KR20180098558A

KR20180098558A - Semiconductor sealing material

Info

Publication number: KR20180098558A
Application number: KR1020187017963A
Authority: KR
Inventors: 유타카 니타; 가즈야 사토
Original assignee: 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤
Priority date: 2015-12-25
Filing date: 2016-12-22
Publication date: 2018-09-04
Also published as: TW201737429A; TWI750145B; CN108369928A; JP5978380B1; JP2017118045A; KR102384582B1; CN108369928B; PH12018501308A1; WO2017111057A1; MY196462A

Abstract

반도체 칩과 반도체용 봉지재 사이에 간극이 형성되는 것을 억제할 수 있는 반도체용 봉지재를 제공한다. 본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 반도체를 산화시킬 수 있는 산화제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A semiconductor encapsulation material capable of suppressing formation of a gap between a semiconductor chip and a semiconductor encapsulation material. The semiconductor encapsulant according to the present invention is characterized by comprising an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor.

Description

Semiconductor sealing material

본 발명은 반도체 칩을 보호하는 반도체용 봉지재에 관한 것으로, 특히, 외부 접속용 전극의 배치 영역이 반도체의 평면 사이즈보다도 큰 팬 아웃(Fan-out)형의 웨이퍼 레벨 패키지에 사용되는 반도체용 봉지재에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor encapsulant for protecting a semiconductor chip, and more particularly, to a semiconductor encapsulant for use in a semiconductor device, which is used in a fan-out type wafer level package, It is about ashes.

근년, 반도체 회로 등의 분야에서 소형화의 요구가 높아지고 있고, 그 요구에 따르기 위해 반도체 회로는 그의 칩 사이즈에 가까운 패키지(Chip Size Package)에 실장되는 경우가 있다. 칩 사이즈 패키지를 실현하는 수단의 하나로서, 웨이퍼 레벨로 접합하여 단편화하는 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package, 이하, WLP라고 줄이는 경우가 있음)라고 불리는 패키지 방법이 제안되어 있다. WLP는 저비용화, 소형화에 기여할 수 있기 때문에, 주목받고 있다. WLP는 전극이 형성된 회로 기판 위에 페이스 다운으로 실장된다.2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization in the field of semiconductor circuits and the like. In order to comply with such demands, a semiconductor circuit may be mounted in a package (Chip Size Package) close to its chip size. As a means for realizing a chip size package, there has been proposed a packaging method called a Wafer Level Package (hereinafter sometimes referred to as WLP) in which a wafer is joined at a wafer level and fragmented. WLP has attracted attention because it can contribute to lower cost and downsizing. The WLP is mounted face down on the circuit board on which the electrodes are formed.

그런데, 반도체 칩의 소형화, 고집적화에 수반하여, 반도체 칩의 외부 접속용의 전극(단자, 범프)의 수는 많아지는 경향이 있고, 그 때문에 반도체 칩의 외부 접속용의 전극의 피치는 작아지는 경향이 있다. 그러나, 미세한 피치로 범프가 형성된 반도체 칩을 회로 기판 위에 직접 실장하는 것은 반드시 용이하지는 않다.However, with the miniaturization and high integration of the semiconductor chip, the number of electrodes (terminals, bumps) for external connection of the semiconductor chip tends to increase, and as a result, the pitch of the electrodes for external connection of the semiconductor chip tends to be small . However, it is not always easy to mount a semiconductor chip on which bumps are formed with a fine pitch on a circuit board.

상기와 같은 과제에 대하여, 반도체 칩의 외주에 반도체용 봉지재의 영역을 형성하고, 전극에 접속된 재배선층을 반도체용 봉지재의 영역에도 형성하여, 범프의 피치를 크게 하는 것이 제안되어 있다. 이와 같은 WLP는 반도체 칩의 사이즈에 대하여 범프의 배치 에어리어의 사이즈가 커지기 때문에, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지(이하, FO-WLP라고 줄이는 경우가 있음)라고 칭해진다.In order to solve the above problems, it has been proposed to form a region of the semiconductor encapsulant on the periphery of the semiconductor chip and to form a re-wiring layer connected to the electrode in the region of the semiconductor encapsulant to increase the pitch of the bumps. Such a WLP is referred to as a fan-out type wafer level package (hereinafter sometimes referred to as FO-WLP) because the size of the bump arrangement area becomes larger with respect to the size of the semiconductor chip.

FO-WLP에서는 반도체 칩이 반도체용 봉지재에 의해 매립된다. 반도체 칩의 회로면은 외측으로 노출이 되고, 반도체 칩과 반도체용 봉지재의 경계가 형성된다. 반도체 칩을 매립하는 반도체용 봉지재의 영역에도, 반도체 칩의 전극에 접속된 재배선층이 형성되고, 범프가 재배선층을 통해 반도체 칩의 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한 범프의 피치는 반도체 칩의 전극의 피치에 대하여 크게 설정할 수 있게 된다.In FO-WLP, a semiconductor chip is embedded by a semiconductor encapsulant. The circuit surface of the semiconductor chip is exposed to the outside, and the boundary between the semiconductor chip and the semiconductor encapsulant is formed. A re-wiring layer connected to the electrode of the semiconductor chip is formed in the region of the semiconductor encapsulant for embedding the semiconductor chip, and the bump is electrically connected to the electrode of the semiconductor chip through the re-wiring layer. The pitch of the bumps can be set to a large value with respect to the pitch of the electrodes of the semiconductor chip.

또한, 반도체 칩뿐만 아니라, 복수의 전자 부품을 하나의 패키지 내에 수용하거나, 복수의 반도체 칩을 반도체용 봉지재에 매립하여 하나의 반도체 부품으로 하는 것도 생각된다. 이와 같은 패키지에서는, 복수의 전자 부품이 반도체용 봉지재에 의해 매립된다. 복수의 전자 부품을 매립하는 반도체용 봉지재에는 전자 부품의 전극에 접속된 재배선층이 형성되고, 범프가 재배선층을 통해 전자 부품의 전극에 전기적으로 접속된다. 이 경우에도, 반도체 칩의 사이즈에 대하여 범프의 배치 에어리어의 사이즈가 커지기 때문에, FO-WLP라고 할 수 있다.It is also conceivable that not only a semiconductor chip but also a plurality of electronic parts are accommodated in one package or a plurality of semiconductor chips are embedded in an encapsulating material for semiconductor to be one semiconductor part. In such a package, a plurality of electronic components are embedded by the encapsulating material for semiconductor. A rewiring layer connected to the electrodes of the electronic component is formed on the semiconductor encapsulant for embedding the plurality of electronic components, and the bump is electrically connected to the electrode of the electronic component through the rewiring layer. In this case also, since the size of the bump arrangement area becomes larger than the size of the semiconductor chip, the FO-WLP can be said.

이와 같은 패키지에서는, 일반적으로 지지체 위에 일정한 간격을 설정하여 반도체 칩이나 전자 부품을 배치하고, 반도체용 봉지재를 사용하여 매립하고, 봉지재를 가열 경화시킨 후에, 지지체로부터 박리하여 의사 웨이퍼가 제작된다. 계속해서, 의사 웨이퍼의 반도체 칩 회로면으로부터 확장된 반도체용 봉지 재료 영역에 걸쳐서 재배선층이 형성된다. 이와 같이 하여 범프의 피치는 반도체 칩의 전극의 피치에 대하여 크게 설정할 수 있게 된다.In such a package, generally, a semiconductor chip or an electronic component is disposed at a predetermined interval on a support, the semiconductor chip or an encapsulating material is used to fill the encapsulation member, the encapsulation material is heated and cured, . Subsequently, a rewiring layer is formed from the semiconductor chip circuit surface of the pseudo wafer to the encapsulation material region extending for semiconductor. Thus, the pitch of the bumps can be set to a large value with respect to the pitch of the electrodes of the semiconductor chip.

재배선층의 형성에 있어서는, 일반적으로, 포지티브형의 감응성 수지를, 의사 웨이퍼의 반도체 칩 회로면에 도포하고, 프리베이크를 행하고, 포토마스크 등을 통해 개구하고 싶은 영역에 UV 광선 등의 활성 광선을 조사하고, 계속해서 TMAH(테트라메틸암모늄히드록시드) 등의 현상액을 사용하여 현상을 행하고, 가열 큐어, 산소 플라스마 처리 등을 행하고, 메탈 전극의 스퍼터링을 행하고, 이어서 포토레지스트층을 형성하고 배선을 패터닝하여 재배선층을 형성해 간다(예를 들어, 특허문헌 1 등).In forming the re-wiring layer, generally, a positive-type sensitive resin is applied to the semiconductor chip circuit surface of the pseudo wafer, pre-baked, and an active light such as UV light is applied to a region to be opened through a photomask or the like Followed by development using a developing solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide), heating curing, oxygen plasma treatment or the like, sputtering the metal electrode, forming a photoresist layer, And patterned to form a re-wiring layer (for example, Patent Document 1, etc.).

일본 특허 공개 제2013-38270호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-38270

그러나, 상기한 바와 같은 공정을 거쳐서 FO-WLP를 제조하면, 반도체 칩과 반도체용 봉지재의 경계에 간극이 발생하여, 그 후에 형성되는 재배선층의 신뢰성을 저하시키고 있다는 문제가 있었다. 또한, 이 간극에 의해, 완성한 FO-WLP의 제품 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다.However, when FO-WLP is manufactured through the above-described steps, there is a problem that a gap is formed at the boundary between the semiconductor chip and the semiconductor encapsulant, thereby lowering the reliability of the re-wiring layer formed thereafter. In addition, there is a problem that the product reliability of the finished FO-WLP is lowered by the gap.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 칩과 반도체용 봉지재 사이에 간극이 형성되는 것을 억제할 수 있는 반도체용 봉지재, 특히 FO-WLP용 봉지재를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor encapsulant, particularly a sealant for FO-WLP, which can suppress formation of a gap between a semiconductor chip and a semiconductor encapsulant.

본 발명자들은 반도체 칩과 반도체용 봉지재의 경계가 발생한다는 현상을 상세하게 검토한바, 이 간극이, 재배선층을 형성할 때에 사용하는 현상 공정에서 발생하고 있는 것을 밝혀냈다. 그리고, 검토를 더 진행시킨바, 현상 공정 시에, 현상액이 반도체용 봉지재에 매립된 반도체 칩 측면의 경계에도 침입하여, 경우에 따라서는 반도체용 봉지재에 스며들고, 이 침입 내지 스며든 현상액에 의해 반도체 칩 측면이 에칭됨으로써, 반도체 칩 측면과 반도체용 봉지재의 경계에 간극이 생기고 있는 것이 판명되었다.The present inventors have studied in detail the phenomenon that a boundary between a semiconductor chip and a semiconductor encapsulant occurs, and found that this gap is generated in a developing process used when forming a re-wiring layer. As a result of further investigation, the developer also penetrated the boundary of the side of the semiconductor chip embedded in the encapsulating material for semiconductor, and in some cases, permeated into the encapsulating material for semiconductor, It is found that a gap is formed at the boundary between the semiconductor chip side surface and the semiconductor encapsulating material.

그리고, 본 발명자들은, 상기 지견에 기초하여 예의 검토한 결과, 반도체 웨이퍼가 현상액에 의해 에칭되지 않는 성분을, 반도체용 봉지재에 첨가해 둠으로써, 재배선층 형성 시에 현상액을 사용해도 반도체 칩 측면과 반도체용 봉지재의 경계에 간극이 형성되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 재배선층의 형성을 용이하게 하여, 완성된 FO-WLP의 신뢰성이 높아지는 것을 알 수 있었다.As a result of intensive studies based on the above findings, the inventors of the present invention have found that by adding a component that is not etched by a developer to a semiconductor encapsulant, It is possible to suppress the formation of a gap in the boundary between the semiconductor sealing member and the semiconductor sealing member. As a result, it is found that the reliability of the completed FO-WLP is improved by facilitating the formation of the re-wiring layer.

본 발명에 의한 반도체용 봉지재는, 반도체를 산화시킬 수 있는 산화제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.The encapsulating material for semiconductor according to the present invention is characterized by comprising an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor.

본 발명의 양태에 있어서는, 반도체용 봉지재가, 경화성 성분, 경화제 성분, 경화 촉진제 성분 및 무기 필러를 포함하고 있어도 된다.In an embodiment of the present invention, the encapsulating material for semiconductor may contain a curing component, a curing component, a curing accelerator component, and an inorganic filler.

본 발명의 양태에 있어서는, 반도체용 봉지재가, 시트상의 형상을 갖고 있어도 된다.In the aspect of the present invention, the semiconductor encapsulant may have a sheet-like shape.

본 발명의 양태에 있어서는, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지에 사용되어도 된다.In an aspect of the present invention, the present invention may be applied to a fan-out type wafer level package.

본 발명의 반도체용 봉지재에 의하면, 특히 FO-WLP에 있어서, 반도체 칩과 반도체용 봉지재 사이에 간극이 형성되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, FO-WLP의 제조 시의 재배선층의 형성을 용이하게 하여, 완성된 FO-WLP의 신뢰성을 높일 수 있다.According to the semiconductor encapsulant of the present invention, it is possible to suppress formation of a gap between the semiconductor chip and the encapsulating material for semiconductor, particularly in the FO-WLP. As a result, it is possible to facilitate the formation of the re-wiring layer at the time of manufacturing the FO-WLP and improve the reliability of the completed FO-WLP.

반도체용 봉지재는, 반도체 웨이퍼를 가공한 반도체 소자(예를 들어, 반도체 칩 등)를 열이나 먼지로부터 보호하여 반도체 패키지로 하는 것이고, 반도체 소자 전체를 피복하도록 봉지하여 절연하는 것이다. 해당 반도체용 봉지재는 후기하는 바와 같은 봉지재로서의 각 성분을 포함하는 것이지만, 본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 반도체를 산화시킬 수 있는 산화제를 포함하는 것에 특징을 갖고 있다. 상기한 바와 같이, 예를 들어 FO-WLP를 제조할 때에는, 반도체용 봉지재에 의해 반도체 칩 등을 매설하여 형성한 의사 웨이퍼의 반도체 칩 회로면에 재배선층이 형성되지만, 그 재배선층을 패터닝하여 형성할 때에, TMAH 등의 현상액이 사용된다. 현상 처리 시에, 매설한 반도체 칩과 반도체용 봉지재의 계면에 현상액이 침입한다. 예를 들어, 실리콘 반도체 칩인 경우, 실리콘이 TMAH 현상액에 의해 에칭되어 버려, 매설된 반도체 웨이퍼와 반도체용 봉지재 사이에 간극이 생겨 버린다. 본 발명에 있어서는, 반도체용 봉지재에 반도체 웨이퍼를 산화시킬 수 있는 산화제가 포함되어 있기 때문에, 반도체 칩을 반도체용 봉지재로 봉지할 때에 반도체 칩의 표면이 산화된다. 예를 들어, 실리콘(Si) 반도체 칩의 경우는, 반도체 칩의 표면에 SiO₂의 극히 얇은 피막이 형성된다. 그로 인해, 그 후의 현상 처리 시에 현상액이 반도체 칩과 반도체용 봉지재의 계면에 침입해도, 산화 피막(SiO₂)에 의해 실리콘 반도체가 현상액에 의해 에칭되어 버리는 것을 억제할 수 있는 것이라고 생각된다. 이것은 어디까지나 본 발명자들의 추측이고, 본 발명이 당해 논리에 구속되는 것은 아니다.A semiconductor encapsulation material is a semiconductor package in which a semiconductor element (for example, a semiconductor chip or the like) obtained by processing a semiconductor wafer is protected from heat or dust to form a semiconductor package. The encapsulating material for semiconductor includes each component as an encapsulating material as described later, but the encapsulating material for semiconductor according to the present invention is characterized in that it contains an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor. As described above, for example, when manufacturing FO-WLP, a re-wiring layer is formed on a semiconductor chip circuit surface of a pseudo wafer formed by embedding a semiconductor chip or the like by a semiconductor encapsulant, A developing solution such as TMAH is used. During development processing, the developer enters the interface between the buried semiconductor chip and the encapsulating material for semiconductor. For example, in the case of a silicon semiconductor chip, silicon is etched by the TMAH developer, and a gap is created between the buried semiconductor wafer and the semiconductor encapsulation material. In the present invention, since the semiconductor encapsulant contains an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor chip is oxidized when the semiconductor chip is sealed with the encapsulating material for semiconductor. For example, in the case of a silicon (Si) semiconductor chip, an extremely thin film of SiO ₂ is formed on the surface of the semiconductor chip. Therefore, it is considered that even if the developing solution enters the interface between the semiconductor chip and the sealing member for semiconductor during subsequent development processing, the silicon semiconductor is prevented from being etched by the developing solution by the oxide film (SiO ₂ ). This is only a presumption of the present inventors, and the present invention is not limited to this logic.

반도체용 봉지재에 의해 봉지되는 반도체 칩으로서는, 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge), SiGe 등을 들 수 있지만, 실리콘 반도체가 일반적이다.Silicon (Si), germanium (Ge), and SiGe are examples of semiconductor chips that are sealed by a semiconductor sealing material, but silicon semiconductors are common.

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 산화제로서는, 상기한 바와 같은 반도체를 산화시킬 수 있는 산화제라면 특별히 제한되는 것은 아니고, 유기계의 산화제 및 무기계의 산화제의 어느 것이어도 되지만, 후기하는 반도체용 봉지재를 구성하는 다른 성분과의 상용성의 관점에서는 유기계의 산화제를 바람직하게 사용할 수 있다.The oxidizing agent that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it is an oxidizing agent capable of oxidizing the above-described semiconductor, and may be any of an organic oxidizing agent and an inorganic oxidizing agent. From the viewpoint of compatibility with other components, an organic oxidizer can be preferably used.

유기계의 산화제로서는, 유기 산화제 또는 유기 과산화물을 적합하게 사용할 수 있다. 유기 산화제로서는, 하이드로퍼옥사이드류, 퀴논류, 피리딘류, 유기 니트로 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 유기 과산화물로서는, m-클로로과벤조산, 과벤조산, 과아세트산, 과포름산, 과산화벤조일, 과산화디에틸, 과산화디아세틸 등을 들 수 있다.As the organic oxidizing agent, an organic oxidizing agent or an organic peroxide may suitably be used. Examples of the organic oxidizing agent include hydroperoxides, quinones, pyridines, and organic nitro compounds. Examples of the organic peroxide include m-chloroperbenzoic acid, perbenzoic acid, peracetic acid, per formic acid, benzoyl peroxide, diethyl peroxide, diacetyl peroxide and the like.

하이드로퍼옥사이드류로서는, t-부틸하이드로옥사이드, 쿠멘하이드로옥사이드비스(트리메틸실릴)퍼옥사이드, 에틸하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 숙신산퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of the hydroperoxides include t-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide bis (trimethylsilyl) peroxide, ethyl hydroperoxide, tert-butyl hydroperoxide, succinic acid peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl Hydroperoxide, and the like.

퀴논류로서는, p-클로라닐(테트라클로로-p-벤조퀴논), o-클로라닐, 테트라브로모-1,4-벤조퀴논, 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논, 클로로벤조퀴논, 디클로로벤조퀴논, 벤조퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 2,3,5,6-테트라클로로-p-벤조퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the quinones include p-chloriranyl (tetrachloro-p-benzoquinone), o-chloriranyl, tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3-dichloro-5,6-dicyano- -Benzoquinone, chlorobenzoquinone, dichlorobenzoquinone, benzoquinone, naphthoquinone, anthraquinone, substituted anthraquinone, and 2,3,5,6-tetrachloro-p-benzoquinone.

피리딘류로서는, 피리딘옥사이드, 피리딘N-옥사이드, 디메틸아미노피리딘옥사이드, 2,2,6,6,-테트라메틸-1-피페리디닐옥사이드, 트리메틸아민N-옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of the pyridine include pyridine oxide, pyridine N-oxide, dimethylaminopyridine oxide, 2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyl oxide and trimethylamine N-oxide.

유기 니트로 화합물로서는 메타니트로벤젠술폰산염, 파라니트로벤조산염, 니트로가니딘, 방향족 니트로술포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the organic nitro compound include a metanitrobenzenesulfonic acid salt, a para-nitrobenzoic acid salt, a nitroguanidine, and an aromatic nitrosulfonate.

또한, 시판되고 있는 과산화물을 사용해도 되고, 예를 들어 니혼 유시 가부시키가이샤의 퍼테트라A, 퍼헥사HC, 퍼헥사C, 퍼헥사V, 퍼헥사22의 상품명으로 시판되고 있는 퍼옥시케탈류, 퍼부틸H, 퍼쿠밀H, 퍼쿠밀P, 퍼멘타H, 퍼옥타H의 상품명으로 시판되고 있는 하이드로퍼옥사이드류, 퍼부틸C, 퍼부틸D, 퍼헥실D의 상품명으로 시판되고 있는 디알킬퍼옥사이드류, 퍼로일IB, 퍼로일355, 퍼로일L, 퍼로일SA, 나이퍼BW, 나이퍼BMT-K40, 나이퍼BMT-M의 상품명으로 시판되고 있는 디아실퍼옥사이드류, 퍼로일IPP, 퍼로일NPP, 퍼로일TCP, 퍼로일OPP, 퍼로일SBP의 상품명으로 시판되고 있는 퍼옥시디카보네이트류, 퍼쿠밀ND, 퍼옥타ND, 퍼헥실ND, 퍼부틸ND, 퍼헥실PV, 퍼부틸PV, 퍼헥사25O, 퍼옥타O, 퍼헥실O, 퍼부틸O, 퍼부틸L, 퍼부틸355, 퍼헥실I, 퍼부틸I, 퍼부틸E, 퍼헥사25Z, 퍼부틸A, 퍼헥실Z, 퍼부틸ZT, 퍼부틸Z, 그 밖에 페로마AC, BTTB-25의 상품명으로 시판되고 있는 퍼옥시에스테르류를 사용할 수 있다.Commercially available peroxides may also be used. For example, peroxides such as per tetra A, perhexa HC, perhexa C, perhexa V, and perhexa 22 available from Nihon Uise Kabushiki Kaisha, There are commercially available dialkyl peroxides such as hydroperoxides commercially available under the trade names of perbutyl H, percyl H, percyl P, per menta H and perocta H, per butyl C, per butyl D, Peroyl-NPP, peroyl-NPP, peroyl-NPP, peroyl-N, peroyl-N, Peroxydec, Peroxyl ND, Perbutyl ND, Perheyl PV, Perbutyl PV, Perhexa 25O, Peroxyl Peroxide, Peroxymethyl Carbonyl Peroxide, Peroocta O, Perhexyl O, Perbutyl O, Perbutyl L, Perbutyl 355, Perhexyl I, Perbutyl I, Perbutyl E, Perhexa 25Z, Can be used to seal Z, butyl buffer ZT, Z buffer butyl, besides Fe Rome AC, commercially available under the trade name of 25-BTTB peroxy esters with.

상기한 산화제는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The above-mentioned oxidizing agents may be used singly or in combination of two or more.

또한, 본 발명에 있어서는, 상기한 산화제 중에서도, 반도체 칩의 표면에 산화물층을 형성시키는 반도체와의 반응성(산화성)과 반도체용 봉지재로서의 안정성의 양립의 관점에서는, 유기 과산화물이나 퀴논류가 바람직하게 사용된다.In the present invention, among the above-mentioned oxidizing agents, organic peroxides and quinones are preferably used from the viewpoints of both reactivity (oxidizing property) with a semiconductor forming an oxide layer on the surface of a semiconductor chip and stability as a sealing material for semiconductor Is used.

무기계 산화제로서는, 산화은, 산화구리, 산화게르마늄, 산화인듐, 산화망간, 산화납, 산화레늄, 산화텔루르를 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화망간, 산화납이 산화제로서의 반응성과 봉지재 재료로서의 안정성의 밸런스의 점에서 바람직하다. 상기한 산화제 중에서도, 유기계 산화제는 무기계 산화제와 비교하여 반도체용 봉지재의 수지 성분에 의해 균질하게 혼합하는 것이 가능하고, 그 결과, 반도체 칩의 표면에 밀착하는 수지 성분을 통해 더 균질하게 작용함으로써, 내습에 있어서도 우수하고, 그 결과, 간극 형성의 억제와 같은 신뢰성을 더 향상시키는 점에서 바람직하다.Examples of the inorganic oxidizing agent include silver oxide, copper oxide, germanium oxide, indium oxide, manganese oxide, lead oxide, rhenium oxide and tellurium oxide. Of these, manganese oxide and lead oxide are preferable in terms of balance between reactivity as an oxidizing agent and stability as an encapsulating material. Among the above-mentioned oxidizing agents, the organic-based oxidizing agent can be homogeneously mixed with the resin component of the encapsulating material for semiconductor as compared with the inorganic oxidizing agent, and as a result, more homogeneously acting through the resin component adhering to the surface of the semiconductor chip, , And as a result, it is preferable from the viewpoint of further improving reliability such as suppression of gap formation.

산화제의 함유량은, 산화제 이외의 성분의 고형분 환산에서의 합계 질량을 100질량부로 했을 때에, 0.01 내지 10질량부의 범위인 것이 바람직하고, 0.05 내지 8질량부의 범위인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 5질량부의 범위인 것이 특히 바람직하다. 산화제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 반도체용 봉지재를 산화 분해시키지 않고, 반도체 칩 측면의 간극 형성을 억제할 수 있다.The content of the oxidizing agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 8 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total mass of the components other than the oxidizing agent in terms of solid content. It is particularly preferable that the range is negative. By setting the content of the oxidizing agent within the above range, it is possible to suppress the formation of gaps on the side surface of the semiconductor chip without oxidizing and decomposing the encapsulating material for semiconductor.

