KR20180122065A - 필름 상의 반도체칩 패키지 - Google Patents

필름 상의 반도체칩 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20180122065A
KR20180122065A KR1020170056019A KR20170056019A KR20180122065A KR 20180122065 A KR20180122065 A KR 20180122065A KR 1020170056019 A KR1020170056019 A KR 1020170056019A KR 20170056019 A KR20170056019 A KR 20170056019A KR 20180122065 A KR20180122065 A KR 20180122065A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
heat dissipating
film
ceramic heat
coating layer
Prior art date
Application number
KR1020170056019A
Other languages
English (en)
Inventor
김영득
박용진
Original Assignee
주식회사 실리콘웍스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실리콘웍스 filed Critical 주식회사 실리콘웍스
Priority to KR1020170056019A priority Critical patent/KR20180122065A/ko
Publication of KR20180122065A publication Critical patent/KR20180122065A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 무광택의 유색 표면을 가지는 세라믹방열도료층이 형성된 방열금속을 이용하여 비접촉식 온도계에 의한 표면 온도 측정이 용이한 반도체칩 패키지 기술을 제공한다.

Description

필름 상의 반도체칩 패키지{PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR CHIP ON FILM}
본 발명은 필름 상에 배치되는 반도체칩의 패키지에 관한 것이다.
COF(Chip On Film)는 반도체칩을 필름 형태의 인쇄회로기판에 장착하는 기술이다.
COF는 회로가 새겨진 폴리이미드 필름 상에 이방도전성필름이나 솔더범프 등을 이용해 반도체칩을 실장하는 기술로, 반도체칩의 소형화가 가능하고 소재가 유연하여 패키지의 경박단소화에 적합한 기술이다.
한편, 경박단소화의 추세에 따라 COF에 포함되는 반도체칩의 체적은 감소하는 경향을 나타내고 있는데 반해, 반도체칩에서 처리해야하는 신호량은 증가하면서 반도체칩의 발열이 문제되고 있다.
반도체칩의 발열을 해결하기 위해 금속계열의 방열부재가 사용되고 있으나, 금속계열의 방열부재는 특유의 광택성으로 인해 비접촉식 온도 측정-예를 들어, 적외선 온도 측정-이 되지 않고, 이로 인해 제조 과정에서의 신뢰성 테스트가 어려운 문제가 있다.
이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 필름 상의 반도체칩 패키지에 적용되는 방열부재로서, 비접촉식 온도 측정이 가능한 방열부재 기술을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 필름의 일측으로 배치되는 반도체칩; 상기 필름의 일측에서, 상기 반도체칩과 접속패드를 전기적으로 연결시키는 배선들; 일측면이, 상기 필름의 타측면으로 부착되는 방열금속;
세라믹방열물질을 포함하며, 상기 방열금속의 타측면에 형성되는 무광택의 세라믹방열도료층; 및 투명재질로 구성되며, 상기 세라믹방열도료층을 덮으면서 상기 방열금속 및 상기 세라믹방열도료층을 상기 필름에 결합시키는 투명테이프를 포함하는 필름 상의 반도체칩 패키지를 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명은, 필름 상에 배치되는 반도체칩; 상기 필름 상에서, 상기 반도체칩과 접속패드를 전기적으로 연결시키는 배선들; 상기 배선들의 일부와 상기 반도체칩을 덮으면서 배치되는 방열금속; 세라믹방열물질을 포함하며, 상기 방열금속의 상측면에 형성되는 무광택의 세라믹방열도료층; 및 투명재질로 구성되며, 상기 세라믹방열도료층을 덮으면서 상기 방열금속 및 상기 세라믹방열도료층을 상기 필름에 결합시키는 투명테이프를 포함하는 필름 상의 반도체칩 패키지를 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 필름 상의 반도체칩 패키지의 방열부재를 제공하면서, 비접촉식 온도 측정이 가능할 수 있게 된다.
도 1은 일 실시예에 따른 반도체칩 패키지의 상면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'에 대한 절단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 반도체칩 패키지의 상면도이다.
도 4는 도 3의 B-B'에 대한 절단면도이다.
도 5는 도 3의 C-C'에 대한 절단면도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 반도체칩 패키지의 상면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'에 대한 절단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체칩 패키지(100)는 반도체칩(110), 방열부재(120), 배선들(130), 접속패드(142, 144) 및 필름(150) 등을 포함할 수 있다.
필름(150)은 연성 필름으로서 폴리이미드 계열의 연성 필름일 수 있다.
필름(150) 상에는 배선들(130)이 배치될 수 있다. 배선들(130)은 금속재질-예를 들어, 구리-로 구성될 수 있으며, 반도체칩(110)과 접속패드(142, 144)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
배선들(130)에 대한 절연을 강화시키고 외부의 영향으로부터 배선들(130)을 보호하기 위해, 필름(150) 상에는 배선들(130)을 덮는 보호층(152)이 위치할 수 있다. 보호층(152)은 표면절연부재(SR: Surface Resist)로 알려진 소재들이 사용될 수 있다.
접속패드(142, 144) 중 제1접속패드(142)는 디스플레이 패널에 접속되고, 제2접속패드(144)는 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에 접속될 수 있다.
반도체칩(110)은 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 드라이버IC(Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 드라이버IC는 인쇄회로기판(PCB)으로부터 수신한 신호를 처리하여 디스플레이 패널을 구동할 수 있다.
반도체칩(110)의 하면에 형성된 범퍼가 배선들(130)에서 노출된 부분-보호층(152)이 형성되지 않은 부분-과 결합하면서 반도체칩(110)과 배선들(130)이 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체칩(110)이 신호를 처리할 때 발생하는 열은, 반도체칩(110)의 외피를 통해 방출되는데, 일부의 열은 반도체칩(110)의 상측 외피를 통해 대기로 방출되고, 다른 일부의 열은 반도체칩(110)의 범퍼를 통해 배선들(130)로 전달된다. 일반적으로 비금속성물질로 구성되는 반도체칩(110)의 외피보다 금속성물질로 구성되는 반도체칩(110)의 범퍼의 열전도율이 높기 때문에 많은 열이 반도체칩(110)의 범퍼를 통해 배선들(130)로 전달될 수 있다.
반도체칩(110)의 방열을 위해 필름(150)의 하측으로 방열부재(120)가 배치될 수 있다.
방열부재(120)는 금속성재질-예를 들어, 알루미늄판-로 구성되는 방열금속(124)을 포함할 수 있다.
평면상으로 방열금속(124)의 면적은 반도체칩(110)의 면적보다 클 수 있다. 이러한 면적 차이로 인해 반도체칩(110)에서 생성된 열이 방열금속(124)의 넓은 면적을 통해 확산되어 방출되는 효과가 발생하게 된다.
방열금속(124)의 면적은 반도체칩(110)의 N(N은 3 이상의 자연수)배 이상의 면적을 가질 수 있다. 전술한 것과 같이 반도체칩(110)에서 생성된 열 중 많은 양이 반도체칩(110)의 범퍼를 통해 배선들(130)로 전달되는데, 배선들(130)로 전달된 열을 방열시키기 위해 방열금속(124)의 면적 내에 배선들(130)의 일부분이 배치될 수 있다. 이를 위해, 방열금속(124)의 면적은 일방향과 타방향으로 각각 반도체칩(110)의 면적만큼 더 큰 면적으로 가질 수 있는데, 이에 따라, 방열금속(124)의 면적은 반도체칩(110)의 N배 이상의 면적을 가질 수 있다.
방열금속(124)은 일측면이 필름(150)의 하측면에 부착될 수 있다. 여기서, 상측과 하측은 설명의 편의를 위한 표현으로 필름(150)의 일측과 타측으로 이해하면 된다.
접착력을 강화하기 위해 방열금속(124)은 접착제(122)를 통해 필름(150)과 접착될 수 있다. 이때, 접착제(122)는 열전도성이 높은 재질로 구성되는 것이 바람직한데, 일반적으로 금속입자가 포함된 접착제의 열전도성이 높은 것으로 알려져 있다.
방열금속(124)의 상측면은 필름(150)에 부착되고, 방열금속(124)의 하측면에는 무광택의 세라믹방열도료층(126)이 형성될 수 있다.
세라믹방열도료층(126)은 세라믹방열물질을 포함할 수 있다. 세라믹방열물질로서는, 예를 들어, 질화붕소 혹은 질화알루미늄이 사용될 수 있다. 질화붕소 혹은 질화알루미늄으로 구성되는 세라믹방열물질은 방열특성이 높고, 굽힘과 같은 변형에서도 연성이 유지되어 형상의 복원이 잘 되는 장점이 있다.
세라믹방열도료층(126)은 무광택의 유색 표면을 가질 수 있다. 유색 표면을 형성하기 위해, 세라믹방열도료층(126)은 세라믹방열물질과 혼합되는 유색 도료를 더 포함할 수 있다. 유색 도료는 흑색 계열의 도료일 수 있다.
세라믹방열물질은 재질의 본연의 특성에 따라 무광택을 나타낼 수 있으나 실시예에 따라서는 무광택을 나타내기 위한 무광택첨가제가 세라믹방열물질에 더 혼합되어 사용될 수 있다.
방열금속(124)은 광택성을 가지는 금속성재질-예를 들어, 알루미늄판-로 구성되기 때문에 외부의 광을 반사시키는 특성을 가질 수 있다. 외부의 광을 반사시키는 물질의 경우, 적외선온도계에 의한 온도 측정이 어려운 문제가 있다.
일 실시예에 따른 방열부재(120)는 방열금속(124)의 하측면에 형성되는 무광택의 세라믹방열도료층(126)을 더 포함함으로써 이러한 문제를 해결하고 있다.
세라믹방열도료층(126)은 무광택의 유색 표면을 가질 수 있는데, 이러한 표면 특성으로 인해 입사광에 대한 반사광의 비율을 최소화시킬 수 있다.
외부의 적외선온도계는 세라믹방열도료층(126)의 표면에서 방출되는 적외선을 이용하여 세라믹방열도료층(126), 방열금속(124) 혹은 반도체칩(110)의 온도를 측정할 수 있다.
적외선온도계는 측정 대상 표면의 반사계수를 적용하여 측정된 온도를 보정할 수 있으나 반사계수가 일정 범위를 초과하면 측정된 온도를 보정할 수 없게 되는데, 무광택의 유색 표면을 가지는 세라믹방열도료층(126)은 반사계수를 일정 범위 이내로 제한시킬 수 있다. 한편, 적외선온도계는 더 정확한 온도 측정을 위해 세라믹방열도료층(126)의 반사계수를 적용하여 측정된 온도를 보정할 수 있다.
단품 테스트의 방열 효과를 측정할 때는 접촉식 온도계를 사용할 수 있으나 다수의 제품을 생산하는 제조 공정에서는 접촉식 온도계를 사용하는 것이 부적합하다. 일 실시예에 따른 방열부재(120)는 비접촉식의 적외선온도계를 통한 표면 온도 측정을 통해 제조 공정에서의 신뢰성 테스트가 용이해지도록 하는 장점이 있다.
한편, 방열부재(120)는 투명재질로 구성되며 세라믹방열도료층(126)을 덮으면서 방열금속(124) 및 세라믹방열도료층(126)을 필름(150)에 결합시키는 투명테이프(128)를 더 포함할 수 있다.
일반적으로 방열부재에 불투명재질의 유색테이프가 사용되기도 하는데, 이는 적외선온도계와 같은 비접촉식 온도계를 이용하여 방열부재의 표면 온도를 측정하기 위한 일 방책이다. 그런데, 유색테이프의 경우 열전도율이 높지 않기 때문에 유색테이프의 표면 온도와 내부에 위치하는 방열금속의 온도 차이가 상당하다. 이러한 상당한 온도 차이에 따라 유색테이프의 표면 온도를 측정하여 방열금속의 온도를 추정하는 것은 부정확한 측면이 있었다.
이와 달리, 일 실시예에 따른 방열부재(120)는 투명재질의 투명테이프(128)를 이용하여 방열금속(124) 및 세라믹방열도료층(126)을 필름(150)에 결합시키기 때문에 비접촉식의 적외선온도계를 이용하여 세라믹방열도료층(126)의 표면 온도를 직접 측정할 수 있다. 세라믹방열도료층(126) 및 방열금속(124)의 열전도율은 상대적으로 매우 높기 때문에 세라믹방열도료층(126)의 표면 온도를 측정하면 방열금속(124)의 온도나 반도체칩(110)의 온도가 상대적으로 높은 정확도로 추정될 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 반도체칩 패키지의 상면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'에 대한 절단면도이며, 도 5는 도 3의 C-C'에 대한 절단면도이다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 반도체칩 패키지(300)는 반도체칩(110), 방열부재(320), 배선들(130), 접속패드(142, 144) 및 필름(150) 등을 포함할 수 있다.
필름(150)은 연성 필름이고, 필름(150) 상에는 배선들(130)이 배치될 수 있다. 그리고, 배선들(130)은 반도체칩(110)과 접속패드(142, 144)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
배선들(130)에 대한 절연을 강화시키고 외부의 영향으로부터 배선들(130)을 보호하기 위해, 필름(150) 상에는 배선들(130)을 덮는 보호층(152)이 위치할 수 있다.
접속패드(142, 144) 중 제1접속패드(142)는 디스플레이 패널에 접속되고, 제2접속패드(144)는 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에 접속될 수 있다.
반도체칩(110)은 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 드라이버IC(Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 드라이버IC는 인쇄회로기판(PCB)으로부터 수신한 신호를 처리하여 디스플레이 패널을 구동할 수 있다.
반도체칩(110)의 하면에 형성된 범퍼가 배선들(130)에서 노출된 부분-보호층(152)이 형성되지 않은 부분-과 결합하면서 반도체칩(110)과 배선들(130)이 전기적으로 연결될 수 있다.
반도체칩(110)의 방열을 위해, 방열부재(320)가 반도체칩(110)의 상측으로 배치될 수 있다.
방열부재(320)는 금속성재질-예를 들어, 알루미늄판-로 구성되는 방열금속(324)을 포함할 수 있다.
평면상으로 방열금속(324)의 면적은 반도체칩(110)의 면적보다 클 수 있다. 이러한 면적 차이로 인해 반도체칩(110)에서 생성된 열이 방열금속(324)의 넓은 면적을 통해 확산되어 방출되는 효과가 발생하게 된다.
방열금속(324)은 필름(150)의 상측에서 배선들(130)의 일부와 반도체칩(110)을 덮으면서 배치될 수 있다.
방열금속(324)이 필름(150)을 거치지 않고 반도체칩(110)의 외피로부터 직접적으로 열을 전달받음으로써 방열효과를 증가시킬 수 있다.
접착력을 강화하기 위해 방열금속(324)은 접착제(322)를 통해 필름(150) 및 반도체칩(110)과 접착될 수 있다. 실질적으로 필름(150) 및 배선들(130) 상에 보호층(152)이 배치될 수 있기 때문에, 방열금속(324)은 접착제(322)를 통해 보호층(152) 및 반도체칩(110)과 접착될 수 있다. 이때, 접착제(322)는 열전도성이 높은 재질로 구성되는 것이 바람직한데, 일반적으로 금속입자가 포함된 접착제의 열전도성이 높은 것으로 알려져 있다.
방열금속(324)의 하측면은 보호층(152) 및 반도체칩(110)에 부착되고, 방열금속(324)의 상측면에는 무광택의 세라믹방열도료층(326)이 형성될 수 있다.
세라믹방열도료층(326)은 세라믹방열물질을 포함할 수 있다. 세라믹방열물질로서는, 예를 들어, 질화붕소 혹은 질화알루미늄이 사용될 수 있다.
세라믹방열도료층(326)은 무광택의 유색 표면을 가질 수 있다. 유색 표면을 형성하기 위해, 세라믹방열도료층(326)은 세라믹방열물질과 혼합되는 유색 도료를 더 포함할 수 있다. 유색 도료는 흑색 계열의 도료일 수 있다.
세라믹방열물질은 재질의 본연의 특성에 따라 무광택을 나타낼 수 있으나 실시예에 따라서는 무광택을 나타내기 위한 무광택첨가제가 세라믹방열물질에 더 혼합되어 사용될 수 있다.
방열부재(320)는 투명재질로 구성되며 세라믹방열도료층(326)을 덮으면서 방열금속(324) 및 세라믹방열도료층(326)을 필름(150)에 결합시키는 투명테이프(328)를 더 포함할 수 있다.
한편, 방열부재(320)는 서로 다른 높이를 가지는 보호층(152)과 반도체칩(110)의 상측에 배치되면서 일부분에 요철이 형성될 수 있다. 이러한 요철은 경우에 따라 방열부재(320)가 들뜨게 되는 원인이 될 수 있다.
연속된 면이 단차를 만나게 되면 단차 부분에서 들뜸 현상이 발생할 수 있다. 특히, 연속된 면이 좁은 면적에서 단차를 만나게 될 경우, 넓은 면적에서 단차를 만나게 되는 경우보다 더 많이 들뜨게 되는 문제가 있다.
반도체칩(110)은 평면상의 일방향(이하, '길이 방향'이라 함)의 길이가 이에 수직된 타방향의 길이(이하, '폭'이라 함)보다 긴 형상을 가질 수 있는데, 이때, 반도체칩(110)의 길이 방향에서, 반도체칩(110)의 양단 부분에서 방열부재(320)의 들뜸 현상이 나타날 수 있다.
다른 실시예에 따른 방열부재(320)는 들뜸 현상을 개선하기 위해, 반도체칩(110)의 길이 방향에서, 방열금속(324) 및 세라믹방열도료층(326) 중 반도체칩(110)의 양단 부분에 개구부(360)를 포함할 수 있다.
개구부(360)는 길이 방향에서 반도체칩(110)과 보호층(152) 사이의 영역(단차영역)-일반적으로 언더필층이 형성되는 영역-보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 이러한 구성은 제조 과정에서 개구부(360)의 부착 위치를 맞추는 것을 용이하게 하는 장점도 있지만, 개구부(360)의 가장자리가 단차영역에 걸칠 때 발생하는 방열부재(320)의 찢어짐 현상을 방지하는 효과도 있다.
개구부(360)의 면적이 단차영역보다 넓은 경우 개구부(360)에 의해, 반도체칩(110)의 길이 방향의 양단이 노출될 수 있다. 다른 측면에서 보면, 개구부(360)에 의해, 길이 방향에서 반도체칩(110)의 양단에 인접한 보호층(152)이 노출될 수 있다.
방열부재(320) 중 반도체칩(110)의 상측에 위치하는 부분(320a)의 길이(L2)는 반도체칩(110)의 길이(L1)보다 짧을 수 있다.
그리고, 개구부(360)는 반도체칩(110)의 길이 방향과 수직되는 방향(반도체칩의 폭 방향)으로 길게 늘어서고, 개구부(360)의 길이는 반도체칩(110)의 폭보다 길 수 있다.
그리고, 개구부(360)의 폭(D2)은 반도체칩(110)과 보호층(152) 사이의 영역(단차영역)의 폭(D1)보다 길 수 있다.
이러한 개구부(360)의 구조에 따라 반도체칩(110)의 길이 방향에서 방열부재(320) 중 반도체칩(110)의 상측에 위치하는 부분(320a)과 보호층(152)의 상측에 위치하는 부분(320b)이 서로 분리되고 좁은 면적에서의 단차에 의한 들뜸 현상이 개선될 수 있다.
반대로 도 4와 같이 반도체칩(110)의 폭 방향에서는 방열부재(320)가 연속적으로 형성됨으로써 방열 및 접착 특성을 일정 이상으로 유지할 수 있게 된다.
실시예에 따라서는 개구부(360)는 방열금속(324) 및 세라믹방열도료층(152)에만 형성되고 투명테이프(328)에는 형성되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 실시예들에 의하면, 필름 상의 반도체칩 패키지의 방열부재를 제공하면서, 비접촉식 온도 측정이 가능할 수 있게 된다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 필름의 일측으로 배치되는 반도체칩;
    상기 필름의 일측에서, 상기 반도체칩과 접속패드를 전기적으로 연결시키는 배선들;
    일측면이, 상기 필름의 타측면으로 부착되는 방열금속;
    세라믹방열물질을 포함하며, 상기 방열금속의 타측면에 형성되는 무광택의 세라믹방열도료층; 및
    투명재질로 구성되며, 상기 세라믹방열도료층을 덮으면서 상기 방열금속 및 상기 세라믹방열도료층을 상기 필름에 결합시키는 투명테이프
    를 포함하는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹방열물질은 질화붕소 혹은 질화알루미늄으로 구성되는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹방열도료층은,
    상기 세라믹방열물질과 혼합되는 유색 도료를 더 포함하는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    평면상으로 볼 때,
    상기 방열금속의 면적은 상기 반도체칩의 N(N은 3 이상의 자연수)배 이상의 면적을 가지고 상기 배선들의 일부분은 상기 방열금속의 면적 내에 배치되는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 방열금속은 광택성의 알루미늄판으로 구성되고,
    상기 세라믹방열도료층은 유색 도료와 혼합된 상기 세라믹방열물질에 의해 무광택의 유색 표면을 가지는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  6. 필름 상에 배치되는 반도체칩;
    상기 필름 상에서, 상기 반도체칩과 접속패드를 전기적으로 연결시키는 배선들;
    상기 배선들의 일부와 상기 반도체칩을 덮으면서 배치되는 방열금속;
    세라믹방열물질을 포함하며, 상기 방열금속의 상측면에 형성되는 무광택의 세라믹방열도료층; 및
    투명재질로 구성되며, 상기 세라믹방열도료층을 덮으면서 상기 방열금속 및 상기 세라믹방열도료층을 상기 필름에 결합시키는 투명테이프
    를 포함하는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체칩의 길이 방향에서,
    상기 방열금속 및 상기 세라믹방열도료층 중 상기 반도체칩의 양단 부분에 개구부가 형성되는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 개구부에 의해, 상기 반도체칩의 양단이 노출되는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 배선들을 덮는 보호층이 상기 필름 상에 배치되고,
    상기 개구부에 의해, 상기 반도체칩의 양단에 인접한 보호층이 노출되는 필름 상의 반도체칩 패키지.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 반도체칩의 길이 방향과 수직되는 방향으로 길게 늘어서고, 상기 개구부의 길이는 상기 반도체칩의 폭보다 긴 필름 상의 반도체칩 패키지.
KR1020170056019A 2017-05-02 2017-05-02 필름 상의 반도체칩 패키지 KR20180122065A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170056019A KR20180122065A (ko) 2017-05-02 2017-05-02 필름 상의 반도체칩 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170056019A KR20180122065A (ko) 2017-05-02 2017-05-02 필름 상의 반도체칩 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180122065A true KR20180122065A (ko) 2018-11-12

Family

ID=64398137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170056019A KR20180122065A (ko) 2017-05-02 2017-05-02 필름 상의 반도체칩 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180122065A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114721188A (zh) * 2022-03-29 2022-07-08 颀中科技(苏州)有限公司 覆晶封装结构的形成方法、覆晶封装结构及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114721188A (zh) * 2022-03-29 2022-07-08 颀中科技(苏州)有限公司 覆晶封装结构的形成方法、覆晶封装结构及显示装置
CN114721188B (zh) * 2022-03-29 2024-05-17 颀中科技(苏州)有限公司 覆晶封装结构的形成方法、覆晶封装结构及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101244075B1 (ko) 파워 표면 마운트 발광 다이 패키지
US8813556B2 (en) Intake temperature sensor
US9823279B2 (en) Current sensing using a metal-on-passivation layer on an integrated circuit die
TWI568997B (zh) Infrared sensor
US10170508B2 (en) Optical package structure
US9760754B2 (en) Printed circuit board assembly forming enhanced fingerprint module
US20110204497A1 (en) Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same
US8446159B2 (en) Current sensor using leadframe as sensing element
US5302022A (en) Technique for measuring thermal resistance of semiconductor packages and materials
CN109326567B (zh) 用于将集成电路管芯安装到载体的负圆角
US20070152329A1 (en) Heat-radiating semiconductor chip, tape wiring substrate and tape package using the same
TWI557398B (zh) Infrared sensor and infrared sensor device
US10488268B2 (en) Temperature difference measuring apparatus
WO2018159453A1 (ja) モジュール
KR20180122065A (ko) 필름 상의 반도체칩 패키지
KR102090578B1 (ko) 전자 장치의 기판, 이를 포함하는 전자 장치 및 접속부의 저항 측정 방법
KR102107149B1 (ko) Cof 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6473778B2 (ja) 光学的封止構造体
US8531004B1 (en) Metal-on passivation resistor for current sensing in a chip-scale package
KR100271836B1 (ko) 금속성 전자 부품 패키지 장치
JP5739705B2 (ja) 半導体モジュール、電子機器及び状態判定方法
KR100252051B1 (ko) 휨 방지막을 구비하는 탭 테이프
US7224061B2 (en) Package structure
KR102598594B1 (ko) 소자용 기판, 발광소자 모듈 및 발광 장치
CN112992797A (zh) 芯片封装

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application