JP2015230957A

JP2015230957A - Substrate processing device, nozzle cleaning method, and nozzle cleaning device

Info

Publication number: JP2015230957A
Application number: JP2014116187A
Authority: JP
Inventors: 真矢石川; Shinya Ishikawa
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-06-04
Filing date: 2014-06-04
Publication date: 2015-12-21
Anticipated expiration: 2034-06-04
Also published as: JP6216289B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To save space of peripheral devices including a nozzle cleaning device.SOLUTION: A substrate processing device according to an embodiment comprises a nozzle, a movement mechanism, and a washing tank. The nozzle discharges a process liquid to a substrate. The movement mechanism moves the nozzle. The washing tank cleans the nozzle by immersing a cleaning liquid in the nozzle. The washing tank also comprises a storage region, a discharge passage, and a supply unit. The storage region stores the cleaning liquid. The discharge passage is provided in communication with the storage region, and discharges the cleaning liquid stored in the storage region. The supply unit is provided in the discharge passage, and supplies the amount of cleaning liquid exceeding the amount of cleaning liquid discharged from the discharge passage.

Description

開示の実施形態は、基板処理装置、ノズル洗浄方法およびノズル洗浄装置に関する。 Embodiments disclosed herein relate to a substrate processing apparatus, a nozzle cleaning method, and a nozzle cleaning apparatus.

従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して処理液を供給することによって基板を処理する基板処理装置が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus that processes a substrate by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate is known.

この種の基板処理装置においては、処理液を吐出するノズル自体に吐出した後の処理液が付着するおそれがあり、かかる処理液が汚染物質となってノズルに残存するおそれがある。このような状態で基板処理を行うと、ノズルに付着した汚染物質が基板に飛散して基板が汚損されるおそれがある。このため、基板処理装置には、ノズルの洗浄装置が設けられる場合がある。 In this type of substrate processing apparatus, there is a possibility that the processing liquid after being discharged onto the nozzle itself for discharging the processing liquid may adhere, and such a processing liquid may become a contaminant and remain on the nozzle. When the substrate processing is performed in such a state, there is a possibility that the contaminants attached to the nozzles are scattered on the substrate and the substrate is soiled. For this reason, the substrate processing apparatus may be provided with a nozzle cleaning device.

たとえば特許文献１には、洗浄液を貯留する貯留槽と、貯留槽からオーバーフローした洗浄液を排出するオーバーフロー排出部とを備えるノズル洗浄装置が開示されている。かかるノズル洗浄装置によれば、洗浄液をオーバーフローさせつつ、貯留槽に貯留された洗浄液にノズルを浸漬させて洗浄することで、ノズルの先端から上部までムラ無く洗浄することができる。 For example, Patent Document 1 discloses a nozzle cleaning device including a storage tank that stores a cleaning liquid and an overflow discharge unit that discharges the cleaning liquid overflowed from the storage tank. According to such a nozzle cleaning device, the nozzle can be cleaned by immersing the nozzle in the cleaning liquid stored in the storage tank while overflowing the cleaning liquid, so that the nozzle can be cleaned uniformly from the tip to the top.

また、特許文献１に記載の基板処理装置は、待機中のノズルを収容するためのノズル待機部を備える。ノズル待機部では、たとえば処理液の劣化を防止するために、待機中のノズルから処理液を排出するダミーディスペンス処理が行われる。 In addition, the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a nozzle standby unit for accommodating a standby nozzle. In the nozzle standby unit, for example, in order to prevent deterioration of the processing liquid, a dummy dispensing process for discharging the processing liquid from the standby nozzle is performed.

特開２０１３−２５１４０９号公報JP 2013-251409 A

しかしながら、特許文献１に記載の技術には、ノズル洗浄装置を含む周辺機器の省スペース化を図るという点でさらなる改善の余地があった。 However, the technique described in Patent Document 1 has room for further improvement in terms of space saving of peripheral devices including a nozzle cleaning device.

実施形態の一態様は、ノズル洗浄装置を含む周辺機器の省スペース化を図ることのできる基板処理装置、ノズル洗浄方法およびノズル洗浄装置を提供することを目的とする。 An object of one embodiment is to provide a substrate processing apparatus, a nozzle cleaning method, and a nozzle cleaning apparatus that can save space in peripheral devices including the nozzle cleaning apparatus.

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、ノズルと、移動機構と、洗浄槽とを備える。ノズルは、基板に処理液を吐出する。移動機構は、ノズルを移動させる。洗浄槽は、ノズルを洗浄液に浸漬させて洗浄する。また、洗浄槽は、貯留領域と、排出路と、供給部とを備える。貯留領域は、洗浄液を貯留する領域である。排出路は、貯留領域に連通して設けられて、貯留領域に貯留された洗浄液を排出する。供給部は、排出路に設けられ、排出路から排出される洗浄液の量を超える量の洗浄液を貯留領域に洗浄液を供給する。 A substrate processing apparatus according to an aspect of an embodiment includes a nozzle, a moving mechanism, and a cleaning tank. The nozzle discharges the processing liquid onto the substrate. The moving mechanism moves the nozzle. The cleaning tank is cleaned by immersing the nozzle in a cleaning solution. The cleaning tank includes a storage region, a discharge path, and a supply unit. The storage area is an area for storing the cleaning liquid. The discharge path is provided in communication with the storage region and discharges the cleaning liquid stored in the storage region. The supply unit is provided in the discharge path, and supplies the cleaning liquid to the storage region with an amount of the cleaning liquid that exceeds the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path.

実施形態の一態様によれば、ノズル洗浄装置を含む周辺機器の省スペース化を図ることができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to save space of peripheral devices including the nozzle cleaning device.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. 図２は、処理ユニットの模式平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the processing unit. 図３は、ノズル洗浄装置の模式側面図である。FIG. 3 is a schematic side view of the nozzle cleaning device. 図４は、ノズル洗浄ユニットの模式正面図である。FIG. 4 is a schematic front view of the nozzle cleaning unit. 図５は、供給部の取り外し方法の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for removing the supply unit. 図６は、供給部の模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the supply unit. 図７は、本体部の模式平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of the main body. 図８は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating an operation example of the nozzle cleaning process. 図９は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an operation example of the nozzle cleaning process. 図１０は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an operation example of the nozzle cleaning process. 図１１は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an operation example of the nozzle cleaning process. 図１２は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an operation example of the nozzle cleaning process. 図１３は、ダミーディスペンス処理の動作例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an operation example of the dummy dispensing process. 図１４は、他の実施形態に係るノズル洗浄装置の構成を示す模式正面図である。FIG. 14 is a schematic front view illustrating a configuration of a nozzle cleaning device according to another embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置、ノズル洗浄方法およびノズル洗浄装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus, a nozzle cleaning method, and a nozzle cleaning apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

＜１．基板処理システムの構成＞
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 <1. Configuration of substrate processing system>
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3. The carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The carry-in / out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of carriers C that accommodate a plurality of substrates, in this embodiment a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state, are placed on the carrier placement unit 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.

＜２．処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について図２を用いて説明する。図２は、処理ユニット１６の模式平面図である。 <2. Configuration of processing unit>
Next, the configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic plan view of the processing unit 16.

図２に示すように、処理ユニット１６は、処理室２１内に、基板保持機構２２と、回収カップ２３と、ノズルユニット２４と、ノズル洗浄装置３０とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a substrate holding mechanism 22, a recovery cup 23, a nozzle unit 24, and a nozzle cleaning device 30 in the processing chamber 21.

基板保持機構２２は、ウェハＷを水平に保持するとともに、保持したウェハＷを鉛直軸まわりに回転させる。回収カップ２３は、基板保持機構２２を取り囲むように配置され、回転に伴う遠心力によってウェハＷの外方へ飛散する処理液を受け止めて回収する。 The substrate holding mechanism 22 holds the wafer W horizontally and rotates the held wafer W around the vertical axis. The recovery cup 23 is disposed so as to surround the substrate holding mechanism 22, and receives and recovers the processing liquid scattered outward of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation.

ノズルユニット２４は、ウェハＷの上方からウェハＷへ向けて処理液を供給する。かかるノズルユニット２４は、ノズルヘッド２４１と、ノズルヘッド２４１を水平に支持するノズルアーム２４２と、ノズルアーム２４２を旋回移動および昇降移動させる移動機構２４３とを備える。 The nozzle unit 24 supplies the processing liquid from above the wafer W toward the wafer W. The nozzle unit 24 includes a nozzle head 241, a nozzle arm 242 that horizontally supports the nozzle head 241, and a moving mechanism 243 that moves the nozzle arm 242 so as to rotate and move up and down.

ノズルヘッド２４１の下部には、ノズル２４４が設けられる。ノズル２４４は、たとえばＤＨＦ（希フッ酸）等の処理液をウェハＷに対して吐出する。 A nozzle 244 is provided below the nozzle head 241. The nozzle 244 discharges a processing liquid such as DHF (dilute hydrofluoric acid) to the wafer W, for example.

ノズル洗浄装置３０は、ノズルユニット２４のノズル２４４を洗浄する装置であり、ウェハＷの外方におけるノズルユニット２４の待機位置に配置される。 The nozzle cleaning device 30 is a device that cleans the nozzles 244 of the nozzle unit 24, and is disposed at a standby position of the nozzle unit 24 outside the wafer W.

＜３．ノズル洗浄装置の構成＞
次に、ノズル洗浄装置３０の構成について図３を参照して説明する。図３は、ノズル洗浄装置３０の模式側面図である。なお、図３では、後述する供給部６３以外の構成を断面で示している。 <3. Configuration of nozzle cleaning device>
Next, the configuration of the nozzle cleaning device 30 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic side view of the nozzle cleaning device 30. In FIG. 3, the configuration other than the supply unit 63 described later is shown in cross section.

図３に示すように、ノズル洗浄装置３０は、ノズル２４４の洗浄を行うノズル洗浄ユニット４０と、洗浄後のノズル２４４を乾燥させるノズル乾燥ユニット５０とを備える。ノズル乾燥ユニット５０は、ノズル洗浄ユニット４０の上部に対して着脱自在に設けられる。 As shown in FIG. 3, the nozzle cleaning device 30 includes a nozzle cleaning unit 40 that cleans the nozzle 244 and a nozzle drying unit 50 that dries the nozzle 244 after cleaning. The nozzle drying unit 50 is detachably provided on the upper part of the nozzle cleaning unit 40.

＜３−１．ノズル洗浄ユニットの構成＞
ノズル洗浄ユニット４０は、洗浄槽６０と、オーバーフロー排出部７０とを備える。洗浄槽６０は、ノズル２４４の洗浄液を貯留する貯留部６１と、貯留部６１に貯留された洗浄液を排出する排出路６２と、貯留部６１に洗浄液を供給する供給部６３とを備える。オーバーフロー排出部７０は、貯留部６１から溢れ出た洗浄液を受けて外部へ排出する。 <3-1. Configuration of nozzle cleaning unit>
The nozzle cleaning unit 40 includes a cleaning tank 60 and an overflow discharge unit 70. The cleaning tank 60 includes a storage unit 61 that stores the cleaning liquid of the nozzle 244, a discharge path 62 that discharges the cleaning liquid stored in the storage unit 61, and a supply unit 63 that supplies the cleaning liquid to the storage unit 61. The overflow discharge unit 70 receives the cleaning liquid overflowing from the storage unit 61 and discharges it to the outside.

ノズル洗浄ユニット４０は、供給部６３から貯留部６１に洗浄液を供給するとともに、所定の水位を超えた洗浄液をオーバーフロー排出部７０へオーバーフローさせながら、貯留部６１に貯留された洗浄液にノズル２４４を浸漬させて洗浄する。 The nozzle cleaning unit 40 supplies the cleaning liquid from the supply section 63 to the storage section 61 and immerses the nozzle 244 in the cleaning liquid stored in the storage section 61 while overflowing the cleaning liquid exceeding a predetermined water level to the overflow discharge section 70. And wash.

これにより、ノズル２４４の先端から上部までムラ無く洗浄することができる。また、貯留部６１から洗浄液をオーバーフローさせることで、ノズル２４４から除去された汚れを貯留部６１に滞留させることなくすぐに排出することができるため、ノズル２４４から除去された汚れがノズル２４４に再付着することを防止することができる。なお、洗浄液としては、常温または所定の温度に加熱した純水を用いることができる。 Thereby, it can wash | clean uniformly from the front-end | tip of the nozzle 244 to the upper part. In addition, by allowing the cleaning liquid to overflow from the reservoir 61, the dirt removed from the nozzle 244 can be immediately discharged without being retained in the reservoir 61, so that the dirt removed from the nozzle 244 is re-applied to the nozzle 244. Adhesion can be prevented. As the cleaning liquid, pure water heated to room temperature or a predetermined temperature can be used.

また、処理ユニット１６では、上述したノズル洗浄処理の他、ダミーディスペンス処理も行われる。ダミーディスペンス処理とは、たとえば処理液の劣化を防止するために、ウェハＷに処理液を吐出していない待機中にノズル２４４から処理液を適宜吐出させる処理である。 Further, in the processing unit 16, in addition to the nozzle cleaning process described above, a dummy dispensing process is also performed. The dummy dispensing process is a process in which the processing liquid is appropriately discharged from the nozzle 244 during standby when the processing liquid is not discharged to the wafer W, for example, in order to prevent deterioration of the processing liquid.

従来の処理ユニットでは、上記ダミーディスペンス処理をノズル洗浄装置とは別に設けられたノズル待機部において行うこととしていた。このため、従来の処理ユニットは、ノズル洗浄装置を含む周辺機器の省スペース化を図るという点でさらなる改善の余地があった。 In the conventional processing unit, the dummy dispensing process is performed in a nozzle standby unit provided separately from the nozzle cleaning device. For this reason, the conventional processing unit has room for further improvement in terms of space saving of peripheral devices including the nozzle cleaning device.

本実施形態に係るノズル洗浄装置３０は、供給部６３の配置や洗浄液の吐出方向等を工夫することで、省スペース化を図りつつ、排出路６２の径を大きくした場合における洗浄液の消費量の増大を抑えることとしている。以下、ノズル洗浄装置３０の具体的な構成について説明する。 The nozzle cleaning device 30 according to the present embodiment devised the arrangement of the supply unit 63, the discharge direction of the cleaning liquid, and the like to reduce the consumption of the cleaning liquid when the diameter of the discharge path 62 is increased while saving space. The increase is to be suppressed. Hereinafter, a specific configuration of the nozzle cleaning device 30 will be described.

貯留部６１は、円筒状の内周面を有する。かかる貯留部６１の内周面の一部には、オーバーフロー口６１１が形成される。 The reservoir 61 has a cylindrical inner peripheral surface. An overflow port 611 is formed in a part of the inner peripheral surface of the storage unit 61.

オーバーフロー口６１１は、案内路７１を介してオーバーフロー排出部７０に接続される。案内路７１は、オーバーフロー口６１１からオーバーフロー排出部７０に向かって斜め下方に傾斜しており、オーバーフロー口６１１から溢れ出る洗浄液をオーバーフロー排出部７０へ案内する。 The overflow port 611 is connected to the overflow discharge unit 70 via the guide path 71. The guide path 71 is inclined obliquely downward from the overflow port 611 toward the overflow discharge unit 70, and guides the cleaning liquid overflowing from the overflow port 611 to the overflow discharge unit 70.

オーバーフロー排出部７０は、排出路６２の下流側（下流側排出路６２２）に接続されており、貯留部６１から案内路７１を介して流入する洗浄液を下流側排出路６２２を介してノズル洗浄装置３０の外部へ排出する。 The overflow discharge section 70 is connected to the downstream side (downstream discharge path 622) of the discharge path 62, and the nozzle cleaning device receives the cleaning liquid flowing from the storage section 61 via the guide path 71 via the downstream discharge path 622. 30 to the outside.

排出路６２は、貯留部６１に貯留された洗浄液を排出する。排出路６２は、円筒状の内周面を有し、貯留部６１の底部に設けられる。 The discharge path 62 discharges the cleaning liquid stored in the storage unit 61. The discharge path 62 has a cylindrical inner peripheral surface and is provided at the bottom of the storage portion 61.

排出路６２の内径ｄ２は、ノズル２４４の内径ｄ１よりも大きく形成される。これにより、後述するダミーディスペンス処理において、ノズル２４４から吐出される処理液を、貯留部６１に接触させることなく直接排出路６２へ流入させることができる。 An inner diameter d2 of the discharge path 62 is formed larger than an inner diameter d1 of the nozzle 244. Thereby, in the dummy dispensing process described later, the processing liquid discharged from the nozzle 244 can be directly flowed into the discharge path 62 without being brought into contact with the storage unit 61.

また、排出路６２は、貯留部６１に接続される上流側排出路６２１と、上流側排出路６２１の下方に配置される下流側排出路６２２とに分離される。 Further, the discharge path 62 is separated into an upstream discharge path 621 connected to the storage section 61 and a downstream discharge path 622 disposed below the upstream discharge path 621.

供給部６３は、排出路６２に設けられる。具体的には、供給部６３は、上流側排出路６２１と下流側排出路６２２との間に配置されて、排出路６２の一部を成す。 The supply unit 63 is provided in the discharge path 62. Specifically, the supply unit 63 is disposed between the upstream discharge path 621 and the downstream discharge path 622 and forms part of the discharge path 62.

供給部６３は、排出路６２から排出される洗浄液の量を超える量の洗浄液を吐出口１１２から排出路６２に吐出することによって貯留部６１に洗浄液を供給する。貯留部６１に供給された洗浄液は、貯留部６１の内壁に沿って旋回する。旋回する洗浄液の一部は自重により排出路６２へ落下するが、旋回する洗浄液のほとんどは、吐出口１１２から供給された直後の洗浄液の液流によって落下が妨げられ、排出路６２へ落下し難い状態となる。この結果、洗浄液は、上流側排出路６２１の上部から貯留部６１にかけての領域（後述する貯留領域６９）に貯留される。 The supply unit 63 supplies the cleaning liquid to the storage unit 61 by discharging the cleaning liquid exceeding the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path 62 from the discharge port 112 to the discharge path 62. The cleaning liquid supplied to the storage unit 61 swirls along the inner wall of the storage unit 61. A part of the swirling cleaning liquid falls to the discharge path 62 due to its own weight, but most of the swirling cleaning liquid is prevented from falling by the liquid flow of the cleaning liquid immediately after being supplied from the discharge port 112, and hardly falls to the discharge path 62. It becomes a state. As a result, the cleaning liquid is stored in a region (a storage region 69 described later) extending from the upper part of the upstream discharge path 621 to the storage unit 61.

ここで、供給部６３は、洗浄液を斜め上方に向けて吐出する。このように、本実施形態に係る供給部６３は、排出路６２に配置され、排出路６２から斜め上方に向けて洗浄液を吐出する。これにより、供給部６３は、貯留部６１に洗浄液を供給しつつ、貯留部６１に貯留された洗浄液の排出路６２への落下を、斜め上方に向けて吐出される洗浄液の水勢によって抑えることができる。したがって、本実施形態に係るノズル洗浄装置３０によれば、排出路６２の内径ｄ２をノズル２４４の内径ｄ１よりも大きくした場合であっても、洗浄液の消費量を抑えることができる。 Here, the supply unit 63 discharges the cleaning liquid obliquely upward. As described above, the supply unit 63 according to the present embodiment is disposed in the discharge path 62 and discharges the cleaning liquid obliquely upward from the discharge path 62. As a result, the supply unit 63 can suppress the drop of the cleaning liquid stored in the storage unit 61 to the discharge path 62 while supplying the cleaning liquid to the storage unit 61 by the water flow of the cleaning liquid discharged obliquely upward. it can. Therefore, according to the nozzle cleaning device 30 according to the present embodiment, even when the inner diameter d2 of the discharge passage 62 is larger than the inner diameter d1 of the nozzle 244, the consumption of the cleaning liquid can be suppressed.

また、ノズル２４４が洗浄液に浸漬された際に、ノズル２４４の先端面に空気溜まりが形成されると、ノズル２４４の先端面に洗浄液が到達しなくなる。供給部６３は、ノズル２４４よりも下方から貯留部６１に対して洗浄液を供給するため、洗浄液は、最初にノズル２４４の先端面に到達する。したがって、空気溜まりによるノズル２４４の洗浄残りを防止することができる。 In addition, when the nozzle 244 is immersed in the cleaning liquid and an air pool is formed on the front end surface of the nozzle 244, the cleaning liquid does not reach the front end surface of the nozzle 244. Since the supply unit 63 supplies the cleaning liquid to the storage unit 61 from below the nozzle 244, the cleaning liquid first reaches the tip surface of the nozzle 244. Therefore, the remaining cleaning of the nozzle 244 due to air accumulation can be prevented.

供給部６３は、ノズル洗浄ユニット４０に対して着脱自在に設けられる。かかる点について、図４および図５を参照して説明する。図４は、ノズル洗浄ユニット４０の模式正面図である。また、図５は、供給部６３の取り外し方法の説明図である。なお、図４には、後述する蓋部６４３が取り外された状態のノズル洗浄ユニット４０を示している。 The supply unit 63 is detachably provided to the nozzle cleaning unit 40. This point will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 4 is a schematic front view of the nozzle cleaning unit 40. FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for removing the supply unit 63. FIG. 4 shows the nozzle cleaning unit 40 in a state in which a lid portion 643 described later is removed.

図４および図５に示すように、ノズル洗浄ユニット４０には、ノズル洗浄ユニット４０の側面から上流側排出路６２１と下流側排出路６２２との間に向かって水平に延びる通路６４が形成されている。また、ノズル洗浄ユニット４０は、上記通路６４の開口を塞ぐ蓋部６４３を備える。 As shown in FIGS. 4 and 5, the nozzle cleaning unit 40 is formed with a passage 64 extending horizontally from the side surface of the nozzle cleaning unit 40 between the upstream discharge passage 621 and the downstream discharge passage 622. Yes. The nozzle cleaning unit 40 includes a lid portion 643 that closes the opening of the passage 64.

通路６４の上部および下部には、通路６４に沿ってそれぞれ第１溝部６４１および第２溝部６４２が形成されている。供給部６３は、第１溝部６４１に嵌合し、第１溝部６４１に沿って摺動可能な第１ガイド体１２０と、第２溝部６４２に嵌合し、第２溝部６４２に沿って摺動可能な第２ガイド体１３０とを備える。供給部６３は、これら第１ガイド体１２０および第２ガイド体１３０を第１溝部６４１および第２溝部６４２にそれぞれ嵌合させることで、第１溝部６４１および第２溝部６４２に沿って通路６４の内部を移動することができる。 A first groove portion 641 and a second groove portion 642 are formed along the passage 64 at the upper and lower portions of the passage 64, respectively. The supply part 63 is fitted in the first groove part 641, is fitted in the first guide body 120 slidable along the first groove part 641, and the second groove part 642, and is slid along the second groove part 642. A possible second guide body 130. The supply unit 63 fits the first guide body 120 and the second guide body 130 into the first groove portion 641 and the second groove portion 642, respectively, so that the passage 64 is formed along the first groove portion 641 and the second groove portion 642. Can move inside.

たとえば、図５に示すように、蓋部６４３をノズル洗浄ユニット４０から取り外した後、供給部６３を第１溝部６４１および第２溝部６４２に沿って引き出すことで、ノズル洗浄ユニット４０から供給部６３を容易に取り外すことができる。供給部６３の取り付けは、上記と逆の手順で行われる。 For example, as shown in FIG. 5, after removing the lid portion 643 from the nozzle cleaning unit 40, the supply portion 63 is pulled out along the first groove portion 641 and the second groove portion 642, thereby providing the supply portion 63 from the nozzle cleaning unit 40. Can be easily removed. Attachment of the supply part 63 is performed in the reverse procedure to the above.

このように、供給部６３をノズル洗浄ユニット４０に対して着脱自在な構成とすることで、たとえばノズルの形状や処理液の種類に応じて、供給部６３を吐出口１１２の径や個数が異なる他の供給部に取り替えることができる。したがって、ノズル洗浄ユニット４０の汎用性を高めることができる。 As described above, the supply unit 63 is configured to be detachable from the nozzle cleaning unit 40, so that the supply unit 63 has different diameters and the number of the discharge ports 112 depending on, for example, the shape of the nozzle and the type of the processing liquid. Can be replaced with other supply parts. Therefore, the versatility of the nozzle cleaning unit 40 can be improved.

図４に示すように、通路６４には、洗浄液の供給路６５が接続される。供給路６５は、配管６６を介して洗浄液供給源６８に接続される。そして、供給路６５は、洗浄液供給源６８から供給される洗浄液を蓋部６４３によって塞がれた通路６４の内部に供給する。なお、配管６６には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群６７が設けられる。供給機器群６７は、制御部１８の制御に従って、配管６６を流れる洗浄液の流量を制御する。 As shown in FIG. 4, a cleaning liquid supply path 65 is connected to the path 64. The supply path 65 is connected to a cleaning liquid supply source 68 via a pipe 66. The supply path 65 supplies the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 68 to the inside of the path 64 closed by the lid portion 643. The piping 66 is provided with a supply device group 67 including a valve, a flow rate adjusting unit, and the like. The supply device group 67 controls the flow rate of the cleaning liquid flowing through the pipe 66 according to the control of the control unit 18.

供給部６３が備える吐出口１１２は、供給部６３の内側と外側とにそれぞれ開口を有する貫通口であり、通路６４の内部に供給された洗浄液を外側の開口から流入させて、内側の開口から排出路６２の内部へ吐出する。 The discharge port 112 provided in the supply unit 63 is a through-hole having openings on the inner side and the outer side of the supply unit 63, respectively, and allows the cleaning liquid supplied to the inside of the passage 64 to flow from the outer opening, and from the inner opening. Discharge into the discharge path 62.

このように、本実施形態に係るノズル洗浄ユニット４０は、供給路６５から供給される洗浄液が通路６４を介して間接的に供給部６３へ供給される構成を有する。かかる構成とすることにより、たとえば供給部６３に供給路６５を直接接続し、供給路６５から供給部６３に対して洗浄液を直接供給する場合と比較して、供給部６３の着脱を容易に行う事ができる。 As described above, the nozzle cleaning unit 40 according to the present embodiment has a configuration in which the cleaning liquid supplied from the supply path 65 is indirectly supplied to the supply unit 63 via the path 64. With this configuration, for example, the supply unit 63 can be easily attached and detached as compared to the case where the supply channel 65 is directly connected to the supply unit 63 and the cleaning liquid is directly supplied from the supply channel 65 to the supply unit 63. I can do things.

＜３−２．ノズル乾燥ユニットの構成＞
図３に示すように、ノズル乾燥ユニット５０は、ノズル洗浄ユニット４０の上部に設けられる。ノズル乾燥ユニット５０は、貯留部６１に対応する位置に開口を備えており、かかる開口の両側に、気体噴出口５１を備える。なお、気体噴出口５１は、上記開口の両側に対してたとえば２個ずつ設けられる。 <3-2. Configuration of nozzle drying unit>
As shown in FIG. 3, the nozzle drying unit 50 is provided on the upper part of the nozzle cleaning unit 40. The nozzle drying unit 50 includes an opening at a position corresponding to the storage unit 61, and includes gas jets 51 on both sides of the opening. For example, two gas outlets 51 are provided on both sides of the opening.

各気体噴出口５１は、配管５２を介して気体供給源５４に接続される。そして、気体噴出口５１は、気体供給源５４から供給されるＮ２ガスやドライエア等の気体をノズル２４４へ向けて吐出する。なお、配管５２には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群５３が設けられる。供給機器群５３は、制御部１８の制御に従って、配管５２を流れる気体の流量を制御する。 Each gas ejection port 51 is connected to a gas supply source 54 via a pipe 52. The gas ejection port 51 discharges a gas such as N 2 gas or dry air supplied from the gas supply source 54 toward the nozzle 244. The piping 52 is provided with a supply device group 53 including a valve, a flow rate adjusting unit, and the like. The supply device group 53 controls the flow rate of the gas flowing through the pipe 52 according to the control of the control unit 18.

なお、図３に示すように、オーバーフロー口６１１、案内路７１およびオーバーフロー排出部７０の上部は、ノズル乾燥ユニット５０によって塞がれた状態となる。これにより、洗浄液がノズル洗浄装置３０の外部へ飛散することを抑制することができる。 As shown in FIG. 3, the upper portions of the overflow port 611, the guide path 71, and the overflow discharge unit 70 are closed by the nozzle drying unit 50. Thereby, it is possible to suppress the cleaning liquid from being scattered outside the nozzle cleaning device 30.

＜４．供給部の内部構造＞
次に、供給部６３の内部構造について図６を参照して説明する。図６は、供給部６３の模式断面図である。 <4. Internal structure of supply section>
Next, the internal structure of the supply unit 63 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the supply unit 63.

図６に示すように、供給部６３は、本体部１１０と、第１ガイド体１２０と、第２ガイド体１３０とを備える。第１ガイド体１２０および第２ガイド体１３０は、本体部１１０と別部材であり、第１ガイド体１２０は本体部１１０の上部に、第２ガイド体１３０は本体部１１０の下部に、それぞれ取り付けられる。 As shown in FIG. 6, the supply unit 63 includes a main body 110, a first guide body 120, and a second guide body 130. The first guide body 120 and the second guide body 130 are separate members from the main body portion 110, and the first guide body 120 is attached to the upper portion of the main body portion 110, and the second guide body 130 is attached to the lower portion of the main body portion 110. It is done.

本体部１１０、第１ガイド体１２０および第２ガイド体１３０は、いずれも上下方向に開口する開口部１１１，１２１，１３１を有する。これらの開口部１１１，１２１，１３１は、本体部１１０に第１ガイド体１２０および第２ガイド体１３０が取り付けられた状態において、第１ガイド体１２０の上部から第２ガイド体１３０の下部まで連通する一つの流路を形成する。この流路は、供給部６３がノズル洗浄ユニット４０に取り付けられた状態において、排出路６２の一部を成す。すなわち、供給部６３は、上流側排出路６２１と下流側排出路６２２とを接続する流路を形成する。 The main body 110, the first guide body 120, and the second guide body 130 all have openings 111, 121, 131 that open in the vertical direction. These openings 111, 121, 131 communicate from the upper part of the first guide body 120 to the lower part of the second guide body 130 when the first guide body 120 and the second guide body 130 are attached to the main body 110. One flow path is formed. This flow path forms part of the discharge path 62 in a state where the supply unit 63 is attached to the nozzle cleaning unit 40. That is, the supply unit 63 forms a flow path that connects the upstream discharge path 621 and the downstream discharge path 622.

吐出口１１２は、本体部１１０に形成される。上述したように、吐出口１１２は、本体部１１０の内側と外側とにそれぞれ開口を有する貫通口であり、外側の開口から流入する洗浄液を内側の開口から斜め上方に向けて吐出する。 The discharge port 112 is formed in the main body 110. As described above, the discharge port 112 is a through-hole having openings on the inner side and the outer side of the main body 110, and discharges the cleaning liquid flowing from the outer opening toward the diagonally upward direction from the inner opening.

図７は、本体部１１０の模式平面図である。図７に示すように、本体部１１０には、複数（ここでは、４個）の吐出口１１２が形成される。複数の吐出口１１２は、本体部１１０に対して等間隔で形成される。 FIG. 7 is a schematic plan view of the main body 110. As shown in FIG. 7, a plurality of (here, four) discharge ports 112 are formed in the main body 110. The plurality of discharge ports 112 are formed at regular intervals with respect to the main body 110.

複数の吐出口１１２の各々は、排出路６２の中心軸Ｏからずれた位置に向けて洗浄液を吐出する。また、吐出口１１２の各々は、洗浄液を斜め上方へ向けて吐出する。これにより、貯留部６１の内壁に衝突した洗浄液は、貯留部６１に洗浄液の旋回流を形成しつつ上流側排出路６２１の上部から貯留部６１にかけての領域（後述する貯留領域６９）に貯留される。 Each of the plurality of discharge ports 112 discharges the cleaning liquid toward a position shifted from the central axis O of the discharge path 62. Further, each of the discharge ports 112 discharges the cleaning liquid obliquely upward. As a result, the cleaning liquid that has collided with the inner wall of the storage section 61 is stored in a region (a storage area 69 described later) extending from the upper part of the upstream discharge path 621 to the storage section 61 while forming a swirling flow of the cleaning liquid in the storage section 61. The

洗浄液を吐出する斜め上方の角度は、３０°以上６０°未満が好ましく、４５°がより好ましい。これは、６０°を超えると、洗浄液がノズル洗浄装置３０の外部へ飛散し、３０°を下回ると、貯留部６１に洗浄液を貯留するために洗浄液の流量を多くする必要があるためである。 The obliquely upward angle at which the cleaning liquid is discharged is preferably 30 ° or more and less than 60 °, and more preferably 45 °. This is because the cleaning liquid scatters to the outside of the nozzle cleaning device 30 when the angle exceeds 60 °, and the flow rate of the cleaning liquid needs to be increased in order to store the cleaning liquid in the storage unit 61 when the angle is less than 30 °.

なお、吐出口１１２の個数は、４個に限定されない。上述したように、供給部６３は、ノズル洗浄ユニット４０に対して着脱自在であり、吐出口１１２の個数の異なる他の供給部に交換することが可能である。 The number of discharge ports 112 is not limited to four. As described above, the supply unit 63 is detachable from the nozzle cleaning unit 40 and can be replaced with another supply unit having a different number of discharge ports 112.

図６に示すように、第１ガイド体１２０の内周面には、排出路６２の径方向内側に向かって張り出す庇部１２２が形成されている。吐出口１１２は、かかる庇部１２２の下方に配置される。 As shown in FIG. 6, a flange 122 is formed on the inner peripheral surface of the first guide body 120 so as to project toward the radially inner side of the discharge path 62. The discharge port 112 is disposed below the flange 122.

このように、吐出口１１２の上方に庇部１２２を設けることで、後述するダミーディスペンス処理において、ノズル２４４の位置がずれるなどして、ノズル２４４から吐出される処理液が排出路６２の内周面を伝って流れ落ちたとしても、かかる処理液が吐出口１１２の内部に浸入することを防止することができる。 As described above, by providing the flange 122 above the discharge port 112, the processing liquid discharged from the nozzle 244 is discharged from the inner periphery of the discharge path 62 due to the position of the nozzle 244 being shifted in a dummy dispensing process described later. Even if the liquid flows down along the surface, the treatment liquid can be prevented from entering the discharge port 112.

なお、庇部１２２の最小内径は、ノズル２４４の内径ｄ１（図３参照）よりも大きく形成することが好ましい。このようにすることで、ノズル２４４から吐出される処理液が庇部１２２に直接かかることを防止することができる。 The minimum inner diameter of the flange 122 is preferably formed larger than the inner diameter d1 of the nozzle 244 (see FIG. 3). By doing in this way, it can prevent that the process liquid discharged from the nozzle 244 directly applies to the collar part 122. FIG.

庇部１２２の上部には、排出路６２の径方向内側に向かって斜め下方に傾斜する傾斜部１２３が形成される。かかる傾斜部１２３を設けることにより、庇部１２２の上部を平坦面とした場合と比べて、洗浄液の旋回流を形成し易くすることができる。また、洗浄液の落下の時間を遅らせることができるため、貯留部６１に洗浄液を貯留するために使用される洗浄液の量を抑えることが可能となる。 An inclined portion 123 that is inclined obliquely downward toward the radially inner side of the discharge path 62 is formed on the upper portion of the flange portion 122. By providing the inclined portion 123, it is possible to easily form a swirling flow of the cleaning liquid as compared with the case where the upper portion of the flange portion 122 is a flat surface. In addition, since the time for dropping the cleaning liquid can be delayed, the amount of the cleaning liquid used for storing the cleaning liquid in the storage unit 61 can be suppressed.

また、庇部１２２の下部には、排出路６２の径方向内側に向かって斜め下方に傾斜する返し部１２４が形成される。かかる返し部１２４を設けることにより、庇部１２２を伝って流れ落ちる処理液は本体部１１０へ到達し難くなる。したがって、吐出口１１２の内部への処理液の浸入をより確実に防止することができる。 A return portion 124 that is inclined obliquely downward toward the radially inner side of the discharge path 62 is formed at the lower portion of the flange portion 122. By providing the return portion 124, the processing liquid that flows down along the flange portion 122 becomes difficult to reach the main body portion 110. Therefore, it is possible to more reliably prevent the processing liquid from entering the discharge port 112.

なお、庇部１２２の下部は、下方に向かって突出した凸部となっている。かかる凸部を本体部１１０の開口部１１１に嵌め合わせることで、第１ガイド体１２０は、本体部１１０に位置決めされる。 In addition, the lower part of the collar part 122 becomes the convex part protruded toward the downward direction. The first guide body 120 is positioned on the main body 110 by fitting the convex portion into the opening 111 of the main body 110.

本体部１１０は、吐出口１１２の内周面側の開口よりも下側に、排出路６２の径方向内側に張り出した張出部１１３を備える。かかる張出部１１３を設けることにより、ノズル洗浄処理時に排出路６２から排出される洗浄液の量を少なく抑えることができる。 The main body 110 includes a protruding portion 113 that protrudes radially inward of the discharge path 62 below the opening on the inner peripheral surface side of the discharge port 112. By providing the overhang portion 113, the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path 62 during the nozzle cleaning process can be reduced.

張出部１１３の下部には、下方に向かって突出する凸部１１４が形成されている。また、第２ガイド体１３０の上面には、開口部１３１の周囲に沿って凹部１３２が形成されている。第２ガイド体１３０は、本体部１１０の凸部１１４に凹部１３２を嵌め合わせることで本体部１１０に位置決めされる。 A projecting portion 114 that protrudes downward is formed at the lower portion of the overhang portion 113. A recess 132 is formed on the upper surface of the second guide body 130 along the periphery of the opening 131. The second guide body 130 is positioned on the main body portion 110 by fitting the concave portion 132 to the convex portion 114 of the main body portion 110.

＜５．ノズル洗浄装置の具体的動作＞
次に、ノズル洗浄装置３０の具体的動作について図８〜図１３を参照して説明する。図８〜図１２は、ノズル洗浄処理の動作例を示す図である。図１３は、ダミーディスペンス処理の動作例を示す図である。 <5. Specific operation of the nozzle cleaning device>
Next, a specific operation of the nozzle cleaning device 30 will be described with reference to FIGS. 8-12 is a figure which shows the operation example of a nozzle cleaning process. FIG. 13 is a diagram illustrating an operation example of the dummy dispensing process.

なお、ノズル洗浄装置３０を含む処理ユニット１６は、制御装置４が備える制御部１８によって制御される。制御部１８は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部１９に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することによって処理ユニット１６の動作を制御する。なお、制御部１８は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。 The processing unit 16 including the nozzle cleaning device 30 is controlled by the control unit 18 provided in the control device 4. The control unit 18 is, for example, a CPU (Central Processing Unit), and controls the operation of the processing unit 16 by reading and executing a program (not shown) stored in the storage unit 19. In addition, the control part 18 may be comprised only with hardware, without using a program.

また、図８〜図１３に示す一連の処理は、たとえばロットごとに行われるものとするが、これに限らず、１枚のウェハＷに対する基板処理を終えるごとに行われてもよい。 8 to 13 is performed for each lot, for example. However, the present invention is not limited to this, and may be performed every time the substrate processing for one wafer W is completed.

＜５−１．ノズル洗浄処理＞
まず、制御部１８（図１参照）は、移動機構２４３（図２参照）を制御してノズルヘッド２４１をウェハＷ上からノズル洗浄装置３０へ移動させて、図８に示すように、ノズル２４４を貯留部６１内に配置させる。 <5-1. Nozzle cleaning process>
First, the control unit 18 (see FIG. 1) controls the moving mechanism 243 (see FIG. 2) to move the nozzle head 241 from the wafer W to the nozzle cleaning device 30, and as shown in FIG. Is placed in the reservoir 61.

つづいて、制御部１８は、供給機器群６７を制御して、洗浄液供給源６８から貯留部６１内に洗浄液を供給する。上述したように、洗浄液は、まず、供給路６５を通って通路６４の内部に供給される。その後、洗浄液は、供給部６３に形成された吐出口１１２へ流入し、吐出口１１２から排出路６２の内部に吐出される。 Subsequently, the control unit 18 controls the supply device group 67 to supply the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 68 into the storage unit 61. As described above, the cleaning liquid is first supplied into the passage 64 through the supply passage 65. Thereafter, the cleaning liquid flows into the discharge port 112 formed in the supply unit 63 and is discharged from the discharge port 112 into the discharge path 62.

吐出口１１２は、洗浄液を斜め上方に向けて吐出する。これにより、上述したように、排出路６２の内径ｄ２をノズル２４４の内径ｄ１よりも大きくした場合であっても、洗浄液の消費量を抑えることができる。 The discharge port 112 discharges the cleaning liquid obliquely upward. Thereby, as described above, even when the inner diameter d2 of the discharge passage 62 is larger than the inner diameter d1 of the nozzle 244, the consumption of the cleaning liquid can be suppressed.

吐出口１１２から排出路６２の内部に洗浄液が吐出されることにより、図９に示すように、貯留部６１内に洗浄液が貯留され、貯留部６１内に配置されたノズル２４４が洗浄液に浸漬される。 As the cleaning liquid is discharged from the discharge port 112 into the discharge path 62, the cleaning liquid is stored in the storage unit 61, and the nozzle 244 disposed in the storage unit 61 is immersed in the cleaning liquid, as shown in FIG. The

このように、ノズル洗浄装置３０は、貯留部６１内に貯留された洗浄液にノズル２４４を浸漬させることによってノズル２４４を洗浄する。これにより、ノズル２４４の先端部から上部までをムラ無く洗浄することができる。また、貯留部６１内には洗浄液の旋回流が形成されるため、かかる旋回流により、ノズル２４４の洗浄力を高めることができる。 Thus, the nozzle cleaning device 30 cleans the nozzle 244 by immersing the nozzle 244 in the cleaning liquid stored in the storage unit 61. Thereby, it can wash | clean from the front-end | tip part to the upper part of the nozzle 244 uniformly. In addition, since the swirling flow of the cleaning liquid is formed in the storage unit 61, the cleaning power of the nozzle 244 can be increased by the swirling flow.

貯留部６１の内部においてオーバーフロー口６１１まで達した洗浄液は、オーバーフロー口６１１からオーバーフロー排出部７０へオーバーフローし、オーバーフロー排出部７０から下流側排出路６２２を経由してノズル洗浄装置３０の外部へ排出される。 The cleaning liquid that has reached the overflow port 611 inside the storage unit 61 overflows from the overflow port 611 to the overflow discharge unit 70, and is discharged from the overflow discharge unit 70 to the outside of the nozzle cleaning device 30 via the downstream discharge path 622. The

このように、洗浄液をオーバーフローさせながらノズル２４４の浸漬洗浄を行うことで、ノズル２４４から除去された汚れを貯留部６１からすぐに排出することができるため、ノズル２４４への汚れの再付着を防止することができる。 In this way, by performing immersion cleaning of the nozzle 244 while overflowing the cleaning liquid, the dirt removed from the nozzle 244 can be immediately discharged from the storage unit 61, thus preventing re-adherence of dirt to the nozzle 244. can do.

図１０に示すように、吐出口１１２から吐出された洗浄液は、上流側排出路６２１の上部から貯留部６１にかけての領域に貯留される。このように、本実施形態においては、上流側排出路６２１の上部から貯留部６１にかけての領域が、洗浄液を貯留する貯留領域６９の一例に相当する。 As shown in FIG. 10, the cleaning liquid discharged from the discharge port 112 is stored in a region from the upper part of the upstream discharge path 621 to the storage unit 61. Thus, in this embodiment, the area | region from the upper part of the upstream discharge path 621 to the storage part 61 is equivalent to an example of the storage area | region 69 which stores a washing | cleaning liquid.

なお、貯留領域６９は、自重により落下しようとする洗浄液が、吐出口１１２から吐出された直後の洗浄液の勢いによって保持される位置（図１０における矢印の先端の位置）よりも上方の領域である。本実施形態では、上流側排出路６２１の上部および貯留部６１を貯留領域６９としたが、ノズル洗浄装置３０が貯留部６１を備えない場合、すなわち、上流側排出路６２１がノズル洗浄装置３０の上端まで延在している場合には、上流側排出路６２１のみが貯留領域６９に相当することとなる。 The storage area 69 is an area above the position (the position of the tip of the arrow in FIG. 10) where the cleaning liquid about to fall due to its own weight is held by the momentum of the cleaning liquid immediately after being discharged from the discharge port 112. . In the present embodiment, the upper part of the upstream discharge path 621 and the storage part 61 are set as the storage area 69, but when the nozzle cleaning device 30 does not include the storage part 61, that is, the upstream discharge path 621 is not connected to the nozzle cleaning apparatus 30. When extending to the upper end, only the upstream discharge path 621 corresponds to the storage area 69.

つづいて、制御部１８は、供給機器群６７を制御して、洗浄液供給源６８からノズル洗浄装置３０への洗浄液の供給を停止する。これにより、図１１に示すように、貯留部６１に貯留された洗浄液は、排出路６２からノズル洗浄装置３０の外部へ排出される。 Subsequently, the control unit 18 controls the supply device group 67 to stop the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 68 to the nozzle cleaning device 30. As a result, as shown in FIG. 11, the cleaning liquid stored in the storage unit 61 is discharged from the discharge path 62 to the outside of the nozzle cleaning device 30.

つづいて、制御部１８は、供給機器群５３を制御して、気体供給源５４から気体噴出口５１への気体の供給を開始する。また、制御部１８は、移動機構２４３を制御してノズル２４４を上昇および降下させる（図１２参照）。これにより、ノズル２４４に残存する洗浄液が気体噴出口５１から吐出される気体によって除去あるいは気化されて、ノズル２４４が乾燥する。 Subsequently, the control unit 18 controls the supply device group 53 to start supplying gas from the gas supply source 54 to the gas ejection port 51. Further, the control unit 18 controls the moving mechanism 243 to raise and lower the nozzle 244 (see FIG. 12). Thereby, the cleaning liquid remaining in the nozzle 244 is removed or vaporized by the gas discharged from the gas ejection port 51, and the nozzle 244 is dried.

なお、ノズル２４４に残存する洗浄液の一部が、気体噴出口５１から噴出される気体によってノズル２４４の内部に入り込んだとしても、かかる洗浄液は、つづいて行われるダミーディスペンス処理によってノズル２４４から排出される。 Even if a part of the cleaning liquid remaining in the nozzle 244 enters the inside of the nozzle 244 by the gas ejected from the gas ejection port 51, the cleaning liquid is discharged from the nozzle 244 by the subsequent dummy dispensing process. The

＜５−２．ダミーディスペンス処理＞
つづいて、制御部１８は、ノズル２４４から処理液を所定時間吐出させる。ノズル２４４から吐出された処理液は、排出路６２からノズル洗浄装置３０の外部に排出される。 <5-2. Dummy dispensing process>
Subsequently, the control unit 18 discharges the processing liquid from the nozzle 244 for a predetermined time. The treatment liquid discharged from the nozzle 244 is discharged from the discharge path 62 to the outside of the nozzle cleaning device 30.

ノズル洗浄装置３０が備える排出路６２の内径ｄ２は、ノズル２４４の内径ｄ１よりも大きく形成されている。このため、ノズル２４４から吐出される処理液を貯留部６１等に滞留させることなく短時間で排出することができる。 An inner diameter d2 of the discharge path 62 provided in the nozzle cleaning device 30 is formed larger than an inner diameter d1 of the nozzle 244. For this reason, the processing liquid discharged from the nozzle 244 can be discharged in a short time without being retained in the storage unit 61 or the like.

また、排出路６２の内径ｄ２をノズル２４４の内径ｄ１よりも大きくすることで、ノズル２４４から吐出される処理液が、貯留部６１に付着し難くなるため、処理液による貯留部６１の汚染を抑制することができる。 Further, by making the inner diameter d2 of the discharge passage 62 larger than the inner diameter d1 of the nozzle 244, the processing liquid discharged from the nozzle 244 becomes difficult to adhere to the storage section 61, so that the storage section 61 is contaminated by the processing liquid. Can be suppressed.

また、吐出口１１２の上方には庇部１２２が設けられている（図６参照）。このため、仮に、ノズル２４４から吐出される処理液が排出路６２に付着したとしても、処理液の吐出口１１２への浸入を抑制することができる。 In addition, a flange 122 is provided above the discharge port 112 (see FIG. 6). For this reason, even if the processing liquid discharged from the nozzle 244 adheres to the discharge path 62, the intrusion of the processing liquid into the discharge port 112 can be suppressed.

このように、本実施形態に係るノズル洗浄装置３０では、ノズル洗浄処理およびダミーディスペンス処理の両方をノズル洗浄ユニット４０を用いて行うこととした。これにより、ダミーディスペンス処理を行うための装置を処理ユニット１６に別途設ける必要がなくなるため、ノズル洗浄装置３０の小型化を図ることができる。 Thus, in the nozzle cleaning apparatus 30 according to the present embodiment, both the nozzle cleaning process and the dummy dispensing process are performed using the nozzle cleaning unit 40. Accordingly, it is not necessary to separately provide a device for performing the dummy dispensing process in the processing unit 16, and thus the nozzle cleaning device 30 can be reduced in size.

また、ノズル洗浄処理およびダミーディスペンス処理を同一の場所で行うことで、ノズル洗浄処理からダミーディスペンス処理移動へ移行する際に、ノズル２４４を移動させる必要がなくなるため、ノズル洗浄処理およびダミーディスペンス処理に要する時間を短縮することができる。 In addition, since the nozzle cleaning process and the dummy dispensing process are performed in the same place, it is not necessary to move the nozzle 244 when moving from the nozzle cleaning process to the dummy dispensing process, so that the nozzle cleaning process and the dummy dispensing process can be performed. The time required can be shortened.

なお、ここでは、ノズル洗浄処理に引き続きダミーディスペンス処理を行う場合の例について説明したが、ダミーディスペンス処理は、必ずしもノズル洗浄処理を終えるごとに実行されることを要しない。たとえば、ダミーディスペンス処理は、所定の条件（たとえば、前回のダミーディスペンス処理からの経過時間など）を満たした場合に実行されるようにしてもよい。 Here, an example in which the dummy dispensing process is performed following the nozzle cleaning process has been described, but the dummy dispensing process does not necessarily have to be executed every time the nozzle cleaning process is completed. For example, the dummy dispensing process may be executed when a predetermined condition (for example, an elapsed time from the previous dummy dispensing process) is satisfied.

上述してきたように、本実施形態に係る処理ユニット１６は、ノズル２４４と、移動機構２４３と、洗浄槽６０とを備える。ノズル２４４は、ウェハＷに処理液を吐出する。移動機構２４３は、ノズル２４４を移動させる。洗浄槽６０は、ノズル２４４を洗浄液に浸漬させて洗浄する。また、洗浄槽６０は、貯留領域６９と、排出路６２と、供給部６３とを備える。貯留領域６９は、洗浄液を貯留する領域である。排出路６２は、貯留領域６９に連通して設けられて、貯留部６１に貯留された洗浄液を排出する。供給部６３は、排出路６２に設けられ、排出路６２から排出される洗浄液の量を超える量の洗浄液を供給する。したがって、本実施形態に係る処理ユニット１６によれば、ノズル洗浄装置３０を含む周辺機器の省スペース化を図ることができる。 As described above, the processing unit 16 according to this embodiment includes the nozzle 244, the moving mechanism 243, and the cleaning tank 60. The nozzle 244 discharges the processing liquid onto the wafer W. The moving mechanism 243 moves the nozzle 244. The cleaning tank 60 is cleaned by immersing the nozzle 244 in a cleaning solution. The cleaning tank 60 includes a storage region 69, a discharge path 62, and a supply unit 63. The storage area 69 is an area for storing the cleaning liquid. The discharge path 62 is provided in communication with the storage area 69 and discharges the cleaning liquid stored in the storage unit 61. The supply unit 63 is provided in the discharge path 62 and supplies an amount of cleaning liquid that exceeds the amount of cleaning liquid discharged from the discharge path 62. Therefore, according to the processing unit 16 according to the present embodiment, it is possible to save space for peripheral devices including the nozzle cleaning device 30.

ところで、ノズル洗浄装置３０は、ノズル洗浄処理を行う前に、洗浄槽６０自体を洗浄する槽洗浄処理を行ってもよい。 By the way, the nozzle cleaning device 30 may perform a tank cleaning process for cleaning the cleaning tank 60 itself before performing the nozzle cleaning process.

具体的には、槽洗浄処理は、ノズル洗浄処理においてノズル２４４が洗浄槽６０内に配置される前に行われる。この状態において、制御部１８は、まず、供給機器群５３を開放することによって気体噴出口５１から気体を所定時間（たとえば、３０秒間）噴出させる。これにより、気体噴出口５１内にゴミ等が存在している場合には、かかるゴミ等を気体噴出口５１から排出することができる。 Specifically, the tank cleaning process is performed before the nozzle 244 is arranged in the cleaning tank 60 in the nozzle cleaning process. In this state, the control unit 18 first causes the gas to be ejected from the gas ejection port 51 by opening the supply device group 53 for a predetermined time (for example, 30 seconds). Thereby, when dust or the like is present in the gas ejection port 51, the dust or the like can be discharged from the gas ejection port 51.

つづいて、制御部１８は、供給機器群６７を制御して、貯留部６１内に洗浄液を所定時間（たとえば、３０秒間）供給する。これにより、貯留部６１に洗浄液が貯留される。また、オーバーフロー口６１１に達した洗浄液は、オーバーフロー口６１１からオーバーフロー排出部７０へオーバーフローし、オーバーフロー排出部７０からノズル洗浄装置３０の外部へ排出される。そして、ノズル洗浄ユニット４０から洗浄液が全て排出された後、ノズル洗浄処理を開始する。 Subsequently, the control unit 18 controls the supply device group 67 to supply the cleaning liquid into the storage unit 61 for a predetermined time (for example, 30 seconds). As a result, the cleaning liquid is stored in the storage unit 61. The cleaning liquid that has reached the overflow port 611 overflows from the overflow port 611 to the overflow discharge unit 70, and is discharged from the overflow discharge unit 70 to the outside of the nozzle cleaning device 30. Then, after all the cleaning liquid is discharged from the nozzle cleaning unit 40, the nozzle cleaning process is started.

このように、槽洗浄処理を行うことにより、たとえば、前回のノズル洗浄処理においてノズル２４４から除去された汚れが、貯留部６１や気体噴出口５１の内部に残留していたとしても、かかる汚れをノズル洗浄処理前に除去することができる。したがって、その後に行われるノズル洗浄処理において、このような汚れがノズル２４４に付着することを防止することができる。 Thus, by performing the tank cleaning process, for example, even if the dirt removed from the nozzle 244 in the previous nozzle cleaning process remains in the storage unit 61 and the gas outlet 51, the dirt is removed. It can be removed before the nozzle cleaning process. Therefore, it is possible to prevent such dirt from adhering to the nozzles 244 in the nozzle cleaning process performed thereafter.

なお、上述した例では、気体噴出口５１から気体を噴出させた後で、貯留部６１に洗浄液を貯留してオーバーフローさせることとしたが、気体噴出口５１から気体を噴出させる処理は、貯留部６１に洗浄液を貯留してオーバーフローさせる処理の後または前後に行ってもよい。 In the above-described example, after the gas is ejected from the gas ejection port 51, the cleaning liquid is stored and overflowed in the storage unit 61. However, the process of ejecting the gas from the gas ejection port 51 is performed by the storage unit. The cleaning solution may be stored in 61 and overflowed or before or after the processing.

（他の実施形態）
上述した実施形態では、ノズルユニット２４が１つのノズル２４４を備える場合におけるノズル洗浄装置３０の構成の一例について説明した。以下では、ノズルユニットが複数のノズルを備える場合におけるノズル洗浄装置の構成の一例について図１４を参照して説明する。図１４は、他の実施形態に係るノズル洗浄装置の構成を示す模式正面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 (Other embodiments)
In the embodiment described above, an example of the configuration of the nozzle cleaning device 30 when the nozzle unit 24 includes one nozzle 244 has been described. Hereinafter, an example of the configuration of the nozzle cleaning device when the nozzle unit includes a plurality of nozzles will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a schematic front view illustrating a configuration of a nozzle cleaning device according to another embodiment. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.

図１４に示すように、ノズルユニットは、４つのノズル２４４Ａ〜２４４Ｄを備える。ノズル２４４Ａ〜２４４Ｄは、ノズルヘッドに一体的に設けられており、移動機構によって一体的に移動する。なお、ノズル２４４Ｄは、ノズル２４４Ａ〜２４４Ｃよりも大きい径を有するものとする。 As shown in FIG. 14, the nozzle unit includes four nozzles 244A to 244D. The nozzles 244A to 244D are provided integrally with the nozzle head, and move integrally with the moving mechanism. The nozzle 244D has a larger diameter than the nozzles 244A to 244C.

ノズル洗浄装置３０Ａは、ノズル洗浄ユニット４０Ａと、ノズル乾燥ユニット５０Ａとを備える。ノズル洗浄ユニット４０Ａは、各ノズル２４４Ａ〜２４４Ｄに対応する４つの洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄを備える。また、ノズル乾燥ユニット５０Ａは、洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄに対応する位置に、それぞれ気体噴出口５１Ａ〜５１Ｄを備える。 The nozzle cleaning device 30A includes a nozzle cleaning unit 40A and a nozzle drying unit 50A. The nozzle cleaning unit 40A includes four cleaning tanks 60A to 60D corresponding to the nozzles 244A to 244D. In addition, the nozzle drying unit 50A includes gas outlets 51A to 51D at positions corresponding to the cleaning tanks 60A to 60D, respectively.

洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの構成は、上述した洗浄槽６０と同様である。なお、洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄは、全て同一の形状である必要はない。たとえば、洗浄槽６０Ｄは、ノズル２４４Ｄの径に合わせて、貯留部や排出路、供給部の径が、他の洗浄槽６０Ａ〜６０Ｃよりも大きく形成される。また、各洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの排出路は、供給部６３Ａ〜６３Ｄよりも下流側において１つにまとめられてもよい。 The configuration of the cleaning tanks 60A to 60D is the same as that of the cleaning tank 60 described above. Note that the cleaning tanks 60A to 60D need not all have the same shape. For example, the cleaning tank 60D is formed so that the diameter of the reservoir, the discharge path, and the supply unit is larger than the other cleaning tanks 60A to 60C in accordance with the diameter of the nozzle 244D. Moreover, the discharge path of each washing tank 60A-60D may be integrated into one in the downstream rather than supply part 63A-63D.

また、ノズル洗浄ユニット４０Ａには、各洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの上流側排出路および下流側排出路に連通する１つの通路６４Ａを備える。かかる通路６４Ａには、各洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの供給部６３Ａ〜６３Ｄに対応して、第１溝部６４１Ａ〜６４１Ｄおよび第２溝部６４２Ａ〜６４２Ｄが形成される。各洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの供給部６３Ａ〜６３Ｄは、かかる１つの通路６４Ａを介してノズル洗浄装置３０Ａに対する取り付けおよび取り外しを行うことができる。 Further, the nozzle cleaning unit 40A includes one passage 64A that communicates with the upstream discharge path and the downstream discharge path of each of the cleaning tanks 60A to 60D. In the passage 64A, first groove portions 641A to 641D and second groove portions 642A to 642D are formed corresponding to the supply portions 63A to 63D of the cleaning tanks 60A to 60D. The supply parts 63A to 63D of the cleaning tanks 60A to 60D can be attached to and detached from the nozzle cleaning device 30A through the single passage 64A.

また、通路６４Ａには、１つの供給路６５が接続される。このように、洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄ間で通路６４Ａを共用することで、１つの供給路６５から各洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄに洗浄液を供給することができる。なお、ノズル洗浄ユニット４０Ａは、通路６４Ａを塞ぐ蓋部を備える。 Further, one supply path 65 is connected to the path 64A. Thus, by using the passage 64A in common between the cleaning tanks 60A to 60D, it is possible to supply the cleaning liquid from the single supply path 65 to the cleaning tanks 60A to 60D. The nozzle cleaning unit 40A includes a lid portion that closes the passage 64A.

このように、ノズル洗浄ユニット４０Ａは、通路６４Ａおよび供給路６５を複数の洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄで共用化することで、構成を簡略化することができる。 As described above, the nozzle cleaning unit 40A can simplify the configuration by sharing the passage 64A and the supply path 65 with the plurality of cleaning tanks 60A to 60D.

なお、ここでは、ノズル洗浄ユニット４０Ａが、全ての上流側排出路および下流側排出路に連通する１つの通路６４Ａを備える場合の例について説明したが、通路は必ずしも１つであることを要しない。たとえば、ノズル洗浄ユニット４０Ａは、洗浄槽６０Ａ，６０Ｂが備える上流側排出路および下流側排出路に連通する通路と、洗浄槽６０Ｃ，６０Ｄが備える上流側排出路および下流側排出路に連通する通路とを備えていてもよい。 Here, an example in which the nozzle cleaning unit 40A includes one passage 64A communicating with all the upstream discharge passages and the downstream discharge passages has been described. However, the number of passages is not necessarily one. . For example, the nozzle cleaning unit 40A includes a passage communicating with the upstream discharge path and the downstream discharge path included in the cleaning tanks 60A and 60B, and a path communicating with the upstream discharge path and the downstream discharge path included in the cleaning tanks 60C and 60D. And may be provided.

なお、図１４に示すノズル洗浄装置３０Ａは、洗浄槽６０Ａ〜６０Ｄの数より少ない数のノズルを備えるノズルユニット、たとえば３つのノズル２４４Ａ〜２４４Ｃを備えるノズルユニットに対しても使用可能である。かかる場合、洗浄槽６０Ｄへの洗浄液の流入を防ぐために、供給部６３Ｄに代えて、洗浄槽６０Ｄの排出路を塞ぐ封止部材を設けてもよい。このような封止部材を設けることで、洗浄液の使用量を削減することができる。なお、封止部材としては、たとえば供給部６３Ｄと同一形状で吐出口が形成されていないものを用いることができる。 The nozzle cleaning device 30A shown in FIG. 14 can also be used for a nozzle unit having a smaller number of nozzles than the number of cleaning tanks 60A to 60D, for example, a nozzle unit having three nozzles 244A to 244C. In such a case, in order to prevent the cleaning liquid from flowing into the cleaning tank 60D, a sealing member that closes the discharge path of the cleaning tank 60D may be provided instead of the supply unit 63D. By providing such a sealing member, the amount of cleaning liquid used can be reduced. In addition, as a sealing member, what has the same shape as supply part 63D and the discharge port is not formed can be used, for example.

上述した実施形態では、排出路６２の内径が貯留部６１の内径よりも小さい場合の例について説明したが、排出路６２は、貯留部６１と同径であってもよい。すなわち、貯留部６１および排出路６２は、同一の内径で寸胴に形成されてもよい。 In the embodiment described above, an example in which the inner diameter of the discharge path 62 is smaller than the inner diameter of the storage section 61 has been described, but the discharge path 62 may have the same diameter as the storage section 61. That is, the storage part 61 and the discharge path 62 may be formed in the same cylinder with the same inner diameter.

また、上述した実施形態では、供給部６３から洗浄液を斜め上方に向けて吐出する場合の例について説明したが、洗浄液の吐出方向は、必ずしも斜め上方であることを要しない。たとえば、供給部６３は、洗浄液を水平に吐出してもよい。かかる場合、洗浄液を斜め上方に吐出する場合と比べて洗浄液の消費量は増加するものの、排出路６２から排出される洗浄液の量を超える量の洗浄液を排出路６２に吐出することによって、貯留部６１に洗浄液を貯留することができる。 In the above-described embodiment, the example in which the cleaning liquid is discharged from the supply unit 63 obliquely upward has been described. However, the discharge direction of the cleaning liquid does not necessarily need to be diagonally upward. For example, the supply unit 63 may discharge the cleaning liquid horizontally. In such a case, although the consumption amount of the cleaning liquid is increased as compared with the case where the cleaning liquid is discharged obliquely upward, the storage portion is discharged by discharging the cleaning liquid in an amount exceeding the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path 62 to the discharge path 62. The cleaning liquid can be stored in 61.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

Ｗウェハ
１基板処理システム
２搬入出ステーション
３処理ステーション
４制御装置
１６処理ユニット
１８制御部
２４ノズルユニット
３０ノズル洗浄装置
４０ノズル洗浄ユニット
５０ノズル乾燥ユニット
５１気体噴出口
６０洗浄槽
６１貯留部
６２排出路
６３供給部
６４通路
６９貯留領域
７０オーバーフロー排出部
１１０本体部
１１２吐出口
１２０第１ガイド体
１３０第２ガイド体
６１１オーバーフロー口
６２１上流側排出路
６２２下流側排出路
６４１第１溝部
６４２第２溝部
６４３蓋部 W Wafer 1 Substrate processing system 2 Loading / unloading station 3 Processing station 4 Control device 16 Processing unit 18 Control unit 24 Nozzle unit 30 Nozzle cleaning device 40 Nozzle cleaning unit 50 Nozzle drying unit 51 Gas outlet 60 Cleaning tank 61 Storage unit 62 Discharge path 63 Supply portion 64 Passage 69 Storage region 70 Overflow discharge portion 110 Main body portion 112 Discharge port 120 First guide body 130 Second guide body 611 Overflow port 621 Upstream discharge passage 622 Downstream discharge passage 641 First groove portion 642 Second groove portion 643 Lid

Claims

A nozzle for discharging a processing liquid onto the substrate;
A moving mechanism for moving the nozzle;
A cleaning tank for immersing the nozzle in a cleaning solution for cleaning;
With
The washing tank is
A storage region for storing the cleaning liquid;
A discharge path that is provided in communication with the storage region and discharges the cleaning liquid stored in the storage region;
A substrate processing apparatus comprising: a supply unit that is provided in the discharge path and supplies an amount of the cleaning liquid that exceeds the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge path has an inner diameter larger than an inner diameter of the nozzle.

When cleaning the nozzle, the nozzle is immersed in the cleaning liquid stored in the storage area of the cleaning tank for cleaning, and when performing a dummy dispensing process for discharging the processing liquid from the nozzle, The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is discharged from the nozzle to a storage area of a cleaning tank.

The supply unit
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a discharge port that discharges the cleaning liquid obliquely upward.

The supply unit
Comprising a flange that projects radially inward of the discharge path,
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the discharge port is provided below the flange portion.

The buttocks
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising an inclined portion that is inclined obliquely downward toward an inner side in a radial direction of the discharge path.

The buttocks
The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a return portion that is inclined obliquely downward toward a radially inner side of the discharge path at a lower portion.

The supply unit includes a plurality of the discharge ports,
Each of the plurality of discharge ports is
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the cleaning liquid is discharged toward a position shifted from a central axis of the discharge path.

The discharge path is separated into an upstream discharge path and a downstream discharge path,
The supply unit
The flow path connecting the upstream discharge path and the downstream discharge path is formed by being detachably disposed between the upstream discharge path and the downstream discharge path. Item 9. The substrate processing apparatus according to any one of Items 4 to 8.

A nozzle cleaning unit in which the upstream discharge path and the downstream discharge path are formed;
A passage extending horizontally from a side surface of the nozzle cleaning unit between the upstream discharge passage and the downstream discharge passage,
The supply unit
The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising a detachable arrangement between the upstream discharge path and the downstream discharge path via the passage.

The passage includes a groove portion,
The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the supply unit includes a guide body that is slidable along the groove.

A lid that closes the opening of the passage;
A supply path for supplying the cleaning liquid to the inside of the passage blocked by the lid,
The discharge port is
A through-hole having openings on the inside and outside of the supply unit, respectively, allowing the cleaning liquid supplied to the inside of the passage to flow from the outside opening and to be discharged from the inside opening to the inside of the discharge passage. The substrate processing apparatus according to claim 10 or 11, wherein:

The nozzle cleaning unit is
A plurality of sets of the upstream discharge path and the downstream discharge path are provided,
The passage is
The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the substrate processing apparatus communicates with a plurality of sets of the upstream discharge path and the downstream discharge path.

A storage area for storing a cleaning liquid for cleaning a nozzle that discharges the processing liquid to the substrate, a discharge path that is provided in communication with the storage area and discharges the cleaning liquid stored in the storage area, and the discharge The nozzle is immersed in the cleaning liquid stored in the storage region of the cleaning tank, and provided with a supply unit that supplies the cleaning liquid in an amount exceeding the amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path. A dipping cleaning process,
A dummy dispensing step of discharging the processing liquid from the nozzle to the storage area of the cleaning tank.

A cleaning tank that cleans the substrate by immersing the nozzle that discharges the processing solution in the cleaning solution.
The washing tank is
A storage region for storing the cleaning liquid;
A discharge path that is provided in communication with the storage region and discharges the cleaning liquid stored in the storage region;
A nozzle cleaning device, comprising: a supply unit that is provided in the discharge path and supplies an amount of the cleaning liquid that exceeds an amount of the cleaning liquid discharged from the discharge path.