KR20180120389A - LED pixel device having flip-chip structure - Google Patents

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KR20180120389A KR1020170054222A KR20170054222A KR20180120389A KR 20180120389 A KR20180120389 A KR 20180120389A KR 1020170054222 A KR1020170054222 A KR 1020170054222A KR 20170054222 A KR20170054222 A KR 20170054222A KR 20180120389 A KR20180120389 A KR 20180120389A
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Abstract

Disclosed is an LED pixel element having a flip-chip structure. The LED pixel element comprises: a first LED chip including a light emission surface on an upper surface thereof and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a lower surface thereof; a second LED chip including a light emission surface on an upper surface thereof and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a lower surface thereof; a third LED chip including a light emission surface on an upper surface thereof and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a lower surface thereof; and a light shield formed to surround a side surface of the first LED chip, a side surface of the second LED chip, and a side surface of the third LED chip to suppress mixing of light between the side surfaces of the first, second, and third LED chips. The first, second, and third LED chips emit lights of different colors. The light emission surfaces of the first, second, and third LED chips are exposed to the outside of the optical shield on an upper surface of the optical shield. The n-type electrode pads and the p-type electrode pads of the first, second and third LED chips are exposed to the outside of the optical shield at a lower surface of the optical shield. Therefore, the LED pixel element may have a simple manufacturing process.

Description

플립칩 구조를 갖는 LED 픽셀 소자{LED pixel device having flip-chip structure}[0001] The present invention relates to an LED pixel device having a flip chip structure,

본 발명은 LED 픽셀 소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 플립칩 구조를 포함하고, LED 디스플레이 장치에서 하나의 픽셀(pixel)을 구성하는 LED 픽셀 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an LED pixel element, and more particularly, to an LED pixel element comprising a flip chip structure and constituting one pixel in an LED display device.

통상적인 풀-컬러 LED 디스플레이 장치에 있어서, 각 픽셀은 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED로 구성된다. 또한, 근래 들어서는, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 및 백색 LED로 각 픽셀을 구성하는 LED 디스플레이 장치도 제안된 바 있다.In a typical full-color LED display device, each pixel consists of a red LED, a green LED, and a blue LED. Recently, an LED display device constituting each pixel by a red LED, a green LED, a blue LED, and a white LED has been proposed.

통상은 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED 각각이 패키지 단위로 제작되어 기판 상에 실장되는데, 이 경우, 각 픽셀을 구성하는 LED들 사이가 멀어져 고품질의 해상도를 얻기 어렵다. 그리고 패키지 단위의 LED들로 픽셀을 구성할 경우, 최근 주목 받고 있는 마이크로 LED 디스플레이 장치에 적용이 어려웠다. 또한, 각각이 적색, 녹색 또는 적색의 단일 LED칩을 포함하는 LED 패키지들을 예컨대 전사 프린팅 기술을 이용하여 기판 상에 어레이하여 디스플레이 장치를 구현할 경우, 공정 시간의 증가로 인해 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.In general, the red LED, the green LED and the blue LED are each packaged and mounted on a substrate. In this case, the LEDs constituting each pixel are distant from each other and it is difficult to obtain a high quality resolution. In addition, when the pixels are composed of the LEDs of the package unit, it is difficult to apply them to the micro LED display device which has recently been attracting attention. Further, when LED packages each including a single LED chip of red, green, or red are arrayed on a substrate using, for example, transfer printing technology, a display device is disadvantageously reduced in productivity due to an increase in process time.

이에 대하여 종래에 적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩을 기판 상에 직접 어레이하는 기술이 제안된 바 있다. 이러한 기술은 리드프레임들 및 그 리드프레임들을 지지하는 구조로 인한 부피 증가를 없애, 픽셀 내 LED 간격 및 픽셀 간 간격을 줄이는데 크게 기여한다. 그러나, 이 기술은 다수의 LED칩들을 개별적으로 기판 상에 실장하여야 하므로 작업 시간이 과도하게 길어져 생산성이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 이 기술은 외부의 노이즈 광 유입으로 인해 디스플레이 장치의 영상 품질이 저해될 우려가 큰 문제점이 있다. 또한, 이 기술은 기판 상에 실장된 각 LED칩들 각각을 실리콘 수지와 같은 봉지재료로 봉지하는 것이 것이 필요한데, 이때, 봉지재에 굴곡이 발생할 우려가 높다는 문제점이 있다. 또한, 서로 다른 파장을 발하면서 서로 이웃하게 배치된 LED칩들 사이에 원치 않는 광 혼합이 발생할 우려가 있다.On the other hand, a technique has been proposed in which a red LED chip, a green LED chip and a blue LED chip are directly arrayed on a substrate. This technique greatly contributes to reducing the LED spacing and the inter-pixel spacing in the pixel, eliminating the volume increase due to the structures supporting the lead frames and their lead frames. However, this technique requires a plurality of LED chips to be individually mounted on a substrate, resulting in an unduly long working time and low productivity. In addition, this technique has a problem that the image quality of the display device is likely to be deteriorated due to external noise light input. In addition, it is necessary to seal each LED chip mounted on a substrate with an encapsulating material such as silicone resin. However, there is a problem that the encapsulation material is likely to be bent. In addition, there is a concern that unwanted light mixing may occur between LED chips disposed adjacent to each other while emitting different wavelengths.

본 발명이 해결하는 과제는, LED 디스플레이 장치에 적용될 때, 픽셀들 사이의 거리, 그리고, 각 픽셀 내 LED칩들 사이의 거리를 최소화할 있으면서도, 하나의 픽셀을 구성하는 LED칩들을 통합적으로 구비하여 그 LED칩들이 외부 기판 상에 한꺼번에 실장될 수 있는, 플립칩 구조를 갖는 LED 픽셀 소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the above-mentioned problems, and has as its object to provide an LED display device which is capable of minimizing a distance between pixels and a distance between LED chips in each pixel, And an LED pixel element having a flip chip structure in which LED chips can be mounted on an external substrate at a time.

본 발명의 일측면에 따른 LED 픽셀 소자는, 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제1 LED칩; 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제2 LED칩; 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제3 LED칩; 및 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩들의 측면들 사이에서 광이 섞이는 것을 억제하도록, 상기 제1 LED칩의 측면, 상기 제2 LED칩의 측면 및 상기 제3 LED칩의 측면을 둘러싸도록 형성된 광 쉴드를 포함하며, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩은 서로 다른 색의 광을 발하며, 상기 광 쉴드의 상면에서는 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED의 광 방출면이 상기 광 쉴드의 외측으로 노출되고, 상기 광 쉴드의 저면에서는 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED의 n형 전극패드와 p형 전극패드가 상기 광 쉴드의 외측으로 노출된다.An LED pixel element according to an aspect of the present invention includes: a first LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; A second LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; A third LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; And a side surface of the first LED chip, a side surface of the second LED chip, and a side surface of the third LED chip so as to suppress mixing of light between the sides of the first LED chip, the second LED chip, Wherein the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip emit lights of different colors, and the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip emit light of different colors, The light emitting surface of the second LED chip and the third LED is exposed to the outside of the light shield, and the first LED chip, the second LED chip, and the n-type LED of the third LED The electrode pad and the p-type electrode pad are exposed to the outside of the optical shield.

일 실시예에 따라, 상기 광 쉴드는 광 흡수 재료를 포함하는 수지에 의해 형성될 수 있다.According to one embodiment, the light shield may be formed by a resin comprising a light absorbing material.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩의 광 방출면을 덮도록 상기 광 쉴드의 상면에 형성된 광 투과막을 더 포함하며, 상기 광 투과막은 외부 광의 유입을 줄이기 위한 광 흡수 재료를 포함한다.The light-shielding film may further include a light-transmissive film formed on an upper surface of the light shield so as to cover the light-emitting surfaces of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip, And a light absorbing material for reducing the inflow.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩의 광 방출면을 덮도록 상기 광 쉴드의 상면에 형성된 광 투과막을 더 포함하고, 상기 광 투과막과 상기 광 쉴드는 서로 동일한 광 흡수성 재료를 포함하되, 상기 광 흡수성 재료는 상기 광 투과막보다 상기 광 쉴드에 더 큰 비율로 포함된다.According to an embodiment of the present invention, the light emitting device further comprises a light transmitting film formed on the top surface of the light shield to cover the light emitting surfaces of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip, The light shield includes the same light absorbing material, wherein the light absorbing material is included in the light shield at a greater rate than the light transmitting film.

일 실시예에 따라, 상기 광 쉴드는 블랙 카본 4~6 중량 %를 포함하는 실리콘 수지 재료에 의해 형성된다.According to one embodiment, the light shield is formed of a silicone resin material containing 4 to 6% by weight of black carbon.

일 실시예에 따라, 상기 광 쉴드는 블랙 카본 4~6 중량 %와 SiO2 1~2 중량%을 포함하는 에폭시 수지 재료에 의해 형성된다.According to one embodiment, the light shield is formed by an epoxy resin material comprising 4 to 6 wt% of black carbon and 1 to 2 wt% of SiO 2 .

일 실시에에 따라, 상기 광 투과막의 두께 t2는 상기 광 쉴드의 두께 t1의 1~2배인 것이 바람직하다.According to one embodiment, the thickness t2 of the light transmitting film is preferably 1 to 2 times the thickness t1 of the optical shield.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭 w2은 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭 w1의 2 내지 4 배인 것이 바람직하다. The width w2 of each of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip may be a width w1 of the first LED chip, the second LED chip, It is preferably 2 to 4 times.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭 w1은 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격 b1보다 작은 것이 바람직하다.According to an embodiment, the lateral width w1 of each of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip may be set between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the third LED chip, Is preferably smaller than the interval b1 between the LED chips.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭이 w1이고, 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격이 b1이고, 상기 광 쉴드의 횡방향 마진 폭이 b2일 때, b1 > w1 > b2인 것이 바람직하다.According to an embodiment, the width of each of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip is w1, and between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the second LED chip, When the interval between the third LED chips is b1 and the lateral margin width of the optical shield is b2, it is preferable that b1 > w1 > b2.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭이 w1이고, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭이 w2이고, 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격이 b1이고, 상기 광 쉴드의 횡방향 마진 폭이 b2이고, 상기 광 쉴드의 종방향 마진 폭이 b3일 때, w2 > b1 > w1> b2 > b3인 것이 바람직하다.According to an embodiment, the width of each of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip is w1, and the width of each of the first LED chip, the second LED chip, Is w2, a distance between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the third LED chip is b1, a lateral margin width of the optical shield is b2, When the longitudinal margin width is b3, it is preferable that w2> b1> w1> b2> b3.

일 실시예에 따라, 상기 광 방출면은 외부 공기와 직접 접해 있을 수 있다.According to one embodiment, the light emitting surface may be in direct contact with the outside air.

일 실시예에 따라, 상기 제1 LED칩은 적색 LED칩이고, 상기 제2 LED칩은 녹색 LED칩이며, 상기 제3 LED칩은 청색 LED칩일 수 있다.According to an embodiment, the first LED chip may be a red LED chip, the second LED chip may be a green LED chip, and the third LED chip may be a blue LED chip.

일 실시예에 따라, 상기 적색 LED칩은 위를 향해 차례로 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투광성 기판을 갖는 에피 구조물을 포함하며, 상기 에피 구조물의 저면에는 n형 전극패드가 형성되는 n형 영역과 p형 전극패드가 형성되는 p형 영역이 모두 형성되되, 상기 n형 영역은 상기 n형 반도체층의 저면을 덮고 있는 절연층 일부가 제거된 영역으로 한정되고, 상기 p형 영역은 상기 에피 구조물에 형성된 절개부를 통해 상기 p형 반도체층 연결되는 배선부가 n형 반도체층의 저면을 덮고 있는 절연층과 접하는 영역으로 한정되며, 상기 광 방출면은 상기 투광성 기판의 노출 표면을 포함하며, 상기 n형 영역에 형성된 n형 전극패드와 상기 p형 영역에 형성된 p형 전극패드는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역의 단차를 보상하여, 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된다.According to an embodiment, the red LED chip includes an epitaxial structure having an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent substrate sequentially in an upward direction, and an n-type electrode pad is formed on a bottom surface of the epitaxial structure type region and a p-type region in which a p-type electrode pad is formed, wherein the n-type region is defined as a region in which a part of the insulating layer covering the bottom of the n-type semiconductor layer is removed, Type semiconductor layer through an incision formed in the epitaxial structure, the light-emitting surface including an exposed surface of the light-transmitting substrate, wherein the light- The n-type electrode pad formed in the n-type region and the p-type electrode pad formed in the p-type region compensate the step difference between the n-type region and the p-type region, Green, is formed of a different thickness.

일 실시예에 따라, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 각각은 위를 향해 차례로 p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층 및 투광성 기판을 갖는 에피 구조물을 포함하며, 상기 에피 구조물의 저면에는 상기 p형 반도체층과 상기 활성층이 영역적으로 제거되어 형성된 단차 구조에 의해 n형 전극패드가 형성되는 n형 영역과 p형 전극패드가 형성되는 p형 영역이 모두 형성되며, 상기 광 방출면은 상기 투광성 기판의 노출 표면을 포함하며, 상기 n형 영역에 형성된 n형 전극패드와 상기 p형 영역에 형성된 p형 전극패드는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역의 단차를 보상하여, 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된다.According to an embodiment, each of the green LED chip and the blue LED chip includes an epitaxial structure having a p-type semiconductor layer, an active layer, an n-type semiconductor layer, and a transparent substrate sequentially in an upward direction, an n-type region in which an n-type electrode pad is formed and a p-type region in which a p-type electrode pad are formed are formed by a step structure formed by regionally removing the p-type semiconductor layer and the active layer, Wherein the n-type electrode pad formed on the n-type region and the p-type electrode pad formed on the p-type region compensate a step between the n-type region and the p-type region, So as to have a surface to be placed on the substrate.

본 발명의 일측면에 따른 LED 픽셀 소자 제조방법은 블랙 카본을 포함하는 에폭시 또는 실리콘 수지 쉬트로 이루어진 광 투과막을 준비하고; 적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩이 하나의 그룹을 이루도록, 그리고, 각 LED칩의 전극패드들이 상기 광 투과막과 마주하는 방향의 반대측 방향으로 향하도록, 다수의 LED칩을 광 투과막 상에 어레이하고; 상기 광 투과막 상에 어레이된 LED칩들 사이를 모두 채우도록 광 쉴드를 형성하여 쉬트형 구조물을 제작하고; 상기 쉬트형 구조물을 상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 하나씩 어레이된 그룹 단위로 절단하여 복수개의 LED 픽셀 소자를 제조한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an LED pixel element, comprising: preparing a light transmitting film composed of an epoxy or a silicone resin sheet including black carbon; A plurality of LED chips are arranged on the light transmitting film so that the red LED chip, the green LED chip and the blue LED chip form a group and the electrode pads of each LED chip face the direction opposite to the direction in which the light- ; ≪ / RTI > Forming a light shield to fill all the spaces between the LED chips arrayed on the light transmitting film to produce a sheet-like structure; The sheet-like structure is cut into groups of the red LED chip, the green LED chip, and the blue LED chip arrayed one by one to manufacture a plurality of LED pixel devices.

본 발명의 또 다른 측면에 따라, 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 적색 LED칩; 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 녹색 LED칩; 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 청색 LED칩; 및 상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 각각의 p형 전극패드 및 n형 전극패드를 노출시킨 상태로 상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩을 한꺼번에 봉지하는 몰딩재를 포함하는 LED 픽셀 소자가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a red LED chip comprising a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface thereof; A green LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; A blue LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; And a green LED chip, a green LED chip, and a blue LED chip, wherein the green LED chip and the blue LED chip are exposed while the p-type electrode pad and the n-type electrode pad of the red LED chip, An LED pixel element is provided that includes the ash.

일 실시예에 따라, 상기 몰딩재는 외부 광 유입을 줄이는 블랙 카본을 포함하는 투광성 수지 재료에 의해 형성된다.According to one embodiment, the molding material is formed of a light transmitting resin material containing black carbon which reduces external light inflow.

본 발명에 따르면, LED 디스플레이 장치에 적용될 때, 픽셀들 사이의 거리, 그리고, 각 픽셀 내 서브픽셀들 사이의 거리를 최소화할 있는 LED 픽셀 소자가 제공되며, 이 LED 픽셀 소자는 일반 LED 디스플레이 장치는 물론이고 마이크로 LED 디스플레이 장치에 적용할 수 있다. 본 발명에 따르면, 픽셀 크기를 UHD급 디스플레이로 적용할 수 있는 크기로까지 줄일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다. 또한, 서브픽셀을 구성하는 LED칩들 사이에 광 간섭을 거의 완전히 차단할 수 있다. 또한, 광이 방출되는 영역에 블랙 카본과 같은 광 흡수성 재료를 포함하는 투광성 수지를 적용하여, 외부 광의 유입으로 인한 영상 풀질 저하의 문제를 해결한다.According to the present invention there is provided an LED pixel element which, when applied to an LED display device, minimizes the distance between the pixels and the distance between the subpixels in each pixel, Of course, it can be applied to a micro LED display device. According to the present invention, the pixel size can be reduced to a size that can be applied to a UHD class display. Further, according to the present invention, there is an advantage that the manufacturing process is simple. In addition, it is possible to substantially completely block the optical interference between the LED chips constituting the subpixel. Further, a translucent resin including a light absorbing material such as black carbon is applied to a region where light is emitted, thereby solving the problem of image degradation due to the inflow of external light.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 저면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 단면도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 도 3의 a-a, b-b, c-c를 따라 취해진 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자의 광 쉴드 두께와 광 투과막 두께 사이의 관계, LED칩들의 횡폭, 칩간 간격, 광 쉴드의 횡방향 마진 폭 및/또는 광 쉴드의 종방향 마진 폭 사이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view showing an LED pixel element according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view illustrating an LED pixel element according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an LED pixel element according to an embodiment of the present invention.
4A, 4B and 4C are cross-sectional views taken along aa, bb, cc in Fig.
5 is a view for explaining a method of manufacturing an LED pixel element according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph showing the relationship between the thickness of the light shielding film and the light transmission thickness of the LED pixel element according to the embodiment of the present invention, the width of the LED chips, the gap between chips, the lateral margin width of the light shield, And the width of the margin.
7 is a view for explaining an LED pixel element according to another embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining an LED pixel element according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 저면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 도시한 단면도이고, 도 4a, 도 4b 및 도 4c는 도 3의 a-a, b-b, c-c를 따라 취해진 단면도들이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating an LED pixel device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view illustrating an LED pixel device according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross- 4A, 4B, and 4C are cross-sectional views taken along aa, bb, cc in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. Fig.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자(1)는 크게 광 쉴드(100)와, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)과, 광 투과막(500)을 포함한다.1 to 5, an LED pixel device 1 according to an embodiment of the present invention includes a light shield 100, a red LED chip 200, a green LED chip 300, and a blue LED chip 400, and a light transmitting film 500.

상기 광 쉴드(100)는 서로 평행한 상면과 하면을 포함하고, 또한, 상기 상면으로부터 상기 하면까지 수직으로 나란하게 형성된 제1 수직홀(101), 제2 수직홀(102) 및 제3 수직홀(103)을 포함한다. 상기 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)은 서로 나란하게 그리고 상기 제1 수직홀(101), 상기 제2 수직홀(102) 및 상기 제3 수직홀(103) 각각을 메우는 형태로 위치한다.The optical shield 100 includes upper and lower surfaces parallel to each other and includes a first vertical hole 101, a second vertical hole 102, and a third vertical hole 102, which are vertically arranged from the upper surface to the lower surface. (103). The red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 are arranged in parallel to each other and in the first vertical hole 101, the second vertical hole 102, 103, respectively.

또한, 상기 광 투과막(500)은 상기 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)의 상면을 덮도록 상기 광 쉴드(100)의 상면에 형성된다. 또한, 상기 적색 LED칩(200), 상기 녹색 LED칩(300) 및 상기 청색 LED칩(400) 각각은 외부의 회로 기판(미도시함) 상에 플립칩 본딩될 수 있도록 플립칩 구조를 포함한다.The light transmitting film 500 is formed on the upper surface of the light shield 100 so as to cover the upper surfaces of the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400. Each of the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 includes a flip chip structure to be flip-chip bonded on an external circuit board (not shown) .

상기 적색 LED칩(200)은 에피 구조물(220)과, 상기 에피 구조물(220)의 저면에 형성된 n형 전극패드(232) 및 p형 전극패드(234)를 포함한다. 상기 에피 구조물(220)은 n형 반도체층(221), 활성층(222), p형 반도체층(223) 및 투광성 기판(224)을 차례대로 포함하며, 저면에는 n형 영역과 p형 영역이 모두 형성된다. 상기 n형 영역은 n형 반도체층(221)의 저면을 덮고 있는 절연층(I)의 일부가 제거된 영역으로 한정되고, p형 영역은 식각 등에 의해 에피 구조물에 형성된 절개부(H)를 통해 p형 반도체층(223)과 연결되는 배선부(W)가 n형 반도체층(221)의 저면을 덮고 있는 절연층(I)과 접하는 영역으로 한정된다. 상기 에피 구조물(220)의 상면은 투광성 기판(224)의 노출 표면으로서 광 방출면을 형성한다.The red LED chip 200 includes an epitaxial structure 220 and an n-type electrode pad 232 and a p-type electrode pad 234 formed on the bottom surface of the epitaxial structure 220. The epitaxial structure 220 includes an n-type semiconductor layer 221, an active layer 222, a p-type semiconductor layer 223 and a transparent substrate 224 in this order. The n-type region and the p- . The n-type region is defined as a region in which a part of the insulating layer I covering the bottom of the n-type semiconductor layer 221 is removed, and the p-type region is etched through an incision H formed in the epitaxial structure the wiring portion W connected to the p-type semiconductor layer 223 is defined as an area in contact with the insulating layer I covering the bottom surface of the n-type semiconductor layer 221. [ The upper surface of the epitaxial structure 220 forms a light emitting surface as an exposed surface of the transparent substrate 224.

상기 에피 구조물(220) 저면의 n형 영역에는 n형 전극패드(232)가 형성되고 상기 에피 구조물(220) 저면의 p형 영역에는 p형 전극패드(234)가 형성된다. 상기 p형 전극패드(234)와 상기 n형 전극패드(232)는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역 간의 단차를 보상하여 n형 전극패드(232)와 p형 전극패드(234)가 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된다. 상기 에피 구조물(220)은, GaAs 기판을 성장기판으로 이용하여 성장된 반도체층들을 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 포함하되, GaAs 기판이 제거되는 대신 그 반대편에 지지 기판인 투광성 기판(224)이 결합된 것이 이용된다. 투광성 기판(224)은 사파이어 기판이 선호된다. 상기 p형 전극패드(234)와 상기 n형 전극패드(232)는 상기 광 쉴드(100)의 저면 측에서 아래로 노출되어 외부 기판 상의 전극들에 플립칩 본딩된다.An n-type electrode pad 232 is formed on the n-type region of the bottom of the epitaxial structure 220 and a p-type electrode pad 234 is formed on the p-type region of the bottom of the epitaxial structure 220. The p-type electrode pad 234 and the n-type electrode pad 232 compensate for a step between the n-type region and the p-type region so that the n-type electrode pad 232 and the p-type electrode pad 234 are the same Are formed to have different thicknesses so as to have a plane lying on the plane. The epitaxial structure 220 may include an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer grown using a GaAs substrate as a growth substrate. Alternatively, instead of removing the GaAs substrate, (224) are combined. The transparent substrate 224 is preferably a sapphire substrate. The p-type electrode pad 234 and the n-type electrode pad 232 are exposed downward from the bottom surface of the optical shield 100 and are flip-chip bonded to the electrodes on the external substrate.

상기 녹색 LED칩(300)은 에피 구조물(320)과, 상기 에피 구조물(320)의 저면에 형성된 n형 전극패드(332) 및 p형 전극패드(334)를 포함한다. 상기 에피 구조물(320)은 p형 반도체층(321), 활성층(322), n형 반도체층(323) 및 투광성 기판(324)을 차례대로 포함하며, 저면에는 p형 반도체층(321)과 활성층(322)이 영역적으로 제거되어 형성된 단차 구조에 의해 n형 영역과 p형 영역이 모두 형성된다. 상기 에피 구조물(220)의 상면은 투광성 기판(324)의 표면을 포함한다. The green LED chip 300 includes an epitaxial structure 320 and an n-type electrode pad 332 and a p-type electrode pad 334 formed on the bottom surface of the epitaxial structure 320. The epitaxial structure 320 includes a p-type semiconductor layer 321, an active layer 322, an n-type semiconductor layer 323 and a transparent substrate 324 in this order. The n-type region and the p-type region are both formed by the stepped structure formed by removing the region 322. The upper surface of the epitaxial structure 220 includes the surface of the transparent substrate 324.

상기 에피 구조물(320) 저면의 n형 영역에는 n형 전극패드(332)가 형성되고 상기 에피 구조물(320) 저면의 p형 영역에는 p형 전극패드(334)가 형성된다. 상기 p형 전극패드(334)와 상기 n형 전극패드(332)는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역 간의 단차를 보상하여 n형 전극패드(332)와 p형 전극패드(334)가 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된다. 상기 투광성 기판(324)는 사파이어 기판이고, 상기 n형 반도체층(323), 상기 활성층(322) 및 상기 p형 반도체층(321)을 차례대로 포함하는 에피층은 상기 사파이어 기판 상에서 차례로 성장되는 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진다. An n-type electrode pad 332 is formed on the n-type region of the bottom of the epitaxial structure 320 and a p-type electrode pad 334 is formed on the p-type region of the bottom of the epitaxial structure 320. The p-type electrode pad 334 and the n-type electrode pad 332 compensate for a step between the n-type region and the p-type region so that the n-type electrode pad 332 and the p-type electrode pad 334 are the same Are formed to have different thicknesses so as to have a plane lying on the plane. The transparent substrate 324 is a sapphire substrate and an epitaxial layer sequentially including the n-type semiconductor layer 323, the active layer 322 and the p-type semiconductor layer 321 is sequentially grown on the sapphire substrate, Gallium-based semiconductor layers.

상기 녹색 LED 칩(300)에 있어서, 활성층(322)은 청색 LED 칩과 비교해 In의 조성비를 높게 한 InxGa(1-x)N 우물층을 포함한다. 상기 p형 전극패드(334)와 상기 n형 전극패드(332)는 상기 광 쉴드(100)의 저면 측에서 아래로 노출되어 외부 기판 상의 전극들에 플립칩 본딩된다.In the green LED chip 300, the active layer 322 includes an InxGa (1-x) N well layer whose In composition ratio is higher than that of the blue LED chip. The p-type electrode pad 334 and the n-type electrode pad 332 are exposed downward from the bottom surface of the optical shield 100 and are flip-chip bonded to the electrodes on the external substrate.

상기 청색 LED칩(400)은 에피 구조물(420)과, 상기 에피 구조물(420)의 저면에 형성된 n형 전극패드(432) 및 p형 전극패드(434)를 포함한다. 상기 에피 구조물(420)은 p형 반도체층(421), 활성층(422), n형 반도체층(423) 및 투광성 기판(424)을 차례대로 포함하며, 저면에는 p형 반도체층(421)과 활성층(422)이 영역적으로 제거되어 형성된 단차 구조에 의해 n형 영역과 p형 영역이 모두 형성된다. 상기 에피 구조물(420)의 상면은 투광성 기판(424)의 표면을 포함한다. The blue LED chip 400 includes an epitaxial structure 420 and an n-type electrode pad 432 and a p-type electrode pad 434 formed on the bottom surface of the epitaxial structure 420. The epitaxial structure 420 includes a p-type semiconductor layer 421, an active layer 422, an n-type semiconductor layer 423 and a transparent substrate 424 in this order, The n-type region and the p-type region are both formed by the stepped structure formed by removing the region 422. The upper surface of the epitaxial structure 420 includes the surface of the transparent substrate 424.

상기 에피 구조물(420) 저면의 n형 영역에는 n형 전극패드(432)가 형성되고 상기 에피 구조물(420) 저면의 p형 영역에는 p형 전극패드(434)가 형성된다. 상기 p형 전극패드(434)와 상기 n형 전극패드(432)는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역 간의 단차를 보상하여 n형 전극패드(432)와 p형 전극패드(434)가 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된다. 상기 투광성 기판(424)는 사파이어 기판이고, 상기 n형 반도체층(423), 상기 활성층(422) 및 상기 p형 반도체층(421)을 차례대로 포함하는 에피층은 상기 사파이어 기판 상에서 차례로 성장되는 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진다.An n-type electrode pad 432 is formed on the n-type region of the bottom of the epitaxial structure 420 and a p-type electrode pad 434 is formed on the p-type region of the bottom of the epitaxial structure 420. The p-type electrode pad 434 and the n-type electrode pad 432 compensate the step between the n-type region and the p-type region so that the n-type electrode pad 432 and the p-type electrode pad 434 are the same Are formed to have different thicknesses so as to have a plane lying on the plane. The transparent substrate 424 is a sapphire substrate and the epitaxial layer sequentially including the n-type semiconductor layer 423, the active layer 422 and the p-type semiconductor layer 421 is sequentially grown on the sapphire substrate, Gallium-based semiconductor layers.

청색 LED 칩(400)에 있어서, 활성층(422)은 녹색 LED 칩과 비교해 In의 조성비를 낮게 한 InxGa(1-x)N 우물층을 포함한다. 상기 p형 전극패드(434)와 상기 n형 전극패드(432)는 상기 광 쉴드(100)의 저면 측에서 아래로 노출되어 외부 기판 상의 전극들에 플립칩 본딩된다.In the blue LED chip 400, the active layer 422 includes an InxGa (1-x) N well layer whose In composition ratio is lower than that of a green LED chip. The p-type electrode pad 434 and the n-type electrode pad 432 are exposed downward from the bottom surface of the optical shield 100 and are flip chip bonded to electrodes on the external substrate.

한편, 상기 광 쉴드(100)는 광 흡수성 성형 재료인 절연성 블랙 수지 재료를 이용하여 형성된다. 상기 광 쉴드(100)의 형성을 위해, 광 투과막 상에 일정 간격으로 미리 배열된 LED칩들(200, 300, 400) 사이를 액상 또는 겔상을 갖는 광 흡수성 성형 재료로 채우고, 이 액상 또는 겔상의 광 흡수성 성형 재료를 굳혀 상기 광 쉴드(100)를 성형한다. 전술한, 제1 수직홀(101), 제2 수직홀(102) 및 제3 수직홀(103)은 상기 광 쉴드(100) 성형시 상기 LED칩들(200, 300, 400)의 점유에 의해 광 흡수성 성형 재료가 채워지지 않는 공간을 의미한다. 상기 LED칩들(200, 300, 400)의 투광성 기판(224, 324, 424)는 상기 광 쉴드(100)의 상면에서 상측으로 노출된 채 광 투과막(500)과 접해 있게 되고, 상기 LED칩들(200, 300, 400)의 전극패드들(232 및 234, 332 및 334, 432 및 434)은 상기 광 쉴드(100) 저면에서 하측으로 노출된다.On the other hand, the optical shield 100 is formed using an insulating black resin material which is a light absorbing molding material. In order to form the light shield 100, the space between the LED chips 200, 300, 400 arranged at predetermined intervals on the light transmission film is filled with a light absorbing molding material having a liquid or gel phase, The optical absorbing molding material is hardened to form the optical shield 100. The first vertical hole 101, the second vertical hole 102 and the third vertical hole 103 are formed in the light shield 100 by the occupation of the LED chips 200, 300, Means a space in which the absorbent molding material is not filled. The light transmissive substrates 224, 324 and 424 of the LED chips 200, 300 and 400 are exposed to the upper side of the light shield 100 and are in contact with the light transmissive film 500, The electrode pads 232 and 234, 332 and 334, 432 and 434 of the light shields 200, 300 and 400 are exposed downward from the bottom surface of the optical shield 100.

상기 광 투과막(500)은, 상기 광 쉴드(100)의 상면과, 상기 적색 LED칩(200), 상기 녹색 LED칩(300) 및 상기 청색 LED칩(400)의 상면들을 덮도록, 상기 광 쉴드(100)의 상면에 제공된다. 상기 광 투과막(500)은 미리 제작된 실리콘 수지 쉬트 또는 에폭시 수지 쉬트를 포함하며, 외부 광 유입으로 인한 문제점을 막기 위해, 외부 광을 흡수하는 블랙 카본 입자들을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 광 투과막(500)은 블랙 카본 0.05 ~ 0.2 중량 %, 바람직하게는, 0.1 중량%를 포함하는 에폭시 수지 쉬트 또는 실리콘 수지 쉬트로 이루어지는 것이 바람직하다.The light transmitting film 500 covers the upper surface of the optical shield 100 and the upper surfaces of the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400, Is provided on the upper surface of the shield (100). The light transmissive film 500 includes a pre-fabricated silicone resin sheet or an epoxy resin sheet, and preferably includes black carbon particles that absorb external light to prevent problems caused by external light. The light transmitting film 500 is preferably made of an epoxy resin sheet or a silicone resin sheet containing 0.05 to 0.2% by weight, preferably 0.1% by weight, of black carbon.

도 5를 참조하여 전술한 LED 픽셀 소자 제조방법을 설명한다.The above-described LED pixel element manufacturing method will be described with reference to FIG.

먼저, 도 5의 (a)와 같이, 블랙 카본 0.05 ~ 0.2 중량 %를 포함하는 에폭시 또는 실리콘 수지 쉬트로 이루어진 광 투과막(500)이 준비된다.First, as shown in FIG. 5 (a), a light-transmitting film 500 made of an epoxy or silicone resin sheet containing 0.05 to 0.2% by weight of black carbon is prepared.

다음, 도 5의 (b)와 같이, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)이 하나의 그룹을 이루도록, 다수의 LED칩(200, 300, 400)이 광 투과막(500) 상에 어레이된다. 이때, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400) 각각은 투광성 기판(224, 324 및 424; 도 4a, 도 4b 및 도 4c 참조)이 상기 광 투과막(500)과 접해 있도록 그리고 그 반대편 전극패드들(232 및 234, 332 및 334, 432 및 434; 도 4a, 도 4b 및 도 4c 참조)이 상기 광 투과막(500)과 반대편에 있도록 배치된다.Next, as shown in FIG. 5B, a plurality of LED chips 200, 300, and 400 are formed so that the red LED chip 200, the green LED chip 300, and the blue LED chip 400 form a group And is arrayed on the light transmission film 500. At this time, each of the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 is formed such that the transparent substrates 224, 324 and 424 (see FIGS. 4A, 4B and 4C) And the opposite electrode pads 232 and 234, 332 and 334, 432 and 434 (see FIGS. 4A, 4B and 4C) are opposite to the light-transmitting film 500.

다음, 도 5의 (c)와 같이, 상기 광 투과막(500) 상에 어레이된 LED칩(200, 300, 400)들 사이를 모두 채우도록, 다량의 블랙카본과 실리콘 또는 에폭시 수지를 포함하는 액상 또는 겔상의 광흡수성 블랙 (수지) 재료를 이용하여 상기 전극패드들을 노출시키는 수직홀들이 형성된 층상의 광 쉴드(100)를 만든다. 이때, 광흡수성 블랙 수지 재료를 이용하여 광 쉴드(100)를 형성함에 있어서는 다양한 방식이 채용될 수 있는데, 예컨대, 상기 광 투과막(500) 상에 어레이된 LED칩(200, 300, 400)들 사이로 액상 또는 겔상의 광흡수성 블랙 수지 재료를 흐르게 하고 그 액상 또는 겔상의 광흡수성 블랙 수지 재료를 LED칩(200, 300, 400)들의 전극패드들 상단 높이 이하의 높이에서 굳혀 광 쉴드(100)를 형성하는 방식, 또는 LED칩들(200, 300, 400)과 그들의 전극패드들을 모두 덮도록 액상 또는 겔상의 광흡수성 블랙 수지 재료를 도포한 후 상기 LED 칩들(200, 300, 400)의 전극패드들을 덮는 수지 재료를 스퀴즈로 밀어 제거한 후, 상기 수지 재료를 광 쉴드(100)를 형성하는 방식이 이용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5 (c), a plurality of LED chips 200, 300, and 400 including a large amount of black carbon and silicon or epoxy resin are stacked so as to fill all the LED chips 200, 300, and 400 arrayed on the light- A layered light shield 100 is formed in which vertical holes are formed to expose the electrode pads using a liquid or gel light absorbing black (resin) material. In this case, various methods can be adopted in forming the optical shield 100 using the light absorbing black resin material. For example, the LED chips 200, 300, and 400 arrayed on the light transmitting film 500 Absorbing black resin material is flowed and the liquid or gel-like light absorbing black resin material is hardened at a height equal to or less than the height of the tops of the electrode pads of the LED chips 200, 300, and 400 to form the light shield 100 Or a method of covering the electrode pads of the LED chips 200, 300, 400 after applying a liquid or gel light absorbing black resin material to cover both the LED chips 200, 300, 400 and their electrode pads A method in which the resin material is removed by pushing with a squeeze and the resin material is used to form the optical shield 100 can be used.

이때, 광 흡수성 수지 재료는 블랙 카본 4~6 중량 %를 포함하는 실리콘 수지 또는 블랙 카본 4~6 중량 %와 SiO2 1~2 중량%을 포함하는 에폭시 수지가 선호된다.At this time, the light absorbing resin material is preferably an epoxy resin containing 4 to 6% by weight of black carbon or 4 to 6% by weight of black carbon and 1 to 2% by weight of SiO 2 .

전술한 공정들에 의해 쉬트형 구조물(S)이 얻어지며, 이 쉬트형 구조물 내에서, 광의 방출이 이루어지는 LED칩(200, 300, 400)들의 투광성 기판의 표면은 소량의 카본 블랙 입자를 포함하는 광 투과막(500)과 접해 있고, LED칩들(200, 300, 400)의 전극패드들은 수직홀들을 통해 광 쉴드(100) 외측으로 노출된다.The sheet-like structure S is obtained by the above-described processes, and in this sheet-like structure, the surface of the light-transmitting substrate of the LED chips 200, 300, 400 where light is emitted includes a small amount of carbon black particles And the electrode pads of the LED chips 200, 300, and 400 are exposed to the outside of the light shield 100 through the vertical holes.

다음, 도 5의 (d)와 같이, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)이 하나씩 어레이된 그룹 단위로 상기 쉬트형 구조물(S)을 예컨대 쏘잉(sawing) 방식으로 절단하여, 복수개의 LED 픽셀 소자(1)를 제조할 수 있다.5 (d), the sheet-like structure S is subjected to a sawing process, for example, in units of groups in which the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 are arrayed one by one, ) Method, whereby a plurality of LED pixel elements 1 can be manufactured.

위와 같이 제작된 LED 픽셀 소자(1)는 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)들이 광 쉴드(100)에 의해 측면 방향으로 격리되어 있고, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)들의 투광성 기판들과 접하면서 광 쉴드(100)의 수직홀들 일측을 덮고 있는 광 투과막(500)을 통해 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및/또는 청색 LED칩(400)에서 나온 광의 방출이 허용되며, 수직홀들 타측을 통해 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)들의 전극패드들이 노출된다.The red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chips 400 are isolated in the lateral direction by the optical shield 100 and the red LED chip 300 200, the green LED chip 300, and the blue LED chip 400, and the light transmitting film 500 covering one side of the vertical holes of the light shield 100, The green LED chip 300 and / or the blue LED chip 400 is allowed to emit through the other side of the vertical holes, and the red LED chip 300, the blue LED chip 400, Are exposed.

위와 같이 제작된 LED 픽셀 소자(1)는 디스플레이 장치에 각각 단위 픽셀로 적용되어, 픽셀들 사이의 거리, 그리고, 각 픽셀 내 LED칩들(200, 300, 400) 사이의 거리를 최소화할 있으면서도, 하나의 픽셀을 구성하는 LED칩들(200, 300, 400)을 통합적으로 구비하여, 그 LED칩들이 외부 기판 상에 한꺼번에 실장될 수 있도록 해준다. 특히, 본 실시예에 따른 LED 픽셀 소자(1)를 전사 프린팅을 이용하여 외부의 회로 기판에 실장하는 경우, 임의의 위치에 미리 어레이된 다수의 LED 픽셀 소자(1)를 캐리어 테이프에 붙여 이동시킨 후, 다른 위치에 있는 회로 기판에 재 어레이하는 것이 가능하다.The LED pixel element 1 manufactured as described above is applied as a unit pixel to each display device so that the distance between the pixels and the distance between the LED chips 200, 300 and 400 in each pixel are minimized, The LED chips 200, 300, and 400 constituting the pixels of the LED chips 200, 300, and 400 are integrally provided, so that the LED chips can be mounted on the external substrate all at once. Particularly, when the LED pixel element 1 according to the present embodiment is mounted on an external circuit board using transfer printing, a plurality of LED pixel elements 1 previously arrayed at arbitrary positions are attached to a carrier tape , It is possible to re-array on a circuit board at another position.

또한, 위와 같은 픽셀 소자(1)는 카본 블랙과 같은 광 차단 또는 광 흡수 재료가 포함된 하나의 광 투과막(500)이 전체 LED칩들(200, 300, 400)을 덮어 보호하므로, 외부 광 유입이 우려되는 환경의 디스플레이 장치에 매우 유리하게 이용될 수 있다.In addition, since the above-described pixel element 1 covers and protects the entire LED chips 200, 300, and 400, one light transmission film 500 including a light blocking or light absorbing material such as carbon black covers the entire external light inflow Can be very advantageously used for a display device of a concerned environment.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 픽셀 소자의 광 쉴드 두께와 광 투과막 두께 사이의 관계, LED칩들의 횡폭, 칩간 간격, 광 쉴드의 횡방향 마진 폭 및/또는 광 쉴드의 종방향 마진 폭 사이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.6 is a graph showing the relationship between the thickness of the light shielding film and the light transmission thickness of the LED pixel element according to the embodiment of the present invention, the width of the LED chips, the gap between chips, the lateral margin width of the light shield, And the width of the margin.

도 6을 참조하면, 광 쉴드(100)의 두께가 t1이고 외부 광의 유입을 차단하도록 블랙 카본 0.05 ~ 0.2 중량 %를 포함하는 광 투과막(500)의 두께가 t2라 하면, 광 쉴드(100)의 두께 t1와 광 투과막(500)의 두께 t2는 t2/t1는 1~2의 관계를 갖는다. t2/t1가 2를 초과할 경우, 광 투과막(500) 내에서의 광 손실이 많아져 효율이 크게 떨어진다. t2/t1가 1미만인 경우, 광 투과막(500)에 포함된 블랙 카본의 양도 함께 적어져서 외부 광 유입으로 인한 품질 저하가 초래될 수 있다. 6, when the thickness of the light shielding film 100 is t1 and the thickness of the light transmitting film 500, which contains 0.05 to 0.2% by weight of black carbon so as to block the inflow of external light, is t2, The thickness t1 of the light transmitting film 500 and the thickness t2 of the light transmitting film 500 have a relation of t2 / t1 of 1 to 2. If t2 / t1 exceeds 2, the light loss in the light transmitting film 500 becomes large and the efficiency is greatly reduced. When t2 / t1 is less than 1, the amount of black carbon contained in the light transmitting film 500 may decrease together, which may result in deterioration in quality due to external light input.

다시 도 6을 참조하면, LED칩(200, 300 또는 400) 각각의 횡폭이 w1이고, 상기 LED칩(200, 300 또는 400) 각각의 종폭이 w2이고, 이웃하는 LED칩들(200과 300 또는 300과 400) 사이의 간격, 즉, 이웃하는 LED칩들 사이의 광 쉴드 폭이 b1이고, 광 쉴드(100)의 횡방향 마진 폭이 b2이고, 광 쉴드(100)의 종방향 마진 폭이 b3라 하면, w2 = (2~4) *w1의 관계와, w2 > b1 > w1> b2 > b3의 관계를 갖는 것이 바람직하다.. 상기 LED칩(200, 300 또는 400)의 어레이 방향(횡방향)과 같은 횡방향으로의 LED칩(200, 300 또는 400) 폭, 즉, 횡폭 w1이 상기 LED칩(200, 300 또는 400)의 종폭 w2의 1/2배보다 크거나 1/4배보다 작으면, LED칩(200, 300 또는 400) 각각이 서브픽셀의 기능을 제대로 하지 못하게 된다. 또한, 이웃하는 LED칩들(200과 300 또는 300과 400) 사이의 간격 b1이 LED칩들(200, 300, 400) 각각의 횡폭 W1보다 커야만, LED칩들(200과 300 또는 300과 400)에서 나온 광들이 의도치 않게 혼합되는 것을 막을 수 있다. 또한, 광 쉴드(100)의 횡방향 마진 폭이 b2와 광 쉴드(100)의 종방향 마진 폭이 b3가 상기 LED칩(200, 300 또는 400) 각각의 횡폭 w1, 더 나아가서는, 이웃하는 LED칩들(200과 300 또는 300과 400) 사이의 간격 b1보다 큰 경우, 해당 LED 픽셀 소자를 다른 LED 픽셀 소자와 이웃하게 배치할 때, 그 이웃하는 LED 픽셀 소자들의 LED칩들 간격 조절에 제한이 뒤따르게 된다. 다시 말해, 이웃하는 LED 픽셀 소자들의 두 이웃하는 LED칩들 간격을 좁히는 간격 조절에 제한이 뒤따르게 된다. Referring again to FIG. 6, when the lateral width of each LED chip 200, 300, or 400 is w1, the vertical width of each LED chip 200, 300, or 400 is w2, The width of the optical shield 100 between the neighboring LED chips is b1, the width of the lateral margin of the optical shield 100 is b2, and the width of the longitudinal margin of the optical shield 100 is b3 b2> b1> w1> b2> b3. It is preferable that the relationship between the array direction (lateral direction) of the LED chip (200, 300 or 400) If the width of the LED chip 200, 300 or 400 in the same lateral direction, that is, the lateral width w1 is greater than 1/2 or shorter than 1/4 times the longitudinal width w2 of the LED chip 200, 300 or 400, Each of the LED chips 200, 300, or 400 can not properly function as a subpixel. The distance b1 between the neighboring LED chips 200 and 300 or 300 and 400 must be greater than the width W1 of each of the LED chips 200, It is possible to prevent intense mixing of lights. The lateral margin width b2 of the optical shield 100 and the longitudinal margin width b3 of the optical shield 100 correspond to the width w1 of each of the LED chips 200, 300 or 400, and furthermore, Is greater than the spacing b1 between the chips (200 and 300 or 300 and 400), when arranging the LED pixel element adjacent to the other LED pixel element, there is a limitation in adjusting the spacing of the LED chips of the neighboring LED pixel elements do. In other words, there is a restriction on the spacing adjustment to narrow the distance between two neighboring LED chips of neighboring LED pixel elements.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining an LED pixel element according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 LED 픽셀 소자(1)는 앞선 실시예와 마찬가지로 광 쉴드(100)와, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)을 포함하되, 광 투과막이 생략되어, 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)의 투광성 기판에 존재하는 광 방출면이 그대로 외부 공기와 직접 접하도록 노출된다. 이러한 LED 픽셀 소자(1)는 광 쉴드(100)를 성형하기 전에 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)을 임시 지지 기판 또는 쉬트에 어레이 한 후 그 위에 광 쉴드(100)를 성형한 후 상기 임시 지지 기판 또는 쉬트를 제거하는 방식을 이용하여 만들 수 있다. 이러한 LED 픽셀 소자(1)는 외부 광 유입이 적은 조건에 유리하게 이용될 수 있다. 본 실시예에 따른 LED 픽셀 소자(1)의 나머지 구성들은 앞선 실시예의 LED 픽셀 소자의 구성들과 실질적으로 같거나 유사하다. 7, the LED pixel element 1 according to the present embodiment includes the light shield 100, the red LED chip 200, the green LED chip 300, and the blue LED chip 400 in the same manner as in the previous embodiment. The light transmitting surface of the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 is exposed so as to directly contact the outside air. The LED pixel element 1 is formed by arranging the red LED chip 200, the green LED chip 300 and the blue LED chip 400 on a temporary support substrate or sheet before forming the optical shield 100, The shield 100 may be formed and then the temporary support substrate or sheet may be removed. Such an LED pixel element 1 can be advantageously used for a condition in which external light inflow is small. The remaining structures of the LED pixel element 1 according to the present embodiment are substantially the same as or similar to those of the LED pixel element of the foregoing embodiment.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 LED 픽셀 소자를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining an LED pixel element according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 LED 픽셀 소자(1)는 앞선 실시예와 마찬가지로 적색 LED칩(200), 녹색 LED칩(300) 및 청색 LED칩(400)을 포함하되, 앞선 실시예들의 광 쉴드 및 광 투과막 대신에 전극패드들을 제외하고 상기 적색 LED칩(200), 상기 녹색 LED칩(300) 및 상기 청색 LED칩(400)을 한꺼번에 봉지하는 몰딩재(600)이 이용된다. 상기 몰딩재(600)는 블랙 카본 0.05 ~ 0.2 중량 %, 바람직하게는, 0.1 중량%를 포함하는 에폭시 수지 쉬트 또는 실리콘 수지 쉬트로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같은 LED 픽셀 소자(1)는 LED칩들간 이격 거리가 충분한 경우 또는 각 LED칩의 측면에 광 차단부가 적용된 경우에 유리하게 이용될 수 있다.8, the LED pixel element 1 according to the present embodiment includes a red LED chip 200, a green LED chip 300 and a blue LED chip 400 in the same manner as in the previous embodiment, The green LED chip 300 and the blue LED chip 400 are sealed in place of the electrode pads in place of the light shielding and light transmitting film of the LED chip 200. [ The molding material 600 is preferably made of an epoxy resin sheet or a silicone resin sheet containing 0.05 to 0.2% by weight, preferably 0.1% by weight, of black carbon. Such an LED pixel element 1 can be advantageously used when the distance between the LED chips is sufficient or when the light blocking portion is applied to the side of each LED chip.

100: 광 쉴드 200: 적색 LED칩(제1 LED칩)
300: 녹색 LED칩(제2 LED칩) 400: 청색 LED칩(제3 LED칩)
500: 광 투과막 600: 몰딩재
220, 320, 420: 에피 구조물
232, 234, 332, 334, 432, 434: 전극패드100: optical shield 200: red LED chip (first LED chip)
300: green LED chip (second LED chip) 400: blue LED chip (third LED chip)
500: light transmitting film 600: molding material
220, 320, 420: an epitaxial structure
232, 234, 332, 334, 432, 434: electrode pads

Claims (18)

상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제1 LED칩;
상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제2 LED칩;
상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 제3 LED칩; 및
상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩들의 측면들 사이에서 광이 섞이는 것을 억제하도록, 상기 제1 LED칩의 측면, 상기 제2 LED칩의 측면 및 상기 제3 LED칩의 측면을 둘러싸도록 형성된 광 쉴드를 포함하며,
상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩은 서로 다른 색의 광을 발하며, 상기 광 쉴드의 상면에서는 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED의 광 방출면이 상기 광 쉴드의 외측으로 노출되고, 상기 광 쉴드의 저면에서는 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED의 n형 전극패드와 p형 전극패드가 상기 광 쉴드의 외측으로 노출되는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.A first LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface;
A second LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface;
A third LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; And
A side surface of the first LED chip, a side surface of the second LED chip, and a side surface of the third LED chip, so as to suppress mixing of light between the side surfaces of the first LED chip, the second LED chip, And an optical shield formed to surround the side surface of the light shield,
The first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip emit light of different colors, and the upper surface of the light shield is formed with the first LED chip, the second LED chip, Emitting surface is exposed to the outside of the optical shield, and the n-type electrode pad and the p-type electrode pad of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED are exposed from the outside of the optical shield at the bottom surface of the optical shield And the second electrode is exposed to the second electrode. 청구항 1에 있어서, 상기 광 쉴드는 광 흡수 재료를 포함하는 수지에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel element according to claim 1, wherein the light shield is formed by a resin including a light absorbing material. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩의 광 방출면을 덮도록 상기 광 쉴드의 상면에 형성된 광 투과막을 더 포함하며, 상기 광 투과막은 외부 광의 유입을 줄이기 위한 광 흡수 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The light emitting device according to claim 1, further comprising a light transmitting film formed on an upper surface of the optical shield so as to cover the light emitting surfaces of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip, And a light absorbing material for reducing the amount of light emitted from the light emitting device. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩의 광 방출면을 덮도록 상기 광 쉴드의 상면에 형성된 광 투과막을 더 포함하고, 상기 광 투과막과 상기 광 쉴드는 서로 동일한 광 흡수성 재료를 포함하되, 상기 광 흡수성 재료는 상기 광 투과막보다 상기 광 쉴드에 더 큰 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The light emitting device according to claim 1, further comprising a light transmitting film formed on an upper surface of the light shield to cover the light emitting surfaces of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip, Wherein the shield comprises the same light absorbing material, wherein the light absorbing material is included in the light shield at a greater rate than the light transmitting film. 청구항 1에 있어서, 상기 광 쉴드는 블랙 카본 4~6 중량 %를 포함하는 실리콘 수지 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel element according to claim 1, wherein the light shield is formed of a silicone resin material containing 4 to 6% by weight of black carbon. 청구항 1에 있어서, 상기 광 쉴드는 블랙 카본 4~6 중량 %와 SiO2 1~2 중량%을 포함하는 에폭시 수지 재료에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel element according to claim 1, wherein the light shield is formed of an epoxy resin material containing 4 to 6 wt% of black carbon and 1 to 2 wt% of SiO 2 . 청구항 4에 있어서, 상기 광 투과막의 두께 t2는 상기 광 쉴드의 두께 t1의 1~2배인 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel element according to claim 4, wherein the thickness t2 of the light transmitting film is 1 to 2 times the thickness t1 of the optical shield. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭 w2은 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭 w1의 2 내지 4 배인 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED according to claim 1, wherein a width w2 of each of the first LED chip, the second LED chip, and the third LED chip is set to 2 of a width w1 of each of the first LED chip, the second LED chip, To 4 times. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭 w1은 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격 b1보다 작은 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.2. The light emitting device of claim 1, wherein a lateral width w1 of each of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip is between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the third LED Chip spacing < RTI ID = 0.0 > b1. ≪ / RTI > 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭이 w1이고, 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격이 b1이고, 상기 광 쉴드의 횡방향 마진 폭이 b2일 때, b1 > w1 > b2인 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED package according to claim 1, wherein a width of each of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip is w1, and between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the third LED chip, And b1 > w1 > b2 when the interval between the three LED chips is b1 and the lateral margin width of the light shield is b2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 횡폭이 w1이고, 상기 제1 LED칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩 각각의 종폭이 w2이고, 상기 제1 LED칩과 상기 제2 LED칩 사이 또는 상기 제2 LED칩과 상기 제3 LED 칩 사이 간격이 b1이고, 상기 광 쉴드의 횡방향 마진 폭이 b2이고, 상기 광 쉴드의 종방향 마진 폭이 b3일 때, w2 > b1 > w1> b2 > b3인 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.2. The LED package according to claim 1, wherein a width of each of the first LED chip, the second LED chip and the third LED chip is w1, and a width of each of the first LED chip, the second LED chip, w2, a distance between the first LED chip and the second LED chip or between the second LED chip and the third LED chip is b1, a lateral margin width of the optical shield is b2, And when the direction margin width is b3, w2 > b1 > w1 > b2 > b3. 청구항 1에 있어서, 상기 광 방출면은 외부 공기와 직접 접해 있는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel element according to claim 1, wherein the light emitting surface is in direct contact with external air. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 LED칩은 적색 LED칩이고, 상기 제2 LED칩은 녹색 LED칩이며, 상기 제3 LED칩은 청색 LED칩인 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.The LED pixel device of claim 1, wherein the first LED chip is a red LED chip, the second LED chip is a green LED chip, and the third LED chip is a blue LED chip. 청구항 13에 있어서, 상기 적색 LED칩은 위를 향해 차례로 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투광성 기판을 갖는 에피 구조물을 포함하며, 상기 에피 구조물의 저면에는 n형 전극패드가 형성되는 n형 영역과 p형 전극패드가 형성되는 p형 영역이 모두 형성되되, 상기 n형 영역은 상기 n 반도체층의 저면을 덮고 있는 절연층 일부가 제거된 영역으로 한정되고, 상기 p형 영역은 상기 에피 구조물에 형성된 절개부를 통해 상기 p형 반도체층 연결되는 배선부가 n형 반도체층의 저면을 덮고 있는 절연층과 접하는 영역으로 한정되며, 상기 광 방출면은 상기 투광성 기판의 노출 표면을 포함하며, 상기 n형 영역에 형성된 n형 전극패드와 상기 p형 영역에 형성된 p형 전극패드는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역의 단차를 보상하여, 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.[14] The method of claim 13, wherein the red LED chip includes an epitaxial structure having an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent substrate sequentially in an upward direction, Type region and a p-type region in which a p-type electrode pad is formed are all formed, and the n-type region is defined as a region in which a part of the insulating layer covering the bottom of the n-type semiconductor layer is removed, Type semiconductor layer through an incision formed in the structure, the light-emitting surface includes an exposed surface of the transparent substrate, and the n < th > The n-type electrode pad formed in the p-type region and the p-type electrode pad formed in the p-type region compensate the difference in level between the n-type region and the p-type region, LED pixel element, characterized in that formed in rock, different thicknesses. 청구항 13에 있어서, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 각각은 위를 향해 차례로 p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층 및 투광성 기판을 갖는 에피 구조물을 포함하며, 상기 에피 구조물의 저면에는 상기 p형 반도체층과 상기 활성층이 영역적으로 제거되어 형성된 단차 구조에 의해 n형 전극패드가 형성되는 n형 영역과 p형 전극패드가 형성되는 p형 영역이 모두 형성되며, 상기 광 방출면은 상기 투광성 기판의 노출 표면을 포함하며, 상기 n형 영역에 형성된 n형 전극패드와 상기 p형 영역에 형성된 p형 전극패드는, 상기 n형 영역과 상기 p형 영역의 단차를 보상하여, 동일 평면 상에 놓이는 면을 갖도록, 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.[14] The method of claim 13, wherein each of the green LED chip and the blue LED chip includes an epitaxial structure having a p-type semiconductor layer, an active layer, an n-type semiconductor layer, Type semiconductor layer and the active layer are formed in a stepped structure to form an n-type region in which an n-type electrode pad is formed and a p-type region in which a p-type electrode pad is formed, and the light- And an exposed surface of the substrate, wherein the n-type electrode pad formed in the n-type region and the p-type electrode pad formed in the p-type region compensate the step difference between the n-type region and the p- Wherein the first electrode and the second electrode are formed to have different thicknesses so as to have a surface to be laid. 블랙 카본을 포함하는 에폭시 또는 실리콘 수지 쉬트로 이루어진 광 투과막을 준비하고;
적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩이 하나의 그룹을 이루도록, 그리고, 각 LED칩의 전극패드들이 상기 광 투과막과 마주하는 방향의 반대측 방향으로 향하도록, 다수의 LED칩을 광 투과막 상에 어레이하고;
상기 광 투과막 상에 어레이된 LED칩들 사이를 모두 채우도록 광 쉴드를 형성하여 쉬트형 구조물을 제작하고;
상기 쉬트형 구조물을 상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 하나씩 어레이된 그룹 단위로 절단하여 복수개의 LED 픽셀 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자 제조방법.Preparing a light transmitting film composed of an epoxy or silicone resin sheet containing black carbon;
A plurality of LED chips are arranged on the light transmitting film so that the red LED chip, the green LED chip and the blue LED chip form a group and the electrode pads of each LED chip face the direction opposite to the direction in which the light- ; ≪ / RTI >
Forming a light shield to fill all the spaces between the LED chips arrayed on the light transmitting film to produce a sheet-like structure;
Wherein the plurality of LED pixel devices are fabricated by cutting the sheet-like structure into groups of the red LED chip, the green LED chip, and the blue LED chip arrayed one by one. 상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 적색 LED칩;
상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 녹색 LED칩;
상면에 광 방출면을 포함하고 저면에 n형 전극패드와 p형 전극패드를 포함하는 청색 LED칩; 및
상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩 각각의 p형 전극패드 및 n형 전극패드를 노출시킨 상태로 상기 적색 LED칩, 상기 녹색 LED칩 및 상기 청색 LED칩을 한꺼번에 봉지하는 몰딩재를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.A red LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface;
A green LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface;
A blue LED chip including a light emitting surface on an upper surface and including an n-type electrode pad and a p-type electrode pad on a bottom surface; And
The green LED chip, and the blue LED chip, the green LED chip and the blue LED chip are exposed while the green LED chip and the blue LED chip are exposed, And a light emitting diode (LED) element. 청구항 17에 있어서, 상기 몰딩재는 외부 광 유입을 줄이는 블랙 카본을 포함하는 투광성 수지 재료에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 LED 픽셀 소자.[18] The LED pixel device according to claim 17, wherein the molding material is formed of a translucent resin material including black carbon that reduces external light inflow.
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