KR20190019734A - Coating method of porcelain insulators metal fitting and porcelain insulator manufactured by thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 자기 애자 금구류의 코팅에 관한 발명으로서, 보다 상세하게는 자기 애자에서 금구류의 성능저하 방지 및 빛 반사율 개선을 위한 자기애자 금구류의 코팅 방법 및 이의 의해 제조된 자기 애자에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a coating method of a magnetic head for preventing deterioration of performance of gold alloy and improvement of light reflectance in magnetic head, and a magnetic head manufactured by the method .
일반적으로 송배전 철탑에서 전기적 절연 기능과 기계적 지지를 위해 사용되고 있는 자기 애자는 세라믹 원료로 제조된 자기(porcelain), 캡(cap)과 핀(pin)으로 구성되는 금구류와 상기 자기 및 금구류를 연결시켜주는 시멘트(cement)로 구성되어 있다.Generally, magnetic insulators used for electrical insulation and mechanical support in transmission and distribution pylons are made of porcelain, cap and pin made of ceramic material, The cement consists of cement.
자기 애자의 금구류는 다양한 환경요인에 의해 부식이 발생하며, 도 1은 자기 애자의 금구류 중에서 캡(cap) 부분에서 부식된 모습을 나타낸 것으로, 왼쪽부터 순서대로 부식된 캡(101), 부식 진행 중인 캡(102) 및 부식이 진행되지 않은 캡(103)의 모습이다.FIG. 1 is a view showing a corrosion in the cap part of the gold alloy of the magnetic insulator. In FIG. 1, the
이처럼 자기 애자의 금구류의 부식의 주요원인으로는 빛을 받아 생기는 열에 의한 손상과, 수분 침투에 의한 손상이 있다. 이와 같은 자기 애자의 손상은 자기 애자에 열화현상을 일으키며 코로나전압이 발생하는 원인이 된다.As a result, the main cause of the corrosion of the gold alloy of the magnetic insulator is the heat damage caused by the light and the damage due to the moisture penetration. Such damage to the magnetic insulator causes deterioration of the magnetic insulator and causes corona voltage to be generated.
또한, 물의 투습과 빛에 대한 스트레스 및 소나기와 같은 환경적 요인으로 인해 급랭 발생시 자기 애자에서 열팽창 계수가 자기는 4×10-6K이고, 시멘트는 10×10-6K이고, 금구는 11×10-6K이므로, 금구와 시멘트는 자기보다 열팽창 계수가 2배 정도 차이가 발생하기 때문에 냉열 변화를 받으면 각 부분의 열팽창 차이로 인에 금구에 큰 응력이 작용하게 된다.In addition, the thermal expansion coefficient of magnetic insulator is 4 × 10 -6 K, cement is 10 × 10 -6 K, and metal is 11 × 10 -6 K, the difference of thermal expansion coefficient of bracket and cement is about twice as much as that of magnetism. Therefore, when a cold change occurs, a large stress is applied to the metal due to the difference in thermal expansion of each part.
따라서 이러한 문제를 보완하기 위해 종래에는 자기 애자의 금구류 부분을 아연(Zn) 도금으로 코팅하는 방식을 사용해왔다.Therefore, in order to solve this problem, conventionally, a method of coating the gold alloy portion of the magnetic insulator with zinc (Zn) plating has been used.
그러나 도 2에 도시된 바와 같이, 종래 일반적인 아연(Zn) 코팅막은 공기 중에 존재하고 있는 수분(H2O)이 아연(Zn)으로부터 생성된 전자(e-)랑 결합하여 아연 코팅막 표면에 산소(oxygen, O2)가 달라붙어 아연이 산화하여 산화아연(ZnO)막이 형성된다. 이 산화아연(ZnO) 막이 생성되면 빛 반사도는 급격히 감소되어 금구류에서 빛의 흡수량이 증가하게 되어 금구의 절연내력이 저하되는 문제가 발생하였다.However, as shown in FIG. 2, a conventional zinc (Zn) coating film is formed by combining moisture (H 2 O) present in the air with electrons (e-) generated from zinc (Zn) oxygen, O 2 ) adhere to each other to oxidize zinc to form a zinc oxide (ZnO) film. When the zinc oxide (ZnO) film is formed, the light reflectance is drastically reduced, so that the amount of light absorbed in the gold alloy increases, resulting in deterioration of the dielectric strength of the metal.
또한, 아연(Zn) 코팅막에서 발생되는 자연 산화막은 최대 100nm/years로 자라게 되는데, 이렇게 증가되는 자연 산화막의 두께가 본래 아연 코팅막이 가지고 있던 소수성 특성의 저하시키는 문제가 발생한다.In addition, the natural oxide film generated from the zinc (Zn) coating film grows up to 100 nm / years, and the thickness of the natural oxide film thus increased causes a problem of deteriorating the hydrophobic property inherent in the zinc coating film.
앞서 설명한 바와 같이 종래 사용된 자기 애자에서는 절연 특성에서 금구류의 표면이 여러 환경요인으로 습할 경우나 염분과 같은 불순물 등이 쌓일 경우에도, 변질하지 않는 절연 내력과 온도와 같은 환경 변화에 강한 내구성을 가진 자기 애자의 금구류를 형성하기 위해 소수성 특성을 유지하여 수분의 흡수를 줄이며, 직사광선의 빛 반사를 높여 빛 에너지 흡수를 최소화하는 금구류의 코팅의 필요성이 요구되고 있다.As described above, in the conventional magnetic insulator, when the surface of the gold alloy is wetted by various environmental factors and impurities such as salt are piled up in the insulating property, the resistance against the change such as the dielectric strength and the temperature, There is a need for a coating of a gold alloy that maintains hydrophobic properties to reduce the absorption of moisture and increase the light reflection of direct sunlight to minimize absorption of light energy.
