KR20190007586A - Method and apparatus for heat processing of substrate, substrate processing apparatus - Google Patents

Method and apparatus for heat processing of substrate, substrate processing apparatus Download PDF

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Abstract

Disclosed is a device for thermally processing a substrate. According to one embodiment of the present invention, the device for thermally processing the substrate can comprise: a support member rotated about a rotation axis on which substrates are placed on the same plane; a heating member disposed to face the support member and having a plurality of heating sections; and a driving part for rotating the supporting member such that the substrates placed on the supporting member sequentially turn the heating sections.

Description

기판 열처리 장치 및 방법 그리고 기판 처리 장치{METHOD AND APPARATUS FOR HEAT PROCESSING OF SUBSTRATE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS} FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method,

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

일반적으로 웨이퍼는 이온주입공정, 막 증착 공정, 확산 공정, 사진식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 통해 제조되는데, 이러한 공정들 중에서 웨이퍼에 원하는 패턴을 형성하기 위한 사진식각공정은 식각이나 이온이 주입될 부위와 보호될 부위를 선택적으로 정의하기 위하여 소정의 패턴을 웨이퍼 위에 형성하는 것으로, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 떨어뜨린 후 고속으로 회전시켜 웨이퍼 위에 소정 두께로 포토레지스트 층이 형성되도록 하는 도포공정과, 포토레지스트 층이 형성된 웨이퍼와 마스크를 정렬시킨 후 자외선과 같은 빛이 마스트를 통해 웨이퍼 상의 포토레지스트 층에 조사되도록 하여 마스크 또는 레티클의 패턴이 웨이퍼에 옮겨지도록 하는 노광공정과, 노광공정이 완료된 포토레지스트 층을 현상하여 원하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상공정으로 이루어진다.Generally, a wafer is manufactured through a plurality of processes such as an ion implantation process, a film deposition process, a diffusion process, a photolithography process, and the like. Among these processes, a photolithography process for forming a desired pattern on a wafer is performed by etching A coating step of dropping a photoresist on a wafer and then rotating the wafer at a high speed to form a photoresist layer having a predetermined thickness on the wafer by forming a predetermined pattern on the wafer in order to selectively define a part to be protected, An exposure step of aligning the mask with the wafer on which the photoresist layer is formed and irradiating a light such as ultraviolet rays onto the photoresist layer on the wafer through the mast so that the pattern of the mask or reticle is transferred to the wafer; Layer is developed to form a desired photoresist pattern It comprises a developing step of forming.

또한, 사진식각공정에는 웨이퍼를 소정 온도하에서 굽는 베이킹 공정이 포함된다. 베이킹 공정으로는 도포공정이 이루어지기 전에 웨이퍼에 흡착된 수분을 제거하기 위한 프리 베이킹 공정과, 포토레지스트를 도포한 후 포토레지스트 층을 건조시켜 포토레지스트 층이 웨이퍼의 표면에 고착되게 하는 소프트 베이킹 공정과, 노광공정 후에 포토레지스트 층을 가열하는 노광 후 베이킹 단계와, 현상공정에 의해 형성된 패턴이 웨이퍼 상에 견고하게 부착되도록 하는 하드 베이킹 공정을 포함한다.The photolithography process includes a baking process for baking the wafer under a predetermined temperature. The baking process includes a pre-baking process for removing moisture adsorbed on the wafer before the application process, a soft baking process for applying the photoresist and drying the photoresist layer to fix the photoresist layer to the surface of the wafer An after-exposure baking step for heating the photoresist layer after the exposure step, and a hard baking step for firmly adhering the pattern formed by the development step to the wafer.

앞서 언급한 베이킹 공정을 수행하기 위한 베이크 장치는 기판 상에 도포된 막을 베이킹 하는 공정중에 발생하는 퓸(fume)의 배기 과정에서 유발되는 챔버 내 기류의 온도차 및 속도차에 의해 기판 휨(Warpage)이 일어나고 이로 인해 기판 상의 막 두께가 균일하게 분포되지 못하는 문제점이 있으며, 이는 기판 식각공정의 불량을 초래해 생산성을 저하시킨다. The above-described baking apparatus for performing the baking process is characterized in that substrate warping is caused by the temperature difference and the speed difference of the air flow in the chamber caused in the exhaust process of the fume generated during the process of baking the film coated on the substrate There is a problem that the film thickness on the substrate is not uniformly distributed. This causes defects in the substrate etching process and lowers the productivity.

특히, 챔버 내의 기판 공급/배출 과정에서 척(chuck)의 히터를 온/오프하게 되는데, 이 과정에서 히터의 온도 상승 및 하강으로 히터의 전원단자대가 파손되어 히터 수명 저하 및 설비 PM 주기 증가로 생산 효율이 저하되는 문제가 있다.Particularly, in the process of supplying / discharging the substrate in the chamber, the heater of the chuck is turned on / off. In this process, since the power terminal block of the heater is broken due to the temperature rise and fall of the heater, There is a problem that the efficiency is lowered.

본 발명의 일 과제는, 히터의 온도를 고정하여 히터의 전원단자대 파손을 방지할 수 있는 기판 열처리 장치 및 방법 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus and method capable of fixing the temperature of a heater to prevent destruction of a power source terminal block of a heater, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 과제는, 기판의 열충격을 최소화할 수 있는 기판 열처리 장치 및 방법 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate thermal processing apparatus and method capable of minimizing the thermal shock of the substrate and a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 과제는, 퓸 배기에 의한 기류의 온도차 및 속도차를 최소화할 수 있는 기판 열처리 장치 및 방법 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus and method capable of minimizing a temperature difference and a speed difference of an air flow by a fume exhaust, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 회전축을 중심으로 회전되고, 동일 평면상에 기판들이 놓여지는 지지 부재; 상기 지지부재와 대향되게 배치되고, 복수의 가열 구간들을 갖는 가열 부재; 및 상기 지지부재에 놓여진 기판들이 상기 가열 구간들을 순차적으로 선회하도록 상기 지지부재를 회전시키는 구동부를 포함하는 기판 열처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a support member rotated about a rotation axis and on which substrates are placed on the same plane; A heating member disposed to face the support member and having a plurality of heating sections; And a driving unit for rotating the supporting member such that substrates placed on the supporting member sequentially turn the heating sections.

또한, 상기 지지 부재는 기판이 안착되는 안착부들을 포함하고, 상기 안착부들은 상기 지지 부재의 회전 중심을 기준으로 원주상에 등간격으로 배치될 수 있다.In addition, the support member includes the seating portions on which the substrate is seated, and the seating portions may be arranged at regular intervals on the circumference with reference to the rotation center of the support member.

또한, 상기 안착부는 상기 지지부재의 상면으로부터 소정 깊이로 형성된 수용홈; 및 상기 수용홈에 로딩/언로딩 가능하게 삽입되고, 적어도 하나의 기판이 놓여지는 기판 홀더를 포함할 수 있다.The mounting portion may include a receiving groove formed at a predetermined depth from an upper surface of the supporting member; And a substrate holder which is inserted into the receiving groove so as to be capable of being loaded / unloaded and on which at least one substrate is placed.

또한, 상기 기판 홀더는 상기 수용홈 안에서 자기중심축을 중심으로 회전 가능할 수 있다.Also, the substrate holder may be rotatable about the magnetic center axis in the receiving groove.

또한, 상기 기판 홀더를 회전시키는 홀더 구동부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a holder driving unit for rotating the substrate holder.

또한, 상기 기판 홀더는 기판 반송 로봇의 엔드이펙터가 기판을 로딩 및 언로딩할 수 있도록 상기 엔드이펙터가 삽입되는 삽입홈을 가질 수 있다.In addition, the substrate holder may have an insertion groove into which the end effector is inserted so that the end effector of the substrate transport robot can load and unload the substrate.

또한, 상기 복수의 가열 구간들은 상기 안착부들의 이동 반경을 따라 배치될 수 있다.In addition, the plurality of heating sections may be disposed along the movement radius of the seating portions.

또한, 상기 복수의 가열 구간들은 상기 안착부들의 이동 방향으로부터 프리 히터 구간, 베이크 구간 그리고 쿨링 구간을 포함할 수 있다.The plurality of heating sections may include a preheater section, a baking section, and a cooling section from a moving direction of the seating portions.

또한, 상기 프리 히터 구간은 기판을 제1온도로 가열하고, 상기 베이크 구간은 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하며, 상기 쿨링 구간은 제1온도보다 낮은 제3온도로 가열할 수 있다.Also, the preheater section may heat the substrate to a first temperature, the bake section may heat to a second temperature that is higher than the first temperature, and the cooling section may be heated to a third temperature that is less than the first temperature .

또한, 상기 가열 부재는 상기 기판 지지부재의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다.The heating member may be disposed on at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate supporting member.

또한, 상기 가열 부재의 상부에 위치되고, 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판으로부터 발생되는 퓸을 강제 배기시키기 위한 배기 덕트를 더 포함할 수 있다.The heating member may further include an exhaust duct positioned above the heating member and for forcibly exhausting the fumes generated from the substrate heated by the heating member.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지 부재에 기판들이 순차적으로 로딩되는 단계; 상기 지지 부재에 로딩된 기판은 이동 경로를 따라 이동하면서 가열 처리되는 단계; 및 가열 처리된 기판들은 상기 지지 부재로부터 순차적으로 언로딩되는 단계를 포함하되; 상기 가열 처리 단계는 상기 기판들이 상기 이동 경로를 따라 배치된 다수의 가열 구간들을 순차적으로 이동하면서 열처리 되는 기판 열처리 방법이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: sequentially loading substrates on a support member; Wherein the substrate loaded on the support member is heated while moving along the movement path; And the heat treated substrates are sequentially unloaded from the support member; The heat treatment step may be provided with a substrate heat treatment method in which the substrates are heat-treated while sequentially moving a plurality of heating sections arranged along the movement path.

또한, 상기 이동 경로는 기판들이 순환이동되는 원주이동경로를 가질 수 있다.In addition, the movement path may have a circumferential movement path in which the substrates are circulated.

또한, 상기 가열 처리 단계는 상기 가열 구간들 중 기판을 제1온도로 가열하는 프리 히터 구간, 상기 프리 히터 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 베이크 구간 그리고 상기 베이크 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도로 쿨링하는 쿨링 구간을 순차적으로 이동할 수 있다.The heating process may include a preheater section for heating the substrate to a first temperature among the heating sections, a bake section for heating the substrate having passed the preheater section to a second temperature higher than the first temperature, A cooling section for cooling the substrate that has passed through the first temperature to a third temperature lower than the first temperature can be sequentially moved.

또한, 상기 가열 처리 단계에서 상기 기판은 자전할 수 있다.Further, in the heating process step, the substrate can be rotated.

본 발명이 다른 측면에 따르면, 상기 반도체 제조 장치 내로 또는 그것으로부터 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 로딩/언로딩 포트; 상기 로딩/언로딩 포트와 연결되고, 기판 반송을 위한 반송 로봇이 배치되는 기판 반송부; 상기 기판 반송부를 따라 배치되고, 기판에 대한 도포 공정을 수행하기 위한 도포 모듈; 및 상기 기판 반송부를 따라 배치되고, 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리 모듈을 포함하되; 상기 열처리 모듈은 복수의 가열 구간들을 갖는 가열 부재; 및 상기 복수의 가열 구간들을 기판들이 순차적으로 통과하도록 기판들을 지지하는 지지 부재를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus comprising: a loading / unloading port for loading or unloading a substrate into or from the semiconductor manufacturing apparatus; A substrate transfer section connected to the loading / unloading port and having a transfer robot for substrate transfer; An application module disposed along the substrate transfer section and performing a coating process on the substrate; And a heat treatment module disposed along the substrate transfer part and performing a heat treatment process on the substrate, The heat treatment module includes a heating member having a plurality of heating sections; And a support member for supporting the substrates such that the substrates sequentially pass through the plurality of heating sections.

또한, 상기 지지 부재는 회전축을 중심으로 회전되는 턴테이블; 및 상기 턴테이블의 동일 평면상에 상기 회전 중심을 기준으로 원주상에 등간격으로 배치되며, 기판들이 놓여지는 안착부들을 포함할 수 있다.Further, the support member may include a turntable rotated about a rotation axis; And seating portions disposed on the same plane of the turntable at regular intervals on the circumference with respect to the center of rotation and on which the substrates are placed.

또한, 상기 안착부는 기판을 지지하는 기판 홀더를 포함하고, 상기 기판 홀더는 자전될 수 있다.Further, the mount portion includes a substrate holder for supporting the substrate, and the substrate holder can be rotated.

또한, 상기 복수의 가열 구간은 기판을 제1온도로 가열하는 프리 히터 구간, 상기 프리 히터 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 베이크 구간; 및 상기 베이크 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도로 쿨링하는 쿨링 구간을 포함할 수 있다.The plurality of heating sections may include a preheater section for heating the substrate to a first temperature, a baking section for heating the substrate having passed the preheater section to a second temperature higher than the first temperature, And a cooling section for cooling the substrate having passed the baking section to a third temperature lower than the first temperature.

본 발명에 의하면, 기판의 반입 및 반출에 따라 히터의 온도를 온/오프하지 않고 각 구간별 온도에 따라 히터의 온도를 고정함으로써 히터의 전원단자대 파손을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent breakage of the power source terminal of the heater by fixing the temperature of the heater in accordance with the temperature of each section without turning on / off the heater according to the loading and unloading of the substrate.

본 발명에 의하면, 외부 공기의 유입 경로가 베이크 구간과 일정 거리 이격되어 있고, 외부 공기가 이동하면서 서서히 온도가 상승하기 때문에 베이크 구간에서의 기류의 온도차 및 속도차에 의한 기판 휨 현상을 방지할 수 있다. According to the present invention, since the inflow path of the outside air is spaced a certain distance from the bake section and the temperature rises gradually as the outside air moves, it is possible to prevent the substrate bending due to the temperature difference and the speed difference of the air flow in the bake section have.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)를 일 실시예의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 열처리 모듈을 보여주는 측면도이다
도 3은 도 2에 도시된 열처리 모듈의 평면도이다.
도 4는 열처리 모듈의 분해 사시도이다.
도 5는 열처리 모듈의 단면도이다.
도 6은 열처리 모듈에서의 기판 온도 프로파일을 보여주는 도면이다.
도 7은 기판 홀더를 보여주는 도면이다.
도 8 및 도 9는 열처리 모듈에서 지지부재의 제2 실시예를 보여주는 도면들이다.
도 10 내지 도 12는 지지부재의 제3실시예를 보여주는 도면들이다.
도 13은 가열 부재의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 14는 기판 처리 장치의 다른 배치를 보여주는 도면이다. 1 is a sectional view of an embodiment of a substrate processing apparatus 1000 according to the present invention.
2 is a side view showing the heat treatment module shown in Fig. 1
3 is a top view of the heat treatment module shown in FIG.
4 is an exploded perspective view of the heat treatment module.
5 is a cross-sectional view of the heat treatment module.
6 is a view showing the substrate temperature profile in the heat treatment module.
7 is a view showing a substrate holder.
8 and 9 are views showing a second embodiment of the support member in the heat treatment module.
10 to 12 are views showing a third embodiment of the support member.
13 is a view showing a modification of the heating member.
14 is a view showing another arrangement of the substrate processing apparatus.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms and accompanying drawings used herein are for the purpose of illustrating the present invention easily, and the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다. The detailed description of known techniques which are not closely related to the idea of the present invention among the techniques used in the present invention will be omitted.

본 명세서에 기재되는 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as disclosed to those skilled in the art. Should be construed to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 10 according to the present invention will be described.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 일 실시예의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an embodiment of a substrate processing apparatus 10 according to the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 로딩/언로딩 포트(12), 기판 반송부(14) 그리고 도포 모듈(20)과 열처리 모듈(100)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 may include a loading / unloading port 12, a substrate carrying section 14, a coating module 20, and a heat treatment module 100.

로딩/언로딩 포트(12)는 기판 처리 장치(10)의 전단부 및 후단부에 배치될 수 있다. 로딩/언로딩 포트(12)는 기판 처리 장치(10) 내로 또는 그것으로부터 기판을 로딩 또는 언로딩하기 출입구이다. 로딩/언로딩 포트(12)는 기판 처리 장치(10)의 전단부와 후단부에 각각 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The loading / unloading port 12 may be disposed at the front end and the rear end of the substrate processing apparatus 10. The loading / unloading port 12 is an entrance for loading or unloading the substrate into or from the substrate processing apparatus 10. The loading / unloading port 12 may be provided at the front end and the rear end of the substrate processing apparatus 10, respectively, but is not limited thereto.

기판 반송부(14)는 로딩/언로딩 포트(12)와 도포 모듈(20)들 그리고 열처리 모듈(100)들 간의 기판을 이동시키기 위한 반송로봇(15)과, 반송 로봇(15)이 이동하는 이동통로(16)를 제공한다. The substrate transfer section 14 includes a transfer robot 15 for transferring the substrate between the loading / unloading port 12 and the application modules 20 and the heat treatment modules 100 and a transfer robot 15 for moving the transfer robot 15 Thereby providing a moving passage 16.

도포 모듈(20)은 기판 반송부(14)의 일측면을 따라 배치될 수 있다. 도포 모듈(20)은 기판 상에 액을 도포하는 도포 공정을 수행할 수 있다. The application module 20 may be disposed along one side of the substrate transfer section 14. [ The application module 20 can perform an application process of applying a liquid on the substrate.

열처리 모듈(100)은 기판 반송부(14)의 타측면을 따라 배치될 수 있다. 일 예로, 열처리 모듈(100)은 기판에 액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나, 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행할 수 있다. 도시하지 않았지만, 열처리 모듈(100)은 상하 방향으로 적층될 수 있다. The heat treatment module 100 may be disposed along the other side of the substrate transfer section 14. [ For example, the heat treatment module 100 may include a prebake step of removing organic matter and moisture on the surface of the substrate W by heating the substrate W to a predetermined temperature before applying the liquid to the substrate, A soft bake process performed after application on the substrate W, and the like can be performed. Although not shown, the heat treatment module 100 may be stacked in the vertical direction.

본 실시예에서는 기판 반송부 양측에 도포 모듈과 열처리 모듈이 각각 배치되어 있는 것에 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 도 14에서와 같이, 기판 처리 장치(10)는 기판 반송부(14)의 양사이드에 열처리 모듈(100)들만 배치될 수도 있다. In this embodiment, the coating module and the heat treatment module are disposed on both sides of the substrate transfer section, but the present invention is not limited thereto. As shown in FIG. 14, only the heat treatment modules 100 may be disposed on both sides of the substrate transfer section 14 in the substrate processing apparatus 10.

도 2는 도 1에 도시된 열처리 모듈을 보여주는 측면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 열처리 모듈의 평면도이며, 도 4는 열처리 모듈의 분해 사시도이다. 그리고 도 5는 열처리 모듈의 단면도이다. FIG. 2 is a side view showing the heat treatment module shown in FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of the heat treatment module shown in FIG. 2, and FIG. 4 is an exploded perspective view of the heat treatment module. And Figure 5 is a cross-sectional view of the heat treatment module.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 열처리 모듈(100)은 챔버(110), 지지부재(200), 구동부(300) 가열 부재(400) 그리고 배기 덕트(500)를 포함할 수 있다.2 to 5, the heat treatment module 100 may include a chamber 110, a support member 200, a driving unit 300, a heating member 400, and an exhaust duct 500.

공정 챔버(110)는 베이크 공정이 수행되는 내부 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 공정챔버(110)의 내부를 외부와 격리시키는 벽(111, 112, 113)을 포함한다. 벽은 상부벽(111), 상부벽(111)의 가장자리로부터 아래방향으로 연장되는 측벽(112) 및 측벽(112)의 하단에 결합되어 상부벽(111)과 마주보는 하부벽(113)을 포함할 수 있다. The process chamber 110 provides an interior space in which the bake process is performed. The process chamber 110 includes walls 111, 112, and 113 that isolate the interior of the process chamber 110 from the exterior. The wall includes a top wall 111, a side wall 112 extending downwardly from an edge of the top wall 111 and a bottom wall 113 coupled to the bottom of the side wall 112 and facing the top wall 111 can do.

측벽(112)에는 기판(W)이 반입되거나 반출되는 통로(114)가 형성된다. 통로(114)에는 통로(114)를 개폐하는 도어(115)가 설치된다. 도어(115)는 도어(115)에 결합된 도어작동부(미도시됨)에 의해 통로(114)의 길이방향에 수직한 방향으로 이동하여 통로(114)를 개폐할 수 있다. 본 실시예에서는 기판이 반입되는 통로를 개폐하는 반입 도어(115a)와 기판이 반출되는 통로를 개폐하는 반출 도어(115b)를 포함할 수 있다. A passageway 114 through which the substrate W is carried or unloaded is formed in the side wall 112. The passage 114 is provided with a door 115 for opening and closing the passage 114. The door 115 can be opened and closed by moving in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the passage 114 by a door operating portion (not shown) coupled to the door 115. The present embodiment may include a carry-in door 115a for opening and closing a passage through which the substrate is carried, and a carry-out door 115b for opening and closing a passage through which the substrate is taken out.

지지 부재(200)은 공정챔버(110)의 내부에 배치된다. 지지 부재(200)는 턴테이블(210)과 턴테이블(210)을 지지하는 지지 샤프트(220)를 포함한다. 턴테이블(210)은 복수의 기판들이 놓여지는 배치타입으로 이루어진다. 턴테이블(210)에는 기판들이 안착되며, 구동부(300)에 의해 회전된다. The support member 200 is disposed inside the process chamber 110. The support member 200 includes a turntable 210 and a support shaft 220 that supports the turntable 210. The turntable 210 is of a layout type in which a plurality of substrates are placed. The substrates are placed on the turntable 210 and rotated by the driving unit 300.

일 예로, 턴테이블(210)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 턴테이블(210)의 상면에는 6개의 안착부(230)가 제공되며, 각각에는 하나의 기판이 놓여질 수 있다. 안착부(230)는 턴테이블(210)의 회전 중심으로부터 동일 원주상에 등간격으로 배치될 수 있다. For example, the turntable 210 may be provided in a disc shape. On the upper surface of the turntable 210, six seating portions 230 are provided, and one substrate may be placed on each of the seating portions 230. [ The seating portions 230 may be equally spaced from the center of rotation of the turntable 210 on the same circumference.

본 실시예에서는 턴테이블(210)에 60도 간격으로 6개의 안착부(230)가 배치된 것으로 도시하였으나, 안착부(230)의 개수는 턴테이블의 크기, 기판의 크기 그리고 안착부의 배치 구조에 따라 달라질 수 있다. 또한, 안착부(230)의 배치나 형상은 상술한 예와 상이할 수 있다. In the present embodiment, six turrets 230 are disposed at intervals of 60 degrees on the turntable 210, but the number of the turrets 230 varies depending on the size of the turntable, the size of the turntable, . Further, the arrangement and shape of the seating portion 230 may be different from the above-described examples.

안착부(230)는 턴테이블(210)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성된 수용홈(232)과 수용홈(232)에 탈부착 가능하게 삽입되는 기판 홀더(240)를 포함할 수 있다. 기판 홀더(240)에는 하나의 기판이 놓여질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 하나의 기판 홀더(240)에는 다수의 기판이 놓여질 수 있다. The seating part 230 may include a receiving groove 232 formed at a predetermined depth from the upper surface of the turntable 210 and a substrate holder 240 detachably inserted into the receiving groove 232. One substrate may be placed on the substrate holder 240. However, it is not limited thereto, and a plurality of substrates may be placed in one substrate holder 240.

도 7은 기판 홀더를 보여주는 도면이다. 7 is a view showing a substrate holder.

도 7에서와 같이, 기판 홀더(240)는 상면에 삽입홈(242)을 갖는다. 삽입홈(242)은 반송 로봇(15)의 엔드이펙터(EF)와 대응되는 형상을 갖는다. 삽입홈(242)은 엔드이펙터(EF)의 두께보다 깊게 형성되는 것이 바람직하다. 엔드이펙터(EF)는 기판 홀더(240)로부터 기판을 로딩 및 언로딩하기 위해 삽입홈(242)에 삽입된다. 지지부재(200)는 상술한 구조를 적용함으로써 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 리프트 핀 장치를 생략할 수 있다. 7, the substrate holder 240 has an insertion groove 242 on its upper surface. The insertion groove 242 has a shape corresponding to that of the end effector EF of the transfer robot 15. The insertion groove 242 is preferably formed deeper than the thickness of the end effector EF. The end effector EF is inserted into the insertion groove 242 for loading and unloading the substrate from the substrate holder 240. The support member 200 can omit the lift pin device for loading and unloading the substrate by applying the above-described structure.

구동부(300)는 지지부재(200)에 놓여진 기판들이 가열 부재(400)의 가열 구간들을 순차적으로 선회하도록 지지부재(200)를 회전시킨다. 지지부재(200)를 회전시키는 구동부(290)는 구동모터의 회전수와 회전속도를 제어할 수 있는 엔코더가 설치된 스텝핑 모터를 사용하는 것이 바람직하며, 엔코더에 의해 기판의 제1사이클 공정(프리베이킹-베이킹-쿨링) 시간을 제어하게 된다.The driving unit 300 rotates the supporting member 200 so that the substrates placed on the supporting member 200 sequentially rotate the heating sections of the heating member 400. The driving unit 290 for rotating the support member 200 preferably uses a stepping motor provided with an encoder capable of controlling the rotation speed and the rotation speed of the driving motor. - baking - cooling) time.

가열 부재(400)는 지지부재(300)와 대향되도록 상부에 배치된다. 가열 부재(400)는 복수의 가열 구간들을 갖는다. 복수의 가열 구간들은 안착부(230)들의 이동 반경을 따라 배치될 수 있다. 일 예로, 복수의 가열 구간들은 안착부(230)들의 이동 방향으로부터 프리 히터 구간(410), 베이크 구간(420) 그리고 쿨링 구간(430)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 가열 부재(400)가 지지 부재(300)의 상부에 배치된 것으로 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 필요에 가열 부재(400)는 지지 부재(300)의 상부와 하부 또는 하부에만 배치될 수도 있다. The heating member 400 is disposed on the upper side so as to face the supporting member 300. The heating member 400 has a plurality of heating sections. The plurality of heating sections may be disposed along the movement radius of the seating portions 230. For example, the plurality of heating sections may include a preheater section 410, a bake section 420, and a cooling section 430 from the moving direction of the seating portions 230. Although the heating member 400 is illustrated as being disposed on the upper portion of the support member 300 in the present embodiment, the heating member 400 may be provided only on the upper portion and the lower portion or the lower portion of the support member 300 .

본 실시예에서 프리 히터 구간(410)에는 2개의 안착부(230)가 위치될 수 있는 넓이를 갖고, 베이크 구간(420)과 쿨링 구간(430)은 각각 하나의 안착부(230)가 위치될 수 있는 넓이를 갖는 것으로 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 각 가열 구간들의 넓이는 공정 및 기판 온도 프로파일 등에 다양한 조건에 따라 달라질 수 있다. In the present embodiment, the preheater section 410 has an area where two seating portions 230 can be positioned, and the baking section 420 and the cooling section 430 have one seating portion 230 positioned thereon However, the present invention is not limited thereto, and the width of each heating section may vary depending on various conditions such as a process and a substrate temperature profile.

가열 부재(400)와 지지부재(200) 사이에는 기판이 가열 처리되는 터널 공간이 제공된다. 가열 부재(400)는 기판이 들어가는 입구(402)와 기판이 나오는 출구(404)가 개방된 형태로 제공되며, 입구(402)와 출구(404)를 통해 터널 공간(406)으로 외부 공기가 유입된다. 가열 부재(400)의 가장자리에는 스커트부(408)가 하방향으로 돌출되어 형성됨으로써 지지부재(300)와의 틈새를 통한 외부 공기 유입을 최소화할 수 있다. Between the heating member 400 and the support member 200, a tunnel space in which the substrate is heated is provided. The heating member 400 is provided with an inlet 402 through which the substrate enters and an outlet 404 through which the substrate exits and an external air flows into the tunnel space 406 through the inlet 402 and the outlet 404 do. Since the skirt portion 408 is protruded downward at the edge of the heating member 400, external air inflow through the gap with the support member 300 can be minimized.

이와 같은 구조에 의해, 기판의 열처리가 이루어지는 터널 공간으로의 공기 유입은 입구(402)와 출구(404)를 통해서 이루어지고, 입구(402) 및 출구(404)를 통해 유입되는 공기는 서서히 가열됨으로써 터널 공간 내의 기류의 온도차 및 속도차를 최소화할 수 있다. 특히, 베이크 구간(420)은 입구(402) 및 출구(404)와 거리가 있기 때문에 외부의 찬 공기(상온의 공기)가 높은 온도에서 열처리가 이루어지는 베이크 구간 내로 곧바로 유입되는 것을 차단할 수 있다. With such a structure, the inflow of air into the tunnel space where heat treatment of the substrate is performed is performed through the inlet 402 and the outlet 404, and the air introduced through the inlet 402 and the outlet 404 is gradually heated It is possible to minimize the temperature difference and speed difference of the airflow in the tunnel space. In particular, since the bake section 420 is at a distance from the inlet 402 and the outlet 404, external cold air (room temperature air) can be prevented from entering the baking section where the heat treatment is performed at a high temperature.

도시하지 않았지만, 외부 공기의 유입 경로인 입구와 출구 중에서 출구에 에어 커튼을 형성하여 외부 공기가 입구를 통해서만 터널 공간(기판의 열처리가 이루어지는 공간)으로 유입되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 외부 공기가 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로만 유입되도록 함으로써 외부 공기의 온도를 기판의 온도 변화에 맞춰 터널 공간 내부에서의 온도차 및 속도차에 의한 기판 휨 현상을 방지할 수 있다. Although not shown, it is preferable that an air curtain is formed at an outlet of an inlet and an outlet, which are the inflow paths of the outside air, so that the outside air flows into the tunnel space (space where heat treatment of the substrate is performed) only through the inlet. In other words, by allowing the outside air to flow only in the same direction as the moving direction of the substrate, it is possible to prevent the substrate from being warped due to temperature difference and speed difference within the tunnel space according to the temperature change of the substrate.

가열 부재(400)는 터널 공간을 통과하는 기판으로부터 발생되는 퓸의 배기를 위해 저면에는 제1배기홀(492)들이 형성되고, 상면에는 배기 덕트(500)와 연결되는 제2배기홀(494)들이 형성된다. The heating member 400 has a first exhaust hole 492 formed on the bottom surface thereof for exhausting fumes generated from the substrate passing through the tunnel space and a second exhaust hole 494 connected to the exhaust duct 500 on the top surface thereof. Are formed.

배기 덕트(500)는 가열 부재(400)의 상부에 위치된다. 배기 덕트(500)는 가열 부재(400)의 각 구간에 설치되는 덕트(510)들 및 덕트(510)들과 연결되는 중앙 배기부(520)를 포함할 수 있다. The exhaust duct 500 is located above the heating member 400. The exhaust duct 500 may include ducts 510 installed in respective sections of the heating member 400 and a central exhaust unit 520 connected to the ducts 510.

도 5에서와 같이, 가열 부재(400)에 의해 가열된 기판으로부터 발생되는 퓸은 제1배기홀(492)과 제2배기홀(494)을 통해 덕트(510)로 유입된 후 중앙 배기부(520)를 통해 외부로 강제 배기될 수 있다. 5, the fumes generated from the substrate heated by the heating member 400 are introduced into the duct 510 through the first exhaust hole 492 and the second exhaust hole 494, 520). ≪ / RTI >

도 6은 열처리 모듈에서의 기판 온도 프로파일을 보여주는 도면이다. 6 is a view showing the substrate temperature profile in the heat treatment module.

도 3 및 도 6을 참조하면, 프리 히터 구간(410)은 기판을 제1온도(일 예로, 200℃)로 가열하고, 베이크 구간(420)은 프리 히터 구간(410)을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도(400℃)로 가열하며, 쿨링 구간(430)은 베이크 구간(420)을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도(50℃ 이하)로 쿨링할 수 있다. 각 구간에는 히터들이 설치되며, 히터들은 해당 구간의 온도에 맞도록 세팅될 수 있다. 프리 히터 구간(410), 베이크 구간(420) 그리고 쿨링 구간(430) 각각의 히터들은 공정이 진행되는 동안 세팅된 온도를 일정하게 유지하게 된다.3 and 6, the preheater section 410 heats the substrate to a first temperature (eg, 200 ° C.), the bake section 420 heats the substrate that has passed the preheater section 410 (400 캜) higher than the first temperature and the cooling section 430 may cool the substrate having passed the bake section 420 to a third temperature (50 캜 or lower) lower than the first temperature. In each section, heaters are installed, and the heaters can be set to match the temperature of the corresponding section. The heaters in the preheater section 410, the baking section 420 and the cooling section 430 maintain the set temperature constant during the process.

다시 도 3을 참조하면, 가열 부재(400)는 상부에서 바라보았을 때 일부가 오픈된 형상을 갖는다, 오픈된 구간에는 지지부재(200)의 안착부(230) 2개가 위치될 수 있다. 오픈된 구간에 위치되는 2개의 안착부(230) 중에서 어느 하나 안착부에서는 기판이 로딩되고, 다른 하나의 안착부(230)에서는 기판이 언로딩될 수 있다. 본 실시예와 같이, 오픈된 구간에 2개의 안착부(230)가 위치되어 각각 기판 로딩과 기판 언로딩 작업이 이루어짐으로써 보다 빠른 기판 처리가 가능할 수 있다. Referring again to FIG. 3, the heating member 400 has a partially opened shape when viewed from above. In the opened section, two seating portions 230 of the supporting member 200 can be positioned. The substrate may be loaded at one of the two seating portions 230 located in the opened section and the substrate may be unloaded at the other seating portion 230. [ As in the present embodiment, the two seating portions 230 are located in the opened section, and the substrate loading and substrate unloading operations are performed, respectively, thereby enabling faster substrate processing.

또 다른 예로, 도 13에서와 같이 오픈된 구간에 하나의 안착부(230)가 위치되도록 가열 구간(410,420,430)을 넓게 확장하는 경우, 기판의 반입 및 반출 시간이 상대적으로 증가될 수 있으나, 그 반대로 가열 구간이 넓어짐으로써 보다 안정적인 기판 베이킹이 가능할 수 있다.As another example, when the heating sections 410, 420 and 430 are widely extended so that one seating part 230 is positioned in an open section as shown in FIG. 13, the time for carrying in and out of the substrate can be relatively increased, By making the heating section wider, more stable substrate baking can be achieved.

도 8 및 도 9는 열처리 모듈에서 지지부재의 제2 실시예를 보여주는 도면이다.8 and 9 are views showing a second embodiment of the support member in the heat treatment module.

도 8 및 도 9에서와 같이, 지지부재(200a)는 턴테이블(210a)과 턴테이블(210a)에 제공되는 안착부(230a)들을 포함하며, 이들은 도 4에 도시된 지지부재(200)와 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 제2실시예를 설명하기로 한다.8 and 9, the support member 200a includes a turntable 210a and a seating portion 230a provided on the turntable 210a, which are substantially similar to the support member 200 shown in Fig. 4 And therefore, the second embodiment will be described below focusing on differences from the present embodiment.

제2 실시예에서, 지지부재(200a)는 제1회전축(S1)을 중심으로 회전되고, 안착부(230a)들 각각은 안착부의 자기 중심축(S2)을 중심으로 회전된다는데 그 특징이 있다. 이를 위해 지지부재(200a)는 기판 홀더(240a)를 회전시키는 홀더 구동부(250)를 포함한다. 홀더 구동부(250)는 각각의 기판 홀더(240a)에 연결되어 기판 홀더(240)를 회전시킨다. 홀더 구동부(250)는 모터(252)와, 모터(252)에 의해 회전되는 구동축(254)을 포함한다. 홀더 구동부(250)의 구동축(254)은 턴테이블(210a) 상면으로 노출되어 기판 홀더(240a)의 저면에 형성된 축홀(249)에 결합된다. 즉, 모터(252)의 회전력은 구동축(254)을 통해 기판 홀더(240a)로 제공되고, 기판 홀더(240a)가 자전된다. In the second embodiment, the support member 200a is rotated about the first rotation axis S1, and each of the seating portions 230a is rotated around the magnetic center axis S2 of the seating portion . To this end, the supporting member 200a includes a holder driving unit 250 for rotating the substrate holder 240a. The holder driving unit 250 is connected to each substrate holder 240a to rotate the substrate holder 240. [ The holder driving unit 250 includes a motor 252 and a driving shaft 254 rotated by the motor 252. The driving shaft 254 of the holder driving unit 250 is exposed to the top surface of the turntable 210a and is coupled to the shaft hole 249 formed on the bottom surface of the substrate holder 240a. That is, the rotational force of the motor 252 is provided to the substrate holder 240a through the drive shaft 254, and the substrate holder 240a is rotated.

도 10 내지 도 12는 지지부재의 제3실시예를 보여주는 도면들이다. 10 to 12 are views showing a third embodiment of the support member.

도 10 내지 도 12를 참조하면, 지지부재(200b)는 턴테이블(210b)과 턴테이블(210b)에 제공되는 안착부(230b)들을 포함하며, 이들은 도 4에 도시된 지지부재(200)와 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 제3실시예를 설명하기로 한다.10 to 12, the support member 200b includes a turntable 210b and a seating portion 230b provided on the turntable 210b, which are substantially similar to the support member 200 shown in Fig. 4 And therefore, the third embodiment will be described below focusing on differences from the present embodiment.

제3 실시예에서, 지지부재(200b)는 턴테이블(210b)의 회전력에 의해 각각의 기판 홀더(240b)가 자전 운동을 할 수 있는 구조적인 특징을 갖는다. 홀더 구동부(260)는 턴테이블(210b) 저면에 설치되는 고정 링기어(262)와, 기판 홀더(240b)와 연결되는 자전기어(264)를 포함할 수 있다. 자전기어(264)의 회전축(266)은 기판 홀더(240b)의 저면에 형성된 축홀(249)에 결합된다. 고정 링기어(262)와 자전기어(264)는 기어 물림 상태로 설치된다. 상술한 구조를 갖는 지지부재(200b)는 턴테이블(210b)이 공정하면 고정 링기어(262)에 기어물림 된 자전기어(264)들이 회전하게 되면서 기판 홀더(240b)들이 자전하게 된다. In the third embodiment, the support member 200b has a structural feature that each substrate holder 240b can rotate by the rotational force of the turntable 210b. The holder driving unit 260 may include a stationary ring gear 262 installed on the bottom surface of the turntable 210b and a rotating gear 264 connected to the substrate holder 240b. The rotation shaft 266 of the rotation gear 264 is coupled to the shaft hole 249 formed on the bottom surface of the substrate holder 240b. The stationary ring gear 262 and the rotation gear 264 are installed in a gear engagement state. The supporting member 200b having the above-described structure rotates the substrate holders 240b while rotating the rotating gears 264, which are gear-engaged to the stationary ring gear 262, when the turntable 210b is processed.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 관하여 본 발명에 따른 열처리 모듈(100)을 이용하여 설명한다. 그러나, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 본 발명에 따른 열처리 모듈과 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 있다.Hereinafter, a method for processing a substrate according to the present invention will be described with reference to a heat treatment module 100 according to the present invention. However, since this is only for ease of explanation, the substrate processing method according to the present invention may be performed using another apparatus similar to the heat processing module according to the present invention.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing method according to the present invention will be described.

기판처리방법의 일 실시예는, 기판이 안착되는 로딩 단계, 기판을 가열하는 가열 처리 단계 및 기판이 반출되는 언로딩 단계를 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate processing method may include a loading step in which the substrate is seated, a heat treatment step in which the substrate is heated, and an unloading step in which the substrate is taken out.

기판은 지지부재(200)의 기판 홀더(240)에 안착된다. 기판은 지지부재(200)의 회전에 의해 이동된다. 가열 처리 단계에서 지지 부재(200)의 각 기판 홀더(240)에 로딩된 기판은 이동 경로를 따라 이동하면서 가열 처리된다. 즉, 기판은 제1온도로 가열하는 프리 히터 구간(410), 프리 히터 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 베이크 구간(420) 그리고 베이크 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도로 쿨링하는 쿨링 구간(430)을 순차적으로 이동하게 된다. 가열 처리된 기판들은 지지 부재(200)로부터 순차적으로 언로딩된다. The substrate is seated in the substrate holder 240 of the support member 200. The substrate is moved by the rotation of the support member (200). In the heat treatment step, the substrates loaded on the respective substrate holders 240 of the support member 200 are heat-treated while moving along the movement path. That is, the substrate includes a preheater section 410 for heating to a first temperature, a bake section 420 for heating the substrate passed through the preheater section to a second temperature higher than the first temperature, A cooling zone 430 for cooling to a third temperature lower than the first temperature is sequentially moved. The heat treated substrates are sequentially unloaded from the support member 200.

본 발명의 실시예에서는 기판 상의 포토레지스트를 열처리하는 장치를 예를 들어 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다양한 종류의 기판 가열 장치에 적용될 수 있다. In the embodiment of the present invention, an apparatus for heat-treating a photoresist on a substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of substrate heating apparatuses.

본 발명의 실시예에서는 기판이 회전하는 지지부재상에서 열처리되는 로테이션 방식을 예를 들어 설명하였다. 그러나, 기판이 직선형으로 이동하면서 열처리되는 라인 방식으로도 구현 가능할 수 있다. In the embodiment of the present invention, a rotation method in which a substrate is heat-treated on a rotating support member is exemplified. However, it can also be realized by a line method in which the substrate is linearly moved and heat-treated.

본 명세서에서 설명한 실시예에서 그 구성요소나 구성단계가 모두 필수적인 것은 아니므로, 본 발명은 그 구성요소나 구성단계의 일부를 선택적으로 포함할 수 있다. 또한, 구성단계들은 반드시 설명된 순서로 수행되어야만 하는 것은 아니므로, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계에 앞서 수행되는 것도 가능하다.It is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and therefore, the present invention can selectively include a part of components or construction steps. Also, since the constituent steps need not always be performed in the order described, it is also possible that the step described later is performed before the step described earlier.

나아가, 상술한 실시예들은 반드시 독립적으로만 수행되어야 하는 것은 아니며, 개별적으로 또는 서로 조합되어 이용될 수 있다.Furthermore, the above-described embodiments are not necessarily performed independently, and may be used individually or in combination with each other.

100: 열처리 모듈 110 : 챔버
200 : 지지부재 300 : 구동부
400 : 가열부재 500 : 배기 덕트 100: heat treatment module 110: chamber
200: support member 300:
400: heating member 500: exhaust duct

Claims (19)

회전축을 중심으로 회전되고, 동일 평면상에 기판들이 놓여지는 지지 부재;
상기 지지부재와 대향되게 배치되고, 복수의 가열 구간들을 갖는 가열 부재; 및
상기 지지부재에 놓여진 기판들이 상기 가열 구간들을 순차적으로 선회하도록 상기 지지부재를 회전시키는 구동부를 포함하는 기판 열처리 장치.A support member rotated about the rotation axis and on which the substrates are placed on the same plane;
A heating member disposed to face the support member and having a plurality of heating sections; And
And a driving unit that rotates the supporting member such that the substrates placed on the supporting member sequentially rotate the heating sections. 제 1 항에 있어서,
상기 지지 부재는
기판이 안착되는 안착부들을 포함하고,
상기 안착부들은 상기 지지 부재의 회전 중심을 기준으로 원주상에 등간격으로 배치되는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
The support member
And a seating portion on which the substrate is seated,
Wherein the seating portions are arranged at regular intervals on a circumference with respect to a rotation center of the support member. 제 2 항에 있어서,
상기 안착부는
상기 지지부재의 상면으로부터 소정 깊이로 형성된 수용홈; 및
상기 수용홈에 로딩/언로딩 가능하게 삽입되고, 적어도 하나의 기판이 놓여지는 기판 홀더를 포함하는 기판 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The seat
A receiving groove formed at a predetermined depth from an upper surface of the supporting member; And
And a substrate holder which is inserted into the receiving groove so as to be capable of being loaded / unloaded and on which at least one substrate is placed. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 홀더는
상기 수용홈 안에서 자기중심축을 중심으로 회전 가능한 기판 열처리 장치.The method of claim 3,
The substrate holder
And rotatable about a self-centering axis in the receiving groove. 제 4 항에 있어서,
상기 기판 홀더를 회전시키는 홀더 구동부를 더 포함하는 기판 열처리 장치.5. The method of claim 4,
And a holder driving unit for rotating the substrate holder. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 홀더는
기판 반송 로봇의 엔드이펙터가 기판을 로딩 및 언로딩할 수 있도록 상기 엔드이펙터가 삽입되는 삽입홈을 갖는 기판 열처리 장치.The method of claim 3,
The substrate holder
Wherein the end effector of the substrate transport robot has an insertion groove into which the end effector is inserted so that the substrate can be loaded and unloaded. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 가열 구간들은 상기 안착부들의 이동 반경을 따라 배치되는 기판 열처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of heating sections are disposed along the movement radius of the seating portions. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 가열 구간들은
상기 안착부들의 이동 방향으로부터 프리 히터 구간, 베이크 구간 그리고 쿨링 구간을 포함하는 기판 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The plurality of heating sections
And a preheater section, a bake section, and a cooling section from a moving direction of the seating portions. 제 8 항에 있어서,
상기 프리 히터 구간은 기판을 제1온도로 가열하고, 상기 베이크 구간은 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하며, 상기 쿨링 구간은 제1온도보다 낮은 제3온도로 가열하는 기판 열처리 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the preheater section heats the substrate to a first temperature, the bake section heats to a second temperature higher than the first temperature, and the cooling section heats to a third temperature that is less than the first temperature. 제 1 항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 기판 지지부재의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 하나에 배치되는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating member is disposed on at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate support member. 제 1 항에 있어서,
상기 가열 부재의 상부에 위치되고, 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판으로부터 발생되는 퓸을 강제 배기시키기 위한 배기 덕트를 더 포함하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an exhaust duct positioned above the heating member and for forcibly exhausting the fumes generated from the substrate heated by the heating member. 지지 부재에 기판들이 순차적으로 로딩되는 단계;
상기 지지 부재에 로딩된 기판은 이동 경로를 따라 이동하면서 가열 처리되는 단계; 및
가열 처리된 기판들은 상기 지지 부재로부터 순차적으로 언로딩되는 단계를 포함하되;
상기 가열 처리 단계는
상기 기판들이 상기 이동 경로를 따라 배치된 다수의 가열 구간들을 순차적으로 이동하면서 열처리 되는 기판 열처리 방법. Sequentially loading substrates onto a support member;
Wherein the substrate loaded on the support member is heated while moving along the movement path; And
Wherein the heat treated substrates are sequentially unloaded from the support member;
The heat treatment step
Wherein the substrate is heat-treated while sequentially moving a plurality of heating sections arranged along the movement path. 제 12 항에 있어서,
상기 이동 경로는 기판들이 순환이동되는 원주이동경로를 갖는 기판 열처리 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein the movement path has a circumferential movement path in which the substrates are circulated. 제 12 항에 있어서,
상기 가열 처리 단계는
상기 가열 구간들 중 기판을 제1온도로 가열하는 프리 히터 구간, 상기 프리 히터 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 베이크 구간 그리고 상기 베이크 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도로 쿨링하는 쿨링 구간을 순차적으로 이동하는 기판 열처리 방법. 13. The method of claim 12,
The heat treatment step
A preheater section for heating the substrate to a first temperature in the heating sections, a baking section for heating the substrate passed through the preheater section to a second temperature higher than the first temperature, and a baking section for heating the substrate passed through the baking section, And a cooling zone for cooling the substrate to a third temperature lower than the first temperature. 제 14 항에 있어서,
상기 가열 처리 단계에서
상기 기판은 자전하는 기판 열처리 방법. 15. The method of claim 14,
In the heat treatment step
Wherein the substrate is rotated. 상기 반도체 제조 장치 내로 또는 그것으로부터 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 로딩/언로딩 포트;
상기 로딩/언로딩 포트와 연결되고, 기판 반송을 위한 반송 로봇이 배치되는 기판 반송부;
상기 기판 반송부를 따라 배치되고, 기판에 대한 도포 공정을 수행하기 위한 도포 모듈; 및
상기 기판 반송부를 따라 배치되고, 기판에 대한 열처리 공정을 수행하기 위한 열처리 모듈을 포함하되;
상기 열처리 모듈은
복수의 가열 구간들을 갖는 가열 부재; 및
상기 복수의 가열 구간들을 기판들이 순차적으로 통과하도록 기판들을 지지하는 지지 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A loading / unloading port for loading or unloading the substrate into or out of the semiconductor manufacturing apparatus;
A substrate transfer section connected to the loading / unloading port and having a transfer robot for substrate transfer;
An application module disposed along the substrate transfer section and performing a coating process on the substrate; And
A heat treatment module disposed along the substrate transfer part and performing a heat treatment process on the substrate;
The heat-
A heating member having a plurality of heating sections; And
And a support member for supporting the substrates such that the substrates sequentially pass through the plurality of heating periods. 제 16 항에 있어서,
상기 지지 부재는
회전축을 중심으로 회전되는 턴테이블; 및
상기 턴테이블의 동일 평면상에 상기 회전 중심을 기준으로 원주상에 등간격으로 배치되며, 기판들이 놓여지는 안착부들을 포함하는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
The support member
A turntable rotated about a rotation axis; And
Wherein the turntable includes seating portions arranged on the same plane of the turntable at regular intervals on a circumference with respect to the center of rotation and on which the substrates are placed. 제 17 항에 있어서,
상기 안착부는 기판을 지지하는 기판 홀더를 포함하고,
상기 기판 홀더는 자전되는 기판 처리 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the seating portion includes a substrate holder for supporting a substrate,
Wherein the substrate holder is rotated. 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 가열 구간은
기판을 제1온도로 가열하는 프리 히터 구간,
상기 프리 히터 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 베이크 구간; 및
상기 베이크 구간을 통과한 기판을 제1온도보다 낮은 제3온도로 쿨링하는 쿨링 구간을 포함하는 기판 처리 장치.
17. The method of claim 16,
The plurality of heating sections
A preheater section for heating the substrate to a first temperature,
A baking section for heating the substrate passed through the preheater section to a second temperature higher than the first temperature; And
And a cooling section for cooling the substrate having passed the baking section to a third temperature lower than the first temperature.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040098435A (en) * 2003-05-15 2004-11-20 삼성전자주식회사 Spinner device equipment preventing baking process error of wafer and method for inspecting wafer in spinner equipment therefor
KR20110049571A (en) * 2009-11-05 2011-05-12 엘아이지에이디피 주식회사 Metal organic chemical vapor deposition and apparatus for processing substrate
JP2014017290A (en) * 2012-07-06 2014-01-30 Taiyo Nippon Sanso Corp Susceptor and vapor phase growth device
KR20140033659A (en) * 2012-09-10 2014-03-19 주성엔지니어링(주) Apparatus and method of processing substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040098435A (en) * 2003-05-15 2004-11-20 삼성전자주식회사 Spinner device equipment preventing baking process error of wafer and method for inspecting wafer in spinner equipment therefor
KR20110049571A (en) * 2009-11-05 2011-05-12 엘아이지에이디피 주식회사 Metal organic chemical vapor deposition and apparatus for processing substrate
JP2014017290A (en) * 2012-07-06 2014-01-30 Taiyo Nippon Sanso Corp Susceptor and vapor phase growth device
KR20140033659A (en) * 2012-09-10 2014-03-19 주성엔지니어링(주) Apparatus and method of processing substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021086950A (en) * 2019-11-28 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 Rotation drive mechanism and rotation drive method, and substrate processing device and substrate processing method using the same

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