KR20170118992A - Controller, organic light emitting display device, and the method for driving the organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
본 실시예들은, 각 서브픽셀 마다 유기발광다이오드, 트랜지스터 및 캐패시터가 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 파워 온 신호의 발생 시, 미리 정해진 센싱 조건을 충족하는 경우에만 각 서브픽셀의 센싱 노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 선택적으로 센싱하는 유기발광표시장치 및 그 구동 방법과, 선택적인 센싱을 제어하는 컨트롤러에 관한 것이다.
이러한 본 실시예들에 의하면, 불필요하고 의미 없는 센싱 프로세스가 진행되는 것을 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 센싱 구동에 따라 구동되는 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 방지해줄 수 있다. The present embodiments are directed to an OLED display panel in which an organic light emitting diode, a transistor, and a capacitor are arranged for each subpixel, a data driver for driving a plurality of data lines, a gate driver for driving a plurality of gate lines, The method comprising the steps of: selectively sensing a voltage of a sensing line electrically connected to a sensing node of each sub-pixel when the predetermined sensing condition is satisfied; and a controller for controlling selective sensing .
According to these embodiments, it is possible to prevent unnecessary and meaningless sensing process from proceeding, thereby preventing deterioration and shortening of life span of the transistor driven according to the sensing drive.
Description
본 실시예들은 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to a controller, an organic light emitting display, and a driving method thereof.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been popular as a display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high brightness, and wide viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)
이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. Such an organic light emitting display device arranges subpixels including organic light emitting diodes in a matrix form and controls the brightness of subpixels selected by the scan signals according to the gradation of data.
이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드와 이를 구동하는데 필요한 트랜지스터 등을 포함하여 구성될 수 있다. Each of the sub-pixels of the organic light emitting display may include an organic light emitting diode and a transistor necessary for driving the organic light emitting diode.
한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 고유한 특성치를 갖는다. 가령, 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖고, 유기발광다이오드는 문턱전압 등의 고유한 특성치를 갖는다. On the other hand, circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel have unique characteristic values. For example, the transistor has a characteristic value such as a threshold voltage and a mobility, and the organic light emitting diode has a characteristic value such as a threshold voltage.
이러한 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치가 변할 수 있다. The circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel may undergo degradation according to driving time, and unique characteristic values such as threshold voltage and mobility may be changed.
이러한 점들 때문에, 각 서브픽셀 내 회로 소자 간의 구동 시간의 차이에 따라, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 회로 소자 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다. Because of these points, there is a difference in degree of deterioration between circuit elements depending on the difference in driving time between the circuit elements in each sub-pixel, and a characteristic value deviation between the circuit elements may also occur.
이러한 회로 소자 간의 특성치 편차(서브픽셀의 특성치 편차)는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. Such a characteristic value deviation (characteristic value deviation of the subpixel) between the circuit elements may cause a luminance deviation between each subpixel, which may be a main factor causing image quality degradation.
이에, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되었다. Accordingly, various techniques have been developed to compensate for the deviation of the characteristic values of the subpixels.
하지만, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상하기 위한 센싱 구동에 따라, 유기발광표시장치의 본연의 기능인 영상 구동 동작이 늦게 시작하는 등의 영향을 받을 수 있는 문제점이 있다. However, according to sensing driving for compensating a characteristic value deviation of a subpixel, the image driving operation, which is an essential function of the organic light emitting display, may be delayed.
또한, 센싱 및 보상 동작이 진행되는 타이밍을 정해놓고 정해 놓은 타이밍마다 센싱 및 보상 동작을 진행하게 되면, 의미 있는 센싱 값과 보상 값을 얻지 못하면서도 센싱 및 보상 동작이 불필요하게 자주 진행될 수 있는 문제점도 있다. In addition, sensing and compensating operations are performed at predetermined timings while determining the timing at which the sensing and compensating operations are performed, and there is a problem that sensing and compensating operations can be performed unnecessarily frequently even though a meaningful sensing value and compensation value can not be obtained have.
또한, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상하기 위한 센싱 구동에 따라 구동되는 트랜지스터의 열화가 불필요하게 발생할 수 있으며, 트랜지스터의 수명도 그만큼 단축될 수 있는 문제점도 발생할 수 있다. In addition, deterioration of the transistor driven according to the sensing drive for compensating the characteristic value deviation of the subpixel may be unnecessarily generated, and the lifetime of the transistor may also be shortened.
본 실시예들의 목적은, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스를 진행하지 않고 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide a controller, an organic light emitting display, and a method of driving the same, which can selectively proceed without sensing process of sensing a characteristic value or a change of a sub pixel every time a power on signal is generated There is.
본 실시예들의 다른 목적은, 파워 온 신호의 발생 시마다 불필요하고 의미 없는 센싱 프로세스가 진행되는 것을 방지해줄 수 있는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a controller, an organic light emitting display, and a driving method thereof that can prevent an unnecessary and meaningless sensing process from occurring every time a power-on signal is generated.
본 실시예들의 또 다른 목적은, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상하기 위한 센싱 구동에 따라 구동되는 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 방지해줄 수 있는 적응적인 센싱 제어를 가능하게 하는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a controller, an organic light emitting display, and an organic light emitting diode display capable of adaptive sensing control capable of preventing deterioration and shortening of lifetime of a transistor driven according to a sensing drive for compensating for a characteristic- And a driving method thereof.
일 측면에서, 본 실시예들은, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스를 진행하지 않고 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, the present embodiments can provide an organic light emitting display device capable of selectively proceeding without going through a sensing process of sensing a characteristic value or a change of a sub pixel every time a power-on signal is generated.
이러한 유기발광표시장치는, 다수의 데이터라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결되며 구동 트랜지스터의 제1 노드로 데이터 전압을 공급하는 제1 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치되는 유기발광표시패널을 포함할 수 있다. In the organic light emitting display, a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and each subpixel has an organic light emitting diode, A driving transistor having a first node to which a data voltage is applied, a second node to which a first electrode of the organic light emitting diode and a third node to which a driving voltage are applied, And a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor is disposed on the organic light emitting display panel.
이러한 유기발광표시장치는, 파워 온 신호의 발생 시, 미리 정해진 센싱 조건을 충족하는 경우에만 각 서브픽셀의 센싱 노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 센싱부를 포함할 수 있다. The OLED display may include a sensing unit sensing a voltage of a sensing line electrically connected to a sensing node of each sub-pixel only when a predetermined sensing condition is satisfied when a power-on signal is generated.
다른 측면에서, 본 실시예들은, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스를 진행하지 않고 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다.In another aspect, the present embodiments can provide a method of driving an organic light emitting display device that allows selective progression without progressing a sensing process of sensing a characteristic value or a change of a sub pixel every time a power-on signal is generated have.
이러한 구동 방법은, 파워 온 신호의 발생에 따라, 미리 정해진 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다. Such a driving method may include a step of determining whether or not a predetermined sensing condition is satisfied in accordance with generation of the power-on signal.
또한, 구동 방법은, 센싱 조건을 충족한 것으로 판단되면, 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스를 진행하는 단계를 포함할 수 있다. In addition, the driving method may include a step of, when it is determined that the sensing condition is satisfied, a sensing process for sensing a characteristic value or a characteristic value change of the driving transistor.
