KR20190034068A - Substrate treatment method and substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment method and substrate treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20190034068A
KR20190034068A KR1020180078062A KR20180078062A KR20190034068A KR 20190034068 A KR20190034068 A KR 20190034068A KR 1020180078062 A KR1020180078062 A KR 1020180078062A KR 20180078062 A KR20180078062 A KR 20180078062A KR 20190034068 A KR20190034068 A KR 20190034068A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hydrogen peroxide
substrate
liquid
peroxide solution
sulfuric acid
Prior art date
Application number
KR1020180078062A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102100042B1 (en
Inventor
하지메 니시데
다카시 이즈타
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20190034068A publication Critical patent/KR20190034068A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102100042B1 publication Critical patent/KR102100042B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Provided are a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus, which are capable of suppressing liquid from being spurted from an outlet of a nozzle. According to the present invention, the substrate treatment method comprises a first process, and a second process. In the first process, a mixture liquid of sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution is discharged from a nozzle towards a substrate through a pipe. After the first process, the second process involves the discharge of a hydrogen peroxide solution from the nozzle towards the substrate through the pipe. The first process includes: (A) a step of initiating the insertion of the mixture solution into the pipe; (B) a step of stopping the insertion of the mixture solution into the pipe after the step (A); (C) a step of forming a gas layer on a border part of the mixture solution and the hydrogen peroxide solution; and (D) a step of reducing the flux of the hydrogen peroxide solution introduced into the pipe or making the flux zero simultaneously with or immediately after the step (B).

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing method,

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히, 제 1 액과 제 2 액의 혼합에 의해 기체를 발생시키는 혼합액을, 기판의 표면에 공급하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly to a technique for supplying a mixed liquid for generating a gas by mixing a first liquid and a second liquid to a surface of a substrate.

예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 황산과 과산화수소수의 혼합액인 SPM (Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture) 을 기판의 표면에 공급하여, SPM 에 함유되는 퍼옥소일황산 (Peroxymonosulfuric acid) 의 강산화력에 의해, 기판의 표면으로부터 레지스트를 제거하는 수법이 알려져 있다.For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, a sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture (SPM), which is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water, is supplied to the surface of the substrate, and the strong oxidizing power of peroxymonosulfuric acid A method of removing the resist from the surface of the substrate is known.

예를 들어 하기 특허문헌 1 에는, 스핀척과, 스핀척에 유지된 기판의 상면에 SPM 을 공급하기 위한 SPM 노즐과, SPM 노즐에 황산을 공급하는 황산 공급관과, SPM 노즐에 과산화수소수를 공급하는 과산화수소수 공급관을 구비하는 기판 처리 장치가 기재되어 있다.For example, the following Patent Document 1 describes a spin chuck, an SPM nozzle for supplying SPM to the upper surface of a substrate held by a spin chuck, a sulfuric acid supply pipe for supplying sulfuric acid to the SPM nozzle, hydrogen peroxide There is disclosed a substrate processing apparatus having a water supply pipe.

일본 공개특허공보 2015-106699호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-106699

기판의 표면에 대한 SPM 의 공급을 정지하는 경우, 먼저 황산의 공급을 정지하고, 그 후, 과산화수소수의 공급을 정지하는 것을 생각할 수 있다. 이와 같이, 황산을 정지하고 과산화수소수를 공급함으로써, 기판의 표면 상의 SPM 이 과산화수소수로 치환되고, SPM 을 기판의 표면으로부터 제거할 수 있다. 또, SPM 노즐 내의 황산을 전부 다 토출한 상태에서, 처리를 종료할 수 있다. 이것에 의하면, 황산이 SPM 노즐 내에 잔류하는 것에 의한 문제를 회피할 수 있다.When the supply of the SPM to the surface of the substrate is stopped, it is conceivable that the supply of the sulfuric acid is stopped first and then the supply of the hydrogen peroxide solution is stopped. Thus, by stopping the sulfuric acid and supplying the hydrogen peroxide solution, the SPM on the surface of the substrate can be replaced with the hydrogen peroxide solution, and the SPM can be removed from the surface of the substrate. In addition, the treatment can be terminated in a state in which all the sulfuric acid in the SPM nozzle is discharged. According to this, the problem caused by the sulfuric acid remaining in the SPM nozzle can be avoided.

그러나, 황산의 공급을 정지하고 과산화수소수를 공급하면, 예를 들어 SPM 노즐 내에 있어서, SPM 과 과산화수소수의 경계부에 있어서 과산화수소수의 농도가 높아진다. 이로써, 당해 경계부에서 황산과 과산화수소수의 반응이 촉진된다. 황산과 과산화수소수가 반응하면, 기체 (증기) 가 발생하므로, 이 반응의 촉진에 의해 기체 (증기) 의 발생량이 증가한다. 그리고, 이 기체가 SPM 에 섞여 SPM 노즐로부터 토출될 때에, SPM 이 힘차게 내뿜어져 날아가 (소위 내뿜어져 흘러나와), 다른 부재 (예를 들어 천정) 에 부착되는 경우가 있었다.However, when the supply of the sulfuric acid is stopped and the hydrogen peroxide solution is supplied, for example, in the SPM nozzle, the concentration of the hydrogen peroxide solution at the boundary between the SPM and the hydrogen peroxide solution becomes high. As a result, the reaction between sulfuric acid and hydrogen peroxide water is promoted at the boundary portion. When sulfuric acid reacts with hydrogen peroxide, gas (vapor) is generated, and the amount of gas (vapor) generated increases by promoting this reaction. When this gas is mixed with the SPM and is discharged from the SPM nozzle, the SPM is vigorously blown out (so-called blowout) and attached to another member (for example, ceiling).

그래서, 본 발명은, 노즐의 토출구로부터 액체가 내뿜어져 날아가는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing liquid from being blown out from a discharge port of a nozzle.

상기 과제를 해결하기 위해, 기판 처리 방법의 제 1 양태는, 황산과 과산화수소수의 혼합액을, 배관을 통하여 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후에, 과산화수소수를, 상기 배관을 통하여 상기 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 2 공정을 구비하고, 상기 제 1 공정은, (A) 상기 혼합액을 상기 배관에 도입 개시하는 혼합액 도입 개시 공정과, (B) (A) 후에, 상기 황산의 상기 배관에 대한 도입 정지하는 혼합액 도입 정지 공정과, (C) 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 기체층 형성 공정과, (D) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 도입하는 상기 과산화수소수의 유량을 저하시키거나 또는 유량을 제로로 하는 완화 공정을 포함한다.A first step of discharging a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide water from a nozzle to a substrate through a piping; and a second step of supplying a hydrogen peroxide solution to the substrate after the first step, And a second step of discharging the mixed liquid from the nozzle toward the substrate through the piping, wherein the first step includes: (A) a mixed liquid introduction start step of starting introduction of the mixed liquid into the piping; and (B) (C) a gas layer forming step of forming a gas layer at a boundary portion between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution, and (D) And reducing the flow rate of the hydrogen peroxide solution introduced into the pipe or reducing the flow rate to zero.

기판 처리 방법의 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, (D) 에 있어서, 상기 과산화수소수의 유량을 중단 기간에 걸쳐 제로로 하고, 상기 중단 기간은, 상기 기판의 표면에, 액체에 의해 덮여 있지 않은 액 끊김 영역이 생기지 않을 정도의 시간으로 설정된다.A second aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the first aspect, wherein in the step (D), the flow rate of the hydrogen peroxide solution is made zero over the termination period, Is set to such a time as not to cause a liquid dropping area not covered by the liquid.

기판 처리 방법의 제 3 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 황산과 과산화수소수의 혼합액을, 배관을 통하여 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후에, 과산화수소수를, 상기 배관을 통하여 상기 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 2 공정을 구비하고, 상기 제 1 공정은, (A) 상기 혼합액을 상기 배관에 도입 개시하는 혼합액 도입 개시 공정과, (B) (A) 후에, 상기 황산의 상기 배관에 대한 도입 정지하는 혼합액 도입 정지 공정과, (C) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 기체를 도입하여, 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 기체층 형성 공정을 포함한다.A third aspect of the substrate processing method is a substrate processing method for processing a substrate, comprising: a first step of discharging a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide water from a nozzle to a substrate through a piping; and a second step of supplying a hydrogen peroxide solution And a second step of discharging the mixed liquid from the nozzle toward the substrate through the pipe, wherein the first step comprises: (A) a mixed liquid introduction start step of starting introduction of the mixed liquid into the pipe; and (B) A step of stopping introduction of the sulfuric acid into the piping after the introduction of the sulfuric acid, and a step of introducing gas into the piping at the same time as or immediately after or after (C) (B) And a gas layer forming step of forming a gas layer.

기판 처리 방법의 제 4 양태는, 제 3 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 공정은, (D) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 도입하는 상기 과산화수소수의 유량을 저하시키거나 또는 유량을 제로로 하는 완화 공정을 추가로 포함한다.The fourth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the third aspect, wherein the first step is a step of reducing (decreasing) the flow rate of the hydrogen peroxide solution introduced into the pipe simultaneously with or immediately after (D) Or to reduce the flow rate to zero.

기판 처리 방법의 제 5 양태는, 제 3 또는 제 4 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 기체는 불활성 가스이다.A fifth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the third or fourth aspect, wherein the substrate is an inert gas.

기판 처리 방법의 제 6 양태는, 제 1 내지 제 5 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 혼합액에 있어서, 상기 황산의 체적이 상기 과산화수소수의 체적보다 큰 혼합비로 상기 황산과 상기 과산화수소수가 혼합되어 있다.The sixth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to any one of the first to fifth aspects, wherein in the mixed solution, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide are mixed at a mixing ratio in which the volume of the sulfuric acid is larger than the volume of the hydrogen peroxide Are mixed.

기판 처리 장치의 제 7 양태는, 기판을 유지하는 기판 유지 수단과, 황산을 공급하는 제 1 액 공급 수단과, 과산화수소수를 가변의 유량으로 공급하는 제 2 액 공급 수단과, 상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단으로부터 각각 도입된 상기 황산 및 상기 과산화수소수의 혼합액이 흐르는 배관과, 상기 배관으로부터의 상기 혼합액을 상기 기판의 표면에 토출하는 노즐을 갖는 제 3 액 공급 수단과, 상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단에 각각 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 공급시켜 상기 기판에 상기 혼합액을 토출한 후에, 상기 제 1 액 공급 수단에 상기 황산의 공급을 정지시키고, 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하고, 상기 황산의 공급의 정지와 동시 또는 그 직후에 있어서 상기 제 2 액 공급 수단에 상기 과산화수소수의 유량을 저하 또는 제로가 되게 하는 제어 수단을 구비한다.A seventh aspect of the substrate processing apparatus includes substrate holding means for holding a substrate, first liquid supply means for supplying sulfuric acid, second liquid supply means for supplying the hydrogen peroxide solution at a variable flow rate, A third liquid supply means having a pipe through which a mixed liquid of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water introduced from the second liquid supply means flows and a nozzle which discharges the mixed liquid from the pipe onto the surface of the substrate; After the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are supplied to the first liquid supply means and the second liquid supply means respectively and the mixed liquid is discharged to the substrate, the supply of the sulfuric acid to the first liquid supply means is stopped, And at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the hydrogen peroxide solution, a gas layer is formed, and at the same time as or immediately after the stop of the supply of the sulfuric acid, And a control means for the flow rate of the hydrogen peroxide so that reduced or zero.

기판 처리 장치의 제 8 양태는, 기판을 유지하는 기판 유지 수단과, 황산을 공급하는 제 1 액 공급 수단과, 과산화수소수를 가변의 유량으로 공급하는 제 2 액 공급 수단과, 상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단으로부터 각각 도입된 상기 황산 및 상기 과산화수소수의 혼합액이 흐르는 배관과, 상기 배관으로부터의 상기 혼합액을 상기 기판의 표면에 토출하는 노즐을 갖는 제 3 액 공급 수단과, 상기 배관 내에 기체를 공급하는 기체 공급 수단과, 상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단에 각각 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 공급시켜 상기 기판에 상기 혼합액을 토출한 후에, 상기 제 1 액 공급 수단에 상기 황산의 공급을 정지시키고, 상기 황산의 공급의 정지와 동시 또는 그 직후에 있어서 상기 기체 공급 수단에 상기 배관 내에 기체를 공급시켜 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 제어 수단을 구비한다.The eighth aspect of the substrate processing apparatus includes substrate holding means for holding a substrate, first liquid supply means for supplying sulfuric acid, second liquid supply means for supplying the hydrogen peroxide solution at a variable flow rate, A third liquid supply means having a pipe through which a mixed liquid of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water introduced from the second liquid supply means flows and a nozzle which discharges the mixed liquid from the pipe onto the surface of the substrate; A liquid supply means for supplying a gas into the piping; and a liquid supply means for supplying the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution to the first liquid supply means and the second liquid supply means, respectively, The supply of the sulfuric acid to the gas supply means is stopped, and at the same time or immediately after the supply of the sulfuric acid is stopped, And a control means for supplying a gas to form a gas layer at a boundary between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution.

기판 처리 방법의 제 1, 제 3 양태 및 기판 처리 장치의 제 8, 제 9 양태에 의하면, 기체의 층에 의해 제 1 액과 제 2 액의 반응을 억제할 수 있으므로, 이 반응에 의한 기체의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 혼합액의 토출구로부터의 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다.According to the first and third aspects of the substrate processing method and the eighth and ninth aspects of the substrate processing apparatus, since the reaction between the first liquid and the second liquid can be suppressed by the layer of the gas, Generation can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the mixed liquid from being blown out from the discharge port and being blown away.

