KR102037909B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 처리 모듈과; 기판을 검사하는 검사 챔버와; 기판이 수용된 용기와 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 인덱스 모듈과; 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 공정 처리 모듈은, 기판이 처리되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고, 상기 검사 챔버는 상기 공정 처리 모듈 및 상기 인덱스 모듈 간에 반송되는 기판이 임시로 머물도록 제공되며, 상기 제어기는 상기 공정 처리 모듈에서 공정이 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a process processing module; An inspection chamber for inspecting the substrate; An index module for transferring the substrate between the container containing the substrate and the inspection chamber; And a controller for controlling the process module, the index module, and the test chamber, wherein the process module comprises: a process chamber in which a substrate is processed; A transfer chamber provided with a transfer robot for transferring a substrate between the process chamber and the inspection chamber, wherein the inspection chamber is provided such that a substrate to be transferred between the process processing module and the index module temporarily stays and the controller In the process module, the process module, the index module, and the test chamber are controlled to perform a test in the test chamber with respect to a substrate on which a process is completed.

Figure R1020170107966
Figure R1020170107966

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask, 이하 도포) 공정이 사용된다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a deposition and spin-on hard mask (SOH) process are used as a process of forming a film on a substrate.

일반적으로 증착 공정은 기판 상에 공정 가스를 증착하여 기판 상에 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 기판의 중심에 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.Generally, a deposition process is a process of depositing process gas on a board | substrate and forming a film on a board | substrate, and a coating process is a process of supplying a process liquid to the center of a board | substrate, and forming a liquid film.

도포 공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리 하는 과정으로, 가열 플레이트에 놓인 기판을 히터로부터 제공된 열을 이용해 열 처리한다.The baking process is performed before and after the coating process. The baking process is a process of heat-treating the substrate, and heat-treats the substrate placed on the heating plate using heat provided from the heater.

일반적으로 동일 기판에 대한 도포 공정 및 베이크 공정은 각각 하나의 장치에서 서로 인접하게 위치된 액처리 챔버 및 열처리 챔버 내에서 수행되나, 도포 공정 및 베이크 공정이 완료된 후, 기판 상에 형성된 막의 두께 등의 기판의 상태의 검사는 일반적으로 각각의 공정이 완료된 후, 액처리 챔버 및 베이크 공정이 수행되는 챔버가 제공된 장치와는 별도의 장치에서 수행된다.In general, the coating process and the baking process for the same substrate are performed in a liquid treatment chamber and a heat treatment chamber each positioned adjacent to each other in one apparatus, but after the coating process and the baking process are completed, Inspection of the state of the substrate is generally carried out in a device separate from the device provided with the liquid treatment chamber and the chamber in which the baking process is performed after each process is completed.

따라서, 장치 간의 기판 이동으로 인한 시간이 소요되며, 장치 내에서 액처리 챔버 및 열처리 챔버 간에 기판 이송 중 기판을 이송하는 이송 챔버 내에서의 기류 등에 의해 기판에 미치는 영향은 검사할 수 없다.Therefore, it takes time due to the movement of the substrate between the devices, and the influence on the substrate by the air flow in the transfer chamber for transferring the substrate during transfer of the substrate between the liquid treatment chamber and the heat treatment chamber in the device cannot be inspected.

본 발명은 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method that can reduce substrate processing process time.

또한, 본 발명은 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method capable of examining the effect of airflow in a transfer chamber on a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 공정 처리 모듈과; 기판을 검사하는 검사 챔버와; 기판이 수용된 용기와 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 인덱스 모듈과; 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 공정 처리 모듈은, 기판이 처리되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고, 상기 검사 챔버는 상기 공정 처리 모듈 및 상기 인덱스 모듈 간에 반송되는 기판이 임시로 머물도록 제공되며, 상기 제어기는 상기 공정 처리 모듈에서 공정이 완료된 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process processing module; An inspection chamber for inspecting the substrate; An index module for transferring the substrate between the container containing the substrate and the inspection chamber; And a controller for controlling the process module, the index module, and the test chamber, wherein the process module comprises: a process chamber in which a substrate is processed; A transfer chamber provided with a transfer robot for transferring a substrate between the process chamber and the inspection chamber, wherein the inspection chamber is provided such that a substrate to be transferred between the process processing module and the index module temporarily stays and the controller In the process module, the process module, the index module, and the test chamber are controlled to perform a test in the test chamber with respect to a substrate on which a process is completed.

상기 제어기는 상기 공정 처리 모듈에서 공정이 수행되기 이전에 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The controller may control the process module, the index module, and the test chamber such that the test is performed in the test chamber with respect to a substrate before the process is performed in the process module.

상기 공정 챔버는, 기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버와; 기판에 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 포함하되, 상기 제어기는 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리가 완료된 후 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The process chamber includes a first chamber in which a first process is performed on a substrate; A substrate comprising a second chamber on which a second treatment different from the first treatment is performed, wherein the controller is configured to perform an inspection in the inspection chamber on the substrate after the first treatment and the second treatment are completed; The index module and the test chamber may be controlled.

상기 제 1 처리는 상기 제 2 처리 이전에 수행되고, 상기 제어기는 상기 제 1 처리 수행 전에 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The first processing is performed before the second processing, and the controller may control the process processing module, the index module and the inspection chamber such that the inspection is performed in the inspection chamber with respect to the substrate before performing the first processing. .

상기 제어기는 상기 제 1 처리 후 및 상기 제 2 처리 전의 사이에 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The controller may control the process processing module, the index module and the inspection chamber such that the inspection is performed in the inspection chamber with respect to the substrate after the first treatment and before the second treatment.

상기 검사 챔버는 상기 공정 처리 모듈 및 상기 인덱스 모듈의 사이에 제공될 수 있다.The inspection chamber may be provided between the process processing module and the index module.

상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고, 상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공될 수 있다.The first chamber may be provided as a liquid treatment chamber in which a liquid is applied to a substrate, and the second chamber may be provided as a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated.

또한, 본 발명의 기판 처리 장치는, 공정 처리 모듈과; 기판을 검사하는 검사 챔버와; 기판이 수용된 용기와 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 인덱스 모듈과; 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 인덱스 모듈, 상기 검사 챔버 및 상기 공정 처리 모듈은 제 1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 검사 챔버는 상부에서 바라볼 때, 서로 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 배열되는 제 1 검사 챔버 및 제 2 검사 챔버를 포함하고, 상기 공정 처리 모듈은, 제 1 공정 챔버와; 제 2 공정 챔버와; 상기 제 1 공정 챔버와 상기 제 1 검사 챔버 간에 기판을 반송하는 제 1 반송 로봇이 제공된 제 1 반송 챔버와; 상기 제 2 공정 챔버와 상기 제 2 검사 챔버 간에 기판을 반송하는 제 2 반송 로봇이 제공된 제 2 반송 챔버를 포함하고, 상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 2 반송 챔버는 상기 제 2 방향을 따라 배열되며, 상기 제어기는 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어한다.Moreover, the substrate processing apparatus of this invention is a process processing module; An inspection chamber for inspecting the substrate; An index module for transferring the substrate between the container containing the substrate and the inspection chamber; And a controller for controlling the process processing module, the index module, and the inspection chamber, wherein the index module, the inspection chamber, and the process processing module are sequentially disposed along a first direction, and the inspection chamber is viewed from above. In view, a first test chamber and a second test chamber are arranged in a second direction perpendicular to the first direction, the process processing module comprising: a first process chamber; A second process chamber; A first transfer chamber provided with a first transfer robot for transferring a substrate between the first process chamber and the first inspection chamber; A second transfer chamber provided with a second transfer robot for transferring a substrate between the second process chamber and the second inspection chamber, wherein the first transfer chamber and the second transfer chamber are arranged along the second direction; The controller controls the process processing module, the index module and the inspection chamber such that an inspection is performed in the inspection chamber with respect to a substrate.

상기 제 1 공정 챔버는, 기판에 액이 도포되는 도포 처리가 수행되는 제 1 액처리 챔버와; 기판에 대한 열처리가 수행되는 제 1 열처리 챔버를 포함할 수 있다.The first process chamber includes: a first liquid processing chamber in which a coating process in which a liquid is applied to a substrate is performed; It may include a first heat treatment chamber in which the heat treatment for the substrate is performed.

상기 제 1 액처리 챔버 및 상기 제 1 열처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버의 상기 제 1 검사 챔버와 연결된 측면 및 상기 제 2 반송 챔버를 바라보는 측면 외의 측면에 연결될 수 있다.The first liquid treatment chamber and the first heat treatment chamber may be connected to a side connected to the first inspection chamber of the first transfer chamber and to a side other than a side facing the second transfer chamber.

상기 제 1 액처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 제 1 열처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 2 방향을 따라 배열될 수 있다.The first liquid treatment chamber may be arranged along the first conveyance chamber and the first direction, and the first heat treatment chamber may be arranged along the first conveyance chamber and the second direction.

상기 제 2 공정 챔버는, 기판에 액이 도포되는 도포 처리가 수행되는 제 2 액처리 챔버와; 기판에 대한 열처리가 수행되는 제 2 열처리 챔버를 포함하고, 상기 제 2 액처리 챔버 및 상기 제 2 열처리 챔버는 상기 제 2 반송 챔버의 상기 제 2 검사 챔버와 연결된 측면 및 상기 제 1 반송 챔버를 바라보는 측면외의 측면에 연결될 수 있다.The second process chamber includes a second liquid treatment chamber in which a coating process in which a liquid is applied to a substrate is performed; And a second heat treatment chamber in which heat treatment is performed on the substrate, wherein the second liquid treatment chamber and the second heat treatment chamber face a side connected to the second inspection chamber of the second transport chamber and the first transport chamber. It may be connected to the side other than the side.

상기 제어기는, 상기 제 1 액처리 챔버에서 기판을 액처리하는 액처리 단계와; 상기 액처리 단계에서 액처리가 완료된 기판을 상기 제 1 열처리 챔버에서 열처리하는 열처리 단계와; 상기 열처리 단계에서 열처리가 완료된 기판을 상기 제 1 검사 챔버에서 검사하는 공정후 검사 단계를 순차적으로 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The controller includes a liquid processing step of liquid processing a substrate in the first liquid processing chamber; A heat treatment step of heat-treating the substrate in which the liquid treatment is completed in the liquid treatment step in the first heat treatment chamber; The process processing module, the index module, and the inspection chamber may be controlled to sequentially perform a post-process inspection step of inspecting the substrate in which the heat treatment is completed in the heat treatment step in the first inspection chamber.

상기 제어기는, 상기 액처리 단계 이전에 상기 제 1 검사 챔버에서 기판을 검사하는 공정 전 검사 단계를 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The controller may control the process processing module, the index module and the inspection chamber to perform a pre-process inspection step of inspecting a substrate in the first inspection chamber before the liquid treatment step.

상기 제어기는, 상기 액처리 단계 및 상기 열처리 단계의 사이에, 상기 제 1 검사 챔버에서 상기 액처리 단계에서의 액처리가 완료된 기판을 검사하는 액처리후 검사 단계를 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어할 수 있다.The controller is configured to perform a post-treatment processing step of inspecting a substrate on which the liquid processing in the liquid processing step is completed in the first inspection chamber between the liquid processing step and the heat treatment step, wherein The index module and the test chamber can be controlled.

본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있다.Apparatus and method according to an embodiment of the present invention can shorten the substrate processing process time.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있다.In addition, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can examine the effect of the air flow in the transfer chamber on the substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 제 2 방향에서 바라본 도 1의 기판 처리 설비를 보여주는 측면도이다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 제 2 방향에서 바라본 측면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 설비를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 평면도이다.1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view showing the substrate processing equipment of FIG. 1 as viewed from a second direction. FIG.
3 is a side view of the substrate treating apparatus according to another embodiment, viewed from a second direction.
4 is a plan view illustrating a method of treating a substrate using the substrate processing facility of FIG. 1.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이고, 도 2는 제 2 방향에서 바라본 도 1의 기판 처리 설비를 보여주는 측면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 공정 처리 모듈(20), 검사 챔버(30) 및 제어기(40)를 가진다. 인덱스 모듈(10), 검사 챔버(30) 및 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 인덱스 모듈(10), 검사 챔버(30) 및 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14) 각각에 대해 수직한 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from a second direction. 1 and 2, the substrate processing facility 1 has an index module 10, a process processing module 20, an inspection chamber 30 and a controller 40. The index module 10, the test chamber 30, and the process processing module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 10, the inspection chamber 30, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is described. Is referred to as a second direction 14, and a direction perpendicular to each of the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. FIG.

인덱스 모듈(10)은 용기(18)와 검사 챔버(30) 간에 기판(W)을 이송한다. 일 실시 예에 따르면, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 포함한다. The index module 10 transfers the substrate W between the vessel 18 and the inspection chamber 30. According to an embodiment, the index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 용기(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 용기(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 용기(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The container 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint of the process module 20. The container 18 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a horizontal arrangement with respect to the ground. The vessel 18 may be a front opening unified pod (FOUP).

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 용기(18)와 검사 챔버(30) 또는 버퍼 유닛(250) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 검사 챔버(30)에서 용기(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 용기(18)에서 검사 챔버(30)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the container 18 seated in the load port 120 and the test chamber 30 or the buffer unit 250. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to convey the substrate W from the inspection chamber 30 to the vessel 18, and some of the index arms 144c carry the substrate W from the vessel 18 to the inspection chamber 30. Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

공정 처리 모듈(20)은 제 1 공정 챔버(210), 제 2 공정 챔버(220), 제 1 반송 챔버(230) 및 제 2 반송 챔버(240)를 포함한다.The process module 20 includes a first process chamber 210, a second process chamber 220, a first conveyance chamber 230, and a second conveyance chamber 240.

제 1 공정 챔버(210) 및 제 2 공정 챔버(220)에서는 기판(W)이 처리된다.The substrate W is processed in the first process chamber 210 and the second process chamber 220.

제 1 공정 챔버(210)는 기판(W)에 대해 제 1 처리가 수행되는 챔버 및 기판(W)에 대해 제 2 처리가 수행되는 챔버를 포함한다. 제 1 처리 및 제 2 처리는 서로 상이한 종류의 공정이다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 공정 챔버(210)는 제 1 액처리 챔버(211) 및 제 1 열처리 챔버(212)를 포함한다.The first process chamber 210 includes a chamber in which a first process is performed on the substrate W and a chamber in which a second process is performed on the substrate W. As shown in FIG. The first treatment and the second treatment are different kinds of processes from each other. According to an embodiment, the first process chamber 210 includes a first liquid treatment chamber 211 and a first heat treatment chamber 212.

제 1 액처리 챔버(211)에서는 기판(W)에 액이 도포되는 도포 처리가 수행된다. 제 1 열처리 챔버(212)에서는 기판(W)에 대한 열처리가 수행된다. 제 1 액처리 챔버(211) 및 제 1 열처리 챔버(212)는 제 1 반송 챔버(230)의 제 1 검사 챔버(310)와 연결된 측면 및 제 2 반송 챔버(240)를 바라보는 측면 외의 측면에 연결된다. 제 1 액처리 챔버(211) 및 제 1 반송 챔버(230)는 서로 제1방향(12)을 따라 배열된다. 제 1 열처리 챔버(212) 및 제 1 반송 챔버(230)는 서로 제2방향(14)을 따라 배열된다.In the first liquid processing chamber 211, a coating process in which a liquid is applied to the substrate W is performed. In the first heat treatment chamber 212, heat treatment of the substrate W is performed. The first liquid treatment chamber 211 and the first heat treatment chamber 212 are provided on the side connected to the first inspection chamber 310 of the first transfer chamber 230 and on the side other than the side facing the second transfer chamber 240. Connected. The first liquid treatment chamber 211 and the first conveyance chamber 230 are arranged along the first direction 12 with each other. The first heat treatment chamber 212 and the first conveyance chamber 230 are arranged along the second direction 14 with each other.

제 2 공정 챔버(220)는 기판(W)에 대해 제 1 처리가 수행되는 챔버 및 기판(W)에 대해 제 2 처리가 수행되는 챔버를 포함한다. 제 1 처리 및 제 2 처리는 각각 제 1 공정 챔버(210)에서 수행되는 제 1 처리 및 제 2 처리와 동일한 공정일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 공정 챔버(220)는 제 2 액처리 챔버(221) 및 제 2 열처리 챔버(222)를 포함한다.The second process chamber 220 includes a chamber in which the first process is performed on the substrate W and a chamber in which the second process is performed on the substrate W. The first treatment and the second treatment may be the same processes as the first treatment and the second treatment performed in the first process chamber 210, respectively. According to one embodiment, the second process chamber 220 includes a second liquid treatment chamber 221 and a second heat treatment chamber 222.

제 2 액처리 챔버(221) 및 제 2 열처리 챔버(222)는 제 2 반송 챔버(240)의 제 2 검사 챔버(320)와 연결된 측면 및 제 1 반송 챔버(230)를 바라보는 측면 외의 측면에 연결된다. 제 1 액처리 챔버(211) 및 제 1 반송 챔버(230)는 서로 제1방향(12)을 따라 배열된다. 제 1 열처리 챔버(212) 및 제 1 반송 챔버(230)는 서로 제2방향(14)을 따라 배열된다.The second liquid treatment chamber 221 and the second heat treatment chamber 222 may be connected to a side connected to the second inspection chamber 320 of the second transfer chamber 240 and to a side other than the side facing the first transfer chamber 230. Connected. The first liquid treatment chamber 211 and the first conveyance chamber 230 are arranged along the first direction 12 with each other. The first heat treatment chamber 212 and the first conveyance chamber 230 are arranged along the second direction 14 with each other.

제 1 반송 챔버(230)에는 제 1 공정 챔버(210)와 제 1 검사 챔버(310) 간에 기판(W)을 반송하는 제 1 반송 로봇(231)이 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 반송 로봇(231)은 제 1 액처리 챔버(211), 제 1 열처리 챔버(212) 및 제 1 검사 챔버(310) 간에 기판(W)을 반송한다. 제 1 검사 챔버(310)의 상부 또는 하부에 버퍼 유닛(250)이 제공되는 경우, 제 1 반송 로봇(231)은 제 1 액처리 챔버(211), 제 1 열처리 챔버(212) 및 제 1 검사 챔버(310) 간 그리고, 제 1 반송 로봇(231)은 제 1 액처리 챔버(211), 제 1 열처리 챔버(212) 및 제 1 버퍼 유닛(250) 간에 기판을 반송한다. The first transfer chamber 230 is provided with a first transfer robot 231 for transferring the substrate W between the first process chamber 210 and the first inspection chamber 310. According to one embodiment, the first transfer robot 231 transfers the substrate W between the first liquid processing chamber 211, the first heat treatment chamber 212, and the first inspection chamber 310. When the buffer unit 250 is provided above or below the first inspection chamber 310, the first transfer robot 231 may include the first liquid treatment chamber 211, the first heat treatment chamber 212, and the first inspection. The substrate 310 is transported between the chamber 310 and the first transfer robot 231 between the first liquid processing chamber 211, the first heat treatment chamber 212, and the first buffer unit 250.

제 2 반송 챔버(240)에는 제 2 공정 챔버(220)와 제 2 검사 챔버(320) 간에 기판(W)을 반송하는 제 2 반송 로봇(241)이 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 반송 로봇(241)은 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222) 및 제 2 검사 챔버(320) 간에 기판(W)을 반송한다. 제 2 검사 챔버(320)의 상부 또는 하부에 버퍼 유닛(250)이 제공되는 경우, 제 2 반송 로봇(241)은 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222) 및 제 2 검사 챔버(320) 간 그리고, 제 2 반송 로봇(241)은 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222) 및 제 2 버퍼 유닛(250) 간에 기판을 반송한다.The second transfer chamber 240 is provided with a second transfer robot 241 for transferring the substrate W between the second process chamber 220 and the second inspection chamber 320. According to one embodiment, the second transfer robot 241 transfers the substrate W between the second liquid processing chamber 221, the second heat treatment chamber 222, and the second inspection chamber 320. When the buffer unit 250 is provided above or below the second inspection chamber 320, the second transfer robot 241 may include the second liquid treatment chamber 221, the second heat treatment chamber 222, and the second inspection. Between the chamber 320 and the 2nd conveyance robot 241 conveys a board | substrate between the 2nd liquid processing chamber 221, the 2nd heat processing chamber 222, and the 2nd buffer unit 250. As shown in FIG.

제 1 반송 챔버(230)와 제 2 반송 챔버(240)는 제 2 방향을 따라 배열된다. 제 1 반송 챔버(230) 및 제 2 반송 챔버(240)는 일 측면이 서로 바라보도록 제공된다. 예를 들면, 제 1 반송 챔버(230) 및 제 2 반송 챔버(240)는 일 측면이 서로 접하도록 제공될 수 있다.The first conveyance chamber 230 and the second conveyance chamber 240 are arranged along the second direction. The first conveyance chamber 230 and the second conveyance chamber 240 are provided so that one side faces each other. For example, the first conveyance chamber 230 and the second conveyance chamber 240 may be provided so that one side thereof is in contact with each other.

검사 챔버(30)는 기판(W)을 검사한다. 검사 챔버(30)는 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)를 포함한다. 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)는 서로 제2방향(14)을 따라 배열된다. 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)는 공정 처리 모듈(20) 및 인덱스 모듈(10) 간에 반송되는 기판(W)이 임시로 머물도록 제공된다. The inspection chamber 30 inspects the substrate W. The test chamber 30 includes a first test chamber 310 and a second test chamber 320. The first test chamber 310 and the second test chamber 320 are arranged along the second direction 14 with each other. The first test chamber 310 and the second test chamber 320 are provided to temporarily hold the substrate W conveyed between the process processing module 20 and the index module 10.

제 1 액처리 챔버(211), 제 1 열처리 챔버(212), 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222), 제 1 반송 챔버(230), 제 2 반송 챔버(240), 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)는 각각 복수개가 서로 적층되게 제공될 수 있다. 제 1 액처리 챔버(211), 제 1 열처리 챔버(212), 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222), 제 1 반송 챔버(230), 제 2 반송 챔버(240), 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.A first liquid treatment chamber 211, a first heat treatment chamber 212, a second liquid treatment chamber 221, a second heat treatment chamber 222, a first conveyance chamber 230, a second conveyance chamber 240, Each of the first test chamber 310 and the second test chamber 320 may be provided to be stacked on each other. A first liquid treatment chamber 211, a first heat treatment chamber 212, a second liquid treatment chamber 221, a second heat treatment chamber 222, a first conveyance chamber 230, a second conveyance chamber 240, The number of the first test chamber 310 and the second test chamber 320 may increase or decrease.

도 3은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 설비(2)를 제2방향(14)에서 바라본 측면도이다. 도 3을 참조하면, 도 2의 경우와 달리, 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)는 각각 단층으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 검사 챔버(310) 및 제 2 검사 챔버(320)의 하부에는 각각 버퍼 유닛(250)이 제공될 수 있다. 각각의 버퍼 유닛(220)은 제 1 반송 챔버(230) 및 제 2 반송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(250)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(251)이 제공된다. 슬롯(251)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(250)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 제 1 반송 챔버(230) 및 제 2 반송 챔버(240)와 마주보는 면이 각각 개방된다.3 is a side view of the substrate processing apparatus 2 according to another embodiment, viewed from the second direction 14. Referring to FIG. 3, unlike the case of FIG. 2, each of the first test chamber 310 and the second test chamber 320 may be provided as a single layer. In this case, a buffer unit 250 may be provided below the first test chamber 310 and the second test chamber 320, respectively. Each buffer unit 220 provides a space between the first transfer chamber 230 and the second transfer chamber 240 and the transfer frame 140 in which the substrate W stays before being transferred. The buffer unit 250 is provided with a slot 251 in which the substrate W is placed. The slots 251 are provided in plurality so as to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 250 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the first transfer chamber 230 and the second transfer chamber 240, respectively.

제어기(40)는 공정 처리 모듈(20), 인덱스 모듈(10) 및 검사 챔버(30)를 제어한다. 제어기(40)는 기판(W)에 대해 검사 챔버(30)에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈(20), 인덱스 모듈(10) 및 검사 챔버(30)를 제어한다.The controller 40 controls the process processing module 20, the index module 10, and the inspection chamber 30. The controller 40 controls the process processing module 20, the index module 10, and the inspection chamber 30 such that the inspection is performed in the inspection chamber 30 with respect to the substrate W. FIG.

도 4는 도 1의 기판 처리 설비를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 평면도이다. 도 1 및 도 4를 참조하면, 제어기(40)는 공정 전 검사 단계(S10), 액처리 단계(S20), 액처리 후 검사 단계(S30), 열처리 단계(S40) 및 공정 후 검사 단계(S50)를 순차적으로 수행하도록 공정 처리 모듈(20), 인덱스 모듈(10) 및 검사 챔버(30)를 제어한다.4 is a plan view illustrating a method of treating a substrate using the substrate processing facility of FIG. 1. 1 and 4, the controller 40 includes a pre-process inspection step S10, a liquid treatment step S20, a liquid treatment test step S30, a heat treatment step S40, and a post-process inspection step S50. ), The process processing module 20, the index module 10, and the inspection chamber 30 are sequentially controlled.

일 실시 예에 따르면, 제어기(40)는 공정 전 검사 단계(S10) 이전에 용기(18) 내의 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310)로 이송하도록 인덱스 모듈(10)을 제어한다. According to one embodiment, the controller 40 controls the index module 10 to transfer the substrate W in the container 18 to the first inspection chamber 310 before the pre-process inspection step S10.

이 후, 공정 전 검사 단계(S10)에서는 제 1 검사 챔버(310)에서 기판(W)을 검사한다. 공정 처리 모듈(20) 내에서 기판(W)에 대한 공정을 수행하기 전에 기판(W)을 검사함으로써, 불량 기판(W)에 대한 공정 수행을 방지할 수 있다. Thereafter, in the pre-process inspection step S10, the substrate W is inspected in the first inspection chamber 310. By inspecting the substrate W before performing the process on the substrate W in the process module 20, the process on the defective substrate W may be prevented.

이 후, 제어기(40)는 공정 전 검사 단계(S10)가 완료된 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310)에서 제 1 액처리 챔버(211)로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다.Thereafter, the controller 40 controls the first transfer chamber 230 to transfer the substrate W on which the pre-process inspection step S10 is completed from the first inspection chamber 310 to the first liquid processing chamber 211. do.

이 후, 액처리 단계(S20)에서는 제 1 액처리 챔버(211)에서 기판(W)을 액처리 한다. 예를 들면, 제어기(40)는 기판(W)에 포토레지스트 등의 감광액을 도포하도록 제 1 액처리 챔버(211)를 제어한다.Subsequently, in the liquid treatment step S20, the substrate W is subjected to the liquid treatment in the first liquid treatment chamber 211. For example, the controller 40 controls the first liquid processing chamber 211 to apply a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W. As shown in FIG.

이 후, 제어기(40)는 액처리 단계(S20)가 완료된 기판(W)을 제 1 액처리 챔버(211)에서 제 1 검사 챔버(310)로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다. Thereafter, the controller 40 controls the first transfer chamber 230 to transfer the substrate W on which the liquid treatment step S20 is completed, from the first liquid treatment chamber 211 to the first inspection chamber 310. .

이 후, 액처리 후 검사 단계(S30)에서는 액처리 단계(S20)에서의 액처리가 완료된 기판(W)을 검사한다. 일 실시 예에 따르면, 액처리 후 검사 단계(S30)에서 제어기(40)는 제 1 액처리 챔버(211)에서 감광액이 도포된 기판(W)에 대해 도포 상태를 검사하도록 제 1 검사 챔버(310)를 제어한다.Subsequently, in the inspection step S30 after the liquid treatment, the substrate W on which the liquid treatment is completed in the liquid treatment step S20 is inspected. According to an embodiment, in the inspection step S30 after the liquid treatment, the controller 40 may inspect the application state of the substrate W to which the photosensitive liquid is applied in the first liquid treatment chamber 211. ).

이 후, 제어기(40)는 액처리 후 검사 단계(S30)가 완료된 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310)에서 제 1 열처리 챔버(212)로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다.Thereafter, the controller 40 controls the first transfer chamber 230 to transfer the substrate W on which the inspection step S30 after the liquid treatment is completed, from the first inspection chamber 310 to the first heat treatment chamber 212. do.

이 후, 열처리 단계(S40)에서는 액처리 단계(S20)에서 액처리가 완료된 기판(W)을 제 1 열처리 챔버(212)에서 열처리 한다. 예를 들면, 제어기(40)는 제 1 액처리 챔버(211)에서 감광액 도포가 완료된 기판(W)에 대해 베이킹 공정을 수행한다.Thereafter, in the heat treatment step S40, the substrate W on which the liquid treatment is completed in the liquid treatment step S20 is heat-treated in the first heat treatment chamber 212. For example, the controller 40 performs a baking process on the substrate W on which the photoresist coating is completed in the first liquid processing chamber 211.

이 후, 제어기(40)는 열처리 단계(S40)가 완료된 기판(W)을 제 1 열처리 챔버(212)에서 제 1 검사 챔버(310)로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다.Thereafter, the controller 40 controls the first transfer chamber 230 to transfer the substrate W on which the heat treatment step S40 is completed, from the first heat treatment chamber 212 to the first inspection chamber 310.

이 후, 공정 후 검사 단계(S50)에서는 열처리 단계(S40)에서 열처리가 완료된 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310)에서 검사한다. 예를 들면, 제어기(40)는 공정 후 검사 단계(S50)에서 제 1 열처리 챔버(212)에서 베이킹 공정이 완료된 기판(W)의 표면 상태를 검사한다. Thereafter, in the post-process inspection step S50, the substrate W on which the heat treatment is completed in the heat treatment step S40 is inspected in the first inspection chamber 310. For example, the controller 40 inspects the surface state of the substrate W in which the baking process is completed in the first heat treatment chamber 212 in the post-process inspection step S50.

이 후, 제어기(40)는 공정 후 검사 단계(S50)가 완료된 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310)로부터 용기(18)로 이송하도록 인덱스 모듈(10)을 제어한다.Thereafter, the controller 40 controls the index module 10 to transfer the substrate W on which the post-process inspection step S50 is completed from the first inspection chamber 310 to the container 18.

제 1 검사 챔버(310)가 복수개가 적층되게 제공되는 경우, 공정 전 검사 단계(S10)는 제 1 검사 챔버(310) 중 하나에서 수행되고, 공정 후 검사 단계(S50)는 다른 하나에서 수행될 수 있다. When a plurality of first inspection chambers 310 are provided to be stacked, the pre-process inspection step S10 may be performed in one of the first inspection chambers 310, and the post-process inspection step S50 may be performed in the other one. Can be.

공정 전 검사 단계(S10), 액처리 후 검사 단계(S30) 및 공정 후 검사 단계(S50) 중 일부는 필요에 따라 선택적으로 생략될 수 있다. 이 경우, 제어기(40)는 각 검사 단계 이후에 수행되는 챔버로 기판을 이송시키도록 제 1 반송 챔버(230) 및 인덱스 모듈을 제어한다. Some of the pre-process inspection step S10, the post-treatment inspection step S30, and the post-process inspection step S50 may be optionally omitted as necessary. In this case, the controller 40 controls the first transfer chamber 230 and the index module to transfer the substrate to the chamber performed after each inspection step.

예를 들면, 공정 전 검사 단계(S10)가 생략되고 버퍼 유닛(250)이 제공되는 경우, 제어기(40)는 용기(18) 내의 기판(W)을 버퍼 유닛(250) 내로 이송하도록 인덱스 모듈(10)을 제어한다. 공정 전 검사 단계(S10)가 생략되고 버퍼 유닛(250)은 제공되지 않는 경우, 제어기(40)는 용기(18) 내의 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310) 내로 이송하도록 인덱스 모듈(10)을 제어하고, 제 1 검사 챔버(310)에서의 검사는 수행되지 않고, 제 1 액처리 챔버(211)로 기판(W)이 이송되도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다.For example, when the pre-process inspection step S10 is omitted and the buffer unit 250 is provided, the controller 40 transfers the substrate W in the container 18 into the buffer unit 250. 10) to control. If the pre-process inspection step S10 is omitted and the buffer unit 250 is not provided, the controller 40 transfers the substrate W in the vessel 18 into the first inspection chamber 310. ) And the inspection in the first inspection chamber 310 is not performed, and the first transfer chamber 230 is controlled so that the substrate W is transferred to the first liquid processing chamber 211.

또한, 공정 후 검사 단계(S50)가 생략되고 버퍼 유닛(250)이 제공되는 경우, 제어기(40)는 제 1 열처리 챔버(212) 내의 기판(W)을 버퍼 유닛(250) 내로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어한다. 공정 후 검사 단계(S50)가 생략되고 버퍼 유닛(250)은 제공되지 않는 경우, 제어기(40)는 제 1 열처리 챔버(212) 내의 기판(W)을 제 1 검사 챔버(310) 내로 이송하도록 제 1 반송 챔버(230)를 제어하고, 제 1 검사 챔버(310)에서의 검사는 수행되지 않고, 용기(18)로 기판(W)이 이송되도록 인덱스 모듈(10)을 제어한다.In addition, when the post-process inspection step S50 is omitted and the buffer unit 250 is provided, the controller 40 transfers the substrate W in the first heat treatment chamber 212 into the buffer unit 250. The transfer chamber 230 is controlled. If the post-process inspection step S50 is omitted and the buffer unit 250 is not provided, the controller 40 is configured to transfer the substrate W in the first heat treatment chamber 212 into the first inspection chamber 310. The first conveyance chamber 230 is controlled, and the inspection in the first inspection chamber 310 is not performed, and the index module 10 is controlled so that the substrate W is transferred to the container 18.

상술한 기판 처리 방법은 제 2 액처리 챔버(221), 제 2 열처리 챔버(222), 제 2 반송 챔버(240)에도 동일하게 적용될 수 있다.The substrate processing method described above may be equally applied to the second liquid processing chamber 221, the second heat treatment chamber 222, and the second transfer chamber 240.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 장치는 장치 내에 검사 챔버를 제공함으로써, 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치는 이송 챔버에서의 기판 이송 전후에 기판을 검사함으로써 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있다. As described above, the apparatus according to the embodiment of the present invention can shorten the substrate processing process time by providing an inspection chamber in the apparatus. In addition, the apparatus according to an embodiment of the present invention can inspect the effect of the air flow in the transfer chamber on the substrate by inspecting the substrate before and after the substrate transfer in the transfer chamber.

1, 2: 기판 처리 장치 10: 인덱스 모듈
20: 공정 처리 모듈 30: 검사 챔버
40: 제어기 210: 제 1 공정 챔버
211: 제 1 액처리 챔버 212: 제 1 열처리 챔버
220: 제 2 공정 챔버 221: 제 2 액처리 챔버
222: 제 2 열처리 챔버 230: 제 1 반송 챔버
240: 제 2 반송 챔버1, 2: substrate processing apparatus 10: index module
20: process processing module 30: inspection chamber
40: controller 210: first process chamber
211: First Liquid Treatment Chamber 212: First Heat Treatment Chamber
220: second process chamber 221: second liquid treatment chamber
222: second heat treatment chamber 230: first transfer chamber
240: second conveying chamber

Claims (15)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
공정 처리 모듈과;
기판을 검사하는 검사 챔버와;
기판이 수용된 용기와 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 인덱스 모듈과;
상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 공정 처리 모듈은,
기판이 처리되는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 반송 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함하고,
상기 검사 챔버는 상기 공정 처리 모듈 및 상기 인덱스 모듈 간에 반송되는 기판이 임시로 머물도록 제공되며,
상기 공정 챔버는,
기판에 대해 제 1 처리가 수행되는 제 1 챔버와;
기판에 상기 제 1 처리와 상이한 제 2 처리가 수행되는 제 2 챔버를 포함하되,
상기 제 1 처리는 상기 제 2 처리 이전에 수행되고,
상기 제어기는 상기 제 1 처리 수행 전에 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하고,
상기 제어기는 상기 제 1 처리 후 및 상기 제 2 처리 전의 사이에 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 추가적으로 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하며,
상기 제어기는 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리가 완료된 후 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 추가적으로 수행되도록 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A process processing module;
An inspection chamber for inspecting the substrate;
An index module for transferring the substrate between the container containing the substrate and the inspection chamber;
A controller for controlling the process processing module, the index module and the test chamber,
The process treatment module,
A process chamber in which the substrate is processed;
A transfer chamber provided with a transfer robot for transferring a substrate between the process chamber and the inspection chamber,
The inspection chamber is provided so that a substrate conveyed between the process processing module and the index module temporarily stays,
The process chamber,
A first chamber in which a first process is performed on the substrate;
A second chamber in which the second treatment different from the first treatment is performed on the substrate,
The first processing is performed before the second processing,
The controller controls the process processing module, the index module and the inspection chamber such that an inspection is performed in the inspection chamber with respect to a substrate before performing the first processing,
The controller controls the process processing module, the index module and the test chamber such that the test is additionally performed in the test chamber with respect to the substrate after the first process and before the second process,
And the controller controls the process processing module, the index module and the inspection chamber such that the inspection is additionally performed in the inspection chamber with respect to the substrate after the first processing and the second processing are completed.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 검사 챔버는 상기 공정 처리 모듈 및 상기 인덱스 모듈의 사이에 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the inspection chamber is provided between the process processing module and the index module.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 챔버는 기판에 액이 도포되는 액처리 챔버로 제공되고,
상기 제 2 챔버는 기판이 열처리되는 열처리 챔버로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The first chamber is provided to a liquid treatment chamber in which the liquid is applied to the substrate,
And the second chamber is provided to a heat treatment chamber in which the substrate is heat treated. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
공정 처리 모듈과;
기판을 검사하는 검사 챔버와;
기판이 수용된 용기와 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 인덱스 모듈과;
상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 인덱스 모듈, 상기 검사 챔버 및 상기 공정 처리 모듈은 제 1 방향을 따라 순차적으로 배치되고,
상기 검사 챔버는 상부에서 바라볼 때, 서로 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 배열되는 제 1 검사 챔버 및 제 2 검사 챔버를 포함하고,
상기 공정 처리 모듈은,
제 1 공정 챔버와;
제 2 공정 챔버와;
상기 제 1 공정 챔버와 상기 제 1 검사 챔버 간에 기판을 반송하는 제 1 반송 로봇이 제공된 제 1 반송 챔버와;
상기 제 2 공정 챔버와 상기 제 2 검사 챔버 간에 기판을 반송하는 제 2 반송 로봇이 제공된 제 2 반송 챔버를 포함하고,
상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 2 반송 챔버는 상기 제 2 방향을 따라 배열되며,
상기 제어기는 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하고,
상기 제어기는 상기 공정 처리 모듈에서 공정이 수행되기 이전의 기판에 대해 상기 검사 챔버에서 검사가 수행되도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하며,
상기 제 1 공정 챔버는,
기판에 액이 도포되는 도포 처리가 수행되는 제 1 액처리 챔버와;
기판에 대한 열처리가 수행되는 제 1 열처리 챔버를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 제 1 액처리 챔버에서 기판을 액처리하는 액처리 단계와;
상기 액처리 단계에서 액처리가 완료된 기판을 상기 제 1 열처리 챔버에서 열처리하는 열처리 단계와;
상기 열처리 단계에서 열처리가 완료된 기판을 상기 제 1 검사 챔버에서 검사하는 공정후 검사 단계를 순차적으로 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하고,
상기 액처리 단계 이전에 상기 제 1 검사 챔버에서 기판을 검사하는 공정 전 검사 단계를 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하며,
상기 액처리 단계 및 상기 열처리 단계의 사이에, 상기 제 1 검사 챔버에서 상기 액처리 단계에서의 액처리가 완료된 기판을 검사하는 액처리후 검사 단계를 수행하도록 상기 공정 처리 모듈, 상기 인덱스 모듈 및 상기 검사 챔버를 제어하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A process processing module;
An inspection chamber for inspecting the substrate;
An index module for transferring the substrate between the container containing the substrate and the inspection chamber;
A controller for controlling the process processing module, the index module and the test chamber,
The index module, the inspection chamber, and the process processing module are sequentially disposed along a first direction,
The test chamber includes a first test chamber and a second test chamber arranged in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top,
The process treatment module,
A first process chamber;
A second process chamber;
A first transfer chamber provided with a first transfer robot for transferring a substrate between the first process chamber and the first inspection chamber;
A second transfer chamber provided with a second transfer robot for transferring a substrate between the second process chamber and the second inspection chamber,
The first conveyance chamber and the second conveyance chamber are arranged along the second direction,
The controller controls the process processing module, the index module and the inspection chamber to perform an inspection in the inspection chamber with respect to a substrate,
The controller controls the process module, the index module and the test chamber to perform an inspection in the test chamber on a substrate before the process is performed in the process module,
The first process chamber,
A first liquid treatment chamber in which a coating process in which a liquid is applied to the substrate is performed;
A first heat treatment chamber in which heat treatment is performed on the substrate,
The controller,
A liquid treatment step of liquid treating the substrate in the first liquid treatment chamber;
A heat treatment step of heat-treating the substrate in which the liquid treatment is completed in the liquid treatment step in the first heat treatment chamber;
Controlling the process processing module, the index module, and the inspection chamber to sequentially perform a post-process inspection step of inspecting the substrate in which the heat treatment is completed in the heat treatment step in the first inspection chamber,
Controlling the process processing module, the index module and the inspection chamber to perform a pre-process inspection step of inspecting a substrate in the first inspection chamber before the liquid treatment step,
Between the liquid treatment step and the heat treatment step, the process processing module, the index module and the processing step to perform a post-liquid treatment inspection step of inspecting a substrate on which the liquid treatment in the liquid treatment step is completed in the first inspection chamber. Substrate processing apparatus for controlling the inspection chamber.
삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 액처리 챔버 및 상기 제 1 열처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버의 상기 제 1 검사 챔버와 연결된 측면 및 상기 제 2 반송 챔버를 바라보는 측면 외의 측면에 연결되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
And the first liquid processing chamber and the first heat treatment chamber are connected to a side connected to the first inspection chamber of the first transfer chamber and to a side other than a side facing the second transfer chamber. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 액처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 1 방향을 따라 배열되고,
상기 제 1 열처리 챔버는 상기 제 1 반송 챔버와 상기 제 2 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The first liquid processing chamber is arranged along the first conveyance chamber and the first direction,
And the first heat treatment chamber is arranged along the first conveyance chamber and the second direction. 제 10 항 내지 제 11 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 2 공정 챔버는,
기판에 액이 도포되는 도포 처리가 수행되는 제 2 액처리 챔버와;
기판에 대한 열처리가 수행되는 제 2 열처리 챔버를 포함하고,
상기 제 2 액처리 챔버 및 상기 제 2 열처리 챔버는 상기 제 2 반송 챔버의 상기 제 2 검사 챔버와 연결된 측면 및 상기 제 1 반송 챔버를 바라보는 측면외의 측면에 연결되는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 10 to 11,
The second process chamber,
A second liquid treatment chamber in which a coating process in which a liquid is applied to the substrate is performed;
A second heat treatment chamber in which heat treatment is performed on the substrate,
And the second liquid processing chamber and the second heat treatment chamber are connected to a side connected to the second inspection chamber of the second transfer chamber and to a side other than a side facing the first transfer chamber.
삭제delete 삭제delete 삭제delete
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