CN109254682A - 触摸传感器以及包括该触摸传感器的显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种触摸传感器包括：衬底，包括有源区和非有源区；驱动单元，设置在有源区上并在第一方向上延伸；感测单元，设置在有源区上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一连接图案，连接相邻的驱动单元；第二连接图案，连接相邻的感测单元；以及触摸驱动器，设置在非有源区上，触摸驱动器包括将驱动信号传输到每个驱动单元的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：半导体层；栅电极，设置在半导体层上并使第一绝缘层插设在其间；以及源电极和漏电极，连接到半导体层并彼此间隔开。第一连接图案设置在与源电极或漏电极或栅电极中的至少一个相同的层中。

Description

触摸传感器以及包括该触摸传感器的显示装置
技术领域
本公开的实施方式针对一种触摸传感器以及包括该触摸传感器的显示装置。
背景技术
包括触摸传感器的显示装置将接触位置转换为电信号，显示装置在该接触位置与用户的手指或物体直接接触。因此，在接触位置处选择的指令内容作为输入信号被接收。由于包括触摸传感器的这样的显示装置可以替代单独的输入装置诸如键盘或鼠标，所以其应用领域已经逐渐扩展。
存在用于实现触摸传感器的已知的各种方法，包括电阻层方法、光学感测方法、静电电容方法等。当用户的手指或物体与其接触时，使用静电电容方法的触摸传感器通过感测由导电感测图案连同另一相邻感测图案、接地电极等形成的电容变化而将接触位置转变为电信号。
发明内容
实施方式可以提供一种触摸传感器以及包括该触摸传感器的显示装置，在该触摸传感器中用于触摸感测的电极和触摸驱动器被集成地实现。
根据本公开的一实施方式，提供一种触摸传感器，该触摸传感器包括：衬底，包括有源区和非有源区；驱动单元，设置在有源区上并在第一方向上延伸；感测单元，设置在有源区上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一连接图案，连接相邻的驱动单元；第二连接图案，连接相邻的感测单元；以及触摸驱动器，设置在非有源区上，触摸驱动器包括将驱动信号传输到每个驱动单元的薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管包括：半导体层；栅电极，设置在半导体层上并使第一绝缘层插设在其间；以及源电极和漏电极，连接到半导体层，源电极和漏电极彼此间隔开，其中第一连接图案设置在与源电极、漏电极或栅电极中的至少一个相同的层中。
第一连接图案可以设置在与源电极和漏电极相同的层中。
第一连接图案可以设置在与栅电极相同的层中。
感测单元可以设置在与源电极和漏电极相同的层中。
感测单元可以设置在与栅电极相同的层中。
驱动单元可以设置在与感测单元相同的层中。
驱动单元和感测单元可以设置在不同的层中。
第二连接图案可以设置在与感测单元相同的层中。
驱动单元可以设置在与源电极和漏电极相同的层中。
触摸驱动器可以包括：第一触摸驱动器，设置在非有源区上的一侧，第一触摸驱动器通过第一驱动线连接到驱动单元；以及第二触摸驱动器，设置在非有源区上的另一侧，第二触摸驱动器通过第二驱动线连接到驱动单元。
驱动单元可以通过不同的第一驱动线连接到第一触摸驱动器，并且驱动单元中的至少两个可以通过相同的第二驱动线连接到第二触摸驱动器。
触摸传感器还可以包括设置在栅电极之上的第二绝缘层以及设置在第二绝缘层上的附加电极。附加电极可以与栅电极一起形成电容器。
第一连接图案可以设置在与附加电极相同的层上。
根据本公开的一方面，提供一种触摸传感器，该触摸传感器包括：衬底，包括有源区和非有源区；驱动单元，设置在有源区上并在第一方向上延伸；感测单元，设置在有源区上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一连接图案，连接相邻的驱动单元；第二连接图案，连接相邻的感测单元；以及触摸驱动器，设置在非有源区上，触摸驱动器包括将驱动信号传输到每个驱动单元的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括：半导体层；栅电极，设置在半导体层上并使第一绝缘层插设在其间；源电极和漏电极，连接到半导体层，源电极和漏电极彼此间隔开；其中第二连接图案设置在与感测单元相同的层中。
第一连接图案可以设置在与源电极、漏电极或栅电极中的至少一个相同的层中。
根据本公开的一实施方式，提供一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，显示图像；以及触摸传感器，设置在显示面板上并感测触摸，其中触摸传感器包括：衬底，包括有源区和非有源区；驱动单元，设置在有源区上并在第一方向上延伸；感测单元，设置在有源区上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；触摸驱动器，设置在非有源区上并包括将驱动信号传输到每个驱动单元的薄膜晶体管；以及数字转换器，设置在衬底上并包括第一数字转换器图案和第二数字转换器图案。
触摸传感器还可以包括连接驱动单元的第一连接图案和连接感测单元的第二连接图案，并且薄膜晶体管可以包括半导体层、设置在半导体层上并使第一绝缘层插设在其间的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此间隔开。
第一数字转换器图案可以设置在与源电极和漏电极相同的层中。
第一数字转换器图案可以设置在与第一连接图案相同的层中。
第二数字转换器图案可以设置在与栅电极相同的层中。
附图说明
图1示出根据本公开的一实施方式的显示装置。
图2是根据本公开的一实施方式的显示装置的平面图。
图3A是根据本公开的一实施方式的触摸传感器的平面图。
