KR20190004804A - 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자 - Google Patents

퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20190004804A
KR20190004804A KR1020187036742A KR20187036742A KR20190004804A KR 20190004804 A KR20190004804 A KR 20190004804A KR 1020187036742 A KR1020187036742 A KR 1020187036742A KR 20187036742 A KR20187036742 A KR 20187036742A KR 20190004804 A KR20190004804 A KR 20190004804A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fuse element
melting point
metal layer
point metal
insulating substrate
Prior art date
Application number
KR1020187036742A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102135832B1 (ko
Inventor
요시히로 요네다
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Publication of KR20190004804A publication Critical patent/KR20190004804A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102135832B1 publication Critical patent/KR102135832B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02Details
    • H01H85/04Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/05Component parts thereof
    • H01H85/143Electrical contacts; Fastening fusible members to such contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • H01H37/76Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H69/00Apparatus or processes for the manufacture of emergency protective devices
    • H01H69/02Manufacture of fuses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/0039Means for influencing the rupture process of the fusible element
    • H01H85/0047Heating means
    • H01H85/006Heat reflective or insulating layer on the casing or on the fuse support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02Details
    • H01H85/04Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/05Component parts thereof
    • H01H85/055Fusible members
    • H01H85/06Fusible members characterised by the fusible material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02Details
    • H01H85/04Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/05Component parts thereof
    • H01H85/055Fusible members
    • H01H85/08Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member
    • H01H85/11Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member with applied local area of a metal which, on melting, forms a eutectic with the main material of the fusible member, i.e. M-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02Details
    • H01H85/20Bases for supporting the fuse; Separate parts thereof
    • H01H85/2045Mounting means or insulating parts of the base, e.g. covers, casings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Fuses (AREA)

Abstract

고융점 금속층에 균열 등의 결함이 발생하는 것을 방지하여, 양호한 도통 성능, 용단 특성을 유지할 수 있는 퓨즈 엘리먼트 및 이것을 이용한 퓨즈 소자, 보호 소자를 제공한다. 저융점 금속층(2)과 고융점 금속층(3)을 적층한 퓨즈 엘리먼트(1)로서, 고융점 금속층(3)의 표면의 X선 회절 스펙트럼(2θ)에 있어서의 피크 중, 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하이다.

Description

퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자
본 기술은, 전류 경로 상에 실장되고, 전류 정격을 초과하는 전류가 흘렀을 시의 자기 발열, 혹은 발열체의 발열에 의해 용단하여 전류 경로를 차단하는 퓨즈 엘리먼트 및 이것을 이용한 퓨즈 소자, 보호 소자에 관한 것이다. 본 출원은, 일본국에 있어서 2016년 9월 16일에 출원된 일본국 특허 출원 번호 특원 2016-182381을 기초로서 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.
종래, 전류 정격을 초과하는 전류가 흘렀을 시에 자기 발열에 의해 용단하여, 당해 전류 경로를 차단하는 퓨즈 엘리먼트가 이용되고 있다. 퓨즈 엘리먼트로는, 예를 들어, 땜납을 유리관에 봉입한 홀더 고정형 퓨즈나, 세라믹 기판 표면에 Ag 전극을 인쇄한 칩 퓨즈, 구리 전극의 일부를 가늘게 하여 플라스틱 케이스에 내장한 나사 고정 또는 삽입형 퓨즈 등이 많이 이용되고 있다.
그러나, 상기 기존의 퓨즈 엘리먼트에 있어서는, 리플로우에 의한 표면 실장이 불가능하고, 전류 정격이 낮으며, 또 대형화에 의해서 전류 정격을 올리면 속단성이 뒤떨어진다고 하는 문제점이 지적되고 있다.
또, 리플로우 실장용의 속단 퓨즈 소자를 상정한 경우, 리플로우의 열에 의해서 용융하지 않도록, 일반적으로는, 퓨즈 엘리먼트에는 융점이 300℃ 이상인 Pb 함유 고융점 땜납이 용단 특성상 바람직하다. 그러나, RoHS 지령 등에 있어서는, Pb 함유 땜납의 사용은, 한정적으로 인정되고 있는 것에 불과하며, 향후 Pb 프리화의 요구는 강해질 것이라고 생각된다.
이러한 요청으로부터, 도 16에 도시한 바와 같이, Pb 프리 땜납 등의 저융점 금속층(101)에 은이나 구리 등의 고융점 금속층(102)이 적층된 퓨즈 엘리먼트(100)가 이용되고 있다. 이러한 퓨즈 엘리먼트(100)에 의하면, 리플로우에 의한 표면 실장이 가능하고 퓨즈 소자나 보호 소자로의 실장성이 뛰어나며, 고융점 금속 피복되어 있음으로써 전류 정격을 올려 대전류에 대응 가능하고, 또한 용단시에는 저융점 금속에 의한 고융점 금속의 용식 작용에 의해 신속하게 전류 경로를 차단할 수 있다.
이러한 퓨즈 엘리먼트(100)는, 예를 들어, 장척(長尺)형상의 땜납박 등의 저융점 금속층(101)의 표면에 Ag 등의 고융점 금속층(102)을 도금이나 증착, 스패터 등의 박막 형성 기술을 이용하여 성막함으로써 제조할 수 있다.
일본국 특허공개 2015-65156호 공보
여기서, 도금이나 증착, 스패터 등의 박막 형성 공법으로 성막한 고융점 금속층은, 벌크재에 비해, 결정성이 낮고, 기계적 강도가 낮다. 그로 인해, 굴곡 등의 변형시에 당해 굴곡부에 균열이 생기거나, 입계나 격자 결함이 많고 도체 저항이 높아지는 등, 도전 재료로서의 성능이 낮다.
특히, Sn을 주성분으로 하는 합금을 이용한 두께 100μm 이상의 저융점 금속층의 표면에, 두께 10μm 이상의 Ag 등의 고융점 금속층을 도금으로 적층한 경우는, 도 17에 도시한 바와 같이, 적층체를 90° 굴곡시킴으로써 형성된 굴곡부에, 고융점 금속 도금의 균열(103)이 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 퓨즈 엘리먼트로서 이용하는 경우에, 전류 정격 향상의 저해 혹은 전류 정격의 저하가 염려되고, 또, 희망하는 용단 특성, 즉, 소정의 전류값으로 신속하게 용단함과 더불어 소정의 전류값 미만에서는 용단하지 않는다고 하는 퓨즈 엘리먼트에 요구되는 용단 특성이 변동할 우려도 있다.
그래서, 본 기술은, 고융점 금속층에 균열 등의 결함이 발생하는 것을 방지하고, 양호한 도통 성능, 용단 특성을 유지할 수 있는 퓨즈 엘리먼트 및 이것을 이용한 퓨즈 소자, 보호 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하기 위해서, 본 기술에 따르는 퓨즈 엘리먼트는, 저융점 금속층과 고융점 금속층을 적층한 퓨즈 엘리먼트로서, 상기 고융점 금속층의 표면의 X선 회절 스펙트럼(2θ)에 있어서의 피크 중, 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하이다.
또, 본 기술에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 제조 방법은, 저융점 금속층과 고융점 금속층을 적층하는 적층 공정과, 상기 고융점 금속층을 120℃ 이상 또한 저융점 금속층의 융점 이하의 온도로 가열하는 가열 공정을 갖는 것이다.
또, 본 기술에 따르는 퓨즈 소자는, 절연 기판과, 상기 절연 기판에 탑재된 상기 퓨즈 엘리먼트를 구비하는 것이다.
또, 본 기술에 따르는 보호 소자는, 절연 기판과, 상기 절연 기판에 탑재된 상기 퓨즈 엘리먼트와, 상기 절연 기판 상에 배치되고, 상기 퓨즈 엘리먼트를 가열·용단하는 발열체를 구비하는 것이다.
본 기술에 의하면, 외층을 구성하는 고융점 금속층의 표면의 X선 회절 스펙트럼(2θ)에 있어서의 피크 중, 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하이기 때문에, 결정성이 향상되고, 절곡 가공 등에 대한 기계적 강도의 향상, 및 저저항화가 도모되고 있다. 이것에 의해, 퓨즈 엘리먼트는, 균열이 억제되고, 또 도체 저항의 상승이 방지되어 희망하는 전류 정격을 구비하며, 또한 용단 특성의 변동을 방지할 수 있다.
도 1은 본 기술이 적용된 퓨즈 엘리먼트 및 퓨즈 소자를 도시한 도면이고, (A)는 퓨즈 소자의 외관 사시도, (B)는 퓨즈 소자의 단면도이다.
도 2(A)는 절연 기판의 표면에 퓨즈 엘리먼트를 탑재한 상태를 도시한 외관 사시도이고, 도 2(B)는 절연 기판을 도시한 외관 사시도이다.
도 3은, 관통 구멍을 형성한 퓨즈 엘리먼트를 도시한 단면도이다.
도 4는, 비관통 구멍을 형성한 퓨즈 엘리먼트를 도시한 단면도이다.
도 5는 엠보스 가공부를 형성한 퓨즈 엘리먼트를 도시한 도면이고, (A)는 외관 사시도, (B)는 (A)의 A-A' 단면도이다.
도 6은 홈부를 형성한 퓨즈 엘리먼트를 도시한 도면이고, (A)는 외관 사시도, (B)는 (A)의 A-A' 단면도이다.
도 7은, 절연 기판의 표면에 제1, 제2 전극을 형성한 퓨즈 소자를 도시한 단면도이다.
도 8은, 절연 기판의 이면에 제1, 제2 외부 접속 전극을 형성한 퓨즈 소자를 도시한 단면도이다.
도 9는 퓨즈 소자의 회로도이며, (A)는 퓨즈 엘리먼트의 용단 전, (B)는 용단 후를 도시한다.
도 10은 퓨즈 엘리먼트가 용단한 퓨즈 소자를 도시한 도면이고, (A)는 커버 부재를 생략하여 도시한 사시도, (B)는 단면도이다.
도 11은 본 기술이 적용된 퓨즈 엘리먼트 및 보호 소자를 도시한 도면이고, (A)는 커버 부재를 생략하여 도시한 보호 소자의 평면도, (B)는 보호 소자의 단면도이다.
도 12는 보호 소자의 회로도이며, (A)는 퓨즈 엘리먼트의 용단 전, (B)는 용단 후를 도시한다.
도 13은 절연 기판의 이면에 제1, 제2 외부 접속 전극을 형성한 보호 소자를 도시한 도면이고, (A)는 커버 부재를 생략하여 도시한 보호 소자의 평면도, (B)는 보호 소자의 단면도이다.
도 14는, 실시예에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 도시한 단면도이다.
도 15(A) 및 도 15(B)는 실시예에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 도시한 화상이며, 도 15(C)는 비교예에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 도시한 화상이다.
도 16은, 종래의 퓨즈 엘리먼트를 도시한 단면도이다.
도 17은, 굴곡부에 균열이 발생한 종래의 퓨즈 엘리먼트를 도시한 단면도이다.
도 18은, 도 15에 도시한 화상을 선도로서 표시한 도면이다.
이하, 본 기술이 적용된 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자 및 보호 소자에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 기술은, 이하의 실시 형태에만 한정되는 것이 아니며, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능한 것은 물론이다. 또, 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
[퓨즈 엘리먼트]
먼저, 본 발명이 적용된 퓨즈 엘리먼트에 대해 설명한다. 본 발명이 적용된 퓨즈 엘리먼트(1)는, 후술하는 퓨즈 소자, 보호 소자의 가용 도체로서 이용되고, 전류 정격을 초과하는 전류가 통전함으로써 자기 발열(줄열)에 의해 용단되거나, 혹은 발열체의 발열에 의해 용단되는 것이다. 또한, 이하에서는, 퓨즈 엘리먼트(1)의 구성에 대해서, 퓨즈 소자(20)에 탑재한 경우를 예로 설명하나, 후술하는 보호 소자에 탑재한 경우에도 마찬가지로 작용한다.
퓨즈 엘리먼트(1)는, 예를 들어, 전체의 두께가 대략 200μm 정도의 대략 직사각형 판형상으로 형성되고, 도 1(A)(B), 도 2(A)(B)에 도시한 바와 같이, 퓨즈 소자(20)의 절연 기판(21) 상에 실장되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(1)는, 내층을 구성하는 저융점 금속층(2)과, 저융점 금속층(2)보다 융점이 높게 외층을 구성하는 고융점 금속층(3)을 갖는다.
고융점 금속층(3)은, 예를 들어, Ag, Cu 또는 Ag 혹은 Cu를 주성분으로 하는 합금이 적절하게 이용되고, 퓨즈 엘리먼트(1)를 리플로우로(爐)에 의해서 절연 기판(21) 상에 실장을 행하는 경우에 있어서도 용융하지 않는 높은 융점을 갖는다.
저융점 금속층(2)은, 예를 들어 Sn 또는 Sn을 주성분으로 하는 합금으로 「Pb 프리 땜납」으로 일반적으로 불리는 재료가 적절하게 이용된다. 저융점 금속층(2)의 융점은, 반드시 리플로우로의 온도보다 높을 필요는 없고, 260℃ 미만에서 용융해도 된다. 또, 저융점 금속층(2)은, 더욱 낮은 온도에서 용융하는 Bi, In 또는 Bi 혹은 In을 포함하는 합금을 이용해도 된다.
[퓨즈 엘리먼트(1)의 제조 방법]
퓨즈 엘리먼트(1)는, 저융점 금속층(2)에 고융점 금속을 도금 기술을 이용하여 성막함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어 퓨즈 엘리먼트(1)는, 장척형상의 땜납박에 전해 도금 등에 의해 Ag 도금을 실시함으로써 엘리먼트 필름을 제조하고, 사용시에는, 사이즈에 따라 절단함으로써, 효율적으로 제조할 수 있으며, 또 용이하게 이용할 수 있다.
[단자부]
또, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 길이 방향의 양단부가 절곡됨으로써, 외부 접속 회로와 접속되는 한 쌍의 단자부(5a, 5b)가 설치되는 것이 바람직하다. 퓨즈 엘리먼트(1)에 단자부(5a, 5b)를 형성함으로써, 절연 기판(21)의 퓨즈 엘리먼트(1)가 탑재되는 표면에 전극을 설치함과 더불어 절연 기판(21)의 이면에 당해 전극과 접속된 외부 접속 전극을 설치할 필요가 없어지며, 제조 공정을 간소화할 수 있고, 또 절연 기판(21)의 전극 및 외부 접속 전극 사이의 도통 저항에 의해서 전류 정격이 율속(律速)되는 일 없이, 퓨즈 엘리먼트(1) 자체에서 전류 정격을 규정할 수 있으며, 전류 정격을 향상시킬 수 있다.
단자부(5a, 5b)는, 절연 기판(21)의 표면에 탑재되는 퓨즈 엘리먼트(1)의 단부를 절연 기판(21)의 측면을 따르도록 절곡함으로써 형성되고, 적절하게 또한 외측 혹은 내측에 1회 또는 복수회 절곡됨으로써 형성된다. 이것에 의해, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 대략 평탄한 주면과 절곡된 앞의 면 사이에, 굴곡부(6)가 형성된다.
그리고, 퓨즈 소자(20)는, 단자부(5a, 5b)가 소자 외부를 향하게 하며, 외부 회로 기판에 실장되면, 단자부(5a, 5b)가 당해 외부 회로 기판에 형성된 단자와 땜납 등에 의해 접속되고, 이것에 의해 퓨즈 엘리먼트(1)가 외부 회로에 내장된다.
[요철, 관통 구멍, 엠보스 가공]
또, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 리플로우 실장시 등에 있어서의 고온 환경하에 있어서 저융점 금속이 유동하여 국소적으로 찌그러짐이나 팽창이 발생하는 것에 의한 저항값의 불균일, 용단 특성의 변동을 방지하기 위해서, 관통 구멍(7)(도 3) 또는 비관통 구멍(8)(도 4)을 형성하거나, 혹은 엠보스 가공부(9a)(도 5)나 홈부(9b)(도 6) 등의 요철부(9)를 표면 및/또는 이면에 형성해도 된다. 이러한 관통 구멍(7), 비관통 구멍(8) 및 요철부(9)는, 저융점 금속층과 고융점 금속층의 시트형 적층체에 펀치나 프레스 등의 가공을 실시하거나, 혹은 저융점 금속박에 펀치나 프레스 등의 가공을 실시한 후에 고융점 금속으로 피복하는 것 등에 의해 형성할 수 있다. 그리고, 이러한 관통 구멍(7) 또는 비관통 구멍(8), 혹은 요철부(9)를 형성하는 것에 의해서도, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 대략 평탄한 주면과, 관통 구멍(7), 비관통 구멍(8), 엠보스 가공부(9a) 또는 홈부(9b)의 내주면이나 요철면 사이에 굴곡부(6)가 형성된다.
[결정성]
여기서, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 외층을 구성하는 고융점 금속층의 결정성을 향상시켜, 절곡 가공 등에 대한 기계적 강도의 향상, 및 저저항화가 도모되고 있다. 이것에 의해, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 굴곡부(6)에 있어서의 균열이 억제되고, 또 도체 저항의 상승이 방지되어 희망하는 전류 정격을 구비하며, 또한 용단 특성의 변동을 방지할 수 있다.
결정성은, X선 회절 스펙트럼에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭으로 검증할 수 있으며, 복수의 반사 피크 중 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하인 것이 바람직하다. 게다가, 가장 큰 피크의 반값폭이 0.15도 이하인 것이 바람직하다.
퓨즈 엘리먼트(1)는, 결정성을 향상시키기 위해서, 저융점 금속층과 고융점 금속층을 적층시킨 후, 120℃ 이상의 온도로 가열 처리를 행한다. 가열 처리를 행함으로써, 고융점 금속층에 안정된 결정 구조가 형성되고, 결정화도를 향상시킬 수 있다. 퓨즈 엘리먼트(1)는, 가열 처리가 실시된 후에, 단자부(5a, 5b)나 관통 구멍(7) 또는 비관통 구멍(8), 요철부(9) 등을 형성함으로써, 굴곡부(6)에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 가열 처리는 저융점 금속의 융점 이하의 온도로 행하는 것이 바람직하고, 상기 서술한 바와 같이, 저융점 금속으로서 Sn 혹은 Sn을 주성분으로 하는 합금을 이용하고, 고융점 금속으로서 Ag, Cu, Ag 또는 Cu를 주성분으로 하는 합금을 이용하는 경우, 가열 처리 온도는, 210℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 210℃ 이하의 온도로 가열 처리를 행함으로써, 저융점 금속의 과잉인 유동을 억제함과 더불어, 용융된 저융점 금속에 의한 고융점 금속의 용식을 방지할 수 있으며, 저항값의 변동에 수반하는 용단 특성의 변동을 방지할 수 있다.
또한, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 저융점 금속층(2)의 체적을 고융점 금속층(3)의 체적보다 크게 하는 것이 바람직하다. 퓨즈 엘리먼트(1)는, 저융점 금속층(2)의 체적을 많게 함으로써, 효과적으로 고융점 금속층(3)의 침식에 의한 단시간에서의 용단을 행할 수 있다.
[퓨즈 소자]
이어서, 상기 서술한 퓨즈 엘리먼트(1)를 이용한 퓨즈 소자에 대해 설명한다. 본 발명이 적용된 퓨즈 소자(20)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 절연 기판(21)과, 절연 기판(21)의 표면(21a) 상에 실장되는 퓨즈 엘리먼트(1)와, 퓨즈 엘리먼트(1)가 실장된 절연 기판(21)의 표면(21a) 상을 덮고, 절연 기판(21)과 더불어 소자 하우징(28)을 구성하는 커버 부재(22)를 구비한다.
퓨즈 엘리먼트(1)는, 절연 기판(21) 및 커버 부재(22)가 접합됨으로써 형성되는 소자 하우징(28)의 밖에 한 쌍의 단자부(5a, 5b)가 도출되고, 단자부(5a, 5b)를 통해 외부 회로의 접속 전극과 접속 가능하게 되어 있다.
절연 기판(21)은, 예를 들어, 액정 폴리머 등의 엔지니어링 플라스틱, 알루미나, 유리 세라믹스, 멀라이트, 지르코니아 등의 절연성을 갖는 부재에 의해서 방형으로 형성된다. 그 외, 절연 기판(21)은, 유리 에폭시 기판, 페놀 기판 등의 프린트 배선 기판에 이용되는 재료를 이용해도 된다.
커버 부재(22)는, 절연 기판(21)과 마찬가지로, 각종 엔지니어링 플라스틱, 세라믹스 등의 절연성을 갖는 부재에 의해 형성할 수 있으며, 예를 들어 절연성의 접착제를 통해 절연 기판(21)과 접속되어 있다. 퓨즈 소자(20)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 커버 부재(22)에 의해서 덮이기 때문에, 과전류에 의한 아크 방전의 발생을 수반하는 자기 발열 차단시에 있어서도, 용융 금속이 커버 부재(22)에 의해서 포착되어, 주위로의 비산을 방지할 수 있다.
또, 절연 기판(21)은, 퓨즈 엘리먼트(1)가 실장되는 표면(21a)에, 홈부(23)가 형성되어 있다. 또, 커버 부재(22)도, 홈부(23)와 대향하여 홈부(29)가 형성되어 있다. 홈부(23, 29)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 용융, 차단하는 공간이며, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 홈부(23, 29)에 위치하는 부위가, 열전도율이 낮은 공기와 닿음으로써, 절연 기판(21) 및 커버 부재(22)와 접하는 다른 부위에 비해 상대적으로 온도가 올라, 용단되는 용단부(1a)가 된다.
또한, 절연 기판(21)과 퓨즈 엘리먼트(1) 사이에는 적당히 도전성의 접착제나 땜납을 개재시켜도 된다. 퓨즈 소자(20)는, 접착제 혹은 땜납을 통해 절연 기판(21)과 퓨즈 엘리먼트(1)가 접속됨으로써, 상호의 밀착성이 높아져, 보다 효율적으로 열을 절연 기판(21)에 전달시킴과 더불어, 상대적으로 용단부(1a)를 과열, 용단시킬 수 있다.
또한, 퓨즈 소자(20)는, 도 7에 도시한 바와 같이 절연 기판(21)에 홈부(23)를 설치하는 대신에, 절연 기판(21)의 표면(21a) 상에 제1 전극(24) 및 제2 전극(25)을 설치해도 된다. 제1, 제2 전극(24, 25)은, 각각, Ag나 Cu 등의 도전 패턴에 의해서 형성되고, 표면에 적당히 산화 방지 대책으로서 Sn 도금, Ni/Au 도금, Ni/Pd 도금, Ni/Pd/Au 도금 등의 보호층을 설치해도 된다.
제1 및 제2 전극(24, 25)은, 접속용 땜납을 통해 퓨즈 엘리먼트(1)가 접속되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(1)는, 제1, 제2 전극(24, 25)에 접속됨으로써, 용단부(1a)를 제외한 부위에 있어서의 방열 효과가 높아, 보다 효과적으로 용단부(1a)를 과열, 용단시킬 수 있다.
또한, 도 7에 도시한 구성에 있어서도, 퓨즈 소자(20)는, 절연 기판(21)에 홈부(23)를 설치해도 된다.
또, 퓨즈 소자(20)는, 퓨즈 엘리먼트(1)에 단자부(5a, 5b)를 설치하는 대신에, 혹은 도 8에 도시한 바와 같이, 단자부(5a, 5b)와 더불어, 절연 기판(21)의 이면(21b)에, 제1, 제2 전극(24, 25)과 전기적으로 접속되는 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a)을 설치해도 된다. 제1, 제2 전극(24, 25)과 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a)은, 절연 기판(21)을 관통하는 스루홀(26)이나 캐스털레이션 등을 통해 도통이 도모되고 있다. 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a)도, 각각, Ag나 Cu 등의 도전 패턴에 의해서 형성되고, 표면에 적당히 산화 방지 대책으로서 Sn 도금, Ni/Au 도금, Ni/Pd 도금, Ni/Pd/Au 도금 등의 보호층을 설치해도 된다. 퓨즈 소자(20)는, 단자부(5a, 5b)를 대신하여 또는 단자부(5a, 5b)와 더불어, 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a)을 통해, 외부 회로 기판의 전류 경로 상에 실장된다.
또한, 도 7, 도 8에 도시한 퓨즈 소자(20)에 있어서는, 퓨즈 엘리먼트(1)가, 절연 기판(21)의 표면(21a)으로부터 이격하여 실장되어 있다. 따라서, 퓨즈 소자(20)는, 퓨즈 엘리먼트(1)의 용융시에도 용융 금속이 절연 기판(21)에 파고드는 일 없이 제1, 제2 전극(24, 25) 상에 끌어 들여져, 확실히 제1, 제2 전극(24, 25) 사이를 절연할 수 있다.
또, 퓨즈 소자(20)는, 고융점 금속층(3) 또는 저융점 금속층(2)의 산화 방지와, 용단시의 산화물 제거 및 땜납의 유동성 향상을 위해서, 퓨즈 엘리먼트(1)의 표면이나 이면에 도시 생략한 플럭스를 코팅해도 된다.
플럭스를 코팅함으로써, 외층의 고융점 금속층(3)의 표면에, Sn을 주성분으로 하는 Pb 프리 땜납 등의 산화 방지막을 형성한 경우에도, 당해 산화 방지막의 산화물을 제거할 수 있고, 고융점 금속층(3)의 산화를 효과적으로 방지하며, 용단 특성을 유지, 향상시킬 수 있다.
[회로 구성]
이러한 퓨즈 소자(20)는, 도 9(A)에 도시한 회로 구성을 갖는다. 퓨즈 소자(20)는, 단자부(5a, 5b)(및/또는 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a))를 통해 외부 회로에 실장됨으로써, 당해 외부 회로의 전류 경로 상에 내장된다. 퓨즈 소자(20)는, 퓨즈 엘리먼트(1)에 소정의 정격 전류가 흐르고 있는 동안은, 자기 발열에 의해서도 용단되지 않는다. 그리고, 퓨즈 소자(20)는, 전류 정격을 초과하는 과전류가 통전하면, 도 10(A)(B)에 도시한 바와 같이, 퓨즈 엘리먼트(1)가 자기 발열에 의해서 용단되고, 단자부(5a, 5b)(및/또는 제1, 제2 외부 접속 전극(24a, 25a)) 사이를 차단함으로써, 당해 외부 회로의 전류 경로를 차단한다(도 9(B)).
이때, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 상기 서술한 바와 같이, 고융점 금속층(3)보다 융점이 낮은 저융점 금속층(2)이 적층되어 있기 때문에, 과전류에 의한 자기 발열에 의해, 저융점 금속층(2)의 융점으로부터 용융을 개시하고, 고융점 금속층(3)을 침식하기 시작한다. 따라서, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 저융점 금속층(2)에 의한 고융점 금속층(3)의 침식 작용을 이용함으로써, 고융점 금속층(3)이 자신의 융점보다 낮은 온도에서 용융되어, 신속하게 용단할 수 있다.
[보호 소자]
이어서, 퓨즈 엘리먼트(1)를 이용한 보호 소자에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 퓨즈 소자(20)와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 상세를 생략한다. 본 발명이 적용된 보호 소자(30)는, 도 11(A)(B)에 도시한 바와 같이, 절연 기판(31)과, 절연 기판(31)에 적층되고, 절연 부재(32)에 덮인 발열체(33)와, 절연 기판(31)의 양단에 형성된 제1 전극(34) 및 제2 전극(35)과, 절연 기판(31) 상에 발열체(33)와 중첩하도록 적층되고, 발열체(33)에 전기적으로 접속된 발열체 인출 전극(36)과, 양단이 제1, 제2 전극(34, 35)에 각각 접속되고, 중앙부가 발열체 인출 전극(36)에 접속된 퓨즈 엘리먼트(1)를 구비한다. 그리고, 보호 소자(30)는, 절연 기판(31) 상에 내부를 보호하는 커버 부재(37)가 장착되어 있다.
절연 기판(31)은, 상기 절연 기판(21)과 마찬가지로, 예를 들어 액정 폴리머 등의 엔지니어링 플라스틱, 알루미나, 유리 세라믹스, 멀라이트, 지르코니아 등의 절연성을 갖는 부재에 의해서 방형으로 형성된다. 그 외, 절연 기판(31)은, 유리 에폭시 기판, 페놀 기판 등의 프린트 배선 기판에 이용되는 재료를 이용해도 된다.
절연 기판(31)의 표면(31a)에는, 서로 대향하는 양단부에, 제1, 제2 전극(34, 35)이 형성되어 있다. 제1, 제2 전극(34, 35)은, 발열체(33)가 통전하여 발열하면, 용융된 퓨즈 엘리먼트(1)가 그 젖음성에 의해 모여, 단자부(5a, 5b) 사이를 용단시킨다.
발열체(33)는, 통전하면 발열하는 도전성을 갖는 부재이며, 예를 들어 니크롬, W, Mo, Ru 등 또는 이들을 포함하는 재료로 이루어진다. 발열체(33)는, 이들 합금 혹은 조성물, 화합물의 분상체를 수지 바인더 등으로 혼합하여 페이스트형상으로 한 것을, 절연 기판(31) 상에 스크린 인쇄 기술을 이용하여 패턴 형성하고, 소성하는 등에 의해서 형성할 수 있다.
또, 보호 소자(30)는, 발열체(33)가 절연 부재(32)에 의해서 피복되고, 절연 부재(32)를 통해 발열체(33)와 대향하도록 발열체 인출 전극(36)이 형성되어 있다. 발열체 인출 전극(36)은 퓨즈 엘리먼트(1)가 접속되고, 이것에 의해 발열체(33)는, 절연 부재(32) 및 발열체 인출 전극(36)을 통해 퓨즈 엘리먼트(1)와 중첩된다. 절연 부재(32)는, 발열체(33)의 보호 및 절연을 도모함과 더불어, 발열체(33)의 열을 효율적으로 퓨즈 엘리먼트(1)에 전달하기 위해서 설치되며, 예를 들어 유리층으로 이루어진다.
또한, 발열체(33)는, 절연 기판(31)에 적층된 절연 부재(32)의 내부에 형성해도 된다. 또, 발열체(33)는, 제1, 제2 전극(34, 35)이 형성된 절연 기판(31)의 표면(31a)과 반대측의 이면(31b)에 형성해도 되고, 혹은, 절연 기판(31)의 표면(31a)에 제1, 제2 전극(34, 35)과 인접하여 형성해도 된다. 또, 발열체(33)는, 절연 기판(31)의 내부에 형성해도 된다.
또, 발열체(33)는, 일단이 절연 기판(31)의 표면(31a) 상에 형성된 제1 발열체 전극(38)을 통해 발열체 인출 전극(36)과 접속되고, 타단이 절연 기판(31)의 표면(31a) 상에 형성된 제2 발열체 전극(39)과 접속되어 있다. 발열체 인출 전극(36)은, 제1 발열체 전극(38)과 접속됨과 더불어 발열체(33)와 대향하여 절연 부재(32) 상에 적층되고, 퓨즈 엘리먼트(1)와 접속되어 있다. 이것에 의해, 발열체(33)는, 발열체 인출 전극(36)을 통해 퓨즈 엘리먼트(1)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 발열체 인출 전극(36)은, 절연 부재(32)를 통해 발열체(33)에 대향 배치됨으로써, 퓨즈 엘리먼트(1)를 용융시킴과 더불어, 용융 도체를 응집하기 쉽게 할 수 있다.
또, 제2 발열체 전극(39)은, 절연 기판(31)의 표면(31a) 상에 형성되고, 캐스털레이션을 통해 절연 기판(31)의 이면에 형성된 발열체 급전 전극(39a)(도 12(A) 참조)과 연속되어 있다.
보호 소자(30)는, 제1 전극(34)으로부터 발열체 인출 전극(36)을 통해 제2 전극(35)에 걸쳐 퓨즈 엘리먼트(1)가 접속되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(1)는, 접속용 땜납 등의 접속 재료를 통해 제1, 제2 전극(34, 35) 및 발열체 인출 전극(36) 상에 접속되어 있다.
[플럭스]
또, 보호 소자(30)는, 고융점 금속층(3) 또는 저융점 금속층(2)의 산화 방지와, 용단시의 산화물 제거 및 땜납의 유동성 향상을 위해서, 퓨즈 엘리먼트(1)의 표면이나 이면에 플럭스(27)를 코팅해도 된다. 플럭스(27)를 코팅함으로써, 보호 소자(30)의 실 사용시에 있어서, 저융점 금속층(2)(예를 들어 땜납)의 젖음성을 높임과 더불어, 저융점 금속이 용해되고 있는 동안의 산화물을 제거하며, 고융점 금속(예를 들어 Ag)으로의 침식 작용을 이용하여 용단 특성을 향상시킬 수 있다.
또, 플럭스(27)를 코팅함으로써, 최외층의 고융점 금속층(3)의 표면에, Sn을 주성분으로 하는 Pb 프리 땜납 등의 산화 방지막을 형성한 경우에도, 당해 산화 방지막의 산화물을 제거할 수 있고, 고융점 금속층(3)의 산화를 효과적으로 방지하며, 용단 특성을 유지, 향상시킬 수 있다.
또한, 제1, 제2 전극(34, 35), 발열체 인출 전극(36) 및 제1, 제2 발열체 전극(38, 39)은, 예를 들어 Ag나 Cu 등의 도전 패턴에 의해서 형성되고, 적당히 표면에 Sn 도금, Ni/Au 도금, Ni/Pd 도금, Ni/Pd/Au 도금 등의 보호층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 표면의 산화를 방지함과 더불어, 퓨즈 엘리먼트(1)의 접속용 땜납 등의 접속 재료에 의한 제1, 제2 전극(34, 35) 및 발열체 인출 전극(36)의 침식을 억제할 수 있다.
[커버 부재]
또, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 설치된 절연 기판(31)의 표면(31a) 상에, 내부를 보호함과 더불어 용융된 퓨즈 엘리먼트(1)의 비산을 방지하는 커버 부재(37)가 장착되어 있다. 커버 부재(37)는, 각종 엔지니어링 플라스틱, 세라믹스 등의 절연성을 갖는 부재에 의해 형성할 수 있다. 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 커버 부재(37)에 의해서 덮이기 때문에, 용융 금속이 커버 부재(37)에 의해서 포착되어, 주위로의 비산을 방지할 수 있다.
이러한 보호 소자(30)는, 발열체 급전 전극(39a), 제2 발열체 전극(39), 발열체(33), 제1 발열체 전극(38), 발열체 인출 전극(36) 및 퓨즈 엘리먼트(1)에 이르는 발열체(33)로의 통전 경로가 형성된다. 또, 보호 소자(30)는, 제2 발열체 전극(39)이 발열체 급전 전극(39a)을 통해 발열체(33)에 통전시키는 외부 회로와 접속되고, 당해 외부 회로에 의해서 제2 발열체 전극(39)과 퓨즈 엘리먼트(1)에 걸치는 통전이 제어된다.
또, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 발열체 인출 전극(36)과 접속됨으로써, 발열체(33)로의 통전 경로의 일부를 구성한다. 따라서, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 용융되어, 외부 회로와의 접속이 차단되면, 발열체(33)로의 통전 경로도 차단되기 때문에, 발열을 정지시킬 수 있다.
[회로도]
본 발명이 적용된 보호 소자(30)는, 도 12에 도시한 회로 구성을 갖는다. 즉, 보호 소자(30)는, 발열체 인출 전극(36)을 지나 한 쌍의 단자부(5a, 5b) 사이에 걸쳐서 직렬 접속된 퓨즈 엘리먼트(1)와, 퓨즈 엘리먼트(1)의 접속점을 통해 통전하여 발열시킴으로써 퓨즈 엘리먼트(1)를 용융하는 발열체(33)로 이루어지는 회로 구성이다. 그리고, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)의 양단부에 설치된 단자부(5a, 5b) 및 제2 발열체 전극(39)과 접속된 발열체 급전 전극(39a)이, 외부 회로 기판에 접속된다. 이것에 의해, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)가 단자부(5a, 5b)를 통해 외부 회로의 전류 경로 상에 직렬 접속되고, 발열체(33)가 발열체 전극(39)을 통해 외부 회로에 설치된 전류 제어 소자와 접속된다.
[용단 공정]
이러한 회로 구성으로 이루어지는 보호 소자(30)는, 외부 회로의 전류 경로를 차단할 필요가 생긴 경우에, 외부 회로에 설치된 전류 제어 소자에 의해서 발열체(33)가 통전된다. 이것에 의해, 보호 소자(30)는, 발열체(33)의 발열에 의해, 외부 회로의 전류 경로 상에 내장된 퓨즈 엘리먼트(1)가 용융되고, 퓨즈 엘리먼트(1)의 용융 도체가, 젖음성이 높은 발열체 인출 전극(36) 및 제1, 제2 전극(34, 35)에 끌어들여짐으로써 퓨즈 엘리먼트(1)가 용단된다. 이것에 의해, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 확실히 단자부(5a)~발열체 인출 전극(36)~단자부(5b)의 사이에서 용단되어(도 12(B)), 외부 회로의 전류 경로를 차단할 수 있다. 또, 퓨즈 엘리먼트(1)가 용단함으로써, 발열체(33)로의 급전도 정지된다.
이때, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 발열체(33)의 발열에 의해, 고융점 금속층(3)보다 융점이 낮은 저융점 금속층(2)의 융점으로부터 용융을 개시하여, 고융점 금속층(3)을 침식하기 시작한다. 따라서, 퓨즈 엘리먼트(1)는, 저융점 금속층(2)에 의한 고융점 금속층(3)의 침식 작용을 이용함으로써, 고융점 금속층(3)이 용융 온도보다 낮은 온도에서 용융되고, 신속하게 외부 회로의 전류 경로를 차단할 수 있다.
또한, 보호 소자(30)는, 퓨즈 엘리먼트(1)에 단자부(5a, 5b)를 설치하는 대신에, 혹은 도 13에 도시한 바와 같이, 단자부(5a, 5b)와 더불어, 절연 기판(31)의 이면(31b)에, 제1, 제2 전극(34, 35)과 전기적으로 접속되는 제1, 제2 외부 접속 전극(34a, 35a)을 설치해도 된다. 제1, 제2 전극(34, 35)과 제1, 제2 외부 접속 전극(34a, 35a)은, 절연 기판(31)을 관통하는 스루홀(41)이나 캐스털레이션 등을 통해 도통이 도모되고 있다. 제1, 제2 외부 접속 전극(34a, 35a)도, 각각, Ag나 Cu 등의 도전 패턴에 의해서 형성되고, 표면에 적당히 산화 방지 대책으로서 Sn 도금, Ni/Au 도금, Ni/Pd 도금, Ni/Pd/Au 도금 등의 보호층을 설치해도 된다. 보호 소자(30)는, 단자부(5a, 5b)를 대신하여 또는 단자부(5a, 5b)와 더불어, 제1, 제2 외부 접속 전극(34a, 35a)을 통해, 보호 소자(30)가 실장되는 외부 회로 기판의 접속 전극에 접속됨으로써, 외부 회로 기판에 형성된 전류 경로 상에 내장된다.
실시예
이어서, 본 기술의 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 저융점 금속과 고융점 금속을 적층한 직사각형 판형상의 적층체를 소정의 온도, 시간으로 가열 처리를 행한 후, 도 14에 도시한 바와 같이, 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 그리고, 실시예 및 비교예에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 굴곡부에 있어서의 균열의 유무를, 육안으로 평가했다.
실시예 및 비교예에 따르는 퓨즈 엘리먼트는, 내층을 구성하는 저융점 금속이 되는 두께 200μm의 Sn-Ag-Cu계 땜납박(Sn:Ag:Cu=96.5질량%:3.0질량%:0.5질량%)에, 전해 도금에 의해 Ag 도금을 실시하여 두께 13μm의 고융점 금속층을 적층한 것을 이용했다.
[실시예 1]
실시예 1에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 120℃, 60min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 후술의 비교예 1에 비해 균열은 저감되어 있었다.
[실시예 2]
실시예 2에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 130℃, 15min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 후술의 비교예 1에 비해 균열은 저감되어 있었다.
또한, 실시예 2에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 시료로서 X선 회절 측정을 행하여 얻은 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면이 0.135도, {200}면이 0.060도, {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)는 8.280이었다.
[실시예 3]
실시예 3에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 150℃, 15min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열은 확인되지 않았다.
또한, 실시예 3에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 시료로서 X선 회절 측정을 행하여 얻은 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면이 0.077도, {200}면이 0.070도, {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)는 7.833이었다.
[실시예 4]
실시예 4에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 150℃, 60min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열은 확인되지 않았다.
[실시예 5]
실시예 5에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 200℃, 15min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열은 확인되지 않았다.
또한, 실시예 5에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 시료로서 X선 회절 측정을 행하여 얻은 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면이 0.068도, {200}면이 0.071도, {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)는 5.073이었다.
[실시예 6]
실시예 6에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 200℃, 60min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열은 확인되지 않았다.
또한, 실시예 6에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 시료로서 X선 회절 측정을 행하여 얻은 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면이 0.065도, {200}면이 0.070도, {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)는 5.794였다.
[실시예 7]
실시예 7에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 210℃, 15min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열은 확인되지 않았다.
[비교예 1]
비교예 1에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체에 대해서 가열 처리를 행하지 않고, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열이 확인되었다.
또한, 비교예 1에 따르는 퓨즈 엘리먼트를 시료로서 X선 회절 측정을 행하여 얻은 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면이 0.182도, {200}면이 0.233도, {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)는 0.047이었다.
[비교예 2]
비교예 2에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 100℃, 60min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열이 확인되었다.
[비교예 3]
비교예 3에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를 110℃, 60min의 조건으로 가열 처리를 행한 후, 상온하에서 요철형상으로 절곡함으로써 굴곡부를 갖는 퓨즈 엘리먼트를 형성했다. 굴곡부를 육안으로 관찰한 결과, 균열이 확인되었다.
[표 1]
Figure pct00001
[표 2]
Figure pct00002
표 1에 기재한 바와 같이, 각 실시예에 따르는 퓨즈 엘리먼트에서는, 저융점 금속과 고융점 금속의 적층체를, 120℃ 이상의 온도로 가열 처리를 한 후에, 굴곡부를 형성했기 때문에, 고융점 금속의 결정성이 향상하여, 퓨즈 엘리먼트의 굴곡부의 균열이 억제되었다.
한편, 비교예 1에서는, 가열 처리를 행하지 않고 굴곡부를 형성했기 때문에, 균열이 발생했다. 또, 비교예 2, 3에서는 가열 온도가 120℃ 미만이었기 때문에, 고융점 금속의 결정성이 낮아, 균열이 발생했다.
도 15는, 실시예 및 비교예에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 굴곡부의 확대 사진이다. 도 15(A)에 도시한 바와 같이, 실시예 3~7에서는, 굴곡부에 균열은 보이지 않았다. 도 15(B)에 도시한 바와 같이, 실시예 1, 2에서는, 굴곡부의 균열은 거의 보이지 않았다. 그러나, 비교예 1~3에서는, 도 15(C)에 도시한 바와 같이, 굴곡부에 균열이 발생했다.
표 2에 기재한 바와 같이, 실시예 2, 3, 5, 6에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 X선 회절 스펙트럼에 있어서, {111}면과 {200}면에 있어서의 2θ의 피크의 반값폭을 분석한 결과, {111}면 및 {200}면 모두 0.15도 이하이며, 가열 처리를 행하지 않은 비교예 1의 {111}면 및 {200}면에 있어서의 피크의 반값폭이 0.18도 이상이었다. 이로써, 고융점 금속층의 표면의 X선 회절 스펙트럼(2θ)에 있어서의 피크 중, 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하로 함으로써, 양호한 결정성을 갖고, 균열을 억제할 수 있는 것을 안다.
또, 비교예 1에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면:0.047)에 대해서, 실시예 2, 3, 5, 6에 따르는 퓨즈 엘리먼트의 {111}면과 {200}면의 피크 강도비(200면/111면)가 역전되어 있기 때문에, 120℃ 이상의 온도로 가열 처리를 행함으로써, 결정 배향성이 변화된 것이 추찰되며, 이로써 결정화도가 향상하여, 균열의 억제에 기여한 것을 안다.
또, 실시예에 따르는 퓨즈 엘리먼트는, 결정화도가 향상됨으로써, 입계나 격자 결함에 의한 도통 저항의 상승도 억제되고, 전류 정격의 향상, 및 소정의 전류값으로 신속하게 용단함과 더불어 소정의 전류값 미만에서는 용단하지 않는다고 하는 희망하는 용단 특성도 유지할 수 있다.
1 퓨즈 엘리먼트, 2 저융점 금속층, 3 고융점 금속층, 5 단자부, 6 굴곡부, 7 관통 구멍, 8 비관통 구멍, 9 요철부, 20 퓨즈 소자, 21 절연 기판, 22 커버 부재, 23 홈부, 24 제1 전극, 24a 제1 외부 접속 전극, 25 제2 전극, 25a 제2 외부 접속 전극, 27 플럭스, 28 소자 하우징, 30 보호 소자, 31 절연 기판, 32 절연 부재, 33 발열체, 34 제1 전극, 34a 제1 외부 접속 전극, 35 제2 전극, 35a 제2 외부 접속 전극, 36 발열체 인출 전극, 37 커버 부재, 38 제1 발열체 전극, 39 제2 발열체 전극, 41 스루홀

Claims (9)

  1. 저융점 금속층과 고융점 금속층을 적층한 퓨즈 엘리먼트로서, 상기 고융점 금속층의 표면의 X선 회절 스펙트럼(2θ)에 있어서의 피크 중, 적어도 1개의 피크의 반값폭이 0.15도 이하인, 퓨즈 엘리먼트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 퓨즈 엘리먼트는 적어도 1개소 이상의 굴곡부를 갖는, 퓨즈 엘리먼트.
  3. 청구항 1에 있어서,
    내층을 상기 저융점 금속층으로 하고, 내층의 상하에 상기 고융점 금속층을 적층하는, 퓨즈 엘리먼트.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 저융점 금속은, Sn 혹은 Sn을 주성분으로 하는 합금으로 하고, 상기 고융점 금속은, Ag, Cu, Ag 또는 Cu를 주성분으로 하는 합금인, 퓨즈 엘리먼트.
  5. 저융점 금속층과 고융점 금속층을 적층하는 적층 공정과,
    상기 고융점 금속층을 120℃ 이상 또한 저융점 금속층의 융점 이하의 온도로 가열하는 가열 공정을 갖는, 퓨즈 엘리먼트의 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 가열 공정 후, 적어도 1개소 이상의 굴곡부를 형성하는, 퓨즈 엘리먼트의 제조 방법.
  7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 저융점 금속은, Sn 혹은 Sn을 주성분으로 하는 합금으로 하고, 상기 고융점 금속은, Ag, Cu, Ag 또는 Cu를 주성분으로 하는 합금이며, 가열 처리는 210℃ 이하의 온도인, 퓨즈 엘리먼트의 제조 방법.
  8. 절연 기판과,
    상기 절연 기판에 탑재된 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 퓨즈 엘리먼트를 구비하는, 퓨즈 소자.
  9. 절연 기판과,
    상기 절연 기판에 탑재된 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 퓨즈 엘리먼트와,
    상기 절연 기판상에 배치되고, 상기 퓨즈 엘리먼트를 가열·용단하는 발열체를 구비하는, 보호 소자.
KR1020187036742A 2016-09-16 2017-08-28 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자 KR102135832B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-182381 2016-09-16
JP2016182381A JP6707428B2 (ja) 2016-09-16 2016-09-16 ヒューズエレメント、ヒューズ素子、保護素子
PCT/JP2017/030745 WO2018051774A1 (ja) 2016-09-16 2017-08-28 ヒューズエレメント、ヒューズ素子、保護素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190004804A true KR20190004804A (ko) 2019-01-14
KR102135832B1 KR102135832B1 (ko) 2020-07-20

Family

ID=61619111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187036742A KR102135832B1 (ko) 2016-09-16 2017-08-28 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10410818B2 (ko)
JP (1) JP6707428B2 (ko)
KR (1) KR102135832B1 (ko)
CN (1) CN109643624B (ko)
TW (1) TWI732932B (ko)
WO (1) WO2018051774A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145917A (ko) * 2019-06-20 2020-12-31 한국생산기술연구원 용단부 단선 응답 속도 향상을 위한 단열패턴을 가지는 칩 퓨즈 및 상기 칩 퓨즈를 구비한 충전장치
KR102622122B1 (ko) * 2023-05-19 2024-01-09 스마트전자 주식회사 회로보호용 대전류 터미널 및 이를 이용한 회로 보호 시스템

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7433811B2 (ja) * 2019-08-23 2024-02-20 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、ヒューズ素子および保護素子
CN114203678B (zh) * 2022-02-18 2022-05-06 威海嘉瑞光电科技股份有限公司 一种集成封装结构及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58204603A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Mitsubishi Electric Corp 導波管の製造方法
JP2015065156A (ja) 2013-08-28 2015-04-09 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、ヒューズ素子
KR20150067128A (ko) * 2012-10-05 2015-06-17 도요 고한 가부시키가이샤 에피택셜 성장용 기판 및 그 제조 방법과 초전도 선재용 기판
JP2016071973A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 デクセリアルズ株式会社 実装体の製造方法、温度ヒューズ素子の実装方法及び温度ヒューズ素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9204972D0 (en) * 1992-03-06 1992-04-22 Cmb Foodcan Plc Laminated metal sheet
EP1274110A1 (de) * 2001-07-02 2003-01-08 Abb Research Ltd. Schmelzsicherung
US7321130B2 (en) * 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method
DE102007014334A1 (de) * 2007-03-26 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Schmelzlegierungselement, Thermosicherung mit einem Schmelzlegierungselement sowie Verfahren zum Herstellen einer Thermosicherung
US8421579B2 (en) * 2010-10-12 2013-04-16 Hung-Chih Chiu Current protection device
CN102877045B (zh) * 2012-10-10 2014-12-31 常州大学 一种化学镀Ni-P镀层的晶化处理方法
JP6420053B2 (ja) * 2013-03-28 2018-11-07 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、及びヒューズ素子
JP6214318B2 (ja) * 2013-10-09 2017-10-18 デクセリアルズ株式会社 電流ヒューズ
JP2015097183A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 デクセリアルズ株式会社 可溶導体の製造方法
US9472364B2 (en) * 2014-05-02 2016-10-18 Littelfuse, Inc. Reflowable circuit protection device
JP6491431B2 (ja) * 2014-07-15 2019-03-27 デクセリアルズ株式会社 ヒューズ素子、及びヒューズエレメント
JP6483987B2 (ja) * 2014-09-26 2019-03-13 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、ヒューズ素子、及び発熱体内蔵ヒューズ素子
JP6714943B2 (ja) * 2015-03-11 2020-07-01 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント及びヒューズ素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58204603A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Mitsubishi Electric Corp 導波管の製造方法
KR20150067128A (ko) * 2012-10-05 2015-06-17 도요 고한 가부시키가이샤 에피택셜 성장용 기판 및 그 제조 방법과 초전도 선재용 기판
JP2015065156A (ja) 2013-08-28 2015-04-09 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、ヒューズ素子
JP2016071973A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 デクセリアルズ株式会社 実装体の製造方法、温度ヒューズ素子の実装方法及び温度ヒューズ素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145917A (ko) * 2019-06-20 2020-12-31 한국생산기술연구원 용단부 단선 응답 속도 향상을 위한 단열패턴을 가지는 칩 퓨즈 및 상기 칩 퓨즈를 구비한 충전장치
KR102622122B1 (ko) * 2023-05-19 2024-01-09 스마트전자 주식회사 회로보호용 대전류 터미널 및 이를 이용한 회로 보호 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US20190172673A1 (en) 2019-06-06
US10410818B2 (en) 2019-09-10
KR102135832B1 (ko) 2020-07-20
JP6707428B2 (ja) 2020-06-10
JP2018045979A (ja) 2018-03-22
TWI732932B (zh) 2021-07-11
CN109643624B (zh) 2020-11-03
WO2018051774A1 (ja) 2018-03-22
TW201816825A (zh) 2018-05-01
CN109643624A (zh) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102213303B1 (ko) 퓨즈 엘리먼트, 및 퓨즈 소자
JP6483987B2 (ja) ヒューズエレメント、ヒューズ素子、及び発熱体内蔵ヒューズ素子
EP2161731A1 (en) Protective element
US10593495B2 (en) Fuse element, fuse device, protective device, short-circuit device, switching device
KR20190004804A (ko) 퓨즈 엘리먼트, 퓨즈 소자, 보호 소자
KR102442404B1 (ko) 퓨즈 소자
CN107735849B (zh) 熔丝单元、熔丝元件、保护元件、短路元件、切换元件
JP6577118B2 (ja) ヒューズエレメント、ヒューズ素子、保護素子、短絡素子、切替素子
JP2016170892A (ja) ヒューズエレメント及びヒューズ素子
US20220230830A1 (en) Fuse element, fuse device and protection device
KR101843252B1 (ko) 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리
TW202213411A (zh) 保險絲單元、保險絲元件及保護元件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant