KR20180121137A - 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법 및 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법 - Google Patents

비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법 및 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불순물의 함량이 낮은 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 제조하기 위한 것으로, (A) 반응용매와 불화암모늄을 반응용기에 투입한 후 반응용기의 온도를 0 ~ 5℃까지 냉각하는 단계; (B) 상기 냉각된 반응용기에 비스(클로로술포닐)이미드를 적가한 후 80~100℃까지 승온시킨 뒤 2~4시간 동안 반응시키는 단계; 및 (C) 반응 종결 후 상온에서 냉각한 다음 여과하여 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 수득하는 단계를 포함하는 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법에 관한 것이다.

Description

비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법 및 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법{Manufacturing Method For bis-Fluoro Sulfonyl Imide Salt And bis-Fluoro Sulfonyl Imide Ammonium Salt}
본 발명은 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염 및 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비스(플루오로술포닐)이미드염의 중간체로서 성능이 우수한 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법 및 고순도의 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법에 관한 것이다.
비스(플루오로술포닐)이미드염은 이온 도전 재료나 이온 액체의 아니온원으로서 유용한 물질로, 전해질이나, 연료 전지의 전해액으로의 첨가물, 선택적 흡전자재 등 여러 분야에서 유용한 화합물로 사용된다.
비스(플루오로술포닐)이미드의 제조방법으로는 하기의 비특허문헌 1에서는 우레아와 플루오로황산을 혼합한 후에 가열하여 반응시키는 방법이 개시되어 있고, 비특허문헌 2에는 비스(클로로술포닐)이미드와 3 불화비소(AsF3)를 반응시키는 방법이 개시되어 있다.
비스(플루오로술포닐)이미드염의 합성법은 특허문헌 1에는 N-(플루오로술포닐)-N-(트리플루오로메틸술포닐)이미드트리에 틸암모늄염과 수산화리튬 1 수화물을 용해한 수용액을 상압하에서 혼합하고, 용매를 증류 건고시킴으로써, N-(플루오로술포닐)-N-(트리플루오로메틸술포닐)이미드리튬염을 얻고 있다.
또한, 특허문헌 2에는 암모늄시클로-퍼플루오로알칸-1,n-비스[술포닐]이미드의 테트라하이드로푸란 용액에, 수산화리튬 1 수염 (水鹽) 의 테트라하이드로푸란 용액을 첨가하고, 120 분간 자비 (煮沸) 함으로써 리튬시클로-퍼플루오로알칸-1,n-비스[술포닐]이미드를 얻은 것이 기재되어 있다.
비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염은 비스(플루오로술포닐)이미드염의 합성시 중간체로서 유용하다.
비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 합성법은 비특허문헌 3에서 디(플루오로술포닐)이미드와 암모니아로부터 디(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 합성하는 방법을 개시하고 있다.
일본 공개특허공보 제2010-168249호 일본 공표특허공보 제2000-506132호
Chem.Ber.95, 246 ∼ 8 (1962) (Appel ＆ Eisenhauer) Inorg. Synth. 11, 138 ∼ 43 (1968) Zeitschrift fuer Chemie (1987), 27(6), 227-8
본 발명은 불순물의 함량이 적은 비스(플루오로술포닐)이미드염을 효율적으로 제조하기 위한 방법 및 그 중간체로서 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위해 (A) 반응용매와 불화암모늄을 반응용기에 투입한 후 반응용기의 온도를 0 ~ 5℃까지 냉각하는 단계; (B) 상기 냉각된 반응용기에 하기 화학식 1의 비스(클로로술포닐)이미드를 적가한 후 70~90℃까지 승온시킨 뒤 2~4시간 동안 반응시키는 단계; 및 (C) 반응 종결 후 상온에서 냉각한 다음 여과하여 하기 화학식 2의 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 수득하는 단계를 포함하는 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법을 제공한다.
상기 화학식 1은
Figure pat00001
이고, 화학식 2는
Figure pat00002
이다.
또한, 본 발명은 상기 반응용매는 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 이소부틸아세테이트, 이소부티르산에틸 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (a) 상기 제조된 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염과 금속화합물 또는 오늄화합물을 3~5시간 동안 교반하여 반응시키는 단계; (b) 상기 (a)반응 종결 후 초순수를 투입한 후 교반하여 유기층과 초순수층으로 분리하는 단계; (c) 상기 분리된 초순수층은 제거하고, 유기층은 여과하는 단계; (d) 상기 여과된 유기층을 농축한 후 결정을 생성하는 단계; 및 (e) 상기 생성된 결정에 톨루엔을 투입하고, 질소 분위기에서 여과한 후 진공 건조하여 비스(플루오로술포닐)이미드염을 수득하는 단계를 포함하는 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속화합물은 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 비스(플루오로술포닐)이미드염 합성의 중간체인 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 공업상 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 이로부터 얻어진 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 이용하여 합성한 비스(플루오로술포닐)이미드염은 불순물의 함량이 적어 순도가 우수하고, 전해질 성능 등도 우수한 효과가 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 우선, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 '약', '실질적으로' 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
본 발명은 전해질로서 우수한 성능을 갖는 비스(플루오로술포닐)이미드염과 그 합성 중간체인 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 제조하는 방법에 관한 것이다.
비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 제조하는 방법은 여러가지가 있으나, 본 발명은 하기 화학식 1의 비스(클로로술포닐)이미드를 합성하여, 이를 암모늄화합물과 반응시켜 하기 화학식 2의 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 제조한다.
[화학식 1]
Figure pat00003
[화학식 2]
Figure pat00004
상기 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염은 불화암모늄(NH4F)과 비스(클로로술포닐)이미드를 반응시켜 합성할 수 있다.
상기 비스(클로로술포닐)이미드는 클로로술폰산과 클로로술포닐 이소시아네이트를 반응시켜 얻을 수 있다. 다만, 이에 한정되지 아니하고 기존에 개시된 방법을 실시하거나 시판품을 사용하면 충분하다. 또한, N-(클로로술포닐)-N-(플루오로알킬술포닐)이미드를 사용할 수도 있는데, 이는 클로로술포닐이소시아네이트와 불화알킬술폰산의 반응이나, 불화알킬술포닐이소시아네이트와 클로로술폰산의 반응 등에 의해 얻을 수 있다.
상기 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법을 구체적으로 설명하면, (A) 반응용매와 불화암모늄을 반응용기에 투입한 후 반응용기의 온도를 0 ~ 5℃까지 냉각하는 단계; (B) 상기 냉각된 반응용기에 상기 화학식 1의 비스(클로로술포닐)이미드를 적가한 후 70~90℃까지 승온시킨 뒤 2~4시간 동안 반응시키는 단계; 및 (C) 반응 종결 후 상온에서 냉각한 다음 여과하여 상기 화학식 2의 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 수득하는 단계를 거치는 것을 특징으로 한다.
상기 (A)단계에서 사용되는 반응용매는 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 이소부틸아세테이트 또는 이소부티르산에틸이고, 부틸아세테이트를 사용함이 가장 바람직하다. 부틸아세테이트르를 반응용매로 사용하여 합성된 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 이용하여 제조된 비스(플루오로술포닐)이미드염은 불순물의 함량이 낮아 순도가 우수한 특성이 있다.
상기 (B)단계에서 비스(클로로술포닐)이미드를 적가한 후 반응온도를 70~90℃로 함이 바람직한데, 75~85℃로 반응함이 더욱 바람직하다. 반응온도가 70℃보다 낮으면 반응의 진행이 느려 비효율적이고, 반응축적에 의한 급격한 발열 현상이 진행될 수도 있다. 또한, 반응온도가 90℃보다 높으면 반응물 중 일부의 뭉침 현상이 발생하고, 불순물 함량도 많아져 공업적으로 효율성이 떨어질 수 있다.
또한, 상기 (B)단계에서 반응시간은 2~4시간이 바람직하다. 반응시간이 2시간보다 낮으면 반응진행이 미미하여 수율이 떨어지고, 반응시간이 4시간보다 많으면 반응물 중 일부가 깨지는 현상이 발생하고, 수율 및 순도도 떨어지는 문제가 있다.
상기 (C)단계의 상온에서 냉각함은 자연상태에 두어 결정화되도록 하는 것을 나타내고, 상온이라 함은 0~30℃, 바람직하게는 0~20℃이다.
상기 (C)단계를 거쳐 수득된 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 금속화합물 또는 오늄화합물 등을 이용하여 양이온치환반응을 함으로써 비스(플루오로술포닐)이미드염을 제조할 수 있다. 상기 양이온치환반응은 유기양이온을 무기양이온으로 치환함으로써 전해질 특성을 향상시킬 수 있다.
구체적인 방법은 (a) 상기 제조된 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염과 금속화합물 또는 오늄화합물을 4시간 동안 교반하여 반응시키는 단계; (b) 상기 (a)반응 종결 후 초순수를 투입한 후 교반하여 유기층과 초순수층으로 분리하는 단계; (c) 상기 분리된 초순수층은 제거하고, 유기층은 여과하는 단계; (d) 상기 여과된 유기층을 농축한 후 결정을 생성하는 단계; 및 (e) 상기 생성된 결정에 톨루엔을 투입하고, 질소 분위기에서 여과한 후 진공 건조하여 비스(플루오로술포닐)이미드염을 수득하는 단계를 거쳐 비스(플루오로술포닐)이미드염을 제조한다.
상기 금속화합물은 양이온 치환이 되는 것이면 특별히 제한되지 않으나 수산화물을 사용함이 바람직하다. 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘 등을 사용할 수 있다.
상기 양이온 치환 반응에 사용되는 오늄화합물도 특별히 제한되지 않으나 수산화물을 사용함이 바람직하다. 예를 들어 1,3-디메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-알릴-3-에틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-알릴-3-부틸이미다졸륨하이드록사이드,1,3-디알릴이미다졸륨하이드록사이드, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨하이드록사이드, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨하이드록사이드 등의 이미다졸륨의 수산화물; 2-에틸-1,3,5-트리메틸피라졸륨하이드록사이드, 2-프로필-1,3,5-트리메틸피라졸륨하이드록사이드, 2-부틸-1,3,5-트리메틸피라졸륨하이드록사이드, 2-헥실-1,3,5-트리메틸피라졸륨하이드록사이드의 피라졸륨의 수산화물; 1-에틸피리디늄하이드록사이드, 1-부틸피리디늄하이드록사이드, 1-헥실피리디늄하이드록사이드, 1-옥틸피리디늄하이드록사이드, 1-에틸-3-메틸피리디늄하이드록사이드, 1-에틸-3-하이드록시메틸피리디늄하이드록사이드, 1-부틸-3-메틸피리디늄하이드록사이드, 1-부틸-4-메틸피리디늄하이드록사이드, 1-옥틸-4-메틸피리디늄하이드록사이드, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄하이드록사이드, 1-부틸-3,5-디메틸피리디늄하이드록사이드 등의 피리디늄의 수산화물; 1-프로필-1-메틸피롤리디늄하이드록사이드, 1-부틸-1-메틸피롤리디늄하이드록사이드, 1-헥실-1-메틸피롤리디늄하이드록사이드, 1-옥틸-1-메틸피롤리디늄하이드록사이드, 1-부틸-1-프로필피롤리디늄하이드록사이드 등의 피롤리디늄의 수산화물; 1-프로필-1-메틸피페리디늄하이드록사이드, 1-부틸-1-메틸피페리디늄하이드록사이드, 1-(2-메톡시에틸)-1-메틸피페리디늄하이드록사이드 등의 피페리디늄의 수산화물; 4-프로필-4-메틸모르폴리늄하이드록사이드, 4-(2-메톡시에틸)-4-메틸모르폴리늄하이드록사이드 등의 모르폴리늄의 수산화물; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 테트라헵틸암모늄하이드록사이드, 테트라헥실암모늄하이드록사이드, 테트라옥틸암모늄하이드록사이드, 트리에틸메틸암모늄하이드록사이드, 프로필트리메틸암모늄하이드록사이드, 디에틸-2-메톡시에틸메틸암모늄하이드록사이드, 메틸트리옥틸암모늄하이드록사이드, 시클로헥실트리메틸암모늄하이드록사이드, 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸페닐암모늄하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄하이드록사이드, 벤질트리부틸암모늄하이드록사이드, 벤질트리에틸암모늄하이드록사이드, 디메틸디스테아릴암모늄하이드록사이드, 디알릴디메틸암모늄하이드록사이드, 2-메톡시에톡시메틸트리메틸암모늄하이드록사이드, 테트라키스(펜타플루오로에틸)암모늄하이드록사이드, N-메톡시트리메틸암모늄하이드록사이드, N-에톡시트리메틸암모늄하이드록사이드, N-프로폭시트리메틸암모늄하이드록사이드 등 4 급 암모늄의 수산화물; 트리헥실테트라데실포스포늄하이드록사이드 등의 포스포늄의 수산화물; 트리메틸술포늄하이드록사이드 등의 술포늄의 수산화물; 구아니디늄하이드록사이드, 2-에틸-1,1,3,3-테트라메틸구아니디늄하이드록사이드 등의 구아니디늄의 수산화물; 2-에틸-1,1,3,3-테트라메틸이소우로늄하이드록사이드 등의 이소우로늄의 수산화물 ; 및 2-에틸-1,1,3,3-테트라메틸이소티오우로늄하이드록사이드 등의 이소티오우로늄의 수산화물을 사용하여 실시할 수 있다.
상기 양이온 치환 반응에 의해 화학식 3의 비스(플루오로술포닐)이미드염을 얻을 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00005
Mn+는 금속 양이온 또는 오늄 양이온을 나타내고, n은 금속 양이온 또는 오늄 양이온의 가수에 해당하고, 1 ~ 4의 정수를 나타냄이 바람직하다.
본 발명의 제조방법에 의한 비스(플루오로술포닐)이미드염은 일차전지, 이차전지 등의 전기 화학 디바이스를 구성하는 이온 전도체의 재료로도 유용하다.
이하 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 이들 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시되는 것일 뿐 본 발명의 권리 범위가 이들 실시예에 반드시 한정되는 것으로 해석되어 져서는 아니된다.
[실험예 1]
(비스(클로로술포닐)이미드의 합성단계)
반응용기에 클로로술폰산 250g(2.14 mol)과 클로로술포닐 이소시아네이트 319g (2.25 mol, 1.05eq)을 25℃에서 순서대로 투입한 후 반응기 내부에 질소를 충분히 넣어 비활성 분위기를 만들어 준다.
천천히 140℃ 까지 승온 후 8시간 동안 반응시킨다. 반응 종결 후 50℃까지 냉각시켜 비스(클로로술포닐)이미드 430g을 수득하였다.
(비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 합성단계)
부틸아세테이트 4000g과 불화암모늄 207.6g(5.61mol, 3.0eq)을 반응용기에 투입한 후 반응용기의 온도를 5℃까지 냉각한다. 비스(클로로술포닐)이미드 400g(1.87mol)을 천천히 적가한 후 70℃ 까지 승온한 뒤, 4시간 동안 반응시킨다. 반응 종결 후 실온까지 냉각한 다음 여과해주어 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염 용액4330g을 수득하였다.
( 비스(플루오로술포닐)이미드염의 합성단계)
반응 용기에 여과액 약 4330g을 투입한 후 수산화리튬 수화물 70.57g을 반응기에 투입하고 4시간동안 교반해 준다.
반응 종결 후 초순수 330g을 투입하고, 30분간 교반 후 초순수층을 제거한다. 그 다음 유기층에 초순수 100g을 투입하고, 30분간 교반 후 초순수층을 제거한다. 유기층을 여과해준 후 감압조건에서 유기층을 농축한 후 결정이 생성되면 톨루엔 700g을 투입해준다. 밀폐된 여과기에 질소를 주입하여 질소분위기를 형성한 후 여과하고, 그 다음 진공 건조하여 비스(플루오로설포닐)이미드리튬염 120g을 수득하였다.
[실험예 2 내지 10]
실험예 1과 동일하되,
비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 합성단계에서, 하기 표 1에 기재된 용매 4000g과 불화암모늄 207.6g(5.61mol, 3.0eq)을 반응용기에 투입한 후 비스(클로로술포닐)이미드 400g(1.87mol)을 천천히 적가한 후, 하기 표 1에 기재된 온도까지 승온한 뒤, 하기 표 1에 기재된 시간동안 반응시킨다.
용매 승온온도(℃) 반응시간(hr)
실험예 1 부틸아세테이트 70 4
실험예 2 부틸아세테이트 80 2
실험예 3 부틸아세테이트 90 2
실험예 4 에틸아세테이트 70 4
실험예 5 이소프로필아세테이트 70 4
실험예 6 이소부틸아세테이트 70 4
실험예 7 이소부티르산에틸 70 4
[실험비교예 1 내지 6]
실험예 1과 동일하되,
비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 합성단계에서, 하기 표 2에 기재된 용매 4000g과 불화암모늄 207.6g(5.61mol, 3.0eq)을 반응용기에 투입한 후 비스(클로로술포닐)이미드 400g(1.87mol)을 천천히 적가한 후, 하기 표 2에 기재된 온도까지 승온한 뒤, 하기 표 2에 기재된 시간 동안 반응시킨다.
용매 승온온도(℃) 반응시간(hr)
실험비교예 1 부틸아세테이트 20 24
실험비교예 2 부틸아세테이트 40 12
실험비교예 3 부틸아세테이트 60 8
실험비교예 4 부틸아세테이트 65 4
실험비교예 5 부틸아세테이트 95 2
실험비교예 6 부틸아세테이트 95 4
실시예 1 내지 7
실험예 1 내지 7에 의해 수득된 비스(플루오로술포닐)이미드리튬염 0.25g을 초순수(18.2Ω·㎝·s)로 1000배 희석하여 측정 용액으로 하고, 이온 크로마토그래피 시스템 Thermo Dionex Dual(ICS-5000)를 사용해서, 비스(플루오로술포닐)이미드리튬염에 포함되는 불순물의 함량을 측정하였다.
비교예 1 내지 6
실시예 1과 동일하되, 실험비교예 1 내지 6에 의해 수득된 비스(플루오로술포닐)이미드리튬염을 사용하여 측정하였다.
하기 표 3은 본 발명에 의한 실시예 및 비교예의 수율, 불순물 함량을 측정하여 나타낸 값이다.
구분 수율(%) 불순물 함량(ppm)
Cl- SO4 2-
실시예 1 39 2 3
실시예 2 41 1 2
실시예 3 40 2 5
실시예 4 32 5 12
실시예 5 28 12 25
실시예 6 35 3 7
실시예 7 25 13 28
비교예 1 31 18 241
비교예 2 32 17 227
비교예 3 34 15 153
비교예 4 34 15 131
비교예 5 35 25 98
비교예 6 36 14 85
본 발명에 의한 실시예는 상기 표 3에서 보는 바와 같이 비교예와 대비하여 불순물 함량이 낮게 형성됨을 확인할 수 있다. 즉, 불순물 함량이 낮은 비스(플루오로술포닐)이미드염은 순도가 높은 비스(플루오로술포닐)이미드염을 나타내어 다양한 분야에서 성능이 우수한 전해액 등으로 사용될 수 있다.

Claims (4)

  1. (A) 반응용매와 불화암모늄(NH4F)을 반응용기에 투입한 후 반응용기의 온도를 0 ~ 5℃까지 냉각하는 단계;
    (B) 상기 냉각된 반응용기에 하기 화학식 1의 비스(클로로술포닐)이미드를 적가한 후 70~90℃까지 승온시킨 뒤 2~4시간 동안 반응시키는 단계; 및
    (C) 반응 종결 후 상온에서 냉각한 다음 여과하여 하기 화학식 2의 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염을 수득하는 단계를 포함하는 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법.

    [화학식 1]
    Figure pat00006

    [화학식 2]
    Figure pat00007
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응용매는 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 이소부틸아세테이트, 이소부티르산에틸 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    (a) 상기 제조방법에 의해 제조된 비스(플루오로술포닐)이미드암모늄염과 금속화합물 또는 오늄화합물을 3 ~ 5시간 동안 교반하여 반응시키는 단계;
    (b) 상기 (a)단계 종결 후 초순수를 투입 및 교반하여 유기층과 초순수층으로 분리하는 단계;
    (c) 상기 분리된 초순수층은 제거하고, 유기층은 여과하는 단계;
    (d) 상기 여과된 유기층을 농축한 후 결정을 생성하는 단계; 및
    (e) 상기 생성된 결정에 톨루엔을 투입하고, 질소 분위기에서 여과한 후 진공 건조하여 비스(플루오로술포닐)이미드염을 수득하는 단계를 포함하는 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속화합물은 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법.
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