图3B是根据本公开的另一实施方式的触摸传感器的平面图。
图3C是根据本公开的又一实施方式的触摸传感器的平面图。
图4A和图4B是根据本公开的实施方式的沿着图3A的线I-I'截取的截面图。
图5A至图5J是根据本公开的实施方式的沿着图3A的线I-I'截取的截面图。
图6是根据本公开的一实施方式的数字转换器的平面图。
图7A和图7B是沿着图6的线J-J'截取的截面图。
具体实施方式
现在将在下面参照附图更全面地描述示范性实施方式；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使得本公开将是彻底和完整的，并将示例实施方式的范围充分传达给本领域技术人员。
这里公开的特定结构或功能描述仅是说明性的，用于描述根据本公开的构思的实施方式的目的。根据本公开的构思的示范性实施方式可以以各种形式实现，不能被解释为限于这里阐述的实施方式。
在附图中，为了图示的清楚，尺寸可以被夸大。将理解，当一元件被称为“在”两个元件“之间”时，它可以是这两个元件之间的唯一元件，或者还可以存在一个或更多个居间元件。相同的附图标记可以始终指代相同的元件。
将理解，当一元件被称为“连接”或“联接”到另一元件时，它可以直接连接或联接到另一元件，或者还可以存在居间元件。
图1示出根据本公开的一实施方式的显示装置。图2是根据本公开的一实施方式的显示装置的平面图。
参照图1，根据本公开的实施方式的显示装置10包括显示图像的显示面板12和设置在显示面板12的一个表面上的触摸传感器11。
根据一实施方式，显示装置10具有矩形板形状，其具有彼此平行的两对边。当显示装置10具有矩形板形状时，两对边中的任一对比另一对边长。然而，本公开的实施方式不限于此，显示装置10可以具有各种形状，诸如正方形形状、圆形形状或具有弯曲拐角的矩形形状。
根据一实施方式，触摸传感器11识别由用户的手指或其它输入装置产生的触摸事件。
也就是，根据一实施方式，触摸传感器11产生关于触摸事件发生的位置的信息，即触摸信息。
根据一实施方式，触摸传感器11通过使用感测电极来感测触摸或压力，但是触摸传感器11的实施方式不限于此。例如，触摸传感器11可以使用静电电容方法、压阻方法等来实现。
在一些实施方式中，触摸传感器11可以识别用户的指纹。
用户的指纹包括谷和脊。
也就是，根据一实施方式，触摸传感器11产生关于包括在用户的指纹中的谷和脊的位置信息，即指纹信息。
在一些实施方式中，触摸传感器11识别用户的掌纹。
像用户的指纹一样，用户的掌纹包括谷和脊。
也就是，根据一实施方式，触摸传感器11产生关于被包括在用户的掌纹中的谷和脊的位置信息，即掌纹信息。触摸传感器11被提供在其上显示图像的表面上，并被集成地结合到显示面板12中。在本公开的一实施方式中，为了说明的方便，作为非限制性示例描述了其中触摸传感器11提供在显示面板12的上表面上的情况。
根据一实施方式，显示面板12在其一个表面上显示视觉信息诸如文本、视频、图片、二维或三维图像等，并且视觉信息被显示为图像。然而，显示面板12的实施方式不被具体限制为显示图像的那些。
参照图2，根据一实施方式，触摸传感器11包括衬底SUB，衬底SUB被分成其中可感测触摸的有源区AA和其中不能感测触摸的非有源区NA。
根据一实施方式，衬底SUB可以由各种材料制成，诸如玻璃、聚合物和金属等。具体地，衬底SUB是由聚合物有机材料制成的绝缘衬底。聚合物有机材料可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等。然而，构成衬底SUB的材料不限于此。例如，在另一些实施方式中，衬底SUB可以由纤维增强塑料(FRP)制成。
根据一实施方式，有源区AA位于衬底SUB的中心部分中并具有比非有源区NA的面积相对更大的面积。此外，有源区AA可以具有各种形状。例如，有源区AA的形状包括具有直线边的封闭多边形、包括弯曲边的圆形、椭圆形等、或者包括直线边和弯曲边的半圆形、半椭圆形等。在本公开的一实施方式中，为了说明的方便，作为非限制性示例描述了其中有源区AA具有包括直线边的矩形形状的情况。
根据一实施方式，在平面图中，有源区AA与其中显示图像的显示区域交叠。有源区AA具有与显示区域的面积基本上相等的面积，或者可以具有比显示区域的面积大的面积。
根据一实施方式，有源区AA指的是其中如果物体实际接近触摸传感器11或与触摸传感器11接触则触摸能够被感测的区域。根据实施方式，接触不仅包括其中诸如用户手指的外部物体与触摸传感器11直接接触的情况，而且包括其中外部物体随着其接近触摸传感器11而悬停的情况。
根据一实施方式，非有源区NA设置在有源区AA的至少一侧。例如，非有源区NA围绕有源区AA的全部四侧，或者沿着有源区AA的四侧中的一侧设置。
根据一实施方式，图2将有源区AA示出为衬底SUB的一部分。然而，本公开的实施方式不限于此，有源区AA可以包括衬底SUB的整个区域。
图3A是根据本公开的一实施方式的触摸传感器的平面图。图3B是根据本公开的另一实施方式的触摸传感器的平面图。
参照图3A和图3B，根据一实施方式，触摸传感器11包括多个驱动电极Tx、多个感测电极Rx、多个连接焊盘PD以及至少一个触摸驱动器TD。
根据一实施方式，驱动电极Tx和感测电极Rx设置在衬底SUB的有源区AA中并彼此交叉。
根据一实施方式，驱动电极Tx在第一方向诸如x轴方向上延伸，并在与第一方向交叉的第二方向诸如y轴方向上间隔开。感测电极Rx在第二方向上延伸，并在第一方向上间隔开。
根据一实施方式，驱动电极Tx包括设置在沿着第一方向的预定位置的多个驱动单元TxP以及将驱动单元TxP彼此电连接的多个第一连接图案TxB。
根据一实施方式，感测电极Rx包括：多个感测单元RxP，设置在沿着第二方向的预定位置并布置在驱动单元TxP之间从而不与驱动单元TxP交叠；以及多个第二连接图案RxB，将感测单元RxP彼此电连接。
根据一实施方式，驱动单元TxP和感测单元RxP可以具有各种形状，诸如多边形形状，包括诸如条形的矩形形状或菱形。在一些实施方式中，驱动单元TxP和感测单元RxP具有整板形状或被提供为包括细线的网格。为此，驱动单元TxP和感测单元RxP可以用形成多个开口的细金属线来配置。
此外，根据一实施方式，驱动单元TxP和感测单元RxP由透明导电材料诸如铟锡氧化物(ITO)、碳纳米管(CNT)或石墨烯形成。
根据一实施方式，图3A示出驱动单元TxP通过单独的线连接到触摸驱动器TD。然而，本公开的实施方式不限于此，驱动单元TxP可以直接连接到触摸驱动器TD的薄膜晶体管。
根据一实施方式，感测电极Rx通过感测线连接到连接焊盘PD。在一些实施方式中，每条感测线由透明导电材料制成。然而，本公开的实施方式不限于此，感测线可以由低电阻材料诸如钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)形成。
此外，根据一实施方式，驱动电极Tx和感测电极Rx彼此绝缘。具体地，图3A将第一连接图案TxB和第二连接图案RxB示出为彼此交叉。然而，第一连接图案TxB和第二连接图案RxB实际上通过插设在两者之间的绝缘层而彼此绝缘。
在一些实施方式中，驱动电极Tx和感测电极Rx被提供在相同的层中或在不同的层中。然而，第一连接图案TxB和第二连接图案RxB提供在不同的层中。
根据一实施方式，触摸驱动器TD向触摸传感器11的驱动单元TxP传输驱动信号。触摸驱动器TD包括控制驱动信号的传输时间的多个薄膜晶体管。每个薄膜晶体管各自地连接到每行驱动单元TxP以在不同的时间段期间将驱动信号传输到驱动单元TxP。
根据一实施方式，触摸驱动器TD设置在衬底SUB的非有源区NA中。当在平面上看时，触摸驱动器TD彼此间隔开使有源区AA插设在其间，但是本公开的实施方式不限于此。也就是，触摸驱动器TD可以彼此相邻地设置或者设置在有源区AA的至少一侧。
此外，根据实施方式，可以如图3A所示提供多个触摸驱动器TD，或者可以如图3B所示提供单个触摸驱动器。触摸驱动器TD的数量不限于图3A和图3B的实施方式，并可以在其它实施方式中变化。
根据一实施方式，连接焊盘PD通过感测线连接到感测单元RxP，并将从感测单元RxP产生的感测信号传输到计算触摸位置的触摸控制器。
根据一实施方式，连接焊盘PD和感测线由导电材料制成。导电材料可以包括金属、其合金、导电聚合物、导电的金属氧化物、纳米导电材料等。在本公开的实施方式中，金属的示例包括铜、银、金、铂、钯、镍、锡、铝、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等。导电聚合物的示例包括基于聚噻吩的化合物、基于聚吡咯的化合物、基于聚苯胺的化合物、基于聚乙炔的化合物、基于聚苯撑(polyphenylene)的化合物、其混合物等。特别地，基于聚噻吩的化合物中的PEDOT/PSS化合物用作导电聚合物。导电的金属氧化物的示例包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锌氧化物(AZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)、锡氧化物(SnO2)等。此外，纳米导电材料的示例包括银纳米线(AgNW)、碳纳米管(CNT)、石墨烯等。
图3C是根据本公开的又一实施方式的触摸传感器的平面图。
为了说明的方便，将省略图3A所示的触摸传感器所包括的部件的描述。
参照图3C，根据一实施方式，触摸传感器11包括驱动电极Tx、感测电极Rx、连接焊盘PD、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、第一触摸驱动器TD1和第二触摸驱动器TD2。
根据一实施方式，驱动单元TxP通过第一驱动线TL1连接到第一触摸驱动器TD1。然而，本公开的实施方式不限于此，驱动单元TxP可以直接连接到第一触摸驱动器TD1的薄膜晶体管。
根据一实施方式，驱动单元TxP通过第二驱动线TL2连接到第二触摸驱动器TD2。然而，本公开的实施方式不限于此，驱动单元TxP可以直接连接到第二触摸驱动器TD2的薄膜晶体管。
如图3C所示，根据一实施方式，第一驱动线TL1具有第一线结构，第二驱动线TL2具有第二线结构。
例如，第一线结构是其中驱动单元TxP通过不同的第一驱动线TL1连接到第一触摸驱动器TD1的线结构。
例如，第二线结构是其中驱动单元TxP中的至少两个通过相同的第二驱动线TL2连接到第二触摸驱动器TD2的线结构。
根据一实施方式，图3C示出从第二触摸驱动器TD2延伸的任何一条第二驱动线TL2连接到三个驱动单元，但是本公开的实施方式不限于此。在一些实施方式中，从第二触摸驱动器TD2延伸的任何一条第二驱动线TL2可以连接到两个或四个或更多个驱动单元。
在一些实施方式中，与图3C所示的实施方式不同，第一驱动线TL1具有第二线结构，并且第二驱动线TL2具有第一线结构。
图4A和图4B是根据本公开的实施方式的沿着图3A的线I-I'截取的截面图。
根据一实施方式，图4A示出触摸传感器11的截面结构，其示出触摸传感器11的堆叠结构。在下文，以堆叠顺序描述本公开的触摸传感器11。
根据一实施方式，粘合层PI设置在显示面板12和触摸传感器11之间，并将显示面板12的上表面粘附到触摸传感器11的下表面。粘合层PI由具有高透射率和良好粘合性能的光固化树脂或热固性树脂制成。
例如，粘合层PI可以通过施加树脂诸如丙烯酸树脂(acryl)、然后将紫外光(UV)照射到树脂上以固化该树脂而形成。由于粘合层PI具有良好的弹性，所以粘合层PI保护显示面板12免受外部冲击，从而提高显示装置10的机械稳定性和可靠性。
根据一实施方式，衬底SUB设置在粘合层PI上，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。半导体层ACT由半导体材料形成。半导体层ACT包括源极区、漏极区以及设置在源极区和漏极区之间的沟道区。半导体层ACT是由多晶硅、非晶硅、半导体氧化物等制成的半导体图案。沟道区是不掺杂杂质的半导体图案，并且是本征半导体。源极区和漏极区是掺杂有杂质的半导体图案。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅绝缘层GI可以是包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。
根据一实施方式，栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE1覆盖与半导体层ACT的沟道区对应的区域。栅电极GE1由金属制成。
例如，栅电极GE1可以由至少一种金属诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)、或其合金制成。
此外，根据一实施方式，栅电极GE1可以形成为单层，但是本公开的实施方式不限于此。例如，栅电极GE1可以具有其中堆叠两种或更多种金属或合金的多个层。
此外，根据一实施方式，第一连接图案TxB设置在栅绝缘层GI上。第一连接图案TxB形成在与栅电极GE1相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和第一连接图案TxB的栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD是包含无机材料的无机绝缘层。无机材料包括聚硅氧烷、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE通过穿过层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，图4A示出漏电极DE作为薄膜晶体管TFT的局部部件，但是漏电极DE可以用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE由金属制成。例如，源电极SE和漏电极DE可以由至少一种金属诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金制成。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE形成为单层，但是本公开的实施方式不限于此。例如，源电极SE和漏电极DE可以具有其中堆叠两种或更多种金属或合金的多个层。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在层间绝缘层ILD上。驱动单元TxP通过穿过层间绝缘层ILD的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE、驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
在本公开的一实施方式中，薄膜晶体管TFT包括半导体层ACT、栅电极GE1、源电极SE和漏电极DE。其中薄膜晶体管TFT具有顶栅结构的情况作为示例被说明，但是本公开的实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以具有底栅结构。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的层间绝缘层ILD上。第一保护层PSV1是包含有机绝缘材料的有机绝缘层。有机绝缘材料的示例包括基于聚丙烯酸(polyacryl-based)的化合物、基于聚酰亚胺的化合物、基于氟的化合物诸如特氟龙、基于苯并环丁烯的化合物等。
根据一实施方式，图4B示出具有与图4A所示的触摸传感器的结构不同的结构的触摸传感器。在图4B中，为了说明的方便，将主要描述关于上述实施方式的差异以避免重复。
根据一实施方式，衬底SUB设置在粘合层PI上，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。
此外，根据一实施方式，感测电极Rx设置在栅绝缘层GI上。感测电极Rx包括感测单元RxP和第二连接图案RxB。
根据一实施方式，栅电极GE1和感测电极Rx形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和感测电极Rx的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE通过穿过层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，图4B示出漏电极DE作为薄膜晶体管TFT的部分部件，但是漏电极DE可以用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的层间绝缘层ILD上。
图5A至图5J是根据本公开的实施方式的沿着图3A的线I-I'截取的截面图。
在图5A至图5J中，将主要描述关于上述实施方式的差异以避免重复。在图5A至图5J中没有被具体描述的部件与上述实施方式的部件基本上类似。此外，相同的附图标记表示相同的部件，并且相似的附图标记表示相似的部件。
参照图5A，根据本公开的实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，与栅电极GE1一起形成电容器的附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，附加电极GE2由金属制成。例如，附加电极GE2由至少一种金属诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)、或其合金制成。
此外，根据一实施方式，附加电极GE2形成为单层，但是本公开的实施方式不限于此。例如，附加电极GE2可以具有其中堆叠两种或更多种金属或合金的多个层。
根据一实施方式，第一连接图案TxB设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。附加电极GE2和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2和第一连接图案TxB的层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2是包含有机绝缘材料的有机绝缘层。有机绝缘材料的示例包括基于聚丙烯酸的化合物、基于聚酰亚胺的化合物、基于氟的化合物诸如特氟龙、基于苯并环丁烯的化合物等。此外，第二保护层PSV2形成为单层。然而，本公开的实施方式不限于此，第二保护层PSV2可以具有多个层。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。此外，漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，图5A示出漏电极DE作为薄膜晶体管TFT的部分部件，但是漏电极DE可以用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
此外，根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第二保护层PSV2上。驱动单元TxP通过穿过第二保护层PSV2的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE、驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
参照图5B，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2和感测电极Rx设置在层间绝缘层ILD上。感测电极Rx包括第二连接图案RxB。
根据一实施方式，附加电极GE2和感测电极Rx形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2和感测电极Rx的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。这里，漏电极DE用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
参照图5C，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1和第一连接图案TxB设置在栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，栅电极GE1和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和第一连接图案TxB的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。此外，漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2和层间绝缘层ILD的接触孔连接到第一连接图案TxB。
这里，漏电极DE用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
此外，根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE、驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
参照图5D，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1和感测电极Rx设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE1和感测电极Rx形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和感测电极Rx的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。这里，漏电极DE用作用于触摸感测的驱动单元TxP。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
参照图5E，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
此外，根据一实施方式，第一连接图案TxB设置在第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE、漏电极DE和第一连接图案TxB的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第一保护层PSV1上。驱动单元TxP通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE和第一连接图案TxB。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB的第一保护层PSV1上。
根据一实施方式，第三保护层PSV3是包含有机绝缘材料的有机绝缘层。有机绝缘材料的示例包括基于聚丙烯酸的化合物、基于聚酰亚胺的化合物、基于氟的化合物诸如特氟龙、基于苯并环丁烯的化合物等。此外，第三保护层PSV3形成为单层。然而，本公开的实施方式不限于此，第三保护层PSV3可以具有多个层。
参照图5F，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
此外，根据一实施方式，感测电极Rx设置在第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE和感测电极Rx形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE、漏电极DE和感测电极Rx的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动电极Tx设置在第一保护层PSV1上。驱动电极Tx通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动电极Tx的第一保护层PSV1上。
参照图5G，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2和第一连接图案TxB设置在层间绝缘层ILD上。附加电极GE2和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2和第一连接图案TxB的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第一保护层PSV1上。驱动单元TxP通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE，并通过穿过第一保护层PSV1和第二保护层PSV2的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB的第一保护层PSV1上。
参照图5H，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2和感测电极Rx设置在层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2和感测电极Rx的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动电极Tx设置在第一保护层PSV1上。驱动电极Tx通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动电极Tx的第一保护层PSV1上。
参照图5I，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1和第一连接图案TxB设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和第一连接图案TxB的栅绝缘层GI上。栅电极GE1和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上提供有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第一保护层PSV1上。驱动单元TxP通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE，并通过穿过第一保护层PSV1和第二保护层PSV2以及层间绝缘层ILD的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB的第一保护层PSV1上。
参照图5J，根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。栅电极GE1和感测电极Rx设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE1和感测电极Rx形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和感测电极Rx的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，附加电极GE2设置在层间绝缘层ILD上。第二保护层PSV2设置在其上设置有附加电极GE2的层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在第二保护层PSV2上。源电极SE和漏电极DE通过分别穿过第二保护层PSV2、层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
根据一实施方式，覆盖薄膜晶体管TFT的第一保护层PSV1设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第二保护层PSV2上。
根据一实施方式，驱动电极Tx设置在第一保护层PSV1上。驱动电极Tx通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到漏电极DE。
根据一实施方式，第三保护层PSV3设置在其上设置有驱动电极Tx的第一保护层PSV1上。
图6是根据本公开的一实施方式的数字转换器的平面图。图7A和图7B是沿着图6的线J-J'截取的截面图。
在图6、图7A和图7B中，将主要描述关于上述实施方式的差异以避免重复。没有在图6、图7A和图7B中具体描述的部件与上述实施方式的部件基本上类似。此外，相同的附图标记指代相同的部件，并且相似的附图标记指代相似的部件。
参照图6，根据一实施方式，本公开的触摸传感器11包括数字转换器DT。数字转换器DT通过使用第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2来感测用户的触摸。
例如，根据一实施方式，数字转换器DT可以使用电磁共振(EMR)方法来实现。EMR方法使用包括多个线圈的数字转换器传感器衬底，并在用户移动笔时通过读取由笔的磁场在线圈中感应的信号来检测笔的位置。
在图6中，根据一实施方式，第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2具有矩形环形形状。然而，本公开的实施方式不限于此，第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2可以具有各种其它形状。
根据一实施方式，当在平面上看时，第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2彼此交叠。
在一些实施方式中，第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2由金属材料诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或银(Ag)制成。然而，本公开的实施方式不限于此，第一数字转换器图案DP1和第二数字转换器图案DP2可以由透明材料制成。
根据一实施方式，数字转换器DT被一体地结合到触摸传感器11中。
根据一实施方式，图7A示出触摸传感器11的截面结构，其示出包括数字转换器DT的触摸传感器11的堆叠结构。在下文，将沿着堆叠顺序来描述本公开的触摸传感器11。
根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。
根据一实施方式，栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE通过穿过层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
此外，根据一实施方式，第一数字转换器图案DP1和第一连接图案TxB设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE、第一数字转换器图案DP1和第一连接图案TxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖源电极SE、漏电极DE、第一数字转换器图案DP1和第一连接图案TxB的第一保护层PSV1设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB设置在第一保护层PSV1上。驱动单元TxP通过穿过第一保护层PSV1的接触孔连接到第一连接图案TxB。
根据一实施方式，驱动单元TxP、感测单元RxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
在本公开的一实施方式中，薄膜晶体管TFT包括半导体层ACT、栅电极GE1、源电极SE和漏电极DE。其中薄膜晶体管TFT具有顶栅结构的情况被示出为非限制性示例，但是本公开的实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以具有底栅结构。
根据一实施方式，图7B示出具有与图7A所示的触摸传感器的结构不同的结构的触摸传感器。在图7B中，将主要描述关于上述实施方式的差异以避免重复。
根据一实施方式，粘合层PI设置在衬底SUB下面，并且薄膜晶体管TFT设置在衬底SUB上。具体地，半导体层ACT设置在衬底SUB上。
根据一实施方式，栅绝缘层GI设置在其上设置有半导体层ACT的衬底SUB上。
根据一实施方式，栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2设置在栅绝缘层GI上。栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，层间绝缘层ILD设置在其上设置有栅电极GE1和第二数字转换器图案DP2的栅绝缘层GI上。
根据一实施方式，源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE通过穿过层间绝缘层ILD和栅绝缘层GI的接触孔分别连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
此外，根据一实施方式，第一数字转换器图案DP1设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，源电极SE、漏电极DE和第一数字转换器图案DP1形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
根据一实施方式，覆盖源电极SE、漏电极DE和第一数字转换器图案DP1的第一保护层PSV1设置在层间绝缘层ILD上。
根据一实施方式，驱动单元TxP和第二连接图案RxB设置在第一保护层PSV1上。驱动单元TxP和第二连接图案RxB形成在相同的层中，并通过相同的工艺由相同的材料形成。
此外，根据一实施方式，覆盖驱动单元TxP和第二连接图案RxB的第四保护层PSV4设置在第一保护层PSV1上。
根据一实施方式，第四保护层PSV4是包括有机绝缘材料的有机绝缘层。有机绝缘材料的示例包括基于聚丙烯酸的化合物、基于聚酰亚胺的化合物、基于氟的化合物诸如特氟龙、基于苯并环丁烯的化合物等。此外，第四保护层PSV4形成为单层。然而，本公开的实施方式不限于此，第四保护层PSV4可以具有多个层。
根据一实施方式，第一连接图案TxB设置在第四保护层PSV4上。第一连接图案TxB连接相邻的驱动单元TxP。
在根据本公开的触摸传感器以及包括该触摸传感器的显示装置中，触摸传感器中的触摸驱动器和用于触摸感测的电极通过相同的工艺由相同的材料形成。
这里已经公开了示范性实施方式，并且尽管使用了特定的术语，但是它们仅被用于并解释为一般性和描述性的含义，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如到本申请提交时为止对于本领域普通技术人员来说将是显然的，结合特定实施方式描述的特征、特性或元件可以单独地使用、或与结合其它实施方式描述的特征、特性或元件结合地使用，除非另外明确地指示。因此，本领域技术人员将理解，可以进行形式和细节上的各种改变，而没有脱离如权利要求书中阐述的本公开的实施方式的精神和范围。
本申请要求于2017年7月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0089804号的优先权以及权益，其内容通过引用整体地结合于此。

Claims (19)

1.一种触摸传感器，包括：
衬底，包括有源区和非有源区；
驱动单元，设置在所述有源区上并在第一方向上延伸；
感测单元，设置在所述有源区上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；
第一连接图案，连接相邻的驱动单元；
第二连接图案，连接相邻的感测单元；以及
触摸驱动器，设置在所述非有源区上，所述触摸驱动器包括将驱动信号传输到每个所述驱动单元的薄膜晶体管，
其中所述薄膜晶体管包括：
半导体层；
栅电极，设置在所述半导体层上并使第一绝缘层插设在其间；以及
源电极和漏电极，连接到所述半导体层，所述源电极和所述漏电极彼此间隔开，
其中所述第一连接图案设置在与所述源电极、所述漏电极或所述栅电极中的至少一个相同的层中。
2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述第一连接图案设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层中。
3.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述第一连接图案设置在与所述栅电极相同的层中。
4.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述感测单元设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层中。
5.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述感测单元设置在与所述栅电极相同的层中。
6.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述驱动单元设置在与所述感测单元相同的层中。
7.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述驱动单元和所述感测单元设置在不同的层中。
8.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述第二连接图案设置在与所述感测单元相同的层中。
9.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述驱动单元设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层中。
10.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中所述触摸驱动器包括：
第一触摸驱动器，设置在所述非有源区的一侧，所述第一触摸驱动器通过第一驱动线连接到所述驱动单元；和
第二触摸驱动器，设置在所述非有源区的另一侧，所述第二触摸驱动器通过第二驱动线连接到所述驱动单元。
11.根据权利要求10所述的触摸传感器，其中所述驱动单元通过不同的第一驱动线连接到所述第一触摸驱动器，
所述驱动单元中的至少两个通过相同的第二驱动线连接到所述第二触摸驱动器。
12.根据权利要求1所述的触摸传感器，还包括：
第二绝缘层，设置在所述栅电极上；和
附加电极，设置在所述第二绝缘层上，所述附加电极与所述栅电极一起形成电容器。
13.根据权利要求12所述的触摸传感器，其中所述第一连接图案设置在与所述附加电极相同的层上。
14.一种触摸传感器，包括：
衬底，包括有源区和非有源区；
驱动单元，设置在所述有源区上并沿着第一方向延伸；
感测单元，设置在所述有源区上并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；
第一连接图案，连接相邻的驱动单元；
第二连接图案，连接相邻的感测单元；以及
触摸驱动器，设置在所述非有源区上，所述触摸驱动器包括将驱动信号传输到每个所述驱动单元的薄膜晶体管，
其中所述薄膜晶体管包括：
半导体层；
栅电极，设置在所述半导体层上并使第一绝缘层插设在其间；
源电极和漏电极，连接到所述半导体层，所述源电极和所述漏电极彼此间隔开；
其中所述第二连接图案设置在与所述感测单元相同的层中。
15.一种显示装置，包括：
显示面板，显示图像；和
触摸传感器，设置在所述显示面板上并感测触摸，
其中所述触摸传感器包括：
衬底，包括有源区和非有源区；
驱动单元，设置在所述有源区上并在第一方向上延伸；
感测单元，设置在所述有源区上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；
触摸驱动器，设置在所述非有源区上并包括将驱动信号传输到每个所述驱动单元的薄膜晶体管；以及
数字转换器，设置在所述衬底上并包括第一数字转换器图案和第二数字转换器图案。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述触摸传感器还包括连接所述驱动单元的第一连接图案以及连接所述感测单元的第二连接图案，并且
所述薄膜晶体管包括半导体层、设置在所述半导体层上并使第一绝缘层插设在其间的栅电极、以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述第一数字转换器图案设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层中。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述第一数字转换器图案设置在与所述第一连接图案相同的层中。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述第二数字转换器图案设置在与所述栅电极相同的层中。
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