KR20190016747A - Organic light emitting display device, data management device and method for driving the organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a driving method thereof.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, there have been various demands for a display device for displaying images. Recently, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) And various display devices such as an organic light emitting display (OLED) device are used.
최근 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.Recently, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been well known in the art has an advantage of high response speed, contrast ratio, luminous efficiency, brightness and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)
이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터전압을 전달해주는 스위칭 트랜지스터, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 캐패시터를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel of the organic light emitting display device is basically composed of a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor for transmitting the data voltage to the gate node of the driving transistor, And a capacitor that serves to maintain the capacitor.
한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 특성치를 갖는데, 이러한 특성치는 각 구동 트랜지스터마다 다를 수 있다.On the other hand, the driving transistors in each sub-pixel have characteristic values such as a threshold voltage and a mobility, and these characteristic values may be different for each driving transistor.
또한, 구동 트랜지스터는 구동 시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation)되어 특성치가 변할 수 있는데, 이러한 열화 정도의 차이에 따라, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다.In addition, as the driving time becomes longer, the driving transistor is degraded and the characteristic value may be changed. Due to the difference in the degree of deterioration, a characteristic value deviation between the driving transistors may occur.
각 서브픽셀 내 유기발광 다이오드 또한, 구동 시간의 증가에 따라 열화가 진행되어 문턱전압 등의 특성치가 변할 수 있고, 유기발광 다이오드 간의 열화 정도가 다를 수 있기 때문에, 각 서브픽셀 내 유기발광 다이오드 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다.Since the deterioration of the organic light emitting diodes in each subpixel also progresses as the driving time increases, the characteristic values such as the threshold voltage may change, and the degree of deterioration between the organic light emitting diodes may be different. Deviations may occur.
이러한 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차와 유기발광다이오드 간의 특성치 편차에 의해 생기는 서브픽셀 간의 특성치 편차는, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜, 화면 잔상 등의 화면 이상 현상을 초래하거나 표시패널의 휘도 불균일을 발생시킬 수 있다.The deviation of the characteristic value between the sub-pixels caused by the characteristic value deviation between the driving transistors and the characteristic value deviation between the organic light emitting diodes causes a luminance deviation between the sub pixels, resulting in a screen abnormal phenomenon such as a screen afterimage or a luminance unevenness of the display panel .
이에, 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 기술이 개발되었다. 보상 방법은 먼저, 유기발광표시장치를 센싱 구동하여 서브픽셀의 구동 트랜지스터 또는 유기발광 다이오드의 특성치를 센싱한 후, 센싱값(Vsen)을 얻고, 센싱값(Vsen)을 토대로 서브픽셀에 인가할 데이터를 보상하는 방식으로 이루어진다.Thus, a technique for compensating for the deviation of characteristic values between subpixels has been developed. In the compensation method, a sensing value (Vsen) is obtained after sensing the characteristic value of the driving transistor or the organic light emitting diode of the subpixel by sensing driving the organic light emitting display device, and data to be applied to the subpixel based on the sensing value (Vsen) As shown in FIG.
하지만, 유기발광표시장치의 해상도가 높아짐에 따라 구동 트랜지스터의 숫자가 증가하여 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상을 수행하기 위해 소요되는 시간이 길어지고 있다.However, as the resolution of the organic light emitting display increases, the number of driving transistors increases, and the time required to compensate for the characteristic value deviation between subpixels is getting longer.
본 실시예들의 목적은 유기발광표시장치의 보상 수행시간을 줄이는데 있다.The purpose of these embodiments is to reduce the time for performing the compensation of the OLED display.
본 실시예들의 목적은 파워 온 신호 발생 후, 영상이 표시될 때까지의 사용자 응답 시간을 줄여 사용자에게 더욱 편리한 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display device which is more convenient for a user by reducing a user response time until an image is displayed after a power-on signal is generated.
본 실시예들의 목적은 파워 온 시에 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상하기 위한 보상값을 로딩하는 시간을 줄여, 유기발광표시장치가 영상을 표시하기까지 소요되는 시간을 절감시키는데 있다.An object of the present invention is to reduce the time taken to load a compensation value for compensating for a characteristic value deviation between subpixels at the time of power-on, thereby reducing the time taken for the organic light emitting display to display an image.
일측면에서, 본 실시예들은, 본 발명의 일 실시예는, 다수의 서브픽셀이 배열된 표시패널, 표시패널로부터 센싱 전압을 측정하여 다수의 서브픽셀 중 적어도 하나의 서브픽셀에 대한 센싱데이터를 출력하는 센싱부, 초기 보상데이터 및 센싱데이터를 수신하여, 적어도 하나의 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상부를 포함하는 컨트롤러, 초기 보상데이터가 미리 저장된 제1 메모리부 및 제1 메모리부와 서로 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부를 하는 유기발광표시장치를 제공한다.In one aspect of the present invention, an embodiment of the present invention provides a display panel in which a plurality of subpixels are arranged, a method of measuring sensing voltage from at least one of the plurality of subpixels, A controller for receiving the sensing data, the sensing data, the sensing data, and the sensing data, and calculating a compensation value for at least one subpixel; a first memory unit and a first memory unit, And a second memory unit having a different transfer rate.
초기 보상데이터는, 파워 온 신호가 발생하면, 컨트롤러의 제어 하에 제1 메모리부에서 제2 메모리부로 전송될 수 있다.The initial compensation data can be transferred from the first memory unit to the second memory unit under the control of the controller when the power-on signal is generated.
보상부는 초기 보상데이터를 제2 메모리부에서 읽을 수 있다.The compensation section can read the initial compensation data in the second memory section.
제2 메모리부는, 제1 메모리부보다 전송 속도가 빠를 수 있다.The second memory unit may have a higher transmission speed than the first memory unit.
컨트롤러는, 구동 전압이 인가되면, 제1 메모리부에 저장된 초기 보상데이터 전체를 제2 메모리부로 전송시키고, 패널 구동 전압이 인가되면, 제2 메모리부에 저장된 초기 보상데이터를 보상부로 전송시킬 수 있다.The controller may transmit the initial compensation data stored in the first memory unit to the second memory unit when the driving voltage is applied and may transmit the initial compensation data stored in the second memory unit to the compensation unit when the panel driving voltage is applied .
보상부는, 미리 지정된 순서에 따라 다수의 서브픽셀 중 선택된 서브픽셀에 대한 센싱데이터를 수신하여 보상값을 연산하는 동안, 이후 선택되는 서브픽셀에 대한 초기 보상데이터를 수신할 수 있다.The compensation unit may receive the initial compensation data for the selected subpixel while receiving the sensing data for the selected one of the plurality of subpixels in the predetermined order and calculating the compensation value.
초기 보상데이터가 제1 메모리부에서 제2 메모리부로 전송되기 전에, 보상부 파라미터가 제1 메모리부에서 제2 메모리부로 전송되고, 보상부는 초기 보상데이터를 제2 메모리부에서 읽어가기 전에, 보상부 파라미터를 제2 메모리부에서 읽을 수 있다.Before the initial compensation data is transferred from the first memory unit to the second memory unit, the compensation unit parameter is transferred from the first memory unit to the second memory unit, and before the compensation unit reads the initial compensation data from the second memory unit, Parameters can be read in the second memory unit.
컨트롤러는, 구동 전압이 인가되면, 기지정된 펌웨어 부팅을 수행하며, 펌웨어 부팅이 수행된 이후, 초기 보상데이터가 제1 메모리부로부터 제2 메모리부로 전송되는 동안, 기저장된 컨트롤러 파라미터를 로딩할 수 있다.The controller can load the pre-stored controller parameters while the initial compensation data is transferred from the first memory unit to the second memory unit after the firmware boot is performed, when the drive voltage is applied, .
컨트롤러는, 패널 구동 전압이 인가되면, 제2 메모리부로터 보상 데이터를 수신하기 이전에, 표시패널의 이상 유무에 관한 정보를 출력할 수 있다.When the panel driving voltage is applied, the controller can output information on the abnormality of the display panel before receiving the second memory unit rotor compensation data.
컨트롤러는, 구동 전압이 인가되면 펌웨어 부팅을 수행하며, 표시패널을 구동하기 위한 패널 구동 전압이 인가되면, 미리 설정된 플래그 값에 따라 제1 메모리부에 저장된 초기 보상데이터가 보상부로 제2 메모리부를 통하지 않고 전송할 수 있다.The controller performs booting of the firmware when the driving voltage is applied. When the panel driving voltage for driving the display panel is applied, the initial compensation data stored in the first memory unit is transmitted to the compensation unit through the second memory unit according to a preset flag value .
다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 서브픽셀이 배열된 표시패널, 표시패널로부터 센싱 전압을 측정하여 센싱값을 출력하는 구동회로, 센싱데이터를 토대로 보상값을 생성하는 컨트롤러, 초기 보상값이 미리 저장된 제1 메모리부 및 제1 메모리부와 서로 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device including a display panel in which a plurality of sub-pixels are arranged, a driving circuit for measuring a sensing voltage from a display panel and outputting a sensing value, a controller for generating a compensation value based on the sensing data, And a second memory unit having a different transmission speed from the first memory unit and the first memory unit, which are stored in advance.
유기발광표시장치는 파워 온 신호가 발생하면, 온 시퀀스를 진행한 이후 영상이 표시될 수 있다.In the OLED display, when a power-on signal is generated, an image may be displayed after the ON sequence has been performed.
초기 보상값은 온 시퀀스를 진행하는 기간 동안, 제1 메모리부에서 제2 메모리부로 전송될 수 있다.The initial compensation value may be transferred from the first memory unit to the second memory unit during a period during which the on sequence is performed.
컨트롤러는 초기 보상값을 제2 메모리부에서 읽을 수 있다.The controller can read the initial compensation value from the second memory unit.
구동회로는 표시패널의 센싱 구동 기간 동안 센싱 전압을 측정하여 센싱값을 출력할 수 있다.The driving circuit can measure the sensing voltage during the sensing drive period of the display panel and output a sensing value.
컨트롤러는 구동회로에서 출력된 센싱값과 제2 메모리부에서 읽어들인 초기 보상값을 기초로 보상값을 생성할 수 있다.The controller may generate a compensation value based on the sensing value output from the driving circuit and the initial compensation value read from the second memory.
다수의 서브픽셀 각각은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함할 수 있다.Each of the plurality of subpixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, And a capacitor electrically connected between the electrodes.
센싱 전압은, 구동 트랜지스터의 제1 노드 또는 제2 노드와 전기적으로 연결 가능한 센싱 라인의 전압일 수 있다.The sensing voltage may be a voltage of a sensing line electrically connectable to a first node or a second node of the driving transistor.
표시패널의 센싱 구동 기간 동안, 적어도 하나의 서브픽셀에 대응되는 데이터 라인으로 데이터 전압이 인가되고, 이후, 데이터 라인과 다른 신호 라인인 센싱 라인의 전압이 가변 될 때, 구동회로는 센싱 라인의 전압을 센싱 전압으로서 측정할 수 있다.When the data voltage is applied to the data line corresponding to at least one subpixel during the sensing drive period of the display panel and then the voltage of the sensing line which is the other data line is changed, Can be measured as a sensing voltage.
또다른 측면에서, 본 실시예들은, 초기 보상 데이터가 미리 저장된 제1 메모리부, 제1 메모리부와 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부, 제1 메모리부의 출력 단과 연결된 제1 연결부, 제2 메모리부의 출력 단과 연결된 제2 연결부 및 제1 연결부 및 제2 연결부 간의 연결을 위한 데이터버스를 포함하는 유기발광 표시장치의 데이터 관리 장치를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a memory device including a first memory unit in which initial compensation data is stored in advance, a second memory unit having a transfer rate different from that of the first memory unit, a first connection unit connected to an output end of the first memory unit, And a data bus for connection between the first connection unit and the second connection unit, and a data bus for connecting the first connection unit and the second connection unit.
