KR20180124101A - 본딩 장치 및 본딩 방법 - Google Patents

본딩 장치 및 본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180124101A
KR20180124101A KR1020187030094A KR20187030094A KR20180124101A KR 20180124101 A KR20180124101 A KR 20180124101A KR 1020187030094 A KR1020187030094 A KR 1020187030094A KR 20187030094 A KR20187030094 A KR 20187030094A KR 20180124101 A KR20180124101 A KR 20180124101A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
bonding
wafer
dies
section
Prior art date
Application number
KR1020187030094A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102106884B1 (ko
Inventor
타이토 코바야시
마사요시 코우타
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20180124101A publication Critical patent/KR20180124101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102106884B1 publication Critical patent/KR102106884B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67736Loading to or unloading from a conveyor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본딩 장치(1)의 본딩 제어부(60)는 로더부(40)의 기판 수용체(90)로부터 반송 레인(30)에 반송된 적어도 1개의 기판(80)에 대해서, (i) 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료된 경우, 기판(80)을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부(50)의 기판 수용체(90)에 보내고, 한편 (ii) 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 기판(80)을 다이 미실장 기판으로서 로더부(40)의 기판 수용체(90)에 돌려보낸다. 이것에 의해 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이를 기판에 본딩할 수 있다.

Description

본딩 장치 및 본딩 방법
본 발명은 본딩 장치 및 본딩 방법에 관한 것이다.
웨이퍼에 포함되는 복수의 다이를 기판에 본딩하는 본딩 장치에서는 웨이퍼 유지부에 유지된 웨이퍼로부터 픽업한 다이를 본딩 헤드에 의해 기판에 본딩한다. 웨이퍼에 포함되는 복수의 다이는 복수의 그레이드마다 분류되어 있고, 하나의 기판에는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩된다. 예를 들면 특허문헌 1에는 웨이퍼 유지부로부터 웨이퍼를 분리하지 않고 당해 웨이퍼 상의 복수의 그레이드를 가지는 각 다이의 모두를 각각 대응하는 기판에 본딩하는 기술이 개시되어 있다.
그러나 특허문헌 1에 개시된 구성에 의하면, 단일의 반송 레인에 있어서 2개의 그레이드의 다이를 각각 대응하는 기판에 본딩하는 경우, 기판 공급부와 기판 반출부의 각 위치가 통일되어 있지 않아, 그레이드마다의 본딩을 간이하고 또한 효율적으로 행할 수 없는 경우가 있었다. 한편, 2개의 그레이드의 다이를 2개의 반송 레인 및 2개의 본딩 헤드를 사용하여 처리를 행하면, 처리하는 그레이드의 수에 비해 본딩 장치가 비교적 대형화할 우려가 있다.
일본 특개 2013-65711호 공보
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이를 기판에 본딩할 수 있는 본딩 장치 및 본딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 태양에 따른 본딩 장치는 복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 가지는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와, 웨이퍼 유지부로부터 반송된 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와, 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해서 기판을 반송하는 반송 레인과, 반송 레인의 일방단에 설치된 로더부와, 반송 레인의 타방단에 설치된 언로더부와, 상기 웨이퍼에 있어서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여 웨이퍼의 각 다이를 당해 다이의 그레이드에 대응하는 기판에 본딩하는 본딩 제어부를 구비하고, 로더부 및 언로더부의 각각은 복수의 기판 수용체를 수용하고, 복수의 기판 수용체는 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용하고, 복수의 기판은 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것이며, 본딩 제어부는 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, (i) 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부의 기판 수용체에 보내고, 한편 (ii) 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 기판을 다이 미실장 기판으로서 로더부의 기판 수용체에 돌려보낸다.
상기 구성에 의하면, 본딩 제어부가 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 당해 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부의 기판 수용체에 보내고, 한편 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 당해 기판을 다이 미실장 기판으로서 로더부의 기판 수용체에 돌려보내도록 구성되어 있다. 따라서, 다이 미실장 기판과 다이 실장 완료 기판을 획일적으로 처리할 수 있고, 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이를 기판에 본딩할 수 있다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 헤드는 웨이퍼 유지부로부터 반송된 다이를 기판 상 또는 기판에 본딩 완료된 다이 상에 본딩해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 헤드는 제1 본딩 헤드와, 제1 본딩 헤드보다 언로더부측에 배치된 제2 본딩 헤드를 포함하고, 본딩 제어부는 제1 및 제2 본딩 헤드의 각각에 대하여 (i) 또는 (ii)를 행해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 제어부는 언로더부측에 배치된 제2 본딩 헤드에 대하여 우선적으로 (i)을 행해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 제어부는 매핑 정보에 기초하여 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판에 대해서, 제1 및 제2 본딩 헤드에 의해 (i) 또는 (ii)를 행해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 제어부는 매핑 정보에 기초하여 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 서로 상이한 그레이드에 속하는 복수의 기판에 대해서, 제1 및 제2 본딩 헤드에 의해 (i) 또는 (ii)를 행해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 매핑 정보는 웨이퍼의 각 다이를 제1 또는 제2 그레이드로 분류하는 정보를 포함해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 본딩 제어부는 웨이퍼 유지부에 유지된 웨이퍼의 제1 그레이드에 대하여 (i) 또는 (ii)를 행하고, 그 후, 웨이퍼 유지부에 유지된 웨이퍼의 제2 그레이드에 대하여 (i) 또는 (ii)를 행해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 로더부 또는 언로더부는 계층이 상이한 복수의 데크를 가지고, 복수의 데크는 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제1 데크와, 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제2 데크를 포함해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 로더부 또는 언로더부는 제조 설비에 있어서의 소정의 레인에 따라 주행하는 자동 반송 기구에 액세스하여 기판 수용체를 로드 또는 언로드해도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 복수의 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 로더부를 추가로 포함하고, 본딩 제어부는 웨이퍼 유지부에 유지된 웨이퍼에 있어서 본딩해야 할 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 웨이퍼를 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 로더부에 돌려보내고, 웨이퍼 로더부로부터 다른 웨이퍼를 웨이퍼 유지부에 보내도 된다.
상기 본딩 장치에 있어서, 반송 레인은 단일 레인이어도 된다.
본 발명의 하나의 태양에 따른 본딩 방법은 복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 가지는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와, 웨이퍼 유지부로부터 반송된 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와, 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해서 기판을 반송하는 반송 레인과, 반송 레인의 일방단에 설치된 로더부와, 반송 레인의 타방단에 설치된 언로더부와, 상기 웨이퍼에 있어서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여 웨이퍼의 각 다이를 당해 다이의 그레이드에 대응하는 기판에 본딩하는 본딩 제어부를 구비하는 본딩 장치를 사용한 본딩 방법으로서, 로더부 및 언로더부의 각각은 복수의 기판 수용체를 수용하고, 복수의 기판 수용체는 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용하고, 복수의 기판은 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것이며, 방법은 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, (i) 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부의 기판 수용체에 보내고, 한편 (ii) 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 기판을 다이 미실장 기판으로서 로더부의 기판 수용체에 돌려보낸다.
상기 구성에 의하면, 로더부의 기판 수용체로부터 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 당해 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부의 기판 수용체에 보내고, 한편 본딩 헤드에 의해 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 당해 기판을 다이 미실장 기판으로서 로더부의 기판 수용체에 돌려보낸다. 따라서 다이 미실장 기판과 다이 실장 완료 기판을 획일적으로 처리할 수 있고, 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이를 기판에 본딩할 수 있다.
본 발명에 의하면, 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이를 기판에 본딩할 수 있는 본딩 장치 및 본딩 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치를 Y축 방향으로부터 보았을 때의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 X축 방향으로부터 보았을 때의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 1을 나타내는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 27은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 30은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 31은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
도 33은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법의 실시예 2를 나타내는 도면이다.
이하에 본 발명의 실시형태를 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서 동일 또는 유사한 구성 요소는 동일 또는 유사한 부호로 나타내고 있다. 도면은 예시이며, 각 부의 치수나 형상은 모식적인 것이며, 본원발명의 기술적 범위를 당해 실시형태에 한정하여 해석해서는 안된다.
도 1~도 4를 참조하면서 본 실시형태에 따른 본딩 장치를 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)의 평면도를 모식적으로 나타낸 것이다. 도 2는 웨이퍼의 다이의 반송 경로에 착안한 본딩 장치(1)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 3 및 도 4는 본딩 장치(1)의 일부를 나타낸 것이다.
도 1에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)는 웨이퍼 로더부(10)와, 웨이퍼 유지부(12)와, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)와, 반송 레인(30)과, 반송 레인(30)의 일방단에 설치된 로더부(40)와, 반송 레인(30)의 타방단에 설치된 언로더부(50)와, 본딩 동작을 제어하는 본딩 제어부(60)(도 2 참조)를 구비한다. 이하의 설명에 있어서는 본딩 대상면에 평행한 방향을 XY축 방향으로 하고, 본딩 대상면에 수직인 방향을 Z축 방향으로 하여 설명한다.
본딩 장치(1)는 웨이퍼(70)의 다이(72)를 기판(80)에 본딩하기 위한 반도체 제조 장치이다. 다이(72)는 집적 회로 패턴이 형성된 표면과, 당해 표면과는 반대의 이면을 가지고 있고, 이하에 설명하는 본딩 장치(1)는 다이(72)의 이면이 기판(80)에 대향하도록 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 이와 같은 본딩 장치(1)는 다이 본딩 장치라고 불린다.
웨이퍼(70)에 포함되는 복수의 다이(72)는 통상 복수의 그레이드마다 분류되어 있어, 그레이드 단위로 다이(72)가 기판(80)에 본딩된다. 기판(80)에는 복수의 다이(72)가 본딩된다.
구체적으로는 기판(80)은 복수의 다이(72)가 본딩되는 복수의 다이 본딩 영역을 구비하고 있다. 각 다이 본딩 영역에 있어서는 적어도 1개 이상의 다이(72)가 본딩 가능해도 된다. 즉, 기판(80)의 하나의 다이 본딩 영역의 본딩 완료의 다이(72) 상에 다른 다이(72)가 본딩되어도 된다. 하나의 기판(80)에는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이(72)가 본딩된다.
본 실시형태에 있어서는 웨이퍼(70)는 제1 그레이드에 속하는 적어도 1개의 다이(74)와, 제2 그레이드(예를 들면 제1 그레이드보다 특성이 떨어지는 그레이드)에 속하는 적어도 1개의 다이(76)를 포함한다. 웨이퍼(70) 내에 있어서의 제1 및 제2 그레이드의 각 다이의 비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 제1 그레이드가 제2 그레이드보다 과반수를 차지하도록 하는 비율이어도 된다. 도 1에 나타내는 예에서는 제1 그레이드에 속하는 다이(74)와 제2 그레이드에 속하는 다이(76)의 비율을 3:1로 하고 있다. 또한 그레이드의 분류는 전기적 특성 등의 소정의 특성 조건을 만족하는지 여부에 의해 정할 수 있다.
웨이퍼 로더부(10)(예를 들면 웨이퍼 매거진)는 복수의 웨이퍼(70)를 수용하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 로더부(10)는 예를 들면 각 웨이퍼(70)를 XY축 방향에 평행하게 지지하면서, Z축 방향으로 복수의 웨이퍼(70)를 적층하여 수용한다. 또한 웨이퍼 로더부(10)에는 이미 다이싱 공정이 종료되어, 각각 복수의 개편으로 분리된 복수의 다이를 가지는 웨이퍼(70)가 수용된다.
웨이퍼 유지부(12)는 웨이퍼 반송 툴(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼 로더부(10)로부터 반송된 웨이퍼(70)를 유지하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 유지부(12)는 예를 들면 웨이퍼(70)를 진공 흡착하는 것 또는 필름 상에 웨이퍼(70)을 첩부하는 것에 의해 복수의 다이(72)를 유지한다.
웨이퍼 유지부(12)에 유지된 웨이퍼(70)의 각 다이(72)는 기판(80)에 본딩되기 위해서 픽업 툴(14)에 의해 일단 중간 스테이지(16)에 반송되어도 된다(도 2 참조). 이 경우, 예를 들면 웨이퍼 유지부(12)의 하방으로부터 필름 너머로 다이(72)를 밀어올림과 아울러, 픽업 툴(14)에 의해 상방으로부터 필름 상의 다이(72)를 흡착하여, 다이(72)를 중간 스테이지(16)에 반송한다. 또는 다이(72)를 밀어올리는 대신에 웨이퍼 유지부(12)에 있어서의 반송해야 할 다이(72)의 주변 영역을 하방으로 이동시켜도 된다.
중간 스테이지(14)는 웨이퍼 유지부(12)와 마찬가지의 유지 수단에 의해 다이(72)를 유지할 수 있다. 또한 웨이퍼 유지부(12), 픽업 툴(14) 및 중간 스테이지(16)는 도시하지 않는 리니어 모터 등의 구동 기구에 의해 적어도 XY축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다.
본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)는 복수의 본딩 헤드로서 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)를 구비하고 있다. 복수의 본딩 헤드를 설치함으로써 복수의 기판에 대한 본딩을 병행하여 행할 수 있다.
제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 웨이퍼 유지부(12)로부터 픽업되어 중간 스테이지(14)에 반송된 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 본딩 헤드(20a)는 반송 레인(30)의 방향에 있어서 로더부(40)측에 배치되고, 제2 본딩 헤드(20b)는 반송 레인(30)의 방향에 있어서 언로더부(50)측에 배치되어 있다. 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 서로 마찬가지의 구성을 구비하고 있어도 된다.
도 2를 참조하면서 제1 본딩 헤드(20a)를 예로 들어 설명하면, 제1 본딩 헤드(20a)에는 Z축 구동 기구(21)를 개재시켜 본딩 툴(22)이 부착되고, 또 본딩 툴(22)로부터 소정의 거리만큼 떨어진 위치에 촬상부(24)가 부착되어 있다. 제1 본딩 헤드(20a)는 XY 테이블(26)에 의해 XY축 방향으로 이동 가능하게 되어 있어, 이것에 의해 본딩 툴(22) 및 촬상부(24)는 서로 소정의 거리를 유지하면서 함께 XY축 방향으로 이동한다.
또한 도 2에 나타내는 예에서는 본딩 툴(22)과 촬상부(24)가 양쪽 모두 본딩 헤드(20a)에 고정된 태양을 나타내고 있지만, 촬상부(24)는 반드시 본딩 헤드(20a)에 고정되어 있지 않아도 되고, 본딩 툴(22)과는 독립하여 이동 가능해도 된다.
본딩 툴(22)은 예를 들면 다이(72)를 흡착 유지하는 콜릿이다. 이와 같은 콜릿은 직육면체 형상 또는 원추대 형상으로 구성되어 다이(72)의 집적 회로 패턴이 형성된 표면측으로부터 다이(72)의 외측 가장자리에 접촉 유지하도록 구성되어 있다. 본딩 툴(22)인 콜릿은 Z축 방향과 평행한 중심축을 가지고 있고, Z축 구동 기구(21) 및 XY 테이블(26)에 의해 Z축 방향 및 XY축 방향으로 각각 이동 가능하게 되어 있다.
본딩 툴(22)은 도시하지 않는 θ축 구동 기구 및 틸트 구동 기구를 개재시켜 본딩 헤드(22a)에 부착되어 있고, 이들 구동 기구에 의해 Z축 둘레의 회전 및 틸트 방향(경사 방향)으로 가동이 되고 있다. 이들 구성에 의해, 본딩 툴(22)은 중간 스테이지(16)에 배치되는 다이(72)를 상방으로 픽업하고, 당해 픽업한 다이(72)를 중간 스테이지(14)로부터 반송 툴(30)에 반송하고, 다이(72)를 당해 표면과는 반대의 이면이 기판(80)에 대향하는 방향으로 기판(80)에 본딩할 수 있다.
본딩 툴(22)에 의한 중간 스테이지(16)로부터의 다이(72)의 픽업 수단은 웨이퍼 유지부(12)로부터의 다이(72)의 픽업 수단과 마찬가지여도 된다.
촬상부(24)는 중간 스테이지(16)에 배치된 다이(72)의 화상 정보를 취득한다. 촬상부(24)는 Z축 방향에 평행한 광축을 가지고 있고, 중간 스테이지(16)의 작업면을 촬상할 수 있도록 구성되어 있다. 촬상부(24)는 XY축 방향으로 이동 가능하며, 예를 들면 본딩 툴(22)에 의해 다이(72)를 픽업하기 직전에 중간 스테이지(16)의 상방으로 이동하여 중간 스테이지(16) 상의 다이(72)(집적 회로 패턴이 형성된 표면)의 화상 정보를 취득한다. 촬상부(24)에 의해 취득한 화상 정보에 기초하여 본딩 툴(22)에 의해 다이(72)를 정확하게 픽업 및 반송할 수 있다.
이상 설명한 제1 본딩 헤드(20a)의 구성은 제2 본딩 헤드(20b)에 대해서도 마찬가지여도 된다.
도 1로 되돌아가, 반송 레인(30)은 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 본딩하기 위해서 기판(80)을 반송하도록 구성되어 있다. 반송 레인(30)은 단일 방향으로 하나씩의 기판(80)을 반송하는 단일 레인이어도 된다. 도 1에 나타내는 예에서는 반송 레인(30)은 X축 방향으로 기판(80)을 반송한다.
반송 레인(30)은 제1 본딩 헤드(20a)가 본딩하기 위한 영역(30a)과, 제2 본딩 헤드(20b)가 본딩하기 위한 영역(30b)을 가진다. 각 영역에는 적어도 1개의 기판(80)이 반송된다(도 1에 나타내는 예에서는 각 영역에 하나의 기판(80)이 반송되어 있다).
로더부(40) 및 언로더부(50)의 각각은 복수의 기판 수용체(90)(예를 들면 기판 매거진)를 수용하도록 구성되어 있다. 각 기판 수용체(90)는 복수의 기판(80)을 수용하도록 구성되어 있다. 기판 수용체(90)는 예를 들면 각 기판(80)을 XY축 방향에 평행하게 지지하면서, Z축 방향으로 복수의 기판(80)을 적층하여 수용한다. 하나의 기판 수용체(90)에는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판(80)이 수용된다.
로더부(40)에는 이제부터 본딩되어야 할 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체(90)가 로드되고, 언로더부(50)에는 이미 본딩이 완료된 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체가 언로드된다. 본 실시형태에 따른 본딩 장치에 있어서는 로더부(40) 및 언로더부(50)를 실질적으로 마찬가지의 구성으로 할 수 있다.
이하에 있어서는 설명의 편의상 제1 그레이드에 속하는 다이(74)가 본딩되는 기판 및 그것이 수용되는 기판 수용체를 기판(84) 및 기판 수용체(94)로 하고, 제2 그레이드에 속하는 다이(76)가 본딩되는 기판 및 그것이 수용되는 기판 수용체를 기판(86) 및 기판 수용체(96)로 한다. 또 다이, 기판 및 기판 수용체에 대해서 그레이드에 상관없이 총칭한 것을 다이(72), 기판(80) 및 기판 수용체(90)로 한다.
도 3 및 도 4도 참조하면서 로더부(40) 및 언로더부(50)에 대해서 추가로 설명한다. 도 3은 본딩 장치(1)를 Y축 방향으로부터 보았을 때의 개략도이며, 도 4는 본딩 장치(1)를 X축 방향으로부터 보았을 때의 개략도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 로더부(40) 또는 언로더부(50)는 제조 설비에 있어서의 소정의 레인(17)에 따라 주행하는 자동 반송 기구(18)에 액세스하여 기판 수용체(90)를 로드 또는 언로드하도록 구성되어 있다. 자동 반송 기구(18)는 예를 들면 OHT(OverheadHoist Transfer)이다. OHT는 제조 설비의 천정에 설치한 궤도(레인(17))를 주행하고, 벨트 구동으로 상하하는 호이스트 기구를 구비하고 있고, 이것에 의해 사람 손을 거치지 않고 직접적으로 로더부(40) 또는 언로더부(50)에 액세스하여, 기판 수용체(90)를 로드 또는 언로드할 수 있다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)는 Z축 방향으로 계층이 상이한 복수의 데크를 가지고 있다. 예를 들면 로더부(40)는 제1 그레이드 및 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(94, 96)를 배출하는 배출 데크(42)와, 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 수용하는 제1 데크(44)과, 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(96)를 수용하는 제2 데크(46)를 가진다. 이들 각 데크에는 하나 또는 복수의 기판 수용체(90)가 수용된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 자동 반송 기구(18)가 Z축 방향으로 상하함으로써, 자동 반송 기구(18)가 반송한 기판 수용체(94, 96)를 각각 대응하는 제1 데크(42) 또는 제2 데크(44)로 나눌 수 있다. 로더부(40)는 자동 반송 기구(18)가 액세스하는 측과는 반대측(도 4에 나타내는 예에서는 Y축 방향의 반대측)에 있어서, Z축 방향으로 기판 수용체(90)를 상하시키는 것이 가능하게 되어 있고, 이것에 의해 기판 수용체(90)를 복수의 데크의 각 계층(최상층, 중간층 및 최하층)에 걸쳐 반송할 수 있다.
본 실시형태에서는 반송 레인(30)은 Z축 방향에 있어서 제1 데크(42)와 동일한 계층(중간층)에 위치하고 있어, 기판 수용체(90)를 제1 데크(42)와 동일한 중간층으로 이동시키고, 이것에 의해 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.
로더부(40)에 대해서 더욱 상세하게 서술하면, 도 1에 나타내는 예에서는 배출 데크(42)는 영역(42b, 42c)을 가지고, 제1 데크(44)는 영역(44b, 44c)을 가지고, 제2 데크(46)는 영역(46b, 46c)을 가지고 있고, 각 영역에는 하나의 기판 수용체(90)가 수용된다. 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부에 공급되는 기판 수용체(90)는 Z축 방향으로 상이한 계층에 위치하는 영역(44a) 또는 영역(46a)을 경유하여 제1 데크(44) 또는 제2 데크(46)로 나뉜다.
각 데크의 기판 수용체(90)는 Z축 방향으로 상이한 계층에 위치하는 영역(42d, 44d, 46d)으로 이동 가능하게 되어 있고, 제1 데크(44)와 동일한 계층인 영역(44d)을 경유하여 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 전달을 행할 수 있다.
언로더부(50)는 로더부(40)의 구성과 마찬가지의 구성을 가지고 있어도 된다. 예를 들면 언로더부(50)는 제1 및 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(94, 96)를 배출하는 배출 데크(52)와, 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 수용하는 제1 데크(54)와, 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(96)를 수용하는 제2 데크(56)를 가진다. 이들 각 데크에는 하나 또는 복수의 기판 수용체(90)가 수용된다. 자동 반송 기구(18)가 반송한 기판 수용체(90)의 나눔, 각 데크간에 있어서의 기판 수용체(90)의 반송, 및 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 전달은 상기 로더부(40)에 대한 설명이 해당된다.
언로더부(50)에 대해서 더욱 상세하게 서술하면, 도 1에 나타내는 예에서는 배출 데크(52)는 영역(52b, 52c)을 가지고, 제1 데크(54)는 영역(54b, 54c)을 가지고, 제2 데크(56)는 영역(56b, 56c)을 가지고 있고, 각 영역에는 하나의 기판 수용체(90)가 수용된다. 자동 반송 기구(18)에 의해 언로더부에 공급되는 기판 수용체(90)는 Z축 방향으로 상이한 계층에 위치하는 영역(54a) 또는 영역(56a)을 경유하여 제1 데크(54) 또는 제2 데크(56)로 나뉜다.
각 데크의 기판 수용체(90)는 Z축 방향으로 상이한 계층에 위치하는 영역(52d, 54d, 56d)으로 이동 가능하게 되어 있고, 제1 데크(54)와 동일한 계층인 영역(54d)을 경유하여 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 전달을 행할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 본딩 제어부(60)는 본딩 장치(1)에 의한 본딩을 위한 필요한 처리를 제어한다. 본딩 제어부(60)는 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의한 본딩 처리, 웨이퍼 유지부(12)에 유지되는 웨이퍼(70)의 교환 처리, 및 다이(72), 기판(80) 및 기판 수용체(90)의 반송 처리를 제어하는 것을 포함한다. 본딩 제어부(60)는 그들 처리에 필요한 범위에서 본딩 장치(1)의 각 구성과의 사이에서 신호의 송수신이 가능하게 접속되어 당해 각 구성의 동작을 제어한다.
본 실시형태에 있어서는 본딩 제어부(60)는 기억부(62)에 격납된 매핑 정보에 기초하여 본딩을 위한 필요한 처리를 제어한다. 매핑 정보는 이미 설명한 웨이퍼(70)의 각 다이(72)에 있어서의 그레이드에 관한 정보이다.
본딩 제어부(60)는 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판(80)에 대해서, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료된 경우, 당해 기판(80)을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부(50)의 기판 수용체(90)에 보내도록 구성되어 있다.
한편, 본딩 제어부(60)는 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 당해 기판(80)을 다이 미실장 기판으로서 로더부(40)의 기판 수용체(90)에 돌려보내도록 구성되어 있다. 또한 이러한 제어의 상세는 후술하는 본딩 방법에 있어서 설명한다.
또 본딩 제어부(60)에는 제어 정보를 입력하기 위한 조작부(도시하지 않음)와, 제어 정보를 출력하기 위한 표시부(도시하지 않음)가 접속되어 있어, 이것에 의해 작업자가 표시부에 의해 화면을 인식하면서 조작부에 의해 필요한 제어 정보를 입력할 수 있도록 되어 있다.
또한 본딩 제어부(60)는 CPU 및 메모리 등을 구비하는 컴퓨터 장치이며, 메모리(기억부(62))에는 미리 본딩에 필요한 처리를 행하기 위한 본딩 프로그램이나 그 밖의 필요한 정보(상기 매핑 정보를 포함한다)가 격납된다. 본딩 제어부(60)는 후술하는 본딩 방법에 따른 각 공정을 실행 가능하게 구성되어 있다(예를 들면 각 공정을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 구비한다).
이어서 도 5를 참조하면서 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 본 실시형태에 따른 본딩 방법은 상기 본딩 장치(1)를 사용하여 행할 수 있다.
우선, 로더부(40) 및 언로더부(50)에 기판 수용체(90)를 공급한다(S10). 구체적으로는 로더부(40)에는 본딩하기 위해서 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체(90)를 로드하고, 언로더부(50)에는 본딩을 완료한 복수의 기판(80)을 언로드하기 위해서 빈 기판 수용체(90)를 공급한다. 기판 수용체(90)는 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 공급할 수 있다.
이어서 로더부(40)의 기판 수용체(90)로부터 기판(80)을 반송 레인(30)에 반송한다(S11). 구체적으로는 기판 수용체(90)를 영역(44d)으로 이동시키고, 영역(44d)에 배치한 기판 수용체(90)로부터 적어도 1개의 기판(80)을 반송 레인(30)에 반송한다.
그 동안, 웨이퍼 로더부(10)에 수용된 복수의 웨이퍼(70) 중 어느 하나의 웨이퍼(70)를 취출하고, 웨이퍼 유지부(12)에 유지시킨다. 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼(70)에 포함되는 복수의 다이(72)는 복수의 그레이드마다 분류되어 있고, 이러한 그레이드마다의 분류는 매핑 정보로서 본딩 제어부(60)의 기억부(62)에 격납되어 있다. 따라서 본딩 제어부(60)는 웨이퍼 유지부(12)에 유지되는 웨이퍼(70)마다 당해 웨이퍼(70)의 매핑 정보를 기억부(62)로부터 읽어내어, 매핑 정보에 기초하여 본딩 제어를 행한다.
이어서 기판(80)에 복수의 다이(72)를 본딩한다(S12). 본딩 제어부(60)가 매핑 정보에 기초하여 반송 레인(30)에 반송된 기판(80)의 그레이드마다 대응하는 그레이드의 복수의 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 이 경우, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 반송 레인(30)에 반송된 복수의 기판(80)을 병행하여 본딩 처리해도 된다. 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 각각 동시에 또는 순차적으로 본딩해도 된다.
제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 각각 동일한 그레이드를 병행하여 본딩해도 되고, 또는 상이한 그레이드를 병행하여 본딩해도 된다. 구체적으로는 반송 레인(30)에 제1 그레이드에 속하는 2개의 기판(84)을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 각 기판(84)의 복수의 다이 본딩 영역에 본딩해도 된다.
또는 반송 레인(30)에 제1 및 제2 그레이드에 속하는 각 기판(84, 86)을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)의 일방에 의해 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84)의 복수의 다이 본딩 영역에 본딩하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)의 타방에 의해 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 기판(86)의 복수의 다이 본딩 영역에 본딩해도 된다. 또한 이미 서술한 바와 같이, 하나의 다이 본딩 영역에는 복수의 다이(74)를 적층시켜 본딩해도 된다.
그리고 기판(80)에 본딩되어야 할 모든 다이(72)가 본딩된 경우, 당해 기판(80)을 언로더부(50)에 보낸다(S13 YES 및 S14). 즉, 기판(80)의 복수의 다이 본딩 영역의 모두가 다이(74)로 채워져, 기판(80)이 다이 실장 완료 기판이라고 판단되는 경우, 당해 기판(80)을 언로더부(50)의 영역(54d)에 배치한 기판 수용체(90)에 수용한다.
제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 복수의 기판(80)을 병행 처리하는 경우, 예를 들면 언로더부(50)측에 배치된 제2 본딩 헤드(20b)에 대하여 다이 실장 완료 기판의 생성을 우선적으로 행해도 된다.
한편, 기판(80)에 본딩되어야 할 모든 다이(72)가 본딩되어 있지 않은 경우, 당해 기판(80)을 로더부(40)로 돌려보낸다(S13 NO 및 S15). 즉, 기판(80)의 복수의 다이 본딩 영역에 다이(74)가 전혀 본딩되어 있지 않거나 또는 복수의 다이 본딩 영역의 일부에만 다이(74)가 본딩되어 있어, 다이(74)의 본딩의 여지가 있다고 하여 기판(80)이 다이 미실장 기판이라고 판단되는 경우, 당해 기판(80)을 로더부(40)의 영역(44d)에 배치한 기판 수용체(90)에 수용한다.
마지막으로 본딩해야 할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재하는지 여부를 판단하고(S16), 본딩해야 할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재한다고 판단한 경우, 스텝 S11로 되돌아간다(S16 YES).
이 때 본딩 제어부(60)는 웨이퍼 유지부(12)에 유지된 웨이퍼(70)에 포함되는 모든 다이(74)의 본딩을 완료한 경우, 당해 웨이퍼(70)를 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 로더부(10)에 돌려보내고, 웨이퍼 로더부(10)로부터 다른 웨이퍼(70)를 웨이퍼 유지부(12)에 보낸다. 이렇게 하여 웨이퍼 로더부(10)에 수용된 복수의 웨이퍼(70)의 모든 다이(72)의 본딩이 종료되고, 본딩해야 할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재하지 않는다고 판단한 경우, 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 종료한다(S16 NO).
이상과 같이 본 실시형태에 의하면, 로더부(40)의 기판 수용체(90)로부터 반송 레인(30)에 반송된 적어도 1개의 기판(80)에 대해서, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료된 경우, 당해 기판(80)을 다이 실장 완료 기판으로서 언로더부(50)의 기판 수용체(90)에 보내고, 한편 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 당해 기판(80)을 다이 미실장 기판으로서 로더부(40)의 기판 수용체(90)에 돌려보내도록 구성되어 있다.
따라서 다이 미실장 기판과 다이 실장 완료 기판을 획일적으로 처리할 수 있고, 간이한 기구에 의해 효율적으로 그레이드 단위로 다이(72)를 기판(80)에 본딩할 수 있다.
이어서 본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)를 사용한 본딩 방법의 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 각 실시예는 본딩 제어부(60)가 매핑 정보에 기초하여 본딩 장치(1)의 각 구성을 제어함으로써 행할 수 있다.
이하의 각 실시예에서는 기판 수용체에 수용 가능한 기판의 수가 3개인 경우를 예로 설명한다. 또 기판(84a~84i)은 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)가 본딩되는 기판을 나타내고, 기판(86a~86c)은 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)가 본딩되는 기판을 나타내는 것으로 한다.
(실시예 1)
도 6~도 25를 참조하여 실시예 1에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는 반송 레인(30) 상에 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)가 모두 동일한 그레이드에 속하는 다이를 기판에 본딩한다.
본 실시예에 있어서는 각 도면에 나타내는 바와 같이 실시예 1의 일련의 공정에 있어서 로더부(40) 및 언로더부(50)에 있어서의 각 기판 수용체의 배치는 동일하다. 또 로더부(40) 및 언로더부(50)의 각각에 있어서 복수의 기판 수용체는 그들의 이동 경로가 겹치지 않으면 동시에 이동시키면 된다. 본 실시예는 이하의 (1)~(4)의 각 일련의 공정으로 나뉜다.
(1) 가장 먼저 도 6~도 11을 참조하면서 최초의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84)에 본딩하고, 당해 기판(84)을 기판 수용체(94)에 수용할 때까지의 일련의 공정을 설명한다.
우선, 도 6에 나타내는 바와 같이, 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 공급한다. 구체적으로는 로더부(40)에 있어서 제1 그레이드에 속하는 복수의 기판(84a, 84b, 84c)을 수용한 기판 수용체(94)를 영역(44a)에 공급하고, 언로더부(50)에 있어서 빈 기판 수용체(94)를 영역(54a)에 공급한다. 그 동안, 웨이퍼 로더부(10)에 수용한 복수의 웨이퍼(70) 중 1장의 웨이퍼(70)를 웨이퍼 유지부(12)에 반송시키기 위해서 대기시킨다. 웨이퍼(70)에는 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)(도 6에서는 12개)와, 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)(도 6에서는 4개)가 포함되어 있다.
이어서 도 7에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(94)를 제1 데크(44) 상의 영역(44b)을 거쳐 영역(44c)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(94)를 제1 데크(54) 상의 영역(54b)을 거쳐 영역(54c)으로 이동시킨다.
이것과 동시에 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(96)를 공급한다. 구체적으로는 로더부(40)에 있어서 제2 그레이드에 속하는 복수의 기판(86a, 86b, 86c)을 수용한 기판 수용체(96)를 영역(44a)에 공급하고, 언로더부(50)에 있어서 빈 기판 수용체(96)를 영역(54a)에 공급한다. 또한 이들 기판 수용체의 이동 처리와 병행하여 웨이퍼(70)를 웨이퍼 로더부(10)로부터 웨이퍼 유지부(12)에 반송한다.
이어서 도 8에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(94)를 영역(44d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(94)를 영역(54d)으로 이동시킨다. 그리고 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(94)에 수용되는 3개의 기판(84a~84c) 중 기판(84a)을 반송 레인(30)의 영역(30a)에 반송하고, 기판(84b)을 반송 레인(30)의 영역(30b)에 반송한다. 또한 도 8에 나타내는 바와 같이, 각 기판(84a, 84b)에는 각각 복수의 다이 본딩 영역(도 8에서는 각 기판 8개의 다이 본딩 영역)이 설치되어 있다.
또 그 동안, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46a)을 거쳐 제2 데크(46)의 영역(46b)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(56a)을 거쳐 제2 데크(56)의 영역(56b)으로 이동시킨다.
이어서 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼 유지부(12)로부터 반송된 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 영역(30b)에 반송된 기판(84a)의 모든 다이 본딩 영역에 본딩한다.
그 동안, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 제2 데크(46)의 영역(46c)으로 이동시킴과 아울러, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 제2 데크(56)의 영역(56c)으로 이동시킨다. 또한 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 후속의 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 공급한다. 구체적으로는 로더부(40)에 있어서 제1 그레이드에 속하는 복수의 기판(84d, 84e, 84f)을 수용한 후속의 기판 수용체(94)를 영역(44a)에 공급하고, 언로더부(50)에 있어서 빈 후속의 기판 수용체(94)를 영역(54a)에 공급한다.
그 후, 도 10에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)의 본딩을 계속해서 행한다. 즉, 제1 본딩 헤드(20a)에 의해 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 나머지의 복수의 다이(74)를 영역(30a)에 있어서의 기판(84b)의 일부의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 이렇게 하여 웨이퍼 유지부(12) 상의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)를 모두 본딩한다.
이 결과, 반송 레인(30)에는 복수의 다이 본딩 영역의 모두에 다이(74)가 본딩된 기판(84a)과, 복수의 다이 본딩 영역의 일부에 아직 본딩할 여지가 남아있는 기판(84b)이 존재한다. 그 후, 실장 완료 기판인 기판(84a)은 영역(30b)으로부터 언로더부(50)에 보내고, 한편 다이 미실장 기판인 기판(84b)은 영역(30a)으로부터 로더부(40)에 돌려보낸다. 또 본딩 처리 동안, 로더부(40)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크의 영역(44b)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크의 영역(54b)으로 이동시킨다.
이렇게 하여 도 11에 나타내는 바와 같이, 언로더부(50)의 영역(54d)의 기판 수용체(94)에는 모든 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩된 기판(84a)(실장 완료 기판)이 수용되고, 한편 로더부(40)의 영역(44d)의 기판 수용체(94)에는 일부의 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩된 기판(84b)(다이 미실장 기판)이 수용된다.
기판(84a, 84b)을 로더부(40) 또는 언로더부(50)로 이동시키는 동안, 로더부(40)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크(44)의 영역(44c)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크(54)의 영역(54c)으로 이동시킨다.
이상과 같이 최초의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84a, 84b)에 본딩하고, 각 기판(84a, 84b)을 로더부(40) 또는 언로더부(50)의 기판 수용체(94)에 수용할 수 있다.
(2) 이어서 도 12~도 15를 참조하면서 최초의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 기판(86)에 본딩하고, 당해 기판(86)을 기판 수용체(96)에 수용할 때까지의 일련의 공정을 설명한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 제1 데크(44)의 영역(44b, 44c)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 제1 데크(54)의 영역(54b, 54c)으로 이동시킨다. 또 그 동안 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(56d)으로 이동시킨다.
그 후 또한 도 13에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(44d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(54d)으로 이동시킨다. 그리고 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)에 수용되는 3개의 기판(86a~86c) 중 기판(86a)을 반송 레인(30)의 영역(30b)에 반송한다. 또한 도 13에 나타내는 바와 같이, 기판(86a)에는 각각 복수의 다이 본딩 영역(도 13에서는 8개의 다이 본딩 영역)이 설치되어 있다.
이어서 도 14에 나타내는 바와 같이, 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼 유지부(12)로부터 반송된 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 영역(30b)에 반송된 기판(86a)의 일부의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 이렇게 하여 웨이퍼 유지부(12) 상의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 다이(76)를 모두 본딩한다. 이 결과, 반송 레인(30)에는 복수의 다이 본딩 영역의 일부에 아직 본딩할 여지가 남아있는 기판(86a)이 존재한다. 그 후, 다이 미실장 기판인 기판(86a)은 영역(30b)으로부터 로더부(40)에 돌려보낸다.
이렇게 하여 도 15에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)의 영역(44d)의 기판 수용체(96)에는 일부의 다이 본딩 영역에 다이(76)가 본딩된 기판(86a)(다이 미실장 기판)이 수용된다. 또 그 동안, 제1 그레이드 및 제2 그레이드의 각 다이(74, 76)를 모두 본딩 완료한 웨이퍼(70)는 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 유지부(12)로부터 웨이퍼 로더부(10)로 이동된다.
이상과 같이 최초의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 기판(86a, 86b)에 본딩하고, 각 기판(86a, 86b)을 로더부(40)의 기판 수용체(96)에 수용할 수 있다.
(3) 또한 도 16~도 20을 참조하면서 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84)에 본딩하고, 당해 기판(84)을 기판 수용체(94)에 수용할 때까지의 일련의 공정을 설명한다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46d)을 경유하여 제2 데크(46)의 영역(46c)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(56d)을 경유하여 제2 데크(56)의 영역(56c)으로 이동시킨다. 또 그 동안, 후속의 웨이퍼(70)를 웨이퍼 로더부(10)로부터 웨이퍼 유지부(12)에 반송한다.
이어서 도 17에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 영역(44c, 44d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 영역(54c, 54d)으로 이동시킨다. 그리고 로더부(40)에 있어서 영역(54d)의 기판 수용체(94)로부터 기판(84c)을 반송 레인(30)의 영역(30a)에 반송하고, 기판(84b)을 반송 레인(30)의 영역(30b)에 반송한다. 또한 도 17에 나타내는 바와 같이, 기판(84b)에는 이미 일부의 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩되어 있다. 또 기판(84c)에는 각각 복수의 다이 본딩 영역(도 17에서는 8개의 다이 본딩 영역)이 설치되어 있다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼 유지부(12)로부터 반송된 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 영역(30b)에 반송된 기판(84b)의 나머지의 일부의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 그 후, 도 19에 나타내는 바와 같이, 후속의 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)의 본딩을 계속해서 행한다.
즉, 제1 본딩 헤드(20a)에 의해 후속의 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 나머지의 복수의 다이(74)를 영역(30a)에 있어서의 기판(84c)의 모든 다이 본딩 영역에 본딩한다. 이렇게 하여 웨이퍼 유지부(12) 상의 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)를 모두 본딩한다.
이 결과, 반송 레인(30)에는 복수의 다이 본딩 영역의 모두에 다이(74)가 본딩된 각 기판(84b, 84c)이 존재한다. 그 후, 실장 완료 기판인 각 기판(84b, 84c)은 반송 레인(30)으로부터 언로더부(50)에 보내진다.
이렇게 하여 도 20에 나타내는 바와 같이, 언로더부(50)의 영역(54d)의 기판 수용체(94)에는 모든 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩된 기판(84b, 84c)(실장 완료 기판)이 추가로 수용된다. 이 결과, 기판 수용체(94)는 실장 완료 기판인 기판(84a~84c)에 의해 채워져, 그 밖의 기판이 수용될 여지가 없는 상태가 된다.
이상과 같이 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84b, 84c)에 본딩하고, 각 기판(84b, 84c)을 언로더부(50)의 기판 수용체(94)에 수용할 수 있다.
(4) 마지막으로 도 21~도 25를 참조하면서 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(86)에 본딩하고, 당해 기판(86)을 기판 수용체(96)에 수용할 때까지의 일련의 공정을 설명한다.
도 21에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 빈 기판 수용체(94)를 영역(42d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 실장 완료 기판인 기판(84a~84c)에 의해 채워진 기판 수용체(94)를 영역(52d)으로 이동시킨다. 또한 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 후속의 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 공급한다. 구체적으로는 로더부(40)에 있어서 제1 그레이드에 속하는 복수의 기판(84g, 84h, 84i)을 수용한 후속의 기판 수용체(94)를 영역(44a)에 공급하고, 언로더부(50)에 있어서 빈 후속의 기판 수용체(94)를 영역(54a)에 공급한다.
이어서 도 22에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크의 영역(44b)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 후속의 기판 수용체(94)를 제1 데크의 영역(54b)으로 이동시킨다. 또 그 동안, 로더부(40)에 있어서 빈 기판 수용체(94)를 배출 데크(42) 상의 영역(42c)을 경유하여 영역(42b)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 실장 완료 기판인 기판(84a~84c)에 의해 채워진 기판 수용체(94)를 배출 데크(52) 상의 영역(52c)을 경유하여 영역(52b)으로 이동시킨다. 그 후, 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)로부터 각 배출 데크(42, 52)에 배치된 각 기판 수용체(94)를 배출한다.
이렇게 하여 언로더부(50)로부터 제1 그레이드에 속하는 다이(74)가 모두 본딩된 실장 완료 기판인 기판(84a~84c)을 언로드할 수 있다. 또 동시에 로더부(40)로부터 빈 기판 수용체(94)를 회수할 수 있다.
이어서 도 23에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46d)을 경유하여 영역(44d)으로 이동시키고, 한편 언로더부(50)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(56d)을 경유하여 영역(54d)으로 이동시킨다. 그리고 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)에 수용되는 3개의 기판(86a~86c) 중 기판(86a)을 반송 레인(30)의 영역(30b)에 반송한다. 또한 도 23에 나타내는 바와 같이, 기판(86a)에는 이미 일부의 다이 본딩 영역에 다이(76)가 본딩되어 있다.
이어서 도 24에 나타내는 바와 같이, 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼 유지부(12)로부터 반송된 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 영역(30b)에 반송된 기판(86a)의 나머지의 일부의 다이 본딩 영역에 본딩한다.
이렇게 하여 웨이퍼 유지부(12) 상의 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 다이(76)를 모두 본딩한다. 이 결과, 반송 레인(30)의 영역(30b)에는 복수의 다이 본딩 영역의 모두에 다이(76)가 본딩된 기판(86a)이 존재한다. 그 후, 실장 완료 기판인 기판(86a)은 반송 레인(30)으로부터 언로더부(50)에 보내진다.
이렇게 하여 도 25에 나타내는 바와 같이, 언로더부(50)의 영역(54d)의 기판 수용체(96)에는 모든 다이 본딩 영역에 다이(76)가 본딩된 기판(86a)(실장 완료 기판)이 수용된다. 또 그 동안, 제1 그레이드 및 제2 그레이드의 각 다이(74, 76)를 모두 본딩 완료한 후속의 웨이퍼(70)는 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 유지부(12)로부터 웨이퍼 로더부(10)로 이동된다.
이상과 같이 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 기판(86a)에 본딩하고, 기판(86a)을 언로더부(50)의 기판 수용체(96)에 수용할 수 있다.
(실시예 2)
도 26~도 33을 참조하여 실시예 2에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는 반송 레인(30) 상에 상이한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)가 서로 상이한 그레이드에 속하는 다이를 기판에 본딩한다. 또한 이하에 나타내는 실시예 2에서는 도 6~도 18에 나타내는 일련의 공정까지는 상기 실시예 1에서 설명한 내용과 동일하다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 반송 레인(30)의 영역(30b)에 있어서의 기판(84b)이 실장 완료 기판이며, 또한 반송 레인(30)의 영역(30a)에 있어서의 기판(84c)이 다이 미실장 기판인 경우로서, 다이 미실장 기판인 기판(84c)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 본딩해야 할 다이(74)의 나머지의 개수(도 18에서는 8개)가 웨이퍼(70)에 있어서의 제2 그레이드에 속하는 다이(76)의 나머지의 개수(도 18에서는 4개)를 웃돈다는 조건에 있어서, 본 실시예의 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같은 실시예 1 또는 실시예 2의 전환은 매핑 정보에 기초하여 본딩 제어부(60)가 실행한다.
상기 조건에 기초하여 실시예 2로 전환함으로써, 후술하는 도 30에 나타내는 바와 같이, 제1 그레이드에 속하는 기판(84c)을 실장 완료 기판으로 하면서, 상이한 그레이드인 제2 그레이드에 속하는 기판(86b)을 미실장 기판으로 할 수 있다. 따라서 제1 그레이드에 속하는 기판(84c)을 언로더부(50)에 보냄과 동시에, 제2 그레이드에 속하는 기판(86b)을 로더부(40)에 보낼 수 있기 때문에, 상이한 그레이드에 속하는 기판을 반송 레인(30)에 체류시키지 않고 신속히 퇴피시킬 수 있다. 따라서 처리 효율을 떨어뜨리지 않고 상이한 그레이드에 속하는 각 기판을 본딩할 수 있다.
구체적으로 실시예 2의 일련의 공정을 설명하면, 우선 도 26에 나타내는 바와 같이 복수의 다이 본딩 영역의 모두에 다이(74)가 본딩된 기판(84b)을 실장 완료 기판으로서 언로더부(50)에 보낸다. 또 이것과 동시에 제1 그레이드에 속하는 다이(74)가 본딩되어야 할 기판(84c)을 영역(30a)으로부터 영역(30b)으로 이동시킨다.
이렇게 하여 도 27에 나타내는 바와 같이, 언로더부(50)의 영역(54d)의 기판 수용체(94)에는 모든 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩된 기판(84b)(실장 완료 기판)이 추가로 수용된다. 이 결과, 기판 수용체(94)는 실장 완료 기판인 기판(84a, 84b)이 수용된다. 또 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 후속의 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)를 영역(30b)에 있어서의 기판(84c)에 본딩한다. 그리고 그 동안, 로더부(40)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 영역(44b, 44c)으로 이동시킨다.
그 후, 도 28에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 다이(74)의 본딩을 계속해서 행한다. 즉, 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 영역(30b)에 있어서의 기판(84c)의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 또 그 동안, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46)을 경유하여 영역(44d)으로 이동시킨다.
또한 도 29에 나타내는 바와 같이, 계속해서 제2 본딩 헤드(20b)에 의해 웨이퍼(70)의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 영역(30b)에 있어서의 기판(84c)의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 또 그 동안, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)에 수용되는 3개의 기판(86a~86c) 중 기판(86b)을 반송 레인(30)의 영역(30a)에 반송한다. 또한 도 29에 나타내는 바와 같이, 기판(86b)에는 복수의 다이 본딩 영역(도 29에서는 8개의 다이 본딩 영역)이 설치되어 있다.
그 후, 도 30에 나타내는 바와 같이, 계속해서 제2 본딩 헤드(20b)에 의한 본딩을 행하고, 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 영역(30b)에 반송된 기판(84c)의 모든 다이 본딩 영역에 본딩한다.
또 제2 본딩 헤드(20b)에 의한 제1 그레이드의 본딩과 동시에, 제1 본딩 헤드(20a)에 의해 후속의 웨이퍼(70)의 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 영역(30a)에 있어서의 기판(84b)의 일부의 다이 본딩 영역에 본딩한다. 이렇게 하여 웨이퍼 유지부(12) 상의 후속의 웨이퍼(70)에 있어서의 제1 및 제2 그레이드에 속하는 다이(74, 76)를 모두 본딩한다.
이 결과, 반송 레인(30)에는 복수의 다이 본딩 영역의 모두에 다이(74)가 본딩된 기판(84c)(제1 그레이드에 속하는 실장 완료 기판)과, 복수의 다이 본딩 영역의 일부에 아직 본딩할 여지가 남아있는 기판(86b)(제2 그레이드에 속하는 다이 미실장 기판)이 존재한다. 그 후, 다이 실장 완료 기판인 기판(84c)은 영역(30b)으로부터 언로더부(50)에 보내고, 한편 다이 미실장 기판인 기판(86b)은 영역(30a)으로부터 로더부(40)에 돌려보낸다.
이렇게 하여 도 31에 나타내는 바와 같이, 언로더부(50)의 영역(54d)의 기판 수용체(94)에는 모든 다이 본딩 영역에 다이(74)가 본딩된 기판(84c)(실장 완료 기판)이 추가로 수용되고, 한편 로더부(40)의 영역(44d)의 기판 수용체(96)에는 일부의 다이 본딩 영역에 다이(76)가 본딩된 기판(86b)(다이 미실장 기판)이 추가로 수용된다.
기판(86b, 84c)을 로더부(40) 또는 언로더부(50)로 이동시키는 동안, 제1 그레이드 및 제2 그레이드의 각 다이(74, 76)를 모두 본딩 완료한 웨이퍼(70)는 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 유지부(12)로부터 웨이퍼 로더부(10)로 이동된다.
이어서 도 32에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 기판 수용체(96)를 영역(46d)을 경유하여 제2 데크(46)의 영역(46c)으로 이동시킨다. 또 그 동안, 후속의 웨이퍼(70)를 웨이퍼 로더부(10)로부터 웨이퍼 유지부(12)에 반송한다. 그 후, 도 33에 나타내는 바와 같이, 로더부(40)에 있어서 각 기판 수용체(94)를 영역(44d) 및 영역(44c)으로 이동시킨다. 이렇게 하여 로더부(40) 및 언로더부(50)에 있어서의 각 기판 수용체의 배치를 동일하게 할 수 있다.
또한 본 실시예에 있어서의 도 32 이후의 처리는 상기 실시예 1에서 설명한 도 21 이후의 처리를 적용할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않으며 다양하게 변형하여 적용하는 것이 가능하다.
상기 실시형태에서는 다이(72)의 이면이 기판(80)에 대향하도록 다이(72)를 기판(80)에 다이 본딩하는 태양을 설명했지만, 본 발명에 있어서는 다이의 집적 회로 패턴이 형성된 표면을 기판에 대향하는 방향으로 본딩해도 된다. 즉, 다이를 기판에 페이스 다운 본딩해도 된다.
또 상기 실시형태에서는 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 본딩하는 태양을 설명했지만, 본 발명에 있어서는 본딩 헤드는 1개여도 되고, 또는 3개 이상의 본딩 헤드를 적용해도 된다.
또 상기 실시형태에서는 단일의 반송 레인을 사용하는 태양을 설명했지만, 본 발명에 있어서는 복수의 반송 레인의 적용을 방해하는 것은 아니며, 예를 들면 웨이퍼의 그레이드의 수가 3 이상이면 2개의 반송 레인을 적용해도 된다. 이것에 의하면 그레이드의 수에 비해서는 본딩 장치의 대형화를 억제할 수 있다.
또 상기 실시형태에서는 웨이퍼의 다이의 그레이드의 수가 2개인 태양을 설명했지만, 예를 들면 3 이상이어도 된다.
또한 기판은 복수의 다이가 본딩된 후에 각각 개편으로 절단되는 것을 사용해도 되고, 또는 기판에 있어서의 복수의 다이가 본딩되는 영역은 본딩 전에 미리 각각의 부재로 분리되어 있어도 된다.
상기 발명의 실시형태를 통하여 설명된 실시의 태양은 용도에 따라 적절히 조합하여, 또는 변경 혹은 개량을 더하여 사용할 수 있고, 본 발명은 상기 서술한 실시형태의 기재에 한정되는 것은 아니다. 그러한 조합 또는 변경 혹은 개량을 더한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이 특허청구의 범위의 기재로부터 명확하다.
1…본딩 장치
10…웨이퍼 로더부
12…웨이퍼 유지부
14…픽업 툴
16…중간 스테이지
17…레인
18…자동 반송 기구
20a…제1 본딩 헤드
20b…제2 본딩 헤드
21…Z축 구동 기구
22…본딩 툴
24…촬상부
26…XY 테이블
30…반송 레인
40…로더부
42…배출 데크
44…제1 데크
46…제2 데크
50…언로더부
52…배출 데크
54…제1 데크
56…제2 데크
60…본딩 제어부
70…웨이퍼
72…다이
74…다이(제1 그레이드)
76…다이(제2 그레이드)
80…기판
84…기판(제1 그레이드)
86…기판(제2 그레이드)
90…기판 수용체
94…기판 수용체(제1 그레이드)
96…기판 수용체(제2 그레이드)

Claims (13)

  1. 복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 가지는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와,
    상기 웨이퍼 유지부로부터 반송된 상기 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와,
    상기 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해서 상기 기판을 반송하는 반송 레인과,
    상기 반송 레인의 일방단에 설치된 로더부와,
    상기 반송 레인의 타방단에 설치된 언로더부와,
    상기 웨이퍼에 있어서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여 상기 웨이퍼의 상기 각 다이를 당해 다이의 그레이드에 대응하는 상기 기판에 본딩하는 본딩 제어부
    를 구비하고,
    상기 로더부 및 상기 언로더부의 각각은 복수의 기판 수용체를 수용하고,
    상기 복수의 기판 수용체는 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용하고,
    상기 복수의 기판은 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것이며,
    상기 본딩 제어부는 상기 로더부의 상기 기판 수용체로부터 상기 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, (i) 상기 본딩 헤드에 의해 상기 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 상기 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 상기 언로더부의 상기 기판 수용체에 보내고, 한편 (ii) 상기 본딩 헤드에 의해 상기 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 상기 기판을 다이 미실장 기판으로서 상기 로더부의 상기 기판 수용체에 돌려보내는 본딩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 헤드는 상기 웨이퍼 유지부로부터 반송된 상기 다이를 상기 기판 상 또는 상기 기판에 본딩 완료된 다이 상에 본딩하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩 헤드는 제1 본딩 헤드와, 상기 제1 본딩 헤드보다 상기 언로더부측에 배치된 제2 본딩 헤드를 포함하고,
    상기 본딩 제어부는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드의 각각에 대하여 상기 (i) 또는 (ii)를 행하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 본딩 제어부는 상기 언로더부측에 배치된 상기 제2 본딩 헤드에 대하여 우선적으로 상기 (i)을 행하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 본딩 제어부는 상기 매핑 정보에 기초하여 상기 로더부의 상기 기판 수용체로부터 상기 반송 레인에 반송된 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판에 대해서, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드에 의해 상기 (i) 또는 (ii)를 행하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 본딩 제어부는 상기 매핑 정보에 기초하여 상기 로더부의 상기 기판 수용체로부터 상기 반송 레인에 반송된 서로 상이한 그레이드에 속하는 복수의 기판에 대해서, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드에 의해 상기 (i) 또는 (ii)를 행하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 매핑 정보는 상기 웨이퍼의 각 다이를 제1 또는 제2 그레이드로 분류하는 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 본딩 제어부는 상기 웨이퍼 유지부에 유지된 상기 웨이퍼의 상기 제1 그레이드에 대하여 상기 (i) 또는 (ii)를 행하고, 그 후, 상기 웨이퍼 유지부에 유지된 상기 웨이퍼의 상기 제2 그레이드에 대하여 상기 (i) 또는 (ii)를 행하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 로더부 또는 상기 언로더부는 계층이 상이한 복수의 데크를 가지고,
    상기 복수의 데크는 상기 제1 그레이드에 속하는 상기 기판 수용체를 수용하는 제1 데크와, 상기 제2 그레이드에 속하는 상기 기판 수용체를 수용하는 제2 데크를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 로더부 또는 상기 언로더부는 제조 설비에 있어서의 소정의 레인에 따라 주행하는 자동 반송 기구에 액세스하여 상기 기판 수용체를 로드 또는 언로드하는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 복수의 상기 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 로더부를 추가로 포함하고,
    상기 본딩 제어부는 상기 웨이퍼 유지부에 유지된 상기 웨이퍼에 있어서 본딩해야 할 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 상기 웨이퍼를 처리 완료 웨이퍼로서 상기 웨이퍼 로더부에 돌려보내고, 상기 웨이퍼 로더부로부터 다른 웨이퍼를 상기 웨이퍼 유지부에 보내는 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 레인은 단일 레인인 것을 특징으로 하는 본딩 장치.
  13. 복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 가지는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와,
    상기 웨이퍼 유지부로부터 반송된 상기 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와,
    상기 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해서 상기 기판을 반송하는 반송 레인과,
    상기 반송 레인의 일방단에 설치된 로더부와,
    상기 반송 레인의 타방단에 설치된 언로더부와,
    상기 웨이퍼에 있어서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여 상기 웨이퍼의 상기 각 다이를 당해 다이의 그레이드에 대응하는 상기 기판에 본딩하는 본딩 제어부
    를 구비하는 본딩 장치를 사용한 본딩 방법으로서,
    상기 로더부 및 상기 언로더부의 각각은 복수의 기판 수용체를 수용하고,
    상기 복수의 기판 수용체는 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용하고,
    상기 복수의 기판은 각각 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것이며,
    상기 방법은 상기 로더부의 상기 기판 수용체로부터 상기 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판에 대해서, (i) 상기 본딩 헤드에 의해 상기 기판의 모든 다이가 본딩 완료된 경우, 상기 기판을 다이 실장 완료 기판으로서 상기 언로더부의 상기 기판 수용체에 보내고, 한편 (ii) 상기 본딩 헤드에 의해 상기 기판의 모든 다이가 본딩 완료되어 있지 않은 경우, 상기 기판을 다이 미실장 기판으로서 상기 로더부의 상기 기판 수용체에 돌려보내는 본딩 방법.
KR1020187030094A 2016-03-22 2017-03-22 본딩 장치 및 본딩 방법 KR102106884B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-057310 2016-03-22
JP2016057310 2016-03-22
PCT/JP2017/011518 WO2017164252A1 (ja) 2016-03-22 2017-03-22 ボンディング装置及びボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180124101A true KR20180124101A (ko) 2018-11-20
KR102106884B1 KR102106884B1 (ko) 2020-05-06

Family

ID=59900304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187030094A KR102106884B1 (ko) 2016-03-22 2017-03-22 본딩 장치 및 본딩 방법

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6589050B2 (ko)
KR (1) KR102106884B1 (ko)
CN (1) CN109196628B (ko)
SG (1) SG11201810369UA (ko)
TW (1) TWI656593B (ko)
WO (1) WO2017164252A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230014321A (ko) * 2021-07-21 2023-01-30 세메스 주식회사 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
WO2024142027A1 (en) * 2022-12-31 2024-07-04 Besi Switzerland Ag Apparatus and method for bonding components and substrates

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022013070A (ja) * 2020-07-03 2022-01-18 キヤノン株式会社 物品の製造装置、物品の製造方法、プログラム、記録媒体
JP7076518B2 (ja) * 2020-11-09 2022-05-27 キヤノンマシナリー株式会社 搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法
KR102706412B1 (ko) * 2021-11-24 2024-09-11 세메스 주식회사 다이 본딩 장치 및 다이 본딩 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0761586A (ja) * 1993-08-31 1995-03-07 Central Glass Co Ltd 板状体の積載台車およびその積載方法
JPH098086A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Tokyo Electron Ltd プローブカード装着機構およびそれに用いる移動部材、並びにプローブカード装着機構を有するプローバー
JP2007258319A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置および電子部品実装方法
KR20130030196A (ko) * 2011-09-16 2013-03-26 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 다이 본더 및 본딩 방법
KR20130073337A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2591464B2 (ja) * 1993-12-24 1997-03-19 日本電気株式会社 ダイボンディング装置
JP3202543B2 (ja) * 1995-06-23 2001-08-27 株式会社東芝 ダイボンディング方法及びその装置
JP4957453B2 (ja) * 2007-08-23 2012-06-20 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法
CN105325070B (zh) * 2013-06-24 2019-02-12 株式会社富士 元件安装系统及元件安装方法
KR101614204B1 (ko) * 2014-04-29 2016-04-20 세메스 주식회사 다이 픽업 유닛, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 방법
JP6391378B2 (ja) * 2014-09-10 2018-09-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP6124969B2 (ja) * 2015-09-24 2017-05-10 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0761586A (ja) * 1993-08-31 1995-03-07 Central Glass Co Ltd 板状体の積載台車およびその積載方法
JPH098086A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Tokyo Electron Ltd プローブカード装着機構およびそれに用いる移動部材、並びにプローブカード装着機構を有するプローバー
JP2007258319A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置および電子部品実装方法
KR20130030196A (ko) * 2011-09-16 2013-03-26 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 다이 본더 및 본딩 방법
JP2013065711A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ及びボンディング方法
KR20130073337A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230014321A (ko) * 2021-07-21 2023-01-30 세메스 주식회사 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
WO2024142027A1 (en) * 2022-12-31 2024-07-04 Besi Switzerland Ag Apparatus and method for bonding components and substrates

Also Published As

Publication number Publication date
TW201742179A (zh) 2017-12-01
CN109196628A (zh) 2019-01-11
TWI656593B (zh) 2019-04-11
JPWO2017164252A1 (ja) 2019-01-24
CN109196628B (zh) 2021-11-26
KR102106884B1 (ko) 2020-05-06
WO2017164252A1 (ja) 2017-09-28
SG11201810369UA (en) 2018-12-28
JP6589050B2 (ja) 2019-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102106884B1 (ko) 본딩 장치 및 본딩 방법
KR101479815B1 (ko) 다이 본더 및 본딩 방법
KR20180135833A (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9603294B2 (en) Apparatus for mounting semiconductor chips
JP4307410B2 (ja) 集積回路チップのピックアップ及び分類装置
US20130167369A1 (en) Apparatuses for mounting semiconductor chips
KR20010062479A (ko) 멀티칩 본딩 방법 및 장치
WO2008097012A1 (en) Vision system of sawing and placement equipment
JP6124969B2 (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
KR100395981B1 (ko) 다이본딩 방법 및 그 장치
US20060105477A1 (en) Device and method for manufacturing wafer-level package
KR102129837B1 (ko) 기판 공급 유닛 및 본딩 장치
JP6329665B2 (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
CN108605431B (zh) 元件封装设备及其方法
KR102654727B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
TWI830438B (zh) 晶粒接合裝置以及晶粒接合方法
KR102483224B1 (ko) 반도체 칩 반송 장치 및 이를 구비하는 소잉 소터 시스템
JP2023086684A (ja) フィルム結合モジュール、並びにそれを含む半導体ストリップ切断及び分類装備
KR20220093802A (ko) 반도체 스트립 이송 방법
CN117984203A (zh) 一种晶圆磨抛设备及磨抛加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant