KR20180130845A - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR20180130845A KR1020170066963A KR20170066963A KR20180130845A KR 20180130845 A KR20180130845 A KR 20180130845A KR 1020170066963 A KR1020170066963 A KR 1020170066963A KR 20170066963 A KR20170066963 A KR 20170066963A KR 20180130845 A KR20180130845 A KR 20180130845A
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Abstract

The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a display device using a semiconductor light emitting device. According to the present invention, the display device comprises: a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer stacked on the first conductive semiconductor layer; an active layer disposed between the first conductivity semiconductor layer and the second conductivity semiconductor layer; and an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductive semiconductor layer. At least a part of the undoped semiconductor layer is formed with a groove to be recessed toward the second conductivity semiconductor layer. The groove is filled with phosphors. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor light emitting device may be reduced.

Description

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a display device using a semiconductor light-

본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 플렉서블 디스플레이에 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an apparatus for a flexible display using a semiconductor light emitting element.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.In recent years, display devices having excellent characteristics such as a thin shape and a flexible shape in the field of display technology have been developed. On the other hand, major displays that are commercialized today are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).

그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.However, in the case of an LCD, there is a problem that the reaction time is not fast and the implementation of the flexible is difficult. In the case of the AMOLED, there is a weak point that the life span is short and the mass production yield is not good.

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, Has been used as a light source for a display image of an electronic device including a communication device. Accordingly, a method of solving the above problems by implementing a display using the semiconductor light emitting device can be presented.

본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 디스플레이 장치에서 색을 자유롭게 구현할 수 있는 반도체 발광소자의 제조원가를 절감할 수 있는 구조 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다. It is an object of the present invention to provide a structure capable of reducing the manufacturing cost of a semiconductor light emitting device which can freely implement a color in a display device in a display device and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 반도체 발광소자들을 구비하며, 상기 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층에 적층되는 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층을 포함하고, 상기 언도프된 반도체층의 적어도 일부에는 상기 제2도전형 반도체층을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체가 충전된다. The display device according to the present invention includes a plurality of semiconductor light emitting devices, at least one of the semiconductor light emitting devices includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer stacked on the first conductive semiconductor layer, An active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, and an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductive semiconductor layer, At least a part of the semiconductor layer is provided with a recess to be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer, and the recess is filled with the phosphor.

실시예에 있어서, 상기 형광체는 바닥부와 상기 언도프된 반도체층의 가장자리를 따라 형성되는 측벽부를 구비한다.In an embodiment, the phosphor has a bottom portion and a side wall portion formed along an edge of the undoped semiconductor layer.

실시예에 있어서, 상기 바닥부는 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부에 오버랩된다. 또한, 상기 바닥부는 상기 제2도전형 반도체층에 형성된다. In an embodiment, the bottom portion overlaps at least a part of the second conductive type semiconductor layer. In addition, the bottom portion is formed in the second conductivity type semiconductor layer.

실시예에 있어서, 상기 바닥부와 상기 제2도전형 반도체층 사이에 상기 제2도전형 반도체층을 덮도록 형성되는 상기 언도프된 반도체층을 더 구비할 수 있다.In an exemplary embodiment, the undoped semiconductor layer may be formed between the bottom portion and the second conductivity type semiconductor layer so as to cover the second conductivity type semiconductor layer.

실시예에 있어서, 상기 측벽부는 적어도 일부가 상기 언도프된 반도체층에 의해 둘러싸일 수 있다. 또한, 상기 측벽부는 상기 바닥부와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어진다. In an embodiment, the sidewall portion may be at least partially surrounded by the undoped semiconductor layer. The side wall portion may be inclined with respect to a direction perpendicular to the bottom portion.

실시예에 있어서, 상기 측벽부의 경사에 의해 상기 형광체는 상기 제2도전형 반도체층과 멀어질수록 단면적이 증가한다. In an exemplary embodiment, the slope of the sidewall portion increases the cross-sectional area of the phosphor as the phosphor is away from the second conductivity type semiconductor layer.

실시예에 있어서, 상기 형광체는 퀀텀닷(QD)을 포함한다. In an embodiment, the phosphor comprises Quantum Dot (QD).

실시예에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 P형 GaN층이고, 상기 제2도전형 반도체층은 N형 GaN층이며, 상기 언도프된 반도체층은 GaN층일 수 있다.In an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer may be a P-type GaN layer, the second conductivity type semiconductor layer may be an N-type GaN layer, and the undoped semiconductor layer may be a GaN layer.

실시예에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 형성된 제1도전형 전극 및 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 형성된 제2도전형 전극을 구비한다. The first conductive type semiconductor layer may include a first conductive type electrode formed to cover at least a part of the first conductive type semiconductor layer and a second conductive type electrode formed to cover at least a part of the second conductive type semiconductor layer.

본 발명에 따른 반도체 발광소자에서는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층에 적층되는 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층을 포함하고, 상기 언도프된 반도체층의 적어도 일부에는 상기 제2도전형 반도체층을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체가 충전된다. In the semiconductor light emitting device according to the present invention, a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer laminated on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer And an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductive type semiconductor layer, wherein at least a part of the undoped semiconductor layer is recessed toward the second conductive type semiconductor layer Grooves are formed, and the grooves are filled with the phosphors.

본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조방법에 있어서, 기판상에 언도프된(Undoped) 반도체층을 성장시키는 단계, 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 적층되도록 상기 제2도전형 반도체층, 활성층 및 제1도전형 반도체층을 차례로 성장시키는 단계, 상기 언도프된 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층을 식각하여 상기 기판상에 반도체 발광소자들을 아이솔레이션하는 단계, 상기 언도프된 반도체의 적어도 일부를 식각하여 리세스되는 홈을 형성하는 단계 및 상기 홈을 형광체로 채우는 단계를 포함한다. The method of manufacturing a display device according to the present invention includes the steps of growing an undoped semiconductor layer on a substrate, growing the undoped semiconductor layer on the substrate, forming a first conductive semiconductor layer, an active layer, Type semiconductor layer, the active layer, and the first conductivity-type semiconductor layer are successively grown on the substrate, and the undoped semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer, the active layer and the second conductivity type semiconductor layer are etched, Isolating the semiconductor light emitting elements, etching at least a portion of the undoped semiconductor to form a recessed recess, and filling the recess with a phosphor.

실시예에 있어서, 디스플레이 장치의 제조방법의 상기 형광체는 퀀텀닷(QD)을 포함한다. In an embodiment, the phosphor of the method of manufacturing a display device comprises a quantum dot (QD).

실시예에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 제1도전형 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 제2도전형 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Forming a first conductive type electrode to cover at least a part of the first conductive type semiconductor layer and forming a second conductive type electrode to cover at least a part of the second conductive type semiconductor layer, . ≪ / RTI >

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 단순한 공정으로 제2도전형 반도체층의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층에 제2도전형 반도체층을 향하여 리세스되는 홈이 형성하고, 상기 홈에 퀀텀닷(QD)을 포함하는 형광체를 충전하여 형광체와 일체화된 반도체 발광소자를 제조할 수 있다. 이에, 단순한 공정에 의하여 반도체 발광소자의 색을 자유롭게 구현할 수 있는 반도체 발광소자의 제조원가를 절감할 수 있다.In the display device according to the present invention, a recess is formed in an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer by a simple process toward the second conductivity type semiconductor layer, A semiconductor light emitting device integrated with a phosphor can be manufactured by filling a phosphor including Quantum Dot (QD). Accordingly, the manufacturing cost of the semiconductor light emitting device, which can freely implement the color of the semiconductor light emitting device, can be reduced by a simple process.

도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분 확대도이다.
도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 13a 내지 도 13g는 본 발명의 반도체 발광소자의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기위한 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 16a 내지 도 16g는 본 발명의 수직형 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are cross-sectional views taken along line BB and CC of Fig.
4 is a conceptual diagram showing a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
9 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device of FIG.
FIG. 10 is an enlarged view of a portion A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device with a new structure is applied.
11 is a cross-sectional view taken along the line EE of Fig.
12 is a conceptual diagram showing a semiconductor light emitting device having a new structure.
13A to 13G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention.
14A to 14C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
15 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device for explaining another embodiment of the present invention.
16A to 16G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using the vertical type semiconductor light emitting device of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation device, a slate PC, , A Tablet PC, an Ultra Book, a digital TV, a desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.

도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustrated example, the information processed in the control unit of the display device 100 may be displayed using a flexible display.

플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, twistable, collapsible, and curlable, which can be bent by an external force. For example, a flexible display can be a display made on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded or rolled like paper while maintaining the display characteristics of conventional flat panel displays.

상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state where the flexible display is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In the first state, the display area may be a curved surface in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state). As shown in the figure, the information displayed in the second state may be time information output on the curved surface. Such visual information is realized by independently controlling the emission of a sub-pixel arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for implementing one color.

상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of a portion A of FIG. 1, FIGS. 3 A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2, FIG. 4 is a conceptual view of a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.

도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B, a display device 100 using a passive matrix (PM) semiconductor light emitting device as a display device 100 using a semiconductor light emitting device is illustrated. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치(100)는 제1기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함한다.The display device 100 includes a first substrate 110, a first electrode 120, a conductive adhesive layer 130, a second electrode 140, and a plurality of semiconductor light emitting devices 150.

제1기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The first substrate 110 may be a flexible substrate. For example, to implement a flexible display device, the first substrate 110 may include glass or polyimide (PI). In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. In addition, the first substrate 110 may be formed of a transparent material or an opaque material.

상기 제1기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 제1기판(110) 상에 위치할 수 있다.The first substrate 110 may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed and the first electrode 120 may be disposed on the first substrate 110.

도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 제1기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 제1기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.The insulating layer 160 may be disposed on the first substrate 110 on which the first electrode 120 is located and the auxiliary electrode 170 may be disposed on the insulating layer 160. In this case, a state in which the insulating layer 160 is laminated on the first substrate 110 may be a single wiring substrate. More specifically, the insulating layer 160 may be formed of an insulating material such as polyimide (PI), polyimide, PET, or PEN, and may be formed integrally with the first substrate 110, have.

보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150 and is disposed on the insulating layer 160 and corresponds to the position of the first electrode 120. For example, the auxiliary electrode 170 may be in the form of a dot and may be electrically connected to the first electrode 120 by an electrode hole 171 passing through the insulating layer 160. The electrode hole 171 may be formed by filling a via hole with a conductive material.

본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, the conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160, but the present invention is not limited thereto. For example, a layer for performing a specific function may be formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130, or a conductive adhesive layer 130 may be disposed on the first substrate 110 without the insulating layer 160 . In the structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the first substrate 110, the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.

상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity. To this end, the conductive adhesive layer 130 may be mixed with a substance having conductivity and a substance having adhesiveness. Also, the conductive adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling the flexible function in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The conductive adhesive layer 130 may be formed as a layer having electrical insulation in the horizontal X-Y direction while permitting electrical interconnection in the Z direction passing through the thickness. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (hereinafter, referred to as a conductive adhesive layer).

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.

다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring again to FIG. 5, the second electrode 140 is located in the insulating layer 160, away from the auxiliary electrode 170. That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed.

절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive adhesive layer 130 is formed in a state where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned in the insulating layer 160, the semiconductor light emitting device 150 is connected to the semiconductor light emitting device 150 in a flip chip form The semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140.

도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.

예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer 155 in which a p-type electrode 156, a p-type electrode 156 are formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, And an n-type electrode 152 disposed on the n-type semiconductor layer 153 and the p-type electrode 156 on the n-type semiconductor layer 153 and 154 in the horizontal direction. In this case, the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 by the conductive adhesive layer 130, and the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140.

다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A and 3B, the auxiliary electrode 170 is elongated in one direction, and one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150. For example, the p-type electrodes of the right and left semiconductor light emitting elements may be electrically connected to one auxiliary electrode around the auxiliary electrode.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, and the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 through the p- And only the portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 has conductivity and the semiconductor light emitting device does not have a conductive property because the semiconductor light emitting device is not press- The conductive adhesive layer 130 not only couples the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140 but also forms an electrical connection.

또한, 복수의 반도체 발광소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting element array, and the phosphor layer 180 is formed in the light emitting element array.

발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element array may include a plurality of semiconductor light emitting elements having different brightness values. Each of the semiconductor light emitting devices 150 constitutes a unit pixel and is electrically connected to the first electrode 120. For example, the first electrodes 120 may be a plurality of semiconductor light emitting devices, and the semiconductor light emitting devices may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.

또한, 반도체 발광소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광소자일 수 있다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Also, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, the semiconductor light emitting devices grown on the transparent dielectric substrate can be used. The semiconductor light emitting devices may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size.

도시에 의하면, 반도체 발광소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150. In this case, the barrier ribs 190 may separate the individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 150 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier 190 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, the barrier ribs 190 may be provided separately from the reflective barrier ribs. In this case, the barrier rib 190 may include a black or white insulation depending on the purpose of the display device. When a barrier of a white insulator is used, an effect of enhancing reflectivity may be obtained. When a barrier of a black insulator is used, a contrast characteristic may be increased while having a reflection characteristic.

형광체층(180)은 반도체 발광소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor layer 180 converts the blue (B) light into the color of a unit pixel. The phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting an individual pixel.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151. [ In addition, only the blue semiconductor light emitting element 151 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel. More specifically, phosphors of one color may be stacked along each line of the first electrode 120. Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. In other words, red (R), green (G), and blue (B) may be arranged in order along the second electrode 140, thereby realizing a unit pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.(R), green (G), and blue (B) unit pixels may be implemented by combining the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot QD instead of the fluorescent material. have.

또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers to improve contrast. That is, the black matrix 191 can improve the contrast of light and dark.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied.

도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.5A, each of the semiconductor light emitting devices 150 includes gallium nitride (GaN), indium (In) and / or aluminum (Al) are added together to form a high output light Device.

이 경우, 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a unit pixel (sub-pixel), respectively. For example, red, green, and blue semiconductor light emitting elements R, G, and B are alternately arranged, and red, green, and blue unit pixels Form a single pixel, through which a full color display can be implemented.

도 5b를 참조하면, 반도체 발광소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W having a yellow phosphor layer for each individual device. In this case, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting element W to form a unit pixel. Further, a unit pixel can be formed by using a color filter in which red, green, and blue are repeated on the white light emitting element W.

도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the ultraviolet light emitting element UV. As described above, the semiconductor light emitting device can be used not only for visible light but also for ultraviolet (UV), and can be extended to a form of a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of the upper phosphor .

본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 150 is disposed on the conductive adhesive layer 130 and constitutes a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 150 may be 80 mu m or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.Also, even if a square semiconductor light emitting device 150 having a length of 10 m on one side is used as a unit pixel, sufficient brightness for forming a display device appears. Accordingly, when the unit pixel is a rectangular pixel having a side of 600 mu m and the other side of 300 mu m as an example, the distance of the semiconductor light emitting element becomes relatively large. Accordingly, in such a case, it becomes possible to implement a flexible display device having HD picture quality.

상기에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a novel manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG.

도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. The conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed. A first electrode 120, an auxiliary electrode 170, and a second electrode 140 are formed on the wiring substrate, and the insulating layer 160 is formed on the first substrate 110 to form a single substrate (or a wiring substrate) . In this case, the first electrode 120 and the second electrode 140 may be arranged in mutually orthogonal directions. In addition, the first substrate 110 and the insulating layer 160 may include glass or polyimide (PI), respectively, in order to implement a flexible display device.

상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer 130 may be formed, for example, by an anisotropic conductive film, and an anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is disposed.

다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.A second substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrodes 140 and having a plurality of semiconductor light emitting elements 150 constituting individual pixels is disposed on the semiconductor light emitting element 150 Are arranged so as to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140.

이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광소자(150)를 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(sapphire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the second substrate 112 is a growth substrate for growing the semiconductor light emitting device 150, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

상기 반도체 발광소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size at which a display device can be formed.

그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the second substrate 112 are thermally bonded. For example, the wiring board and the second substrate 112 may be thermocompression-bonded using an ACF press head. The wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermocompression bonding. Only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression, The device 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and partition walls may be formed between the semiconductor light emitting devices 150.

그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 112 is removed. For example, the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).

마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the second substrate 112 is removed to expose the semiconductor light emitting devices 150 to the outside. If necessary, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating a wiring substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is coupled with silicon oxide (SiOx) or the like.

또한, 상기 반도체 발광소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Further, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red phosphor or a green phosphor for converting the blue (B) A layer can be formed on one surface of the device.

이상에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method and structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. For example, a vertical semiconductor light emitting device may be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In the modifications or embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the previous example, and the description is replaced with the first explanation.

도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.8 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual view illustrating a vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, to be.

본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) vertical semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광소자(250)를 포함한다.The display device includes a substrate 210, a first electrode 220, a conductive adhesive layer 230, a second electrode 240, and a plurality of semiconductor light emitting devices 250.

기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 210 is a wiring substrate on which the first electrode 220 is disposed. The substrate 210 may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 220 is disposed on the substrate 210 and may be formed as a long bar electrode in one direction. The first electrode 220 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.A conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is located. The conductive adhesive layer 230 may be formed of an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing a conductive particle, or the like, as in a display device using a flip chip type light emitting device. ) And the like. However, the present embodiment also exemplifies the case where the conductive adhesive layer 230 is realized by the anisotropic conductive film.

기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.If the semiconductor light emitting device 250 is connected to the semiconductor light emitting device 250 by applying heat and pressure after the anisotropic conductive film is positioned in a state where the first electrode 220 is positioned on the substrate 210, And is electrically connected to the electrode 220. In this case, the semiconductor light emitting device 250 may be disposed on the first electrode 220.

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion 231 having conductivity in the thickness direction and a portion 232 having no conductivity.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 230 realizes electrical connection as well as mechanical bonding between the semiconductor light emitting element 250 and the first electrode 220.

이와 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Thus, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 250 may be 80 μm or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

상기 반도체 발광소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of second electrodes 240 electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are disposed between the vertical semiconductor light emitting devices in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220.

도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.9, the vertical type semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256, a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256, an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 An n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253. In this case, the p-type electrode 256 located at the bottom may be electrically connected to the first electrode 220 by the conductive adhesive layer 230, and the n-type electrode 252 located at the top may be electrically connected to the second electrode 240 As shown in FIG. Since the vertical semiconductor light emitting device 250 can arrange the electrodes up and down, it has a great advantage that the chip size can be reduced.

다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring to FIG. 8 again, a phosphor layer 280 may be formed on one side of the semiconductor light emitting device 250. For example, the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 280 for converting the blue (B) . In this case, the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251. In addition, only the blue semiconductor light emitting element 251 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied to a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, as described above.

다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. The second electrode 240 is located between the semiconductor light emitting devices 250 and electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250. For example, the semiconductor light emitting devices 250 may be disposed in a plurality of rows, and the second electrode 240 may be disposed between the columns of the semiconductor light emitting devices 250.

개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. The second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 because the distance between the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels is sufficiently large.

제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode 240 may be formed as a long bar-shaped electrode in one direction and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.

또한, 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected by a connection electrode protruding from the second electrode 240. More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250. For example, the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a part of the ohmic electrode by printing or vapor deposition. Accordingly, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 can be electrically connected.

도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the example, the second electrode 240 may be disposed on the conductive adhesive layer 230. A transparent insulating layer (not shown) containing silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed. When the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 240 may be formed spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.

만약 반도체 발광소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used for positioning the second electrode 240 on the semiconductor light emitting device 250, the problem that the ITO material has poor adhesion with the n-type semiconductor layer have. Accordingly, the present invention has an advantage in that the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250, so that a transparent electrode such as ITO is not used. Therefore, the light extraction efficiency can be improved by using a conductive material having good adhesiveness with the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being bound by transparent material selection.

도시에 의하면, 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250. That is, the barrier ribs 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels. In this case, the barrier ribs 290 may separate the individual unit pixels from each other, and may be formed integrally with the conductive adhesive layer 230. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier ribs 290 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, as the partition 190, a reflective barrier may be separately provided. The barrier ribs 290 may include black or white insulators depending on the purpose of the display device.

만일 제2전극(240)이 반도체 발광소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the second electrode 240 is directly disposed on the conductive adhesive layer 230 between the semiconductor light emitting devices 250, the barrier ribs 290 may be formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 As shown in FIG. Therefore, individual unit pixels can be formed with a small size by using the semiconductor light emitting device 250, and the distance between the semiconductor light emitting device 250 can be relatively large enough so that the second electrode 240 can be electrically connected to the semiconductor light emitting device 250 ), And it is possible to realize a flexible display device having HD picture quality.

또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, a black matrix 291 may be disposed between the respective phosphors to improve the contrast. That is, this black matrix 291 can improve the contrast of light and dark.

상기 설명과 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is disposed on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. Therefore, a full color display in which red (R), green (G), and blue (B) unit pixels form one pixel can be realized by the semiconductor light emitting device.

상기에서 설명된 본 발명의 디스플레이 장치는 상기 형광체가 반도체 발광소자에 적층되어 있는 형태로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 각각 구성하는 구성 물질과 제작공정이 서로 다르다는 문제가 있다. 따라서 디스플레이 장치의 구현에 있어서도 복잡한 공정 때문에 제조비가 높은 문제가 있다.In the display device of the present invention described above, a constituent material constituting red (R), green (G) and blue (B) unit pixels and a manufacturing process are formed in a form in which the phosphor is laminated on a semiconductor light- There is a problem of being different. Therefore, in the realization of a display device, there is also a problem that a manufacturing cost is high due to a complicated process.

본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 제시한다. 이하, 형광체와 반도체 발광소자가 일체형으로 구현된 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 대하여 설명한다. The present invention provides a semiconductor light emitting device having a novel structure capable of solving such a problem. Hereinafter, a display device to which a semiconductor light emitting device having a novel structure in which a phosphor and a semiconductor light emitting device are integrated and a method of manufacturing the same will be described.

도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분 확대도이고, 도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 12는 새로운 구조의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.10 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 10, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. Fig.

도 10과 도 11의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 10 and 11, a display device 1000 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device as a display device 1000 using a semiconductor light emitting device is illustrated. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 충전층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광소자(1050)를 포함하다. The display device 1000 includes a substrate 1010, a first electrode 1020, a filling layer 1030, a second electrode 1040, and a plurality of semiconductor light emitting devices 1050.

기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능하다.The substrate 1010 is a wiring substrate on which the first electrode 1020 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating material and a flexible material can be used.

또한, 충전층(1030)은 백색 재질의 물질로 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 재료일 수 있다. 또한, 충전층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)과 반도체 발광소자(1050) 사이에 배치되어 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)를 물리적으로 접촉시킬 수도 있다. 이에 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020)이 서로 연결되어 전기적으로 도통될 수 있다. In addition, the filling layer 1030 may be a material that can improve light extraction efficiency with a white material. The filling layer 1030 may be disposed between the substrate 1010 on which the first electrode 1020 is disposed and the semiconductor light emitting device 1050 to physically contact the first electrode 1020 and the semiconductor light emitting device 1050 It is possible. Thus, the semiconductor light emitting device 1050 and the first electrode 1020 can be connected to each other to be electrically conductive.

덧붙여, 충전층(1030)에 접착층(1031)이 더 배치되어 반도체 발광소자(1050)와 기판(1010)을 접착시킬 수도 있다. 접착층(1031)은 실버 페이스트, 주석 페이스트 및 솔더 페이스트로 형성할 수 있다. 접착층(1031)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, an adhesive layer 1031 may be further disposed on the filling layer 1030 to bond the semiconductor light emitting element 1050 to the substrate 1010. The adhesive layer 1031 may be formed of a silver paste, a tin paste, and a solder paste. The description of the adhesive layer 1031 is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

나아가, 충전층(1030)이 배치된 구조에서는 반도체 발광소자(1050)들의 사이에 형성된 갭에는 전류가 흐르지 않는 물질이 충전될 수 있다. Furthermore, in the structure in which the filling layer 1030 is disposed, a material that does not flow current may be filled in the gap formed between the semiconductor light emitting devices 1050.

다른 실시예에서, 충전층(1030)이 전술된 이등방성 전도성 필름으로 대체될 수도 있다. 즉, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 상기 이등방성 전도성 필름에 의하여 결합되어, 제1전극(1020)과 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.In another embodiment, the filling layer 1030 may be replaced with the above-described isotropic conductive film. That is, the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 are coupled by the isotropic conductive film, and are electrically connected to the first electrode 1020 and the second electrode 1040.

또한, 반도체 발광소자(1050)의 일면에는 패널(1060)이 배치된다. 패널(1060)은 유리 또는 고분자 재질로 빛을 통과하는 재질의 소재를 포함할 수 있으며, 반도체 발광소자(1050)와 패널(1060)의 접착을 위하여 접착부재(1061)를 포함할 수도 있다. A panel 1060 is disposed on one surface of the semiconductor light emitting element 1050. The panel 1060 may include a material that passes light through glass or a polymer material and may include an adhesive member 1061 for bonding the semiconductor light emitting device 1050 and the panel 1060.

접착부재(1061)는 라미네이트 접합공정과 같은 접합공정을 통하여 반도체 발광소자(1050)와 패널(1060)을 접합할 수 있으며, 반도체 발광소자(1050)의 발광면에 구비되기 때문에 광학적 손실을 최소화하기 위하여 투명 고분자 적용이 가능하다. 또한, 라미네이트 접합공정 중에 발생하는 열에 견딜 수 있을 정도의 열적 안정성이 요구되므로 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리메틸페닐실록산(polymethylphenylsiloxane, PMPS)을 포함할 수 있다. 접착부재(1061) 에 대한 열거 사항은 예시적인 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The adhesive member 1061 can bond the semiconductor light emitting element 1050 and the panel 1060 through a bonding step such as a lamination bonding step and is provided on the light emitting surface of the semiconductor light emitting element 1050, Transparent polymers can be applied. In addition, since thermal stability required to withstand the heat generated during the lamination bonding process is required, it may include polydimethylsiloxane (PDMS) or polymethylphenylsiloxane (PMPS). The description of the adhesive member 1061 is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

도 12는 본 발명의 실시예의 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.12 is a conceptual diagram showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)는 전술된 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 같이 제1도전형 전극(1056)과 제2도전형 전극(1052)이 같은 방향을 향해서 나란하게 배치되는 반도체 발광소자일 수 있다. 상세하게, 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)과 제2도전형 전극(1052)은 시각정보가 출력되는 면과 반대쪽에 배치되어, 시각정보가 출력되는 면에서 방출되는 빛을 제1도전형 전극(1056)과 제2도전형 전극(1052)에 의해 방해되는 것을 방지할 수 있는 형태일 수 있다.12, the semiconductor light emitting device 1050 includes a first conductive type electrode 1056 and a second conductive type electrode 1052, which are arranged side by side in the same direction as the flip chip type semiconductor light emitting device described above, Emitting device. More specifically, the first conductive type electrode 1056 and the second conductive type electrode 1052 of the semiconductor light emitting element 1050 are disposed on the opposite side from the side on which the time information is output, Can be prevented from being disturbed by the first conductive type electrode 1056 and the second conductive type electrode 1052.

반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 전극(1056), 제1도전형 전극(1056)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1055), 제1도전형 반도체층(1055) 상에 형성된 활성층(1054) 및 활성층(1054) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1053)을 포함한다. 또한, 제2도전형 반도체층(1053) 일면의 일부에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층(1057), 제2도전형 반도체층(1053) 타면의 일부에 형성되는 제2도전형 전극(1052) 및 형광체(1080)를 포함한다. 즉, 제1도전형 반도체층(1055)의 적어도 일부를 덮도록 제1도전형 전극(1056)이 형성될 수 있고, 제2도전형 반도체층(1053)의 적어도 일부를 덮도록 제2도전형 전극(1052)이 형성될 수 있다.The semiconductor light emitting element 1050 includes a first conductive type semiconductor layer 1055 in which a first conductive type electrode 1056, a first conductive type electrode 1056 are formed, an active layer 1053 formed on the first conductive type semiconductor layer 1055, And a second conductivity type semiconductor layer 1053 formed on the active layer 1054 and the active layer 1054. An undoped semiconductor layer 1057 formed on a part of one surface of the second conductive type semiconductor layer 1053 and a second conductive type electrode formed on a part of the other surface of the second conductive type semiconductor layer 1053 1052, and a phosphor 1080. That is, the first conductive type electrode 1056 may be formed so as to cover at least a part of the first conductive type semiconductor layer 1055 and the second conductive type semiconductor layer 1053 may be formed to cover at least a part of the second conductive type semiconductor layer 1053. [ An electrode 1052 may be formed.

도시에 의하면, 제1도전형 반도체층(1055)과 제2도전형 반도체층(1053) 사이에 활성층(1054)이 배치될 수 있다. 활성층(1054)은 제1도전형 반도체층(1055)을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 활성층(1054)은 제2도전형 반도체층(1053)의 타면에서 제2도전형 반도체층(1053)의 적어도 일부와 오버랩될 수 있다.According to the structure, the active layer 1054 may be disposed between the first conductive type semiconductor layer 1055 and the second conductive type semiconductor layer 1053. The active layer 1054 may be formed to cover the first conductive type semiconductor layer 1055. The active layer 1054 may overlap at least a part of the second conductivity type semiconductor layer 1053 on the other surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053. [

또한, 제2도전형 반도체층(1053)의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층(1057)을 포함한다. 언도프된 반도체층(1057)은 제2도전형 반도체층(1053)을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체(1080)가 충전될 수 있다.And an undoped semiconductor layer 1057 formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053. [ The undoped semiconductor layer 1057 is formed with a recess to be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer 1053, and the recess may be filled with the phosphor 1080.

일 실시예에서, 제1도전형 반도체층(1055)은 P형 GaN층이고, 제2도전형 반도체층(1053)은 N형 GaN층이며, 언도프된 반도체층(1057)은 GaN층일 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 N형이 되고 제2도전형이 P형이 되는 예시도 가능하다.In one embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1055 is a P-type GaN layer, the second conductivity type semiconductor layer 1053 is an N-type GaN layer, and the undoped semiconductor layer 1057 may be a GaN layer . However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive type may be an N-type and the second conductive type may be a P-type.

형광체(1080)는 바닥부(1080')와 언도프된 반도체층(1057)의 반도체 가장자리를 따라 형성되는 측벽부(1080")를 포함할 수 있다. The phosphor 1080 may include a sidewall portion 1080 "formed along the semiconductor edge of the undoped semiconductor layer 1057 and the bottom portion 1080 '.

형광체(1080)의 바닥부(1080')는 제2도전형 반도체층(1053) 상에 배치될 수 있고, 제2도전형 반도체층(1053)의 적어도 일부에 오버랩될 수 있다. 나아가, 바닥부(1080')의 면적은 제2도전형 반도체층(1053)의 일면의 면적보다 작을 수 있다. 또한, 형광체(1080)와 제2도전형 반도체층(1053) 사이에 제2도전형 반도체층(1053)을 덮도록 형성되는 언도프된 반도체층(1057)이 더 배치될 수도 있다. The bottom portion 1080 'of the phosphor 1080 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 1053 and may overlap at least part of the second conductivity type semiconductor layer 1053. [ Further, the area of the bottom portion 1080 'may be smaller than the area of one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053. An undoped semiconductor layer 1057 formed to cover the second conductivity type semiconductor layer 1053 may be further disposed between the phosphor 1080 and the second conductivity type semiconductor layer 1053. [

또한, 형광체(1080)의 측벽부(1080")는 적어도 일부가 언도프된 반도체층(1057)에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 또한, 측벽부(1080")는 바닥부(1080')와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어진다. 예를 들어, 측벽부(1080")의 경사에 의하여 형광체(1080)는 제2도전형 반도체층(1053)과 멀어질수록 단면적이 증가하도록 형성될 수 있다.The sidewall portion 1080 "of the phosphor 1080 may be formed so that at least a portion thereof is surrounded by the undoped semiconductor layer 1057. The sidewall portion 1080 " And is inclined with respect to a vertical direction. For example, the phosphor 1080 may be formed to have a larger cross-sectional area as the distance from the second conductivity type semiconductor layer 1053 increases due to the inclination of the side wall portion 1080 ".

또한, 형광체(1080)는 퀀텀닷(QD)을 포함하여, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 반도체 발광소자를 구현할 수 있다. 상세하게, 형광체(1080)는 상기 퀀텀닷(QD)과 유기화합물의 수지를 포함하여, 바닥부(1080')는 제2도전형 반도체층(1053) 또는 언도프된 반도체층(1057)의 일면 상에 형성될 수 있다. 이에, 형광체(1080)는 반도체 발광소자(1050)와 일체형으로 구현될 수 있다. In addition, the phosphor 1080 may include a quantum dot (QD) to realize a semiconductor light emitting device that emits red (R), green (G), and blue (B) light. In detail, the phosphor 1080 includes the quantum dot (QD) and a resin of an organic compound, and the bottom portion 1080 'is formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053 or the undoped semiconductor layer 1057 Lt; / RTI > Accordingly, the phosphor 1080 may be integrated with the semiconductor light emitting device 1050.

예를 들어, 반도체 발광소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 형광체(1080)는 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 형광체(1080)는 개별 화소를 구성하는 적색 형광체, 또는 녹색 형광체가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 상기 청색 반도체 발광소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 퀀텀닷(QD) 형광체를 포함하여 적색으로 발광될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 상기 청색 반도체 발광소자 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 퀀텀닷(QD) 형광체를 포함하여 녹색으로 발광될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 상기 청색 반도체 발광소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device 1050 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor 1080 converts the blue (B) light into the color of a unit pixel. The phosphor 1080 may be a red phosphor or a green phosphor constituting an individual pixel. In other words, the red semiconductor light emitting element can emit red light including a red quantum dot (QD) phosphor capable of converting blue light into red (R) light at a position forming a red unit pixel, At the pixel position, the blue light emitting device may emit green light including a green quantum dot (QD) phosphor capable of converting blue light into green (G) light. In addition, only the blue semiconductor light emitting element can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel.

즉, 퀀텀닷(QD)을 포함하는 형광체(1080)가 일체화되어 반도체 발광소자의 색이 자유롭게 구현될 수 있으며, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.That is, the phosphor 1080 including the quantum dot (QD) is integrated to freely realize the color of the semiconductor light emitting element, and the unit of red (R), green (G), and blue A full color display in which pixels constitute one pixel can be realized.

도 13a 내지 도 13g는 본 발명의 반도체 발광소자(1050)의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.13A to 13G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the semiconductor light emitting device 1050 of the present invention.

도 13a를 참조하면, 기판상에 플립 칩 타입의 발광소자가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13A, a flip chip type light emitting device may be formed on a substrate.

예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 기판(W)상에 언도프된(Undoped) 반도체층(1057), 제2도전형 반도체층(1053)이 적층되고, 제2도전형 반도체층(1053) 상의 일부에는 활성층(1054), 활성층(1054) 상에 형성된 제1도전형 반도체층(1055)이 형성되도록 제2도전형 반도체층(1053), 활성층(1054) 및 제1도전형 반도체층(1055)을 차례로 성장시킨다.For example, the semiconductor light emitting device may include an undoped semiconductor layer 1057 and a second conductivity type semiconductor layer 1053 stacked on a substrate W, and may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 1053 The active layer 1054 and the first conductivity type semiconductor layer 1055 are formed so that the active layer 1054 and the first conductivity type semiconductor layer 1055 formed on the active layer 1054 are formed. .

다시 도 13a를 참조하면, 언도프된 반도체층(1057), 제1도전형 반도체층(1055), 활성층(1054) 및 제2도전형 반도체층(1053)을 식각하여 기판(W)상에 반도체 발광소자들을 아이솔레이션한다. 나아가, 제1도전형 반도체층(1055) 상에 제1도전형 전극(1056)을 배치하고, 제2도전형 반도체층(1053) 상에서 제1도전형 전극(1056)과 수평방향으로 이격 배치되는 제2도전형 전극(1052)을 포함한다.13A, the undoped semiconductor layer 1057, the first conductivity type semiconductor layer 1055, the active layer 1054, and the second conductivity type semiconductor layer 1053 are etched to form a semiconductor Thereby isolating the light emitting elements. Further, the first conductive type electrode 1056 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 1055 and the first conductive type electrode 1056 is disposed on the second conductive type semiconductor layer 1053 in the horizontal direction And a second conductive electrode 1052.

실시예에서, 기판(W)은 반도체 발광소자들을 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(sapphire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다. 기판(W)에 대한 열거 사항은 예시적인 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the substrate W is a growth substrate for growing semiconductor light emitting elements, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate. The description of the substrate W is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

도 13b를 참조하면, 언도프된 반도체층(1057), 제2도전형 반도체층(1053), 활성층(1054), 제1도전형 반도체층(1055), 제1도전형 전극(1056) 및 제2도전형 전극(1052)이 형성된 기판(W)을 접착부재(1071)가 형성되어 있는 지지기판(S)에 라미네이트 접합공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 기판(W) 상의 반도체 발광소자들과 접착부재(1071)를 임시로 접합시킨다.13B, an undoped semiconductor layer 1057, a second conductive type semiconductor layer 1053, an active layer 1054, a first conductive type semiconductor layer 1055, a first conductive type electrode 1056, The substrate W on which the two-conductivity type electrode 1052 is formed can be subjected to a lamination bonding process to the supporting substrate S on which the bonding member 1071 is formed. Specifically, the bonding member 1071 is temporarily bonded to the semiconductor light emitting elements on the substrate W.

이어서, 상기 반도체 발광소자들을 레이저 리프트 오프법(Laser Life-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemicla Lift-off, CLO)으로 기판(W)으로부터 분리시킬 수 있다. 본 발명에서 상기 반도체 발광소자는 바람직하게 레이저 빔을 이용하여 분리될 수 있다.The semiconductor light emitting devices may then be separated from the substrate W by a laser lifetime off method (LLO) or a chemical lift off method (CLO). In the present invention, the semiconductor light emitting device can be preferably separated using a laser beam.

실시예에서, 지지기판(S)은 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)가 낮고, 열저항성(thermal resistance)이 높은 고분자 기판일 수 있으며, 상세하게 상기 고분자 기판은 폴리이미드(PI, Polyimide) 또는 실리콘(silicone, polysiloxane)을 포함할 수 있다. 지지기판(S)에 대한 열거 사항은 예시적인 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The support substrate S may be a polymer substrate having a low coefficient of thermal expansion (CTE) and a high thermal resistance. In detail, the polymer substrate may be a polyimide (PI) Or silicone (polysiloxane). The description of the support substrate S is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

또한, 접착부재(1071)는 라이네이트 접합공정 중에 발생하는 열에 견딜 수 있을 정도의 열적 안정성이 요구되므로 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리메틸페닐실록산(polymethylphenylsiloxane, PMPS)을 포함할 수 있다. 접착부재(1071) 에 대한 열거 사항은 예시적인 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the adhesive member 1071 may include polydimethylsiloxane (PDMS) or polymethylphenylsiloxane (PMPS) since thermal stability required to withstand the heat generated during the lynate bonding process is required. The description of the adhesive member 1071 is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

도 13c를 참조하면, 접착부재(1071)가 형성되어 있는 지지기판(S)에 상기 반도체 발광소자를 접합시키고, 기판(W)을 분리한 다음에 접착부재(1071) 일부를 제거하여 상기 반도체 발광소자를 드러낼 수 있다. 13C, the semiconductor light emitting element is bonded to a supporting substrate S on which an adhesive member 1071 is formed, a part of the adhesive member 1071 is removed after the substrate W is separated, The device can be exposed.

도 13d 참조하면, 후술될 형광체(1080)가 충전될 수 있도록 언도프된 반도체층(1057)이 식각하기 위해서 접착부재(1071)와 상기 반도체 발광소자 상에 포토레지스트(Photo resist,PR)(1072)를 도포하고, 패터닝하여 언도프된 반도체층(1057)의 일부를 드러낼 수 있다. 13D, a photo resist (PR) 1072 is formed on the semiconductor light emitting element to bond the undoped semiconductor layer 1057 so that the phosphor 1080 to be described later can be filled. ) May be applied and patterned to expose a portion of the undoped semiconductor layer 1057.

도 13e를 참조하면, 일부 드러난 언도프된 반도체층(1057)을 선택적으로 식각하는 공정이 수행될 수 있다. 포토레지스트(1072)가 적층되지 않은 언도프된 반도체층(1057)을 식각할 수 있다. 상세하게, 언도프된 반도체층(1057)을 선택적으로 식각하기 위해서 삼염화붕소(BCl3), 염소(Cl2) 및 아르곤(Ar) 가스의 혼합물을 통한 드라이 에칭이 수행될 수 있다.Referring to FIG. 13E, a process of selectively etching the exposed undoped semiconductor layer 1057 may be performed. The undoped semiconductor layer 1057 on which the photoresist 1072 is not laminated can be etched. In detail, dry etching through a mixture of boron trichloride (BCl 3 ), chlorine (Cl 2 ), and argon (Ar) gases may be performed to selectively etch the undoped semiconductor layer 1057.

이에, 언도프된 반도체층(1057)의 적어도 일부에는 제2도전형 반도체층(1053)을 향하여 리세스되는 홈(1058)이 형성될 수 있으며, 언도프된 반도체층(1057)은 리세스되는 홈(1058)을 따라 제2도전형 반도체층(1053) 상에 고리형으로 형성될 수 있다.Thus, at least a part of the undoped semiconductor layer 1057 may be provided with a recess 1058 which is recessed toward the second conductivity type semiconductor layer 1053, and the undoped semiconductor layer 1057 is recessed And may be formed annularly on the second conductivity type semiconductor layer 1053 along the groove 1058. [

또한, 홈(1058)은 바닥부와 제2도전형 반도체층(1053)의 가장자리를 따라 형성되어 상기 바닥부를 감싸는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부는 상기 바닥부와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어질 수 있다. 상세하게, 상기 측벽부의 경사에 의하여 상기 홈(1058)은 상기 제2도전형 반도체층(1053)과 멀어질수록 단면적이 증가할 수 있다. The groove 1058 is formed along the bottom of the bottom portion and the edge of the second conductivity type semiconductor layer 1053 and includes a side wall portion surrounding the bottom portion. The side wall portion may be inclined with respect to a direction perpendicular to the bottom portion have. In particular, the cross-sectional area of the groove 1058 may increase as the groove 1058 is further away from the second conductive type semiconductor layer 1053 due to the inclination of the side wall portion.

홈(1058)의 상기 바닥부는 제2도전형 반도체층(1053)으로 형성될 수 있다. 나아가, 홈(1058)의 바닥부와 제2도전형 반도체층(1053) 사이에 제2도전형 반도체층(1053)을 덮도록 형성된 언도프된 반도체층(1057)을 더 구비할 수도 있다. The bottom of the groove 1058 may be formed of the second conductive type semiconductor layer 1053. [ Furthermore, an undoped semiconductor layer 1057 may be further formed between the bottom of the trench 1058 and the second conductivity type semiconductor layer 1053 to cover the second conductivity type semiconductor layer 1053.

도 13f를 참조하면, 홈(1058)에 형광체(1080)를 충전하는 것이 수행될 수 있다. 형광체(1080)는 홈(1058)에 충전되면서 바닥부(1080')와 언도프된 반도체층(1057)의 반도체 가장자리를 따라 형성되는 측벽부(1080")를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13F, filling the groove 1058 with the phosphor 1080 can be performed. The phosphor 1080 may include a sidewall portion 1080 "formed along the semiconductor edge of the undoped semiconductor layer 1057 and the bottom portion 1080 'while being filled in the groove 1058. [

형광체(1080)의 바닥부(1080')는 제2도전형 반도체층(1053) 상에 배치될 수 있고, 제2도전형 반도체층(1053)의 적어도 일부에 오버랩될 수 있다. 나아가, 바닥부(1080')의 면적은 제2도전형 반도체층(1053)의 일면의 면적보다 작을 수 있다. 또한, 형광체(1080)와 제2도전형 반도체층(1053) 사이에 제2도전형 반도체층(1053)을 덮도록 형성되는 언도프된 반도체층(1057)이 더 배치될 수도 있다. The bottom portion 1080 'of the phosphor 1080 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 1053 and may overlap at least part of the second conductivity type semiconductor layer 1053. [ Further, the area of the bottom portion 1080 'may be smaller than the area of one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053. An undoped semiconductor layer 1057 formed to cover the second conductivity type semiconductor layer 1053 may be further disposed between the phosphor 1080 and the second conductivity type semiconductor layer 1053. [

또한, 형광체(1080)의 측벽부(1080")는 적어도 일부가 언도프된 반도체층(1057)에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 또한, 측벽부(1080")는 바닥부(1080')와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어진다. 예를 들어, 측벽부(1080")의 경사에 의하여 형광체(1080)는 제2도전형 반도체층(1053)과 멀어질수록 단면적이 증가하도록 형성될 수 있다.The sidewall portion 1080 "of the phosphor 1080 may be formed so that at least a portion thereof is surrounded by the undoped semiconductor layer 1057. The sidewall portion 1080 " And is inclined with respect to a vertical direction. For example, the phosphor 1080 may be formed to have a larger cross-sectional area as the distance from the second conductivity type semiconductor layer 1053 increases due to the inclination of the side wall portion 1080 ".

상세하게, 형광체(1080)는 퀀텀닷(QD)과 유기화합물의 수지를 포함하여 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물은 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 및 침액(dipping)과 같은 방법으로 홈(1058)에 충전될 수 있다. In detail, the phosphor 1080 includes a quantum dot (QD) and a resin of an organic compound to form a mixture, and the mixture is sprayed by a method such as spray coating, inkjet printing and dipping As shown in FIG.

또한, 형광체(1080)는 퀀텀닷(QD)을 포함하여, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 반도체 발광소자를 구현할 수 있다. 상세하게, 형광체(1080)는 상기 퀀텀닷(QD)과 유기화합물의 수지를 포함하여, 바닥부(1080')는 제2도전형 반도체층(1053) 또는 언도프된 반도체층(1057)의 일면 상에 형성될 수 있다. 이에, 형광체(1080)는 반도체 발광소자(1050)와 일체형으로 구현될 수 있다. In addition, the phosphor 1080 may include a quantum dot (QD) to realize a semiconductor light emitting device that emits red (R), green (G), and blue (B) light. In detail, the phosphor 1080 includes the quantum dot (QD) and a resin of an organic compound, and the bottom portion 1080 'is formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1053 or the undoped semiconductor layer 1057 Lt; / RTI > Accordingly, the phosphor 1080 may be integrated with the semiconductor light emitting device 1050.

도 13g를 참조하면, 형광체(1080)를 형성한 다음 포토레지스트(1072)를 제거하는 공정을 수행하여 반도체 발광소자(1050)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 13G, the semiconductor light emitting device 1050 can be formed by forming a phosphor 1080 and then removing the photoresist 1072.

도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 반도체 발광소자(1050)를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.14A to 14C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device 1050 of the present invention.

도 14a를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)를 이용한 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는, 접착부재(1061)를 포함하고 있는 패널(1060)에 반도체 발광소자(1050)를 접착시킬 수 있다. 상세하게, 접착부재(1061)와 라미네이트 접합공정과 같은 접합공정을 통하여 반도체 발광소자(1050)와 패널(1060)이 접합되면서 반도체 발광소자(1050)는 지지기판(S)에서 패널(1060)로 전사될 수 있다.14A, in order to manufacture a display device using the semiconductor light emitting device 1050, the semiconductor light emitting device 1050 can be adhered to the panel 1060 including the adhesive member 1061. FIG. The semiconductor light emitting element 1050 is bonded to the panel 1060 while the semiconductor light emitting element 1050 is joined to the panel 1060 through the bonding step such as the lamination bonding step with the bonding member 1061. [ Can be transferred.

즉, 반도체 발광소자(1050)가 패널(1060)으로 전사되어, 반도체 발광소자(1050)의 일면에는 패널(1060)이 배치되고, 반도체 발광소자(1050)와 패널(1060)의 접착을 위하여 접착부재(1061)가 포함될 수도 있다.That is, the semiconductor light emitting device 1050 is transferred to the panel 1060, and the panel 1060 is disposed on one side of the semiconductor light emitting device 1050, and the adhesive 1050 for bonding the semiconductor light emitting device 1050 and the panel 1060 Member 1061 may be included.

패널(1060)은 유리 또는 고분자 재질로 빛을 통과하는 재질의 소재를 포함할 수 있으며, 접착부재(1061)는 반도체 발광소자(1050)의 발광면에 구비되기 때문에 광학적 손실을 최소화하기 위하여 투명 고분자 적용이 가능하다. 또한, 라미네이트 접합공정 중에 발생하는 열에 견딜 수 있을 정도의 열적 안정성이 요구되므로 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리메틸페닐실록산(polymethylphenylsiloxane, PMPS)을 포함할 수 있다.The panel 1060 may be made of glass or a polymer material and pass through the light. Since the adhesive member 1061 is provided on the light emitting surface of the semiconductor light emitting device 1050, in order to minimize optical loss, It is applicable. In addition, since thermal stability required to withstand the heat generated during the lamination bonding process is required, it may include polydimethylsiloxane (PDMS) or polymethylphenylsiloxane (PMPS).

도 14b를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)를 포함하는 디스플레이 장치의 광추출 효율을 향상시키기 위한 충전층(1030)이 반도체 발광소자(1050)들 사이에 충전될 수 있다. 충전층(1030)은 백색 재질의 물질로 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 재료일 수 있다. Referring to FIG. 14B, a filling layer 1030 for improving the light extraction efficiency of a display device including the semiconductor light emitting device 1050 may be filled between the semiconductor light emitting devices 1050. The filling layer 1030 may be made of a white material to improve the light extraction efficiency.

나아가, 충전층(1030)을 충전한 다음, 제1도전형 전극(1056), 제2도전형 전극(1052) 및 충전층(1030)의 적어도 일부 상에 반사도가 높은 금속층(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 금속층은 반사도가 높은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 APC(Ag+Pd+Cu) 합금일 수 있으며, 반도체 발광소자(1050)의 광특성을 제어할 수도 있다. After filling the filling layer 1030, a metal layer (not shown) having high reflectivity is formed on at least a part of the first conductive type electrode 1056, the second conductive type electrode 1052, and the filling layer 1030 can do. The metal layer may be silver (Ag), aluminum (Al), or APC (Ag + Pd + Cu) alloy having high reflectivity and may control the optical characteristics of the semiconductor light emitting device 1050.

도 14c를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)와 패널(1060)이 접합되고, 반도체 발광소자(1050)들 사이에 충전층(1030)이 충전된 다음, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)이 배치된 기판(1010)에 접착되어 디스플레이 장치를 형성할 수 있다. 상세하게, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)이 배치된 기판(1010)과 반도체 발광소자(1050) 사이에 접착층(1031)이 더 배치되어 반도체 발광소자(1050)와 기판(1010)을 접착시킬 수도 있다.14C, the semiconductor light emitting device 1050 and the panel 1060 are bonded to each other, the filling layer 1030 is filled between the semiconductor light emitting devices 1050, and then the first electrode 1020 and the second electrode The display device may be bonded to the substrate 1010 on which the light emitting device 1040 is disposed. An adhesive layer 1031 is further disposed between the substrate 1010 on which the first electrode 1020 and the second electrode 1040 are disposed and the semiconductor light emitting device 1050 to form the semiconductor light emitting device 1050 and the substrate 1010 ).

한편, 이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 이하, 이러한 변형예에 대하여 설명한다. Meanwhile, the display device using the semiconductor light emitting element described above can be modified into various forms. These modified examples will be described below.

도 15는 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기위한 수직형 반도체 발광소자(2050)를 나타내는 개념도이다.15 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device 2050 for explaining another embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 수직형 반도체 발광소자(2050)를 살펴보면, 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Referring to FIG. 15, the vertical semiconductor light emitting device 2050 has a great advantage that the size of the chip can be reduced because the electrodes can be arranged up and down.

다만, 전술된 도 13a 내지 도 13g의 제조방법에 의하여 형광체(2080)가 형성되므로, 제2도전형 반도체층(2053)을 언도프된 반도체층(2057)이 감싸고 있으므로, 제2도전형 반도체층(2053)에 대응하는 제2도전형 전극(2052)을 바로 형성할 수 없다. 이에, 후술될 도 16a 내지 도 16c에서 본 발명의 수직형 반도체 발광소자(2050)를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법에서 제2도전형 전극(2052) 형성할 수 있다.However, since the phosphor 2080 is formed by the manufacturing method of FIGS. 13A to 13G described above, the undoped semiconductor layer 2057 surrounds the second conductivity type semiconductor layer 2053, The second conductive type electrode 2052 corresponding to the second conductive type electrode 2053 can not be directly formed. 16A to 16C, a second conductive type electrode 2052 can be formed in a method of manufacturing a display device using the vertical type semiconductor light emitting device 2050 of the present invention.

상세하게, 수직형 반도체 발광소자(2050)는 제1도전형 전극(2056), 제1도전형 전극(2056)이 형성되는 제1도전형 반도체층(2055), 제1도전형 반도체층(2055) 상에 형성된 활성층(2054), 활성층(2054) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(2053) 및 제2도전형 반도체층(1053) 일면의 일부에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층(2057)을 포함하다. 또한, 언도프된 반도체층(2057)의 적어도 일부에는 제2도전형 반도체층(2053)을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체(2080)가 충전된다. In detail, the vertical type semiconductor light emitting device 2050 includes a first conductive type electrode 2056, a first conductive type semiconductor layer 2055 on which the first conductive type electrode 2056 is formed, a first conductive type semiconductor layer 2055 An undoped semiconductor layer (not shown) formed on a part of one surface of the active layer 2054, the second conductive type semiconductor layer 2053 formed on the active layer 2054, and the second conductive type semiconductor layer 1053 2057). At least a part of the undoped semiconductor layer 2057 is provided with a recess to be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer 2053, and the recess is filled with the phosphor 2080.

또한, 수직형 반도체 발광소자(2050)는 웨이퍼의 크기 제약으로 인하여 대화면 디스플레이를 구현하기 어려운 문제를 해결하기 위하여 자가조립 방식으로 반도체 발광소자를 배선기판으로 조립하는 방식이 적용될 수 있다. 자가조립 방식에 대한 상세한 설명은 후술될 도 16c에서 상세하게 설명한다.In order to solve the problem that it is difficult to realize a large screen display due to the size limitation of the wafer, the vertical type semiconductor light emitting device 2050 may employ a method of assembling a semiconductor light emitting device into a wiring substrate in a self-assembling manner. A detailed description of the self-assembly method will be described later in detail in FIG.

이에, 수직형 반도체 발광소자(2050)는 제1도전형 전극(2056)의 타면에 희생층(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 희생층은 유체 중에서 쉽게 제거될 수 있는 물질일 수 있다.Thus, the vertical semiconductor light emitting device 2050 may include a sacrificial layer (not shown) on the other surface of the first conductive electrode 2056. The sacrificial layer may be a material that can be easily removed from the fluid.

도 16a 내지 도 16g는 본 발명의 수직형 반도체 발광소자(2050)를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다. 16A to 16G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using the vertical semiconductor light emitting device 2050 of the present invention.

도 16a를 참조하면, 기판상에 수직형 반도체 발광소자(2050)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 16A, a vertical type semiconductor light emitting device 2050 may be formed on a substrate.

수직형 반도체 발광소자(2050)는 전술된 도 13a 내지 도 13g와 같은 제조방법으로 제작될 수 있다. The vertical type semiconductor light emitting device 2050 can be manufactured by the manufacturing method as shown in FIGS. 13A to 13G.

예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 기판상에 언도프된(Undoped) 반도체층(2057), 제2도전형 반도체층(2053)이 적층되고, 제2도전형 반도체층(2053) 상의 일부에는 활성층(2054), 활성층(2054) 상에 형성된 제1도전형 반도체층(2055)이 형성되도록 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054) 및 제1도전형 반도체층(2055)을 차례로 성장시킨다.For example, the semiconductor light emitting device has an undoped semiconductor layer 2057 and a second conductive type semiconductor layer 2053 stacked on a substrate, and a part of the second conductive type semiconductor layer 2053 is formed on the substrate, The active layer 2054 and the first conductivity type semiconductor layer 2055 are successively grown so as to form the first conductivity type semiconductor layer 2054 and the first conductivity type semiconductor layer 2055 formed on the active layer 2054, .

또한, 언도프된 반도체층(2057), 제1도전형 반도체층(2055), 활성층(2054) 및 제2도전형 반도체층(2053)을 식각하여 상기 기판상에 반도체 발광소자들을 아이솔레이션한다. 나아가, 제1도전형 반도체층(2055) 상에 제1도전형 전극(2056)을 배치하여 수직형 반도체 발광소자(2050)의 일부를 형성한다. In addition, the undoped semiconductor layer 2057, the first conductivity type semiconductor layer 2055, the active layer 2054, and the second conductivity type semiconductor layer 2053 are etched to isolate the semiconductor light emitting elements on the substrate. Further, a first conductive type electrode 2056 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 2055 to form a part of the vertical type semiconductor light emitting device 2050.

실시예에서, 상기 기판은 반도체 발광소자들을 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(sapphire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In an embodiment, the substrate is a growth substrate for growing semiconductor light emitting devices, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

덧붙여, 제1도전형 전극(2056)의 타면에 희생층(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 희생층은 유체 중에서 쉽게 제거될 수 있는 물질일 수 있으며, 후술될 자기조립공정에서 유체 중에 쉽게 제거되어, 기판(2010)에 조립될 수 있다. In addition, a sacrificial layer (not shown) may be provided on the other surface of the first conductive type electrode 2056. The sacrificial layer may be a material that can be easily removed from the fluid, and may be readily removed from the fluid in the self-assembly process described below and assembled to the substrate 2010.

나아가, 언도프된 반도체층(2057), 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054), 제1도전형 반도체층(2055) 및 제1도전형 전극(2056)이 형성된 상기 기판을 접착부재(2071)가 형성되어 있는 지지기판(S)에 라미네이트 접합공정이 수행될 수 있다. Further, the substrate on which the undoped semiconductor layer 2057, the second conductivity type semiconductor layer 2053, the active layer 2054, the first conductivity type semiconductor layer 2055, and the first conductivity type electrode 2056 are formed is bonded A lamination bonding process can be performed on the supporting substrate S on which the member 2071 is formed.

이에, 상기 기판 상의 반도체 발광소자들과 접착부재(2071)를 임시로 접합시킬수 있으며, 제1도전형 전극(2056)과 접착부재(2071) 사이에 상기 희생층(미도시)이 배치될 수 있다.The semiconductor light emitting devices on the substrate may be temporarily bonded to the bonding member 2071 and the sacrificial layer (not shown) may be disposed between the first conductive electrode 2056 and the bonding member 2071 .

이어서, 상기 반도체 발광소자들을 레이저 리프트 오프법(Laser Life-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemicla Lift-off, CLO)으로 상기 기판으로부터 분리시킬 수 있다. 본 발명에서 상기 반도체 발광소자는 바람직하게 레이저 빔을 이용하여 분리될 수 있다. The semiconductor light emitting devices may then be separated from the substrate by a laser lifetime off method (LLO) or a chemical lift off method (CLO). In the present invention, the semiconductor light emitting device can be preferably separated using a laser beam.

또한, 상기 기판을 분리한 다음에 접착부재(2071) 일부를 제거하여 상기 반도체 발광소자를 드러낼 수 있다. 나아가, 형광체(2080)가 충전될 수 있도록 언도프된 반도체층(2057)이 식각할 수 있다. 이에, 접착부재(2071)와 상기 반도체 발광소자 상에 포토레지스트(Photo resist,PR)를 도포하고, 패터닝하여 언도프된 반도체층(2057)의 일부를 드러낼 수 있다. Further, after the substrate is separated, a part of the adhesive member 2071 may be removed to expose the semiconductor light emitting device. Further, the undoped semiconductor layer 2057 can be etched so that the phosphor 2080 can be filled. Thus, a part of the undoped semiconductor layer 2057 can be exposed by applying a photoresist (PR) on the adhesive member 2071 and the semiconductor light emitting element and patterning the same.

일부 드러난 언도프된 반도체층(2057)을 선택적으로 식각하는 공정이 수행될 수 있다. 상기 포토레지스트가 적층되지 않은 언도프된 반도체층(2057)을 식각할 수 있다. 상세하게, 언도프된 반도체층(2057)을 선택적으로 식각하기 위해서 삼염화붕소(BCl3), 염소(Cl2) 및 아르곤(Ar) 가스의 혼합물을 통한 드라이 에칭이 수행될 수 있다. A process of selectively etching the exposed undoped semiconductor layer 2057 may be performed. The undoped semiconductor layer 2057 in which the photoresist is not laminated can be etched. In detail, dry etching through a mixture of boron trichloride (BCl 3 ), chlorine (Cl 2 ), and argon (Ar) gases may be performed to selectively etch the undoped semiconductor layer 2057.

이에, 선택적으로 식각이 수행된 언도프된 반도체층(2057)의 적어도 일부에는 제2도전형 반도체층(2053)을 향하여 리세스되는 홈이 형성될 수 있으며, 언도프된 반도체층(2057)은 리세스되는 상기 홈을 따라 제2도전형 반도체층(2053) 상에 고리형으로 형성될 수 있다.Thus, at least a portion of the undoped semiconductor layer 2057 selectively etched may be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer 2053, and the undoped semiconductor layer 2057 may be formed And may be formed in an annular shape on the second conductive type semiconductor layer 2053 along the recess to be recessed.

나아가, 상기 홈에 형광체(2080)를 충전하는 것이 수행될 수 있다. 형광체(2080)는 상기 홈에 충전되면서 바닥부(2080')와 언도프된 반도체층(2057)의 반도체 가장자리를 따라 형성되는 측벽부(2080")를 포함할 수 있다. Further, charging the phosphor with the phosphor 2080 can be performed. The phosphor 2080 may include a sidewall portion 2080 " formed along the semiconductor edge of the bottom portion 2080 'and the undoped semiconductor layer 2057 while being filled in the groove.

형광체(2080)의 바닥부(2080')는 제2도전형 반도체층(2053) 상에 배치될 수 있고, 제2도전형 반도체층(2053)의 적어도 일부에 오버랩될 수 있다. 나아가, 바닥부(2080')의 면적은 제2도전형 반도체층(2053)의 일면의 면적보다 작을 수 있다. 또한, 형광체(2080)와 제2도전형 반도체층(2053) 사이에 제2도전형 반도체층(2053)을 덮도록 형성되는 언도프된 반도체층(2057)이 더 배치될 수도 있다. The bottom portion 2080 'of the phosphor 2080 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 2053 and may overlap at least a part of the second conductivity type semiconductor layer 2053. [ Furthermore, the area of the bottom portion 2080 'may be smaller than the area of one surface of the second conductivity type semiconductor layer 2053. [ An undoped semiconductor layer 2057 formed to cover the second conductivity type semiconductor layer 2053 may be further disposed between the phosphor 2080 and the second conductivity type semiconductor layer 2053. [

또한, 형광체(2080)의 측벽부(2080")는 적어도 일부가 언도프된 반도체층(2057)에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 또한, 측벽부(2080")는 바닥부(2080')와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어진다. 예를 들어, 측벽부(2080")의 경사에 의하여 형광체(2080)는 제2도전형 반도체층(2053)과 멀어질수록 단면적이 증가하도록 형성될 수 있다.The sidewall portion 2080 "of the phosphor 2080 may be formed such that at least a portion thereof is surrounded by the undoped semiconductor layer 2057. Further, the sidewall portion 2080 " includes a bottom portion 2080 ' And is inclined with respect to a vertical direction. For example, the phosphor 2080 may be formed to have a larger cross-sectional area as the second conductive semiconductor layer 2053 is spaced apart from the second conductive semiconductor layer 2053 due to the inclination of the sidewall portion 2080 ".

상세하게, 형광체(2080)는 퀀텀닷(QD)과 유기화합물의 수지를 포함하여 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물은 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 및 침액(dipping)과 같은 방법으로 홈(2058)에 충전될 수 있다. Specifically, the phosphor 2080 includes a resin of quantum dot (QD) and an organic compound to form a mixture, and the mixture is sprayed by a method such as spray coating, inkjet printing, and dipping As shown in FIG.

또한, 형광체(2080)는 퀀텀닷(QD)을 포함하여, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 반도체 발광소자를 구현할 수 있다. 상세하게, 형광체(2080)는 상기 퀀텀닷(QD)과 유기화합물의 수지를 포함하여, 바닥부(2080')는 제2도전형 반도체층(2053) 또는 언도프된 반도체층(2057)의 일면 상에 형성될 수 있다. 이에, 형광체(2080)는 수직형 반도체 발광소자(2050)와 일체형으로 구현될 수 있다. The phosphor 2080 may also embody a semiconductor light emitting device including Quantum Dot QD to emit red (R), green (G), and blue (B) light. In detail, the phosphor 2080 includes the quantum dot (QD) and a resin of an organic compound, and the bottom portion 2080 'is formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 2053 or the undoped semiconductor layer 2057 Lt; / RTI > Accordingly, the phosphor 2080 may be integrated with the vertical type semiconductor light emitting device 2050.

나아가, 형광체(2080)를 형성한 다음 상기 포토레지스트를 제거하는 공정을 수행할 수 있다. 이에, 도 16a의 지지기판(S) 상에 형광체(2080)가 충전된 언도프된 반도체층(2057), 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054), 제1도전형 반도체층(2055), 제1도전형 전극(2056) 및 희생층(미도시)이 형성된 수직형 반도체 발광소자(2050)를 형성할 수 있다.Further, a process of forming the phosphor 2080 and then removing the photoresist may be performed. An undoped semiconductor layer 2057, a second conductivity type semiconductor layer 2053, an active layer 2054, and a first conductivity type semiconductor layer (not shown) filled with a phosphor 2080 are formed on the support substrate S of FIG. 2055, a first conductive type electrode 2056, and a sacrificial layer (not shown) may be formed.

도 16b를 참조하면, 지지기판(S)과 접합된 수직형 반도체 발광소자(2050)를 유체에 담지시킬 수 있다. 상기 유체에 담지된 지지기판(S)과 접합된 수직형 반도체 발광소자(2050)는 지지기판(S)과 수직형 반도체 발광소자(2050) 사이의 희생층(미도시)이 상기 유체내에서 제거될 수 있다. 이에 수직형 반도체 발광소자(2050)는 상기 유체 내에 분산될 수 있다.Referring to FIG. 16B, the vertical semiconductor light emitting device 2050 bonded to the support substrate S may be supported on the fluid. The vertical type semiconductor light emitting device 2050 bonded to the supporting substrate S supported on the fluid is formed by removing a sacrificial layer (not shown) between the supporting substrate S and the vertical type semiconductor light emitting device 2050 in the fluid . Thus, the vertical semiconductor light emitting device 2050 can be dispersed in the fluid.

도 16c를 참조하면, 자가조립 방식은, 상기 유체가 채워진 챔버에서 반도체 발광소자들을 배선기판이나 어셈블리 기판에 안착시키는 방식이다. 예를 들어, 유체가 채워진 챔버 속에 상기 반도체 발광소자들 및 기판을 넣고 상기 유체를 가열하여 상기 반도체 발광소자들이 상기 기판에 스스로 조립되도록 한다. 이를 위하여, 상기 기판에는 상기 반도체 발광소자들이 끼워지는 홈들이 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 기판에는 상기 반도체 발광소자들이 배선전극에 얼라인되는 위치에 상기 반도체 발광소자들이 안착되는 홈들이 형성된다. 상기 홈들은 반도체 발광소자들의 형상에 대응하는 형상으로 이루어지며, 상기 반도체 발광소자들은 상기 유체 내에서 랜덤하게 이동하다가, 상기 홈들에 조립된다. Referring to FIG. 16C, the self-assembly method is a method of placing the semiconductor light emitting devices on the wiring board or the assembly substrate in the chamber filled with the fluid. For example, the semiconductor light emitting devices and the substrate are placed in a chamber filled with a fluid, and the fluid is heated so that the semiconductor light emitting devices are assembled to the substrate by themselves. For this, the substrate may be provided with grooves through which the semiconductor light emitting devices are inserted. Specifically, the substrate is provided with grooves on which the semiconductor light emitting devices are mounted at positions where the semiconductor light emitting devices are aligned with the wiring electrodes. The grooves are formed in a shape corresponding to the shape of the semiconductor light emitting devices, and the semiconductor light emitting devices are randomly moved in the fluid and assembled into the grooves.

다시 도 16c를 참조하면, 기판(2010)에 수직형 반도체 발광소자(2050)를 결합하기 위해서 기판(2050)을 유체가 채워진 챔버에 담군다. Referring again to FIG. 16C, in order to couple the vertical semiconductor light emitting device 2050 to the substrate 2010, the substrate 2050 is immersed in a fluid-filled chamber.

유체가 채워진 챔버에는 수직형 반도체 발광소자(2050)가 담기어 있으므로 반도체 발광소자들(2050)이 기판(2010)에 안착되는 단계가 진행된다. Since the vertical cavity type semiconductor light emitting device 2050 is contained in the chamber filled with the fluid, the step of placing the semiconductor light emitting devices 2050 on the substrate 2010 is proceeded.

예를 들어, 유체가 채워진 챔버 속에 상기 수직형 반도체 발광소자들(2050) 및 기판(2010)을 넣고 상기 유체를 가열하여 상기 반도체 발광소자들이 상기 기판(2010)에 스스로 조립되도록 한다.For example, the vertical semiconductor light emitting devices 2050 and the substrate 2010 are placed in a fluid-filled chamber, and the fluid is heated so that the semiconductor light emitting devices are assembled to the substrate 2010 by themselves.

기판(2010)은 유리 또는 고분자 소재의 기판일 수도 있으며, 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(2010)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(2010)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 2010 may be a glass or polymer substrate, or may be a flexible substrate. For example, to implement a flexible display device, the substrate 2010 may include glass or polyimide (PI). In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. In addition, the substrate 2010 may be formed of a transparent material or an opaque material.

도 16d를 참조하면, 수직형 반도체 발광소자(2050)와 기판(2010)의 조립이 완료되면, 기판(2010)을 유체 밖에 빼내어 후속공정을 준비할 수 있다. Referring to FIG. 16D, when the vertical semiconductor light emitting device 2050 and the substrate 2010 are assembled together, the substrate 2010 may be taken out of the liquid to prepare a subsequent process.

한편, 기판(2010)은 반사도가 높은 금속층(2011)을 포함할 수 있다. 금속층(2011)은 반사도가 높은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 APC(Ag+Pd+Cu) 합금일 수 있으며, 수직형 반도체 발광소자(2050)의 광특성을 제어할 수도 있다. 금속층(2011)은 수직형 반도체 발광소자(2050)에서 방출되는 빛이 후면으로 손실되는 것을 방지하여 광효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다.On the other hand, the substrate 2010 may include a metal layer 2011 having high reflectivity. The metal layer 2011 may be silver (Ag), aluminum (Al), and APC (Ag + Pd + Cu) alloy having high reflectivity and may control the optical characteristics of the vertical semiconductor light emitting device 2050. The metal layer 2011 may prevent the light emitted from the vertical semiconductor light emitting device 2050 from being lost to the back surface, thereby improving the light efficiency.

도 16e를 참조하면, 수직형 반도체 발광소자(2050)를 포함하는 디스플레이 장치의 광추출 효율을 향상시키기 위한 충전층(2030)이 수직형 반도체 발광소자(2050)들 사이에 충전될 수 있다. 층전층(2030)은 제2전도형 반도체층(2053)의 일면과 동일한 평면까지 형성되며, 충전층(2030)은 백색 재질의 물질로 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 재료일 수 있다. Referring to FIG. 16E, a filling layer 2030 for improving the light extraction efficiency of the display device including the vertical type semiconductor light emitting device 2050 may be filled between the vertical type semiconductor light emitting devices 2050. The entire layer 2030 may be formed to the same plane as one surface of the second conductivity type semiconductor layer 2053 and the filling layer 2030 may be a material capable of improving light extraction efficiency with a white material.

도 16f를 참조하면, 제2도전형 전극(2052)을 형성할 수 있다. 상세하게, 포토레지스트를 이용한 공지의 식각 기술을 통하여 언도프된 반도체층(2057)의 적어도 일부를 식각할 수 있다. 이에, 제2도전형 반도체층(2053)이 노출되며, 제2도전형 반도체층(2053)이 노출된 영역에 제2도전형 전극(2052)을 형성할 수 있다. 실시예에서, 제2도전형 전극(2052)은 금(Au), 은(Ag), 나노와이어(nanowire) 및 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 포함할 수 있으며, 제2도전형 전극(2052)에 대한 열거 사항은 예시적인 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 16F, a second conductive type electrode 2052 can be formed. In detail, at least a part of the undoped semiconductor layer 2057 can be etched through a known etching technique using a photoresist. Thus, the second conductive type semiconductor layer 2053 may be exposed, and the second conductive type electrode 2052 may be formed in a region where the second conductive type semiconductor layer 2053 is exposed. In an embodiment, the second conductive electrode 2052 may include a transparent electrode such as gold (Au), silver (Ag), nanowire, and indium tin oxide (ITO) (2052) are exemplary only and the present invention is not limited thereto.

다시 도 16f를 참조하면, 제1도전형 전극(2056)과 제2도전형 전극(2052)은 상/하로 배치되지만, 언도프된 반도체층(2057)의 적어도 일부를 식각된 영영에 제2도전형 전극(2052)이 형성되기 때문에 수직형 반도체 발광소자(2050)의 발광면이 전극에 의하여 가려져서 상부에서 빛이 출력되는 면적의 손실없이 수직형 반도체 발광소자(2050)를 형성할 수 있다. Referring again to FIG. 16F, the first conductive type electrode 2056 and the second conductive type electrode 2052 are arranged upward or downward, but at least a part of the undoped semiconductor layer 2057 is etched to the second conductive type Type electrode 2052 is formed, the vertical semiconductor light emitting device 2050 can be formed without the loss of an area where the light emitting surface of the vertical semiconductor light emitting device 2050 is covered by the electrode and light is output from the upper portion.

퀀텀닷(QD)을 포함하는 형광체(2080)가 수직형 반도체 발광소자(2050)에 일체화되어 반도체 발광소자의 색이 자유롭게 구현될 수 있으며, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.The phosphor 2080 including the quantum dot QD is integrated with the vertical type semiconductor light emitting device 2050 so that the color of the semiconductor light emitting device can be freely realized and the color of the red (R), green (G) And blue (B) unit pixels constitute one pixel.

도 16g를 참조하면, 언도프된 반도체층(2057)이 제거되고 전극이 형성되지 않은 영역을 통하여 누설되는 광으로 원하는 색채의 광을 얻는데 어려움이 생길 수도 있다. 따라서, 원하지 않는 광의 누설이 발생될 경우, 상기 원하지 않는 광을 차단할 수 있는 컬러필터(2073)가 더 구비될 수도 있다.Referring to FIG. 16G, it may be difficult to obtain light of a desired color with the light leaked through the region where the undoped semiconductor layer 2057 is removed and the electrode is not formed. Therefore, a color filter 2073 may be further provided to block the undesired light when unwanted light leakage occurs.

또한, 도시되지는 않았으나 제2도전형 전극(2052)이 형성된 수직형 반도체 발광소자의 일면에는 패널이 배치되어, 상기 수직형 반도체 발광소자를 보호할 수 있다. 상기 패널은 상기 수직형 반도체 발광소자의 발광면에 구비되기 때문에 광학적 손실을 최소화하기 위하여 유리 또는 고분자 재질로 빛을 통과하는 재질의 소재일 수 있다. In addition, although not shown, a panel may be disposed on one surface of the vertical type semiconductor light emitting device having the second conductive type electrode 2052 to protect the vertical type semiconductor light emitting device. Since the panel is provided on the light emitting surface of the vertical type semiconductor light emitting device, the panel may be made of glass or a polymer material to pass light therethrough in order to minimize optical loss.

이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described display device using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and the method of the embodiments described above, but all or a part of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made to the embodiments It is possible.

Claims (15)

복수의 반도체 발광소자들을 구비하는 디스플레이 장치에 있어서,
상기 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는,
제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층에 적층되는 제2도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및
상기 제2도전형 반도체층의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층을 포함하고,
상기 언도프된 반도체층의 적어도 일부에는 상기 제2도전형 반도체층을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체가 충전되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
1. A display device comprising a plurality of semiconductor light emitting elements,
Wherein at least one of the semiconductor light-
A first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer stacked on the first conductive semiconductor layer;
An active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
And an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductive semiconductor layer,
Wherein at least a portion of the undoped semiconductor layer is provided with a recess to be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer, and the recess is filled with the phosphor.
제1항에 있어서,
상기 형광체는 바닥부와 상기 언도프된 반도체층의 가장자리를 따라 형성되는 측벽부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the phosphor has a bottom portion and a side wall portion formed along an edge of the undoped semiconductor layer.
제2항에 있어서,
상기 바닥부는 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
3. The method of claim 2,
And the bottom portion overlaps at least a part of the second conductive type semiconductor layer.
제2항에 있어서,
상기 바닥부는 상기 제2도전형 반도체층에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
3. The method of claim 2,
And the bottom portion is formed in the second conductivity type semiconductor layer.
제2항에 있어서,
상기 바닥부와 상기 제2도전형 반도체층 사이에 상기 제2도전형 반도체층을 덮도록 형성되는 상기 언도프된 반도체층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
3. The method of claim 2,
And the undoped semiconductor layer is formed between the bottom portion and the second conductivity type semiconductor layer so as to cover the second conductivity type semiconductor layer.
제2항에 있어서,
상기 측벽부는 적어도 일부가 상기 언도프된 반도체층에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the side wall portion is at least partially surrounded by the undoped semiconductor layer.
제2항에 있어서,
상기 측벽부는 상기 바닥부와 수직한 방향에 대하여 경사지도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the side wall portion is inclined with respect to a direction perpendicular to the bottom portion.
제7항에 있어서,
상기 측벽부의 경사에 의해 상기 형광체는 상기 제2도전형 반도체층과 멀어질수록 단면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein a cross-sectional area of the phosphor increases as a distance from the second conductive type semiconductor layer increases due to an inclination of the side wall portion.
제1항에 있어서,
상기 형광체는 퀀텀닷(QD)을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the phosphor comprises a quantum dot (QD).
제1항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층은 P형 GaN층이고, 상기 제2도전형 반도체층은 N형 GaN층이며, 상기 언도프된 반도체층은 GaN층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer is a P-type GaN layer, the second conductivity type semiconductor layer is an N-type GaN layer, and the undoped semiconductor layer is a GaN layer.
제1항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 형성된 제1도전형 전극 및
상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 형성된 제2도전형 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
A first conductive type electrode formed to cover at least a part of the first conductive type semiconductor layer and
And a second conductive type electrode formed to cover at least a part of the second conductive type semiconductor layer.
반도체 발광소자에 있어서,
제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층에 적층되는 제2도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및
상기 제2도전형 반도체층의 일면에 형성되는 언도프된(Undoped) 반도체층을 포함하고,
상기 언도프된 반도체층의 적어도 일부에는 상기 제2도전형 반도체층을 향하여 리세스되는 홈이 형성되고, 상기 홈에는 형광체가 충전되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
In the semiconductor light emitting device,
A first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer stacked on the first conductive semiconductor layer;
An active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
And an undoped semiconductor layer formed on one surface of the second conductive semiconductor layer,
Wherein at least a part of the undoped semiconductor layer is provided with a recess to be recessed toward the second conductivity type semiconductor layer, and the recess is filled with the fluorescent material.
기판상에 언도프된(Undoped) 반도체층을 성장시키는 단계;
제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 적층되도록 상기 제2도전형 반도체층, 활성층 및 제1도전형 반도체층을 차례로 성장시키는 단계;
상기 언도프된 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층을 식각하여 상기 기판상에 반도체 발광소자들을 아이솔레이션하는 단계;
상기 언도프된 반도체의 적어도 일부를 식각하여 리세스되는 홈을 형성하는 단계; 및
상기 홈을 형광체로 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
Growing an undoped semiconductor layer on a substrate;
Sequentially growing the second conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the first conductivity type semiconductor layer so that the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer are laminated;
Etching the undoped semiconductor layer, the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer to isolate the semiconductor light emitting elements on the substrate;
Etching at least a portion of the undoped semiconductor to form a recessed recess; And
And filling the groove with a fluorescent material.
제13항에 있어서,
상기 형광체는 퀀텀닷(QD)을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the phosphor comprises a quantum dot (QD).
제13항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 제1도전형 전극을 형성하는 단계 및
상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮도록 제2도전형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
14. The method of claim 13,
Forming a first conductive type electrode so as to cover at least a part of the first conductive type semiconductor layer; and
And forming a second conductive type electrode so as to cover at least a part of the second conductive type semiconductor layer.
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