또다른 측면에서, 본 실시예들은, 파워 온 신호가 발생하면, 컨트롤러의 제어 하에 초기 보상데이터가 제1 메모리부에서 제2 메모리부로 전송되는 단계 및 보상부는 초기 보상데이터를 제2 메모리부에서 읽어가는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, in the embodiments, when the power-on signal is generated, the initial compensation data is transferred from the first memory unit to the second memory unit under the control of the controller, and the compensation unit reads the initial compensation data from the second memory unit And a driving step of driving the organic light emitting display device.
이상에서 설명한 실시예들에 의하면, 파워 온 신호 발생 이후, 사용자 응답 시간을 줄여 사용자에게 더욱 편리한 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiments described above, after the power-on signal is generated, the user response time can be reduced to provide a more convenient organic light emitting display.
실시예들에 의하면, 파워 온 시에 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상하기 위한 보상값을 로딩하는 시간을 줄여, 유기발광표시장치가 영상을 표시하기까지 소요되는 시간을 절감할 수 있다.According to the embodiments, it is possible to reduce the time taken to load the compensation value for compensating the characteristic value deviation between subpixels at the time of power-on, thereby reducing the time required until the organic light emitting display device displays an image.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 온-센싱 프로세스 수행 시 보상부와 메모리부 사이의 데이터 전송 경로를 개념적으로 나타낸다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 온-센싱 프로세스 시에 컨트롤러와 메모리부 사이의 데이터 전송 경로를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 상세히 나타낸 타이밍도이다.
도 12는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 온-센싱 프로세스 수행 시 보상부와 메모리부 사이의 데이터 전송 경로를 개념적으로 나타낸다.
도 13은 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 온-센싱 프로세스 시에 컨트롤러와 메모리부 사이의 데이터 전송 경로를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 14는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 상세히 나타낸 타이밍도이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법을 나타낸다.
도 16 은 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법을 나타낸다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a view illustrating a sub-pixel structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is a view illustrating another example of the sub-pixel structure of the OLED display according to the present embodiments.
4 is an illustration of a compensation circuit of an organic light emitting diode display according to the present embodiments.
5 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for a driving transistor of an organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is a view for explaining a mobility sensing driving method for a driving transistor of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention.
7 is a diagram showing sensing timing of the OLED display according to the present embodiments.
8 is a diagram illustrating an exemplary system implementation of an OLED display according to the present embodiments.
FIG. 9 conceptually illustrates a data transmission path between the compensation unit and the memory unit in the on-sensing process of the OLED display according to the present embodiments.
10 is a diagram specifically illustrating a data transmission path between the controller and the memory unit during the on-sensing process of the OLED display according to the present embodiments.
11 is a timing diagram illustrating an initial driving process of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention.
FIG. 12 conceptually illustrates a data transmission path between the compensation unit and the memory unit in the on-sensing process of the organic light emitting diode display according to other embodiments.
13 is a diagram illustrating a data transmission path between a controller and a memory unit in an on-sensing process of the OLED display according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a timing diagram illustrating an initial driving process of the OLED display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.
15 shows a method of driving the organic light emitting display according to the present embodiments.
16 shows a method of driving an organic light emitting display according to another embodiment.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. 본 발명에서는 컨트롤러(140)가 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부를 포함할 수 있다.The
이러한 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(120)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다. The
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The
이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.
게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The
이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.
게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The
데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
게이트 드라이버(130)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. Each subpixel SP arranged in the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다.2 is an exemplary view of a sub-pixel structure of the
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the organic light emitting
유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).
유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. A base voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다. The driving transistor DRT has a first node N1, a second node N2, and a third node N3.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node and may be electrically connected to a source node or a drain node of the first transistor T1.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL that supplies a driving voltage EVDD as a node to which the driving voltage EVDD is applied, Node or source node.
구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the first transistor T1 may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT and receives the scan signal SCAN through the gate line have.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT .
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (for example, Cgs or Cgd) which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, And is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다. 여기서, 회로 소자의 고유 특성치는, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 등을 포함할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values of the circuit elements such as the organic light emitting diode (OLED) and the driving transistor (DRT) can be changed. Here, the intrinsic property value of the circuit element may include a threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, a threshold voltage of the driving transistor DRT, a mobility of the driving transistor DRT, and the like.
회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. A change in the characteristic value of the circuit element may cause a change in luminance of the corresponding subpixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.
또한, 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.
이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는, 회로 소자 간 특성치 편차가 발생시켜, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a difference in degree of characteristic value change between circuit elements may cause a deviation in characteristic value between circuit elements, resulting in luminance deviation between subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.
회로 소자의 특성치 변화(서브픽셀의 휘도 변화)와 회로 소자 간 특성치 편차(서브픽셀 간 휘도 편차)는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. Variations in the characteristic values of the circuit elements (luminance variation of the subpixels) and characteristic deviations between the circuit elements (luminance deviation between the subpixels) cause problems such as degradation of the accuracy of luminance expressions of subpixels or occurrence of screen anomalies .
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 특성치를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀 특성치를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The organic light emitting
본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 특성치를 센싱한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱한다는 것, 또는 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED)) 간의 특성치 편차를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다. Sensing a characteristic value for a subpixel in this specification means sensing a characteristic value or a characteristic value change of a circuit element (a driving transistor DRT, an organic light emitting diode (OLED)) in a subpixel, DRT), and organic light emitting diode (OLED)).
본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 특성치를 보상한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화를 미리 정해진 수준으로 만들어주거나, 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED)) 간의 특성치 편차를 줄여주거나 제거하는 것을 의미할 수 있다. In this specification, the compensation of the characteristic value for the subpixel means that the characteristic value or the characteristic value change of the circuit element (drive transistor DRT, organic light emitting diode (OLED)) in the subpixel is changed to a predetermined level, The transistor DRT, and the organic light emitting diode OLED) may be reduced or eliminated.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 기능 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 이에 적절한 서브픽셀 구조와, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 포함할 수 있다. The organic light emitting
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다. 3 is another example of the sub-pixel structure of the
도 3에 도시된 서브픽셀 구조는, 센싱 기능 및 보상 기능을 제공하기 위해 적절한 서브픽셀 구조의 예시이다. The subpixel structure shown in FIG. 3 is an example of a suitable subpixel structure to provide a sensing function and a compensation function.
도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀은, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 이외에, 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, each sub-pixel disposed in the organic light emitting
도 3을 참조하면, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. 3, the second transistor T2 is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref And may be controlled by receiving a sensing signal SENSE, which is a kind of a scan signal, to the gate node.
전술한 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함함으로써, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다. By further including the second transistor T2 described above, the voltage state of the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP can be effectively controlled.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the sensing signal SENSE and applies a reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT .
또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be utilized as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로의 예시도이다. 4 is an exemplary diagram of a compensation circuit of the
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하기 위하여 전압 센싱을 통해 센싱데이터를 생성하여 출력하는 센싱부(410)와, 센싱데이터를 이용하여 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하고, 이를 토대로, 서브픽셀에 대한 특성치를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(420) 및 기설정된 초기 보상데이터(또는 초기 보상값), 보상부(420)에서 연산된 보상값을 저장하는 메모리부(430) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the
메모리부(430)는 센싱부로부터 센싱데이터를 인가받아 저장하고, 저장된 센싱데이터를 보상부(420)으로 전달할 수 있다. 다만 경우에 따라서는 보상부(420)가 직접 센싱데이터를 인가받아 보상값을 연산한 후, 보상값과 센싱데이터를 함께 메모리부(430)에 저장하도록 구성될 수도 있다.The
일 예로, 센싱부(410)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. 센싱부(410)에서 출력되는 센싱데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling)데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. For example, the
각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter (ADC) may be contained within each source driver integrated circuit (SDIC) included in the
보상부(420)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 구비될 수도 있다. 보상부(420)는 보상 프로세서라고도 할 수 있다.The
메모리부(430)는 미리 설정된 초기 보상데이터가 저장될 수 있으며, 센싱부(410)로부터 인가되는 센싱데이터 또는 보상부(420)에서 연산된 보상값을 저장할 수 있다. 그러나 메모리부(430)가 저장하는 데이터는 이에 한정되지 않는다. 일예로 메모리부(430)는 표시패널(110) 구동 중 호스트 장치(미도시)로부터 인가되는 영상데이터를 저장하고, 저장된 데이터를 보상부(420)로 전송할 수 있다. 그리고 메모리부(430)는 보상부(420)에서 영상데이터(Data)를 연산된 보상값으로 변경한 변경된 데이터를 저장할 수도 있다.The
메모리부(430)는 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수도 있다.The
한편 메모리부(430)는 다수의 메모리를 포함할 수 있다. 특히 메모리부(430)는 서로 상이한 타입의 다수의 메모리를 포함할 수 있다. 일 예로, 메모리부(430)는 적어도 하나의 비휘발성 메모리와 적어도 하나의 휘발성 메모리를 구비할 수 있다. 그리고 다수의 메모리는 서로 상이한 데이터 전송 속도를 가질 수 있다. 여기서 데이터 전송 속도는 메모리의 읽기(read) 속도를 의미하며, 쓰기(write) 속도가 포함될 수 있다.Meanwhile, the
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 기준 전압 라인(RVL)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 여부를 제어해주는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410) 간의 연결 여부를 제어해주는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the
초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다. The initialization switch SPRE is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the desired circuit element. To the voltage application state.
초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL and is supplied to the second node N2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2, ). ≪ / RTI >
샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410)를 전기적으로 연결해준다. The sampling switch (SAM) is turned on to electrically connect the reference voltage line (RVL) and the sensing unit (410).
샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록, 온-오프 타이밍이 제어된다. The sampling switch SAM is turned on so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP turns on when the voltage state reflects the characteristic value of the desired circuit element Respectively.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(410)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다. When the sampling switch SAM is turned on, the
센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 저항 성분을 무시할 수 있다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다. 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있다. When the
기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 라인이라고도 한다. If a line capacitor is present on the reference voltage line RVL, the voltage sensed by the
일 예로, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth, 여기서, Vdata는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. For example, the voltage sensed by the
한편, 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. On the other hand, the reference voltage lines RVL may be arranged one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the reference voltage line RVL is divided into four subpixel columns , A white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).
아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다. In the following, the threshold voltage sensing drive and the mobility sensing drive for the driving transistor DRT will be briefly described.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. The threshold voltage sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.
초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). Thus, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2 = Vref).
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is turned on until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a threshold voltage or a voltage state reflecting the change, .
즉, 트래킹 단계는, 문턱전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다. That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the threshold voltage or the change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and the rising width gradually decreases and becomes saturated.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. When the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated, the sampling step can proceed.
샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압을 측정하는 단계로서, 센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계이다. The sampling step is a step of measuring a threshold voltage of the driving transistor DRT or a voltage reflecting the change thereof so that the
이러한 샘플링 단계에서, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(410)는 기준 전압 라인(RVL)과 연결되어, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. In this sampling step, the sampling switch SAM is turned on so that the
센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱전압 또는 네거티브 문턱전압일 수 있다. The voltage Vsen sensed by the
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method for the driving transistor DRT of the
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The mobility sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.
초기화 단계는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the mobility sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively (V1 = Vdata, V2 = Vref).
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT reaches the voltage V2 until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes the voltage state reflecting the mobility or the change thereof. .
즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the mobility or the change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 되어 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅 된다. 이때, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 함께 플로팅 될 수 있다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the first transistor T1 is turned off, and the first node N1 of the driving transistor DRT can also be floated together.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다. The rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT depends on the current capability (i.e., mobility) of the driving transistor DRT.
전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases more sharply as the driving transistor DRT having a higher current capability (mobility) is.
트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. The sampling step may proceed after the tracking step has progressed for a predetermined time period DELTA t, that is, after the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT has risen for a predetermined constant time DELTA t.
트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage variation? V for a predetermined time? T.
샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(410)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다. In the sampling step, the sampling switch SAM is turned on, and the
이에 따라, 센싱부(410)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the
센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다. The voltage Vsen sensed by the
도 5 및 도 6을 참조하여 전술한 바와 같은 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱부(410)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱데이터를 생성하여 출력한다. 5 and 6, the
센싱부(410)에서 출력된 센싱데이터는 보상부(420)로 제공될 수 있다. 경우에 따라서 센싱데이터는 메모리부(430)를 통해 보상부(420)로 제공될 수도 있다. The sensing data output from the
보상부(420)는 센싱부(410)에서 제공된 센싱데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 특성치 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The compensating
여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미하거나, 초기 보상데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the initial compensation data.
따라서 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 초기 보상데이터를 기준으로 현재 센싱데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다.Therefore, when comparing the characteristic value or the characteristic value change between the driving transistors DRT, it is possible to grasp the characteristic value deviation between the driving transistors DRT. The characteristic value deviation (i.e., sub-pixel luminance deviation) between the driving transistors DRT from the characteristic value change of the driving transistor DRT when the characteristic value change of the driving transistor DRT indicates that the current sensing data is changed based on the initial compensation data, .
여기서 초기 보상데이터는 유기발광표시장치 제조 시에 설정되어 저장된 초기 설정데이터일 수 있다.Here, the initial compensation data may be initial setting data set and stored at the time of manufacturing the OLED display.
특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다. The characteristic value compensation process may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating the mobility of the driving transistor DRT.
문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리부(430)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The threshold voltage compensation process calculates a compensation value for compensating a threshold voltage or a threshold voltage deviation (threshold voltage change), stores the calculated compensation value in the
이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리부(430)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process calculates a compensation value to compensate for mobility or mobility deviation (mobility change), stores the calculated compensation value in the
보상부(420)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상부(420)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the data changed by the compensating
이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. By compensating for the subpixel characteristic value, luminance deviation between the subpixels is reduced or prevented, thereby improving the image quality.
여기서 기준전압 라인(RVL)이 서브픽셀 열마다 1개씩 배치된 경우, 센싱부(410)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상의 다수의 픽셀 각각에서 특정 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다.In this case, if one reference voltage line RVL is arranged for each subpixel column, the
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱부(410)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상에서 지정된 순서에 따라 다수의 적색 서브 픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다. 그리고 이후 순차적으로 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다.For example, when one pixel is composed of four subpixels (a red subpixel, a white subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel), the
그러나 기준전압 라인(RVL)이 각 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수에 대응하여 서브픽셀 열마다 4개씩 배치되어 있다면, 센싱부(410)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL)의 모든 서브픽셀에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 한번에 센싱할 수 있다.However, if four reference voltage lines RVL are arranged for each subpixel column corresponding to the number of subpixels constituting each pixel, the
즉 센싱부(410)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 1개의 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수와 대응하는 기준전압 라인(RVL)의 개수에 따라 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 횟수 센싱을 수행할 수 있다. 따라서 센싱부(410)로부터 센싱데이터를 인가받아 보상값을 연산하는 보상부(420) 또한 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 횟수 보상값을 연산할 수 있다. That is, the
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다. FIG. 7 is a diagram showing sensing timing of the
도 7을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 파워 온 신호(Power On Signal)가 발생하면, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) "라고 한다. 7, when the power-on signal is generated, the organic
또한, 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생하면, 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process) "라고 한다.When a power off signal is generated, before the off-sequence such as power-off occurs, the characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel arranged on the
또한, 파워 온 신호가 발생한 이후 파워 오프 신호가 발생되기 전까지, 디스플레이 구동 중에서 블랭크(Blank) 시간 마다 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)" 라고 한다.It is also possible to sense the characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel disposed on the
이러한 실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)은, 수직 동기 신호(Vsync)를 기준으로 액티브 시간(Active Time) 사이의 블랭크 시간(Blank Time) 마다 진행될 수 있다. This real-time sensing process may be performed for each blank time between active times based on the vertical synchronization signal Vsync.
구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 짧은 시간만이 필요하기 때문에, 파워 온 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 되지 않을 때 수행될 수 있다. Since the mobility sensing of the driving transistor DRT is required only for a short time, it may be performed before the display driving starts after the power-on signal is generated, or when the display driving can not be performed after the power- .
이뿐만 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 디스플레이 구동 중에도 짧은 블랭크 시간을 활용하여 실시간으로 진행될 수 있다. In addition, the mobility sensing of the driving transistor DRT can be performed in real time using a short blank time even during the display driving.
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 파워 온 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)로 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 진행되지 않는 구간 동안 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 진행될 수도 있으며, 디스플레이 구동 중에 짧은 블랭크 시간 마다 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수 있다. That is, the mobility sensing of the driving transistor DRT may proceed to an on-sensing process before the display driving starts by generating a power-on signal, and a power-off signal is generated and the display driving is progressed (Off-Sensing Process) during the non-display period, and may proceed to the Real-time Sensing Process every short blank time during the display driving.
이에 비해, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱(Vth Sensing)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 긴 전압 포화 시간(Vsat)이 필요하기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱(Mobility Sensing)에 비해, 상대적으로 오랜 시간이 걸린다. In contrast, since the threshold voltage sensing (Vth Sensing) of the driving transistor DRT requires the long voltage saturation time Vsat of the second node N2 of the driving transistor DRT, It takes a relatively long time compared to the mobility sensing.
이러한 점을 고려하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은, 사용자 시청에 방해가 되지 않는 타이밍을 활용하여 이루어져야만 한다. In consideration of this point, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT must be performed utilizing a timing that does not interfere with user viewing.
따라서, 일반적으로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은 사용자 입력 등에 따라 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생한 이후, 디스플레이 구동이 되지 않는 동안, 즉, 사용자가 시청 의사가 없는 상황에서 진행될 수 있다.Therefore, in general, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT can be performed while the display is not driven, that is, in a state where the user does not intend to watch, after a power off signal occurs according to user input or the like .
그러나 경우에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱도 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) 또는 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수도 있다.However, as occasion demands, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may also proceed to an on-sensing process or a real-time sensing process.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구현 예시도이다.FIG. 8 is a system implementation view of the
도 8을 참조하면, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현된 경우, 표시패널(110)과 연결된 필름(GF) 상에 실장 될 수 있다. Referring to FIG. 8, each gate driver IC (GDIC) may be mounted on a film GF connected to the
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현된 경우, 표시패널(110)에 연결된 필름(SF) 상에 실장 될 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC), when implemented in a chip-on-film (COF) manner, may be mounted on a film SF connected to the
표시장치(100)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)과 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB: Source Printed Circuit Board)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름(SF)이 연결될 수 있다. 즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름(SF)은 일 측이 표시패널(110)과 전기적으로 연결되고 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결된다. At least one source printed circuit board (SPCB) may be connected to a film (SF) mounted with a source driver integrated circuit (SDIC). That is, the film SF on which the source driver integrated circuit (SDIC) is mounted is electrically connected to the
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는, 컨트롤러(140)와, 표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC, 830) 등이 실장 될 수 있다.The control printed circuit board CPCB is provided with a
여기서 컨트롤러(140)는 보상부(420)를 포함하며, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.Here, the
또한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는 메모리부(430)가 실장 될 수 있다. 메모리부(430)가 서로 상이한 타입의 다수의 메모리를 포함하는 경우, 각각의 메모리는 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 개별적으로 실장되어 컨트롤러(140)와 전기적으로 연결될 수 있다.The
도 8에서는 서로 다른 타입의 메모리를 포함하는 제1 및 제2 메모리부(810, 820)를 도시하였으며, 설명의 편의를 위해 제1 메모리부(810) 및 제2 메모리부(820)가 각각 1개씩의 메모리를 구비하는 것으로 도시하였다. 그러나 제1 및 제2 메모리부(810, 820)는 각각 다수의 메모리를 구비할 수 있다.8 illustrates the first and
여기서 제1 메모리부(810)에 포함되는 적어도 하나의 메모리는 비휘발성 메모리로서 NAND Flash Memory일 수 있으며, 제2 메모리부(820)에 포함되는 적어도 하나의 메모리는 휘발성 메모리로서 DDR SDRAM(Double data rate synchronous dynamic random access memory)일 수 있다.At least one memory included in the
또한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는 제1 및 제2 메모리부(810, 820)이외에 다른 메모리가 더 실장될 수 있다. 일예로 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는 ROM(Read-Only Memory) 및 프로그래밍 가능한 ROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory : EEPROM) 중 적어도 하나가 더 실장될 수 있다.In addition, a memory other than the first and
한편 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. On the other hand, at least one source printed circuit board (SPCB) and a control printed circuit board (CPCB) can be connected in circuit through at least one connecting member.
여기서, 연결 부재는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be, for example, a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and a control printed circuit board (CPCB) may be integrated into one printed circuit board.
