KR20190008491A - 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서는 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들; 상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들; 서로 인접하는 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴; 서로 인접하는 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴; 및 상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는, 반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나와 서로 동일 층에 배치될 수 있다.

Description

터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치{TOUCH SENSOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명의 실시 예는 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
터치 센서를 포함하는 표시 장치는 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다. 이와 같은 터치 센서를 포함하는 표시 장치는 키보드 및 마우스와 같은 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 센서를 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있으며, 이 중 정전용량 방식의 터치 센서는, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지패턴이 주변의 다른 감지패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 터치 감지를 위한 전극들과 터치 구동부가 일체형으로 구현된 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서는 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는기판; 상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들; 상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들; 서로 인접하는 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴; 서로 인접하는 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴; 및 상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는, 반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나와 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 패턴은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치될 수있다.
또한, 상기 감지 셀들은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 감지 셀들은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 구동 셀들은 상기 감지 셀들과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 구동 셀들과 상기 감지 셀들은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 연결 패턴은 상기 감지 셀들과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 구동 셀들은 상기 상기 소스 전극 및 상기 드레인과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 터치 구동부는, 상기 비활성 영역 상의 일측에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 제1 구동 배선들을 통해 연결되는 제1 터치 구동부; 및 상기 비활성 영역 상의 다른 일측에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 제2 구동 배선들을통해 연결되는 제2 터치 구동부을 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동 셀들 각각은 서로 다른 상기 제1 구동 배선들을 통해 상기 제1 터치 구동부에 연결되고, 상기 구동 셀들 중 적어도 둘 이상은 상기 제2 구동 배선들 중 어느 하나를 통해 상기 제2 터치 구동부에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 센서는 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들; 상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들; 서로 인접하는 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴; 서로 인접하는 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴; 및 상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는, 반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 제2 절연막; 및 상기 제2 절연막 상에 배치되며, 상기 게이트 전극과 캐패시터를 형성하는 추가 전극을 포함하고, 상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 추가 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나와 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 패턴은 상기 추가 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 패턴은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 터치를 감지하는 터치 센서를 포함하고, 상기 터치 센서는, 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들; 상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들; 상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부; 및 상기 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 디지타이저 패턴들을 구비하는 디지타이저를 포함할 수 있다.
또한, 상기 터치 센서는, 상기 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴 및 상기 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴을 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는 반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 디지타이저 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 디지타이저 패턴은 상기 제1 연결 패턴과 동일 층에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 디지타이저 패턴은 상기 게이트 전극과 동일 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치에 의하면, 터치 센서의 터치 구동부와 터치 감지를 위한 전극들을 동일한 공정에 의해 동일한 재질로 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도이다.
도 3c는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3a의 I-I'선에 따른 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5j는 도 3a의 I-I'선에 따른 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 디지타이저의 평면도이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6의 J-J'선에 따른 단면도들이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(10)는 영상을 표시하는 표시 패널(12)과, 표시 패널(12)의 일면 상에 배치된 터치 센서(11)를 포함할 수 있다.
표시 장치(10)는 서로 평행한 두 쌍의 변들을 가지는 직사각형의 판상으로 제공될 수 있다. 표시 장치(10)가 직사각형의 판상으로 제공되는 경우, 두 쌍의 변들 중 어느 한 쌍의 변이 다른 한 쌍의 변보다 길게 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 표시 장치(10)는 원형, 곡면 모서리를 포함하는 직사각형 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
터치 센서(11)는 사용자의 손가락이나 별도의 입력 수단에 의해 발생하는 터치 이벤트를 인식할 수 있다.
즉, 터치 센서(11)는 터치 이벤트가 발생한 위치 정보(즉, 터치 정보)를 생성할 수 있다.
터치 센서(11)는 감지 전극들을 이용하여 터치 및/또는 압력을 감지할 수 있는 것으로 그 종류가 특별히 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 터치 센서(11)는 정전 용량 방식이나 압저항 방식 등으로 구현될 수 있다.
실시 예에 따라, 터치 센서(11)는 사용자의 지문을 인식할 수 있다.
사용자의 지문은 골(Valley) 또는 융선(Ridge)을 포함할 수 있다.
