KR20190018804A - Display panel using gate driving circuit - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display device using a gate operating circuit. The display device includes: a substrate including a display area and a non-display area; a pixel circuit placed in the display area; and a pair of scan operating circuits generating output signals reversed in the non-display area. The pixel circuit includes: at least one n type transistor; and at least one p type transistor. One of the scan operating circuits includes: first and third transistors having a gate electrode connected with a first node; and second and fourth transistors having a gate electrode connected with a second node. The first and second transistors and the third and fourth transistors are connected in series, respectively. Since a second output signal, which is generated from a node shared by the third and fourth transistors, and a first output signal, which is generated from a node shared by the first and second transistors, are reversed, the number of components for a gate operating circuit, which is able to provide a gate signal to the n type transistor and the p type transistor, is minimized, and thus, the reliability is able to be improved, and also, since an area for the placement of the gate operating circuit is able to be reduced, a display device with a narrow bezel is able to be made.

Description

게이트 구동회로를 이용한 표시패널{DISPLAY PANEL USING GATE DRIVING CIRCUIT}DISPLAY PANEL USING GATE DRIVING CIRCUIT < RTI ID = 0.0 >

본 명세서는 게이트 구동회로를 이용한 표시패널로서, 보다 구체적으로는 게이트 구동회로를 구성하는 트랜지스터의 개수를 최소화하여 네로우 베젤의 표시패널을 구현하기 위한 게이트 구동회로를 이용한 표시패널에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display panel using a gate driving circuit, and more particularly, to a display panel using a gate driving circuit for implementing a narrow-bezel display panel by minimizing the number of transistors constituting a gate driving circuit.

현재 다양한 표시장치(display device)들이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정 표시장치(liquid crystal display device; LCD), 전계방출 표시장치(field emission display device; FED), 전기영동 표시장치(electro phoretic display device; EPD), 전기습윤 표시장치(electro-wetting display device; EWD), 유기발광 표시장치(organic light emitting display device; OLED), 및 양자점 표시장치(quantum dot display device; QD) 등의 표시장치들이 있다.Currently, various display devices are being developed and marketed. For example, a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electrophoretic display device (EPD), an electro-wetting display devices such as a display device (EWD), an organic light emitting display device (OLED), and a quantum dot display device (QD).

표시장치들을 구현하기 위한 다양한 기술이 개발되고 다양한 제품들이 양산됨에 따라, 표시장치를 동작하기 위한 기술보다는 소비자가 원하는 디자인을 구현하기 위한 기술 위주로 발전하고 있다. 그 중 한가지는 표시화면을 극대화하는 것이다. 이는 표시화면을 둘러싸고 있는 비표시영역, 즉 베젤(bezel)을 최소화하고 표시화면의 크기를 최대화하여 사용자로 하여금 표시화면에 대한 몰입감을 향상시킬 수 있고, 제품의 디자인을 다양화할 수 있기 때문이다.As various technologies for implementing display devices have been developed and various products have been mass produced, technologies for developing a design desired by consumers are developed rather than techniques for operating display devices. One of them is to maximize the display screen. This is because the non-display area surrounding the display screen, that is, the bezel is minimized and the size of the display screen is maximized, so that the user can improve the immersion feeling on the display screen and diversify the design of the product.

베젤에는 표시화면을 구성하는 화소 어레이(pixel array)에 구동 신호를 전달하기 위한 구동회로들이 배치된다. 구동회로들로부터 제공받은 신호가 화소회로를 구동시키면 화소 어레이가 발광하게 된다. 화소회로의 게이트 라인에 게이트 신호를 전달하기 위해서 게이트 구동회로가 배치되고, 화소회로의 데이터 라인에 데이터 신호를 전달하기 위해서 데이터 구동회로가 배치된다. 게이트 구동회로는 화소회로의 스캔 트랜지스터들 또는 스위치 트랜지스터들의 게이트 전극을 제어하기 위한 스캔 구동회로 및 에미션 트랜지스터들의 게이트 전극을 제어하기 위한 에미션 구동회로를 포함할 수 있다. 따라서, 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로가 배치되는 면적을 줄임으로써 베젤을 최소화할 수 있다. Driving circuits for transmitting driving signals to a pixel array constituting a display screen are disposed on the bezel. When the signal supplied from the driver circuits drives the pixel circuit, the pixel array emits light. A gate driver circuit is arranged to transfer a gate signal to the gate line of the pixel circuit, and a data driver circuit is arranged to transfer the data signal to the data line of the pixel circuit. The gate driving circuit may include a scan driving circuit for controlling the gate electrodes of the scan transistors or switch transistors of the pixel circuit, and an emission driving circuit for controlling the gate electrodes of the emission transistors. Therefore, the area where the gate driving circuit and the data driving circuit are disposed can be reduced, thereby minimizing the bezel.

표시장치의 해상도가 증가하고 소비전력이 증가함에따라 표시장치의 소비전력을 감소시키기 위한 기술이 개발되고 있다. 소비전력을 감소시키기 위해서 특정기간 동안에는 프레임 레이트(frame rate)를 낮추어 화소들을 저속 구동할 수 있다. 예를 들어, 모바일(mobile) 모델의 경우 실사용 모드에서는 60Hz, 120Hz등 정상 구동을 하고 대기모드에서는 1Hz등의 구동을 함으로써 소비전력을 감소시킬 수 있다.Techniques for reducing the power consumption of the display device as the resolution of the display device increases and the power consumption increase have been developed. In order to reduce the power consumption, it is possible to drive the pixels at a low speed by lowering the frame rate for a specific period of time. For example, in the case of the mobile model, the power consumption can be reduced by performing normal driving such as 60 Hz and 120 Hz in the practical use mode and 1 Hz in the standby mode.

저속 구동시에는 데이터 업데이트 주기가 길어지기 때문에 화소에서 누설 전류(leakage current)가 발생되면 플리커(flicker)가 보일 수 있다. 따라서, 오프(off) 기간이 긴 스위치 트랜지스터를 오프 전류(off current)가 낮은 n타입 산화물 트랜지스터로 사용하면 저속 구동에서 누설 전류를 줄여 플리커 현상을 줄일 수 있다. 그리고, 화소회로의 구동 트랜지스터의 경우 이동도가 높아 에너지 소비전력이 낮고 신뢰성이 우수한 p타입 다결정 트랜지스터로 구현할 수 있다. 즉, n타입 트랜지스터와 p타입 트랜지스터를 모두 포함하는 화소회로가 배치된 표시패널의 경우, n타입 트랜지스터와 p타입 트랜지스터를 제어하기 위해 각각 별도의 스캔 구동회로가 필요하다. 또한, n타입 트랜지스터와 p타입 트랜지스터는 서로 턴온 전압이 다르므로 스캔 구동회로 중 어느 하나는 인버터(inverter)를 포함해야한다. 표시패널은 기존의 스캔 구동회로, 에미션 구동회로 외에 인버터를 더 포함함으로써 게이트 구동회로가 차지하는 면적이 증가하므로 네로우 베젤(narrow bezel) 표시장치를 구현하는데 어려움이 있다. Since the data update period is lengthened at low speed driving, a flicker may be seen when a leakage current occurs in the pixel. Therefore, when a switch transistor having a long off-period is used as an n-type oxide transistor having a low off-current, a flicker phenomenon can be reduced by reducing a leakage current in a low-speed driving. The driving transistor of the pixel circuit can be realized as a p-type polycrystalline transistor having high mobility and low energy consumption and excellent reliability. That is, in the case of a display panel in which a pixel circuit including both an n-type transistor and a p-type transistor is arranged, a separate scan driving circuit is required to control the n-type transistor and the p-type transistor. In addition, since the n-type transistor and the p-type transistor have different turn-on voltages, one of the scan driving circuits must include an inverter. Since the display panel further includes an inverter in addition to the conventional scan driver circuit and the emission driver circuit, the area occupied by the gate driver circuit is increased, making it difficult to implement a narrow bezel display device.

이에 본 명세서의 발명자들은 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 게이트 구동회로의 크기를 최소화하기 위한 게이트 구동회로를 고안하고, 이를 적용한 표시패널을 발명하였다.The inventors of the present invention recognized the above-mentioned problems and invented a gate driving circuit for minimizing the size of a gate driving circuit, and invented a display panel to which such a gate driving circuit was applied.

본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제는 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터를 모두 포함하는 표시패널에서 n타입 트랜지스터 또는 p타입 트랜지스터의 게이트 전극에 게이트 전압을 제공하기 위해 인버터를 포함하지 않는 게이트 구동회로를 적용함으로써 게이트 구동회로의 구성요소를 최소화하고 게이트 구동회로의 신뢰성이 향상된 표시패널을 제공하는 것이다.A problem to be solved according to the embodiment of the present invention is to provide a gate drive circuit which does not include an inverter to provide a gate voltage to a gate electrode of an n-type transistor or a p-type transistor in a display panel including both n-type transistors and p- Thereby minimizing the components of the gate driving circuit and improving the reliability of the gate driving circuit.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 있는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 및 보조 트랜지스터를 포함하며, 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고, 보조 트랜지스터의 제1 전극은 리셋 신호가 인가되는 배선에 연결되며, 보조 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된다. 이에 따라, n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터에 게이트 신호를 제공할 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상될 수 있으며, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시장치가 구현될 수 있다.In a display panel according to an embodiment of the present invention, a display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit in the display region, and a non-display region, The first scan driving circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, and an auxiliary transistor. The gate electrode of the auxiliary transistor includes a first scan driving circuit and a second scan driving circuit, A first electrode of the auxiliary transistor is connected to a wiring to which a reset signal is applied, and a second electrode of the auxiliary transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor. Accordingly, the components of the gate driving circuit capable of providing the gate signal to the n-type transistor and the p-type transistor can be minimized and reliability can be improved, and the area in which the gate driving circuit is disposed can be reduced, A display device can be implemented.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 있는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 제1 보조 트랜지스터, 및 제2 보조 트랜지스터를 포함하며, 제1 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고, 제1 보조 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 제2 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 리셋 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제2 보조 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 제2 보조 트랜지스터의 제2 전극은 제1 보조 트랜지스터의 제1 전극과 연결한다. 이에 따라, 서로 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상될 수 있으며, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시패널이 구현될 수 있다.In a display panel according to an embodiment of the present invention, a display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit in the display region, and a non-display region, Wherein the first scan driver circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, a first sub-transistor, and a second sub-transistor, and the gate electrode of the first sub-transistor includes a second scan driver circuit and a second scan driver circuit, A second electrode of the first auxiliary transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor, a gate electrode of the second auxiliary transistor is connected to a wiring provided with a reset signal, The first electrode of the second auxiliary transistor is connected to the wiring provided with the gate low voltage and the second electrode of the second auxiliary transistor is connected to the first And connects to the first electrode of the auxiliary transistor. Accordingly, components of the gate driver circuit capable of generating mutually inverted output signals can be minimized, reliability can be improved, and the area in which the gate driver circuit is disposed can be reduced, so that the display panel of the narrow bezel is realized .

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 구비되어 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터를 포함하는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 제공하는 배선 및 리셋 신호를 제공하는 배선에 연결되며, 리셋 신호는 제1 스캔 구동회로를 구성하는 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전압을 조절하도록 배치된 트랜지스터에 제공된다. 이에 따라, 서로 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상되고, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시패널이 구현될 수 있다.In the display panel according to an embodiment of the present invention, the display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit provided in the display region and including an n-type transistor and a p-type transistor, A first scan driving circuit and a second scan driving circuit for generating output signals inverted from each other, wherein the first scan driving circuit includes a wiring for providing an output signal of the second scan driving circuit and a wiring for providing a reset signal And a reset signal is provided to the transistor arranged to control the voltage applied to the gate electrode of the pull-down transistor constituting the first scan driving circuit. As a result, components of the gate driver circuit capable of generating mutually inverted output signals are minimized, reliability is improved, and the area in which the gate driver circuit is disposed can be reduced, so that a narrow bezel display panel can be realized .

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예들에 따르면, 제1 스캔 구동회로는 Q 노드에 게이트 전극이 연결된 풀업 트랜지스터, QB 노드에 게이트 전극이 연결된 풀다운 트랜지스터, 및 제2 스캔 구동회로의 출력 신호에 따라 QB 노드에 리셋 신호를 인가할 수 있는 보조 트랜지스터를 포함함으로써, 인버터 구동회로를 사용하지 않고 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있으므로, 게이트 구동회로의 크기를 감소시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first scan driving circuit includes a pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, By including the auxiliary transistor capable of applying the signal, the inverted output signal can be generated without using the inverter driving circuit, so that the size of the gate driving circuit can be reduced.

또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 제1 스캔 구동회로는 Q 노드에 게이트 전극이 연결된 풀업 트랜지스터, QB 노드에 게이트 전극이 연결된 풀다운 트랜지스터, 제2 스캔 구동회로의 출력 신호에 따라 제어되는 제1 보조 트랜지스터, 및 리셋 신호에 따라 제어되는 제2 보조 트랜지스터를 포함하고, 제1 보조 트랜지스터 및 제2 보조 트랜지스터에 의해 QB 노드에 게이트 로우 전압을 인가함으로써, 인버터 구동회로를 사용하지 않고 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있으므로, 게이트 구동회로의 크기를 감소시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first scan driving circuit includes a pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, 1 auxiliary transistor, and a second auxiliary transistor controlled in accordance with a reset signal, and applying a gate-low voltage to the QB node by the first and second auxiliary transistors allows the inverted output A signal can be generated, so that the size of the gate drive circuit can be reduced.

또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 리셋 신호 및 제2 스캔 신호가 인가되는 배선에 연결된 제1 보조 트랜지스터 및 제2 보조 트랜지스터에 의해 QB 노드에 인가되는 전압을 조절함으로써, 인버터 구동회로를 사용하지 않고 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있으므로, 게이트 구동회로의 크기를 감소시킬 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, by controlling the voltage applied to the QB node by the first and second auxiliary transistors connected to the wiring to which the reset signal and the second scan signal are applied, the inverter driving circuit is used It is possible to generate an inverted output signal without reducing the size of the gate drive circuit.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the description of the specification, as the contents of the description in the problems, the solutions to the problems, and the effects described above do not specify the essential features of the claims.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 화소회로를 나타낸 회로도이다.
도 3a는 도 2에 도시된 화소회로의 정상 구동 모드에서 동작을 나타낸 회로도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 화소회로의 타이밍도이다.
도 4a는 도 2에 도시된 화소회로의 센싱 구동 모드에서 동작을 나타낸 회로도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 화소회로의 타이밍도이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로를 도시한 블럭도이다.
도 6은 본 명세서의 제1 실시예에 따른 제1 스캔 구동회로를 나타낸 회로도이다.
도 7a는 도 6에 도시된 제1 스캔 구동회로가 정상 구동 모드일 때 신호를 나타낸 타이밍도이다.
도 7b는 도 6에 도시된 제1 스캔 구동회로가 센싱 구동 모드일 때 신호를 나타낸 타이밍도이다.
도 8은 본 명세서의 제2 실시예에 따른 제1 스캔 구동회로를 나타낸 회로도이다.
1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3A is a circuit diagram showing the operation in the normal driving mode of the pixel circuit shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 3B is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG. 3A.
4A is a circuit diagram showing an operation in a sensing driving mode of the pixel circuit shown in FIG.
4B is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG. 4A.
5 is a block diagram illustrating a gate drive circuit according to an embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram showing a first scan driving circuit according to the first embodiment of the present invention.
7A is a timing chart showing a signal when the first scan driving circuit shown in FIG. 6 is in a normal driving mode.
7B is a timing chart showing signals when the first scan driving circuit shown in FIG. 6 is in a sensing driving mode.
8 is a circuit diagram showing a first scan driving circuit according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', ‘~에 이어서’, ‘~다음에’, ‘~전에’ 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, ‘바로’ 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal posterior relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., 'May not be contiguous unless it is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments herein may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 화소회로와 게이트 구동회로는 n타입 또는 p타입의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source), 및 드레인(drain)을 포함한 3전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 예를 들어, 트랜지스터에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n타입 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n타입 트랜지스터에서 전자가 소스로부터 드레인쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p타입 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p타입 트랜지스터의 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니고, 트랜지스터의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다.In this specification, the pixel circuit and the gate driving circuit formed on the substrate of the display panel may be implemented by n-type or p-type transistors. For example, the transistor may be implemented as a transistor of a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) structure. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. For example, the flow of carriers in a transistor flows from a source to a drain. In the case of an n-type transistor, since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so as to flow from the source to the drain. In an n-type transistor, the direction of the current flows from the drain to the source because electrons flow from the source to the drain. In the case of a p-type transistor, since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. Since the holes of the p-type transistor flow from the source to the drain, current flows from the source to the drain. The source and the drain of the transistor are not fixed, and the source and drain of the transistor can be changed according to the applied voltage.

이하에서, 게이트 온 전압(gate on voltage)은 트랜지스터가 턴온(turn-on)될 수 있는 게이트 신호의 전압일 수 있다. 게이트 오프 전압(gate off voltage)은 트랜지스터가 턴오프(turn-off)될 수 있는 전압일 수 있다. p타입 트랜지스터에서 게이트 온 전압은 로직 로우 전압(VL)일 수 있고, 게이트 오프 전압은 로직 하이 전압(VH)일 수 있다. n타입 트랜지스터에서 게이트 온 전압은 로직 하이 전압일 수 있고, 게이트 오프 전압은 로직 로우 전압일 수 있다.In the following, the gate on voltage may be the voltage of the gate signal that the transistor may be turned on. The gate off voltage may be a voltage that allows the transistor to be turned off. In a p-type transistor, the gate-on voltage may be a logic low voltage (VL) and the gate-off voltage may be a logic high voltage (VH). In an n-type transistor, the gate-on voltage may be a logic high voltage and the gate-off voltage may be a logic low voltage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예에 따른 게이트 구동회로를 이용한 표시패널에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a display panel using a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 블록도이다. 도 1은 외부보상이 가능한 화소회로가 배치된 표시장치를 예를 들어 나타낸 블록도이며, 표시장치의 구성요소가 이에 한정되는 것은 아니다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. 1 is a block diagram illustrating a display device in which a pixel circuit capable of external compensation is disposed, and the constituent elements of the display device are not limited thereto.

표시장치(100)는 표시패널(10), 드라이브 IC(drive integrated circuit)(20), 메모리(30), 호스트 시스템(40) 등을 포함한다. The display device 100 includes a display panel 10, a drive IC (drive integrated circuit) 20, a memory 30, a host system 40, and the like.

표시패널(10)에서 입력 영상을 표시하는 화면은 신호 배선들에 연결된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들 각각은 컬러 구현을 위하여 적색, 녹색, 청색 부화소(sub-pixel)를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 백색 부화소를 더 포함할 수 있다. 화소(P)들이 배치되어 화면을 표시하는 영역을 표시영역(DA), 표시영역(DA) 이외의 영역을 비표시영역이라고 하고, 비표시영역은 베젤(bezel)이라고 일컫을 수도 있다.A screen for displaying an input image on the display panel 10 includes a plurality of pixels P connected to signal wirings. Each of the pixels P may include red, green, and blue sub-pixels for color implementation, and may include a white sub-pixel. The area where the pixels P are disposed and the screen is displayed is referred to as a display area DA and the area other than the display area DA is referred to as a non-display area, and the non-display area may be referred to as a bezel.

신호 배선들은 화소(P)들에 아날로그 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 라인들 및 화소(P)들에 게이트 신호를 공급하는 게이트 라인들을 포함할 수 있다. 게이트 신호는 화소회로의 구성에 따라 두 개 이상의 신호를 포함할 수 있다. 이하에 설명할 화소회로에서는 제1 스캔 신호(Scan1), 제2 스캔 신호(Scan2), 및 에미션 신호(EM)를 포함한다. 신호 배선들은 화소(P)들의 전기적 특성을 센싱(sensing)하는데 이용되는 센싱 배선을 더 포함할 수 있다.The signal wirings may include data lines for supplying the analog data voltage Vdata to the pixels P and gate lines for supplying the gate signals to the pixels P. [ The gate signal may include two or more signals depending on the configuration of the pixel circuit. The pixel circuit to be described below includes a first scan signal Scan1, a second scan signal Scan2, and an emission signal EM. The signal wirings may further include a sensing wiring used to sense the electrical characteristics of the pixels P. [

표시패널(10)의 화소(P)들은 매트릭스 형태로 배치되어 화소 어레이를 구성하지만, 이에 한정되지는 않는다. 화소(P)들은 매트릭스 형태 이외에도 화소를 공유하는 형태, 스트라이프(stripe) 형태, 다이아몬드(diamond) 형태 등 다양한 형태로 배치될 수 있다. 각 화소(P)는 데이터 라인들 중 어느 하나에, 센싱 배선들 중 어느 하나에, 그리고 게이트 라인들 중 적어도 어느 하나에 연결될 수 있다. 각 화소(P)는 전원생성부로부터 고전위 전원 전압과 저전위 전원 전압을 공급받도록 구성된다. 이를 위해, 전원생성부는 고전위 전원 전압 배선을 통해 고전위 전원 전압을 화소(P)들에 공급할 수 있다. 그리고, 전원 생성부는 저전위 전원 전압 배선을 통해 저전위 전원 전압을 화소(P)들에 공급할 수 있다. 전원생성부는 드라이브 IC(20)에 포함될 수 있다.The pixels P of the display panel 10 are arranged in a matrix form to constitute a pixel array, but are not limited thereto. The pixels P may be arranged in various forms such as a pixel sharing shape, a stripe shape, and a diamond shape in addition to a matrix shape. Each pixel P may be connected to any one of the data lines, one of the sensing lines, and at least one of the gate lines. Each pixel P is configured to receive a high potential power supply voltage and a low potential power supply voltage from a power generation unit. To this end, the power generator may supply the high-potential power supply voltage to the pixels P through the high-potential power supply voltage wiring. Then, the power generator can supply the low-potential power supply voltage to the pixels P through the low-potential power supply voltage wiring. The power generator may be included in the drive IC 20. [

드라이브 IC(20)는 화소(P)의 전기적 특성 센싱 결과를 바탕으로 미리 설정된 화소(P)의 보상값으로 입력 영상 데이터를 변조하고, 변조된 데이터(V-DATA)에 대응되는 데이터 전압을 발생하는 데이터 구동회로(28)와, 데이터 구동회로(28)와 게이트 구동회로(15)의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부(21)를 포함한다. 드라이브 IC(20)의 데이터 구동회로(28)는 입력 영상의 데이터에 미리 설정된 보상값을 더하여 보상 데이터를 발생하고 그 보상 데이터를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 데이터 구동회로(28)는 데이터 구동부(25), 보상부(26), 및 보상 메모리(27) 등을 포함한다. 데이터 구동부(25)는 센싱부(22) 및 데이터 전압 생성부(23)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The drive IC 20 modulates the input image data with the compensation value of the pixel P set in advance on the basis of the electric property sensing result of the pixel P and generates the data voltage corresponding to the modulated data V- And a timing control section 21 for controlling the operation timings of the data driving circuit 28 and the gate driving circuit 15. [ The data driving circuit 28 of the drive IC 20 generates compensation data by adding a preset compensation value to the data of the input image, converts the compensation data into a data voltage Vdata, and supplies the compensation data to the data lines. The data driving circuit 28 includes a data driver 25, a compensation unit 26, a compensation memory 27, and the like. The data driver 25 may include a sensing unit 22 and a data voltage generator 23, but is not limited thereto.

타이밍 제어부(21)는 호스트 시스템(40)으로부터 입력되는 영상 신호에서 타이밍 신호들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 수직 동기신호, 수평 동기신호, 도트 클럭 신호, 및 데이터 인에이블신호 등을 바탕으로 게이트 구동회로(15)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(gate timing control signal, GTC)와, 데이터 구동부(25)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(data timing control signal, DTC)를 생성할 수 있다.The timing control unit 21 may generate timing signals from a video signal input from the host system 40. [ For example, a gate timing control signal (GTC) for controlling the operation timing of the gate driving circuit 15 based on a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, a dot clock signal, and a data enable signal, And a data timing control signal (DTC) for controlling the operation timing of the data driver 25.

데이터 타이밍 제어신호(DTC)는 소스 스타트 펄스(source start pulse), 소스 샘플링 클럭(source sampling clock), 및 소스 출력 인에이블 신호(source output enable signal)등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 소스 스타트 펄스는 데이터 전압 생성부(23)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징(rising) 또는 폴링(falling) 에지(edge)에 기준하여 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호는 데이터 전압 생성부(23)의 출력 타이밍을 제어한다.The data timing control signal DTC may include, but is not limited to, a source start pulse, a source sampling clock, and a source output enable signal, . The source start pulse controls the data sampling start timing of the data voltage generating section 23. [ The source sampling clock is a clock signal that controls the sampling timing of data based on a rising or falling edge. The source output enable signal controls the output timing of the data voltage generator 23. [

게이트 타이밍 제어신호(GTC)는 게이트 스타트 펄스(gate start pulse), 게이트 시프트 클럭(gate shift clock) 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 게이트 스타트 펄스는 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지(stage)에 인가되어 그 스테이지의 동작을 활성화한다. 게이트 시프트 클럭은 스테이지들에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서 게이트 스타트 펄스를 시프트시키기 위한 클럭 신호이다. 게이트 스타트 펄스는 게이트 스타트 전압으로 일컫을 수 있고, 게이트 시프트 클럭은 게이트 클럭 신호로 일컫을 수도 있다.The gate timing control signal GTC may include, but is not limited to, a gate start pulse, a gate shift clock, and the like. The gate start pulse is applied to a stage that produces the first output to activate the operation of the stage. The gate shift clock is a clock signal commonly input to the stages and is a clock signal for shifting the gate start pulse. The gate start pulse may be referred to as a gate start voltage, and the gate shift clock may be referred to as a gate clock signal.

데이터 전압 생성부(23)는 화면 상에 입력 영상을 재현하는 정상 구동 모드(normal driving mode)에서 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 디지털-아날로그 변환기(digital to analog converter, 이하 DAC라 함)를 이용하여 입력 영상의 데이터 전압(Vdata)을 생성하여 데이터 라인들을 통해 화소(P)들에 공급한다. The data voltage generator 23 uses a digital-to-analog converter (DAC) for converting a digital signal into an analog signal in a normal driving mode for reproducing an input image on a screen Thereby generating a data voltage Vdata of the input image and supplying the generated data voltage Vdata to the pixels P through the data lines.

제품 출하 전 또는 제품 구동 중 화소(P)의 전기적 특성 편차를 측정하기 위한 센싱 구동 모드에서, 데이터 전압 생성부(23)는 계조-휘도 측정 시스템으로부터 수신된 테스트 데이터를 변환하여 센싱용 데이터 전압을 생성하고, 센싱용 데이터 전압을 데이터 라인들을 통해 표시패널(10)의 센싱 대상 화소(P)에 공급한다. 계조-휘도 측정 시스템은 화소(P)들 각각의 전기적 특성을 센싱하고, 센싱 결과를 바탕으로 화소(P)들 간의 전기적 특성 편차, 특히 구동 트랜지스터의 문턱전압 편차를 보상하는 화소(P)의 보상값을 도출하고, 이 화소(P)의 보상값을 메모리(30)에 저장하거나 또는 기 저장된 값을 갱신한다. 메모리(30)는 보상 메모리(27)와 하나의 메모리로 구현할 수도 있다. 또한, 메모리(30)는 플래시 메모리(flash memory)일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.In the sensing driving mode for measuring the electrical characteristic deviations of the pixels P before shipment or during product driving, the data voltage generator 23 converts the test data received from the gray-scale luminance measuring system to the sensing data voltage And supplies the sensing data voltage to the sensing target pixel P of the display panel 10 through the data lines. The gradation-luminance measurement system senses the electrical characteristics of each of the pixels P and compensates for the electrical characteristic deviation between the pixels P based on the sensing result, in particular, the compensation of the pixel P compensating the threshold voltage deviation of the driving transistor And the compensation value of the pixel P is stored in the memory 30 or the previously stored value is updated. The memory 30 may be implemented with a compensation memory 27 and a single memory. Also, the memory 30 may be a flash memory, but is not limited thereto.

센싱 구동 모드에 사용되는 계조-휘도 측정 시스템은 센싱 구동 모드 동작 시 메모리(30)와 전기적으로 연결될 수 있다.The gradation-luminance measurement system used in the sensing driving mode may be electrically connected to the memory 30 during the sensing driving mode operation.

정상 구동 모드에서, 표시장치(100)에 전원이 인가되면 메모리(30)로부터 보상값이 드라이브 IC(20)의 보상 메모리(27)로 로딩(loading)된다. 드라이브 IC(20)의 보상 메모리(27)는 DDR SDRAM(double date rate synchronous dynamic RAM) 또는 SRAM일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The compensation value is loaded from the memory 30 into the compensation memory 27 of the drive IC 20 when power is applied to the display device 100 in the normal drive mode. The compensation memory 27 of the drive IC 20 may be, but is not limited to, double data rate synchronous dynamic RAM (DDR SDRAM) or SRAM.

센싱부(22)는 구동 트랜지스터의 전류에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 샘플링하여 구동 트랜지스터의 전기적 특성을 센싱할 수 있다. 센싱부(22)는 제품 출하전 에이징 공정에서 화소(P)들 각각의 전기적 특성을 센싱하여 계조-휘도 측정 시스템으로 전송하도록 구성될 수 있다. The sensing unit 22 can sense the electrical characteristics of the driving transistor by sampling the source voltage of the driving transistor according to the current of the driving transistor. The sensing unit 22 may be configured to sense the electrical characteristics of each of the pixels P in the pre-shipment aging process and transmit the sensed electrical characteristics to the grayscale-luminance measurement system.

보상부(26)는 보상 메모리(27)로부터 읽어 낸 보상값으로 입력 영상의 데이터를 변조하고, 변조된 데이터(V-DATA)를 데이터 전압 생성부(23)로 전송한다.The compensation unit 26 modulates the data of the input image with the compensation value read from the compensation memory 27 and transmits the modulated data V-DATA to the data voltage generation unit 23. [

호스트 시스템(40)은 TV 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템(home theater system), 모바일 시스템, 웨어러블 시스템, 가상 현실 시스템(virtual reality system) 중 어느 하나일 수 있다. 도 1은 모바일 시스템의 구성을 예시한 것으로, 호스트 시스템(40)에 따라 표시장치의 구동회로 구성이 달라질 수 있다. The host system 40 may be any one of a TV system, a set top box, a navigation system, a personal computer (PC), a home theater system, a mobile system, a wearable system, and a virtual reality system . FIG. 1 illustrates the configuration of a mobile system, and the configuration of a driving circuit of a display device may be changed according to the host system 40. FIG.

도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 화소회로를 나타낸 회로도이다. 2 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2의 화소회로는 발광소자(EL), 구동 트랜지스터(DT), 캐패시터(Cs), 제1 스캔 트랜지스터(ST1), 제2 스캔 트랜지스터(ST2), 및 제3 스캔 트랜지스터(ST3)를 포함할 수 있다. 제1 스캔 트랜지스터(ST1) 및 구동 트랜지스터(DT)는 n타입 트랜지스터로 구현되고, 제2 스캔 트랜지스터(ST2), 및 제3 스캔 트랜지스터(ST3)는 P타입 트랜지스터로 구현될 수 있다. 도 2에서는, 제1 스캔 트랜지스터(ST1) 및 구동 트랜지스터(DT)가 n타입 트랜지스터로 구현된 화소회로를 예로 들지만, 이에 한정되지는 않는다. 이하에서 설명될 도 5 및 도 8의 실시예들은 제1 스캔 트랜지스터(ST1), 제2 스캔 트랜지스터(ST2), 및 제3 스캔 트랜지스터(ST3)가 n타입 또는 p타입, 두 종류의 트랜지스터로 구현된 경우에 적용될 수 있다. 또한, 도 5 및 도 8의 실시예들은 도 2에서 도시된 4개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구현된 화소회로에 한정되지 않고, n타입 및 p타입의 두 종류의 트랜지스터로 구현된 화소회로에 적용될 수 있다. The pixel circuit of FIG. 2 includes a light emitting device EL, a driving transistor DT, a capacitor Cs, a first scan transistor ST1, a second scan transistor ST2, and a third scan transistor ST3 . The first scan transistor ST1 and the second transistor STT may be implemented as n-type transistors and the second scan transistor ST2 and the third scan transistor ST3 may be implemented as p-type transistors. 2, the pixel circuit in which the first scan transistor ST1 and the drive transistor DT are implemented by n-type transistors is exemplified, but the present invention is not limited thereto. The embodiments of FIGS. 5 and 8 will be described below. The first scan transistor ST1, the second scan transistor ST2, and the third scan transistor ST3 are implemented by two types of transistors, that is, n type or p type. . 5 and 8 are not limited to the pixel circuits implemented with the four transistors and the one capacitor shown in FIG. 2, but may be applied to pixel circuits implemented with two types of transistors of n type and p type .

구동 트랜지스터(DT) 및 제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 n타입 트랜지스터이다. 예를 들어, n타입 트랜지스터는 오프 전류(off current)가 작은 산화물 반도체층을 포함한 산화물 트랜지스터로 구현될 수 있다. 오프 전류는 트랜지스터의 오프 상태에서 트랜지스터의 소스와 드레인 사이에 흐르는 누설 전류이다. 오프 전류가 작은 트랜지스터 소자는 오프 상태가 길더라도 누설 전류가 적기 때문에 화소들을 저속 구동할 때 화소들의 휘도 변화를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 저속 구동은 1Hz 구동일 수 있다.The driving transistor DT and the first scan transistor ST1 are n-type transistors. For example, the n-type transistor may be implemented as an oxide transistor including an oxide semiconductor layer with a small off current. Off current is a leakage current flowing between the source and the drain of the transistor in the off state of the transistor. A transistor element having a small off current has a small leakage current even when the off state is long, so that the luminance change of the pixels can be minimized when the pixels are driven at a low speed. For example, the low speed drive may be a 1 Hz drive.

구동 트랜지스터(DT)의 반도체 채널층이 백 플레인(backplane)과 가까우면 구동 트랜지스터에 인가된 전압에 따라 백 플레인에서 구동 트랜지스터의 반도체 채널층에 유입되는 원치 않는 전하의 흐름이 발생될 수 있다. 이러한 백 플레인의 전하 흐름은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압의 변화를 일으키고, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 발광소자(EL)의 전류 및 휘도 변화를 일으켜 화면 상에서 잔상을 초래할 수 있다. 잔상 문제를 방지하기 위하여 구동 트랜지스터(DT)와 제1 스캔 트랜지스터(ST1)에 적용되는 산화물 트랜지스터는 백 플레인으로부터 전하 유입을 방지할 수 있는 구조를 적용할 수 있다.If the semiconductor channel layer of the driving transistor DT is close to the backplane, a flow of unwanted electric charge flowing into the semiconductor channel layer of the driving transistor in the backplane may be generated according to the voltage applied to the driving transistor. This charge flow in the back plane causes a change in the threshold voltage of the driving transistor DT, and a change in the threshold voltage of the driving transistor causes a change in current and luminance of the light emitting element EL, resulting in a residual image on the screen. The oxide transistor applied to the driving transistor DT and the first scan transistor ST1 may have a structure capable of preventing the charge inflow from the backplane.

제2 스캔 트랜지스터(ST2) 및 제3 스캔 트랜지스터(ST3)는 p타입 트랜지스터이다. 예를 들어, p타입 트랜지스터는 이동도가 높은 저온 폴리 실리콘(low temperature poly silicon, LTPS)으로 형성된 반도체층을 포함한 폴리 실리콘 트랜지스터로 구현될 수 있다. 마찬가지로, 폴리 실리콘 트랜지스터로 구동 트랜지스터(DT)를 구현하고 반도체층이 백 플레인과 가까울 경우, 픽셀들이 잔상에 취약할 수 있다.The second scan transistor ST2 and the third scan transistor ST3 are p-type transistors. For example, a p-type transistor may be implemented with a polysilicon transistor including a semiconductor layer formed of low temperature poly silicon (LTPS) with high mobility. Likewise, if the driver transistor DT is implemented with a polysilicon transistor and the semiconductor layer is close to the backplane, the pixels may be vulnerable to afterimage.

앞서 언급한바와 같이, 본 명세서의 전계 발광 표시장치는 정지 영상에서 소비 전력을 줄이기 위하여 프레임 레이트(frame rate)를 낮추어 픽셀들을 저속 구동할 수 있다. 이 경우, 데이터 업데이트 주기가 길어지기 때문에 픽셀에서 누설 전류가 발생되면 플리커가 보일 수 있다. 픽셀들의 휘도가 주기적으로 변동될 때 사용자가 플리커를 느낄 수 있다. 오프 기간이 긴 제1 스캔 트랜지스터(ST1)를 오프 전류가 작은 산화물 트랜지스터로 사용하면 저속 구동에서 누설 전류를 줄여 플리커 현상을 줄일 수 있다.As mentioned above, the electroluminescent display device of the present invention can drive the pixels at low speed by lowering the frame rate in order to reduce the power consumption in the still image. In this case, since the data update period becomes longer, flicker may be seen when leakage current occurs in the pixel. The user can feel the flicker when the luminance of the pixels fluctuates periodically. If the first scan transistor ST1 having a long off period is used as the oxide transistor having a small off current, the leakage current can be reduced in the low-speed driving, thereby reducing the flicker phenomenon.

발광소자(EL)는 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 및 전자주입층 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 발광소자(EL)의 캐소드는 저전위 전원 전압(VSS)에 연결되고, 애노드는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 연결된다.The light emitting device EL includes an organic compound layer formed between an anode and a cathode. The organic compound layer may include, but is not limited to, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The cathode of the light emitting element EL is connected to the low potential power supply voltage VSS and the anode is connected to the source electrode of the driving transistor DT.

구동 트랜지스터(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광소자(EL)에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자이다. 구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(node1)에 연결된 드레인 전극, 제2 노드(node2)에 연결된 게이트 전극, 제3 노드(node3)에 연결된 소스 전극을 포함한다. 제2 노드(node2)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극, 캐패시터(Cs)의 일측 전극 및 제1 스캔 트랜지스터(ST1)의 소스에 연결된다. 캐패시터(Cs)는 제2 노드(node2)와 제3 노드(node3) 사이에 연결된다. 고전위 전원 전압(VDD)은 제1 노드(node1)를 통해 구동 트랜지스터(DT)에 인가된다.The driving transistor DT is a driving element for adjusting the current flowing in the light emitting element EL according to the gate-source voltage Vgs. The driving transistor DT includes a drain electrode connected to the first node (node1), a gate electrode connected to the second node (node2), and a source electrode connected to the third node (node3). The second node node2 is connected to the gate electrode of the driving transistor DT, one electrode of the capacitor Cs, and the source of the first scan transistor ST1. The capacitor Cs is connected between the second node (node2) and the third node (node3). The high-potential power supply voltage VDD is applied to the driving transistor DT through the first node node1.

제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 제1 스캔 신호(Scan1)에 따라 턴온되어 기준 전압(Vref)을 제2 노드(node2)에 공급한다. 제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 제1 스캔 신호(Scan1)가 인가되는 배선에 연결된 게이트 전극, 기준 전압(Vref)이 인가되는 배선에 연결된 드레인 전극, 및 제2 노드(node2)를 통해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 연결된 소스 전극을 포함한다. 기준 전압(Vref)은 데이터 전압(Vdata)의 범위 안의 전압일 수 있다. 예를 들어, 기준 전압(Vref)은 -1.5V, 고전위 전원 전압(VDD)은 8V, 데이터 전압(Vdata)은 0V 내지 -6V, 저전위 전원 전압(VSS)은 0V이다.The first scan transistor ST1 is turned on according to the first scan signal Scan1 and supplies the reference voltage Vref to the second node node2. The first scan transistor ST1 includes a gate electrode connected to a wiring to which a first scan signal Scan1 is applied, a drain electrode connected to a wiring to which a reference voltage Vref is applied, DT). ≪ / RTI > The reference voltage Vref may be a voltage within a range of the data voltage Vdata. For example, the reference voltage Vref is -1.5V, the high-potential power supply voltage VDD is 8V, the data voltage Vdata is 0V to -6V, and the low-potential power supply voltage VSS is 0V.

제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 제2 스캔 신호(Scan2)에 따라 턴온되어 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 배선과 제3 노드(node3) 사이의 전류 경로를 형성한다. 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 연결된 게이트 전극, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 배선과 연결된 소스 전극, 및 제1 노드(node1)를 통해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 발광소자(EL)의 애노드 및 캐패시터(Cs)의 타측 전극에 연결된 드레인 전극을 포함한다. The second scan transistor ST2 is turned on in response to the second scan signal Scan2 to form a current path between the third node N3 and the wire to which the data voltage Vdata is applied. The second scan transistor ST2 includes a gate electrode connected to a wiring to which a second scan signal Scan2 is applied, a source electrode connected to a wiring to which a data voltage Vdata is applied, DT and a drain electrode connected to the anode of the light emitting device EL and the other electrode of the capacitor Cs.

제3 스캔 트랜지스터(ST3)는 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되는 배선과 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극 사이에 연결되어 에미션 신호(EM)에 응답하여 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되는 배선과 구동 트랜지스터(DT) 사이의 전류 경로를 스위칭한다. 제3 스캔 트랜지스터(ST3)는 에미션 신호(EM)가 인가되는 배선에 연결된 게이트 전극, 제1 노드(node1)를 통해 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 연결된 드레인 전극, 및 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되는 배선을 통해 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되는 소스 전극을 포함한다. 이하에서는 화소회로의 동작을 설명하기로 한다.The third scan transistor ST3 is connected between the wiring to which the high potential power supply voltage VDD is applied and the drain electrode of the driving transistor DT so that the high potential power supply voltage VDD is applied in response to the emission signal EM And switches the current path between the wiring to be driven and the driving transistor DT. The third scan transistor ST3 includes a gate electrode connected to the wiring to which the emission signal EM is applied, a drain electrode connected to the drain electrode of the driving transistor DT through the first node node1, And a source electrode to which a high-potential power-supply voltage VDD is applied through a wiring to which a voltage VDD is applied. Hereinafter, the operation of the pixel circuit will be described.

도 3a는 도 2에 도시된 화소회로의 정상 구동 모드에서 동작을 나타낸 회로도이다. 도 3b는 도 3a에 도시된 화소회로의 타이밍도이다. 도 3b에서 1H는 화소에 데이터가 기입(write)되는 1 수평 기간을 나타낸다.FIG. 3A is a circuit diagram showing the operation in the normal driving mode of the pixel circuit shown in FIG. 2. FIG. FIG. 3B is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG. 3A. In Fig. 3B, 1H represents one horizontal period in which data is written to the pixel.

정상 구동 모드는 화소를 발광시키기 위해 데이터 전압(Vdata)을 인가하는 프로그래밍 기간 및 발광소자(EL)에 일정한 전류를 흘려줌으로써 발광소자(EL)가 발광하는 에미션 기간을 포함한다. 도 3a 및 도 3b는 화소회로의 정상 구동 모드에서 프로그래밍 기간(DTp)에 대해 나타낸다. 화소회로에 인가되는 제1 스캔 신호(Scan1), 제2 스캔 신호(Scan2), 및 에미션 신호(EM) 각각은 로직 로우 전압(VL)과 로직 하이 전압(VH) 사이에서 스윙한다. The normal driving mode includes a programming period for applying a data voltage (Vdata) to light a pixel and an emission period for allowing the light emitting element (EL) to emit light by flowing a constant current through the light emitting element (EL). 3A and 3B show the programming period DTp in the normal driving mode of the pixel circuit. Each of the first scan signal Scan1, the second scan signal Scan2 and the emission signal EM applied to the pixel circuit swings between the logic low voltage VL and the logic high voltage VH.

프로그래밍 기간(DTp) 동안, 제1 스캔 신호(Scan1)의 게이트 온 전압(VH)에 따라 제1 스캔 트랜지스터(ST1)가 턴온되고, 제2 스캔 신호(Scan2)의 게이트 온 전압(VL)에 따라 제2 스캔 트랜지스터(ST2)가 턴온되며, 에미션 신호(EM)의 게이트 오프 전압(VH)에 따라 제3 스캔 트랜지스터(ST3)가 턴오프된다. 이에 따라, 제2 노드(node2)에 기준 전압(Vref)이 인가되고, 제3 노드(node3)에 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 이 경우, 구동 트랜지스터(DT)가 턴온되어 에미션 기간이 아닌 기간에서 발광하는 것을 방지하기 위해 제3 스캔 트랜지스터(ST3)를 턴오프시키기 위하여, 제1 스캔 신호(Scan1) 및 제2 스캔 신호(Scan2)가 게이트 온 전압 상태인 1H 동안 에미션 신호(EM)는 게이트 오프 전압을 유지할 수 있다. 예를 들어, 에미션 신호(EM)는 2H 동안 게이트 오프 전압을 유지한다. 이어서, 에미션 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)는 턴오프되고, 제3 트랜지스터(T3)는 턴온되어 구동 트랜지스터에서 출력되는 전류에 의해 발광소자(EL)는 발광한다. During the programming period DTp, the first scan transistor ST1 is turned on in accordance with the gate-on voltage VH of the first scan signal Scan1 and the gate-on voltage VL of the second scan signal Scan2 The second scan transistor ST2 is turned on and the third scan transistor ST3 is turned off according to the gate off voltage VH of the emission signal EM. Accordingly, the reference voltage Vref is applied to the second node node2, and the data voltage Vdata is applied to the third node node3. In this case, in order to turn off the third scan transistor ST3 in order to prevent the drive transistor DT from being turned on and emitting light in a period other than the emission period, the first scan signal Scan1 and the second scan signal The emission signal EM can maintain the gate-off voltage for 1H, which is the gate-on voltage state. For example, the emission signal EM maintains the gate-off voltage for 2H. During the emission period, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off, the third transistor T3 is turned on, and the light emitting element EL emits light due to the current output from the driving transistor.

정상 구동 모드에서 제1 스캔 트랜지스터(ST1)와 제2 스캔 트랜지스터(ST2)를 동시에 턴온 및 턴오프되는 동작을 수행한다. 이를 위해서 게이트 구동회로는 로직 하이 전압(VH)과 로직 로우 전압(VL)을 동시에 출력할 수 있어야 한다. 다시 말하면, 서로 반대되는 두 개의 출력 전압을 출력할 수 있는 게이트 구동회로가 표시패널에 이용되어야 한다.The first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 are simultaneously turned on and off in the normal driving mode. For this purpose, the gate drive circuit must be capable of outputting logic high voltage (VH) and logic low voltage (VL) at the same time. In other words, a gate driver circuit capable of outputting two output voltages opposite to each other must be used for the display panel.

도 4a는 도 2에 도시된 화소회로의 센싱 구동 모드에서 동작을 나타낸 회로도이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 화소회로의 타이밍도이다.4A is a circuit diagram showing an operation in a sensing driving mode of the pixel circuit shown in FIG. 4B is a timing chart of the pixel circuit shown in FIG. 4A.

센싱 구동 모드에서는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압을 센싱한다. 센싱 구동 모드는 프레임(frame)과 프레임 사이의 블랭크 기간 동안 수행될 수 있고, 표시 패널 제조 후 출하 전 모든 화소에 일괄적으로 수행될 수 있다. 센싱 구동 모드는 블랙 데이터 입력 기간(STb), 홀딩 기간(STh), 프로그래밍 기간(STp), 및 센싱 기간(STs)을 포함한다. 도 4a는 센싱 구동 모드 중에서 프로그래밍 기간(STp)에서 화소회로의 전류 경로를 나타낸다.In the sensing driving mode, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed. The sensing driving mode may be performed during a blank period between a frame and a frame, and may be performed collectively on all the pixels before shipment after manufacture of the display panel. The sensing driving mode includes a black data input period STb, a holding period STh, a programming period STp, and a sensing period STs. 4A shows the current path of the pixel circuit in the programming period STp in the sensing driving mode.

센싱 구동 모드가 시작되면 블랙 데이터 입력 기간(STb) 동안, 제1 스캔 트랜지스터(ST1)와 제2 스캔 트랜지스터(ST2)를 턴온 시켜서, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 기준 전압(Vref)을 인가하고 구동 트랜시스터(DT)의 소스 전극에 블랙 데이터 전압을 인가시켜서 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극을 초기화 시키고 센싱 시 포함될 수 있는 노이즈를 제거할 수 있다.When the sensing driving mode is started, the first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 are turned on during the black data input period STb to apply the reference voltage Vref to the gate electrode of the driving transistor DT And the black data voltage is applied to the source electrode of the driving transceiver DT to initialize the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT and remove the noise that may be included in sensing.

블랙 데이터 입력 기간(STb)에 이어서 수행되는 홀딩 기간(STh)을 통해 프로그래밍 기간(STp)에서 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극에 센싱 전압을 인가할 수 있도록 한다. 홀딩 기간(STh)에는 제1 스캔 트랜지스터(ST1)와 제2 스캔 트랜지스터(ST2)를 턴오프 시켜준다.The sensing voltage can be applied to the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT during the programming period STp through the holding period STh subsequent to the black data input period STb. In the holding period STh, the first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 are turned off.

프로그래밍 기간(STp)에는 다시 제1 스캔 트랜지스터(ST1)와 제2 스캔 트랜지스터(ST2)를 턴온 시켜서 센싱시 필요한 센싱 전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극에 인가시켜준다. During the programming period STp, the first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 are turned on to apply a sensing voltage required for sensing to the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT.

센싱 기간(STs) 동안 제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 턴오프되고, 제2 스캔 트랜지스터(ST2)가 턴온됨으로써, 데이터 전압(Vdata)이 입력되는 배선을 통해 제3 노드(node3)의 전압을 센싱한다. 이 경우, 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 센싱 트랜지스터라고 일컫을 수 있다.The first scan transistor ST1 is turned off during the sensing period STs and the second scan transistor ST2 is turned on to sense the voltage of the third node node3 through the wiring to which the data voltage Vdata is input do. In this case, the second scan transistor ST2 may be referred to as a sensing transistor.

그리고, 정상 구동 모드를 진행하기 전에 블랙 데이터 입력 기간(STb)을 다시 수행하여 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 드레인 전극에 인가되어 있던 전압으로 인한 노이즈를 상쇄시켜줄 수 있다.The black data input period STb is performed again before proceeding to the normal driving mode, thereby canceling the noise due to the voltage applied to the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor DT.

센싱 구동 모드에서 에미션 신호(EM)에는 로직 로우 전압(VL)이 인가되어 제3 스캔 트랜지스터(ST3)를 턴온시켜준다. 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압에 의한 전류를 센싱하기 위해서는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 일정 전압이 인가되어야 한다. 따라서, 에미션 신호(EM)에 로직 로우 전압(VL)을 인가시켜줌으로써 턴온된 제3 스캔 트랜지스터(ST3)를 통해 고전위 전원 전압(VDD)이 제3 노드(node3)에 인가될 수 있다. In the sensing driving mode, the logic low voltage VL is applied to the emission signal EM to turn on the third scan transistor ST3. In order to sense the current due to the threshold voltage of the driving transistor DT, a certain voltage must be applied to the drain electrode of the driving transistor DT. Therefore, the logic high voltage VL may be applied to the third node (node3) through the third scan transistor ST3 turned on by applying the logic low voltage VL to the emission signal EM.

도 3a, 도 3b, 도 4a, 및 도 4b를 참고하면, 제1 스캔 신호(Scan1) 및 제2 스캔 신호(Scan2)는 정상 구동 모드에서는 서로 반전된 신호이고, 센싱 구동 모드에서는 특정 기간에서 서로 반전되지 않은 신호이다. 제1 스캔 신호(Scan1) 및 제2 스캔 신호(Scan2)를 출력하는 게이트 구동회로는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함한다. 제1 스캔 구동회로는 제2 스캔 구동회로에서 출력되는 출력 신호와 반전된 출력 신호를 출력할 수도 있고, 제1 스캔 구동회로는 제2 스캔 구동회로에서 출력되는 출력 신호와 반전되지 않은 출력 신호를 출력할 수도 있어야 한다.Referring to FIGS. 3A, 3B, 4A, and 4B, the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are inverted signals in the normal driving mode. In the sensing driving mode, It is a signal that is not inverted. The gate driving circuit for outputting the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 includes a first scan driving circuit and a second scan driving circuit. The first scan driver circuit may output the output signal inverted from the output signal output from the second scan driver circuit. The first scan driver circuit may output the output signal output from the second scan driver circuit and the inverted output signal It should also be able to output.

도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로를 도시한 블럭도이다. 도 5는 도 2의 화소회로에 인가되는 게이트 신호를 제공한다. 도 5는 도 1에 도시된 표시패널에 적용될 수 있다.5 is a block diagram illustrating a gate drive circuit according to an embodiment of the present invention. Fig. 5 provides a gate signal applied to the pixel circuit of Fig. Fig. 5 can be applied to the display panel shown in Fig.

게이트 구동회로는 제1 스캔 구동회로, 제2 스캔 구동회로, 및 에미션 구동회로를 포함한다. 제1 스캔 구동회로, 제2 스캔 구동회로, 및 에미션 구동회로는 각각 시프트 레지스터(shift registor)를 포함하는 복수의 스테이지들로 구성될 수 있다. 도 5는 복수의 스테이지들 중 (n-2)번째 스테이지, (n-1)번째 스테이지, n번째 스테이지, 및 (n+1)번째 스테이지를 예로서 도시한다.The gate drive circuit includes a first scan drive circuit, a second scan drive circuit, and an emission drive circuit. Each of the first scan driving circuit, the second scan driving circuit, and the emission driving circuit may include a plurality of stages each including a shift register. Fig. 5 shows as an example the (n-2) th stage, (n-1) th stage, nth stage and (n + 1) th stage of the plurality of stages.

제1 스캔 구동회로는 후술하고 우선 제2 스캔 구동회로를 설명한다.The first scan driving circuit will be described later and the second scan driving circuit will be described first.

제2 스캔 구동회로는 제2 스캔 스테이지들(Scan2(n-2) 내지 Scan2(n+1)) 및 제2 스캔 스테이지들에 입력되는 제2 게이트 클럭 신호2(G2CLK1), 제2 게이트 클럭 신호2(G2CLK2), 게이트 로우 전압(VGL), 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 스타트 전압(GVST)이 인가되는 배선들을 포함한다. 제2 스캔 스테이지들은 제2 게이트 클럭 신호1(G2CLK1)과 제2 게이트 클럭 신호2(G2CLK2)에 대응하여 게이트 스타트 전압(GVST)을 시프트하면서 출력 신호를 출력한다. 게이트 스타트 전압(GVST)은 첫 번째 제1 스캔 스테이지에 입력되고, 두 번째 제1 스캔 스테이지에는 게이트 스타트 전압(GVST) 대신에 각 스캔 스테이지의 전단 스캔 스테이지의 출력 신호를 입력받는다. 구체적으로, n번째 제1 스캔 스테이지(Scan1(n))의 출력 신호는 n번째 화소 행(P(n))의 게이트 라인으로 입력되고, (n+1)번째 제1 스캔 스테이지(Scan1(n+1))의 스타트 신호로도 입력된다. n번째 제2 스캔 스테이지(Scan2(n))의 출력 신호는 n번째 화소 행(P(n))의 제2 스캔 신호(Scan2)에 대응될 수 있다.The second scan driver circuit includes a second scan clock signal 2 (G2CLK1) input to the second scan stages Scan2 (n-2) to Scan2 (n + 1) and the second scan stages, a second gate clock signal (G2CLK2), a gate low voltage (VGL), a gate high voltage (VGH), and a gate start voltage (GVST). The second scan stages output the output signal while shifting the gate start voltage GVST corresponding to the second gate clock signal 1 (G2CLK1) and the second gate clock signal 2 (G2CLK2). The gate start voltage GVST is input to the first scan stage and the output signal of the previous scan stage of each scan stage is input to the second scan stage instead of the gate start voltage GVST. Specifically, the output signal of the n-th first scan stage Scan1 (n) is input to the gate line of the n-th pixel row P (n) and the output signal of the (n + 1) +1)). the output signal of the nth second scan stage Scan2 (n) may correspond to the second scan signal Scan2 of the nth pixel row P (n).

제1 스캔 구동회로는 제1 스캔 스테이지들(Scan1(n-2) 내지 Scan1(n+1)) 및 제1 스캔 스테이지들에 입력되는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1), 제1 게이트 클럭 신호2(G1CLK2), 게이트 로우 전압(VGL), 게이트 하이 전압(VGH), 리셋 신호(RST)가 인가되는 배선들을 포함한다. 제1 스캔 스테이지들은 게이트 스타트 전압 대신에 제2 스캔 스테이지로부터 출력되는 출력 전압을 입력받는다. 제1 스캔 스테이지들은 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)과 제1 게이트 클럭 신호2(G1CLK2)에 대응하여 리셋 신호(RST) 및 제2 스캔 스테이지의 출력 신호에 따라 한 개의 출력 신호를 출력한다. 구체적으로, n번째 제2 스캔 스테이지(Scan2(n))의 출력 신호는 n번째 제1 스캔 스테이지(Scan1(n))의 스타트 신호로 입력되는 동시에 n번째 화소 행(P(n))의 게이트 라인으로 입력된다. n번째 제1 스캔 스테이지(Scan1(n))의 출력 신호는 n번째 화소 행(P(n))의 제1 스캔 신호(Scan1)에 대응될 수 있다.The first scan driving circuit includes a first gate clock signal 1 (G1CLK1) input to the first scan stages (Scan1 (n-2) to Scan1 (n + 1) 2 (G1CLK2), a gate low voltage (VGL), a gate high voltage (VGH), and a reset signal (RST). The first scan stages receive the output voltage output from the second scan stage instead of the gate start voltage. The first scan stages output one output signal according to the reset signal RST and the output signal of the second scan stage corresponding to the first gate clock signal 1 (G1CLK1) and the first gate clock signal 2 (G1CLK2). More specifically, the output signal of the n-th second scan stage Scan2 (n) is input to the start signal of the n-th first scan stage Scan1 (n) and the gate of the n- Line. the output signal of the nth first scan stage Scan1 (n) may correspond to the first scan signal Scan1 of the nth pixel row P (n).

제2 스캔 신호(Scan2)는 p타입 트랜지스터의 게이트 전극에 입력되고, 제1 스캔 신호(Scan1)는 n타입 트랜지스터의 게이트 전극에 입력된다. n타입 트랜지스터의 게이트 온 전압(VGH)은 p타입 트랜지스터의 게이트 온 전압(VGL)과 서로 반전된 전압이다. 구동 모드에 따라 제1 스캔 신호(Scan1)는 제2 스캔 신호(Scan2)를 반전시킴으로써 구현할 수도 있고, 제1 스캔 신호(Scan1)는 제2 스캔 신호(Scan2)와 동일한 신호일 수도 있다. 따라서, 제1 스캔 스테이지들은 제2 스캔 스테이지들의 출력 신호를 입력받으므로써 구현될 수 있다. 이 경우, 제1 스캔 스테이지들은 제2 스캔 신호(Scan2) 및 리셋 신호(RST)를 이용하여 제1 스캔 신호(Scan1)를 출력할 수 있다.The second scan signal Scan2 is input to the gate electrode of the p-type transistor, and the first scan signal Scan1 is input to the gate electrode of the n-type transistor. The gate-on voltage VGH of the n-type transistor is a voltage opposite to the gate-on voltage VGL of the p-type transistor. The first scan signal Scan1 may be inverted by the second scan signal Scan2 depending on the driving mode and the first scan signal Scan1 may be the same signal as the second scan signal Scan2. Thus, the first scan stages may be implemented by receiving the output signals of the second scan stages. In this case, the first scan stages may output the first scan signal Scan1 using the second scan signal Scan2 and the reset signal RST.

에미션 구동회로는 에미션 스테이지들(EM(n-2) 내지 EM(n+1)) 및 에미션 스테이지들에 입력되는 에미션 클럭 신호1(EMCLK1), 에미션 클럭 신호2(EMCLK2), 에미션 로우 전압(VEL), 에미션 하이 전압(VEH), 에미션 스타트 전압(EMVST)이 인가되는 배선들을 포함한다. 에미션 스테이지들은 에미션 클럭 신호1(EMCLK1)과 에미션 클럭 신호2(G2CLK2)에 대응하여 에미션 스타트 전압(EMVST)을 시프트하면서 한 개의 출력 신호를 출력한다. 예를 들어, n번째 에미션 스테이지(EM(n))의 출력 신호는 (n+1)번째 에미션 스테이지(EM(n+1))의 스타트 신호로 입력되고, n번째 화소 행(P(n))의 게이트 라인으로 입력된다. 구체적으로, n번째 에미션 스테이지(EM(n))의 출력 신호는 n번째 화소 행(P(n))의 에미션 신호(EM)에 대응될 수 있다.The emission driving circuit includes an emission clock signal 1 (EMCLK1), an emission clock signal 2 (EMCLK2), an emission clock signal 2 (EMCLK2), and an emission clock signal 2 Emission low voltage (VEH), Emission start voltage (EMVST) are applied. The emission stages output one output signal while shifting the emission start voltage EMVST corresponding to the emission clock signal 1 (EMCLK1) and the emission clock signal 2 (G2CLK2). For example, the output signal of the n-th emission stage EM (n) is input to the start signal of the (n + 1) -th emission stage EM (n + 1) n). Specifically, the output signal of the n-th emission stage EM (n) may correspond to the emission signal EM of the n-th pixel row P (n).

게이트 구동회로는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1) 및 제1 게이트 클럭 신호2(G1CLK2), 제2 게이트 클럭 신호1(G2CLK1) 및 제2 게이트 클럭 신호2(G2CLK2), 에미션 클럭 신호1(EMCLK1) 및 에미션 클럭 신호2(EMCLK2)를 입력받아 동작하는 2상 회로를 도시하였으나, 이에 한정되지는 않는다.The gate drive circuit includes a first gate clock signal 1 (G1CLK1) and a first gate clock signal 2 (G1CLK2), a second gate clock signal 1 (G2CLK1) and a second gate clock signal 2 (G2CLK2) (EMCLK1) and the emission clock signal 2 (EMCLK2). However, the present invention is not limited thereto.

도 6은 본 명세서의 제1 실시예에 따른 제1 스캔 구동회로를 나타낸 회로도이다. 구체적으로, 도 5에 나타낸 복수의 제1 스캔 스테이지들 각각을 구성하는 회로도이다. 도 7a는 도 6에 도시된 제1 스캔 구동회로가 정상 구동 모드일 때 신호를 나타낸 타이밍도이고, 도 7b는 도 6에 도시된 제1 스캔 구동회로가 센싱 구동 모드일 때 신호를 나타낸 타이밍도이다.6 is a circuit diagram showing a first scan driving circuit according to the first embodiment of the present invention. Concretely, it is a circuit diagram constituting each of the plurality of first scan stages shown in FIG. FIG. 7A is a timing chart showing a signal when the first scan driving circuit shown in FIG. 6 is in the normal driving mode, FIG. 7B is a timing chart showing a signal when the first scan driving circuit shown in FIG. to be.

도 6을 참고하면, 제1 스캔 스테이지들을 구성하는 트랜지스터들은 모두 p타입 트랜지스터이다. 제1 스캔 스테이지들 각각은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7), 그리고 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함한다. Q 노드(Q)에 게이트 전극이 연결된 제6 트랜지스터(T6)는 풀업 트랜지스터(pull-up transistor)로 일컫을 수 있고, QB 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제7 트랜지스터(T7)는 풀다운 트랜지스터(pull-down transistor)로 일컫을 수 있다. 그리고, 리셋 신호(RST)를 인가받으며 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 게이트 전극이 연결된 제4 트랜지스터(T4)는 제1 보조 트랜지스터로 일컫을 수 있다.Referring to FIG. 6, the transistors constituting the first scan stages are all p-type transistors. Each of the first scan stages includes a first transistor T1, a second transistor T2, a third transistor T3, a fourth transistor T4, a sixth transistor T6, a seventh transistor T7, And a first capacitor C1 and a second capacitor C2. The sixth transistor T6 connected to the Q node Q may be referred to as a pull-up transistor and the seventh transistor T7 connected to the QB node QB may be referred to as a pull- (pull-down transistor). The fourth transistor T4, to which the reset signal RST is applied and the gate electrode is connected to the wiring to which the second scan signal Scan2 is applied, may be referred to as a first auxiliary transistor.

Q 노드(Q)는 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극을 충전시키고, QB 노드(QB)는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극을 방전시킨다. 이 경우, 제1 스캔 스테이지들을 구성하는 트랜지스터들은 p형 트랜지스터이므로 충전은 트랜지스터의 턴온 전압을 의미하고, 방전은 트랜지스터의 턴오프 전압을 의미한다. The Q node Q charges the gate electrode of the sixth transistor T6 and the QB node QB discharges the gate electrode of the seventh transistor T7. In this case, since the transistors constituting the first scan stages are p-type transistors, the charge means the turn-on voltage of the transistor, and the discharge means the turn-off voltage of the transistor.

제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선에 연결되고, 제2 전극은 제1 스캔 스테이지의 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결된다.The first electrode of the sixth transistor T6 is connected to the wiring to which the gate low voltage VGL is applied and the second electrode is connected to the node where the first scan signal Scan1 of the first scan stage is outputted.

제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 제1 스캔 스테이지의 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결되고, 제2 전극은 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다.The first electrode of the seventh transistor T7 is connected to the node where the first scan signal Scan1 of the first scan stage is outputted and the second electrode of the seventh transistor T7 is connected to the wiring to which the gate high voltage VGH is applied.

제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제2 스캔 스테이지의 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 연결되고, 제1 전극은 리셋 신호(RST)가 인가되는 배선에 연결되며, 제2 전극은 QB 노드(QB)에 연결된다.The gate electrode of the fourth transistor T4 is connected to the wiring to which the second scan signal Scan2 of the second scan stage is applied, the first electrode of the fourth transistor T4 is connected to the wiring to which the reset signal RST is applied, Is connected to QB node QB.

도 7a를 참고하면, 제1 스캔 구동회로는 정상 구동 모드에서 제2 스캔 신호(Scan2)가 반전된 신호를 출력한다. 이 경우, 리셋 신호(RST)는 로직 로우 전압(VL)을 유지한다. 정상 구동 모드에서 프로그래밍 기간(DTp) 동안 화소회로의 제1 스캔 트랜지스터(ST1) 및 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 턴온되어야 하므로 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2)는 서로 반전된 신호이다. Referring to FIG. 7A, the first scan driving circuit outputs a signal in which the second scan signal (Scan2) is inverted in the normal driving mode. In this case, the reset signal RST maintains the logic low voltage VL. The first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 of the pixel circuit must be turned on during the programming period DTp in the normal driving mode so that the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are inverted .

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되어 리셋 신호(RST)가 QB 노드(QB)에 인가된다. 정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST)는 로직 로우 전압(VL)이므로 QB 노드(QB)에 로직 로우 전압(VL)이 인가된다. QB 노드(QB)에 인가된 로직 로우 전압(VL)은 제7 트랜지스터(T7)를 턴온시키고, 게이트 하이 전압(VGH)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. When the second scan signal Scan2 is a logic low voltage VL, the fourth transistor T4 is turned on and the reset signal RST is applied to the QB node QB. In the normal driving mode, the logic low voltage VL is applied to the QB node QB since the reset signal RST is the logic low voltage VL. The logic low voltage VL applied to the QB node QB turns on the seventh transistor T7 and the gate high voltage VGH is output to the first scan signal Scan1.

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프되고, Q 노드(Q)에 로직 로우 전압(VL)이 인가되어 제6 트랜지스터(T6)를 턴온 시켜 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 이 경우, 구체적인 제1 스캔 구동회로의 동작은 후술하도록 한다.When the second scan signal Scan2 is at a logic high voltage VH, the fourth transistor T4 is turned off and the logic low voltage VL is applied to the Q node Q to turn on the sixth transistor T6. The gate low voltage VGL is outputted as the first scan signal Scan1. In this case, the operation of the concrete first scan driving circuit will be described later.

도 7b를 참고하면, 제1 스캔 구동회로는 센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)의 일부 구간에서 제2 스캔 신호(Scan2)가 반전되지 않은 신호를 출력한다. 이 경우, 리셋 신호(RST)는 로직 하이 전압(VH)을 유지한다. 센싱 구동 모드에서 센싱 기간(STs) 동안 화소회로의 제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 턴오프되고, 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 턴온되어야 하므로 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2) 모두 로직 로우 전압(VL)이다.Referring to FIG. 7B, the first scan driving circuit outputs a signal in which the second scan signal (Scan2) is not inverted in a part of the sensing period (STs) during the sensing driving mode. In this case, the reset signal RST maintains the logic high voltage VH. During the sensing period STs in the sensing driving mode, the first scan transistor ST1 of the pixel circuit is turned off and the second scan transistor ST2 is turned on. Therefore, the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 ) Are both logic low voltages (VL).

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되어 리셋 신호(RST)가 QB 노드(QB)에 인가된다. 센싱 구동 모드에서 리셋 신호(RST)는 로직 하이 전압(VH)이므로 QB 노드(QB)에 로직 하이 전압(VH)이 인가된다. QB 노드(QB)에 인가된 로직 하이 전압(VH)은 제7 트랜지스터(T7)를 턴오프시킨다. 그리고, Q 노드(Q)를 로직 로우 전압(VL)으로 충전시켜줌으로써 제6 트랜지스터(T6)를 턴온시켜 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 이 경우, 구체적인 제1 스캔 구동회로의 동작은 후술하도록 한다.When the second scan signal Scan2 is a logic low voltage VL, the fourth transistor T4 is turned on and the reset signal RST is applied to the QB node QB. In the sensing driving mode, since the reset signal RST is the logic high voltage VH, the logic high voltage VH is applied to the QB node QB. The logic high voltage VH applied to the QB node QB turns off the seventh transistor T7. The sixth transistor T6 is turned on by charging the Q node Q with the logic low voltage VL so that the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1. In this case, the operation of the concrete first scan driving circuit will be described later.

센싱 구동 모드 중 블랙 데이터 입력 기간(STb), 홀딩 기간(STh), 프로그래밍 기간(STp)에서는 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2)는 서로 반전된 신호이므로, 리셋 신호(RST)를 로직 로우 전압(VL)으로 유지함으로써 구현할 수 있다.The first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are inverted signals in the black data input period STb, the holding period STh and the programming period STp of the sensing driving mode. Therefore, the reset signal RST ) To the logic low voltage VL.

따라서, 본 명세서의 제1 실시예에 따라, 제1 스캔 구동회로는 Q 노드(Q)에 게이트 전극이 연결된 제6 트랜지스터(T6), QB 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제7 트랜지스터(T7), 및 제2 스캔 구동회로의 출력 신호에 따라 QB 노드(QB)에 리셋 신호를 인가할 수 있는 제4 트랜지스터(T4)를 포함함으로써, 인버터 구동회로를 사용하지 않고 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있으므로, 게이트 구동회로의 크기를 감소시킬 수 있다.According to the first embodiment of the present invention, the first scan driving circuit includes a sixth transistor T6 having a gate electrode connected to the Q node Q, a seventh transistor T7 having a gate electrode connected to the QB node QB, And a fourth transistor T4 capable of applying a reset signal to the QB node QB in accordance with an output signal of the second scan driving circuit, thereby generating an inverted output signal without using the inverter driving circuit Therefore, the size of the gate drive circuit can be reduced.

또한, 본 명세서에 따른 제1 실시예는 리셋 신호에 따라 QB 노드(QB)에 인가되는 전압을 조절함으로써, 화소회소가 정상 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 서로 반전시켜 출력할 수 있고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 반전시키지 않는 동작이 가능할 수 있다.The first embodiment according to the present invention controls the voltage applied to the QB node QB according to the reset signal so that the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit The output signal of the first scan driving circuit can be prevented from inverting the output signal of the second scan driving circuit when the pixel circuit is in the sensing driving mode.

제2 스캔 신호(Scan2)에 따라 반전 또는 반전되지 않은 제1 스캔 신호(Scan1)를 발생시키기 위해 Q 노드(Q) 또는 QB 노드(QB)에 연결된 제4 트랜지스터(T4), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7) 이외에 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)에 연결되어 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)를 충/방전시켜주는 회로에 대해 설명한다.A fourth transistor T4 connected to the Q node QB or QB node QB for generating a first scan signal Scan1 which is not inverted or inverted according to the second scan signal Scan2, ) Connected to the Q node Q and the QB node QB in addition to the seventh transistor T7 and the seventh transistor T7 to charge and discharge the Q node Q and the QB node QB.

제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 인가되는 배선, 제1 전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선, 제2 전극에는 Q 노드(Q)가 연결된다. A wiring to which the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is applied to the gate electrode of the first transistor T1, a wiring to which the gate low voltage VGL is applied to the first electrode, a Q node Q to the second electrode do.

제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 QB 노드(QB), 제1 전극에는 Q 노드(Q) 및 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극, 제2 전극에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다. A gate high voltage VGH is applied to the QB node QB, the Q electrode Q and the second electrode of the first transistor T1 and the second electrode of the second transistor T2. It is connected to the wiring.

제 3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1) 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 제1 전극에는 QB 노드(QB) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극, 제2 전극에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선 및 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극이 연결된다. The first gate clock signal 1 (G1CLK1) and the gate electrode of the first transistor T1, the QB node QB and the gate electrode of the second transistor T2 are connected to the gate electrode of the third transistor T3, A wire to which the gate high voltage VGH is applied and a second electrode of the second transistor T2 are connected to the second electrode.

제 4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선, 제1 전극에는 리셋 신호(RST)가 인가되는 배선, 제2 전극에는 QB 노드(QB), 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극, 및 제3 트랜지스터의 제1 전극이 연결된다. A wiring to which the second scan signal Scan2 is applied to the gate electrode of the fourth transistor T4, a wiring to which the reset signal RST is applied to the first electrode, a QB node QB to the second electrode, T2, and the first electrode of the third transistor are connected.

제1 스캔 스테이지들은 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함한다. 제1 캐패시터(C1)의 제1 전극은 Q 노드(Q)에 연결되고, 제2 전극은 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결된다. 제2 캐패시터(C2)의 제1 전극은 QB 노드(QB)에 연결되고, 제2 전극은 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다.The first scan stages include a first capacitor (C1) and a second capacitor (C2). The first electrode of the first capacitor C1 is connected to the Q node Q and the second electrode of the first capacitor C1 is connected to the node where the first scan signal Scan1 is output. The first electrode of the second capacitor C2 is connected to the QB node QB and the second electrode is connected to the wiring to which the gate high voltage VGH is applied.

이하에서는 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a description will be made with reference to Figs. 7A and 7B.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST) 및 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)일 때, QB 노드(QB)에 로직 로우 전압(VL)이 인가되므로 제7 트랜지스터(T7)가 턴온되어 게이트 하이 전압(VGH)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 이 경우, 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)이므로 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)는 턴오프되고, QB 노드(QB)의 로직 로우 전압(VL)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴온되므로 Q 노드(Q)에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되어 제6 트랜지스터(T6)는 턴오프된다.The logic low voltage VL is applied to the QB node QB when the reset signal RST and the second scan signal Scan2 are at the logic low voltage VL in the normal driving mode so that the seventh transistor T7 is turned on And the gate high voltage VGH is output as the first scan signal Scan1. In this case, since the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is at a logic high voltage (VH), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned off and the logic low voltage VL of the QB node QB is turned off. The second transistor T2 is turned on by the gate high voltage VGH and the gate high voltage VGH is applied to the Q node Q so that the sixth transistor T6 is turned off.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST)가 로직 로우 전압(VL)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)일 때, 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되므로 게이트 로우 전압(VGL)이 Q 노드(Q)에 인가되고 게이트 하이 전압(VGH)이 QB 노드(QB)에 인가된다. 그리고, QB 노드(QB)에 인가된 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴오프된다. 따라서, 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프되고, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. In the normal driving mode, when the reset signal RST is the logic low voltage VL and the second scan signal Scan2 is the logic high voltage VH, the fourth transistor T4 is turned off. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic low voltage (VL), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on so that the gate low voltage VGL is applied to the Q node Q A gate high voltage VGH is applied to the QB node QB. Then, the second transistor T2 is turned off by the gate high voltage VGH applied to the QB node QB. Accordingly, the seventh transistor T7 is turned off, the sixth transistor T6 is turned on, and the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST)가 로직 로우 전압(VL)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)일 때, 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴오프되므로 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)가 플로팅(floating)되지만 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)에 의해 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)의 전압이 유지된다. 따라서, 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프 상태가 유지되고, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온 상태가 유지되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.In the normal driving mode, when the reset signal RST is the logic low voltage VL and the second scan signal Scan2 is the logic high voltage VH, the fourth transistor T4 is turned off. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic high voltage (VH), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned off so that the Q node QB and the QB node QB are floating but the voltages of the Q node Q and the QB node QB are maintained by the first capacitor C1 and the second capacitor C2. Accordingly, the seventh transistor T7 is maintained in the turned-off state and the sixth transistor T6 is maintained in the turned-on state, so that the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)에서 리셋 신호(RST)가 로직 하이 전압(VH)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)일 때, 제4 트랜지스터(T4)가 턴온되어 로직 하이 전압(VH)이 QB 노드(QB)에 인가되므로 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되므로 게이트 로우 전압(VGL)이 Q 노드(Q)에 인가되고, 게이트 하이 전압(VGH)이 QB 노드(QB)에 인가된다. 따라서, 제6 트랜지스터(T6)가 턴온되고 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.When the reset signal RST is the logic high voltage VH and the second scan signal Scan2 is the logic low voltage VL in the sensing period STS of the sensing driving mode, the fourth transistor T4 is turned on, The seventh transistor T7 is turned off since the high voltage VH is applied to the QB node QB. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic low voltage (VL), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on so that the gate low voltage VGL is applied to the Q node Q , The gate high voltage VGH is applied to the QB node QB. Accordingly, the sixth transistor T6 is turned on and the seventh transistor T7 is turned off, so that the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)에서 리셋 신호(RST)가 로직 하이 전압(VH)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)이며, 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)는 턴오프되고, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되어 로직 하이 전압(VH)이 QB 노드(QB)에 인가되어 제2 트랜지스터(T2) 및 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프된다. 이 경우, Q 노드(Q)는 플로팅되므로 제1 캐패시터(C1)에 의해 Q 노드(Q)는 게이트 로우 전압(VGL)로 유지된다. 따라서, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온 상태가 유지되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.When the reset signal RST is the logic high voltage VH and the second scan signal Scan2 is the logic low voltage VL in the sensing period STS of the sensing driving mode and the first gate clock signal 1 (G1CLK1) The first transistor T1 and the third transistor T3 are turned off and the fourth transistor T4 is turned on so that the logic high voltage VH is applied to the QB node QB The second transistor T2 and the seventh transistor T7 are turned off. In this case, since the Q node Q is floated, the Q node Q is held at the gate-low voltage VGL by the first capacitor C1. Therefore, the sixth transistor T6 is maintained in the turned-on state, and the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

본 명세서에 따른 제1 실시예는 리셋 신호(RST)에 따라 QB 노드(QB)에 인가되는 전압을 조절함으로써, 화소회소가 정상 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 서로 반전시켜 출력할 수 있고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 반전시키지 않는 동작이 가능할 수 있다.The first embodiment according to the present invention controls the voltage applied to the QB node QB according to the reset signal RST so that the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit The output signal of the first scan driving circuit can be prevented from inverting the output signal of the second scan driving circuit when the pixel circuit is in the sensing driving mode.

도 8은 본 명세서의 제2 실시예에 따른 제1 스캔 구동회로를 나타낸 회로도이다. 구체적으로, 도 5에 나타낸 복수의 제1 스캔 스테이지들 각각을 구성하는 회로도이다. 도 8의 제1 스캔 구동회로가 정상 구동 모드일 때와 센싱 구동 모드일 때의 타이밍도는 도 7a 및 도 7b을 참고할 수 있다.8 is a circuit diagram showing a first scan driving circuit according to the second embodiment of the present invention. Concretely, it is a circuit diagram constituting each of the plurality of first scan stages shown in FIG. 7A and 7B are timing diagrams when the first scan driving circuit of FIG. 8 is in the normal driving mode and in the sensing driving mode.

도 8을 참고하면, 제1 스캔 스테이지들을 구성하는 트랜지스터들은 모두 p타입 트랜지스터이다. 제1 스캔 스테이지들 각각은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7), 그리고 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함한다. Q 노드(Q)에 게이트 전극이 연결된 제6 트랜지스터(T6)는 풀업 트랜지스터(pull-up transistor)로 일컫을 수 있고, QB 노드(QB)에 게이트 전극이 연결된 제7 트랜지스터(T7)는 풀다운 트랜지스터(pull-down transistor)로 일컫을 수 있다. 그리고, 리셋 신호(RST)에 게이트 전극이 연결된 제5 트랜지스터(T5)는 제2 보조 트랜지스터, 제2 보조 트랜지스터에 연결되고 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 게이트 전극이 연결된 제4 트랜지스터(T4)는 제1 보조 트랜지스터로 일컫을 수 있다.Referring to FIG. 8, the transistors constituting the first scan stages are all p-type transistors. Each of the first scan stages includes a first transistor T1, a second transistor T2, a third transistor T3, a fourth transistor T4, a fifth transistor T5, a sixth transistor T6, A seventh transistor T7, and a first capacitor C1 and a second capacitor C2. The sixth transistor T6 connected to the Q node Q may be referred to as a pull-up transistor and the seventh transistor T7 connected to the QB node QB may be referred to as a pull- (pull-down transistor). The fifth transistor T5 having the gate electrode connected to the reset signal RST is connected to the second auxiliary transistor and the second auxiliary transistor and is connected to a fourth transistor connected to a wiring to which the second scan signal Scan2 is applied. (T4) may be referred to as a first auxiliary transistor.

Q 노드(Q)는 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극을 충전시키고, QB 노드(QB)는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극을 방전시킨다. 본 명세서의 제1 실시예와 마찬가지로, 제1 스캔 스테이지들을 구성하는 트랜지스터들은 p형 트랜지스터이므로 충전은 트랜지스터의 턴온 전압을 의미하고, 방전은 트랜지스터의 턴오프 전압을 의미한다. The Q node Q charges the gate electrode of the sixth transistor T6 and the QB node QB discharges the gate electrode of the seventh transistor T7. As in the first embodiment of the present invention, since the transistors constituting the first scan stages are p-type transistors, the charge means the turn-on voltage of the transistor, and the discharge means the turn-off voltage of the transistor.

제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선에 연결되고, 제2 전극은 제1 스캔 스테이지의 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결된다.The first electrode of the sixth transistor T6 is connected to the wiring to which the gate low voltage VGL is applied and the second electrode is connected to the node where the first scan signal Scan1 of the first scan stage is outputted.

제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 제1 스캔 스테이지의 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결되고, 제2 전극은 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다.The first electrode of the seventh transistor T7 is connected to the node where the first scan signal Scan1 of the first scan stage is outputted and the second electrode of the seventh transistor T7 is connected to the wiring to which the gate high voltage VGH is applied.

제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제2 스캔 스테이지의 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 연결되고, 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극에 연결되며, 제2 전극은 QB 노드(QB)에 연결된다.The gate electrode of the fourth transistor T4 is connected to the wiring to which the second scan signal Scan2 of the second scan stage is applied, the first electrode is connected to the second electrode of the fifth transistor T5, The electrode is connected to the QB node QB.

제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 리셋 신호(RST)가 인가되는 배선에 연결되고, 제1 전극은 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선에 연결되며, 제2 전극은 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 연결된다.The gate electrode of the fifth transistor T5 is connected to the wiring to which the reset signal RST is applied and the first electrode of the fifth transistor T5 is connected to the wiring to which the gate low voltage VGL is applied, To the first electrode of the second transistor.

제4 트랜지스터(T4)는 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해서 턴온/턴오프가 제어되고, 제5 트랜지스터(T5)는 리셋 신호(RST)에 의해서 턴온/턴오프가 제어된다. 본 명세서의 제1 실시예에서는 리셋 신호(RST)가 게이트 로우 전압(VGL) 또는 게이트 하이 전압(VGH)과 같은 전원 전압처럼 전원 생성부에서 생성하지만 클럭 신호처럼 로직 로우 전압(VL)과 로직 하이 전압(VH)을 스윙할 수 있도록 가변 장치가 필요하다. 본 명세서의 제2 실시예에서는 제5 트랜지스터(T5)를 추가함으로써 리셋 신호(RST)를 클럭 신호처럼 오실레이터(oscillator)에서 발생시킬 수 있으므로 별도의 가변 장치가 필요하지 않다.The fourth transistor T4 is turned on / off by the second scan signal Scan2 and the fifth transistor T5 is turned on / off by the reset signal RST. In the first embodiment of the present invention, the reset signal RST is generated by the power generator as a power supply voltage such as a gate low voltage VGL or a gate high voltage VGH, but the logic low voltage VL and the logic high A variable device is needed to swing the voltage (VH). In the second embodiment of the present invention, since the reset signal RST can be generated in the oscillator like a clock signal by adding the fifth transistor T5, a separate variable device is not required.

도 7a를 참고하면, 제1 스캔 구동회로는 정상 구동 모드에서 제2 스캔 신호(Scan2)가 반전된 신호를 출력한다. 이 경우, 리셋 신호(RST)는 로직 로우 전압(VL)을 유지하므로 제5 트랜지스터(T5)는 턴온 상태를 유지한다. 정상 구동 모드에서 프로그래밍 기간(DTp) 동안 화소회로의 제1 스캔 트랜지스터(ST1) 및 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 턴온되어야 하므로 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2)는 서로 반전된 신호이다. Referring to FIG. 7A, the first scan driving circuit outputs a signal in which the second scan signal (Scan2) is inverted in the normal driving mode. In this case, since the reset signal RST maintains the logic low voltage VL, the fifth transistor T5 maintains the turn-on state. The first scan transistor ST1 and the second scan transistor ST2 of the pixel circuit must be turned on during the programming period DTp in the normal driving mode so that the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are inverted .

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되어 게이트 로우 전압(VGL)이 QB 노드(QB)에 인가된다. QB 노드(QB)에 인가된 로직 로우 전압(VL)은 제7 트랜지스터(T7)를 턴온시키고, 게이트 하이 전압(VGH)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. When the second scan signal Scan2 is a logic low voltage VL, the fourth transistor T4 is turned on and the gate low voltage VGL is applied to the QB node QB. The logic low voltage VL applied to the QB node QB turns on the seventh transistor T7 and the gate high voltage VGH is output to the first scan signal Scan1.

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프되고, Q 노드(Q)에 로직 로우 전압(VL)이 인가되어 제6 트랜지스터(T6)를 턴온 시켜 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 이 경우, 구체적인 제1 스캔 구동회로의 동작은 후술하도록 한다.When the second scan signal Scan2 is at a logic high voltage VH, the fourth transistor T4 is turned off and the logic low voltage VL is applied to the Q node Q to turn on the sixth transistor T6. The gate low voltage VGL is outputted as the first scan signal Scan1. In this case, the operation of the concrete first scan driving circuit will be described later.

도 7b를 참고하면, 제1 스캔 구동회로는 센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)의 일부 구간에서 제2 스캔 신호(Scan2)가 반전되지 않은 신호를 출력한다. 이 경우, 리셋 신호(RST)는 로직 하이 전압(VH)을 유지하므로 제5 트랜지스터(T5)는 턴오프 상태를 유지한다. 센싱 구동 모드에서 센싱 기간(STs) 동안 화소회로의 제1 스캔 트랜지스터(ST1)는 턴오프되고, 제2 스캔 트랜지스터(ST2)는 턴온되어야 하므로 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2) 모두 로직 로우 전압(VL)이다.Referring to FIG. 7B, the first scan driving circuit outputs a signal in which the second scan signal (Scan2) is not inverted in a part of the sensing period (STs) during the sensing driving mode. In this case, since the reset signal RST maintains the logic high voltage VH, the fifth transistor T5 maintains the turn-off state. During the sensing period STs in the sensing driving mode, the first scan transistor ST1 of the pixel circuit is turned off and the second scan transistor ST2 is turned on. Therefore, the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 ) Are both logic low voltages (VL).

제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되지만 제5 트랜지스터(T5)가 턴오프 상태이므로, QB 노드(QB)에 게이트 로우 전압(VGL)을 인가하지 못한다. 이 경우, Q 노드(Q)에 로직 로우 전압(VL)이 충전되므로 제6 트랜지스터(T6)를 턴온시켜 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 구체적인 제1 스캔 구동회로의 동작은 후술하도록 한다.When the second scan signal Scan2 is a logic low voltage VL, the fourth transistor T4 is turned on but the fifth transistor T5 is turned off, so that the gate low voltage VGL is applied to the QB node QB. . In this case, since the Q node Q is charged with the logic low voltage VL, the sixth transistor T6 is turned on to output the gate low voltage VGL as the first scan signal Scan1. The operation of the first scan driving circuit will be described later in detail.

센싱 구동 모드 중 블랙 데이터 입력 기간(STb), 홀딩 기간(STh), 프로그래밍 기간(STp)에서는 제1 스캔 신호(Scan1)와 제2 스캔 신호(Scan2)는 서로 반전된 신호이므로, 리셋 신호(RST)를 로직 로우 전압(VL)으로 유지함으로써 구현할 수 있다.The first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are inverted signals in the black data input period STb, the holding period STh and the programming period STp of the sensing driving mode. Therefore, the reset signal RST ) To the logic low voltage VL.

따라서, 본 명세서의 제2 실시예에 따라, 리셋 신호(RST) 및 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선에 연결된 제4 트랜지스터(T4) 및 제5 트랜지스터(T5)에 의해 QB 노드(QB)에 인가되는 전압을 조절함으로써, 인버터 구동회로를 사용하지 않고 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있으므로, 게이트 구동회로의 크기를 감소시킬 수 있다.Therefore, according to the second embodiment of the present invention, the QB node QB (QB) is connected by the fourth transistor T4 and the fifth transistor T5 connected to the wiring to which the reset signal RST and the second scan signal Scan2 are applied, ), It is possible to generate the inverted output signal without using the inverter driving circuit, and thus the size of the gate driving circuit can be reduced.

또한, 본 명세서에 따른 제2 실시예는 리셋 신호(RST)에 따라 QB 노드(QB)에 인가되는 전압을 조절함으로써, 화소회소가 정상 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 서로 반전시켜 출력할 수 있고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 반전시키지 않는 동작이 가능할 수 있다.The second embodiment according to the present invention controls the voltage applied to the QB node QB according to the reset signal RST so that the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit The output signal of the first scan driving circuit may be inverted when the pixel circuit is in the sensing driving mode, and the output signal of the second scan driving circuit may not be inverted.

제2 스캔 신호(Scan2)에 따라 반전 또는 반전되지 않은 제1 스캔 신호(Scan1)를 발생시키기 위해 Q 노드(Q) 또는 QB 노드(QB)에 연결된 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7) 이외에 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)에 연결되어 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)를 충/방전시켜주는 회로에 대해 설명한다.A fourth transistor T4 connected to the Q node QB or QB node QB for generating a first scan signal Scan1 which is not inverted or inverted according to the second scan signal Scan2, ) Connected to the Q node Q and the QB node QB in addition to the sixth transistor T6 and the seventh transistor T7 to charge and discharge the Q node QB and the QB node QB .

제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 인가되는 배선, 제1 전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선, 제2 전극에는 Q 노드(Q)가 연결된다. A wiring to which the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is applied to the gate electrode of the first transistor T1, a wiring to which the gate low voltage VGL is applied to the first electrode, a Q node Q to the second electrode do.

제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 QB 노드(QB), 제1 전극에는 Q 노드(Q) 및 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극, 제2 전극에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다. A gate high voltage VGH is applied to the QB node QB, the Q electrode Q and the second electrode of the first transistor T1 and the second electrode of the second transistor T2. It is connected to the wiring.

제 3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에는 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1) 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 제1 전극에는 QB 노드(QB) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극, 제2 전극에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선 및 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극이 연결된다. The first gate clock signal 1 (G1CLK1) and the gate electrode of the first transistor T1, the QB node QB and the gate electrode of the second transistor T2 are connected to the gate electrode of the third transistor T3, A wire to which the gate high voltage VGH is applied and a second electrode of the second transistor T2 are connected to the second electrode.

제 4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 제2 스캔 신호(Scan2)가 인가되는 배선, 제1 전극에는 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극, 제2 전극에는 QB 노드(QB), 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극, 및 제3 트랜지스터의 제1 전극이 연결된다.The second scan signal Scan2 is applied to the gate electrode of the fourth transistor T4. The second electrode of the fifth transistor T5 is connected to the first electrode of the transistor T5. The QB node QB is connected to the second electrode of the fifth transistor T5. The gate electrode of the second transistor T2, and the first electrode of the third transistor.

제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극에는 리셋 신호(RST)가 인가되는 배선, 제1 전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 배선 및 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극, 제2 전극에는 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 연결된다.A wiring to which the reset signal RST is applied to the gate electrode of the fifth transistor T5, a wiring to which the gate low voltage VGL is applied to the first electrode, a first electrode of the first transistor T1, And is connected to the first electrode of the fourth transistor T4.

제1 스캔 스테이지들은 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함한다. 제1 캐패시터(C1)의 제1 전극은 Q 노드(Q)에 연결되고, 제2 전극은 제1 스캔 신호(Scan1)가 출력되는 노드에 연결된다. 제2 캐패시터(C2)의 제1 전극은 QB 노드(QB)에 연결되고, 제2 전극은 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되는 배선에 연결된다.The first scan stages include a first capacitor (C1) and a second capacitor (C2). The first electrode of the first capacitor C1 is connected to the Q node Q and the second electrode of the first capacitor C1 is connected to the node where the first scan signal Scan1 is output. The first electrode of the second capacitor C2 is connected to the QB node QB and the second electrode is connected to the wiring to which the gate high voltage VGH is applied.

이하에서는 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a description will be made with reference to Figs. 7A and 7B.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST) 및 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)일 때, QB 노드(QB)에 로직 로우 전압(VL)이 인가되므로 제7 트랜지스터(T7)가 턴온되어 게이트 하이 전압(VGH)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. 이 경우, 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)이므로 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)는 턴오프되고, QB 노드(QB)의 로직 로우 전압(VL)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴온되므로 Q 노드(Q)에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되어 제6 트랜지스터(T6)는 턴오프된다.The logic low voltage VL is applied to the QB node QB when the reset signal RST and the second scan signal Scan2 are at the logic low voltage VL in the normal driving mode so that the seventh transistor T7 is turned on And the gate high voltage VGH is output as the first scan signal Scan1. In this case, since the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is at a logic high voltage (VH), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned off and the logic low voltage VL of the QB node QB is turned off. The second transistor T2 is turned on by the gate high voltage VGH and the gate high voltage VGH is applied to the Q node Q so that the sixth transistor T6 is turned off.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST)가 로직 로우 전압(VL)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)일 때, 제5 트랜지스터(T5)는 턴온되고 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되므로 게이트 로우 전압(VGL)이 Q 노드(Q)에 인가되고 게이트 하이 전압(VGH)이 QB 노드(QB)에 인가된다. 그리고, QB 노드(QB)에 인가된 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴오프된다. 따라서, 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프되고, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다. The fifth transistor T5 is turned on and the fourth transistor T4 is turned on when the reset signal RST is the logic low voltage VL and the second scan signal Scan2 is the logic high voltage VH in the normal driving mode Off. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic low voltage (VL), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on so that the gate low voltage VGL is applied to the Q node Q A gate high voltage VGH is applied to the QB node QB. Then, the second transistor T2 is turned off by the gate high voltage VGH applied to the QB node QB. Accordingly, the seventh transistor T7 is turned off, the sixth transistor T6 is turned on, and the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

정상 구동 모드에서 리셋 신호(RST)가 로직 로우 전압(VL)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 하이 전압(VH)일 때, 제5 트랜지스터(T5)는 턴온되고 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴오프되므로 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)가 플로팅(floating)되지만 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)에 의해 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)의 전압이 유지된다. 따라서, 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프 상태가 유지되고, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온 상태가 유지되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.The fifth transistor T5 is turned on and the fourth transistor T4 is turned on when the reset signal RST is the logic low voltage VL and the second scan signal Scan2 is the logic high voltage VH in the normal driving mode Off. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic high voltage (VH), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned off so that the Q node QB and the QB node QB are floating but the voltages of the Q node Q and the QB node QB are maintained by the first capacitor C1 and the second capacitor C2. Accordingly, the seventh transistor T7 is maintained in the turned-off state and the sixth transistor T6 is maintained in the turned-on state, so that the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)에서 리셋 신호(RST)가 로직 하이 전압(VH)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)일 때, 제4 트랜지스터(T4)가 턴온되고 제5 트랜지스터(T5)는 턴오프된다. 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 로우 전압(VL)인 경우, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되므로 게이트 로우 전압(VGL)이 Q 노드(Q)에 인가되고, 게이트 하이 전압(VGH)이 QB 노드(QB)에 인가된다. 따라서, 제6 트랜지스터(T6)가 턴온되고 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.The fourth transistor T4 is turned on when the reset signal RST is the logic high voltage VH and the second scan signal Scan2 is the logic low voltage VL in the sensing period STs of the sensing driving mode, 5 transistor T5 is turned off. When the first gate clock signal 1 (G1CLK1) is a logic low voltage (VL), the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on so that the gate low voltage VGL is applied to the Q node Q , The gate high voltage VGH is applied to the QB node QB. Accordingly, the sixth transistor T6 is turned on and the seventh transistor T7 is turned off, so that the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

센싱 구동 모드 중 센싱 기간(STs)에서 리셋 신호(RST)가 로직 하이 전압(VH)이고 제2 스캔 신호(Scan2)가 로직 로우 전압(VL)이며, 제1 게이트 클럭 신호1(G1CLK1)이 로직 하이 전압(VH)인 경우, 제1 트랜지스터(T1), 제3 트랜지스터(T3), 및 제5 트랜지스터(T5)는 턴오프되고, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온된다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴온되었지만 제5 트랜지스터(T5)가 턴오프이므로 QB 노드(QB)는 플로팅된다. 이 경우, 제2 캐패시터(C2)에 의해 QB 노드(QB)는 로직 하이 전압(VH)을 유지하므로 제2 트랜지스터(T2) 및 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프된다. 그리고, Q 노드(Q)도 플로팅되므로 제1 캐패시터(C1)에 의해 Q 노드(Q)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 유지된다. 따라서, 제6 트랜지스터(T6)는 턴온 상태가 유지되어 게이트 로우 전압(VGL)이 제1 스캔 신호(Scan1)로 출력된다.When the reset signal RST is the logic high voltage VH and the second scan signal Scan2 is the logic low voltage VL in the sensing period STS of the sensing driving mode and the first gate clock signal 1 (G1CLK1) The first transistor Tl, the third transistor T3 and the fifth transistor T5 are turned off and the fourth transistor T4 is turned on when the high voltage VH is applied. The QB node QB floats because the fourth transistor T4 is turned on but the fifth transistor T5 is turned off. In this case, the QB node QB maintains the logic high voltage VH by the second capacitor C2, so that the second transistor T2 and the seventh transistor T7 are turned off. Since the Q node Q is also floating, the Q node Q is held at the gate-low voltage VGL by the first capacitor C1. Therefore, the sixth transistor T6 is maintained in the turned-on state, and the gate low voltage VGL is output as the first scan signal Scan1.

본 명세서에 따른 제2 실시예는 리셋 신호(RST)에 따라 QB 노드(QB)에 인가되는 전압을 조절함으로써, 화소회소가 정상 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 서로 반전시켜 출력할 수 있고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 반전시키지 않는 동작이 가능할 수 있다.The second embodiment according to the present invention controls the voltage applied to the QB node QB in accordance with the reset signal RST so that the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit The output signal of the first scan driving circuit can be prevented from inverting the output signal of the second scan driving circuit when the pixel circuit is in the sensing driving mode.

앞에서 언급한 내용 중 로직 로우 전압(VL)은 게이트 로우 전압(VGL)과 동일한 전압일 수 있고, 로직 하이 전압(VH)은 게이트 하이 전압(VGH)과 동일한 전압일 수 있다.The logic low voltage VL may be the same as the gate low voltage VGL and the logic high voltage VH may be the same voltage as the gate high voltage VGH.

본 명세서의 실시예에 따른 게이트 구동회로를 이용한 표시패널은 다음과 같이 설명될 수 있다.A display panel using a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention can be described as follows.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 있는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 및 보조 트랜지스터를 포함하며, 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고, 보조 트랜지스터의 제1 전극은 리셋 신호가 인가되는 배선에 연결되며, 보조 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된다. 이에 따라, n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터에 게이트 신호를 제공할 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상될 수 있으며, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시장치가 구현될 수 있다.In a display panel according to an embodiment of the present invention, a display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit in the display region, and a non-display region, The first scan driving circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, and an auxiliary transistor. The gate electrode of the auxiliary transistor includes a first scan driving circuit and a second scan driving circuit, A first electrode of the auxiliary transistor is connected to a wiring to which a reset signal is applied, and a second electrode of the auxiliary transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor. Accordingly, the components of the gate driving circuit capable of providing the gate signal to the n-type transistor and the p-type transistor can be minimized and reliability can be improved, and the area in which the gate driving circuit is disposed can be reduced, A display device can be implemented.

화소회로는 적어도 하나의 n타입 트랜지스터 및 적어도 하나의 p타입 트랜지스터를 포함할 수 있다.The pixel circuit may include at least one n-type transistor and at least one p-type transistor.

화소회로는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 스캔 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 센싱 트랜지스터를 포함하며, 스캔 트랜지스터는 n타입 트랜지스터이고, 센싱 트랜지스터는 p타입 트랜지스터일 수 있다.The pixel circuit includes a driving transistor, a scan transistor connected to a gate electrode of the driving transistor, and a sensing transistor connected to a source electrode of the driving transistor. The scanning transistor may be an n-type transistor and the sensing transistor may be a p-type transistor.

n타입 트랜지스터는 산화물 반도체층을 포함하고, p타입 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체층을 포함할 수 있다.The n-type transistor includes an oxide semiconductor layer, and the p-type transistor may include a polysilicon semiconductor layer.

리셋 신호를 화소회로가 정상 구동 모드일 때 로직 로우 전압이고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 로직 하이 전압일 수 있다.The reset signal may be a logic low voltage when the pixel circuit is in the normal drive mode and a logic high voltage when the pixel circuit is in the sensing drive mode.

리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호는 서로 반전된 출력 신호일 수 있다.When the reset signal is a logic low voltage, the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit may be inverted output signals.

리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 제2 스캔 구동회로의 출력 신호는 서로 반전된 출력 신호일 수 있다.When the reset signal is a logic high voltage, the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit may be inverted output signals.

풀업 트랜지스터와 풀다운 트랜지스터는 서로 직렬연결되고, 풀업 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 풀업 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 제1 전극과 연결되며, 풀다운 트랜지스터의 제2 전극은 게이트 로우 전압보다 높은 전압인 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결될 수 있다.The first electrode of the pull-up transistor is connected to the wiring provided with the gate-low voltage, the second electrode of the pull-up transistor is connected to the first electrode of the pull-down transistor, The two electrodes can be connected to a wiring provided with a gate high voltage which is higher than the gate low voltage.

제1 스캔 구동회로는 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제1 캐패시터, 및 제2 캐패시터를 더 포함하고, 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제1 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 제1 트랜지스터의 제2 전극은 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되며, 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 제2 트랜지스터의 제1 전극은 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 제2 트랜지스터의 제2 전극은 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결되며, 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제3 트랜지스터의 제1 전극은 보조 트랜지스터의 제2 전극이 연결되고, 제3 트랜지스터의 제2 전극은 게이트 하이 전압에 연결되며, 제1 캐패시터는 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극과 풀업 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되고, 제2 캐패시터는 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 게이트 하이 전압이 제공되는 배선 사이에 연결될 수 있다.The first scan driver circuit may further include a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitor, and a second capacitor, wherein a gate electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with a clock signal, A first electrode of the transistor is connected to a wiring provided with a gate low voltage, a second electrode of the first transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor, a gate electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull- The first electrode of the second transistor is connected to the gate electrode of the pull-up transistor, the second electrode of the second transistor is connected to the wiring provided with the gate high voltage, and the gate electrode of the third transistor is connected to the wiring The first electrode of the third transistor is connected to the second electrode of the auxiliary transistor, and the second electrode of the third transistor is connected to the The first capacitor is connected between the gate electrode of the pull-up transistor and the second electrode of the pull-up transistor, and the second capacitor is connected between the gate electrode of the pull-down transistor and the wiring provided with the gate high voltage have.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 있는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 제1 보조 트랜지스터, 및 제2 보조 트랜지스터를 포함하며, 제1 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고, 제1 보조 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 제2 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 리셋 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제2 보조 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 제2 보조 트랜지스터의 제2 전극은 제1 보조 트랜지스터의 제1 전극과 연결한다. 이에 따라, 서로 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상될 수 있으며, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시패널이 구현될 수 있다.In a display panel according to an embodiment of the present invention, a display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit in the display region, and a non-display region, Wherein the first scan driver circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, a first sub-transistor, and a second sub-transistor, and the gate electrode of the first sub-transistor includes a second scan driver circuit and a second scan driver circuit, A second electrode of the first auxiliary transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor, a gate electrode of the second auxiliary transistor is connected to a wiring provided with a reset signal, The first electrode of the second auxiliary transistor is connected to the wiring provided with the gate low voltage and the second electrode of the second auxiliary transistor is connected to the first And connects to the first electrode of the auxiliary transistor. Accordingly, components of the gate driver circuit capable of generating mutually inverted output signals can be minimized, reliability can be improved, and the area in which the gate driver circuit is disposed can be reduced, so that the display panel of the narrow bezel is realized .

화소회로는 적어도 하나의 n타입 트랜지스터 및 적어도 하나의 p타입 트랜지스터를 포함할 수 있다.The pixel circuit may include at least one n-type transistor and at least one p-type transistor.

화소회로는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 스캔 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 센싱 트랜지스터를 포함하고, 스캔 트랜지스터는 n타입 트랜지스터이고, 센싱 트랜지스터는 p타입 트랜지스터일 수 있다.The pixel circuit includes a driving transistor, a scan transistor connected to the gate electrode of the driving transistor, and a sensing transistor connected to a source electrode of the driving transistor. The scanning transistor may be an n-type transistor and the sensing transistor may be a p-type transistor.

n타입 트랜지스터는 산화물 반도체층을 포함하고, p타입 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체층을 포함할 수 있다.The n-type transistor includes an oxide semiconductor layer, and the p-type transistor may include a polysilicon semiconductor layer.

리셋 신호는 화소회로가 정상 구동 모드일 때 로직 로우 전압이고, 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 로직 하이 전압일 수 있다.The reset signal may be a logic low voltage when the pixel circuit is in the normal drive mode and may be a logic high voltage when the pixel circuit is in the sensing drive mode.

리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전된 출력 전압일 수 있다.When the reset signal is a logic low voltage, the output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit may be inverted output voltages.

리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전되지 않은 출력 전압일 수 있다.The output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit may be non-inverted output voltages when the reset signal is a logic high voltage.

풀업 트랜지스터와 풀다운 트랜지스터는 서로 직렬연결되고, 풀업 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 풀업 트랜지스터의 제2 전극은 풀다운 트랜지스터의 제1 전극과 연결되며, 풀다운 트랜지스터의 제2 전극은 게이트 로우 전압보다 높은 전압인 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결될 수 있다.The first electrode of the pull-up transistor is connected to the wiring provided with the gate-low voltage, the second electrode of the pull-up transistor is connected to the first electrode of the pull-down transistor, The two electrodes can be connected to a wiring provided with a gate high voltage which is higher than the gate low voltage.

제1 스캔 구동회로는 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제1 캐패시터, 및 제2 캐패시터를 더 포함하고, 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제1 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고, 제1 트랜지스터의 제2 전극은 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되며, 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 제2 트랜지스터의 제1 전극은 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 제2 트랜지스터의 제2 전극은 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결되며, 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고, 제3 트랜지스터의 제1 전극은 보조 트랜지스터의 제2 전극이 연결되고, 제3 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 하이 전압에 연결되며, 제1 캐패시터는 풀업 트랜지스터의 게이트 전극과 풀업 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되고, 제2 캐패시터는 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 게이트 하이 전압이 제공되는 배선 사이에 연결될 수 있다.The first scan driver circuit may further include a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitor, and a second capacitor, wherein a gate electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with a clock signal, A first electrode of the transistor is connected to a wiring provided with a gate low voltage, a second electrode of the first transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor, a gate electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull- The first electrode of the second transistor is connected to the gate electrode of the pull-up transistor, the second electrode of the second transistor is connected to the wiring provided with the gate high voltage, and the gate electrode of the third transistor is connected to the wiring The first electrode of the third transistor is connected to the second electrode of the auxiliary transistor, and the second electrode of the third transistor is connected to the The first capacitor is connected between the gate electrode of the pull-up transistor and the second electrode of the pull-up transistor, and the second capacitor is connected between the gate electrode of the pull-down transistor and the wiring provided with the gate high voltage .

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 표시패널은 표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판, 표시영역에 구비되어 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터를 포함하는 화소회로, 및 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고, 제1 스캔 구동회로는 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 제공하는 배선 및 리셋 신호를 제공하는 배선에 연결되며, 리셋 신호는 제1 스캔 구동회로를 구성하는 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전압을 조절하도록 배치된 트랜지스터에 제공된다. 이에 따라, 서로 반전된 출력 신호를 발생시킬 수 있는 게이트 구동회로의 구성요소가 최소화되어 신뢰성이 향상되고, 게이트 구동회로가 배치되는 면적이 감소될 수 있으므로 네로우 베젤의 표시패널이 구현될 수 있다.In the display panel according to an embodiment of the present invention, the display panel includes a substrate including a display region and a non-display region, a pixel circuit provided in the display region and including an n-type transistor and a p-type transistor, A first scan driving circuit and a second scan driving circuit for generating output signals inverted from each other, wherein the first scan driving circuit includes a wiring for providing an output signal of the second scan driving circuit and a wiring for providing a reset signal And a reset signal is provided to the transistor arranged to control the voltage applied to the gate electrode of the pull-down transistor constituting the first scan driving circuit. As a result, components of the gate driver circuit capable of generating mutually inverted output signals are minimized, reliability is improved, and the area in which the gate driver circuit is disposed can be reduced, so that a narrow bezel display panel can be realized .

리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전된 출력 전압일 수 있고, 리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전되지 않은 출력 전압일 수 있다.The output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit may be inverted output voltages when the reset signal is a logic low voltage and the output of the first scan driving circuit when the reset signal is a logic high voltage And the output voltage of the second scan driving circuit may be an output voltage that is not inverted with respect to each other.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 표시장치
10 : 표시패널
15 : 게이트 구동회로
20 : 드라이브 IC
21 : 타이밍 제어부
22 : 센싱부
23 : 데이터전압 생성부
25 : 데이터 구동부
26 : 보상부
27 : 보상 메모리
28 : 데이터 구동회로
30 : 메모리
40 : 호스트 시스템
100: display device
10: Display panel
15: Gate drive circuit
20: Drive IC
21: Timing control section
22: sensing unit
23: Data voltage generator
25:
26:
27: Compensation memory
28: Data driving circuit
30: Memory
40: Host system

Claims (20)

표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 표시영역에 있는 화소회로; 및
상기 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고,
상기 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 및 보조 트랜지스터를 포함하며,
상기 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고,
상기 보조 트랜지스터의 제1 전극은 리셋 신호가 인가되는 배선에 연결되며,
상기 보조 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된, 표시패널.
A substrate including a display region and a non-display region;
A pixel circuit in the display area; And
A first scan driving circuit and a second scan driving circuit provided in the non-display area to generate output signals inverted from each other,
Wherein the first scan driving circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, and an auxiliary transistor,
A gate electrode of the auxiliary transistor is connected to a wiring through which an output signal of the second scan driving circuit is outputted,
A first electrode of the auxiliary transistor is connected to a wiring to which a reset signal is applied,
And the second electrode of the auxiliary transistor is connected to the gate electrode of the pull-down transistor.
제1항에 있어서,
상기 화소회로는 적어도 하나의 n타입 트랜지스터 및 적어도 하나의 p타입 트랜지스터를 포함하는, 표시패널.
The method according to claim 1,
Wherein the pixel circuit includes at least one n-type transistor and at least one p-type transistor.
제2항에 있어서,
상기 화소회로는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 스캔 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 센싱 트랜지스터를 포함하며,
상기 스캔 트랜지스터는 n타입 트랜지스터이고, 상기 센싱 트랜지스터는 p타입 트랜지스터인, 표시패널.
3. The method of claim 2,
Wherein the pixel circuit includes a driving transistor, a scan transistor connected to a gate electrode of the driving transistor, and a sensing transistor coupled to a source electrode of the driving transistor,
Wherein the scan transistor is an n-type transistor and the sensing transistor is a p-type transistor.
제2항에 있어서,
상기 n타입 트랜지스터는 산화물 반도체층을 포함하고, 상기 p타입 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체층을 포함하는, 표시패널.
3. The method of claim 2,
Wherein the n-type transistor includes an oxide semiconductor layer, and the p-type transistor includes a polysilicon semiconductor layer.
제1항에 있어서,
상기 리셋 신호는 상기 화소회로가 정상 구동 모드일 때 로직 로우 전압이고, 상기 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 로직 하이 전압인, 표시패널.
The method according to claim 1,
Wherein the reset signal is a logic low voltage when the pixel circuit is in a normal drive mode and is a logic high voltage when the pixel circuit is in a sensing drive mode.
제5항에 있어서,
상기 리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 신호는 서로 반전된 출력 신호들인, 표시패널.
6. The method of claim 5,
And the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit are inverted output signals when the reset signal is a logic low voltage.
제5항에 있어서,
상기 리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 신호와 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 신호는 서로 반전되지 않은 출력 신호들인, 표시패널.
6. The method of claim 5,
And the output signal of the first scan driving circuit and the output signal of the second scan driving circuit are non-inverted output signals when the reset signal is a logic high voltage.
제1항에 있어서,
상기 풀업 트랜지스터와 상기 풀다운 트랜지스터는 서로 직렬연결되고,
상기 풀업 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고,
상기 풀업 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 제1 전극과 연결되며,
상기 풀다운 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 로우 전압보다 높은 전압인 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결된, 표시패널.
The method according to claim 1,
Wherein the pull-up transistor and the pull-down transistor are connected in series with each other,
A first electrode of the pull-up transistor is connected to a wiring provided with a gate low voltage,
A second electrode of the pull-up transistor is connected to a first electrode of the pull-
And the second electrode of the pull-down transistor is connected to a wiring provided with a gate high voltage which is higher than the gate low voltage.
제8항에 있어서,
상기 제1 스캔 구동회로는 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제1 캐패시터, 및 제2 캐패시터를 더 포함하고,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제1 트랜지스터의 제1 전극은 상기 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제1 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되며,
상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고,
상기 제2 트랜지스터의 제1 전극은 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고,
상기 제2 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결되며,
상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 보조 트랜지스터의 제2 전극이 연결되고,
상기 제3 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 하이 전압에 연결되며,
상기 제1 캐패시터는 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 풀업 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되고,
상기 제2 캐패시터는 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 게이트 하이 전압이 제공되는 배선 사이에 연결된, 표시패널.
9. The method of claim 8,
The first scan driving circuit may further include a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitor, and a second capacitor,
A gate electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with a clock signal,
A first electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with the gate low voltage,
A second electrode of the first transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor,
A gate electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor,
A first electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor,
A second electrode of the second transistor is connected to the wiring provided with the gate high voltage,
A gate electrode of the third transistor is connected to a wiring provided with the clock signal,
A first electrode of the third transistor is connected to a second electrode of the auxiliary transistor,
A second electrode of the third transistor is coupled to the gate high voltage,
The first capacitor is connected between the gate electrode of the pull-up transistor and the second electrode of the pull-up transistor,
And the second capacitor is connected between the gate electrode of the pull-down transistor and the wiring provided with the gate high voltage.
표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 표시영역에 있는 화소회로; 및
상기 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고,
상기 제1 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터, 풀다운 트랜지스터, 제1 보조 트랜지스터, 및 제2 보조 트랜지스터를 포함하며,
상기 제1 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 신호가 출력되는 배선에 연결되고,
상기 제1 보조 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며,
상기 제2 보조 트랜지스터의 게이트 전극은 리셋 신호가 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제2 보조 트랜지스터의 제1 전극은 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제2 보조 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 보조 트랜지스터의 제1 전극과 연결된, 표시패널.
A substrate including a display region and a non-display region;
A pixel circuit in the display area; And
A first scan driving circuit and a second scan driving circuit provided in the non-display area to generate output signals inverted from each other,
Wherein the first scan driving circuit includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, a first auxiliary transistor, and a second auxiliary transistor,
A gate electrode of the first auxiliary transistor is connected to a wiring through which an output signal of the second scan driving circuit is outputted,
A second electrode of the first auxiliary transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor,
A gate electrode of the second auxiliary transistor is connected to a wiring provided with a reset signal,
A first electrode of the second auxiliary transistor is connected to a wiring provided with a gate low voltage,
And a second electrode of the second auxiliary transistor is connected to the first electrode of the first auxiliary transistor.
제10항에 있어서,
상기 화소회로는 적어도 하나의 n타입 트랜지스터 및 적어도 하나의 p타입 트랜지스터를 포함하는, 표시패널.
11. The method of claim 10,
Wherein the pixel circuit includes at least one n-type transistor and at least one p-type transistor.
제11항에 있어서,
상기 화소회로는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 스캔 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 연결된 센싱 트랜지스터를 포함하고,
상기 스캔 트랜지스터는 n타입 트랜지스터이고, 상기 센싱 트랜지스터는 p타입 트랜지스터인, 표시패널.
12. The method of claim 11,
Wherein the pixel circuit includes a driving transistor, a scan transistor connected to a gate electrode of the driving transistor, and a sensing transistor connected to a source electrode of the driving transistor,
Wherein the scan transistor is an n-type transistor and the sensing transistor is a p-type transistor.
제12항에 있어서,
상기 n타입 트랜지스터는 산화물 반도체층을 포함하고, 상기 p타입 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체층을 포함하는, 표시패널.
13. The method of claim 12,
Wherein the n-type transistor includes an oxide semiconductor layer, and the p-type transistor includes a polysilicon semiconductor layer.
제10항에 있어서,
상기 리셋 신호는 상기 화소회로가 정상 구동 모드일 때 로직 로우 전압이고, 상기 화소회로가 센싱 구동 모드일 때 로직 하이 전압인, 표시패널.
11. The method of claim 10,
Wherein the reset signal is a logic low voltage when the pixel circuit is in a normal drive mode and is a logic high voltage when the pixel circuit is in a sensing drive mode.
제14항에 있어서,
상기 리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전된 출력 전압들인, 표시패널.
15. The method of claim 14,
And the output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit are inverted output voltages when the reset signal is a logic low voltage.
제14항에 있어서,
상기 리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전되지 않은 출력 전압들인, 표시패널.
15. The method of claim 14,
And the output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit are non-inverted output voltages when the reset signal is a logic high voltage.
제10항에 있어서,
상기 풀업 트랜지스터와 상기 풀다운 트랜지스터는 서로 직렬연결되고,
상기 풀업 트랜지스터의 제1 전극은 상기 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고,
상기 풀업 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 제1 전극과 연결되며,
상기 풀다운 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 로우 전압보다 높은 전압인 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결된, 표시패널.
11. The method of claim 10,
Wherein the pull-up transistor and the pull-down transistor are connected in series with each other,
A first electrode of the pull-up transistor is connected to a wiring provided with the gate-low voltage,
A second electrode of the pull-up transistor is connected to a first electrode of the pull-
And the second electrode of the pull-down transistor is connected to a wiring provided with a gate high voltage which is higher than the gate low voltage.
제17항에 있어서,
상기 제1 스캔 구동회로는 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제1 캐패시터, 및 제2 캐패시터를 더 포함하고,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제1 트랜지스터의 제1 전극은 상기 게이트 로우 전압이 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제1 트랜지스터의 제2 전극은 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되며,
상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고,
상기 제2 트랜지스터의 제1 전극은 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고,
상기 제2 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 하이 전압이 제공되는 배선에 연결되며,
상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 클럭 신호가 제공되는 배선에 연결되고,
상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 보조 트랜지스터의 제2 전극이 연결되고,
상기 제3 트랜지스터의 제2 전극은 상기 게이트 하이 전압에 연결되며,
상기 제1 캐패시터는 상기 풀업 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 풀업 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되고,
상기 제2 캐패시터는 상기 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 게이트 하이 전압이 제공되는 배선 사이에 연결된, 표시패널.
18. The method of claim 17,
The first scan driving circuit may further include a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitor, and a second capacitor,
A gate electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with a clock signal,
A first electrode of the first transistor is connected to a wiring provided with the gate low voltage,
A second electrode of the first transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor,
A gate electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull-down transistor,
A first electrode of the second transistor is connected to a gate electrode of the pull-up transistor,
A second electrode of the second transistor is connected to the wiring provided with the gate high voltage,
A gate electrode of the third transistor is connected to a wiring provided with the clock signal,
A first electrode of the third transistor is connected to a second electrode of the auxiliary transistor,
A second electrode of the third transistor is coupled to the gate high voltage,
The first capacitor is connected between the gate electrode of the pull-up transistor and the second electrode of the pull-up transistor,
And the second capacitor is connected between the gate electrode of the pull-down transistor and the wiring provided with the gate high voltage.
표시영역 및 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 표시영역에 구비되어 n타입 트랜지스터 및 p타입 트랜지스터를 포함하는 화소회로; 및
상기 비표시영역에 구비되어 서로 반전된 출력 신호를 발생시키는 제1 스캔 구동회로 및 제2 스캔 구동회로를 포함하고,
상기 제1 스캔 구동회로는 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 신호를 제공하는 배선 및 리셋 신호를 제공하는 배선에 연결되며,
상기 리셋 신호는 상기 제1 스캔 구동회로를 구성하는 풀다운 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전압을 조절하도록 배치된 트랜지스터에 제공되는, 표시패널.
A substrate including a display region and a non-display region;
A pixel circuit provided in the display region and including an n-type transistor and a p-type transistor; And
A first scan driving circuit and a second scan driving circuit provided in the non-display area to generate output signals inverted from each other,
Wherein the first scan driving circuit is connected to a wiring for providing an output signal of the second scan driving circuit and a wiring for providing a reset signal,
And the reset signal is provided to a transistor arranged to control a voltage applied to a gate electrode of a pull-down transistor constituting the first scan driving circuit.
제1항에 있어서,
상기 리셋 신호가 로직 로우 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전된 출력 전압들이고,
상기 리셋 신호가 로직 하이 전압일 때 상기 제1 스캔 구동회로의 출력 전압과 상기 제2 스캔 구동회로의 출력 전압은 서로 반전되지 않은 출력 전압들인, 표시패널.
The method according to claim 1,
The output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit are inverted output voltages when the reset signal is a logic low voltage,
And the output voltage of the first scan driving circuit and the output voltage of the second scan driving circuit are non-inverted output voltages when the reset signal is a logic high voltage.
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