또한, 구동 방법은, 센싱 프로세스가 완료되면, 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 단계를 포함할 수 있다. In addition, the driving method may include displaying the image on the organic light emitting display panel when the sensing process is completed.
또 다른 측면에서, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스의 진행 여부를 판단하여 센싱 프로세스를 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 컨트롤러를 제공할 수 있다. According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a controller capable of selectively proceeding a sensing process by determining whether a sensing process for sensing a characteristic value or a change of a subpixel is performed each time a power-on signal is generated.
이러한 컨트롤러는, 파워 온 신호의 발생에 따라 현 시점에서 센싱 조건이 충족되는지를 판단하는 판단부를 포함할 수 있다. The controller may include a determination unit that determines whether the sensing condition is satisfied at the present time according to the generation of the power-on signal.
또한, 이러한 컨트롤러는, 센싱 조건이 충족되면, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 센싱 조건이 미 충족되면, 센싱 프로세스의 진행 없이 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. In addition, when the sensing condition is satisfied, the controller controls the sensing process for sensing the characteristic value or characteristic value change of the driving transistor in each sub-pixel to proceed. If the sensing condition is not satisfied, And a controller for controlling the image driving for displaying an image on the panel to proceed.
또 다른 측면에서, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스의 진행 여부를 지시하는 제어 신호에 따라 센싱 프로세스를 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 컨트롤러를 제공할 수 있다. In another aspect, it is possible to provide a controller that enables selective progression of a sensing process according to a control signal indicating whether a sensing process for sensing a characteristic value or a change thereof for each subpixel occurs each time a power-on signal is generated .
이러한 컨트롤러는 파워 온 신호의 발생 시, 센싱 인에이블 신호를 입력 받는 신호 입력부를 포함할 수 있다. Such a controller may include a signal input unit for receiving a sensing enable signal when a power-on signal is generated.
또한, 이러한 컨트롤러는 센싱 인에이블 신호가 입력되면, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 센싱 인에이블 신호가 미 입력되면, 센싱 프로세스의 진행 없이 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. When the sensing enable signal is inputted, the controller controls the sensing process to sense the characteristic value or characteristic value change of the driving transistor in each sub-pixel. When the sensing enable signal is not inputted, And a controller for controlling the image driving to display an image on the organic light emitting display panel.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스를 진행하지 않고 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention described above, it is possible to provide a controller, an organic light emitting display, and a display device capable of selectively proceeding without a sensing process of sensing a characteristic value or a change of a subpixel every time a power- A driving method can be provided.
본 실시예들에 의하면, 파워 온 신호의 발생 시마다 불필요하고 의미 없는 센싱 프로세스가 진행되는 것을 방지해줄 수 있는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments, it is possible to provide a controller, an organic light emitting display, and a driving method thereof that can prevent an unnecessary and meaningless sensing process from occurring every time a power-on signal is generated.
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상하기 위한 센싱 구동에 따라 구동되는 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 방지해줄 수 있는 적응적인 센싱 제어를 가능하게 하는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a controller, an organic light emitting display device, and a driving method thereof that enable adaptive sensing control that can prevent deterioration and shortening of life time of a transistor driven according to sensing drive for compensating for a characteristic- Method can be provided.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 타이밍의 예시도이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱에 따른 제2 트랜지스터의 열화 및 수명 단축 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 적응적인 센싱 시스템을 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 제1 적응적인 센싱 방식을 나타낸 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 제2 적응적인 센싱 방식을 나타낸 도면이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구현 예시도이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법에 대한 흐름도이다.
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법에서 센싱 단계에 대한 흐름도이다.
도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 컨트롤러를 나타낸 블록도이다.
도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 컨트롤러를 나타낸 다른 블록도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a view illustrating a sub-pixel structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is a view illustrating another example of the sub-pixel structure of the OLED display according to the present embodiments.
4 is an illustration of a compensation circuit of an organic light emitting diode display according to the present embodiments.
5 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for a driving transistor of an organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is a view for explaining a mobility sensing driving method for a driving transistor of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention.
7 is an exemplary view of sensing timing of the OLED display according to the present embodiments.
8 is a view for explaining the deterioration of the second transistor and the shortening of the lifetime of the organic light emitting display according to the embodiments of the present invention.
9 is a diagram illustrating an adaptive sensing system of an OLED display according to the present embodiments.
10 and 11 are views showing a first adaptive sensing method of the OLED display according to the present embodiments.
12 and 13 are views showing a second adaptive sensing method of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 14 is a view illustrating an embodiment of an organic light emitting display according to the present embodiments.
15 is a flowchart illustrating a method of driving the organic light emitting display according to the present embodiments.
16 is a flowchart illustrating a sensing step in a method of driving an organic light emitting display according to the present embodiments.
17 is a block diagram showing a controller of an OLED display according to the present embodiments.
18 is another block diagram showing the controller of the OLED display according to the present embodiments.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(120)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다. The
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The
이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.
게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The
이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.
게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The
데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
게이트 드라이버(130)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. Each subpixel SP arranged in the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다.2 is an exemplary view of a sub-pixel structure of the
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the organic light emitting
유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).
유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. A base voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다. The driving transistor DRT has a first node N1, a second node N2, and a third node N3.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node and may be electrically connected to a source node or a drain node of the first transistor T1.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL that supplies a driving voltage EVDD as a node to which the driving voltage EVDD is applied, Node or source node.
구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the first transistor T1 may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT and receives the scan signal SCAN through the gate line have.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT .
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (for example, Cgs or Cgd) which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, And is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다. 여기서, 회로 소자의 고유 특성치는, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 등을 포함할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values of the circuit elements such as the organic light emitting diode (OLED) and the driving transistor (DRT) can be changed. Here, the intrinsic property value of the circuit element may include a threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, a threshold voltage of the driving transistor DRT, a mobility of the driving transistor DRT, and the like.
회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. A change in the characteristic value of the circuit element may cause a change in luminance of the corresponding subpixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.
또한, 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.
이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는, 회로 소자 간 특성치 편차가 발생시켜, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a difference in degree of characteristic value change between circuit elements may cause a deviation in characteristic value between circuit elements, resulting in luminance deviation between subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.
회로 소자의 특성치 변화(서브픽셀의 휘도 변화)와 회로 소자 간 특성치 편차(서브픽셀 간 휘도 편차)는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. Variations in the characteristic values of the circuit elements (luminance variation of the subpixels) and characteristic deviations between the circuit elements (luminance deviation between the subpixels) cause problems such as degradation of the accuracy of luminance expressions of subpixels or occurrence of screen anomalies .
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 특성치를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀 특성치를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The organic light emitting
본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 특성치를 센싱한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱한다는 것, 또는 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED)) 간의 특성치 편차를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다. Sensing a characteristic value for a subpixel in this specification means sensing a characteristic value or a characteristic value change of a circuit element (a driving transistor DRT, an organic light emitting diode (OLED)) in a subpixel, DRT), and organic light emitting diode (OLED)).
본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 특성치를 보상한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화를 미리 정해진 수준으로 만들어주거나, 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED)) 간의 특성치 편차를 줄여주거나 제거하는 것을 의미할 수 있다. In this specification, the compensation of the characteristic value for the subpixel means that the characteristic value or the characteristic value change of the circuit element (drive transistor DRT, organic light emitting diode (OLED)) in the subpixel is changed to a predetermined level, The transistor DRT, and the organic light emitting diode OLED) may be reduced or eliminated.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 기능 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 이에 적절한 서브픽셀 구조와, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 포함할 수 있다. The organic light emitting
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다. 3 is another example of the sub-pixel structure of the
도 3에 도시된 서브픽셀 구조는, 센싱 기능 및 보상 기능을 제공하기 위해 적절한 서브픽셀 구조의 예시이다. The subpixel structure shown in FIG. 3 is an example of a suitable subpixel structure to provide a sensing function and a compensation function.
도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀은, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 이외에, 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, each sub-pixel disposed in the organic light emitting
도 3을 참조하면, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. 3, the second transistor T2 is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref And may be controlled by receiving a sensing signal SENSE, which is a kind of a scan signal, to the gate node.
전술한 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함함으로써, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다. By further including the second transistor T2 described above, the voltage state of the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP can be effectively controlled.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the sensing signal SENSE and applies a reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT .
또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be utilized as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로의 예시도이다. 4 is an exemplary diagram of a compensation circuit of the
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하기 위하여 전압 센싱을 통해 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부(410)와, 센싱 데이터를 저장하는 메모리(420)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하고, 이를 토대로, 서브픽셀에 대한 특성치를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(430) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the
일 예로, 센싱부(410)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. For example, the
각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter (ADC) may be contained within each source driver integrated circuit (SDIC) included in the
보상부(430)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The
센싱부(410)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing data output from the
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 기준 전압 라인(RVL)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 여부를 제어해주는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410) 간의 연결 여부를 제어해주는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the
초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다. The initialization switch SPRE is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the desired circuit element. To the voltage application state.
초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL and is supplied to the second node N2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2, ). ≪ / RTI >
샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410)를 전기적으로 연결해준다. The sampling switch (SAM) is turned on to electrically connect the reference voltage line (RVL) and the sensing unit (410).
샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록, 온-오프 타이밍이 제어된다. The sampling switch SAM is turned on so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP turns on when the voltage state reflects the characteristic value of the desired circuit element Respectively.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(410)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다. When the sampling switch SAM is turned on, the
센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 저항 성분을 무시할 수 있다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다. When the
센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있다. The voltage sensed by the
기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다. If a line capacitor is present on the reference voltage line RVL, the voltage sensed by the
여기서, 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 라인이라고도 한다. Here, the reference voltage line RVL is also referred to as a sensing line.
일 예로, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth, 여기서, Vdata는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. For example, the voltage sensed by the
한편, 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. On the other hand, the reference voltage lines RVL may be arranged one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the reference voltage line RVL is divided into four subpixel columns , A white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).
아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다. In the following, the threshold voltage sensing drive and the mobility sensing drive for the driving transistor DRT will be briefly described.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. The threshold voltage sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.
초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). Thus, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2 = Vref).
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is turned on until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a threshold voltage or a voltage state reflecting the change, .
즉, 트래킹 단계는, 문턱전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다. That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the threshold voltage or the change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and the rising width gradually decreases and becomes saturated.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. When the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated, the sampling step can proceed.
샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압을 측정하는 단계로서, 센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계이다. The sampling step is a step of measuring a threshold voltage of the driving transistor DRT or a voltage reflecting the change thereof so that the
이러한 샘플링 단계에서, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(410)는 기준 전압 라인(RVL)과 연결되어, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. In this sampling step, the sampling switch SAM is turned on so that the
센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱전압 또는 네거티브 문턱전압일 수 있다. The voltage Vsen sensed by the
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method for the driving transistor DRT of the
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The mobility sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.
초기화 단계는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the mobility sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively (V1 = Vdata, V2 = Vref).
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT reaches the voltage V2 until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes the voltage state reflecting the mobility or the change thereof. .
즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the mobility or the change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 되어 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅 된다. 이때, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 함께 플로팅 될 수 있다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the first transistor T1 is turned off, and the first node N1 of the driving transistor DRT can also be floated together.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다. The rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT depends on the current capability (i.e., mobility) of the driving transistor DRT.
전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases more sharply as the driving transistor DRT having a higher current capability (mobility) is.
트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. The sampling step may proceed after the tracking step has progressed for a predetermined time period DELTA t, that is, after the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT has risen for a predetermined constant time DELTA t.
트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage variation? V for a predetermined time? T.
샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(410)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다. In the sampling step, the sampling switch SAM is turned on, and the
이에 따라, 센싱부(410)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the
센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다. The voltage Vsen sensed by the
도 5 및 도 6을 참조하여 전술한 바와 같은 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱부(410)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. 5 and 6, the
센싱부(410)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(420)에 저장되거나 보상부(430)로 제공될 수 있다. The sensing data output from the
보상부(430)는 메모리(420)에 저장되거나 센싱부(410)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 특성치 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The
여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the reference sensing data.
여기서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다. Here, when comparing the characteristic value or the characteristic value change between the driving transistors DRT, it is possible to grasp the characteristic value deviation between the driving transistors DRT. When the characteristic value change of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the reference sensing data, the characteristic value deviation (i.e., the sub pixel luminance deviation) between the driving transistors DRT from the characteristic value change of the driving transistor DRT, .
특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다. The characteristic value compensation process may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating the mobility of the driving transistor DRT.
문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(420)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The threshold voltage compensation process calculates a compensation value for compensating a threshold voltage or a threshold voltage deviation (threshold voltage change), stores the calculated compensation value in the
이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(420)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process calculates a compensation value to compensate for mobility or mobility deviation (mobility change), stores the calculated compensation value in the
보상부(430)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상부(430)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the data changed by the compensating
이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. By compensating for the subpixel characteristic value, luminance deviation between the subpixels is reduced or prevented, thereby improving the image quality.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍의 예시도이다. FIG. 7 is a diagram illustrating the sensing timing of the
도 7을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, Referring to FIG. 7, the organic
파워 온 신호가 발생하면, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)"라고 한다. When a power-on signal is generated, the characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel disposed in the organic light emitting
또한, 파워 오프 신호가 발생하면, 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)"라고 한다.When a power-off signal is generated, the characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel disposed in the organic light emitting
또한, 파워 온 신호가 발생한 이후, 디스플레이 구동 중에서 블랭크 시간 마다 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)"라고 한다.In addition, after the power-on signal is generated, the characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel disposed in the organic light emitting
이러한 실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)은, 수직 동기 신호(Vsync)를 기준으로 액티브 시간(Active Time) 사이의 블랭크 시간(Blank Time) 마다 진행될 수 있다. This real-time sensing process may be performed for each blank time between active times based on the vertical synchronization signal Vsync.
구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱(Vth Sensing)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 포화 시간이 필요하기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱(Mobility Sensing)에 비해, 상대적으로 오랜 시간이 걸린다. The threshold voltage sensing (Vth Sensing) of the driving transistor DRT requires a voltage saturation time of the second node N2 of the driving transistor DRT, so that the driving transistor DRT is subjected to mobility sensing It takes a relatively long time.
이러한 점을 고려하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은 사용자 입력 등에 따라 파워 오프 신호가 발생한 이후, 디스플레이 구동이 되지 않는 동안, 진행될 수 있다. In consideration of this point, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may proceed while the display drive is not performed after the power-off signal is generated according to user input or the like.
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 진행될 수 있다. That is, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may proceed to an off-sensing process.
구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 파워 오프 신호가 발생한 이후에도 수행될 수 있지만, 짧은 시간이 걸리는 점을 고려하여, 디스플레이 구동이 시작하기 이전 또는 디스플레이 구동 중에도 실시간으로 진행될 수 있다. The mobility sensing of the driving transistor DRT can be performed even after the power-off signal is generated, but may take place in real time before the display driving starts or during the display driving, taking into consideration that the short time is required.
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 파워 온 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 온-센싱 프로세스(On-Sensing Proces)로 진행될 수도 있고, 디스플레이 구동 중에 블랭크 시간 마다 실시간-센싱 프로세스(Real-Time Sensing Process)로 진행될 수 있다. That is, the mobility sensing of the driving transistor DRT may proceed to an on-sensing process before the power-on signal is generated to start the display driving, (Real-Time Sensing Process).
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱에 따른 제2 트랜지스터(T2)의 열화 및 수명 단축 현상을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 8 is a diagram for explaining deterioration of the second transistor T2 due to sensing of the organic light emitting
도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱을 위한 센싱 프로세스를 진행하여, 구동 트랜지스터(DRT) 및 제2 트랜지스터(T2)를 통해 전류가 일정 시간(Δt) 동안 흐르게 한다. 여기서, 이동도 센싱을 위한 센싱 프로세스는 온-센싱 프로세스 또는 실시간 센싱 프로세스이다. Referring to FIG. 8, a sensing process for sensing the mobility of the driving transistor DRT is performed to allow a current to flow through the driving transistor DRT and the second transistor T2 for a predetermined period of time t. Here, the sensing process for sensing the mobility is an on-sensing process or a real-time sensing process.
센싱부(410)는, 구동 트랜지스터(DRT) 및 제2 트랜지스터(T2)를 통해 전류가 일정 시간(Δt) 동안 흐른 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승된 전압을 센싱한다. The
여기서, 일정 시간(Δt) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승치(ΔV)는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 비례한다. Here, the voltage increase value? V of the second node N2 of the driving transistor DRT is proportional to the mobility of the driving transistor DRT during a predetermined time? T.
한편, 파워 온 신호의 발생 시마다, 온-센싱 프로세스를 진행하게 되면, 유기발광표시장치(100)의 턴-온 시간이 많이 걸리는 단점이 있다. On the other hand, when the on-sensing process is performed each time a power-on signal is generated, the turn-on time of the
또한, 파워 온 신호의 발생 시마다, 온-센싱 프로세스를 진행하게 되면, 파워 온 신호가 짧은 주기로 발생하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도가 거의 변하지 않은 상태에서 온-센싱 프로세스가 불필요하게 진행되는 단점이 있다. 즉, 불필요한 온-센싱 프로세스는, 이전 센싱 결과에 비해 거의 변화지 않은 센싱 결과를 얻게 되어 보상량 변화를 거의 발생시키지 않는 온-센싱 프로세스이다. If the on-sensing process is performed every time the power-on signal is generated, if the power-on signal occurs in a short cycle, the on-sensing process does not proceed unnecessarily while the mobility of the driving transistor DRT is not changed. . That is, the unnecessary on-sensing process is an on-sensing process that hardly generates a change in the amount of compensation since a sensing result that is hardly changed compared to the previous sensing result is obtained.
또한, 파워 온 신호의 발생 시마다, 온-센싱 프로세스를 진행하게 되면, Further, when the on-sensing process is performed each time a power-on signal is generated,
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 기준 전압(Vref)을 공급하는 제2 트랜지스터(T2)가 많이 구동됨으로써, 제2 트랜지스터(T2)는 전기적인 스트레스를 크게 받게 된다. A second transistor electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL and supplying the reference voltage Vref to the second node N2 of the driving transistor DRT, T2 are much driven, the second transistor T2 is greatly subjected to electrical stress.
이로 인해, 제2 트랜지스터(T2)의 열화가 심각히 발생하여 수명이 단축될 수 있다. As a result, the deterioration of the second transistor T2 is seriously generated and the lifetime can be shortened.
이뿐만 아니라, 제2 트랜지스터(T2)가 센싱 경로로 활용되는 특성을 고려해볼 때, 제2 트랜지스터(T2)의 열화는 센싱 정확도를 떨어뜨리는 문제점을 발생시킬 수 있다. In addition, considering the characteristic that the second transistor T2 is used as a sensing path, deterioration of the second transistor T2 may cause a problem of lowering the sensing accuracy.
이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 온-센싱 프로세스의 타이밍을 적응적으로 제어할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting
아래에서는, 이러한 적응적인 센싱 방식에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. In the following, this adaptive sensing scheme will be described in more detail.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 적응적인 센싱 시스템을 나타낸 도면이다. 9 is a diagram illustrating an adaptive sensing system of the
도 9를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 적응적인 센싱 시스템은, 파워 온 신호(Power On Signal)의 발생 시, 미리 정해진 "센싱 조건"을 충족하는 경우에만, 유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)의 센싱 노드와 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 센싱부(410) 등을 포함할 수 있다. 9, the adaptive sensing system of the organic light emitting
여기서, 센싱부(410)의 전압 센싱은 센싱 구동의 샘플링 단계에서 진행되는 것으로서, 센싱부(410)의 전압 센싱 횟수는 센싱 구동 횟수와 대응될 수 있다. Here, the voltage sensing of the
전술한 바와 같이, 센싱부(410)는, 파워 온 신호(Power On Signal)의 발생 시마다 센싱 라인의 전압을 센싱하는 것이 아니라, 미리 정해진 "센싱 조건"을 충족하는 경우에만 센싱 라인의 전압을 센싱하기 때문에, 파워 온 신호 발생 시 진행되는 온-센싱 프로세스의 횟수가 그만큼 줄어들 수 있다. As described above, the
이에 따라, 유기발광표시장치(100)의 턴-온 시간이 짧아질 수 있다. 또한, 이전 센싱 결과에 비해 거의 변화지 않은 센싱 결과를 얻게 되어 보상량 변화를 거의 발생시키지 않는 불 필요한 온-센싱 프로세스의 진행을 방지해줄 수 있다. Accordingly, the turn-on time of the
또한, 온-센싱 프로세스에서 구동되는 트랜지스터의 열화도 줄어들 수 있게 되어, 온-센싱 프로세스에서 구동되는 트랜지스터의 수명 단축을 방지할 수 있다. In addition, the deterioration of the transistor driven in the on-sensing process can be reduced, which can prevent the lifetime of the transistor driven in the on-sensing process from being shortened.
각 서브픽셀(SP)의 센싱 노드는, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2), 해당 서브픽셀 내 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극, 또는 해당 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준 전압 라인(RVL) 상의 임의의 지점일 수 있다. The sensing node of each subpixel SP is electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel, the first electrode of the organic light emitting diode OLED in the corresponding subpixel, May be any point on the connected reference voltage line (RVL).
각 서브픽셀(SP)의 센싱 노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인은, 해당 서브픽셀과 전기적으로 연결된 기준 전압 라인(RVL)일 수 있다. The sensing line electrically connected to the sensing node of each subpixel SP may be a reference voltage line RVL electrically connected to the corresponding subpixel.
각 서브픽셀(SP)에는, 유기발광다이오드(OLED)와, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 제1 노드(N1), 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극과 연결되는 제2 노드(N2) 및 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제3 노드(N3)를 갖는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되며 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)가 배치될 수 있다. Each subpixel SP includes a first node N1 to which an organic light emitting diode OLED and a data voltage Vdata are applied, a second node N2 connected to a first electrode of the organic light emitting diode OLED, And a third node N3 to which a driving voltage EVDD is applied; a driving transistor DRT electrically connected between the first node N1 of the driving transistor DRT and the data line DL, A first transistor T1 for supplying a data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT and a second transistor N1 for supplying a data voltage Vdata connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. A capacitor Cst may be disposed.
도 9를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 적응적인 센싱 시스템은, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스를 진행하기 위한 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 센싱 타이밍 제어부(910)를 더 포함할 수 있다. 9, the adaptive sensing system of the organic light emitting
전술한 센싱 타이밍 제어부(910)에 따르면, 파워 온 신호(Power On Signal)의 발생 시, 센싱 조건의 충족 여부를 판단하여 온-센싱 프로세스의 진행 여부를 제어해줌으로써, 불필요한 온-센싱 프로세스의 횟수를 줄여줄 수 있고, 온-센싱 프로세스에서 구동되는 트랜지스터의 수명 단축을 방지해줄 수 있다. According to the above-described
도 9를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 적응적인 센싱 시스템은, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 프로세스의 진행을 제어하는 센싱 제어부(920)와, 센싱 프로세스가 진행되어, 센싱부(410)에 의해 센싱된 전압에 근거하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 보상하기 위한 보상값을 결정하는 보상부(430)를 더 포함할 수 있다. 9, the adaptive sensing system of the organic light emitting
도 9를 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단되면, 센싱 프로세스(예: 온-센싱 프로세스)의 진행을 지시하는 센싱 인에이블 신호(Sen_En)를 발생시킬 수 있다. 9, the
센싱 제어부(920)는, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)의 발생 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록, 데이터 드라이버(120), 게이트 드라이버(130) 및 센싱부(410) 등의 동작을 제어한다. The
이러한 센싱 제어부(920)는 초기화 스위치(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAM)의 스위칭 동작을 제어할 수 있다. The
한편, 센싱 타이밍 제어부(910)는 센싱 조건이 충족하지 않는 것으로 판단되면, 센싱 프로세스(예: 온-센싱 프로세스)의 미 진행을 지시하는 센싱 디스에이블 신호(Sen_DisEn)를 발생시켜, 센싱 제어부(920)에게 센싱 프로세스를 생략하라는 것을 알려줄 수 있다. On the other hand, if it is determined that the sensing condition is not satisfied, the sensing
이와 다른 방식으로, 센싱 제어부(920)는 파워 온 신호가 발생한 시점으로부터 센싱 인에이블 신호(Sen_En)를 일정 시간 기다린 이후, 일정 시간 이내에 센싱 인에이블 신호(Sen_En)가 입력되지 않으면 센싱 프로세스의 진행을 하지 않을 수 있다. Alternatively, if the sensing enable signal Sen_En is not input within a predetermined time after the sensing enable signal Sen_En has been waited for a predetermined time from the generation of the power-on signal, the
전술한 바와 같이, 센싱 프로세스가 진행되어도 된다는 의미로서, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)를 발생시킴으로써, 센싱 프로세스의 진행 여부를 정확하게 지시해줄 수 있다. As described above, it is possible to precisely indicate whether or not the sensing process is proceeded by generating the sensing enable signal Sen_En in the sense that the sensing process may proceed.
한편, 본 명세서에서는 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 2가지 방식에 따른 2가지 적응적인 센싱 방식을 예시적으로 개시한다. In the present specification, two adaptive sensing methods according to two methods for determining whether or not the sensing condition is satisfied are exemplarily disclosed.
2가지 적응적인 센싱 방식은, "센싱 프로세스 진행 이력"에 근거하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화 정도가 크게 발생할 것으로 예측되는 경우에만 센싱 조건이 충족되는 것으로 판단하여 선택적으로 센싱 프로세스를 진행하는 "제1 적응적인 센싱 방식"과, "온도"에 근거하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화 정도가 클 것으로 예측되는 경우에만 센싱 조건이 충족되는 것으로 판단하여 선택적으로 센싱 프로세스를 진행하는 "제2 적응적인 센싱 방식"을 포함할 수 있다. The two adaptive sensing methods determine that the sensing condition is satisfied only when a degree of change in the characteristic value of the driving transistor DRT is predicted to be greatly generated based on the "sensing process progress history" The first adaptive sensing method "and the " second adaptive sensing method " in which it is determined that the sensing condition is satisfied only when the degree of change in the characteristic value of the driving transistor DRT is predicted to be large, Sensing method ".
아래에서는, 2가지 적응적인 센싱 방식에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. In the following, two adaptive sensing schemes are described in more detail.
도 10 및 도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 제1 적응적인 센싱 방식을 나타낸 도면이다.10 and 11 are views showing a first adaptive sensing method of the
도 10을 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 제1 적응적인 센싱 제어를 위하여, 파워 온 신호의 발생 시점과 관련된 정보를 관리하고, 파워 온 신호 발생에 따라 진행된 센싱 프로세스의 진행 이력을 관리하여 센싱 프로세스 진행 이력 정보를 저장한다. 10, the
예를 들어, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 새로운 파워 온 신호가 발생하면, 파워 온 신호의 현재 발생 시점에 해당하는 파워 온 시점(Ton)을 관리하고, 파워 온 신호의 발생에 따라 센싱 프로세스가 진행되면, 진행된 센싱 프로세스의 진행 시점 또는 종료 시점 등에 해당하는 센싱 프로세스 시점(Tsen)을 저장하여 진행 이력을 관리한다. For example, when a new power-on signal is generated, the sensing
도 10을 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 현재의 파워 온 신호가 발생하면, 현재의 파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점(Ton)과, 미리 설정된 임계 시간(TH)과, 현재의 파워 온 신호가 발생하기 이전에 이미 진행되었던 이전 센싱 프로세스에 대한 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen)을 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단할 수 있다. 10, when a current power-on signal is generated, the
여기서, 임계 시간(TH)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 의미 있는 수준(화상 품질 저하 방지를 위한 보상이 필요한 수준)으로 변할 수 있는 최소 시간을 의미한다. Here, the threshold time TH means the minimum time at which the characteristic value change of the driving transistor DRT can be changed to a meaningful level (a level required to compensate for image quality deterioration).
센싱 타이밍 제어부(910)는, 현재의 파워 온 신호가 발생하기 이전에 이미 진행되었던 이전 센싱 프로세스에 대한 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen)을 저장 관리되는 센싱 프로세스 진행 이력 정보로부터 알아낼 수 있다. The sensing
보다 구체적으로 설명하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen)에서 파워 온 시점까지 경과한 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 이상인지를 판단하고(S1010), 판단 결과, 경과한 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 이상이면, 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하고(S1020), 경과한 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 미만이면, 센싱 조건이 미충족하는 것으로 판단한다(S1030). More specifically, the sensing
도 11을 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 이전 파워 온 시점(Ton_before)에서의 파워 온 신호의 발생에 따라 이전 센싱 프로세스가 진행된 이후(즉, 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen) 이후), 파워 오프가 되었다가, 새로운 파워 온 신호가 발생하면, 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen)으로부터 새로운 파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점(Ton)까지 추가적인 센싱 프로세스를 진행하지 않은 경과 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 이상인지를 판단하여 경과 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 이상이면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 발생할 가능성이 크기 때문에 센싱 프로세스를 진행할 필요가 있다고 판단함으로써, 센싱 조건이 충족된 것으로 최종 판단한다. Referring to FIG. 11, the
이에 따라 센싱 프로세스가 진행되고, 이후, 영상 구동이 진행될 수 있다. Accordingly, the sensing process proceeds, and then the image driving can proceed.
도 11을 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 이전 파워 온 시점(Ton_before)에서의 파워 온 신호의 발생에 따라 이전 센싱 프로세스가 진행된 이후(즉, 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen) 이후), 파워 오프가 되었다가, 새로운 파워 온 신호가 발생하면, 이전 센싱 프로세스 시점(Tsen)으로부터 새로운 파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점(Ton)까지 추가적인 센싱 프로세스를 진행하지 않은 경과 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 이상인지를 판단하여 경과 시간(Ton-Tsen)이 임계 시간(TH) 미만이 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 발생할 가능성이 작기 때문에 센싱 프로세스를 진행하지 않아도 된다고 판단함으로써, 센싱 조건이 미 충족된 것으로 최종 판단한다. Referring to FIG. 11, the
이에 따라 센싱 프로세스가 진행되지 않고, 영상 구동이 바로 진행될 수 있다. Accordingly, the sensing process does not proceed and the image driving can proceed immediately.
전술한 바와 같이, 센싱 프로세스 진행 이력에 따라 센싱 프로세스를 적응적으로 진행함으로써, 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 심화시킬 수 있는 불필요한 센싱 프로세스의 진행을 효과적으로 방지할 수 있다. As described above, by advancing the sensing process adaptively according to the history of the sensing process, it is possible to effectively prevent the unnecessary sensing process, which can deteriorate the deterioration of the transistor and shorten the life span, effectively.
도 12 및 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 제2 적응적인 센싱 방식을 나타낸 도면이다. 12 and 13 are views showing a second adaptive sensing method of the
도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 제2 적응적인 센싱 제어를 위하여, 유기발광표시장치(100)의 주변 온도(T)를 센싱하여 출력하는 온도 센서(1200)를 더 포함할 수 있다. 12, the
센싱 타이밍 제어부(910)는, 제2 적응적인 센싱 제어를 위하여, 유기발광표시장치(100)의 현재의 주변 온도(T)를 온도 센서(1200)로부터 획득한다(S1210). The
센싱 타이밍 제어부(910)는 온도 센서(1200)에서 센싱된 온도를 획득하여 이를 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단할 수 있다(S1220). The
한편, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 온도에 근거하여 제1 적응적인 센싱 제어를 수행하기 위하여, 센싱 프로세스가 진행된 경우의 파워 온 신호가 발생한 시점(Ton_before)에서의 온도(Tb)를 저장해둘 수 있다. On the other hand, in order to perform the first adaptive sensing control based on the temperature, the
도 12 및 도 13을 참조하면, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 센싱된 온도(T)를 토대로, 온도 변화(ΔT=T-Tb)가 미리 설정된 일정 수준(K) 이상인지를 판단하여(S1220), 이상이면 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하고(S1230), 미만이면 센싱 조건이 미 충족하는 것으로 판단할 수 있다(S1240). 12 and 13, the sensing
도 12 및 도 13을 참조하면, 다른 방식으로, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 센싱된 온도(T)가 미리 정해진 정상 온도 범위(R, 예를 들어, 상온 범위)를 벗어나는지를 판단하여(S1220), 벗어나면 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하고(S1230), 벗어나지 않으면 센싱 조건이 미 충족하는 것으로 판단할 수 있다(S1240). 12 and 13, in a different manner, the
센싱 타이밍 제어부(910)는, 파워 온 신호가 발생한 시점(Ton)에서의 현재 주변 온도(T)를 토대로, 온도 변화 또는 현재 주변 온도가 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화를 발생시킬 수 있는 정도인지를 판단하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화를 발생시킬 정도로 온도 변화가 크거나 현재 주변 온도가 비 정상 온도 범위(상온 범위가 아닌 저온 범위 또는 고온 범위)인 경우에 한해서, 센싱 프로세스가 선택적으로 진행되도록 제어할 수 있다. The sensing
전술한 바와 같이, 온도에 따라 센싱 프로세스를 적응적으로 진행함으로써, 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 심화시킬 수 있는 불필요한 센싱 프로세스의 진행을 효과적으로 방지할 수 있다. As described above, by advancing the sensing process adaptively according to the temperature, it is possible to effectively prevent the progress of the unnecessary sensing process which can deteriorate the deterioration of the transistor and shorten the life span.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구현 예시도이다. FIG. 14 is a view illustrating an embodiment of an organic light emitting
이상에서 설명한 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 도 14에 도시된 바와 같이 구현될 수 있다. The organic
데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting
또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름(SF) 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film SF connected to the organic light emitting
게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may be connected to a bonding pad of the organic light emitting
또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름(GF) 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. In addition, each gate driver IC (GDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method which is mounted on a film (GF) connected to the organic light emitting display panel (110).
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The organic light emitting
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 직접 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름(SF)이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be directly mounted on at least one source printed circuit board (SPCB), or a film (SF) mounted with at least one source driver integrated circuit (SDIC) may be connected.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. The control printed circuit board CPCB includes a
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (SPCB) and the control printed circuit board (CPCB) may be circuitly connected via at least one connection member.
여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and a control printed circuit board (CPCB) may be integrated into one printed circuit board.
또한, 컨트롤러(140)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 통합되어 구현될 수도 있다. In addition, the
한편, 도 14를 참조하면, 온도 센서(120)는, 유기발광표시장치(100) 내 그 어떠한 곳에도 위치할 수 있지만, 일 예로, 소스 인쇄회로기판(SPCB) 상에 실장될 수 있다. 14, the
한편, 도 14를 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 구동을 제어하는 컨트롤러(140) 이외에, 유기발광표시장치(100)의 동작 전체를 제어하는 메인 컨트롤러(1400)가 더 존재할 수도 있다. 14, in addition to the
위에서 언급된 센싱 제어부(920)는 컨트롤러(140)에 포함될 수 있다. The above-mentioned
그리고, 센싱 타이밍 제어부(910)는, 컨트롤러(140)에 포함될 수도 있고, 메인 컨트롤러(1400)에 포함될 수도 있다. The sensing
컨트롤러(140)와 메인 컨트롤러(1400)는 따로 존재할 수도 있지만, 하나로 통합되어 존재할 수도 있다. The
아래에서는, 이상에서 설명한 유기발광표시장치(100)의 구동 방법을 간략하게 다시 설명한다. Hereinafter, the driving method of the organic light emitting
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법에 대한 흐름도이다. 15 is a flowchart of a method of driving the organic light emitting
도 15를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법은, 파워 온 신호의 발생에 따라, 미리 정해진 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 제1 단계(S1510)와, 센싱 조건을 충족한 것으로 판단되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스를 진행하는 제2 단계(S1520)와, 센싱 프로세스가 완료되면, 유기발광표시패널(110)에 영상을 표시하는 제3 단계(S1530) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, a method of driving an organic
전술한 구동 방법을 이용하면, 파워 온 신호 발생 시 센싱 프로세스를 선택적으로 진행함으로써, 유기발광표시장치(100)의 턴 온 시간 단축시킬 수 있고, 센싱 프로세스와 관련된 트랜지스터(T2)의 구동 시간을 줄여주어 열화 및 수명 단축을 방지할 수 있다. By using the above driving method, it is possible to shorten the turn-on time of the
전술한 제1 단계(S1510)에서, 유기발광표시장치(100)는, 파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점과, 미리 설정된 임계 시간과, 상기 파워 온 신호가 발생하기 이전에 이미 진행되었던 이전 센싱 프로세스에 대한 이전 센싱 프로세스 시점을 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단할 수 있다. In the first step S1510, the
전술한 제1 단계(S1510)에서, 유기발광표시장치(100)는, 주변의 온도를 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단할 수 있다. In the first step S1510, the
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법에서 센싱 단계에 대한 흐름도이다. 단, 도 16은 이동도 센싱 단계를 예로 든 것이다. 16 is a flowchart of a sensing step in the driving method of the
도 16을 참조하면, 센싱 프로세스를 진행하는 제2 단계(S1520)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준 전압(Vref)을 인가하는 초기화 단계(S1610)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)를 플로팅 시켜, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 트래킹 단계(S1620)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱하는 샘플링 단계(S1630)를 포함할 수 있다. 16, the second step S1520 of the sensing process is to apply the sensing driving data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT, The initialization step S1610 of applying the reference voltage Vref to the second node N2 and the second node N2 of the driving transistor DRT to float the second node N2 of the driving transistor DRT, A sampling step S1630 of sensing the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT.
전술한 바와 같이, 센싱 프로세스를 진행하는 제2 단계(S1520)를 진행함으로써, 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 이동도, 문턱전압) 또는 그 변화를 효과적으로 센싱할 수 있다. As described above, the characteristic value (e.g., mobility, threshold voltage) of the driving transistor DRT in the sub-pixel or its change can be effectively sensed by proceeding to the second step S1520 of advancing the sensing process.
도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 컨트롤러(140)를 나타낸 블록도이다. 17 is a block diagram showing a
도 17을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 컨트롤러(140)는, 파워 온 신호의 발생에 따라 현 시점에서 센싱 조건이 충족되는지를 판단하는 판단부(1710)와, 센싱 조건이 충족되면, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 센싱 조건이 미 충족되면, 센싱 프로세스의 진행 없이 유기발광표시패널(110)에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부(1720) 등을 포함할 수 있다. 17, the
전술한 바에 따르면, 파워 온 신호 발생 시 센싱 프로세스의 여부를 판단하여 센싱 프로세스의 진행 여부를 선택적으로 제어할 수 있는 컨트롤러(140)를 제공할 수 있다. According to the above description, it is possible to provide the
전술한 판단부(1710)는, 기능 및 역할에 있어서, 위에서 언급된 센싱 타이밍 제어부(910)와 동일 또는 대응되는 구성일 수 있다. The
그리고, 제어부(1720)는, 기능 및 역할에 있어서, 위에서 언급된 센싱 제어부(920)와 동일 또는 대응되는 구성일 수 있다. The
즉, 도 17의 컨트롤러(140)는, 센싱 타이밍 제어부(910)와 센싱 제어부(920)를 모두 포함하는 경우이다. That is, the
도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 컨트롤러(140)를 나타낸 다른 블록도이다.18 is another block diagram showing the
도 18을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 컨트롤러(140)는, 파워 온 신호의 발생 시, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)를 입력 받는 신호 입력부(1810)와, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)가 입력되면, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)가 미 입력되면, 센싱 프로세스의 진행 없이 유기발광표시패널(110)에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부(1820) 등을 포함할 수 있다. 18, the
전술한 바에 따르면, 파워 온 신호 발생 시 센싱 프로세스의 여부를 직접 판단하지는 않고, 센싱 프로세스의 진행 여부를 지시하는 제어 신호(Sen_En)를 입력받아 센싱 프로세스의 진행 여부를 선택적으로 제어할 수 있는 컨트롤러(140)를 제공할 수 있다. According to the above description, a controller (Sen_En) for instructing whether or not the sensing process is to proceed is input to a controller (not shown) 140 may be provided.
전술한 신호 입력부(1810)는, 위에서 언급된 센싱 타이밍 제어부(910)로부터 센싱 인에이블 신호(Sen_En)를 입력받는 구성이고, 제어부(1720)는, 센싱 인에이블 신호(Sen_En)에 센싱 프로세스의 진행을 제어하는 센싱 제어부(920)와 동일 또는 대응되는 구성일 수 있다.The
도 18의 컨트롤러(140)는, 컨트롤러(140)의 외부(예: 메인 컨트롤러(1400))에 위치한 센싱 타이밍 제어부(910)로부터 센싱 프로세스의 진행 여부를 지시 받는다. The
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 파워 온 신호의 발생 시 마다 서브픽셀에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하는 센싱 프로세스를 진행하지 않고 선택적으로 진행할 수 있게 해주는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments as described above, the
본 실시예들에 의하면, 파워 온 신호의 발생 시마다 불필요하고 의미 없는 센싱 프로세스가 진행되는 것을 방지해줄 수 있는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments, it is possible to provide the
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀의 특성치 편차를 보상하기 위한 센싱 구동에 따라 구동되는 트랜지스터의 열화 및 수명 단축을 방지해줄 수 있는 적응적인 센싱 제어를 가능하게 하는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, a
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: controller
Claims (15)
파워 온 신호의 발생 시, 미리 정해진 센싱 조건을 충족하는 경우에만 각 서브픽셀의 센싱 노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 센싱부를 포함하는 유기발광표시장치. A plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of data lines and a plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged, and each subpixel has an organic light emitting diode and a data voltage A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied; and a driving transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, A first transistor for supplying a data voltage to a first node of the driving transistor, and a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor; And
And a sensing unit that senses a voltage of a sensing line electrically connected to a sensing node of each sub-pixel only when a predetermined sensing condition is satisfied when a power-on signal is generated.
상기 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스를 진행하기 위한 상기 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 센싱 타이밍 제어부를 더 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Further comprising a sensing timing control unit for determining whether the sensing condition for advancing a sensing process for sensing a change in a characteristic value or a characteristic value of the driving transistor is satisfied.
상기 센싱 타이밍 제어부는,
파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점과, 미리 설정된 임계 시간과, 상기 파워 온 신호가 발생하기 이전에 이미 진행되었던 이전 센싱 프로세스에 대한 이전 센싱 프로세스 시점을 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 유기발광표시장치. 3. The method of claim 2,
The sensing timing control unit includes:
An organic light emitting display for judging whether or not a sensing condition is satisfied based on a power-on point at which a power-on signal is generated, a preset threshold time, and a previous sensing process time for a previous sensing process that has already proceeded before the power- Device.
상기 센싱 타이밍 제어부는,
상기 이전 센싱 프로세스 시점에서 상기 파워 온 시점까지 경과한 시간이 상기 임계 시간 이상이면, 상기 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하는 유기발광표시장치. The method of claim 3,
The sensing timing control unit includes:
And determines that the sensing condition is satisfied if the time elapsed from the time of the previous sensing process to the power-on time is equal to or longer than the threshold time.
주변의 온도를 센싱하는 온도 센서를 더 포함하고,
상기 센싱 타이밍 제어부는,
상기 센싱된 온도를 토대로 상기 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 유기발광표시장치. 3. The method of claim 2,
Further comprising a temperature sensor for sensing the ambient temperature,
The sensing timing control unit includes:
And determines whether the sensing condition is satisfied based on the sensed temperature.
상기 센싱 타이밍 제어부는,
상기 센싱된 온도를 토대로 온도 변화가 일정 수준 이상이 되면 상기 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하는 유기발광표시장치. 6. The method of claim 5,
The sensing timing control unit includes:
And determines that the sensing condition is satisfied if the temperature change becomes a certain level or more based on the sensed temperature.
상기 센싱 타이밍 제어부는,
상기 센싱된 온도가 미리 정해진 정상 온도 범위를 벗어나면 상기 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단하는 유기발광표시장치. 6. The method of claim 5,
The sensing timing control unit includes:
And determines that the sensing condition is satisfied if the sensed temperature deviates from a predetermined normal temperature range.
상기 센싱 타이밍 제어부는 상기 센싱 조건이 충족하는 것으로 판단되면, 센싱 인에이블 신호를 발생시키고,
상기 센싱 인에이블 신호의 발생 시, 상기 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 프로세스의 진행을 제어하는 센싱 제어부; 및
상기 센싱 프로세스가 진행되어, 상기 센싱부에 의해 센싱된 전압에 근거하여 상기 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 보상하기 위한 보상값을 결정하는 보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Wherein the sensing timing control unit generates a sensing enable signal when it is determined that the sensing condition is satisfied,
A sensing control unit for controlling the progress of a sensing process for sensing a characteristic value of the driving transistor when the sensing enable signal is generated; And
Further comprising a compensation unit for determining a compensation value for compensating a change in a characteristic value or a characteristic value of the driving transistor based on a voltage sensed by the sensing unit when the sensing process is performed.
상기 각 서브픽셀은,
상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드로 기준 전압을 공급하는 제2 트랜지스터가 더 배치되며,
상기 센싱부는, 상기 기준 전압 라인과 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Each of the sub-
A second transistor electrically connected between a second node of the driving transistor and a reference voltage line and supplying a reference voltage to a second node of the driving transistor,
Wherein the sensing unit is electrically connected to the reference voltage line.
파워 온 신호의 발생에 따라, 미리 정해진 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 제1 단계;
상기 센싱 조건을 충족한 것으로 판단되면, 상기 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스를 진행하는 제2 단계; 및
상기 센싱 프로세스가 완료되면, 상기 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 제3 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법. A plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of data lines and a plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged, and each subpixel has an organic light emitting diode and a data voltage A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied; and a driving transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, An organic light emitting display panel in which a first transistor for supplying a data voltage to a first node of the driving transistor and a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor are arranged; A data driver, and a gate driver for driving the plurality of gate lines, In the driving method for a display device,
A first step of determining whether a predetermined sensing condition is satisfied in accordance with generation of a power-on signal;
A second step of performing a sensing process for sensing a characteristic value or a characteristic value change of the driving transistor when it is determined that the sensing condition is satisfied; And
And a third step of displaying an image on the organic light emitting display panel when the sensing process is completed.
상기 제2 단계는,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압을 인가하고, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드에 기준 전압을 인가하는 초기화 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2 노드를 플로팅 시켜, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압을 변화시키는 트래킹 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법. 11. The method of claim 10,
The second step comprises:
An initializing step of applying a sensing driving data voltage to a first node of the driving transistor and applying a reference voltage to a second node of the driving transistor;
A tracking step of floating the second node of the driving transistor to change the voltage of the second node of the driving transistor; And
And a sampling step of sensing a voltage of a second node of the driving transistor.
상기 제1 단계에서, 상기 유기발광표시장치는,
파워 온 신호가 발생한 파워 온 시점과, 미리 설정된 임계 시간과, 상기 파워 온 신호가 발생하기 이전에 이미 진행되었던 이전 센싱 프로세스에 대한 이전 센싱 프로세스 시점을 토대로 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 유기발광표시장치의 구동 방법.11. The method of claim 10,
In the first step, the organic light emitting display includes:
An organic light emitting display for judging whether or not a sensing condition is satisfied based on a power-on point at which a power-on signal is generated, a preset threshold time, and a previous sensing process time for a previous sensing process that has already proceeded before the power- A method of driving a device.
상기 제1 단계에서, 상기 유기발광표시장치는,
주변의 온도를 토대로 상기 센싱 조건의 충족 여부를 판단하는 유기발광표시장치의 구동 방법. 11. The method of claim 10,
In the first step, the organic light emitting display includes:
And determining whether the sensing condition is satisfied based on the ambient temperature.
상기 센싱 조건이 충족되면, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 상기 센싱 조건이 미 충족되면, 상기 센싱 프로세스의 진행 없이 상기 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부를 포함하는 컨트롤러. A determination unit for determining whether a sensing condition is satisfied at the present time according to generation of a power-on signal; And
The organic light emitting display panel may be configured to control the organic light emitting display panel so that a sensing process for sensing a change in a characteristic value or a characteristic value of a driving transistor in each sub pixel is performed when the sensing condition is satisfied, And a controller for controlling the video driving to display the video.
상기 센싱 인에이블 신호가 입력되면, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 프로세스가 진행되도록 제어하고, 상기 센싱 인에이블 신호가 미 입력되면, 상기 센싱 프로세스의 진행 없이 상기 유기발광표시패널에 영상을 표시하는 영상 구동이 진행되도록 제어하는 제어부를 포함하는 컨트롤러.A signal input unit for receiving a sensing enable signal when a power-on signal is generated; And
When the sensing enable signal is inputted, the control unit controls the sensing process to sense the characteristic value or the characteristic value change of the driving transistor in each sub-pixel. When the sensing enable signal is not inputted, And a controller for controlling the image driving to display the image on the light emitting display panel.
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