KR102056464B1 - 터치 스크린 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 터치 스크린 패널은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외곽의 비표시 영역으로 구분되는 기판; 상기 기판의 표시 영역에 형성된 센싱 라인들; 상기 비표시 영역에 형성되며 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들과 각각 연결되는 배선 라인들; 및 상기 센싱 라인들과 상기 배선 라인들 사이에 형성되고, 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들 중 어느 하나를 상기 배선 라인들에 선택적으로 연결하는 스위칭부를 포함한다.

Description

터치 스크린 패널{Touch Screen Panel}
본 발명의 실시예는 터치 스크린 패널에 관한 것으로, 특히 표시 영역 외곽의 비표시 영역의 크기를 줄일 수 있는 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.
이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이러한 터치 스크린 패널은 영상이 표시되는 표시 영역에 센싱 라인들을 형성함에 의하여 표시 영역 내에서 발생되는 터치 이벤트를 입력신호로서 인식한다. 즉, 터치 스크린 패널이 구비된 영상표시장치의 경우 표시 영역은 영상을 표시하는 표시 영역임과 동시에 터치 입력이 가능한 터치 표시 영역으로 설정된다.
한편, 터치 스크린 패널의 베젤(bezel) 영역은 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역을 포함하며, 비표시 영역에는 상기 센싱 라인들과 연결되는 배선 라인들 및 외부의 구동 회로와의 접속을 위한 패드부가 형성된다.
일반적으로, 배선 라인들은 센싱 라인들로부터 터치 스크린 패널의 장변 방향을 따라 패드부 측으로 연장되며, 배선 라인들이 위치한 비표시 영역의 너비는 배선 라인들의 개수 및 배선 폭에 따라 결정된다.
그런데, 터치 스크린 패널의 대형화 추세에 따라 센싱 라인(또는 센싱 채널)들의 개수가 증가하면 배선 라인들의 개수도 증가되므로, 비표시 영역의 크기 역시 증가하는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 배선 라인들의 배선 폭을 줄이면 배선 저항이 높아져 터치 센싱의 전기적 특성이 떨어지므로, 배선 폭을 줄여서 비표시 영역의 크기를 감소시키는 방법은 한계가 있다.
결과적으로, 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현하기 위해 터치 스크린 패널의 비표시 영역의 크기를 줄일 수 있는 보다 효과적인 방법이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 표시 영역 외곽의 비표시 영역의 크기를 줄일 수 있는 터치 스크린 패널을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외곽의 비표시 영역으로 구분되는 기판; 상기 기판의 표시 영역에 형성된 센싱 라인들; 상기 비표시 영역에 형성되며 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들과 각각 연결되는 배선 라인들; 및 상기 센싱 라인들과 상기 배선 라인들 사이에 형성되고, 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들 중 어느 하나를 상기 배선 라인들에 선택적으로 연결하는 스위칭부를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 센싱 라인들을 구동하기 위한 센싱 신호와, 상기 스위칭부를 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 비표시 영역의 양 측부에 상기 센싱 라인들에 인접하여 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 스위칭부는 제1 센싱 라인과 제1 배선 라인 사이에 형성된 제1 트랜지스터, 및 상기 제1 센싱 라인과 인접한 제2 센싱 라인과 상기 제1 배선 라인 사이에 형성된 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되는 동안 상기 제2 트랜지스터는 턴 오프 되고, 상기 제1 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안 상기 제2 트랜지스터는 턴 온 될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 트랜지스터들 각각은 상기 센싱 라인들 중 어느 하나에 연결되는 소스 전극, 상기 배선 라인들 중 어느 하나에 연결되는 드레인 전극, 및 상기 제어부로부터 상기 제어 신호를 입력받는 게이트 전극을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제어부는 상기 배선 라인들에 소정의 전압 레벨을 갖는 상기 센싱 신호를 순차적으로 전송하고, 홀수 번째 센싱 라인들과 연결된 상기 제1 트랜지스터에 턴 온 및 턴 오프가 반복되는 제1 게이트 신호를 전송하고, 짝수 번째 센싱 라인들과 연결된 상기 제2 트랜지스터에 상기 제1 게이트 신호가 반전된 제2 게이트 신호를 전송할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 배선 라인들의 개수는 상기 센싱 라인들의 개수보다 적다.
일부 실시예에서, 상기 센싱 라인들은 제1 방향을 따라 연결되도록 형성된 제1 센싱 라인들, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연결되도록 형성된 제2 센싱 라인들을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제1 센싱 라인들로부터 분리된 패턴을 갖되, 상기 제1 센싱 라인들의 상부 또는 하부에서 이들에 전기적으로 연결되면서 상기 제1 센싱 라인들을 상기 제1 방향을 따른 라인 단위로 연결하는 브리지 패턴들을 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 브리지 패턴들과 제2 센싱 라인들의 연결부 사이에 개재하는 절연막을 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 적어도 둘 이상의 센싱 라인들과 하나의 배선 라인이 연결되도록 형성하고, 적어도 둘 이상의 센싱 라인들 중 어느 하나를 배선 라인들에 선택적으로 연결하는 스위칭부를 구비함으로써, 배선 라인들의 개수를 줄이고 비표시 영역의 크기를 감소시킬 수 있다.
또한, 기존 공정을 활용하여 스위칭부를 형성함으로써, 제조 공정을 단순화하고 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 터치 스크린 패널의 일례를 개략적으로 도시한 평면도.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들.
도 3은 제1 센싱 라인들에 인가되는 센싱 신호의 타이밍도.
도 4는 스위칭부에 인가되는 제어 신호 및 배선 라인들에 인가되는 센싱 신호의 타이밍도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 터치 스크린 패널의 일례를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 터치 스크린 패널은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)으로 구분되는 기판(10), 상기 기판(10)의 표시 영역(DA)에 형성된 센싱 라인들(11), 상기 비표시 영역(NA)에 형성된 배선 라인들(15), 및 센싱 라인들(11)과 배선 라인들(15) 사이에 형성된 스위칭부(17)를 포함한다. 또한, 터치 스크린 패널은 스위칭부(17)를 제어하는 제어부(20)를 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 영상 표시 영역과 중첩되고 터치입력을 감지하기 위한 센싱 라인들(11)이 형성되는 표시 영역(DA)과, 상기 표시 영역(DA)의 외곽부에 위치하고 배선 라인들(15)이 형성되는 비표시 영역(NA)으로 구분될 수 있다.
기판(10)은 플렉서블 특성을 가지며 투명하면서도 고 내열성 및 내 화학성의 특성을 갖는 물질로 구현될 수 있으며, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 아크릴(Acryl), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르술폰(PES) 및 폴리이미드(PI)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 재료로 형성된 박막형 필름기판일 수 있다.
센싱 라인들(11)은 기판(10) 상의 표시 영역(DA)에 분산되어 배치되며, 서로 다른 방향을 따라 전기적으로 연결된 제1 센싱 라인들(11a)과 제2 센싱 라인들(11b)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 센싱 라인들(11a)은 제1 방향(D1)을 따라 연결되도록 형성되고, 제2 센싱 라인들(11b)은 상기 제1 센싱 라인들(11a)의 사이에 배치되며 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)을 따라 연결되도록 형성될 수 있다.
즉, 제1 센싱 라인들(11a)과 제2 센싱 라인들(11b)은 서로 교번적으로 배치되어 서로 다른 방향을 따라 연결된다. 예컨대, 제1 센싱 라인들(11a)은 행 방향(수평 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 행 라인 단위로 배선 라인들(15)과 연결되고, 제2 센싱 라인들(11b)은 열 방향(수직 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 열 라인 단위로 배선 라인들(15)과 연결될 수 있다.
이러한 센싱 라인들(11)은 빛이 투과될 수 있도록 ITO와 같은 투명전극물질로 형성될 수 있으며, 상기 도전 물질을 기판(10) 상에 증착한 다음, 포토 레지스트 방식으로 패터닝하여 형성될 수 있다.
터치 감지 방식으로는 정전용량 방식, 저항막 방식, 표면 초음파 방식, 적외선 방식 등이 적용될 수 있으며, 주로 이용되는 정전용량 방식은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지전극이 주변의 다른 감지전극 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.
본 실시예에서, 상기 제1 및 제2 센싱 라인들(11a, 11b)은 동일한 재질로 형성되고, 기판(10)의 어느 일면에 다이아몬드 패턴으로 동일한 레이어에 배치될 수 있다.
그러나, 센싱 라인들(11)의 재질, 형상 및 배치 구조는 다양한 변형 실시예를 가질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 제1 및 제2 센싱 라인들(11a, 11b)은 직선형의 스트라이프 패턴이 서로 다른 레이어에 배치될 수 있고, 다른 실시예에서, 센싱 라인들(11)은 투명 도전물질이 아닌 미세 금속 라인들로 구현되는 금속 메쉬(metal mesh) 패턴으로 형성될 수 있고, 또 다른 실시예에서, 제1 및 제2 센싱 라인들(11a, 11b)은 기판(10)을 사이에 두고 기판(10)의 양면에 각각 형성될 수도 있다.
한편, 배선 라인들(15)은 제1 센싱 라인들(11a) 및 제2 센싱 라인들(11b)을 각각 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따른 라인 단위로 외부의 구동회로와 연결하기 위한 것으로, 예컨대, 각각 행 라인 단위 및 열 라인 단위의 제1 및 제2 센싱 라인들(11a, 11b)과 전기적으로 연결되어, 이들을 패드부(PAD)를 통해 위치검출회로(미도시) 또는 제어부(20)와 같은 외부의 구동회로와 연결한다.
이러한 배선 라인들(15)은 영상이 표시되는 표시 영역(DA)을 피해 터치 스크린 패널 외곽의 비표시 영역(NA)에 배치되며, 센싱 라인들(11)로부터 터치 스크린 패널의 장변 방향인 제2 방향(D2)을 따라 패드부(PAD) 측으로 연장될 수 있다.
전술한 바와 같이, 배선 라인들(15)이 위치한 비표시 영역(NA)의 측부의 너비는 배선 라인들(15)의 개수 및 배선 폭에 따라 결정된다.
그런데, 터치 스크린 패널의 대형화 추세에 따라 센싱 라인들(11)의 개수가 증가하면 배선 라인들(15)의 개수도 증가되므로, 비표시 영역(NA)의 크기 역시 증가하는 문제점을 가지고 있다.
이에 본 발명은 적어도 둘 이상의 센싱 라인들(11)과 하나의 배선 라인이 연결되도록 형성하고, 적어도 둘 이상의 센싱 라인들(11) 중 어느 하나를 배선 라인들(15)에 선택적으로 연결하는 스위칭부(17)가 구비됨을 특징으로 한다.
이에 의하여, 배선 라인들(15)의 개수를 줄이고 비표시 영역(NA)의 크기를 감소시킬 수 있다.
구체적으로, 둘 이상의 센싱 라인들(11)과 공통 연결된 하나의 배선 라인이 하나의 그룹으로 정의될 수 있고, 터치 스크린 패널은 상기 배선 그룹들이 복수개 형성될 수 있다.
여기서, 스위칭부(17)는 센싱 라인들(11)과 배선 라인들(15) 사이에 형성되고 센싱 라인들(11) 중 어느 하나를 배선 라인에 선택적으로 연결하는 기능을 한다.
예를 들면, 센싱 라인들(11) 중 인접하는 두 개의 제1 및 제2 센싱 라인이 하나의 제1 배선 라인에 전기적으로 연결되되, 제1 센싱 라인과 제1 배선 라인 사이에는 제1 트랜지스터(TFT1)이 구비되고, 제2 센싱 라인과 제1 배선 라인에는 제2 트랜지스터(TFT2)이 구비될 수 있다.
본 실시예에서는, 두 센싱 라인이 하나의 배선 라인에 연결되고 스위칭부(17)는 트랜지스터(TFT)로 구현됨을 예시하고 있으나, 하나의 배선 라인에 연결되는 센싱 라인의 수와 스위칭부(17)의 종류는 다양한 변형예를 가질 수 있다.
또한, 비표시 영역(NA)의 측부의 너비를 줄이기 위해, 스위칭부(17)가 제1 센싱 라인들(11a)에만 연결됨을 개시하고 있으나, 제2 센싱 라인들(11b)에도 연결되어 동일한 기능을 수행할 수 있다.
결과적으로, 배선 라인들(15)의 개수가 센싱 라인들(11)의 개수보다 적게 형성되므로, 비표시 영역(NA)의 크기를 감소시킬 수 있다.
단, 비표시 영역(NA)의 일부 영역에는 스위칭부(17)가 배치되어야 함을 고려하여, 스위칭부(17)는 센싱 라인들(11)에 최대한 인접하여 형성되는 것이 바람직하다.
제어부(20)는 센싱 라인들(11)을 구동하기 위한 센싱 신호(TX_IN1~6)와, 스위칭부(17)를 제어하기 위한 제어 신호(CON)를 출력한다.
스위칭부(17)의 제어 방법에 관하여는 후술되는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2a를 참조하면, 기판(10)의 표시 영역(DA)에는 센싱 라인들(11)이 형성된다. 전술한 바와 같이, 센싱 라인들(11)은 빛이 투과될 수 있도록 ITO와 같은 투명전극물질로 형성될 수 있으며, 상기 도전 물질을 기판(10) 상에 증착한 다음, 포토 레지스트 방식으로 패터닝하여 형성될 수 있다.
기판(10)의 비표시 영역(NA)에는 센싱 라인들(11), 트랜지스터(TFT) 및 배선 라인들(15) 사이를 연결시키는 연결패턴(11c)이 형성될 수 있다. 연결패턴(11c)은 센싱 라인들(11)과 동일한 재질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
또한, 비표시 영역(NA)의 일부에는 트랜지스터(TFT)를 구성하는 유기 반도체층(SC)이 형성될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 배선 라인들(15)과 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE)은 서로 동일한 재질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
배선 라인들(15)과 트랜지스터(TFT)는 비표시 영역(NA)에 형성되므로, 재료 선택의 폭이 넓어 센싱 라인들(11)의 형성에 이용되는 투명전극물질 외에도 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속물질로 형성될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 절연막(12)과 게이트 절연막(12G)은 동일한 재질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
구체적으로, 절연막(12)은 제1 센싱 라인들(11a)과 제2 센싱 라인들(11b) 사이에 형성되어 양 전극을 전기적으로 절연시킨다. 또한, 절연막(12)은 제2 센싱 라인들(11b)과 후술되는 브리지 패턴들(13)을 절연시키는 기능을 한다.
여기서, 절연막(12)은 센싱 라인들(11)의 연결부가 중첩되는 일부 영역에만 형성될 수도 있고, 센싱 라인들(11)의 전면을 커버하도록 형성될 수도 있다. 절연막(12)이 전면을 커버하도록 형성될 경우, 제1 센싱 라인(11a)과 브리지 패턴들(13)과의 전기적 연결을 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.
게이트 절연막(12G)은 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE) 상에 형성된다. 게이트 절연막(12G)은 드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE)과 후술되는 게이트 전극(GE)을 절연시키는 기능을 한다.
도 2d를 참조하면, 브리지 패턴들(13)과 게이트 전극(GE)은 동일한 재질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
브리지 패턴들(13)은 제1 센싱 라인들(11a)로부터 분리된 패턴을 갖되, 제1 센싱 라인들(11a)의 상부에서 이들에 전기적으로 연결되면서 제1 센싱 라인들(11a)을 제1 방향(D1)을 따른 라인 단위로 연결한다.
게이트 절연막(12G) 상에는 게이트 전극(GE)을 형성한다. 게이트 전극(GE)은 제어부(20)와 전기적으로 연결되어 게이트 제어 신호(CON)를 입력받는다.
본 실시예에서, 스위칭부(17)는 트랜지스터(TFT)를 포함하되, 트랜지스터(TFT)를 별도로 형성하는 공정을 추가하지 않고, 센싱 라인들(11) 및 배선 라인들(15)을 형성하는 기존 공정을 활용하여 트랜지스터(TFT)를 형성할 수 있다. 이에 의하여, 제조 공정을 단순화하고 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 게이트 전극(GE)이 상부에 형성된 탑(top) 게이트 구조를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서, 게이트 전극(GE)이 하부에 형성된 바텀(bottom) 게이트 구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 트랜지스터(TFT)가 바텀(bottom) 게이트 구조인 경우, 센싱 라인들과 트랜지스터의 게이트 전극은 동일한 레이어에 동일한 재질로 형성되고, 브리지 패턴과 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극은 동일한 재질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다.
도 3은 제1 센싱 라인들(11a)에 인가되는 센싱 신호(TX1~12)의 타이밍도이고, 도 4는 스위칭부(17)에 인가되는 제어 신호(Gate1, 2) 및 배선 라인들(15)에 인가되는 센싱 신호(TX_IN1~6)의 타이밍도이다.
본 실시예에서, 제어부(20)는 배선 라인들(15)에 소정의 전압 레벨을 갖는 센싱 신호(TX_IN1~6)를 순차적으로 전송하고, 홀수 번째 센싱 라인들과 연결된 제1 트랜지스터(TFT1)에 턴 온 및 턴 오프가 반복되는 제1 게이트 신호(Gate1)를 전송하고, 짝수 번째 센싱 라인들과 연결된 제2 트랜지스터(TFT2)에 제1 게이트 신호(Gate1)가 반전된 제2 게이트 신호(Gate2)를 전송한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 센싱 신호(TX1~12)는 제1 센싱 라인들(11a)에 순차적으로 인가되는 스캐닝 신호이다. 어느 하나의 제1 센싱 라인에 센싱 신호가 인가되면, 다른 제1 센싱 라인들은 오프 상태이고, 제1 센싱 라인들(11a)에 순차적으로 모든 센싱 신호(TX1~12)가 인가되면 다시 반복된다.
도 4를 참조하면, 제1 센싱 라인들(11a)은 두 개씩 그룹화되어 하나의 배선 라인에 연결되므로, 제1 센싱 라인들(11a)에 연결되는 배선 라인들의 개수는 제1 센싱 라인들(11a)의 개수의 절반이다.
따라서, 제1 센싱 라인들(11a)에 연결되는 배선 라인들(15)에 인가되는 센싱 신호(TX_IN1~6)는 상기 제1 센싱 라인들(11a)에 인가되는 센싱 신호(TX1~12)의 개수의 절반인 6개가 된다.
또한, 하나의 그룹은 각각 두 개의 트랜지스터(TFT1, 2)를 포함하므로, 스위칭부(17)에 인가되는 제어 신호(Gate1, 2)는 두 가지이다.
결과적으로, 제1 센싱 라인들(11a)에 인가되는 센싱 신호(TX1~12)는 트랜지스터들(TFT1, 2)에 인가되는 제어 신호(Gate1, 2), 및 배선 라인들(15)에 인가되는 센싱 신호(TX_IN1~6)에 의해 결정된다.
예를 들면, 배선 라인들(15)에 제1 센싱 신호(TX_IN1)의 온 신호가 인가된 상태에서, 제1 트랜지스터(TFT1)에 제1 게이트 신호(Gate1)의 온 신호가 입력되면, 제1 트랜지스터(TFT1)가 턴 온 되고, 제1 트랜지스터(TFT1)에 연결된 어느 하나의 센싱 라인에 제1 센싱 신호(TX1)가 인가된다.
이때, 제2 게이트 신호(Gate2)는 제1 게이트 신호(Gate1)의 반전 신호이므로, 제2 트랜지스터(TFT2)는 턴 오프 상태를 유지한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
10: 기판 11: 센싱 라인들
11a: 제1 센싱 라인들 11b: 제2 센싱 라인들
11c: 연결패턴
12: 절연막 12G: 게이트 절연막
13: 브리지 패턴들 15: 배선 라인들
17: 스위칭부
TFT1: 제1 트랜지스터 TFT2: 제2 트랜지스터
20: 제어부

Claims (11)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외곽의 비표시 영역으로 구분되는 기판;
    상기 기판의 표시 영역에 형성된 센싱 라인들;
    상기 비표시 영역에 형성되며 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들과 각각 연결되는 배선 라인들; 및
    상기 센싱 라인들과 상기 배선 라인들 사이에 형성되고, 적어도 둘 이상의 상기 센싱 라인들 중 어느 하나를 상기 배선 라인들에 선택적으로 연결하는 스위칭부를 포함하되,
    상기 스위칭부는 상기 비표시 영역에서 서로 대향되는 양측에 분산되어 배치되는 터치 스크린 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센싱 라인들을 구동하기 위한 센싱 신호와, 상기 스위칭부를 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 스위칭부는 상기 센싱 라인들에 인접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 스위칭부는
    제1 센싱 라인과 제1 배선 라인 사이에 형성된 제1 트랜지스터, 및
    상기 제1 센싱 라인과 인접한 제2 센싱 라인과 상기 제1 배선 라인 사이에 형성된 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 스위칭부는
    상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되는 동안 상기 제2 트랜지스터는 턴 오프 되고, 상기 제1 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안 상기 제2 트랜지스터는 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 트랜지스터들 각각은
    상기 센싱 라인들 중 어느 하나에 연결되는 소스 전극,
    상기 배선 라인들 중 어느 하나에 연결되는 드레인 전극, 및
    상기 제어부로부터 상기 제어 신호를 입력받는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  7. 제4 항에 있어서, 상기 제어부는
    상기 배선 라인들에 소정의 전압 레벨을 갖는 상기 센싱 신호를 순차적으로 전송하고,
    홀수 번째 센싱 라인들과 연결된 상기 제1 트랜지스터에 턴 온 및 턴 오프가 반복되는 제1 게이트 신호를 전송하고,
    짝수 번째 센싱 라인들과 연결된 상기 제2 트랜지스터에 상기 제1 게이트 신호가 반전된 제2 게이트 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 배선 라인들의 개수는 상기 센싱 라인들의 개수보다 적은 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 센싱 라인들은
    제1 방향을 따라 연결되도록 형성된 제1 센싱 라인들, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연결되도록 형성된 제2 센싱 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 라인들로부터 분리된 패턴을 갖되, 상기 제1 센싱 라인들의 상부 또는 하부에서 이들에 전기적으로 연결되면서 상기 제1 센싱 라인들을 상기 제1 방향을 따른 라인 단위로 연결하는 브리지 패턴들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
  11. 제1 항에 있어서,
    브리지 패턴들과 제2 센싱 라인들의 연결부 사이에 개재하는 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널.
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