표시장치(100)는, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)와 전기적으로 연결된 세트 보드(840)를 더 포함할 수 있다. The
이러한 세트 보드(840)는 파워 보드라고도 할 수 있다. The set
이러한 세트 보드(840)에는 유기발광표시장치(100)의 전체적인 파워를 관리하는 메인 파워 관리 회로(850, M-PMC: Main Power Management Circuit)가 존재할 수 있다. The set
파워 관리 집적회로(830)는 표시패널(110)과 그 구동 회로(120, 130, 140) 등을 포함하는 표시모듈에 대한 파워를 관리하는 회로이다. 그리고 메인 파워 관리 회로(850)는 표시모듈을 포함한 전체적인 파워를 관리하는 회로이고, 파워 관리 집적회로(830)와 연동할 수 있다. The power management integrated
예를 들어, 메인 파워 관리 회로(850)는 구동 전압(VDD), 패널 구동 전압(EVDD) 등을 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)로 공급할 수 있다. 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 상의 컨트롤러(140)는 구동 전압(VDD)을 인가받아 구동될 수 있으며, 파워 관리 집적회로(830)는 패널 구동 전압(EVDD)을 표시패널(110)로 공급할 수 있다.For example, the main
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 온-센싱 프로세스 수행 시 보상부(420)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 개념적으로 나타낸다.FIG. 9 conceptually illustrates a data transmission path between the
도 7에서 설명한 바와 같이, 유기발광표시장치(100)는 파워 온 신호가 발생하면, 온-센싱 프로세스를 수행하여 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다.7, when the power-on signal is generated, the
도 9를 참조하면, 온-센싱 프로세스 수행 시, 보상부(420)는 제1 메모리부(810)에 미리 저장되어 있는 초기 보상데이터(ICD)를 전달받는다. 여기서 초기 보상데이터(ICD)는 센싱부(410)에서 출력된 센싱데이터를 보상하기 위한 기준값으로 이용되는 데이터이다. 초기 보상데이터(ICD)는 유기발광표시장치(100) 제조 시에 설정되어 저장되는 초기 설정데이터 및 이전 오프-센싱 프로세스 수행 시 저장된 데이터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 초기 보상데이터(ICD)는 표시패널(110)에 포함된 각 서브픽셀의 특성치를 직접 보상하기 위한 보상값에 대한 데이터일 수 있으나, 보상값을 생성하기 위한 기준값에 대한 데이터일 수도 있다.9, in performing the on-sensing process, the
보상부(420)는 제1 메모리부(810)부터 기설정된 보상 단위로 초기 보상데이터(ICD)를 전달받을 수 있다. 일예로 보상부(420)는 각각의 게이트 라인(GLn)에 포함되는 서브픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn)를 한번에 인가받을 수 있다. 즉 유기발광표시장치(100)가 UHD 해상도(3840 X 2160 픽셀)인 경우, 보상부(420)는 게이트 라인(GL) 단위로 2160회 초기 보상데이터(ICD1 ~ ICD2160)를 전달받을 수 있다.The
이때, 보상부(420)는 현재 스캔 신호가 인가되는 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 기준 전압 라인(RVL)을 통해 센싱하고, 제1 메모리부(810)로부터 이전 인가된 대응하는 초기 보상데이터(ICDn)를 이용하여 보상값(CPVn)을 연산하는 동안, 다음 게이트 라인(GLn+1)에 상의 다수의 각 서브픽셀에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn+1)를 전달받을 수 있다.At this time, the
즉 현재 선택된 게이트 라인(GLn)에 대한 센싱 및 보상값 연산을 수행하는 동안, 다음 선택될 게이트 라인(GLn+1) 상의 다수의 각 서브픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 인가받도록 한다. 이는 초기 보상데이터(ICD)가 제1 메모리부(810)로부터 보상부(420)로 전송되는 시간으로 인해 온-센싱 프로세스의 시간이 증가되는 것을 줄이기 위함이다.(ICDn + 1) for each of a plurality of respective subpixels on the next selected gate
한편 본 발명에서는 제1 메모리부(810)와 제2 메모리부(820)는 서로 상이한 데이터 전송속도를 갖는 메모리이며, 여기서는 제2 메모리부(820)의 데이터 전송속도가 제1 메모리부(810)의 데이터 전송속도보다 빠른 것으로 가정한다.In the present invention, the
상기한 바와 같이, 제1 메모리부(810)는 비휘발성 메모리이고, 제2 메모리(820)는 휘발성 메모리일 수 있다. 제2 메모리부(820)가 휘발성 메모리인 경우, 유기발광표시장치(100)의 전원이 차단되면 저장된 데이터가 소멸되기 때문에 보상부(420)는 온-센싱 프로세스 수행 시에 제2 메모리부(820)보다 데이터 전송속도가 느리지만 데이터가 소멸되지 않은 제1 메모리부(810)에 저장된 초기 보상데이터(ICD)를 인가받아 보상값(CPV)을 연산한다.As described above, the
그리고 보상부(420)는 연산된 보상값(CPVn)을 제2 메모리부(820)에 저장하고, 이후, 제2 메모리부(820)에 저장된 보상값(CPVn)을 이용하여 특성치 보상 프로세스 수행한다. 이때 보상부(420)는 보상값(CPVn)을 제2 메모리부(820)에 저장할 수 있다. 경우에 따라서 보상부(420)는 센싱데이터(SDn)도 제2 메모리부(820)로 전송하여 저장할 수 있다.The
온-센싱 프로세스가 완료된 이후에는, 제2 메모리부(820)에 보상값(CPVn)이 저장된 상태이므로, 보상부(420)는 제1 메모리부(810)보다 데이터 전송속도가 빠른 제2 메모리부(820)를 이용하여 특성치 보상 프로세스를 수행한다. 즉 디스플레이 구동 중에서 블랭크(Blank) 시간마다 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 보상하는 실시간 센싱 프로세스 수행 시간을 절감할 수 있도록 한다.Since the compensation value CPVn is stored in the
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 온-센싱 프로세스 시에 컨트롤러(140)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 구체적으로 나타낸 도면이고, 도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 상세히 나타낸 타이밍도이다.10 is a diagram specifically showing a data transmission path between the
도 10을 참조하면, 컨트롤러(140)는 MCU(1010), 보상부(420), 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2) 및 데이터버스(1020)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10, the
제1 연결부(PDC1)는 MCU(1010)의 제어에 따라 컨트롤러(140)와 제1 메모리부(810) 사이에 전송되는 데이터를 변환하고 데이터 전달 경로를 제어할 수 있다. 그리고 제2 연결부(PDC2)는 MCU(1010)의 제어에 따라 컨트롤러(140)와 제2 메모리부(820) 사이에 전송되는 데이터를 변환하고 데이터 전달 경로를 제어할 수 있다. 즉 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2)는 MCU(1010)의 제어에 따라 각각 컨트롤러(140)와 제1 메모리부(810) 및 제2 메모리부(820) 사이의 데이터 통신을 제어한다.The first connection unit PDC1 can convert data transferred between the
데이터버스(1020)는 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2) 사이에 데이터 전송 경로를 제공하며, MCU(1010)는 보상부(420)와 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2) 및 데이터버스(1020)를 제어할 수 있다.The
여기서 제1 및 제2 메모리부(810, 820)와 데이터버스(1020) 사이에서 데이터를 전달하는 연결부가 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2)로 구분되는 것은 제1 및 제2 메모리부(810, 820)가 서로 다른 타입의 메모리이기 때문이다.Here, the connection part for transferring data between the first and
일예로 제1 메모리부(810)가 적어도 하나의 NAND 플래시 메모리로 구현되는 경우, 제1 연결부(PDC1)는 NAND 플래시 메모리의 기설정된 페이지(Page) 단위로 초기 보상데이터(ICD)를 인가받고, 인가된 초기 보상데이터(ICD)를 기설정된 보상 단위, 여기서는 게이트 라인(GL)에 대응하는 단위로 보상부(420)로 전송할 수 있다. 여기서 NAND 플래시 메모리의 페이지의 크기(일예로 512B ~16KB)는 다양하게 설정될 수 있다.For example, when the
그리고 제1 메모리부(810)가 다수의 제1 메모리를 구비하는 경우, 제1 연결부(PDC1)는 다수의 제1 메모리와 병렬데이터 송수신을 수행할 수 있다. 즉 다수의 제1 메모리가 동시에 제1 연결부(PDC1)와 데이터 전송을 수행할 수 있다.If the
또한 제2 메모리부(820)는 제1 메모리에 비해 상대적으로 고속데이터 전송이 가능한 다수의 제2 메모리를 구비할 수 있다. 그리고 제2 연결부(PDC2)는 다수의 제2 메모리와 병렬로 데이터 송수신을 수행할 수 있다.Also, the
한편 도 10에 도시된 바와 같이, 데이터버스(1020)는 제1 및 제2 연결부(PDC1, PDC2)에 각각 대응하여 서로 다른 경로로 보상부(420)로 데이터를 전송하거나 수신하도록 구성될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 10, the
한편 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 또는 컨트롤러(140)에는 별도의 메모리를 더 포함될 수 있다. 또한 타이밍 컨트롤러가 더 포함될 수 있다.On the other hand, the control printed circuit board (CPCB) or the
도 10을 참조하여 도 11에 도시된 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 설명하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 파워 온 신호가 발생하면, 메인 파워 관리 회로(850)로부터 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)으로 구동 전압(VDD)이 인가되어, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)의 구성 요소를 활성화하는 컨트롤러 부팅 구간(CBP)이 시작된다.11, when the power-on signal is generated, the organic light emitting
컨트롤러 부팅 구간(CBP)에서 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 상의 컨트롤러(140), 파워 관리 집적회로(830), 제1 및 제2 메모리부(810, 820)가 인가된 구동 전압(VDD)에 응답하여 활성화된다.The
그리고 구동 전압(VDD)이 인가된 컨트롤러(140)는 컨트롤러 부팅 구간(CBP)을 시작한다. 컨트롤러 부팅 구간(CBP)은 펌웨어 부팅 구간(FWP) 및 부트 설정 구간(BCP)을 포함할 수 있다.The
펌웨어 부팅 구간(FWP)에서는 컨트롤러(140)의 MCU(1010)가 기지정된 펌웨어(Firm Ware)를 로딩하여 펌웨어 부팅(FW Boot)을 수행할 수 있다. 펌웨어 부팅 구간(FWP) 이후, 부트 설정 구간(BCP)에서 MCU(1010)는 컨트롤러(140) 내의 구성 요소에 대해 미리 저장된 컨트롤러 파라미터를 로딩할 수 있다. 즉 컨트롤러 파라미터에 의해 지정된 설정값에 따라 컨트롤러(140) 내의 구성 요소를 초기 설정할 수 있다.In the firmware boot interval FWP, the
이때 펌웨어와 컨트롤러 파라미터는 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 또는 컨트롤러(140)에 별도로 구비되는 비휘발성 메모리 등에 저장될 수 있다.At this time, the firmware and controller parameters may be stored in a non-volatile memory or the like separately provided in the control printed circuit board (CPCB) or the
일예로 펌웨어 및 컨트롤러 파라미터는 컨트롤러(140) 또는 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 실장되는 ROM 또는 EEPROM 등에 미리 저장될 수 있다.For example, the firmware and controller parameters may be pre-stored in a
그리고 컨트롤러 부팅 구간(CBP)은 설정 마진 구간(SMP)을 더 포함할 수 있다. 즉 컨트롤러(140)는 펌웨어 부팅 작업과 설정값 적용 작업이 완료된 이후에 곧바로 표시패널(110)로 패널 구동 전압(EVDD)을 인가하지 않고, 설정 마진 구간(SMP) 이후에 패널 구동 전압(EVDD)이 표시패널(110)로 인가되도록 파워 관리 집적회로(830)를 제어할 수 있다. 설정 마진 구간(SMP)은 컨트롤러 부팅 구간(CBP)에 필수적인 시간은 아니지만, 이후 컨트롤러의 다양한 구동 초기 작업의 추가를 위해 지정되는 시간 구간이다.The controller boot interval (CBP) may further include a set margin interval (SMP). That is, the
여기서 펌웨어 부팅 구간(FWP) 및 부트 설정 구간(BCP)은 일예로 각각 141ms와 184ms 가 소요될 수 있다. 그리고 설정 마진 구간(SMP)으로 500ms로 설정된 것으로 가정하면, 컨트롤러 부팅 구간(CBP)은 총 825ms 가 소요된다.Here, for example, the firmware boot interval (FWP) and the boot setting interval (BCP) may take 141 ms and 184 ms, respectively. Assuming that the set margin interval (SMP) is set to 500 ms, the controller boot interval (CBP) takes a total of 825 ms.
한편 컨트롤러 부팅 구간(CBP) 이후, 컨트롤러(140)는 파워 관리 집적회로(830)를 제어하여 메인 파워 관리 회로(850)에서 인가되는 패널 구동 전압(EVDD)이 표시패널(110)로 인가되도록 하여 패널 센싱 구간(PSP)를 시작한다.After the controller booting period CBP, the
패널 센싱 구간(PSP)에서 컨트롤러(140)는 패널 구동 전압(EVDD)이 표시패널(110)로 인가되는 즉시 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 온-센싱 프로세스를 수행하도록 구성될 수도 있다. 그러나 도 11에 도시된 바와 같이, 온-센싱 프로세스를 수행하기 이전, 표시패널(110)에 대한 번트 센싱 과정을 수행할 수 있다.The
번트 센싱은 패널의 크랙 또는 패널로 전원이 정상적으로 공급되지 않는 등의 이유로 표시패널이 타버리는 번트 현상을 감지하는 과정으로, 패널의 이상 유무에 관한 정보를 나타내는 에러 감지 신호를 출력하는 과정이다. 에러 감지 신호는 메인 파워 관리 회로(850)로 출력되어 패널 번트 현상을 방지할 수 있다.Burnt sensing is a process of detecting a burst phenomenon in which a display panel is burned due to a reason such as a power failure being normally supplied to a crack or a panel of a panel, and it is a process of outputting an error detection signal indicating information on abnormality of the panel. The error detection signal is output to the main
번트 센싱 과정은 다양한 방식으로 진행 될 수 있으나, 일예로 컨트롤러(140) 또는 파워 관리 집적회로(410)가 각 서브픽셀(SP)에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및/또는 이동도, 표시패널(110)에 인가되는 턴-온 레벨 게이트 전압(VGH) 및/또는 턴-오프 레벨 게이트 전압(VGL)에 의한 전류의 센싱 결과를 토대로 비정상 상황을 감지하여 에러 감지 신호를 메인 파워 관리 회로(850)로 출력하는 방식으로 수행될 수 있다. 메인 파워 관리 회로(850)는 에러 감지 신호가 인가되면, 표시패널(110)에 인가될 전원(EVDD)의 공급을 차단할 수 있다. 이러한 파워 공급 차단에 의해 표시패널(110)가 타버리는 패널 번트 현상을 방지할 수 있다.For example, the
번트 센싱 과정을 온-센싱 프로세스보다 먼저 수행하는 것은 온-센싱 프로세스에 의해 번트 현상이 더 심화될 수 있기 때문이다. 여기서는 일예로 번트 센싱 과정에 소요되는 번트 센싱 구간(BSP)이 442ms인 것으로 가정하였다.The reason for performing the bunt sensing process before the on-sensing process is that the bunt phenomenon can be further intensified by the on-sensing process. In this example, it is assumed that the burst sensing interval (BSP) required for the burst sensing process is 442 ms.
번트 센싱 과정을 수행한 이후, 컨트롤러(140)의 보상부(420)는 온-센싱 프로세스를 수행한다. 상기한 바와 같이, 온-센싱 프로세스 시에 보상부(420)는 복수개의 게이트 라인 중 선택된 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 서브 픽셀에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱한 센싱데이터(SDn)를 수신한다. 그리고 제1 메모리부(810)로부터 이전 전송된 초기 보상데이터(ICDn)를 이용하여 센싱데이터(SDn)에 대한 보상값(CPVn)를 연산하고, 연산된 보상값(CPVn)을 데이터버스(1020)를 통해 제2 연결부(PDC2)로 전송한다.After performing the bunt sensing process, the
기준전압 라인(RVL)이 서브픽셀 열마다 1개씩 배치되어 있고, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성되어 있다면, 도 11에 도시된 바와 같이, 보상부(420)는 선택된 게이트 라인(GLn)에 대해서 서브픽셀의 개수에 대응하여 4번의 센싱 및 데이터 전송 과정을 수행해야 한다.If one reference voltage line RVL is arranged for each subpixel column and one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel) As shown in the figure, the
즉 선택된 게이트 라인(GLn) 각각에 대해 4번의 보상값 연산 과정을 수행한다. 각 서브픽셀에 대해 센싱데이터(SDn)를 인가받아 보상값(CPVn)을 연산하는 시간(SSP)이 400μsec경우, 선택된 게이트 라인(GLn)의 모든 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하기 위해 소요되는 시간(ST)은 SSP * 4 = 1600μsec이다.That is, the compensation value calculation process is performed four times for each of the selected gate lines GLn. In order to calculate the compensation value CPVn for all the subpixels of the selected gate line GLn when the time SSP for applying the sensing data SDn to each subpixel and calculating the compensation value CPVn is 400 mu sec, The time (ST) required is SSP * 4 = 1600 sec.
그리고 선택된 게이트 라인(GLn)에 대한 보상값(CPVn)을 전송받은 제2 연결부(PDC2)는 전송된 보상값(CPVn)을 제2 메모리부(820)로 전송하여 저장한다. 다만 제2 연결부(PDC2)와 제2 메모리부(820) 사이의 데이터 전송은 보상부(420)와 별도의 동작이므로 온-센싱 프로세스의 시간에는 포함되지 않는다.The second connection unit PDC2 receiving the compensation value CPVn for the selected gate line GLn transfers the transferred compensation value CPVn to the
한편 제1 메모리부(810)가 2개의 제1 메모리를 갖고, 2개의 제1 메모리 각각이 최대 215MB/sec의 데이터 전송 속도를 가지며, 다음 게이트 라인(GLn+1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn+1)의 데이터량이 128KB인 경우를 가정하면, 보상부(420)가 제1 메모리부(810)로부터 초기 보상데이터(ICDn+1)를 수신하기 위해 필요한 시간(RT1)은 대략 3000μsec이다.On the other hand, when the
즉 보상부(420)가 제1 메모리부(810)로부터 초기 보상데이터(ICDn+1)가 리드(Read)하기 위해 소요되는 시간(RT1)은 보상부(420)가 선택된 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하기 위해 소요되는 시간(ST)보다 길다. 그러나 보상부(420)는 선택된 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하는 동안, 제1 메모리부(810)로부터 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 수신한다. 즉 초기 보상데이터(ICDn+1)를 인가받기 위해 소요되는 시간(RT1)이 보상값(CPVn)을 연산하는 시간(ST)과 중첩되도록 한다. 따라서 온-센싱 프로세스를 수행하는 시간(OSP)을 크게 줄일 수 있다.That is, the time RT1 required for the
여기서 보상부(420)는 제1 게이트 라인(GL1)에 대한 초기 보상데이터(ICD1)를 온-센싱 프로세스 구간 이전, 설정 마진 구간(SMP) 또는 번트 센싱 구간(BSP)에 수신할 수 있다. 또한 도시하지 않았으나, 제1 메모리부(810)에는 보상부(420)에 기지정된 설정값을 적용하기 위한 보상부 파라미터가 더 저장될 수 있으며, 보상부 파라미터 또한 설정 마진 구간(SMP) 또는 번트 센싱 구간(BSP)에 제1 메모리부(810)에서 보상부(420)로 전송될 수 있다.Here, the
도 12는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 온-센싱 프로세스 수행 시 보상부(420)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 개념적으로 나타낸다.12 conceptually illustrates a data transmission path between the
도 12에 따른 보상부(420)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 도 9와 비교하면, 도 9에서는 보상부(420)가 제1 메모리부(810)로부터 게이트 라인(GL) 단위로 초기 보상데이터(ICDn)를 수신하도록 구성된 반면, 도 12에서는 메모리 제어부(1210)의 제어 하에 제1 메모리부(810)로부터 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)로 전송된다. 그리고 제2 메모리부(820)에 저장된 초기 보상데이터(ICD)는 기설정된 보상단위(여기서는 게이트 라인(GL)에 대응하는 단위)로 보상부(420)로 전달된다.9, the compensating
여기서 메모리 제어부(1210)는 이하의 도 13에 도시되는 MCU(1310)에 포함될 수 있다.Here, the
도 12에서는 데이터 전송 경로의 개념을 설명하기 위해 초기 보상데이터(ICD)가 제1 메모리부(810)로부터 제2 메모리부(820)로 직접 전송되는 것으로 도시하였으나, 제1 메모리부(810)에서 전송되는 초기 보상데이터(ICD)는 도 13에 도시된 바와 같이, 컨트롤러(140)를 통해서 제2 메모리부(820)로 전송되도록 구성될 수 있다.12 shows that the initial compensation data ICD is directly transferred from the
도 9 내지 도 11에서 설명한 온-센싱 프로세스에서는 보상부(420)가 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하고 보상값(CPVn)을 연산하는 동안, 다음 게이트 라인(GLn+1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn+1)가 전송되도록 함으로써, 온-센싱 프로세스를 수행하는 시간을 줄였다. 즉 파워 온 신호 발생 이후, 표시패널(110)에 최초로 영상이 표출될 때까지의 시간을 줄였다. 여기서 파워 온 신호 발생 이후, 표시패널(110)에 최초로 영상이 표출될 때까지 수행되는 작업을 온 시퀀스(On Sequence)라고 하며, 온 시퀀스에 소요되는 시간을 유기발광표시장치(100)의 사용자 응답 시간이라 한다.In the on-sensing process described with reference to FIGS. 9 to 11, while the compensating
그럼에도 제1 메모리부(810)로부터 보상부(420)로 초기 보상데이터(ICDn+1)가 전송되는 시간(RT1)은 보상부(420)가 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하고 보상값(CPVn)을 연산하는 시간(ST)보다 길다. 따라서 보상부(420)는 보상값을 연산한 이후, 초기 보상데이터(ICDn+1)가 전송 완료될 때까지 대기시간(WT = RT - ST)만큼 대기해야 한다.The time RT1 at which the initial compensation data ICDn + 1 is transferred from the
특히 1개의 픽셀이 3개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성되어 있다면, 보상값(CPVn)을 연산하는 시간(ST)이 더 짧아지게 되어, 상대적으로 대기시간(WT)은 더욱 길어지게 된다.In particular, if one pixel is composed of three subpixels (red subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the time ST for calculating the compensation value CPVn becomes shorter, WT) becomes longer.
이러한 보상부(420)의 동작에서 대기시간(WT)은 불필요한 시간이며, 표시패널(110)의 게이트 라인(GLn) 수(해상도)만큼 누적되어 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 길이를 증가시킨다. 따라서 온-센싱 프로세스 구간(OSP)에서 대기시간(WT)은 가급적 제거되어야 한다.The waiting time WT is an unnecessary time in the operation of the
한편 도 12에서는 제1 메모리부(810)에 저장된 전체 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송하여 저장한다. 그리고 보상부(420)는 제1 메모리부(810)보다 데이터 전송 속도가 빠른 제2 메모리부(820)로부터 기설정된 보상 단위로 초기 보상데이터(ICDn)를 수신하도록 구성된다.12, the entire initial compensation data (ICD) stored in the
이때, 보상부(420)가 선택된 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 서브 픽셀에 대한 센싱 및 보상값 연산을 수행하는 기간(ST)은 도 11에서와 동일하다. 그러므로 보상부(420)는 센싱 및 보상값 연산하는 시간(ST)동안, 데이터 전송 속도가 빠른 제2 메모리부(820)로부터 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 수신 완료할 수 있다. 즉 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 인가받는 시간(RT2)이 보상값 연산하는 시간(ST)보다 짧기(RT2 < ST) 때문에, 대기시간(WT)이 제거될 수 있다.The period ST during which the
상기와 같이 제2 메모리부(820)가 적어도 하나의 DDR SDRAM으로 구성되는 것으로 가정할 때, 보상부(420)가 제2 메모리부(820)로부터 게이트 라인(GL)에 대응하는 단위의 초기 보상데이터(ICDn)을 인가받기 위한 시간(RT2)은 1개의 서브 픽셀(도 14에서는 적색 서브 픽셀)에 대한 센싱 및 보상값 연산하는 시간(SSP)보다도 짧게 나타날 수 있다(RT2 < SSP).Assuming that the
다만 제1 메모리부(810)로부터 제2 메모리부(820)로 전체 초기 보상데이터(ICD)를 전송하는 전체 초기 보상데이터 전송 시간(ICDT)이 추가로 발생할 수 있다. 그러나 추가된 전체 초기 보상데이터 전송 시간(ICDT)이 도 11에서의 대기시간(WT) * 게이트 라인(GLn) 수(해상도) 보다 짧다면, 결과적으로 온-센싱 프로세스 구간(OSP)을 줄일 수 있다. 즉 파워 온 신호 발생 이후, 더 빠르게 영상을 표시할 수 있다.However, the entire initial compensation data transfer time (ICDT) for transferring the entire initial compensation data (ICD) from the
특히 제1 메모리부(810)로부터 제2 메모리부(820)로의 초기 보상데이터(ICD)를 전송하는 시점을 온-센싱 프로세스 구간(OSP)이 아닌 컨트롤 부트 구간(CBP) 또는 번트 센싱 구간(BSP)부터 시작되도록 구성하는 경우, 온-센싱 프로세스 구간(OSP)을 더욱 줄일 수 있다.A control boot interval CBP or a burst sensing interval BSP may be used as a starting point for transmitting the initial compensation data ICD from the
도 13은 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 온-센싱 프로세스 시에 컨트롤러(140)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 구체적으로 나타낸 도면이고, 도 14는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 초기 구동 과정을 상세히 나타낸 타이밍도이다.13 is a diagram specifically illustrating a data transmission path between the
도 13에서 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB) 또는 컨트롤러(140)의 구성은 도 10과 동일하므로 여기서는 별도로 설명하지 않는다.13, the configuration of the control printed circuit board (CPCB) or the
그러나 도 13에서 컨트롤러(140)와 메모리부(430) 사이의 데이터 전송 경로를 도 10의 데이터 전송 경로와 비교하면, 도 13에서는 제1 메모리부(810)가 메모리 제어부(1210)의 제어에 따라 제1 연결부(PDC1)로 게이트 라인(GL)에 대응하는 단위의 초기 보상데이터(ICDn)를 전송하지 않고, 전체 초기 보상데이터(ICD)를 전송한다. 여기서 메모리 제어부(1210)는 MCU(1310)에 포함된 것으로 가정하여 별도로 도시하지 않았다.13, the
한편 MCU(1310)의 제어 하에, 제1 연결부(PDC1)는 인가된 초기 보상데이터(ICD)를 데이터버스(1020)를 경유하여 제2 연결부(PDC2)로 전달하고, 제2 연결부(PDC2)는 초기 보상데이터(ICD)를 다시 제2 메모리(820)로 전달하여 저장한다.On the other hand, under the control of the
특히 도 14를 참조하면, 제1 메모리부(810)는 펌웨어 부팅 구간(FWP) 이후 부트 설정 구간(BCP)에 컨트롤러(140)를 통해 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송하기 시작한다. 이는 상기한 바와 같이, 제1 메모리부(810)로부터 제2 메모리부(820)로 초기 보상데이터(ICD)를 전송하는 시간을 컨트롤 부트 구간(CBP) 및 번트 센싱 구간(BSP)과 중첩되도록 하여, 온-센싱 프로세스 구간(OSP)을 줄이기 위함이다.14, the
다만 보상부(420)의 초기 설정하기 위한 보상부 파라미터(LParam)가 제1 메모리부(810)에 더 저장된 경우, 보상부 파라미터(LParam)는 초기 보상데이터(ICD)보다 먼저 보상부(420)로 전송될 필요가 있다.If the compensation parameter LParam for initial setting of the
도 11에서는 게이트 라인에 대응하는 단위로 초기 보상데이터(ICDn)를 전송한다. 그리고 보상부 파라미터(LParam)는 설정 마진 구간(SMP) 또는 번트 센싱 구간(BSP)에 전송될 수 있다. 따라서 보상부 파라미터(LParam)가 전송 시간이 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 길이에 영향을 미치지 않기 때문에 별도로 도시하지 않았다.11, the initial compensation data ICDn is transferred in units corresponding to the gate lines. And the compensation part parameter (LParam) may be transmitted to the set margin section (SMP) or the bunt sensing section (BSP). Therefore, the compensating unit parameter LParam is not separately shown because the transmission time does not affect the length of the on-sensing process interval (OSP).