따라서 이와 같은 점을 감안한 본 발명은 자기애자 금구류에 아연(Zn) 코팅막 표면에 소수성 특성과 빛 반사도가 높은 물질인 플루오린화 마그네슘에 메틸실리콘(methyl silicone)을 처리하여 개량된 물질인 마그네슘 플루오라이드(Magnesium fluorid, MgF2)를 사용하여 코팅한 것으로써, 직사광선의 빛 반사를 높여 빛 에너지 흡수를 최소화하고 여러 환경요인으로 인한 오염 및 수분의 흡수를 줄일 수 있도록 하여 자기 애자의 수명 저하를 방지할 수 있는 자기 애자에서 금구류의 코팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a zinc fluoride coating, which comprises the steps of treating magnesium fluoride, which is a material having high hydrophobic properties and high light reflectivity, (Magnesium fluoride, MgF 2 ) to minimize the light energy absorption by raising the light reflection of direct sunlight and to reduce pollution and moisture absorption due to various environmental factors, And to provide a coating method of the gold alloy in the magnetic insulator.
또한, 본 발명은 상기 코팅 방법에 의해 표면에 소수성 특성을 가지고, 빛에너지 흡수를 최소화하는 박막 코팅층을 가져 송전 효율이 높은 자기 애자를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a thin film coating layer having a hydrophobic property on the surface and minimizing the absorption of light energy by the coating method, thereby providing a magnetic insulator with high transmission efficiency.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 자기 애자에서 금구류의 코팅 방법은 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, CH3Si(OC2H5)3), 에탄올(C2H5OH), 염산(HCl) 및 물(H2O)을 일정 비율로 배합하여 메틸 실리콘 용액(methyl silicone solution)을 제조하는 단계; 마그네슘 아세테이트(magnesium acetate, Mg(CH3COO)2), 불산(hydrofluoric acid, HF), 무수에탄올 및 에탄올을 일정 비율로 배합하여 마그네슘 플루오라이드 용액(이하, 'MgF2 용액'이라고도 함)을 제조하는 단계; 상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 혼합하여 코팅액을 제조하는 단계; 및 상기 코팅액을 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅하여 MgF2 코팅막을 형성시키는 코팅단계;를 포함하여 이루어질 수 있다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a method of coating a gold alloy on a magnetic insulator, comprising the steps of: mixing methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), ethanol (C 2 H 5 OH) (HCl) and water (H 2 O) at a predetermined ratio to prepare a methyl silicone solution; Magnesium fluoride solution (hereinafter referred to as "MgF 2 (MgF 2) 2 ") was prepared by mixing magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), hydrofluoric acid (HF), anhydrous ethanol, Quot; solution "); Mixing the methyl silicon solution and the MgF 2 solution to prepare a coating solution; And coating the coating liquid on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator formed with the zinc (Zn) coating film to obtain MgF 2 And a coating step of forming a coating film.
상기 메틸 실리콘 용액은 총 메틸 실리콘 용액 부피 250mL를 기준으로, 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3) 15mL 내지 25mL, 에탄올 180mL 내지 220mL, 염산 0.02g 내지 0.08g 및 물 4g 내지 10g을 포함하여 제조할 수 있다. 여기서, 메틸 실리콘 용액에 포함되는 각 조성의 함량은 상기 제시된 범위를 만족하는 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The methylsilicone solution was prepared by mixing 15 mL to 25 mL of methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), 180 mL to 220 mL of ethanol, 0.02 g to 0.08 g of hydrochloric acid and 4 g of water To 10 g. Here, the content of each composition contained in the methyl silicone solution preferably satisfies the above-described range, but is not limited thereto.
상기 MgF2 용액을 제조하는 단계는, 총 MgF2 용액 부피 220mL를 기준으로, 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2) 3.46 내지 6.92g, 불산(HF) 1.29g 내지 2.58g 무수에탄올 18.6g 내지 37.2g 및 에탄올 76.6g 내지 153.2g를 포함하고, 이를 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 여과하는 단계; 및 여과된 혼합용액을 열처리하여 불산(HF)을 제거하여, MgF2 입자가 포함된 MgF2 용액을 제조하는 열처리 단계;를 포함하여 MgF2 용액을 제조할 수 있다.The MgF 2 Preparing a solution, the total MgF 2 3.46 to 6.92 g of magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), 1.29 g to 2.58 g of hydrofluoric acid (HF), 18.6 g to 37.2 g of anhydrous ethanol and 76.6 g to 153.2 g of ethanol, based on 220 ml of the solution volume, Mixing them to prepare a mixed solution; Filtering the mixed solution; And by heat treating the mixture solution was filtered to remove the hydrofluoric acid (HF), heat-treated to prepare a MgF 2 solutions containing MgF 2 particles; can be prepared MgF 2 solution including.
여기서, 상기 열처리 단계는 상기 혼합용액을 250℃ 온도에서 24시간 동안 가열하여 혼합용액에서 잔류하고 있는 불산(HF)을 제거할 수 있다.In the heat treatment step, the mixed solution may be heated at 250 ° C for 24 hours to remove residual hydrofluoric acid (HF) from the mixed solution.
그리고 상기 MgF2 용액을 제조하는 단계에서 상기 혼합용액에 포함되는 각 조성의 함량은 상기 제시된 범위를 만족하는 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The MgF 2 In the step of preparing the solution, the content of each composition contained in the mixed solution preferably satisfies the above-described range, but is not limited thereto.
상기 코팅액을 제조하는 단계는, 상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 50 : 50의 중량비로 혼합하여 코팅액을 제조할 수 있다.In the step of preparing the coating solution, the methylsilicone solution and the MgF 2 solution may be mixed at a weight ratio of 50:50 to prepare a coating solution.
상기 코팅단계에서 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅되는 코팅막의 두께는 빛에 대한 반사율이 좋도록 240nm 내지 350nm로 형성되는 바람직하다.The thickness of the coating layer coated on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator formed with the zinc (Zn) coating layer in the coating step is preferably 240 nm to 350 nm so that the reflectance to light is good.
상기 코팅단계는, 침지 코팅(dipping coating), 스핀 코팅(spin coating) 또는 바 코팅(bar coating) 공정을 수행하여 MgF2 코팅막을 형성할 수 있다.The coating step may be performed by dipping coating, spin coating or bar coating to form MgF 2 A coating film can be formed.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 자기 애자는 앞서 설명한 바와 같이 메틸트리에톡시실란, 에탄올, 염산 및 물을 일정 비율로 배합하여 메틸 실리콘 용액을 제조하는 단계; 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올 및 에탄올을 일정 비율로 혼합하여 MgF2 용액을 제조하는 단계; 상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 혼합하여 코팅액을 제조하는 단계; 및 상기 코팅액을 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅하여 MgF2 코팅막을 형성시키는 코팅 단계;를 거쳐서 제조될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic sensor, comprising: preparing a methyl silicon solution by mixing methyl triethoxysilane, ethanol, hydrochloric acid and water at a predetermined ratio as described above; Preparing MgF 2 solution by mixing magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), hydrofluoric acid (HF), anhydrous ethanol and ethanol at a certain ratio; Mixing the methyl silicon solution and the MgF 2 solution to prepare a coating solution; And coating the coating liquid on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator formed with the zinc (Zn) coating film to obtain MgF 2 And a coating step of forming a coating film.
여기서, 상기 각 단계는 앞서 설명한 코팅 방법과 동일하므로 복잡성을 피하기위해 중복하여 설명하지 않는다.Here, since each of the above steps is the same as the above-described coating method, it is not described in order to avoid complexity.
상기 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 형성된 MgF2 코팅막의 두께는 빛에 대한 반사율이 좋도록 240nm 내지 350nm로 형성되는 바람직하며, 보다 바람직하게는 300nm의 두께로 형성되는 것이 좋을 수 있다.The MgF 2 layer formed on the gold alloy surface of the magnetic insulator having the zinc (Zn) The thickness of the coating layer is preferably 240 nm to 350 nm, more preferably 300 nm, so that the reflectivity to light is good.
만약, 상기 코팅막의 두께가 상기 제시된 범위를 벗어나면 자기 애자의 금구류의 빛 반사율이 감소되므로 금구에서의 열화현상이 발생되는 문제가 발생되므로, 상기의 두께 범위를 만족하는 것이 바람직하다.If the thickness of the coating film is out of the above-described range, the light reflectance of the gold alloy of the magnetic insulator is reduced, so that a deterioration phenomenon occurs in the metal fitting. Therefore, it is preferable that the thickness range is satisfied.
그리고 상기 자기 애자의 금구류 표면에 코팅된 아연(Zn) 코팅막은 금속 아연을 도금방법으로 자기 애자의 금구류 표면을 처리하여 형성된 것으로, 바람직하게 아연(Zn) 코팅막은 70㎛의 두께로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정된 것이 아니라 필요에 따라 어느 특정 두께로 변경할 수 있음은 통상의 기술자에 있어 자며할 것이다.The zinc (Zn) coating film coated on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator is formed by treating the gold alloy surface of the magnetic insulator by a plating method of zinc metal. Preferably, the zinc (Zn) However, it should be understood that the present invention is not limited thereto.
상기 MgF2 코팅막은 300nm 내지 1100nm 파장에서 평균 빛 반사율이 81% 이상일 수 있다.The MgF 2 The coating film may have an average light reflectance of 81% or more at a wavelength of 300 nm to 1100 nm.
또한, 상기 MgF2 코팅막은 물에 대한 접촉각이 83° 내지 113°일 수 있다.Further, the MgF 2 The coating film may have a contact angle to water of 83 ° to 113 °.
본 발명의 코팅방법을 통해 아연(Zn) 코팅막 상부에 MgF2 코팅막이 코팅된 자기 애자의 경우 물에 대한 접촉각이 최대 113°로 이는 종래 아연(Zn) 코팅막에서의 접촉각 82.07°보다 현저히 높은 접촉각을 형성되므로 소수성이 우수함을 확인할 수 있었다.In the case of the magnetic insulator coated with the MgF 2 coating film on the zinc (Zn) coating film through the coating method of the present invention, the contact angle with water is 113 °, which is significantly higher than the contact angle of 82.07 ° in the conventional zinc (Zn) It was confirmed that the hydrophobicity was excellent.
이는 외부환경에 접촉에 따른 부식으로 인해 수명저하를 방지하는 역할과 부식으로 인한 코로나 발생을 방지하며, 송전 효율을 높일 수 있는 특징이 있다.This prevents the degradation of service life due to corrosion due to contact with the external environment, prevents corona generation due to corrosion, and improves power transmission efficiency.
또한, 빛 반사율 특성에 대해서도 종래 아연(Zn) 코팅막은 자연 산화막이 형성되어 빛 반사율 특성이 급격히 저하되는 것을 볼 수 있으나, 이와 달리 본 발명의 MgF2 코팅막의 경우 빛 반사율이 81% 이상으로 종래 아연 코팅막에서보다 높고, 특히 300nm 두께로 코팅되었을 때 평균 빛 반사율은 84.8%로 아연 코팅막 대비 안정적이며 가시영역이 아닌 장파장대에서도 안정적인 빛 반사도 특성을 효과를 나타낸다.The MgF 2 coating film of the present invention exhibits a light reflectance of 81% or more, which is higher than that of conventional zinc (Zn) The average light reflectance is 84.8% when coated at a thickness of 300 nm, which is more stable than that of the zinc coating film, and exhibits a stable light reflection characteristic even in a long wavelength band rather than in a visible region.
도 1은 부식된 애자의 금구, 부식 진행 중인 금구 및 부식이 진행되지 않은 금구를 나타낸 것이다.
도 2는 종래 아연(Zn) 코팅막에서 발생되는 부식 현상의 화학적 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 코팅막이 형성된 자기 애자의 구조를 나타낸 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 특성을 가진 MgF2 코팅막의 코팅 방법의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 개량된 MgF2 코팅막의 화학적 개념도이다.
도 6은 기존 아연(Zn) 코팅막에서 자연 산화막이 생성될 때의 빛 반사율 특성을 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 MgF2 코팅막을 형성 시 빛 반사율 특성을 그래프이다.
도 8은 표면 접촉각(contact angle)에 대한 개념도이다.
도 9는 종래 아연(Zn) 코팅막에서의 물에 대한 접촉각을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 MgF2 코팅막에서의 물에 대한 접촉각을 나타내는 도면이다.FIG. 1 shows the brackets of the corroded insulator, the corroded metal undergoing corrosion, and the metal not corroded.
2 is a chemical conceptual diagram of corrosion phenomenon occurring in a conventional zinc (Zn) coating film.
3 is a partial cross-sectional view showing the structure of a magnetic insulator having a coating film formed according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of coating a MgF 2 coating layer having hydrophobic properties according to an embodiment of the present invention.
5 is a chemical conceptual diagram of an MgF 2 coating film improved according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph showing light reflectance characteristics when a native oxide film is formed in a conventional zinc (Zn) coating film.
FIG. 7 is a graph showing light reflectance characteristics when an MgF 2 coating film is formed according to an embodiment of the present invention.
8 is a conceptual diagram of the surface contact angle.
9 is a view showing a contact angle with water in a conventional zinc (Zn) coating film.
10 is a view showing a contact angle with water in a MgF 2 coating film according to an embodiment of the present invention.
이하 본 발명을 첨부된 예시도면을 참조로 상세히 설명하며, 아래 설명되는 내용은 일례로서 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로, 여기에서 설명하는 것에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to exemplary embodiments of the present invention. It should be understood that the following description is illustrative of exemplary embodiments of the present invention and that various changes and modifications will be apparent to those skilled in the art. It is not limited.
도 3은 본 발명의 자기 애자의 일예 구조를 나타내는 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view showing an example structure of the magnetic insulator of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 자기 애자의 본체로 알루미나가 함유된 자기원료로 구성되는 자기부(200)가 구성되어 있고, 상기 자기부(200)를 중심으로 금구류인 캡(100)과 핀볼(400)이 형성되어 있고, 상기 캡(100)과 자기부(200) 사이를 접합하고, 자기부(200)와 핀볼(400) 사이를 접합하여 연결시키는 시멘트(300)가 포함되어 구성되어있다. 그리고 상기 자기 애자에서 금구류인 캡(100)부의 표면에는 아연(Zn) 코팅막 상부에 소수성 및 빛 반사도가 우수한 개질된 MgF2(silicone-modified MgF2)을 코팅물질로 사용하여 MgF2 코팅막을 포함하는 코팅부(500)가 형성되어있다.As shown in FIG. 3, a
여기서, 상기 캡(100)은 국가기술표준원 KSD 4303 규격에서 규정하는 2종 또는 이외 동등이상의 강재를 사용할 수 있다.Here, the
상기 핀볼(400)은 KSD 3053 규격에서 규정하는 SS490 또는 인장강도 72kgf/mm2(490 M/mm2) 이상, 신장률 17% 이상의 강재를 사용할 수 있다.The
상기 시멘트(300)는 국가기술표준원 KSL 5201 규격에서 규정하는 시멘트 또는 이외 동등이상의 시멘트를 사용할 수 있다.The
상기 도 3의 자기 애자의 구성에 있어서 본 발명의 특징은 코팅부(500)에 대한 특성 및 이를 구성하는 MgF2 코팅막에 있다.The characteristic of the present invention in the configuration of the magnetic insulator of FIG. 3 lies in the characteristics of the
이하에서는 상기 설명한 자기 애자의 구성에서 코팅부(500)를 구성하는 MgF2 코팅막의 코팅 방법에 대해 좀 더 자세히 설명한다.Hereinafter, in the above-described magnetic insulator structure, MgF 2 The method of coating the coating film is explained in more detail.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 특성을 가진 MgF2 코팅막의 코팅 방법의 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of coating a MgF 2 coating layer having hydrophobic properties according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 자기 애자에서 금구류의 코팅 방법은 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3), 에탄올(C2H5OH), 염산(HCl) 및 물(H2O)을 배합하여 메틸 실리콘 용액(methyl silicone solution)을 제조하는 단계(S410), 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올 및 에탄올을 배합하여 MgF2 용액을 제조하는 단계(S420), 상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 혼합하여 코팅액을 제조하는 단계(S430), 및 상기 코팅액을 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅하여 MgF2 코팅막을 형성시키는 코팅단계(S440)를 포함하여 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4, in the magnetic insulator of the present invention, the coating method of the gold alloy is methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), ethanol (C 2 H 5 OH), hydrochloric acid ) And water (H 2 O) to prepare a methyl silicone solution (S410), adding magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), hydrofluoric acid (HF), anhydrous ethanol and ethanol MgF 2 By coating the gold detention surface of the magnetic insulators step (S420), the methyl silicone solution and the MgF step (S430), and the coating solution prepared by mixing the coating solution with the second solution of zinc (Zn) coating film is formed to prepare a solution It may comprise a coating step (S440) of forming an MgF 2 film.
먼저, 메틸 실리콘 용액을 제조하는 단계(S410)는 총 메틸 실리콘 용액 부피 250mL를 기준으로, 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3) 15mL 내지 25mL, 에탄올 180mL 내지 220mL, 염산 0.02g 내지 0.08g 및 물 4g 내지 10g이 포함되도록 배합하여 메틸 실리콘 용액을 제조할 수 있다.First, a step (S410) of producing a methylsilicone solution is performed by using 15 mL to 25 mL of methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), 180 mL to 220 mL of ethanol, 0.02 g to 0.08 g, and 4 g to 10 g of water, so as to prepare a methylsilicon solution.
일 구체예로, 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3) 10mL, 에탄올 100mL, HCl을 0.02g 및 물(H2O) 4g를 혼합하고, 이 혼합물을 실온에서 4일 동안 보관하면 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3)이 분해되면서 pH값 2인 메틸 실리콘(methyl silicone) 용액을 제조한다.In one embodiment, 10 mL of methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), 100 mL of ethanol, 0.02 g of HCl and 4 g of water (H 2 O) were mixed and the mixture was stirred at room temperature for 4 days , A methyl silicone solution having a pH value of 2 is prepared by decomposing methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ).
또 다른 일 구체예로, 메틸 실리콘 용액을 구성하는 혼합물의 조성을 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3) 20mL, 에탄올 200mL, 염산(HCl)을 0.04g 및 물(H2O) 8g이 포함되도록 배합하여 메틸 실리콘 용액을 제조한다.In another one embodiment, the composition of the mixture constituting the methyltriethoxysilane solution of methyl silicone silane (CH 3 Si (OC 2 H 5) 3) 20mL, 200mL of ethanol, and 0.04g of hydrochloric acid water (HCl) (H 2 O) to prepare a methylsilicone solution.
MgF2 용액을 제조하는 단계(S420)는 총 MgF2 용액 부피 220mL를 기준으로, 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2) 3.46 내지 6.92g, 불산(HF) 1.29g 내지 2.58g, 무수에탄올 18.6g 내지 37.2g 및 에탄올 76.6g 내지 153.2g이 포함되도록 배합하여 MgF2 용액을 제조할 수 있다.MgF 2 Step (S420) of preparing a solution of a total MgF 2 (Mg (CH 3 COO) 2 ), 1.29 g to 2.58 g of hydrofluoric acid (HF), 18.6 g to 37.2 g of anhydrous ethanol and 76.6 g to 153.2 g of ethanol, based on 220 ml of the solution volume To prepare a MgF 2 solution.
일 구체예로, 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2) 3.46g, 불산(HF) 1.29g, 무수에탄올 18.6g 및 에탄올 76.6g를 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 제조된 혼합용액을 0.22㎛ PVDF(PolyVinyliDene Fluoride) 필터를 통해 여과시킨다. 여과된 혼합용액을 250℃ 온도에서 24시간 동안 가열하는 열처리를 통해 잔류하는 불산(HF)을 제거하여 MgF2 용액을 제조한다.In one specific example, a mixed solution was prepared by mixing 3.46 g of magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), 1.29 g of hydrofluoric acid (HF), 18.6 g of anhydrous ethanol and 76.6 g of ethanol, Filter through a PVDF (PolyVinylidene Fluoride) filter. The filtered mixed solution is heated at 250 ° C. for 24 hours to remove residual hydrofluoric acid (HF), thereby preparing a MgF 2 solution.
또 다른 일 구체예로, 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2) 6.92g, 불산(HF) 2.58g, 무수에탄올 37.2g 및 에탄올 153.2g을 혼합용액을 제조하고, 앞서 설명한 것과 동일하게 제조된 혼합용액을 0.22㎛ PVDF(PolyVinyliDene Fluoride) 필터를 통해 여과시킨 후, 여과된 혼합용액을 250℃ 온도에서 24시간 동안 가열하는 열처리를 통해 잔류하는 불산(HF)을 제거하여 MgF2 용액을 제조한다.In another embodiment, a mixed solution of 6.92 g of magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), 2.58 g of hydrofluoric acid (HF), 37.2 g of anhydrous ethanol and 153.2 g of ethanol was prepared, The mixed solution is filtered through a 0.22 μm polyvinylidene fluoride (PVDF) filter, and the filtered mixed solution is heated at 250 ° C. for 24 hours to remove residual hydrofluoric acid (HF), thereby preparing a MgF 2 solution.
코팅액을 제조하는 단계(S430)는 상기 S410 단계를 통해 제조된 메틸 실리콘 용액과 상기 S420 단계를 통해 제조된 MgF2 용액을 50 : 50의 중량비로 혼합하여 코팅액을 제조할 수 있다.To prepare a coating solution (S430) is a MgF 2 solution prepared via the methyl silicon melt and the step S420 manufactured through the steps S410 to 50: can be mixed in a weight ratio of 50 to prepare a coating solution.
코팅단계(S440)는 상기 S430 단계에서 제조된 코팅액을 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅 방법으로 침지 코팅(dipping coating), 스핀 코팅(spin coating) 또는 바 코팅(bar coating) 공정을 수행하여 MgF2 코팅막을 형성할 수 있다. 본 발명에서는 바람직하게 침지 코팅(dipping coating) 방법으로 형성된다.In the coating step S440, the coating solution prepared in the step S430 is coated on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator having the zinc (Zn) coating layer by dipping coating, spin coating or bar coating ) Process to produce MgF 2 A coating film can be formed. In the present invention, it is preferably formed by a dipping coating method.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 개량된 MgF2 코팅막의 화학적 개념도를 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2)와 불산(HF)을 반응시킨 다음 열처리를 통해 잔류하는 불산(HF)을 제거하면 마그네슘 플루오라이드(MgF2)가 제조한다. 그리고 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3), 에탄올(C2H5OH), 염산(HCl) 및 물(H2O)을 배합하여 메틸 실리콘(methyl silicone)을 제조한다.5 is a chemical conceptual diagram of the MgF 2 coating film improved according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ) is reacted with hydrofluoric acid (HF) Removal of residual hydrofluoric acid (HF) produces magnesium fluoride (MgF 2 ). Methyl silicone was prepared by blending methyl triethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), ethanol (C 2 H 5 OH), hydrochloric acid (HCl) and water (H 2 O) do.
이렇게 제조된 마그네슘 플루오라이드(MgF2)와 메틸 실리콘(methyl silicone)이 결합하게 되면 마그네슘 플루오라이드(MgF2)의 원자 표면에 메틸 실리콘(methyl silicone)이 감싸주게 되므로, 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 표면에서 물에서부터 결합할 수 있는 빈 부분을 메틸 실리콘(methyl silicone)가 채워지기 때문에 물과의 결합력이 떨어지게 된다. 따라서 코팅부의 소수성 특성이 우수해지게 된다.When the thus prepared magnesium fluoride (MgF 2 ) is combined with methyl silicone, methyl silicone is enclosed on the atomic surface of magnesium fluoride (MgF 2 ), so that a zinc (Zn) coating film is formed Because the methyl silicone is filled in the hollow part of the magnetic insulator that can be bonded from the surface of the water, the bond strength with water is reduced. Thus, the hydrophobic property of the coating portion is excellent.
즉, 본 명세서에서 설명되는 MgF2 코팅막이란 마그네슘 플루오라이드(MgF2)의 원자 표면에 메틸 실리콘(methyl silicone) 감싸 형성되는 개량된 마그네슘 플루오라이드(methyl silicone-modifide MgF2)으로 형성된 코팅막이라 할 수 있다.That is, the MgF 2 The coating film is a coating film formed can be referred to as a magnesium fluoride-fluoro improved formed of magnesium fluoride (MgF 2) wrapped around of methyl silicone (methyl silicone) on the surface atoms (methyl silicone-modifide MgF 2) .
이처럼 본 발명의 코팅방법을 통해 자기 애자 금구류의 코팅부(500)에 형성된 코팅막의 구조는 굴절율이 550nm에서 1.95 내지 2.05이고, 녹는점이 419.53℃이며, 끓는점이 907℃인 특성을 갖는 아연(Zn)으로 코팅된 아연 코팅막 상부에, 상기 제조 방법을 통해 제조된 소수성과 반사도가 높은 물질로서 굴절율이 550nm에서 1.38이고, 녹는점이 1263℃이며, 끓는점이 2260℃인 특성을 갖는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)가 코팅된 이중코팅이다.The structure of the coating film formed on the
상기와 같은 코팅방법에 의해 MgF2 코팅막이 형성된 자기 애자의 300nm 내지 1100nm 파장영역에서 빛 반사율 특성은 도 6, 도 7, 표 1 및 표 2에 나타내었으며, 여기서 빛 반사율 측정은 UV visible spectrometer(SCINCO, S-3100 model)를 이용하여 측정하였다.By the coating method as described above, MgF 2 6, 7, Table 1 and Table 2, the light reflectance was measured using a UV visible spectrometer (SCINCO, S-3100 model) in the wavelength range of 300 nm to 1100 nm of the magnetic insulator having the coating film formed thereon. Respectively.
기존 자기애자의 경우 금구 부분에 아연(Zn) 코팅막을 70㎛의 두께로 코팅하며, 이러한 아연 코팅막에는 자연 산화막(ZnO)이 연간 최대 100nm 두께로 형성되어 자기 애자의 소수성 특성을 저하시킨다.In the case of conventional magnetic insulators, a Zn coating layer is coated to a thickness of 70 μm on the metal part, and a native oxide film (ZnO) is formed on the zinc coating layer to a thickness of 100 nm per year to lower the hydrophobic property of the magnetic insulator.
도 6 및 하기 표 1은 종래 70㎛의 두께로 형성된 아연(Zn) 코팅막에서 자연 산화막이 20nm, 50nm, 100nm 두께로 생성될 때의 빛 반사율 특성을 보여주는 결과이다.6 and Table 1 show the light reflectance characteristics when a natural oxide film is formed in a thickness of 20 nm, 50 nm, and 100 nm in a zinc (Zn) coating film formed to a thickness of 70 탆.
300~1100 nmAverage Relectance (%)
300 to 1100 nm
도 6과 표 1에 나타낸 바와 같이 아연(Zn) 코팅막에 순서대로 자연 산화막이 20nm, 50nm, 100nm 두께로 형성되면 파장대 300nm 내지 1100nm 영역대에서 평균적인 빛 반사율 값은 자연 산화막이 형성되지 않은 아연(Zn) 코팅막의 빛 반사율인 87.3%에서 68.2%까지 약 19.1% 확인할 수 있으며, 자연 산화막이 100nm인 경우 평균 빛 반사율이 자연 산화막이 50nm인 경우에서 보다 소폭 상승한 것처럼 보이나 자연 산화막의 두께가 두꺼워질수록 빛 반사율은 급격히 저하됨을 확인하였다.As shown in FIG. 6 and Table 1, when natural oxide films are formed in the thickness of 20 nm, 50 nm, and 100 nm in order on the zinc (Zn) coating film, the average light reflectance values in the wavelength range of 300 nm to 1100 nm range, Zn) coating film from 87.3% to 68.2%, which is about 19.1%. When the natural oxide film has a thickness of 100 nm, the average light reflectance is slightly increased compared to the case where the natural oxide film has a thickness of 50 nm. However, It was confirmed that the light reflectance decreased sharply.
도 7 및 하기 표 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 아연(Zn) 코팅막 상부에 MgF2 코팅막을 120nm, 140nm, 160nm, 180nm, 200nm, 220nm, 240nm, 260nm, 300nm, 350nm 두께로 형성 시 빛 반사율 특성을 보여주는 결과이다.7 and Table 2 show that when a MgF 2 coating layer is formed on the zinc (Zn) coating layer to have a thickness of 120 nm, 140 nm, 160 nm, 180 nm, 200 nm, 220 nm, 240 nm, 260 nm, 300 nm, Reflectance characteristics.
300~1100 nmAverage Relectance (%)
300 to 1100 nm
도 7 및 표 2에서처럼, 70㎛의 두께의 아연(Zn) 코팅막 상부에 MgF2 코팅막이 형성된 자기 애자에서의 빛 반사율은 변화가 있으나 81% 이상이며, 특히 300nm 두께로 코팅되었을 때 같은 파장에서 평균 빛 반사율 특성이 84.8%로 아연 코팅막 대비 안정적이고 가시영역이 아닌 장파장대(800nm 이상) 영역에서도 안정적인 빛 반사율 특성을 보여주고 있다.As shown in FIG. 7 and Table 2, the reflectance of the MgF 2 coating layer on the 70 탆 thick zinc (Zn) coating layer was changed to 81% or more, The light reflectance is 84.8%, which is stable compared to the zinc coating and shows stable light reflectance characteristics even in the long wavelength band (800nm or more), not in the visible region.
그러므로 이와 같은 점을 감안하여 MgF2 코팅막을 2층 이상으로 다중층을 형성할 때, 300nm×N(여기서, N은 1이상의 자연수)의 두께로 형성할 수 있다.Therefore, when the MgF 2 coating layer is formed of two or more layers in consideration of this, it is possible to form the MgF 2 coating layer with a thickness of 300 nm × N (where N is a natural number of 1 or more).
도 8 내지 도 10은 코팅막의 소수성 특성을 측정한 결과로, 표면에서 물에 대한 접촉각(contact angle)을 측정하여 종래 아연(Zn) 코팅막과 본 발명의 MgF2 코팅막에서의 소수성을 특성을 측정하였다.8 to 10 show the results of measuring the hydrophobic characteristics of the coating film and measuring the contact angle of the surface with water to determine the hydrophobicity of the conventional zinc (Zn) coating film and the MgF 2 coating film of the present invention .
도 9는 종래 아연(Zn) 코팅막에서의 물에 대한 접촉각을 나타내는 도면이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 MgF2 코팅막에서의 물에 대한 접촉각을 나타내는 도면이다.FIG. 9 is a view showing a contact angle with water in a conventional zinc (Zn) coating film, and FIG. 10 is a view showing a contact angle with respect to water in a MgF 2 coating film according to an embodiment of the present invention.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 본 발명의 MgF2 코팅막의 경위 접촉각이 113°로 나타났으며, 이는 비교대상인 종래 아연(Zn) 코팅막의 접촉각 82.07°보다 높은 각도를 나타낸다.As shown in FIGS. 9 and 10, the MgF 2 coating film of the present invention exhibits a contact angle of 113 °, which is higher than a contact angle of 82.07 ° of a conventional zinc (Zn) coating film to be compared.
이와 같은 결과는 도 8에 도시된 접촉각(contact angle)의 개념도를 살펴보았을 때, 접촉각이 클수록 소수성으로 물에 대한 저항이 크다는 것을 의미하므로, 기존 아연 코팅막보다 MgF2 코팅막이 물에 대한 저항성이 훨씬 높다는 것을 증명한다.8, when the contact angle is larger, the hydrophobicity and resistance to water are greater as the contact angle is larger. Therefore, the MgF 2 coating layer is more resistant to water than the conventional zinc coating layer It proves to be high.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 코팅방법으로 아연 코팅막 상부에 추가적으로 MgF2 코팅막을 형성하여 이중코팅을 수행한 경우, 종래 자기 애자에서 금구류의 손상을 줄이기 위해 예방 차원에서 사용했던 기존 아연(Zn) 코팅막과 비교하였을 때 우수한 빛 반사율과 소수성을 보여 주는 바, 직사광선 노출 시 자기 애자의 금구류에서 받는 빛에 대한 스트레스는 줄어들며, 이는 금구 자체의 고온화를 막을 수 있으며, 또한, 우수한 소수성으로 자연 산화막이 형성되는 것을 막아 자기 애자에서 금구류가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, when the MgF 2 coating layer is additionally formed on the zinc coating layer by the coating method of the present invention, the conventional zinc (Zn) layer, which has been used to prevent damage to the gold alloy in the conventional magnetic insulator, It shows the excellent light reflectance and hydrophobicity when compared with the coating film. As a result, the stress on the light received from the gold alloy of the magnetic insulator is reduced when exposed to direct sunlight, which can prevent the high temperature of the metal itself, So that it is possible to prevent the gold alloy from being damaged in the magnetic insulator.
앞서 설명한 내용은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자('당업자'라고도 함)가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 설명하는 바람직한 실시 예일 뿐, 전술한 내용과 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니므로 이로 인해 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 당업자에게 있어 명백할 것이며, 당업자에 의해 용이하게 변경 가능한 부분도 본 발명의 권리범위에 포함됨은 자명하다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation only of the invention as claimed. Therefore, the scope of the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various substitutions, modifications and variations are possible within the scope of the present invention, and it is obvious that those parts easily changeable by those skilled in the art are included in the scope of the present invention .
100 : 캡
200 : 자기부
300, 310 : 시멘트
400 : 핀볼
500 : 코팅부100: cap
200: magnetic part
300, 310: Cement
400: Pinball
500: Coating portion
Claims (11)
마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올 및 에탄올을 일정 비율로 배합하여 마그네슘 플루오라이드(MgF2) 입자가 포함된 MgF2 용액을 제조하는 단계;
상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 혼합하여 코팅액을 제조하는 단계; 및
상기 코팅액을 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 코팅하여 MgF2 코팅막을 형성시키는 코팅단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.Methyl triethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), ethanol, hydrochloric acid and water at a predetermined ratio to prepare a methyl silicon solution;
Preparing a MgF 2 solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) particles by blending magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), hydrofluoric acid (HF), anhydrous ethanol and ethanol at a predetermined ratio;
Mixing the methyl silicon solution and the MgF 2 solution to prepare a coating solution; And
The coating solution was coated on the surface of the gold alloy of the magnetic insulator formed with the zinc (Zn) coating film to obtain MgF 2 And a coating step of forming a coating layer on the substrate.
상기 메틸 실리콘 용액은 총 메틸 실리콘 용액 부피 250mL를 기준으로, 메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3) 15mL 내지 25mL, 에탄올 180mL 내지 220mL, 염산 0.02g 내지 0.08g 및 물 4g 내지 10g을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method according to claim 1,
The methylsilicone solution was prepared by mixing 15 mL to 25 mL of methyltriethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), 180 mL to 220 mL of ethanol, 0.02 g to 0.08 g of hydrochloric acid and 4 g of water ≪ / RTI > to 10 g.
상기 MgF2 용액은 총 MgF2 용액 부피 220mL를 기준으로, 마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2) 3.46 내지 6.92g , 불산(HF) 1.29g 내지 2.58g, 무수에탄올 18.6g 내지 37.2g 및 에탄올 76.6g 내지 153.2g를 혼합 반응시켜 혼합용액을 제조하는 단계;
상기 혼합용액을 여과하는 단계; 및
여과된 혼합용액을 열처리하여 불산(HF)을 제거하여, 마그네슘 플루오라이드(MgF2) 입자가 포함된 MgF2 용액을 제조하는 열처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method according to claim 1,
The MgF 2 solution is a total MgF 2 3.46 to 6.92 g of magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), 1.29 g to 2.58 g of hydrofluoric acid (HF), 18.6 g to 37.2 g of anhydrous ethanol and 76.6 g to 153.2 g of ethanol were mixed To prepare a mixed solution;
Filtering the mixed solution; And
And heat treating the filtered mixed solution to remove hydrofluoric acid (HF) to produce a MgF 2 solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) particles.
상기 열처리 단계는,
상기 혼합용액을 250℃ 온도에서 24시간 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method of claim 3, wherein
The heat treatment step may include:
Wherein the mixed solution is heated at a temperature of 250 DEG C for 24 hours.
상기 코팅액을 제조하는 단계는,
상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 50 : 50의 중량비로 혼합하여 코팅액을 제조하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method according to claim 1,
The step of preparing the coating liquid includes:
Wherein the methyl silicone solution and the MgF 2 solution are mixed at a weight ratio of 50:50 to prepare a coating solution.
상기 코팅단계에서 코팅막의 두께는 240nm 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the coating layer in the coating step is 240 nm to 350 nm.
상기 코팅단계는 침지 코팅(dipping coating), 스핀 코팅(spin coating) 또는 바 코팅(bar coating) 공정을 수행하여 MgF2 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 애자 금구류의 코팅 방법.The method according to claim 1,
Wherein the coating step is performed by dipping coating, spin coating or bar coating to form a MgF 2 coating film.
마그네슘 아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올 및 에탄올을 일정 비율로 배합하여 마그네슘 플루오라이드(MgF2) 입자가 포함된 MgF2 용액을 제조하는 단계;
상기 메틸 실리콘 용액과 상기 MgF2 용액을 혼합하여 코팅액을 제조하는 단계; 및
상기 코팅액을 자기 애자의 금구류 표면에 코팅하여 코팅층을 형성시키는 코팅단계;를 거쳐서 아연(Zn) 코팅막이 형성된 자기 애자의 금구류 표면에 MgF2 코팅막이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 애자.Methyl triethoxysilane (CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3 ), ethanol, hydrochloric acid and water at a predetermined ratio to prepare a methyl silicon solution;
Preparing a MgF 2 solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) particles by blending magnesium acetate (Mg (CH 3 COO) 2 ), hydrofluoric acid (HF), anhydrous ethanol and ethanol at a predetermined ratio;
Mixing the methyl silicon solution and the MgF 2 solution to prepare a coating solution; And
Wherein the MgF 2 coating layer is formed on the gold alloy surface of the magnetic insulator having the zinc (Zn) coating layer through a coating step of coating the coating solution on the gold alloy surface of the magnetic insulator to form a coating layer.
상기 MgF2 코팅막의 두께가 240nm 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 자기 애자.9. The method of claim 8,
The MgF 2 And the thickness of the coating film is 240 nm to 350 nm.
상기 MgF2 코팅막은 300nm 내지 1100nm 파장에서 평균 빛 반사율이 81% 이상인 것을 특징으로 하는 자기 애자.9. The method of claim 8,
The MgF 2 Wherein the coating film has an average light reflectance of 81% or more at a wavelength of 300 nm to 1100 nm.
상기 MgF2 코팅막은 물에 대한 접촉각이 83° 내지 113°인 것을 특징으로 하는 자기 애자.
9. The method of claim 8,
The MgF 2 Wherein the coating film has a contact angle with respect to water of 83 ° to 113 °.
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