KR20180125965A - A photosensitive resin composition, a photosensitive element, a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board - Google Patents
A photosensitive resin composition, a photosensitive element, a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180125965A KR20180125965A KR1020187026701A KR20187026701A KR20180125965A KR 20180125965 A KR20180125965 A KR 20180125965A KR 1020187026701 A KR1020187026701 A KR 1020187026701A KR 20187026701 A KR20187026701 A KR 20187026701A KR 20180125965 A KR20180125965 A KR 20180125965A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- mass
- substrate
- meth
- resin composition
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- -1 ethyleneoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 86
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 61
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 42
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 27
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 1-(6-hydroxy-6-methylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1C=CC=CC1(C)O ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VIYWVRIBDZTTMH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-[4-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1=CC(OCCOC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OCCOC(=O)C(C)=C)C=C1 VIYWVRIBDZTTMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 3
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 3
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 3
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 3
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- RNNQSJDLZHBQFZ-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)OCCOCCCOC1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C1=CC=C(C=C1)OCCCOCCOC(C(=C)C)=O Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCCOCCCOC1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C1=CC=C(C=C1)OCCCOCCOC(C(=C)C)=O RNNQSJDLZHBQFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N o-dicarboxybenzene Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N (z)-4-oxo-4-propan-2-yloxybut-2-enoic acid Chemical compound CC(C)OC(=O)\C=C/C(O)=O FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tribromo-4-(2,3,4-tribromophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(Br)C(Br)=C1Br SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCQWVYDFAHJHLM-UHFFFAOYSA-N 1-(4-pyridin-4-ylphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(C(=O)C)=CC=C1C1=CC=NC=C1 LCQWVYDFAHJHLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class ClC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class FC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVCBVNUOEFLXGK-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=NC=CN1 JVCBVNUOEFLXGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNLTWLXKZQWUJZ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-nitrophenyl)pyridine Chemical compound C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1C1=CC=CC=N1 FNLTWLXKZQWUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMENQNSSJFLQOP-UHFFFAOYSA-N 2-bromoprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(Br)=C HMENQNSSJFLQOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroacrylic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 2-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1Cl AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004182 2-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Cl)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMWGZSWSTCGVLX-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-methylprop-2-enoic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CCC(CO)(CO)CO JMWGZSWSTCGVLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMESCNYFNZEIFB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-methoxyphenyl)-5-[2-(4-methoxyphenyl)ethenyl]-2-phenyl-1,3-dihydropyrazole Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C=CC1=CC(C=2C=CC(OC)=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)N1 ZMESCNYFNZEIFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNRLEMMIVRBKJE-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylenebis(N,N-dimethylaniline) Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1CC1=CC=C(N(C)C)C=C1 JNRLEMMIVRBKJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIERBLCDXYWVTF-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(diethylamino)phenyl]methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1CC1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 MIERBLCDXYWVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004801 4-cyanophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(C#N)=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- BXYRAPNURYRQSP-UHFFFAOYSA-N 4-pyridin-2-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=N1 BXYRAPNURYRQSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical class OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100246550 Caenorhabditis elegans pyr-1 gene Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N Ethyl hydrogen fumarate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(O)=O XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 244000172533 Viola sororia Species 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N [CH2]CN(CC)CC Chemical group [CH2]CN(CC)CC MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CULWTPQTPMEUMN-UHFFFAOYSA-J [Ni](Cl)Cl.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Ni+2] Chemical compound [Ni](Cl)Cl.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Ni+2] CULWTPQTPMEUMN-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 150000003935 benzaldehydes Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N bis[4-(ethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(NCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(NCC)C=C1 QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001506 brilliant green Drugs 0.000 description 1
- HXCILVUBKWANLN-UHFFFAOYSA-N brilliant green cation Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 HXCILVUBKWANLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N diethylaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1 GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monoethyl ester Natural products CCOC(=O)C=CC(O)=O XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012216 imaging agent Substances 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229920005684 linear copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002304 perfume Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ROVRRJSRRSGUOL-UHFFFAOYSA-N victoria blue bo Chemical compound [Cl-].C12=CC=CC=C2C(NCC)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(CC)CC)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 ROVRRJSRRSGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
- C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
감광성 수지 조성물은, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, 에틸렌옥시기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유한다. 식 중, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립하여, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기 등을 나타내고, a, b, 및 c는 각각 독립하여 0~5의 정수를 나타낸다.
The photosensitive resin composition comprises a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid, a photopolymerizable compound comprising a bisphenol A di (meth) acrylate having an ethyleneoxy group having a structural unit number of less than 6, a photopolymerization initiator, And a styrylpyridine compound represented by the formula (1). A, b, and c each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or the like; and each of R 1 , R 2 , and R 3 independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Represents an integer.
Description
본 개시(開示)는, 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법, 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element, a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board.
프린트 배선판의 제조 분야에 있어서는, 회로 형성용 기판에 대하여 에칭 처리 또는 도금 처리를 실시할 때에 사용되는 레지스터 재료로서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다. 감광성 수지 조성물은, 지지체와, 그 지지체 상에 설치된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층(이하, 「감광층」이라고도 한다.)을 구비하는 감광성 엘리먼트(적층체)로서 사용되는 경우가 많다.BACKGROUND ART [0002] In the field of manufacturing printed wiring boards, a photosensitive resin composition is widely used as a resistor material used when an etching or plating treatment is performed on a substrate for circuit formation. The photosensitive resin composition is often used as a photosensitive element (laminate) comprising a support and a layer using a photosensitive resin composition provided on the support (hereinafter also referred to as a " photosensitive layer ").
프린트 배선판은, 예를 들면, 이하와 같이 하여 제조된다. 우선, 회로 형성용 기판 상에, 감광성 엘리먼트를 사용하여 감광층을 형성한다(감광층 형성 공정). 다음으로, 감광층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광부를 경화시킨다(노광 공정). 그 후, 지지체를 박리하여 제거한 후, 감광층의 미노광부를 기판 상으로부터 제거(현상)함으로써, 회로 형성용 기판 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성한다(현상 공정). 형성된 레지스터 패턴을 레지스터로서 기판에 대하여 에칭 처리 또는 도금 처리를 실시함으로써, 기판 상에 도체 패턴(회로)을 형성한 후(회로 형성 공정), 최종적으로 레지스터 패턴을 박리하고 제거하여(박리 공정), 프린트 배선판을 제조한다.The printed wiring board is manufactured, for example, as follows. First, a photosensitive layer is formed on a substrate for circuit formation using a photosensitive element (photosensitive layer forming step). Next, a predetermined portion of the photosensitive layer is irradiated with an actinic ray to cure the exposed portion (exposure step). Thereafter, the support is peeled and removed, and then the unexposed portion of the photosensitive layer is removed (developed) from the substrate to form a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition on the circuit formation substrate (developing step). (Circuit forming process) on the substrate by performing the etching process or the plating process on the substrate using the formed resistor pattern as a resistor, and then finally deleting and removing the resist pattern (stripping process) To produce a printed wiring board.
노광의 방법으로서는, 종래, 수은등을 광원으로 하고 포토마스크를 통하여 노광하는 방법이 사용되고 있다. 또한, 최근, DLP(Digital Light Processing) 또는 LDI(Laser Direct Imaging)이라고 불리는, 패턴을 감광층에 직접 묘화(描畵)하는 직접 묘화 노광법이 제안되고 있다. 이 직접 묘화 노광법은, 포토마스크를 개재한 노광법보다 위치 맞춤 정밀도가 양호하고, 또한, 고정밀한 패턴을 얻을 수 있는 점에서, 고밀도 패키지 기판 제작을 위해 도입되고 있다.As a method of exposure, conventionally, a method of exposing through a photomask using a mercury lamp as a light source is used. Recently, a direct drawing exposure method has been proposed, which is called DLP (Digital Light Processing) or LDI (Laser Direct Imaging), in which a pattern is directly drawn on a photosensitive layer. This direct imaging exposure method has been introduced for manufacturing a high-density package substrate in that it has better alignment accuracy than the exposure method using a photomask, and can obtain a high-precision pattern.
일반적으로 노광 공정에서는, 생산 효율의 향상을 위해서 노광 시간을 단축하는 것이 요망된다. 그러나, 상술한 직접 묘화 노광법에서는, 광원에 레이저 등의 단색광을 사용하는 것 외, 기판을 주사하면서 광선을 조사하기 때문에, 종래의 포토마스크를 개재한 노광 방법과 비교해서 많은 노광 시간을 필요로 하는 경향이 있다. 그 때문에, 노광 시간을 단축하여 생산 효율을 높이는데에는, 종래보다 감광성 수지 조성물의 감도를 향상시킬 필요가 있다.In general, in the exposure step, it is desired to shorten the exposure time for improvement of the production efficiency. However, in the direct imaging exposure method described above, since monochromatic light such as a laser is used for a light source, and a light beam is irradiated while a substrate is being scanned, a much longer exposure time is required compared with a conventional exposure method using a photomask . Therefore, in order to shorten the exposure time and increase the production efficiency, it is necessary to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition.
한편, 최근의 프린트 배선판의 고밀도화에 따라, 해상도(해상성) 및 밀착성이 뛰어난 레지스터 패턴을 형성 가능한 감광성 수지 조성물의 요구가 높아지고 있다.On the other hand, with the recent increase in the density of printed wiring boards, there is a growing demand for photosensitive resin compositions capable of forming resist patterns having excellent resolution (resolution) and adhesion.
이들 요구에 대하여, 종래, 여러 가지의 감광성 수지 조성물이 검토되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 스티릴피리딘 화합물을 증감 색소로서 사용함으로써, 상술한 요구되는 특성을 향상시킨 감광성 수지 조성물이 제안되고 있다. 또한, 특허문헌 2~5에는, 특정의 바인더 폴리머, 광중합성 화합물, 광중합 개시제, 및 증감 색소를 사용함으로써, 상술한 요구되는 특성을 향상시킨 감광성 수지 조성물이 제안되고 있다.In response to these demands, various photosensitive resin compositions have been studied in the past. For example, Patent Document 1 proposes a photosensitive resin composition in which the aforementioned required properties are improved by using a styrylpyridine compound as a sensitizing dye. In Patent Documents 2 to 5, a photosensitive resin composition in which the above-mentioned required properties are improved by using a specific binder polymer, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a sensitizing dye is proposed.
그런데, 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 레지스터 패턴은, 약액 내성이 뛰어난 것이 바람직하다. 약액 내성이 부족한 레지스터 패턴을 레지스터로서 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 경우, 도금 침입이 발생되는 경우가 있다. 여기서, 「도금 침입」란, 레지스터 패턴과 기판 사이에 도금액이 침수되는 현상을 의미한다. 특히, 최근에는 프린트 배선판이 고밀도화되고 있기 때문에, 도금 침입이 발생된 경우에는, 도체 패턴이 이어져 단락(短絡)될 우려가 있다.However, the resist pattern formed by the photosensitive resin composition is preferably excellent in chemical resistance. In the case where a plating process is performed on a substrate using a register pattern in which a chemical resistance is insufficient as a resistor, plating intrusion may occur. Here, " plating intrusion " means a phenomenon in which plating solution is flooded between the resistor pattern and the substrate. Particularly, in recent years, since the printed wiring board has been made denser, when the plating intrusion occurs, there is a possibility that the conductor pattern is continuously connected and short-circuited.
그러나, 특허문헌 1~5에 기재된 감광성 수지 조성물은, 감도는 비교적 높기는 하지만, 형성되는 레지스터 패턴의 약액 내성에는 아직도 향상의 여지가 있었다.However, although the sensitivity of the photosensitive resin compositions disclosed in Patent Documents 1 to 5 is relatively high, there is still room for improvement in the chemical resistance of the formed resistor pattern.
본 개시는, 약액 내성이 뛰어난 레지스터 패턴을 뛰어난 감도로 형성 가능한 감광성 수지 조성물, 및 이 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법, 및 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Disclosed herein is a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern excellent in chemical resistance with excellent sensitivity, and a photosensitive element using the photosensitive resin composition, a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board do.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적인 수단으로는, 이하의 실시양태가 포함된다. Specific means for solving the above-mentioned problems include the following embodiments.
<1> (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와,(1) a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid,
에틸렌옥시기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과,A photopolymerizable compound comprising a bisphenol A type di (meth) acrylate having an ethyleneoxy group having a structural unit number of less than 6,
광중합 개시제와,A photopolymerization initiator,
하기 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물.A photosensitive resin composition comprising a styryl pyridine compound represented by the following formula (1).
[식(1) 중, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립하여, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~6의 알킬에스테르기, 아미노기, 탄소수 1~20의 알킬아미노기, 카복시기, 시아노기, 니트로기, 아세틸기, 또는 (메타)아크릴로일기를 나타내고, a, b, 및 c는, 각각 독립하여, 0~5의 정수를 나타낸다.]Wherein R 1 , R 2 and R 3 are each independently selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl ester group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, A, b, and c each independently represent an integer of 0 to 5, and (c) an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an acetyl group, or a (meth) acryloyl group;
<2> 상기 광중합 개시제가, 하기 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체를 포함하는, <1>에 기재된 감광성 수지 조성물.<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the photopolymerization initiator comprises 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following formula (2).
[식(2) 중, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는, 각각 독립하여, 알킬기, 알케닐기, 및 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기로 치환되어 있어도 되는 아릴기를 나타내고, X1 및 X2는, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알콕시기를 나타내고, p 및 q는, 각각 독립하여, 1~5의 정수를 나타낸다.]In the formula (2), Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an aryl group which may be substituted with at least one substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group and an alkoxy group X 1 and X 2 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkoxy group, and p and q each independently represent an integer of 1 to 5.]
<3> 지지체와, 상기 지지체 상에 설치된 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 감광성 엘리먼트.<3> A photosensitive element comprising a support and a photosensitive layer formed using the photosensitive resin composition according to <1> or <2> provided on the support.
<4> 기판 상에, <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 형성하는 공정과, (4) a step of forming a photosensitive layer on the substrate using the photosensitive resin composition described in <1> or <2>
상기 감광층의 적어도 일부의 영역에 활성 광선을 조사하여, 상기 영역을 광경화시켜 경화물 영역을 형성하는 공정과, Irradiating at least a part of the region of the photosensitive layer with an actinic ray to photo-cure the region to form a cured region,
상기 감광층의 상기 경화물 영역 이외의 적어도 일부를 상기 기판 상으로부터 제거하여, 상기 기판 상에 레지스터 패턴을 형성하는 공정을 가지는 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법.And removing at least a part of the photosensitive layer other than the hardened region from the substrate to form a resist pattern on the substrate.
<5> 상기 활성 광선의 파장이 340~430nm의 범위 내인, <4>에 기재된 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법.≪ 5 > The method of manufacturing a substrate with a resist pattern according to < 4 >, wherein a wavelength of the active ray is within a range of 340 to 430 nm.
<6> <4> 또는 <5>에 기재된 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기판에 대하여 에칭 처리를 실시하는 공정을 가지는 프린트 배선판의 제조 방법.≪ 6 > A method for manufacturing a printed wiring board, comprising the step of etching a substrate on which a resistor pattern is formed by the method for manufacturing a substrate with a resistor pattern according to < 4 >
<7> <4> 또는 <5>에 기재된 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 공정을 가지는 프린트 배선판의 제조 방법.≪ 7 > A method for manufacturing a printed wiring board, comprising the step of plating a substrate on which a resistor pattern is formed by a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern as set forth in any one of < 4 >
본 개시에 의하면, 약액 내성이 뛰어난 레지스터 패턴을 뛰어난 감도로 형성 가능한 감광성 수지 조성물, 및 이 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법, 및 프린트 배선판의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern excellent in chemical resistance with excellent sensitivity, a photosensitive element using the photosensitive resin composition, a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board .
[도 1] 감광성 엘리먼트의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 세미 애더티브 공법에 의한 프린트 배선판의 제조 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a photosensitive element;
2 is a perspective view schematically showing an example of a manufacturing process of a printed wiring board by a semi-insulating method;
이하, 본 발명의 실시형태에 관하여 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성요소(요소 단계 등도 포함한다)는, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수는 아니다. 수치 및 그 범위에 관해서도 동일하고, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the constituent elements (including the element step and the like) are not essential unless otherwise specified. The numerical values and ranges thereof are the same, and the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, 「(메타)아크릴레이트」란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미하고, 「(메타)아크릴로일」이란, 아크릴로일 또는 메타크릴로일을 의미한다. 「(폴리)에틸렌옥시기」란, 에틸렌옥시기(이하, 「EO기」이라고도 한다.) 또는 2 이상의 에틸렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리에틸렌옥시기의 적어도 1종을 의미한다. 「(폴리)프로필렌옥시기」란, 프로필렌옥시기(이하, 「PO기」이라고도 한다.) 또는 2 이상의 프로필렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리프로필렌옥시기의 적어도 1종을 의미한다. 「EO변성」이란, (폴리)에틸렌옥시기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「PO변성」이란, (폴리)프로필렌옥시기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「EO·PO변성」이란, (폴리)에틸렌옥시기 및 (폴리)프로필렌옥시기의 양쪽을 가지는 화합물인 것을 의미한다.In the present specification, "(meth) acrylic acid" means acrylic acid or methacrylic acid, "(meth) acrylate" means acrylate or methacrylate, and "(meth) acryloyl" , Acryloyl or methacryloyl. The term "(poly) ethyleneoxy group" means at least one of an ethyleneoxy group (hereinafter also referred to as "EO group") or a polyethyleneoxy group in which two or more ethylene groups are linked by an ether bond. The term "(poly) propyleneoxy group" means at least one of a propyleneoxy group (hereinafter also referred to as "PO group") or a polypropyleneoxy group in which two or more propylene groups are linked by an ether bond. Refers to a compound having a (poly) ethyleneoxy group, and the term "PO-modified" means a compound having a (poly) propyleneoxy group, and the term "EO.PO. Quot; means a compound having both an oxy group and a (poly) propyleneoxy group.
본 명세서에 있어서, 「층」이라는 용어에는, 해당 층이 존재하는 영역을 관찰했을 때에, 해당 영역의 전체에 형성되어 있는 경우에 더하여, 해당 영역의 일부에만 형성되어 있는 경우도 포함된다. 「적층」이라는 용어는, 층을 겹친 것을 나타내고, 2 이상의 층이 결합되어 있어도 되고, 2 이상의 층이 착탈 가능해도 된다. In the present specification, the term " layer " includes a case where a region in which the layer is present is observed only in a part of the region, in addition to the case where the region is formed over the entire region. The term " lamination " refers to a lamination of two or more layers, or two or more layers may be removable.
또한, 본 명세서에 있어서, 「공정」이라는 용어는, 독립한 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이어도 그 공정의 소기의 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다. Furthermore, in this specification, the term " process " is included in the term when the intended purpose of the process is achieved, even when it is not clearly distinguishable from other processes as well as independent processes.
또한, 본 명세서에 있어서, 「~」를 사용하여 나타낸 수치 범위는, 「~」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최소값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다.본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다. In the present specification, the numerical range indicated by using " ~ " indicates a range including the numerical values before and after "~" as the minimum value and the maximum value, respectively. , The upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced by the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of other stepwise description. In the numerical range described in the present specification, the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the embodiment.
또한, 본 명세서에 있어서, 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수종 존재하는 경우, 특별히 단정짖지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수종의 물질의 합계량을 의미한다.In the present specification, the content of each component in the composition means the total amount of the plural kinds of substances present in the composition, unless a plurality of substances corresponding to each component exist in the composition, unless otherwise specified .
<감광성 수지 조성물> <Photosensitive resin composition>
본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, (A)성분:(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, (B)성분:EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트(이하, 「특정 광중합성 화합물」이라고도 한다.)를 포함하는 광중합성 화합물과, (C)성분:광중합 개시제와, (D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유한다. 상기 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.(A) component: a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid, and (B) a bisphenol A type di (meth) acrylate having a structural unit number of EO groups of less than 6 (C) component: a photopolymerization initiator, and Component (D): a styrylpyridine compound represented by the formula (1), wherein the photopolymerizable compound is a compound represented by the following formula . The photosensitive resin composition may contain other components as needed.
(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, 특정 광중합성 화합물을 포함하는 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유함으로써, 약액 내성(특히, 도금액에 대한 내성)이 뛰어난 레지스터 패턴을 뛰어난 감도로 형성 가능한 감광성 수지 조성물을 구성할 수 있다. 상기 효과를 나타내는 상세한 이유는 반드시 분명하지 않지만, 본 발명자들은, 이하와 같이 추측하고 있다. 소수성으로서 레지스터 패턴의 저(低)팽윤성에 효과가 있는 특정 광중합성 화합물과, 광증감성이 뛰어난 스티릴피리딘 화합물을 조합하여 사용함으로써, 저팽윤성을 가지면서 반응률을 높게 하여, 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 이에 의해, 레지스터 패턴에 있어서의 가교 네트워크가 보다 치밀화되어, 약액 내성이 향상된다고 추측하고 있다.(Specifically, a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid, a photopolymerizable compound containing a specific photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator and a styrylpyridine compound represented by the formula (1) , Resistance to plating solution) can be formed with excellent sensitivity. Detailed reasons for exhibiting the above effects are not necessarily clear, but the present inventors have assumed the following. By using a specific photopolymerizable compound that is effective for low swelling properties of a resistor pattern as a hydrophobic property and a styrylpyridine compound having excellent sensitivity to photosensitivity, a resist pattern can be formed with a low swelling property and a high reaction rate have. Thus, it is presumed that the crosslinking network in the resistor pattern becomes more densified and the chemical resistance is improved.
또한, 일본 특허공개 특개소58-1142호 공보의 실시예에는, 특정의 선상(線狀) 공중합체와, EO기의 구조 단위수가 10인 비스페놀 A형 디메타크릴레이트를 조합하여 사용함으로써, 도금액에 대한 내성이 향상된다는 것이 개시되어 있다. EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트와, 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 조합하여 사용함으로써, 약액 내성(특히, 도금액에 대한 내성)이 향상되는 것은, 놀랄만한 것이다.Further, in the embodiment of Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-1142, by using a combination of a specific linear copolymer and a bisphenol A type dimethacrylate having the number of structural units of EO group of 10, Is improved. (Resistance to the plating solution) is improved by using the combination of the bisphenol A type di (meth) acrylate having the number of structural units of the EO group of less than 6 and the styrylpyridine compound represented by the formula (1) It's amazing.
(A)성분:바인더 폴리머 (A) Component: Binder polymer
상기 감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머(이하, 「특정 바인더 폴리머」이라고도 한다.)를 포함한다. (A)성분은, 필요에 따라 특정 바인더 폴리머 이외의 바인더 폴리머를 더 포함하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition includes, as the component (A), a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid (hereinafter, also referred to as a "specific binder polymer"). The component (A) may further contain a binder polymer other than the specific binder polymer, if necessary.
(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위의 함유율은, 현상성 및 레지스터 패턴의 밀착성이 균형있게 뛰어난 점에서, 특정 바인더 폴리머를 구성하는 중합성 단량체의 전(全) 질량을 기준(100질량%, 이하 동일)으로 하여, 15~40질량%이어도 되고, 18~38질량%이어도 되고, 20~35질량%이어도 된다. 현상성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유율이 15질량% 이상이어도 되고, 18질량% 이상이어도 되고, 20질량% 이상이어도 된다. 또한, 레지스터 패턴의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유율이 40질량% 이하이어도 되고, 38질량% 이하이어도 되고, 35질량% 이하이어도 된다.The content ratio of the structural unit derived from (meth) acrylic acid is preferably from 100% by mass or less to 100% by mass or less based on the total mass of the polymerizable monomer constituting the specific binder polymer, 15 to 40 mass%, may be 18 to 38 mass%, and may be 20 to 35 mass%. From the viewpoint of further improving the developability, the content may be 15 mass% or more, 18 mass% or more, and 20 mass% or more. From the viewpoint of further improving the adhesion of the resistor pattern, the content may be 40 mass% or less, 38 mass% or less, and 35 mass% or less.
특정 바인더 폴리머는, 스티렌 또는 α-메틸스티렌에서 유래하는 구조 단위를 더 가지고 있어도 된다. 특정 바인더 폴리머가 스티렌 또는 α-메틸스티렌에서 유래하는 구조 단위를 더 가지는 경우, 스티렌 또는 α-메틸스티렌에서 유래하는 구조 단위의 함유율은, 레지스터 패턴의 밀착성 및 박리성을 보다 향상시키는 관점에서, 특정 바인더 폴리머를 구성하는 중합성 단량체의 전 질량을 기준으로 하여, 10~70질량%이어도 되고, 15~60질량%이어도 되고, 20~55질량%이어도 된다. 레지스터 패턴의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유율이 10질량% 이상이어도 되고, 15질량% 이상이어도 되고, 20질량% 이상이어도 된다. 또한, 레지스터 패턴의 박리성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유율이 70질량% 이하이어도 되고, 60질량% 이하이어도 되고, 55질량% 이하이어도 된다.The specific binder polymer may further have a structural unit derived from styrene or? -Methylstyrene. When the specific binder polymer further has a structural unit derived from styrene or? -Methylstyrene, the content ratio of the structural unit derived from styrene or? -Methylstyrene is preferably in the range from May be 10 to 70 mass%, preferably 15 to 60 mass%, or 20 to 55 mass%, based on the total mass of the polymerizable monomer constituting the binder polymer. From the viewpoint of further improving the adhesion of the resistor pattern, the content may be 10 mass% or more, 15 mass% or more, and 20 mass% or more. From the viewpoint of further improving the releasability of the resist pattern, the content may be 70 mass% or less, 60 mass% or less, or 55 mass% or less.
특정 바인더 폴리머는, 상술한 구조 단위 이외의 그 밖의 구조 단위를 가지고 있어도 된다. 그 밖의 구조 단위로서는, 예를 들면, 하기의 그 밖의 중합성 단량체에서 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.The specific binder polymer may have other structural units other than the structural units described above. As other structural units, for example, structural units derived from the following other polymerizable monomers can be mentioned.
그 밖의 중합성 단량체로서는, (메타)아크릴산, 스티렌, 또는 α-메틸스티렌과 중합 가능하고, (메타)아크릴산, 스티렌, 및α-메틸스티렌과는 상이한 중합성 단량체이면, 특별히 제한은 없다. 그 밖의 중합성 단량체로서는, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르, (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산푸르푸릴, (메타)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, (메타)아크릴산이소보닐, (메타)아크릴산아다만틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산글리시딜, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라 플루오로프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시에틸, (메타)아크릴산이소보닐옥시에틸, (메타)아크릴산시클로헥실옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시프로필옥시에틸 등의 (메타)아크릴산에스테르;α-브로모아크릴산, α-클로로아크릴산, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산등의 (메타)아크릴산유도체;방향족환에 있어서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체;디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드;아크릴로니트릴;비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르 화합물;말레산;말레산무수물;말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르;푸말산, 신남산,α-시아노신남산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등의 불포화 카복실산 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중합성 단량체는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Other polymerizable monomers are not particularly limited as long as they are polymerizable monomers which can be polymerized with (meth) acrylic acid, styrene or? -Methylstyrene and are different from (meth) acrylic acid, styrene and? -Methylstyrene. Examples of other polymerizable monomers include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester, benzyl (meth) acrylate, furfuryl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, dicyclohexyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, glycidyl (Meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl Dicyclopentanyloxyethyl acrylate, cyclohexyloxyethyl (meth) acrylate, cyclohexyloxyethyl (meth) acrylate, adamantyloxyethyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxypropyloxyethyl (meth) acrylate, Methacrylic acid (Meth) acrylic acid esters such as cyclopentanyloxypropyloxyethyl (meth) acrylate, and adamantyloxypropyl (meth) acrylate; α-bromoacrylic acid, α-chloroacrylic acid, Acrylates such as diacetone acrylamide; acrylonitrile; ether compounds of vinyl alcohols such as vinyl-n-butyl ether; (meth) acrylic acid derivatives such as methacrylic acid and the like; polymerizable styrene derivatives substituted in aromatic rings; Maleic anhydride, maleic acid monoester such as monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate, etc., fumaric acid, cinnamic acid,? -Cyanosinic acid, itaconic acid, crotonic acid, propiolic acid, etc. Unsaturated carboxylic acid derivatives, and the like. These polymerizable monomers may be used singly or in combination of two or more kinds.
특정 바인더 폴리머가 그 밖의 구조 단위를 가지는 경우, 그 밖의 구조 단위의 함유율은, 레지스터 패턴의 해상도 및 박리성을 보다 향상시키는 관점에서, 특정 바인더 폴리머를 구성하는 중합성 단량체의 전 질량을 기준으로 하여, 3~85질량%이어도 되고, 5~75질량%이어도 되고, 10~70질량%이어도 되고, 10~50질량%이어도 된다.In the case where the specific binder polymer has other structural units, the content ratio of the other structural units is preferably from 1 to 50% by weight based on the total mass of the polymerizable monomers constituting the specific binder polymer from the viewpoint of further improving the resolution and releasability of the resist pattern , 3 to 85 mass%, 5 to 75 mass%, 10 to 70 mass%, and 10 to 50 mass%, respectively.
특정 바인더 폴리머는, 예를 들면, 중합성 단량체(모노머)로서, (메타)아크릴산, 나아가서는 필요에 따라 사용되는 스티렌 또는 α-메틸스티렌 및 그 밖의 중합성 단량체를, 상법(常法)에 의해, 라디칼 중합시킴으로써 얻을 수 있다.The specific binder polymer can be obtained, for example, by copolymerizing (meth) acrylic acid as the polymerizable monomer (monomer), styrene or? -Methylstyrene and other polymerizable monomers, , And radical polymerization.
(A)성분으로서는, 특정 바인더 폴리머를 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 특정 바인더 폴리머를 임의로 조합하여 사용해도 된다. 또한, 특정 바인더 폴리머 이외의 그 밖의 바인더 폴리머를 특정 바인더 폴리머와 함께 사용해도 된다.As the component (A), a specific binder polymer may be used singly or two or more kinds of specific binder polymers may be arbitrarily used in combination. Further, other binder polymers other than the specific binder polymer may be used together with the specific binder polymer.
특정 바인더 폴리머의 산가는, 현상성 및 레지스터 패턴의 밀착성이 균형있게 뛰어난 점에서, 90~250mgKOH/g이어도 되고, 100~240mgKOH/g이어도 되고, 120~235mgKOH/g이어도 되고, 130~230mgKOH/g이어도 된다. 현상 시간을 보다 단축하는 관점에서는, 이 산가가 90mgKOH/g 이상이어도 되고, 100mgKOH/g 이상이어도 되고, 120mgKOH/g 이상이어도 되고, 130mgKOH/g 이상이어도 된다. 또한, 레지스터 패턴의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 산가가 250mgKOH/g 이하이어도 되고, 240mgKOH/g 이하이어도 되고, 235mgKOH/g 이하이어도 되고, 230mgKOH/g 이하이어도 된다.The acid value of the specific binder polymer may be 90 to 250 mgKOH / g, may be 100 to 240 mgKOH / g, may be 120 to 235 mgKOH / g, may be 130 to 230 mgKOH / g . From the viewpoint of further shortening the development time, the acid value may be 90 mgKOH / g or more, 100 mgKOH / g or more, 120 mgKOH / g or 130 mgKOH / g or more. The acid value may be 250 mgKOH / g or less, 240 mgKOH / g or less, 235 mgKOH / g or 230 mgKOH / g or less from the viewpoint of further improving the adhesion of the resist pattern.
특정 바인더 폴리머의 중량평균분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정(표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의해 환산)한 경우, 현상성 및 레지스터 패턴의 밀착성이 균형있게 뛰어난 점에서, 10000~200000이어도 되고, 15000~100000이어도 되고, 20000~80000이어도 되고, 23000~60000이어도 된다. 현상 시간을 보다 단축하는 관점에서는, 중량평균분자량이 200000 이하이어도 되고, 100000 이하이어도 되고, 80000 이하이어도 되고, 60000 이하이어도 된다. 레지스터 패턴의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서는, 중량평균분자량이 10000 이상이어도 되고, 15000 이상이어도 되고, 20000 이상이어도 되고, 23000 이상이어도 되고, 25000 이상이어도 된다.When the weight average molecular weight (Mw) of a specific binder polymer is measured by gel permeation chromatography (GPC) (in terms of a calibration curve using standard polystyrene), 10000 And may be in the range of 15,000 to 100,000, in the range of 20,000 to 80,000, or in the range of 23,000 to 600,000. From the viewpoint of further shortening the development time, the weight average molecular weight may be 200,000 or less, 100,000 or less, 80000 or less, or 60000 or less. From the viewpoint of further improving the adhesion of the resist pattern, the weight average molecular weight may be 10,000 or more, 15,000 or more, 20,000 or more, 23,000 or more, and 25,000 or more.
특정 바인더 폴리머의 분산도(중량평균분자량/수평균분자량)는, 레지스터 패턴의 해상도 및 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 3.0 이하이어도 되고, 2.8 이하이어도 되고, 2.5 이하이어도 된다.The degree of dispersion (weight average molecular weight / number average molecular weight) of the specific binder polymer may be 3.0 or less, 2.8 or less, or 2.5 or less from the viewpoint of further improving the resolution and adhesion of the resist pattern.
특정 바인더 폴리머는, 필요에 따라, 340~430nm의 범위 내의 파장을 가지는 광에 대하여 감광성을 가지는 특성기(特性基)를 그 분자 내에 가지고 있어도 된다. 특성기로서는, 후술하는 (D)성분 등의 증감 색소로부터 수소 원자를 적어도 1개 제거하여 구성되는 기(基)를 들 수 있다.The specific binder polymer may have, in its molecule, a characteristic group (characteristic group) having photosensitivity to light having a wavelength within the range of 340 to 430 nm, if necessary. Examples of the characteristic group include a group formed by removing at least one hydrogen atom from a sensitizing dye such as a component (D) to be described later.
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 (A)성분의 함유량은, 감광층의 형성성, 감도, 및 레지스터 패턴의 해상도를 보다 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 30~70질량부이어도 되고, 35~65질량부이어도 되고, 40~60질량부이어도 된다. 감광층의 형성성을 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유량이 30질량부 이상이어도 되고, 35질량부 이상이어도 되고, 40질량부 이상이어도 된다. 또한, 감도 및 레지스터 패턴의 해상도를 보다 향상시키는 관점에서는, 이 함유량이 70질량부 이하이어도 되고, 65질량부 이하이어도 되고, 60질량부 이하이어도 된다.The content of the component (A) in the photosensitive resin composition is preferably 100 parts by mass or more per 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B) from the viewpoint of further improving the formability, May be 30 to 70 parts by mass, may be 35 to 65 parts by mass, and may be 40 to 60 parts by mass. From the viewpoint of further improving the formability of the photosensitive layer, the content may be 30 parts by mass or more, 35 parts by mass or more, and 40 parts by mass or more. The content may be 70 parts by mass or less, and may be 65 parts by mass or less and 60 parts by mass or less from the viewpoint of further improving the sensitivity and resolution of the resistor pattern.
(B)성분:광중합성 화합물 (B) Component: Photopolymerizable compound
상기 감광성 수지 조성물은, (B)성분인 광중합성 화합물로서, EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트(특정 광중합성 화합물)가 적어도 1종을 포함한다. (B)성분은, 필요에 따라, 특정 광중합성 화합물 이외의 광중합성 화합물을 더 포함하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition is a photopolymerizable compound which is a component (B), and includes at least one bisphenol A di (meth) acrylate (specific photopolymerizable compound) having an EO group of less than 6 structural units. The component (B) may further contain a photopolymerizable compound other than the specific photopolymerizable compound, if necessary.
특정 광중합성 화합물에 있어서, EO기의 구조 단위수는 6 미만이다. 여기서, EO기(구조 단위)의 구조 단위수란, 분자 중에 어느 정도 EO기가 부가되어 있는지를 나타내는 것이라고도 할 수 있다. 따라서, 단일의 분자에 관해서는 정수값을 나타낸다. 이하, 구조 단위의 구조 단위수에 관해서는 동일하다. In a specific photopolymerizable compound, the number of structural units of the EO group is less than 6. Here, the number of structural units of the EO group (structural unit) may be referred to as indicating how much EO group is added to the molecule. Thus, for a single molecule, it represents an integer value. Hereinafter, the number of structural units in the structural unit is the same.
또한, 특정 광중합성 화합물에 있어서, EO기의 구조 단위수는, 레지스터 패턴의 약액 내성을 향상시키는 관점에서, 4 미만이어도 되고, 3 미만이어도 된다. 또한, EO기의 구조 단위수의 하한값은, 0 이상이며, 2 이상이어도 된다.In addition, in the specific photopolymerizable compound, the number of structural units of the EO group may be less than 4 or less than 3 from the viewpoint of improving the chemical resistance of the resist pattern. The lower limit value of the number of structural units of the EO group is 0 or more and may be 2 or more.
특정 광중합성 화합물은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물이어도 된다.The specific photopolymerizable compound may be a compound represented by the following formula (3).
식(3) 중, R4 및 R5는, 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. XO는, 각각 독립하여, EO기를 나타낸다. (XO)m1 및 (XO)m2는, 각각 (폴리)에틸렌옥시기를 나타낸다. m1 및 m2는, 각각 독립하여, 0 이상 6 미만의 수치를 채택할 수 있다. m1+m2는 0 이상 6 미만이다. m1 및 m2는, 구조 단위의 구조 단위수를 나타낸다.In the formula (3), R 4 and R 5 independently represent a hydrogen atom or a methyl group. XO independently represent an EO group. (XO) m1 and (XO) m2 each represent a (poly) ethyleneoxy group. m1 and m2 can be independently from 0 to 6, respectively. m1 + m2 is 0 or more and less than 6. m1 and m2 represent the number of structural units of the structural unit.
식(3)으로 표시되는 화합물의 시판품으로서는, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시디에톡시)페닐)프로판(EO기:4mol(평균값))(히타치가세이 주식회사제, 「FA-324 ME」), 2,2-비스(4-(아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(EO기:3mol(평균값))(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「ABE-300」), 2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시)페닐)프로판(EO기:2.6mol(평균값))(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「BPE-100」), 2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시)페닐)프로판(EO기:2.3mol(평균값))(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「BPE-80 N」) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As a commercially available product of the compound represented by the formula (3), 2,2-bis (4- (methacryloxy diethoxy) phenyl) propane (EO group: 4 mol (average value)) (manufactured by Hitachi Kasei Co., (ABE-300, manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo KK), 2,2-bis (4- (acryloxypolyethoxy) phenyl) propane (Bis (4- (methacryloxyethoxy) phenyl) propane (EO group: 2.6 mol (average)) (Shin-Nakamura Kagaku Kogyo KK, "BPE-100"), 2,2- Propane (EO group: 2.3 mol (average value)) (manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., " BPE-80N "). These compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 특정 광중합성 화합물의 함유량은, 경화 후에 가교 네트워크 중의 분자 운동의 억제에 의해 팽윤을 억제시켜, 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~60질량부이어도 되고, 5~55질량부이어도 되고, 10~50질량부이어도 된다.The content of the specific photopolymerizable compound in the photosensitive resin composition is preferably such that the total amount of the component (A) and the component (B) in the crosslinking network is from the viewpoint of suppressing the swelling by inhibiting the molecular motion in the crosslinking network after curing, May be 1 to 60 parts by mass, preferably 5 to 55 parts by mass, and may be 10 to 50 parts by mass, based on 100 parts by mass of the resin.
상기 감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서, 특정 광중합성 화합물 이외의 그 밖의 광중합성 화합물을 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 광중합성 화합물로서는, 광중합이 가능한 것이면 특별히 제한은 없다. 그 밖의 광중합성 화합물은, 에틸렌성 불포화 결합기를 가지는 화합물이어도 된다. 에틸렌성 불포화 결합기를 가지는 화합물로서는, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 1개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 2개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 3개 이상 가지는 화합물 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition may contain, as the component (B), other photopolymerizable compounds other than the specific photopolymerizable compound. The other photopolymerizable compound is not particularly limited as far as it is capable of photopolymerization. The other photopolymerizable compound may be a compound having an ethylenically unsaturated bonding group. Examples of the compound having an ethylenically unsaturated bonding group include compounds having one ethylenically unsaturated bonding group in the molecule, compounds having two ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule, and compounds having three or more ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule .
(B)성분이 그 밖의 광중합성 화합물을 포함하는 경우, 특정 광중합성 화합물의 함유량은, 경화 후에 가교 네트워크 중의 분자 운동의 억제에 의해 팽윤을 억제시켜, 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~60질량부이어도 되고, 6~50질량부이어도 되고, 10~40질량부이어도 된다.When the component (B) contains other photopolymerizable compound, the content of the specific photopolymerizable compound is preferably within a range from (1) to (3), from the viewpoint of suppressing swelling by inhibiting molecular motion in the crosslinking network after curing, May be from 1 to 60 parts by mass, preferably from 6 to 50 parts by mass, and from 10 to 40 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the components.
(B)성분은, 그 밖의 광중합성 화합물로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 2개 가지는 화합물(다만, 특정 광중합성 화합물을 제외한다)이 적어도 1종을 포함하고 있어도 된다. (B)성분이 그 밖의 광중합성 화합물로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 2개 가지는 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 5~60질량부이어도 되고, 5~55질량부이어도 되고, 10~50질량부이어도 된다.The component (B) may be another photopolymerizable compound, and it may contain at least one compound having two ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule (however, excluding the specific photopolymerizable compound). When the component (B) is another photopolymerizable compound and contains a compound having two ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule, the content thereof is preferably 5% or less, more preferably 5% or less based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) To 60 parts by mass, and may be 5 to 55 parts by mass, and may be 10 to 50 parts by mass.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 2개 가지는 화합물로서는, 특정 광중합성 화합물과는 상이한 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 분자내에 EO기 및 PO기의 적어도 한쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 분자내에 우레탄 결합을 가지는 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the compound having two ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule, bisphenol A type di (meth) acrylate, hydrogenated bisphenol A type di (meth) acrylate which are different from specific photopolymerizable compounds, EO group and PO group in the molecule (Meth) acrylate having at least one side thereof, di (meth) acrylate having a urethane bond in the molecule, trimethylolpropane di (meth) acrylate, and the like.
(B)성분은, 레지스터 패턴의 해상도 및 박리성을 향상시키는 관점에서, 그 밖의 광중합성 화합물로서, 특정 광중합성 화합물과는 상이한 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 및 분자내에 EO기 및 PO기의 적어도 한쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 2개 가지는 화합물의 적어도 1종을 포함하고 있어도 된다.The component (B) is preferably a bisphenol A type di (meth) acrylate, a hydrogenated bisphenol A type di (meth) acrylate, or a bisphenol A type di (Meth) acrylate, and a polyalkylene glycol di (meth) acrylate having at least one of EO group and PO group in the molecule, at least one kind of compound having two ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule .
특정 광중합성 화합물과는 상이한 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트로서는, 하기 식(4)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As the bisphenol A type di (meth) acrylate which is different from the specific photopolymerizable compound, a compound represented by the following formula (4) can be mentioned.
식(4) 중, R6 및 R7은, 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. XO 및 YO는, 각각 독립하여, EO기 또는 PO기를 나타낸다. (XO)x1, (XO)x2, (YO)y1, 및 (YO)y2는, 각각 (폴리)에틸렌옥시기 또는 (폴리)프로필렌옥시기를 나타낸다. x1, x2, y1, 및 y2는, 각각 독립하여, 0~40의 수치를 채택할 수 있다. x1, x2, y1, 및 y2는, 구조 단위의 구조 단위수를 나타낸다.In the formula (4), R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. XO and YO each independently represent an EO group or a PO group. (XO) x1 , (XO) x2 , (YO) y1 and (YO) y2 each represent a (poly) ethyleneoxy group or a (poly) propyleneoxy group. x1, x2, y1, and y2 may be independently from 0 to 40. x1, x2, y1, and y2 represent the number of structural units of the structural unit.
식(4)로 표시되는 화합물이 PO기를 가지는 경우, 분자 중에 있어서의 PO기의 구조 단위수는, 레지스터 패턴의 해상도를 향상시키는 관점에서, 2 이상이어도 되고, 3 이상이어도 된다. 또한, 분자 중에 있어서의 PO기의 구조 단위수는, 현상성을 향상시키는 관점에서, 5 이하이어도 된다.When the compound represented by the formula (4) has a PO group, the number of structural units of the PO group in the molecule may be 2 or more, or 3 or more, from the viewpoint of improving the resolution of the resist pattern. The number of structural units of the PO group in the molecule may be 5 or less from the viewpoint of improving developability.
식(4)로 표시되는 화합물이 EO기를 가지는 경우, 분자 중에 있어서의 EO기의 구조 단위수는, 현상성을 향상시키는 관점에서, 6 이상이어도 되고, 8 이상이어도 된다. 또한, 분자 중에 있어서의 EO기의 구조 단위수는, 레지스터 패턴의 해상도를 향상시키는 관점에서, 16 이하이어도 되고, 14 이하이어도 된다.When the compound represented by the formula (4) has an EO group, the number of structural units of the EO group in the molecule may be 6 or more, or 8 or more from the viewpoint of improving developability. The number of structural units of the EO group in the molecule may be 16 or less, or 14 or less, from the viewpoint of improving the resolution of the resist pattern.
식(4)로 표시되는 화합물의 시판품으로서는, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시프로폭시)페닐)프로판(EO기:12mol(평균값), PO기:4mol(평균값))(히타치가세이 주식회사제, 「FA-3200MY」), 2,2-비스(4-(메타크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(EO기:10mol(평균값))(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「BPE-500」), 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판(EO기:10mol(평균값))(히타치가세이 주식회사제, 「FA-321M」), 2,2-비스(4-(메타크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(EO기:30mol(평균값))(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「BPE-1300」) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of commercially available products of the compound represented by the formula (4) include 2,2-bis (4- (methacryloxyethoxypropoxy) phenyl) propane (EO group: 12 mol (average value), PO group: (EO group: 10 mol (average value)) (manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., product of Hitachi Chemical Co., Ltd., "FA-3200MY") and 2,2- (EO group: 10 mol (average value)) (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., " FA-321M "), 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) , And 2-bis (4- (methacryloxypolyethoxy) phenyl) propane (EO group: 30 mol (average value)) (Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., "BPE-1300"). These compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.
(B)성분이 특정 광중합성 화합물과는 상이한 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 경우, 그 함유량은, 경화 후에 가교 네트워크 중의 분자 운동의 억제에 의해 팽윤을 억제시켜, 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~65질량부이어도 되고, 5~60질량부이어도 되고, 10~55질량부이어도 된다. 또한, EO기 및 PO기의 합계의 구조 단위수가 10 이하의 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트의 함유량은, 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 55질량부 이하이어도 되고, 50질량부 이하이어도 되고, 45질량부 이하이어도 되고, 40질량부 이하이어도 된다. 또한, EO기 및 PO기의 합계의 구조 단위수가 10 이하의 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트의 함유량은, 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 70질량부 이하이어도 되고, 65질량부 이하이어도 되고, 55질량부 이하이어도 되고, 50질량부 이하이어도 되고, 45질량부 이하이어도 되고, 40질량부 이하이어도 된다.When the component (B) contains bisphenol A di (meth) acrylate which is different from the specific photopolymerizable compound, the content of the bisphenol A-type di (meth) acrylate is preferably such that the swelling is suppressed by inhibition of molecular motion in the crosslinking network after curing, From 1 to 65 parts by mass, preferably from 5 to 60 parts by mass, and from 10 to 55 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B). The content of the bisphenol A type di (meth) acrylate having the total number of structural units of the EO group and the PO group of 10 or less is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, May be 55 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 45 parts by mass or less, and 40 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total amount of the component (B). The content of the bisphenol A di (meth) acrylate having a total number of structural units of the EO group and the PO group of 10 or less is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, May be 70 parts by mass or less, and may be 65 parts by mass or less, 55 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 45 parts by mass or less, and 40 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total amount.
수소 첨가 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)시클로헥실)프로판을 들 수 있다. As the hydrogenated bisphenol A type di (meth) acrylate, for example, 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) cyclohexyl) propane can be given.
(B)성분이 수소 첨가 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 경우, 그 함유량은, 경화 후에 가교 네트워크 중의 분자 운동의 억제에 의해 팽윤을 억제시켜, 약액 내성을 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~50질량부이어도 되고, 5~40질량부이어도 된다.When the component (B) contains hydrogenated bisphenol A type di (meth) acrylate, the content thereof is preferably in the range of from May be 1 to 50 parts by mass, and may be 5 to 40 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B).
(B)성분은, 레지스터 패턴의 굴곡성, 해상도, 및 밀착성을 균형있게 향상시키는 관점에서, 그 밖의 광중합성 화합물로서, 분자내에 EO기 및 PO기의 적어도 한쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 적어도 1종을 포함하고 있어도 된다. (B)성분이 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트를 포함하는 경우, 그 함유량은, 레지스터 패턴의 해상도 및 굴곡성의 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~30질량부이어도 되고, 2~20질량부이어도 되고, 2~15질량부이어도 된다.The component (B) is preferably a polyalkylene glycol di (meth) acrylate having at least one of an EO group and a PO group in the molecule as another photopolymerizable compound, from the viewpoint of improving the flexibility, resolution, Acrylate, and the like. When the component (B) contains polyalkylene glycol di (meth) acrylate, the content of the polyalkylene glycol di (meth) acrylate is preferably within a range from 100 parts by mass to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) , 1 to 30 parts by mass, and may be 2 to 20 parts by mass, or 2 to 15 parts by mass.
폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트는, EO·PO변성 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트이어도 된다. 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 분자내에 있어서, (폴리)에틸렌옥시기 및 (폴리)프로필렌옥시기는, 각각 연속하여 블록적으로 존재하고 있어도, 랜덤하게 존재하고 있어도 된다. 또한, (폴리)프로필렌옥시 기에 있어서의 PO기는, n-프로필렌옥시기 및 이소프로필렌옥시기 중 어느 하나이어도 된다. 또한, (폴리)이소프로필렌옥시기에 있어서, 프로필렌기의 2급 탄소가 산소 원자에 결합되어 있어도 되고, 1급 탄소가 산소 원자에 결합되어 있어도 된다.The polyalkylene glycol di (meth) acrylate may be EO-PO-modified polyalkylene glycol di (meth) acrylate. In the molecule of the polyalkylene glycol di (meth) acrylate, the (poly) ethyleneoxy group and the (poly) propyleneoxy group may be present in block form continuously or randomly. The PO group in the (poly) propyleneoxy group may be any one of n-propyleneoxy group and isopropyleneoxy group. Further, in the (poly) isopropyleneoxy group, the secondary carbon of the propylene group may be bonded to the oxygen atom, or the primary carbon may be bonded to the oxygen atom.
폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트는, (폴리)n-부틸렌옥시기, (폴리)이소부틸렌옥시기, (폴리)n-펜틸렌옥시기, (폴리)헥실렌옥시기, 이들의 구조 이성체 등인 탄소수 4~6 정도의 (폴리)알킬렌옥시기 등을 가지고 있어도 된다.The polyalkylene glycol di (meth) acrylate is at least one member selected from the group consisting of (poly) n-butyleneoxy group, (poly) isobutyleneoxy group, (poly) n- (Poly) alkyleneoxy group having about 4 to 6 carbon atoms, and the like.
(B)성분은, 그 밖의 광중합성 화합물로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 3개 이상 가지는 광중합성 화합물의 적어도 1종을 포함하고 있어도 된다.The component (B) may be at least one kind of photopolymerizable compound having three or more ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule as the other photopolymerizable compound.
에틸렌성 불포화 결합기를 3개 이상 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, EO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트(EO기의 구조 단위수가 1~5의 것), PO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, EO·PO변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, EO변성 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 및 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the compound having three or more ethylenically unsaturated bonding groups include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (having the number of the structural units of the EO group of 1 to 5) , Pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, EO-modified pentaerythritol tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri Acrylate, erythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. These compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 3개 이상 가지는 광중합성 화합물의 시판품으로서는, EO변성 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트(히타치가세이 주식회사제, 「TMPT21E」및 「TMPT30E」), 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(사토머사제, 「SR444」및 신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「A-TMM-3」), 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「A-DPH」), EO변성 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(신나카무라가가쿠고교 주식회사제, 「ATM-35E」) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of photopolymerizable compounds having three or more ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule include EO-modified trimethylolpropane trimethacrylate ("TMPT21E" and "TMPT30E" manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), pentaerythritol triacrylate A-TMH-3 "), Dipentaerythritol hexaacrylate (" Shin-Nakamura "," A-DPH "manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Pentaerythritol tetraacrylate (" ATM-35E ", manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and the like.
(B)성분이 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 3개 이상 가지는 광중합성 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, 레지스터 패턴 형상, 및 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성 및 박리성을 균형있게 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 3~30질량부이어도 되고, 5~25질량부이어도 되고, 5~20질량부이어도 된다.When the component (B) contains a photopolymerizable compound having three or more ethylenically unsaturated bonding groups in the molecule, the content thereof is preferably from a viewpoint of improving the balance of the resist pattern shape and the resolution, adhesion and releasability of the resist pattern, May be from 3 to 30 parts by mass, preferably from 5 to 25 parts by mass, and from 5 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B).
(B)성분은, 레지스터 패턴 형상, 및 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 박리성을 균형있게 향상시키는 관점, 또는 스컴(scum) 발생을 억제하는 관점에서, 그 밖의 광중합성 화합물로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 1개 가지는 광중합성 화합물을 포함하고 있어도 된다.The component (B) is preferably used as other photopolymerizable compound in view of improving the resolution, adhesion and releasability of the resist pattern in a balanced manner, or suppressing the generation of scum, And may contain a photopolymerizable compound having one unsaturated bond group.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 1개 가지는 광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시(메타)아크릴레이트, 프탈산 화합물, 및 (메타)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 상기 중에서도, 레지스터 패턴 형상, 및 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 박리성을 균형있게 향상시키는 관점에서, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시(메타)아크릴레이트 또는 프탈산 화합물을 포함하고 있어도 된다.Examples of the photopolymerizable compound having one ethylenically unsaturated bonding group in the molecule include nonylphenoxypolyethyleneoxy (meth) acrylate, phthalic acid compound, and (meth) acrylic acid alkyl ester. Among them, nonylphenoxypolyethyleneoxy (meth) acrylate or a phthalic acid compound may be contained from the viewpoint of improving the balance of the resist pattern shape and the resist pattern resolution, adhesion, and peelability.
(B)성분이 분자내에 에틸렌성 불포화 결합기를 1개 가지는 광중합성 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1~20질량부이어도 되고, 3~15질량부이어도 되고, 5~12질량부이어도 된다.When the component (B) contains a photopolymerizable compound having one ethylenically unsaturated bond group in the molecule, the content thereof is preferably from 1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B) And may be 3 to 15 parts by mass, and may be 5 to 12 parts by mass.
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 (B)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 30~70질량부이어도 되고, 35~65질량부이어도 된다. (B)성분의 함유량이 30질량부 이상이면, 감도 및 레지스터 패턴의 해상도가 향상되는 경향이 있다. (B)성분의 함유량이 70질량부 이하이면, 감광층을 형성하기 쉬워지고, 또한, 양호한 레지스터 패턴 형상을 얻기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the component (B) in the photosensitive resin composition may be 30 to 70 parts by mass or 35 to 65 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). When the content of the component (B) is 30 parts by mass or more, the sensitivity and the resolution of the resistor pattern tend to be improved. When the content of the component (B) is 70 parts by mass or less, the photosensitive layer tends to be easily formed, and a good resist pattern shape tends to be easily obtained.
(C)성분:광중합 개시제(C): Photopolymerization initiator
상기 감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서, 광중합 개시제의 적어도 1종을 함유한다. (C)성분은, 레지스터 패턴의 약액 내성을 유지하면서, 감도, 및 레지스터 패턴의 해상도 및 밀착성을 향상시키는 점에서, 하기 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체를 포함하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition contains, as a component (C), at least one kind of a photopolymerization initiator. (C) component is preferably 2,4,5-triarylimidazole 2 represented by the following formula (2) in view of improving the sensitivity and the resolution and adhesion of the resistor pattern while maintaining the chemical resistance of the resist pattern. Or may contain a monomer.
식(2) 중, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는, 각각 독립하여, 알킬기, 알케닐기, 및 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기로 치환되어 있어도 되는 아릴기를 나타내고, X1 및 X2는, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알콕시기를 나타내고, p 및 q는, 각각 독립하여, 1~5의 정수를 나타낸다. 다만, p가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 X1은 각각 동일해도 상이해도 되고, q가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 X2는 각각 동일해도 상이해도 된다.In formula (2), Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an aryl group which may be substituted with at least one substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group and an alkoxy group , X 1 and X 2 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkoxy group, and each of p and q independently represents an integer of 1 to 5. When p is 2 or more, plural X 1 s present may be the same or different from each other. When q is 2 or more, plural X 2 s present may be the same or different.
X1 및 X2는, 각각 독립하여, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 2~6의 알케닐기, 또는 탄소수 1~6의 알콕시기이어도 된다. X1 및 X2 중 적어도 1개는 염소 원자인 것이 바람직하다. X 1 and X 2 each independently represent a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, etc.), an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms . It is preferable that at least one of X 1 and X 2 is a chlorine atom.
X1 및 X2의 치환 위치는 특별히 한정되지 않으며, 오르토 위치 또는 파라 위치인 것이 바람직하다. The substitution position of X 1 and X 2 is not particularly limited and is preferably an ortho or para position.
p 및 q는, 각각 독립하여, 1~5의 정수이며, 1~3의 정수인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.p and q are each independently an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1.
Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4로 표시되는 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등을 들 수 있고, 페닐기인 것이 바람직하다. Examples of the aryl group represented by Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 include a phenyl group, a naphthyl group and an anthracenyl group, preferably a phenyl group.
Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 2~6의 알케닐기, 및 탄소수 1~6의 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기를 들 수 있다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가, 각각 독립하여 상기 치환기를 가지는 경우, 치환기의 수는 1~5인 것이 바람직하고, 1~3인 것이 보다 바람직하고, 1인 것이 더욱 바람직하다. 또한, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가, 각각 독립하여 상기 치환기를 가지는 경우, 그 치환 위치는 특별히 한정되지 않으며, 오르토 위치 또는 파라 위치인 것이 바람직하다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는, 모두 무(無)치환인 것이 바람직하다.Examples of the substituent which Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 may have include at least one kind selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms Lt; / RTI > When each of Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 independently has the above substituent, the number of substituents is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 . When Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4 each independently have such a substituent, the substitution position is not particularly limited and is preferably an ortho or para position. It is preferable that all of Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4 are unsubstituted.
식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체로서는, 예를 들면, 2-(2-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(2-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2량체, 2-(2-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 및 2-(4-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체를 들 수 있다. 또한, 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는, 동일하고 대칭인 화합물을 부여해도 되고, 상위하게 비대칭인 화합물을 부여해도 된다. 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the formula (2) include 2- (2-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- ( 2- (2-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (2-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- Phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, and 2- (4-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer. The substituents of the aryl groups of the two 2,4,5-triarylimidazoles may be the same and symmetrical, or an asymmetric compound may be imparted in a different manner. The 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the formula (2) may be used singly or in combination of two or more kinds.
(C)성분이 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체를 함유하는 경우, 그 함유량은, (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 25질량부 이상이어도 되고, 50질량부 이상이어도 되고, 75질량부 이상이어도 된다.When the component (C) contains 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the formula (2), the content thereof is preferably 25 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the total amount of the component (C) And may be 50 parts by mass or more, or 75 parts by mass or more.
(C)성분인 광중합 개시제로서는, 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체 이외에도, 통상 사용되는 그 밖의 광중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 광중합 개시제로서는, 벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판온-1 등의 방향족 케톤;알킬안트라퀴논 등의 퀴논 화합물;벤조인알킬에테르 등의 벤조인에테르 화합물;벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물;벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체;9-페닐아크리딘, 1,7-(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체 등을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator which is the component (C), other photopolymerization initiators usually used may be contained in addition to the 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the formula (2). Examples of other photopolymerization initiators include benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ethers, benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin, benzyl dimethyl ketal and the like, benzoin methyl ketal and the like Benzyl derivatives, and acridine derivatives such as 9-phenylacridine and 1,7- (9,9'-acridinyl) heptane.
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부이어도 되고, 1~7질량부이어도 되고, 2~6질량부이어도 되고, 3~5질량부이어도 된다. (C)성분의 함유량이 0.1질량부 이상이면, 감도, 및 레지스터 패턴의 해상도 및 밀착성이 향상되는 경향이 있다. (C)성분의 함유량이 10질량부 이하이면, 양호한 레지스터 패턴 형상을 얻기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the component (C) in the photosensitive resin composition may be from 0.1 to 10 parts by mass, preferably from 1 to 7 parts by mass, more preferably from 2 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) 6 parts by mass, and may be 3 to 5 parts by mass. When the content of the component (C) is 0.1 parts by mass or more, the sensitivity and the resolution and adhesion of the resistor pattern tend to be improved. When the content of the component (C) is 10 parts by mass or less, a good resist pattern shape tends to be easily obtained.
(D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물 (D) Component: The styrylpyridine compound represented by the formula (1)
상기 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, 하기 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물의 적어도 1종을 함유한다. (D)성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The photosensitive resin composition contains, as the component (D), at least one styrylpyridine compound represented by the following formula (1). The component (D) may be used singly or in combination of two or more kinds.
식(1) 중, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립하여, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~6의 알킬에스테르기, 아미노기, 탄소수 1~20의 알킬아미노기, 카복시기, 시아노기, 니트로기, 아세틸기, 또는 (메타)아크릴로일기를 나타내고, a, b, 및 c는, 각각 독립하여, 0~5의 정수를 나타낸다. 다만, a가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R1은 각각 동일해도 상이해도 되고, b가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R2는 각각 동일해도 상이해도 되며, c가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 R3은 각각 동일해도 상이해도 된다. In formula (1), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl ester group having 1 to 6 carbon atoms, A, b, and c each independently represent an integer of 0 to 5, provided that at least one of R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, When a is 2 or more, plural R 1 s may be the same or different. When b is 2 or more, plural R 2 s may be the same or different from each other. When c is 2 or more, 3 may be the same or different from each other.
또한, 알킬에스테르기의 탄소수는, 알킬 부분의 탄소수를 의미한다.The carbon number of the alkyl ester group means the carbon number of the alkyl portion.
감도를 보다 향상시킬 수 있는 관점에서, 식(1) 중, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립하여, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~6의 알킬에스테르기, 아미노기, 또는 탄소수 1~20의 알킬아미노기여도 된다. (1), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an amino group, or an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms.
또한, a, b, 및 c는, 각각 독립하여, 0~5의 정수를 나타내고, 0~3의 정수가 바람직하고, 0~2의 정수가 보다 바람직하다.Each of a, b, and c independently represents an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2.
식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물로서는, 예를 들면, 3,5-디벤질리덴디시클로펜타노[b,e]-4-페닐피리딘, 3,5-비스(4-메틸벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-메틸페닐)피리딘, 3,5-비스(4-메톡시벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-메톡시페닐)피리딘, 3,5-비스(4-아미노벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-아미노페닐)피리딘, 3,5-비스(4-디메틸아미노벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-디메틸아미노페닐)피리딘, 3,5-비스(4-카복시벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-카복시기페닐)피리딘, 3,5-비스(4-아세틸벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-아세틸페닐)피리딘, 3,5-비스(4-시아노벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-시아노페닐)피리딘, 3,5-비스(4-니트로벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-니트로페닐)피리딘, 3,5-비스(4-아크릴로일벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-아크릴로일페닐)피리딘, 3,5-비스(4-(메톡시카보닐)벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(4-(메톡시카보닐)페닐)피리딘, 및 3,5-비스(2,4-디메톡시벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(2,4-디메톡시페닐)피리딘을 들 수 있다.Examples of the styrylpyridine compound represented by the formula (1) include 3,5-dibenzylidene dicyclopentano [b, e] -4-phenylpyridine, 3,5-bis (4-methylbenzylidene) (4-methoxybenzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (4-methoxybenzylidene) cyclopentano [b, e] (4-aminophenyl) pyridine, 3,5-bis (4-aminobenzylidene dicyclopentano [b, e]) -4- (4-carboxybenzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (4-dimethylaminophenyl) pyridine, ), 4- (4-acetylphenyl) pyridine, 3,5-bis (4-cyanobenzylidene dicyclopentano [b, (4-nitrophenyl) pyridine, 3,5-bis (4-nitrobenzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (4-cyanophenyl) (4-acryloylbenzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (4-acryloylphenyl) (Methoxycarbonyl) benzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (4- (methoxycarbonyl) phenyl) pyridine and 3,5 -Bis (2,4-dimethoxybenzylidene dicyclopentano [b, e]) - 4- (2,4-dimethoxyphenyl) pyridine.
식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물은, 예를 들면, 벤즈알데히드 유도체, 환상 알킬케톤, 및 아세트산암모늄의 축합 반응에 의해 합성할 수 있다.The styrylpyridine compound represented by the formula (1) can be synthesized by, for example, a condensation reaction of a benzaldehyde derivative, a cyclic alkyl ketone, and ammonium acetate.
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 (D)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01~10질량부이어도 되고, 0.05~5질량부이어도 되고, 0.08~3질량부이어도 된다. (D)성분의 함유량이 0.01질량부 이상이면, 감도 및 레지스터 패턴의 해상도가 향상되고, 또한, 약액 내성이 뛰어난 레지스터 패턴을 얻기 쉬워지는 경향이 있다. (D)성분의 함유량이 10질량부 이하이면, 양호한 레지스터 패턴 형상을 얻기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the component (D) in the photosensitive resin composition may be from 0.01 to 10 parts by mass, preferably from 0.05 to 5 parts by mass, more preferably from 0.08 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) 3 parts by mass. When the content of the component (D) is 0.01 parts by mass or more, the sensitivity and the resolution of the resist pattern are improved, and a resist pattern excellent in chemical resistance tends to be easily obtained. When the content of the component (D) is 10 parts by mass or less, a good resist pattern shape tends to be easily obtained.
(E)성분:아민 화합물 (E) Component: Amine compound
상기 감광성 수지 조성물은, (E)성분으로서, 아민 화합물의 적어도 1종을 함유하고 있어도 된다. 아민 화합물로서는, 비스[4-(디메틸아미노)페닐]메탄, 비스[4-(디에틸아미노)페닐]메탄, 로이코 크리스탈 바이올렛 등을 들 수 있다. 이들 아민 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The photosensitive resin composition may contain at least one amine compound as the component (E). Examples of the amine compound include bis [4- (dimethylamino) phenyl] methane, bis [4- (diethylamino) phenyl] methane, and leuco crystal violet. These amine compounds may be used singly or in combination of two or more kinds.
상기 감광성 수지 조성물이 (E)성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01~10질량부이어도 되고, 0.05~5질량부이어도 되고, 0.1~2질량부이어도 된다. (E)성분의 함유량이 0.01질량부 이상이면, 충분한 감도를 얻기 쉬워지는 경향이 있다. (E)성분의 함유량이 10질량부 이하이면, 감광층의 형성 후에, 과잉인 (E)성분이 이물(異物)로서 석출되는 것이 억제되는 경향이 있다.When the photosensitive resin composition contains the component (E), the content thereof may be 0.01 to 10 parts by mass, preferably 0.05 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B) , And 0.1 to 2 parts by mass. When the content of the component (E) is 0.01 part by mass or more, sufficient sensitivity tends to be easily obtained. If the content of the component (E) is 10 parts by mass or less, excess component (E) tends to be suppressed from being precipitated as a foreign matter after the formation of the photosensitive layer.
(다른 성분) (Other components)
상기 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 분자내에 적어도 1개의 양이온 중합 가능한 환상(環狀) 에테르기를 가지는 광중합성 화합물(옥세탄 화합물 등), 양이온 중합 개시제, (D)성분 이외의 다른 증감 색소, 마라카이트 그린, 빅토리아 퓨어 블루, 브릴리언트 그린, 메틸 바이올렛 등의 염료, 트리브로모페닐설폰, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, 2-클로로아닐린 등의 광발색제, 발열색방지제, 4-톨루엔설폰아미드 등의 가소제, 안료, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리 촉진제, 산화 방지제, 향료, 이미징제, 열가교제 등의 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 이들 다른 성분은, 각각의 성분에 대하여, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The photosensitive resin composition may contain, if necessary, a photopolymerizable compound (e.g., oxetane compound) having at least one cation polymerizable cationic polymerizable group in the molecule, a cationic polymerization initiator, a sensitizing dye other than the component (D) Dyes such as malachite green, victoria pure blue, brilliant green and methyl violet, photo-coloring agents such as tribromophenylsulfone, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline and 2-chloroaniline, , And other components such as a plasticizer such as 4-toluenesulfonamide, a pigment, a filler, a defoaming agent, a flame retardant, a stabilizer, an adhesion promoter, a leveling agent, a peel accelerator, an antioxidant, a perfume, an imaging agent and a thermal crosslinking agent. These other components may be used singly or in combination of two or more kinds for each component.
상기 감광성 수지 조성물이 이들 다른 성분을 함유하는 경우, 이들 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 각각 0.01~20질량부 정도이어도 된다.When the photosensitive resin composition contains these other components, the content thereof may be about 0.01 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B).
[감광성 수지 조성물의 용액] [Solution of photosensitive resin composition]
상기 감광성 수지 조성물은, 유기 용제의 적어도 1종을 더욱 함유하고 있어도 된다. 유기 용제로서는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올 용제;아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용제;메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르 용제;톨루엔 등의 방향족 탄화수소 용제;N,N-디메틸폼아미드 등의 비(非)프로톤성 극성 용제 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 감광성 수지 조성물에 포함되는 유기 용제의 함유량은 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 유기 용제를 함유시켜 고형분이 30~60질량% 정도인 용액으로서 사용할 수 있다. 이하, 유기 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 「도포액」이라고도 한다.The photosensitive resin composition may further contain at least one organic solvent. Examples of the organic solvent include alcohol solvents such as methanol and ethanol; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; glycol ether solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve and propylene glycol monomethyl ether; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene; And non-protonic polar solvents such as N, N-dimethylformamide. These organic solvents may be used singly or in combination of two or more kinds. The content of the organic solvent contained in the photosensitive resin composition may be appropriately selected depending on the purpose and the like. For example, an organic solvent may be contained in the photosensitive resin composition to be used as a solution having a solid content of about 30 to 60% by mass. Hereinafter, the photosensitive resin composition containing an organic solvent is also referred to as " coating liquid ".
상기 도포액을, 후술하는 지지체, 금속판 등의 표면 상에 도포하여, 건조시킴으로써, 상기 감광성 수지 조성물의 도막인 감광층을 형성할 수 있다. 금속판으로서는 특별히 제한되지 않으며, 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철, 스텐레스 등의 철계 합금 등의 금속판을 들 수 있다. 금속판으로서, 바람직하게는 구리, 구리계 합금, 철계 합금 등의 금속판을 들 수 있다.The above-mentioned coating liquid is applied on the surface of a support, a metal plate or the like to be described later, and dried, whereby a photosensitive layer which is a coating film of the photosensitive resin composition can be formed. The metal plate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose and the like. Examples of the metal plate include copper, a copper-based alloy, and a metal plate such as an iron-based alloy such as nickel, chromium, iron, and stainless steel. As the metal plate, a metal plate such as copper, a copper-based alloy, or an iron-based alloy is preferable.
형성되는 감광층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 그 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 건조 후의 두께로 1~100㎛ 정도이어도 된다. 금속판 상에 감광층을 형성한 경우, 감광층의 표면을, 보호층으로 피복해도 된다. 보호층으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름 등을 들 수 있다.The thickness of the photosensitive layer to be formed is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the application. For example, the thickness after drying may be about 1 to 100 mu m. When a photosensitive layer is formed on a metal plate, the surface of the photosensitive layer may be covered with a protective layer. Examples of the protective layer include polymer films such as polyethylene and polypropylene.
상기 감광성 수지 조성물은, 후술하는 감광성 엘리먼트의 감광층의 형성에 적용할 수 있다. 즉, 본 개시(開示)의 다른 실시형태는, (A)성분:(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, (B)성분:EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과, (C)성분:광중합 개시제와, (D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물의 감광성 엘리먼트에의 응용이다. The above photosensitive resin composition can be applied to the formation of a photosensitive layer of a photosensitive element described later. That is, another embodiment of the present disclosure is a positive resist composition comprising: (A) a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid; and (B) a bisphenol A type having a structural unit number of EO groups of less than 6 (Meth) acrylate, a component (C): a photopolymerization initiator, and a component (D): a photosensitive resin composition containing a styrylpyridine compound represented by the formula (1) to be.
또한, 상기 감광성 수지 조성물은, 후술하는 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 사용할 수 있다. 즉, 본 개시의 다른 실시형태는, (A)성분:(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, (B)성분:EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과, (C)성분:광중합 개시제와, (D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물의 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에의 응용이다.The above photosensitive resin composition can be used in a method of manufacturing a substrate with a resistor pattern, which will be described later. That is, another embodiment of the present disclosure relates to a resin composition comprising (A) a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid, (B) a bisphenol A- A method for producing a substrate with a resist pattern of a photosensitive resin composition containing a photopolymerizable compound containing an acrylate, a component (C): a photopolymerization initiator, and a component (D): a styrylpyridine compound represented by the formula (1) .
<감광성 엘리먼트> <Photosensitive element>
본 실시형태의 감광성 엘리먼트는, 지지체와, 그 지지체 상에 설치된 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비한다. 또한, 감광층은, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 도막이며, 상기 감광성 수지 조성물이 미경화 상태의 것이다. 감광성 엘리먼트는, 필요에 따라 보호층 등의 그 밖의 층을 가지고 있어도 된다.The photosensitive element of this embodiment includes a support and a photosensitive layer formed using the photosensitive resin composition provided on the support. The photosensitive layer is a coating film formed using the photosensitive resin composition, and the photosensitive resin composition is in an uncured state. The photosensitive element may have other layers such as a protective layer, if necessary.
도 1에, 감광성 엘리먼트의 일례를 나타낸다. 도 1에 나타내는 감광성 엘리먼트(1)에서는, 지지체(2), 감광층(3), 및 보호층(4)이 이 순서로 적층되어 있다. 감광성 엘리먼트(1)은, 예를 들면, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 지지체(2) 상에, 유기 용제를 함유하는 상기 감광성 수지 조성물인 도포액을 도포하여 도포층을 형성하고, 이것을 건조함으로써 감광층(3)을 형성한다. 이어서, 감광층(3)의 지지체(2)와는 반대측의 면을 보호층(4)으로 피복함으로써, 지지체(2)와, 지지체(2) 상에 형성된 감광층(3)과, 감광층(3) 상에 적층된 보호층(4)을 구비하는 감광성 엘리먼트(1)를 얻을 수 있다. 감광성 엘리먼트(1)는, 보호층(4)을 반드시 구비하지 않아도 된다.Fig. 1 shows an example of a photosensitive element. In the photosensitive element 1 shown in Fig. 1, the support 2, the photosensitive layer 3, and the protective layer 4 are laminated in this order. The photosensitive element 1 can be obtained, for example, as follows. A coating liquid as the photosensitive resin composition containing an organic solvent is applied on the support 2 to form a coating layer and the photosensitive layer 3 is formed by drying the coating layer. The surface of the photosensitive layer 3 opposite to the surface of the support 2 is covered with the protective layer 4 to form the support 2, the photosensitive layer 3 formed on the support 2, and the photosensitive layer 3 The photosensitive element 1 having the protective layer 4 laminated on the photosensitive element 1 can be obtained. The photosensitive element 1 does not necessarily have to be provided with the protective layer 4.
지지체(2)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 사용할 수 있다.As the support 2, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyester such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene and the like can be used.
지지체(2)의 두께는, 1~100㎛이어도 되고, 5~50㎛이어도 되고, 5~30㎛이어도 된다.지지체(2)의 두께가 1㎛ 이상이면, 지지체(2)를 박리 할 때에 지지체(2)가 찢어지는 것이 억제되는 경향이 있다. 또한, 지지체(2)의 두께가 100㎛ 이하이면, 해상도의 저하가 억제되는 경향이 있다.The thickness of the support 2 may be 1 to 100 탆 or 5 to 50 탆 or 5 to 30 탆. When the thickness of the support 2 is 1 탆 or more, when the support 2 is peeled off, Tearing of the base material 2 tends to be suppressed. If the thickness of the support 2 is 100 m or less, the decrease in resolution tends to be suppressed.
보호층(4)으로서는, 감광층(3)의 보호층(4)에 대한 접착력이, 감광층(3)의 지지체(2)에 대한 접착력보다 작아지는 것이 바람직하다. 또한, 저(低)피쉬아이(fish eye)의 필름이 바람직하다. 여기서, 「피쉬아이」란, 재료를 열용융하고, 혼련, 압출, 2축연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물(異物), 미용해물, 산화 열화물 등이 필름 중에 취입된 것을 의미한다. 즉, 「저피쉬아이」란, 필름 중의 상기 이물 등이 적은 것을 의미한다.It is preferable that the adhesive force of the photosensitive layer 3 to the protective layer 4 becomes smaller than the adhesive force of the photosensitive layer 3 to the support 2 as the protective layer 4. Also, a film of a low fish eye is preferred. Here, the term "fish eye" refers to a phenomenon in which when a material is thermally melted and a film is produced by kneading, extruding, biaxial stretching, casting or the like, foreign matter, unsalted material, . That is, the term " low fish eye " means that the foreign matter or the like in the film is small.
구체적으로, 보호층(4)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 사용할 수 있다. 시판되는 것으로서는, 오지세이시 주식회사제의 아르판 MA-410, E-200, 신에츠필름 주식회사제의 폴리프로필렌 필름, 데이진 주식회사제의 PS-25 등의 PS시리즈의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등을 들 수 있다. 또한, 보호층(4)은 지지체(2)와 동일한 것이어도 된다.Specifically, as the protective layer 4, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyester such as polyethylene terephthalate, polyolefin such as polypropylene and polyethylene, and the like can be used. Commercially available ones include ARPAN MA-410, E-200 manufactured by Oji Seishi Co., Ltd., polypropylene film manufactured by Shin-Etsu Film Co., Ltd., and PS series polyethylene terephthalate film such as PS- have. The protective layer 4 may be the same as the support 2.
보호층(4)의 두께는, 1~100㎛이어도 되고, 5~50㎛이어도 되고, 5~30㎛이어도 되고, 15~30㎛이어도 된다. 보호층(4)의 두께가 1㎛ 이상이면, 보호층(4)을 벗기면서, 감광층(3) 및 지지체(2)를 기판 상에 라미네이트할 때, 보호층(4)이 찢어지는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다. 보호층(4)의 두께가 100㎛ 이하이면, 취급성 및 염가성이 뛰어난 경향이 있다.The thickness of the protective layer 4 may be 1 to 100 탆, 5 to 50 탆, 5 to 30 탆, or 15 to 30 탆. When the thickness of the protective layer 4 is 1 탆 or more, the protection layer 4 is prevented from being torn when the photosensitive layer 3 and the support 2 are laminated on the substrate while peeling off the protective layer 4 There is a tendency to be able to do. If the thickness of the protective layer 4 is 100 탆 or less, handling and cheapness tend to be excellent.
상기 감광성 엘리먼트는, 구체적으로는 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 상기 (A)성분:바인더 폴리머, 상기 (B)성분:광중합성 화합물, 상기 (C)성분:광중합 개시제, 및 상기 (D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 상기 유기 용제에 용해한 도포액을 준비하는 공정과, 상기 도포액을 지지체(2) 상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과, 상기 도포층을 건조하여 감광층(3)을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법으로 감광성 엘리먼트를 제조할 수 있다.Specifically, the photosensitive element can be manufactured, for example, as follows. Wherein the component (A) is a binder polymer, the component (B) is a photopolymerizable compound, the component (C) is a photopolymerization initiator, and the component (D) is a styrylpyridine compound represented by the formula (2), forming a coating layer, and drying the coating layer to form a photosensitive layer (3), wherein the coating layer is formed on the support The photosensitive element can be manufactured.
도포액의 지지체(2) 상에의 도포는, 롤 코트, 콤마 코트, 그라비아 코트, 에어 나이프 코트, 다이 코트, 바 코트 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.The application of the coating liquid onto the support 2 can be carried out by a known method such as roll coating, comma coating, gravure coating, air knife coating, die coating, bar coating and the like.
도포층의 건조는, 도포층으로부터 유기 용제의 적어도 일부를 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없다. 도포층의 건조는, 70~150℃에서, 5~30분간 정도 실시하는 것이 바람직하다. 건조 후, 감광층(3) 중의 잔존 유기 용제량은, 후 공정에서의 유기 용제의 확산을 방지하는 관점에서, 2질량% 이하이어도 된다.The drying of the coating layer is not particularly limited as long as at least a part of the organic solvent can be removed from the coating layer. The coating layer is preferably dried at 70 to 150 DEG C for about 5 to 30 minutes. The amount of residual organic solvent in the photosensitive layer 3 after drying may be 2% by mass or less from the viewpoint of preventing the diffusion of the organic solvent in the subsequent step.
감광성 엘리먼트에 있어서의 감광층(3)의 두께는, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 감광층(3)의 건조 후의 두께는, 1~100㎛이어도 되고, 1~50㎛이어도 되고, 5~40㎛이어도 된다. 감광층(3)의 두께가 1㎛ 이상임으로써, 공업적인 도공이 용이하게 되는 경향이 있다. 감광층(3)의 두께가 100㎛ 이하이면, 레지스터 패턴의 밀착성 및 해상도를 충분히 얻을 수 있는 경향이 있다.The thickness of the photosensitive layer 3 in the photosensitive element can be appropriately selected depending on the application. The thickness of the photosensitive layer 3 after drying may be 1 to 100 탆, 1 to 50 탆, or 5 to 40 탆. When the thickness of the photosensitive layer 3 is 1 占 퐉 or more, industrial coating tends to be facilitated. If the thickness of the photosensitive layer 3 is 100 m or less, the adhesion of the resist pattern and resolution tends to be sufficiently obtained.
감광층(3)의 자외선에 대한 투과율은, 파장 350~420nm의 범위의 자외선에 대하여, 5~75%이어도 되고, 10~65%이어도 되고, 15~55%이어도 된다. 이 투과율이 5% 이상이면, 레지스터 패턴의 밀착성을 충분히 얻을 수 있는 경향이 있다. 이 투과율이 75% 이하이면, 레지스터 패턴의 해상도를 충분히 얻을 수 있는 경향이 있다. 또한, 상기 투과율은, 자외선 분광계에 의해 측정할 수 있다. 자외선 분광계로서는, (주)히타치세이사쿠쇼제의 228A형 W빔 분광 광도계를 들 수 있다.The transmittance of the photosensitive layer 3 with respect to ultraviolet rays may be 5 to 75%, 10 to 65%, or 15 to 55% with respect to ultraviolet rays having a wavelength of 350 to 420 nm. If the transmittance is 5% or more, adhesion of the resistor pattern tends to be sufficiently obtained. When the transmittance is 75% or less, resolution of the resistor pattern tends to be sufficiently obtained. The transmittance can be measured by an ultraviolet spectrometer. As the ultraviolet spectrometer, a 228A type W-beam spectrophotometer of Hitachi, Ltd. is available.
상기 감광성 엘리먼트는, 쿠션층, 접착층, 광흡수층, 가스 배리어(gas barrier)층 등의 중간층 등을 더 가지고 있어도 된다. 이들 중간층으로서는, 예를 들면, 일본특허공개 특개2006-098982호 공보에 기재된 중간층을 본 실시형태에서도 적용할 수 있다.The photosensitive element may further include an intermediate layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorbing layer, a gas barrier layer, or the like. As the intermediate layer, for example, the intermediate layer described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-098982 can be applied to this embodiment.
얻어진 감광성 엘리먼트의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 감광성 엘리먼트는, 예를 들면, 시트상(狀)이어도 되고, 권심(卷芯)에 롤상(狀)으로 권취한 형상이어도 된다. 롤상으로 권취한 경우, 지지체(2)가 외측이 되도록 권취하는 것이 바람직하다. 권심으로서는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 롤상의 감광성 엘리먼트 롤의 단면(端面)에는, 단면 보호의 견지에서 단면 세퍼레이터(separator)를 설치하는 것이 바람직하고, 내(耐)엣지퓨전(edge fusion)의 견지에서 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 곤포(梱包) 방법으로서는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.The shape of the obtained photosensitive element is not particularly limited. The photosensitive element may be, for example, a sheet-like element or a roll-wound form on a core. In the case of winding in the roll, it is preferable to wind the support 2 so as to be on the outer side. Examples of the core include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer). It is preferable that a cross-section separator is provided on the end face of the roll-shaped photosensitive element roll obtained in this way from the standpoint of protection of the cross section, and a cross section of the moisture-proof cross section separator in terms of edge- It is desirable to install it. As a packaging method, it is preferable to wrap the package in a wrapped black sheet having low moisture permeability.
상기 감광성 엘리먼트는, 예를 들면, 후술하는 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다.The photosensitive element can be suitably used, for example, in a manufacturing method of a substrate with a resistor pattern, which will be described later.
<레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법> ≪ Method of manufacturing substrate with resist pattern &
상기 감광성 수지 조성물을 사용하여, 레지스터 패턴 부착 기판을 제조할 수 있다. 본 실시형태의 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법은, (i) 기판 상에, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 형성하는 공정(감광층 형성 공정)과, (ii) 상기 감광층의 적어도 일부의 영역에 활성 광선을 조사하여, 상기 영역을 광경화시켜 경화물 영역을 형성하는 공정(노광 공정)과, (iii) 상기 감광층의 상기 경화물 영역 이외의 적어도 일부를 상기 기판 상으로부터 제거하여, 상기 기판 상에 레지스터 패턴을 형성하는 공정(현상 공정)을 가진다. 상기 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법은, 필요에 따라 그 밖의 공정을 더 가지고 있어도 된다.Using the above photosensitive resin composition, a resist pattern-attached substrate can be produced. (I) a step of forming a photosensitive layer using the photosensitive resin composition (a photosensitive layer forming step) on a substrate, and (ii) a step of forming a photosensitive layer (Iii) a step of removing at least a part of the photosensitive layer other than the hardened area from the substrate by irradiating an active ray to a part of the area to form a hardened area by photocuring the area; And a step of forming a resist pattern on the substrate (developing step). The method for manufacturing a resist pattern-attached substrate may further include other steps as necessary.
(i) 감광층 형성 공정 (i) Photosensitive layer forming step
우선, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광층(3)을 기판 상에 형성한다. 기판으로서는, 예를 들면, 절연층과 그 절연층 상에 형성된 도체층을 구비하는 기판(회로 형성용 기판)을 사용할 수 있다. 절연층으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시재를 들 수 있다. 도체층으로서는, 예를 들면, 구리박을 들 수 있다.First, the photosensitive layer 3 is formed on the substrate using the above photosensitive resin composition. As the substrate, for example, a substrate (circuit formation substrate) having an insulating layer and a conductor layer formed on the insulating layer can be used. As the insulating layer, for example, a glass epoxy material can be cited. The conductor layer may be, for example, copper foil.
감광층(3)의 기판 상에의 형성은, 예를 들면, 상기 감광성 엘리먼트가 보호층(4)을 가지고 있는 경우에는, 보호층(4)을 제거한 후, 감광성 엘리먼트의 감광층(3)을 가열하면서 상기 기판에 압착함으로써 실시된다. 이에 의해, 기판과 감광층(3)과 지지체(2)가 이 순서로 적층된 적층체를 얻을 수 있다.The formation of the photosensitive layer 3 on the substrate can be carried out, for example, when the photosensitive element has the protective layer 4, after removing the protective layer 4, the photosensitive layer 3 of the photosensitive element And pressing it onto the substrate while heating. Thereby, a laminate in which the substrate, the photosensitive layer 3, and the support 2 are laminated in this order can be obtained.
이 감광층 형성 공정은, 밀착성 및 추종성의 견지에서, 감압하에서 실시하는 것이 바람직하다. 압착할 때의 감광층(3) 및 기판의 적어도 한쪽에 대한 가열은, 70~130℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하고, 0.1~1.0MPa 정도(1~10kgf/cm2 정도)의 압력으로 압착하는 것이 바람직하다. 이들 조건은 특별히 제한되지 않으며, 필요에 따라 적절히 선택된다. 또한, 감광층(3)을 70~130℃로 가열하면, 기판을 예열 처리하여 두지 않아도 된다. 기판을 예열 처리함으로써 밀착성 및 추종성을 더 향상시킬 수 있다.The photosensitive layer forming step is preferably carried out under a reduced pressure in view of adhesion and followability. Heating for at least one of the photosensitive layer 3 and the substrate at the time of pressing is preferably performed at a temperature of 70 ~ 130 ℃ and, 0.1 ~ 1.0MPa approximately (1 ~ 10kgf / cm 2 or so) pressing at a pressure of . These conditions are not particularly limited, and are appropriately selected as needed. When the photosensitive layer 3 is heated to 70 to 130 캜, the substrate may not be preheated. The substrate can be preheated to further improve adhesion and followability.
(ii) 노광 공정 (ii) exposure step
노광 공정에서는, 상기와 같이 하여 기판 상에 형성된 감광층(3)의 적어도 일부의 영역에 활성 광선을 조사함으로써, 활성 광선이 조사된 노광부가 광경화되어, 잠상(潛像)이 형성된다. 이 때, 감광층(3) 상에 존재하는 지지체(2)가 활성 광선에 대하여 투명한 경우에는, 지지체(2)를 통해 활성 광선을 조사할 수 있다. 한편, 지지체(2)가 활성 광선에 대하여 차광성을 나타내는 경우에는, 지지체(2)를 제거한 후에 감광층(3)에 활성 광선을 조사한다.In the exposure step, by irradiating actinic light to at least a part of the region of the photosensitive layer 3 formed on the substrate as described above, the exposed portion irradiated with the actinic light ray is photo-cured to form a latent image. At this time, when the support 2 present on the photosensitive layer 3 is transparent to the active ray, it is possible to irradiate the active ray through the support 2. On the other hand, when the support 2 exhibits light shielding property against the actinic ray, the photosensitive layer 3 is irradiated with an actinic ray after the support 2 is removed.
노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)라고 불리는 네가티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통해 활성 광선을 화상상(畵像狀)으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 또한, LDI(Laser direct Imaging) 노광법, DLP(Digital Light Processing) 노광법 등의 직접 묘화 노광법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.As an exposure method, there is a method (mask exposure method) of irradiating an active ray in the form of a picture image through a negative or positive mask pattern called an artwork. Further, a method of irradiating an active ray on an image plane by a direct imaging exposure method such as LDI (Laser Direct Imaging) exposure method or DLP (Digital Light Processing) exposure method may be employed.
활성 광선의 광원으로서는 특별히 제한되지 않으며, 공지의 광원을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 고압 수은등, 크세논 램프, 아르곤 레이저 등의 가스 레이저, YAG 레이저 등의 고체 레이저, 반도체 레이저, 질화 갈륨계 청자색 레이저 등의 자외선, 가시광선 등을 유효하게 방사하는 것이 사용된다.The light source of the active light ray is not particularly limited, and a known light source can be used. Concretely, a gas laser such as a carbon arc, a mercury vapor arc, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, an argon laser, a solid laser such as a YAG laser, a semiconductor laser, a ultraviolet ray such as a gallium nitride blue- Is used.
활성 광선의 파장(노광 파장)은, 340~430nm의 범위 내이어도 되고, 350~420nm의 범위 내이어도 된다. 활성 광선의 파장을 340~430nm의 범위 내로 함으로써, 약액 내성이 뛰어난 레지스터 패턴을 뛰어난 감도로 보다 효율적으로 형성할 수 있는 경향이 있다.The wavelength (exposure wavelength) of the active light ray may be in the range of 340 to 430 nm, or in the range of 350 to 420 nm. By setting the wavelength of the active light ray within the range of 340 to 430 nm, it is possible to form the resist pattern with excellent chemical resistance more efficiently with excellent sensitivity.
(iii) 현상 공정 (iii) development process
현상 공정에서는, 상기 감광층(3)의 미경화 부분이 기판 상으로부터 현상 처리에 의해 제거됨으로써, 감광층(3)이 광경화된 경화물인 레지스터 패턴이 기판 상에 형성된다. 감광층(3) 상에 지지체(2)가 존재하고 있는 경우에는, 지지체(2)를 제거하고 나서, 미노광 부분의 제거(현상)를 실시한다. 현상 처리에는, 웨트 현상과 드라이 현상이 있지만, 웨트 현상이 널리 사용되고 있다.In the developing step, the uncured portion of the photosensitive layer 3 is removed from the substrate by the developing process, so that a resist pattern, which is a cured product of the photosensitive layer 3, is formed on the substrate. When the support 2 is present on the photosensitive layer 3, the support 2 is removed and then the unexposed portion is removed (developed). In the developing process, wet phenomenon and dry phenomenon occur, but wet phenomenon is widely used.
웨트 현상에 의한 경우, 감광성 수지 조성물에 대응한 현상액을 사용하여, 공지의 현상 방법에 의해 현상 한다. 현상 방법으로서는, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬래핑, 스크래핑, 요동 침지(搖動 浸漬) 등을 사용한 방법을 들 수 있고, 해상도 향상의 관점에서는, 고압 스프레이 방식이 가장 적합하다. 이들 2종 이상의 방법을 조합하여 현상을 실시해도 된다.In the case of the wet phenomenon, development is carried out by a known developing method using a developer corresponding to the photosensitive resin composition. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spraying method, a brushing method, a slapping method, a scraping method and a method using a dipping immersion method. From the viewpoint of resolution improvement, a high pressure spraying method is most suitable. These two or more methods may be combined to perform development.
현상액은 상기 감광성 수지 조성물의 구성에 따라 적절히 선택된다. 현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 유기 용제 현상액 등을 들 수 있다.The developing solution is appropriately selected depending on the constitution of the photosensitive resin composition. Examples of the developer include an alkaline aqueous solution and an organic solvent developer.
알칼리성 수용액은, 현상액으로서 사용되는 경우, 안전 또는 안정하고, 조작성이 양호하다. 알칼리성 수용액의 염기로서는, 리튬, 나트륨, 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화알칼리;리튬, 나트륨, 칼륨, 혹은 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산알칼리;인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속 인산염;피로인산나트륨, 피로인산칼륨 등의 알칼리 금속 피로인산염, 붕사 (硼砂)(사붕산나트륨), 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노-2-프로판올, 모르폴린 등이 사용된다.When used as a developer, the alkaline aqueous solution is safe or stable, and has good operability. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkaline hydroxides such as hydroxides of lithium, sodium or potassium; alkali metal carbonates such as carbonates or bicarbonates of lithium, sodium, potassium or ammonium; alkali metal phosphates such as potassium phosphate and sodium phosphate; , Alkali metal pyrophosphate such as potassium pyrophosphate, borax (sodium borate), sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxymethyl 1,3-propanediol, 1,3-diamino-2-propanol, morpholine and the like are used.
현상에 사용되는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1~5질량% 탄산나트륨의 희박용액, 0.1~5질량% 탄산칼륨의 희박용액, 0.1~5질량% 수산화나트륨의 희박용액, 0.1~5질량% 4붕산나트륨의 희박용액 등이 바람직하다. 알칼리성 수용액의 pH는 9~11의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한 그 온도는, 감광층(3)의 알칼리 현상성에 맞춰 조절된다. 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 함유시켜도 된다.As the alkaline aqueous solution used for the development, a diluted solution of 0.1 to 5 mass% sodium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5 mass% potassium carbonate, a diluted solution of 0.1 to 5 mass% sodium hydroxide, a diluted solution of 0.1 to 5 mass% Solution or the like is preferable. The pH of the alkaline aqueous solution is preferably in the range of 9 to 11. The temperature is also adjusted in accordance with the alkali developability of the photosensitive layer 3. The alkaline aqueous solution may contain a surface active agent, a defoaming agent, and a small amount of an organic solvent for promoting development.
알칼리성 수용액은, 1종 이상의 유기 용제를 함유하고 있어도 된다. 사용되는 유기 용제로서는, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소수 1~4의 알콕시기를 가지는 알콕시에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종류 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용된다. 알칼리성 수용액이 유기 용제를 함유하는 경우, 유기 용제의 함유율은, 알칼리성 수용액의 전량을 기준으로 하여, 2~90질량%로 하는 것이 바람직하다.The alkaline aqueous solution may contain one or more organic solvents. Examples of the organic solvent include acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group of 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono Butyl ether, and the like. These may be used singly or in combination of two or more. When the alkaline aqueous solution contains an organic solvent, the content of the organic solvent is preferably 2 to 90% by mass based on the total amount of the alkaline aqueous solution.
유기 용제 현상액에 사용되는 유기 용제로서는, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸폼아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤,γ-부틸올락톤 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제에, 인화(引火) 방지를 위해, 1~20질량%의 범위에서 물을 첨가하여 유기 용제 현상액으로 하는 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent used in the organic solvent developer include organic solvents such as 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methylisobutylketone, . It is preferable to add water to these organic solvents in the range of 1 to 20% by mass for prevention of ignition, to make them organic solvent developers.
상기 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법은, 미노광 부분을 제거한 후, 필요에 따라 60~250℃의 가열 또는 0.2~10J/cm2의 에너지량에서의 노광을 실시함으로써, 레지스터 패턴을 더 경화하는 공정을 더 가지고 있어도 된다.The resist pattern-coated substrate manufacturing method may further include a step of removing the unexposed portion and then further heating the resist pattern at 60 to 250 DEG C or an energy amount of 0.2 to 10 J / cm < 2 > .
<프린트 배선판의 제조 방법> ≪ Manufacturing method of printed wiring board >
본 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은, 상기 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기판에 대하여 에칭 처리 및 도금 처리 중 적어도 한쪽의 처리를 실시하는 공정을 가진다. The method of manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment includes a step of performing at least one of an etching treatment and a plating treatment on a substrate on which a resistor pattern is formed by the manufacturing method of the substrate with a resistor pattern.
즉, 제1 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은, 상기 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기판에 대하여 에칭 처리를 실시하는 공정을 가진다. That is, the method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment has a step of etching the substrate on which the resistor pattern is formed by the method for manufacturing a resist pattern-attached substrate.
또한, 제2 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은, 상기 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 공정을 가진다. The method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment includes a step of performing a plating process on a substrate on which a resistor pattern is formed by the above method for manufacturing a resist pattern-attached substrate.
기판으로서는, 예를 들면, 절연층과, 그 절연층 상에 형성된 도체층을 구비하는 기판(회로 형성용 기판)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 프린트 배선판의 제조 방법은, 필요에 따라 레지스터 제거 공정 등의 그 밖의 공정을 가지고 있어도 된다. 기판의 에칭 처리 및 도금 처리는, 형성된 레지스터 패턴을 마스크로 하여, 기판의 도체층 등에 대하여 실시된다.As the substrate, for example, it is preferable to use a substrate (substrate for circuit formation) having an insulating layer and a conductor layer formed on the insulating layer. The method of manufacturing the printed wiring board may include other steps such as a resistor removing step if necessary. The etching treatment and the plating treatment of the substrate are carried out with respect to the conductor layer of the substrate and the like, using the formed resist pattern as a mask.
에칭 처리에서는, 기판 상에 형성된 레지스터 패턴(경화 레지스터)을 마스크로 하고, 경화 레지스터에 의해 피복되어 있지 않은 회로 형성용 기판의 도체층을 에칭 제거하여, 도체 패턴을 형성한다. 에칭 처리의 방법은, 제거해야 할 도체층에 따라 적절히 선택된다. 에칭액으로서는, 염화제2구리 수용액, 염화제2철 수용액, 알칼리 에칭 용액, 과산화수소 에칭액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에치팩터(etch factor)가 양호한 점에서, 염화제2철 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.In the etching process, a conductor pattern of a circuit formation substrate not covered with a curing resistor is removed by etching using a resist pattern (curing resistor) formed on the substrate as a mask. The method of the etching treatment is appropriately selected according to the conductor layer to be removed. Examples of the etching solution include an aqueous solution of cupric chloride, a solution of ferric chloride, an alkali etching solution, a hydrogen peroxide etching solution and the like. Among them, it is preferable to use an aqueous ferric chloride solution because of the good etch factor.
한편, 도금 처리에서는, 기판 상에 형성된 레지스터 패턴(경화 레지스터)을 마스크로 하고, 경화 레지스터에 의해 피복되어 있지 않은 회로 형성용 기판의 도체층 상에 구리, 땜납 등을 도금한다. 도금 처리 후, 경화 레지스터를 제거하고, 또한 이 경화 레지스터에 의해 피복되어 있던 도체층을 에칭 처리하여, 도체 패턴을 형성한다. 도금 처리의 방법은, 전해도금 처리이어도, 무전해도금 처리이어도 된다. 도금 처리로서는, 황산구리 도금, 피로인산구리 도금 등의 구리 도금, 하이 슬로우 땜납 도금, 와트욕(浴)(황산니켈-염화니켈) 도금, 설파민산니켈 등의 니켈 도금, 하드 금도금, 소프트 금도금 등의 금도금 등을 들 수 있다.On the other hand, in the plating process, copper, solder, or the like is plated on a conductor layer of a substrate for circuit formation which is not covered with a curing resistor, using a resistor pattern (curing resistor) formed on the substrate as a mask. After the plating process, the curing resistor is removed, and the conductor layer covered with the curing resistor is etched to form a conductor pattern. The plating treatment may be an electrolytic plating treatment or an electroless plating treatment. Examples of the plating treatment include copper plating such as copper sulfate plating, copper pyrophosphate plating, high-speed solder plating, nickel plating such as nickel sulfate plating (nickel sulfate-nickel chloride plating), nickel sulfamate plating, hard gold plating, soft gold plating Gold plating and the like.
에칭 처리 및 도금 처리 후, 기판 상의 레지스터 패턴은 제거(박리)된다. 레지스터 패턴의 제거는, 예를 들면, 현상 공정에 사용한 알칼리성 수용액보다 더 강알칼리성의 수용액을 사용하여 실시할 수 있다. 이 강알칼리성의 수용액으로서는, 1~10질량% 수산화나트륨 수용액, 1~10질량% 수산화칼륨 수용액 등이 사용된다. 그 중에서도 1~10질량% 수산화나트륨 수용액 또는 1~10질량% 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 바람직하고, 1~5질량% 수산화나트륨 수용액 또는 1~5질량% 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 강알칼리성의 수용액의 레지스터 패턴에의 부여 방식으로서는, 침지 방식, 스프레이 방식 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.After the etching treatment and the plating treatment, the resist pattern on the substrate is removed (stripped). The removal of the resistor pattern can be carried out, for example, by using a stronger alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used in the developing step. As the strongly alkaline aqueous solution, 1 to 10 mass% aqueous sodium hydroxide solution and 1 to 10 mass% potassium hydroxide aqueous solution are used. Among them, 1 to 10 mass% aqueous sodium hydroxide solution or 1 to 10 mass% potassium hydroxide aqueous solution is preferably used, and more preferably 1 to 5 mass% sodium hydroxide aqueous solution or 1 to 5 mass% potassium hydroxide aqueous solution is used . Examples of the method of applying the strongly alkaline aqueous solution to the resistor pattern include an immersion method and a spray method, and they may be used singly or in combination of two or more kinds.
도금 처리를 실시하고 나서 레지스터 패턴을 제거한 경우, 에칭 처리에 의해 경화 레지스터로 피복되어 있던 도체층을 더 제거하여, 도체 패턴을 형성함으로써 원하는 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 에칭 처리의 방법은, 제거해야 할 도체층에 따라 적절히 선택된다. 예를 들면, 상술한 에칭액을 적용할 수 있다.In the case where the resist pattern is removed after the plating process, a conductor layer covered with the curing resistor is further removed by etching to form a conductor pattern, whereby a desired printed wiring board can be manufactured. The method of the etching treatment is appropriately selected according to the conductor layer to be removed. For example, the above-described etching solution can be applied.
상기 프린트 배선판의 제조 방법은, 단층 프린트 배선판 뿐만 아니라 다층 프린트 배선판의 제조에도 적용 가능하고, 또한 소경(小徑) 스루홀(throughhole)을 가지는 프린트 배선판 등의 제조에도 적용 가능하다.The above-described method for producing a printed wiring board can be applied not only to a single-layer printed wiring board but also to a multilayer printed wiring board, and also to a printed wiring board having a small-diameter through hole.
상기 감광성 수지 조성물은, 프린트 배선판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 적합한 실시형태의 하나는, (A)성분:(메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, (B)성분:EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과, (C)성분:광중합 개시제와, (D)성분:식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물의 프린트 배선판의 제조에의 응용이다. The above photosensitive resin composition can be suitably used for producing a printed wiring board. That is, one of the suitable embodiments is a resin composition comprising: (A) a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid and (B) a bisphenol A di (meth) acrylate having a structural unit number of EO groups of less than 6 (C) component: a photopolymerization initiator; and (D): a styrylpyridine compound represented by the formula (1) in the production of a printed wiring board.
또한, 보다 적합한 실시형태는, 상기 감광성 수지 조성물의 고밀도 패키지 기판의 제조에의 응용이며, 상기 감광성 수지 조성물의 세미 애더티브 공법에의 응용이다. 이하에, 세미 애더티브 공법에 의한 배선판의 제조 공정의 일례에 관하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2에 있어서의 부재의 크기는 개념적인 것이며, 부재 사이의 크기의 상대적인 관계는 이것에 한정되지 않는다.Further, a more preferable embodiment is an application to the production of a high-density package substrate of the photosensitive resin composition and application to the semi-adhesive method of the photosensitive resin composition. Hereinafter, an example of a manufacturing process of a wiring board by the semi-insulating method will be described with reference to FIG. The size of the member in Fig. 2 is conceptual, and the relative relationship between the sizes of the members is not limited to this.
도 2(a)에서는, 절연층(15) 상에 도체층(10)이 형성된 기판(회로 형성용 기판)을 준비한다. 도체층(10)은, 예를 들면, 금속 구리층이다. 도 2(b)에서는, 상기 감광층 형성 공정에 의해, 기판의 도체층(10) 상에 감광층(32)을 형성한다. 도 2(c)에서는, 감광층(32) 상에 마스크(20)를 배치하고, 상기 노광 공정에 의해, 활성 광선(50)을 감광층(32)에 조사하고, 마스크(20)가 배치된 영역 이외의 영역을 노광하여, 감광층(32)에 광경화부를 형성한다. 도 2(d)에서는, 감광층(32)에 있어서, 광경화부 이외의 영역을 현상 공정에 의해 기판 상으로부터 제거함으로써, 기판 상에 광경화부인 레지스터 패턴(30)을 형성한다. 도 2(e)에서는, 광경화부인 레지스터 패턴(30)을 마스크로 한 도금 처리에 의해, 도체층(10) 상에 도금층(42)을 형성한다. 도 2(f)에서는, 광경화부인 레지스터 패턴(30)을 강알칼리의 수용액에 의해 박리한 후, 플래시 에칭 처리에 의해, 도금층(42)의 일부와 레지스터 패턴(30)으로 마스크되어 있던 도체층(10)을 제거하여 도체 패턴(40)을 형성한다. 도체층(10)과 도금층(42)에서는, 재질이 동일해도, 상이해도 된다. 2 (a), a substrate (circuit formation substrate) on which a
또한, 도 2에서는 마스크(20)를 사용하여 레지스터 패턴(30)을 형성하는 방법에 관하여 설명했지만, 마스크(20)를 사용하지 않고 직접 묘화 노광법에 의해 레지스터 패턴(30)을 형성해도 된다.Although the method of forming the
실시예Example
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.
(실시예 1~6 및 비교예 1~4) (Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4)
<감광성 수지 조성물의 용액의 조제> ≪ Preparation of solution of photosensitive resin composition >
표 2 및 표 3에 나타내는 각 성분을 같은 표에 나타내는 배합량(단위:g)으로, 아세톤 9g, 톨루엔 5g, 및 메탄올 5g과 혼합함으로써, 실시예 1~6 및 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다. 표 2 및 표 3에 나타내는 (A)성분의 배합량은 불휘발분의 질량(고형 분량)이다. 표 2 및 표 3에 나타내는 각 성분의 상세(詳細)에 관해서는, 이하와 같다. 또한, 「-」은 미(未)배합을 의미한다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared by mixing 9 g of acetone, 5 g of toluene and 5 g of methanol in the amounts shown in Tables 2 and 3 (unit: g) Respectively. The compounding amount of the component (A) shown in Table 2 and Table 3 is the mass (solid content) of the nonvolatile matter. Details of each component shown in Table 2 and Table 3 are as follows. In addition, " - " means an unmixed compound.
(A) 바인더 폴리머 (A) a binder polymer
[바인더 폴리머(A-1)의 합성] [Synthesis of binder polymer (A-1)] [
중합성 단량체(모노머)인 메타크릴산 81g, 스티렌 135g, 메타크릴산벤질 69g, 및 메타크릴산메틸 15g(질량비:27/45/23/5)과, 아조비스이소부티로니트릴 1.5g을 혼합하여 얻은 용액을 「용액 a」이라고 했다.81 g of methacrylic acid as a polymerizable monomer (monomer), 135 g of styrene, 69 g of benzyl methacrylate, 15 g of methyl methacrylate (mass ratio: 27/45/23/5) and 1.5 g of azobisisobutyronitrile were mixed Solution was referred to as " solution a ".
메틸셀로솔브 60g 및 톨루엔 40g의 혼합액(질량비:3:2) 100g에, 아조비스이소부티로니트릴 0.5g을 용해하여 얻은 용액을 「용액 b」이라고 했다.A solution obtained by dissolving 0.5 g of azobisisobutyronitrile in 100 g of a mixed solution of 60 g of methyl cellosolve and 40 g of toluene (mass ratio: 3: 2) was referred to as " solution b ".
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트, 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 메틸셀로솔브 180g 및 톨루엔 120g의 혼합액(질량비:3:2) 300g을 투입하고, 플라스크 내에 질소 가스를 취입하는 중에 교반하면서 가열하여, 80℃까지 승온시켰다.To a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introducing tube, 300 g of a mixed solution of 180 g of methyl cellosolve and 120 g of toluene (mass ratio: 3: 2) was charged, and nitrogen gas was introduced into the flask , And the temperature was raised to 80 캜.
플라스크 내의 상기 혼합액에, 상기 용액 a를 4시간 걸쳐 적하(滴下)한 후, 교반하면서 80℃에서 2시간 보온했다. 이어서, 플라스크 내의 용액에, 상기 용액 b를 10분간 걸쳐 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온했다. 또한, 플라스크 내의 용액을 30분간 걸쳐 90℃까지 승온시키고, 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머(A-1)의 용액을 얻었다. The solution a was added dropwise to the mixed solution in the flask over a period of 4 hours, and the solution was kept at 80 ° C for 2 hours while stirring. Subsequently, the solution b was dropped into the solution in the flask over a period of 10 minutes, and then the solution in the flask was kept at 80 DEG C for 3 hours with stirring. The solution in the flask was heated to 90 DEG C over 30 minutes, kept at 90 DEG C for 2 hours, and cooled to obtain a solution of the binder polymer (A-1).
바인더 폴리머(A-1)의 불휘발분 (고형분)은 41.5질량%이며, 중량평균분자량은 44000이며, 산가는 176mgKOH/g이며, 분산도는 2.2이었다.The nonvolatile matter (solid content) of the binder polymer (A-1) was 41.5% by mass, the weight average molecular weight was 44,000, the acid value was 176 mgKOH / g, and the dispersion degree was 2.2.
또한, 중량평균분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 도출했다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다.The weight average molecular weight was determined by gel permeation chromatography (GPC) and calculated by using a standard polystyrene calibration curve. The conditions of GPC are shown below.
GPC 조건 GPC conditions
펌프:히타치 L-6000형(주식회사 히타치세이사쿠쇼제) Pump: Hitachi L-6000 type (Hitachi SEISAKUSHO Co., Ltd.)
컬럼:이하의 계 3개, 컬럼 사양:10.7mmφ×300mm Column: Three columns below, column specification: 10.7 mmφ × 300 mm
Gelpack GL-R440 Gelpack GL-R440
Gelpack GL-R450 Gelpack GL-R450
Gelpack GL-R400M(이상, 히타치가세이 주식회사제) Gelpack GL-R400M (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
용리액:테트라히드로푸란(THF) Eluent: tetrahydrofuran (THF)
시료 농도:고형분이 40질량%인 수지 용액을 120mg 채취하고, 5mL의 THF에 용해하여 시료를 조제했다. Sample concentration: 120 mg of a resin solution having a solid content of 40% by mass was sampled and dissolved in 5 mL of THF to prepare a sample.
측정 온도:40℃ Measuring temperature: 40 ° C
주입량:200μL Injection amount: 200 μL
압력:49kgf/cm2(4.8MPa) Pressure: 49 kgf / cm 2 (4.8 MPa)
유량:2.05mL/분 Flow rate: 2.05 mL / min
검출기:히타치 L-3300형 RI(주식회사 히타치세이사쿠쇼제)Detector: Hitachi L-3300 type RI (Hitachi SEISAKUSHO Co., Ltd.)
[바인더 폴리머(A-2)의 합성] [Synthesis of binder polymer (A-2)] [
중합성 단량체(모노머)인 메타크릴산 81g, 메타크릴산2-히드록시에틸 9g, 스티렌 141g, 및 메타크릴산벤질 69g(질량비:27/3/47/23)과, 아조비스이소부티로니트릴 2.4g을 혼합하여 얻은 용액을 「용액 c」이라고 하고, 용액 a 대신에 용액 c를 사용한 것 외는, 바인더 폴리머(A-1)의 용액을 얻는 것과 동일하게 하여, 바인더 폴리머(A-2)의 용액을 얻었다. (Mass ratio: 27/3/47/23), 81 g of methacrylic acid as the polymerizable monomer (monomer), 9 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 141 g of styrene, and benzyl methacrylate (A-1) was obtained in the same manner as in the preparation of the binder polymer (A-1) except that the solution obtained by mixing 2.5 g of the binder polymer (A-1) Solution.
바인더 폴리머(A-2)의 불휘발분 (고형분 )은 41.7질량%이며, 중량평균분자량은 38000이며, 산가는 176mgKOH/g이며, 분산도는 1.8이었다.The nonvolatile matter (solid content) of the binder polymer (A-2) was 41.7% by mass, the weight average molecular weight was 38,000, the acid value was 176 mgKOH / g, and the dispersion degree was 1.8.
바인더 폴리머(A-1) 및 (A-2)에 관하여, 중합성 단량체(모노머)의 질량비(%), 산가, 중량평균분자량, 및 분산도를 표 1에 나타낸다. 또한, 「-」은 미배합을 의미한다.The mass ratio (%), the acid value, the weight average molecular weight, and the degree of dispersion of the polymerizable monomer (monomer) are shown in Table 1 with respect to the binder polymers (A-1) and (A- In addition, " - " means unmixed.
(B) 광중합성 화합물(B) a photopolymerizable compound
·BPE-100(신나카무라가가쿠고교 주식회사제):2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시)페닐)프로판(EO기:2.6mol(평균값))(Average value) of 2,2-bis (4- (methacryloxyethoxy) phenyl) propane (EO group: BPE-100 manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co.,
·BPE-80 N(신나카무라가가쿠고교 주식회사제):2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시)페닐)프로판(EO기:2.3mol(평균값))Bis (4- (methacryloxyethoxy) phenyl) propane (EO group: 2.3 mol (average value)) was obtained in the same manner as in Example 1, except that BPE-80N (manufactured by Shin Kagaku Kagaku Kogyo Co.,
·FA-324 ME(히타치가세이 주식회사제):2,2-비스(4-(메타크릴옥시디에톡시)페닐)프로판(EO기:4mol(평균값))(4 mol (average value) of EO group) of FA-324 ME (manufactured by Hitachi Chemical): 2,2-bis (4- (methacryloxy diethoxy)
·ABE-300(신나카무라가가쿠고교 주식회사제):2,2-비스(4-(아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(EO기:3mol(평균값))3 mol (average value) of 2,2-bis (4- (acryloxypolyethoxy) phenyl) propane (EO group: ABE-300 manufactured by Shin Kagaku Kagaku Kogyo Co.,
·FA-321 M(히타치가세이 주식회사제):2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판(EO기:10mol(평균값))(EO group: 10 mol (average value)) of FA-321 M (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.): 2,2-bis
·FA-3200MY(히타치가세이 주식회사제):2,2-비스(4-(메타크릴옥시에톡시프로폭시)페닐)프로판(EO기:12mol(평균값), PO기:4mol(평균값))(EO group: 12 mol (average value), PO group: 4 mol (average value)), 2,2-bis (4- (methacryloxyethoxypropoxy) phenyl) propane, FA-3200MY (manufactured by Hitachi Chemical Co.,
·FA-024M(히타치가세이 주식회사제):(PO)(EO)(PO) 변성 폴리프로필렌글리콜#700 디메타크릴레이트 FA-024M (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.): (PO) (EO) (PO) modified polypropylene glycol # 700 dimethacrylate
또한, EO기 및 PO 기에 관한 mol수는, 각 EO기 또는 PO기의 구조 단위수를 의미한다.In addition, the number of moles per EO group and PO group means the number of structural units of each EO group or PO group.
(C) 광중합 개시제(C) a photopolymerization initiator
·B-CIM(Hampford사제):2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비스이미다졸[2-(2-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체]B-CIM (manufactured by Hampford): 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbisimidazole [2- -Diphenylimidazole dimer]
(D) 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물(D) a styrylpyridine compound represented by the formula (1)
·2,4-DMOP-DSP:3,5-비스(2,4-디메톡시벤질리덴디시클로펜타노[b,e])-4-(2,4-디메톡시페닐)피리딘2,4-DMOP-DSP: 3,5-bis (2,4-dimethoxybenzylidene dicyclopentano [b, e]) 4- (2,4-dimethoxyphenyl)
(D)성분 이외의 다른 증감 색소(D) other than the component
·PYR-1(주식회사 니폰가가쿠고교쇼제):1-페닐-3-(4-메톡시스티릴)-5-(4-메톡시페닐) 피라졸린PYR-1 (Nippon Gakugei Kogyo Co., Ltd.): 1-phenyl-3- (4-methoxystyryl) -5- (4- methoxyphenyl) pyrazoline
·EAB(호도가야가가쿠고교 주식회사제):4,4'-디에틸아미노벤조페논· EAB (manufactured by Hodogaya Chemical Industry Co., Ltd.): 4,4'-diethylaminobenzophenone
·H-MOP-DSP:4, 6-비스(4-메톡시벤질리덴디시클로헥사노[b,e])-5-(4-메톡시페닐)피리딘H-MOP-DSP: 4,6-bis (4-methoxybenzylidene dicyclohexano [b, e]) - 5- (4-methoxyphenyl)
(E) 아민 화합물(E) An amine compound
·LCV(야마다가가쿠고교 주식회사제):로이코 크리스탈 바이올렛· LCV (manufactured by Yamada Kagaku Kogyo Co., Ltd.): Loico crystal violet
염료dyes
·MKG(오사카유기가가쿠고교 주식회사제):마라카이트 그린· MKG (manufactured by Osaka Organic Chemical Co., Ltd.): Marachite Green
<감광성 엘리먼트의 제작> ≪ Preparation of Photosensitive Element >
상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물의 용액을, 각각 두께 16㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토오레 주식회사제, 「FB-40」)(지지체) 상에 도포하고, 70℃ 및 110℃의 열풍 대류식 건조기로 순차 건조 처리하여, 건조 후의 막두께가 25㎛인 감광층을 형성했다. 이 감광층 상에 폴리에틸렌 필름(오지세이시 주식회사제, 「E-200 K」)(보호층)를 첩합(貼合)하고, 지지체와 감광층과 보호층이 순서로 적층된 감광성 엘리먼트를 각각 얻었다.The solution of the photosensitive resin composition obtained above was applied onto a polyethylene terephthalate film ("FB-40", made by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 16 탆 (support) and dried at 70 캜 and 110 캜 in a hot air convection type dryer Followed by successive drying to form a photosensitive layer having a dry thickness of 25 mu m. A polyethylene film (" E-200K ", made by Oji Seishi Co., Ltd.) (protective layer) was laminated on the photosensitive layer to obtain a photosensitive element in which a support, a photosensitive layer and a protective layer were sequentially laminated.
<적층 기판의 제작> <Fabrication of Laminated Substrate>
유리 에폭시재와, 그 양면에 형성된 구리박(두께 16㎛)으로 이루어지는 동장적층판(張積層板)(히타치가세이 주식회사제, 「MCL-E-679 F」)(이하, 「기판」이라고 한다.)을 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 실시예 1~6 및 비교예 1~4에 관련되는 감광성 엘리먼트를, 기판의 구리 표면에 라미네이트(적층)했다. 라미네이트는, 보호층을 제거하면서, 각 감광성 엘리먼트의 감광층이 기판의 구리 표면에 밀착되도록 하여, 온도 110℃, 라미네이트 압력 4kgf/cm2(0.4MPa)의 조건하에서 실시했다. 이와 같이 하여, 기판의 구리 표면 상에 감광층 및 지지체가 적층된 적층 기판을 얻었다. 얻어진 적층 기판은 23℃까지 방냉했다.MCL-E-679 F "(hereinafter referred to as " substrate ") made of a glass epoxy material and a copper foil (thickness 16 탆 in thickness) formed on both surfaces thereof (multilayer laminate plate (Hitachi Chemical). ) Were heated and heated to 80 DEG C, and the photosensitive elements related to Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were laminated (laminated) on the copper surface of the substrate. The laminate was carried out under conditions of a temperature of 110 캜 and a laminate pressure of 4 kgf / cm 2 (0.4 MPa) such that the photosensitive layer of each photosensitive element was brought into close contact with the copper surface of the substrate while removing the protective layer. Thus, a laminated substrate having a photosensitive layer and a support laminated on the copper surface of the substrate was obtained. The resultant laminated substrate was allowed to cool to 23 占 폚.
<감도의 평가> ≪ Evaluation of sensitivity &
상기 적층 기판의 지지체 상에, 농도 영역 0.00~2.00, 농도 스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단(段) 스텝 타블렛을 가지는 포토 툴을 배치시켰다. 파장 405nm의 청자색 레이저 다이오드를 광원으로 하는 직묘노광기(비어메카닉스 주식회사제, 「DE-1 UH」)를 사용하고, 소정의 에너지량(노광량)으로 포토 툴 및 지지체를 통하여 감광층에 대하여 노광했다. 또한, 조도의 측정에는, 405nm 대응 프로브를 적용한 자외선 조도계(우시오덴키 주식회사제, 「UIT-150」)를 사용했다.A phototool having a 41 step (stage) step tablet having a concentration range of 0.00 to 2.00, a concentration step of 0.05, a tablet size of 20 mm x 187 mm, and each step size of 3 mm x 12 mm was placed on the support of the laminated substrate. A direct-exposure light exposure apparatus ("DE-1 UH" manufactured by Beer Mechanics Co., Ltd.) having a blue-violet laser diode having a wavelength of 405 nm as a light source was used to expose the photosensitive layer through a phototool and a support at a predetermined energy amount . For the measurement of the illuminance, an ultraviolet illuminometer ("UIT-150" manufactured by Ushio Denki Co., Ltd.) to which a probe corresponding to 405 nm was applied was used.
노광 후, 적층 기판으로부터 지지체를 박리하여 감광층을 노출시켜, 1질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃에서 60초간 스프레이함으로써, 미노광 부분을 제거했다. 이와 같이 하여, 기판의 구리 표면 상에 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성했다. 레지스터 패턴(경화막)으로서 얻어진 스텝 타블렛의 잔존단수(스텝 단수)를 측정함으로써, 감광성 수지 조성물의 감도를 평가했다. 감도는, 100mJ/cm2로 노광했을 때의 상기 스텝 단수에 의해 나타내고, 이 수치가 높을수록 감도가 양호한 것을 의미한다. 결과를 표 4 및 표 5에 나타낸다.After the exposure, the support was peeled off from the laminated substrate to expose the photosensitive layer, and the 1 wt% sodium carbonate aqueous solution was sprayed at 30 캜 for 60 seconds to remove the unexposed portions. In this manner, a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition was formed on the copper surface of the substrate. The sensitivity of the photosensitive resin composition was evaluated by measuring the number of remaining steps (step number) of the step tablet obtained as a resist pattern (cured film). The sensitivity is represented by the step number at the time of exposure at 100 mJ / cm 2 , and the higher the value, the better the sensitivity. The results are shown in Tables 4 and 5.
<해상도 및 밀착성의 평가> <Evaluation of resolution and adhesion>
라인폭(L)/스페이스폭(S)(이하, 「L/S」이라고 기재한다.)이 3/3~30/30(단위:㎛)인 묘화 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존단수가 14단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기판의 감광층에 대하여 노광(묘화)했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다.The step pattern of the 41 step tablet is obtained by using a drawing pattern having a line width L / space width S (hereinafter referred to as "L / S") of 3/3 to 30/30 (unit: The photosensitive layer of the laminated substrate was exposed (drawn) with an energy amount of 14 stages. After exposure, the same development processing as that of the sensitivity evaluation was performed.
현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깔끔히 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행(蛇行), 부족 등의 불량을 발생시키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 해상도 및 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 레지스터 패턴의 해상도 및 밀착성이 모두 양호한 것을 의미한다. 또한, 얻어진 레지스터 패턴은, 광학 현미경을 사용하고, 배율 1000배로 확대하여 관찰함으로써 불량의 유무를 확인했다. 결과를 표 4 및 표 5에 나타낸다.After developing, the space portion (unexposed portion) is cleared away, and the line portion (exposed portion) is formed without causing defects such as meandering or shortage, and the value of the line width / The resolution and the adhesion were evaluated. The smaller this value, the better the resolution and adhesion of the resist pattern. The obtained resist pattern was observed by magnification at a magnification of 1000 times using an optical microscope to confirm the presence or absence of defects. The results are shown in Tables 4 and 5.
<반응률의 평가> ≪ Evaluation of reaction rate &
41단 스텝 타블렛의 잔존단수가 14단이 되는 에너지량으로 상기 감광성 엘리먼트의 감광층에 대하여 노광하여, 광경화물을 얻었다. 노광 전후에, 퓨리에 변환형 적외분광(FT-IR) 장치(부르카·옵틱스 주식회사제, 「VERTEX70」)를 사용하여, 감광층 또는 그 광경화물의 FT-IR측정을 실시했다. 그리고, 1570cm-1에 있어서의 방향족에서 유래하는 피크를 내부 표준으로 하고, 1637cm-1에 관찰되는 비닐기에서 유래하는 피크로부터, 이하의 식에 따라 반응률(%)을 산출했다. 결과를 표 4 및 표 5에 나타낸다. The photosensitive layer of the photosensitive element was exposed to an energy amount such that the remaining number of steps of the 41-step tablet was 14 stages to obtain a photo-cured product. Before and after the exposure, FT-IR measurement of the photosensitive layer or its optical product was carried out using a Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) device ("VERTEX70" manufactured by Burka Optics Co., Ltd.). The reaction rate (%) was calculated from the peak derived from the aromatic group at 1570 cm -1 as an internal standard and the peak derived from the vinyl group observed at 1637 cm -1 as follows. The results are shown in Tables 4 and 5.
반응률(%)=(1-I/I0)×100 Reaction rate (%) = (1-I / I 0 ) x 100
I:노광 후에 있어서의 피크 강도 I: Peak intensity after exposure
I0:노광 전에 있어서의 피크 강도I 0 : Peak intensity before exposure
<도금액내성(약액 내성)의 평가> ≪ Evaluation of plating solution resistance (chemical resistance) >
플렉서블 프린트 배선판용 동장적층판(닛칸공업 주식회사제, 「F30VC1」)을 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 실시예 1~6 및 비교예 1~4에 관련되는 감광성 엘리먼트를, 기판의 구리 표면에 라미네이트(적층)했다. 라미네이트는, 보호층을 제거하면서, 각 감광성 엘리먼트의 감광층이 기판의 구리 표면에 밀착되도록 하고, 온도 110℃, 라미네이트 압력 4kgf/cm2(0.4MPa)의 조건하에서 실시했다. 이와 같이 하여, 기판의 구리 표면 상에 감광층 및 지지체가 적층된 평가용 적층체를 얻었다. 얻어진 평가용 적층체는 23℃까지 방냉했다.After heating the copper-clad laminate ("F30VC1" manufactured by Nikkan Kogyo Co., Ltd.) for the flexible printed wiring board to 80 ° C, the photosensitive elements related to Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were laminated on the copper surface of the substrate (Laminated). The laminate was carried out under conditions of a temperature of 110 캜 and a laminate pressure of 4 kgf / cm 2 (0.4 MPa) such that the photosensitive layer of each photosensitive element adhered to the copper surface of the substrate while removing the protective layer. Thus, an evaluation laminate having a photosensitive layer and a support laminated on the copper surface of the substrate was obtained. The obtained evaluation laminate was allowed to cool to 23 占 폚.
상기 평가용 적층체의 지지체상에, L/S가 5/5, 8/8, 10/10, 및 15/15(단위:㎛)의 배선 패턴을 가지는 유리제 포토 툴을 밀착시켜, 현상 후의 잔존 스텝단 수가 14단이 되는 에너지량에 의해 노광했다. 이어서, 지지체를 박리하여, 1질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃에서 스프레이함으로써 미노광 부분을 제거하여, 평가용 기판을 얻었다. 현상 시간은, 최단 현상 시간(미노광부가 제거되는 최단 시간)의 2배에 상당하는 시간으로 했다.A glass phototool having a wiring pattern with L / S of 5/5, 8/8, 10/10, and 15/15 (unit: 占 퐉) was brought into close contact with the support of the evaluation laminate to form a residue And the exposure was performed by an amount of energy of 14 steps. Subsequently, the support was peeled off, and an unexposed portion was removed by spraying a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 캜 to obtain a substrate for evaluation. The developing time was set to a time corresponding to twice the shortest developing time (the shortest time for which the unexposed portion was removed).
상기 평가용 기판에 대하여, 탈지액(매루텍스 주식회사제, 「PC-455」, 25질량%)에 5분간 침지, 수세, 소프트 에이칭액(과황산암모늄 150g/L)에 2분간 침지, 수세, 10질량% 황산에 1분간 침지의 순서로 순차 전(前)처리를 실시했다. 그리고, 황산구리 도금액(황산구리 75g/L, 황산 190g/L, 염소 이온 50질량ppm, 매루텍스 주식회사제, 「카파도 PCM」, 5 mL/L)에 넣어 1 A/dm2의 조건에서 도금 두께가 12㎛가 될 때까지 구리 도금 처리를 실시했다.The substrate for evaluation was immersed in a degreasing liquid ("PC-455", 25 mass%) for 5 minutes, washed with water, immersed in a soft alcohol solution (ammonium persulfate 150 g / L) for 2 minutes, And then immersed in 10 mass% sulfuric acid for 1 minute. Then, the coating thickness on the copper sulfate plating solution (copper sulfate 75g / L, sulfuric acid 190g / L,
구리 도금 처리 후의 평가용 기판을 수세하고 건조한 후, 50℃의 박리액(미쓰비시가스가가쿠 주식회사제, 「R-100」, 0.2체적%)에 침지함으로써 레지스터 패턴을 박리하여, 하지(下地) 구리를 0.1질량% 황산 및 0.1질량% 과산화수소를 포함하는 수용액으로 에칭했다. 그 후, 윗쪽으로부터 광학 현미경을 사용하여 도금 침입의 확인을 실시하고, 도금 침입이 발생되지 않은 것을 「A(우량)」, 도금 침입이 발생된 것을 「C(불량)」로 하여 평가했다. 또한, 도금 침입이 발생된 경우, 레지스터 패턴으로 마스크되어 있던 영역에 구리 도금에 의해 석출한 금속 구리가 관찰된다. 결과를 표 4 및 표 5에 나타낸다.The substrate for evaluation after the copper plating treatment was washed with water and dried, and then the resist pattern was peeled off by immersing it in a peeling liquid (Mitsubishi Gas Co., Ltd., "R-100", 0.2 volume% Was etched with an aqueous solution containing 0.1 mass% sulfuric acid and 0.1 mass% hydrogen peroxide. Thereafter, plating intrusion was confirmed using an optical microscope from above, and it was evaluated as "A (good)" in which no plating intrusion occurred and "C (poor)" in which plating intrusion occurred. Further, when plating intrusion occurs, metallic copper precipitated by copper plating is observed in the region masked with the resist pattern. The results are shown in Tables 4 and 5.
표 4 및 표 5로부터 분명한 바와 같이, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머와, EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물을 사용한 실시예 1~6은, 감광성 수지 조성물의 감도, 및 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 약액 내성의 어느 것도 뛰어났다.As is apparent from Tables 4 and 5, a photopolymerizable compound comprising a binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid and a bisphenol A di (meth) acrylate having an EO group having a structural unit number of less than 6, Examples 1 to 6 using a photopolymerization initiator and a photosensitive resin composition containing a styrylpyridine compound represented by the formula (1) showed that the sensitivity of the photosensitive resin composition, the resolution of the resist pattern, the adhesion property, and the chemical resistance It was excellent.
한편, EO기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 함유하지 않는 감광성 수지 조성물을 사용한 비교예 1은, 감광성 수지 조성물의 감도는 뛰어났지만, 레지스터 패턴의 해상도, 밀착성, 및 약액 내성이 실시예 1~6보다 뒤떨어져 있었다. On the other hand, Comparative Example 1 using a photosensitive resin composition containing no bisphenol A di (meth) acrylate having a structural unit number of less than 6 in the EO group was excellent in sensitivity of the photosensitive resin composition, but the resolution, The drug solution resistance was inferior to those of Examples 1 to 6.
또한, 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하지 않는 감광성 수지 조성물을 사용한 비교예 2~4는, 감광성 수지 조성물의 감도 및 레지스터 패턴의 약액 내성이 실시예 1~6보다 뒤떨어져 있고, 특히 비교예 3~4는, 레지스터 패턴의 해상도 및 밀착성도 뒤떨어져 있었다.In Comparative Examples 2 to 4 using the photosensitive resin composition containing no styrylpyridine compound represented by the formula (1), the sensitivity of the photosensitive resin composition and the chemical resistance of the resist pattern were inferior to those of Examples 1 to 6, In particular, the resist patterns of Comparative Examples 3 and 4 were inferior in resolution and adhesion.
2016년 3월 17일에 출원된 일본 특허출원 2016-053771호의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 원용된다. The disclosure of Japanese Patent Application No. 2016-053771 filed on March 17, 2016 is incorporated herein by reference in its entirety.
또한, 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원, 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허출원, 및 기술 규격이 참조에 의해 원용되는 것이 구체적이고 개별적으로기록된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 원용된다In addition, all documents, patent applications, and technical specifications described in this specification are herein incorporated by reference to the same extent as if each individual document, patent application, and technical specification was specifically and individually recorded as being incorporated by reference. Be used by
1…감광성 엘리먼트, 2…지지체, 3…감광층, 4…보호층, 10…도체층, 15…절연층, 20…마스크, 30…레지스터 패턴, 32…감광층, 40…도체 패턴, 42…도금층One… Photosensitive element, 2 ... Support, 3 ... Photosensitive layer, 4 ... Protective layer, 10 ... Conductor layer, 15 ... Insulation layer, 20 ... Mask, 30 ... Register pattern, 32 ... Photosensitive layer, 40 ... Conductor pattern, 42 ... Plated layer
Claims (7)
에틸렌옥시기의 구조 단위수가 6 미만인 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 광중합성 화합물과,
광중합 개시제와,
하기 식(1)로 표시되는 스티릴피리딘 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물.
[식(1) 중, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립하여, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~6의 알킬에스테르기, 아미노기, 탄소수 1~20의 알킬아미노기, 카복시기, 시아노기, 니트로기, 아세틸기, 또는 (메타)아크릴로일기를 나타내고, a, b, 및 c는, 각각 독립하여, 0~5의 정수를 나타낸다.]A binder polymer having a structural unit derived from (meth) acrylic acid,
A photopolymerizable compound comprising a bisphenol A type di (meth) acrylate having an ethyleneoxy group having a structural unit number of less than 6,
A photopolymerization initiator,
A photosensitive resin composition comprising a styryl pyridine compound represented by the following formula (1).
Wherein R 1 , R 2 and R 3 are each independently selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl ester group having 1 to 6 carbon atoms, an amino group, A, b, and c each independently represent an integer of 0 to 5, and (c) an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an acetyl group, or a (meth) acryloyl group;
상기 광중합 개시제가, 하기 식(2)로 표시되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
[식(2) 중, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는, 각각 독립하여, 알킬기, 알케닐기, 및 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기로 치환되어 있어도 되는 아릴기를 나타내고, X1 및 X2는, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알콕시기를 나타내고, p 및 q는, 각각 독립하여, 1~5의 정수를 나타낸다.]The method according to claim 1,
Wherein the photopolymerization initiator comprises a 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following formula (2).
In the formula (2), Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an aryl group which may be substituted with at least one substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group and an alkoxy group X 1 and X 2 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkoxy group, and p and q each independently represent an integer of 1 to 5.]
상기 감광층의 적어도 일부의 영역에 활성 광선을 조사하여, 상기 영역을 광경화시켜 경화물 영역을 형성하는 공정과,
상기 감광층의 상기 경화물 영역 이외의 적어도 일부를 상기 기판 상으로부터 제거하여, 상기 기판 상에 레지스터 패턴을 형성하는 공정을 가지는 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법.A step of forming a photosensitive layer on the substrate using the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2,
Irradiating at least a part of the region of the photosensitive layer with an actinic ray to photo-cure the region to form a cured region,
And removing at least a part of the photosensitive layer other than the hardened region from the substrate to form a resist pattern on the substrate.
상기 활성 광선의 파장이 340~430nm의 범위 내인, 레지스터 패턴 부착 기판의 제조 방법.The method of claim 4,
Wherein a wavelength of the active ray is within a range of 340 to 430 nm.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053771 | 2016-03-17 | ||
JPJP-P-2016-053771 | 2016-03-17 | ||
PCT/JP2017/011016 WO2017159873A1 (en) | 2016-03-17 | 2017-03-17 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for producing printed wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180125965A true KR20180125965A (en) | 2018-11-26 |
KR102372527B1 KR102372527B1 (en) | 2022-03-08 |
Family
ID=59851312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187026701A KR102372527B1 (en) | 2016-03-17 | 2017-03-17 | The photosensitive resin composition, the photosensitive element, the manufacturing method of the board|substrate with a resist pattern, and the manufacturing method of a printed wiring board |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7044056B2 (en) |
KR (1) | KR102372527B1 (en) |
CN (1) | CN108780276A (en) |
TW (1) | TW201800852A (en) |
WO (1) | WO2017159873A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210030368A (en) * | 2018-07-13 | 2021-03-17 | 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 | Photosensitive resin composition, etching method, and manufacturing method of resin structure |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005122123A (en) | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | Blue-violet laser photosensitive composition |
KR20070114452A (en) | 2006-05-29 | 2007-12-04 | 송종명 | Harmful insect grasping equipment |
CN101738861A (en) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 日立化成工业株式会社 | Light-sensitive resin composite and method for manufacturing printed circuit board using same |
WO2010098183A1 (en) | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern formation method and printed circuit board production method each utilizing same |
JP2011257632A (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive element, method for forming resist pattern using the same, and method for producing lead frame and printed wiring board |
WO2012067107A1 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR20120069565A (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | Photocurable resin composition for printing process |
WO2014080834A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR20150017329A (en) * | 2012-05-31 | 2015-02-16 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for producing wiring board |
KR101738861B1 (en) | 2016-12-26 | 2017-05-23 | 이래용 | Reversing apparatus of packing receptacle for automatic packaging system |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016043162A1 (en) * | 2014-09-18 | 2017-07-06 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
-
2017
- 2017-03-17 CN CN201780017616.1A patent/CN108780276A/en active Pending
- 2017-03-17 JP JP2018506055A patent/JP7044056B2/en active Active
- 2017-03-17 TW TW106108966A patent/TW201800852A/en unknown
- 2017-03-17 KR KR1020187026701A patent/KR102372527B1/en active IP Right Grant
- 2017-03-17 WO PCT/JP2017/011016 patent/WO2017159873A1/en active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005122123A (en) | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | Blue-violet laser photosensitive composition |
KR20070114452A (en) | 2006-05-29 | 2007-12-04 | 송종명 | Harmful insect grasping equipment |
CN101738861A (en) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 日立化成工业株式会社 | Light-sensitive resin composite and method for manufacturing printed circuit board using same |
WO2010098183A1 (en) | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern formation method and printed circuit board production method each utilizing same |
JP2011257632A (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive element, method for forming resist pattern using the same, and method for producing lead frame and printed wiring board |
WO2012067107A1 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR20120069565A (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | Photocurable resin composition for printing process |
KR20150017329A (en) * | 2012-05-31 | 2015-02-16 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for producing wiring board |
WO2014080834A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR20150087236A (en) * | 2012-11-20 | 2015-07-29 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR101738861B1 (en) | 2016-12-26 | 2017-05-23 | 이래용 | Reversing apparatus of packing receptacle for automatic packaging system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017159873A1 (en) | 2017-09-21 |
JPWO2017159873A1 (en) | 2019-01-24 |
JP7044056B2 (en) | 2022-03-30 |
CN108780276A (en) | 2018-11-09 |
KR102372527B1 (en) | 2022-03-08 |
TW201800852A (en) | 2018-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102582577B1 (en) | Method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, photosensitive resin composition for projection exposure and photosensitive element | |
CN105849641B (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
WO2012101908A1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP6358094B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method | |
KR20140130234A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2017167394A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2009003000A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, method for manufacturing printed wiring board and method for removing photocured product | |
KR102595962B1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2019028398A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of manufacturing substrate with resist pattern, and method of manufacturing printed wiring board | |
JP5532551B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method | |
KR102458633B1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern and method for producing printed wiring board | |
JP6136414B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2017040710A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern and method for manufacturing printed wiring board | |
KR102372527B1 (en) | The photosensitive resin composition, the photosensitive element, the manufacturing method of the board|substrate with a resist pattern, and the manufacturing method of a printed wiring board | |
JP2017167396A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2017167395A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
WO2018100640A1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
JP6724445B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing substrate with resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
JP2010085605A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, method of forming resist pattern, and method of manufacturing printed wiring board | |
JP2018128599A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2010060891A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for forming resist pattern and method for manufacturing printed wiring board | |
JP6451058B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method | |
JP2013122488A (en) | Photosensitive resin composition, and photosensitive element, method for forming resist pattern and method for manufacturing printed wiring board using the composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |