KR20190035050A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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KR20190035050A
KR20190035050A KR1020170123832A KR20170123832A KR20190035050A KR 20190035050 A KR20190035050 A KR 20190035050A KR 1020170123832 A KR1020170123832 A KR 1020170123832A KR 20170123832 A KR20170123832 A KR 20170123832A KR 20190035050 A KR20190035050 A KR 20190035050A
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processing liquid
liquid
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nozzle
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KR1020170123832A
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이영일
박귀수
송길훈
방병선
이주동
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes: a support member supporting a substrate and rotationally provided thereon; and a processing liquid nozzle provided so as to mix processing liquid with silicon and supply the same to the substrate during a process of processing the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.

일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the etching process or the cleaning process of the substrate is largely carried out in a chemical treatment stage, a rinsing treatment stage, and a drying treatment stage. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 선택비 높게 기판을 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a substrate with high selectivity.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 처리액을 실리콘과 혼합하여 공급 가능하게 제공되는 처리액 노즐을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a support member rotatably supported to support a substrate; There is provided a substrate processing apparatus including a processing solution nozzle which is supplied to a substrate by mixing the processing solution with silicon in a process in which the substrate is processed.

또한, 상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공될 수 있다.Further, the substrate may be provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon.

또한, 상기 처리액은 인산을 포함할 수 있다.Further, the treatment liquid may contain phosphoric acid.

또한, 상기 처리액을 저장하는 처리액 탱크; 상기 실리콘을 제공하는 보조 처리액을 저장하는 보조 처리액 탱크; 일단이 상기 처리액 노즐에 연결되고, 상기 처리액 탱크에서 공급된 상기 처리액과 상기 보조 처리액 탱크에서 공급된 상기 보조 처리액이 혼합되도록 하는 메인 배관을 더 포함할 수 있다.A treatment liquid tank storing the treatment liquid; An auxiliary processing liquid tank storing an auxiliary processing liquid for providing the silicon; And a main pipe connected at one end to the treatment liquid nozzle and adapted to mix the treatment liquid supplied from the treatment liquid tank and the auxiliary treatment liquid supplied from the auxiliary treatment liquid tank.

또한, 실리콘을 포함하는 보조 처리액을 상기 기판으로 공급하는 보조 처리액 노즐을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a sub-process liquid nozzle for supplying a sub-process liquid containing silicon to the substrate.

또한, 상기 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 처리액 탱크; 실리콘을 포함하는 제1 보조 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 제1 보조 처리액 탱크; 상기 보조 처리액 노즐에 연결되는 제2 보조 처리액 탱크를 더 포함할 수 있다.A processing liquid tank storing the processing liquid and connected to the processing liquid nozzle; A first auxiliary processing liquid tank storing a first auxiliary processing liquid containing silicon and connected to the processing liquid nozzle; And a second auxiliary treatment liquid tank connected to the auxiliary treatment liquid nozzle.

또한, 일단이 상기 처리액 노즐에 연결되는 메인 배관; 상기 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 처리액 배관; 상기 제1 보조 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 제1 보조 처리액 배관; 및 상기 제2 보조 처리액 탱크와 상기 보조 처리액 노즐을 연결하는 제2 보조 처리액 배관을 더 포함할 수 있다.A main pipe having one end connected to the treatment liquid nozzle; A processing liquid pipe connecting the processing liquid tank and the other end of the main piping; A first auxiliary processing liquid pipe connecting the first auxiliary processing liquid tank and the other end of the main piping; And a second auxiliary processing liquid pipe connecting the second auxiliary processing liquid tank and the auxiliary processing liquid nozzle.

또한, 상기 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 처리액 탱크; 상기 보조 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐 및 상기 보조 처리액 노즐에 연결되는 보조 처리액 탱크를 포함할 수 있다.A processing liquid tank storing the processing liquid and connected to the processing liquid nozzle; And an auxiliary processing liquid tank storing the auxiliary processing liquid and connected to the processing liquid nozzle and the auxiliary processing liquid nozzle.

또한, 일단이 상기 처리액 노즐에 연결되는 메인 배관; 상기 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 처리액 배관; 상기 보조 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 제1 보조 처리액 배관; 및 상기 보조 처리액 탱크와 상기 보조 처리액 노즐을 연결하는 제2 보조 처리액 배관을 더 포함할 수 있다.A main pipe having one end connected to the treatment liquid nozzle; A processing liquid pipe connecting the processing liquid tank and the other end of the main piping; A first auxiliary processing liquid pipe connecting the auxiliary processing liquid tank and the other end of the main piping; And a second auxiliary processing liquid pipe connecting the auxiliary processing liquid tank and the auxiliary processing liquid nozzle.

또한, 설정 시간 동안 상기 처리액 노즐이 상기 처리액과 상기 실리콘의 혼합액을 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller for controlling the processing liquid nozzle so that the processing liquid nozzle supplies the mixed liquid of the processing liquid and the silicon during the set time.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 상기 기판으로 실리콘을 포함하는 보조 처리액을 공급하는 보조 처리액 노즐; 및 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a support member rotatably supported to support a substrate; A treatment liquid nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate; A sub-process liquid nozzle for supplying a sub-process liquid containing silicon to the substrate; And a controller may be provided.

또한, 상기 제어기는 상기 처리액 노즐에 의해 상기 처리액이 공급되고 설정 시간이 경과된 후 상기 보조 처리액이 공급되도록 상기 보조 처리액 노즐을 제어할 수 있다.Further, the controller can control the sub-process liquid nozzle so that the sub-process liquid is supplied after the process liquid is supplied by the process liquid nozzle and the set time has elapsed.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 질화 실리콘층을 갖는 기판을 식각하는 방법에 있어서, 상기 기판에 인산을 공급하여 상기 질화 실리콘을 식각하되, 상기 인산이 공급되는 과정에서 설정 시간 중첩되어 상기 기판으로 실리콘이 공급되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of etching a substrate having a silicon nitride layer, comprising the steps of: supplying phosphoric acid to the substrate to etch the silicon nitride, A substrate processing method in which silicon is supplied can be provided.

또한, 상기 실리콘은 상이 인산과 혼합되어 공급될 수 있다.Further, the silicon may be supplied in a mixed state with phosphoric acid.

또한, 상기 실리콘은 보조 처리액에 포함되어 상기 인산과 별개로 상기 기판에 공급될 수 있다.Further, the silicon may be included in the auxiliary processing solution and supplied to the substrate separately from the phosphoric acid.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 인산을 기판에 공급하는 처리액 공정; 상기 기판에 실리콘을 포함한 보조 처리액을 공급하는 보조 처리액 공정을 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a process for producing phosphoric acid, comprising: a treatment liquid step of supplying phosphoric acid to a substrate; And a sub-process liquid process for supplying an auxiliary process liquid containing silicon to the substrate.

또한, 상기 처리액 공정에서 상기 기판에 공급되는 상기 인산에 실리콘이 첨가될 수 있다.In addition, silicon may be added to the phosphoric acid supplied to the substrate in the process liquid process.

또한, 상기 보조 처리액 고정 후 상기 기판에 인산을 공급하는 후 처리액 공정을 더 포함할 수 있다.The method may further include a post-treatment liquid step of supplying phosphoric acid to the substrate after fixing the auxiliary treatment liquid.

또한, 상기 처리액 공정에 앞서 상기 기판으로 순수를 공급하는 프리 웨트 공정을 더 포함할 수 있다.Further, the apparatus may further include a pre-wet process for supplying pure water to the substrate prior to the process liquid process.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 선택비 높게 기판을 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing a substrate with a high selection ratio can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 처리액 노즐과 보조 처리액 노즐의 연결관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 처리액 노즐과 보조 처리액 노즐의 연결관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 기판이 처리되는 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 식각 공정을 나태 내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 기판의 처리 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 종래 기술에 따라 처리된 기판의 처리 상태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an example of a process chamber.
3 is a view showing the connection relationship between the treatment liquid nozzle and the auxiliary treatment liquid nozzle.
4 is a view showing the connection relationship between the treatment liquid nozzle and the auxiliary treatment liquid nozzle according to another embodiment.
5 is a flowchart showing a process of processing a substrate.
6 is a diagram illustrating an etch process in accordance with one embodiment.
7 is a view showing a processing state of a substrate according to the present invention.
8 is a view showing the processing state of the substrate processed according to the prior art.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 140, the carrier 130 housing the substrate W is positioned. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of the load ports 120 can be changed according to the process efficiency and the footprint condition of the process module 20 or the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may be varied. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 performs a cleaning process on the substrate W. The process chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Alternatively, each of the process chambers 260 may have the same structure. Alternatively, the process chambers 260 belonging to the same group may be the same, and the structures of the process chambers 260 belonging to different groups may be different from each other.

도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of a process chamber.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 컵(320), 지지 부재(340), 승강유닛(360), 처리액 공급 유닛(380), 보조 처리액 공급 유닛, 및 제어기(500)를 포함한다.2, the process chamber 260 includes a cup 320, a support member 340, a lift unit 360, a process liquid supply unit 380, an auxiliary liquid supply unit, and a controller 500 do.

제어기(500)는 후술하는 바와 같이 기판을 설정 공정에 따라 처리되도록 공정 챔버(260)의 구성 요소들을 제어한다.The controller 500 controls the components of the process chamber 260 to process the substrate according to a set-up process, as described below.

컵(320)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통, 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 부재(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(326a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,324,326)에 유입된 처리액들은 회수라인(322b,324b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The cup 320 provides a processing space in which the substrate W is processed. The cup 320 has a cylindrical shape with its top opened. The cup 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support member 340. The intermediate recovery bottle 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery bottle 322. The outer recovery cylinder 326 is provided in the form of an annular ring surrounding the intermediate recovery cylinder 324. A space 326a between the inner recovery bottle 322 and the intermediate recovery bottle 324 and a space 326b between the intermediate recovery bottle 324 and the outer recovery bottle 326. The inner space 322a of the inner recovery bottle 322, The intermediate recovery bottle 326a functions as an inlet through which the process liquid flows into the inner recovery bottle 322, the intermediate recovery bottle 324, and the outer recovery bottle 326, respectively. According to one example, each inlet may be located at a different height from each other. Collection lines 322b, 324b, and 326b are connected under the bottom of each of the collection bins 322, 324, and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery cylinders 322, 324 and 326 can be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b, 324b and 326b and reused.

지지 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 부재(340)는 스핀척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 스핀척(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀척(342)의 외측면은 단차지도록 제공된다. 스핀척(342)는 그 저면이 상부면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀척(342)의 외측면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1경사면(341)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1경사면(341)의 하단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2경사면(345)은 수평면(343)의 내측단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향경사진 방향을 향하도록 제공된다.The support member 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support member 340 has a spin chuck 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The spin chuck 342 has an upper surface that is generally provided in a circular shape when viewed from above. The outer surface of the spin chuck 342 is provided to be stepped. The spin chuck 342 is provided such that its bottom surface has a smaller diameter than the upper surface. The outer surface of the spin chuck 342 has a first inclined surface 341, a horizontal surface 343, and a second inclined surface 345. The first inclined surface 341 extends downward from the upper surface of the spin chuck 342. The horizontal surface 343 extends inward from the lower end of the first inclined surface 341. The second inclined surface 345 extends downward from the inner end of the horizontal surface 343. Each of the first inclined surface 341 and the second inclined surface 345 is provided so as to be inclined downwardly toward the center axis of the body.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pin 344 is spaced apart from the edge of the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the spin chuck 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 중심축에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 부재(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 스핀척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 부재(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the support pin 344 in the central axis of the spin chuck 342. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the spin chuck 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the support member 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the supporting position along the radial direction of the spin chuck 342. The standby position is a position far from the center of the spin chuck 342 as compared with the support position. The chuck pin 346 is placed in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded on the support member 340 and the chuck pin 346 is placed in the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

지지축(348)은 스핀척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지축(348)은 스핀척(342)의 아래에 위치된다. 지지축(348)은 회전축(347) 및 고정축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내축으로 제공되고, 고정축(349)은 외축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀척(342)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(347)은 구동부재(350)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀척(342)는 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정축(349)의 내측면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다. The support shaft 348 rotatably supports the spin chuck 342. The support shaft 348 is positioned below the spin chuck 342. The support shaft 348 includes a rotation shaft 347 and a fixed shaft 349. The rotary shaft 347 is provided as an inner shaft, and the fixed shaft 349 is provided as an outer shaft. The rotary shaft 347 is provided such that its longitudinal direction is directed to the third direction. The rotating shaft 347 is fixedly coupled to the bottom surface of the spin chuck 342. The rotary shaft 347 is rotatably provided by the driving member 350. The spin chuck 342 is provided to rotate together with the rotation shaft 347. The fixed shaft 349 has a hollow cylindrical shape surrounding the rotation shaft 347. The fixed shaft 349 is provided so as to have a larger diameter than the rotating shaft 347. The inner surface of the fixed shaft 349 is positioned apart from the rotary shaft 347. The fixed shaft 349 maintains a fixed state while the rotating shaft is rotated.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 부재(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 지지 부재(340)로부터 들어올려 질 때 지지 부재(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 지지 부재(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 to the support member 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is installed on the outer wall of the cup 320 and the bracket 362 is coupled with a moving shaft 364 which is vertically moved by a driver 366. The cup 320 is lowered so that the support member 340 protrudes to the upper portion of the cup 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the support member 340. [ In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W when the process is performed. Alternatively, the lifting unit 360 can move the support member 340 in the vertical direction.

처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. The treatment liquid supply unit 380 sprays the treatment liquid onto the substrate W. [ The treatment liquid supply unit 380 can spray the treatment liquid heated to the set temperature onto the substrate W to increase the treatment efficiency of the substrate W. [

처리액 공급 유닛은 지지축(386), 아암(382), 그리고 처리액 노즐(381)을 포함한다. 지지축(386)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(394)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(394)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강 운동할 수 있다. 아암(382)은 처리액 노즐(381)을 지지한다. 아암(382)은 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 처리액 노즐(381)이 고정 결합된다. 처리액 노즐(381)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 처리액 노즐(381)은 지지축(386)의 회전에 의해 공정위치와 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 처리액 노즐(381)이 지지 부재(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 처리액 노즐(381)이 공정위치를 벗어난 위치이다. The treatment liquid supply unit includes a support shaft 386, an arm 382, and a treatment liquid nozzle 381. The support shaft 386 is disposed on one side of the cup 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is provided in a vertical direction. The supporting shaft 386 is rotatable and movable by the driving member 394. Alternatively, the support shaft 386 can linearly move and move up and down in the horizontal direction by the driving member 394. The arm 382 supports the process liquid nozzle 381. The arm 382 is coupled to the support shaft 386, and the treatment liquid nozzle 381 is fixedly coupled to the bottom end surface. The treatment liquid nozzle 381 can be swung by the rotation of the support shaft 386. The treatment liquid nozzle 381 is movable to the process position and the standby position by the rotation of the support shaft 386. Here, the process position is the position where the process liquid nozzle 381 is opposed to the support member 340, and the standby position is the position where the process liquid nozzle 381 is out of the process position.

처리액은 인산(H3PO4)을 포함하도록 제공된다. 예를 들어, 처리액은 인산, 인산에 순수가 첨가되어 농도가 조정된 약액 등 일 수 있다. The treatment liquid is provided so as to contain phosphoric acid (H3PO4). For example, the treatment liquid may be phosphoric acid, a chemical liquid whose concentration is adjusted by adding pure water to phosphoric acid, and the like.

보조 처리액 공급 유닛(390)은 지지 부재(340)에 위치된 기판(W)으로 보조 처리액을 공급한다. The auxiliary processing liquid supply unit 390 supplies the auxiliary processing liquid to the substrate W positioned on the supporting member 340. [

보조 처리액 공급 유닛(390)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 보조 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. The auxiliary processing liquid supply unit 390 can jet the auxiliary processing liquid heated to the set temperature to the substrate W to increase the processing efficiency of the substrate W. [

보조 처리액 공급 유닛(390)은 지지축(396), 아암(392), 그리고 보조 처리액 노즐(391)을 포함한다. 지지축(396)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 지지축(396)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(396)은 구동부재(394)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(396)은 구동부재(394)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강 운동할 수 있다. 아암(392)은 보조 처리액 노즐(391)을 지지한다. 아암(392)은 지지축(396)에 결합되고, 끝단 저면에는 보조 처리액 노즐(391)이 고정 결합된다. 보조 처리액 노즐(391)은 지지축(396)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 보조 처리액 노즐(391)은 지지축(396)의 회전에 의해 공정위치와 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 보조 처리액 노즐(391)이 지지 부재(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 보조 처리액 노즐(391)이 공정위치를 벗어난 위치이다. The auxiliary processing liquid supply unit 390 includes a support shaft 396, an arm 392, and an auxiliary processing liquid nozzle 391. The support shaft 396 is disposed on one side of the cup 320. The support shaft 396 has a rod shape whose longitudinal direction is provided in the vertical direction. The supporting shaft 396 is rotatable and movable by the driving member 394. Alternatively, the support shaft 396 can linearly move and move up and down in the horizontal direction by the driving member 394. The arm 392 supports the auxiliary processing liquid nozzle 391. The arm 392 is coupled to the support shaft 396, and the auxiliary process liquid nozzle 391 is fixedly coupled to the bottom end surface. The auxiliary treatment liquid nozzle 391 can be swung by the rotation of the support shaft 396. [ The auxiliary treatment liquid nozzle 391 is movable to the process position and the standby position by the rotation of the support shaft 396. Here, the processing position is the position where the auxiliary processing liquid nozzle 391 is opposed to the supporting member 340, and the standby position is the position where the auxiliary processing liquid nozzle 391 is out of the processing position.

보조 처리액은 실리콘을 포함할 수 있다. 일 예로, 보조 처리액은 액상의 실리콘, 순수와 실리콘의 혼합액 등일 수 있다.The auxiliary treatment liquid may comprise silicon. For example, the auxiliary treatment liquid may be liquid silicon, a mixture of pure water and silicon, or the like.

순수(DIW) 노즐(400)은 기판으로 순수를 공급한다. 일 예로, 순수 노즐(400)은 처리액 공급 유닛(380)과 동일 또는 유사한 구조에 의해 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동 가능하게 제공될 수 있다.A pure water (DIW) nozzle 400 supplies pure water to the substrate. In one example, the pure nozzle 400 can be provided movably between the processing position and the standby position by a structure that is the same as or similar to the processing liquid supply unit 380. [

도 3은 처리액 노즐과 보조 처리액 노즐의 연결관계를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the connection relationship between the treatment liquid nozzle and the auxiliary treatment liquid nozzle.

도 3을 참조하면, 처리액 노즐(381)은 처리액 탱크(610) 및 제1 보조 처리액 탱크(620)에 연결된다. 처리액 탱크(610)는 설정 농도의 처리액을 저장하도록 제공된다. 제1 보조 처리액 탱크(620)는 설정 농도의 보조 처리액(제1 보조 처리액)을 저장하도록 제공된다. 처리액 노즐(381)은 메인 배관(615)의 일단에 연결된다. 메인 배관(615)에는 메인 밸브(616)가 위치될 수 있다. 처리액 탱크(610)는 처리액 배관(611)을 통해 메인 배관(615)의 타단에 연결된다. 처리액 배관(611)에는 처리액 밸브(612)가 위치될 수 있다. 제1 보조 처리액 탱크(620)는 제1 보조 처리액 배관(621)을 통해 메인 배관(615)의 타단에 연결된다. 제1 보조 처리액 배관(621)에는 제1 보조 처리액 밸브(622)가 위치될 수 있다. 처리액 노즐(381)을 통해 처리액과 보조 처리액이 함께 공급될 때, 처리액과 보조 처리액은 메인 배관(615)을 유동하는 과정에서 충분히 혼합된 후 토출될 수 있다.Referring to Fig. 3, the treatment liquid nozzle 381 is connected to the treatment liquid tank 610 and the first auxiliary treatment liquid tank 620. The treatment liquid tank 610 is provided to store the treatment liquid of the set concentration. The first auxiliary treatment liquid tank 620 is provided to store the auxiliary treatment liquid (first auxiliary treatment liquid) of the set concentration. The treatment liquid nozzle 381 is connected to one end of the main pipe 615. The main pipe 615 may be provided with a main valve 616. The treatment liquid tank 610 is connected to the other end of the main pipe 615 through the treatment liquid pipe 611. The process liquid pipe 611 may be provided with a process liquid valve 612. The first auxiliary processing liquid tank 620 is connected to the other end of the main piping 615 through the first auxiliary processing liquid pipe 621. The first auxiliary liquid pipe 622 may be located in the first auxiliary liquid pipe 621. When the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid are supplied together through the treatment liquid nozzle 381, the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid can be sufficiently mixed and discharged after they are flowed through the main pipe 615.

보조 처리액 노즐(391)은 제2 보조 처리액 배관(631)을 통해 제2 보조 처리액 탱크(630)에 연결된다. 제2 보조 처리액 배관(631)에는 제2 보조 처리액 밸브(632)가 위치될 수 있다. 제2 보조 처리액 탱크(630)는 설정 농도의 보조 처리액(제2 보조 처리액)을 저장한다. 제2 보조 처리액 탱크(630)에 저장된 보조 처리액은 제1 보조 처리액 탱크(620)에 저장된 보조 처리액과 농도가 동일하거나 상이할 수 있다.The auxiliary treatment liquid nozzle 391 is connected to the second auxiliary treatment liquid tank 630 through the second auxiliary treatment liquid pipe 631. And the second auxiliary processing liquid valve 632 may be located in the second auxiliary processing liquid pipe 631. The second auxiliary treatment liquid tank 630 stores the auxiliary treatment liquid (second auxiliary treatment liquid) of the set concentration. The auxiliary treatment liquid stored in the second auxiliary treatment liquid tank 630 may be the same or different in concentration from the auxiliary treatment liquid stored in the first auxiliary treatment liquid tank 620.

도 4는 다른 실시 예에 따른 처리액 노즐과 보조 처리액 노즐의 연결관계를 나타내는 도면이다.4 is a view showing the connection relationship between the treatment liquid nozzle and the auxiliary treatment liquid nozzle according to another embodiment.

도 4를 참조하면, Referring to Figure 4,

처리액 노즐(381)은 처리액 탱크(610a) 및 보조 처리액 탱크(620a)에 연결된다. 처리액 탱크(610a)는 설정 농도의 처리액을 저장하도록 제공된다. 보조 처리액 탱크(620a)는 설정 농도의 보조 처리액을 저장하도록 제공된다. 처리액 노즐(381)은 메인 배관(615a)의 일단에 연결된다. 메인 배관(615a)에는 메인 밸브(616a)가 위치될 수 있다. 처리액 탱크(610a)는 처리액 배관(611a)을 통해 메인 배관(615a)의 타단에 연결된다. 처리액 배관(611a)에는 처리액 밸브(612a)가 위치될 수 있다. 보조 처리액 탱크(620a)는 제1 보조 처리액 배관(621a)을 통해 메인 배관(615a)의 타단에 연결된다. 제1 보조 처리액 배관(621a)에는 제1 보조 처리액 밸브(622a)가 위치될 수 있다.The treatment liquid nozzle 381 is connected to the treatment liquid tank 610a and the auxiliary treatment liquid tank 620a. The treatment liquid tank 610a is provided to store the treatment liquid of the set concentration. The auxiliary processing liquid tank 620a is provided to store the auxiliary processing liquid of the set concentration. The treatment liquid nozzle 381 is connected to one end of the main pipe 615a. The main pipe 615a may be provided with a main valve 616a. The treatment liquid tank 610a is connected to the other end of the main pipe 615a through the treatment liquid pipe 611a. The process liquid pipe 611a may be provided with the process liquid valve 612a. The auxiliary processing liquid tank 620a is connected to the other end of the main piping 615a through the first auxiliary processing liquid pipe 621a. The first auxiliary liquid pipe 622a may be located in the first auxiliary liquid pipe 621a.

처리액 노즐(381)을 통해 처리액과 보조 처리액이 함께 공급될 때, 처리액과 보조 처리액은 메인 배관(615a)을 유동하는 과정에서 충분히 혼합된 후 토출될 수 있다.When the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid are supplied together through the treatment liquid nozzle 381, the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid can be sufficiently mixed and discharged after they are flowed through the main pipe 615a.

보조 처리액 노즐(391)은 제2 보조 처리액 배관(631a)을 통해 보조 처리액 탱크(620a)에 연결된다. 제2 보조 처리액 배관(631a)에는 제2 보조 처리액 밸브(632a)가 위치될 수 있다.The auxiliary processing liquid nozzle 391 is connected to the auxiliary processing liquid tank 620a through the second auxiliary processing liquid pipe 631a. And the second auxiliary processing liquid valve 632a may be located in the second auxiliary processing liquid pipe 631a.

도 5는 기판이 처리되는 과정을 나타내는 흐름도이다.5 is a flowchart showing a process of processing a substrate.

도 5를 참조하면, 기판은 식각 공정에 앞서 프리 웨트 공정이 수행될 수 있다(S100). 프리 웨트 공정은 순수 노즐(400)이 기판으로 순수를 공급하여 수행될 수 있다. 순수가 공급될 때, 제어기(500)는 기판이 설정 속력으로 회전되도록 지지 부재(340)를 제어할 수 있다.Referring to FIG. 5, the substrate may be subjected to a pre-wet process prior to the etching process (S100). The pre-wet process can be performed by supplying pure water to the substrate by the pure water nozzle 400. When pure water is supplied, the controller 500 can control the support member 340 to rotate the substrate at a set speed.

기판은 처리액 및 보조 처리 액에 의해 식각 공정이 수행된다(S200). 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공된다. 예를 들어, 기판은 브이낸드(vnand) 메모리를 제조하는 과정에 제공되어, 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 교대로 적층된 상태로 제공될 수 있다. 식각 공정에 의해 질화 실리콘층이 선택적으로 식각된다.The substrate is etched by the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid (S200). The substrate is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon. For example, the substrate may be provided in the process of manufacturing a Vnand memory, and a silicon nitride layer and a silicon oxide layer may be provided in an alternately laminated state. The silicon nitride layer is selectively etched by an etching process.

기판은 린스 공정이 수행될 수 있다(S300). 린스 공정은 순수 노즐(400)이 기판으로 순수를 공급하여 수행될 수 있다. 순수가 공급될 때, 제어기(500)는 기판이 설정 속력으로 회전되도록 지지 부재(340)를 제어할 수 있다.The substrate may be rinsed (S300). The rinsing process can be performed by supplying pure water to the substrate by the pure nozzle 400. When pure water is supplied, the controller 500 can control the support member 340 to rotate the substrate at a set speed.

도 6은 일 실시 예에 따른 식각 공정을 나태 내는 도면이다.6 is a diagram illustrating an etch process in accordance with one embodiment.

도 6을 참조하면, 식각 공정이 개시되면, 제어기(500)는 처리액 노즐(381)을 통해 기판으로 처리액이 공급되도록 한다(S210). 처리액 노즐(381)을 통해 처리액이 공급될 때, 보조 처리액이 혼합된 상태로 공급될 수 있다. 일 예로, 처리액 공정이 개시되면, 처리액 노즐(381)은 설정 시간 동안 처리액 배관(611, 611a)을 통해 공급된 처리액 만을 기판으로 토출하고, 이후 처리액 배관(611)으로 공급된 처리액과 제1 보조 처리액 배관(621, 621a)을 통해 공급된 보조 처리액을 메인 배관(615, 615a)에서 혼합한 후 기판으로 토출 할 수 있다.Referring to FIG. 6, when the etching process is started, the controller 500 allows the process liquid to be supplied to the substrate through the process liquid nozzle 381 (S210). When the processing liquid is supplied through the processing liquid nozzle 381, the auxiliary processing liquid can be supplied in a mixed state. For example, when the process liquid process is started, the process liquid nozzle 381 discharges only the process liquid supplied through the process liquid pipes 611 and 611a to the substrate during the set time, The auxiliary processing liquid supplied through the processing liquid and the first auxiliary processing liquid pipes 621 and 621a may be mixed in the main piping 615 and 615a and then discharged to the substrate.

또한, 다른 예로, 식각 공정이 개시되면, 처리액 노즐(381)은 처리액 배관(611, 611a)으로 공급된 처리액과 제1 보조 처리액 배관(621, 621a)을 통해 공급된 보조 처리액을 메인 배관(615, 615a)에서 혼합한 후 기판으로 토출 할 수 있다.When the etching process is started, the process liquid nozzle 381 is connected to the process liquid supplied to the process liquid pipes 611 and 611a and the auxiliary process liquid supplied through the first sub process liquid pipes 621 and 621a May be mixed in the main pipes 615 and 615a and then discharged to the substrate.

또한, 다른 예로, 처리액 공정 동안 처리액 노즐(381)은 처리액 만을 기판에 토출 할 수 있다.Further, as another example, during the treatment liquid process, the treatment liquid nozzle 381 can discharge only the treatment liquid to the substrate.

설정 시간 동안 처리액 노즐(381)을 통해 처리액이 공급된 후, 보조 처리액 노즐(391)을 통해 기판으로 보조 처리액이 공급된다(S220). 이 때, 처리액 노즐(381)에 의한 처리액 또는 처리액과 보조 처리액의 혼합액의 공급은 공급이 중지된 상태일 수 있다. 또한, 처리액 노즐(381)에 의한 처리액 또는 처리액과 보조 처리액의 혼합액의 공급은 설정 시간 중첩될 수 있다.After the treatment liquid is supplied through the treatment liquid nozzle 381 during the set time, the auxiliary treatment liquid is supplied to the substrate through the auxiliary treatment liquid nozzle 391 (S220). At this time, the supply of the treatment liquid by the treatment liquid nozzle 381 or the supply of the mixed solution of the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid may be stopped. In addition, the supply of the treatment liquid by the treatment liquid nozzle 381 or the supply of the mixed solution of the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid can be overlapped with the set time.

설정 시간 동안 보조 처리액 노즐(391)을 통해 보조 처리액이 공급된 후, 처리액 노즐(381)을 통해 기판으로 처리액이 공급되는 후 처리액 공정이 수행된다(S230). After the sub-process liquid is supplied through the sub-process liquid nozzle 391 during the set time, a post-process liquid process for supplying the process liquid to the substrate through the process liquid nozzle 381 is performed (S230).

처리액 노즐(381)을 통해 처리액이 공급될 때, 보조 처리액이 혼합된 상태로 공급될 수 있다. 일 예로, 후 처리액 공정이 개시되면, 처리액 노즐(381)은 설정 시간 동안 처리액 배관(611, 611a)으로 공급된 처리액과 제1 보조 처리액 배관(621, 621a)을 통해 공급된 보조 처리액을 메인 배관(615, 615a)에서 혼합한 후 기판으로 토출 할 수 있다. 이후, 처리액 노즐(381)은 처리액 배관(611, 611a)을 통해 공급된 처리액 만을 기판으로 토출할 수 있다.When the processing liquid is supplied through the processing liquid nozzle 381, the auxiliary processing liquid can be supplied in a mixed state. For example, when the post-treatment liquid process is started, the treatment liquid nozzle 381 is supplied through the treatment liquid supplied to the treatment liquid pipes 611 and 611a and the first auxiliary treatment liquid pipes 621 and 621a during the set time The auxiliary processing liquid can be mixed with the main pipes 615 and 615a and then discharged to the substrate. Thereafter, the process liquid nozzle 381 can eject only the process liquid supplied through the process liquid pipes 611 and 611a to the substrate.

또한, 다른 예로, 후 처리액 공정이 개시되면, 처리액 노즐(381)은 처리액 배관(611, 611a)을 통해 공급된 처리액 만을 기판으로 토출할 수 있다.As another example, when the post-treatment liquid process is started, the treatment liquid nozzle 381 can discharge only the treatment liquid supplied through the treatment liquid pipes 611 and 611a to the substrate.

도 7은 본 발명에 따른 기판의 처리 상태를 나타내는 도면이고, 도 8은 종래 기술에 따라 처리된 기판의 처리 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a view showing the processing state of the substrate according to the present invention, and FIG. 8 is a diagram showing the processing state of the substrate processed according to the conventional art.

도 7 및 도 8을 참조하면, 산화 실리콘층에 대한 질화 실리콘층의 선택적 식각 정도가 향상되는 것을 알 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, it can be seen that the degree of selective etching of the silicon nitride layer with respect to the silicon oxide layer is improved.

인산은 산화 실리콘에 비해 질화 실리콘에 높은 반응성을 가져, 산화 실리콘과 질화 실리콘을 갖는 기판에서 질화 실리콘을 선택적으로 식각 한다. 그리나, 인산은 산화 실리콘과도 낮은 반응성을 가져, 질화 실리콘이 식각되는 과정에서 산화 실리콘도 일부 식각 된다.Phosphoric acid has higher reactivity to silicon nitride than silicon oxide, and selectively etches silicon nitride on a substrate having silicon oxide and silicon nitride. However, phosphoric acid has low reactivity with silicon oxide, and silicon oxide is partially etched in the process of silicon nitride etching.

반면, 본 발명에 따르면, 기판에 인산이 공급된 상태에서 실리콘을 포함하는 보조 처리액이 추가 공급된다. 기판에 공급된 실리콘은 산화 실리콘과 인산의 화학적 반응에 작용하여, 산화 실리콘이 인산에 의해 식각되는 정도를 저감시킨다.On the other hand, according to the present invention, a sub-process liquid containing silicon is additionally supplied with phosphoric acid supplied to the substrate. The silicon supplied to the substrate acts on the chemical reaction between the silicon oxide and the phosphoric acid, thereby reducing the degree of the silicon oxide being etched by the phosphoric acid.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 보조 처리액 노즐(391)이 생략될 수 있다. 따라서, 실리콘을 포함하는 보조 처리액은 처리액 노즐(381)을 통해 기판에 공급될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the auxiliary processing liquid nozzle 391 may be omitted. Therefore, the sub-process liquid containing silicon can be supplied to the substrate through the process liquid nozzle 381.

일 예로, 상술한 방식과 유사하게, 처리액 공정에서 처리액 노즐(381)은 기판으로 처리액 만을 공급하거나, 또는 처리액과 보조 처리액을 혼합하여 기판에 공급할 수 있다. 그리고 보조 처리액 공정에서 처리액 노즐(381)은 보조 처리액 만을 기판에 공급할 수 있다. 그리고, 후 처리액 공정에서 처리액 노즐(381)은 기판으로 처리액 만을 공급하거나, 또는 처리액과 보조 처리액을 혼합하여 기판으로 공급할 수 있다.For example, similarly to the above-described method, in the process liquid process, the process liquid nozzle 381 can supply only the process liquid to the substrate, or the process liquid and the auxiliary process liquid can be mixed and supplied to the substrate. In the auxiliary liquid treatment process, the treatment liquid nozzle 381 can supply only the auxiliary treatment liquid to the substrate. In the post-treatment liquid process, the treatment liquid nozzle 381 may supply only the treatment liquid to the substrate, or may mix the treatment liquid and the auxiliary treatment liquid and supply the treatment liquid to the substrate.

또한, 보조 처리액 공정은 생략될 수 있다. 따라서, 상술한 방식과 유사하게, 보조 처리액은 처리액 공정에서 처리액과 혼합되어 공급되거나, 후 처리액 공정에서 처리액과 혼합되어 공급되거나, 또는 처리액 공정 및 후 처리액 공정에서 처리액과 혼합되어 공급되는 방식으로 기판에 공급될 수 있다. 이 때, 처리액 공정 및 후 처리액 공정은 연속적 또는 단속적으로 이루어 질 수 있다. 처리액 고정 및 후 처리액 공정이 단속적으로 이루어 질 때, 기판은 설정시간 동안 액의 공급이 정지된 상태에서 지지 부재에 의해 회전되는 방식으로 처리될 수 있다.Further, the auxiliary treatment liquid process may be omitted. Therefore, similar to the above-described method, the auxiliary processing liquid is supplied mixed with the processing liquid in the processing liquid processing step, mixed with and supplied to the processing liquid in the post-processing liquid processing step, And then supplied to the substrate in a mixed manner. At this time, the process liquid process and the post-process liquid process can be performed continuously or intermittently. When the process liquid fixing and post-process liquid process is intermittently performed, the substrate can be processed in such a manner that the substrate is rotated by the support member while the supply of the liquid is stopped during the set time.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스모듈 20: 공정처리모듈
120: 로드포트 140: 이송프레임
220: 버퍼유닛 240: 이송챔버
260: 공정챔버 320: 컵
340: 지지부재 342: 스핀척
348: 지지축 380: 처리액공급유닛10: Index module 20: Process processing module
120: load port 140: transport frame
220: buffer unit 240: transfer chamber
260: Process chamber 320: Cup
340: support member 342: spin chuck
348: Support shaft 380: Process liquid supply unit

Claims (19)

기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재;
상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 처리액을 실리콘과 혼합하여 공급 가능하게 제공되는 처리액 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.A support member rotatably provided to support the substrate;
And a processing liquid nozzle provided so as to be capable of mixing the processing liquid with silicon and supplying the processing liquid to the substrate during the processing of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 인산을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid comprises phosphoric acid. 제1항에 있어서,
상기 처리액을 저장하는 처리액 탱크;
상기 실리콘을 제공하는 보조 처리액을 저장하는 보조 처리액 탱크;
일단이 상기 처리액 노즐에 연결되고, 상기 처리액 탱크에서 공급된 상기 처리액과 상기 보조 처리액 탱크에서 공급된 상기 보조 처리액이 혼합되도록 하는 메인 배관을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A processing liquid tank storing the processing liquid;
An auxiliary processing liquid tank storing an auxiliary processing liquid for providing the silicon;
Further comprising a main pipe connected at one end to the treatment liquid nozzle and adapted to mix the treatment liquid supplied from the treatment liquid tank and the auxiliary treatment liquid supplied from the auxiliary treatment liquid tank. 제1항에 있어서,
실리콘을 포함하는 보조 처리액을 상기 기판으로 공급하는 보조 처리액 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a sub-process liquid nozzle for supplying a sub-process liquid containing silicon to the substrate. 제5항에 있어서,
상기 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 처리액 탱크;
실리콘을 포함하는 제1 보조 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 제1 보조 처리액 탱크;
상기 보조 처리액 노즐에 연결되는 제2 보조 처리액 탱크를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A processing liquid tank storing the processing liquid and connected to the processing liquid nozzle;
A first auxiliary processing liquid tank storing a first auxiliary processing liquid containing silicon and connected to the processing liquid nozzle;
And a second auxiliary processing liquid tank connected to the auxiliary processing liquid nozzle. 제6항에 있어서,
일단이 상기 처리액 노즐에 연결되는 메인 배관;
상기 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 처리액 배관;
상기 제1 보조 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 제1 보조 처리액 배관; 및
상기 제2 보조 처리액 탱크와 상기 보조 처리액 노즐을 연결하는 제2 보조 처리액 배관을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
A main pipe whose one end is connected to the treatment liquid nozzle;
A processing liquid pipe connecting the processing liquid tank and the other end of the main piping;
A first auxiliary processing liquid pipe connecting the first auxiliary processing liquid tank and the other end of the main piping; And
And a second auxiliary processing liquid pipe connecting the second auxiliary processing liquid tank and the auxiliary processing liquid nozzle. 제5항에 있어서,
상기 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐에 연결되는 처리액 탱크;
상기 보조 처리액을 저장하고, 상기 처리액 노즐 및 상기 보조 처리액 노즐에 연결되는 보조 처리액 탱크를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A processing liquid tank storing the processing liquid and connected to the processing liquid nozzle;
And an auxiliary processing liquid tank storing the auxiliary processing liquid and connected to the processing liquid nozzle and the auxiliary processing liquid nozzle. 제8항에 있어서,
일단이 상기 처리액 노즐에 연결되는 메인 배관;
상기 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 처리액 배관;
상기 보조 처리액 탱크와 상기 메인 배관의 타단을 연결하는 제1 보조 처리액 배관; 및
상기 보조 처리액 탱크와 상기 보조 처리액 노즐을 연결하는 제2 보조 처리액 배관을 더 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
A main pipe whose one end is connected to the treatment liquid nozzle;
A processing liquid pipe connecting the processing liquid tank and the other end of the main piping;
A first auxiliary processing liquid pipe connecting the auxiliary processing liquid tank and the other end of the main piping; And
And a second auxiliary processing liquid pipe connecting the auxiliary processing liquid tank and the auxiliary processing liquid nozzle. 제1항에 있어서,
설정 시간 동안 상기 처리액 노즐이 상기 처리액과 상기 실리콘의 혼합액을 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a controller for controlling the process liquid nozzle so that the process liquid nozzle supplies a mixed liquid of the process liquid and the silicon during a set time. 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재;
상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐;
상기 기판으로 실리콘을 포함하는 보조 처리액을 공급하는 보조 처리액 노즐; 및
제어기를 포함하는 기판 처리 장치.A support member rotatably provided to support the substrate;
A treatment liquid nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate;
A sub-process liquid nozzle for supplying a sub-process liquid containing silicon to the substrate; And
A substrate processing apparatus comprising a controller. 제11항에 있어서,
상기 제어기는 상기 처리액 노즐에 의해 상기 처리액이 공급되고 설정 시간이 경과된 후 상기 보조 처리액이 공급되도록 상기 보조 처리액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the controller controls the sub-process liquid nozzle so that the sub-process liquid is supplied after the process liquid is supplied by the process liquid nozzle and the set time has elapsed. 질화 실리콘층을 갖는 기판을 식각하는 방법에 있어서,
상기 기판에 인산을 공급하여 상기 질화 실리콘을 식각하되, 상기 인산이 공급되는 과정에서 설정 시간 중첩되어 상기 기판으로 실리콘이 공급되는 기판 처리 방법.A method of etching a substrate having a silicon nitride layer,
Wherein phosphoric acid is supplied to the substrate to etch the silicon nitride, and silicon is supplied to the substrate over the set time during the phosphoric acid supply. 제13항에 있어서,
상기 실리콘은 상이 인산과 혼합되어 공급되는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the silicon is supplied mixed with phosphoric acid. 제13항에 있어서,
상기 실리콘은 보조 처리액에 포함되어 상기 인산과 별개로 상기 기판에 공급되는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the silicon is contained in an auxiliary processing solution and supplied to the substrate separately from the phosphoric acid. 인산을 기판에 공급하는 처리액 공정;
상기 기판에 실리콘을 포함한 보조 처리액을 공급하는 보조 처리액 공정을 포함하는 기판 처리 방법.A process step of supplying phosphoric acid to the substrate;
And an auxiliary processing liquid process for supplying an auxiliary processing liquid containing silicon to the substrate. 제16항에 있어서,
상기 처리액 공정에서 상기 기판에 공급되는 상기 인산에 실리콘이 첨가되는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Wherein silicon is added to the phosphoric acid supplied to the substrate in the process liquid process. 제16항에 있어서,
상기 보조 처리액 고정 후 상기 기판에 인산을 공급하는 후 처리액 공정을 더 포함하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
And a post-treatment liquid step of supplying phosphoric acid to the substrate after fixing the auxiliary treatment liquid. 제16항에 있어서,
상기 처리액 공정에 앞서 상기 기판으로 순수를 공급하는 프리 웨트 공정을 더 포함하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Further comprising a pre-wet process for supplying pure water to the substrate prior to the process liquid process.
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