즉, 터치 센서(11)는 사용자의 지문에 포함된 골 또는 융선에 대한 위치 정보(즉, 지문 정보)를 생성할 수 있다.
실시 예에 따라, 터치 센서(11)는 사용자의 장문을 인식할 수 있다.
사용자의 장문은 사용자의 지문과 마찬가지로 골 또는 융선(Ridge)을 포함할 수 있다.
즉, 터치 센서(11)는 사용자의 장문에 포함된 골 또는 융선에 대한 위치 정보(즉, 장문 정보)를 생성할 수 있다.터치 센서(11)는 표시 패널(12)의 영상이 표시되는 면 상에 제공될 수 있으며, 상기 표시 패널(12)의 내부에 상기 표시 패널(12)과 일체로 제공될 수도 있다. 본 발명의 실시 예에서는 터치 센서(11)가 표시 패널(12)의 상면에 제공된 경우를 일 예로서 설명하기로 한다.
표시 패널(12)은 일면 상으로 임의의 시각 정보, 예컨대, 텍스트, 비디오, 사진, 2차원 또는 3차원 영상 등을 표시할 수 있으며, 상기 임의의 시각 정보는 "영상"으로 표시될 수 있다. 상기 표시 패널(12)의 종류는 영상을 표시하는 것으로 특별히 한정되는 것은 아니다.
도 2를 참조하면, 터치 센서(11)는 터치를 감지할 수 있는 활성 영역(AA)과 터치를 감지하지 않는 비활성 영역(NA)으로 구분되는 기판(SUB)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 유리, 고분자 금속 등의 다양한 재료로 이루어질 수 있다. 기판(SUB)은 특히 고분자 유기물로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 상기 고분자 유기물을 포함하는 절연성 기판 재료로는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등이 있다. 다만, 기판(SUB)을 이루는 재료로는 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 기판(SUB)은 유리 섬유 강화 플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic)으로 이루어질 수 있다.
활성 영역(AA)은 기판(SUB)의 중앙부에 위치하며 비활성 영역(NA)에 비해 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 또한, 활성 영역(AA)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 활성 영역(AA)은 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 활성 영역(AA)이 직선의 변을 포함하는 사각 형상을 가지는 하나의 영역으로 제공된 경우를 예로서 설명한다.
활성 영역(AA)은 표시 패널(12)을 평면으로 볼 때 영상을 표시하는 표시 영역과 중첩하며, 상기 표시 영역과 실질적으로 동일한 면적을 가지거나, 더 큰 면적을 가질 수도 있다.
활성 영역(AA)은 실제로 물체가 터치 센서(11)에 접근하거나 터치 센서(11)에 접촉하면 터치를 감지할 수 있는 영역을 의미할 수 있다. 여기서, 접촉이란 사용자의 손과 같은 외부 물체가 터치 센서(11)에 직접적으로 닿는 경우뿐만 아니라 외부 물체가 터치 센서(11)에 접근하거나 접근한 상태에서 움직이는(hovering) 경우도 포함한다.
비활성 영역(NA)은 활성 영역(AA)의 적어도 일측에 제공될 수 있다. 예컨대, 비활성 영역(NA)은 활성 영역(AA)의 네 면 전체를 둘러싸는 형상으로 배치되거나, 활성 영역(AA)의 네 면 중 일측의 한 면에만 배치될 수도 있다.
도 2에서는 활성 영역(AA)을 기판(SUB)의 일부로 한정하여 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 활성 영역(AA)은 기판(SUB)의 전체 영역으로 구현될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도이고, 도 3b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 터치 센서(11)는 구동 전극들(Tx), 감지 전극들(Rx), 접속 패드들(PD), 및 터치 구동부들(TD)을 포함할 수 있다.
구동 전극들(Tx)과 감지 전극들(Rx)은 상호간 교차되도록 기판(SUB)의 활성 영역(AA)에 배치될 수 있다.
구동 전극들(Tx)은 제1 방향(예를 들어, x축 방향)으로 연장되게 형성될 수 있고, 제1 방향과 교차되는 제2 방향(예를 들어, y축 방향)을 따라 복수 개가 배치될 수 있다. 감지 전극들(Rx)은 제2 방향으로 연장되게 형성될 수 있고, 제1 방향을 따라 복수 개가 배치될 수 있다.
구동 전극들(Tx)은 제1 방향을 따라 소정 간격을 가지고 배열되는 복수개의 구동 셀들(TxP)과, 구동 셀들(TxP)을 전기적으로 연결하는 복수 개의 제1 연결 패턴들(TxB)을 포함할 수 있다.
감지 전극들(Rx)은 제2 방향을 따라 소정 간격을 가지고 배열되며 구동 셀들(TxP)과 중첩되지 않도록, 구동 셀들(TxP) 사이에 분산 배치되는 복수 개의 감지 셀들(RxP)과, 감지 셀들(RxP)을 전기적으로 연결하는 복수 개의 제2 연결 패턴들(RxB)을 포함할 수 있다.
구동 셀들(TxP)과 감지 셀들(RxP)은 다양한 형상, 예컨대, 막대형, 마름모 등의 사각 형상을 포함한 다각형으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따라, 구동 전극들(Tx)과 감지 전극들(Rx)은 통판 형상으로 제공되거나 세선(細線)들로 이루어진 메쉬(mesh) 형태로 제공될 수 있다. 이를 위해, 구동 셀들(TxP)과 감지 셀들(RxP)은 다수의 개구부를 형성하는 얇은 금속 라인들로 이루어질 수 있다.
또한, 구동 셀들(TxP)과 감지 셀들(RxP)은 ITO(Indium Tin Oxide), CNT(Carbon Nano Tube), 그래핀(Graphene) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다.
도 3a에서는 구동 셀들(TxP)이 터치 구동부(TD)와 별도의 배선을 통해 연결된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 구동 셀들(TxP)은 터치 구동부의 박막 트랜지스터와 직접 연결될 수 있다.
감지 전극들(Rx)은 감지 배선들을 통해 접속 패드들(PD)에 연결될 수 있다. 실시 예에 따라, 감지 배선들 각각은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 물질로 형성될 수 있다.
또한, 구동 전극들(Tx)과 감지 전극들(Rx)은 서로 절연될 수 있다. 특히, 도 3a에서는 제1 연결 패턴(TxB)과 제2 연결 패턴(RxB)이 서로 교차하도록 표시되었으나, 실제로는 절연층(미도시)을 사이에 두고 제1 연결 패턴(TxB)과 제2 연결 패턴(RxB)이 서로 절연될 수 있다.
실시 예에 따라, 구동 셀들(TxP)과 감지 셀들(RxP)은 동일층에 제공되거나, 서로 다른 층에 제공될 수 있다. 한편, 제1 연결 패턴(TxB)과 제2 연결 패턴(RxB)은 서로 다른 층에 제공될 수 있다.
터치 구동부들(TD)은 터치 센서(11)의 구동 셀들(TxP)에 구동 신호를 제공할 수 있다. 터치 구동부들(TD)은 구동 신호의 공급 시기를 조절하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 박막 트린지스터는 구동 셀들(TxP)의 각 행에 개별적으로 연결되어 서로 다른 기간동안 구동 신호를 구동 셀들(TxP)에 제공할 수 있다.
터치 구동부들(TD)은 기판(SUB)의 비활성 영역(NA)에 배치될 수 있다. 터치 구동부들(TD)은 평면 상에서 볼 때 활성 영역(AA)을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 터치 구동부들(TD)은 서로 인접하게 배치될 수도 있고, 활성 영역(AA)의 적어도 일측에 배치될 수도 있다.
또한, 터치 구동부들(TD)은 도 3a의 실시 예와 같이 복수 개로 제공되거나, 도 3b의 실시 예와 같이 단일 개수로 제공될 수 있다. 터치 구동부들(TD)의 개수는 도 3a 및 도 3b의 실시 예들에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 변경 실시될 수 있다.
접속 패드들(PD)은 감지 배선들을 통해 감지 셀들(RxP)과 연결될 수 있으며, 감지 셀들(RxP)에서 생성된 감지 신호를 터치 위치를 계산하기 위한 터치 제어부(미도시)에 제공할 수 있다.
이와 같은 접속 패드들(PD) 및 감지 배선들은 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 재료로는 금속, 이들의 합금, 도전성 고분자, 도전성 금속 산화물, 나노 전도성 물질 등이 사용될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 있어서, 상기 금속으로는 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 알루미늄, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄텔, 티탄, 비스머스, 안티몬, 납 등을 들 수 있다. 상기 도전성 고분자로는 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리아닐린계, 폴리아세틸렌계, 폴리페닐렌계 화합물 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있으며, 특히 폴리티오펜계 중에서도 PEDOT/PSS 화합물을 사용할 수 있다. 상기 도전성 금속 산화물로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Oxide) 등을 들 수 있다. 그 외, 나노 전도성 화합물로 은 나노와이어(AgNW), 카본나노튜브 (Carbon Nano Tube), 그래핀 (graphene) 등을 들 수 있다.
도 3c는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 터치 센서의 평면도를 나타낸다.
설명의 편의를 위하여, 도 3a에 도시된 터치 센서와 중복되는 내용은 생략된다.
도 3c를 참조하면, 터치 센서(11)는 구동 전극들(Tx), 감지 전극들(Rx), 접속 패드들(PD), 제1 구동 배선들(TL1), 제2 구동 배선들(TL2), 제1 터치 구동부(TD1), 및 제2 터치 구동부(TD2)를 포함할 수 있다.
구동 셀들(TxP)은 제1 구동 배선들(TL1)을 제1 터치 구동부(TD1)와 연결될 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 구동 셀들(TxP)은 제1 터치 구동부(TD1)의 박막 트랜지스터와 직접 연결될 수 있다.
구동 셀들(TxP)은 제2 구동 배선들(TL2)을 제2 터치 구동부(TD2)와 연결될 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 구동 셀들(TxP)은 제2 터치 구동부(TD2)의 박막 트랜지스터와 직접 연결될 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 구동 배선들(TL1)은 제1 배선 구조를 가질 수 있고, 제2 구동 배선들(TL2)은 제2 배선 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 제1 배선 구조란, 구동 셀들(TxP) 각각이 서로 다른 제1 구동 배선들(TL1)을 통해 제1 터치 구동부(TD1)에 연결될 수 있는 배선 구조를 의미할 수 있다.
예컨대, 제2 배선 구조란, 구동 셀들(TxP) 중 적어도 둘 이상의 구동 셀들이 제2 구동 배선들(TL2) 중 어느 하나를 통해 제2 터치 구동부(TD2)에 연결될 수 있는 배선 구조를 의미할 수 있다.
도 3c에는 제2 터치 구동부(TD2)로부터 연장된 제2 구동 배선들(TL2) 중 어느 하나는 3개의 구동 셀들에 연결되는 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예에 따라, 제2 터치 구동부(TD2)로부터 연장된 제2 구동 배선들(TL2) 중 어느 하나는 둘 또는 넷 이상의 구동 셀들에 연결될 수 있다.
실시 예에 따라, 도 3c에 도시된 바와 달리, 제1 구동 배선들(TL1)은 제2 배선 구조를 가질 수 있고, 제2 구동 배선들(TL2)은 제1 배선 구조를 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 3a의 I-I'선에 따른 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 터치 센서(11)의 적층 구조를 설명하기 위한 터치 센서(11)의 단면 구조가 도시되어 있다. 이하, 본 발명의 터치 센서(11)를 적층 순서에 따라 설명한다.
접착층(PI)은 표시 패널(12)과 터치 센서(11) 사이에 위치하며, 표시 패널(12)의 상면과 터치 센서(11)의 하면을 접착시킬 수 있다. 접착층(PI)은 투과율이 높고 접착 성능이 있는 광경화성 수지 또는 열 경화성 수지로 구성될 수 있다.
예컨대, 접착층(PI)은 아크릴(acrylic)과 같은 수지(resin)를 도포한 후 자외선(UV)을 조사해 경화시켜 형성될 수 있다. 접착층(PI)은 상대적으로 우수한 탄성을 가지므로, 외부의 충격으로부터 표시 패널(12)을 보호하여 표시 장치(10)의 기구적 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다. 반도체층(ACT)은 반도체 소재로 구성될 수 있다. 반도체층(ACT)은 각각 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 제공된 채널 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(ACT)은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 상기 채널 영역은 불순물로 도핑되지 않은 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 무기 물질을 포함하는 무기 절연막일 수 있으며 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수도 있다.
게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)은 반도체층(ACT)의 상기 채널 영역에 대응되는 영역을 커버하도록 형성될 수 있다. 게이트 전극(GE1)은 금속으로 이루어질 수 있다.
예컨대, 게이트 전극(GE1)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 게이트 전극(GE1)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 금속들 및 상기 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
또한, 게이트 절연막(GI) 상에는 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다. 제1 연결 패턴(TxB)은 게이트 전극(GE1)과 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 상기 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다. 층간 절연막(ILD)은 무기 물질을 포함하는 무기 절연막일 수 있다. 무기 물질로는 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 등이 이용될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 및 상기 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
여기서, 드레인 전극(DE)은 도 4a에서 박막 트랜지스터의 일부 구성으로 도시되어 있으나, 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 금속들 및 상기 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
또한, 층간 절연막(ILD) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 층간 절연막(ILD)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE1), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다. 제1 보호층(PSV1)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 상기 유기 물질로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다. 또한, 제1 보호층(PSV1)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다중막으로 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 도 4a에 도시된 터치 센서와 상이한 구조의 터치 센서가 도시되어 있다. 중복된 설명을 피하기 위해, 상술한 실시 예와 상이한 점을 중심으로 설명한다.
기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다.
또한, 게이트 절연막(GI) 상에는 감지 전극들(RX)이 제공될 수 있다. 감지 전극들(RX)은 감지 셀들(RxP)과 제2 연결 패턴(RxB)을 포함하는 구조로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 및 상기 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
여기서, 드레인 전극(DE)은 도 4b에서 박막 트랜지스터(TFT)의 일부 구성으로 도시되어 있으나, 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
도 5a 내지 도 5j는 도 3a의 I-I'선에 따른 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5j에서는 중복된 설명을 피하기 위해, 상술한 실시 예와 상이한 점을 중심으로 설명한다. 도 5a 내지 도 5j에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 실시 예에 따르며 동일한 번호는 동일한 구성요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 지칭한다.
도 5a를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다.
게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 게이트 전극(GE1)과 커패시터를 형성하는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다.
추가 전극(GE2)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 추가 전극(GE2)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 추가 전극(GE2)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 금속들 및 상기 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)과 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
추가 전극(GE2)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다. 제2 보호층(PSV2)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 상기 유기 물질로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다. 또한, 제2 보호층(PSV2)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다중막으로 형성될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2)을 관통하는 컨택 홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
여기서, 드레인 전극(DE)은 도 5a에서 박막 트랜지스터(TFT)의 일부 구성으로 도시되어 있으나, 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
또한, 제2 보호층(PSV2) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 제2 보호층(PSV2)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다.
게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)과 감지 전극들(RX)이 제공될 수 있다. 감지 전극들(RX)은 감지 셀들(RxP)과 제2 연결 패턴(RxB)을 포함하는 구조로 형성될 수 있다.
추가 전극(GE2)과 감지 전극들(Rx)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
추가 전극(GE2)과 감지 전극들(Rx)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 드레인 전극(DE)은 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다.
추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 또한, 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2)과 층간 절연막(ILD)을 순차적으로 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
여기서, 드레인 전극(DE)은 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
또한, 제2 보호층(PSV2) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
도 5d를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다.
추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 드레인 전극(DE)은 터치 감지를 위한 구동 셀(TxP)로 이용될 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
도 5e를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
또한, 제2 보호층(PSV2) 상에는 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)과 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
제3 보호층(PSV3)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 상기 유기 물질로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다. 또한, 제3 보호층(PSV3)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다중막으로 형성될 수 있다.
도 5f를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
또한, 제2 보호층(PSV2) 상에는 감지 전극들(Rx)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 감지 전극들(Rx)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 감지 전극들(Rx)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 전극들(Tx)이 제공될 수 있다. 구동 전극들(Tx)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
구동 전극들(Tx)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
도 5g를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)과 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다. 추가 전극(GE2)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있고, 제1 및 제2 보호층(PSV1, PSV2)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
도 5h를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)과 감지 전극들(Rx)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)과 감지 전극들(Rx)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 전극들(Tx)이 제공될 수 있다. 구동 전극들(Tx)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
구동 전극들(Tx)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
도 5i를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있고, 제1 및 제2 보호층(PSV1, PSV2), 및 층간 절연막(ILD)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
도 5j를 참조하면, 기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 감지 전극들(Rx)이 제공된 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 추가 전극(GE2)이 제공될 수 있다. 추가 전극(GE2)이 제공된 층간 절연막(ILD) 상에는 제2 보호층(PSV2)이 제공될 수 있다.
제2 보호층(PSV2) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제2 보호층(PSV2), 층간 절연막(ILD), 및 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층(ACT)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 제공된 제2 보호층(PSV2) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 전극들(Tx)이 제공될 수 있다. 구동 전극들(Tx)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
구동 전극들(Tx)이 제공된 제1 보호층(PSV1) 상에는 제3 보호층(PSV3)이 제공될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 디지타이저의 평면도이고, 도 7a 및 도 7b는 도 6의 J-J'선에 따른 단면도들이다.
도 6, 도 7a 및 도 7b에서는 중복된 설명을 피하기 위해, 상술한 실시 예와 상이한 점을 중심으로 설명한다. 도 6, 도 7a 및 도 7b에서 특별히 설명하지 않은 부분은 상술한 실시 예에 따르며 동일한 번호는 동일한 구성요소를, 유사한 번호는 유사한 구성 요소를 지칭한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 터치 센서(11)는 디지타이저(DT)를 포함할 수 있다. 디지타이저(DT)는 제1 및 제2 디지타이저 패턴들(DP1, DP2)을 이용하여 사용자의 터치를 감지할 수 있다.
예컨대, 디지타이저(DT)는 전자기 공명(ElectroMagnetic Resonance, EMR) 방식으로 구현될 수 있다. EMR 방식은 복수의 코일을 포함한 디지타이저 센서 기판을 이용하며, 사용자가 펜을 움직임에 따라 펜의 자기장에 의해 코일에 유도된 신호를 읽어서 펜의 위치를 검출하는 방식이다.
도 6에서는 제1 및 제2 디지타이저 패턴들(DP1, DP2)이 직사각형의 루프 형상으로 구현되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 형상으로 변형 실시될 수 있다.
제1 및 제2 디지타이저 패턴들(DP1, DP2)은 평면상으로 볼 때 서로 중첩하게 배치될 수 있다.
실시 예에 따라, 제1 및 제2 디지타이저 패턴들(DP1, DP2)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 등의 금속 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같은 디지타이저(DT)는 터치 센서(11)의 내부에서 일체형으로 구현될 수 있다.
도 7a를 참조하면, 디지타이저(DT)를 포함하는 터치 센서(11)의 적층 구조를 설명하기 위한 터치 센서(11)의 단면 구조가 도시되어 있다. 이하, 본 발명의 터치 센서(11)를 적층 순서에 따라 설명한다.
기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다.
게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)이 제공된 상기 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 및 상기 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
또한, 층간 절연막(ILD) 상에는 제1 디지타이저 패턴(DP1)과 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제1 디지타이저 패턴(DP1), 및 제1 연결 패턴(TxB)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제1 디지타이저 패턴(DP1), 및 제1 연결 패턴(TxB)을 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP)은 제1 보호층(PSV1)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 패턴(TxB)에 연결될 수 있다.
구동 셀들(TxP), 감지 셀들(RxP), 및 제2 연결 패턴(RxB)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE1), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
도 7b를 참조하면, 도 7a에 도시된 터치 센서와 상이한 구조의 터치 센서가 도시되어 있다. 중복된 설명을 피하기 위해, 상술한 실시 예와 상이한 점을 중심으로 설명한다.
기판(SUB)은 접착층(PI) 상에 배치될 수 있으며, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(SUB) 상에는 반도체층(ACT)이 제공될 수 있다.
반도체층(ACT)이 제공된 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다.
게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)이 제공될 수 있다. 게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1)과 제2 디지타이저 패턴(DP2)이 제공된 상기 게이트 절연막(GI) 상에는 층간 절연막(ILD)이 제공될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 제공될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 및 상기 게이트 절연막(GI)을 순차적으로 관통하는 컨택 홀을 통해 반도체층의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
또한, 층간 절연막(ILD) 상에는 제1 디지타이저 패턴(DP1)이 제공될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 제1 디지타이저 패턴(DP1)은 동일층에 형성되며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 제1 디지타이저 패턴(DP1)을 커버하는 제1 보호층(PSV1)이 제공될 수 있다.
제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP) 및 감지 셀들(RxP)이 제공될 수 있다. 구동 셀들(TxP) 및 감지 셀들(RxP)은 동일층에 형성될 수 있으며, 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 수 있다.
또한, 제1 보호층(PSV1) 상에는 구동 셀들(TxP) 및 감지 셀들(RxP)을 커버하는 제4 보호층(PSV4)이 제공될 수 있다.
제4 보호층(PSV4)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 상기 유기 물질로는 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 테프론과 같은 불소계 탄소 화합물, 벤조시클로부텐 화합물 등과 같은 유기 절연 물질이 이용될 수 있다. 또한, 제4 보호층(PSV4)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다중막으로 형성될 수 있다.
제4 보호층(PSV4) 상에는 제1 연결 패턴(TxB)이 제공될 수 있으며, 제1 연결 패턴(TxB)은 서로 인접한 구동 셀들(TxP)을 연결할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
11: 터치 센서
12: 표시 패널
Tx: 구동 전극들
Rx: 감지 전극들
TD: 터치 구동부
SUB: 기판
PD: 접속 패드들
DT: 디지타이저

Claims (20)

  1. 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판;
    상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들;
    상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들;
    서로 인접하는 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴;
    서로 인접하는 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴; 및
    상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부를 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터는,
    반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나와 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 감지 셀들은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 감지 셀들은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 구동 셀들은 상기 감지 셀들과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 구동 셀들과 상기 감지 셀들은 서로 다른 층에 배치되는 터치 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 연결 패턴은 상기 감지 셀들과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 구동 셀들은 상기 상기 소스 전극 및 상기 드레인과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 터치 구동부는,
    상기 비활성 영역 상의 일측에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 제1 구동 배선들을 통해 연결되는 제1 터치 구동부; 및
    상기 비활성 영역 상의 다른 일측에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 제2 구동 배선들을 통해 연결되는 제2 터치 구동부을 포함하는 터치 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 구동 셀들 각각은 서로 다른 상기 제1 구동 배선들을 통해 상기 제1 터치 구동부에 연결되고,
    상기 구동 셀들 중 적어도 둘 이상은 상기 제2 구동 배선들 중 어느 하나를 통해 상기 제2 터치 구동부에 연결되는 터치 센서.
  12. 활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판;
    상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들;
    상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들;
    서로 인접하는 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴;
    서로 인접하는 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴; 및
    상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부를 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터는,
    반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 제2 절연막; 및 상기 제2 절연막 상에 배치되며, 상기 게이트 전극과 캐패시터를 형성하는 추가 전극을 포함하고,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 추가 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나와 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 추가 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴은 상기 게이트 전극과 서로 동일 층에 배치되는 터치 센서.
  16. 영상을 표시하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 터치를 감지하는 터치 센서를 포함하고,
    상기 터치 센서는,
    활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 기판;
    상기 활성 영역 상에서 제1 방향을 따라 배치되는 구동 셀들;
    상기 활성 영역 상에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치되는 감지 셀들;
    상기 비활성 영역 상에 배치되며, 상기 구동 셀들 각각에 구동 신호를 제공하는 박막 트랜지스터들을 구비하는 터치 구동부; 및
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 디지타이저 패턴들을 구비하는 디지타이저를 포함하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 터치 센서는,
    상기 구동 셀들을 연결하는 제1 연결 패턴 및 상기 감지 셀들을 연결하는 제2 연결 패턴을 더 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터는 반도체층, 제1 절연막을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 연결되고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 디지타이저 패턴은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층에 배치되는 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 디지타이저 패턴은 상기 제1 연결 패턴과 동일 층에 배치되는 표시 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 디지타이저 패턴은 상기 게이트 전극과 동일 층에 배치되는 표시 장치.
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