그러나 전체 초기 보상데이터(ICDn)를 전송하는 도 14의 실시예에서는 초기 보상데이터(ICDn)보다 우선 전송되는 보상부 파라미터(LParam)의 전송 시간(LPT)이 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 길이에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 보상부 파라미터(LParam)의 시간이 함께 고려되는 것이 바람직하며, 이에 도 14에서는 보상부 파라미터(LParam)가 초기 보상데이터(ICD)보다 먼저 제2 메모리부(820)로 전송되는 것을 명시적으로 도시하였다.However, in the embodiment of FIG. 14 in which the entire initial compensation data ICDn is transmitted, the transmission time LPT of the compensating part parameter LParam transmitted prior to the initial compensation data ICDn is shorter than the length of the on- . ≪ / RTI > Therefore, it is preferable that the time of the compensation part parameter (LParam) is considered together, and in FIG. 14, it is explicitly indicated that the compensation part parameter (LParam) is transferred to the second memory part (820) before the initial compensation data Respectively.
다만 보상부 파라미터(LParam)의 데이터량은 일반적으로 전체 초기 보상데이터(ICDn)에 비해 매우 적다. 일예로 보상부 파라미터(LParam)의 데이터량은 특정 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn)의 12배 수준의 데이터량을 가질 수 있다. 표시패널(110)의 게이트 라인(GL) 수가 2160인 UHD 해상도를 고려할 때, 보상부 파라미터(LParam)의 데이터량은 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 길이에 큰 영향을 미치지는 않는다.However, the data amount of the compensation parameter (LParam) is generally very small compared to the total initial compensation data (ICDn). For example, the data amount of the compensation sub-parameter (LParam) may have a data amount of 12 times the initial compensation data (ICDn) for the subpixel of the specific gate line GLn. Considering the UHD resolution with the number of gate lines GL of the
도 11에서 설명한 바와 같이, 부트 설정 구간(BCP)에서 184ms가 소요되고, 설정 마진 구간(SMP)이 500ms로 설정되며, 번트 센싱 구간(BSP)이 442ms인 경우, 보상부 파라미터(LParam)를 전송하는 보상부 파라미터 전송 시간(LPT)이 대략 7.3ms이라면, 보상부 파라미터(LParam)는 부트 설정 구간(BCP)의 초기에 제2 메모리부(820)로 전송 완료된다.The compensation section parameter LParam is transmitted when 184 ms is required in the boot setting interval BCP, the setting margin interval SMP is set to 500 ms, and the burst sensing interval BSP is 442 ms, as described in FIG. The compensating subparameter LParam is transferred to the
한편 제1 메모리(810)는 메모리 제어부(1210)의 제어에 따라 보상부 파라미터(LParam)를 전송한 후, 연속하여 전체 초기 보상데이터(ICDn)를 제2 메모리(820)로 전송한다.Meanwhile, the
특정 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn)를 보상부(420)로 전송하는 도 11에서와 달리, 도 14에서는 제1 메모리부(810)가 전체 초기 보상데이터(ICDn)를 제2 메모리부(820)로 일괄 전송하므로, 전체 초기 보상데이터 전송 구간(ICDT)의 길이는 짧지 않다.Unlike in FIG. 11, in which the initial compensation data ICDn for a subpixel of a specific gate line GLn is transferred to the
특히 도 14에 도시된 바와 같이, 전체 초기 보상데이터 전송 시간(ICDT)이 부트 설정 구간(BCP), 설정 마진 구간(SMP) 및 번트 센싱 구간(BSP)의 합보다 길어질 수도 있다.(ICDT > (BCP + SMP + BSP))14, the total initial compensation data transfer time (ICDT) may be longer than the sum of the boot setting interval (BCP), the set margin interval (SMP), and the burst sensing interval (BSP). BCP + SMP + BSP))
이 경우, 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)에 저장 완료된 이후, 보상부(420)가 제2 메모리부(820)로부터 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn)를 수신한다면, 패널 구동까지의 시간이 지연되게 된다.In this case, after the entire initial compensation data ICD is stored in the
특히 설정 마진 구간(SMP) 및 번트 센싱 구간(BSP)의 길이가 짧아지거나 생략되면, 전체 초기 보상데이터 전송 시간(ICDT)에 의한 패널 구동 지연은 더욱 크게 나타나게 된다.In particular, when the lengths of the set margin section (SMP) and the bun sensing section (BSP) are shortened or omitted, the panel initialization delay time due to the entire initial compensation data transmission time (ICDT) becomes larger.
이에 패널 구동 지연을 줄이기 위해 보상부(420)는 제1 메모리부(810)로부터 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)로 전송되는 동안, 제2 메모리부(820)에 먼저 저장된 일부 초기 보상데이터(ICD)를 수신하여 온-센싱 프로세스를 수행할 수 있도록 구성될 수 있다.In order to reduce the panel drive delay, the compensating
상기한 바와 같이, 보상부 파라미터(LParam)는 부트 설정 구간(BCP)의 초기에 제2 메모리부(820)로 전송 완료될 수 있으며, 이후 연속하여 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)로 전송되기 시작한다. 따라서 부트 설정 구간(BCP)이 종료되는 시점에 이미 일부 초기 보상데이터(ICD)가 저장되어 있으며, 보상부(420)는 제2 메모리부(820)에 저장된 초기 보상데이터(ICD)를 수신하여 온-센싱 프로세스를 시작할 수 있다.As described above, the compensating unit parameter LParam can be transferred to the
다만 제1 메모리부(810)로부터 전송되는 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송하면서 동시에, 제2 메모리부(820)에 이미 저장된 초기 보상데이터(ICD)를 다시 보상부(420)로 전송하는 경우, 컨트롤러(140)내의 데이터버스(1020)에서 경로가 중첩됨으로 인해 오류가 발생하거나, 보상부(420)로 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn)를 전송하지 못하는 경우가 발생할 수 있다. 또한 보상부(420)에서 연산된 보상값(CPVn)을 제2 메모리부(820)에 저장하지 못하는 경우가 발생할 수 있다.The initial compensation data ICD transmitted from the
이에 컨트롤러(140)의 MCU(1310)는 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 메모리부(820)로부터 전송되는 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn)가 데이터버스(1020)에서 보상부(420)로의 데이터 전송 경로를 제2 연결부(PDC2)에 대응하는 경로가 아닌 제1 연결부(PDC1)에 대응하는 경로를 통해 전송되도록 제어하여, 데이터버스(1020)에서 경로 중첩에 의한 전송 지연을 방지할 수 있다.14, the
그리고 도 14에서도 보상부(420)는 선택된 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하는 동안, 제2 메모리부(820)로부터 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 수신한다. 즉 초기 보상데이터(ICDn+1)를 인가받기 위해 소요되는 시간(RT2)이 보상값(CPVn)을 연산하는 시간(ST)과 중첩되도록 한다. 따라서 온-센싱 프로세스를 수행하는 시간(OSP)을 줄일 수 있다.14, the compensating
도 14에서는 설명의 편의를 위하여 제2 연결부(PDC2)가 단일 구성 요소인 것으로 도시였다. 그러나 제2 연결부(PDC2)는 일반적으로 제2 메모리부(820)에 구비되는 다수의 제2 메모리와 병렬데이터 통신이 가능하도록 구성된다. 따라서 제2 연결부(PDC2)로 전체 초기 보상데이터(ICD)와 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn) 및 보상부(420)에서 연산된 보상값(CPVn)이 동시에 입출력되고 있으나, 데이터 전송에 대한 장애가 발생하지 않는다.In Fig. 14, the second connection portion PDC2 is shown as a single component for convenience of explanation. However, the second connection unit PDC2 is generally configured to enable parallel data communication with a plurality of second memories provided in the
즉 제2 메모리부(820)는 제1 메모리부(810)로부터 전체 초기 보상데이터(ICD)를 전송받아 저장하는 동안, 보상부(420)로 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn)를 전송하고, 보상부(420)에서 연산된 보상값(CPVn)을 수신하여 저장할 수 있다.The
이때 제2 메모리부(820)에서 보상부(420)에서 연산된 보상값(CPVn)과 특정 게이트 라인(GLn)에 대한 초기 보상데이터(ICDn)가 동일한 제2 메모리에 저장되도록 설정된 경우, 보상값 저장 시간(WRT)이 온-센싱 프로세스 구간(OSP)에 추가될 수 있다.In this case, when the compensation value CPVn calculated in the
그러나 보상값(CPVn)의 데이터량을 매우 작기 때문에 보상값 저장 시간(WRT)이 온-센싱 프로세스 구간(OSP)에 미치는 영향은 무시할 수 있는 수준이다. 또한 보상값(CPVn)과 초기 보상데이터(ICDn)가 서로 다른 제2 메모리에 저장되는 경우, 보상값 저장 시간(WRT)은 온-센싱 프로세스 구간(OSP)에 영향을 미치지 않는다.However, since the data amount of the compensation value CPVn is very small, the influence of the compensation value storage time WRT on the on-sensing process interval OSP is negligible. Also, when the compensation value CPVn and the initial compensation data ICDn are stored in a second memory different from each other, the compensation value storage time WRT does not affect the on-sensing process interval OSP.
결과적으로 전체 초기 보상데이터 전송 시간(ICDT)이 온-센싱 프로세스 구간(OSP)에 영향을 미치지 않고, 패널 구동 지연이 발생하지 않는다. 따라서 온-센싱 프로세스 구간(OSP)을 줄일 수 있고, 유기발광표시장치(100)에 파워 온 신호가 인가된 이후 빠른 시간 내에 패널을 구동하여 영상을 출력할 수 있어, 사용자 응답성을 개선할 수 있다.As a result, the entire initial compensation data transfer time (ICDT) does not affect the on-sensing process interval (OSP) and panel drive delay does not occur. Accordingly, it is possible to reduce the on-sensing process interval (OSP) and to output the image by driving the panel within a short time after the power-on signal is applied to the
다시 말해 파워 온 신호의 발생에 따라 우선 제1 메모리부(810)에 미리 저장된 초기 보상데이터(ICD)가 제1 연결부(PDC1), 데이터버스(1020) 및 제2 연결부(PDC2)를 경유하여 제2 메모리부(820)로 전송되고, 제2 메모리부(820)에 저장된 초기 보상데이터(ICDn)가 보상부(420)로 출력된다. In other words, according to the generation of the power-on signal, the initial compensation data ICD stored in the
상기에서는 보상부(420)가 선택된 게이트 라인(GLn) 상의 다수의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하는 동안, 제1 메모리부(810)로부터 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 수신하는 제1 실시예와 제1 메모리부(810)에 저장된 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)로 전송되어 저장되고, 보상부(420)는 제2 메모리부(820)로부터 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)의 서브 픽셀에 대한 초기 보상데이터(ICDn+1)를 읽어오는 제2 실시예를 각각 구분하여 설명하였다.While the
그러나 본 발명에 따른 유기발광표시장치는 제1 및 제2 실시예가 모두 이용할 수 있도록 구성될 수 있다. 일예로 메모리 제어부(1210)을 포함하는 MCU(1010, 1310)로 로딩되는 펌웨어에는 제1 실시예 또는 제2 실시예 중 하나가 선택되도록 플래그가 저장될 수 있다. MCU(1010, 1310)는 펌웨어에 저장된 플래그가 제1 값이면 제2 실시예로 온-센싱 프로세스를 수행하고, 제2 값이면 제1 실시예로 온-센싱 프로세스를 수행하도록 구성될 수 있다.However, the organic light emitting diode display according to the present invention can be configured to use both the first and second embodiments. For example, the firmware loaded into the
그리고 플래그가 저장되지 않은 경우에도 제1 실시예 또는 제2 실시예 중 하나가 선택되도록 미리 설정될 수 있다. 예를 들면 디폴트로 제2 실시예에 따른 온-센싱 프로세스가 수행되도록 설정될 수 있다.And even if the flag is not stored, one of the first embodiment or the second embodiment can be preset to be selected. For example, by default, the on-sensing process according to the second embodiment can be set to be performed.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법을 나타낸다.15 shows a method of driving the organic light emitting display according to the present embodiments.
도 15에 도시된 유기발광표시장치의 구동 방법을 도 11에 도시된 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 참조하여 설명하면, 우선 파워 온 신호(Power On Signal)가 발생된다(S150). 그리고 발생된 파워 온 신호에 응답하여, 구동 전압(VDD)이 메인 파워 관리 회로(850)로부터 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)으로 인가되면, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)의 컨트롤러(140)의 MCU(1010)가 기저장된 펌웨어(Firm Ware)를 로딩하여 펌웨어 부팅(FW Boot)을 수행한다(S151).The driving method of the organic light emitting display shown in FIG. 15 will be described with reference to an initial driving process of the organic light emitting display shown in FIG. 11. First, a power on signal is generated (S150). When the driving voltage VDD is applied from the main
펌웨어 부팅(FW Boot)이 완료된 MCU(1010)는 컨트롤러(140) 내의 구성 요소에 대해 미리 지정된 컨트롤러 파라미터에 따른 설정값을 적용하는 작업을 수행하는 부트 설정 작업을 수행한다(S152). The
이후 MCU(1010)는 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 실장되는 파워 관리 집적회로(830)를 통해 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되는지 여부를 판별한다(S153).Thereafter, the
패널 구동 전압(EVDD)이 인가된 것으로 판별되면, 컨트롤러(140)의 보상부(420)는 표시패널(110)의 다수의 게이트 라인(GL) 중 보상을 수행할 게이트 라인(GLn)을 선택하고, 제1 메모리부(810)로부터 전체 초기 보상데이터(ICD) 중 선택된 게이트 라인(GLn)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn)를 수신한다(S154).If it is determined that the panel driving voltage EVDD is applied, the compensating
이때 보상부(420)는 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되기 이전에 보상부(420)에 설정값을 적용하기 위한 보상부 파라미터(LParam)를 먼저 수신할 수 있다. 또한 최초 선택되는 게이트 라인(예를 들면 GL1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICD1)의 경우, 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되기 이전에 미리 수신할 수도 있다.At this time, the compensating
보상부(420)는 센싱부(410)에서 인가되는 센싱데이터와 인가된 초기 보상데이터(ICDn)를 이용하여 선택된 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하며, 동시에 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn+1)를 제1 메모리부(810)로부터 수신한다(S155). 즉 보상값(CPVn) 연산과 다음 초기 보상데이터(ICDn+1) 수신을 함께 수행함으로써, 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 길이를 줄인다.The
그리고 보상부(420)는 표시패널(110)의 모든 서브픽셀에 대한 보상값(CPVn) 연산이 완료되었는지 판별한다. 즉 온-센싱 프로세스가 완료되었는지 판별한다(S166).The
만일 온-센싱 프로세스가 완료되지 않은 것으로 판별되면, 보상부(420)는 다시 다음 선택되는 게이트 라인에 대응하는 초기 보상데이터를 제1 메모리부(810)로부터 수신한다(S155). 그러나 온-센싱 프로세스가 완료된 것으로 판별되면, 표시패널을 구동한다(S157).If it is determined that the on-sensing process is not completed, the
도 16 은 다른 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법을 나타낸다.16 shows a method of driving an organic light emitting display according to another embodiment.
도 16에 도시된 유기발광표시장치의 구동 방법을 도 14에 도시된 유기발광표시장치의 초기 구동 과정을 참조하여 설명하면, 도 15에서와 마찬가지로, 우선 파워 온 신호(Power On Signal)가 발생된다(S160). 그리고 발생된 파워 온 신호에 응답하여, 구동 전압(VDD)이 메인 파워 관리 회로(850)로부터 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)으로 인가되면, MCU(1310)가 기저장된 펌웨어(Firm Ware)를 로딩하여 펌웨어 부팅(FW Boot)을 수행한다(S161).The driving method of the organic light emitting display shown in FIG. 16 will be described with reference to an initial driving process of the organic light emitting display shown in FIG. 14. Referring to FIG. 15, a power on signal is first generated (S160). When the driving voltage VDD is applied from the main
이후 펌웨어 부팅(FW Boot)이 완료된 MCU(1310)는 컨트롤러(140) 내의 구성 요소에 대해 미리 지정된 컨트롤러 파라미터에 따른 설정값을 적용하는 부트 설정 작업을 수행한다. 다만 도 15에서와 달리 도 16의 실시예에서는 부트 설정 작업을 수행함과 동시에, MCU(1310)의 제어하에 제1 메모리부(810)가 저장된 전체 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송한다(S162). 이때, 제1 메모리부(810)는 전체 초기 보상데이터(ICD)에 앞서 보상부 파라미터(LParam)를 먼저 제2 메모리부(820)로 전송하고, 이후 연속하여 전체 초기 보상데이터(ICD)를 전송할 수 있다.The
MCU(1010)는 전체 초기 보상데이터(ICD)가 제2 메모리부(820)로 모두 전송되어 저장되지 않은 상태일지라도, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에 실장되는 파워 관리 집적회로(830)를 통해 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되는지 여부를 판별한다(S163).The
그리고 패널 구동 전압(EVDD)이 인가된 것으로 판별되면, 컨트롤러(140)의 보상부(420)는 표시패널(110)의 다수의 게이트 라인(GL) 중 보상을 수행할 게이트 라인(GLn)을 선택하고, 제2 메모리부(820)로부터 선택된 게이트 라인(GLn)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn)를 수신한다(S164).When it is determined that the panel driving voltage EVDD is applied, the compensating
보상부(420)는 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되기 이전에 제2 메모리부(820)로부터 보상부(420)에 기지정된 설정값을 적용하기 위한 보상부 파라미터(LParam)를 먼저 수신할 수 있다. 또한 최초 선택되는 게이트 라인(예를 들면 GL1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICD1)의 경우, 패널 구동 전압(EVDD)이 인가되기 이전에 미리 수신할 수도 있다.The
보상부(420)는 센싱부(410)에서 인가되는 센싱데이터와 제2 메모리부(820)에서 수신된 초기 보상데이터(ICDn)를 이용하여 선택된 게이트 라인(GLn)의 서브 픽셀에 대한 보상값(CPVn)을 연산하며, 동시에 다음 선택되는 게이트 라인(GLn+1)에 대응하는 초기 보상데이터(ICDn+1)를 제2 메모리부(820)로부터 수신한다(S165).The
그리고 보상부(420)는 표시패널(110)의 모든 서브픽셀에 대한 보상값(CPVn) 연산이 완료되었는지 판별한다. 즉 온-센싱 프로세스가 완료되었는지 판별한다(S166).The
만일 온-센싱 프로세스가 완료되지 않은 것으로 판별되면, 보상부(420)는 다시 다음 선택되는 게이트 라인에 대응하는 초기 보상데이터를 제2 메모리부(820)로부터 수신하고(S165), 온-센싱 프로세스가 완료된 것으로 판별되면, 표시패널을 구동한다(S167).If it is determined that the on-sensing process is not completed, the
도 16에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법은 도 15에 비해, 제1 메모리부(810)에 저장된 전체 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송하는 과정이 추가되지만, 제1 메모리부(810)와 제2 메모리부(820) 사이의 데이터 전송 속도 차로 인해 전체 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 시간은 오히려 감소시킬 수 있다.The driving method of the
또한 추가된 과정이 부트 설정 단계 등과 중첩되도록 함으로써, 추가된 과정에 의한 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 시간 증가를 최소화할 수 있도록 한다. 뿐만 아니라, 제2 메모리부(820)에 전체 초기 보상데이터(ICD)가 저장 완료되기 이전, 일부 초기 보상데이터(ICD)가 저장된 상태에서, 보상부(420)가 제2 메모리부(820)에 저장된 일부 초기 보상데이터(ICD)를 이용하여 보상값 연산을 수행할 수 있으므로, 실질적으로 전체 초기 보상데이터(ICD)를 제2 메모리부(820)로 전송하는 과정의 추가로 인한 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 시간 증가가 발생하지 않도록 할 수 있다.Also, the added process is overlapped with the boot setting step, thereby minimizing the time increase of the on-sensing process interval (OSP) due to the added process. In addition, the
결과적으로 보상부(420)가 데이터 고속 전속이 가능한 제2 메모리부(820)로부터 초기 보상데이터(ICDn)를 수신할 수 있어, 온-센싱 프로세스 구간(OSP)의 시간을 줄일 수 있고, 표시패널(110)의 구동 시간을 앞당길 수 있다. 즉 유기발광표시장치(100)의 사용자 응답성을 향상시킬 수 있다.As a result, the
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치
410: 센싱부
110: 표시패널
420: 보상부
120: 데이터 드라이버
430: 메모리부
130: 게이트 드라이버
810: 제1 메모리부
140: 컨트롤러
820: 제2 메모리부100: organic light emitting diode display 410:
110: display panel 420:
120: Data driver 430: Memory part
130: Gate driver 810: First memory part
140: controller 820: second memory unit
Claims (17)
상기 표시패널로부터 센싱 전압을 측정하여 상기 다수의 서브픽셀 중 적어도 하나의 서브픽셀에 대한 센싱데이터를 출력하는 센싱부;
초기 보상데이터 및 상기 센싱데이터를 수신하여, 상기 적어도 하나의 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상부를 포함하는 컨트롤러;
상기 초기 보상데이터가 미리 저장된 제1 메모리부; 및
상기 제1 메모리부와 서로 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부를 포함하고,
파워 온 신호가 발생하면,
상기 컨트롤러의 제어 하에 상기 초기 보상데이터가 상기 제1 메모리부에서 상기 제2 메모리부로 전송되고,
상기 보상부는 상기 초기 보상데이터를 상기 제2 메모리부에서 읽어가는 유기발광표시장치.A display panel on which a plurality of subpixels are arranged;
A sensing unit for measuring a sensing voltage from the display panel and outputting sensing data for at least one of the plurality of subpixels;
A compensation unit receiving the initial compensation data and the sensing data and calculating a compensation value for the at least one subpixel;
A first memory unit for storing the initial compensation data in advance; And
And a second memory unit having a transmission rate different from that of the first memory unit,
When a power-on signal is generated,
The initial compensation data is transferred from the first memory unit to the second memory unit under the control of the controller,
And the compensation unit reads the initial compensation data from the second memory unit.
상기 제2 메모리부는,
상기 제1 메모리부보다 전송 속도가 빠른 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the second memory unit comprises:
Wherein the first memory unit has a higher transmission speed than the first memory unit.
상기 컨트롤러는,
구동 전압이 인가되면, 상기 제1 메모리부에 저장된 상기 초기 보상데이터 전체를 상기 제2 메모리부로 전송시키고,
패널 구동 전압이 인가되면, 상기 제2 메모리부에 저장된 상기 초기 보상데이터를 상기 보상부로 전송시키는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The controller comprising:
When the driving voltage is applied, transfers the entire initial compensation data stored in the first memory unit to the second memory unit,
And transmits the initial compensation data stored in the second memory unit to the compensation unit when a panel driving voltage is applied.
상기 보상부는,
미리 지정된 순서에 따라 상기 다수의 서브픽셀 중 선택된 서브픽셀에 대한 상기 센싱데이터를 수신하여 상기 보상값을 연산하는 동안, 이후 선택되는 서브픽셀에 대한 초기 보상데이터를 수신하는 유기발광표시장치.The method of claim 3,
Wherein the compensation unit comprises:
And receives the initial compensation data for the selected subpixel while receiving the sensing data for a selected one of the plurality of subpixels according to a predetermined order and calculating the compensation value.
상기 초기 보상데이터가 상기 제1 메모리부에서 상기 제2 메모리부로 전송되기 전에,
보상부 파라미터가 상기 제1 메모리부에서 상기 제2 메모리부로 전송되고,
상기 보상부는 상기 초기 보상데이터를 상기 제2 메모리부에서 읽어가기 전에,
상기 보상부 파라미터를 상기 제2 메모리부에서 읽어가는 유기발광표시장치.5. The method of claim 4,
Before the initial compensation data is transferred from the first memory unit to the second memory unit,
The compensating sub-parameter is transferred from the first memory unit to the second memory unit,
Wherein the compensation unit, before reading the initial compensation data from the second memory unit,
And the compensating unit parameter is read out from the second memory unit.
상기 컨트롤러는,
상기 구동 전압이 인가되면, 기지정된 펌웨어 부팅을 수행하며, 상기 펌웨어 부팅이 수행된 이후, 상기 초기 보상데이터가 상기 제1 메모리부로부터 상기 제2 메모리부로 전송되는 동안, 기저장된 컨트롤러 파라미터를 로딩하는 유기발광표시장치.The method of claim 3,
The controller comprising:
Wherein the initialization data is loaded from the first memory unit to the second memory unit after the booting of the firmware is performed when the drive voltage is applied, Organic light emitting display.
상기 컨트롤러는,
상기 패널 구동 전압이 인가되면, 상기 제2 메모리부로터 상기 보상 데이터를 수신하기 이전에,
상기 표시패널의 이상 유무에 관한 정보를 출력하는 유기발광표시장치.The method of claim 3,
The controller comprising:
When the panel driving voltage is applied, before receiving the compensation data in the second memory unit rotor,
And outputs information about an abnormality of the display panel.
상기 컨트롤러는,
구동 전압이 인가되면 펌웨어 부팅을 수행하며,
상기 표시패널을 구동하기 위한 패널 구동 전압이 인가되면,
미리 설정된 플래그 값에 따라 상기 제1 메모리부에 저장된 상기 초기 보상데이터가 상기 보상부로 상기 제2 메모리부를 통하지 않고 전송되는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The controller comprising:
When the driving voltage is applied, the firmware is booted,
When a panel driving voltage for driving the display panel is applied,
And the initial compensation data stored in the first memory unit is transferred to the compensation unit without passing through the second memory unit according to a preset flag value.
상기 컨트롤러는
상기 제1 메모리부와 상기 컨트롤러 사이의 데이터 전송을 제어하는 제1 연결부;
상기 제2 메모리부와 상기 컨트롤러 사이의 데이터 전송을 제어하는 제2 연결부;
상기 컨트롤러 내부의 데이터 전송 경로인 데이터버스; 및
상기 보상부와 상기 제1 및 제2 연결부 및 상기 데이터버스를 제어하는 MCU를 더 포함하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The controller
A first connection unit for controlling data transfer between the first memory unit and the controller;
A second connection unit for controlling data transfer between the second memory unit and the controller;
A data bus that is a data transmission path inside the controller; And
And an MCU controlling the compensation unit, the first and second connection units, and the data bus.
상기 컨트롤러는
연산된 상기 보상값을 상기 제2 메모리부로 전송하여 저장하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The controller
And transmits the computed compensation value to the second memory unit and stores the compensation value.
상기 표시패널로부터 센싱 전압을 측정하여 센싱값을 출력하는 구동회로;
상기 센싱값을 토대로 보상값을 생성하는 컨트롤러;
초기 보상값이 미리 저장된 제1 메모리부; 및
상기 제1 메모리부와 서로 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부를 포함하고,
파워 온 신호가 발생하면, 온 시퀀스를 진행한 이후 영상이 표시되고,
상기 온 시퀀스를 진행하는 기간 동안,
상기 초기 보상값이 상기 제1 메모리부에서 상기 제2 메모리부로 전송되고,
상기 컨트롤러는 상기 초기 보상값을 상기 제2 메모리부에서 읽어가고,
상기 구동회로는 상기 표시패널의 센싱 구동 기간 동안 센싱 전압을 측정하여 센싱값을 출력하고,
상기 컨트롤러는 상기 구동회로에서 출력된 센싱값과 상기 제2 메모리부에서 읽어들인 상기 초기 보상값을 기초로 보상값을 생성하는 유기발광표시장치.A display panel on which a plurality of subpixels are arranged;
A driving circuit for measuring a sensing voltage from the display panel and outputting a sensing value;
A controller for generating a compensation value based on the sensing value;
A first memory unit for storing an initial compensation value in advance; And
And a second memory unit having a transmission rate different from that of the first memory unit,
When a power-on signal is generated, an image is displayed after the on sequence has been performed,
During the on sequence,
The initial compensation value is transferred from the first memory unit to the second memory unit,
The controller reads the initial compensation value from the second memory,
Wherein the driving circuit measures a sensing voltage during a sensing drive period of the display panel to output a sensing value,
Wherein the controller generates a compensation value based on the sensing value output from the driving circuit and the initial compensation value read from the second memory.
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와,
상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하고,
상기 센싱 전압은,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 또는 제2 노드와 전기적으로 연결 가능한 센싱 라인의 전압인 유기발광표시장치.12. The method of claim 11,
Each of the plurality of sub-
An organic light emitting diode,
A driving transistor for driving the organic light emitting diode,
A switching transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line,
And a capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor,
The sensing voltage,
Wherein the voltage of the sensing line is electrically connected to the first node or the second node of the driving transistor.
상기 표시패널의 센싱 구동 기간 동안,
적어도 하나의 서브픽셀에 대응되는 데이터 라인으로 데이터 전압이 인가되고,
이후, 상기 데이터 라인과 다른 신호 라인인 센싱 라인의 전압이 가변 될 때,
상기 구동회로는 상기 센싱 라인의 전압을 상기 센싱 전압으로서 측정하는 유기발광표시장치.12. The method of claim 11,
During the sensing drive period of the display panel,
A data voltage is applied to a data line corresponding to at least one subpixel,
Thereafter, when the voltage of the sensing line, which is a signal line different from the data line, is varied,
Wherein the driving circuit measures the voltage of the sensing line as the sensing voltage.
상기 제1 메모리부와 다른 전송 속도를 갖는 제2 메모리부;
상기 제1 메모리부의 출력 단과 연결된 제1 연결부;
상기 제2 메모리부의 출력 단과 연결된 제2 연결부; 및
상기 제1 연결부 및 상기 제2 연결부 간의 연결을 위한 데이터버스를 포함하고,
파워 온 신호의 발생에 따라,
상기 제1 메모리부에 미리 저장된 초기 보상데이터가 상기 제1 연결부, 상기 데이터버스 및 상기 제2 연결부를 경유하여 상기 제2 메모리부로 전송되고,
상기 초기 보상데이터는 상기 제2 메모리부에서 보상 프로세서로 출력되는 유기발광표시장치의 데이터 관리 장치.A first memory unit for storing initial compensation data in advance;
A second memory unit having a transfer rate different from that of the first memory unit;
A first connection unit connected to an output end of the first memory unit;
A second connection unit connected to an output end of the second memory unit; And
And a data bus for connection between the first connection part and the second connection part,
As the power-on signal is generated,
Initial compensation data stored in advance in the first memory unit is transferred to the second memory unit via the first connection unit, the data bus, and the second connection unit,
And the initial compensation data is output to the compensation processor in the second memory unit.
파워 온 신호가 발생하면, 상기 컨트롤러의 제어 하에 상기 초기 보상데이터가 상기 제1 메모리부에서 상기 제2 메모리부로 전송되는 단계; 및
상기 보상부는 상기 초기 보상데이터를 상기 제2 메모리부에서 읽어가는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.A sensing unit for measuring a sensing voltage from the display panel and outputting sensing data for at least one subpixel among the plurality of subpixels, receiving initial compensation data and the sensing data, And a compensation unit for calculating a compensation value for the at least one subpixel, a first memory unit storing the initial compensation data in advance, and a second memory unit having a transfer rate different from that of the first memory unit A driving method of an organic light emitting display device,
When the power-on signal is generated, transferring the initial compensation data from the first memory unit to the second memory unit under the control of the controller; And
And the compensation unit reads the initial compensation data from the second memory unit.
상기 제2 메모리부로 전송되는 단계는,
구동 전압이 인가되면, 상기 제1 메모리부에 저장된 상기 초기 보상데이터 전체가 상기 제2 메모리부로 전송되는 유기발광표시장치의 구동 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the step of transmitting to the second memory unit comprises:
Wherein the initial compensation data stored in the first memory unit is transmitted to the second memory unit when a driving voltage is applied.
상기 읽어가는 단계는,
패널 구동 전압이 인가되면, 상기 제2 메모리부에 저장된 상기 초기 보상데이터가 상기 보상부로 전송되는 유기발광표시장치의 구동 방법.
16. The method of claim 15,
The step of reading comprises:
And when the panel driving voltage is applied, the initial compensation data stored in the second memory unit is transferred to the compensation unit.
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---|---|
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---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |