KR20190002789A - 인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 인시츄 절연특성 측정방법 - Google Patents

인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 인시츄 절연특성 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 절연특성 측정방법 및 장치에 관한 것으로서, 공정챔버 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 배면과 접촉된 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브에 의한 감지전극으로부터 상기 공정챔버 내에서 상기 박막에 전계를 가하는 단계와. 상기 공정챔버 일측에 형성된 측정부에 의해 상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 단계 및 상기 공정챔버 일측에 형성된 출력부에 의해 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법 및 그 장치에 관한 것이다. 이에 의해 본 발명은 공정챔버 내에 설치된 수은 프로브를 이용하여 인시츄 절연특성 측정을 수행하여, 공정 비용 및 시간을 절감시키며, 박막 성장 후 인시츄에서 바로 절연특성을 측정할 수 있으므로 보다 정확한 절연특성의 측정이 가능한 효과가 있다.

Description

인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 인시츄 절연특성 측정방법{Insitu Equipment for Measuring Dielectric Properties and Insitu Method for Measuring Dielectric Properties}
본 발명은 반도체 소자의 절연특성 측정장치 및 방법에 관한 것으로서, 공정챔버 내에 설치된 수은 프로브를 이용하여 인시츄 절연특성 측정이 가능한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정방법에 관한 것이다.
최근 전기, 전자 장치의 소형화, 고성능화에 대한 요구가 높아지고 있으며, 이러한 소형화, 고성능화에 대한 요구에 대응하기 위해 MIS(Metal Insulator Semiconductor)형 반도체 소자에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
일반적으로 MIS형 반도체 소자의 구조는 게이트전극(Metal), 게이트절연막(Insulator), 반도체기판(Semiconductor)이 기본 구조로 형성되며, 소자의 미세화를 위해서는 이들 각 구성들이 박막화 또는 박형으로 형성되어야 하고, 고성능화를 위해서는 이들 각 구성들이 높은 신뢰성을 갖는 것이 필요하다.
이러한 MIS형 반도체 소자의 구성 중 게이트 절연막은 박막화가 용이하고, MIS형 반도체 소자의 신뢰성 확보에도 중요한 역할을 하는 것으로 알려져 왔다. 즉, 게이트 절연막의 전기적 특성이 MIS형 반도체 소자, 이를 이용한 반도체 집적 회로 장치, 전기 및 전자 장치 등의 신뢰성 확보에 중요한 역할을 하게 된다.
따라서 MIS형 반도체 소자의 신뢰성 확보를 위해서는 필연적으로 게이트 절연막의 전기적 특성을 측정하는 작업이 선행되어야 한다.
신뢰성 확보를 위한 게이트 절연막의 전기적 특성은 유전율이나 정전용량을 측정하는 절연특성을 향상시키고, 게이트 절연막의 박막화에 따른 누설 전류의 감소라는 측면을 중요하게 다루고 있다.
종래의 게이트 절연막의 전기적 특성을 측정하는 방법은 다음과 같은 방법으로 이루어지고 있다.
가장 고전적으로 행해지고 있는 방법으로는 물리적 또는 화학적 박막 증착을 위한 공정챔버 내에서 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성한 후, 이를 공정챔버로부터 인출하여 게이트절연막 상에 검지전극을 형성하여 LCR 미터기 등을 이용하여 절연특성 등을 측정하는 것이다.
그러나 상기의 방법은 공정챔버의 진공상태를 해제하여 별도의 검지전극 형성공정(Metalization)을 더 수행하여야 하는 번거로움이 있으며, 이에 따라 공정 비용 및 시간이 증가하게 되고, 시간의 흐름에 따라, 환경 변화(공기접촉, 수분접촉)에 따른 게이트절연막의 절연특성의 변화를 초래하게 되어, 정밀한 절연특성 측정이 이루어지지 않는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 검지전극 형성 공정을 생략하여 검지전극 대신에 수은 단자를 게이트절연막 상에 밀어넣어 검지전극의 역할을 할 수 있도록 수은 프로브를 이용한 절연특성 측정 방법이 있다.
그러나 이러한 방법도 공정챔버 내에서 샘플을 인출하고, 대기 중에서 절연특성을 측정하여야 하는바, 여전히 시간 및 환경 변화에 따른 절연특성 변화의 문제점을 내재하고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정챔버 내에 설치된 수은 프로브를 이용하여 인시츄 절연특성 측정이 가능한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정방법의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 공정챔버 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 배면과 접촉된 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브에 의한 감지전극으로부터 상기 공정챔버 내에서 상기 박막에 전계를 가하는 단계와. 상기 공정챔버 일측에 형성된 측정부에 의해 상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 단계 및 상기 공정챔버 일측에 형성된 출력부에 의해 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법 및 그 장치를 기술적 요지로 한다.
본 발명은 공정챔버 내에 설치된 수은 프로브를 이용하여 인시츄 절연특성 측정을 수행하여, 공정 비용 및 시간을 절감시키며, 박막 성장 후 인시츄에서 바로 절연특성을 측정할 수 있으므로 보다 정확한 절연특성의 측정이 가능한 효과가 있다.
도 1 - 본 발명의 일실시예에 따른 인시츄 절연특성 측정을 위한 순서도.
도 2 - 본 발명의 일실시예에 따른 인시츄 절연특성 측정 장치에 대한 모식도.
본 발명은 반도체 소자의 절연특성 측정장치 및 방법에 관한 것으로서, 공정챔버 내에 설치된 수은 프로브를 이용하여 인시츄 절연특성 측정이 가능한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 인시츄 절연특성 측정방법에 관한 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 대해 설명하고자 한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 인시츄 절연특성 측정을 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 인시츄 절연특성 측정 장치에 대한 모식도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 인시츄 절연특성 측정방법은, 절연특성 측정방법에 있어서, 공정챔버 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 배면과 접촉된 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브에 의한 감지전극으로부터 상기 공정챔버 내에서 상기 박막에 전계를 가하는 단계와, 상기 공정챔버 일측에 형성된 측정부에 의해 상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 단계 및 상기 공정챔버 일측에 형성된 출력부에 의해 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 상에 박막을 형성하는 것은, 물리적 또는 화학적 박막 증착 공정, 예컨대 CVD 또는 ALD와 같은 증착공정에 의해 이루어지게 되며, 여기에 사용되는 공정챔버 내부에서 박막 증착 후에 인시츄로 박막의 절연특성을 바로 측정하는 것이다.
또한, 상기 기판은, 실리콘(Si) 웨이퍼, 갈륨질소(GaN), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨비소(GaAs), 보론 나이트라이드(BN), SiC, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 글라스 중 어느 하나, 또는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 박막은, 산화막 또는 절연막, 예컨대 SiO2, Si3N4인 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명에 따른 인시츄 절연특성 측정방법은, 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정한 후, 상기 접촉전극 및 감지전극의 종류, 접촉(contact) 방식 또는 진공도에 따른 상기 절연특성에 대한 보정인자를 고려하여 상기 출력부에 보정된 절연특성을 재출력시켜, 보다 정밀한 절연특성의 측정이 가능하도록 한다.
또한, 상기 기판 상에 박막을 형성하면서, 상기 공정챔버의 일측에 설치된 모니터링부에 의해 상기 박막의 두께를 실시간으로 측정하여, 박막의 두께에 따른 절연특성을 측정할 수 있도록 한다.
또한, 상기 감지전극은, 상기 박막 상에 복수개의 수은 프로브로 형성되어 상기 박막의 절연특성 측정에 대한 정밀도를 개선시키고자 하며, 어느 하나의 수은 프로브는 reference가 되어 다른 수은 프로브와 동시 측정하여 절연특성 비교가 가능하도록 할 수 있다. 상기 수은 프로브에 의한 감지전극의 면적(수은 단자와 박막의 접촉면적)은, 0.01mm2 이상의 넓은 면적으로 형성하여 검출감도를 확보할 수 있도록 한다.
상기 수은 프로브는, 실린더 내부에 포함된 수은을 진공펌프에 의해 상기 박막 표면에 접촉시킴으로써 감지전극을 형성하게 되며, 상기 감지전극은 예컨대 MIS 구조에서 금속 전극(게이트전극)의 역할을 하게 된다.
이러한 수은 프로브에 의한 감지전극의 형상은 도트(dot) 형상으로 형성될 수 있으며, 안쪽의 작은 도트 형상에 상기 작은 도트 주변부로 다른 하나는 닫히지 않은 링(ring) 모양으로 형성할 수도 있다.
또한, 반복적으로 수은 프로브에 의한 감지전극을 구현하게 되며, 수은이 오염되어 정확한 측정이 이루어지지 않기 때문에 주기적으로 수은을 교체해주어 수은의 순도가 아주 높도록 한다.
또한, 상기 수은 프로브에 의한 상기 공정챔버 내부의 오염을 방지하기 위해, 상기 수은 프로브의 사용시 주변 차폐를 위한 캡을 작동시키도록 한다. 상기 캡과 유사한 역할을 하는 마스크 등으로도 구현될 수 있다.
또한, 상기 수은 프로브에 의한 감지전극의 형성은, 실린더 내부에 주입된 수은의 압력을 조절하여 상기 박막 상에 감지전극으로 구현하는 것이 바람직하다.
여기에서, 상기 수은의 압력의 조절은 진공펌프를 이용하여 적정 면적의 수은 프로브에 의한 감지전극이 형성되도록 한다.
또한, 상기 측정부 및 출력부는, LCR 미터인것이 바람직하다. 즉, LCR 미터를 이용하여 박막의 정전용량(C=ε(A/D))을 측정하는 것이다. C는 정전용량값, ε은 유전율, A는 상기 수은 프로브와 상기 박막과의 접촉면적(즉, 수은 프로브에 의한 감지전극의 면적), D는 박막의 두께를 나타낸다.
또한, 본 발명에 인시츄 절연특성 측정장치는, 절연특성 측정장치에 있어서, 기판 상에 박막을 형성하기 위한 공정챔버와, 상기 공정챔버 내부에 형성되어 상기 박막에 전계를 인가하며, 상기 기판의 배면과 접촉되는 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브를 포함하는 감지전극으로 이루어진 측정전극부와, 상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 측정부 및 상기 공정챔버 일측에 형성되어 상기 측정부와 연결되어, 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 출력부를 포함하여 구성되는 것을 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 기판은, 실리콘(Si) 웨이퍼, 갈륨질소(GaN), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨비소(GaAs), 보론 나이트라이드(BN), SiC, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 글라스 중 어느 하나, 또는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 박막은, 산화막 또는 절연막인 것이 바람직하다.
또한, 상기 측정부 및 출력부에는, 상기 접촉전극 및 감지전극의 종류, 접촉(contact) 방식 또는 진공도에 따른 상기 절연특성에 대한 보정인자가 입력되도록 하여, 상기 출력부에 보정된 절연특성을 재출력시키는 것이 바람직하다.
또한, 상기 공정챔버의 일측에는 상기 박막의 두께를 실시간으로 측정하기 위한 모니터링부가 더 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 감지전극은, 상기 박막 상에 복수개의 수은 프로브로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 수은 프로브에 의한 감지전극의 면적(수은 단자와 박막의 접촉면적)은, 0.01mm2 이상의 넓은 면적으로 형성하여 검출감도를 확보할 수 있도록 한다.
또한, 상기 공정챔버 내부에 형성되며, 상기 수은 프로브의 사용시 주변 차폐를 위한 캡이 더 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 수은 프로브와 연결형성된 진공펌프에 의해 상기 수은 프로브에 의한 감지전극을 형성하는 것이 바람직하다.
여기에서 상기 측정부 및 출력부는, LCR 미터인 것이 바람직하다.

Claims (19)

  1. 절연특성 측정방법에 있어서,
    공정챔버 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 단계;
    상기 기판의 배면과 접촉된 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브에 의한 감지전극으로부터 상기 공정챔버 내에서 상기 박막에 전계를 가하는 단계;
    상기 공정챔버 일측에 형성된 측정부에 의해 상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 단계; 및
    상기 공정챔버 일측에 형성된 출력부에 의해 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판은,
    실리콘(Si) 웨이퍼, 갈륨질소(GaN), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨비소(GaAs), 보론 나이트라이드(BN), SiC, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 글라스 중 어느 하나,
    또는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 박막은,
    산화막 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 인시츄 절연특성 측정방법은,
    상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정한 후,
    상기 접촉전극 및 감지전극의 종류, 접촉(contact) 방식 또는 진공도에 따른 상기 절연특성에 대한 보정인자를 고려하여 상기 출력부에 보정된 절연특성을 재출력시키는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 기판 상에 박막을 형성하면서,
    상기 공정챔버의 일측에 설치된 모니터링부에 의해 상기 박막의 두께를 실시간으로 측정하는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 감지전극은,
    상기 박막 상에 복수개의 수은 프로브로 형성되어 상기 박막의 절연특성 측정에 대한 정밀도를 개선시키는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 수은 프로브에 의한 상기 공정챔버 내부의 오염을 방지하기 위해, 상기 수은 프로브의 사용시 주변 차폐를 위한 캡을 작동시키는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 수은 프로브에 의한 감지전극의 형성은,
    실린더 내부에 주입된 수은의 압력을 조절하여 상기 박막 상에 감지전극으로 구현하는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 수은의 압력의 조절은,
    진공펌프를 이용하는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 측정부 및 출력부는,
    LCR 미터인것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정방법.
  11. 절연특성 측정장치에 있어서,
    기판 상에 박막을 형성하기 위한 공정챔버;
    상기 공정챔버 내부에 형성되어 상기 박막에 전계를 인가하며, 상기 기판의 배면과 접촉되는 접촉전극과, 상기 박막 상에 형성된 수은 프로브를 포함하는 감지전극으로 이루어진 측정전극부;
    상기 전계에 따른 상기 박막의 절연특성을 인시츄로 측정하는 측정부; 및
    상기 공정챔버 일측에 형성되어 상기 측정부와 연결되어, 상기 인시츄로 측정된 상기 박막의 절연특성을 실시간으로 출력하는 출력부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 기판은,
    실리콘(Si) 웨이퍼, 갈륨질소(GaN), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨비소(GaAs), 보론 나이트라이드(BN), SiC, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 글라스 중 어느 하나,
    또는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 박막은,
    산화막 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 측정부 및 출력부에는,
    상기 접촉전극 및 감지전극의 종류, 접촉(contact) 방식 또는 진공도에 따른 상기 절연특성에 대한 보정인자가 입력되도록 하여, 상기 출력부에 보정된 절연특성을 재출력시키는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 공정챔버의 일측에는 상기 박막의 두께를 실시간으로 측정하기 위한 모니터링부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 감지전극은,
    상기 박막 상에 복수개의 수은 프로브로 형성되는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 공정챔버 내부에 형성되며,
    상기 수은 프로브의 사용시 주변 차폐를 위한 캡이 더 형성된 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  18. 제 11항에 있어서, 상기 수은 프로브와 연결형성된 진공펌프에 의해 상기 수은 프로브에 의한 감지전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.
  19. 제 11항에 있어서, 상기 측정부 및 출력부는,
    LCR 미터인 것을 특징으로 하는 인시츄 절연특성 측정장치.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110783218A (zh) * 2019-10-22 2020-02-11 深圳第三代半导体研究院 一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783218A (zh) * 2019-10-22 2020-02-11 深圳第三代半导体研究院 一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法
CN110783218B (zh) * 2019-10-22 2022-04-05 深圳第三代半导体研究院 一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法

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