상기한 바와 같이, 산화제의 종류에 따라서는, 반도체용 봉지재를 구성하는 수지 성분이 산화되어 버리는 경우가 있다. 그로 인해, 본 발명에 있어서는, 반도체용 봉지재에 산화 방지제가 함유되어 있어도 된다. 산화 방지제로서는, 라디칼 연쇄 방지제로서 기능하는 페놀계 산화 방지제나 아민계 산화 방지제, 과산화물 분해제로서 기능하는 인계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 금속 불활성화제로서 기능하는 히드라진계 산화 방지제, 아미드계 산화 방지제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페놀계 산화 방지제나 아민계 산화 방지제를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 시판의 산화 방지제를 사용해도 되고, 예를 들어 아데카스탭 AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-50F, AO-60, AO-60G, AO-80, AO-330, 아데카스탭 PEP-36/36A, HP-10, 2112, 2112RG, PEP-8, PEP-8W, 1178, 1500, C, 135A, 3010, TPPADEKA스탭 AO-412S, AO-503 등을 들 수 있다.As described above, depending on the kind of the oxidizing agent, the resin component constituting the encapsulating material for semiconductor may be oxidized. Therefore, in the present invention, an antioxidant may be contained in the encapsulating material for semiconductor. Examples of the antioxidant include phenol-based antioxidants, amine-based antioxidants, antioxidants, sulfur-based antioxidants, hydrazine-based antioxidants, and amide-based antioxidants that function as radical scavengers . Among them, a phenol-based antioxidant and an amine-based antioxidant can be suitably used. AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-50F, AO-60, AO-60G, AO-80, and AO-50 may be used as the antioxidant. Pep-8, PEP-8W, 1178, 1500, C, 135A, 3010, TPPADEKA staff AO-412S, AO-503 .

본 발명에 의한 반도체 봉지재에 산화 방지제가 포함되는 경우, 그 함유량은 산화제의 관능기의 몰수를 100%로 했을 때에, 산화 방지제의 관능기의 몰수가 5 내지 99%의 범위인 것이 바람직하고, 8 내지 90%의 범위인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 80%의 범위인 것이 특히 바람직하다. 산화 방지제의 함유량을 상기한 범위로 함으로써, 산화제의 반도체와의 반응성(산화성)을 유지하면서, 산화제의 반응성을 조정하여 수지 성분의 산화 분해를 억제할 수 있다.When the antistatic agent is contained in the semiconductor encapsulant according to the present invention, the content of the antistatic agent is preferably in the range of 5 to 99%, more preferably in the range of 8 to 99% , More preferably from 90 to 90%, and particularly preferably from 10 to 80%. By setting the content of the antioxidant within the above range, the reactivity of the oxidizing agent can be controlled while maintaining the reactivity (oxidizing property) of the oxidizing agent with the semiconductor, and the oxidative decomposition of the resin component can be suppressed.

본 발명에 의한 반도체용 봉지재에는 후기하는 바와 같은 경화성 성분, 경화제 성분, 경화 촉진제 성분, 무기 필러 등이 포함되어 있어도 된다. 이하, 반도체용 봉지재를 구성하는 산화제 및 산화 방지제 이외의 성분에 대하여 설명한다.The semiconductor encapsulation material according to the present invention may contain the following curable components, curing agent components, curing accelerator components, inorganic filler, and the like. Hereinafter, components other than the oxidizing agent and the antioxidant constituting the encapsulating material for semiconductor will be described.

<경화성 성분><Curable Component>

반도체용 봉지재의 경화성 성분으로서는 특별히 제한 없이 종래 공지의 수지를 사용할 수 있지만, 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지에는 반응 전의 형상으로부터 고형, 반고형, 액상의 에폭시 수지가 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 할로겐을 포함하는 에폭시 수지를 사용하면, 가수분해로부터 생성하는 할로겐화물 이온과 산화제의 산화 환원 반응에 의해, 첨가한 산화제의 반응성을 저하시키는 작용, 즉 간극 형성의 억제에 영향을 미칠 우려가 있는 점에서, 에폭시 수지는 할로겐 프리인 것이 바람직하고, 할로겐 중에서도 특히 염소, 브롬, 요오드를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다.As the curing component of the encapsulating material for semiconductor, conventionally known resins can be used without particular limitation, but it is preferable to use an epoxy resin. Epoxy resins include solid, semi-solid and liquid epoxy resins from the shape before reaction. These may be used alone or in combination of two or more. The use of an epoxy resin containing a halogen causes an effect of lowering the reactivity of the added oxidizing agent, that is, suppressing the formation of gaps, by the oxidation-reduction reaction of the halogenide ions generated from the hydrolysis and the oxidizing agent , The epoxy resin is preferably halogen-free, and it is preferable that the epoxy resin is substantially free from chlorine, bromine, and iodine among halogens.

구체적으로는, 에폭시 수지 중의 염소 함유량이 2500ppm 이하, 브롬 함유량이 1000ppm 이하, 염소 및 브롬의 합계 함유량이 3000ppm 이하인 것이 바람직하다. 염소 함유량은 2000ppm 이하가 보다 바람직하고, 1500ppm 이하가 더욱 바람직하고, 1000ppm 이하가 특히 바람직하다. 또한, 봉지재로서도 할로겐 프리인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 염소 함유량이 900ppm 이하, 브롬 함유량이 900ppm 이하, 염소 및 브롬의 합계 함유량이 1500ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 할로겐 함유량의 측정 방법으로서는, JPCA 규격에 기초하는 플라스크 연소 처리 이온 크로마토그래피법에 의해 측정할 수 있다.Specifically, it is preferable that the chlorine content in the epoxy resin is 2500 ppm or less, the bromine content is 1000 ppm or less, and the total content of chlorine and bromine is 3000 ppm or less. The chlorine content is more preferably 2000 ppm or less, more preferably 1500 ppm or less, and particularly preferably 1000 ppm or less. The sealing material is preferably halogen-free. Specifically, it is preferable that the chlorine content is 900 ppm or less, the bromine content is 900 ppm or less, and the total content of chlorine and bromine is 1500 ppm or less. The halogen content can be measured by flask combustion ion chromatography based on the JPCA standard.

고형 에폭시 수지로서는, DIC사제 HP-4700(나프탈렌형 에폭시 수지), DIC사제 EXA4700(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 닛폰 가야쿠사제 NC-7000(나프탈렌 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 나프탈렌형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 EPPN-502H(트리스페놀에폭시 수지) 등의 페놀류와 페놀성 수산기를 갖는 방향족 알데히드의 축합물의 에폭시화물(트리스페놀형 에폭시 수지); DIC사제 에피클론HP-7200H(디시클로펜타디엔 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 디시클로펜타디엔아르알킬형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 NC-3000H(비페닐 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 NC-3000L 등의 비페닐/페놀노볼락형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론N660, 에피클론N690, 닛폰 가야쿠사제 EOCN-104S 등의 노볼락형 에폭시 수지; 미츠비시 가가쿠사제 YX-4000 등의 비페닐형 에폭시 수지; 신닛테츠 스미킨 가가쿠사제 TX0712 등의 인 함유 에폭시 수지; 닛산 가가쿠 고교사제 TEPIC 등의 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type epoxy resins such as HP-4700 (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, EXA4700 (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, NC-7000 (polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton) manufactured by Nippon Kayaku Co., Epoxy resin; EPPN-502H (trisphenol epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and epoxides (trisphenol type epoxy resin) of condensates of aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group; Dicyclopentadiene aralkyl type epoxy resins such as Epiclon HP-7200H (multifunctional solid epoxy resin containing dicyclopentadiene skeleton) manufactured by DIC Corporation; Biphenylaralkyl type epoxy resins such as NC-3000H (polyfunctional solid epoxy resin containing biphenyl skeleton) produced by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Biphenyl / phenol novolak type epoxy resins such as NC-3000L manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Novolak type epoxy resins such as Epiclon N660 manufactured by DIC, Epiclon N690, and EOCN-104S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Biphenyl-type epoxy resins such as YX-4000 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; Phosphorus-containing epoxy resin such as TX0712 manufactured by Shin-Nitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; Tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate such as TEPIC manufactured by Nissan Kagaku Kogyo Co., Ltd., and the like.

반고형 에폭시 수지로서는, DIC사제 에피클론860, 에피클론900-IM, 에피클론EXA-4816, 에피클론EXA-4822, 도토 가세이사제 에포토토YD-134, 미츠비시 가가쿠사제 jER834, jER872, 스미토모 가가쿠 고교사제 ELA-134 등의 비스페놀 A형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론HP-4032 등의 나프탈렌형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론N-740 등의 페놀노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the semi-solid epoxy resin include Epiclon 860, Epiclon 900-IM, Epiclon EXA-4816, Epiclon EXA-4822 manufactured by DIC Corporation, Epototo YD-134 manufactured by Tokono Kasei KK, jER834, jER872 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Bisphenol A type epoxy resins such as ELA-134 manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd.; Naphthalene-type epoxy resins such as Epiclon HP-4032 manufactured by DIC Corporation; And phenol novolak type epoxy resins such as Epiclon N-740 manufactured by DIC Corporation.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Epoxy resins, and alicyclic epoxy resins.

상기한 경화성 성분은 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 경화성 성분의 배합량은 반도체용 봉지재를 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대하여, 5 내지 50질량부인 것이 바람직하고, 10 내지 40질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 액상 에폭시 수지의 배합량은 경화성 성분 100질량부에 대하여, 0 내지 45질량부인 것이 바람직하고, 0 내지 30질량부인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 5질량부인 것이 특히 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 배합량이 0 내지 45질량부의 범위이면, 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 높아져, 크랙 내성이 양호해지는 경우가 있다.The curable component may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the curable component is preferably 5 to 50 parts by mass, and more preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content constituting the sealing material for semiconductor. The blending amount of the liquid epoxy resin is preferably 0 to 45 parts by mass, more preferably 0 to 30 parts by mass, and particularly preferably 0 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curing component. When the blending amount of the liquid epoxy resin is in the range of 0 to 45 parts by mass, the glass transition temperature (Tg) of the cured product becomes high and the crack resistance becomes good.

<경화제 성분><Curing Agent Component>

본 발명에 의한 반도체용 봉지재를 구성하는 성분으로서, 경화제 성분이 포함되어 있어도 된다. 경화제 성분은 상기한 경화성 성분과 반응하는 관능기를 갖는 것이다. 이와 같은 경화제 성분으로서는, 페놀 수지, 폴리카르복실산 및 그의 산 무수물, 시아네이트에스테르 수지, 활성 에스테르 수지 등을 들 수 있고, 페놀 수지가 바람직하다. 이들 중 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a component constituting the encapsulating material for semiconductor according to the present invention, a curing agent component may be contained. The curing agent component has a functional group that reacts with the above-mentioned curing component. Examples of the curing agent component include a phenol resin, a polycarboxylic acid and an acid anhydride thereof, a cyanate ester resin, and an active ester resin, and a phenol resin is preferable. One of these may be used singly or two or more of them may be used in combination.

페놀 수지로서는, 페놀노볼락 수지, 알킬페놀노볼락 수지, 비스페놀A 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, Xylok형 페놀 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 크레졸/나프톨 수지, 폴리비닐페놀류, 페놀/나프톨 수지, α-나프톨 골격 함유 페놀 수지, 트리아진 함유 크레졸 노볼락 수지 등의 종래 공지의 것을, 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol resin include phenol novolac resins, alkylphenol novolac resins, bisphenol A novolak resins, dicyclopentadiene type phenol resins, Xylok type phenol resins, terpene modified phenol resins, cresol / naphthol resins, polyvinyl phenols, phenol / Naphthol resin,? -Naphthol skeleton-containing phenol resin and triazine-containing cresol novolac resin, which are known in the art, may be used singly or in combination of two or more kinds.

폴리카르복실산 및 그의 산 무수물은 1분자 중에 2개 이상의 카르복실기를 갖는 화합물 및 그의 산 무수물이고, 예를 들어 (메타)아크릴산의 공중합물, 무수 말레산의 공중합물, 이염기산의 축합물 등 외에, 카르복실산 말단 이미드 수지 등의 카르복실산 말단을 갖는 수지를 들 수 있다.The polycarboxylic acid and its acid anhydride are compounds having two or more carboxyl groups in one molecule and their acid anhydrides, and include, for example, a copolymer of (meth) acrylic acid, a copolymer of maleic anhydride, a condensate of dibasic acid, , A carboxylic acid terminal imide resin, and the like.

시아네이트에스테르 수지는 1분자 중에 2개 이상의 시아네이트에스테르기(-OCN)를 갖는 화합물이다. 시아네이트에스테르 수지는 종래 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 시아네이트에스테르 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 알킬페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 A형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트에스테르 수지를 들 수 있다. 또한, 일부가 트리아진화한 프리폴리머여도 된다.The cyanate ester resin is a compound having two or more cyanate ester groups (-OCN) in one molecule. As the cyanate ester resin, all conventionally known resins can be used. Examples of the cyanate ester resin include phenol novolak type cyanate ester resins, alkylphenol novolak type cyanate ester resins, dicyclopentadiene type cyanate ester resins, bisphenol A type cyanate ester resins, bisphenol F type cyanate ester resins Naphthoate ester resin, and bisphenol S type cyanate ester resin. In addition, some of them may be trierized prepolymers.

활성 에스테르 수지는 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 수지이다. 활성 에스테르 수지는 일반적으로, 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물의 축합 반응에 의해 얻을 수 있다. 그 중에서도, 히드록시화합물로서 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물을 사용하여 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 바람직하다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화비스페놀 A, 메틸화비스페놀 F, 메틸화비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락 등을 들 수 있다.The active ester resin is a resin having two or more active ester groups in one molecule. The active ester resin is generally obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and a hydroxy compound. Among them, an active ester compound obtained by using a phenol compound or a naphthol compound as a hydroxy compound is preferable. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzo Phenol, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac, and the like.

경화제 성분으로서, 상기한 것 이외에도 지환식 올레핀 중합체를 사용할 수 있다. 적합하게 사용할 수 있는 지환식 올레핀 중합체로서는, (1) 카르복실기 및 카르복실산 무수물기(이하, 「카르복실기 등」이라고 칭함) 중 적어도 어느 1종을 갖는 지환식 올레핀을, 필요에 따라 다른 단량체와 함께 중합한 것, (2) 카르복실기 등을 갖는 방향족 올레핀을, 필요에 따라 다른 단량체와 함께 중합하여 얻어지는 (공)중합체의 방향환 부분을 수소화한 것, (3) 카르복실기 등을 갖지 않는 지환식 올레핀과, 카르복실기 등을 갖는 단량체를 공중합한 것, (4) 카르복실기 등을 갖지 않는 방향족 올레핀과, 카르복실기 등을 갖는 단량체를 공중합하여 얻어지는 공중합체의 방향환 부분을 수소화한 것, (5) 카르복실기 등을 갖지 않는 지환식 올레핀 중합체에 카르복실기 등을 갖는 화합물을 변성 반응에 의해 도입한 것, 또는 (6) 상기 (1) 내지 (5)와 같이 하여 얻어지는 카르복실산에스테르기를 갖는 지환식 올레핀 중합체의 카르복실산에스테르기를, 예를 들어 가수분해 등에 의해 카르복실기로 변환한 것 등을 들 수 있다.As the curing agent component, an alicyclic olefin polymer may be used in addition to the above components. Examples of the alicyclic olefin polymer which can be suitably used include (1) an alicyclic olefin having at least any one of a carboxyl group and a carboxylic acid anhydride group (hereinafter referred to as " carboxyl group and the like ") together with other monomers (2) an aromatic ring portion of a (co) polymer obtained by polymerizing an aromatic olefin having a carboxyl group or the like together with other monomers, if necessary, (3) an alicyclic olefin having no carboxyl group, (4) an aromatic ring portion of a copolymer obtained by copolymerizing an aromatic olefin having no carboxyl group or the like and a monomer having a carboxyl group or the like, (5) a carboxyl group, and the like Or (6) a compound having a carboxyl group or the like in an alicyclic olefin polymer which is not an alicyclic olefin polymer, And carboxylic acid ester groups of an alicyclic olefin polymer having a carboxylic acid ester group obtained are converted into carboxyl groups by hydrolysis or the like.

상기한 경화제 성분 중에서도 페놀 수지, 시아네이트에스테르 수지, 활성 에스테르 수지, 지환식 올레핀 중합체가 바람직하다. 특히, 극성이 높고, 비유전율을 억제하기 쉬운 점에서, 페놀 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among the above-mentioned curing agent components, a phenol resin, a cyanate ester resin, an active ester resin, and an alicyclic olefin polymer are preferable. Particularly, it is more preferable to use a phenol resin because the polarity is high and the relative dielectric constant is easily suppressed.

경화제 성분은 경화성 성분의 에폭시기 등의 관능기(경화 반응 가능한 관능기)와, 당해 관능기와 반응할 수 있는 경화제 성분의 관능기의 비율(경화제 성분의 관능기의 수/경화성 성분의 관능기의 수:당량비)이 0.2 내지 5가 되는 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 당량비를 상기한 범위로 함으로써, 보다 한층, 보호 특성이 우수한 반도체용 봉지재를 얻을 수 있다.(The number of functional groups of the curing agent component / the number of functional groups of the curable component: equivalent ratio) of the functional groups (curable reactable functional groups) such as epoxy groups of the curable component and the functional groups of the curing agent component capable of reacting with the functional groups is 0.2 To < RTI ID = 0.0 > 5. &Lt; / RTI > By setting the equivalence ratio to the above-mentioned range, it is possible to obtain a semiconductor encapsulant having further excellent protection characteristics.

<경화 촉진제 성분>&Lt; Curing accelerator component >

본 발명에 의한 반도체용 봉지재를 구성하는 성분으로서, 경화 촉진제 성분이 포함되어 있어도 된다. 경화 촉진제 성분은 경화성 성분의 경화 반응을 촉진시키는 것이고, 봉지재의 반도체 웨이퍼로의 밀착성 및 내열성을 보다 한층 향상시킬 수 있다. 경화 촉진제 성분으로서는, 이미다졸 및 그의 유도체; 아세토구아나민, 벤조구아나민 등의 구아나민류; 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, m-크실렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디시안디아미드, 요소, 요소 유도체, 멜라민, 다염기 히드라지드 등의 폴리아민류; 이들의 유기산염 및 에폭시 어덕트 중 적어도 어느 1종; 3불화붕소의 아민 착체; 에틸디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-크실릴-S-트리아진 등의 트리아진 유도체류; 트리메틸아민, 트리에탄올아민, N,N-디메틸옥틸아민, N-벤질디메틸아민, 피리딘, N-메틸모르폴린, 헥사(N-메틸)멜라민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노페놀), 테트라메틸구아니딘, m-아미노페놀 등의 아민류; 폴리비닐페놀, 폴리비닐페놀브롬화물, 페놀노볼락, 알킬페놀노볼락 등의 폴리페놀류; 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스-2-시아노에틸포스핀 등의 유기 포스핀류; 트리-n-부틸(2,5-디히드록시페닐)포스포늄브로마이드, 헥사데실트리부틸포스포늄크롤라이드 등의 포스포늄염류; 벤질트리메틸암모늄클로라이드, 페닐트리부틸암모늄크롤라이드 등의 4급 암모늄염류; 상기 다염기산 무수물; 디페닐요오도늄테트라플루오로보로에이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 2,4,6-트리페닐티오피릴륨헥사플루오로포스페이트 등의 광 양이온 중합 촉매; 스티렌-무수 말레산 수지; 페닐이소시아네이트와 디메틸아민의 등몰 반응물이나, 톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 유기 폴리이소시아네이트와 디메틸아민의 등몰 반응물, 금속 촉매 등의 종래 공지의 경화 촉진제를 들 수 있고, 이들 1종을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the component constituting the encapsulating material for semiconductor according to the present invention, a curing accelerator component may be contained. The curing accelerator component accelerates the curing reaction of the curable component and can further improve the adhesion of the sealing material to the semiconductor wafer and the heat resistance. Examples of the curing accelerator component include imidazole and derivatives thereof; Guanamine such as acetoguanamine and benzoguanamine; Polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, urea, urea derivatives, melamine and polybasic hydrazide; At least one of these organic acid salts and epoxy adducts; Amine complexes of boron trifluoride; Triazine derived products such as ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine and 2,4-diamino-6-xylyl-S-triazine; (N-methyl) melamine, 2,4,6-tris (dimethylaminophenol), tetra (dimethylaminophenol), N, N-dimethyloctylamine, N-benzyldimethylamine, pyridine, N-methylmorpholine, Amines such as methyl guanidine and m-aminophenol; Polyphenols such as polyvinyl phenol, polyvinyl phenol bromide, phenol novolac, and alkylphenol novolak; Organic phosphines such as tributylphosphine, triphenylphosphine, and tris-2-cyanoethylphosphine; Phosphonium salts such as tri-n-butyl (2,5-dihydroxyphenyl) phosphonium bromide, and hexadecyl tributylphosphonium chloride; Quaternary ammonium salts such as benzyltrimethylammonium chloride and phenyltributylammonium chloride; The polybasic acid anhydride; Photo cationic polymerization catalysts such as diphenyliodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate; Styrene-maleic anhydride resin; Condensation reaction products of phenyl isocyanate and dimethyl amine, condensation reaction products of organic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate and isophorone diisocyanate with dimethyl amine, metal catalysts, and the like, Two or more of them may be used in combination.

경화 촉진제 성분은 필수는 아니지만, 특별히 경화 반응을 촉진시키고 싶은 경우에는, 상기한 경화성 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 20질량부의 범위에서 사용할 수 있다. 경화 촉진제 성분으로서 금속 촉매를 사용하는 경우, 그 함유량은 경화성 성분 100질량부에 대하여 금속 환산으로 10 내지 550ppm이 바람직하고, 25 내지 200ppm이 바람직하다.The curing accelerator component is not essential, but when it is desired to accelerate the curing reaction, the curing accelerator component may be used in an amount of preferably 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the curing component. When a metal catalyst is used as the curing accelerator component, its content is preferably 10 to 550 ppm, more preferably 25 to 200 ppm, in terms of the metal, based on 100 parts by mass of the curable component.

<무기 필러 성분>&Lt; Inorganic filler component >

본 발명에 의한 반도체용 봉지재에는 무기 필러 성분이 포함되어 있어도 된다. 무기 필러 성분이 함유됨으로써 반도체용 봉지재의 신뢰성이 향상된다. 또한, 반도체용 봉지재의 이면 등에 레이저 마킹을 실시함으로써, 레이저광에 의해 깍인 부분에 무기 필러 성분이 노출되어, 반사광이 확산되기 때문에 백색에 가까운 색을 나타낸다. 이에 의해, 반도체용 봉지재가 후술하는 착색제 성분을 함유하는 경우, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에서 콘트라스트 차가 얻어져서, 마킹(인자(印字))이 명료해진다는 효과가 있다.The encapsulating material for semiconductor according to the present invention may contain an inorganic filler component. By containing the inorganic filler component, the reliability of the semiconductor encapsulant is improved. Further, by performing laser marking on the back surface of the semiconductor encapsulant, etc., the inorganic filler component is exposed to the cut portion by the laser beam, and the reflected light is diffused, thereby exhibiting a color close to white. Thus, when the semiconductor encapsulant contains the colorant component described later, there is an effect that the contrast difference is obtained at the portion different from the laser marking portion, and the marking (printing) becomes clear.

무기 필러 성분으로서는, 종래 공지의 것을 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어 실리카, 알루미나, 탈크, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있고, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 실리카, 알루미나, 산화티타늄이 바람직하다.As the inorganic filler component, conventionally known ones can be used without limitation, and examples thereof include powders of silica, alumina, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide and boron nitride, Single crystal fibers, and glass fibers. One type or a mixture of two or more types can be used. Of these, silica, alumina and titanium oxide are preferable.

무기 필러 성분은, 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.01 내지 15㎛, 보다 바람직하게는 0.02 내지 12㎛, 특히 바람직하게는 0.03 내지 10㎛의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서 중, 평균 입자 직경은 전자 현미경으로 무작위로 선택한 무기 필러 성분 20개의 장축 직경을 측정하고, 그 산술 평균값으로서 산출되는 개수 평균 입자 직경으로 한다.The inorganic filler component preferably has an average particle diameter of preferably 0.01 to 15 탆, more preferably 0.02 to 12 탆, and particularly preferably 0.03 to 10 탆. In the present specification, the average particle diameter is a number average particle diameter calculated as an arithmetic mean value by measuring the major axis diameter of 20 inorganic filler components randomly selected by an electron microscope.

무기 필러 성분의 함유량은 반도체용 봉지재를 구성하는 전체 고형 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 10 내지 2000질량부, 보다 바람직하게는 30 내지 1800질량부, 특히 바람직하게는 60 내지 1500질량부이다.The content of the inorganic filler component is preferably 10 to 2000 parts by mass, more preferably 30 to 1800 parts by mass, particularly preferably 60 to 1500 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid components constituting the sealing material for semiconductor to be.

<착색제 성분>&Lt; Colorant component >

본 발명에 의한 반도체용 봉지재에는 착색제 성분이 포함되어 있어도 된다. 착색제 성분이 포함됨으로써, 보호막을 구비한 반도체 칩을 기기에 내장했을 때에, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 또한, 레이저 마킹 등의 수단에 의해 보호막에 각인을 행한 경우에, 문자, 기호 등의 마크가 인식되기 쉬워진다. 즉, 보호막이 형성된 반도체 칩에서는 보호막의 표면에 품번 등이 통상 레이저 마킹법(레이저광에 의해 보호막 표면을 깍아 인자를 행하는 방법)에 의해 인자되지만, 보호막이 착색제를 함유함으로써, 보호막의 레이저광에 의해 깍인 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트 차가 충분히 얻어져, 시인성이 향상된다.The encapsulating material for semiconductor according to the present invention may contain a colorant component. By incorporating the colorant component, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device due to infrared rays or the like generated from the peripheral devices when the semiconductor chip having the protective film is embedded in the device. Further, when engraving is performed on the protective film by a means such as laser marking, marks such as characters and symbols are easily recognized. That is, in a semiconductor chip having a protective film formed on the surface of the protective film, part numbers and the like are usually printed by a laser marking method (a method of peeling off the protective film surface with laser light), but the protective film contains a colorant, The contrast difference between the portion to be cut and the portion to be notched can be sufficiently obtained, and the visibility is improved.

착색제 성분으로서, 유기 또는 무기의 안료 및 염료를 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있지만, 이들 중에서도 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 산화철, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들에 한정되는 경우는 없다. 반도체 장치의 오작동 방지의 관점에서는 카본 블랙이 특히 바람직하다. 또한, 카본 블랙 대신에, 적, 청, 녹, 황색 등의 어느 안료를 혼합하고, 흑색 또는 그것에 가까운 흑색계의 색으로 할 수도 있다.As the colorant component, organic or inorganic pigments and dyes may be used singly or in combination of two or more. Among them, black pigments are preferable from the viewpoint of electromagnetic wave shielding and infrared rays. As the black pigment, carbon black, perylene black, iron oxide, aniline black, activated carbon and the like are used, but the present invention is not limited thereto. From the viewpoint of preventing malfunction of the semiconductor device, carbon black is particularly preferable. Further, instead of carbon black, any pigment such as red, blue, green, and yellow may be mixed to form black or a black color close to that.

착색제 성분은 반도체용 봉지재를 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 35질량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 25질량부, 특히 바람직하게는 1 내지 15질량부의 비율로 함유된다.The colorant component is contained in an amount of preferably from 0.1 to 35 parts by mass, more preferably from 0.5 to 25 parts by mass, particularly preferably from 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solid component constituting the encapsulating material for semiconductor .

<커플링제 성분><Coupling Agent Component>

반도체용 봉지재의 피착체(반도체 웨이퍼)에 대한 접착성, 밀착성 및 보호막의 응집성 중 적어도 어느 한쪽을 향상시키기 위해, 무기물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 커플링제 성분이 포함되어 있어도 된다. 또한, 커플링제 성분이 포함됨으로써, 반도체용 봉지재를 경화하여 얻어지는 보호막의 내열성을 손상시키는 일 없이, 그의 내수성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 커플링제로서는, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실란 커플링제가 바람직하다.Even if a coupling agent component having a functional group that reacts with an inorganic substance and a functional group that reacts with an organic functional group is included in order to improve at least one of adhesiveness, adhesiveness, and cohesiveness of a protective film to an adherend (semiconductor wafer) do. Further, by including the coupling agent component, the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the protective film obtained by curing the semiconductor encapsulant. Examples of such a coupling agent include titanate-based coupling agents, aluminate-based coupling agents, and silane coupling agents. Among them, a silane coupling agent is preferable.

실란 커플링제에 함유되는 유기기로서는, 예를 들어 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 아미노기, 우레이도기, 클로로프로필기, 머캅토기, 폴리술피드기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 실란 커플링제로서 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 KA-1003, KBM-1003, KBE-1003, KBM-303, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1403, KBM-502, KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBE-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103, KBM-9103, KBM-573, KBM-575, KBM-6123, KBE-585, KBM-703, KBM-802, KBM-803, KBE-846, KBE-9007(모두 상품명; 신에쓰 실리콘사제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the organic group contained in the silane coupling agent include a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacryloxy group, an acryloxy group, an amino group, an ureido group, a chloropropyl group, a mercapto group, a polysulfide group, . KBM-1003, KBM-303, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1403 and KBM-502, which are commercially available as silane coupling agents. , KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBE-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103, KBM- -575, KBM-6123, KBE-585, KBM-703, KBM-802, KBM-803, KBE-846 and KBE-9007 (all trade names; manufactured by Shinsei Silicone Co., Ltd.). These may be used singly or in combination of two or more.

<필름성 부여 폴리머 성분><Film-imparting polymer component>

본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 액상, 과립상, 시트상 등의 형태를 취하는 것이 가능하다. 이 중에서 시트상의 반도체용 봉지재로 하는 경우, 필름 형성성을 부여하는 폴리머 성분(필름성 부여 폴리머)을 첨가해도 된다. 본 명세서에 있어서, 필름성 부여 폴리머 성분은 후기하는 반응성의 필름성 부여 폴리머 성분과 구별하기 위해, 반응성 관능기를 갖고 있지 않은 폴리머 성분을 의미하는 것으로 한다. 이와 같은 필름성 부여 폴리머 성분으로서는, 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지나, 에피클로로히드린과 각종 2관능 페놀 화합물의 축합물인 페녹시 수지 또는 그의 골격에 존재하는 히드록시에테르부의 수산기를 각종 산 무수물이나 산 클로라이드를 사용하여 에스테르화한 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들의 폴리머는 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 필름(내지 시트) 형상을 유지할 수 있기 위해서는, 이들 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 통상 2×10⁴ 이상이고, 2×10⁴ 내지 3×10⁶인 것이 바람직하다.The semiconductor encapsulant according to the present invention can take the form of liquid, granular, sheet or the like. When a sheet-like semiconductor encapsulation material is used, a polymer component (film-imparting polymer) that imparts film-forming properties may be added. In the present specification, the film property imparting polymer component means a polymer component having no reactive functional group to distinguish it from the later-described reactive film property imparting polymer component. Examples of such a film-imparting polymer component include thermoplastic polyhydroxypolyether resins, phenoxy resins which are condensates of epichlorohydrin and various bifunctional phenol compounds, or hydroxyl groups in the skeleton thereof, Phenoxy resins obtained by esterification using an acid chloride, polyvinyl acetal resins, polyamide resins, polyamideimide resins, and block copolymers. These polymers may be used singly or in combination of two or more. In order to maintain the film (or sheet) shape, the weight average molecular weight (Mw) of these polymers is usually 2 x 10 ⁴ or more, preferably 2 x 10 ⁴ to 3 x 10 ⁶ .

또한, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw)의 값은 겔·투과·크로마토그래피법(GPC)법(폴리스티렌 표준)에 의해, 하기 측정 장치, 측정 조건에서 측정할 수 있다.In the present specification, the value of the weight average molecular weight (Mw) can be measured by a gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene standard) under the following measuring apparatus and measurement conditions.

측정 장치: Waters제 「Waters 2695」Measuring apparatus: Waters "Waters 2695"

검출기: Waters제 「Waters 2414」, RI(시차 굴절률계)Detector: "Waters 2414" manufactured by Waters, RI (differential refractometer)

칼럼: Waters제 「HSPgel Column, HR MB-L, 3㎛, 6㎜×150㎜」×2+Waters제 「HSPgel Column, HR1, 3㎛, 6㎜×150㎜」×2Column: HSPgel Column, HR MB-L, 3 占 퐉, 6 mm 占 150 mm 占 2, manufactured by Waters 占 HSSgel Column, HR1, 3 占 퐉, 6 mm 占 150 mm 占 2

측정 조건:Measuring conditions:

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

RI 검출기 설정 온도: 35℃RI detector set temperature: 35 ℃

전개 용매: 테트라하이드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran

유속: 0.5ml/분Flow rate: 0.5 ml / min

샘플량: 10μlSample volume: 10 μl

샘플 농도: 0.7wt％Sample concentration: 0.7 wt%

폴리비닐아세탈 수지는, 예를 들어 폴리비닐알코올 수지를 알데하이드로 아세탈화함으로써 얻어진다. 상기 알데하이드로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 부틸알데히드 등을 들 수 있다.The polyvinyl acetal resin is obtained, for example, by acetalizing a polyvinyl alcohol resin with an aldehyde. The aldehyde is not particularly limited and includes, for example, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butylaldehyde and the like.

페녹시 수지의 구체예로서는 도토 가세이사제 FX280, FX293, 미츠비시 가가쿠사제 YX8100, YL6954, YL6974 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenoxy resin include FX280 and FX293 manufactured by Toko Chemical Co., Ltd., YX8100, YL6954 and YL6974 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 세키스이 가가쿠 고교사제 에스렉KS 시리즈, 폴리아미드 수지로서는 히타치 가세이사제 KS5000 시리즈, 닛폰 가야쿠사제 BP 시리즈,Specific examples of the polyvinyl acetal resin include Slak KS series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., KS5000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., BP series manufactured by Nippon Kayaku Co.,

폴리아미드이미드 수지로서는 히타치 가세이사제 KS9000 시리즈 등을 들 수 있다.Examples of the polyamideimide resin include KS9000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. and the like.

열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지는 플루오렌 골격을 갖는 경우, 높은 유리 전이점을 가져 내열성이 우수하기 때문에, 반고형 또는 고형 에폭시 수지에 의한 낮은 열팽창률을 유지함과 함께 그의 유리 전이점을 유지하여, 얻어지는 경화 피막은 낮은 열팽창률과 높은 유리 전이점을 밸런스 좋게 함께 갖는 것이 된다. 또한, 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지는 수산기를 갖기 때문에, 반도체 웨이퍼에 대하여 양호한 밀착성을 나타낸다.The thermoplastic polyhydroxypolyether resin having a fluorene skeleton has a high glass transition point and is excellent in heat resistance. Therefore, it is possible to maintain a low thermal expansion rate by a semi-solid or solid epoxy resin and maintain its glass transition point, The resulting cured coating has a low coefficient of thermal expansion and a high glass transition point in balance. Further, since the thermoplastic polyhydroxypolyether resin has a hydroxyl group, it exhibits good adhesion to a semiconductor wafer.

필름성 부여 폴리머 성분은 상기한 성분을 구성하는 모노머가 블록 공중합한 것이어도 된다. 블록 공중합체란, 성질이 상이한 2종류 이상의 폴리머가, 공유 결합으로 연결되어 긴 연쇄가 된 분자 구조의 공중합체이다. 블록 공중합체로서는 X-Y-X형 또는 X-Y-X'형 블록 공중합체가 바람직하다. X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, 중앙의 Y가 소프트 블록이며 유리 전이 온도(Tg)가 낮고, 그 양 외측의 X 또는 X'이 하드 블록이며 유리 전이 온도(Tg)가 중앙의 Y블록보다도 높은 폴리머 단위로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 유리 전이 온도(Tg)는 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정된다. X와 X'은 서로 상이한 폴리머 단위여도 되고 동일한 폴리머 단위여도 된다.The film-imparting polymer component may be obtained by block copolymerization of monomers constituting the above-mentioned components. A block copolymer is a copolymer having a molecular structure in which two or more kinds of polymers having different properties are linked by a covalent bond to form a long chain. The block copolymer is preferably an X-Y-X type block copolymer or an X-Y-X 'type block copolymer. Among the XYX and XY-X 'type block copolymers, the Y in the center is a soft block, the glass transition temperature (Tg) is low, the X or X' on both sides of the block is a hard block and the glass transition temperature (Tg) It is preferable that it is composed of polymer units higher than the Y block. The glass transition temperature (Tg) is measured by differential scanning calorimetry (DSC). X and X 'may be different polymer units or the same polymer units.

또한, X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, X 또는 X'이 Tg가 50℃ 이상의 폴리머 단위로 이루어지고, Y의 유리 전이 온도(Tg)가, X 또는 X'의 Tg 이하인 폴리머 단위로 이루어지는 블록 공중합체가 더욱 바람직하다. 또한, X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, X 또는 X'이 후기하는 경화성 성분과의 상용성이 높은 것이 바람직하고, Y가 경화성 성분과의 상용성이 낮은 것이 바람직하다. 이와 같이, 양단의 블록이 매트릭스(경화성 성분)에 상용이고, 중앙의 블록이 매트릭스(경화성 성분)에 불상용인 블록 공중합체로 함으로써, 매트릭스 중에서 특이적인 구조를 나타내기 쉬워진다고 생각된다.In the XYX and XY-X'-type block copolymers, X or X 'is a polymer unit having a Tg of 50 or higher, and having a glass transition temperature (Tg) of Y less than or equal to Tg of X or X' Is more preferable. In addition, it is preferable that among the X-Y-X and X-Y-X 'type block copolymers, compatibility with the curable component following X or X' is high, and Y is preferably low in compatibility with the curable component. As described above, it is considered that a specific structure in a matrix tends to be exhibited by making the block at both ends common to a matrix (curable component) and the central block being a block copolymer which is insoluble in a matrix (curable component).

상기한 다양한 폴리머 중에서도 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 플루오렌 골격을 갖는 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지, 블록 공중합체가 바람직하다.Among the various polymers described above, a phenoxy resin, a polyvinyl acetal resin, a thermoplastic polyhydroxypolyether resin having a fluorene skeleton, and a block copolymer are preferable.

반도체용 봉지재를 구성하는 전성분에서 차지하는 필름성 부여 폴리머 성분의 비율은 특별히 한정되는 것은 아니고, 전성분의 합계를 100질량부로 했을 때에 10 내지 50질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 내지 45질량부이다.The proportion of the film-imparting polymer component in all the components constituting the encapsulating material for semiconductor is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 parts by mass, more preferably 15 to 50 parts by mass when the total amount of all the components is 100 parts by mass, 45 parts by mass.

<반응성 필름성 부여 폴리머 성분>&Lt; Reactive film property imparting polymer component >

반도체용 봉지재를 구성하는 성분으로서, 후기하는 경화성 성분과 반응할 수 있는 필름성 부여 폴리머 성분이 포함되어 있어도 된다. 이와 같은 반응성 필름성 부여 폴리머로서는, 카르복실기 함유 수지 또는 페놀 수지를 사용하면 바람직하다. 특히, 카르복실기 함유 수지를 사용하면, 경화성 성분으로서 에폭시 수지가 포함되는 경우에 에폭시 수지와 반응하기 쉽고, 필름 형성성을 부여하면서 반도체 보호막으로서의 특성이 향상되기 때문에 바람직하다.As the component constituting the encapsulating material for semiconductor, a film property imparting polymer component capable of reacting with a later-described curable component may be included. As such a reactive film-imparting polymer, it is preferable to use a carboxyl group-containing resin or a phenol resin. Particularly, the use of a carboxyl group-containing resin is preferable because it is easy to react with an epoxy resin when an epoxy resin is contained as a curing component and the characteristics as a semiconductor protective film are improved while imparting film formability.

카르복실기 함유 수지로서는, 이하의 (1) 내지 (7)의 수지를 적합하게 사용할 수 있다.As the carboxyl group-containing resin, the following resins (1) to (7) can be suitably used.

(1) 지방족 디이소시아네이트, 분지 지방족 디이소시아네이트, 지환식 디이소시아네이트, 방향족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트와, 디메틸올프로피온산, 디메틸올부탄산 등의 카르복실기를 함유하는, 디알코올 화합물, 폴리카보네이트계 폴리올, 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올, 폴리올레핀계 폴리올, 비스페놀 A계 알킬렌옥사이드 부가체 디올, 페놀성 히드록실기 및 알콜성 히드록실기를 갖는 화합물 등의 디올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 우레탄 수지,(1) a dialcohol compound containing a diisocyanate such as an aliphatic diisocyanate, a branched aliphatic diisocyanate, an alicyclic diisocyanate, or an aromatic diisocyanate and a carboxyl group such as dimethylolpropionic acid or dimethylolbutanoic acid, a polycarbonate-based polyol, a poly Containing urethane compound obtained by the mid-chain reaction of a diol compound such as an ether type polyol, a polyester type polyol, a polyolefin type polyol, a bisphenol A type alkylene oxide adduct diol, a compound having a phenolic hydroxyl group and an alcoholic hydroxyl group, Suzy,

(2) 디이소시아네이트와, 카르복실기 함유 디알코올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 우레탄 수지,(2) a carboxyl group-containing urethane resin obtained by a reaction between a diisocyanate and a carboxyl group-containing dialcohol compound,

(3) (메타)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 스티렌, α-메틸스티렌, 저급 알킬(메타)아크릴레이트, 이소부틸렌 등의 불포화기 함유 화합물과의 공중합에 의해 얻어지는 카르복실기 함유 수지,(3) a carboxyl group-containing resin obtained by copolymerization of an unsaturated carboxylic acid such as (meth) acrylic acid with an unsaturated group-containing compound such as styrene, -methylstyrene, lower alkyl (meth) acrylate or isobutylene,

(4) 2관능 에폭시 수지 또는 2관능 옥세탄 수지에 아디프산, 프탈산, 헥사하이드로프탈산 등의 디카르복실산을 반응시키고, 발생한 수산기에 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산 등의 2염기산 무수물을 부가시킨 카르복실기 함유 폴리에스테르 수지,(4) reacting a bifunctional epoxy resin or a bifunctional oxetane resin with a dicarboxylic acid such as adipic acid, phthalic acid, or hexahydrophthalic acid, and reacting the produced hydroxyl group with phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride or hexahydrophthalic anhydride A carboxyl group-containing polyester resin to which dibasic acid anhydride is added,

(5) 에폭시 수지 또는 옥세탄 수지를 개환시키고, 생성한 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지,(5) a carboxyl group-containing resin obtained by ring-opening an epoxy resin or an oxetane resin and reacting the resulting hydroxyl group with a polybasic acid anhydride,

(6) 1분자 중에 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 즉 폴리페놀 화합물을, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드와 반응시켜 얻어지는 폴리알코올 수지 등의 반응 생성물에, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지, 및(6) a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyalcohol resin obtained by reacting a polyphenol compound with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide, with a polybasic acid anhydride A carboxyl group-containing resin, and

(7) 1분자 중에 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 즉 폴리페놀 화합물을, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드와 반응시켜 얻어지는 폴리알코올 수지 등의 반응 생성물에, (메타)아크릴산 등의 불포화기 함유 모노카르복실산을 반응시키고, 얻어지는 반응 생성물에, 다염기산 무수물을 더 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지,(7) To a reaction product such as a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyphenol compound, with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide, A carboxyl group-containing resin obtained by reacting an unsaturated group-containing monocarboxylic acid with a reaction product obtained by further reacting a polybasic acid anhydride,

등의 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴레이트란, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 그들의 혼합물을 의미한다.Can be suitably used. Further, in the present specification, (meth) acrylate means acrylates, methacrylates, and mixtures thereof.

상기한 수지 중에서, 상기 (1), (2), (6) 및 (7)은 감광성 카르복실기 함유 수지로서 뿐만아니라, 비감광성 카르복실기 함유 수지로서도 사용할 수 있다. 이들 중에서도 (6) 및 (7)의 수지가 모든 특성에서의 밸런스가 양호한 점에서 바람직하다.Among the above-mentioned resins, the above-mentioned (1), (2), (6) and (7) can be used not only as photosensitive resin containing a photosensitive group, but also as a resin containing a non-photosensitive carboxyl group. Among these, the resins (6) and (7) are preferable in terms of good balance in all properties.

반응성 필름성 부여 폴리머의 중량 평균 분자량은 수지 골격에 따라 상이하지만, 일반적으로는 2×10³ 내지 1.5×10⁵의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3×10³ 내지 1×10⁵의 범위이지만, 이들 범위에 한정되는 것은 아니다.The weight average molecular weight of the reactive film-imparting polymer varies depending on the resin skeleton, but it is preferably in the range of 2 x 10 ³ to 1.5 x 10 ⁵ , more preferably 3 x 10 ³ to 1 x 10 ⁵ But is not limited to these ranges.

반도체용 봉지재를 구성하는 전성분에서 차지하는 반응성 필름성 부여 폴리머 성분의 비율은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 상기한 필름성 부여 폴리머 100질량부 중 20 내지 60질량부를 반응성 필름성 부여 폴리머로 치환하는 것이 바람직하다.The ratio of the reactive film property imparting polymer component in all the components constituting the encapsulating material for semiconductor is not particularly limited. For example, 20 to 60 parts by mass of the above film property imparting polymer may be added to the reactive film property imparting polymer Is preferably substituted.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명에 의한 반도체용 봉지재에는 상기한 성분 이외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로서는, 레벨링제, 가소제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제, 박리제 등을 들 수 있다. 단, 삼산화안티몬 등의 난연제는 특성을 손상시키지 않는 범위에서 배합되어도 되지만, 환경 부하의 관점에서, 실질적으로 포함하지 않는 편이 바람직하다.In addition to the above components, various additives may be added to the encapsulating material for semiconductor according to the present invention, if necessary. Examples of the various additives include a leveling agent, a plasticizer, an ion capturing agent, a gettering agent, a chain transfer agent, and a releasing agent. However, the flame retardant such as antimony trioxide may be blended to the extent that the properties are not impaired, but it is preferable that the flame retardant is substantially not included from the viewpoint of environmental load.

반도체용 봉지재를 필름 형상으로 했을 때의 두께는 봉지하는 반도체 칩이나 전자 부품의 두께보다 두꺼우면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 내지 800㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 700㎛, 특히 바람직하게는 7 내지 600㎛이다.The thickness when the semiconductor encapsulant is formed into a film is not particularly limited as long as it is thicker than the thickness of the semiconductor chip or the electronic component to be encapsulated, but is preferably 3 to 800 占 퐉, more preferably 5 to 700 占 퐉, Is 7 to 600 mu m.

본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 단층 구조여도 되고, 또한 다층 구조여도 된다.The semiconductor encapsulant according to the present invention may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 가시광선, 적외선 및 자외선 중 적어도 어느 1종의 투과성을 나타내는 척도인, 파장 300 내지 1200㎚에서의 최대 투과율은 20% 이하인 것이 바람직하고, 0 내지 15%인 것이 보다 바람직하고, 0%를 초과하고 10% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.001 내지 8%인 것이 특히 바람직하다. 파장 300 내지 1200㎚에서의 반도체용 봉지재의 최대 투과율을 상기 범위로 함으로써, 가시광 파장 영역 및 적외 파장 영역 중 적어도 어느 1종의 투과성의 저하가 발생하여, 반도체 장치의 적외선 기인의 오작동의 방지나, 인자의 시인성 향상 등의 효과가 얻어진다. 파장 300 내지 1200㎚에서의 반도체용 봉지재의 최대 투과율은 상기한 착색제 성분의 종류 및 함유량에 의해 조정할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 반도체용 봉지재의 최대 투과율은 UV-vis 스펙트럼 검사 장치((주) 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 경화 후의 반도체용 봉지재(두께 25㎛)의 300 내지 1200㎚에서의 전체 광선 투과율을 측정하여, 투과율이 가장 높은 값(최대 투과율)을 말하는 것으로 한다.The semiconductor encapsulant according to the present invention preferably has a maximum transmittance at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a measure of transmittance of at least one of visible light, infrared light and ultraviolet light, preferably 20% or less, more preferably 0 to 15% , More preferably more than 0% and not more than 10%, particularly preferably 0.001 to 8%. By setting the maximum transmittance of the semiconductor encapsulant at the wavelength of 300 to 1200 nm within the above range, the transmittance of at least one of the visible light wavelength region and the infrared wavelength region is lowered to prevent the semiconductor device from malfunctioning, An effect of improving the visibility of the factor and the like can be obtained. The maximum transmittance of the semiconductor encapsulant at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted by the type and content of the colorant component. In the present specification, the maximum transmittance of the semiconductor encapsulant was measured using a UV-vis spectrum analyzer (Shimadzu Corporation) at 300 to 1200 nm of the encapsulating material for semiconductor after being cured (Maximum transmittance) of the transmittance is measured.

본 발명에 의한 반도체용 봉지재의 형태는 액상, 과립, 태블릿상, 시트상의 어느 것이어도 되지만, 용이하게 취급할 수 있는 점에서 시트상의 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다.The semiconductor encapsulant according to the present invention may be in the form of a liquid, a granule, a tablet, or a sheet, but preferably has a sheet-like shape in that it can be easily handled.

<반도체용 봉지재의 제조 방법>&Lt; Manufacturing Method of Seal Material for Semiconductor &

본 발명에 의한 반도체용 봉지재는 상기 각 성분을 소정의 비율로 혼합하여 얻어지는 조성물(혼합물)을 사용하여 얻어진다. 당해 조성물은 미리 용매로 희석해 두어도 되고, 또한 혼합 시에 용매에 첨가해도 된다. 또한, 조성물을 사용하여 반도체용 봉지재를 제작할 때에, 조성물을 용매로 희석해도 된다. 용매로서는, 아세트산에틸, 아세트산메틸, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴, 헥산, 시클로헥산, 톨루엔, 헵탄 등을 들 수 있다. 이 방법으로 액상품의 반도체용 봉지재를 얻을 수 있다.The semiconductor encapsulant according to the present invention is obtained by using a composition (mixture) obtained by mixing the respective components at a predetermined ratio. The composition may be diluted with a solvent in advance, or may be added to a solvent at the time of mixing. Further, when the sealing material for semiconductor is manufactured using the composition, the composition may be diluted with a solvent. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl acetate, diethyl ether, dimethyl ether, acetone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, hexane, cyclohexane, toluene and heptane. In this way, a sealing material for a semiconductor of a liquid product can be obtained.

상기와 같이 하여 제조된 조성물(혼합물)을 지지체 위에 도포하여 제막함으로써 시트상의 반도체용 봉지재로 할 수 있다. 제막 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 적용할 수 있고, 평판 프레스법, 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등의 공지의 수단에 의해 조성물(혼합물)을 지지체 위에 도공하고, 건조함으로써 반도체용 봉지재를 얻을 수 있다. 또한, 조성물(혼합물)의 도공량을 조정함으로써, 상기한 바와 같은 두께의 반도체용 봉지재를 얻을 수 있다.The composition (mixture) prepared as described above is coated on a support to be formed into a sheet-like semiconductor encapsulating material. As a film forming method, conventionally known methods can be applied, and a composition (mixture) is coated on a support by a known means such as a flat plate pressing method, a roll knife coater, a gravure coater, a die coater and a reverse coater, An encapsulating material can be obtained. Further, by adjusting the coating amount of the composition (mixture), a semiconductor encapsulating material having the above-described thickness can be obtained.

지지체로서는, 세퍼레이트지, 세퍼레이트 필름, 세퍼지, 박리 필름, 박리지 등의 종래 공지의 것을 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 연신 폴리프로필렌 필름(OPP) 등의 폴리올레핀 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 포함하는 이형지용 기재의 편면 또는 양면에 이형층을 형성한 것을 사용해도 된다. 이형층으로서는, 이형성을 갖는 재료라면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 실리콘 수지, 유기 수지 변성 실리콘 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.As the support, conventionally known ones such as a separator paper, a separate film, a separator, a release film, and a release paper can be suitably used. Further, it is also possible to use a single-sided or two-sided (single-sided) or double-sided (single-sided) or double-sided (multi-sided) May be used. The releasing layer is not particularly limited as long as it is a releasable material, and examples thereof include a silicone resin, an organic resin-modified silicone resin, and a fluororesin.

본 발명의 반도체용 봉지재는 프린트 배선 기판의 봉지재, 태양 전지 재료의 봉지재, 전선·케이블의 봉지재 기판과 반도체 칩의 접착제에도 사용할 수 있다. 특히, 본 발명의 반도체용 봉지재는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 회로 형성면이 표면에 노출되도록 반도체 칩을 매설하는 반도체용 봉지재와, 상기 반도체 칩의 회로 형성면측에 형성된 재배선층을 구비하고, 상기 재배선층이, 반도체 칩 영역 이외의 반도체용 봉지재 영역에도 형성되어 있는 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지에 적합하게 사용할 수 있다.The semiconductor encapsulant of the present invention can also be used for an encapsulating material for a printed wiring board, an encapsulating material for a solar cell material, an encapsulating material for a cable or a cable, and an adhesive for a semiconductor chip. In particular, the semiconductor encapsulant of the present invention includes a semiconductor chip, a semiconductor encapsulant for embedding the semiconductor chip so that the circuit formation surface of the semiconductor chip is exposed on the surface, and a rewiring layer formed on the circuit formation surface side of the semiconductor chip , The rewiring layer can be suitably used for a fan-out type wafer level package formed in a semiconductor encapsulant region other than the semiconductor chip region.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한, 「부」란 질량부를 의미하는 것으로 한다.Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise stated, " part " means a mass part.

<반응성 필름성 부여 폴리머(카르복실기 함유 수지) 1의 합성><Synthesis of reactive film-imparting polymer (carboxyl group-containing resin) 1>

온도계, 질소 도입 장치겸 알킬렌옥사이드 도입 장치 및 교반 장치를 구비한 오토클레이브에, 비스페놀 A-포름알데히드형 페놀 수지(메이와 가세이(주)제, 상품명 「BPA-D」, OH당량: 120) 120.0g, 수산화칼륨 1.20g 및 톨루엔 120.0g을 투입하고, 교반하면서 계 내를 질소 치환하고, 가열 승온했다. 이어서, 프로필렌옥사이드 63.8g을 조금씩 적하하고, 125 내지 132℃, 0 내지 4.8㎏/㎠로 16시간 반응시켰다.120 g of a bisphenol A-formaldehyde-type phenol resin (trade name "BPA-D", OH equivalent: 120, manufactured by Meiwa Kasei K.K.) was added to an autoclave equipped with a thermometer, a nitrogen introducing device and an alkylene oxide introducing device, g, potassium hydroxide (1.20 g) and toluene (120.0 g) were charged, the inside of the system was replaced with nitrogen while stirring, and the temperature was raised by heating. Subsequently, 63.8 g of propylene oxide was added dropwise little by little, and the mixture was reacted at 125 to 132 캜 at 0 to 4.8 kg / cm 2 for 16 hours.

그 후, 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 이 반응 용액에 89% 인산 1.56g을 첨가 혼합하여 수산화칼륨을 중화하고, 불휘발분 62.1%, 수산기가가 182.2g/eq.인 비스페놀 A-포름알데히드형 페놀 수지의 프로필렌옥사이드 반응 용액을 얻었다. 이것은, 페놀성 수산기 1당량당 알킬렌옥사이드가 평균 1.08몰 부가하고 있는 것이었다.Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and 1.56 g of 89% phosphoric acid was added to the reaction solution to neutralize the potassium hydroxide to obtain a bisphenol A-formaldehyde type having a nonvolatile content of 62.1% and a hydroxyl value of 182.2 g / To obtain a propylene oxide reaction solution of a phenol resin. It was found that the average amount of alkylene oxide per 1.0 equivalent of the phenolic hydroxyl group was 1.08 mol.

얻어진 노볼락형 크레졸 수지의 알킬렌옥사이드 반응 용액 293.0g, 아크릴산 43.2g, 메탄술폰산 11.53g, 메틸하이드로퀴논 0.18g 및 톨루엔 252.9g을, 교반기, 온도계 및 공기 흡입관을 구비한 반응기에 투입하고, 공기를 10ml/분의 속도로 불어 넣고, 교반하면서, 110℃에서 12시간 반응시켰다.293.0 g of the alkylene oxide reaction solution of the obtained novolac cresol resin, 43.2 g of acrylic acid, 11.53 g of methanesulfonic acid, 0.18 g of methylhydroquinone and 252.9 g of toluene were fed into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air suction pipe, Was blown at a rate of 10 ml / min, and the mixture was reacted at 110 DEG C for 12 hours while stirring.

반응에 의해 생성한 물은 톨루엔과의 공비 혼합물로서 12.6g 유출했다. 그 후, 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 얻어진 반응 용액을 15% 수산화나트륨 수용액 35.35g으로 중화하고, 이어서 수세했다. 그 후, 증발기에서 톨루엔을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 118.1g으로 치환하면서 증류 제거하고, 노볼락형 아크릴레이트 수지 용액을 얻었다.The water produced by the reaction was 12.6 g effluent as an azeotropic mixture with toluene. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and the obtained reaction solution was neutralized with 35.35 g of a 15% aqueous solution of sodium hydroxide, followed by washing with water. Thereafter, toluene was distilled off from the evaporator while replacing the toluene with 118.1 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a novolak type acrylate resin solution.

이어서, 얻어진 노볼락형 아크릴레이트 수지 용액 332.5g 및 트리페닐포스핀 1.22g을, 교반기, 온도계 및 공기 흡입관을 구비한 반응기에 투입하고, 공기를 10ml/분의 속도로 불어 넣고, 교반하면서, 테트라하이드로프탈산 무수물 60.8g을 조금씩 가하고, 95 내지 101℃에서 6시간 반응시켜, 고형물의 산가 88㎎KOH/g, 불휘발분 71%의 반응성 필름성 부여 폴리머(카르복실기 함유 수지) 1을 얻었다. 이것을 수지 용액 A로 한다. 수지 용액 A에 포함되는 반응성 필름성 부여 폴리머(카르복실기 함유 수지) 1성분의 중량 평균 분자량은 4×10³이었다.Subsequently, 332.5 g of the obtained novolak type acrylate resin solution and 1.22 g of triphenylphosphine were introduced into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air suction tube, blowing air at a rate of 10 ml / min, 60.8 g of hydrophthalic anhydride was added little by little and the mixture was reacted at 95 to 101 ° C for 6 hours to obtain a reactive film-imparting polymer (carboxyl-containing resin) 1 having an acid value of 88 mg KOH / g and a nonvolatile content of 71%. This is referred to as resin solution A. The weight average molecular weight of one component of the reactive film-imparting polymer (carboxyl group-containing resin) contained in the resin solution A was 4 × 10 ³ .

또한, 중량 평균 분자량(Mw)의 값은 겔·투과·크로마토그래피법(GPC)법(폴리스티렌 표준)에 의해, 하기 측정 장치, 측정 조건에서 측정했다.The value of the weight average molecular weight (Mw) was measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene standard) under the following measuring apparatus and measurement conditions.

칼럼: Waters제 「HSPgel Column, HR MB-L, 3㎛, 6㎜×150㎜」×2+Waters제 「HSPgel Column, HR 1, 3㎛, 6㎜×150㎜」×2Column: HSPgel Column, HR MB-L, 3 占 퐉, 6 mm 占 150 mm 占 2, manufactured by Waters 占 HSSgel Column, HR 1, 3 占 퐉, 6 mm 占 150 mm 占 2

측정 조건:Measuring conditions:

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

RI 검출기 설정 온도: 35℃RI detector set temperature: 35 ℃

전개 용매: 테트라하이드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran

유속: 0.5ml/분Flow rate: 0.5 ml / min

샘플량: 10μlSample volume: 10 μl

샘플 농도: 0.7wt％Sample concentration: 0.7 wt%

<반도체용 봉지재 1의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 1>

이하의 성분을, 메틸에틸케톤에 용해·분산시켜, 고형분 질량 농도 20%의 봉지재용 조성 용액 1을 제조했다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 1 for a sealing material having a solid content concentration of 20%.

· 안트라퀴논 2부· Anthraquinone Part 2

· 페녹시 수지(도토 가세이사제 FX293) 50부Phenoxy resin (FX293 manufactured by Toko Chemical Co., Ltd.) 50 parts

· 수지 용액 A 70.4부· Resin solution A 70.4 parts

· 나프탈렌형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제 NC-7000) 30부Naphthalene type epoxy resin (NC-7000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 30 copies

· 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠사제 YX-4000) 10부-Bicylenol type epoxy resin (YX-4000 manufactured by Mitsubishi Chemical) 10 copies

· 페놀노볼락형 에폭시 수지 10부· Phenol novolak type epoxy resin 10 copies

(더·다우·케미컬·컴퍼니제 DEN-431) (DEN-431 made by the Dow Chemical Company)

· 카본 블랙(미츠비시 가가쿠사제 카본MA-100) 10부Carbon black (Carbon MA-100 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 10 copies

· 구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인SO-E2) 200부· Spherical silica (Admafine SO-E2 manufactured by Admatex) 200 parts

· 수산화알루미늄(쇼와 덴코(주)제 하이길리트42M) 150부Aluminum hydroxide (Higilite 42M manufactured by Showa Denko K.K.) 150 parts

· 실란 커플링제(신에쓰 가가꾸사제 KBM-403) 2부Silane coupling agent (KBM-403 available from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Part 2

· 2-페닐이미다졸(시코쿠 가세이 고교(주)제 2PZ) 2부2-phenylimidazole (2PZ, Shikoku Kasei Corporation) Part 2

봉지재용 조성 용액 1을 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 10분 건조시켜 두께 50㎛의 반도체용 봉지재 1을 제작했다. 이 필름을 6매 적층하여 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 1을 제작했다.The composition solution 1 for encapsulant was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 占 폚 for 10 minutes to produce a semiconductor encapsulant 1 having a thickness of 50 占 퐉. Six films of these films were laminated to produce a semiconductor encapsulant 1 having a thickness of 300 mu m.

<반도체용 봉지재 2의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 2>

이하의 성분을 배합하고, 롤 혼련기로 70℃에서 4분간, 계속해서 120℃에서 6분간 가열하고, 합계 10분간, 감압(0.01㎏/㎠)하면서 용융 혼련하여, 혼련물 2를 제작했다.And the mixture was melted and kneaded while heating at 70 DEG C for 4 minutes and then at 120 DEG C for 6 minutes with a roll kneading machine for a total of 10 minutes under reduced pressure (0.01 kg / cm2) to prepare a kneaded product 2.

· 안트라퀴논 2부· Anthraquinone Part 2

· 구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인SO-E2) 500부· Spherical silica (Admafine SO-E2 manufactured by Admatex) 500 parts

얻어진 혼련물 2를 2매의 50㎛의 커버 필름(데이진 퓨렉스 필름) 사이에 두도록 배치하고, 평판 프레스법에 의해 혼련물을 시트상으로 형성하여, 두께 300㎛의 시트상의 반도체용 봉지재 2를 얻었다.The resultant kneaded product 2 was placed between two 50 mu m cover films (Deijin Purex film), and kneaded material was formed into a sheet by a flat plate pressing method to form a sheet-like semiconductor encapsulant 2.

<반도체용 봉지재 3의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 3>

이하의 성분을 배합하고, 롤 혼련기로 70℃에서 4분간, 계속해서 120℃에서 6분간 가열하고, 합계 10분간, 감압(0.01㎏/㎠)하면서 용융 혼련하여, 혼련물 3을 제작했다.The following components were blended and melt kneaded with a roll kneading machine at 70 캜 for 4 minutes and then at 120 캜 for 6 minutes and under reduced pressure (0.01 kg / cm 2) for a total of 10 minutes to prepare a kneaded product 3.

· 이산화망간 5부· Manganese dioxide Part 5

· 에폭시 수지(상품명 에피코트1001; JER사제) 30부Epoxy resin (trade name: Epikote 1001, manufactured by JER) 30 copies

· C.I.Pigment Blue 15:3 0.8부C.I.Pigment Blue 15: 3 0.8 part

· C.I.Pigment Yellow 147 0.55부C.I.Pigment Yellow 147 0.55 part

· Paliogen Red K3580 1.5부· Paliogen Red K3580 1.5 parts

· 구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인SO-E2) 400부· Spherical silica (Admafine SO-E2 manufactured by Admatex) 400 parts

얻어진 혼련물 3을 2매의 50㎛의 PET 필름(데이진 퓨렉스 필름) 사이에 두도록 배치하고, 평판 프레스법에 의해 혼련물을 시트상으로 형성하여, 두께 300㎛의 시트상의 반도체용 봉지재 3을 얻었다.The resultant kneaded product 3 was placed between two 50 占 퐉 PET films (Deijin Purex film), and the kneaded product was formed into a sheet by a flat plate pressing method to obtain a sheet- 3.

<반도체용 봉지재 4의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 4>

이하의 성분을 배합하고, 롤 혼련기로 70℃에서 4분간, 계속해서 120℃에서 6분간 가열하고, 합계 10분간, 감압(0.01㎏/㎠)하면서 용융 혼련하여, 혼련물 4를 제작했다.The following components were blended and melt kneaded with a roll kneading machine at 70 캜 for 4 minutes and then at 120 캜 for 6 minutes and under reduced pressure (0.01 kg / cm 2) for 10 minutes in total to prepare a kneaded product 4.

· 과산화벤조일 3부· Benzoyl peroxide Part 3

· 구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인SO-E2) 600부· Spherical silica (Admafine SO-E2 manufactured by Admatex) 600 parts

· 산화티타늄(이시하라 산교(주)제 CR-90) 15부· Titanium oxide (CR-90 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) Part 15

얻어진 혼련물 4를 2매의 50㎛의 커버 필름(데이진 퓨렉스 필름) 사이에 두도록 배치하고, 평판 프레스법에 의해 혼련물을 시트상으로 형성하여, 두께 300㎛의 시트상의 반도체용 봉지재 4를 얻었다.The obtained kneaded product 4 was placed so as to be placed between two 50 mu m cover films (Deijin Purex film), and the kneaded product was formed into a sheet by a flat plate pressing method to obtain a sheet- 4 was obtained.

<반도체용 봉지재 5의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 5>

이하의 성분을 배합하고, 롤 혼련기로 70℃에서 4분간, 계속해서 120℃에서 6분간 가열하고, 합계 10분간, 감압(0.01㎏/㎠)하면서 용융 혼련하여, 혼련물 5를 제작했다.And the mixture was melted and kneaded while heating at 70 DEG C for 4 minutes and then at 120 DEG C for 6 minutes with a roll kneading machine for a total of 10 minutes under reduced pressure (0.01 kg / cm2) to prepare a kneaded product 5. [

· 안트라퀴논(분자량 208) 3부Anthraquinone (molecular weight 208) Part 3

· 산화 방지제(아데카스탭 AO-60) 1부· Antioxidant (Adeka Stap AO-60) chapter 1

또한, 반도체용 봉지재 5에 있어서, 산화 방지제의 관능기의 몰수는, 산화제인 안트라퀴논의 관능기의 몰수를 100%로 하면, 약 12%가 된다.In the semiconductor encapsulant 5, the number of moles of the functional group of the antioxidant is about 12% when the number of moles of the anthraquinone functional group as the oxidant is 100%.

얻어진 혼련물 5를 2매의 50㎛의 커버 필름(데이진 퓨렉스 필름) 사이에 두도록 배치하고, 평판 프레스법에 의해 혼련물을 시트상으로 형성하여, 두께 300㎛의 시트상의 반도체용 봉지재 5를 얻었다.The obtained kneaded product 5 was placed so as to lie between two 50 mu m cover films (Deijin Purex film), and kneaded material was formed into a sheet by a flat plate pressing method to obtain a sheet- 5 was obtained.

<반도체용 봉지재 6의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 6>

안트라퀴논을 사용하지 않은 것 이외는 반도체용 봉지재 1과 마찬가지로 조작하여, 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 6을 제작했다.Except that anthraquinone was not used, the semiconductor encapsulant 6 having a thickness of 300 mu m was produced.

<반도체용 봉지재 7의 제작><Fabrication of semiconductor encapsulant 7>

안트라퀴논을 사용하지 않은 것 이외는 반도체용 봉지재 2와 마찬가지로 조작하여, 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 7을 제작했다.Except that anthraquinone was not used, the semiconductor encapsulant 7 having a thickness of 300 mu m was fabricated.

<반도체용 봉지재 8의 제작><Fabrication of semiconductor encapsulant 8>

이산화망간을 사용하지 않은 것 이외는 반도체용 봉지재 3과 마찬가지로 조작하여, 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 8을 제작했다.A semiconductor encapsulating material 8 having a thickness of 300 mu m was fabricated in the same manner as the encapsulating material for semiconductor 3 except that no manganese dioxide was used.

<반도체용 봉지재 9의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 9>

과산화벤조일을 사용하지 않은 것 이외는 반도체용 봉지재 4와 마찬가지로 조작하여, 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 9를 제작했다.Except that benzoyl peroxide was not used, the semiconductor encapsulant 9 having a thickness of 300 mu m was produced.

<반도체용 봉지재 10의 제작><Fabrication of Semiconductor Bag 10>

안트라퀴논과 아데카스탭 AO-60을 사용하지 않은 것 이외는 반도체용 봉지재 5와 마찬가지로 조작하여, 두께 300㎛의 반도체용 봉지재 10을 제작했다.Except that anthraquinone and Adekastab AO-60 were not used, the encapsulation material for semiconductor 10 having a thickness of 300 mu m was produced.

<반도체 웨이퍼의 준비><Preparation of Semiconductor Wafer>

반도체 웨이퍼로서, 캐노시스 가부시키가이샤제의 편면에 100㎚의 SiO₂막이 형성된, 4inch 두께 200㎛로 연마된 P형 실리콘 웨이퍼를 준비했다.As a semiconductor wafer, a P-type silicon wafer polished to a thickness of 4 inches and having a thickness of 200 탆 and having a SiO ₂ film of 100 nm formed on one surface of a Canosys Corporation was prepared.

<반도체 패키지의 제작><Fabrication of Semiconductor Package>

상기한 반도체 웨이퍼를 다이싱 장치를 사용하여 다이싱을 행하고, 10㎜×10㎜각(角)의 반도체 칩을 얻었다. SUS제 평면 기판 위에 임시 고정 필름을 배치하고, 상기의 반도체 칩을 SiO₂면이 임시 고정 필름과 접촉하도록 더 배치했다. 이 위에 20㎜×20㎜각의 시트상의 반도체용 봉지재를 중심 위치가 대략 일치하도록 적층하고, 가열식 프레스 압착기를 사용하여 150℃에서 1시간 압축 성형시켰다. 얻어진 적층체로부터 임시 고정 필름을 벗겨서 반도체 패키지를 얻었다.The semiconductor wafer was subjected to dicing using a dicing machine to obtain a semiconductor chip having a size of 10 mm x 10 mm. A temporary fixing film was placed on a flat SUS-made substrate, and the above-mentioned semiconductor chip was further placed such that the SiO ₂ side was in contact with the temporary fixing film. The sheet-like semiconductor encapsulation material 20 mm x 20 mm square was laminated thereon such that the center positions thereof were substantially aligned, and compression molding was performed at 150 캜 for one hour using a hot press press. The temporary fixing film was peeled from the obtained laminate to obtain a semiconductor package.

반도체 칩과 반도체용 봉지재 사이의 간극 형성의 억제의 확인 방법으로서, 밀착성을 평가했다. 평가는 이하와 같이 하여 행하였다.As a method for confirming the suppression of the gap formation between the semiconductor chip and the semiconductor encapsulating material, the adhesion was evaluated. The evaluation was carried out as follows.

<평가><Evaluation>

25℃의 TMAH 2.38% 수용액(상품명 AD-10, 다마 가가쿠 고교 가부시키가이샤제)을 준비하고, 여기에 제작한 반도체 패키지를 반도체 칩의 SiO₂면이 위가 되도록 침지하여, 5분간 처리했다. 그 후 반도체 패키지를 취출하고, 순수로 2회 린스했다. 그 후 에어 블로우로 수분을 날리고, 100℃로 설정한 핫 플레이트에 5분간 얹어 회수했다. 얻어진 처리 후의 반도체 패키지는 반도체 칩측으로부터 반도체 칩과 봉지재의 경계 부분을 광학 현미경 및 전자 현미경으로 관찰하여, 간극이 발생하지 않고 밀착되어 있는 것을 ○, 간극이 관찰되는 것을 ×라고 판정했다. 평가 결과는 하기의 표 1에 나타나는 바와 같았다.A 2.38% aqueous solution of TMAH (trade name AD-10, manufactured by Tamagagaku Kogyo K.K.) at 25 ° C was prepared, and the semiconductor package thus prepared was immersed so that the SiO ₂ surface of the semiconductor chip was located thereon and treated for 5 minutes . Thereafter, the semiconductor package was taken out and rinsed twice with pure water. Then, water was blown off with an air blower, and the resultant was placed on a hot plate set at 100 ° C for 5 minutes to recover. In the obtained semiconductor package after the treatment, the boundary portion between the semiconductor chip and the sealing material was observed from the side of the semiconductor chip by an optical microscope and an electron microscope. The evaluation results are shown in Table 1 below.

표 1에 나타난 평가 결과로부터도 명백해진 바와 같이, 산화제를 포함하는 반도체용 봉지재를 사용한 실시예 1 내지 5는 알칼리 처리해도 반도체 칩과 봉지재의 경계가 밀착되어 있어 양호했다. 한편, 산화제를 포함하지 않는 반도체 봉지재를 사용한 비교예 1 내지 5에서는, 알칼리 처리에 의해 반도체 칩과 봉지재의 경계에 간극이 발생하고 있었다. 추측이지만, 실시예 1 내지 5의 반도체 웨이퍼에서는, 반도체용 봉지재에 포함되는 산화제에 의해, 반도체 칩인 Si의 표면이 산화되고 SiO₂를 포함하는 박막이 형성되고, 그 결과, 알칼리 처리에 의한 반도체 칩의 측면의 에칭이 억제된 것이라고 생각된다.As is apparent from the evaluation results shown in Table 1, in Examples 1 to 5 using the sealing material for semiconductor containing an oxidizing agent, the boundaries between the semiconductor chip and the sealing material were adhered even when subjected to the alkali treatment. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5 in which a semiconductor encapsulant containing no oxidizer was used, a gap was generated at the boundary between the semiconductor chip and the sealing material by the alkali treatment. In conjecture, in the semiconductor wafers of Examples 1 to 5, the surface of Si, which is a semiconductor chip, is oxidized and a thin film containing SiO ₂ is formed by the oxidizing agent contained in the encapsulating material for semiconductor. As a result, It is considered that the etching of the side surface of the chip is suppressed.

Claims

An encapsulating material for semiconductor comprising an oxidizing agent capable of oxidizing a semiconductor.

The encapsulating material for semiconductor according to claim 1, comprising a curable component, a curing agent component, a curing accelerator component, and an inorganic filler.

The encapsulating material for semiconductor according to claim 1, having a sheet-like shape.

The encapsulating material for semiconductor according to claim 1, used in a fan-out type wafer level package.