KR20180109181A - 커패시터 부품 - Google Patents

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KR20180109181A
KR20180109181A KR1020170038371A KR20170038371A KR20180109181A KR 20180109181 A KR20180109181 A KR 20180109181A KR 1020170038371 A KR1020170038371 A KR 1020170038371A KR 20170038371 A KR20170038371 A KR 20170038371A KR 20180109181 A KR20180109181 A KR 20180109181A
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Abstract

본 발명의 일 실시 형태는 기판과, 상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디 및 상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태인 커패시터 부품을 제공한다.

Description

커패시터 부품 {Capacitor Component}
본 발명은 커패시터 부품에 관한 것이다.
커패시터는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 한다. 최근 들어 스마트폰, 웨어러블 장비 등의 휴대용 IT 제품의 박형화가 진행되고 있으며, 이로 인해 전체적인 패키지의 두께 감소를 위한 수동 소자의 박형화의 필요성도 증대되고 있다.
이러한 경향에 따라 더 얇은 두께를 구현할 수 있는 박막 커패시터의 수요도 증가하고 있으며, 박막 커패시터는 박막 (Thin Film) 기술을 사용하여 박형의 커패시터를 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 박막 커패시터는 종래의 적층 세라믹 커패시터와 달리 낮은 ESL을 가진다는 장점이 있어서, 최근 AP (Applicaion Processor)용 디커플링 커패시터 (Decoupling Capacitor)로의 적용이 검토되고 있다. 이러한 AP (Application Processor)용 디커플링 커패시터 (Decoupling Capacitor)로 박막 커패시터를 사용하기 위해서 LSC (Land-side Capacitor) 형태로 제작되고 있다.
한편, 한정된 공간에서 커패시터의 용량을 증가시키기 위하여 트렌치(trench) 타입의 커패시터가 개발되었으며, 이는 실리콘 기판에 트렌치를 형성한 후 커패시터 구조를 형성하는 방식이다. 이러한 트렌치 커패시터의 경우, 전극의 표면적을 증가시켜 용량을 증가시키기에 적합하지만 복잡한 반도체 공정 기술이 요구될 뿐만 아니라, 내전압 조건을 충족하는 유전체 두께를 고려하면 트렌치 내에 다수의 유전체를 형성하기 어려운 문제가 있어 초고용량을 구현하기도 쉽지 않은 실정이다.
본 발명의 목적 중 하나는 트렌치 타입 커패시터 대비 더욱 증가된 표면적의 기판을 활용하여 초고용량을 구현할 수 있으며, 나아가 반도체 공정을 이용하지 않고도 효율적으로 제조될 수 있는 커패시터 부품을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 신규한 커패시터 부품을 제안하고자 하며, 구체적으로, 기판과, 상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디 및 상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이다.
일 실시 예에서, 상기 제1 전극은 상기 바디의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 유전체층은 상기 제1 전극의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 전극은 상기 유전체층의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극에서 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극을 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 도금 전극은 상기 바디보다 높게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 기판과 상기 바디는 세라믹으로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 바디는 다수의 입자가 응집된 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 기판은 상기 바디를 둘러싸는 격벽부를 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 격벽부의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 격벽부는 상기 바디보다 높게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 바디 및 커패시터부를 커버하는 절연성 보호층을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 바디는 세라믹을 주성분으로 하되 폴리머 성분을 일부 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 커패시터부는 상기 유전체층을 복수 개 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나를 2개 이상 포함할 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 트렌치 타입 커패시터 대비 더욱 증가된 표면적의 기판을 활용하여 초고용량을 갖는 커패시터 부품을 구현할 수 있다. 또한, 이러한 커패시터 부품은 반도체 공정을 이용하지 않고도 효율적으로 제조될 수 있다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 기판과 바디의 형태를 나타낸 상부 평면도이다.
도 3 내지 6은 변형된 예에 따른 커패시터 부품을 나타낸다.
도 7 내지 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품의 제조 공정을 나타낸 것이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 기판과 바디의 형태를 나타낸 상부 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)은 기판(101), 다공성 구조를 갖는 바디(102), 다공성 구조에 형성된 커패시터부(110)를 포함하며, 커패시터부(110)의 제1 및 제2 전극(111, 113)은 바디가 배치되지 아니한 영역으로 연장되어 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)을 각각 형성하는 형태이다.
기판(101)은 바디(102), 커패시터부(110), 제1 및 제2 전극(111, 113) 등의 지지 영역으로서 이러한 지지 기능을 수행할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 기판(101)은 세라믹, 폴리머, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 여기서 금속으로 기판(101)을 형성하는 경우에는 상면에 추가적인 절연층이 필요할 수 있을 것이다. 기판(101)을 세라믹으로 형성하는 경우 상부의 바디(102)와 동일한 물질로 형성하여 이종 물질의 물성 불일치에 따른 영향을 없애면서 공정 효율성이 확보될 수 있다. 기판(101)의 용도로 적합한 세라믹 물질은 예컨대, 알루미나(Alumina)를 들 수 있으며, 제조 시 판상의 알루미나 기판을 활용하거나 캐리어 필름에 알루미나 그린 시트를 형성하는 방법 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 기판(101)은 알루미나 외에도 다른 세라믹 물질, 예컨대, BaTiO3(티탄산바륨)계나 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 물질로 형성될 수도 있다.
바디(102)는 기판(101) 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는다. 이러한 다공성 구조에 의하여 바디(102)의 표면적이 증가할 수 있으므로 이에 커패시터부(110)를 형성함으로써 높은 용량의 커패시터 부품(100)을 구현할 수 있다. 또한, 트렌치 타입 커패시터 대비 제조 공정은 간단하면서도 고 용량의 구현이 가능하다. 일 예로서, 바디(102)는 기판(101)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 알루미나와 같은 세라믹으로 이루어질 수 있다. 도 2에 도시된 형태와 같이, 바디(102)는 다수의 입자가 응집된 형상을 가질 수 있으며, 이러한 형상에 의하여 효과적으로 다공성 구조가 구현될 수 있다. 이러한 응집체 형상은 세라믹 입자를 소결하되 완전 치밀화가 일어나지 않도록 소결 온도 등의 조건을 조절하여 얻어질 수 있다.
커패시터부(110)는 제1 및 제2 전극(111, 113)과 이들 사이에 배치된 유전체층(112)을 포함한다. 구체적으로, 도 1에 도시된 형태와 같이, 제1 전극(111)은 바디(102)의 표면에 코팅된 형태이고, 유전체층(112)은 제1 전극(111)의 표면에 코팅된 형태이며, 제2 전극(113)은 유전체층(112)의 표면에 코팅된 형태일 수 있다. 이 경우, 다공성 구조의 포어가 미세한 크기를 갖는 점에서 커패시터부(110)를 구성하는 요소들은 원자층 증착(ALD) 방식으로 효과적으로 형성될 수 있다. 다만, 원자층 증착 외에도 다공성 구조의 포어에 코팅 가능한 다른 방법을 사용할 수도 있을 것이다.
일 예로서, 제1 및 제2 전극(111, 113)은 Ag, Cu, Pt, Ni 등과 같이 전기 전도성이 우수한 금속을 사용할 수 있다. 또한, 유전체층(112)의 경우, 알루미나(Al2O3), SiO2, Sn3N4, ZrO2, CaTiO3, SrTiO3, (Ba, Sr)TiO3, BaTiO3 등의 물질로 형성될 수 있으며 하나 또는 복수의 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유전체층(112)을 복수의 물질로 형성함으로써 절연 특성을 높일 수 있다.
도 1에 도시된 형태와 같이, 제1 및 제2 전극(111, 113)에서 기판(101) 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)을 형성하며, 본 실시 형태와 같이, 바디(102)는 기판(101) 상면의 중앙에, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)은 외곽에 배치될 수 있다. 단자 전극(121, 122)을 바디(102)의 주변에 따로 배치하여 둠으로써 다른 소자나, 기판 등과의 전기 연결 구조가 효과적으로 구현될 수 있다. 이러한 전기 연결 구조 중 일부로서, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122) 상에는 각각 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, Ni, Sn, Au 등의 물질을 포함할 수 있다.
도 3 내지 6은 변형된 예에 따른 커패시터 부품을 나타낸다. 우선, 도 3의 실시 형태의 경우, 도 1의 실시 형태에서 보호층(103)이 추가된 구조이다. 보호층(103)은 바디(102)와 커패시터부(110)를 커버하여 이들을 보호할 수 있으며, 산화물이나 폴리머 등의 물질을 도포하는 방식 등으로 구현될 수 있다.
다음으로, 도 4의 변형 예의 경우, 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)의 형상 면에서 앞선 실시 형태와 차이가 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)은 바디(102)보다 높게 형성된 형태이다. 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)의 두께를 늘려 바디(102)보다 높게 형성되어 기판 등에 마운트(mount)되기에 적합한 구조를 제공한다. 또한, 상대적으로 높게 형성된 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)에 의하여 구조적으로 취약할 수 있는 바디(102)가 보호될 수 있다.
다음으로, 도 5의 실시 형태의 경우, 기판(101`)은 바디(102)를 둘러싸는 격벽부(106)를 갖는 구조이다. 제1 및 제2 전극(111, 113)은 격벽부(106)의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태이며, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)은 격벽부(106)의 상면에 형성된다. 그리고 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)은 제1 및 제2 단자 전극(121, 122) 상에 각각 배치된다. 격벽부(106)는 기판(101)과 동일한 물질, 예컨대, 알루미나 등의 세라믹으로 이루어질 수 있으며, 다만, 실시 형태에 따라 다른 물질이 사용될 수 있을 것이다. 격벽부(106)를 채용함으로써 구조적으로 취약할 수 있는 바디(102)를 효과적으로 보호할 수 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 형태와 같이 보호 기능을 충실히 수행하기 위하여 격벽부(106)를 바디(102)보다 높게 형성할 수 있다. 이러한 격벽부(106)는 바디(102)를 형성하기 전이나 후에 기판(101) 상에 세라믹 페이스트를 도포하는 방식, 기판(101)의 상면에서 중앙부 중 일부를 제거하는 방식 등으로 형성될 수 있을 것이다.
한편, 앞선 실시 형태에서는 커패시터부(110)에 제1 및 제2 전극(111, 113)과 유전체층(112)이 각각 1개씩 존재하는 구조를 나타내고 있지만, 도 6의 실시 형태와 같이 커패시터부(110)는 다수의 전극(111, 113)과 유전체층(112)을 포함할 수 있다. 도 6의 변형 예는 제1 전극(111)이 2개, 제2 전극(113)이 1개, 유전체층(112)이 2개인 구조에 해당하며, 용량 조절 등의 목적으로 필요 시 전극(111, 113)과 유전체층(112)의 개수는 더 늘어날 수 있을 것이다. 바디(102)의 다공성 구조에 더하여 전극(111, 113)의 개수가 늘어남으로써 커패시터 부품(100)의 용량을 더욱 증가시킬 수 있다.
이하, 상술한 구조를 갖는 커패시터 부품을 제조할 수 있는 공정의 일 예를 설명한다. 커패시터 부품의 구조적 특징들은 후술할 제조 공정의 설명으로부터 더욱 명확히 이해될 수 있을 것이다.
우선, 도 7에 도시된 형태와 같이, 기판(101) 상에 다수의 입자(104)를 형성한다. 다수의 입자(104)는 소결에 의하여 치밀화가 일어나서 다공성 구조를 형성할 수 있는 물질, 예컨대, 세라믹 소재일 수 있으며, 필요 시 소결을 촉진하는 글래스 프릿 등의 성분을 포함할 수 있다. 다수의 입자(104)는 기판(101)에 도포, 인쇄될 수 있으며 필요한 경우 이를 반복하여 두께를 조절할 수 있다.
이어서, 다수의 입자(104)를 소결하여 치밀화가 일어나도록 하며, 기판(101)도 함께 소결될 수 있다. 도 8은 소결에 의하여 다수의 입자(104)가 서로 응집체를 형성하여 바디(102)가 형성된 모습을 나타내며, 바디(102)는 입자들(104)의 응집에 의해 다공성 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상술한 바와 같이, 입자들(104)이 완전히 치밀화되는 것은 다공성 구조 형성 측면에서 바람직하지 않을 수 있기 때문에 완전 치밀화가 일어나지 않도록 소결 온도, 소결 시간 등의 조건을 조절할 수 있을 것이며, 예컨대, 종래 완전 치밀화된 세라믹층을 소결하는 경우보다 소결 온도를 낮추고 소결 시간을 줄이는 방법을 사용할 수 있다.
앞서 설명한 공정은 바디(102)의 다공성 구조가 더욱 많은 포어와 확대된 표면을 갖기 위하여 일부 변형될 수 있다. 도 9 및 도 10을 참조하여, 이를 설명하면, 변형된 예의 공정에서는 다수의 입자들(104) 사이에 폴리머 비드(105)가 배치되어 있다. 이러한 폴리머 비드(105)는 주로 아크릴계 성분으로 이루어질 수 있는데 세라믹 입자(104)와 혼합하여 페이스트 형태로 도포한 형태가 도 9에 해당한다. 이렇게 도포된 상태에서 소결 시 도 10에 도시된 형태와 같이, 폴리머 비드(105)가 점유하던 공간은 기공으로 남게 되어 바디(102)는 더욱 많은 포어와 확대된 표면을 가질 수 있으며, 이로부터 제조된 커패시터부는 더욱 높은 정전 용량을 가질 수 있다. 이 경우, 소결 시 모든 폴리머 비드(105)가 항상 제거되는 것은 아니라 할 것이며, 소결 후에도 일부 폴리머 성분은 바디(102)에 잔존할 수 있을 것이다.
상기 소결 공정에 의하여 다공성의 바디(102)를 형성한 후에는 도 11에 도시된 형태와 같이 제1 전극(111)을 바디(102)의 표면에 형성한다. 제1 전극(111)은 증착법, 액상법 등 다양한 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이지만, 다공성 구조의 포어가 미세한 것을 고려하였을 때 원자층 증착을 사용할 경우 효과적으로 형성될 수 있다. 이후, 유전체층(112)과 제2 전극(113) 역시 원자층 증착 등의 방법으로 제1 전극(111) 상에 형성하여 도 1에 도시된 형태의 커패시터 부품(100)을 구현할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 커패시터 부품
101: 기판
102: 바디
103: 절연성 보호층
104: 입자
105: 폴리머 비드
106: 격벽부
110: 커패시터부
111, 113: 전극
112: 유전체층
121, 122: 단자 전극
131, 132: 도금 전극

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
    상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태인 커패시터 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 바디의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 제1 전극의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 유전체층의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극에서 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극을 형성하는 커패시터 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함하는 커패시터 부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도금 전극은 상기 바디보다 높게 형성된 커패시터 부품.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 바디는 세라믹으로 이루어진 커패시터 부품.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 다수의 입자가 응집된 형상을 갖는 커패시터 부품.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 바디를 둘러싸는 격벽부를 갖는 커패시터 부품.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 격벽부의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태인 커패시터 부품.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함하는 커패시터 부품.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 바디보다 높게 형성된 커패시터 부품.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 바디 및 커패시터부를 커버하는 절연성 보호층을 더 포함하는 커패시터 부품.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 세라믹을 주성분으로 하되 폴리머 성분을 일부 포함하는 커패시터 부품.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터부는 상기 유전체층을 복수 개 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나를 2개 이상 포함하는 커패시터 부품.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE112021000220T5 (de) 2020-03-24 2022-09-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Kondensator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2103778T3 (es) * 1990-05-31 1997-10-01 Canon Kk Metodo para la fabricacion de un dispositivo de memoria semiconductor, que tiene un condensador.
JP3644251B2 (ja) 1998-05-25 2005-04-27 株式会社豊田中央研究所 コンデンサーの製造方法
DE10221498A1 (de) * 2002-05-14 2003-12-04 Basf Ag Kondensatoren hoher Energiedichte
KR100647581B1 (ko) 2003-07-02 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 나노입자로 구성된 미세 다공성 박막 및 그의 제조방법
KR100892967B1 (ko) 2004-07-22 2009-04-10 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 쌍안정 저항값 취득장치 및 그 제조방법과 금속 산화물박막 및 그 제조방법
KR100568306B1 (ko) * 2004-07-23 2006-04-05 삼성전기주식회사 박막형 다층 세라믹 캐패시터 및 그 제조방법
JP2009246180A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tdk Corp 薄膜コンデンサ
US8084841B2 (en) 2009-05-05 2011-12-27 Georgia Tech Research Systems and methods for providing high-density capacitors
US9466662B2 (en) * 2012-12-28 2016-10-11 Intel Corporation Energy storage devices formed with porous silicon
CN104163654A (zh) * 2014-07-04 2014-11-26 北京大学深圳研究生院 一种多孔陶瓷的制备方法及多孔陶瓷

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