make sure it is. If it is within the range of the initial setting, it can be determined whether the tape through hole is well formed in the through hole of the stencil. If it is out of the initial setting range, the tape through hole is defectively formed in the through hole of the stencil, or the vision is incorrectly photographed. If the tolerance between the through hole of the stencil and the through hole of the tape does not match even after the re-inspection is performed, it is regarded as defective and no semiconductor material is attached to the through hole.

또한, 상기 반도체 자재가 상기 테이프의 관통홀에 부착이 된 후에는 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 반도체 자재의 볼전극의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착상태 PBI(post bonding inspection) 검사를 수행할 수 있다. PBI검사시 또는 스탠실과 테이프의 외곽을 추출하고자 할 때는 복합 조명을 사용하여 검사시 밝기를 조절함으로써 더욱 선명한 영상 획득이 가능하다. In addition, after the semiconductor material is attached to the through hole of the tape, the tolerance between the through hole of the stencil and the through hole of the tape is compared with the position of the ball electrode of the semiconductor material, bonding inspection) inspection can be performed. In the case of PBI inspection or when you want to extract the outside of the stencil and tape, it is possible to obtain a clearer image by adjusting the brightness during the inspection by using a compound lighting.

앞서, 도 1 내지 도 5를 참고하여 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치를 설명하였으나, 이하에서는 도 6내지 도 9를 참고하여 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치를 설명한다.Previously, the semiconductor material attaching apparatus according to the first embodiment of the present invention was described with reference to FIGS. 1 to 5, but hereinafter, the semiconductor material attaching apparatus according to the second embodiment of the present invention was described with reference to FIGS. 6 to 9. Describe the tagging device.

본 발명의 제2실시예는 본딩될 자재의 크기가 작아 비전유닛의 화각에 여러 개의 부착영역이 들어오는 경우 각각의 본딩영역에 대한 영상을 제1실시예와 같이 1피치씩 이동하면서 영상을 획득하는데는 많은 검사시간이 소요되기 때문에 자재가 본딩될 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 피치 간격만큼 이동하면서 영상을 획득할 수 있는 최적의 검사방법이다.In the second embodiment of the present invention, when the size of the material to be bonded is small and several attachment areas enter the angle of view of the vision unit, the image for each bonding area is moved by one pitch as in the first embodiment to obtain an image. Since it takes a lot of inspection time, it is an optimal inspection method that can acquire an image while moving the material by the pitch interval calculated according to the matrix information of the bonding area to be bonded.

참고로, 제1실시예에서는 반도체 자재를 테이프에 부착하기 위한 제 2어태칭장치의 어태칭 방법을 설명하였으나, 제 2실시예에서는 반도체 자재를 웨이퍼(100')에 본딩하기 위한 제1어태칭장치의 어태칭 방법을 예로들어 설명하고자 한다.For reference, in the first embodiment, the attaching method of the second attaching device for attaching the semiconductor material to the tape has been described, but in the second embodiment, the first attaching for bonding the semiconductor material to the wafer 100' The attaching method of the device will be described as an example.

또한, 제1실시예에서 비전유닛의 화각(fov) 내에는 2행 X 2열의 어태칭 대상이 한 샷에 검출되지만, 제2실시예에서는 3행 X 3열의 어태칭 대상이 한 샷에 검출되는 경우를 나타내었다. 제1실시예와 중복되는 내용은 생략한다.In addition, in the first embodiment, in the field of view (fov) of the vision unit, 2 rows X 2 columns of attaching targets are detected in one shot, but in the second embodiment, 3 rows X 3 columns of attaching targets are detected in one shot. The case was shown. Contents overlapping with the first embodiment will be omitted.

도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 비전유닛(200')의 화각(fov) 내에는 3행 X 3열로 9개의 본딩영역(110')이 촬상되며, 하나의 촬상 이미지에 9개의 본딩영역(110')이 함께 포함되어 촬상한다.As shown in FIG. 6, 9 bonding areas 110' are imaged in 3 rows by 3 columns within the angle of view fov of the vision unit 200' of the semiconductor material attaching device according to the second embodiment of the present invention. Then, nine bonding regions 110' are included in one captured image to capture an image.

상기 본딩영역(110')에는 각각의 반도체 칩이나 반도체 자재가 부착되는 곳으로 웨이퍼(또는 기판)와 칩(자재)의 정확한 전기적 연결이 수행되기 때문에 정밀하고 정확한 본딩을 위하여 본딩영역(어태칭 포지션)의 정확한 위치 정보를 검출하는 것이 중요하다. 그러나 앞서 설명한 바와 같이 본딩영역의 정확도 판단을 위해 각각의 본딩영역을 하나씩 복수회 촬상할 경우에는 정밀도 검사에 많은 시간이 소요될 수 밖에 없고, 작업위치, 조면, 또는 기구적 오차값에 의해 타겟 본딩영역(tap)의 위치에 따라 검출된 영상에 결함이 있을 수 있으므로, 화각 내 검출 가능한 모든 본딩영역(110')을 검사하되, 샷간에 검사되는 타겟 본딩영역을 중첩시켜 검출함으로써 타겟 본딩영역에 대한 멀티샷 효과를 얻을 수 있게 되는 것이다.The bonding area 110 ′ is a place where each semiconductor chip or semiconductor material is attached, and since an accurate electrical connection between the wafer (or substrate) and the chip (material) is performed, the bonding area (attaching position) is performed for precise and accurate bonding. ) It is important to detect the exact location information. However, as described above, in the case of imaging each bonding area multiple times one by one to determine the accuracy of the bonding area, it takes a lot of time to check the accuracy, and the target bonding area is determined by the working position, roughness, or mechanical error value. Since there may be defects in the detected image depending on the position of the (tap), all detectable bonding areas 110 ′ within the angle of view are inspected, but the target bonding area to be inspected is overlapped between shots to detect multiple target bonding areas. You can get a shot effect.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에서, 비전유닛의 화각 내에 웨이퍼에 형성된 본딩영역이 서로 다른 위치에 배치된 상태에서 타겟 본딩영역이 포함된 복수의 이미지를 촬상하는 과정을 도시한 것이다. 7 is a semiconductor material attaching apparatus according to a second embodiment of the present invention, for capturing a plurality of images including a target bonding area while the bonding areas formed on the wafer are disposed at different positions within the angle of view of the vision unit. It shows the process.

이때 비전유닛의 화각 내에 타겟 본딩영역의 위치가 변경되도록 하는 방법으로 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 테이블과 비전유닛 중 적어도 하나는 X-Y 평면 상에서 이송이 가능하도록 구성된다.At this time, at least one of the wafer table and the vision unit on which the wafer is placed is configured to be transferred on the X-Y plane in a manner that changes the position of the target bonding area within the angle of view of the vision unit.

웨이퍼 테이블과 비전유닛(200') 중 하나의 구성이 X-Y 평면상에서 이송 가능하게 구성될 수도 있고, 웨이퍼 테이블은 Y축(또는 X)축, 비전유닛(200')은 X축(또는 Y축) 방향으로 이송 가능하게 구성될 수도 있다. 따라서, 비전유닛과 웨이퍼 테이블은 서로 상대 이동이 가능하게 구비된다. One of the wafer table and the vision unit 200' may be configured to be transportable on the XY plane, the wafer table is the Y axis (or X) axis, and the vision unit 200' is the X axis (or Y axis) It may be configured to be transportable in the direction. Therefore, the vision unit and the wafer table are provided to be able to move relative to each other.

도 7에 도시된 제2실시예에서, 상기 비전유닛(200')은 X축 이송이 가능하고, 웨이퍼가 거치된 웨이퍼 테이블은 Y축 이송이 가능한 것으로 예를들어 설명한다.In the second embodiment illustrated in FIG. 7, the vision unit 200 ′ can be transferred in the X-axis, and the wafer table on which the wafer is mounted can be transferred in the Y-axis.

도 7은 타겟 본딩영역이 비전유닛(200')의 화각(fov) 내에서 3행 X 3열로 총 9개가 촬상되는 경우, 비전유닛 또는 웨이퍼 테이블의 이송에 따라 타겟 본딩영역의 위치가 변화되며 촬상되는 과정을 도시하며, 도 8은 도 7에서 촬상되는 이미지들을 타겟 본딩영역을 중심으로 중첩시킨 이미지를 도시한다.7 shows that when a total of 9 target bonding areas are imaged in 3 rows by 3 columns within the angle of view (fov) of the vision unit 200 ′, the position of the target bonding area is changed according to the transfer of the vision unit or the wafer table. 8 shows an image in which the images captured in FIG. 7 are superimposed around a target bonding area.

도 7(a)는 초기 조건에서 타겟 본딩영역이 우측 하부에 배치된 상태를 도시하고, 7(a) shows a state in which the target bonding area is disposed in the lower right under the initial condition,

도 7(b)는 도 7(a)에 도시된 상태에서 비전유닛(200')이 X축 방향으로 우측으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 좌측 하부에 배치된 상태를 도시하며,FIG. 7(b) shows a state in which the vision unit 200' is transferred 2 pitches to the right in the X-axis direction in the state shown in FIG. 7(a), and the target bonding area is disposed in the lower left,

도 7(c)는 도 7(b)에 도시된 상태에서 웨이퍼 테이블이 Y축 방향으로 하방으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 좌측 상부에 배치된 상태를 도시하며,FIG. 7(c) shows a state in which the wafer table is transferred 2 pitches downward in the Y-axis direction in the state shown in FIG. 7(b) so that the target bonding area is disposed in the upper left,

도 7(d)는 도 7(c)에 도시된 상태에서 비전유닛이 X축 방향으로 좌측으로 2피치 이송하여 타겟 본딩영역이 우측 상부에 배치된 상태를 도시한다.FIG. 7(d) shows a state in which the vision unit is transferred 2 pitches to the left in the X-axis direction in the state shown in FIG. 7(c) so that the target bonding area is disposed in the upper right.

즉, 이를 좌표화하여 표시하면, 타겟 본딩영역은 화각 내의 좌측 하부의 포지션의 좌표를 (1,1)로 가정하는 경우 도 7(a)는 (1,3), (1,1), (3,1) 및 (3,3)의 4개의 좌표로 이동하는 효과를 얻을 수 있다.In other words, if this is coordinated and displayed, when the coordinates of the lower left position within the angle of view are assumed to be (1,1) in the target bonding area, Fig. 7(a) shows (1,3), (1,1), ( The effect of moving to the four coordinates of 3,1) and (3,3) can be obtained.

앞서 도 1내지 도 4에 따른 제1실시예에서는 비전유닛(200)의 FOV가 2행X 2열인 경우를 도시하여 각각의 관통홀이 중첩되어 하나의 본딩영역(110')당 4번의 멀티샷 효과를 가지며, 도 6 내지 도 9에 따른 제 2실시예에서는 비전유닛(200')의 FOV가 3행X 3열인 경우이다.In the first embodiment according to FIGS. 1 to 4 above, the FOV of the vision unit 200 is 2 rows by 2 columns, so that each through hole is overlapped so that 4 multi-shots per bonding area 110' It has an effect, and in the second embodiment according to FIGS. 6 to 9, the FOV of the vision unit 200' is 3 rows by 3 columns.

비전유닛(200')의 FOV가 3행X 3열인 경우에는 2피치씩 이동하면서 촬영하여 마찬가지로 각각의 본딩영역(110')이 중첩되어 하나의 타겟 본딩영역 당 동일하게 4번의 멀티샷 효과를 갖게된다. 이때 4번이라 함은 동일한 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에서 검출되도록 비전센터를 기준으로 상하좌우(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 위치한 영상을 획득하는 것을 의미한다.When the FOV of the vision unit 200' is 3 rows x 3 columns, the image is taken while moving 2 pitches, so that each bonding area 110' is overlapped to have the same multi-shot effect per target bonding area 4 times. do. At this time, number 4 means acquiring images located up, down, left and right (top left, top right, bottom left, bottom right) based on the vision center so that the same target bonding area is detected at different locations.

비전 중심 라인에 위치한 본딩영역(110')의 경우에는 작업위치에 따른 옵셋값이 적어 정확한 위치값 획득이 가능하지만 각각 외곽에 위치한 본딩영역(110')은 위치에 따라 기구적, 광학적 옵셋값이 생길 수 있기 때문에 동일한 본딩영역(110')이 서로 다른 위치(좌상, 우상, 좌하, 우하)에 배치된 상태에서 각각의 위치에서 얻은 영상들을 중첩하여 해당 타겟 본딩영역에 대한 정확한 위치 정보를 획득할 수 있다. 또한, 타겟 본딩영역에서 각각 서로 다른 위치에서 검출된 여러장의 이미지를 획득할 수 있다. 따라서 본딩영역의 행열 정보에 따라 산출된 피치 간격만큼 이동하면서 영상을 획득하면 검사시간을 단축시켜 UPH를 향상시키면서도 각각의 본딩영역 본딩영역(110')에 대한 정밀한 위치 판단이 가능해진다.In the case of the bonding area 110' located on the vision center line, the offset value according to the work position is small, so it is possible to obtain an accurate position value. However, the bonding areas 110' located in the outer side each have mechanical and optical offset values depending on the position. Since the same bonding area 110' is disposed at different locations (top left, top right, bottom left, bottom right), images obtained from each location are overlapped to obtain accurate location information for the target bonding area. I can. In addition, it is possible to obtain multiple images detected at different positions in the target bonding area. Accordingly, if an image is acquired while moving by the pitch interval calculated according to the matrix information of the bonding area, the inspection time is shortened and the UPH is improved, and a precise position determination for each bonding area bonding area 110' is possible.

한편, 본 발명의 제2실시예에서 피치를 산출하는 방법은 다음과 같다. 일반적으로 fov 는 정방형 원 형태로 영상을 검출하게 되며, fov 에 검출되는 자재는 자재의 형상에 따라 M행 X N열의 영상을 얻을 수 있다.Meanwhile, a method of calculating the pitch in the second embodiment of the present invention is as follows. In general, fov detects an image in the form of a square circle, and the material detected in fov can obtain an image of M rows X N columns according to the shape of the material.

이때 M과 N은 정수이며, 짝수일 수도 있고, 홀수일 수도 있다.At this time, M and N are integers, and may be even or odd.

M이 짝수인 경우에는 M/2 열 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있고, M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 타겟 포지션의 영상을 획득할 수 있다. 마찬가지로 N이 짝수인 경우에는 N/2 행 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있고, N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있다.When M is an even number, an image of the target bonding area can be acquired while moving by the M/2 column interval, and when M is an odd number, an image of the target position can be obtained by moving by the (M+1)/2 column interval. I can. Similarly, when N is an even number, an image of the target bonding area can be acquired while moving by N/2 row intervals, and when N is an odd number, the image of the target bonding area is moved by (N+1)/2 row interval. Can be obtained.

본 발명의 제2실시예에서는 3행X 3열인 경우로 각각 3의 홀수이므로 (3+1)/2= 2피치만큼 이동하면서 타겟 본딩영역의 영상을 획득할 수 있게 된다. In the second exemplary embodiment of the present invention, since each is an odd number of 3 in the case of 3 rows by 3 columns, it is possible to acquire an image of the target bonding area while moving by (3+1)/2=2 pitches.

마찬가지로 4행 X 4열인 경우에는 2피치씩 이동하면서 영상을 획득하게 되고, 5행 X 5열인 경우에는 3피치씩 이동하면서 영상을 획득할 수 있게 된다.Similarly, in the case of 4 rows by 4 columns, images are acquired while moving by 2 pitches, and in the case of 5 rows by 5 columns, images can be acquired by moving by 3 pitches.

참고로, 자재의 형상에 따라 비전의 FOV가 검출하는 M행의 수와 N열의 수는 서로 다를 수도 있다. 즉, 4행 X 3열의 영상을 검출하게 되는 경우에는 열 간격은 M이 짝수이므로 4/2=2피치씩 이동하면서 검출하고, 행 간격은 N이 홀수이므로 (3+1)/2=2피치씩 이동하면서 중첩되는 영상을 획득할 수 있다.For reference, depending on the shape of the material, the number of M rows and N columns detected by the FOV of vision may be different. That is, in the case of detecting an image of 4 rows X 3 columns, the column spacing is detected while moving by 4/2 = 2 pitches because M is an even number, and the row spacing is (3+1)/2 = 2 pitches because N is odd. It is possible to obtain an image that overlaps while moving gradually.

한편, 도 9에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 자재 어태칭 장치에서 비전유닛의 본딩 공전 전에 본딩영역(110')을 촬상하는 간격에 따른 타겟 본딩영역을 중첩시킨 이미지이며, 비전유닛(200')이 본딩영역(110')의 행열 정보에 따라 산출된 2피치 간격으로 X축 방향으로 피치 이동하면서 촬상한 이미지를 도시한 것이다.On the other hand, as shown in FIG. 9, in the semiconductor material attaching apparatus according to the second embodiment of the present invention, the target bonding area is superimposed according to the interval for imaging the bonding area 110' before the bonding revolution of the vision unit. , An image captured by the vision unit 200 ′ while pitch-moving in the X-axis direction at 2-pitch intervals calculated according to the matrix information of the bonding area 110 ′.

본 발명의 제2실시예에서 하나의 화각(fov) 에 3행 X 3열의 영상이 획득되며, M이 홀수이므로 (3+1)/2=2열 간격만큼 피치 이동하면서 영상을 획득하게 된다. X축 방향(우측)으로 이동하면서 웨이퍼의 1~3행에 대한 영상을 다 획득한 후에는 N이 홀수이므로 (3+1)/2=2행 간격만큼 테이블이 Y축 방향(하방)으로 2피치 이동한 후 이동한 후 비전 카메라를 X축 방향(좌측)으로 이동하면서 2열 간격으로 피치 이동하면서 웨이퍼의 3~5행에 대한 본딩영역의 영상을 획득하게 된다. 이러한 과정을 순차적으로 반복하면서 웨이퍼의 본딩영역의 영상을 수집하면 각각의 타겟 본딩영역에 대한 중첩된 영상을 획득할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, an image of 3 rows by 3 columns is obtained at one angle of view (fov), and since M is an odd number, the image is acquired while pitching by (3+1)/2=2 column intervals. After moving in the X-axis direction (right) and acquiring all the images for the 1st to 3rd rows of the wafer, the table is 2 in the Y-axis direction (downward) by (3+1)/2=2 row intervals because N is an odd number. After moving after the pitch movement, the vision camera is moved in the X-axis direction (left) and pitch-moved at intervals of two columns, thereby obtaining images of the bonding area for the 3rd to 5th rows of the wafer. By sequentially repeating this process and collecting the image of the bonding area of the wafer, an overlapped image of each target bonding area may be obtained.

참고로, 본 발명의 제1 및 제 2실시예에서는 설명의 편의를 위해 3행에 위치한 타겟 본딩영역을 기준으로 설명하였으나, 1,2행에 위치한 타겟 본딩영역을 검사하기 위해서는 1,2행에 위치한 타겟 본딩영역이 비전 센터를 기준으로 좌상, 우상, 좌하, 우하에 각각 위치한 영상을 얻을 수 있도록 본딩영역(110')이 존재하지 않는 외곽영역에서부터 촬영을 시작할 수도 있다.For reference, in the first and second embodiments of the present invention, the description was made based on the target bonding area located in row 3 for convenience of description. However, in order to check the target bonding area located in rows 1,2, rows 1 and 2 Shooting may be started from an outer area where the bonding area 110 ′ does not exist so that an image in which the target bonding area located is located at the top left, top right, bottom left, and bottom right of the vision center can be obtained.

본 발명에 따른 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법은 이와 같이 미세화된 크기의 반도체 자재의 본딩영역(110')의 위치오차를 비전유닛(200')으로 판단하여 어태칭 과정에서 위치오차가 수정되도록 하여 어태칭 공정의 후속 공정, 예를 들면 반도체 자재의 본딩공정 또는 스퍼터링 공정 등에서 제품의 불량 등을 최소화할 수 있다. In the attaching method of the semiconductor material attaching device according to the present invention, the position error of the bonding area 110 ′ of the semiconductor material of the micronized size is determined as the vision unit 200 ′, and the position error is corrected during the attaching process. By doing so, defects of products can be minimized in subsequent processes of the attaching process, for example, bonding processes of semiconductor materials or sputtering processes.

즉, 본 발명의 1실시예 및 2 실시예에서는 반도체 자재가 웨이퍼나 테이프에 부착하기 전에 각각 웨이퍼의 본딩영역, 테이프의 관통홀을 검사하는 예로 설명하였으나, 각각의 본딩영역에 반도체 칩이나 자재가 부착된 후 잘부착되었는지 PBI(post bonding inspection) 등의 검사에서도 동일한 방식으로 검사함으로써 검사 신뢰도를 높일 수 있게 된다.That is, in the first and second embodiments of the present invention, the bonding area of the wafer and the through hole of the tape are inspected respectively before the semiconductor material is attached to the wafer or tape, but the semiconductor chip or material is not included in each bonding area. Inspection reliability can be improved by inspecting in the same manner even in inspections such as PBI (post bonding inspection) whether it is well attached after attachment.

본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다. Although the present specification has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims described below. You will be able to do it. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, all should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

100 : 어태칭 대상물 100': 웨이퍼
110 : 어태칭 포지션 110': 본딩영역
tap : 타겟 어태칭 포지션(타겟 본딩 포지션)
200, 200' : 비전유닛
fov : 화각
sp : 반도체칩 100: object to be attached 100': wafer
110: attaching position 110': bonding area
tap: Target attaching position (target bonding position)
200, 200': Vision unit
fov: angle of view
sp: semiconductor chip

Claims (12)

반도체 자재가 본딩되는 복수 개의 본딩영역이 형성된 회로기판; 상기 회로기판이 재치되는 테이블; 및 상기 회로기판의 본딩영역을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서,
상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재가 본딩될 타겟 본딩영역과 인접한 복수 개의 본딩영역을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계;
상기 타겟 본딩영역을 촬상한 후 타겟 본딩영역이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계;
상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 제2촬상단계;
상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및
상기 획득된 복수개의 타겟 본딩영역의 영상들로부터 상기 타겟 본딩영역의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법.A circuit board having a plurality of bonding regions to which semiconductor materials are bonded; A table on which the circuit board is placed; And a vision unit for imaging a bonding region of the circuit board, comprising:
A first imaging step of capturing a plurality of bonding areas adjacent to a target bonding area to which the semiconductor material is to be bonded by the vision unit in one shot;
After imaging the target bonding area, transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the bonding area entering the view angle of the vision unit so that the target bonding area enters another position within the view angle of the vision unit;
A second imaging step of photographing the target bonding area with the vision unit while the vision unit or table is transferred at the calculated interval;
Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to obtain a plurality of images in which the target bonding regions are at different positions within the angle of view of the vision unit; And
And determining a location of the target bonding area from the obtained images of the plurality of target bonding areas. 반도체 자재의 범프가 수용되기 위한 복수의 관통홀이 형성되며, 상기 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위해 스탠실에 부착되는 테이프; 상기 테이프가 재치되는 테이블; 및 상기 테이프의 관통홀을 촬상하는 비전유닛을 구비하는 반도체 자재 어태칭 장치의 어태칭 방법으로서,
상기 비전유닛으로 상기 반도체 자재의 범프가 수용될 타겟 관통홀과 인접한 복수 개의 관통홀을 한 샷(shot)으로 촬상하는 제1촬상단계;
상기 타겟 관통홀을 촬상한 후 타겟 관통홀이 상기 비전유닛의 화각 내의 다른 위치에 들어오도록 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀의 행열정보에 따라 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블을 이송하는 단계;
상기 산출된 간격으로 비전유닛 또는 테이블이 이송된 상태에서, 상기 비전유닛으로 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 제2촬상단계;
상기 이송하는 단계 및 제2촬상단계를 복수회 반복하여 상기 비전유닛의 화각 내에서 상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수개의 영상을 획득하는 단계; 및
상기 획득된 복수개의 타겟 관통홀의 영상들로부터 상기 타겟 관통홀의 위치를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 자재 어태칭 방법. A tape having a plurality of through-holes for accommodating bumps of a semiconductor material, and attached to a stencil for a sputtering process of the semiconductor material; A table on which the tape is placed; And an attaching method of a semiconductor material attaching device including a vision unit for imaging the through hole of the tape,
A first imaging step of capturing a plurality of through-holes adjacent to a target through-hole in which the bump of the semiconductor material is to be accommodated by the vision unit in one shot;
After imaging the target through-hole, transferring the vision unit or the table at an interval calculated according to the matrix information of the through-hole entering the vision unit so that the target through-hole enters another position within the field of view of the vision unit;
A second imaging step of photographing the target through hole with the vision unit while the vision unit or table is transferred at the calculated interval;
Repeating the transferring step and the second imaging step a plurality of times to obtain a plurality of images in which the target through-holes are at different positions within the angle of view of the vision unit; And
And determining a location of the target through-hole from the obtained images of the plurality of target through-holes. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1촬상단계 및 상기 제2촬상단계는 각각의 위치에서 복수회 반복하여 촬상을 수행하며,
상기 획득된 복수개의 영상들로부터 상기 위치를 판단하는 단계는,
각각의 위치에서 복수회 반복하여 수행된 상기 제1촬상단계 및 상기 제2촬상단계에서 얻은 복수 개의 위치값들의 평균값으로 위치를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method according to claim 1 or 2,
The first imaging step and the second imaging step are repeated a plurality of times at each position to perform imaging,
Determining the location from the plurality of acquired images,
A method of attaching a semiconductor material, characterized in that the position is determined based on an average value of a plurality of position values obtained in the first and second image capturing steps repeatedly performed at each position a plurality of times. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1촬상단계 및 상기 제2촬상단계는 각각의 위치에서 복수회 반복하여 촬상을 수행하며,
상기 획득된 복수개의 영상들로부터 상기 위치를 판단하는 단계는,
복수회 반복하여 수행된 상기 제1촬상단계 및 상기 제2촬상단계에서 얻은 복수개의 위치값들 중에서 특정 튀는 위치값이 발견되는 경우에는 해당 데이터를 필터링하고,
복수회 반복하여 수행된 상기 제1촬상단계 및 상기 제2촬상단계에서 얻은 복수개의 위치값들 중에서 복수의 데이터에서 모두 상이한 편차가 발생되는 경우에는 재얼라인을 수행하거나, 해당 위치값을 불량으로 간주하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method according to claim 1 or 2,
The first imaging step and the second imaging step are repeated a plurality of times at each position to perform imaging,
Determining the location from the plurality of acquired images,
If a specific bouncing position value is found among a plurality of position values obtained in the first imaging step and the second imaging step repeatedly performed a plurality of times, the data is filtered,
If different deviations occur in all of the plurality of data among the plurality of position values obtained in the first imaging step and the second imaging step repeatedly performed a plurality of times, a re-alignment is performed, or the corresponding position value is deemed to be defective. A method of attaching a semiconductor material, characterized in that the 제1항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 M이 짝수인 경우에는 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하며,
상기 N이 짝수인 경우에는 N/2행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method of claim 1,
The bonding area entering the angle of view of the vision unit is formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
The second imaging step,
When the M is an even number, the target bonding area is imaged while moving by an M/2 column interval, and when the M is an odd number, the target bonding area is imaged while moving by a (M+1)/2 column interval,
When N is an even number, the target bonding area is imaged while moving by an interval of N/2 rows, and when the N is an odd number, the target bonding area is imaged while moving by an interval of (N+1)/2 rows. A method of attaching a semiconductor material, characterized in that. 제2항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 M이 짝수인 경우에는 M/2열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 M이 홀수인 경우에는 (M+1)/2 열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하며,
상기 N이 짝수인 경우에는 N/2행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하고, 상기 N이 홀수인 경우에는 (N+1)/2 행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법The method of claim 2,
Through holes entering the angle of view of the vision unit are formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
The second imaging step,
When the M is an even number, the target through-hole is photographed while moving by an interval of M/2 columns, and when the M is an odd number, the target through-hole is photographed while moving by an interval of (M+1)/2 columns,
When the N is an even number, the target through-hole is imaged while moving by an interval of N/2 rows, and when the N is an odd number, the target through-hole is photographed while moving by an interval of (N+1)/2 rows. Method for attaching semiconductor materials characterized by 제1항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 본딩영역은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 1열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하며, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 1행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 본딩영역을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method of claim 1,
The bonding area entering the angle of view of the vision unit is formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
The second imaging step,
The method of attaching a semiconductor material, characterized in that, while the vision unit or the table moves by one row interval, the target bonding area is imaged, and the vision unit or the table moves by one row interval to image the target bonding area. . 제2항에 있어서,
상기 비전유닛의 화각에 들어오는 관통홀은 M행 X N열로 형성되고,
상기 M, N은 정수이며,
상기 제2촬상단계는,
상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 1열 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하며, 상기 비전유닛 또는 상기 테이블이 1행 간격만큼 이동하면서 상기 타겟 관통홀을 촬상하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. The method of claim 2,
Through holes entering the angle of view of the vision unit are formed in M rows and XN columns,
M and N are integers,
The second imaging step,
The method of attaching a semiconductor material, characterized in that, while the vision unit or the table is moved by an interval of one row, the target through-hole is photographed, and the vision unit or the table is moved by an interval of one row, and the target through-hole is captured. . 제1항에 있어서,
상기 타겟 본딩영역이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 본딩영역이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method of claim 1,
In the step of acquiring a plurality of images in which the target bonding areas are at different positions, images in which the target bonding areas are located in the upper left, upper right, lower left, and lower right may be obtained based on the center of the vision unit. A method of attaching a semiconductor material, characterized in that the image is captured by the vision unit at intervals calculated so that an image is acquired. 제2항에 있어서,
상기 타겟 관통홀이 서로 다른 위치에 있는 복수 개의 영상을 획득하는 단계는 상기 비전유닛의 센터를 기준으로 상기 타겟 관통홀이 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부, 우측 하부에 위치하는 영상을 획득할 수 있도록 산출된 간격으로 상기 비전유닛 또는 테이블을 이동시키면서 비전유닛으로 촬상하여 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법. The method of claim 2,
In the step of obtaining a plurality of images in which the target through-holes are at different positions, images in which the target through-holes are located in the upper left, upper right, lower left, and lower right may be obtained based on the center of the vision unit. A method of attaching a semiconductor material, characterized in that, while moving the vision unit or the table at an interval calculated so that an image is captured by the vision unit to obtain an image. 제2항에 있어서,
상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며,
상기 비전유닛의 상기 제1촬상단계 또는 상기 비전유닛의 상기 제2촬상단계에서, 상기 스탠실의 관통홀의 외곽과 상기 테이프 관통홀의 외곽의 영상을 추출하여 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차를 획득하고, 획득된 공차가 최초 설정범위 이내인지 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method of claim 2,
The stencil has a plurality of through holes formed larger than the tape through holes at positions corresponding to the through holes formed in the tape,
In the first imaging step of the vision unit or the second imaging step of the vision unit, an image of an outer periphery of the through-hole of the stencil and an outer periphery of the tape through-hole is extracted, and the through-hole and the tape through-hole of the stencil are extracted. A method of attaching a semiconductor material, comprising acquiring a tolerance between and checking whether the obtained tolerance is within an initial setting range. 제2항에 있어서,
상기 스탠실은 상기 테이프에 형성된 관통홀에 대응되는 위치에 상기 테이프 관통홀보다 크게 형성된 관통홀이 복수개 구비되며,
상기 타겟 관통홀의 위치를 판단하는 단계 이후에, 판단된 위치에 따라 상기 반도체 자재의 범프를 상기 테이프의 관통홀에 수용시키는 단계; 및
상기 반도체 자재의 범프를 상기 테이프의 관통홀에 수용시킨 상태에서, 상기 스탠실의 관통홀과 상기 테이프 관통홀 간의 공차와 상기 관통홀에 수용된 상기 반도체 자재의 범프의 위치를 비교하여 반도체 자재의 부착 상태를 검사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 어태칭 방법.The method of claim 2,
The stencil has a plurality of through holes formed larger than the tape through holes at positions corresponding to the through holes formed in the tape,
After the step of determining the position of the target through hole, receiving the bump of the semiconductor material into the through hole of the tape according to the determined position; And
Attaching the semiconductor material by comparing the position of the bump of the semiconductor material accommodated in the through hole and the tolerance between the through hole of the stencil and the tape through hole in a state in which the bump of the semiconductor material is accommodated in the through hole of the tape A method for attaching a semiconductor material, further comprising the step of inspecting a state.
KR1020180078142A 2017-09-29 2018-07-05 Semiconductor Device Attaching Method KR102153168B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811074331.4A CN109616427B (en) 2017-09-29 2018-09-14 Semiconductor material attachment method
TW107132850A TWI784051B (en) 2017-09-29 2018-09-18 Semiconductor device attaching method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127855 2017-09-29
KR20170127855 2017-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190038280A KR20190038280A (en) 2019-04-08
KR102153168B1 true KR102153168B1 (en) 2020-09-07

Family

ID=66164341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180078142A KR102153168B1 (en) 2017-09-29 2018-07-05 Semiconductor Device Attaching Method

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102153168B1 (en)
TW (1) TWI784051B (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591951B1 (en) 2003-02-06 2006-06-20 가부시키가이샤 신가와 Die bonding method and apparatus
JP2014206547A (en) 2008-01-16 2014-10-30 オルボテック リミテッド Inspection of substrate using multiple cameras

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238984B1 (en) * 1997-08-26 2000-01-15 윤종용 Transfer apparatus & its method of leadframe
US6156625A (en) * 1998-03-07 2000-12-05 Texas Instruments Incorporated Partial semiconductor wafer processing using wafermap display
KR20060129791A (en) * 2005-06-13 2006-12-18 아주하이텍(주) System and method for optical automated inspection
CN103426787B (en) * 2012-05-08 2016-04-20 韩美半导体株式会社 Check the method for the printed circuit board (PCB) of semiconductor packages
TWI559423B (en) * 2014-11-04 2016-11-21 梭特科技股份有限公司 Die image capture device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591951B1 (en) 2003-02-06 2006-06-20 가부시키가이샤 신가와 Die bonding method and apparatus
JP2014206547A (en) 2008-01-16 2014-10-30 オルボテック リミテッド Inspection of substrate using multiple cameras

Also Published As

Publication number Publication date
TWI784051B (en) 2022-11-21
TW201916201A (en) 2019-04-16
KR20190038280A (en) 2019-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060016066A1 (en) Pick and place machine with improved inspection
US6671397B1 (en) Measurement system having a camera with a lens and a separate sensor
US20120327215A1 (en) High speed optical sensor inspection system
TWI444613B (en) Photograph inspecting device and photograph inspecting method
TW201631678A (en) Positional precision inspection method, positional precision inspection device, and position inspection unit
US20070003126A1 (en) Method and apparatus for evaluating a component pick action in an electronics assembly machine
JP2002310929A (en) Defect inspecting device
TWI516759B (en) Method of inspecting printed circuit board for semiconductor package
JPWO2020065850A1 (en) 3D measuring device
CN112577970A (en) Detection method, alignment method of detection equipment and detection equipment
KR102153168B1 (en) Semiconductor Device Attaching Method
KR101745883B1 (en) Apparatus and method for inspecting printed circuit boards
KR20220044741A (en) Wafer appearance inspection apparatus and method
TWI429902B (en) Method for inspecting bad marks on pcb and correcting difference of pcb, and mounting method thereof
JPH06140799A (en) Component mounting method
JP4867219B2 (en) Inspection device and positioning method of inspection device
CN109616427B (en) Semiconductor material attachment method
JP2008261667A (en) Substrate inspecting device and substrate inspection method
US8306313B2 (en) Method for placing at least one component provided with connection points on a substrate, as well as such a device
TWI449119B (en) Circuit board placement method
JP2008541489A (en) Method and apparatus for evaluating part picking motion of an electronic assembly machine
KR101325634B1 (en) Method for inspecting pcb of semiconductor packages
JP2007005690A (en) Inspection apparatus for semiconductor device and method for inspecting semiconductor device by using it
KR102430827B1 (en) Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device
WO2023157061A1 (en) Inspection device, mounting device, inspection method, and program

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant