KR20190018245A - Chuck Table Cleaning Unit of Apparatus For Grinding Wafer - Google Patents

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KR20190018245A
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김지원
장준영
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에스케이실트론 주식회사
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Abstract

The present invention provides a cleaning unit of a wafer grinding apparatus, including: a moving pipe movably installed along a longitudinal direction of a chuck table and provided lengthways in a vertical direction; a supply pipe formed inside the moving pipe and inserting a cleaning liquid thereinto; a spraying nozzle extended from the supply pipe and spraying the cleaning liquid toward the chuck table and a wafer.

Description

웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛{Chuck Table Cleaning Unit of Apparatus For Grinding Wafer}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cleaning unit for a wafer polishing apparatus,

본 발명은 웨이퍼 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 연마 장치를 클리닝하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, to an apparatus for cleaning a wafer polishing apparatus.

일반적으로 웨이퍼 제조공정에서는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위하여 웨이퍼 표면에 대한 경면 연마공정을 수행하고 있다. 웨이퍼의 경면 연마시에는 화학적/기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing) 방법이 널리 사용되고 있다.Generally, in the wafer manufacturing process, a mirror polishing process is performed on the wafer surface to improve the flatness of the wafer. BACKGROUND ART Chemical / mechanical polishing (CMP) methods are widely used in the mirror polishing of wafers.

화학적/기계적 연마는 웨이퍼를 연마면에 접촉시킨 후, 화학적 연마제인 슬러리(Slurry)를 연마면에 공급하면 웨이퍼와 연마면과의 기계적인 마찰을 통해 이루어진다.Chemical / mechanical polishing is carried out through mechanical friction between the wafer and the polishing surface by bringing the wafer into contact with the polishing surface and then supplying a slurry, which is a chemical polishing agent, to the polishing surface.

화학적/기계적 연마 방식을 이용한 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼의 단면을 연마하는 단면 연마 장치와, 동시에 웨이퍼의 양면을 연마할 수 있는 양면 연마 장치로 구분될 수 있다.A wafer polishing apparatus using a chemical / mechanical polishing system can be divided into an end face polishing apparatus for polishing the end face of the wafer and a both face polishing apparatus capable of simultaneously polishing both sides of the wafer.

도 1은 일반적인 실시예의 웨이퍼 양면 연마장치의 구성을 보여주는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a wafer double-sided polishing apparatus in a general embodiment. FIG.

도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼 양면 연마장치는 본체부(10)에 스테이지(20)가 마련되고, 스테이지(20)에는 턴 테이블(30)이 회전가능하게 설치된다. 턴 테이블(30)에는 웨이퍼가 안착되는 다수개의 척 테이블(40)이 회전가능하게 설치되며, 턴 테이블(30)의 상부에는 웨이퍼를 연마하는 연마 유닛(70)이 위치한다.As shown in FIG. 1, the wafer double-sided polishing apparatus has a stage 20 on a main body 10, and a turntable 30 is rotatably mounted on the stage 20. A plurality of chuck tables 40 on which the wafers are mounted are rotatably mounted on the turntable 30, and a polishing unit 70 for polishing the wafers is disposed on the turntable 30.

연마 유닛(70)은 본체부(10)의 일측에 위치한 기둥(50)에 장착된 슬라이더(60)에 수직으로 이동가능하게 설치되므로 척 테이블(40)을 향해 수직 이동하면서 웨이퍼의 연마를 수행할 수 있다.The polishing unit 70 is installed vertically movably to the slider 60 mounted on the column 50 located at one side of the main body 10 and therefore performs polishing of the wafer while moving vertically toward the chuck table 40 .

본체부(10)의 상면에는 연마 대상의 웨이퍼들이 적층되는 공급 카세트(91)와, 공급 카세트(91)에 적층된 웨이퍼를 개별적으로 인출하는 픽업 로봇(90)과, 픽업 로봇(90)으로부터 인출된 웨이퍼를 척 테이블(40)로 공급하기 위한 공급 유닛(21)과, 연마 후의 웨이퍼를 회수하는 회수 유닛(23)과, 회수된 웨이퍼를 세정하는 스피너 세정부(80)와, 스피너 세정부(80)를 거친 웨이퍼들이 적층되어 보관되는 회수 카세트(81)가 설치될 수 있다.A pick-up robot 90 for picking up the wafers stacked on the supply cassette 91 individually and a pickup robot 90 for picking up wafers to be polished from the pick-up robot 90, A supply unit 21 for supplying the wafer to the chuck table 40, a collection unit 23 for collecting the polished wafer, a spinner cleaning unit 80 for cleaning the recovered wafer, 80 may be stacked and stored in the recovery cassette 81.

한편, 연마 유닛(70)의 일측에는 웨이퍼 연마에 사용된 척 테이블(40)에 이물질 등을 클리닝하기 위한 브러쉬 클러너(100)가 장착된다.On the other hand, on one side of the polishing unit 70, a brush cleaner 100 for cleaning foreign matters or the like is mounted on the chuck table 40 used for wafer polishing.

도 2 및 도 3은 도 1의 브러쉬 클리너를 도시한 단면도들이다.2 and 3 are sectional views showing the brush cleaner of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 브러쉬 클리너(100)는 척 테이블(40)의 상부에 위치하면서 선형 이동가능한 이동축(110)과, 이동축(110)을 중심으로 회전하는 회전축(120)과, 회전축(120)에 연결된 원반체(130)와, 원반체(130)에 결합된 브러쉬(140)를 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the brush cleaner 100 includes a moving shaft 110 that is positioned at an upper portion of the chuck table 40 and is linearly movable, a rotating shaft 120 that rotates about the moving shaft 110, A disc 130 connected to the rotating shaft 120, and a brush 140 coupled to the disc 130.

척 테이블(40)은 다공성 척(41)과, 베이스 척(42), 척 케이스(43) 등을 포함하며, 브러쉬 클리너(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 척 테이블(40)의 다공성 척(41) 또는 도 3에 도시된 바와 같이 다공성 척(41) 위에 놓여진 웨이퍼(W)에 대한 클리닝을 수행하게 된다.The chuck table 40 includes a porous chuck 41, a base chuck 42, a chuck case 43 and the like, and the brush cleaner 100 is attached to the porous chuck 40 of the chuck table 40, And performs cleaning on the wafer W placed on the porous chuck 41 as shown in Fig.

그런데, 브러쉬 클리너(100)는 다공성 척(41) 또는 웨이퍼(W)의 표면을 브러쉬가 직접 마찰하는 방식으로 클리닝을 수행하기 때문에 척 테이블(40) 또는 웨이퍼(W)가 손상되어 웨이퍼(W)의 품질에 악영향을 끼치는 문제가 있다.Since the brush cleaner 100 carries out cleaning in such a manner that the surface of the porous chuck 41 or the surface of the wafer W rubs directly with the brush, the chuck table 40 or the wafer W is damaged, There is a problem that adversely affects the quality of the product.

또한, 브러쉬(140)는 다공성 척(41)에 형성된 미세한 구멍에 위치한 이물질까지 클리닝하기 어려울 뿐만 아니라 반복 사용후에는 브러쉬(140)가 마모되므로 새로운 브러쉬로 교체해야 하는 번거로운 문제가 있다.In addition, since the brush 140 is difficult to clean even foreign substances located in fine holes formed in the porous chuck 41, the brush 140 is worn after repeated use, so that it is troublesome to replace it with a new brush.

본 발명은 척 테이블 또는 웨이퍼를 손상시키지 않으면서 척 테이블의 미세한 부분까지 클리닝을 수행할 수 있고, 부품을 교체하지 않더라도 반영구적으로 사용할 수 있는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a cleaning unit of a wafer polishing apparatus capable of performing cleaning up to a minute portion of a chuck table without damaging the chuck table or wafer and semi-permanently usable without replacing parts.

본 발명은 척 테이블의 길이 방향을 따라 이동가능하게 설치되며, 수직 방향으로 길게 배치되는 이동배관; 상기 이동배관의 내부에 형성되어 클리닝액이 주입되는 공급관; 및 상기 공급관으로부터 연장되어 상기 척 테이블 또는 웨이퍼를 향해 클리닝액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛을 제공한다.The present invention relates to a moving pipe which is movably installed along a longitudinal direction of a chuck table and is arranged long in a vertical direction; A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid; And a spray nozzle extending from the supply pipe and spraying the cleaning liquid toward the chuck table or the wafer.

상기 이동배관은 원기둥 형상을 가지며, 상기 공급관은 상기 이동배관의 중심 영역에 배치될 수 있다.The moving pipe has a cylindrical shape, and the supply pipe may be disposed in a central area of the moving pipe.

상기 클리닝액을 상기 공급관으로 제공하는 클리닝액 공급부를 더 포함할 수 있다.And a cleaning liquid supply unit for supplying the cleaning liquid to the supply pipe.

상기 클리닝액 공급부는 세정수와 공기가 혼합된 클리닝액이 저장되는 수조; 및 상기 수조와 상기 공급관을 연결하며, 상기 수조에 저장된 클리닝액을 상기 공급관으로 배출하는 클리닝액 배출관을 포함할 수 있다.Wherein the cleaning liquid supply unit comprises: a water tank storing a cleaning liquid in which cleaning water and air are mixed; And a cleaning liquid discharge pipe connecting the water tank and the supply pipe and discharging the cleaning liquid stored in the water tank to the supply pipe.

상기 수조는 상기 세정수가 유입되는 세정수 유입관; 및 상기 공기가 유입되는 공기 유입관을 포함할 수 있다.Wherein the water tank comprises: a washing water inflow pipe into which the washing water flows; And an air inlet pipe through which the air is introduced.

상기 클리닝액 공급부는 나노 버블 생성기를 더 포함할 수 있다.The cleaning liquid supply unit may further include a nano bubble generator.

상기 나노 버블 생성기는 수 mm 내지 수 μm의 나노 버블을 생성하여 상기 수조 내부로 토출할 수 있다.The nano bubble generator may generate nano bubbles of several mm to several μm and may be discharged into the water tank.

상기 분사 노즐은 단부로 갈수록 지름이 점점 커지는 형상을 가질 수 있다.The injection nozzle may have a shape gradually increasing in diameter toward the end portion.

상기 분사 노즐은 지름이 동일한 크기를 갖는 파이프 형상일 수 있다.The injection nozzle may be in the form of a pipe having the same diameter.

상기 이동배관 및 상기 분사 노즐의 단부에 결합되는 가압부를 더 포함할 수 있다.And a pressure unit coupled to an end of the moving pipe and the injection nozzle.

클리닝시 상기 척 테이블은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.At the time of cleaning, the chuck table can rotate clockwise or counterclockwise.

한편, 본 발명은 수직 방향으로 길게 배치되는 이동배관; 나노 버블이 포함된 클리닝액이 저장되는 수조; 상기 이동배관의 내부에 형성되어 상기 수조에 저장된 클리닝액이 주입되는 공급관; 및 상기 공급관으로부터 연장되어 상기 클리닝액을 척 테이블을 향해 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛을 제공한다.According to another aspect of the present invention, A water tank in which a cleaning liquid containing nano bubbles is stored; A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid stored in the water tub; And a spray nozzle extending from the supply pipe and spraying the cleaning liquid toward the chuck table.

클리닝시 상기 척 테이블은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.At the time of cleaning, the chuck table can rotate clockwise or counterclockwise.

상기 수조에 결합되어 나노 버블을 생성하는 나노 버블 생성기를 더 포함할 수 있다.And a nano bubble generator coupled to the water tank to generate nano bubbles.

한편, 본 발명은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 척 테이블; 상기 척 테이블에 대하여 수직 방향 또는 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되는 이동배관; 나노 버블이 포함된 클리닝액이 저장되는 수조; 상기 이동배관의 내부에 형성되어 상기 수조에 저장된 클리닝액이 주입되는 공급관; 및 상기 공급관으로부터 연장되어 상기 클리닝액을 척 테이블 또는 웨이퍼를 향해 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a chuck table which rotates clockwise or counterclockwise; A moving pipe installed movably in a vertical direction or a horizontal direction with respect to the chuck table; A water tank in which a cleaning liquid containing nano bubbles is stored; A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid stored in the water tub; And a spray nozzle extending from the supply pipe and spraying the cleaning liquid toward the chuck table or the wafer.

본 발명의 클리닝 유닛은 나노 버블이 포함된 클리닝액을 분사하여 클리닝을 수행하므로 척 테이블 또는 웨이퍼를 손상시키지 않으면서 척 테이블의 미세한 부분까지 클리닝을 수행할 수 있기 때문에 연마되는 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.Since the cleaning unit of the present invention performs cleaning by spraying a cleaning liquid containing nano bubbles, it is possible to perform cleaning to a fine portion of the chuck table without damaging the chuck table or the wafer, thereby improving the quality of the wafer to be polished .

또한, 클리닝 유닛을 구성하는 부품들이 웨이퍼 또는 척 테이블과 직접 접촉되지 않기 때문에 종래 브러쉬처럼 부품을 교체하지 않더라도 반영구적으로 사용할 수 있다.Further, since the components constituting the cleaning unit are not in direct contact with the wafer or the chuck table, they can be used semi-permanently even if the components are not replaced like a conventional brush.

도 1은 일반적인 실시예의 웨이어 양면 연마장치의 구성을 보여주는 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 브러쉬 클리너를 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 클리닝 유닛의 단면도이다.
도 5는 클리닝액 공급부의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 클리닝 유닛에 의한 척 테이블 또는 웨이퍼의 세정과정을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 클리닝 과정을 보여주는 측면도이다.
도 8은 클리닝 유닛의 분사 노즐에 대한 실시예들을 보여준다.1 is a perspective view showing a configuration of a double-sided polishing apparatus of a wedge according to a general embodiment.
2 and 3 are sectional views showing the brush cleaner of FIG.
4 is a cross-sectional view of a cleaning unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a configuration of the cleaning liquid supply unit.
6 is a plan view showing the cleaning process of the chuck table or wafer by the cleaning unit.
7 is a side view showing the cleaning process of FIG.
Fig. 8 shows embodiments of the injection nozzle of the cleaning unit.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 클리닝 유닛의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a cleaning unit according to an embodiment of the present invention.

클리닝 유닛(200)은 웨이퍼 연마 장치의 일측, 예를 들어 연마 유닛(70, 도 1 참조)의 일측(도 1의 100번 위치)에 설치될 수 있다. 클리닝 유닛(200)은 웨이퍼의 연마 작업시에는 연마 유닛(70)의 연마 작업을 간섭하지 않는 위치에 있을 수 있으며, 척 테이블(40)의 클리닝시에는 위치가 이동될 수 있다.The cleaning unit 200 may be installed on one side of the wafer polishing apparatus, for example, one side of the polishing unit 70 (see FIG. 1) (position 100 in FIG. 1). The cleaning unit 200 may be in a position that does not interfere with the polishing operation of the polishing unit 70 during polishing of the wafer and may be moved during cleaning of the chuck table 40. [

도 4에 도시된 바와 같이 본 실시예의 클리닝 유닛(200)은 이동배관(210), 공급관(220), 분사 노즐(221)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 4, the cleaning unit 200 of the present embodiment may include a moving pipe 210, a supply pipe 220, and a spray nozzle 221.

이동배관(210)은 척 테이블(40)의 길이 방향을 따라 이동가능하게 설치되며, 수직 방향으로 길게 배치될 수 있다. 예를 들어 이동배관(210)은 원기둥, 실린더 등의 형상으로 일정한 길이를 가질 수 있다.The moving pipe 210 is installed movably along the longitudinal direction of the chuck table 40, and may be arranged long in the vertical direction. For example, the moving pipe 210 may have a predetermined length in the form of a cylinder, cylinder, or the like.

이동배관(210)의 일측에는 이동배관(210)을 이동시킬 수 있는 이동 수단(미도시)이 설치될 수 있다. 이동 수단은 리니어 모터 등을 포함하여 이동배관(210)을 선형으로 왕복 이동시킬 수 있다. 또한, 이동 수단은 이동배관(210)을 수평 방향 뿐만 아니라 수직 방향으로 이동시킬 수 있도록 구성될 수 있다. 따라서 이동배관(210)은 척 테이블(40)의 길이 방향을 따라 이동하거나 척 테이블(40)을 향해 수직 방향으로 접근하거나 멀어지도록 이동할 수 있다.A moving means (not shown) for moving the moving pipe 210 may be installed at one side of the moving pipe 210. The moving means can linearly reciprocate the moving pipe 210 including the linear motor and the like. In addition, the moving means can be configured to move the moving pipe 210 in the vertical direction as well as in the horizontal direction. Therefore, the moving pipe 210 can move along the longitudinal direction of the chuck table 40 or vertically toward or away from the chuck table 40.

공급관(220)은 이동배관(210)의 내부에 형성되어 클리닝액이 주입될 수 있다. 예를 들어 공급관(220)은 원기둥 형상을 갖는 이동배관(210)의 중심 영역에 길이 방향을 따라 길게 배치될 수 있다.The supply pipe 220 is formed inside the moving pipe 210 so that the cleaning liquid can be injected. For example, the supply pipe 220 may be disposed along the longitudinal direction in the central region of the moving pipe 210 having a cylindrical shape.

클리닝액은 척 테이블(40) 또는 웨이퍼에 부착된 이물질을 클리닝할 수 있는 다양한 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어 클리닝액은 초순수(D.I.W)와 공기(Air)가 혼합된, 즉 미세한 입자의 기포(예컨대 나노 버블, Nano Bubble)가 포함된 용액일 수 있다.The cleaning liquid may be various materials that can clean the chuck table 40 or foreign matter adhering to the wafer. For example, the cleaning liquid may be a solution in which ultra-pure water (D.I.W) and air are mixed, that is, a solution containing fine particle bubbles (for example, nano bubble, Nano Bubble).

분사 노즐(221)은 공급관(220)으로부터 연장되어 척 테이블(40)을 향해 클리닝액을 분사할 수 있다. 분사 노즐(221)은 클리닝액을 미세한 영역까지 분사할 수 있는 지름 크기를 가질 수 있다. 예를 들어 분사 노즐(221)의 지름은 mm 단위일 수 있다.The spray nozzle 221 may extend from the supply pipe 220 and spray the cleaning liquid toward the chuck table 40. The injection nozzle 221 may have a diameter enough to inject the cleaning liquid to a fine area. For example, the diameter of the injection nozzle 221 may be in units of mm.

상술한 이동배관(210)과 분사 노즐(221)의 단부에는 가압부(230)가 결합될 수 있다. 가압부(230)는 분사 노즐(221)을 감싸는 형태로 분사 노즐(221)을 가압하여 클리닝액의 분사압력을 증가시킬 수 있다. 예를 들어 가압부(230)는 링(Ring) 형상으로 분사 노즐(221)의 외측을 감싸면서 이동배관(210)에 착탈 결합될 수 있다.The push portion 230 may be coupled to the end of the moving pipe 210 and the injection nozzle 221. The pressurizing unit 230 may pressurize the spray nozzle 221 to increase the spray pressure of the cleaning liquid so as to surround the spray nozzle 221. [ For example, the pressurizing unit 230 may be detachably coupled to the moving pipe 210 while surrounding the outside of the injection nozzle 221 in a ring shape.

도 5는 클리닝액 공급부의 구성을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a configuration of the cleaning liquid supply unit.

도 5에 도시된 바와 같이 클리닝 유닛(200)은 클리닝액 공급부(300)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5, the cleaning unit 200 may further include a cleaning liquid supply unit 300.

클리닝액 공급부(300)는 클리닝액을 공급관(220)으로 제공할 수 있다. 예를 들어 클리닝액 공급부(300)는 웨이퍼 연마 장치의 본체부(10, 도 1 참조)의 일측에 장착될 수 있다.The cleaning liquid supply unit 300 may supply the cleaning liquid to the supply pipe 220. For example, the cleaning liquid supply unit 300 may be mounted on one side of the main body 10 (see Fig. 1) of the wafer polishing apparatus.

클리닝액 공급부(300)는 클리닝액이 저장되는 수조(310)와, 수조(310)에 저장된 클리닝액을 공급관(220)으로 배출하는 클리닝액 배출관(313)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid supply unit 300 may include a water tank 310 storing the cleaning liquid and a cleaning liquid discharge pipe 313 discharging the cleaning liquid stored in the water tank 310 to the supply pipe 220.

수조(310)는 내부에 클리닝액이 저장되는 공간이 형성될 수 있다. 예를 들어 수조(310)는 외부가 밀폐된 직육면체 형상으로서 내부에는 빈 공간이 형성될 수 있다.The water reservoir 310 may have a space in which a cleaning liquid is stored. For example, the water tank 310 may be formed in a rectangular parallelepiped shape having an outer space sealed therein, and a hollow space may be formed therein.

수조(310)에 저장되는 클리닝액은 세정수와 공기가 혼합된 형태일 수 있다. 이를 위해 수조(310)에는 세정수가 유입되는 세정수 유입관(311)과, 공기가 유입되는 공기 유입관(312)이 설치될 수 있다. 예를 들어 세정수 유입관(311)과 공기 유입관(312)은 수조(310)의 상부 영역에 설치될 수 있으며, 실시 형태에 따라 측면, 하부 영역에 설치될 수 있을 것이다.The cleaning liquid stored in the water tank 310 may be a mixture of cleaning water and air. To this end, the water tank 310 may be provided with a washing water inflow pipe 311 through which the washing water flows and an air inflow pipe 312 through which air flows. For example, the washing water inflow pipe 311 and the air inflow pipe 312 may be installed in the upper region of the water tank 310, and may be installed in the side and lower regions according to the embodiment.

세정수 유입관(311)은 클리닝액을 조성하는 액체, 예를 들어 초순수(D.I.W)가 유입되어 수조(310)로 공급할 수 있다. 공기 유입관(312)은 공기를 적극적인 수단(에어펌프, 컴프레서 등)으로 수조(310) 내부로 공급하거나 소극적인 수단(개방된 형상에 의해)에 의해 수조(310) 내부로 유입시킬 수 있다.The cleansing water inflow pipe 311 can supply a liquid for forming a cleaning liquid, for example, ultrapure water (DI) to the water tank 310. The air inlet pipe 312 can supply air into the water tank 310 with positive means (air pump, compressor or the like) or into the water tank 310 with a passive means (by an open shape).

클리닝액 배출관(313)은 수조(310)와 공급관(220)을 연결하며, 수조(310) 내부에 저장된 클리닝액을 공급관(220)으로 제공할 수 있다. 예를 들어 클리닝액 배출관(313)은 수조(310)의 측면에 설치될 수 있으나, 실시 형태에 따라 상면, 하부 영역에 설치될 수 있을 것이다.The cleaning liquid discharge pipe 313 connects the water tank 310 and the supply pipe 220 and can supply the cleaning liquid stored in the water tank 310 to the supply pipe 220. For example, the cleaning liquid discharge pipe 313 may be installed on the side surface of the water tub 310, but it may be installed on the upper and lower surfaces according to the embodiment.

한편, 클리닝액 공급부(300)는 수조(310) 내부에서 나노 버블(NB)을 발생시키는 나노 버블 생성기(330)를 더 포함할 수 있다. 나노 버블 생성기(330)는 수조(310) 내부에 공급된 초순수와 공기를 혼합하여 미세한 입자의 나노 버블(NB)을 생성할 수 있다.The cleaning liquid supply unit 300 may further include a nano bubble generator 330 for generating a nano bubble NB in the water tank 310. The nano bubble generator 330 can generate nano bubbles (NB) of fine particles by mixing ultrapure water and air supplied into the water tank 310.

나노 버블 생성기(330)는 공기와 초순수를 내부로 유입시켜, 고속으로 회전시켜 강력한 토네이도(소용돌이)를 유도함으로써 중앙에 공기 기둥이 발생하며, 공기 기둥 주변에서 선회하는 초순수의 속도 차이에 의해 공기 기둥을 전단하게 되면서 수많은 나노 버블(NB)들을 생성할 수 있다. 나노 버블 생성기(330)는 내부에서 생성된 수많은 나노 버블(NB)을 수조(310) 내부로 강력하게 토출하게 된다.The nano bubble generator 330 introduces air and ultrapure water to the inside, and rotates at a high speed to induce a powerful tornado (vortex). Air pillar is generated at the center, and due to the speed difference of the ultra pure water circulating around the air column, It is possible to generate a large number of nano bubbles (NBs). The nano bubble generator 330 strongly discharges a large number of nano bubbles NB generated in the inside of the water tank 310.

통상의 기포가 직경 1mm 정도의 크기를 갖는 반면, 나노 버블(NB)의 직경은 0.01mm 이하 또는 μm 단위로서 매우 미세한 직경을 갖는다. 나노 버블(NB)은 기포에 비해 부력이 작기 때문에 수중에서 오래동안 체류할 수 있으므로 나노 버블(NB)이 포함된 클리닝액의 용존 산소량은 증가하게 되어 청정한 상태가 유지된다.While the normal bubbles have a size of about 1 mm in diameter, the diameter of the nano bubble NB is 0.01 mm or less or the unit of μm has a very fine diameter. Since the nano bubbles (NB) are less buoyant than the bubbles, they can stay in water for a long time, so that the amount of dissolved oxygen in the cleaning liquid containing nano bubbles (NB) increases and the clean state is maintained.

또한, 나노 버블(NB)은 마이너스(-) 전하를 띄게 되므로 나노 버블(NB)이 포함된 클리닝액은 플러스(+) 전하를 띄는 오염물질을 끌어당겨 수면으로 부상시켜 척 테이블(40)로부터 제거를 쉽게 할 수 있다.In addition, since the nano bubble NB has a negative charge, the cleaning liquid containing the nano bubble NB is attracted to the surface of the water by attracting the contaminant having a positive charge and removed from the chuck table 40 .

도 6은 클리닝 유닛(200)에 의한 척 테이블(40) 또는 웨이퍼의 세정과정을 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 클리닝 과정을 보여주는 측면도이다.FIG. 6 is a plan view showing the cleaning process of the chuck table 40 or the wafer by the cleaning unit 200, and FIG. 7 is a side view showing the cleaning process of FIG.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 전술한 실시예의 클리닝 유닛(200)은 척 테이블(40) 위를 선형이동하면서 분사 노즐(221)을 통해 클리닝액을 분사하면서 척 테이블(40) 또는 웨이퍼에 대한 클리닝을 수행할 수 있다.6 and 7, the cleaning unit 200 of the above-described embodiment linearly moves on the chuck table 40 while spraying the cleaning liquid through the injection nozzle 221, Cleaning can be performed.

분사 노즐(221)은 수 mm의 지름을 가지면서 수 mm 또는 μm의 입자 크기를 갖는 나노 버블(NB)이 포함된 클리닝액을 분사하게 된다. 여기서 척 테이블(40)의 다공성 척은 μm의 입자 크기를 갖는 다수의 구멍들이 형성되는데, 클리닝액은 척 테이블(40)의 다수의 구멍에 위치한 아주 작은 크기의 이물질까지 세척할 수 있게 된다.The injection nozzle 221 ejects a cleaning liquid containing nanobubbles (NB) having a particle diameter of several mm or μm with a diameter of several millimeters. Here, the porous chuck of the chuck table 40 is formed with a plurality of holes having a particle size of μm, and the cleaning liquid can be cleaned to a very small size foreign substance located in a plurality of holes of the chuck table 40.

도 6에 도시된 바와 같이 클리닝 유닛(200)이 선형 이동하면서 척 테이블(40) 또는 웨이퍼(W)에 대한 클리닝을 수행하는 동안, 척 테이블(40)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 따라서 척 테이블(40) 또는 웨이퍼(W)는 전체적으로 클리닝이 이루어질 수 있다.6, the chuck table 40 can rotate clockwise or counterclockwise while the cleaning unit 200 performs cleaning on the chuck table 40 or the wafer W while linearly moving have. Therefore, the chuck table 40 or the wafer W can be entirely cleaned.

이와 같이 본 발명의 클리닝 유닛은 나노 버블이 포함된 클리닝액에 의한 세척이 이루어지므로 척 테이블 또는 웨이퍼를 손상시키지 않으면서 척 테이블의 미세한 부분까지 클리닝을 수행할 수 있기 때문에 연마되는 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.Since the cleaning unit according to the present invention is cleaned by the cleaning liquid containing nano bubbles, it is possible to perform cleaning to a fine portion of the chuck table without damaging the chuck table or the wafer, thereby improving the quality of the wafer to be polished .

또한, 클리닝 유닛을 구성하는 부품들이 웨이퍼 또는 척 테이블과 직접 접촉되지 않기 때문에 종래 브러쉬처럼 부품을 교체하지 않더라도 반영구적으로 사용할 수 있다.Further, since the components constituting the cleaning unit are not in direct contact with the wafer or the chuck table, they can be used semi-permanently even if the components are not replaced like a conventional brush.

도 8은 클리닝 유닛의 분사 노즐에 대한 실시예들을 보여준다.Fig. 8 shows embodiments of the injection nozzle of the cleaning unit.

도 8의 좌측에 도시된 바와 같이 클리닝 유닛(200a)의 분사 노즐(221a)은 단부로 갈수록 지름이 점점 커지는 형상을 갖거나, 도 8의 우측에 도시된 바와 같이 분사 노즐(221b)은 지름이 동일한 크기를 갖는 파이프 형상으로 실시될 수 있다.8, the injection nozzle 221a of the cleaning unit 200a may have a shape increasing in diameter toward the end, or the diameter of the injection nozzle 221b may be larger than the diameter of the injection nozzle 221a as shown in the right side of FIG. And can be implemented in a pipe shape having the same size.

분사 노즐(221a)이 단부로 갈수록 확장된 형상을 가지면, 클리닝액은 분무 형태로서 넓은 영역으로 분사될 수 있다.If the spray nozzle 221a has an expanded shape toward the end, the cleaning liquid can be sprayed into a wide area as a spray form.

분사 노즐(221b)의 직경이 동일한 파이프 형상이면, 분사되는 클리닝액의 폭이 균일해 압력이 높아지므로 클리닝의 정밀도가 높아질 수 있다.If the diameter of the injection nozzle 221b is the same, the width of the cleaning liquid to be sprayed is uniform and the pressure becomes high, so that the accuracy of cleaning can be increased.

전술한 클리닝 유닛(200, 200a, 200b)의 분사 노즐(221, 221a, 221b)의 형태들 이외에도 클리닝 유닛은 다양한 변형 실시예로서 분사 노즐이 단부로 갈수록 직경이 좁아지거나 여러 개의 분사 노즐을 구비할 수 있을 것이다.In addition to the forms of the injection nozzles 221, 221a and 221b of the cleaning units 200, 200a and 200b described above, the cleaning unit may be modified in various ways, such that the diameter of the injection nozzle becomes narrower toward the end, It will be possible.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10 : 본체 20 : 스테이지
21 : 공급부 23 : 회수부
30 : 턴 테이블 40 : 척 테이블
40 : 척 테이블 50 : 기둥
60 : 승하강부 70 : 연마 유닛
80 : 스피너식 세정부 81 : 회수 카세트
90 : 픽업 로봇 91 : 공급 카세트
100 : 브러쉬 클리너 110 : 이동축
120 : 회전축 130 : 원반체
140 : 브러쉬 200 : 클리닝 유닛
210 : 이동배관 220 : 공급관
221, 221a, 221b : 분사 노즐 230 : 가압부
300 : 클리닝액 공급부 310 : 수조
311 : 세정수 유입관 312 : 공기 유입관
313 : 클리닝액 배출관 330 : 나노버블 생성기10: main body 20: stage
21: supply part 23:
30: Turn table 40: Chuck table
40: Chuck table 50: Column
60: ascending / descending portion 70: polishing unit
80: Spinner type washing unit 81: Recovery cassette
90: pick-up robot 91: feed cassette
100: Brush cleaner 110: Moving axis
120: rotating shaft 130: disk
140: Brush 200: Cleaning unit
210: moving pipe 220: supply pipe
221, 221a, 221b: injection nozzle 230:
300: cleaning liquid supply unit 310:
311: rinse water inflow pipe 312: air inflow pipe
313: cleaning liquid discharge pipe 330: nano bubble generator

Claims (15)

척 테이블의 길이 방향을 따라 이동가능하게 설치되며, 수직 방향으로 길게 배치되는 이동배관;
상기 이동배관의 내부에 형성되어 클리닝액이 주입되는 공급관; 및
상기 공급관으로부터 연장되어 상기 척 테이블 또는 웨이퍼를 향해 클리닝액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.A moving pipe movably installed along the longitudinal direction of the chuck table and being arranged long in the vertical direction;
A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid; And
And a jet nozzle extending from the supply pipe and jetting a cleaning liquid toward the chuck table or the wafer. 제1항에 있어서,
상기 이동배관은 원기둥 형상을 가지며,
상기 공급관은 상기 이동배관의 중심 영역에 배치되는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the moving pipe has a cylindrical shape,
Wherein the supply pipe is disposed in a central area of the moving pipe. 제1항에 있어서,
상기 클리닝액을 상기 공급관으로 제공하는 클리닝액 공급부를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.The method according to claim 1,
And a cleaning liquid supply unit for supplying the cleaning liquid to the supply pipe. 제3항에 있어서,
상기 클리닝액 공급부는
세정수와 공기가 혼합된 클리닝액이 저장되는 수조; 및
상기 수조와 상기 공급관을 연결하며, 상기 수조에 저장된 클리닝액을 상기 공급관으로 배출하는 클리닝액 배출관을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.The method of claim 3,
The cleaning liquid supply unit
A water tank in which a cleaning liquid in which cleaning water and air are mixed is stored; And
And a cleaning liquid discharge pipe connecting the water tank and the supply pipe and discharging the cleaning liquid stored in the water tank to the supply pipe. 제4항에 있어서,
상기 수조는
상기 세정수가 유입되는 세정수 유입관; 및
상기 공기가 유입되는 공기 유입관을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.5. The method of claim 4,
The water tank
A washing water inflow pipe into which the washing water flows; And
And an air inlet pipe through which the air flows. 제5항에 있어서,
상기 클리닝액 공급부는 나노 버블 생성기를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.6. The method of claim 5,
Wherein the cleaning liquid supply unit further comprises a nano bubble generator. 제6항에 있어서,
상기 나노 버블 생성기는 수 mm 내지 수 μm의 나노 버블을 생성하여 상기 수조 내부로 토출하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.The method according to claim 6,
Wherein the nano bubble generator generates nano bubbles of several millimeters to several micrometers and discharges the nanobubbles into the water tank. 제5항에 있어서,
상기 분사 노즐은 단부로 갈수록 지름이 점점 커지는 형상을 갖는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.6. The method of claim 5,
Wherein the injection nozzle has a shape gradually increasing in diameter toward an end portion thereof. 제5항에 있어서,
상기 분사 노즐은 지름이 동일한 크기를 갖는 파이프 형상인 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.6. The method of claim 5,
Wherein the injection nozzle is a pipe-shaped one having a diameter equal to that of the nozzle. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이동배관 및 상기 분사 노즐의 단부에 결합되는 가압부를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Further comprising a pressure portion coupled to an end of the moving pipe and the injection nozzle. 제10항에 있어서,
클리닝시 상기 척 테이블은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.11. The method of claim 10,
Wherein the chuck table rotates in a clockwise or counterclockwise direction during cleaning. 수직 방향으로 길게 배치되는 이동배관;
나노 버블이 포함된 클리닝액이 저장되는 수조;
상기 이동배관의 내부에 형성되어 상기 수조에 저장된 클리닝액이 주입되는 공급관; 및
상기 공급관으로부터 연장되어 상기 클리닝액을 척 테이블을 향해 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.A moving pipe arranged long in the vertical direction;
A water tank in which a cleaning liquid containing nano bubbles is stored;
A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid stored in the water tub; And
And a spray nozzle extending from the supply pipe to spray the cleaning liquid toward the chuck table. 제12항에 있어서,
클리닝시 상기 척 테이블은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.13. The method of claim 12,
Wherein the chuck table rotates in a clockwise or counterclockwise direction during cleaning. 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 수조에 결합되어 나노 버블을 생성하는 나노 버블 생성기를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛. The method according to claim 12 or 13,
And a nano bubble generator coupled to the water tank to generate nano bubbles. 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 척 테이블;
상기 척 테이블에 대하여 수직 방향 또는 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되는 이동배관;
나노 버블이 포함된 클리닝액이 저장되는 수조;
상기 이동배관의 내부에 형성되어 상기 수조에 저장된 클리닝액이 주입되는 공급관; 및
상기 공급관으로부터 연장되어 상기 클리닝액을 척 테이블 또는 웨이퍼를 향해 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 클리닝 유닛.A chuck table rotating clockwise or counterclockwise;
A moving pipe installed movably in a vertical direction or a horizontal direction with respect to the chuck table;
A water tank in which a cleaning liquid containing nano bubbles is stored;
A supply pipe formed inside the moving pipe to inject a cleaning liquid stored in the water tub; And
And a jet nozzle extending from the supply pipe and jetting the cleaning liquid toward the chuck table or the wafer.
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