KR20180127762A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Apparatus and method for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20180127762A
KR20180127762A KR1020170062906A KR20170062906A KR20180127762A KR 20180127762 A KR20180127762 A KR 20180127762A KR 1020170062906 A KR1020170062906 A KR 1020170062906A KR 20170062906 A KR20170062906 A KR 20170062906A KR 20180127762 A KR20180127762 A KR 20180127762A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
inspection
processing
transfer
Prior art date
Application number
KR1020170062906A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101964974B1 (en
Inventor
강동훈
최영
이영준
김형준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020170062906A priority Critical patent/KR101964974B1/en
Publication of KR20180127762A publication Critical patent/KR20180127762A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101964974B1 publication Critical patent/KR101964974B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus to reduce a substrate processing time and a method thereof. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises a processing module and a controller to control the processing module. The processing module comprises: a processing chamber to process a substrate therein; an inspection chamber to inspect the substrate completing a process in the processing chamber; and a transfer chamber including a main robot to transfer the substrate between the processing and inspection chambers. The controller controls the processing module to perform inspection for the substrate, which completes the process in the processing chamber, in the inspection chamber. The processing chamber comprises a first chamber to perform a first process for the substrate. The controller controls the processing module to perform first post-processing inspection for the substrate, which completes the process in the first processing chamber, in the inspection chamber.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask, 이하 도포) 공정이 사용된다. Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, a deposition and spin-on hard mask (SOH) process is used as a process for forming a film on a substrate.

일반적으로 증착 공정은 기판 상에 공정 가스를 증착하여 기판 상에 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 기판의 중심에 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.In general, a deposition process is a process of forming a film on a substrate by depositing a process gas on a substrate, and a coating process is a process of forming a liquid film by supplying a process liquid to the center of the substrate.

도포 공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리 하는 과정으로, 가열 플레이트에 놓인 기판을 히터로부터 제공된 열을 이용해 열 처리한다.A baking step is carried out before and after the application step. The baking step is a step of heat-treating the substrate, and the substrate placed on the heating plate is heat-treated using the heat supplied from the heater.

일반적으로 동일 기판에 대한 도포 공정 및 베이크 공정은 각각 하나의 장치에서 서로 인접하게 위치된 액처리 챔버 및 열처리 챔버 내에서 수행되나, 도포 공정 및 베이크 공정이 완료된 후, 기판 상에 형성된 막의 두께 등의 기판의 상태의 검사는 일반적으로 각각의 공정이 완료된 후, 액처리 챔버 및 베이크 공정이 수행되는 챔버가 제공된 장치와는 별도의 장치에서 수행된다.Generally, the coating process and the baking process for the same substrate are performed in a liquid processing chamber and a heat treatment chamber, which are positioned adjacent to each other in one apparatus. After the coating process and the baking process are completed, Inspection of the condition of the substrate is generally performed in a separate apparatus from the apparatus provided with the chamber in which the liquid processing chamber and the bake processing are performed, after each process is completed.

따라서, 장치 간의 기판 이동으로 인한 시간이 소요되며, 장치 내에서 액처리 챔버 및 열처리 챔버 간에 기판 이송 중 기판을 이송하는 이송 챔버 내에서의 기류 등에 의해 기판에 미치는 영향은 검사할 수 없다.Therefore, it takes time due to the movement of the substrate between the apparatuses, and the influence on the substrate by the airflow in the transfer chamber for transferring the substrate during transferring the substrate between the liquid processing chamber and the heat treatment chamber in the apparatus can not be inspected.

본 발명은 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of shortening a substrate processing time.

또한, 본 발명은 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide an apparatus and a method that can check the influence of the airflow of the transfer chamber on the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 공정 처리 모듈과; 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 공정 처리 모듈은, 기판이 처리되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버에서 처리가 완료된 기판이 검사되는 검사 챔버와; 상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하고, 상기 제어기는 상기 공정 챔버 내에서 공정이 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하며, 상기 공정 챔버는 기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버를 포함하고, 상기 제어기는 상기 제 1 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 제 1 처리후 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a processing module; And a controller for controlling the process module, wherein the process module includes: a process chamber in which the substrate is processed; An inspection chamber in which a processed substrate is inspected in the process chamber; And a transfer chamber provided with a main robot for transferring a substrate between the process chamber and the inspection chamber, wherein the controller controls the process module so that inspection is performed on the inspection chamber in the process chamber in the process chamber Wherein the process chamber includes a first chamber in which a first process is performed on a substrate, and wherein the controller is further configured to perform a first post-process inspection in the inspection chamber with respect to a substrate having been processed in the first chamber, And controls the process processing module.

상기 공정 챔버는 기판에 대해 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제 2 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 제 2 처리후 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.Wherein the process chamber further comprises a second chamber in which a second process different from the first process is performed on the substrate, the controller being configured to perform a second process on the substrate in the test chamber after the second process And control the process module so that inspection is performed.

상기 제어기는 상기 제 2 챔버 내에서의 처리는 상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.The controller may control the processing module so that processing in the second chamber is performed on a substrate after the first processing inspection is completed.

상기 공정 챔버는 기판에 대해 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해 상기 제 2 처리 챔버 내에서 상기 제 2 처리를 수행하고, 상기 제 1 챔버 내에서의 상기 제 1 처리 후, 상기 제 2 챔버 내에서의 상기 제 2 처리 전에 상기 검사 챔버에서 제 2 처리전 검사를 수행하며, 상기 제 1 처리 후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사의 사이에는 상기 이송 챔버에서의 기판의 이송이 수행되도록 제어할 수 있다.Wherein the process chamber further comprises a second chamber in which a second process different from the first process is performed on the substrate, wherein the controller is further configured to determine, in the second process chamber, Performing a second process and performing a second pre-processing check in the inspection chamber after the first process in the first chamber and before the second process in the second chamber, and after the first process And the transfer of the substrate in the transfer chamber is performed between the inspection and the second pre-processing inspection.

상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고, 상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공되되, 상기 검사 챔버에서 수행되는 상기 검사는 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사일 수 있다.Wherein the first chamber is provided with a liquid processing chamber in which liquid is applied to the substrate and the second chamber is provided with a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated and wherein the inspection performed in the inspection chamber measures the thickness of the film applied to the substrate .

상기 장치는 기판이 수용된 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 이송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈을 더 포함하되, 상기 인덱스 모듈 및 상기 공정 처리 모듈은 서로 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 이송 챔버는 길이 방향이 상기 제 1 방향과 평행하게 배치되고, 상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치될 수 있다.The apparatus further comprises an index module having a transfer frame provided with a container housing the substrate and an index robot for transferring the substrate between the processing module, wherein the index module and the process module are arranged along a first direction, The transfer chamber may be disposed in a direction parallel to the first direction, and the inspection chamber may be disposed on one side of the transfer chamber.

상기 제 1 챔버는 상기 일측에 배치되고, 상기 제 2 챔버는 상기 이송 챔버의 상기 일측의 반대 측인 타측에 배치되며, 상기 제 1 챔버 및 상기 검사 챔버는 서로 상기 제 1 방향과 평행한 방향을 따라 배열될 수 있다.Wherein the first chamber is disposed on the one side and the second chamber is disposed on the other side opposite to the one side of the transfer chamber and the first chamber and the inspection chamber are arranged to extend in a direction parallel to the first direction Lt; / RTI >

상기 검사 챔버는 상기 제 1 챔버에 비해 상기 인덱스 모듈에 인접하게 배치될 수 있다.The inspection chamber may be disposed adjacent to the index module relative to the first chamber.

또한, 상기 장치는 기판이 수용된 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 이송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈을 더 포함하되, 상기 인덱스 모듈 및 상기 공정 처리 모듈은 서로 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 이송 챔버는 길이 방향이 상기 제 1 방향과 평행하게 배치되고, 상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치될 수 있다.The apparatus further comprises an index module having a transfer frame provided with a container housing a substrate and an index robot for transferring the substrate between the processing module, wherein the index module and the process module are arranged along a first direction And the transfer chamber may be disposed in a direction parallel to the first direction, and the inspection chamber may be disposed at one side of the transfer chamber.

상기 공정 챔버는 기판에 대해 액처리가 수행되고, 상기 일측에 배치되는 액처리 챔버를 포함하고, 상기 액처리 챔버 및 상기 검사 챔버는 서로 상기 제 1 방향을 따라 배열될 수 있다.The process chamber includes a liquid processing chamber that is subjected to a liquid process for the substrate and disposed on the one side, and the liquid process chamber and the inspection chamber may be arranged along the first direction with respect to each other.

상기 검사 챔버는 상기 액처리 챔버에 비해 상기 인덱스 모듈에 인접하게 배치될 수 있다.The inspection chamber may be disposed adjacent to the index module relative to the liquid processing chamber.

상기 공정 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버를 더 포함하고, 상기 열처리 챔버는 상기 이송 챔버의 상기 일측의 반대 측인 타측에 배치될 수 있다.The process chamber may further include a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated, and the heat treatment chamber may be disposed on the opposite side of the transfer chamber.

상기 제어기는, 상기 검사 챔버에서, 상기 액처리 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 제 1 처리후 검사 및 상기 열처리 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 제 2 처리후 검사가 수행되고, 상기 열처리 챔버 내에서의 처리는 상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.Wherein the controller performs, in the inspection chamber, a first post-inspection for the substrate that has been processed in the liquid processing chamber and a post-second inspection for the substrate that has been processed in the heat processing chamber, May be controlled so as to be performed on the substrate after the first post-inspection is completed.

상기 검사 챔버는 서로 적층되게 제공되는 상부 검사 챔버 및 하부 검사 챔버를 포함하고, 상기 제어기는 상기 제 1 처리후 검사는 상기 하부 검사 챔버에서 수행되고, 상기 제 2 처리후 검사는 상기 상부 검사 챔버에서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.Wherein the inspection chamber comprises an upper inspection chamber and a lower inspection chamber provided to be laminated to each other and wherein the controller performs the first post-inspection inspection in the lower inspection chamber and the second post inspection inspection is performed in the upper inspection chamber And to control the process module to be performed.

또한, 본 발명은 기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버와, 기판에 대해 상기 제 1 처리 이후에 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버와, 상기 제 1 챔버 및 상기 제 2 챔버 간에 기판을 이송하는 이송 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 제 1 챔버에서 기판에 대해 제 1 처리가 완료된 후, 상기 기판에 대해 제 1 처리후 검사를 수행하고, 이후, 상기 기판에 대해 상기 제 2 챔버에서 상기 제 2 처리를 수행하기 전에 상기 기판에 대해 제 2 처리전 검사를 수행하되, 상기 제 1 처리후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사 사이에 상기 이송 챔버 내에서의 기판의 이송이 수행되며, 상기 제 1 처리후 검사에서 측정된 측정값 및 상기 제 2 처리전 검사에서 측정된 측정값을 비교하여 상기 이송 챔버 내에서 이송 전후 간의 차이점을 판단한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first chamber in which a first process is performed on a substrate; a second chamber in which a second process is performed after the first process with respect to the substrate; The substrate processing apparatus includes a transfer chamber that transfers a substrate to a substrate. According to one embodiment, a substrate processing method includes performing a first post-inspection on the substrate after the first process is completed with respect to the substrate in the first chamber, A second pre-processing inspection is performed on the substrate before performing the second process, wherein the transfer of the substrate in the transfer chamber is performed between the post-processing inspection and the second pre-processing inspection, 1 < / RTI > processing and the measured values measured in the second pre-processing inspection to determine the difference between before and after the transfer in the transfer chamber.

상기 차이점은 상기 이송 챔버 내 하강 기류에 의한 차이점을 포함한다.The difference includes differences due to the downward flow in the transfer chamber.

상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고, 상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공되며, 상기 제 1 처리후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사는 상기 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사일 수 있다.Wherein the first chamber is provided with a liquid processing chamber in which liquid is applied to the substrate and the second chamber is provided with a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated, It may be an inspection for measuring the thickness of the applied film.

본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있다.The apparatus and method according to an embodiment of the present invention can shorten the substrate processing process time.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있다.Further, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can examine the influence of the airflow of the transfer chamber on the substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 viewed from the direction AA.
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시 예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 장치는 기판을 회전시키고 기판의 중심으로 처리액을 공급하여 액을 형성하는 공정을 수행하는데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 이와 달리, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대한 검사가 요구되는 다양한 장치에 적용될 수 있다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a process of supplying a process liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel to form a liquid film. In particular, the apparatus of the present embodiment is used to perform a process of rotating a substrate and supplying a process liquid to the center of the substrate to form a liquid. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example. However, the substrate may be various types of substrates such as a flat panel display panel and a photomask in addition to a semiconductor wafer. Alternatively, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention may be applied to various apparatuses requiring inspection of the substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10), 공정 처리 모듈(20) 및 제어기(30)를 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10, a processing module 20, and a controller 30. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 용기(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 용기(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 용기(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a container 18 containing the substrate W is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. The vessel 18 is provided with a plurality of slots (not shown) for receiving the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the container 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 공정 챔버(260, 280) 및 검사 챔버(290)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들 중 액처리 챔버들(260) 및 검사 챔버(290)가 배치되고, 상기 일측의 반대측인 타측에는 공정 챔버들 중 열처리 챔버(280)들이 배치된다. 액처리 챔버들(260)및 검사 챔버(290)와 열처리 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 액처리 챔버들(260)가 제공된다. 액처리 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 액처리 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액처리 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 이송 챔버(240)의 타측에는 복수 개의 열처리 챔버들(280)이 제공된다. 열처리 챔버(280)는 액처리 챔버(260)보다 많은 수로 제공될 수 있다. 열처리 챔버들(280) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 열처리 챔버들(280) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 타측에는 열처리 챔버들(280)이 C X D의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 C는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이고, D는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 타측에 열처리 챔버(280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 열처리 챔버들(280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 열처리 챔버(280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 열처리 챔버들(280)은 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, process chambers 260 and 280, and a test chamber 290. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Liquid processing chambers 260 and inspection chambers 290 of the process chambers are disposed on one side of the transfer chamber 240 and heat treatment chambers 280 of the process chambers are disposed on the opposite side of the transfer chambers 240. The liquid processing chambers 260 and the inspection chambers 290 and the heat treatment chambers 280 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the liquid processing chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the liquid processing chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, at one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the third direction 16. [ When four or six liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of the liquid processing chambers 260 may increase or decrease. On the other side of the transfer chamber 240, a plurality of heat treatment chambers 280 are provided. The heat treatment chamber 280 may be provided in a larger number than the liquid processing chamber 260. Some of the heat treatment chambers 280 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the heat treatment chambers 280 are arranged to be stacked on each other. That is, on the other side of the transfer chamber 240, the heat treatment chambers 280 may be arranged in an array of C X Ds. Where C is the number of heat treatment chambers 280 provided in a row along the first direction 12 and D is the number of heat treatment chambers 280 provided in a row along the third direction 16. When four or six heat treatment chambers 280 are provided on the other side of the transfer chamber 240, the heat treatment chambers 280 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of the heat treatment chambers 280 may increase or decrease. Unlike the above, the heat treatment chambers 280 may be provided as a single layer.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 이송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. 일 실시 예에 따르면, 버퍼 유닛(220)은 상부 버퍼 유닛 및 하부 버퍼 유닛을 포함할 수 있다. 상부 버퍼 유닛은 공정이 완료된 기판이 공정 처리 모듈(20)로부터 인덱스 모듈(10)로 이송되기 전에 머무는 공간을 제공하고, 하부 버퍼 유닛은 처리전 기판이 인덱스 모듈(10)로부터 공정 처리 모듈(20)로 이송되기 전에 머무는 공간을 제공할 수 있다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240. According to one embodiment, the buffer unit 220 may include a top buffer unit and a bottom buffer unit. The upper buffer unit provides a space for a processed substrate to be accommodated before it is transferred from the processing module 20 to the index module 10 and the lower buffer unit allows the substrate to be transferred from the index module 10 to the processing module 20 To provide a space to stay before being transported.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 용기(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 이송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 용기(18)로 기판(W)을 이송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 용기(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 이송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the container 18 seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the vessel 18 and another portion thereof is transferred from the vessel 18 to the processing module 20 via the substrate W Lt; / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 액처리 챔버(260) 간에, 액처리 챔버(260)와 열처리 챔버(280) 간에, 열처리 챔버(280)들 간에, 액처리 챔버(260)들 간에, 액처리 챔버(260) 및 열처리 챔버(280)와 검사 챔버(290) 간에, 그리고 검사 챔버(290)가 복수개로 제공되는 경우 검사 챔버들(290) 간에 기판(W)을 이송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 is between the buffer unit 220 and the liquid processing chamber 260, between the liquid processing chamber 260 and the thermal processing chamber 280, between the thermal processing chambers 280, between the liquid processing chambers 260 The liquid processing chamber 260 and between the heat treatment chamber 280 and the inspection chamber 290 and between the inspection chambers 290 when a plurality of inspection chambers 290 are provided. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260, 280)에서는 기판이 처리된다. 일 실시 예에 따르면, 기판에 대해 서로 상이한 공정이 수행되는 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함한다. 제 1 챔버에서는 기판에 대해 제 1 처리가 수행되고, 제 2 챔버에서는 기판에 대해 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행된다. 예를 들면, 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버(260)로 제공되고, 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버(280)로 제공된다.In the process chambers 260 and 280, the substrate is processed. According to one embodiment, the substrate includes a first chamber and a second chamber in which processes different from each other are performed. A first process is performed on the substrate in the first chamber, and a second process is performed on the substrate in the second chamber, which is different from the first process. For example, the first chamber is provided with a liquid processing chamber 260 where liquid is applied to the substrate, and the second chamber is provided with a thermal processing chamber 280 where the substrate is thermally processed.

액처리 챔버(260)에서는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 공정이 수행된다. 각각의 액처리 챔버(260)는 동일한 구조를 가진다. 다만, 액처리 챔버(260)는 수행하는 막 형성 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액처리 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260) 내의 구성은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260) 내의 구성은 서로 상이하게 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 액처리 챔버(260)에서는 기판 상에 하드 마스크막과 같은 박막을 형성한다. 일 예에 의하면, 액처리 챔버(260)에서는 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On Hard mask) 공정이 수행될 수 있다. In the liquid processing chamber 260, a film forming process for forming a film on the substrate W is performed. Each of the liquid processing chambers 260 has the same structure. However, the liquid processing chamber 260 may have a different structure depending on the kind of the film forming process to be performed. Optionally, the liquid processing chambers 260 are divided into a plurality of groups, the configurations in the liquid processing chambers 260 belonging to the same group are the same, and the configurations in the liquid processing chambers 260 belonging to different groups are different from each other Can be provided. According to one embodiment, a liquid processing chamber 260 forms a thin film, such as a hard mask film, on a substrate. According to one example, a spin-on hard mask (SOH) process may be performed in the liquid processing chamber 260.

각각의 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가진다. 다만, 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 막 형성 공정의 종류 또는 각 챔버(810)의 높이 차이로 인한 배기량의 차이에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 열처리 챔버(280)들은 복수개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 열처리 챔버(280)는 처리액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있는 베이크 챔버로 제공될 수 있다. The substrate processing apparatus provided in each of the heat treatment chambers 280 has the same structure. However, the substrate processing apparatus provided in the heat treatment chamber 280 may have a different structure depending on the type of the film forming process to be performed or the difference in the amount of exhaust due to the height difference between the chambers 810. Alternatively, the heat treatment chambers 280 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses provided to the heat treatment chambers 280 belonging to the same group are identical to each other, and the substrate processing apparatuses 280 provided in the heat treatment chambers 280, May be provided differently from each other. For example, the heat treatment chamber 280 may include a prebake step of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the substrate W, And a cooling step of cooling the substrate W after each heating step, and the like can be provided as a bake chamber.

검사 챔버(290)에서는 공정 챔버(260, 280)에서 처리가 완료된 기판이 검사된다. 일 실시 예에 따르면, 검사 챔버(290)에서 수행되는 검사는 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사이다. 따라서, 이하 설명될, 기판 처리 방법에서 제 1 처리후 검사, 제 2 처리전 검사 및 제 2 처리후 검사는 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 검사 챔버(290)는 이송 챔버(240)의 액처리 챔버(260)가 배치된 일측에 배치되고, 액처리 챔버(260) 및 검사 챔버(290)는 서로 제 1 방향과 평행한 방향을 따라 배열된다. 검사 챔버(290)는 액처리 챔버(260)에 비해 인덱스 모듈(10)에 인접하게 배치된다. 따라서, 검사가 완료된 기판이 검사 챔버(290)로부터 인덱스 모듈(10)을 통해 장치 외부로 반출되는 경로를 최소화할 수 있다. 검사 챔버(290)는 서로 적층되게 제공되는 상부 검사 챔버(290a) 및 하부 검사 챔버(290b)를 포함한다. 상부 검사 챔버(290a) 및 하부 검사 챔버(290b)에서는 서로 상이한 공정이 완료된 기판에 대한 검사가 수행된다. 예를 들면, 제어기(30)는 제 1 처리후 검사(S20)는 하부 검사 챔버(290b)에서 수행되고, 제 2 처리후 검사(S60)는 상부 검사 챔버(290a)에서 수행되도록 제어할 수 있다. 이 경우, 처리전 기판이 인덱스 모듈(10)을 통해 공정 처리 모듈(20)의 하부로 공정 처리 모듈(20)로 반입되고, 처리가 완료된 기판이 공정 처리 모듈(20)의 상부로부터 인덱스 모듈(10)을 통해 외부로 반출되는 경우, 장치 내 마지막 공정인 제 2 처리후 검사가 완료된 기판이 상부 검사 챔버(290a)로부터 바로 외부로 반출될 수 있으므로 반출 경로를 최소화할 수 있다.In the inspection chamber 290, the processed substrates in the process chambers 260 and 280 are inspected. According to one embodiment, the inspection performed in the inspection chamber 290 is a test to measure the thickness of the film applied to the substrate. Therefore, in the substrate processing method, which will be described below, the first post-inspection, the second pre-processing inspection and the second post-processing inspection may be an inspection for measuring the thickness of the film applied to the substrate. According to one embodiment, the inspection chamber 290 is disposed on one side of the transfer chamber 240 where the liquid processing chamber 260 is disposed, and the liquid processing chamber 260 and the inspection chamber 290 are disposed in a first direction Are arranged along a parallel direction. The inspection chamber 290 is disposed adjacent to the index module 10 as compared to the liquid processing chamber 260. Thus, the path through which the inspected substrate is taken out of the apparatus through the index module 10 from the inspection chamber 290 can be minimized. The inspection chamber 290 includes an upper inspection chamber 290a and a lower inspection chamber 290b which are provided so as to be stacked on each other. In the upper inspection chamber 290a and the lower inspection chamber 290b, inspection is performed on substrates on which processes different from each other are completed. For example, the controller 30 may control the first post-processing inspection S20 to be performed in the lower inspection chamber 290b and the second post-processing inspection S60 to be performed in the upper inspection chamber 290a . In this case, the substrate is brought into the processing module 20 through the index module 10 to the lower part of the processing module 20, and the processed substrate is transferred from the upper part of the processing module 20 to the index module 10, it is possible to minimize the unloading path since the substrate after the second inspection, which is the last process in the apparatus, can be taken out from the upper inspection chamber 290a directly to the outside.

제어기(30)는 공정 챔버(260, 280) 내에서 공정이 완료된 기판에 대해 검사 챔버(290)에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈(20)을 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어기(30)는 이하 설명될 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 수행하도록 공정 처리 모듈(20)의 각 구성을 제어한다.The controller 30 controls the process module 20 so that inspection is performed in the inspection chamber 290 for the substrate that has been processed in the process chambers 260 and 280. [ According to one embodiment, the controller 30 controls each configuration of the processing module 20 to perform the substrate processing method according to the embodiment of the present invention to be described below.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명의 편의를 위해 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described using the substrate processing apparatus of FIG. 2 for convenience of explanation.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제 1 처리(S10), 예를 들면 액처리 챔버(260) 내에서의 처리가 완료된 기판에 대해 검사 챔버(290)에서 제 1 처리후 검사(S20)를 수행한다. 3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. 1 to 3, a first process (S10) is performed, for example, a first post-inspection (S20) is performed in the inspection chamber 290 for a substrate having been processed in the liquid processing chamber 260 do.

이 후, 제 1 처리후 검사(S20)가 완료된 기판에 대해 제 2 처리(S30) 수행 전에 제 2 처리전 검사(S40)를 수행한다. Thereafter, a second pre-processing inspection (S40) is performed before the second process (S30) is performed on the substrate on which the post-first inspection (S20) is completed.

제 1 처리후 검사(S20) 및 제 2 처리전 검사(S40)의 사이에 이송 챔버(240) 내에서의 기판의 이송이 수행되고, 제 2 처리전 검사(S40)가 완료된 후, 제 1 처리후 검사(S20)에서 측정된 측정 값 및 제 2 처리전 검사(S40)에서 측정된 측정값을 비교하여 이송 챔버(240) 내에서의 이송 전후 간의 차이점을 판단한다. 이는 제어기(30)에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 제 1 처리후 검사(S20)에서 막의 두께의 이상이 측정되지 않았고, 제 2 처리전 검사(S40)에서 막의 두께에 이상이 측정되는 경우, 이송 챔버(240) 내에 일반적으로 형성되는 청정 공기의 기류의 이상으로 인한 과도한 건조 등의 건조 불량이나, 파티클의 유입 등을 예상할 수 있다. 이송 챔버(240) 내의 기류에 의한 영향을 측정하는 충분한 시간을 확보하기 위해, 메인 로봇(244)은 기판(W)을 지지한 상태로 가이드 레일(242)을 따라 이동하며 또는 정지된 상태로 이송 챔버(240) 내에 머물 수 있다.After the transfer of the substrate in the transfer chamber 240 is performed between the first post-inspection S20 and the second pre-process inspection S40, and after the completion of the second pre-processing inspection S40, The measured values measured in the post-inspection S20 and the measured values measured in the second pre-processing inspection S40 are compared to determine the difference between before and after the transfer in the transfer chamber 240. [ This can be performed by the controller 30. For example, when the abnormality of the film thickness in the first post-processing inspection S20 is not measured and the abnormality is measured in the thickness of the film in the second pre-processing inspection S40, Drying failure such as excessive drying due to abnormality of the air flow of the clean air, inflow of particles, etc. can be expected. The main robot 244 moves along the guide rail 242 while holding the substrate W or moves in the stationary state in the stationary state in order to secure a sufficient time for measuring the influence of the airflow in the transfer chamber 240 May remain within the chamber 240.

제 2 처리전 검사(S40) 및 기판 이송(S30)은 처리되는 복수개의 기판 중 일부에 대해 선택적으로 수행될 수 있다. 제 2 처리전 검사(S40) 및 기판 이송(S30)이 수행되지 않는 기판은 제 1 처리후 검사(S20)가 완료된 후, 제 2 처리(S30)가 수행된다.The second pre-treatment inspection (S40) and the substrate transfer (S30) can be selectively performed on a part of the plurality of substrates to be processed. After the first post-inspection (S20) is completed, the second process (S30) is performed on the substrate on which the second pre-process inspection (S40) and the substrate transfer (S30) are not performed.

이 후, 제 1 처리후 검사(S20) 및/또는 제 2 처리전 검사(S40)가 완료된 기판에 대해서, 제 2 처리(S30), 예를 들면 열처리 챔버(280) 내에서의 처리가 수행된다.Thereafter, the second process (S30), for example, the process in the heat treatment chamber 280 is performed on the substrate on which the first post-inspection S20 and / or the second pre-process inspection S40 has been completed .

이 후, 제 2 처리(S30)가 완료된 기판에 대해 검사 챔버(290)에서 제 2 처리후 검사(S60)가 수행되도록 공정 처리 모듈(20)을 제어한다. Thereafter, the process processing module 20 is controlled so that the second post-inspection (S60) is performed in the inspection chamber 290 for the substrate on which the second process (S30) is completed.

이 후, 모든 처리가 완료된 기판(W)은 인덱스 모듈(10)을 통해 외부로 반출된다.Thereafter, the substrate W on which all processing has been completed is carried out through the index module 10 to the outside.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 도 2의 장치 외에 복수개의 공정이 처리되는 챔버 간의 기판 이송이 기류가 형성되는 이송 챔버 내에서 수행되는 다양한 종류의 장치에 적용될 수 있다.The substrate processing method according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of apparatuses in which, in addition to the apparatus of FIG. 2, substrate transfer between chambers in which a plurality of processes are performed is performed in a transfer chamber in which airflow is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 장치 내에 검사 챔버를 제공함으로써, 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 이송 챔버에서의 기판 이송 전후에 기판을 검사함으로써 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있다.As described above, the apparatus and the method according to the embodiment of the present invention can shorten the substrate processing time by providing the inspection chamber in the apparatus. Further, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can examine the influence of the airflow of the transfer chamber on the substrate by inspecting the substrate before and after transferring the substrate in the transfer chamber.

1: 기판 처리 장치 10: 인덱스 모듈
20: 공정 처리 모듈 30: 제어기
240: 이송 챔버 260: 액처리 챔버
280: 열처리 챔버 290: 검사 챔버1: substrate processing apparatus 10: index module
20: Process processing module 30: Controller
240: transfer chamber 260: liquid processing chamber
280: heat treatment chamber 290: inspection chamber

Claims (17)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
공정 처리 모듈과;
상기 공정 처리 모듈을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 공정 처리 모듈은,
기판이 처리되는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버에서 처리가 완료된 기판이 검사되는 검사 챔버와;
상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하고,
상기 제어기는 상기 공정 챔버 내에서 공정이 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하며,
상기 공정 챔버는 기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버를 포함하고,
상기 제어기는 상기 제 1 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 제 1 처리후 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A process processing module;
And a controller for controlling the processing module,
Wherein the process module comprises:
A process chamber in which the substrate is processed;
An inspection chamber in which a processed substrate is inspected in the process chamber;
And a transfer chamber provided with a main robot for transferring a substrate between the process chamber and the inspection chamber,
Wherein the controller controls the processing module so that inspection is performed in the inspection chamber with respect to a substrate having been processed in the processing chamber,
Wherein the process chamber includes a first chamber in which a first process is performed on the substrate,
Wherein the controller controls the processing module to perform a first post-inspection in the inspection chamber with respect to the substrate having been processed in the first chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 기판에 대해 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 제 2 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 제 2 처리후 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber further comprises a second chamber in which a second process different from the first process is performed on the substrate,
Wherein the controller controls the processing module to perform a second post-inspection in the inspection chamber with respect to the substrate having been processed in the second chamber. 제 2 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제 2 챔버 내에서의 처리는 상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the controller controls the processing module so that processing in the second chamber is performed on a substrate on which the post-processing inspection is completed. 제 1 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 기판에 대해 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해 상기 제 2 처리 챔버 내에서 상기 제 2 처리를 수행하고,
상기 제 1 챔버 내에서의 상기 제 1 처리 후, 상기 제 2 챔버 내에서의 상기 제 2 처리 전에 상기 검사 챔버에서 제 2 처리전 검사를 수행하며,
상기 제 1 처리 후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사의 사이에는 상기 이송 챔버에서의 기판의 이송이 수행되도록 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber further comprises a second chamber in which a second process different from the first process is performed on the substrate,
The controller comprising:
Performing the second process in the second process chamber with respect to the substrate on which the post-process inspection is completed,
Performing a second pre-processing inspection in the inspection chamber prior to the second processing in the second chamber, after the first processing in the first chamber,
And controls the transfer of the substrate in the transfer chamber to be performed between the post-first inspection and the second pre-processing inspection. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고,
상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공되되,
상기 검사 챔버에서 수행되는 상기 검사는 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사인 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the first chamber is provided with a liquid processing chamber in which liquid is applied to the substrate,
Wherein the second chamber is provided with a heat treatment chamber in which the substrate is heat-
Wherein the inspection performed in the inspection chamber is an inspection to measure a thickness of a film applied to the substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 장치는 기판이 수용된 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 이송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈을 더 포함하되,
상기 인덱스 모듈 및 상기 공정 처리 모듈은 서로 제 1 방향을 따라 배열되고,
상기 이송 챔버는 길이 방향이 상기 제 1 방향과 평행하게 배치되고,
상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The apparatus further comprises an index module having a transfer frame provided with a container housing a substrate and an index robot for transferring the substrate between the processing module,
Wherein the index module and the process module are arranged along a first direction,
Wherein the transfer chamber is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction,
Wherein the inspection chamber is disposed on one side of the transfer chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 챔버는 상기 일측에 배치되고,
상기 제 2 챔버는 상기 이송 챔버의 상기 일측의 반대 측인 타측에 배치되며,
상기 제 1 챔버 및 상기 검사 챔버는 서로 상기 제 1 방향과 평행한 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the first chamber is disposed on the one side,
The second chamber being disposed on the other side of the transfer chamber opposite to the one side,
Wherein the first chamber and the inspection chamber are arranged along a direction parallel to the first direction with respect to each other. 제 7 항에 있어서,
상기 검사 챔버는 상기 제 1 챔버에 비해 상기 인덱스 모듈에 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the inspection chamber is disposed adjacent to the index module relative to the first chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 장치는 기판이 수용된 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 이송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈을 더 포함하되,
상기 인덱스 모듈 및 상기 공정 처리 모듈은 서로 제 1 방향을 따라 배열되고,
상기 이송 챔버는 길이 방향이 상기 제 1 방향과 평행하게 배치되고,
상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The apparatus further comprises an index module having a transfer frame provided with a container housing a substrate and an index robot for transferring the substrate between the processing module,
Wherein the index module and the process module are arranged along a first direction,
Wherein the transfer chamber is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction,
Wherein the inspection chamber is disposed on one side of the transfer chamber. 제 9 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 기판에 대해 액처리가 수행되고, 상기 일측에 배치되는 액처리 챔버를 포함하고,
상기 액처리 챔버 및 상기 검사 챔버는 서로 상기 제 1 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the process chamber includes a liquid processing chamber in which liquid processing is performed on the substrate, and the liquid processing chamber is disposed on the one side,
Wherein the liquid processing chamber and the inspection chamber are arranged along the first direction with respect to each other. 제 10 항에 있어서,
상기 검사 챔버는 상기 액처리 챔버에 비해 상기 인덱스 모듈에 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the inspection chamber is disposed adjacent to the index module relative to the liquid processing chamber. 제 11 항에 있어서,
상기 공정 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버를 더 포함하고,
상기 열처리 챔버는 상기 이송 챔버의 상기 일측의 반대 측인 타측에 배치되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the process chamber further comprises a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated,
Wherein the heat treatment chamber is disposed on the other side opposite to the one side of the transfer chamber. 제 12 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 검사 챔버에서, 상기 액처리 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 제 1 처리후 검사 및 상기 열처리 챔버에서의 처리가 완료된 기판에 대해 제 2 처리후 검사가 수행되고,
상기 열처리 챔버 내에서의 처리는 상기 제 1 처리후 검사가 완료된 기판에 대해서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The controller comprising:
In the inspection chamber, a post-inspection for the substrate after the process in the liquid processing chamber is completed and a post-process inspection for the substrate for which the process in the heat treatment chamber is completed are performed,
Wherein the processing in the heat treatment chamber controls the processing module so as to be performed on the substrate after the first post-inspection. 제 13 항에 있어서,
상기 검사 챔버는 서로 적층되게 제공되는 상부 검사 챔버 및 하부 검사 챔버를 포함하고,
상기 제어기는 상기 제 1 처리후 검사는 상기 하부 검사 챔버에서 수행되고, 상기 제 2 처리후 검사는 상기 상부 검사 챔버에서 수행되도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the inspection chamber comprises an upper inspection chamber and a lower inspection chamber provided to be laminated to each other,
Wherein the controller controls the processing module so that the post-processing inspection is performed in the lower inspection chamber, and the post-processing inspection is performed in the upper inspection chamber. 기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버와, 기판에 대해 상기 제 1 처리 이후에 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버와, 상기 제 1 챔버 및 상기 제 2 챔버 간에 기판을 이송하는 이송 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
제 1 챔버에서 기판에 대해 제 1 처리가 완료된 후, 상기 기판에 대해 제 1 처리후 검사를 수행하고,
이후, 상기 기판에 대해 상기 제 2 챔버에서 상기 제 2 처리를 수행하기 전에 상기 기판에 대해 제 2 처리전 검사를 수행하되,
상기 제 1 처리후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사 사이에 상기 이송 챔버 내에서의 기판의 이송이 수행되며,
상기 제 1 처리후 검사에서 측정된 측정값 및 상기 제 2 처리전 검사에서 측정된 측정값을 비교하여 상기 이송 챔버 내에서 이송 전후 간의 차이점을 판단하는 기판 처리 방법.A second chamber in which a second process is performed after the first process with respect to the substrate, and a transfer chamber for transferring the substrate between the first chamber and the second chamber, A method for processing a substrate using a substrate processing apparatus comprising:
After the first process is completed for the substrate in the first chamber, a first post-process inspection is performed on the substrate,
Thereafter, a second pre-processing check is performed on the substrate prior to performing the second process on the substrate in the second chamber,
Transferring the substrate in the transfer chamber is performed between the post-processing inspection and the pre-processing inspection,
And comparing the measured value measured in the first post-inspection and the measured value measured in the second pre-processing inspection to determine a difference between before and after the transfer in the transfer chamber. 제 15 항에 있어서,
상기 차이점은 상기 이송 챔버 내 하강 기류에 의한 차이점을 포함하는 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the difference comprises a difference due to a downward flow in the transfer chamber. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고,
상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공되며,
상기 제 1 처리후 검사 및 상기 제 2 처리전 검사는 상기 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사인 기판 처리 방법.
17. The method according to claim 15 or 16,
Wherein the first chamber is provided with a liquid processing chamber in which liquid is applied to the substrate,
Wherein the second chamber is provided with a heat treatment chamber in which the substrate is heat-
Wherein the inspection after the first process and the inspection before the second process are the tests for measuring the thickness of the film applied to the substrate.
KR1020170062906A 2017-05-22 2017-05-22 Apparatus and method for treating substrate KR101964974B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170062906A KR101964974B1 (en) 2017-05-22 2017-05-22 Apparatus and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170062906A KR101964974B1 (en) 2017-05-22 2017-05-22 Apparatus and method for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180127762A true KR20180127762A (en) 2018-11-30
KR101964974B1 KR101964974B1 (en) 2019-04-03

Family

ID=64560927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170062906A KR101964974B1 (en) 2017-05-22 2017-05-22 Apparatus and method for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101964974B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210048145A (en) * 2019-10-23 2021-05-03 (주)자비스 An X-Ray Apparatus for Investigating a Wafer and a Method for a Wafer Using the Same
CN113130361A (en) * 2020-01-15 2021-07-16 细美事有限公司 Substrate conveying device and substrate processing system with same
WO2024096405A1 (en) * 2022-10-31 2024-05-10 한국에너지기술연구원 Xrd automatic analysis system and control method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007583A (en) * 2001-06-19 2003-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and processing method
JP2006147628A (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd Treatment method of substrate, inspection method of substrate, control program and computer storage medium
JP2009231624A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2011124431A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for implementing the substrate processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007583A (en) * 2001-06-19 2003-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and processing method
JP2006147628A (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd Treatment method of substrate, inspection method of substrate, control program and computer storage medium
JP2009231624A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2011124431A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and recording medium recording program for implementing the substrate processing method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210048145A (en) * 2019-10-23 2021-05-03 (주)자비스 An X-Ray Apparatus for Investigating a Wafer and a Method for a Wafer Using the Same
CN113130361A (en) * 2020-01-15 2021-07-16 细美事有限公司 Substrate conveying device and substrate processing system with same
KR20210092053A (en) * 2020-01-15 2021-07-23 세메스 주식회사 Apparatus for transporting substrate and system for treating substrate with the apparatus
KR20220166758A (en) * 2020-01-15 2022-12-19 세메스 주식회사 Substrate treating system with substrate transporting apparatus
WO2024096405A1 (en) * 2022-10-31 2024-05-10 한국에너지기술연구원 Xrd automatic analysis system and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101964974B1 (en) 2019-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8408158B2 (en) Coating/developing device and method
KR101959108B1 (en) Film-forming method, computer storage medium, and film-forming system
US7877895B2 (en) Substrate processing apparatus
US8002511B2 (en) Batch forming apparatus, substrate processing system, batch forming method, and storage medium
KR101958643B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101964974B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101736854B1 (en) Substrate treating apparatus
US9405194B2 (en) Facility and method for treating substrate
KR20100027039A (en) Processing system
US8168378B2 (en) Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer readable storage medium
KR20200040672A (en) Coating and developing apparatus and coating and developing method
US20200158775A1 (en) Inspection system
JP2002260994A (en) Substrate treating device
US6473151B1 (en) Substrate processing apparatus
US7529595B2 (en) Method of controlling substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
JP4515331B2 (en) Substrate processing system
JP2013098476A (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
JP3624127B2 (en) Substrate processing equipment
KR102037909B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP2003209050A (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
TWI507700B (en) Probe station
JP4402011B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101853371B1 (en) Apparatus for Processing A Substrate
JP3811409B2 (en) Processing equipment
KR102139616B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant