KR20180110102A - Soluble copper anode, electrolytic copper plating apparatus, electrolytic copper plating method, and preservation method of acid electrolytic copper plating solution - Google Patents

Soluble copper anode, electrolytic copper plating apparatus, electrolytic copper plating method, and preservation method of acid electrolytic copper plating solution Download PDF

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Abstract

안정적으로 애노드 슬러지의 발생을 억제할 수 있는 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해, 전해 구리 도금에 이용하는 용해성 구리 양극으로서, 구리재를 수용한 티탄 케이스 및 상기 티탄 케이스에 접촉된 산화이리듐 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극을 채용한다. 여기서, 상기 산화이리듐 부재는 적어도 표면의 재질이 산화이리듐 단체 또는 산화이리듐 복합체인 것으로, 애노드 슬러지의 발생을 억제하고 도금 특성의 저하를 초래하지 않는다.An electrolytic copper plating apparatus, an electrolytic copper plating method, and a method of preserving an acidic electrolytic copper plating liquid which can stably inhibit the generation of an anode sludge. In order to achieve this object, there is employed a soluble copper anode comprising a titanium case containing a copper material and an oxidized iridium member contacting the titanium case, as a soluble copper anode to be used for electrolytic copper plating. Here, the iridium oxide member is made of iridium oxide alone or iridium oxide composite at least on the surface thereof, so that generation of the anode sludge is suppressed and the plating property is not deteriorated.

Description

용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법Soluble copper anode, electrolytic copper plating apparatus, electrolytic copper plating method, and preservation method of acid electrolytic copper plating solution

본 발명은, 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a soluble copper anode, an electrolytic copper plating apparatus, an electrolytic copper plating method, and a method for preserving an acid electrolytic copper plating solution.

종래부터, 프린트 배선 기판 등에서 구리 배선을 형성하기 위해 전해 구리 도금이 사용되고 있다. 이 전해 구리 도금은 최근에는 웨이퍼의 다마신 도금에도 사용되고 있으며, 나아가 실리콘 관통 비아(Through Silicon Via, TSV)이나 유리 관통 비아(Through Glass Via, TGV) 등으로의 응용도 기대되고 있다. 또한, 전해 구리 도금에 관해서는 비아 필링이나 스루홀 필링 등의 도금 기술도 확립되고 있으며, 수요가 높아지고 있다. BACKGROUND ART [0002] Electrolytic copper plating is conventionally used to form a copper wiring on a printed wiring board or the like. This electrolytic copper plating has recently been used for damascene plating of wafers, and is expected to be applied to through silicon vias (TSV) and through glass vias (TGV). With regard to electrolytic copper plating, plating techniques such as via filling and through hole filling have also been established, and demand is increasing.

전해 구리 도금을 행하는 경우, 양극으로서 구리재로 이루어지는 가용성 양극을 사용하는 방법과, 백금, 티탄, 산화이리듐 등으로 이루어지는 불용성 양극을 사용하는 방법이 있다. 여기서, 가용성 양극을 사용하여 전해 구리 도금을 행하는 경우에는, 불용성 양극을 사용하여 전해 구리 도금을 행하는 경우와 비교하여 설비가 간단하고 쉬워 유지보수 비용도 들지 않고 양극 자체도 비교적 저렴하여, 비용 절감을 도모할 수 있다. 또한, 가용성 양극을 사용하여 전해 구리 도금을 행하는 경우에는, 불용성 양극을 사용했을 때와 같이 도금액중의 첨가제가 양극 산화의 영향을 받아 분해되는 것에 기인한 도금 불량의 문제도 발생하지 않는다. 그 때문에, 현재 전해 구리 도금을 행할 때에는 가용성 양극을 사용하는 것이 일반적이다. In the case of conducting electrolytic copper plating, there are a method of using a soluble anode made of a copper material as an anode and a method of using an insoluble anode made of platinum, titanium, iridium oxide or the like. Here, when the soluble anode is used for electrolytic copper plating, the facility is simple and easy compared with the case where electrolytic copper plating is performed using an insoluble anode, and the anode itself is comparatively inexpensive because it does not incur maintenance cost, . In addition, when electrolytic copper plating is performed using a soluble anode, the problem of plating failure due to decomposition of the additive in the plating liquid under the influence of anodic oxidation does not occur as in the case of using an insoluble anode. For this reason, it is common to use a soluble anode when performing electrolytic copper plating at present.

그러나, 가용성 양극을 사용하여 전해 구리 도금을 행하는 경우에는, 양극의 용해시에 1가의 구리 이온의 불균화 반응에 기인하는 금속 구리나 산화 구리로 이루어지는 애노드 슬러지가 대량으로 발생하여, 균일 전착성 등의 도금 특성을 저하시키는 문제가 있다. However, when electrolytic copper plating is carried out using a soluble anode, a large amount of anode sludge composed of metallic copper or copper oxide due to the disproportionation reaction of monovalent copper ion is generated at the time of dissolving the anode, There is a problem of deteriorating the plating characteristics of the electrode.

이 문제에 대해서는, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 약제 또는 장치를 사용하는 방법에 의해 애노드 슬러지를 저감시키는 시도가 이루어지고 있다. 구체적으로, 특허문헌 1에는 인 함유 구리를 양극으로서 이용하는 전해 구리 도금액에 알켄류 및 알킨류를 첨가함으로써, 애노드 슬러지의 발생을 억제하고 있다. As to this problem, for example, as described in Patent Document 1, attempts have been made to reduce the anode sludge by a method using a medicine or a device. Specifically, in Patent Document 1, the generation of anode sludge is suppressed by adding alkenes and alkynes to an electrolytic copper plating solution using phosphorus-containing copper as an anode.

일본 특허 등록 제5659411호Japanese Patent No. 5659411

그러나, 특허문헌 1에 개시된 방법은 첨가제의 농도 관리가 번잡하고, 안정적으로 애노드 슬러지의 발생을 억제하는 효과를 유지하기 어렵다. 또한, 이들 첨가제의 첨가에 의해 구리 양극의 용해가 촉진되어 도금액중에서 구리 농도의 상승이 일어나, 스로잉 파워(throwing power)의 저하나 도금 외관을 악화시키는 등의 문제가 생기고 있었다. However, the method disclosed in Patent Document 1 is troublesome in the concentration control of the additive, and it is difficult to maintain the effect of stably suppressing the generation of the anode sludge. Further, by the addition of these additives, the dissolution of the copper anode is accelerated to raise the copper concentration in the plating solution, which causes problems such as lowered throwing power and deterioration of plating appearance.

이상으로부터, 본 발명은 안정적으로 애노드 슬러지의 발생을 억제할 수 있는 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법의 제공을 목적으로 한다. From the above, it is an object of the present invention to provide a soluble copper anode, an electrolytic copper plating apparatus, an electrolytic copper plating method, and a method of preserving an acidic electrolytic copper plating solution which can stably suppress the generation of anode sludge.

따라서, 본 발명자들은 예의 연구 결과, 이하의 방법을 채용함으로써 상기 목적을 달성하는데 이르렀다. Accordingly, as a result of intensive studies, the present inventors have accomplished the above object by adopting the following method.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극: 본 발명에 따른 용해성 구리 양극은, 전해 구리 도금에 이용하는 용해성 구리 양극으로서, 구리재를 수용한 티탄 케이스 및 그 티탄 케이스에 접촉된 산화이리듐 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다. Soluble copper anode according to the present invention: The soluble copper anode according to the present invention is a soluble copper anode used for electrolytic copper plating, characterized by comprising a titanium casing containing a copper material and an iridium oxide member contacted with the titanium casing do.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 상기 구리재의 형상이 볼 형상인 것이 바람직하다. The soluble copper anode according to the present invention preferably has a shape of the copper material in a ball shape.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 상기 구리재가 인 함유 구리재인 것이 바람직하다. Preferably, the soluble copper anode according to the present invention is the copper ash-containing copper material.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 이용한 상기 전해 구리 도금에서의 도금액은 디설파이드 화합물을 함유한 산성 전해 구리 도금액인 것이 바람직하다. It is preferable that the plating solution in the electrolytic copper plating using the soluble copper anode according to the present invention is an acidic electrolytic copper plating solution containing a disulfide compound.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 상기 티탄 케이스 및 상기 산화이리듐 부재의 주위를 덮는 애노드 백을 더 구비하는 것이 바람직하다. Preferably, the soluble copper anode according to the present invention further comprises an anode bag covering the periphery of the titanium case and the iridium oxide member.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 상기 구리재와 상기 산화이리듐 부재의 상기 산성 전해 구리 도금액에 침지된 표면의 면적비율이 1000:10~1000:200인 것이 바람직하다.  The soluble copper anode according to the present invention preferably has an area ratio of the surface of the copper material immersed in the acidic electrolytic copper plating solution of the oxidized iridium member to 1000: 10-1000: 200.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극에서, 상기 산화이리듐 부재는 적어도 표면의 재질이 산화이리듐 또는 산화이리듐 복합체인 것이 바람직하다.  In the soluble copper anode according to the present invention, it is preferable that at least the surface material of the iridium oxide member is iridium oxide or iridium oxide composite.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은, 상기 산화이리듐 부재가, 티탄, 지르코늄, 스테인레스 스틸 및 니켈 합금 중 어느 하나로 이루어는 기재의 표면에 산화이리듐 또는 산화이리듐 복합체를 함유한 피복을 구비한 것이 바람직하다.  The soluble copper anode according to the present invention preferably has a coating containing iridium oxide or iridium oxide composite on the surface of the substrate made of any one of titanium, zirconium, stainless steel and nickel alloy.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은, 상기 산화이리듐 복합체가, 산화이리듐에 산화탄탈, 산화티탄 및 백금 중 어느 하나 또는 복수의 재료가 30~70% 혼합된 것인 것이 바람직하다.  In the soluble copper anode according to the present invention, it is preferable that the iridium oxide composite is one in which 30 to 70% of iridium oxide, tantalum oxide, titanium oxide and platinum are mixed.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극은, 상기 기재의 형상이, 메쉬, 시트, 튜브, 판, 선, 막대 및 볼 형상 중 어느 하나인 것이 바람직하다.  It is preferable that the shape of the substrate is a mesh, a sheet, a tube, a plate, a line, a rod and a ball shape in the soluble copper anode according to the present invention.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치: 본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치는 위에서 서술한 용해성 구리 양극을 구비하는 것을 특징으로 한다.  Electrolytic copper plating apparatus according to the present invention: The electrolytic copper plating apparatus according to the present invention is characterized by having the soluble copper anode described above.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 방법: 본 발명에 따른 전해 구리 도금 방법은, 위에서 서술한 전해 구리 도금 장치를 이용하여 도금 대상물에 전해 구리 도금을 실시할 때 직류 전류 또는 PPR 전류를 사용하는 것을 특징으로 한다.  Electrolytic Copper Plating Method According to the Present Invention: The electrolytic copper plating method according to the present invention is characterized by using a direct current or a PPR current when electrolytic copper plating is performed on an object to be plated using the electrolytic copper plating apparatus described above do.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 방법은, 상기 도금 대상물로서 프린트 배선 기판 또는 웨이퍼를 이용하는 것이 바람직하다. In the electrolytic copper plating method according to the present invention, it is preferable to use a printed wiring board or a wafer as the plating object.

본 발명에 따른 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법: 본 발명에 따른 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법은, 구리재를 수용한 티탄 케이스를 구성에 포함하는 용해성 구리 양극이 침지된 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법으로서, 적어도 전해 정지중에, 상기 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키는 것을 특징으로 한다. Method of Preserving Acidic Electrolytic Copper Liquid According to the Present Invention: A method of preserving an acidic electrolytic copper plating liquid according to the present invention is a method of preserving an acidic electrolytic copper plating liquid immersed in a soluble copper anode containing a titanium case containing a copper material And the iridium oxide member is brought into contact with the titanium case at least during electrolytic stoppage.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 의하면, 애노드 슬러지의 발생을 효과적으로 억제할 수 있기 때문에, 안정적으로 도금 특성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 의하면, 전해 정지중 에도 용해성 구리 양극의 구리재가 용해되는 것을 억제하여 애노드 슬러지가 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. According to the soluble copper anode, the electrolytic copper plating apparatus, the electrolytic copper plating method, and the method of preserving the acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention, the generation of the anode sludge can be effectively suppressed, so that the plating property can be stably improved have. Further, according to the preservation method of the acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention, the dissolution of the copper material of the soluble copper anode can be suppressed even during the electrolytic stoppage, so that the generation of the anode sludge can be effectively suppressed.

도 1은 본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 전해 구리 도금 장치에 이용한 경우를 예시한 개략 단면도이다.
도 2는 실시예 1에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 3은 실시예 2에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 4는 실시예 3에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 5는 실시예 4에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 6은 실시예 5에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 7은 실시예 6에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 8은 비교예 1에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 9는 비교예 2에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
도 10은 비교예 3에서의 비아 충전 상황을 설명하는 단면 사진이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating a case where a soluble copper anode according to the present invention is used in an electrolytic copper plating apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view illustrating a via filling state in the first embodiment. Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a via filling state in the second embodiment.
4 is a cross-sectional photograph illustrating the via filling state in the third embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating the via filling state in the fourth embodiment.
6 is a cross-sectional photograph illustrating the via filling state in the fifth embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a via filling state in the sixth embodiment. FIG.
8 is a cross-sectional photograph illustrating the via filling state in Comparative Example 1. Fig.
9 is a cross-sectional photograph illustrating the via filling state in Comparative Example 2. Fig.
10 is a cross-sectional photograph illustrating the via filling state in Comparative Example 3. Fig.

이하, 도면을 이용하여 본 발명에 따른 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 전해 구리 도금 장치에 이용한 경우를 예시한 개략 단면도이다. Hereinafter, a method of preserving a soluble copper anode, an electrolytic copper plating apparatus, an electrolytic copper plating method, and an acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a case where a soluble copper anode according to the present invention is used in an electrolytic copper plating apparatus.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치는, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 구비한 것이다. 상기 용해성 구리 양극은 전해 구리 도금에 이용하는 것으로서, 구리재(2)를 수용한 티탄 케이스(3) 및 티탄 케이스(3)에 접촉된 산화이리듐 부재(4)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이하, 이들 구성에 대해 설명한다. An electrolytic copper plating apparatus according to the present invention comprises a soluble copper anode according to the present invention. The soluble copper anode is used for electrolytic copper plating and is characterized in that it includes a titanium case 3 containing a copper material 2 and an oxidized iridium member 4 brought into contact with the titanium case 3. Hereinafter, these configurations will be described.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 채용한 용해성 구리 양극(1)을 구성하는 구리재(2)는, 전해시에 구리 이온을 발생시켜 피도금 부재(20)의 표면에 구리 도금을 피복하기 위해 이용된다. 이 구리재(2)는 볼 형상인 것이 바람직하다. 구리재(2)의 형상이 볼 형상인 것으로부터 구리 양극의 표면적을 최대한 크게 할 수 있어, 전해시에 구리 이온을 보다 많이 발생시켜 도금 효율을 더욱 높일 수 있다. The copper material 2 constituting the soluble copper positive electrode 1 employing the soluble copper positive electrode according to the present invention is used for generating copper ions during electrolysis to coat the surface of the plated member 20 with copper plating do. The copper material 2 is preferably in a ball shape. Since the shape of the copper material 2 is a ball shape, the surface area of the copper anode can be maximized, and more copper ions can be generated at the time of electrolysis to further enhance the plating efficiency.

또한, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 구성하는 구리재(2)는 인 함유 구리재인 것이 바람직하다. 상기 용해성 구리 양극에 인 함유 구리 부재를 사용함으로써, 전해시에 Cu2P라는 「블랙 필름」으로 불리는 화합물의 피막을 인 함유 구리 부재의 표면에 형성하고, 1가의 구리 이온의 발생을 억제하여 애노드 슬러지의 발생을 억제할 수 있다. 상기 인 함유 구리 부재의 애노드 슬러지의 발생을 더욱 억제하는데 있어서, 인의 함유량은 0.02%~0.06% 정도로 하는 것이 바람직하다. 인 함유 구리 부재를 용해성 구리 양극(1)에 사용하는 것은, 전해중의 구리 용해를 원활하게 행할 수 있게 한다는 점에서 유리하다. Further, the copper material 2 constituting the soluble copper anode according to the present invention is preferably phosphorus-containing copper material. By using a phosphorus-containing copper member on the soluble copper anode, a coating of a compound called " black film " Cu 2 P is formed on the surface of the phosphorus-containing copper member during electrolysis to suppress the generation of monovalent copper ions, The occurrence of sludge can be suppressed. In order to further suppress the generation of the anode sludge of the phosphorus-containing copper member, the phosphorus content is preferably set to about 0.02% to 0.06%. Use of the phosphorus-containing copper member in the soluble copper anode 1 is advantageous in that copper dissolution during electrolysis can be performed smoothly.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 구성하는 티탄 케이스(3)는, 위에서 서술한 구리재(2)를 도금액(11) 중에 침지시킨 상태에서 유지 가능한 형상이면 무방하며, 예를 들면, 측벽에 복수의 홀이 형성된 것(메쉬 형상 등)을 이용할 수 있다. 티탄 케이스(3)의 길이는 수용하는 구리재(2)의 표면적에 관계한다. 예를 들면, 양산 현장에서 표준 기판(1.0m×1.0m)의 표면에 전해 구리 도금을 실시하는 경우, φ60mm×(1100~1300)mm 정도의 티탄 케이스가 이용된다. 티탄 케이스(3)의 길이나 갯수에 대해서는, 사용하는 음극 및 양극의 전류 밀도나 피도금 부재(20)의 표면에 피복하는 구리 도금의 막두께 분포 등이 고려된다. 본 발명에서의 티탄 케이스(3)는 범용의 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되는 것은 아니다. The titanium case 3 constituting the soluble copper anode according to the present invention may be of any shape that can hold the copper material 2 in the state in which the copper material 2 is immersed in the plating liquid 11. For example, (Mesh shape or the like) may be used. The length of the titanium case 3 is related to the surface area of the copper material 2 to be accommodated. For example, when electrolytic copper plating is performed on the surface of a standard substrate (1.0 m x 1.0 m) at a mass production site, a titanium case of about 60 mm x (1100 to 1300 mm) is used. Regarding the length and the number of the titanium cases 3, the current density of the cathode and the anode to be used and the film thickness distribution of the copper plating coated on the surface of the plating target 20 are considered. The titanium case 3 in the present invention can be a general-purpose one, and is not particularly limited.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 구성하는 산화이리듐 부재(4)는, 적어도 표면의 재질이 산화이리듐 단체 또는 산화이리듐 복합체인 것이 바람직하다. 상기 용해성 구리 양극에 이러한 구성의 산화이리듐 부재(4)를 구비함으로써, 애노드 슬러지의 발생을 억제하여 도금 특성의 저하를 초래하지 않는다. 여기서, 산화이리듐 부재(4)는, 티탄, 지르코늄, 스테인레스 스틸 및 니켈 합금 중 어느 하나의 기재의 표면에, 산화이리듐을 함유한 피복을 구비한 것으로 만들 수 있다. 산화이리듐 부재(4)의 기재는, 위에서 서술한 재료와 같은 전해에 의해 용해되지 않는 재질인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 산화이리듐 복합체는, 산화이리듐에 산화탄탈, 산화티탄 및 백금 중 어느 하나 또는 복수의 재료가 30%~70% 혼합된 것이 바람직하다. 이러한 산화이리듐 복합체로 이루어지는 피복을 구비함으로써, 전극으로서의 내구성이나 산소 발생 효과를 크게 향상시킬 수 있다. The iridium oxide member (4) constituting the soluble copper anode according to the present invention is preferably at least a surface material of iridium oxide or iridium oxide complex. The provision of the oxidized iridium member (4) having such a constitution in the soluble copper anode prevents the generation of the anode sludge and does not cause deterioration of the plating property. Here, the iridium oxide member 4 may be made of a coating containing iridium oxide on the surface of any one of titanium, zirconium, stainless steel and nickel alloy. The base material of the iridium oxide member 4 is preferably a material which is not dissolved by electrolysis like the above-described material. It is preferable that the iridium oxide composite contains 30% to 70% of iridium oxide, one or more of tantalum oxide, titanium oxide and platinum. By providing a coating made of such an iridium oxide composite, durability as an electrode and oxygen generating effect can be greatly improved.

또한, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극에서, 산화이리듐 부재(4)의 기재의 형상은, 메쉬, 시트, 튜브, 판, 선, 막대 및 볼 형상 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 또한, 산화이리듐 부재(4)의 치수는, 애노드 슬러지의 발생을 억제하는 것을 고려하면 볼 형상을 제외하고는 사용하는 티탄 케이스의 길이인 것이 바람직하다. 산화이리듐 부재(4)는 전해중에 용해성 구리 양극의 용해를 방해하지 않고 효율적으로 미량의 산소를 발생시키는 형상 및 치수인 것으로써, 산화이리듐 부재(4)의 근방에서 발생하는 1가의 구리 이온을 순간적으로 2가의 구리 이온으로 변환하여 애노드 슬러지의 생성을 억제할 수 있다. In the soluble copper anode according to the present invention, the base material of the iridium oxide member 4 is preferably any one of a mesh, a sheet, a tube, a plate, a wire, a rod and a ball. The size of the iridium oxide member 4 is preferably the length of the titanium case to be used except for the ball shape in consideration of suppressing the generation of the anode sludge. The iridium oxide member 4 is a shape and dimension that efficiently generates a small amount of oxygen without interfering with the dissolving of the soluble copper anode during electrolysis, so that monovalent copper ions generated in the vicinity of the iridium oxide member 4 are instantaneously To convert it into a divalent copper ion, so that generation of anode sludge can be suppressed.

또한, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극은, 티탄 케이스(3) 및 산화이리듐 부재(4)의 주위를 덮는 애노드 백(5)을 더 구비하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 용해성 구리 양극은 애노드 백(5)을 더 구비함으로써, 티탄 케이스(3)에 수용한 구리재(2)를 산화 분위기하에 안정적으로 유지하고, 슬러지의 원인이 되는 1가의 구리 이온을 2가의 구리 이온으로 효과적으로 변환할 수 있다. 또한, 상기 용해성 구리 양극은 애노드 백(5)을 구비함으로써, 형성된 애노드 슬러지가 도금액(11) 중에 확산되는 것을 막아, 도금 특성의 저하를 초래하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 애노드 백(5)은 범용의 것을 사용할 수 있으며, 형상이나 재질 등에 관해서는 특별히 한정되지 않는다. It is further preferable that the soluble copper anode according to the present invention further comprises an anode bag 5 covering the periphery of the titanium case 3 and the iridium oxide member 4. [ The soluble copper anode is further provided with the anode bag 5 so that the copper material 2 contained in the titanium case 3 is stably maintained in an oxidizing atmosphere and monovalent copper ions which are the cause of the sludge, Ions can be effectively converted. Further, the soluble copper anode includes the anode bag 5, thereby preventing the formed anode sludge from diffusing into the plating liquid 11, thereby preventing deterioration of the plating characteristics. On the other hand, the anode bag 5 can be a general-purpose one, and the shape and materials are not particularly limited.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치에 이용하는 도금액(11)에는 산성구리 도금액이 사용된다. 통상, 산성구리 도금액(11)은, 황산구리·5수염, 황산, 염화물 이온 및 첨가제로 이루어지는 황산구리 도금액이 이용된다. 예를 들면, 산성구리 도금액(11)의 조성은, 황산구리·5수염 30g/L~250g/L, 황산 30g/L~250g/L, 염화물 이온 30mg/L~75mg/L의 범위에서 사용할 수 있다. 또한, 산성구리 도금액(11)의 온도는 통상 15℃~60℃의 범위에서 사용할 수 있으며, 바람직하게는 25℃~35℃이다. 황산구리·5수염 농도의 증가, 또는 황산 농도의 증가에 수반하여 황산구리·5수염의 결정이 구리 양극상에 석출되는 경우가 있으므로, 양자의 농도 관리에는 주의가 필요하다. An acidic copper plating solution is used for the plating solution 11 used in the electrolytic copper plating apparatus according to the present invention. Usually, as the acidic copper plating solution 11, a copper sulfate plating solution composed of copper sulfate · 5 sulfate, sulfuric acid, chloride ions and additives is used. For example, the composition of the acidic copper plating solution 11 can be used in the range of 30 g / L to 250 g / L of copper sulfate · 5 sulfate, 30 g / L to 250 g / L of sulfuric acid and 30 mg / L to 75 mg / L of chloride ion . The temperature of the acidic copper plating solution 11 is usually in the range of 15 캜 to 60 캜, preferably 25 캜 to 35 캜. Precipitation of both copper sulfate and 5 hydrate may be precipitated on the copper anode due to an increase in sulfate concentration or an increase in sulfuric acid concentration.

여기서, 본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치에 이용하는 산성구리 도금액(11)은 디설파이드 화합물을 함유한 것이 바람직하다. 최근, 전해 구리 도금을 행하는 경우, 브라이트너 성분으로서, 예를 들면 비스(3-설포프로필)디설파이드(이하, 간단히 「SPS」라고 칭함)가 사용되고 있다. 그러나, 이 경우, SPS가 3-메르캅토프로판-1-설폰산(이하, 간단히 「MPS」라고 칭함)으로 변화됨으로써, 스루홀욕에서는 스로잉 파워의 저하나 도금 외관 불량, 비아필욕에서는 필링율의 저하나 도금 외관 불량 등이 발생하는 문제가 생긴다. 특히, 전해 정지하여 산성구리 도금액(11)을 방치한 경우, 양극 근방에서 SPS가 환원되어 MPS가 생성되는 것이 확인되었다. 이 MPS의 생성은 MPS-Cu+ 착체로 이루어지는 애노드 슬러지를 발생시키는 원인으로도 될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극(1)을 이용한 경우, SPS의 분해에 의한 MPS의 생성을 방지함으로써, 애노드 슬러지의 발생을 억제하고 MPS의 악영향을 배제할 수 있으므로, 위에서 서술한 문제는 생기지 않는다. Here, the acidic copper plating solution 11 used in the electrolytic copper plating apparatus according to the present invention preferably contains a disulfide compound. In recent years, when electrolytic copper plating is performed, for example, bis (3-sulfopropyl) disulfide (hereinafter simply referred to as "SPS") is used as a brightener component. However, in this case, since SPS is changed to 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid (hereinafter simply referred to as " MPS "), in a through-hole bath, poor throwing power, poor plating appearance, There arises a problem that the appearance of one plating is defective. Especially, when the acidic copper plating solution 11 was left to stand by electrolysis, it was confirmed that SPS was reduced in the vicinity of the positive electrode to generate MPS. The generation of the MPS may cause the generation of the anode sludge composed of the MPS-Cu + complex. However, when the soluble copper anode (1) according to the present invention is used, generation of MPS due to decomposition of SPS is prevented, thereby suppressing the generation of anode sludge and eliminating adverse effects of MPS. Do not.

위에서 서술한 바와 같이, 애노드 백(5)을 구비한 용해성 구리 양극(1)을 이용한 경우, 애노드 백(5) 내에 매우 고농도의 MPS를 존재시킬 수 있다. 따라서, 산화이리듐 부재(4)를 구리재(2)가 충전된 티탄 케이스(3)에 접촉시켜 전해함으로써, 매우 효율적으로 MPS를 무해화할 수 있다. As described above, when the soluble copper anode 1 having the anode bag 5 is used, a very high concentration of MPS can be present in the anode bag 5. Therefore, the electrolytic solution of the iridium oxide member 4 is brought into contact with the titanium case 3 filled with the copper material 2 and electrolyzed, whereby the MPS can be detoxified very efficiently.

MPS의 발생 억제의 관점으로부터, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은 1000:10~1000:200인 것이 바람직하다. 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율이 1000:10 미만이면, 산화이리듐 부재(4) 표면으로부터 산소 발생이 매우 적기 때문에, MPS의 발생을 효율적으로 억제할 수 없다. 또한, 상기 면적 비율이 1000:200을 넘으면, 산화이리듐 부재(4)의 표면으로부터 산소 발생이 현저하게 증가하기 때문에, 도금액(11)중의 첨가제를 산화 분해하여 첨가제 소모량이 증가한다. 그 때문에, 상기 면적 비율은 1000:50~1000:100이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1000:75~1000:125이다. 한편, 필요하면, 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면적을 조정하기 위해 실리콘 고무 등에 의해 마스킹해도 무방하다. From the viewpoint of inhibiting the generation of MPS, it is preferable that the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 is 1000: 10 to 1000: 200. If the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the oxidized iridium member 4 is less than 1000: 10, oxygen generation from the surface of the iridium oxide member 4 is very small. Can not be effectively suppressed. If the area ratio exceeds 1000: 200, the generation of oxygen from the surface of the iridium oxide member 4 remarkably increases, so that the additive in the plating liquid 11 is oxidized and decomposed to increase the consumed amount of the additive. Therefore, the area ratio is more preferably 1000: 50 to 1000: 100, and still more preferably 1000: 75 to 1000: 125. On the other hand, if necessary, it may be masked by silicone rubber or the like in order to adjust the surface area immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the iridium oxide member 4.

또한, 본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치에서, 적용 가능한 음극 전류 밀도는 통상 프린트 기판의 도금에 이용되고 있는 인 함유 구리 부재를 사용하는 범위로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 음극 전류 밀도는 0.1A/dm2~10A/dm2정도, 바람직하게는 0.5A/dm2~6A/dm2, 보다 바람직하게는 1A/dm2~5A/dm2이다. 양극 전류 밀도는 통상 0.1A/dm2~3A/dm2로 사용 가능하지만, 보다 바람직하게는 1A/dm2~3A/dm2이다. 산성구리 도금액(11)중의 구리 농도는 양극 전류 밀도가 너무 낮으면 상승하는 경향이 있고, 양극 전류 밀도가 너무 높으면 저하하는 경향이 있기 때문에, 사용하는 음극 전류 밀도에 따라 양극 면적의 조정이 필요하다. Further, in the electrolytic copper plating apparatus according to the present invention, it is preferable that the applicable cathode current density is in a range using a phosphorus-containing copper member normally used for plating the printed circuit board. Specifically, the cathode current density is about 0.1 A / dm 2 to 10 A / dm 2 , preferably 0.5 A / dm 2 to 6 A / dm 2 , and more preferably 1 A / dm 2 to 5 A / dm 2 . The anode current density is usually from 0.1 A / dm 2 to 3 A / dm 2 , but more preferably from 1 A / dm 2 to 3 A / dm 2 . The copper concentration in the acidic copper plating solution 11 tends to rise when the anode current density is too low and tends to decrease when the anode current density is too high, so that the anode area needs to be adjusted in accordance with the cathode current density used .

여기서, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극을 이용한 경우, 전해 정지시 및 전해시에 얻어지는 효과에 대해 서술한다. 통상적으로는 전해를 정지하고 산성구리 도금액(11)을 방치하면, 구리재(2)가 티탄 케이스(3)와의 접촉 부식에 의해 하기 화학식 1의 식 (1) 및 식 (2)와 같이 용해가 일어난다. 그리고, 산성구리 도금액(11)이 디설파이드 화합물을 함유한 경우에는, 그때 방출된 전자에 의해 하기 화학식 1의 식 (3)과 같이 SPS가 환원되어 MPS가 생성된다. 그 때문에, 산성구리 도금액(11) 내의 MPS 농도가 증대된다. 생성된 MPS는 하기 화학식 1의 식 (4)와 같이 일부가 산화되어 SPS로 변환되지만, 1가의 구리 이온과 결합된 Cu(I)MPS는 하기 화학식 1의 식 (5)와 같이 MPS가 된다. Here, effects obtained when the soluble copper anode according to the present invention is used and when electrolysis is stopped and electrolysis is described. When the electrolytic solution is stopped and the acidic copper plating solution 11 is left standing, the copper material 2 is dissolved by contact corrosion with the titanium case 3 to form a solution It happens. In the case where the acidic copper plating solution 11 contains a disulfide compound, SPS is reduced as shown by the formula (3) in the following formula (1) to generate MPS. Therefore, the MPS concentration in the acidic copper plating solution 11 is increased. The resulting MPS is partially oxidized and converted to SPS as shown by the following formula (4). However, the Cu (I) MPS combined with the monovalent copper ion becomes MPS as shown in the following formula (5).

Figure pct00001
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상기 화학식 1에는 전해 정지시 도금 외관 불량의 원인이 되는 구리재(2)의 용해나 MPS가 생성되는 과정을 나타냈지만, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 구리재(2)를 수용한 티탄 케이스(3)에 산화이리듐 부재(4)를 접촉시킨 구성으로 함으로써, 티탄 케이스(3)에 접촉 및 산화이리듐 부재(4)에 간접적으로 접촉시켰을 때 구리재(2)의 부식 전위를 구리재(2)의 단독 전위보다 낮게 할 수 있어, 구리재(2)가 산성 전해 구리 도금액(11)에 용해되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 전해 정지중의 구리재(2)의 용해를 억제하여 MPS의 생성을 억제할 수 있다. The dissolvable copper anode according to the present invention is a titanium case containing a copper material (2), and the copper material (2) 3 is brought into contact with the iridium oxide member 4 so that the corrosion potential of the copper material 2 can be made to fall within the copper material 2 when it is brought into contact with the titanium case 3 and indirectly brought into contact with the iridium oxide member 4, It is possible to suppress the dissolution of the copper material 2 into the acidic electrolytic copper plating solution 11. [ As a result, the dissolution of the copper material 2 during the electrolytic stop can be suppressed and the generation of MPS can be suppressed.

또한, 전해시에는, 본 발명에서의 산화이리듐 부재(4)를 티탄 케이스(3)에 접촉시킴으로써, 전해중에 산화이리듐 부재(4)의 표면보다 활성이 높은 발생기의 산소를 생성하여 티탄 케이스(3)의 주위를 산화 분위기로 만들고, 1가의 구리 이온을 2가의 구리 이온으로 변환하여, CuCl, Cu2O 등으로 이루어지는 애노드 슬러지의 생성을 억제할 수 있다. When the electrolytic solution is used, the oxidized iridium member 4 of the present invention is brought into contact with the titanium case 3 to generate oxygen of the generator that is higher in activity than the surface of the iridium oxide member 4 during electrolysis, ) Is converted into an oxidizing atmosphere and monovalent copper ions are converted into divalent copper ions to suppress generation of anode sludge composed of CuCl, Cu 2 O, and the like.

이상으로부터, 본 발명에 따른 전해 구리 도금 장치는, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극(1)을 구비함으로써, 도금 효율의 향상을 도모하면서도, 고품질의 도금 피막을 저비용으로 형성할 수 있다. From the above, the electrolytic copper plating apparatus according to the present invention has the soluble copper anode 1 according to the present invention, so that a high quality plating film can be formed at a low cost while improving the plating efficiency.

본 발명에 따른 전해 구리 도금 방법은, 위에서 서술한 전해 구리 도금 장치를 이용하여 도금 대상물(20)에 전해 구리 도금을 실시할 때, 직류 전류 또는 PPR(pulse periodic reverse) 전류를 사용하는 것을 특징으로 한다. The electrolytic copper plating method according to the present invention is characterized by using a direct current or a pulse periodic reverse (PPR) current when electrolytic copper plating is performed on the object to be plated 20 by using the electrolytic copper plating apparatus described above do.

본 발명에 따른 구리 도금 방법에서, 도금 대상물(20)에 전해 구리 도금 처리를 실시할 때 직류 전류를 사용하는 경우에는, 일반적으로 사용되고 있는 조건을 적절하게 채용할 수 있다. 예를 들면, 전해 구리 도금 처리를 실시할 때 직류 전류를 사용하는 경우에는, 일정한 안정된 전류값이 얻어지는 직류 전원을 사용할 수 있다. 그리고, 직류를 얻기 위한 수단으로서는 3상 전파 정류기(리플 5% 이하)를 이용할 수 있다. In the copper plating method according to the present invention, when a direct current is used to conduct the electrolytic copper plating treatment on the object to be plated 20, generally used conditions can be suitably employed. For example, when a direct current is used when carrying out the electrolytic copper plating process, a direct current power source which can obtain a constant stable current value can be used. As a means for obtaining a direct current, a three-phase full-wave rectifier (ripple of 5% or less) can be used.

또한, 본 발명에 따른 구리 도금 방법에서는, 도금 대상물(20)에 전해 구리 도금 처리를 가할 때 PPR 전류를 사용할 수도 있다. 여기서, 「PPR 전류」란, 정전해(도금을 석출시키는 전해)와 역전해를 짧은 주기로 반복하도록, 전류의 방향이 펄스 파형으로 주기적으로 바뀌는 전류를 말한다. PPR 전류에 의하면, 직류 전류에서는 얻을 수 없는 높은 저항 과전압을 얻을 수 있기 때문에, 높은 도금 스로잉성을 확보할 수 있다. 그 때문에, 고어스펙트비(판 두께/홀 지름)를 가지는 스루홀 기판이나, 홀 지름이 작고 깊은 비아의 충전에 최적이다. PPR 전류를 사용하는 경우, 전류의 주기는 임의로 설정할 수 있지만, 정전해 시간이 역전해 시간보다 긴 것이 바람직하다. 예를 들면, 정전해 시간은 0.1msec~50msec인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 1msec~20msec이다. 또한, 역전해 시간은 0.1msec~5msec인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.5msec~2msec이다. Further, in the copper plating method according to the present invention, a PPR current may be used when electrolytic copper plating treatment is applied to the object 20 to be plated. Here, "PPR current" refers to a current in which the direction of current is periodically changed to a pulse waveform so as to repeat electrostatic electrolysis (electrolysis for depositing plating) and reverse electrolysis in a short cycle. According to the PPR current, since a high resistance overvoltage which can not be obtained with a direct current can be obtained, a high plating throwing performance can be ensured. Therefore, it is most suitable for filling a through hole substrate having a Gauss spectrum ratio (plate thickness / hole diameter) or a via hole having a small hole diameter. When the PPR current is used, the period of the current can be arbitrarily set, but it is preferable that the electrostatic charge time is longer than the reversal charge time. For example, the electrostatic charge time is preferably 0.1 msec to 50 msec, and more preferably 1 msec to 20 msec. The inversion time is preferably 0.1 msec to 5 msec, and more preferably 0.5 msec to 2 msec.

또한, 본 발명에 따른 구리 도금 방법은, 위에서 서술한 도금 대상물(20)로서 프린트 배선 기판 또는 웨이퍼를 이용하는 것이 바람직하다. 프린트 배선 기판은 통상, 스루홀 및 블라인드 비아홀(BVH) 등에 의해 층간 전기적 접속이 도모되고 있다. 이 스루홀은, 예를 들면, 스루홀 지름 φ0.15mm~2.8mm, 판 두께 0.6mm~3.2mm가 범용되고 있다. 또한, 블라인드 비아홀은 비아 지름 20μm~200μm 정도, 깊이 10μm~100μm 정도가 일반적이다. 반도체 웨이퍼에서는 도전성이 우수한 구리 배선을 황산구리 도금에 의해 형성하는 다마신 프로세스가 채용되고 있다. 이 프로세스는 반도체 웨이퍼상의 서브 미크론의 비아 및 트렌치를 황산구리 도금에 의해 충전하는 것이다. 이들의 안정된 비아 충전에는 브라이트너 성분으로서 이용하는 SPS의 분해에 의한 MPS의 생성의 억제가 필요하지만, 본 발명에 따른 구리 도금 방법에 의하면 이러한 SPS의 변질을 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. Further, in the copper plating method according to the present invention, it is preferable to use a printed wiring board or a wafer as the plating object 20 described above. In general, the printed wiring board is electrically connected to the interlayer by a through hole and a blind via hole (BVH). This through hole is generally used as a through hole diameter of 0.15 mm to 2.8 mm and a plate thickness of 0.6 mm to 3.2 mm, for example. The blind via hole generally has a via diameter of about 20 占 퐉 to 200 占 퐉 and a depth of about 10 占 퐉 to 100 占 퐉. In the semiconductor wafer, a damascene process is employed in which a copper wiring having excellent conductivity is formed by copper sulfate plating. This process is to fill the submicron vias and trenches on the semiconductor wafer by copper sulfate plating. In these stable via filling, suppression of the formation of MPS by decomposition of SPS used as a brightener component is required. However, according to the copper plating method of the present invention, such deterioration of SPS can be effectively suppressed.

본 발명에 따른 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법은, 구리재(2)를 수용한 티탄 케이스(3)를 구성에 포함하는 용해성 구리 양극(1)이 침지된 산성 전해 구리 도금액(11)의 보존 방법으로서, 적어도 전해 정지중에 티탄 케이스(3)에 산화이리듐 부재(4)를 접촉시키는 것을 특징으로 한다. 적어도 전해 정지중에 티탄 케이스(3)에 산화이리듐 부재(4)를 접촉시킴으로써, 위에서 서술한 바와 같이 전해 정지중에 1가의 구리 이온의 생성이나, 도금액에 SPS를 이용한 경우에 MPS의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 의하면, 장시간 방치한 산성구리 도금액(11)을 그대로 이용하여 전해를 개시하였다고 해도 도금 외관 불량이 잘 생기지 않으며, 유지보수가 불필요하다. A method of preserving an acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention is a method of preserving an acidic electrolytic copper plating solution 11 in which a soluble copper anode 1 containing a titanium case 3 containing a copper material 2 therein is immersed , Characterized in that the titanium oxide (3) is brought into contact with the iridium oxide member (4) during at least electrolytic stoppage. The iridium oxide member 4 is brought into contact with the titanium case 3 at least during electrolytic stop so that generation of monovalent copper ions during the electrolytic stoppage and generation of MPS when SPS is used in the plating solution can be suppressed have. Therefore, according to the method of preserving the acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention, even when the electrolytic solution is started using the acidic copper plating solution 11 which has been left for a long time as it is, the appearance of the plating appearance is poor and maintenance is unnecessary.

이상에서, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 대하여 설명하였지만, 이하에 본 발명의 실시예를 나타내고, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 한편, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되지 않는다. While the present invention has been described in detail with reference to the preferred embodiments of the invention, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention. do. On the other hand, the present invention is not limited to these examples.

실시예 1Example 1

실시예 1에서는, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. 이하, 도 1을 이용하여 설명한다. In Example 1, a test was conducted to confirm the filling state of vias when electrolytic copper plating was performed in a state that the iridium oxide member was in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode. Hereinafter, a description will be given with reference to Fig.

이 실시예 1에서는, 우선 판 두께 1.0mm, 비아 지름 100μm, 깊이 80μm의 피도금 부재(프린트 기판)(20)에 대해, 멜플레이트 MLB-6001 프로세스(멜텍스 주식회사제)에 의해 디스미어 처리를 행하였다. 계속해서, 멜플레이트 CU-390 프로세스(멜텍스 주식회사제)에 의해 무전해 구리 도금을 행하였다. 그리고, 이 프린트 기판(20)을 멜플레이트 CL-1000S(멜텍스 주식회사제)에서 탈지, 수세, 10% 황산 처리 및 수세 후, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In this Embodiment 1, a plated member (printed substrate) 20 having a plate thickness of 1.0 mm, a via diameter of 100 m and a depth of 80 m is subjected to a desmear treatment by a MELT plate MLB-6001 process (manufactured by Meltex Co., Ltd.) . Subsequently, electroless copper plating was carried out by a Melpet CU-390 process (manufactured by Meltex Co., Ltd.). The printed board 20 was degreased, washed with water, treated with 10% sulfuric acid, and rinsed with MELPHIL CL-1000S (manufactured by Meltex Co., Ltd.), and electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 1에서 이용하는 산성 구리 도금액(11)은 황산구리·5수염 농도 220g/L, 황산 50g/L, 염화물 이온 50mg/L를 포함하는 도금액에, 루센트 카퍼 SVF-A(멜텍스 주식회사제, 디설파이드계) 0.8mL/L, 루센트 카퍼 SVF-B(멜텍스 주식회사제) 20mL/L, 루센트 카퍼 SVF-L(멜텍스 주식회사제) 15mL/L를 첨가하여 조정한 1.5L의 비아필욕을 사용하였다. 그리고, 도금조(10) 내에는, 수용된 비아필욕(11)에 침지한 상태로 용해성 구리 양극(1)을 배치하였다. 용해성 구리 양극(1)은 구리재(φ25의 인 함유 구리볼 5개)(2)를 수용한 티탄 케이스(φ30mm×150 mm)(3)에 산화이리듐 부재(산화이리듐이 피복된 막대(φ5mm×100mm))(4)를 접촉시켰다. 또한, 이들 티탄 케이스(3) 및 산화이리듐 부재(4)의 주위를 덮는 애노드 백(5)을 더 구비하였다. 한편, 도 1에 나타내는 구성과는 다르지만, 실시예 1에서는 이 용해성 구리 양극(1)을 두 세트 침지하였다. The acidic copper plating solution 11 used in Example 1 was a solution prepared by dissolving 0.5 g of LUCENT CAPER SVF-A (manufactured by Meltex Co., Ltd., disulfide type) in a plating solution containing 220 g / L of copper sulfate · 5 hydrate, 220 g / L of sulfuric acid, 1.5 mL of a via lysing bath prepared by adding 20 mL / L of LUCENT CAPER SVF-B (Meltex Co., Ltd.) and 15 mL / L of LUCENT CAPER SVF-L (Meltex Co., Ltd.) was used. In the plating tank 10, the soluble copper anode 1 was placed in a state of being immersed in the vias laden bath 11 accommodated therein. The soluble copper anode 1 was made of an iridium oxide member (iridium oxide-coated rod (5 mm x 1.5 mm x 3 mm)) was attached to a titanium case (30 mm x 150 mm) 3 in which a copper (5 phosphorus- 100 mm) (4). Further, an anode bag 5 covering the periphery of the titanium case 3 and the iridium oxide member 4 was further provided. On the other hand, although different from the structure shown in Fig. 1, in Example 1, two sets of the soluble copper positive electrode 1 were immersed.

실시예 1에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적비율은 1000:100이었다. 또한, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1dm2가 되도록 산성구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 전류 밀도 2A/dm2로 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해하고, 그 후 하룻밤 방치하였다. 전해 후 하룻밤 방치시킨 후의 도금액을 이용하여 CVS법에 의해 첨가제를 분석·조정하여, 2A/dm2로 15μm 도금하였다. 도금 후, 비아 내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 1, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 100. Further, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as a negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed at a current density of 2 A / dm 2 until the electrolysis amount reached 5 AH / L, and then left overnight. After the electrolysis and left overnight, the additive was analyzed and adjusted by the CVS method using a plating solution, and was plated in a thickness of 15 탆 at 2 A / dm 2 . After plating, the filling conditions in the vias were observed by a cross-section method.

도 2는 실시예 1에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 2의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 2의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 2의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 1에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행했을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 1에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. Fig. 2 shows a cross-sectional photograph of the via filling state in Example 1. Fig. Here, FIG. 2 (a) shows a cross-sectional photograph when electrolysis was carried out until the electrolysis amount reached 5 AH / L. Fig. 2 (b) is a cross-sectional photograph of a case where electrolytic copper plating is carried out again using a plating solution after left overnight after electrolysis. 2 (a) and 2 (b), the via filling conditions in Example 1 were as follows: electrolytic copper plating was carried out using electrolytic plating until the electrolytic amount reached 5 AH / L, When we did, there was no particular change. Table 1 shows the evaluation results of Example 1.

실시예 2Example 2

실시예 2에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Example 2, as in Example 1, a test was conducted to confirm the via filling state in the case where the electrolytic copper plating was performed in the state that the iridium oxide member was in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

이 실시예 2에서는, 실시예 1과 동일한 피도금 부재(20)를 이용하였다. 또한, 실시예 2에서는, 전해 구리 도금을 행하기 전, 실시예 1과 동일한 처리를 동일한 조건으로 행하였다. 그리고, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In the second embodiment, the same plating member 20 as in the first embodiment is used. In Example 2, the same treatment as in Example 1 was conducted under the same conditions as before electrolytic copper plating. Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 2에서 이용하는 산성구리 도금액(11)은, 황산구리·5수염 농도 150g/L, 황산 150g/L, 염화물 이온 50mg/L를 포함하는 도금액에, 루센트 카퍼 HCS-A(멜텍스 주식회사제, 디설파이드계) 0.3mL/L, 루센트 카퍼 HCS-B(멜텍스 주식회사제) 15mL/L, 루센트 카퍼 HCS-L(멜텍스 주식회사제) 6mL/L를 첨가하여 조정한 1.5L의 플렉서블 기판용 하프필욕을 조정하였다. 그리고, 도금조(10) 내에는, 수용된 플렉서블 기판용 하프필욕(11)에 침지시킨 상태로 용해성 구리 양극(1)을 배치하였다. 여기서 이용하는 용해성 구리 양극(1)은, 실시예 1과 동일한 구성의 것을 이용하였다. The acidic copper plating solution 11 used in Example 2 was a solution prepared by dissolving 0.5 g of LUCENT CAPHER HCS-A (disulfide (trade name) manufactured by Meltex Co., Ltd.) in a plating solution containing 150 g / L of copper sulfate · 5 hydrate, 150 g / L of sulfuric acid, 1.5 L of a half-lysing bath for flexible substrates was prepared by adding 15 mL / L of LUCENT CAPER HCS-B (manufactured by Meltex Co., Ltd.) and 6 mL / L of Lucentcopher HCS-L (manufactured by Meltex Co., Respectively. Then, the soluble copper anode 1 was placed in the plating bath 10 in a state of being immersed in the half-fill bath 11 for flexible substrate accommodated therein. The soluble copper anode (1) used here was the same as that of Example 1.

실시예 2에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은, 실시예 1과 동일한 1000:100이었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1dm2가 되도록 산성구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 전류 밀도 3A/dm2로 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해하고, 그 후 하룻밤 방치하였다. 전해 후 하룻밤 방치시킨 후의 도금액을 이용하여 CVS법에 의해 첨가제를 분석·조정하고, 3A/dm2로 15μm 도금하였다. 도금 후, 비아내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 2, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 100, which was the same as that in Example 1. In the same manner as in Example 1, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as the negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed at a current density of 3 A / dm 2 until the electrolysis amount reached 5 AH / L, and then left overnight. The additive was analyzed and adjusted by the CVS method using the plating solution after left for one night after electrolysis, and was plated with 15 탆 at 3 A / dm 2 . After plating, the filling state of the wife was observed by cross-section method.

도 3은 실시예 2에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 3의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 3의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 3의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 2에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용해 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 2에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 3 is a cross-sectional photograph of the via filling state in the second embodiment. Here, FIG. 3 (a) shows a cross-sectional photograph when electrolysis was conducted until the electrolysis amount reached 5 A / L. Fig. 3 (b) is a cross-sectional photograph of the electrolytic copper plating process using the plating solution after left overnight after electrolysis. 3 (a) and 3 (b), the via filling state in Example 2 was electrolytic copper plating using a plating solution when electrolysis was carried out until the electrolysis amount became 5 AH / L and after the plating solution was left overnight after electrolysis There was no change in particular. Table 1 shows the evaluation results of Example 2.

실시예 3Example 3

실시예 3에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Example 3, as in Example 1, a test was conducted to confirm the via filling state when electrolytic copper plating was performed in a state in which the iridium oxide member was in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

이 실시예 3에서는 실시예 1과 동일한 피도금 부재(20)를 이용하였다. 또한, 실시예 3에서는, 전해 구리 도금을 실시하기 전에 실시예 1과 동일한 처리를 동일한 조건으로 행하였다. 그리고, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In the third embodiment, the same plating member 20 as in the first embodiment is used. In Example 3, the same treatment as in Example 1 was conducted under the same conditions before conducting electrolytic copper plating. Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 3에서 이용하는 산성구리 도금액(11)은, 실시예 1과 동일한 것을 이용하였다. 또한, 실시예 3에서 이용하는 용해성 구리 양극(1)은, 산화이리듐 부재(4)로서 산화이리듐이 피복된 판(20mm×120mm×1 mm)을 이용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 것을 이용하였다. The acidic copper plating solution 11 used in Example 3 was the same as that used in Example 1. The soluble copper anode 1 used in Example 3 was the same as Example 1 except that a plate (20 mm x 120 mm x 1 mm) coated with iridium oxide was used as the iridium oxide member 4 Respectively.

실시예 3에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은 1000:200이었다. 그리고, 실시예 1과 마찬가지로, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1 dm2가 되도록 산성구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 실시예 1과 동일한 조건으로 전해하고 도금 후, 비아내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 3, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 200. Then, similarly to Example 1, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as the negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed under the same conditions as in Example 1, and after plating, the fill state of the cavity was observed by a cross-section method.

도 4는 실시예 3에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 4의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 4의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 4의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 3에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 3에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 4 is a cross-sectional photograph of the via filling state in the third embodiment. Here, FIG. 4 (a) shows a cross-sectional photograph when electrolysis was conducted until the electrolysis amount reached 5 A / L. 4 (b) is a cross-sectional photograph of the electrolytic copper plating process using the plating solution after left overnight after electrolysis. 4A and 4B, the via filled state in Example 3 was evaluated by electrolytic copper plating using electrolytic plating until the electrolytic amount reached 5 AH / L and electrolytic plating overnight. When it did, there was no change in particular. Table 1 shows the evaluation results of Example 3.

실시예 4Example 4

실시예 4에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 인 함유 구리 애노드를 충전시킨 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Example 4, as in Example 1, a test was conducted to confirm the via filling state in the case where the electrolytic copper plating was performed in the state that the iridium oxide member was in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

이 실시예 4에서는, 실시예 1과 동일한 피도금 부재(20)를 이용하였다. 또한, 실시예 4에서는, 전해 구리 도금을 행하기 전에 실시예 1과 동일한 처리를 동일한 조건으로 행하였다. 그리고, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In the fourth embodiment, the same plating member 20 as in the first embodiment is used. In Example 4, the same treatment as in Example 1 was performed under the same conditions before conducting electrolytic copper plating. Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 4에서 이용하는 산성 구리 도금액(11)은, 실시예 1과 동일한 것을 이용하였다. 또한, 실시예 4에서 이용하는 용해성 구리 양극(1)은, 산화이리듐 부재(4)로서 IrO2-Pt(0.3)이 피복된 선(φ1mm×120mm)을 이용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 것을 이용하였다. The same acidic copper plating solution 11 as used in Example 4 was used. The soluble copper anode 1 used in Example 4 was the same as Example 1 except that a line (1 mm x 120 mm) coated with IrO 2 -Pt (0.3) as the iridium oxide member 4 was used Were used.

실시예 4에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은 1000:10이었다. 그리고, 실시예 1과 마찬가지로, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1dm 2가 되도록 산성 구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 실시예 1과 동일한 조건으로 전해하고 도금 후, 비아 내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 4, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 10. Then, in the same manner as in Example 1, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as the negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed under the same conditions as in Example 1, and after plating, the filling state in the via was observed by a cross section method.

도 5는 실시예 4에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 5의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 5의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 5의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 4에서의 비아 충전 상황은 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 4에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 5 shows a cross-sectional photograph of the via filling state in the fourth embodiment. Here, FIG. 5 (a) shows a cross-sectional photograph of the electrolytic solution when it was electrolyzed until it reached 5 AH / L. Fig. 5 (b) is a cross-sectional photograph of the electrolytic copper plating process using the plating solution after left overnight after electrolysis. 5A and 5B, the via filling state in Example 4 was electrolytic copper plating using the plating solution when electrolysis was carried out until the electrolysis amount became 5AH / L and after the plating solution was left overnight after electrolysis There was no change in particular. Table 1 shows the evaluation results of Example 4.

실시예 5Example 5

실시예 5에서는 실시예 1과 마찬가지로, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 실시하였다. In Example 5, as in Example 1, a test was conducted to confirm the filling state of vias in the case where electrolytic copper plating was carried out with the iridium oxide member in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

이 실시예 5에서는 실시예 1과 동일한 피도금 부재(20)을 이용하였다. 또한, 실시예 5에서는, 전해 구리 도금을 행하기 전에 실시예 1과 동일한 처리를 동일한 조건으로 행하였다. 그리고, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In the fifth embodiment, the same plating member 20 as in the first embodiment is used. In Example 5, the same treatment as in Example 1 was performed under the same conditions before electrolytic copper plating. Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 5에서 이용하는 산성구리 도금액(11)은, 실시예 1과 동일한 것을 이용하였다. 또한, 실시예 5에서 이용하는 용해성 구리 양극(1)은 산화이리듐 부재(4)로서 IrO2-TiO2(0.7)가 피복된 판(10mm×120mm×1mm)을 이용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 것을 이용하였다. The same acidic copper plating solution 11 as used in Example 5 was used. The soluble copper anode 1 used in Example 5 was the same as Example 1 except that a plate (10 mm x 120 mm x 1 mm) coated with IrO 2 -TiO 2 (0.7) as the iridium oxide member 4 was used. The same configuration was used.

실시예 5에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은, 실시예 1과 동일한 1000:100이었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1dm2가 되도록 산성구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 실시예 1과 동일한 조건으로 전해하고 도금 후, 비아 내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 5, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 100, which was the same as that in Example 1. In the same manner as in Example 1, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as the negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed under the same conditions as in Example 1, and after plating, the filling state in the via was observed by a cross section method.

도 6은, 실시예 5에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 6의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 6의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 6의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 5에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 5에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 6 is a cross-sectional photograph of the via filling state in the fifth embodiment. Here, FIG. 6 (a) shows a cross-sectional photograph when electrolysis was carried out until the electrolysis amount became 5 AH / L. FIG. 6 (b) is a cross-sectional photograph of a case where electrolytic copper plating is performed again using a plating solution after left overnight after electrolysis. 6A and 6B, the via filling state in Example 5 is the same as in Example 5 except that the electrolytic copper electrolytic copper plating was carried out by electrolytic copper electrolysis using electrolytic electrolysis until the electrolytic amount reached 5 AH / L, When it did, there was no change in particular. Table 1 shows the evaluation results of Example 5.

실시예 6Example 6

실시예 6에서는, 실시예 1과 마찬가지로 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Example 6, as in Example 1, a test was conducted to confirm the via filling state in the case where the electrolytic copper plating was performed in the state that the iridium oxide member was in contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

이 실시예 6에서는, 실시예 1과 동일한 피도금 부재(20)를 이용하였다. 또한, 실시예 6에서는, 전해 구리 도금을 행하기 전에 실시예 1과 동일한 처리를 동일한 조건으로 행하였다. 그리고, 이하에 나타내는 조건으로 전해 구리 도금을 행하였다. In the sixth embodiment, the same plating member 20 as that in the first embodiment is used. In Example 6, the same treatment as in Example 1 was conducted under the same conditions before electrolytic copper plating. Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions.

실시예 6에서 이용하는 산성구리 도금액(11)은 실시예 1과 동일한 것을 이용하였다. 또한, 실시예 6에서 이용하는 용해성 구리 양극(1)은, 산화이리듐 부재(4)로서 IrO2-Ta2O5(0.3)가 피복된 판(5mm×100mm×1mm)을 이용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 것을 이용하였다. The same acidic copper plating solution 11 as used in Example 6 was used. The dissolvable copper anode 1 used in Example 6 was prepared in the same manner as Example 1 except that a plate (5 mm x 100 mm x 1 mm) coated with IrO 2 -Ta 2 O 5 (0.3) as the iridium oxide member 4 was used The same structure as in Example 1 was used.

실시예 6에서, 구리재(2)와 산화이리듐 부재(4)의 산성 전해 구리 도금액(11)에 침지된 표면의 면적 비율은 1000:50이었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 음극으로서 5mm×130mm의 무전해 구리 도금을 실시한 프린트 기판(20)을 1dm2가 되도록 산성구리 도금액(11)에 침지하였다. 이것을 실시예 1과 동일한 조건으로 전해하고 도금 후, 비아 내의 충전 상황을 크로스 섹션법으로 관찰하였다. In Example 6, the area ratio of the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution 11 of the copper material 2 and the iridium oxide member 4 was 1000: 50. In the same manner as in Example 1, the printed board 20 on which 5 mm x 130 mm of electroless copper plating was applied as the negative electrode was immersed in the acidic copper plating solution 11 so as to be 1 dm 2 . This was electrolyzed under the same conditions as in Example 1, and after plating, the filling state in the via was observed by a cross section method.

도 7은 실시예 6에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 7의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 7의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 7의 (a) 및 (b)로부터, 실시예 6에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용해 다시 전해 구리 도금을 실시했을 때에, 특별히 변화는 보이지 않았다. 실시예 6에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 7 shows a cross-sectional photograph of the via filling state in the sixth embodiment. Here, FIG. 7 (a) shows a cross-sectional photograph of the electrolytic solution when it was electrolyzed until the electrolytic amount became 5 AH / L. Fig. 7 (b) is a cross-sectional photograph showing electrolytic copper plating using a plating solution after left overnight after electrolysis. 7A and 7B, electrolytic copper plating is carried out again using the plating solution when electrolysis is performed until the electrolysis amount reaches 5 AH / L and after the electrolytic solution is left overnight after electrolysis, When it did, there was no change in particular. Table 1 shows the evaluation results of Example 6.

[비교예 1][Comparative Example 1]

비교예 1에서는, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Comparative Example 1, a test was carried out to confirm the via filling state in the case where the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode was subjected to electrolytic copper plating in a state in which the iridium oxide member was not brought into contact with the titanium case.

비교예 1에서는, 인 함유 구리 애노드를 충전시킨 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 전해 구리 도금을 실시한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 시험을 행하였기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다. In Comparative Example 1, the test was performed under the same conditions as in Example 1 except that the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode was subjected to electrolytic copper plating in a state in which the iridium oxide member was not brought into contact with the titanium case. .

도 8은 비교예 1에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 8의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 8의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 8의 (a) 및 (b)로부터, 비교예 1에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때에 비교하여, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 비아 충전 상황의 악화가 현저하게 나타났다. 비교예 1에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다.  8 is a cross-sectional photograph of a via filling state in Comparative Example 1. Fig. Here, FIG. 8 (a) shows a cross-sectional photograph when electrolysis was carried out until the electrolysis amount reached 5 A / L. 8 (b) is a cross-sectional photograph of a case where electrolytic copper plating is performed again using a plating solution after left overnight after electrolysis. 8A and 8B, the via filling state in Comparative Example 1 is the same as that in the case where electrolytic water is electrolyzed until the electrolytic amount reaches 5AH / L, and electrolytic copper plating The charge condition of the via was remarkably deteriorated. Table 1 shows the evaluation results of Comparative Example 1.

[비교예 2] [Comparative Example 2]

비교예 2에서는, 비교예 1과 마찬가지로 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 전해 구리 도금을 행한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Comparative Example 2, as in Comparative Example 1, a test was performed to confirm the via filling state in the case where electrolytic copper plating was performed in a state that the iridium oxide member was not brought into contact with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

비교예 2에서는, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 전해 구리 도금을 행한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 조건으로 시험을 행하였기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다. In Comparative Example 2, the test was carried out under the same conditions as in Example 2 except that the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode was subjected to electrolytic copper plating in a state in which the iridium oxide member was not brought into contact with the titanium case. .

도 9는 비교예 2에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 9의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 9의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 9의 (a) 및 (b)로부터, 비교예 2에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와 비교하여, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용해 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 비아 충전 상황의 악화가 현저하게 나타났다. 비교예 2에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 9 is a cross-sectional photograph of the via filling state in Comparative Example 2. Fig. Here, FIG. 9 (a) shows a cross-sectional photograph of the electrolytic solution when it was electrolyzed until it reached 5 AH / L. Fig. 9 (b) shows a cross-sectional photograph of the electrolytic copper plating process using the plating solution after left overnight after electrolysis. 9A and 9B, the via filling state in Comparative Example 2 is the same as that in the electrolytic copper electrolytic copper plating solution obtained by electrolytic copper plating The charge condition of the via was remarkably deteriorated. Table 1 shows the evaluation results of Comparative Example 2.

[비교예 3] [Comparative Example 3]

비교예 3에서는, 비교예 1과 마찬가지로 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 전해 구리 도금을 실시한 경우의 비아 충전 상황을 확인하기 위한 시험을 행하였다. In Comparative Example 3, as in Comparative Example 1, a test was conducted to confirm the filling state of vias in the case where electrolytic copper plating was performed without contacting the iridium oxide member with the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode.

비교예 3에서는, 인 함유 구리 애노드를 충전한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키지 않은 상태로 하여, 일본 특허 등록 제5659411호 기재의 비아필욕에 말레인산 5g/L 첨가하여 전해 구리 도금을 행한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건으로 시험을 행하였기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다. In Comparative Example 3, except that the titanium case filled with the phosphorus-containing copper anode was not contacted with the iridium oxide member, and electrolytic copper plating was performed by adding 5 g / L of maleic acid to the via-hole bath described in Japanese Patent Registration No. 5659411 Since the test was carried out under the same conditions as in Example 1, the description thereof is omitted here.

도 10에는, 비교예 3에서의 비아 충전 상황의 단면 사진을 나타낸다. 여기서, 도 7의 (a)는 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때의 단면 사진을 나타낸다. 또한, 도 7의 (b)는 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때의 단면 사진을 나타낸다. 도 7의 (a) 및 (b)로부터, 비교예 3에서의 비아 충전 상황은, 전해량이 5AH/L가 될 때까지 전해했을 때와 비교하여, 전해 후 하룻밤 방치 후의 도금액을 이용하여 다시 전해 구리 도금을 행하였을 때 비아 충전 상황의 악화가 현저하게 나타났다. 비교예 3에서 행한 평가 결과를 표 1에 나타낸다. Fig. 10 shows a cross-sectional photograph of the via filling state in Comparative Example 3. Fig. Here, FIG. 7 (a) shows a cross-sectional photograph of the electrolytic solution when it was electrolyzed until the electrolytic amount became 5 AH / L. Fig. 7 (b) is a cross-sectional photograph showing electrolytic copper plating using a plating solution after left overnight after electrolysis. 7A and 7B, the via filling state in Comparative Example 3 is the same as that in the electrolytic copper electrolytic copper plating bath in which electrolytic copper is electrolyzed again using a plating solution after left overnight after electrolysis, When the plating was performed, the charging condition of the via was remarkably deteriorated. The evaluation results obtained in Comparative Example 3 are shown in Table 1.

Figure pct00002
Figure pct00002

이상의 결과로부터, 전해 구리 도금에 이용하는 용해성 구리 양극을, 구리재를 수용한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 구성으로 함으로써, 전해 정지중의 구리재의 용해를 억제하여 MPS의 생성을 억제할 수 있음을 알 수 있었다. 이로부터, 구리재를 수용한 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시킨 구성의 용해성 구리 양극을 이용하여 전해 구리 도금을 행한 경우에는, 애노드 슬러지의 발생을 억제하여 MPS의 악영향을 효과적으로 배제할 수 있음을 이해할 수 있다. From the above results, it is possible to suppress the dissolution of the copper material during electrolysis stop and suppress the generation of MPS by making the soluble copper anode used for the electrolytic copper plating to contact the titanium case containing the copper material with the oxidized iridium member And it was found. Thus, when electrolytic copper plating is performed using a soluble copper anode having a structure in which an iridium oxide member is brought into contact with a titanium case containing a copper material, generation of anode sludge can be suppressed and adverse effects of MPS can be effectively eliminated I can understand.

본 발명에 따른 용해성 구리 양극, 전해 구리 도금 장치, 전해 구리 도금 방법 및 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법에 의하면, 안정적으로 애노드 슬러지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 용해성 구리 양극은 종래부터 범용되고 있는 티탄 케이스에 인 함유 구리볼을 수용하여 구성된 것에 장착하여 이용할 수 있으므로, 새로이 설비를 도입하지 않아도 되어 경제적이다. According to the soluble copper anode, the electrolytic copper plating apparatus, the electrolytic copper plating method, and the method of preserving the acidic electrolytic copper plating solution according to the present invention, the generation of the anode sludge can be stably suppressed. Further, since the soluble copper anode according to the present invention can be used by attaching it to a structure formed by housing a phosphorus-containing copper ball in a titanium case, which is conventionally used, it is economical to introduce a new facility.

1: 용해성 구리 양극 2: 구리재
3: 티탄 케이스 4: 산화이리듐 부재
5: 애노드 백 10: 도금조
11: 도금액(산성구리 도금액) 20: 피도금 부재(도금 대상물)
1: soluble copper anode 2: copper
3: titanium case 4: absence of iridium oxide
5: Anode bag 10: Plating tank
11: plating solution (acidic copper plating solution) 20: plating member (plating object)

Claims (14)

전해 구리 도금에 이용하는 용해성 구리 양극으로서,
구리재를 수용한 티탄 케이스 및 상기 티탄 케이스에 접촉된 산화이리듐 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
As a soluble copper anode used for electrolytic copper plating,
A titanium case housing a copper material, and an oxidized iridium member contacting the titanium case.
제1항에 있어서,
상기 구리재의 형상이 볼 형상인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
The method according to claim 1,
Wherein the shape of the copper material is a ball shape.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 구리재가 인 함유 구리재인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the copper-based copper-containing copper material is copper-containing phosphorus-containing copper material.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전해 구리 도금에 이용하는 도금액은 디설파이드 화합물을 함유한 산성 전해 구리 도금액인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the plating solution used for the electrolytic copper plating is an acidic electrolytic copper plating solution containing a disulfide compound.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 티탄 케이스 및 상기 산화이리듐 부재의 주위를 덮는 애노드 백을 더 구비한 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And an anode bag covering the periphery of the titanium case and the oxidized iridium member.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리재와 상기 산화이리듐 부재의 상기 산성 전해 구리 도금액에 침지된 표면의 면적 비율은 1000:10~1000:200인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein an area ratio of the surface of the copper material and the surface immersed in the acidic electrolytic copper plating solution of the oxidized iridium member is 1000: 10 to 1000: 200.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화이리듐 부재는 적어도 표면의 재질이 산화이리듐 또는 산화이리듐 복합체인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the oxidized iridium member is at least a surface material of an iridium oxide or iridium oxide complex.
제7항에 있어서,
상기 산화이리듐 부재는, 티탄, 지르코늄, 스테인레스 스틸 및 니켈 합금 중 어느 하나로 이루어지는 기재의 표면에 산화이리듐 또는 산화이리듐 복합체를 함유 한 피복을 구비한 용해성 구리 양극.
8. The method of claim 7,
The above-mentioned iridium oxide member is provided with a coating containing iridium oxide or iridium oxide complex on the surface of a substrate made of any one of titanium, zirconium, stainless steel and nickel alloy.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 산화이리듐 복합체는, 산화이리듐에 산화탄탈, 산화티탄 및 백금 중 어느 하나 또는 복수의 재료가 30~70% 혼합된 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the iridium oxide composite is characterized in that 30 to 70% of one or more materials selected from the group consisting of tantalum oxide, titanium oxide and platinum is mixed with iridium oxide.
제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 기재의 형상은, 메쉬, 시트, 튜브, 판, 선, 막대 및 볼 형상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용해성 구리 양극.
10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the shape of the substrate is one of a mesh, a sheet, a tube, a plate, a line, a rod and a ball shape.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 용해성 구리 양극을 구비한 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금 장치. An electrolytic copper plating apparatus characterized by comprising the soluble copper anode according to any one of claims 1 to 10. 제11항에 기재된 전해 구리 도금 장치를 이용하여,
도금 대상물에 전해 구리 도금을 실시할 때, 직류 전류 또는 PPR 전류를 사용하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금 방법.
11. An electrolytic copper plating apparatus according to claim 11,
Wherein a direct current or a PPR current is used when electrolytic copper plating is performed on the object to be plated.
제12항에 있어서,
상기 도금 대상물로서 프린트 배선 기판 또는 웨이퍼를 이용하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the object to be plated is a printed wiring board or a wafer.
구리재를 수용한 티탄 케이스를 구성에 포함하는 용해성 구리 양극이 침지된 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법으로서,
적어도 전해 정지중에 상기 티탄 케이스에 산화이리듐 부재를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 산성 전해 구리 도금액의 보존 방법.
A method for preserving an acidic electrolytic copper plating solution immersed in a soluble copper anode comprising a titanium casing containing a copper material,
Wherein the titanium case is brought into contact with the iridium oxide member during at least electrolytic stoppage of the acidic electrolytic copper plating solution.
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