기판 처리 방법의 제 2 양태에 의하면, 기판의 표면에 액 끊김 영역이 생기는 것을 회피할 수 있다.According to the second aspect of the substrate processing method, it is possible to avoid the occurrence of liquid dropping areas on the surface of the substrate.

기판 처리 방법의 제 3 및 기판 처리 장치의 제 9 양태에 의하면, 경계부에 형성되는 기체층의 체적을 제어할 수 있다.According to the third aspect of the substrate processing method and the ninth aspect of the substrate processing apparatus, the volume of the base layer formed at the boundary portion can be controlled.

도 1 은, 기판 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는, 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 3 은, 과산화수소수와 혼합액의 경계의 모습의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 과산화수소수와 혼합액의 경계의 모습의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6 은, 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 7 은, 기판 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8 은, 혼합부 부근의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9 는, 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.1 is a view schematically showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus.
3 is a view showing an example of a boundary between a hydrogen peroxide solution and a mixed liquid.
4 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus.
5 is a view showing an example of a boundary between a hydrogen peroxide solution and a mixed liquid.
6 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus.
7 is a view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus.
8 is a view schematically showing an example of the configuration near the mixing portion.
9 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus.

이하, 도면을 참조하면서 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또 이해 용이의 목적으로, 필요에 따라 각 부의 치수나 수를 과장 또는 간략화하여 그리고 있다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. For the sake of ease of understanding, the dimensions and number of each part are exaggerated or simplified as necessary.

제 1 실시형태.First Embodiment Fig.

＜기판 처리 장치＞<Substrate Processing Apparatus>

도 1 은, 기판 처리 장치 (1) 의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 의 표면에 처리액을 공급하여, 당해 처리액에 기초하는 처리를 기판 (W) 에 대해 실시하는 장치이다. 이 기판 처리 장치 (1) 는 기판 유지부 (10) 와 제 1 액 공급부 (20) 와 제 2 액 공급부 (30) 와 혼합액 공급부 (40) 와 제어부 (50) 를 구비하고 있다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 는 도시 생략된 케이싱 (챔버) 도 구비하고 있다. 이 케이싱에는, 도시 생략된 셔터가 형성되어 있고, 당해 셔터가 열려 있을 때에, 이 열린 셔터를 통하여 기판 (W) 이 케이싱의 외부로부터 케이싱의 내부로 반입되거나, 혹은 케이싱의 내부의 기판 (W) 이 케이싱의 외부로 반출되거나 한다.Fig. 1 is a view schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1. Fig. The substrate processing apparatus 1 is a device for supplying a process liquid to a surface of a substrate W and performing a process based on the process liquid on the substrate W. This substrate processing apparatus 1 is provided with a substrate holding section 10, a first liquid supply section 20, a second liquid supply section 30, a mixed liquid supply section 40 and a control section 50. The substrate processing apparatus 1 also has a casing (chamber) not shown. A shutter (not shown) is formed in the casing. When the shutter is open, the substrate W is carried into the casing from the outside of the casing through the opened shutter, Or is carried to the outside of the casing.

기판 유지부 (10) 는 기판 (W) 을 수평으로 유지한다. 예를 들어 기판 (W) 은 반도체 기판으로서, 평면에서 보았을 때 원형의 형상을 갖는 판상의 기판이다. 단, 기판 (W) 은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 액정 등의 표시 패널용의 기판으로서, 평면에서 보았을 때 사각형상의 형상을 갖는 판상의 기판이어도 된다. 기판 유지부 (10) 는 특별히 한정될 필요는 없지만, 예를 들어 유지대 (12) 를 갖는다. 유지대 (12) 의 상면에는, 예를 들어 복수의 돌기부 (핀) (11) 가 형성되어 있고, 복수의 돌기부 (11) 의 선단이 기판 (W) 의 하면을 지지한다. 돌기부 (11) 에는, 기판 (W) 의 측면과 대향하여 기판 (W) 을 외주측으로부터 위치 결정하는 부재가 형성되어 있어도 된다.The substrate holding unit 10 holds the substrate W horizontally. For example, the substrate W is a semiconductor substrate, which is a plate-like substrate having a circular shape in plan view. However, the substrate W is not limited to this, and may be, for example, a substrate for a display panel such as a liquid crystal, and a plate-like substrate having a rectangular shape in plan view. The substrate holding portion 10 is not particularly limited, but has, for example, a supporter 12. A plurality of protrusions (pins) 11 are formed on the upper surface of the supporter 12 and the tips of the plurality of protrusions 11 support the lower surface of the substrate W. [ The projecting portion 11 may be provided with a member for positioning the substrate W from the outer peripheral side so as to face the side surface of the substrate W. [

도 1 의 예에 있어서는, 기판 (W) 을 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구 (13) 가 형성되어 있다. 회전 기구 (13) 는 예를 들어 모터를 갖고 있고, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 축을 회전축 (Q) 으로 하여, 기판 유지부 (10) 를 회전시킨다. 이로써, 기판 유지부 (10) 에 유지된 기판 (W) 이 회전축 (Q) 을 중심으로 하여 회전한다. 기판 유지부 (10) 및 회전 기구 (13) 로 이루어지는 구조는, 스핀척이라고도 불리는 경우가 있다.In the example of Fig. 1, a rotation mechanism 13 for rotating the substrate W in a horizontal plane is formed. The rotation mechanism 13 has, for example, a motor, and rotates the substrate holder 10 with the axis passing through the center of the substrate W as the rotation axis Q. [ Thereby, the substrate W held by the substrate holder 10 rotates about the rotation axis Q. The structure including the substrate holding section 10 and the rotating mechanism 13 may be also referred to as a spin chuck.

제 1 액 공급부 (20) 는 제 1 액을 혼합액 공급부 (40) 에 공급한다. 제 1 액은 예를 들어 황산이다. 제 1 액 공급부 (20) 는 액 공급원 (21) 과 액 공급 배관 (22) 과 개폐 밸브 (23) 와 유량 조정부 (24) 를 구비하고 있다. 액 공급 배관 (22) 의 일단은 액 공급원 (21) 에 접속되어 있고, 타단은 혼합액 공급부 (40) 에 접속되어 있다. 액 공급원 (21) 으로부터의 제 1 액은 액 공급 배관 (22) 의 내부를 흘러, 혼합액 공급부 (40) 에 공급된다.The first liquid supply part (20) supplies the first liquid to the mixed liquid supply part (40). The first liquid is, for example, sulfuric acid. The first liquid supply unit 20 includes a liquid supply source 21, a liquid supply pipe 22, an on-off valve 23, and a flow rate adjustment unit 24. One end of the liquid supply pipe 22 is connected to the liquid supply source 21 and the other end is connected to the mixed liquid supply unit 40. The first liquid from the liquid supply source 21 flows through the liquid supply pipe 22 and is supplied to the mixed liquid supply unit 40.

개폐 밸브 (23) 는 액 공급 배관 (22) 의 도중에 형성되어 있다. 개폐 밸브 (23) 는, 제 1 액의 공급/정지를 전환하는 전환 수단으로서 기능한다. 구체적으로는, 개폐 밸브 (23) 가 열림으로써, 제 1 액이 액 공급 배관 (22) 의 내부를 흘러 혼합액 공급부 (40) 에 공급되고, 개폐 밸브 (23) 가 닫힘으로써, 혼합액 공급부 (40) 에 대한 제 1 액의 공급이 정지된다.The opening / closing valve 23 is formed in the middle of the liquid supply pipe 22. The on-off valve 23 functions as switching means for switching supply / stop of the first liquid. Specifically, the opening / closing valve 23 opens to allow the first liquid to flow through the liquid supply pipe 22 and to be supplied to the mixed liquid supply portion 40. By closing the open / close valve 23, The supply of the first liquid to the first liquid is stopped.

유량 조정부 (24) 는, 예를 들어 유량 조정 밸브로서, 액 공급 배관 (22) 의 도중에 형성되어 있다. 유량 조정부 (24) 는, 액 공급 배관 (22) 의 내부를 흐르는 제 1 액의 유량을 조정한다. 구체적으로는, 유량 조정부 (24) 의 개도가 조정됨으로써, 제 1 액의 유량이 조정된다. 또한 개폐 밸브 (23) 를 닫음으로써, 황산의 유량을 영으로 할 수 있는 점에서, 개폐 밸브 (23) 도 유량 조정 수단의 일종으로 간주할 수 있다.The flow rate regulator 24 is, for example, a flow rate regulating valve formed in the middle of the liquid supply pipe 22. The flow rate adjusting unit 24 adjusts the flow rate of the first liquid flowing in the liquid supply pipe 22. More specifically, the flow rate of the first liquid is adjusted by adjusting the opening degree of the flow rate adjusting unit 24. [ In addition, since the flow rate of sulfuric acid can be made zero by closing the opening / closing valve 23, the opening / closing valve 23 can also be regarded as a kind of flow rate adjusting means.

제 2 액 공급부 (30) 는 제 2 액을 혼합액 공급부 (40) 에 공급한다. 제 2 액은 제 1 액과 섞임으로써, 제 1 액과 반응하여 기체를 발생시키는 액이다. 제 1 액으로서 황산을 채용하는 경우, 제 2 액으로는 예를 들어 과산화수소수를 채용할 수 있다. 황산과 과산화수소수가 섞여 반응함으로써, 강한 산화력을 갖는 퍼옥소일황산이 생성됨과 함께, 예를 들어 그 반응열에 의해, 혼합액 중의 물이 증발하여 기체 (증기) 가 발생한다. 여기서는, 일례로서 제 1 액 및 제 2 액이 각각 황산 및 과산화수소수인 경우에 대해 서술한다.The second liquid supply part (30) supplies the second liquid to the mixed liquid supply part (40). The second liquid is a liquid which reacts with the first liquid to generate a gas by mixing with the first liquid. When sulfuric acid is employed as the first liquid, for example, hydrogen peroxide can be employed as the second liquid. Sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed and reacted to produce peroxo sulfuric acid having a strong oxidizing power, and at the same time, water in the mixed solution evaporates due to the reaction heat to generate gas (vapor). Here, as an example, the cases where the first liquid and the second liquid are respectively sulfuric acid and hydrogen peroxide are described.

제 2 액 공급부 (30) 는 액 공급원 (31) 과 액 공급 배관 (32) 과 개폐 밸브 (33) 와 유량 조정부 (34) 를 구비하고 있다. 액 공급 배관 (32) 의 일단은 액 공급원 (31) 에 접속되어 있고, 타단은 혼합액 공급부 (40) 에 접속되어 있다. 액 공급원 (31) 으로부터의 과산화수소수는 액 공급 배관 (32) 의 내부를 흘러, 혼합액 공급부 (40) 에 공급된다.The second liquid supply unit 30 includes a liquid supply source 31, a liquid supply pipe 32, an on-off valve 33, and a flow rate adjusting unit 34. One end of the liquid supply pipe 32 is connected to the liquid supply source 31 and the other end is connected to the mixed liquid supply unit 40. The hydrogen peroxide solution from the liquid supply source 31 flows through the liquid supply pipe 32 and is supplied to the mixed liquid supply unit 40.

개폐 밸브 (33) 는 액 공급 배관 (32) 의 도중에 형성되어 있다. 개폐 밸브 (33) 는, 과산화수소수의 공급/정지를 전환하는 전환 수단으로서 기능한다. 구체적으로는, 개폐 밸브 (33) 가 열림으로써, 과산화수소수가 액 공급 배관 (32) 의 내부를 흘러 혼합액 공급부 (40) 에 공급되고, 개폐 밸브 (33) 가 닫힘으로써, 혼합액 공급부 (40) 에 대한 과산화수소수의 공급이 정지된다.The opening / closing valve 33 is formed in the middle of the liquid supply pipe 32. The on-off valve 33 functions as switching means for switching supply / stop of the hydrogen peroxide solution. Specifically, by opening the on-off valve 33, the hydrogen peroxide solution flows through the liquid supply pipe 32 and is supplied to the mixture liquid supply unit 40. By closing the on-off valve 33, The supply of the hydrogen peroxide solution is stopped.

유량 조정부 (34) 는, 예를 들어 유량 조정 밸브로서, 액 공급 배관 (32) 의 도중에 형성되어 있다. 유량 조정부 (34) 는, 액 공급 배관 (32) 의 내부를 흐르는 과산화수소수의 유량을 조정한다. 구체적으로는, 유량 조정부 (34) 의 개도가 조정됨으로써, 과산화수소수의 유량이 조정된다. 또한 개폐 밸브 (33) 를 닫음으로써, 과산화수소수의 유량을 영으로 할 수 있는 점에서, 개폐 밸브 (33) 도 유량 조정 수단의 일종으로 간주할 수 있다.The flow rate adjusting section 34 is, for example, a flow rate adjusting valve formed in the middle of the liquid supply pipe 32. The flow rate adjusting unit 34 adjusts the flow rate of the hydrogen peroxide solution flowing in the liquid supply pipe 32. Specifically, the flow rate of the hydrogen peroxide solution is adjusted by adjusting the opening of the flow rate regulator 34. [ In addition, since the flow rate of the hydrogen peroxide solution can be made zero by closing the on-off valve 33, the on-off valve 33 can also be regarded as a kind of flow rate adjusting means.

도 1 의 예에 있어서는, 제 1 액 공급부 (20) 에는, 가열부 (25) 가 형성되어 있다. 가열부 (25) 는 예를 들어 히터로서, 액 공급 배관 (22) 의 도중에 형성된다. 가열부 (25) 는, 액 공급 배관 (22) 의 내부를 흐르는 황산을 가열할 수 있다. 이로써, 황산과 과산화수소수를 혼합하였을 때의 반응을 양호하게 할 수 있다. 가열부 (25) 는 황산의 온도를 예를 들어 150 도 이상으로 승온시킨다.In the example shown in Fig. 1, the first liquid supply unit 20 is provided with a heating unit 25. The heating section 25 is formed, for example, as a heater, in the middle of the liquid supply pipe 22. The heating section 25 can heat the sulfuric acid flowing in the liquid supply pipe 22. This makes it possible to improve the reaction when sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed. The heating unit 25 raises the temperature of the sulfuric acid to, for example, 150 degrees or more.

혼합액 공급부 (40) 는, 제 1 액 공급부 (20) 및 제 2 액 공급부 (30) 로부터 각각 도입된 황산 및 과산화수소수를 혼합하고, 그 혼합액 (SPM) 을 처리액으로서 기판 (W) 의 표면에 공급한다. 이 혼합액에서는, 황산과 과산화수소수가 반응하여 퍼옥소일황산이 생성된다. 기판 (W) 의 표면 (상면) 에는 레지스트가 형성되어 있고, 이 퍼옥소일황산의 강산화력에 의해, 당해 레지스트가 제거된다. 따라서, 이 경우, 기판 처리 장치 (1) 는 레지스트 제거 장치이다.The mixed liquid supply unit 40 mixes the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water introduced from the first liquid supply unit 20 and the second liquid supply unit 30 and mixes the mixed liquid SPM as a treatment liquid on the surface of the substrate W Supply. In this mixed solution, sulfuric acid and hydrogen peroxide react to generate peroxo sulfuric acid. A resist is formed on the surface (upper surface) of the substrate W, and the resist is removed by the strong oxidizing force of the peroxo sulfuric acid. Therefore, in this case, the substrate processing apparatus 1 is a resist removing apparatus.

혼합액 공급부 (40) 는 혼합부 (41) 와 혼합액 공급 배관 (42) 과 노즐 (43) 을 구비하고 있다. 혼합부 (41) 에는, 액 공급 배관 (22, 32) 의 타단이 접속된다. 보다 구체적으로는, 혼합부 (41) 는 내부 공간을 갖고 있고, 이 내부 공간이 액 공급 배관 (22, 32) 의 타단에 연통된다. 또한 혼합부 (41) 는 배관으로 간주할 수도 있다. 이 혼합부 (41) 에 있어서 황산 및 과산화수소수가 혼합된다. 황산과 과산화수소수의 혼합비는, 황산의 체적이 과산화수소수의 체적보다 커지도록 설정되고, 혼합비 (＝ 황산의 체적/과산화수소수의 체적) 는 예를 들어 10 이상으로 설정된다. 이 혼합비는 유량 조정부 (24, 34) 에 의한 황산 및 과산화수소수의 유량 조정에 의해 실현될 수 있다.The mixed liquid supply unit 40 includes a mixing unit 41, a mixed liquid supply pipe 42, and a nozzle 43. To the mixing section 41, the other ends of the liquid supply pipes 22 and 32 are connected. More specifically, the mixing section 41 has an internal space, which communicates with the other end of the liquid supply pipe 22, 32. The mixing portion 41 may be regarded as a pipe. In the mixing portion 41, sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed. The mixing ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide is set so that the volume of sulfuric acid is larger than the volume of hydrogen peroxide, and the mixing ratio (volume of sulfuric acid / volume of hydrogen peroxide) is set to 10 or more, for example. This mixing ratio can be realized by adjusting the flow rate of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution by the flow rate adjusting units 24 and 34.

혼합부 (41) 는 혼합액 공급 배관 (42) 의 일단에도 접속된다. 요컨대, 혼합부 (41) 의 내부 공간은 혼합액 공급 배관 (42) 의 일단에 연통된다. 혼합액 공급 배관 (42) 의 타단에는, 노즐 (43) 이 접속되어 있다. 노즐 (43) 은 그 선단면에 있어서 토출구 (43a) 를 갖고 있고, 또 당해 토출구 (43a) 와 혼합액 공급 배관 (42) 의 타단을 연통하는 내부 유로 (43b) 를 갖는다. 혼합부 (41) 로부터의 혼합액은 혼합액 공급 배관 (42) 을 통하여 노즐 (43) 의 내부 유로 (43b) 로 흘러, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 토출된다.The mixing portion 41 is also connected to one end of the mixed solution supply pipe 42. In short, the inner space of the mixing portion 41 communicates with one end of the mixed solution supply pipe 42. A nozzle 43 is connected to the other end of the mixed liquid supply pipe 42. The nozzle 43 has a discharge port 43a at its end surface and an internal flow path 43b communicating the discharge port 43a with the other end of the mixed liquid supply pipe 42. The mixed liquid from the mixing section 41 flows to the inner flow path 43b of the nozzle 43 through the mixed liquid supply pipe 42 and is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43. [

이 노즐 (43) 은 적어도 혼합액의 토출시에 있어서, 기판 (W) 의 상방에 위치하고 있다. 따라서, 혼합액은 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 기판 (W) 의 표면에 토출된다.The nozzle 43 is positioned above the substrate W at least when the mixture liquid is discharged. Therefore, the mixed liquid is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43 to the surface of the substrate W. [

혼합부 (41) 와 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 사이의 유로 길이는 예를 들어 다음과 같이 설정될 수 있다. 즉, 퍼옥소일황산의 농도가, 기판 (W) 의 표면에 있어서, 레지스트 제거에 충분한 값을 취하도록, 당해 유로 길이가 설정되면 된다. 이로써, 기판 (W) 의 레지스트를 효율적으로 제거할 수 있다.The flow path length between the mixing portion 41 and the discharge port 43a of the nozzle 43 can be set, for example, as follows. That is, the length of the flow path may be set so that the concentration of peroxo sulfuric acid takes a sufficient value on the surface of the substrate W to remove the resist. As a result, the resist on the substrate W can be efficiently removed.

이와 같은 기판 처리 장치 (1) 에 있어서, 제 1 액 공급부 (20) 및 제 2 액 공급부 (30) 의 1 세트는 혼합액 공급 배관 (42) 을 통하여 노즐 (43) 로부터 기판 (W) 에 혼합액을 공급하는 공급부이다. 또 혼합부 (41) 에는 황산 및 과산화수소수가 흐르는 점에서, 혼합부 (41) 도 배관의 일부라고 간주할 수 있다.In the substrate processing apparatus 1 as described above, one set of the first liquid supply unit 20 and the second liquid supply unit 30 is supplied with the mixed liquid from the nozzle 43 to the substrate W through the mixed liquid supply pipe 42 It is the supplying part that supplies. In addition, since the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water flow into the mixing portion 41, the mixing portion 41 can also be regarded as a part of the pipe.

또 도 1 에 예시하는 바와 같이, 노즐 (43) 의 내부 유로 (43b) 의 연장 방향은 토출구 (43a) 에 있어서 기판 (W) 의 표면에 대해 경사져 있어도 되고, 혹은 도 1 의 예시와는 달리, 당해 연장 방향이 기판 (W) 의 표면에 대략 수직이어도 된다.1, the extending direction of the internal flow path 43b of the nozzle 43 may be inclined with respect to the surface of the substrate W at the discharge port 43a. Alternatively, unlike the example of Fig. 1, The extension direction may be substantially perpendicular to the surface of the substrate W.

도 1 의 예에 있어서는, 기판 처리 장치 (1) 에는, 노즐 이동 기구 (44) 가 형성되어 있다. 노즐 이동 기구 (44) 는 노즐 (43) 을, 기판 (W) 의 상방의 처리 위치와, 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피한 대기 위치 사이에서 이동시킬 수 있다. 노즐 (43) 이 대기 위치로 이동함으로써, 기판 유지부 (10) 의 상방의 공간이 비므로, 기판 유지부 (10) 와 기판 처리 장치 (1) 의 외부 사이의 기판 (W) 의 수수를 실시하기 쉽게 할 수 있다.In the example of Fig. 1, the substrate processing apparatus 1 is provided with a nozzle moving mechanism 44. Fig. The nozzle moving mechanism 44 can move the nozzle 43 between the processing position above the substrate W and the standby position retracted from above the substrate W. [ The substrate W is transported between the substrate holding section 10 and the outside of the substrate processing apparatus 1 because the space above the substrate holding section 10 is empty by moving the nozzle 43 to the standby position .

노즐 이동 기구 (44) 는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 모두 도시 생략된 기둥부, 아암 및 회전 기구를 갖고 있다. 기둥부는 연직 방향을 따라 연장되어 있고, 그 기단이 회전 기구에 고정된다. 아암은 기둥부의 선단으로부터 수평으로 신장되어 있다. 아암의 선단에는 노즐 (43) 이 연결되어 있다. 회전 기구는 예를 들어 모터를 갖고 있고, 기둥부의 중심축 (연직 방향에 평행한 중심축) 을 회전축으로 하여 당해 기둥부를 회전시킨다. 기둥부를 회전시킴으로써, 노즐 (43) 은 원호 상을 따라 이동한다. 처리 위치 및 대기 위치는 이 원호 상에 설정된다. 이로써, 노즐 이동 기구 (44) 는 노즐 (43) 을 처리 위치와 대기 위치 사이에서 이동시킬 수 있다.The nozzle moving mechanism 44 is not particularly limited, and includes, for example, a column portion, an arm, and a rotating mechanism, all of which are not shown. The column portion extends along the vertical direction, and the base end thereof is fixed to the rotation mechanism. The arm extends horizontally from the tip of the column portion. A nozzle 43 is connected to the tip of the arm. The rotating mechanism has, for example, a motor and rotates the pillar portion with the central axis of the pillar portion (the central axis parallel to the vertical direction) as the rotation axis. By rotating the column portion, the nozzle 43 moves along the circular arc. The processing position and the standby position are set on this arc. Thereby, the nozzle moving mechanism 44 can move the nozzle 43 between the processing position and the standby position.

또 노즐 이동 기구 (44) 는, 노즐 (43) 을 연직 방향을 따라 이동시키기 위한 승강 기구를 갖고 있어도 된다. 승강 기구로는, 예를 들어 에어 실린더, 볼 나사 기구 또는 1 축 스테이지 등을 채용할 수 있다. 이것에 의하면, 노즐 (43) 과 기판 (W) 사이의 간격을 조정할 수 있다.The nozzle moving mechanism 44 may have a lifting mechanism for moving the nozzle 43 along the vertical direction. As the lifting mechanism, for example, an air cylinder, a ball screw mechanism, a single-shaft stage, or the like can be employed. According to this, the distance between the nozzle 43 and the substrate W can be adjusted.

도 1 의 예에 있어서는, 기판 처리 장치 (1) 에는, 컵 (80) 이 형성되어 있다. 컵 (80) 은 기판 (W) 의 주연 (周緣) 을 둘러싸도록 형성되어 있다. 컵 (80) 은, 기판 (W) 의 주연으로부터 외측으로 흘러나오는 처리액을 회수하기 위한 부재이다. 이 컵 (80) 은 예를 들어 통상의 형상을 갖고 있다. 기판 (W) 의 회전에 수반하여 기판 (W) 의 주연으로부터 비산된 처리액은, 컵 (80) 의 내주면에 충돌하여, 컵 (80) 의 바닥면으로 흐른다. 컵 (80) 의 바닥면에는, 처리액의 회수용의 구멍 (도시 생략) 이 형성되어 있고, 당해 구멍을 통하여 처리액이 회수된다.In the example of Fig. 1, a cup 80 is formed in the substrate processing apparatus 1. The cup 80 is formed so as to surround the periphery of the substrate W. The cup 80 is a member for recovering a processing solution flowing out from the periphery of the substrate W to the outside. The cup 80 has, for example, a usual shape. The processing liquid scattered from the peripheral edge of the substrate W as the substrate W rotates collides against the inner peripheral surface of the cup 80 and flows to the bottom surface of the cup 80. [ On the bottom surface of the cup 80, a hole (not shown) for recovering the treatment liquid is formed, and the treatment liquid is recovered through the hole.

제어부 (50) 는, 제 1 액 공급부 (20) 에 의한 황산의 공급, 제 2 액 공급부 (30) 에 의한 과산화수소수의 공급을 제어한다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23, 33) 의 개폐, 유량 조정부 (24, 34) 의 개도 및 가열부 (25) 의 발열량을 제어한다. 또, 제어부 (50) 는 회전 기구 (13) 의 회전 속도 및 노즐 이동 기구 (44) 도 제어할 수 있다.The control unit 50 controls the supply of sulfuric acid by the first liquid supply unit 20 and the supply of the hydrogen peroxide solution by the second liquid supply unit 30. [ Specifically, the control unit 50 controls the opening and closing of the open / close valves 23 and 33, the opening of the flow rate adjusting units 24 and 34, and the heating amount of the heating unit 25. The control unit 50 can also control the rotational speed of the rotating mechanism 13 and the nozzle moving mechanism 44. [

제어부 (50) 는 전자 회로 기기로서, 예를 들어 데이터 처리 장치 및 기억 매체를 갖고 있어도 된다. 데이터 처리 장치는 예를 들어 CPU (Central Processor Unit) 등의 연산 처리 장치여도 된다. 기억부는 비일시적인 기억 매체 (예를 들어 ROM (Read Only Memory) 또는 하드 디스크) 및 일시적인 기억 매체 (예를 들어 RAM (Random Access Memory)) 를 갖고 있어도 된다. 비일시적인 기억 매체에는, 예를 들어 제어부 (50) 가 실행하는 처리를 규정하는 프로그램이 기억되어 있어도 된다. 처리 장치가 이 프로그램을 실행함으로써, 제어부 (50) 가, 프로그램에 규정된 처리를 실행할 수 있다. 물론, 제어부 (50) 가 실행하는 처리의 일부 또는 전부가 하드웨어에 의해 실행되어도 된다.The control unit 50 may be an electronic circuit device, for example, a data processing device and a storage medium. The data processing apparatus may be, for example, an arithmetic processing unit such as a CPU (Central Processor Unit). The storage unit may have a non-temporary storage medium (for example, a ROM (Read Only Memory) or a hard disk) and a temporary storage medium (for example, RAM (Random Access Memory)). In the non-temporary storage medium, for example, a program for specifying a process to be executed by the control section 50 may be stored. By executing this program by the processing apparatus, the control unit 50 can execute the processing specified in the program. Of course, some or all of the processing executed by the control unit 50 may be executed by hardware.

도 1 의 예에 있어서는, 기판 처리 장치 (1) 에는, 린스액 공급부 (60) 도 형성되어 있다. 린스액 공급부 (60) 는 기판 (W) 의 표면에 린스액을 공급한다. 린스액으로는, 예를 들어 순수 (DIW : DeIonized Water) 를 채용할 수 있다. 혹은, 린스액으로서, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수, 환원수 (수소수) 등을 채용해도 된다.In the example of Fig. 1, the substrate processing apparatus 1 is also provided with a rinse liquid supply unit 60. [ The rinsing liquid supply unit 60 supplies the rinsing liquid to the surface of the substrate W. As the rinsing liquid, for example, DIW (deionized water) may be employed. Alternatively, the rinsing liquid may be carbonated water, electrolyzed ionized water, ozone water, diluted hydrochloric acid (for example, about 10 to 100 ppm), reduced water (hydrogenated water), or the like.

린스액 공급부 (60) 는 예를 들어 액 공급원 (61) 과 액 공급 배관 (62) 과 개폐 밸브 (63) 와 노즐 (64) 과 노즐 이동 기구 (65) 를 구비하고 있다. 액 공급 배관 (62) 의 일단은 액 공급원 (61) 에 접속되어 있고, 타단은 노즐 (64) 에 접속되어 있다. 액 공급원 (61) 으로부터의 린스액은 액 공급 배관 (62) 의 내부를 노즐 (64) 로 흐르고, 노즐 (64) 의 토출구로부터 토출된다.The rinsing liquid supply unit 60 includes a liquid supply source 61, a liquid supply pipe 62, an on-off valve 63, a nozzle 64 and a nozzle moving mechanism 65, for example. One end of the liquid supply pipe 62 is connected to the liquid supply source 61 and the other end is connected to the nozzle 64. The rinsing liquid from the liquid supply source 61 flows into the nozzle 64 in the liquid supply pipe 62 and is discharged from the discharge port of the nozzle 64.

개폐 밸브 (63) 는 액 공급 배관 (62) 의 도중에 형성되어 있다. 개폐 밸브 (63) 는 린스액의 공급/정지를 전환하는 전환 수단으로서 기능한다. 구체적으로는, 개폐 밸브 (63) 가 열림으로써, 린스액이 액 공급 배관 (62) 의 내부를 흐르고, 개폐 밸브 (63) 가 닫힘으로써, 린스액의 공급이 정지된다. 개폐 밸브 (63) 의 개폐는 제어부 (50) 에 의해 제어된다.The opening / closing valve 63 is formed in the middle of the liquid supply pipe 62. The opening / closing valve 63 functions as switching means for switching supply / stop of the rinsing liquid. Specifically, by opening the on-off valve 63, the rinsing liquid flows through the liquid supply pipe 62 and the on-off valve 63 is closed, thereby stopping the supply of the rinsing liquid. The opening / closing of the opening / closing valve 63 is controlled by the control unit 50.

노즐 (64) 은 적어도 린스액의 토출시에 있어서, 기판 (W) 의 상방에 위치하고 있다. 린스액은 노즐 (64) 로부터 기판 (W) 의 표면에 토출되어, 기판 (W) 의 표면을 씻어낼 수 있다.The nozzle 64 is located above the substrate W at least in the discharge of the rinsing liquid. The rinsing liquid can be discharged from the nozzle 64 onto the surface of the substrate W, and the surface of the substrate W can be washed away.

노즐 이동 기구 (65) 는 노즐 (64) 을, 기판 (W) 의 상방의 처리 위치와, 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피한 대기 위치 사이에서 이동시킬 수 있다. 노즐 (64) 이 대기 위치로 이동함으로써, 노즐 (64, 43) 의 물리적인 간섭을 회피할 수 있고, 또, 기판 유지부 (10) 와 기판 처리 장치 (1) 의 외부 사이의 기판 (W) 의 수수를 실시하기 쉽게 할 수 있다. 노즐 이동 기구 (65) 의 구성의 일례는 노즐 이동 기구 (44) 와 동일하다.The nozzle moving mechanism 65 can move the nozzle 64 between the processing position above the substrate W and the standby position retracted from above the substrate W. [ It is possible to avoid physical interference of the nozzles 64 and 43 by moving the nozzle 64 to the standby position and also to prevent the substrate W between the substrate holding unit 10 and the outside of the substrate processing apparatus 1. [ It is easy to carry out the transfer. An example of the configuration of the nozzle moving mechanism 65 is the same as that of the nozzle moving mechanism 44. [

＜기판 처리 장치의 동작＞&Lt; Operation of substrate processing apparatus &

도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 스텝 S1 에서, 표면에 레지스트가 형성된 기판 (W) 을 배치한다. 구체적으로는, 제어부 (50) 가 노즐 이동 기구 (44, 65) 를 제어하여, 노즐 (43, 64) 을 각각의 대기 위치에서 정지시키고 있는 상태에서 케이싱의 셔터를 연다. 그리고, 도시 생략된 반송 로봇이, 기판 (W) 을 재치한 핸드를 기판 처리 장치 (1) (케이싱) 의 내부에 진입시킴으로써, 기판 (W) 을 기판 유지부 (10) 상에 수수한다. 그 후, 반송 로봇이 빈 핸드를 기판 처리 장치 (1) 로부터 빼낸다. 이로써, 기판 (W) 이 기판 유지부 (10) 에 의해 유지된다.Fig. 2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 1. Fig. In step S1, a substrate W on which a resist is formed is disposed. More specifically, the control unit 50 controls the nozzle moving mechanisms 44 and 65 to open the shutter of the casing in a state in which the nozzles 43 and 64 are stopped at the respective standby positions. The transfer robot shown in the drawing advances the substrate W onto the substrate holding portion 10 by allowing the hand W mounted on the substrate W to enter the inside of the substrate processing apparatus 1 (casing). Thereafter, the conveying robot unloads the empty hand from the substrate processing apparatus 1. Thereby, the substrate W is held by the substrate holding portion 10.

다음으로 스텝 S2 에서, 제어부 (50) 는 회전 기구 (13) 를 제어하여 기판 (W) 을 소정의 회전 속도로 회전시킨다. 소정의 회전 속도로는, 예를 들어 300 [rpm] ∼ 1500 [rpm] 의 범위 내의 값을 채용할 수 있다.Next, in step S2, the control unit 50 controls the rotation mechanism 13 to rotate the substrate W at a predetermined rotation speed. A value within a range of, for example, 300 [rpm] to 1500 [rpm] can be adopted at a predetermined rotation speed.

다음으로 스텝 S3 에서, 혼합액 (SPM) 을 기판 (W) 의 표면에 토출하는 혼합액 공급 공정이 실시된다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 노즐 이동 기구 (44) 를 제어하여 노즐 (43) 을 처리 위치로 이동시킨다. 노즐 (43) 을 처리 위치로 이동시킨 후에, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23, 33) 를 거의 동시에 연다. 이로써, 황산 및 과산화수소수가 각각 액 공급 배관 (22, 32) 의 내부를 혼합부 (41) 를 향하여 흐른다.Next, in step S3, a mixed liquid supplying step of discharging the mixed liquid (SPM) onto the surface of the substrate W is performed. More specifically, the control unit 50 controls the nozzle moving mechanism 44 to move the nozzle 43 to the processing position. After moving the nozzle 43 to the processing position, the control unit 50 opens the on-off valves 23 and 33 almost simultaneously. As a result, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water flow into the liquid supply pipes 22 and 32 toward the mixing portion 41, respectively.

또 제어부 (50) 는 황산과 과산화수소수의 혼합비가 소정비가 되도록, 유량 조정부 (24, 34) 의 개도를 제어한다. 예를 들어 이 소정비는 황산의 양이 과산화수소수의 양보다 커지도록 설정되고, 예를 들어 황산 : 과산화수소수 ＝ 10 : 1 정도로 설정된다. 황산의 혼합비를 높게 설정함으로써, 회수 후의 혼합액을 재이용하기 쉬워진다. 요컨대, 황산의 혼합비가 높으면, 회수 후의 혼합액이어도, 여전히 황산의 농도가 높으므로, 회수 후의 혼합액을 황산으로서 재이용하기 쉽다.In addition, the control unit 50 controls the opening of the flow rate adjusting units 24 and 34 so that the mixing ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide water becomes a predetermined ratio. For example, the amount of sulfuric acid is set to be larger than the amount of hydrogen peroxide, for example, to about 10: 1, for example, sulfuric acid: hydrogen peroxide. By setting the mixing ratio of sulfuric acid to a high value, it becomes easy to reuse the mixed liquid after collection. In other words, if the mixing ratio of sulfuric acid is high, even after the collection of the mixed solution, the concentration of sulfuric acid is still high, so that the mixed solution after collection is easy to be reused as sulfuric acid.

또, 제어부 (50) 는 가열부 (25) 를 제어하여, 황산을 소정 온도 (예를 들어 150 도 이상) 까지 승온시킨다. 이로써, 황산과 과산화수소수의 반응성을 향상시킬 수 있다.Further, the control unit 50 controls the heating unit 25 to raise the sulfuric acid to a predetermined temperature (for example, 150 degrees or more). Thereby, the reactivity between sulfuric acid and hydrogen peroxide water can be improved.

혼합부 (41) 에서는, 가열된 황산과 과산화수소수가 서로 섞이고, 그 혼합액이 혼합액 공급 배관 (42) 의 내부 및 노즐 (43) 의 내부 유로 (43b) 를 흘러, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 기판 (W) 의 표면에 토출된다. 기판 (W) 의 표면에 토출된 혼합액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 퍼진다. 이로써, 혼합액이 기판 (W) 의 표면의 전체면을 덮는다. 그리고, 혼합액에 함유되는 퍼옥소일황산이 기판 (W) 의 표면의 레지스트와 화학적으로 반응하여, 당해 레지스트가 기판 (W) 의 표면으로부터 제거된다.In the mixing portion 41, the heated sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are mixed with each other and the mixed liquid flows in the mixed liquid supply pipe 42 and the inner flow path 43b of the nozzle 43, To the surface of the substrate W. The mixed liquid discharged onto the surface of the substrate W is spread by receiving the centrifugal force due to the rotation of the substrate W. As a result, the mixed liquid covers the entire surface of the surface of the substrate W. Then, the peroxo sulfuric acid contained in the mixed solution chemically reacts with the resist on the surface of the substrate W, and the resist is removed from the surface of the substrate W.

또한, 이 혼합액 공급 공정에 있어서, 노즐 (43) 의 위치를 고정시켜 혼합액을 기판 (W) 에 공급해도 되고, 노즐 (43) 을 이동시키면서 혼합액을 기판 (W) 에 공급해도 된다. 예를 들어 제어부 (50) 는, 혼합액의 기판 (W) 에 대한 착액 위치를, 기판 (W) 의 중심부와 주연부에서 이동 (예를 들어 왕복 이동) 시키기 위해, 노즐 이동 기구 (44) 를 제어해도 상관없다. 착액 위치를 기판 (W) 의 중심부와 주연부 사이에서 이동시키면, 기판 (W) 의 표면의 전체면을 균일하게 처리할 수 있다.The mixed liquid may be supplied to the substrate W while the position of the nozzle 43 is fixed in the mixed liquid supplying step or the mixed liquid may be supplied to the substrate W while the nozzle 43 is moved. For example, the control unit 50 may control the nozzle moving mechanism 44 to move the mixed position of the mixed liquid to the substrate W in the central portion and the peripheral portion of the substrate W (for example, reciprocating movement) Does not matter. The entire surface of the surface of the substrate W can be treated uniformly by moving the deposition position between the central portion and the peripheral portion of the substrate W. [

혼합액의 공급 개시부터 소정의 기간이 경과하면 혼합액 공급 공정을 종료하고, 스텝 S4 에서, 제어부 (50) 는 황산의 공급을 정지한다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 를 닫음으로써, 황산의 공급을 정지한다. 이로써, 혼합부 (41) 에 대한 황산의 도입이 정지되고, 과산화수소수만이 도입된다. 또 이 때, 제어부 (50) 는 가열부 (25) 에 의한 가열을 종료시킨다.When the predetermined period of time elapses from the start of the supply of the mixed liquid, the mixed liquid supplying step is terminated. In step S4, the control unit 50 stops supplying sulfuric acid. Specifically, the control unit 50 closes the opening / closing valve 23 to stop the supply of sulfuric acid. Thereby, the introduction of sulfuric acid to the mixing portion 41 is stopped, and only the hydrogen peroxide solution is introduced. At this time, the control unit 50 terminates the heating by the heating unit 25.

그리고, 황산의 공급 정지 후에도 과산화수소수의 공급을 유지하는 경우에는, 혼합액 공급부 (40) 의 내부 (요컨대 혼합부 (41) 에서 노즐 (43) 까지의 유로 내) 에 존재하는 혼합액이, 제 1 액 공급부 (20) 로부터의 과산화수소수에 의해 가압되어, 노즐 (43) 로부터 토출된다. 그리고 혼합액 전부가 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 토출되면, 이후에는 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 과산화수소수만이 토출되게 된다.When the supply of hydrogen peroxide solution is maintained even after the supply of sulfuric acid is stopped, the mixed liquid present in the mixed liquid supply portion 40 (i.e., in the flow path from the mixing portion 41 to the nozzle 43) Is pressurized by the hydrogen peroxide solution from the supply part (20), and is discharged from the nozzle (43). Then, when the entire mixed liquid is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43, only the hydrogen peroxide is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43 thereafter.

그런데, 혼합액 공급부 (40) 의 내부에서는, 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 있어서의 과산화수소수의 농도가, 경계부 이외의 혼합액에 있어서의 과산화수소수의 농도보다 높아진다. 왜냐하면, 황산의 공급이 정지되어 있기 때문이다. 또한 여기서 말하는 경계부란, 혼합액 (예를 들어 혼합비가 10 : 1) 과 과산화수소수가 섞인 부분이며, 성분상으로는 혼합액과 동일하다. 단, 상기 서술한 바와 같이 경계부에 있어서의 과산화수소수의 농도는 높다.In the mixed liquid supply unit 40, the concentration of the hydrogen peroxide solution at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid becomes higher than the concentration of the hydrogen peroxide solution in the mixed liquid other than the boundary. This is because the supply of sulfuric acid is stopped. The boundary portion referred to herein is a portion in which a mixture liquid (for example, a mixing ratio of 10: 1) and hydrogen peroxide water are mixed, and the composition is the same as the mixture liquid. However, as described above, the concentration of the hydrogen peroxide solution at the boundary portion is high.

이와 같이 경계부에 있어서의 과산화수소수의 농도가 증대하므로, 당해 경계부에 있어서 황산과 과산화수소수의 반응이 촉진되어, 반응 열량이 증가하여 기체 (증기) 의 발생량이 증대한다. 예를 들어 경계부에 있어서의 온도는 200 도 정도까지 상승될 수 있다.Since the concentration of the hydrogen peroxide solution at the boundary increases as described above, the reaction between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution at the boundary is promoted, thereby increasing the amount of heat of reaction and increasing the amount of gas (vapor) generated. For example, the temperature at the boundary can be raised to about 200 degrees.

그리고, 과산화수소수가 경계부에 계속 공급되면, 과산화수소수와 혼합액이 서로 섞인 경계부가 넓어지고, 결과적으로 넓은 범위에서 분산적으로 기체가 생성된다. 도 3 은 이 현상을 나타내는 모식도이며, 노즐 (43) 의 내부를 나타내고 있다.When the hydrogen peroxide solution is continuously supplied to the boundary portion, the boundary portion where the hydrogen peroxide solution and the mixed solution are mixed is widened, resulting in generation of a dispersed gas in a wide range. Fig. 3 is a schematic view showing this phenomenon and shows the inside of the nozzle 43. Fig.

또한, 여기서는 모식적으로 노즐 (43) 의 내부에서 상기 현상을 나타내고 있지만, 실제로는, 당해 현상은 황산의 공급 정지 직후의 혼합부 (41) 에 있어서 발생하며, 과산화수소수의 공급에서 기인하여 시간의 경과와 함께 경계부 및 기체가 혼합액 공급 배관 (42) 의 내부를 이동하여 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 에 이른다. 도 3 의 예에 있어서는, 노즐 (43) 의 내부에 있어서 혼합액 (L2) 은 토출구 (43a) 측에 위치하고 있고, 과산화수소수 (L1) 는 혼합액 (L2) 보다 상류측 (토출구 (43a) 와는 반대측) 에 위치하고 있고, 기체 (A1) 가 넓게 분산되어 있다. 또한 이 혼합액 (L2) 은 경계부를 포함하고 있다.Although this phenomenon is shown schematically in the inside of the nozzle 43 in practice, this phenomenon actually occurs in the mixing section 41 immediately after the supply of sulfuric acid is stopped, The boundary portion and the gas move inside the mixed liquid supply pipe 42 and reach the discharge port 43a of the nozzle 43. [ 3, the mixed liquid L2 is located on the discharge port 43a side and the hydrogen peroxide solution L1 is located on the upstream side (the side opposite to the discharge port 43a) with respect to the mixed liquid L2. And the base body A1 is widely dispersed. The mixed solution L2 includes a boundary portion.

그리고, 이 기체 (A1) 가 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 혼합액 (L2) 과 함께 토출됨으로써, 혼합액 (L2) 이 내뿜어져 날아가고 (비산되고), 원하는 착액 위치와는 상이한 위치에 착액된다. 내뿜어져 날아간 혼합액 (L2) 은 기판 (W) 이외의 장소 (예를 들어 천정) 에 착액되는 경우도 있다. 도 3 의 예에 있어서는, 내뿜어져 날아간 혼합액 (L2) 의 덩어리를 모식적으로 원으로 나타내고, 또 그 비산 방향을 화살표로 모식적으로 나타내고 있다.The gas A1 is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43 together with the mixed liquid L2 so that the mixed liquid L2 is blown out and scattered and scattered to a position different from the desired liquid immersion position . The mixed liquid L2 blown out and blown may be immersed in a place other than the substrate W (for example, a ceiling). In the example of Fig. 3, the mass of the liquid mixture L2 blown out is schematically shown by a circle, and the scattering direction is schematically shown by an arrow.

게다가, 혼합액 공급 공정 (스텝 S3) 에서 공급하는 혼합액에 있어서, 황산의 혼합비가 높게 설정되는 경우, 요컨대 과산화수소수의 혼합비가 낮게 설정되는 경우에는, 경계부에 있어서의 과산화수소수의 혼합비가 혼합액에 있어서의 과산화수소수의 혼합비에 비해 현저하게 증대한다. 이로써, 경계부에 있어서의 황산과 과산화수소수의 반응이 비교적 촉진되기 쉬워진다고 생각된다. 요컨대, 황산의 혼합비 (＝ 황산의 체적/과산화수소수의 체적) 가 높은 경우, 경계부에 있어서의 기체의 발생량은 비교적 많아진다. 따라서, 황산의 혼합비를 높여 회수 후의 혼합액의 재이용성을 높이면, 황산의 공급 정지 후의 혼합액의 내뿜어져 날아감이 발생하기 쉬워진다. 예를 들어 황산의 혼합비 (＝ 황산/과산화수소수) 가 10 이상일 때, 혼합액의 내뿜어져 날아감이 발생하기 쉽다.In addition, when the mixing ratio of the sulfuric acid in the mixed liquid supplied in the mixed liquid feeding step (step S3) is set to be high, in other words, when the mixing ratio of the hydrogen peroxide solution is set low, the mixing ratio of the hydrogen peroxide solution at the boundary portion becomes Hydrogen peroxide solution. As a result, it is considered that the reaction between sulfuric acid and the aqueous hydrogen peroxide at the boundary is likely to be promoted relatively easily. That is, when the mixing ratio of sulfuric acid (= the volume of sulfuric acid / the volume of the hydrogen peroxide solution) is high, the amount of gas generated at the boundary portion becomes relatively large. Therefore, if the mixing ratio of sulfuric acid is increased and the reusability of the mixed solution after the collection is increased, the mixed solution after the supply of sulfuric acid is stopped is likely to be blown out, resulting in fluttering. For example, when the mixing ratio of sulfuric acid (= sulfuric acid / hydrogen peroxide solution) is 10 or more, the mixed liquid is liable to be blown out and blown away.

그래서 본 실시형태에서는, 황산의 공급 정지에 수반하는 혼합액의 내뿜어져 날아감을 억제하기 위해, 스텝 S5 에서, 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 기체층을 형성한다. 도 4 는, 기체층을 형성하기 위한 처리 순서의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 스텝 S51 에서, 제어부 (50) 는 과산화수소수의 공급을 일단 정지 (중단) 한다. 스텝 S51 은 스텝 S4 와 동시에 실행되어도 된다. 요컨대, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 의 폐지와 동시, 혹은 그 직후에, 개폐 밸브 (33) 를 일단 닫는다. 이로써, 혼합액 공급부 (40) 의 내부에 있어서 과산화수소수에 의한 가압이 일단 소실된다. 바꿔 말하면, 황산의 혼합액 공급부 (40) 에 대한 도입 정지와 동시 또는 그 직후에, 과산화수소수의 유량을 제로로 한다. 이 가압의 소실에 의해, 경계부에서 발생하는 기체가 경계부 부근에 머무르기 쉬워, 이 경계부에 있어서 기체가 덩어리가 되어 형성되고, 그 결과, 기체층이 형성된다. 도 5 는 이 현상을 나타내는 모식도이며, 도 3 과 마찬가지로 노즐 (43) 의 내부를 나타내고 있다. 이 기체층은 과산화수소수 (L1) 와 혼합액 (L2) 의 접촉 영역을 저감시킬 수 있다. 이 기체층은 과산화수소수 (L1) 와 혼합액 (L2) 의 분리 영역으로서 기능할 수 있다. 또한 여기서는 모식적으로 노즐 (43) 의 내부에서 상기 현상을 나타내고 있지만, 도 3 과 마찬가지로, 실제로는 당해 현상은 황산의 공급 정지 직후의 혼합부 (41) 에 있어서 발생한다.Therefore, in the present embodiment, in order to suppress flushing of the mixed liquid accompanied with stoppage of sulfuric acid supply, a gas layer is formed at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid in step S5. 4 is a flowchart showing an example of a processing procedure for forming a base layer. In step S51, the control unit 50 temporarily stops (stops) the supply of the hydrogen peroxide solution. Step S51 may be executed simultaneously with step S4. In short, the control unit 50 closes the opening / closing valve 33 at the same time as or immediately after the closing of the opening / closing valve 23. As a result, the pressurization by the hydrogen peroxide solution in the mixed liquid supply part 40 is once lost. In other words, the flow rate of the hydrogen peroxide solution is made zero at the same time as or immediately after the introduction of the sulfuric acid into the mixed liquid supply part 40. The gas generated at the boundary portion is liable to stay near the boundary portion due to the disappearance of the pressure, and the gas is formed as a lump at the boundary portion, and as a result, the base layer is formed. Fig. 5 is a schematic diagram showing this phenomenon, and shows the inside of the nozzle 43 as in Fig. This gas layer can reduce the contact area between the hydrogen peroxide solution (L1) and the mixed liquid (L2). This gas layer can function as a separation region of the hydrogen peroxide solution (L1) and the mixture liquid (L2). Although the above phenomenon is schematically illustrated in the inside of the nozzle 43, as in the case of Fig. 3, this phenomenon actually occurs in the mixing portion 41 immediately after the supply of sulfuric acid is stopped.

이 기체층은, 과산화수소수와 혼합액의 접촉을 억제하므로, 추가적인 반응을 억제할 수 있고, 나아가서는 추가적인 기체의 발생을 억제할 수 있다. 요컨대, 기체의 발생량을 저감시킬 수 있다.This gas layer suppresses the contact between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid, so that the additional reaction can be suppressed, and further, generation of additional gas can be suppressed. That is, the generation amount of the gas can be reduced.

개폐 밸브 (33) 를 닫고 나서 소정의 기간 (이하, 중단 기간이라고 부른다) 이 경과하면, 스텝 S52 에서, 제어부 (50) 는 과산화수소수의 공급을 재개시킨다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (33) 를 엶으로써, 과산화수소수의 공급을 재개한다. 이로써, 과산화수소수가 기체층 및 혼합액을 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 측으로 가압하므로, 결국 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 과산화수소수만이 기판 (W) 의 표면에 토출된다.When a predetermined period (hereinafter referred to as an interruption period) has elapsed since the opening / closing valve 33 is closed, in step S52, the control unit 50 resumes the supply of the hydrogen peroxide solution. Specifically, the control unit 50 resumes the supply of the hydrogen peroxide solution by opening the on-off valve 33. As a result, the hydrogen peroxide solution presses the gas layer and the mixed liquid toward the discharge port 43a of the nozzle 43, so that only hydrogen peroxide is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43 onto the surface of the substrate W.

그런데, 스텝 S51 에 의한 과산화수소수의 공급의 정지 직후에 있어서, 혼합액을 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 측으로 가압하는 힘은, 주로 경계부에 형성되는 기체층의 압력에 의해 실현된다. 바꿔 말하면, 개폐 밸브 (23, 33) 의 양방을 닫은 직후에는 기체층의 압력에 의해, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 혼합액의 토출이 유지된다. 이 기체층의 압력에 의한 혼합액의 토출은 장기간에 걸쳐 유지할 수 없으므로, 과산화수소수의 공급을 재개하지 않는 한, 결국 노즐 (43) 로부터의 혼합액의 토출이 중단된다. 기판 (W) 의 표면 상의 혼합액은 기판 (W) 의 회전에 의해, 그 중앙부로부터 주연으로 이동하므로, 노즐 (43) 로부터의 토출이 재개되지 않는 한, 결국 기판 (W) 의 중심 영역이 액 끊김 영역이 된다. 액 끊김 영역이란, 기판 (W) 의 표면 상의 영역으로서, 액체에 의해 덮여 있지 않은 영역이다. 이 액 끊김 영역에서는 워터 마크가 생기거나, 혹은 파티클 등이 부착되거나 하는 경우가 있다.By the way, immediately after the supply of the hydrogen peroxide solution by the step S51 is stopped, the force for pressing the mixed liquid toward the discharge port 43a of the nozzle 43 is realized mainly by the pressure of the gas layer formed at the boundary portion. In other words, just after both of the open / close valves 23 and 33 are closed, the discharge of the mixed liquid from the discharge port 43a of the nozzle 43 is maintained by the pressure of the gas layer. The discharge of the mixed liquid from the nozzle 43 can not be maintained over a long period of time, so that the discharge of the mixed liquid from the nozzle 43 is stopped unless the supply of the hydrogen peroxide solution is resumed. The mixed liquid on the surface of the substrate W is moved from the central portion to the peripheral edge by the rotation of the substrate W. As a result, unless the ejection from the nozzle 43 is resumed, Area. The liquid-dropping region is a region on the surface of the substrate W, which is not covered by the liquid. In this liquid-splitting area, a watermark may be formed, or particles may be adhered.

그래서, 개폐 밸브 (23, 33) 의 양방을 닫는 중단 기간은, 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역이 생기지 않을 정도의 시간으로 설정되면 된다. 요컨대, 제어부 (50) 는, 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역이 생기기 전에 스텝 S52 에 의한 과산화수소수의 공급을 재개하는 것이다. 이로써, 기판 (W) 의 표면 상에 액 끊김 영역이 발생하는 것을 회피할 수 있다. 이 중단 기간은 예를 들어 실험 등에 의해 설정할 수 있다.Therefore, the shutdown period for closing both of the open / close valves 23 and 33 may be set to a time for preventing a liquid dropping area from occurring on the surface of the substrate W. In short, the control unit 50 resumes the supply of the hydrogen peroxide solution by the step S52 before the liquid-cutting area is formed on the surface of the substrate W. As a result, it is possible to avoid the occurrence of liquid dropping areas on the surface of the substrate W. This interruption period can be set, for example, by an experiment or the like.

또한 과산화수소수의 공급의 재개에 의해, 기체층은 과산화수소수의 가압에 의해 노즐 (43) 측으로 이동한다. 기체층이 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 토출될 때에도, 혼합액의 내뿜어져 날아감은 발생하기 어렵다. 왜냐하면, 경계부에 발생하는 기체의 양이 저감되어 있기 때문이다. 또, 기체의 분산도 억제할 수 있으므로, 이 관점에서도 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다.Further, by resumption of supply of the hydrogen peroxide solution, the base layer moves to the side of the nozzle 43 by pressurization of the hydrogen peroxide solution. Even when the base layer is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43, it is difficult for the mixed liquid to be blown out and blown off. This is because the amount of gas generated at the boundary portion is reduced. In addition, since the dispersion of the gas can be suppressed, it is possible to prevent the gas from being blown out from this point of view.

또, 기체층이 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 토출될 때에는, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터의 액체의 토출이 중단될 수 있다. 그런데, 기체층의 체적은 그다지 크지 않으므로, 기체층의 토출 후에 신속하게 과산화수소수가 토출된다. 따라서, 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역은 발생하기 어렵다.When the base layer is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43, the discharge of the liquid from the discharge port 43a of the nozzle 43 can be stopped. However, since the volume of the gas layer is not so large, the hydrogen peroxide solution is rapidly discharged after the discharge of the gas layer. Therefore, a liquid dropping region is hard to occur on the surface of the substrate W.

과산화수소수가 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 기판 (W) 의 표면의 중앙부에 토출되면, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받아 외주측으로 퍼진다. 이로써, 과산화수소수가 기판 (W) 의 표면의 혼합액을 외주측으로 밀어내어 기판 (W) 의 주연으로부터 배출한다. 따라서, 기판 (W) 의 표면 상의 혼합액이 과산화수소수로 치환된다. 과산화수소수를 소정 기간에 걸쳐 공급한 후, 스텝 S6 에서, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (33) 를 닫아 과산화수소수의 공급을 정지한다 (도 2).When the hydrogen peroxide solution is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43 to the central portion of the surface of the substrate W, the hydrogen peroxide solution receives the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W and spreads to the outer circumferential side. Thereby, the hydrogen peroxide solution pushes the mixed liquid on the surface of the substrate W to the outer peripheral side and discharges it from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, the mixed liquid on the surface of the substrate W is replaced with the hydrogen peroxide solution. After supplying the hydrogen peroxide solution over a predetermined period, the control unit 50 closes the on-off valve 33 to stop the supply of the hydrogen peroxide solution in step S6 (Fig. 2).

다음으로 스텝 S7 에서, 린스액 공급 공정이 실시된다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 노즐 이동 기구 (44) 를 제어하여 노즐 (43) 을 대기 위치로 이동시키고, 그 후, 노즐 이동 기구 (65) 를 제어하여 노즐 (64) 을 처리 위치로 이동시킨다. 그리고 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (63) 를 열어, 린스액을 노즐 (64) 의 토출구로부터 기판 (W) 의 표면에 토출시킨다.Next, in step S7, the rinsing liquid supply step is performed. More specifically, the control unit 50 controls the nozzle moving mechanism 44 to move the nozzle 43 to the standby position, and thereafter controls the nozzle moving mechanism 65 to move the nozzle 64 to the processing position . The control unit 50 opens the on-off valve 63 to discharge the rinsing liquid from the discharge port of the nozzle 64 to the surface of the substrate W.

린스액은 기판 (W) 의 표면의 중앙부에 착액되고, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받아 외주측으로 퍼진다. 이로써, 린스액이 기판 (W) 의 표면 상의 과산화수소수를 외주측으로 밀어내어 기판 (W) 의 주연으로부터 배출한다. 따라서, 기판 (W) 의 표면 상의 과산화수소수가 린스액으로 치환된다. 요컨대, 기판 (W) 의 표면의 전체면에 있어서 과산화수소수가 씻어내어진다. 린스액을 소정 기간에 걸쳐 공급한 후, 스텝 S8 에서, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (63) 를 닫아 린스액의 공급을 정지한다.The rinse liquid is adhered to the central portion of the surface of the substrate W, receives the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and spreads to the outer circumferential side. Thereby, the rinsing liquid pushes the hydrogen peroxide solution on the surface of the substrate W to the outer peripheral side and discharges it from the peripheral edge of the substrate W. Therefore, the hydrogen peroxide solution on the surface of the substrate W is replaced with the rinsing liquid. That is, the hydrogen peroxide solution is washed away on the entire surface of the substrate W. After the rinse liquid is supplied over a predetermined period, the control unit 50 closes the open / close valve 63 to stop supplying the rinse liquid in step S8.

다음으로 스텝 S9 에서, 건조 공정이 실시된다. 건조 공정에 있어서는, 예를 들어 제어부 (50) 가 회전 기구 (13) 를 제어하여, 기판 (W) 의 회전 속도를 증대시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 표면 상의 린스액에는, 보다 큰 원심력이 작용하고, 린스액은 기판 (W) 의 주연부로부터 외측으로 털어내어진다. 이로써, 린스액이 제거되어 기판 (W) 이 건조된다. 제어부 (50) 는 소정 기간에 걸쳐 기판 (W) 을 회전시킨 후에, 회전 기구 (13) 를 제어하여 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다.Next, in step S9, the drying step is performed. In the drying process, for example, the control unit 50 controls the rotation mechanism 13 to increase the rotation speed of the substrate W. As a result, a larger centrifugal force acts on the rinsing liquid on the surface of the substrate W, and the rinsing liquid is shaken outward from the periphery of the substrate W. [ As a result, the rinsing liquid is removed and the substrate W is dried. The control unit 50 controls the rotation mechanism 13 to stop the rotation of the substrate W after rotating the substrate W for a predetermined period of time.

이상과 같이, 기판 처리 장치 (1) 에 의하면, 혼합액 공급부 (40) 에 대한 황산의 공급을 정지함으로써 생기는 혼합액과 과산화수소수의 경계부에 있어서, 기체층을 형성한다. 상기 서술한 구체예에서는, 황산의 공급 정지시에, 과산화수소수의 혼합액 공급부 (40) 에 대한 공급을 일단 정지 (중단) 함으로써, 경계부에 기체층을 형성한다. 이로써, 기체의 발생량을 저감시킬 수 있으므로, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터의 혼합액의 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다. 또 과산화수소수의 공급의 중단에 의해, 기체의 분산도 억제할 수 있어, 이 관점에서도 혼합액의 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다.As described above, according to the substrate processing apparatus 1, the base layer is formed at the boundary between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution, which is produced by stopping the supply of the sulfuric acid to the mixed liquid supply portion 40. In the above-described specific example, when the supply of sulfuric acid is stopped, supply of the hydrogen peroxide solution to the mixed liquid supply portion 40 is temporarily stopped (stopped) to form a gas layer at the boundary portion. As a result, the amount of gas generated can be reduced, so that the mixed liquid from the discharge port 43a of the nozzle 43 can be blown out and prevented from flying. Also, by stopping the supply of the hydrogen peroxide solution, the dispersion of the gas can be suppressed, and the mixed liquid can be blown out from the viewpoint of suppressing flying.

또 상기 서술한 예에서는, 과산화수소수의 공급의 중단 기간은, 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역이 생기지 않을 정도의 시간으로 설정되어 있다. 이것에 의하면, 기판 (W) 의 표면 상에 액 끊김 영역이 발생하는 것을 회피할 수 있어, 당해 액 끊김 영역에서 기인한 워터 마크 및 파티클 등의 문제를 회피할 수 있다.In the above-described example, the stop period of the supply of the hydrogen peroxide solution is set to a time that does not cause a liquid dropping area on the surface of the substrate W. According to this, it is possible to avoid the occurrence of liquid dropping areas on the surface of the substrate W, and it is possible to avoid problems such as watermarks and particles caused by the liquid dropping areas.

또 상기 서술한 바와 같이, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 의 폐지와 동시에 개폐 밸브 (33) 를 정지하면 된다. 이것에 의하면, 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 대한 과산화수소수에 의한 가압을 신속하게 소실시킬 수 있다. 따라서, 당해 가압에서 기인한 경계부의 넓어짐, 나아가서는 기체의 분산을 신속하게 억제할 수 있다. 이것에 의하면, 보다 기체층을 형성하기 쉽다.As described above, the control unit 50 may stop the on-off valve 33 at the same time as the on-off valve 23 is stopped. According to this, the pressurization due to the hydrogen peroxide solution at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid can be quickly lost. Therefore, the widening of the boundary portion due to the pressurization and the dispersion of the gas can be quickly suppressed. This makes it easier to form a base layer.

＜제 2 액 (과산화수소수) 의 유량＞&Lt; Flow rate of the second solution (hydrogen peroxide solution) &gt;

상기 서술한 예에서는, 제어부 (50) 가 과산화수소수를 일단 정지 (중단) 함으로써, 혼합액과 과산화수소수의 경계부에 있어서 기체층을 형성하였다. 그러나, 기체층의 형성을 위해, 반드시 과산화수소수의 공급을 중단할 필요는 없다.In the example described above, the control unit 50 temporarily stops (stops) the hydrogen peroxide solution to form a gas layer at the boundary between the mixed solution and the hydrogen peroxide solution. However, in order to form the gas layer, it is not necessarily required to stop supplying the hydrogen peroxide solution.

도 6 은, 기체층을 형성하기 위한 처리 순서의 다른 일례를 나타내는 플로 차트이다. 스텝 S51A 에서, 제어부 (50) 는 유량 조정부 (34) 를 제어하여, 과산화수소수의 유량을 저감시킨다. 이 스텝 S51A 는 스텝 S4 와 동시 혹은 그 직후에 실행된다. 요컨대, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 의 폐지와 동시 혹은 그 직후에 과산화수소수의 유량을 저감시킨다. 이 유량 저감에 의해, 과산화수소수와 혼합액 사이의 경계부에 대한 과산화수소수에 의한 가압이 억제된다. 따라서, 경계부의 넓어짐 및 기체의 분산을 억제할 수 있고, 나아가서는 기체가 덩어리가 되어 기체층을 형성하기 쉽다. 반대로 말하면, 스텝 S51A 에서의 과산화수소수의 유량은 기체층이 형성될 정도의 값으로 설정된다. 이 기체층은 과산화수소수와 혼합액의 접촉 영역을 저감시킬 수 있다. 따라서, 과산화수소수와 황산의 추가적인 반응을 억제할 수 있어, 추가적인 기체의 발생을 억제할 수 있다.6 is a flowchart showing another example of the processing procedure for forming a base layer. In step S51A, the control unit 50 controls the flow rate adjusting unit 34 to reduce the flow rate of the hydrogen peroxide solution. This step S51A is executed simultaneously with or immediately after step S4. In short, the control unit 50 reduces the flow rate of the hydrogen peroxide solution at the same time as or immediately after the closing of the opening / closing valve 23. This flow rate reduction suppresses the pressurization due to the hydrogen peroxide solution at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid. Therefore, the widening of the boundary portion and the dispersion of the gas can be suppressed, and further, the gas becomes a lump and the gas layer is easily formed. Conversely, the flow rate of the hydrogen peroxide solution in step S51A is set to a value at which the gas layer is formed. This gas layer can reduce the contact area between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid. Therefore, the additional reaction of the hydrogen peroxide solution and the sulfuric acid can be suppressed, and the generation of additional gas can be suppressed.

그리고, 과산화수소수의 유량을 저감시키기 시작하고 나서 소정 기간 (이하, 저감 기간이라고도 부른다) 이 경과한 후에, 스텝 S52A 에서 제어부 (50) 는 과산화수소수의 유량을 증대시킨다. 예를 들어, 제어부 (50) 는 유량 조정부 (34) 를 제어하여, 과산화수소수의 유량을 저감 기간 (스텝 S51A) 전의 유량으로 되돌린다.After a predetermined period (hereinafter also referred to as a reduction period) has elapsed since the start of reducing the flow rate of the hydrogen peroxide solution, the control unit 50 increases the flow rate of the hydrogen peroxide solution in step S52A. For example, the control unit 50 controls the flow rate adjusting unit 34 to return the flow rate of the hydrogen peroxide solution to the flow rate before the reduction period (step S51A).

상기 동작에 의해서도, 경계부에 있어서의 기체의 발생을 억제할 수 있으므로, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 의 혼합액의 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다.By the above-described operation, generation of gas at the boundary can be suppressed, so that the mixed liquid of the discharge port 43a of the nozzle 43 can be blown out to be suppressed from flying.

또 상기 동작에 의하면, 황산의 공급 정지 후에도 과산화수소수의 공급이 유지되므로, 노즐 (43) 로부터의 액체의 토출이 중단되기 어렵다. 이것에 의하면, 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역이 생길 가능성을 저감시킬 수 있다.According to the above operation, the supply of the hydrogen peroxide solution is maintained even after the supply of sulfuric acid is stopped, so that the discharge of the liquid from the nozzle 43 is difficult to be stopped. According to this, the possibility that a liquid-dropping area is formed on the surface of the substrate W can be reduced.

제 2 실시형태.Second Embodiment Fig.

제 1 실시형태에 있어서는, 황산과 과산화수소수의 화학 반응에서 기인하여 생성되는 기체를 이용하여, 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 기체층을 형성하였다. 제 2 실시형태에서는, 이 기체와는 다른 기체를 별도로 혼합액 공급부 (40) 에 공급함으로써, 기체층을 형성하는 것을 기도한다.In the first embodiment, a gas layer is formed at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid by using the gas generated due to the chemical reaction between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water. In the second embodiment, a gas different from the gas is separately supplied to the mixed liquid supply unit 40 to form a gas layer.

도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1A) 의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1A) 는 기체 공급부 (70) 의 유무라는 점에서 기판 처리 장치 (1) 와 상이하다. 바꿔 말하면, 기판 처리 장치 (1A) 는 기판 처리 장치 (1) 와 비교하여, 기체 공급부 (70) 를 추가로 구비하고 있다. 기체 공급부 (70) 는 기체를 혼합액 공급부 (40) 에 공급하여, 과산화수소수와 혼합액 사이의 경계부에 기체층을 형성한다. 당해 기체로는, 예를 들어 질소 또는 아르곤 등의 불활성 가스를 채용할 수 있다.7 is a view schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1A according to the second embodiment. The substrate processing apparatus 1A differs from the substrate processing apparatus 1 in that the substrate supply unit 70 is provided. In other words, the substrate processing apparatus 1A further includes a gas supply unit 70 as compared with the substrate processing apparatus 1. [ The gas supply unit 70 supplies the gas to the mixed liquid supply unit 40 to form a gas layer at the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid. As the gas, for example, an inert gas such as nitrogen or argon may be employed.

기체 공급부 (70) 는 기체 공급원 (71) 과 기체 공급 배관 (72) 과 개폐 밸브 (73) 를 구비하고 있다. 기체 공급 배관 (72) 의 일단은 기체 공급원 (71) 에 접속되어 있고, 타단은 혼합부 (41) 에 접속되어 있다. 기체 공급원 (71) 으로부터의 기체는 기체 공급 배관 (72) 의 내부를 흘러 혼합부 (41) 에 공급된다.The gas supply unit 70 includes a gas supply source 71, a gas supply pipe 72, and an on-off valve 73. One end of the gas supply pipe 72 is connected to the gas supply source 71 and the other end is connected to the mixing portion 41. The gas from the gas supply source (71) flows through the gas supply pipe (72) and is supplied to the mixing portion (41).

도 8 은, 혼합부 (41) 근방의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 혼합부 (41) 에는, 액 공급 배관 (22, 32) 및 기체 공급 배관 (72) 이 접속되어 있다. 도 8 의 예에 있어서는, 액 공급 배관 (22) 과 혼합부 (41) 의 접속구 (P2) 는, 액 공급 배관 (32) 과 혼합부 (41) 의 접속구 (P3) 에 대해, 노즐 (43) 측 (하류측) 에 위치하고 있고, 기체 공급 배관 (72) 과 혼합부 (41) 의 접속구 (P1) 는 접속구 (P2, P3) 사이에 위치하고 있다.8 is a view schematically showing an example of the configuration in the vicinity of the mixing section 41. Fig. The liquid supply pipes 22 and 32 and the gas supply pipe 72 are connected to the mixing portion 41. 8, the connection port P2 of the liquid supply pipe 22 and the mixing portion 41 is connected to the connection port P3 of the liquid supply pipe 32 and the mixing portion 41, And the connection port P1 between the gas supply pipe 72 and the mixing portion 41 is located between the connection ports P2 and P3.

개폐 밸브 (73) 는 기체 공급 배관 (72) 의 도중에 형성되어 있다. 개폐 밸브 (73) 는, 기체의 공급/정지를 전환하는 전환 수단으로서 기능한다. 구체적으로는, 개폐 밸브 (73) 가 열림으로써, 기체 공급원 (71) 으로부터의 기체가 기체 공급 배관 (72) 의 내부를 흘러 혼합액 공급부 (40) 에 공급되고, 개폐 밸브 (73) 가 닫힘으로써, 혼합액 공급부 (40) 에 대한 기체의 공급이 정지된다.The opening / closing valve 73 is formed in the middle of the gas supply pipe 72. The on-off valve 73 functions as switching means for switching supply / stop of the gas. Specifically, by opening the on-off valve 73, the gas from the gas supply source 71 flows into the gas supply pipe 72 and is supplied to the mixed liquid supply portion 40. By closing the on-off valve 73, The supply of the gas to the mixed liquid supply part 40 is stopped.

이 개폐 밸브 (73) 의 개폐는 제어부 (50) 에 의해 제어된다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 를 닫아 황산의 공급을 정지할 때에, 개폐 밸브 (73) 를 열어 기체를 혼합액 공급부 (40) 에 공급한다. 이로써, 황산의 공급 정지에 의해 생기는 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 기체가 공급되어, 기체층이 형성된다.The opening and closing of the on-off valve 73 is controlled by the control unit 50. Specifically, the control unit 50 opens the on-off valve 73 to supply the gas to the mixed liquid supply unit 40 when the open / close valve 23 is closed to stop the supply of sulfuric acid. As a result, gas is supplied to the boundary portion between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid generated by stopping the supply of sulfuric acid, and a gas layer is formed.

도 9 는, 기판 처리 장치 (1A) 에 있어서의 기체층 형성 공정의 구체적인 처리 순서의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 9 에 있어서, 스텝 S51B 에서, 제어부 (50) 는 스텝 S4 와 동시 혹은 그 직후에, 개폐 밸브 (73) 를 열어 혼합부 (41) 에 기체를 공급한다. 이로써, 혼합부 (41) 에 있어서 과산화수소수와 혼합액의 경계부에 기체층을 형성한다. 요컨대, 스텝 S4 에 있어서 개폐 밸브 (23) 를 닫으면, 혼합부 (41) 에 있어서 과산화수소수와 혼합액의 경계부가 형성되므로, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 의 폐지와 동시에 개폐 밸브 (73) 를 열어 기체를 혼합부 (41) 에 공급함으로써, 당해 경계부에 기체층을 형성하는 것이다. 바꿔 말하면, 제어부 (50) 는, 황산의 공급의 정지와 동시 또는 그 직후에 있어서, 기체 공급부 (70) 에 기체를 공급시켜 기체층을 형성한다.Fig. 9 is a flowchart showing an example of a specific processing procedure of the substrate layer forming step in the substrate processing apparatus 1A. In Fig. 9, in step S51B, the control unit 50 opens the on-off valve 73 at the same time as or immediately after step S4 and supplies the gas to the mixing unit 41. [ As a result, a gas layer is formed at the boundary portion between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid in the mixing portion 41. Specifically, when the opening / closing valve 23 is closed in step S4, the boundary between the hydrogen peroxide solution and the mixed liquid is formed in the mixing part 41. Therefore, the control part 50 controls the opening / closing valve 73, And the gas is supplied to the mixing portion 41 to form a gas layer at the boundary portion. In other words, the control unit 50 supplies the gas to the gas supply unit 70 at the same time or immediately after the stop of the supply of the sulfuric acid to form the gas layer.

기체의 공급 개시부터 소정의 기간 (이하, 기체 공급 기간이라고 부른다) 이 경과하였을 때에, 스텝 S52B 에서, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (73) 를 닫아, 기체의 공급을 정지한다. 스텝 S52B 에 의해 형성되는 기체층의 체적은, 기체의 압력 및 기체 공급 기간을 조정함으로써 제어할 수 있다.When a predetermined period (hereinafter referred to as a gas supply period) has elapsed from the start of gas supply, the control unit 50 closes the on-off valve 73 and stops supplying the gas in step S52B. The volume of the base layer formed in step S52B can be controlled by adjusting the pressure of the base and the gas supply period.

경계부에 기체층을 형성함으로써, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 경계부에 있어서의 과산화수소수와 황산의 반응을 억제할 수 있고, 기체의 분산을 억제할 수 있다. 따라서, 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터의 액체의 내뿜어져 날아감을 억제할 수 있다. 또 기체층이 노즐 (43) 의 토출구 (43a) 로부터 토출되는 기간에서는, 액체의 토출이 중단될 수 있다. 따라서, 이 중단에 의해 기판 (W) 의 표면에 액 끊김 영역이 형성되지 않도록, 기체층의 체적을 조정하는 것도 바람직하다. 기체의 압력 및 기체 공급 기간은 미리 실험 등에 의해 결정할 수 있다.By forming the gas layer in the boundary portion, the reaction of the hydrogen peroxide solution and the sulfuric acid at the boundary portion can be suppressed and the dispersion of the gas can be suppressed as in the first embodiment. Therefore, liquid can be blown out from the discharge port 43a of the nozzle 43 and can be prevented from flying. In the period in which the base layer is discharged from the discharge port 43a of the nozzle 43, the discharge of the liquid can be stopped. Therefore, it is also preferable to adjust the volume of the base layer so that a liquid-losing area is not formed on the surface of the substrate W by this interruption. The pressure of the gas and the duration of the gas supply can be determined in advance by experiments and the like.

＜과산화수소수의 유량＞<Flow rate of hydrogen peroxide water>

제어부 (50) 는, 개폐 밸브 (73) 를 열고 있는 기간 (요컨대 기체 공급 기간 : 스텝 S51B) 에 있어서, 과산화수소수의 유량을 저감시켜도 된다. 구체적으로는, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (23) 의 폐지와 동시 혹은 그 직후에, 유량 조정부 (34) 를 제어하여 과산화수소수의 유량을 저감시켜도 된다. 이것에 의하면, 과산화수소수에 의한 경계부에 대한 가압이 억제되므로, 기체 공급부 (70) 로부터 공급되는 기체가 경계부에서 덩어리가 되기 쉬워 기체층을 형성하기 쉽다.The control unit 50 may reduce the flow rate of the hydrogen peroxide solution during the period in which the open / close valve 73 is open (in other words, the gas supply period: step S51B). Concretely, the control unit 50 may control the flow rate adjusting unit 34 to reduce the flow rate of the hydrogen peroxide solution at the same time as or immediately after the closing of the opening / closing valve 23. According to this, pressurization of the boundary portion due to the hydrogen peroxide solution is suppressed, so that the gas supplied from the gas supply portion 70 tends to be agglomerated at the boundary portion, so that the gas layer can be easily formed.

기체 공급 기간의 경과 후에는, 제어부 (50) 는 유량 조정부 (34) 를 제어하여, 과산화수소수의 유량을 증대시킨다. 예를 들어, 제어부 (50) 는 유량 조정부 (34) 를 제어하여, 과산화수소수의 유량을 기체 공급 기간 전의 유량으로 되돌린다.After the lapse of the gas supply period, the control unit 50 controls the flow rate adjusting unit 34 to increase the flow rate of the hydrogen peroxide solution. For example, the control unit 50 controls the flow rate adjusting unit 34 to return the flow rate of the hydrogen peroxide solution to the flow rate before the gas supply period.

또한, 제어부 (50) 는 과산화수소수의 유량의 저감을 위해, 반드시 유량 조정부 (34) 를 제어할 필요는 없다. 예를 들어 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (33) 를 닫음으로써, 과산화수소수의 유량을 영으로 저감시켜도 된다. 이것에 의하면, 과산화수소수에 의한 경계부에 대한 가압이 소실되므로, 기체층을 보다 형성하기 쉽다. 기체 공급 기간의 경과 후에, 제어부 (50) 는 개폐 밸브 (33) 를 제어하여 과산화수소수의 공급을 재개한다.In order to reduce the flow rate of the hydrogen peroxide solution, the control unit 50 does not necessarily have to control the flow rate adjusting unit 34. [ For example, the control unit 50 may close the open / close valve 33 to reduce the flow rate of the hydrogen peroxide solution to zero. According to this, since the pressure on the boundary portion due to the hydrogen peroxide solution is lost, the base layer can be more easily formed. After the lapse of the gas supply period, the control unit 50 controls the open / close valve 33 to resume supply of the hydrogen peroxide solution.

＜기판 처리 장치 (1) 의 다른 구체예＞<Another Specific Example of the Substrate Processing Apparatus 1>

상기 서술한 예에서는, 제 1 액으로서 황산을 채용하고, 제 2 액으로서 과산화수소수를 채용하였다. 그러나, 제 1 액과 제 2 액의 조합은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 제 1 액 및 제 2 액의 조합으로서, 인산 및 물의 조합 (이 경우, 혼합액은 열 인산) 을 채용할 수 있다. 이 경우, 기판 처리 장치 (1) 는 열 인산을 기판 (W) 의 표면에 공급하여, 기판 (W) 의 표면을 에칭할 수 있다. 제 1 액 및 제 2 액의 조합으로는, 황산 및 오존수의 조합 (이 경우, 혼합액은 황산오존 (황산에 오존 가스를 용해시켜 생성한 액체)) 을 채용할 수도 있다. 이 경우, 기판 처리 장치 (1) 는 황산오존수를 기판 (W) 의 표면에 공급하여 기판 (W) 의 표면을 세정할 수 있다.In the example described above, sulfuric acid was used as the first liquid and hydrogen peroxide was used as the second liquid. However, the combination of the first liquid and the second liquid is not limited to this. For example, as a combination of the first solution and the second solution, a combination of phosphoric acid and water (in this case, a mixed solution may be thermal phosphoric acid) may be employed. In this case, the substrate processing apparatus 1 can supply the thermal phosphoric acid to the surface of the substrate W, thereby etching the surface of the substrate W. As the combination of the first liquid and the second liquid, a combination of sulfuric acid and ozone water (in this case, the mixed liquid may be sulfuric acid ozone (liquid produced by dissolving ozone gas in sulfuric acid)) may be employed. In this case, the substrate processing apparatus 1 can supply the surface of the substrate W with sulfuric acid-ozone water to clean the surface of the substrate W.

1 : 기판 처리 장치
10 : 기판 유지 수단 (기판 유지부)
22 : 제 1 액 공급 배관
23, 33 : 개폐 수단 (개폐 밸브)
32 : 제 2 액 공급 배관
40 : 혼합액 공급 수단 (혼합액 공급부)
41 : 혼합부
43 : 노즐
43a : 토출구
70 : 기체 공급 수단 (기체 공급부)
S1, S3 ∼ S6 : 공정 (스텝)1: substrate processing apparatus
10: substrate holding means (substrate holding section)
22: First liquid supply pipe
23, 33: opening / closing means (opening / closing valve)
32: second solution supply pipe
40: mixed liquid supplying means (mixed liquid supplying portion)
41:
43: Nozzle
43a:
70: gas supply means (gas supply section)
S1, S3 to S6: Process (step)

Claims (8)

기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
황산과 과산화수소수의 혼합액을, 배관을 통하여 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 1 공정과,
상기 제 1 공정 후에, 과산화수소수를, 상기 배관을 통하여 상기 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정은,
(A) 상기 혼합액을 상기 배관에 도입 개시하는 혼합액 도입 개시 공정과,
(B) (A) 후에, 상기 황산의 상기 배관에 대한 도입 정지하는 혼합액 도입 정지 공정과,
(C) 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 기체층 형성 공정과,
(D) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 도입하는 상기 과산화수소수의 유량을 저하시키거나 또는 유량을 제로로 하는 완화 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate,
A first step of discharging a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide water from a nozzle to a substrate through a pipe,
And a second step of discharging the hydrogen peroxide solution from the nozzle toward the substrate through the pipe after the first step,
In the first step,
(A) introducing a mixture liquid to start introducing the mixed liquid into the piping,
(B) a step of stopping the introduction of the sulfuric acid into the pipe after the step (A)
(C) a gas layer forming step of forming a gas layer at a boundary between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution,
(D) a step of reducing the flow rate of the hydrogen peroxide solution introduced into the pipe at the same time as or immediately after the step (B), or reducing the flow rate to zero. 제 1 항에 있어서,
(D) 에 있어서, 상기 과산화수소수의 유량을 중단 기간에 걸쳐 제로로 하고,
상기 중단 기간은, 상기 기판의 표면에, 액체에 의해 덮여 있지 않은 액 끊김 영역이 생기지 않을 정도의 시간으로 설정되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
(D), the flow rate of the hydrogen peroxide solution is made zero over the termination period,
Wherein the interruption period is set to a time such that a liquid-cut-off region not covered by the liquid does not occur on the surface of the substrate. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
황산과 과산화수소수의 혼합액을, 배관을 통하여 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 1 공정과,
상기 제 1 공정 후에, 과산화수소수를, 상기 배관을 통하여 상기 노즐로부터 기판을 향하여 토출하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정은,
(A) 상기 혼합액을 상기 배관에 도입 개시하는 혼합액 도입 개시 공정과,
(B) (A) 후에, 상기 황산의 상기 배관에 대한 도입 정지하는 혼합액 도입 정지 공정과,
(C) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 기체를 도입하여, 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 기체층 형성 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate,
A first step of discharging a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide water from a nozzle to a substrate through a pipe,
And a second step of discharging the hydrogen peroxide solution from the nozzle toward the substrate through the pipe after the first step,
In the first step,
(A) introducing a mixture liquid to start introducing the mixed liquid into the piping,
(B) a step of stopping the introduction of the sulfuric acid into the pipe after the step (A)
And a gas layer forming step of introducing a gas into the pipe at the same time as or immediately after the step (C) (B) to form a gas layer at a boundary between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 공정은,
(D) (B) 와 동시 또는 그 직후에, 상기 배관에 도입하는 상기 과산화수소수의 유량을 저하시키거나 또는 유량을 제로로 하는 완화 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 3,
In the first step,
Further comprising the step of reducing the flow rate of the hydrogen peroxide solution introduced into the pipe at the same time as or immediately after the step (D) (B), or reducing the flow rate to zero. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 기체는 불활성 가스인, 기판 처리 방법.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the gas is an inert gas. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합액에 있어서, 상기 황산의 체적이 상기 과산화수소수의 체적보다 큰 혼합비로 상기 황산과 상기 과산화수소수가 혼합되어 있는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the sulfuric acid is mixed with the hydrogen peroxide at a mixing ratio in which the volume of the sulfuric acid is larger than the volume of the hydrogen peroxide solution. 기판을 유지하는 기판 유지 수단과,
황산을 공급하는 제 1 액 공급 수단과,
과산화수소수를 가변의 유량으로 공급하는 제 2 액 공급 수단과,
상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단으로부터 각각 도입된 상기 황산 및 상기 과산화수소수의 혼합액이 흐르는 배관과, 상기 배관으로부터의 상기 혼합액을 상기 기판의 표면에 토출하는 노즐을 갖는 제 3 액 공급 수단과,
상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단에 각각 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 공급시켜 상기 기판에 상기 혼합액을 토출한 후에, 상기 제 1 액 공급 수단에 상기 황산의 공급을 정지시키고, 상기 혼합액과 상기 과산화수소수 경계부에 기체층을 형성하고, 상기 황산의 공급의 정지와 동시 또는 그 직후에 있어서 상기 제 2 액 공급 수단에 상기 과산화수소수의 유량을 저하 또는 제로가 되게 하는 제어 수단을 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate holding means for holding a substrate;
A first liquid supply means for supplying sulfuric acid,
A second liquid supply means for supplying the hydrogen peroxide solution at a variable flow rate,
A pipe for flowing a mixed liquid of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution introduced from the first liquid supply means and the second liquid supply means respectively and a nozzle for discharging the mixed liquid from the pipe to the surface of the substrate, A supply means,
The sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are supplied to the first liquid supply means and the second liquid supply means respectively to stop the supply of the sulfuric acid to the first liquid supply means after the mixed liquid is discharged to the substrate, And a control means for forming a gas layer at the interface of the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution and for reducing or zeroing the flow rate of the hydrogen peroxide solution to the second liquid supply means at the same time as or immediately after the stop of the supply of the sulfuric acid , A substrate processing apparatus. 기판을 유지하는 기판 유지 수단과,
황산을 공급하는 제 1 액 공급 수단과,
과산화수소수를 가변의 유량으로 공급하는 제 2 액 공급 수단과,
상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단으로부터 각각 도입된 상기 황산 및 상기 과산화수소수의 혼합액이 흐르는 배관과, 상기 배관으로부터의 상기 혼합액을 상기 기판의 표면에 토출하는 노즐을 갖는 제 3 액 공급 수단과,
상기 배관 내에 기체를 공급하는 기체 공급 수단과,
상기 제 1 액 공급 수단 및 상기 제 2 액 공급 수단에 각각 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 공급시켜 상기 기판에 상기 혼합액을 토출한 후에, 상기 제 1 액 공급 수단에 상기 황산의 공급을 정지시키고, 상기 황산의 공급의 정지와 동시 또는 그 직후에 있어서 상기 기체 공급 수단에 상기 배관 내에 기체를 공급시켜 상기 혼합액과 상기 과산화수소수의 경계부에 기체층을 형성하는 제어 수단을 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate holding means for holding a substrate;
A first liquid supply means for supplying sulfuric acid,
A second liquid supply means for supplying the hydrogen peroxide solution at a variable flow rate,
A pipe for flowing a mixed liquid of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution introduced from the first liquid supply means and the second liquid supply means respectively and a nozzle for discharging the mixed liquid from the pipe to the surface of the substrate, A supply means,
Gas supply means for supplying a gas into the pipe,
The sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are supplied to the first liquid supply means and the second liquid supply means respectively to stop the supply of the sulfuric acid to the first liquid supply means after the mixed liquid is discharged to the substrate, And control means for supplying gas to the gas supply means at the same time as or immediately after the supply of sulfuric acid is stopped to form a gas layer at a boundary portion between the mixed liquid and the hydrogen peroxide solution.
KR1020180078062A 2017-09-22 2018-07-05 Substrate treatment method and substrate treatment apparatus KR102100042B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-182376 2017-09-22
JP2017182376A JP6993151B2 (en) 2017-09-22 2017-09-22 Board processing method and board processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190034068A true KR20190034068A (en) 2019-04-01
KR102100042B1 KR102100042B1 (en) 2020-04-10

Family

ID=65841085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180078062A KR102100042B1 (en) 2017-09-22 2018-07-05 Substrate treatment method and substrate treatment apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6993151B2 (en)
KR (1) KR102100042B1 (en)
CN (1) CN109545677B (en)
TW (1) TWI666064B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7340396B2 (en) 2019-09-24 2023-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7403320B2 (en) 2020-01-07 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120134348A (en) * 2011-06-02 2012-12-12 세메스 주식회사 Method for cleaning substrate
JP2015106699A (en) 2013-12-02 2015-06-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4475705B2 (en) 1999-09-27 2010-06-09 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing method and apparatus
JP2005260087A (en) 2004-03-12 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2013138062A (en) 2011-12-28 2013-07-11 Jet Co Ltd Chemical mixer
JP6191954B2 (en) 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102239421B1 (en) * 2013-09-02 2021-04-12 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6191953B2 (en) * 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6512554B2 (en) 2014-09-29 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6454608B2 (en) 2015-06-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120134348A (en) * 2011-06-02 2012-12-12 세메스 주식회사 Method for cleaning substrate
JP2015106699A (en) 2013-12-02 2015-06-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN109545677A (en) 2019-03-29
KR102100042B1 (en) 2020-04-10
TWI666064B (en) 2019-07-21
CN109545677B (en) 2023-10-20
JP6993151B2 (en) 2022-01-13
JP2019057677A (en) 2019-04-11
TW201914695A (en) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6670674B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10910213B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007157898A (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning device, control program, and computer readable storage medium
JP3725809B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102278972B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20070275562A1 (en) Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the apparatus
KR20070041342A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI631996B (en) Substrate processing method and substrate processing device
TWI540628B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008108830A (en) Two-fluid nozzle unit and substrate processing apparatus employing the same
TWI672730B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009016497A (en) Substrate treating equipment and method for treating the same
KR20180098656A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20190034068A (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2008108829A (en) Two-fluid nozzle and substrate processing apparatus employing the same
TW202125678A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP4963994B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004172493A (en) Method and apparatus for peeling resist
TW202125608A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2005072598A (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate
WO2016152371A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP5961535B2 (en) Substrate liquid processing method, substrate liquid processing system, and storage medium
KR20180098132A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4430424B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2024075808A1 (en) Substrate treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant