KR20180107172A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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야스노리 가네마츠
히토시 나카이
도모미 이와타
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

상면 (91) 에 구조체가 형성된 기판 (9) 의 처리에서는, 상면 (91) 상에 있어서 유기 용제의 액막을 유지시켜 구조체에 있어서의 간극을 유기 용제로 채운 후, 충전제의 공급에 의해서 당해 유기 용제를 충전제로 치환하는 처리와, 기판 (9) 의 외연부에 부착된 충전제를 제거하는 처리가 행해진다. 가드부 (25) 의 내측면과 기판 (9) 의 외연부 사이에 형성되어 있는 환상의 최소 간극을 환상 간극으로 하여, 전자의 처리에 있어서의 환상 간극의 폭이, 후자의 처리에 있어서의 당해 폭보다 커지도록, 가드부 (25) 가 승강된다. 이로써, 액막을 유지할 때, 기판 (9) 의 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속을 저감시켜, 액막의 붕괴 등이 억제되고, 기판 (9) 의 외연부를 세정할 때, 외연부 근방으로부터 환상 간극을 향하는 가스의 유속을 증대시켜, 기판 (9) 으로부터 비산한 세정액 등이 기판 (9) 으로 되돌아오는 것이 억제된다.In the processing of the substrate 9 on which the structure is formed on the upper surface 91, the liquid film of the organic solvent is maintained on the upper surface 91 to fill the gap in the structure with the organic solvent, And a process for removing the filler adhering to the outer edge portion of the substrate 9 is performed. The minimum annular gap formed between the inner side surface of the guard portion 25 and the outer edge portion of the substrate 9 is defined as an annular gap so that the width of the annular gap in the processing of the electrons The guard portion 25 is moved up and down. Thus, when the liquid film is held, the gas flow rate in the vicinity of the outer edge portion of the substrate 9 is reduced, collapse of the liquid film is suppressed, and when the outer edge portion of the substrate 9 is cleaned, And the return of the cleaning liquid scattered from the substrate 9 to the substrate 9 is suppressed.

Figure P1020187024342
Figure P1020187024342

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

종래, 반도체 기판 (이하, 간단히「기판」이라고 한다.) 의 제조 공정에서는, 기판 처리 장치를 사용하여 기판에 대해서 다양한 처리가 행해진다. 예를 들어, 표면 상에 레지스트의 패턴이 형성된 기판에 약액을 공급함으로써, 기판의 표면에 대해서 에칭 등의 처리가 행해진다. 약액의 공급 후에는, 기판에 순수를 공급하여 표면의 약액을 제거하는 린스 처리나, 기판을 고속으로 회전시켜 표면의 순수를 제거하는 건조 처리가 추가로 행해진다.Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as " substrate "), various processes are performed on a substrate using a substrate processing apparatus. For example, a chemical solution is supplied to a substrate on which a pattern of resist is formed on the surface, so that a process such as etching is performed on the surface of the substrate. After the supply of the chemical liquid, a rinse treatment for supplying pure water to the substrate to remove the chemical liquid on the surface, and a drying treatment for rotating the substrate at a high speed to remove pure water from the surface are further performed.

다수의 미세한 구조체 요소의 집합인 구조체가 기판의 표면에 형성되어 있는 경우에, 상기 린스 처리 및 건조 처리를 차례로 행하면, 건조 도중에, 인접하는 2 개의 구조체 요소 사이에 순수의 액면이 형성된다. 이 경우, 구조체 요소에 작용하는 순수의 표면 장력에서 기인하여, 구조체 요소가 도괴할 우려가 있다. 그래서, 구조체에 있어서의 간극 (구조체 요소의 사이) 에 충전제를 충전시키고, 고화된 충전제를 드라이 에칭 등에 의해서 승화시킴으로써, 건조 처리에 있어서의 구조체 요소가 도괴하는 것을 방지하는 수법이 제안되어 있다.When the structure, which is a set of a plurality of fine structural elements, is formed on the surface of the substrate, if the rinsing treatment and the drying treatment are carried out in order, a liquid level of pure water is formed between two adjacent structural elements during drying. In this case, due to the surface tension of the pure water acting on the structural element, the structural element may be destroyed. Thus, a method has been proposed in which a filler is filled in gaps (between structural elements) in the structure, and the solidified filler is sublimated by dry etching or the like to prevent the structural elements in the dry process from becoming clogged.

또한, 일본 공개특허공보 평11-87226호에서는, 기판의 주위를 둘러싸는 컵에, 팬 필터 유닛에 의해서 다운 플로 (하강 기류) 가 공급되는 기판 현상 장치에 있어서, 기판에 현상액을 공급할 때, 흡배기를 정지시키는 수법이 개시되어 있다. 당해 수법에 의해서, 기판의 주면 상에 형성된 현상액층이 물결치지 않아, 현상 처리의 균일성이 향상된다.Further, in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-87226, in a substrate developing apparatus in which a downflow (downward flow) is supplied by a fan filter unit to a cup surrounding the periphery of the substrate, when a developer is supplied to the substrate, Is stopped. According to this method, the developer layer formed on the main surface of the substrate does not wave, and the uniformity of the developing process is improved.

그런데, 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 표면 상의 구조체에 있어서의 간극에 충전제를 충전할 때에는, 통상의 가드부에 의해서 기판의 주위를 둘러싼 상태에서 표면에 충전제가 공급된다. 또, 구조체에 있어서의 간극에 충전제를 적절히 충전하려면, 기판의 표면에 있어서 충전제 등의 액막을 일정 시간 유지시킬 필요가 있다. 이 때, 파티클 등의 부착을 방지하기 위한 하강 기류가 기판의 외연부와 가드부 사이의 간극을 통과하는 것에서 기인하여, 기판의 외연부에 있어서, 표면 근방을 흐르는 가스의 유속이 과도하게 높아지는 경우가 있다. 이 경우, 액막의 붕괴 (점성이 높은 충전제에서는, 액막의 부분적인 박리로 판정된다.) 나, 두께의 균일성 저하가 발생되어 버린다.In the substrate processing apparatus, when the filler is filled in the gap in the structure on the surface of the substrate, the filler is supplied to the surface in the state of surrounding the substrate by the normal guard portion. In order to adequately fill the gap in the structure, it is necessary to maintain the liquid film such as the filler on the surface of the substrate for a certain period of time. In this case, when the flow rate of the gas flowing near the surface of the substrate is excessively increased at the outer edge portion of the substrate due to the fact that the downward flow for preventing attachment of the particles or the like passes through the gap between the outer edge portion of the substrate and the guard portion . In this case, the collapse of the liquid film (in the case of the filler having a high viscosity, it is determined that the liquid film is partially peeled off) and the uniformity of the thickness is lowered.

한편, 기판의 외연부에 부착된 불필요한 충전제는, 반송 기구를 오염시키기 때문에, 외연부에만 세정액을 공급함으로써 제거된다. 이 때, 기판을 고속으로 회전시키기 때문에, 세정액 등이 비산할 때 미스트로 되어 부유하기 쉬워진다. 이와 같은 세정액 등의 미스트가, 기판으로 되돌아오는 것을 억제할 것도 요구된다.On the other hand, an unnecessary filler adhered to the outer edge of the substrate is removed by supplying the cleaning liquid only to the outer edge portion, because it contaminates the transport mechanism. At this time, since the substrate is rotated at high speed, when the cleaning liquid or the like is scattered, it becomes a mist and is likely to float. It is also required to suppress the mist such as the cleaning liquid from returning to the substrate.

본 발명은, 표면에 구조체가 형성된 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 위한 것이고, 기판 상에 있어서 액막을 유지할 때, 액막의 붕괴 등을 억제함과 함께, 기판의 외연부를 세정할 때, 기판으로부터 비산한 세정액 등이 기판으로 되돌아오는 것을 억제하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate on which a structure is formed on a surface thereof. It is an object of the present invention to suppress collapse of a liquid film when a liquid film is held on a substrate, So that a cleaning liquid or the like is prevented from returning to the substrate.

본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, a) 상하 방향을 따라서 직경이 상이한 부위를 갖는 통상의 가드부의 내측에 형성된 기판 유지 회전 기구에 의해서, 표면에 구조체가 형성된 기판을, 상기 표면을 상방을 향하여 실질적으로 수평인 자세로 유지하는 공정과, b) 소정의 용제를 상기 기판의 상기 표면에 공급하고, 상기 표면 상에 있어서 상기 용제의 액막을 유지시켜, 상기 표면의 상기 구조체에 있어서의 간극을 상기 용제로 채우는 공정과, c) 상기 b) 공정에 있어서 형성된 상기 액막에 소정의 처리액을 공급하여, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하는 공정과, d) 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판으로부터 상기 용제 및 상기 처리액의 잉여를 제거하는 공정과, e) 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 외연부에 소정의 세정액을 공급하여, 상기 외연부에 부착된 상기 처리액을 제거하는 공정을 구비하고, 상기 c) 공정에 있어서 상기 가드부의 내측면과 상기 기판의 상기 외연부 사이에 형성되어 있는 환상의 최소 간극의 폭이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭보다 커지도록, 상기 가드부가 상기 기판 회전 유지 기구에 대해서 상대적으로 승강된다.A substrate processing method according to the present invention is a method for processing a substrate according to the present invention, comprising the steps of: a) forming a substrate on which a structure is formed on a surface by a substrate holding and rotating mechanism formed inside a normal guard portion having a portion with a different diameter along the vertical direction, And b) holding a liquid film of the solvent on the surface of the substrate, supplying a predetermined solvent to the surface of the substrate, holding a gap in the structure on the surface with the solvent , C) supplying a predetermined treatment liquid to the liquid film formed in the step b), and replacing the solvent present in the gap in the structure with the treatment liquid, and d) Rotating the substrate to remove surplus of the solvent and the processing liquid from the substrate; e) rotating the substrate while rotating the substrate And a step of supplying a predetermined cleaning liquid to the outer periphery of the substrate to remove the processing liquid adhering to the outer periphery of the substrate, wherein in the step c) Is larger than the width of the minimum gap in the step (e), the guard portion is raised and lowered relative to the substrate rotation maintaining mechanism.

본 발명에 의하면, 기판 상에 있어서 액막을 유지할 때, 액막의 붕괴나 부분적인 박리 등을 억제할 수 있다. 또, 기판의 외연부를 세정할 때, 기판으로부터 비산한 세정액 등이 기판으로 되돌아오는 것을 억제할 수 있다.According to the present invention, when the liquid film is held on the substrate, collapse of the liquid film, partial peeling, and the like can be suppressed. Further, when the outer edge portion of the substrate is cleaned, the cleaning liquid or the like scattered from the substrate can be prevented from returning to the substrate.

본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 상기 c) 공정이, c1) 상기 처리액을 상기 표면에 공급하는 공정과 c2) 상기 처리액의 공급을 정지시킨 상태에서, 상기 표면 상에 있어서 상기 처리액을 포함하는 액막을 유지시켜, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하는 공정을 구비한다.In a preferred embodiment of the present invention, the step c) comprises the steps of: c1) supplying the treatment liquid to the surface; and c2) stopping the supply of the treatment liquid to the surface, And replacing the solvent present in the gap in the structure with the treatment liquid.

이 경우에, 바람직하게는, 상기 처리액의 비중이, 상기 용제의 비중보다 크다.In this case, the specific gravity of the treatment liquid is preferably larger than the specific gravity of the solvent.

예를 들어, 상기 c1) 공정에 있어서는 상기 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 c2) 공정에 있어서는 상기 기판을 상기 제 1 회전 속도보다 저속인 제 2 회전 속도로 회전시키거나 혹은 상기 기판을 정지시킨다.For example, in the step c1), the substrate is rotated at a first rotation speed, and in the step c2), the substrate is rotated at a second rotation speed which is lower than the first rotation speed, Stop.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 b) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭보다 커지도록, 상기 가드부가 상기 기판 회전 유지 기구에 대해서 상대적으로 승강된다.In another preferred embodiment of the present invention, the guard portion is formed so that the width of the minimum gap in the step b) is larger than the width of the minimum gap in the step e) .

본 발명의 또 다른 바람직한 형태에서는, 상기 가드부 및 상기 기판 유지 회전 기구의 상방에 있어서, 하강 기류를 형성하는 기류 형성부가 형성된다.In still another preferred form of the present invention, an air flow forming portion for forming a downward air flow is formed above the guard portion and the substrate holding and rotating mechanism.

이 경우, 바람직하게는, 상기 c) 공정에 있어서 상기 기류 형성부에 의해서 형성되어 있는 상기 하강 기류의 유량이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 하강 기류의 유량보다 작다.In this case, preferably, the flow rate of the downward airflow formed by the airflow forming portion in the step (c) is smaller than the flow rate of the downflow airflow in the step (e).

본 발명은 표면에 구조체가 형성된 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이기도 하다. 기판 처리 장치는, 상하 방향을 따라서 직경이 상이한 부위를 갖는 통상의 가드부와, 상기 가드부의 내측에 형성되고, 표면에 구조체가 형성된 기판을, 상기 표면을 상방을 향하여 실질적으로 수평인 자세로 유지하는 기판 유지 회전 기구와, 상기 표면에 소정의 용제를 공급하는 용제 공급부와, 상기 표면에 소정의 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판의 외연부에 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 가드부를 상기 기판 유지 회전 기구에 대해서 상대적으로 승강시킴으로써, 상기 가드부의 내측면과 상기 기판의 상기 외연부 사이에 형성되어 있는 환상의 최소 간극의 폭을 변경하는 승강 기구와, 상기 용제 공급부에 의해서 상기 기판의 상기 표면에 상기 용제을 공급하여, 상기 표면 상에 있어서 상기 용제의 액막을 유지시키고, 상기 표면의 상기 구조체에 있어서의 간극을 상기 용제로 채우고, 상기 최소 간극의 폭이 제 1 폭인 상태에서, 상기 처리액 공급부에 의해서 상기 액막에 상기 처리액을 공급하여, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하고, 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판으로부터 상기 용제 및 상기 처리액의 잉여를 제거하고, 상기 최소 간극의 폭이 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭인 상태에서, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 세정액 공급부에 의해서 상기 기판의 상기 외연부에 상기 세정액을 공급하여, 상기 외연부에 부착된 상기 처리액을 제거하는 제어부를 구비한다.The present invention also relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate having a structure formed on its surface. The substrate processing apparatus includes a normal guard portion having a portion having a different diameter along the up and down direction and a substrate provided on the inner side of the guard portion and having a structure on the surface thereof held in a substantially horizontal posture A cleaning liquid supply part for supplying a predetermined cleaning liquid to the outer edge of the substrate; a cleaning liquid supply part for supplying a predetermined cleaning liquid to the outer edge of the substrate; An elevating mechanism for changing the width of a minimum annular gap formed between the inner surface of the guard portion and the outer edge portion of the substrate by moving the guard portion relative to the substrate holding and rotating mechanism, The solvent is supplied to the surface of the substrate to maintain the liquid film of the solvent on the surface , Supplying the treatment liquid to the liquid film by the treatment liquid supply unit in a state in which the gap on the surface of the structure is filled with the solvent and the width of the minimum gap is the first width, Removing the excess of the solvent and the treatment liquid from the substrate by replacing the solvent existing in the gap with the treatment liquid and rotating the substrate to adjust the width of the minimum gap to a second width smaller than the first width And a control unit for supplying the cleaning liquid to the outer edge of the substrate by the cleaning liquid supply unit while rotating the substrate to remove the processing liquid attached to the outer edge.

상기 서술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부된 도면을 참조하여, 이하에서 행하는 이 발명의 상세한 설명에 의해서 밝혀진다.The foregoing and other objects, features, aspects and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.

도 1 은, 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2A 는, 기판의 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 2B 는, 기판의 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 3 은, 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 기판의 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는, 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus.
2A is a diagram showing the flow of processing of a substrate.
2B is a view showing the flow of processing of the substrate.
3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus.
4 is a view for explaining the processing of the substrate.
5 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus.
6 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 각 구성 요소는, 제어부 (10) 에 의해서 제어된다. 기판 처리 장치 (1) 는, 스핀 척 (22) 과, 스핀 모터 (21) 와, 컵부 (23) 와, 챔버 (5) 를 구비한다. 기판 유지부인 스핀 척 (22) 은, 원판상의 기판 (9) 의 둘레 가장자리에 복수의 협지 부재를 접촉시킴으로써, 기판 (9) 을 협지한다. 이로써, 기판 (9) 이 수평인 자세에서 스핀 척 (22) 에 의해서 유지된다. 이하의 설명에서는, 상방을 향하는 기판 (9) 의 표면 (주면) (91) 을「상면 (91)」이라고 한다. 상면 (91) 에는, 소정의 구조체가 형성되어 있고, 당해 구조체는, 예를 들어 직립하는 다수의 구조체 요소를 포함한다.1 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The respective components of the substrate processing apparatus 1 are controlled by the control unit 10. [ The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 22, a spin motor 21, a cup portion 23, and a chamber 5. The spin chuck 22, which is a substrate holding unit, holds a substrate 9 by bringing a plurality of nipping members into contact with the peripheral edge of the substrate 9 on the disk. Thereby, the substrate 9 is held by the spin chuck 22 in a horizontal posture. In the following description, the surface (main surface) 91 of the substrate 9 facing upward is referred to as " top surface 91 ". On the upper surface 91, a predetermined structure is formed, and the structure includes, for example, a plurality of standing structure elements.

스핀 척 (22) 에는, 상하 방향 (연직 방향) 으로 연장되는 샤프트 (221) 가 접속된다. 샤프트 (221) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 과 수직이고, 샤프트 (221) 의 중심축 (J1) 은, 기판 (9) 의 중심을 통과한다. 기판 회전 기구인 스핀 모터 (21) 는, 샤프트 (221) 를 회전시킨다. 이로써, 스핀 척 (22) 및 기판 (9) 이, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 회전한다. 스핀 척 (22) 및 스핀 모터 (21) 는, 기판 유지 회전 기구이다. 샤프트 (221) 및 스핀 모터 (21) 는 모두 중공상으로, 후술하는 하부 노즐 (34) 이 내부에 배치된다.The spin chuck 22 is connected to a shaft 221 extending in the vertical direction (vertical direction). The shaft 221 is perpendicular to the upper surface 91 of the substrate 9 and the center axis J1 of the shaft 221 passes through the center of the substrate 9. [ The spin motor 21, which is a substrate rotating mechanism, rotates the shaft 221. Thereby, the spin chuck 22 and the substrate 9 rotate about the central axis J1, which is directed upward and downward. The spin chuck 22 and the spin motor 21 are a substrate holding and rotating mechanism. The shaft 221 and the spin motor 21 are both hollow and a lower nozzle 34, which will be described later, is disposed inside.

컵부 (23) 는, 액받이부 (24) 와, 가드부 (25) 를 구비한다. 액받이부 (24) 는, 베이스부 (241) 와, 환상 바닥부 (242) 와, 둘레벽부 (243) 를 구비한다. 베이스부 (241) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 통상이다. 베이스부 (241) 는, 후술하는 챔버 내측 벽부 (53) 에 끼워 넣어져, 챔버 내측 벽부 (53) 의 외측면에 장착된다. 환상 바닥부 (242) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 원환 판상으로서, 베이스부 (241) 의 하단부로부터 외측으로 확대된다. 둘레벽부 (243) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 통상으로서, 환상 바닥부 (242) 의 외주부로부터 상방으로 돌출된다. 베이스부 (241), 환상 바닥부 (242) 및 둘레벽부 (243) 는, 바람직하게는 1 개의 부재로서 일체적으로 형성된다.The cup portion 23 is provided with a liquid receiver portion 24 and a guard portion 25. The liquid receiving portion 24 has a base portion 241, an annular bottom portion 242, and a peripheral wall portion 243. The base portion 241 is generally centered about the central axis J1. The base portion 241 is fitted in the chamber inner side wall portion 53, which will be described later, and is mounted on the outer side surface of the chamber inner side wall portion 53. The annular bottom portion 242 is a toric plate having a central axis J1 as a center and is expanded outward from the lower end of the base portion 241. [ The peripheral wall portion 243 protrudes upward from the outer peripheral portion of the annular bottom portion 242 as a normal centered on the central axis J1. The base portion 241, the annular bottom portion 242, and the peripheral wall portion 243 are preferably integrally formed as one member.

가드부 (25) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상으로서, 상하 방향을 따라서 직경이 상이한 부위를 갖는다. 구체적으로는, 가드부 (25) 는, 가드 중앙부 (251) 와, 가드 상부 (252) 와, 가드 하부 (253) 를 구비한다. 가드 중앙부 (251) 는, 스핀 척 (22) 의 주위를 둘러싸는 원통상이다. 가드 상부 (252) 는, 가드 중앙부 (251) 의 상단부로부터 상방을 ?함에 따라서 직경이 점차 감소되는 부위이다. 가드 하부 (253) 는, 가드 중앙부 (251) 의 하단부로부터 액받이부 (24) 의 둘레벽부 (243) 를 향해서 확대되는 부위이다. 가드 하부 (253) 에는, 둘레벽부 (243) 와의 사이에서 미소한 간극을 형성하는 걸어 맞춤부 (254) 가 형성된다. 걸어 맞춤부 (254) 와, 둘레벽부 (243) 는, 비접촉 상태가 유지된다. 가드부 (25) 는, 가드 승강 기구 (26) 에 의해서 상하 방향으로 이동 (승강) 가능하다. 컵부 (23) 는, 동심의 복수의 가드부를 포함해도 된다.The guard portion 25 is substantially cylindrical around the center axis J1 and has a portion having a different diameter along the vertical direction. More specifically, the guard portion 25 includes a guard central portion 251, a guard portion 252, and a guard portion 253. The guard central portion 251 is cylindrical surrounding the periphery of the spin chuck 22. The guard upper portion 252 is a portion where the diameter gradually decreases from the upper end of the guard central portion 251 toward the upper side. The guard lower portion 253 extends from the lower end of the guard central portion 251 toward the peripheral wall portion 243 of the liquid receiving portion 24. An engaging portion 254 is formed in the guard lower portion 253 to form a minute gap between the guard lower portion 253 and the peripheral wall portion 243. The engaging portion 254 and the peripheral wall portion 243 are maintained in a noncontact state. The guard portion 25 can be moved up and down by the guard lifting mechanism 26 in the vertical direction. The cup portion 23 may include a plurality of concentric guard portions.

챔버 (5) 는, 챔버 바닥부 (51) 와, 챔버 상바닥부 (52) 와, 챔버 내측 벽부 (53) 와, 챔버 외측 벽부 (54) 와, 챔버 천개부 (天蓋部) (55) 를 구비한다. 챔버 바닥부 (51) 는 판상으로서, 스핀 모터 (21) 및 컵부 (23) 의 하방을 덮는다. 챔버 상바닥부 (52) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환 판상이다. 챔버 상바닥부 (52) 는, 챔버 바닥부 (51) 의 상방에서, 스핀 모터 (21) 의 상방을 덮음과 함께 스핀 척 (22) 의 하방을 덮는다. 챔버 내측 벽부 (53) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 챔버 내측 벽부 (53) 는, 챔버 상바닥부 (52) 의 외주부로부터 하방으로 확대되어, 챔버 바닥부 (51) 에 이른다. 챔버 내측 벽부 (53) 는, 컵부 (23) 의 직경 방향 내측에 위치한다.The chamber 5 includes a chamber bottom portion 51, a chamber bottom portion 52, a chamber inner wall portion 53, a chamber outer wall portion 54, and a chamber canopy 55 Respectively. The chamber bottom 51 covers the bottom of the spin motor 21 and the cup portion 23 in the form of a plate. The chamber bottom portion 52 is a substantially annular plate about the central axis J1. The chamber bottom portion 52 covers the upper portion of the spin motor 21 and covers the lower portion of the spin chuck 22 above the chamber bottom portion 51. The chamber inner wall portion 53 is substantially cylindrical around the center axis J1. The chamber inner wall portion 53 is expanded downward from the outer peripheral portion of the chamber bottom portion 52 to reach the chamber bottom portion 51. The chamber inner side wall portion 53 is positioned radially inward of the cup portion 23. [

챔버 외측 벽부 (54) 는 대략 통상으로서, 컵부 (23) 의 직경 방향 외측에 위치한다. 챔버 외측 벽부 (54) 는, 챔버 바닥부 (51) 의 외주부로부터 상방으로 확대되어, 챔버 천개부 (55) 의 외주부에 이른다. 챔버 천개부 (55) 는 판상으로서, 컵부 (23) 및 스핀 척 (22) 의 상방을 덮는다. 챔버 외측 벽부 (54) 에는, 기판 (9) 을 챔버 (5) 내에 반입 및 반출하기 위한 반출입구 (도시 생략) 가 형성된다. 반출입구가, 덮개부에 의해서 폐색됨으로써, 챔버 (5) 의 내부 공간 (50) 이 밀폐된 공간이 된다.The chamber outer wall portion 54 is substantially normal and is located radially outward of the cup portion 23. [ The chamber outer wall portion 54 expands upward from the outer peripheral portion of the chamber bottom portion 51 and reaches the outer peripheral portion of the chamber canopy portion 55. The chamber canopy 55 is in the form of a plate and covers the top of the cup portion 23 and the spin chuck 22. The chamber outer wall portion 54 is provided with a return / entry port (not shown) for carrying the substrate 9 into and out of the chamber 5. The entrance / exit port is closed by the lid portion, so that the internal space 50 of the chamber 5 becomes a sealed space.

챔버 천개부 (55) 에는 기류 형성부 (61) 가 장착된다. 기류 형성부 (61) 는, 가드부 (25) 및 스핀 척 (22) 의 상방에 형성된다. 기류 형성부 (61) 는, 예를 들어 팬 필터 유닛 (FFU) 으로서, 팬 (611) 과 필터 (612) 를 갖는다. 팬 (611) 은, 챔버 (5) 밖의 공기를 필터 (612) 를 통하여 챔버 (5) 내로 보낸다. 필터 (612) 는, 예를 들어 HEPA 필터로서, 공기 중의 파티클을 제거한다. 기류 형성부 (61) 에 의해서, 챔버 (5) 내에 있어서 상부로부터 하방을 향하는 가스 (여기서는, 청정 공기) 의 흐름, 즉, 하강 기류가 형성된다. 기류 형성부 (61) 에서는, 질소 가스 등에 의해서 하강 기류가 형성되어도 된다. 제어부 (10) 의 제어에 의해서, 팬 (611) 이 갖는 모터의 회전 속도는 가변이다. 따라서, 기류 형성부 (61) 로부터 챔버 (5) 내로의 가스의 공급 유량이 조정 가능하다.The chamber canopy (55) is equipped with an air flow forming portion (61). The airflow forming portion 61 is formed above the guard portion 25 and the spin chuck 22. The airflow forming portion 61 has, for example, a fan filter unit (FFU), a fan 611 and a filter 612. [ The fan 611 sends air outside the chamber 5 through the filter 612 into the chamber 5. The filter 612 removes particles in the air, for example, as a HEPA filter. The airflow forming portion 61 forms a flow of gas (clean air in this case) downward from the upper portion in the chamber 5, that is, a downward air flow. In the airflow forming portion 61, a downward flow may be formed by nitrogen gas or the like. Under the control of the control unit 10, the rotational speed of the motor of the fan 611 is variable. Therefore, the supply flow rate of the gas from the airflow forming portion 61 into the chamber 5 can be adjusted.

챔버 (5) 에는, 배기 유로 (62) 가 형성된다. 배기 유로 (62) 는, 챔버 외측 벽부 (54) 의 하부에서 개구된다. 상세하게는, 상하 방향에 있어서 가드부 (25) 및 스핀 척 (22) 보다 하방에서, 배기 유로 (62) 가, 챔버 (5) 의 내부 공간 (50) 과 접속된다. 챔버 (5) 내의 가스는, 배기 유로 (62) 를 통하여 챔버 (5) 밖으로 배출된다. 배기 유로 (62) 에는, 가스의 배출 유량을 조정하는 배출 유량 조정부 (621) 가 형성된다. 배출 유량 조정부 (621) 는, 예를 들어 배기 댐퍼이다. 제어부 (10) 의 제어에 의해서, 배기 댐퍼의 개도는 가변이고, 배출 유량 조정부 (621) 를 통한 가스의 배출 유량이 조정 가능하다.In the chamber 5, an exhaust flow path 62 is formed. The exhaust flow path 62 is opened at a lower portion of the chamber outer wall portion 54. More specifically, the exhaust passage 62 is connected to the internal space 50 of the chamber 5 below the guard portion 25 and the spin chuck 22 in the vertical direction. The gas in the chamber 5 is discharged to the outside of the chamber 5 through the exhaust passage 62. The exhaust flow path 62 is formed with a discharge flow rate regulating portion 621 for regulating the flow rate of exhaust gas. The discharge flow rate regulator 621 is, for example, an exhaust damper. Under the control of the control unit 10, the opening degree of the exhaust damper is variable, and the discharge flow rate of the gas through the discharge flow rate adjustment unit 621 can be adjusted.

기판 처리 장치 (1) 는, 약액 노즐 (30) 과, 순수·용제 노즐 (31) 과, 충전제 노즐 (32) 과, 외연부 세정 노즐 (33) 과, 하부 노즐 (34) 과, 약액 공급부 (41) 와, 순수 공급부 (42) 와, 유기 용제 공급부 (43) 와, 충전제 공급부 (44) 를 추가로 구비한다. 약액 노즐 (30), 순수·용제 노즐 (31), 충전제 노즐 (32) 및 외연부 세정 노즐 (33) 은, 예를 들어 스트레이트 노즐이고, 각 노즐 (30 ∼ 33) 은, 도시 생략된 노즐 이동 기구에 의해서, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 대향 위치와, 상면 (91) 의 상방에서 떨어진 대기 위치에 선택적으로 배치된다. 약액 노즐 (30), 순수·용제 노즐 (31) 및 충전제 노즐 (32) 의 대향 위치는, 상면 (91) 의 중앙부에 대향하는 위치이고, 외연부 세정 노즐 (33) 의 대향 위치는, 상면 (91) 의 외연부에 대향하는 위치이다. 노즐 (30 ∼ 33) 의 대기 위치는, 수평 방향에 있어서 기판 (9) 에서 떨어진 위치이다. 노즐 이동 기구는, 노즐 (30 ∼ 33) 을 상하 방향으로 승강시키는 것도 가능하다. 상하 방향으로 연장되는 하부 노즐 (34) 은, 중공상의 샤프트 (221) 및 스핀 모터 (21) 의 내부에 배치된다. 하부 노즐 (34) 의 상단은, 기판 (9) 의 하면의 중앙부에 대향한다.The substrate processing apparatus 1 includes a chemical liquid nozzle 30, a pure water / solvent nozzle 31, a filler nozzle 32, an outer edge cleaning nozzle 33, a lower nozzle 34, 41, a pure water supply unit 42, an organic solvent supply unit 43, and a filler supply unit 44. The chemical liquid nozzle 30, the pure water and solvent nozzle 31, the filler nozzle 32 and the outer edge cleaning nozzle 33 are, for example, straight nozzles, and each of the nozzles 30 to 33 has a nozzle Is selectively disposed at the opposed position opposed to the upper surface 91 of the substrate 9 and at the standby position away from the upper surface 91 by the mechanism. The opposing positions of the chemical liquid nozzle 30, the pure water and solvent nozzle 31 and the filler nozzle 32 are opposite to the center of the upper surface 91 and the opposite position of the outer edge cleaning nozzle 33 is the upper surface 91, respectively. The waiting positions of the nozzles 30 to 33 are positions apart from the substrate 9 in the horizontal direction. The nozzle moving mechanism can move the nozzles 30 to 33 up and down in the vertical direction. The lower nozzle 34 extending in the vertical direction is disposed inside the hollow shaft 221 and the spin motor 21. The upper end of the lower nozzle 34 is opposed to the center of the lower surface of the substrate 9.

약액 공급부 (41) 는, 약액 노즐 (30) 에 밸브를 통하여 접속되고, 순수 공급부 (42) 및 유기 용제 공급부 (43) 는 모두 순수·용제 노즐 (31) 에 밸브를 통하여 접속된다. 순수 공급부 (42) 는, 하부 노즐 (34) 에도 밸브를 통하여 접속된다. 유기 용제 공급부 (43) 는, 외연부 세정 노즐 (33) 에도 밸브를 통하여 접속된다. 충전제 공급부 (44) 는, 충전제 노즐 (32) 에 밸브를 통하여 접속된다. 약액 공급부 (41), 순수 공급부 (42), 유기 용제 공급부 (43) 및 충전제 공급부 (44) 에 의해서, 처리액인 약액, 순수, 유기 용제 및 충전제가 기판 (9) 에 각각 공급된다.The chemical solution supply unit 41 is connected to the chemical solution nozzle 30 through a valve and both the pure water supply unit 42 and the organic solvent supply unit 43 are connected to the pure water and solvent nozzle 31 through a valve. The pure water supply part 42 is also connected to the lower nozzle 34 through a valve. The organic solvent supply part 43 is also connected to the outer edge cleaning nozzle 33 through a valve. The filler supply part 44 is connected to the filler nozzle 32 through a valve. The chemical liquid, the pure water, the organic solvent, and the filler, which are the processing liquid, are supplied to the substrate 9 by the chemical liquid supply unit 41, the pure water supply unit 42, the organic solvent supply unit 43 and the filler supply unit 44, respectively.

도 2A 및 도 2B 는, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 기류 형성부 (61) 가 ON 이 되어, 챔버 (5) 내에 있어서 상부로부터 하방을 향하는 가스의 흐름 (즉, 하강 기류) 이 형성된다 (스텝 S11). 기판 처리 장치 (1) 에서는, 원칙적으로 항상, 하강 기류가 형성되어 있다. 따라서, 이하의 처리는, 상기 하강 기류의 형성과 병행하여 행해진다. 또, 본 처리예에서는, 기판 (9) 의 처리 중에 있어서 하강 기류의 유량이, 정상 상태인「고」, 또는, 비정상 상태인「저」의 어느 것으로 설정된다. 스텝 S11 에서는, 하강 기류의 유량이「고」로 설정된다. 배출 유량 조정부 (621) 를 통한 가스의 배출 유량도「고」로 설정된다.Figs. 2A and 2B are diagrams showing the flow of processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1. Fig. In the substrate processing apparatus 1, the airflow forming portion 61 is turned ON, and a flow of gas (that is, a downward flow) downward from the upper portion in the chamber 5 is formed (Step S11). In the substrate processing apparatus 1, a downward air flow is always formed in principle. Therefore, the following processing is performed in parallel with the formation of the downward airflow. In this processing example, the flow rate of the descending airflow during the processing of the substrate 9 is set to either a "high" state in a steady state or a "low state" in an abnormal state. In step S11, the flow rate of the descending airflow is set to "high". The discharge flow rate of the gas through the discharge flow rate adjuster 621 is also set to "high".

챔버 (5) 내에는, 외부의 반송 기구에 의해서 처리 대상인 기판 (9) 이 반입되고, 가드부 (25) 의 내측에 형성된 스핀 척 (22) 으로 유지된다 (스텝 S12). 기판 (9) 의 반입시에는, 가드 승강 기구 (26) 가 가드부 (25) 를 하강시킴으로써, 반입되는 기판 (9) 이 가드부 (25) 에 접촉하는 것이 방지된다 (후술하는 기판 (9) 의 반출에 있어서 동일). 반송 기구가 챔버 (5) 밖으로 이동하면, 제어부 (10) 의 제어에 의해서, 가드 승강 기구 (26) 가 가드부 (25) 를 도 3 에 나타내는 위치까지 상승시킨다 (스텝 S13). 본 처리예에서는, 기판 (9) 의 처리 중에 있어서 가드부 (25) 가 상단, 중단 및 하단의 어느 단에 배치되고, 도 3 에 나타내는 위치는 중단이다. 중단에 배치된 가드부 (25) 에서는, 가드 상부 (252) 의 하부가 기판 (9) 과 동일한 높이에 배치된다. 또한, 도 3 에서는, 긴 화살표 A1 에 의해서, 유량이「고」로 설정된 하강 기류를 나타내고 있다 (후술하는 도 6 에 있어서 동일).The substrate 9 to be processed is carried into the chamber 5 by an external transport mechanism and held by the spin chuck 22 formed inside the guard portion 25 (step S12). When the substrate 9 is carried in, the guard elevating mechanism 26 moves down the guard portion 25 to prevent the substrate 9 from being brought into contact with the guard portion 25 (described later) In the same manner). When the transport mechanism moves out of the chamber 5, the guard elevating mechanism 26 raises the guard section 25 to the position shown in Fig. 3 under the control of the control section 10 (step S13). In this processing example, during processing of the substrate 9, the guard portion 25 is disposed at an upper end, an intermediate position, and a lower end, and the position shown in Fig. In the guard portion 25 disposed at the interruption, the lower portion of the guard portion 252 is disposed at the same height as the substrate 9. In Fig. 3, a descending air flow whose flow rate is set to " high " by the long arrow A1 (same in Fig. 6 to be described later).

앞서 서술한 바와 같이, 원판상의 기판 (9) 의 주위에 대략 원통상의 가드부 (25) 가 배치되고, 양자의 중심축은 일치한다. 따라서, 가드부 (25) 의 내측면과 기판 (9) 의 외연부 사이에 환상의 간극이 형성된다. 이하의 설명에서는, 가드부 (25) 의 내측면과 기판 (9) 의 외연부 사이에 형성되는 환상의 최소 간극 (즉, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라서 양자 간의 최소 폭 (D1) 의 간극이 전체 둘레에 걸쳐서 연속되어 있는 환상 간극) (G) 를, 간단히「환상 간극 (G)」이라고 한다. 기류 형성부 (61) 로부터 기판 (9) 으로 향하는 가스는, 환상 간극 (G) 을 통하여 컵부 (23) 내로 유입된다. 컵부 (23) 내의 가스는, 스핀 척 (22) 의 하측으로 이동하고, 가드부 (25) 와 액받이부 (24) 사이의 미소한 간극, 즉, 도 1 의 둘레벽부 (243) 와 걸어 맞춤부 (254) 사이의 미소한 간극을 통하여 컵부 (23) 밖으로 흐른다. 챔버 (5) 의 내부 공간 (50) 의 하부에 있어서, 컵부 (23) 주위의 가스는, 배기 유로 (62) 를 통하여 챔버 (5) 밖으로 배출된다.As described above, a substantially cylindrical guard portion 25 is disposed around the substrate 9 on the disk, and the central axes of both are coincident with each other. Therefore, an annular gap is formed between the inner surface of the guard portion 25 and the outer edge portion of the substrate 9. In the following description, the minimum annular gap formed between the inner side surface of the guard portion 25 and the outer edge portion of the substrate 9 (i.e., the minimum width between both sides along the circumferential direction around the central axis J1 D1) is continuous over the entire circumference) G is simply referred to as an " annular gap G ". The gas flowing from the airflow forming portion 61 to the substrate 9 flows into the cup portion 23 through the annular gap G. [ The gas in the cup portion 23 moves to the lower side of the spin chuck 22 and the minute gap between the guard portion 25 and the liquid receiver portion 24, And flows out of the cup portion 23 through a minute gap between them. The gas around the cup portion 23 is discharged to the outside of the chamber 5 through the exhaust flow path 62 in the lower portion of the internal space 50 of the chamber 5. [

계속해서, 도시 생략된 노즐 이동 기구에 의해서, 약액 노즐 (30) 이, 기판 (9) 상면 (91) 의 중앙부에 대향하는 대향 위치에 배치된다. 또, 스핀 모터 (21) 에 의해서, 기판 (9) 의 회전이 개시된다. 기판 (9) 의 회전 속도 (회전수) 는, 비교적 높은 회전 속도 (후술하는 순수 유지 회전 속도보다 고속의 회전 속도) 로 설정된다. 그리고, 약액 공급부 (41) 에 의해서 약액이 약액 노즐 (30) 을 통하여 상면 (91) 에 연속적으로 공급된다 (스텝 S14). 상면 (91) 상의 약액은 기판 (9) 의 회전에 의해서 외연부로 확산되어, 상면 (91) 전체에 약액이 공급된다. 또, 외연부로부터 비산하는 약액은, 가드부 (25) 의 내측면에서 받아내어져 회수된다. 약액은, 예를 들어, 묽은 불산 (DHF) 또는 암모니아수를 함유하는 세정용의 처리액이다. 약액은, 기판 (9) 상의 산화막의 제거나 현상, 혹은, 에칭 등 세정 이외의 처리에 사용되는 것이어도 된다.Subsequently, the chemical liquid nozzle 30 is disposed at an opposed position opposite to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 by a nozzle moving mechanism (not shown). Rotation of the substrate 9 is started by the spin motor 21. The rotational speed (the number of rotations) of the substrate 9 is set to a relatively high rotational speed (a rotational speed higher than the pure water holding rotational speed, which will be described later). Then, the chemical liquid is supplied continuously to the upper surface 91 through the chemical liquid nozzle 30 by the chemical liquid supply unit 41 (step S14). The chemical liquid on the upper surface 91 is diffused to the outer edge portion by the rotation of the substrate 9, and the chemical liquid is supplied to the entire upper surface 91. The chemical liquid scattering from the outer edge portion is taken out from the inner surface of the guard portion 25 and is recovered. The chemical liquid is, for example, a cleaning liquid containing dilute hydrofluoric acid (DHF) or ammonia water. The chemical liquid may be used for removing or developing an oxide film on the substrate 9 or for treatment other than cleaning such as etching.

도 4 는, 기판 (9) 의 처리를 설명하기 위한 도면이다. 도 4 의 상단에서는, 각 처리에 있어서의 기판 (9) 의 상면 (91) 상의 모습을 나타내고, 중단에서는 하강 기류의 유량을 나타내고, 하단에서는 가드부 (25) 의 위치를 나타낸다. 또, 각 처리의 스텝과 동일한 부호를 붙인 화살표에 의해서, 당해 처리가 행해지는 기간을 나타내고 있다. 도 4 중의 상단에 있어서, 화살표 S14 가 나타내는 기간에 대응하는 가장 좌측에 나타내는 바와 같이, 스텝 S14 에서는, 상면 (91) 전체에 약액이 채워진다. 약액의 공급은 소정 시간 계속되고, 그 후 정지된다. 약액에 의한 처리에서는, 노즐 이동 기구에 의해서, 약액 노즐 (30) 이 수평 방향으로 요동쳐도 된다. 스텝 S14 에 병행하여, 순수 공급부 (42) 에 의해서 순수가 하부 노즐 (34) 을 통하여 기판 (9) 의 하면에 공급되어도 된다 (기판 (9) 의 상면 (91) 에 처리액을 공급하는 다른 처리에 있어서 동일).Fig. 4 is a view for explaining the processing of the substrate 9. Fig. 4 shows a state on the upper surface 91 of the substrate 9 in each process. In the process, the flow rate of the descending airflow is shown at the stop and the position of the guard portion 25 at the lower end. It also shows the period during which the process is performed by the same symbols as those of the respective processes. At the upper end in Fig. 4, as shown at the leftmost corresponding to the period indicated by the arrow S14, the chemical liquid is filled in the entire upper surface 91 in step S14. The supply of the chemical liquid is continued for a predetermined time, and then the chemical liquid is stopped. In the treatment with the chemical liquid, the chemical liquid nozzle 30 may be swung horizontally by the nozzle moving mechanism. Pure water may be supplied to the lower surface of the substrate 9 through the lower nozzle 34 by the pure water supply unit 42 in parallel with the step S14 (the other process for supplying the process liquid to the upper surface 91 of the substrate 9) .

약액에 의한 처리가 완료되면, 약액 노즐 (30) 이 대기 위치로 이동하고, 순수·용제 노즐 (31) 이 대향 위치에 배치된다. 그리고, 순수 공급부 (42) 에 의해서, 린스액인 순수가 순수·용제 노즐 (31) 을 통하여 상면 (91) 에 연속적으로 공급된다 (스텝 S15). 이로써, 상면 (91) 상의 약액이 순수에 의해서 씻겨져 흐르는 린스 처리가 행해진다. 린스 처리 중에는, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 2 번째에 나타내는 바와 같이, 상면 (91) 전체가 순수에 의해서 덮인다. 순수의 공급 중에도, 비교적 높은 회전 속도로 기판 (9) 이 회전된다. 기판 (9) 으로부터 비산하는 순수는, 가드부 (25) 의 내측면에 의해서 받아 내어지고, 외부로 배출된다. 순수의 공급은 소정 시간 계속되고, 그 동안, 기판 (9) 의 회전 속도가 서서히, 상기 회전 속도보다 충분히 낮은 회전 속도 (이하,「순수 유지 회전 속도」라고 한다.) 로 내려간다. 순수 유지 회전 속도는, 예를 들어 10［rpm］이지만, 0［rpm］이어도 된다. 이 상태에서, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 2 번째에 나타내는 바와 같이, 상면 (91) 상에서 순수의 액막 (80) 이 형성되어 유지된다. 순수의 공급은, 그 액막 (80) 의 형성 후 정지된다.When the treatment with the chemical liquid is completed, the chemical liquid nozzle 30 moves to the standby position and the pure water / solvent nozzle 31 is disposed at the opposite position. Then, pure water, which is a rinsing liquid, is continuously supplied to the upper surface 91 through the pure water / solvent nozzle 31 by the pure water supply unit 42 (step S15). Thereby, rinsing treatment is performed in which the chemical liquid on the upper surface 91 is washed and flowed with pure water. During the rinsing process, the entire upper surface 91 is covered with pure water as shown in the second uppermost position in Fig. Even during the supply of pure water, the substrate 9 is rotated at a relatively high rotational speed. The pure water scattered from the substrate 9 is taken out by the inner surface of the guard portion 25 and is discharged to the outside. The supply of the pure water continues for a predetermined time, during which the rotational speed of the substrate 9 is gradually lowered to a rotational speed which is sufficiently lower than the rotational speed (hereinafter referred to as " pure water rotational speed "). The pure water rotation speed is, for example, 10 [rpm], but may be 0 [rpm]. In this state, a liquid film 80 of pure water is formed and held on the upper surface 91, as shown in the second uppermost position in Fig. The supply of the pure water is stopped after the liquid film 80 is formed.

소정 시간, 순수의 액막 (80) 을 유지한 후, 기판 (9) 을 순수 유지 회전 속도로 회전시킨 채로의 상태에서, 도 1 의 유기 용제 공급부 (43) 에 의해서, 유기 용제가 순수·용제 노즐 (31) 을 통하여 상면 (91) 에 공급 개시된다 (스텝 S16). 유기 용제는, 예를 들어 IPA (이소프로필알코올), 메탄올, 에탄올, 아세톤 등이고, 순수보다 표면 장력이 낮다. 본 실시형태에서는, 유기 용제로서 IPA 가 이용된다. 그리고 이 유기 용제의 공급을 계속하면서, 기판 (9) 의 회전 속도는 순수 유지 회전 속도로부터 서서히 증속되어, 비교적 높은 회전 속도 (순수 유지 회전 속도보다 고속의 회전 속도) 로 기판 (9) 이 회전된다. 이로써, 상면 (91) 상의 유기 용제는, 곧바로 외연부로 확산되어, 상면 (91) 의 순수는 유기 용제로 치환된다. 이 때, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 3 번째에 나타내는 바와 같이, 상면 (91) 상에 있어서 유기 용제의 얇은 액막 (81) 이 형성되어 유지된다. 표면 장력이 낮은 (예를 들어, 순수 및 충전제보다 낮은) 유기 용제는, 상면 (91) 의 구조체 (910) 에 있어서 서로 인접하는 구조체 요소 (911) 사이로 들어가기 쉬워, 구조체 (910) 에 있어서의 간극이 유기 용제에 의해서 채워진다. 또한, 도 4 에서는 기판 (9) 상면 (91) 의 구조체 (910) 의 크기는 과장하여 묘사되어 있지만, 실제로는 반도체 디바이스의 구조 레벨이 매우 미세한 구조이다. 액막 (81) 은 적어도 구조체 (910) 의 높이를 거의 덮는 정도이거나 또는 그 이상의 두께가 있다. 소정량의 유기 용제가 공급되어 순수의 치환이 종료되면, 유기 용제의 공급이 정지된다.After the liquid film 80 of pure water is held for a predetermined period of time and the substrate 9 is rotated at a pure water holding rotation speed, the organic solvent supply unit 43 of Fig. (Step S16). The organic solvent is, for example, IPA (isopropyl alcohol), methanol, ethanol, acetone, etc., and has a lower surface tension than pure water. In the present embodiment, IPA is used as the organic solvent. Then, while continuing the supply of the organic solvent, the rotational speed of the substrate 9 is gradually increased from the pure water holding rotational speed, and the substrate 9 is rotated at a relatively high rotational speed (rotational speed higher than the pure water holding rotational speed) . As a result, the organic solvent on the upper surface 91 immediately diffuses to the outer edge, and the pure water on the upper surface 91 is replaced with an organic solvent. At this time, a thin liquid film 81 of an organic solvent is formed and held on the upper surface 91, as shown in the third from the upper left in Fig. The organic solvent having a low surface tension (for example, pure water and lower than the filler) is easy to enter between the adjacent structural elements 911 in the structure 910 of the upper surface 91, Is filled with the organic solvent. Although the size of the structure 910 on the upper surface 91 of the substrate 9 is exaggerated in FIG. 4, the structure level of the semiconductor device is actually very fine. The liquid film 81 has a thickness at least as large as the height of the structure 910 or more. When a predetermined amount of the organic solvent is supplied and the replacement of the pure water is completed, the supply of the organic solvent is stopped.

유기 용제의 공급이 완료되면, 그와 동시에 제어부 (10) 에 의해서 기류 형성부 (61) 에 있어서의 하강 기류의 유량의 설정이「저」로 변경되어, 상기 약액 및 순수의 공급시에 있어서의 유량보다 작아진다 (스텝 S17). 도 5 에서는, 짧은 화살표 A2 에 의해서, 유량이「저」로 설정된 하강 기류를 나타내고 있다. 실제로는, 배출 유량 조정부 (621) (도 1 참조) 에 있어서의 가스의 배출 유량의 설정도「저」로 변경되어, 상기 약액 및 순수의 공급시에 있어서의 배출 유량보다 작아진다. 또, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 가드부 (25) 가 가드 승강 기구 (26) 에 의해서 상단에 배치된다 (스텝 S18). 상단은, 도 3 에 나타내는 위치 (중단) 보다 상방의 위치이다. 상단에 배치된 가드부 (25) 에서는, 가드 중앙부 (251) 의 상부가 기판 (9) 과 동일한 높이에 배치되어, 환상 간극 (G) 의 폭 (D2) 은 도 3 에 나타내는 환상 간극 (G) 의 폭 (D1) 보다 크다.At the same time, when the supply of the organic solvent is completed, the control unit 10 changes the setting of the flow rate of the down stream in the air stream forming unit 61 to " low " Becomes smaller than the flow rate (step S17). In Fig. 5, a downward flow with the flow rate set to " low " is indicated by the short arrow A2. In practice, the setting of the discharge flow rate of the gas in the discharge flow rate adjuster 621 (see FIG. 1) is also changed to "low" to become smaller than the discharge flow rate when the chemical liquid and pure water are supplied. 5, the guard portion 25 is disposed at the upper end by the guard lifting mechanism 26 (step S18). The upper end is a position above the position (stop) shown in Fig. The upper portion of the guard central portion 251 is arranged at the same height as the substrate 9 and the width D2 of the annular gap G is set to be the same as the annular gap G shown in Fig. Is greater than the width (D1)

또한, 유기 용제의 공급이 정지된 후, 상기 서술한 스텝 S17, S18 과 함께, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 순수·용제 노즐 (31) 이 대기 위치로 이동하고, 충전제 노즐 (32) 이, 상면 (91) 의 중앙부에 대향하는 대향 위치에 배치된다. 그리고, 스텝 S16 에 있어서의 비교적 높은 회전 속도를 유지한 상태에서, 처리액 공급부인 충전제 공급부 (44) 에 의해서, 충전제가 충전제 노즐 (32) 을 통하여 상면 (91) 중앙부의 유기 용제의 액막 (81) 상에 소정량만 공급된다 (스텝 S19). 유기 용제의 액막 (81) 상에 공급되는 충전제는, 기판 (9) 의 회전에 의해서 상면 (91) 의 중앙부로부터 외주부로 확산되고, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 4 번째에 나타내는 바와 같이, 유기 용제의 액막 (81) 상에 충전제의 액막 (82) 이 적층된다. 도 4 에서는, 액막에 있어서의 유기 용제의 층과 충전제의 층이 다르게 해칭되어 있다. 또한, 기판 (9) 의 회전이 정지된 상태에서, 충전제가 상면 (91) 에 공급되고, 그 후 기판 (9) 의 회전이 개시되어도 된다. 충전제는, 예를 들어 아크릴 수지 등의 폴리머 (수지) 를 함유한다. 또 충전제의 비중은 유기 용제 (여기서는 IPA) 보다 크다. 충전제에 있어서의 용매로서, 물이나 알코올 등이 예시된다. 폴리머는, 당해 용매에 대해서 용해성을 갖고, 예를 들어, 소정 온도 이상으로 가열함으로써 가교 반응이 일어난다. 소정 시간이 경과하여, 소정량의 충전제가 공급되고 액막 (82) 이 형성되면, 충전제의 공급이 정지되고, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 기판 (9) 의 회전 속도는 스텝 S16 에 있어서의 비교적 높은 회전 속도로부터 서서히 감속되어, 비교적 낮은 회전 속도 (예를 들어, 전술한 순수 유지 회전 속도) 로 기판 (9) 이 회전된다.After the supply of the organic solvent is stopped, the pure water / solvent nozzle 31 moves to the standby position in the substrate processing apparatus 1 together with the above-described steps S17 and S18, and the filler nozzle 32, And is disposed at an opposed position opposite to the central portion of the upper surface 91. The filler is supplied to the liquid film 81 of the organic solvent at the central portion of the upper surface 91 through the filler nozzle 32 by the filler supplying unit 44 serving as the process liquid supply unit in a state where the relatively high rotational speed in the step S16 is maintained. (Step S19). The filler supplied onto the liquid film 81 of the organic solvent diffuses from the central portion of the upper surface 91 to the outer peripheral portion by the rotation of the substrate 9 and as shown in the fourth from the upper left in Fig. A liquid film 82 of a filler is deposited on the liquid film 81. In Fig. 4, the organic solvent layer and the filler layer in the liquid film are hatched differently. Further, in a state where the rotation of the substrate 9 is stopped, the filler may be supplied to the upper surface 91, and then the rotation of the substrate 9 may be started. The filler contains, for example, a polymer (resin) such as acrylic resin. The specific gravity of the filler is larger than that of the organic solvent (here, IPA). As the solvent in the filler, water, alcohol and the like are exemplified. The polymer has solubility with respect to the solvent, and for example, the crosslinking reaction occurs by heating to a predetermined temperature or higher. When a predetermined amount of filler is supplied and a liquid film 82 is formed, the supply of the filler is stopped. In the substrate processing apparatus 1, the rotational speed of the substrate 9 is relatively high in step S16 The substrate 9 is slowly rotated at a relatively low rotational speed (for example, the above-described pure holding rotational speed).

여기서, 상기 액막 (81, 82) 은, 상면 (91) 전체를 덮는 일련의 액층이다. 충전제의 공급 정지에 의해서, 액막 (81, 82) 에서는, 기판 (9) 과, 액막 (81) 을 구성하는 액체 (주로, 유기 용제) 와, 액막 (82) 을 구성하는 액체 (주로 충전제) 의 상면 (91) 을 따른 상대 이동이 거의 없는 상태 (이른바, 패들 상태로서, 이하,「액 정지 상태」라고 한다.) 가 형성되어 있다. 스텝 S19 에서는, 기류 형성부 (61) 에 의한 하강 기류의 유량, 및, 배출 유량 조정부 (621) 에 의한 가스의 배출 유량이 작으며, 또한, 상단에 배치된 가드부 (25) 에서는, 환상 간극 (G) 의 폭 (D2) 도 비교적 크다. 따라서, 기판 (9) 의 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속이 저감되어, 액 정지 상태의 액막 (81, 82) 의 붕괴 (즉, 기판 (9) 외연부 근방에 있어서 액막이 붕괴되어 기판 (9) 으로부터 유출되어 버리는 것) 나, 두께의 균일성 저하가 억제된다. 또, 순수 유지 회전 속도에서의 기판 (9) 의 회전에서는, 상면 (91) 으로부터 유기 용제나 충전제가 비산하여, 미스트가 되어 부유하는 경우도 거의 없다. 충전제가 원하지 않게 건조되거나 박리되어 버리는 것도 억제할 수 있다.Here, the liquid films 81 and 82 are a series of liquid layers covering the entire upper surface 91. The supply of the filler stops the supply of the liquid 9 to the liquid 9 and the liquid constituting the liquid film 81 (mainly organic solvent) and the liquid (mainly the filler) constituting the liquid film 82 in the liquid films 81 and 82 (Hereinafter, referred to as " liquid stop state ") in which there is almost no relative movement along the upper surface 91 (so-called paddle state). In step S19, the flow rate of the descending airflow by the airflow forming unit 61 and the flow rate of the gas discharged by the discharge flow rate adjusting unit 621 are small, and in the guard unit 25 disposed at the upper end, And the width D2 of the gap G is relatively large. Therefore, the gas flow rate in the vicinity of the outer edge portion of the substrate 9 is reduced, and the liquid films 81 and 82 in the liquid stopped state collapse (that is, the liquid film collapses near the outer edge portion of the substrate 9, ), And deterioration in the uniformity of the thickness is suppressed. In the rotation of the substrate 9 at the pure water holding rotation speed, the organic solvent or the filler scatters from the upper surface 91, and is not likely to float as mist. It is possible to suppress the unwanted drying or peeling of the filler.

기판 (9) 의 회전 속도가 낮은 상태 (전술한 순수 유지 회전 속도 정도) 에서는, 각 위치에 있어서의 액막 (81, 82) 의 두께는, 상면 (91) 을 따른 가스의 흐름의 영향을 강하게 받지만, 기판 (9) 의 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속이 저감되어 있음으로써, 액막 (81) 두께의 균일성이 확보된다. 상기 회전 속도에서의 기판 (9) 의 회전 (또는, 기판 (9) 의 회전을 정지시킨 상태) 은 소정 시간만큼 계속된다. 충전제의 비중은 유기 용제의 비중보다 크기 때문에, 충전제의 공급을 정지시킨 상태에서, 상면 (91) 상에 있어서 유기 용제를 함유하는 액막 (81) 및 충전제를 함유하는 액막 (82) 을 유지시킴으로써, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 4 번째 및 5 번째에 나타내는 바와 같이, 상면 (91) 상의 액막 (81, 82) 에 있어서 유기 용제의 액막 (81) 의 층과 충전제의 액막 (82) 의 층의 상하가 교체된다. 이와 같이 하여, 구조체 (910) 에 있어서의 간극에 존재하는 유기 용제가 충전제로 치환되어, 서로 인접하는 구조체 요소 (911) 사이에 충전제가 들어간다 (스텝 S20). 스텝 S20 은, 구조체 (910) 에 있어서의 간극에 충전제를 매립하는 처리이다. 스텝 S20 에 있어서의 액막 (81, 82) 에 있어서도, 액막 (81, 82) 을 구성하는 액체가 상면 (91) 상을 수평 방향으로는 거의 유동하고 있지 않아, 액 정지 상태가 형성되어 있다.The thickness of the liquid films 81 and 82 at each position is strongly influenced by the flow of gas along the upper surface 91 at a low rotational speed of the substrate 9 , The gas flow rate in the vicinity of the outer edge portion of the substrate 9 is reduced, so that the uniformity of the thickness of the liquid film 81 is ensured. The rotation of the substrate 9 at the rotation speed (or the rotation of the substrate 9 is stopped) continues for a predetermined time. Since the specific gravity of the filler is larger than the specific gravity of the organic solvent, the liquid film 81 containing the organic solvent and the liquid film 82 containing the filler are held on the upper surface 91 while the supply of the filler is stopped, The liquid film 81 of the organic solvent in the liquid films 81 and 82 on the upper surface 91 and the upper and lower portions of the layer of the liquid film 82 of the filler Is replaced. Thus, the organic solvent existing in the gap in the structure 910 is replaced with the filler, and the filler enters between the adjacent structure elements 911 (step S20). Step S20 is a process for filling a gap in the structure 910 with a filler. The liquid constituting the liquid films 81 and 82 does not substantially flow in the horizontal direction on the upper surface 91 even in the liquid films 81 and 82 in the step S20 and the liquid stopping state is formed.

충전제의 매립 처리가 완료되면 (충전제의 공급 정지로부터 소정 시간 경과하면), 기류 형성부 (61) 에 있어서의 하강 기류의 유량 설정이「고」로 변경되어, 하강 기류의 유량이 매립 처리시보다 커진다 (스텝 S21). 또, 배출 유량 조정부 (621) 에 있어서의 가스의 배출 유량의 설정도「고」로 변경되어, 가스의 배출 유량이 매립 처리시보다 커진다. 본 처리예에서는, 하강 기류의 유량 및 가스의 배출 유량은, 약액 및 순수의 공급시와 동일한 정도로 되돌려진다. 또한, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 가드부 (25) 가 가드 승강 기구 (26) 에 의해서 중단에 배치된다 (되돌려진다) (스텝 S22).The flow rate setting of the descending airflow in the airflow forming portion 61 is changed to "high" when the filling process of the filler is completed (when a predetermined time has elapsed after stopping the supply of the filler), and the flow rate of the descending airflow (Step S21). Also, the setting of the discharge flow rate of the gas in the discharge flow rate adjustment section 621 is also changed to "high", so that the discharge flow rate of the gas becomes larger than that in the landfill process. In this processing example, the flow rate of the descending airflow and the discharge flow rate of the gas are returned to the same level as when the chemical liquid and pure water are supplied. Further, as shown in Fig. 3, the guard portion 25 is disposed (returned) by the guard lifting mechanism 26 (step S22).

계속해서, 기판 (9) 의 회전 속도가, 순수 유지 회전 속도보다 고속의 회전 속도까지 올려진다. 이로써, 도 4 중의 상단 왼쪽으로부터 5 번째 및 6 번째에 나타내는 바와 같이, 유기 용제의 액막 (81), 및, 충전제의 잉여가 기판 (9) 으로부터 제거된다 (이른바, 스핀 오프) (스텝 S23). 기판 (9) 으로부터 비산하는 액 (유기 용제 및 충전제) 은, 가드부 (25) 의 내측면에 의해서 받아 내어진다. 유기 용제 및 충전제의 잉여가 제거된 액막 (82) 에서는, 구조체 (910) 전체를 덮기 위해서 필요한 두께의 충전제가 잔존한다.Subsequently, the rotational speed of the substrate 9 is raised to a rotational speed higher than the pure water holding rotational speed. As a result, the liquid film 81 of the organic solvent and the surplus of the filler are removed from the substrate 9 (so-called spin-off) (step S23), as shown in the fifth and sixth lines from the upper left in Fig. The liquid (organic solvent and filler) scattered from the substrate 9 is received by the inner surface of the guard portion 25. [ In the liquid film 82 from which surplus of the organic solvent and the filler is removed, a filler having a thickness necessary for covering the entire structure 910 remains.

그 후, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 가드 승강 기구 (26) 에 의해서 가드부 (25) 가 하단에 배치된다 (스텝 S24). 하단은, 도 3 에 나타내는 위치 (중단) 보다 하방의 위치이다. 하단에 배치된 가드부 (25) 에서는, 가드 상부 (252) 의 상부가 기판 (9) 과 대략 동일한 높이에 배치되고, 환상 간극 (G) 의 폭 (D3) 은, 도 3 에 나타내는 환상 간극 (G) 의 폭 (D1), 및, 도 5 에 나타내는 환상 간극 (G) 의 폭 (D2) 보다 작다.Thereafter, as shown in Fig. 6, the guard portion 25 is disposed at the lower end by the guard lifting mechanism 26 (Step S24). The lower end is a position lower than the position (stop) shown in Fig. The upper portion of the guard portion 252 is arranged at substantially the same height as the substrate 9 in the guard portion 25 disposed at the lower end and the width D3 of the annular gap G is larger than the annular gap G and the width D2 of the annular gap G shown in Fig.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 스텝 S20 ∼ S24 와 병행하여, 충전제 노즐 (32) 이 대기 위치로 이동하고, 외연부 세정 노즐 (33) 이, 상면 (91) 의 외연부에 대향하는 대향 위치에 배치된다. 가드부 (25) 가 하단에 배치되면, 유기 용제 공급부 (43) 에 의해서, 상면 (91) 의 외연부에 유기 용제가 외연부 세정 노즐 (33) 을 통하여 연속적으로 공급된다 (이른바, 베벨 세정) (스텝 S25). 외연부 세정 노즐 (33) 로부터 분출되는 유기 용제는, 기판 (9) 의 외연부를 세정하기 위한 것으로서, 이하「세정액」이라고 한다.The filler nozzle 32 is moved to the standby position and the outer edge cleaning nozzle 33 is moved to the opposite position opposed to the outer edge of the upper surface 91 . When the guard portion 25 is disposed at the lower end, organic solvent is continuously supplied to the outer edge portion of the upper surface 91 through the outer edge cleaning nozzle 33 by the organic solvent supply portion 43 (so-called bevel cleaning) (Step S25). The organic solvent sprayed from the outer edge cleaning nozzle 33 is for cleaning the outer edge of the substrate 9 and is hereinafter referred to as "cleaning liquid".

외연부 세정 노즐 (33) 에 있어서의 세정액의 분출 방향은, 상하 방향의 하향으로부터 외측 (중심축 (J1) 로부터 멀어지는 방향) 으로 경사져 있고, 상면 (91) 의 외연부에만 세정액이 공급된다. 또, 약액 및 순수의 공급시와 마찬가지로, 순수 유지 회전 속도보다 고속의 회전 속도로 기판 (9) 이 회전된다. 이로써, 구조체 (910) 가 형성되어 있지 않은 상면 (91) 의 외연부나, 기판 (9) 의 단면 (端面) (둘레면) 에 부착된 충전제가, 전체 둘레에 걸쳐서 제거된다. 이와 같이, 외연부나 단면에 부착되는 불필요한 충전제를 제거함으로써, 후속 처리에 있어서 기판 (9) 을 반송할 때, 반송 기구의 아암이 오염되는 것이 방지된다. 유기 용제 공급부 (43) 는, 외연부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부로서의 역할도 다한다.The spraying direction of the cleaning liquid in the outer edge cleaning nozzle 33 is inclined from the downward direction toward the outer side (the direction away from the central axis J1), and the cleaning liquid is supplied only to the outer edge of the upper surface 91. Also, as in the case of supplying the chemical solution and the pure water, the substrate 9 is rotated at a rotational speed higher than the pure water holding speed. As a result, the filler adhering to the outer edge of the upper face 91 on which the structure 910 is not formed or the end face (peripheral face) of the substrate 9 is removed over the entire periphery. By removing the unnecessary filler adhering to the outer edge or the end face in this manner, the arm of the transport mechanism is prevented from being contaminated when the substrate 9 is transported in the subsequent process. The organic solvent supply portion 43 also serves as a cleaning liquid supply portion for supplying a cleaning liquid to the outer edge portion.

여기서, 외연부 세정 노즐 (33) 은, 상면 (91) 의 외연부의 일부분에 대향한다. 따라서, 외연부 세정 노즐 (33) 로부터 분출되는 세정액이나 제거되는 충전제는, 외연부에 있어서의 당해 부분 근방으로부터만 집중하여 비산하고, 많은 미스트가 되어 부유하기 쉽다. 세정액의 공급시에서는, 약액 및 순수의 공급시에 비해서 환상 간극 (G) 의 폭이 작기 때문에, 환상 간극 (G) 을 통과하는 가스의 유속이 커진다. 따라서, 기판 (9) 의 외연부 근방의 미스트는 당해 가스의 흐름에 의해서 컵부 (23) 내로 유도되기 쉬워진다. 또, 환상 간극 (G) 을 통과한 미스트가, 가스의 흐름과 반대로, 폭이 좁은 환상 간극 (G) 을 다시 통과하여 기판 (9) 의 상면 (91) 측으로 되돌아오는 것도 방지된다. 이상과 같이, 하단에 배치된 가드부 (25) 에 의해서, 세정액의 공급시에 있어서, 기판 (9) 의 상면 (91) 으로부터 비산한 세정액 등의 미스트가 상면 (91) 에 부착되는 것이 억제된다. 또한, 이 시점에서는, 충전제는 임시 경화되어 있거나, 또는, 구조체 (910) 에 있어서의 간극에 매립되어 있어, 상기 가스의 흐름에 의해서 충전제의 박리가 발생되는 경우는 없다.Here, the outer edge cleaning nozzle 33 is opposed to a part of the outer edge of the upper surface 91. Therefore, the cleaning liquid ejected from the outer edge cleaning nozzle 33 and the filler to be removed are concentrated and scattered only from the vicinity of the peripheral portion of the outer edge portion, and are likely to become a lot of mist and floating. At the time of supplying the cleaning liquid, the width of the annular gap G is smaller than that at the time of supplying the chemical liquid and the pure water, so that the flow rate of the gas passing through the annular gap G becomes larger. Therefore, the mist near the outer edge portion of the substrate 9 is easily guided into the cup portion 23 by the flow of the gas. It is also prevented that the mist passing through the annular gap G passes again through the narrow annular gap G and returns to the upper surface 91 side of the substrate 9, contrary to the flow of the gas. The guard portion 25 disposed at the lower end prevents the mist such as the cleaning liquid scattering from the upper surface 91 of the substrate 9 from adhering to the upper surface 91 at the time of supplying the cleaning liquid . At this point in time, the filler is temporarily cured or embedded in the gap in the structure 910, so that the filler does not peel off due to the flow of the gas.

외연부 세정 노즐 (33) 로부터의 세정액의 분출 완료 후, 기판 (9) 의 회전을 소정 시간 계속함으로써, 외연부의 세정액이 제거된다. 그 후, 기판 (9) 의 회전이 정지되고, 외부의 반송 기구에 의해서 기판 (9) 이 챔버 (5) 밖으로 반출된다 (스텝 S26). 기판 (9) 은, 외부의 핫 플레이트에서 베이크되고, 충전제의 액막 (82) 에 있어서의 용매 성분이 제거됨과 함께, 충전제에 함유되는 폴리머가 본 경화된다. 이로써, 인접하는 구조체 요소 (911) 간에 고화된 폴리머가 충전된 상태로 된다. 기판 (9) 은, 외부의 드라이 에칭 장치로 반송되고, 드라이 에칭에 의해서 폴리머가 제거된다.After the completion of the ejection of the cleaning liquid from the outer edge cleaning nozzle 33, the rotation of the substrate 9 is continued for a predetermined time, whereby the cleaning liquid of the outer edge is removed. Thereafter, the rotation of the substrate 9 is stopped, and the substrate 9 is carried out of the chamber 5 by an external transport mechanism (step S26). The substrate 9 is baked on an external hot plate, the solvent component in the liquid film 82 of the filler is removed, and the polymer contained in the filler is finally cured. As a result, the solidified polymer is filled between the adjacent structural elements 911. The substrate 9 is transferred to an external dry etching apparatus, and the polymer is removed by dry etching.

이 때, 인접하는 구조체 요소 (911) 간에 개재하는 개재물 (폴리머) 이 고체이기 때문에, 구조체 요소 (911) 에 대해서 개재물의 표면 장력이 작용하지 않는 상태에서 당해 개재물이 제거된다. 린스 처리 후에 있어서의 상기 일련의 처리는, 상면 (91) 에 부착되는 순수 (린스액) 의 건조 처리로 볼 수 있고, 당해 건조 처리에 의해서, 건조 도중의 순수의 표면 장력에 의한 구조체 요소 (911) 의 변형이 방지된다. 폴리머의 제거는, 액체를 사용하지 않는 다른 수법에 의해서 행해져도 된다. 예를 들어, 폴리머의 종류에 따라서는, 감압하에서 폴리머를 가열함으로써, 폴리머의 승화에 의한 제거가 행해진다.At this time, since the inclusions (polymer) interposed between the adjacent structural elements 911 are solid, the inclusions are removed in a state in which the surface tension of the inclusions does not act on the structural elements 911. The series of treatments after the rinsing treatment can be regarded as a drying treatment of pure water (rinsing liquid) adhering to the upper surface 91. By the drying treatment, by the surface tension of the pure water during drying, Is prevented from being deformed. The removal of the polymer may be performed by another method not using a liquid. For example, depending on the kind of the polymer, the polymer is removed under sublimation by heating the polymer under reduced pressure.

이상으로 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 상면 (91) 의 구조체 (910) 에 있어서의 간극을 유기 용제로 채우는 처리 (스텝 S16) 와, 구조체 (910) 의 간극에 존재하는 유기 용제를 충전제로 치환하는 처리 (스텝 S20) 가 행해진다. 양 처리에서는, 상면 (91) 상에 있어서 액막 (81, 82) 이 보유 (유지) 된다. 그 후, 기판 (9) 을 고속으로 회전시키면서, 기판 (9) 의 외연부에 부착된 충전제를 제거하는 처리 (스텝 S25) 가 행해진다. 또, 스텝 S16, S20 에 있어서의 환상 간극 (G) 의 폭이, 스텝 S25 에 있어서의 환상 간극 (G) 의 폭보다 커지도록 가드부 (25) 가 승강된다. 이로써, 액막 (81, 82) 을 유지할 때, 기판 (9) 의 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속을 저감시킬 수 있어, 액막 (81, 82) 의 붕괴나 부분적인 박리, 두께의 균일성 저하를 억제할 수 있다. 또, 기판 (9) 의 외연부를 세정할 때, 외연부 근방으로부터 환상 간극 (G) 을 향하는 가스의 유속을 증대시킬 수 있고, 기판 (9) 으로부터 비산한 세정액 등 (의 미스트) 이 기판 (9) 으로 되돌아오는 것을 억제할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1, the process of filling the gap in the structure 910 of the upper surface 91 with the organic solvent (step S16) and the process of filling the gap of the structure 910 with the organic solvent (Step S20) is performed. In the positive treatment, the liquid films 81 and 82 are held (held) on the upper surface 91. Thereafter, the processing for removing the filler attached to the outer edge of the substrate 9 (step S25) is performed while rotating the substrate 9 at a high speed. The guard portion 25 is raised and lowered so that the width of the annular gap G in steps S16 and S20 is larger than the width of the annular gap G in step S25. This makes it possible to reduce the gas flow rate in the vicinity of the outer edge portion of the substrate 9 when holding the liquid films 81 and 82 and to prevent the liquid films 81 and 82 from being disintegrated or partially peeled, Can be suppressed. When the outer edge portion of the substrate 9 is cleaned, the flow rate of the gas toward the annular gap G can be increased from the vicinity of the outer edge portion, and the cleaning liquid or the like scattered from the substrate 9 ) Can be suppressed.

또, 액막 (81, 82) 을 유지할 때, 기류 형성부 (61) 에 의해서 형성되어 있는 하강 기류의 유량이, 외연부의 세정시에 있어서의 당해 유량보다 작아진다. 이로써, 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속을 더욱 저감시킬 수 있어, 액막 (81, 82) 의 붕괴 등을 더욱 억제할 수 있다. 또한, 액막 (81, 82) 을 유지할 때, 배출 유량 조정부 (621) 를 통한 가스의 배출 유량이, 외연부의 세정시에 있어서의 당해 배출 유량보다 작아진다. 이로써, 기판 (9) 의 외연부 근방에 있어서의 가스의 유속을 더욱 저감시킬 수 있다.Further, when the liquid films 81 and 82 are held, the flow rate of the down stream formed by the air flow forming section 61 becomes smaller than the flow rate at the time of cleaning the outer edge. Thereby, the flow velocity of the gas in the vicinity of the outer periphery can be further reduced, and the collapse of the liquid films 81 and 82 can be further suppressed. Further, when the liquid films 81 and 82 are held, the discharge flow rate of the gas through the discharge flow rate adjuster 621 becomes smaller than the discharge flow rate at the time of cleaning the outer edge. Thereby, the flow velocity of the gas in the vicinity of the outer edge of the substrate 9 can be further reduced.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 구조체 (910) 의 간극에 존재하는 유기 용제를 충전제로 치환할 때, 기판 (9) 의 상면 (91) 상에 대한 충전제의 공급을 정지시킨 상태가 유지된다. 이로써, 당해 유기 용제를 보다 확실하게 충전제로 치환할 수 있다. 또, 다른 처리액 (약액이나 순수) 을 상면 (91) 에 공급할 때에 있어서의 환상 간극 (G) 의 폭이, 충전제의 액막 (82) 을 유지할 때에 있어서의 환상 간극 (G) 의 폭보다 작으며, 또한, 외연부를 세정할 때에 있어서의 환상 간극 (G) 의 폭보다 커진다. 이로써, 기판 (9) 으로부터 비산하는 당해 다른 처리액을 보다 확실하게 가드부 (25) 에서 받아내면서, 외연부에 있어서의 가스가 어느 정도의 유량을 확보하여, 비산한 당해 다른 처리액 (의 미스트) 이 기판 (9) 으로 되돌아오는 것을 억제할 수 있게 된다.In the substrate processing apparatus 1, when the organic solvent existing in the gap of the structure body 910 is replaced with a filler, the state of stopping the supply of the filler to the upper surface 91 of the substrate 9 is maintained. As a result, the organic solvent can be more reliably replaced with the filler. The width of the annular gap G when supplying the other treatment liquid (chemical liquid or pure water) to the upper surface 91 is smaller than the width of the annular gap G when the liquid film 82 of the filler is held , And also becomes larger than the width of the annular gap G when the outer edge is cleaned. Thereby, while the other processing liquid scattering from the substrate 9 is received by the guard portion 25 more reliably, the gas in the outer edge portion secures a certain flow rate, and the flow rate of the other processing liquid Can be restrained from returning to the substrate 9.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 가드부 (25) 의 상단 및 중단이 동일한 위치여도 된다. 이 경우, 도 2A 및 도 2B 의 처리에 있어서, 스텝 S18, S22 에 있어서의 가드부 (25) 의 승강 동작이 생략되어, 기판 (9) 의 처리를 간소화하는 것이 가능해진다. 기판 처리 장치 (1) 의 설계에 따라서는, 가드부 (25) 의 중단 및 하단을 동일한 위치로 할 수도 있다.In the substrate processing apparatus 1, the upper end and the stop of the guard portion 25 may be the same position. In this case, in the processing of Figs. 2A and 2B, the elevating operation of the guard portion 25 in Steps S18 and S22 is omitted, and the processing of the substrate 9 can be simplified. Depending on the design of the substrate processing apparatus 1, the interruption and the lower end of the guard portion 25 may be set at the same position.

상기 기판 처리 장치 (1) 에서는 다양한 변형이 가능하다.In the substrate processing apparatus 1, various modifications are possible.

상기 실시형태에서는, 기류 형성부 (61) 에 의해서, 항상 하강 기류가 형성되는데, 예를 들어, 도 4 중의 하강 기류가「저」로 설정되는 기간에 있어서, 기류 형성부 (61) 가 OFF, 즉, 기류 형성부 (61) 에 의한 가스의 공급 유량이 0 이 되어도 된다. 이 경우에도, 배기 유로 (62) 를 통한 가스의 배출에서 기인하여 하강 기류가 발생되기 때문에, 환상 간극 (G) 의 폭을 변경하는 상기 수법이 유효해진다. 기판 처리 장치 (1) 의 설계에 따라서는, 기류 형성부 (61) 를 생략할 수도 있다.In the above embodiment, the downward airflow is always formed by the airflow forming portion 61. For example, in the period in which the downward airflow in FIG. 4 is set to "low", the airflow forming portion 61 is OFF, That is, the supply flow rate of the gas by the airflow forming portion 61 may be zero. In this case, too, a downward flow is generated due to the exhaust of the gas through the exhaust passage 62, so that the above-mentioned method of changing the width of the annular gap G becomes effective. Depending on the design of the substrate processing apparatus 1, the airflow forming unit 61 may be omitted.

한편, 하강 기류가 과도하게 낮아지면, 컵부 (23) 내에 있어서, 기판 (9) 보다 하방에 존재하는 파티클이나 약액 분위기 등이 상방을 향해서 이동하고 (즉, 파티클 등이 역류하고), 파티클 등이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착되어, 기판 (9) 이 오염되어 버린다. 따라서, 파티클 등의 역류에 의한 기판 (9) 의 오염을 보다 확실하게 방지한다는 관점에서는, 액막 (81, 82) 을 유지할 때, 기류 형성부 (61) 로부터의 챔버 (5) 내에 대한 가스의 공급이 유지되는 것이 바람직하다.On the other hand, if the downward current is excessively lowered, the particles or the chemical solution atmosphere existing below the substrate 9 move upward (that is, the particles flow backward) in the cup portion 23, Is attached to the upper surface (91) of the substrate (9), and the substrate (9) is contaminated. Therefore, in order to more reliably prevent contamination of the substrate 9 due to the reverse flow of particles or the like, it is preferable to supply the gas from the airflow forming portion 61 into the chamber 5 when holding the liquid films 81, Is preferably maintained.

외연부 세정 노즐 (33) 이, 순수 공급부 (42) 에 접속되고, 스텝 S25 에 있어서의 기판 (9) 의 외연부의 세정에 있어서, 순수가 세정액으로서 이용되어도 된다. 이 경우, 순수 공급부 (42) 가 세정액 공급부로서의 역할을 다한다. 또, 스핀 척 (22) 의 구조 등에 따라서는, 기판 (9) 의 하면의 외연부를 향해서 세정액을 공급하는 외연부 세정 노즐이 형성되어도 된다. 이 경우에도, 당해 외연부 세정 노즐로부터 처리액을 분출할 때, 환상 간극 (G) 의 폭을 작게 함으로써, 환상 간극 (G) 을 통과하는 가스의 유속을 증대시켜, 기판 (9) 으로부터 비산한 세정액 등이 기판 (9) 으로 되돌아오는 것을 억제할 수 있다.The outer edge cleaning nozzle 33 is connected to the pure water supply section 42 and pure water may be used as the cleaning liquid in cleaning the outer edge portion of the substrate 9 in step S25. In this case, the pure water supply section 42 serves as a cleaning liquid supply section. In addition, depending on the structure of the spin chuck 22, an outer edge cleaning nozzle for supplying a cleaning liquid toward the outer edge portion of the lower surface of the substrate 9 may be formed. Also in this case, when the treatment liquid is jetted from the outer edge cleaning nozzle, the width of the annular gap G is decreased to increase the flow velocity of the gas passing through the annular gap G, It is possible to prevent the cleaning liquid and the like from returning to the substrate 9. [

기판 유지 회전 기구는, 다양한 양태로 실현될 수도 있다. 예를 들어, 상면 (91) 에 구조체가 형성된 기판 (9) 의 하면에 맞닿는 기판 유지 회전 기구에 의해서, 상면 (91) 을 상방을 향하여 실질적으로 수평인 자세에서 기판 (9) 을 유지하면서 기판 (9) 이 회전되어도 된다.The substrate holding and rotating mechanism may be realized in various modes. The substrate 9 is held in a substantially horizontal posture with the upper surface 91 facing upward while being held by the substrate holding and rotating mechanism that abuts the lower surface of the substrate 9 on which the structure is formed on the upper surface 91 9 may be rotated.

기판 처리 장치 (1) 에 있어서, 기판 유지 회전 기구를 승강시키는 승강 기구가 형성되고, 기판 유지 회전 기구 및 기판 (9) 을 승강시킴으로써, 환상 간극 (G) 의 폭이 변경되어도 된다. 이와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 승강 기구는, 기판 (9) 의 주위를 둘러싸는 통상의 가드부 (25) 를 기판 유지 회전 기구에 대해서 상대적으로 승강시키면 된다.The width of the annular gap G may be changed by raising and lowering the substrate holding and rotating mechanism and the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 with the elevating mechanism for raising and lowering the substrate holding and rotating mechanism. As described above, the elevating mechanism in the substrate processing apparatus 1 may be configured such that the normal guard portion 25 surrounding the periphery of the substrate 9 is relatively lifted and lowered relative to the substrate holding and rotating mechanism.

기판 처리 장치 (1) 에서 처리되는 기판은 반도체 기판에는 한정되지 않고, 유리 기판이나 다른 기판이어도 된다.The substrate to be processed in the substrate processing apparatus 1 is not limited to the semiconductor substrate but may be a glass substrate or another substrate.

상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합될 수도 있다.The configurations in the above-described embodiment and modified examples may be appropriately combined as long as they do not contradict each other.

발명을 상세하게 묘사하여 설명했지만, 기술의 설명은 예시적이지 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.Although the invention has been described in detail, the description of the technique is not intended to be limiting in any way. Therefore, many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

1 기판 처리 장치
9 기판
21 스핀 모터
22 스핀 척
25 가드부
26 가드 승강 기구
43 유기 용제 공급부
44 충전제 공급부
61 기류 형성부
80 ∼ 82 액막
91 (기판의) 상면
910 구조체
D1 ∼ D3 (환상 간극의) 폭
G 환상 간극
S11 ∼ S26 스텝1 substrate processing device
9 substrate
21 Spin Motor
22 Spin chuck
25 guard portion
26 Guard lifting mechanism
43 organic solvent supplier
44 filler feeder
61 airflow forming portion
80 ~ 82 liquid membrane
91 (upper surface of the substrate)
910 structure
D1 to D3 (of annular gap) Width
G annular clearance
Steps S11 to S26

Claims (14)

표면에 구조체가 형성된 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
a) 상하 방향을 따라서 직경이 상이한 부위를 갖는 통상의 가드부의 내측에 형성된 기판 유지 회전 기구에 의해서, 표면에 구조체가 형성된 기판을, 상기 표면을 상방을 향하여 실질적으로 수평인 자세로 유지하는 공정과,
b) 소정의 용제를 상기 기판의 상기 표면에 공급하고, 상기 표면 상에 있어서 상기 용제의 액막을 유지시켜, 상기 표면의 상기 구조체에 있어서의 간극을 상기 용제로 채우는 공정과,
c) 상기 b) 공정에 있어서 형성된 상기 액막에 소정의 처리액을 공급하여, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하는 공정과,
d) 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판으로부터 상기 용제 및 상기 처리액의 잉여를 제거하는 공정과,
e) 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 외연부에 소정의 세정액을 공급하여, 상기 외연부에 부착된 상기 처리액을 제거하는 공정을 구비하고,
상기 c) 공정에 있어서 상기 가드부의 내측면과 상기 기판의 상기 외연부 사이에 형성되어 있는 환상의 최소 간극의 폭이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭보다 커지도록, 상기 가드부가 상기 기판 회전 유지 기구에 대해서 상대적으로 승강되는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate on which a structure is formed,
a) a step of holding a substrate on which a structure is formed on a surface by a substrate holding and rotating mechanism formed inside a normal guard portion having a portion having a different diameter along the vertical direction, in a substantially horizontal posture with the surface facing upward; ,
b) supplying a predetermined solvent to the surface of the substrate, holding a liquid film of the solvent on the surface, and filling a gap in the structure of the surface with the solvent;
c) supplying a predetermined treatment liquid to the liquid film formed in the step b), and replacing the solvent present in the gap in the structure with the treatment liquid;
d) rotating the substrate to remove surplus of the solvent and the treatment liquid from the substrate,
e) supplying a predetermined cleaning liquid to the outer edge of the substrate while rotating the substrate, and removing the processing liquid attached to the outer edge,
The guard portion is formed so that the width of the minimum annular gap formed between the inner surface of the guard portion and the outer edge portion of the substrate in the step c) is larger than the width of the minimum gap in the step e) And is relatively moved up and down relative to the substrate rotation and holding mechanism. 제 1 항에 있어서,
상기 c) 공정이,
c1) 상기 처리액을 상기 표면에 공급하는 공정과,
c2) 상기 처리액의 공급을 정지시킨 상태에서, 상기 표면 상에 있어서 상기 처리액을 포함하는 액막을 유지시켜, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step c)
c1) supplying the treatment liquid to the surface,
c2) holding the liquid film containing the treatment liquid on the surface while the supply of the treatment liquid is stopped, and replacing the solvent present in the gap in the structure with the treatment liquid And the substrate processing method. 제 2 항에 있어서,
상기 처리액의 비중이, 상기 용제의 비중보다 큰, 기판 처리 방법.3. The method of claim 2,
Wherein a specific gravity of the treatment liquid is larger than a specific gravity of the solvent. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 c1) 공정에 있어서는 상기 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고,
상기 c2) 공정에 있어서는 상기 기판을 상기 제 1 회전 속도보다 저속인 제 2 회전 속도로 회전시키거나 혹은 상기 기판을 정지시키는, 기판 처리 방법.The method according to claim 2 or 3,
In the step c1), the substrate is rotated at a first rotation speed,
And in the step c2), the substrate is rotated at a second rotation speed which is lower than the first rotation speed, or the substrate is stopped. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 b) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 최소 간극의 폭보다 커지도록, 상기 가드부가 상기 기판 회전 유지 기구에 대해서 상대적으로 승강되는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the guard portion is raised and lowered relative to the substrate rotation maintaining mechanism such that the width of the minimum gap in the step b) is larger than the width of the minimum gap in the step e). 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가드부 및 상기 기판 유지 회전 기구의 상방에 있어서, 하강 기류를 형성하는 기류 형성부가 형성되는, 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein an air flow forming portion for forming a downward flow is formed above the guard portion and the substrate holding and rotating mechanism. 제 6 항에 있어서,
상기 c) 공정에 있어서 상기 기류 형성부에 의해서 형성되어 있는 상기 하강 기류의 유량이, 상기 e) 공정에 있어서의 상기 하강 기류의 유량보다 작은, 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the flow rate of the descending airflow formed by the airflow forming portion in the step c) is smaller than the flow rate of the descending airflow in the step e). 표면에 구조체가 형성된 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상하 방향을 따라서 직경이 상이한 부위를 갖는 통상의 가드부와,
상기 가드부의 내측에 형성되고, 표면에 구조체가 형성된 기판을, 상기 표면을 상방을 향하여 실질적으로 수평인 자세로 유지하는 기판 유지 회전 기구와,
상기 표면에 소정의 용제를 공급하는 용제 공급부와,
상기 표면에 소정의 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 기판의 외연부에 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
상기 가드부를 상기 기판 유지 회전 기구에 대해서 상대적으로 승강시킴으로써, 상기 가드부의 내측면과 상기 기판의 상기 외연부 사이에 형성되어 있는 환상의 최소 간극의 폭을 변경하는 승강 기구와,
상기 용제 공급부에 의해서 상기 기판의 상기 표면에 상기 용제을 공급하여, 상기 표면 상에 있어서 상기 용제의 액막을 유지시키고, 상기 표면의 상기 구조체에 있어서의 간극을 상기 용제로 채우고, 상기 최소 간극의 폭이 제 1 폭인 상태에서, 상기 처리액 공급부에 의해서 상기 액막에 상기 처리액을 공급하여, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제를 상기 처리액으로 치환하고, 상기 기판을 회전시켜, 상기 기판으로부터 상기 용제 및 상기 처리액의 잉여를 제거하고, 상기 최소 간극의 폭이 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭인 상태에서, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 세정액 공급부에 의해서 상기 기판의 상기 외연부에 상기 세정액을 공급하여, 상기 외연부에 부착된 상기 처리액을 제거하는 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for processing a substrate on which a structure is formed,
A normal guard portion having a portion having a different diameter along the vertical direction,
A substrate holding and rotating mechanism configured to hold a substrate having a structure on its surface formed on the inside of the guard portion in a substantially horizontal posture with the surface facing upward;
A solvent supply unit for supplying a predetermined solvent to the surface;
A treatment liquid supply unit for supplying a predetermined treatment liquid to the surface;
A cleaning liquid supply unit for supplying a predetermined cleaning liquid to an outer edge of the substrate;
An elevating mechanism for changing the width of a minimum annular gap formed between the inner side surface of the guard portion and the outer edge portion of the substrate by relatively moving the guard portion relative to the substrate holding and rotating mechanism,
Supplying the solvent to the surface of the substrate by the solvent supply unit to hold the liquid film of the solvent on the surface and to fill the gap in the structure on the surface with the solvent, The processing solution supply portion supplies the processing solution to the liquid film by the processing solution supply portion to replace the solvent existing in the gap in the structure with the processing solution and rotates the substrate, And the cleaning liquid supply unit supplies the cleaning liquid to the outer edge of the substrate while rotating the substrate in a state in which the excess of the solvent and the treatment liquid is removed from the substrate and the width of the minimum gap is a second width smaller than the first width, And a control section for supplying the cleaning liquid and removing the processing liquid attached to the outer edge portion. 제 8 항에 있어서,
상기 처리액의 상기 표면에 대한 공급 후, 상기 처리액의 공급을 정지시킨 상태에서, 상기 표면 상에 있어서 상기 처리액을 포함하는 액막을 유지시킴으로써, 상기 구조체에 있어서의 상기 간극에 존재하는 상기 용제가 상기 처리액으로 치환되는, 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The supply of the treatment liquid is stopped after the supply of the treatment liquid to the surface and the liquid film containing the treatment liquid is held on the surface in the state in which the supply of the treatment liquid is stopped, Is replaced with the treatment liquid. 제 9 항에 있어서,
상기 처리액의 비중이, 상기 용제의 비중보다 큰, 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the specific gravity of the treatment liquid is larger than the specific gravity of the solvent. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 기판 유지 회전 기구가, 상기 처리액의 공급시에 상기 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 처리액을 포함하는 상기 액막의 유지시에 상기 기판을 상기 제 1 회전 속도보다 저속인 제 2 회전 속도로 회전시키거나 혹은 상기 기판을 정지시키는, 기판 처리 장치.11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the substrate holding and rotating mechanism rotates the substrate at a first rotation speed when the process liquid is supplied and controls the substrate to be held at the second rotation speed lower than the first rotation speed at the time of holding the liquid film containing the process liquid Rotating the substrate at a rotation speed or stopping the substrate. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용제의 상기 액막의 유지시에 있어서의 상기 최소 간극의 폭이, 상기 세정액의 공급시에 있어서의 상기 최소 간극의 폭보다 커지도록, 상기 승강 기구가, 상기 가드부를 상기 기판 회전 유지 기구에 대해서 상대적으로 승강시키는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 8 to 11,
Wherein the lift mechanism is configured to move the guard portion to the substrate rotation and holding mechanism so that the width of the minimum gap at the time of holding the liquid film of the solvent becomes larger than the width of the minimum gap at the time of supplying the cleaning liquid And relatively elevating the substrate processing apparatus. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가드부 및 상기 기판 유지 회전 기구의 상방에 있어서, 하강 기류를 형성하는 기류 형성부가 형성되는, 기판 처리 장치.13. The method according to any one of claims 8 to 12,
Wherein an air flow forming portion for forming a downward flow is formed above the guard portion and the substrate holding and rotating mechanism. 제 13 항에 있어서,
상기 용제의 상기 처리액에서의 치환시에 있어서 상기 기류 형성부에 의해서 형성되어 있는 상기 하강 기류의 유량이, 상기 세정액의 공급시에 있어서의 상기 하강 기류의 유량보다 작은, 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the flow rate of the descending airflow formed by the airflow forming section at the time of replacement of the solvent in the processing liquid is smaller than the flow rate of the descending airflow at the time of supplying the cleaning liquid.
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