KR20180088799A - Resin composition, its sheet-like molded article, and light emitting device using the same and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

적어도 하기 (A) 내지 (C) 성분을 함유하는 수지 조성물이며, 내열성 및 부착 시의 접착성이 우수한 수지 조성물 및 그의 시트상 성형물을 제공할 수 있다. (A) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 반응성 실리콘 수지; (B) 경화 촉매; (C) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 비반응성 실리콘 수지.A resin composition containing at least the following components (A) to (C) and having excellent heat resistance and adhesion at the time of adherence, and a sheet-like molded article thereof can be provided. (A) a reactive silicone resin in which at least 90% of organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups; (B) a curing catalyst; (C) a non-reactive silicone resin wherein at least 90% of the organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups.

Description

수지 조성물, 그의 시트상 성형물, 및 그것을 사용한 발광 장치 및 그의 제조 방법Resin composition, its sheet-like molded article, and light emitting device using the same and method of manufacturing the same

본 발명은 수지 조성물, 그의 시트상 성형물, 및 그것을 사용한 발광 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a sheet-like molded product thereof, a light-emitting device using the same, and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는, 근년 그 발광 효율에 놀라운 향상이 보인다. 그리고, 저소비 전력, 고수명, 의장성 등을 특징으로 하여, 휴대 전화의 플래쉬 라이트용이나, 차 헤드라이트 등의 차량 탑재 분야뿐만 아니라, 일반 조명에 적합하기도 하여 급속하게 시장이 확대되고 있다. 그러나, 종래 램프와의 치환에 있어서는, 아직 충분한 발광량이 얻어지지 못해, LED의 더 한층의 고휘도화가 요구되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) have shown remarkable improvements in their luminous efficiency in recent years. In addition, the market is rapidly expanding not only in the field of vehicles such as flashlights for mobile phones, car headlights, etc., but also for general lighting, characterized by low power consumption, high numerical value, and designability. However, in replacement with a conventional lamp, a sufficient amount of light emission can not yet be obtained, and further increase in luminance of the LED is demanded.

일반적으로 LED의 고휘도화에는, LED 소자에 높은 전류를 흐르게 하여, 발광량을 높이는 방법이 취해지고 있다. 그러나, LED 소자의 발열량이나 형광체의 축열량이 증대되기 때문에, 밀봉 수지가 열 열화되어 착색화되어버리는 과제가 있었다. 그래서, 높은 발광 효율을 얻기 위해서는, 밀봉 수지의 주쇄인 Si-O 반복 구조의 규소 원자에 메틸기가 결합한 것을 주성분으로 하는 실리콘 수지(소위 메틸실리콘 수지)가 많이 사용되어 왔다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).Generally, in order to increase the brightness of an LED, a method of increasing a light emission amount by causing a high current to flow through the LED element is taken. However, since the amount of heat generated by the LED element and the amount of accumulated heat of the phosphor are increased, there is a problem that the sealing resin is thermally deteriorated and becomes colored. In order to obtain high luminescence efficiency, a silicone resin (so-called methyl silicone resin) having a methyl group bonded to a silicon atom of a Si-O repeating structure as a main chain of a sealing resin as a main component has been widely used 1).

한편, 발광 효율이나 비용면에서, LED 소자 상에, 형광체를 함유한 시트상 성형물(이하, 형광체 시트)을 부착시키는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 내지 5 참조). 이 방법에서는, 종래 실용화된 형광체를 분산시킨 액상 수지를 LED 소자 상에 디스펜스하여 경화하는 방법과 비교하여, 일정량의 형광체를 LED 소자 상에 효율적으로 배치하는 것이 용이하고, 형광체 함유층의 박막화에 의한 방열성 향상에 우수하다. 또한, 형광체 시트에 열연화성 및 접착성을 부여함으로써, 종래 필수적이던 접착제를 사용하지 않고 LED 소자에 직접 부착시킬 수 있기 때문에, 효율적으로 방열할 수 있다.On the other hand, in terms of luminous efficiency and cost, there has been proposed a method of attaching a sheet-shaped molding (hereinafter referred to as a phosphor sheet) containing a phosphor on an LED element (for example, refer to Patent Documents 2 to 5). In this method, compared with a method of dispensing and curing a liquid resin in which a conventionally practiced phosphor is dispersed on an LED element, it is easy to efficiently arrange a certain amount of phosphor on the LED element, and heat dissipation due to thinning of the phosphor- Excellent for improvement. In addition, by providing the phosphor sheet with the heat-fusing property and the adhesive property, it is possible to attach the phosphor sheet directly to the LED element without using an adhesive, which is conventionally essential, so that heat can be efficiently dissipated.

일본 특허 공개 제2014-34679호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-34679 일본 특허 공개 제2013-177553호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-177553 일본 특허 공개 제2011-107717호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-107717 일본 특허 공개 제2009-84511호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-84511 일본 특허 공개 제2013-1791호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-1791

형광체 시트를 LED 소자에 직접 부착시키는 방법은, 디스펜스법보다도 방열성이 우수한 반면, 열융착성을 부여하기 위해 분자 구조에 페닐기를 도입하고 있기 때문에, 내열성에 과제가 있었다.The method of directly attaching the phosphor sheet to the LED element has a heat radiation property superior to the dispensing method, while introducing a phenyl group into the molecular structure in order to impart heat fusion property.

한편, 특허문헌 2에서는, 내열성을 향상시킬 목적으로 실리콘 수지의 분자 구조에 메틸기를 도입하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 여기서 개시된 방법에서는, 수지의 분자 구조 중, 측쇄의 90% 이상이 메틸기이기 때문에, LED 소자와의 접착성이 충분하지 않고, 연속 점등 시험에서의 시트 탈리나 시트와 소자의 계면에 공극이 발생하여, 휘도 저하를 일으키기 쉬운 과제가 있다. 또한, 부착 전의 형광체 시트는 미경화 상태여서, 반고체상 또는 부드러운 고체상이기 때문에, 절단이나 펀칭 가공을 고정밀도로 행하는 것이 어렵다.On the other hand, Patent Document 2 discloses a method of introducing a methyl group into the molecular structure of a silicone resin for the purpose of improving heat resistance. However, in the method disclosed herein, since 90% or more of the side chains in the molecular structure of the resin is a methyl group, the adhesiveness to the LED element is insufficient, and the sheet is separated from the continuous lighting test, There is a problem that the luminance is liable to be lowered. Further, since the phosphor sheet before attachment is in an uncured state and is in a semi-solid or soft solid state, it is difficult to perform cutting or punching with high accuracy.

특허문헌 4에서는, 접착성을 얻기 위해 연화점이 30 내지 150℃인 실리콘 수지를 첨가하고 있다. 그러나, 수지 구조에 환상 에테르기를 포함하기 때문에 열분해를 일으키기 쉬워, 형광체 시트의 착색 원인이 된다.In Patent Document 4, a silicone resin having a softening point of 30 to 150 캜 is added to obtain an adhesive property. However, since the resin structure contains a cyclic ether group, pyrolysis tends to occur, which causes coloring of the phosphor sheet.

특허문헌 5에서는, 분자 구조의 페닐기에서 기인하는 모폴로지 제어에 의해 수지 연화성 및 점착성을 얻고 있지만, 밀봉 수지의 주쇄인 Si-O 반복 구조의 규소 원자에 페닐기가 결합한 것을 주성분으로 하는, 소위 페닐메틸실리콘 수지에서는 내열성이 불충분하여, 열 열화에 의한 착색을 일으키기 쉽다.In Patent Document 5, softness and tackiness of the resin are obtained by controlling the morphology caused by the phenyl group of the molecular structure. However, in the case of the so-called phenylmethyl (meth) acrylate having a silicon atom bonded to a silicon atom of a Si- The silicone resin is insufficient in heat resistance and tends to cause coloration due to thermal degradation.

이상과 같이, 내열성이 우수하고, 또한 부착 시의 접착성도 우수한 형광체 시트는 얻어지지 않았다. 본 발명은 이러한 특성을 양립시키는 수지 조성물 및 시트, 그들을 사용하여 제작되는 발광 장치와 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.As described above, a phosphor sheet excellent in heat resistance and excellent in adhesion at the time of attachment was not obtained. It is an object of the present invention to provide a resin composition and a sheet compatible with these characteristics, a light emitting device manufactured using the same, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 적어도 하기 (A) 내지 (C) 성분을 함유하는 수지 조성물이다.The present invention is a resin composition containing at least the following components (A) to (C).

(A) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 반응성 실리콘 수지;(A) a reactive silicone resin in which at least 90% of organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups;

(B) 경화 촉매;(B) a curing catalyst;

(C) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 비반응성 실리콘 수지.(C) a non-reactive silicone resin wherein at least 90% of the organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups.

본 발명의 수지 조성물에 의하면, 내열성과, LED 소자로의 부착 시의 접착성이 우수한 시트를 제공할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물에 형광체를 함유시킨 형광체 함유 수지 조성물이나 형광체 함유 시트상 성형물을 사용하여 제작한 발광 장치는, 색도 균일성, 내열성, 내광성 및 신뢰성이 우수하다.According to the resin composition of the present invention, it is possible to provide a sheet excellent in heat resistance and adhesion at the time of adhering to an LED element. The light-emitting device manufactured by using the phosphor-containing resin composition containing the phosphor in the resin composition of the present invention or the molded article containing the phosphor-containing sheet is excellent in chromaticity uniformity, heat resistance, light resistance, and reliability.

도 1은 본 발명의 시트상 성형물에 의한 LED 발광 장치 제조 공정의 제1 예
도 2는 본 발명의 시트상 성형물에 의한 LED 발광 장치 제조 공정의 제2예
도 3은 본 발명의 시트상 성형물에 의한 LED 발광 장치 제조 공정의 제3예
도 4는 본 발명의 시트상 성형물에 의한 LED 발광 장치 제조 공정의 제4예
1 is a first example of a LED light emitting device manufacturing process using a sheet-like molded article of the present invention
Fig. 2 shows a second example of the LED light emitting device manufacturing process by the sheet-form molding of the present invention
Fig. 3 is a third example of a process of manufacturing a LED light-emitting device by the sheet-form molding of the present invention
4 is a view showing a fourth example of a LED light emitting device manufacturing process using a sheet-

<수지 조성물><Resin composition>

본 발명의 수지 조성물은 적어도 하기 (A) 내지 (C) 성분을 함유한다.The resin composition of the present invention contains at least the following components (A) to (C).

(A) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 반응성 실리콘 수지;(A) a reactive silicone resin in which at least 90% of organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups;

(B) 경화 촉매;(B) a curing catalyst;

(C) 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 비반응성 실리콘 수지.(C) a non-reactive silicone resin wherein at least 90% of the organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups.

여기서, 규소 원자에 결합한 유기기란, 규소 원자에 결합되어 있는, 수소 이외의 모든 관능기를 말한다. 또한, 90% 이상이란, (규소 원자에 결합한 메틸기의 수)/(규소 원자에 결합한 유기기의 수)가 90% 이상인 것을 말한다.Here, the organic group bonded to the silicon atom refers to all functional groups other than hydrogen bonded to the silicon atom. Further, 90% or more means that (number of methyl groups bonded to silicon atoms) / (number of organic groups bonded to silicon atoms) is 90% or more.

((A) 성분)(Component (A))

(A) 성분의 반응성 실리콘 수지란, 수지의 주쇄 말단 및/또는 측쇄에, 축합 반응 및/또는 부가 반응의 기점이 될 수 있는 유기 관능기나 규소 원자에 결합한 수소 원자를 가지고, 열, 수분 및 자외선에 의해 경화 반응이 촉진되는 실리콘 수지를 말한다.The reactive silicone resin as the component (A) is a resin having a hydrogen atom bonded to an organic functional group or a silicon atom which can serve as a starting point of a condensation reaction and / or an addition reaction to the main chain terminal and / or side chain of the resin, To promote the curing reaction.

(A) 성분으로서 바람직한 실리콘 수지는, 평균 단위식 (1)로 표시되는 반응성 실리콘 수지이다.The preferable silicone resin as the component (A) is the reactive silicone resin represented by the average unit formula (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

R1 내지 R3은 각각 동일해도 상이해도 되며, 수소 원자, 혹은 치환 또는 비치환된 알킬기, 알케닐기, 에폭시기, 알콕시기 또는 아미노기이다. 단, R1 내지 R3의 적어도 하나 이상은 알케닐기 또는 수소 원자이다. a 내지 f는 각각 0 이상의 정수이며, 또한 a+b=3, c+d=2, e+f=1을 만족시킨다. g 내지 j는 각 괄호 내의 구성 단위의 비율을 나타내는 숫자이며, g+h+j=1.0을 만족시키는 양의 수이다. 규소 원자에 결합한 치환 또는 비치환된 알킬기 중 메틸기의 총 수를 M이라 한 경우, M/{3g+2h+j}≥0.90을 만족시킨다.Each of R 1 to R 3 may be the same or different and is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, an alkenyl group, an epoxy group, an alkoxy group or an amino group. Provided that at least one of R 1 to R 3 is an alkenyl group or a hydrogen atom. each of a to f is an integer of 0 or more and satisfies a + b = 3, c + d = 2, and e + f = g to j are numbers indicating the proportion of the constituent units in the respective parentheses, and are numbers satisfying g + h + j = 1.0. When the total number of methyl groups in the substituted or unsubstituted alkyl group bonded to the silicon atom is M, M / {3g + 2h + j}? 0.90 is satisfied.

R1 내지 R3으로 표시되는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 및 헥실기 등을 들 수 있다. 특히 바람직하게는 메틸기이다.Examples of the alkyl group represented by R 1 to R 3 include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl and hexyl. Particularly preferably a methyl group.

알케닐기로서는, 비닐기, 아크릴기 및 메타크릴기 등을 들 수 있다.Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an acrylic group and a methacryl group.

(A) 성분은 1종 단독이어도 되고, 복수종의 혼합물이어도 된다.The component (A) may be a single component or a mixture of plural components.

(A) 성분에서는, 규소 원자에 결합한 알케닐기와 규소 원자에 결합한 수소 원자가 히드로실릴화 반응을 일으킨다. 따라서, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물을 각각 포함하는 것이 바람직하다.In the component (A), an alkenyl group bonded to a silicon atom and a hydrogen atom bonded to a silicon atom cause a hydrosilylation reaction. Therefore, it is preferable to include a compound containing an alkenyl group bonded to a silicon atom and a compound containing a hydrogen atom bonded to a silicon atom, respectively.

유기기의 정성 분석, 정량 분석은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정 및 29Si-NMR 측정에 의해 행한다. 규소 원자에 결합한 메틸기의 비율은 상기 분석으로부터 얻어지는 평균 단위식으로부터 산출할 수 있다.Qualitative analysis and quantitative analysis of the organic group are carried out by 1 H-NMR measurement, 13 C-NMR measurement and 29 Si-NMR measurement. The ratio of the methyl group bonded to the silicon atom can be calculated from the average unit formula obtained from the above analysis.

(A) 성분은, 수지 조성물을 제작하는 공정상, 25℃에서 액상인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 25℃에서의 점도가 10mPa·s 이상인 것이 바람직하고, 50mPa·s 이상인 것이 보다 바람직하다. 수지 조성물의 점도가 상기 범위 내이면, 형광체의 분산성이 우수한 형광체 함유 수지 조성물을 얻을 수 있다.The component (A) is preferably a liquid at 25 占 폚 in the process of producing the resin composition. Concretely, the viscosity at 25 캜 is preferably 10 mPa ∙ s or more, and more preferably 50 mPa ∙ s or more. When the viscosity of the resin composition is within the above range, a phosphor-containing resin composition having excellent dispersibility of the phosphor can be obtained.

(A) 성분의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 300,000이 바람직하고, 1,500 내지 100,000이 더욱 바람직하고, 2,000 내지 10,000이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, (C) 성분을 혼합시킨 경우, 균일하게 해쇄·혼련할 수 있고, 또한 (C) 성분의 경시적인 침강·분리를 억제할 수 있다. 또한, 상기 범위 내이면, 형광체는 양호한 분산 안정성을 유지할 수 있다.The weight average molecular weight of the component (A) is preferably 1,000 to 300,000, more preferably 1,500 to 100,000, and particularly preferably 2,000 to 10,000. When the weight average molecular weight is within the above range, component (C) can be uniformly mixed and kneaded when the component (C) is mixed, and the sedimentation and separation of component (C) over time can be suppressed. Within the above range, the phosphor can maintain good dispersion stability.

또한, (A) 성분의 중량 평균 분자량은 도소(주)제 HLC-8220GPC를 사용하여, 이하의 조건에서 측정을 행했을 때에 얻어지는 값이다.The weight average molecular weight of the component (A) is a value obtained by performing measurement under the following conditions using HLC-8220GPC manufactured by TOSOH CORPORATION.

칼럼: 도소(주)제 TSKgel Guard columnHHR-H, GMHHR-NColumn: TSKgel Guard columnHHR-H manufactured by Tosoh Corporation, GMHHR-N

전개 용매: 테트라히드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran

전개 속도: 1.0ml/분Evolution rate: 1.0ml / min

칼럼 온도: 23℃Column temperature: 23 ° C

표준 시료: 도소(주)제 단분산 폴리스티렌에 의한 검량선을 사용하여 환산한 수치.Standard sample: Numerical value converted using a calibration curve by monodisperse polystyrene manufactured by TOSOH CORPORATION.

(A) 성분의 유리 전이점은 바람직하게는 -100 내지 20℃의 범위이며, 보다 바람직하게는 -80 내지 10℃의 범위이며, 더욱 바람직하게는 -50 내지 0℃의 범위이다.The glass transition point of the component (A) is preferably in the range of -100 to 20 占 폚, more preferably -80 to 10 占 폚, and still more preferably -50 to 0 占 폚.

(A) 성분의 유리 전이점이 상기 범위 내이면, 환경 온도 20℃ 이상에서 액상이기 때문에, (B) 성분, (C) 성분 및 형광체와 혼합한 경우, 균일한 수지 조성물을 얻을 수 있다. 그 때문에, 해당 수지 조성물로 제작한 발광 장치의 색온도 변동을 억제할 수 있다.When the glass transition point of the component (A) is within the above range, a homogeneous resin composition can be obtained when it is mixed with the component (B), the component (C) and the phosphor because it is a liquid at an ambient temperature of 20 ° C or higher. Therefore, the color temperature fluctuation of the light emitting device made of the resin composition can be suppressed.

유리 전이점은 시판되고 있는 측정기[예를 들어, 세이꼬 덴시 고교사제의 시차 주사 열량계(상품명 DSC6220 승온 속도 0.5℃/min)]에 의해 측정 가능하다.The glass transition point can be measured by a commercially available measuring instrument (for example, a differential scanning calorimeter (trade name: DSC6220, temperature rise rate of 0.5 DEG C / min) manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd.).

본 발명에서는, (A) 성분과 (B) 성분을 함유한 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, OE-6250, JCR6115, JCR6125, JCR6126, JCR6122, JCR6101, JCR6101UP, JCR6109, JCR6110, JCR6140, OE-6351, OE-6370M, OE-6370HF, OE-6336, EG-6301, (이상, 도레이·다우코닝(주)제);In the present invention, a commercially available product containing the component (A) and the component (B) may be used. For example, OE-6250, JCR6115, JCR6125, JCR6126, JCR6122, JCR6101, JCR6101UP, JCR6109, JCR6110, JCR6140, OE-6351, OE-6370M, OE-6370HF, OE- Dow Corning Co., Ltd.);

KER-2500, KER-2600, KER-6020F, KER-6075F, LPS-3419, LPS-3541(이상, 신에쯔 가가꾸 고교(주)제);KER-2500, KER-2600, KER-6020F, KER-6075F, LPS-3419 and LPS-3541 (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);

IVS4312, IVS4542, IVS4546, IVS4622, IVS4632, IVS4742, IVS4752, XE14-C2042(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬(합)제);IVS4312, IVS4542, IVS4546, IVS4622, IVS4632, IVS4742, IVS4752, XE14-C2042 (above, Momentive Performance Materials Japan);

등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들 시판품을 단독으로 사용해도 되고, 복수종을 혼합해도 된다., But are not limited thereto. These commercially available products may be used alone or in combination of plural kinds.

((B) 성분)(Component (B)).

(B) 성분은, (A) 성분 중의 알케닐기와 규소 원자에 결합한 수소 원자의 히드로실릴화 반응을 촉진시키기 위한 히드로실릴화 반응 촉매인 것이 바람직하다. 구체적으로는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매 등을 들 수 있지만, 본 조성물의 경화를 촉진시키는 것이면, 그에 제한은 없다.The component (B) is preferably a hydrosilylation reaction catalyst for promoting the hydrosilylation reaction of the alkenyl group in the component (A) and the hydrogen atom bonded to the silicon atom. Specific examples thereof include a platinum-based catalyst, a rhodium-based catalyst, and a palladium-based catalyst, but there is no limitation as long as it accelerates the curing of the composition.

본 발명에서는, 반응 제어가 비교적 용이한 백금계 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 백금 미분말, 4염화백금, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착체, 백금-올레핀 착체, 백금-카르보닐 착체 등을 들 수 있다. 특히 염소분 농도가 낮은 백금-알케닐실록산 착체가 바람직하다. 알케닐실록산으로서는, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸기 일부를에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산, 이들 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산을 들 수 있다. 이들 중, 특히 안정성이 높은 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이 바람직하다.In the present invention, it is preferable to use a platinum catalyst having a relatively easy reaction control. Specific examples thereof include a fine platinum powder, platinum tetrachloride, a chloroplatinic acid, an alcohol solution of chloroplatinic acid, a platinum-alkenylsiloxane complex, a platinum-olefin complex, and a platinum-carbonyl complex. Particularly, a platinum-alkenylsiloxane complex having a low chlorine concentration is preferable. Examples of the alkenylsiloxane include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, Alkenylsiloxanes obtained by substituting a part of methyl groups in these alkenylsiloxanes with ethyl groups or phenyl groups, and alkenylsiloxanes obtained by substituting the vinyl groups of these alkenylsiloxanes with allyl groups or hexenyl groups. Of these, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane having particularly high stability is preferable.

이러한 반응 촉매로서는, 미국 Gelest사제 "SIP6829.0"(백금카르보닐비닐메틸 착체, 백금 3.0 내지 3.5% 농도 비닐메틸 환상 실록산 용액), "SIP6830.0"(백금디비닐테트라메틸디실록산 착체, 백금 3.0 내지 3.5% 농도 비닐 말단 폴리디메틸실록산 용액), "SIP6831.0"(백금디비닐테트라메틸디실록산 착체, 백금 2.1 내지 2.4% 농도 크실렌 용액), "SIP6832.0"(백금시클로비닐메틸실록산 착체, 백금 3.0 내지 3.5% 농도 환상 메틸비닐실록산 용액), "SIP6833.0"(백금옥틸알데히드/옥탄올 착체, 백금 2.0 내지 2.5% 농도 옥탄올 용액) 등을 들 수 있다.Examples of such reaction catalysts include SIP6829.0 (platinum carbonylvinylmethyl complex, platinum 3.0 to 3.5% concentration vinylmethyl cyclic siloxane solution), SIP6830.0 (platinum divinyltetramethyldisiloxane complex, platinum (Platinum divinyltetramethyldisiloxane complex, platinum 2.1 to 2.4% xylene solution), "SIP6832.0" (platinum cyclovinylmethylsiloxane complex , "SIP 6833.0" (platinum octylaldehyde / octanol complex, 2.0 to 2.5% platinum octanoate solution), and the like.

(B) 성분의 함유량은, 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 금속 원자의 중량 환산으로 0.01 내지 500ppm인 것이 바람직하고, 0.1 내지 100ppm인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 충분한 경화성이 얻어지고, 또한 경화 후에 착색이 없는 상태를 유지할 수 있다.The content of the component (B) is preferably 0.01 to 500 ppm, more preferably 0.1 to 100 ppm, on the basis of the weight of the metal atom based on the total weight of the resin composition. Within this range, sufficient curability can be obtained, and a state in which there is no coloration after curing can be maintained.

((C) 성분)(Component (C)) [

(C) 성분의 비반응성 실리콘 수지란, 수지의 주쇄 말단 및/또는 측쇄에, 축합 반응 및/또는 부가 반응의 기점이 될 수 있는 유기 관능기를 갖지 않고, 열, 수분 및 자외선에 의해 경화 반응이 일어나지 않는 실리콘 수지를 말한다.The non-reactive silicone resin as the component (C) refers to a resin which does not have an organic functional group which can be a starting point of a condensation reaction and / or an addition reaction in the main chain terminal and / or side chain of the resin and is cured by heat, moisture and ultraviolet rays Refers to a silicone resin that does not occur.

(C) 성분으로서 바람직한 실리콘 수지는, 평균 단위식 (2)로 표시되는 비반응성 실리콘 수지이다.The preferable silicone resin as the component (C) is a non-reactive silicone resin represented by the average unit formula (2).

Figure pct00002
Figure pct00002

R4 내지 R6은 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 알콕시기이며, 각각 동일해도 상이해도 된다. k, p 및 s는 각 괄호 내의 구성 단위의 비율을 나타내는 숫자이며, 0.01≤k≤0.50, k+p+s=1.0을 만족시키는 양의 수이다. m, n, q 및 r은 m+n=2, q+r=1을 만족시키는 0 이상의 정수이다. 규소 원자에 결합한 치환 또는 비치환된 알킬기 중 메틸기의 총 수를 M이라 한 경우, M/{3k+2p+s}≥0.90을 만족시킨다.R 4 to R 6 are each a substituted or unsubstituted alkyl group or alkoxy group, and they may be the same or different. k, p and s are numbers indicating the proportion of the constituent units in the respective parentheses, and are numbers satisfying 0.01? k? 0.50 and k + p + s = 1.0. m, n, q, and r are 0 or more integers satisfying m + n = 2, q + r = When M represents the total number of methyl groups in the substituted or unsubstituted alkyl group bonded to the silicon atom, M / {3k + 2p + s}? 0.90 is satisfied.

R4 내지 R6으로 표시되는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 및 헥실기 등을 들 수 있다. 특히 바람직하게는 메틸기이다.Examples of the alkyl group represented by R 4 to R 6 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group and a hexyl group. Particularly preferably a methyl group.

R4 내지 R6으로 표시되는 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있다. 특히 바람직하게는 메톡시기이다.Examples of the alkoxy group represented by R 4 to R 6 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Particularly preferably, it is a methoxy group.

k 및 s는 0.02≤k≤0.40, 0.10≤s≤0.90을 만족시키는 양의 정수인 것이 특히 바람직하다.k and s are particularly preferably positive integers satisfying 0.02? k? 0.40 and 0.10? s? 0.90.

(C) 성분으로서 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, KF-7312J, KF-9021, KF-7312K, X-21-5595, KF-7312T, X-21-5616, KF-7312L, KF-9021L, X-21-5249, X-21-5249L, X-21-5250, X-21-5250L, KP-562P(이상, 신에쯔 가가꾸 고교(주)제);A commercially available product may be used as the component (C). For example, KF-7312J, KF-9021, KF-7312K, X-21-5595, KF-7312T, X-21-5616, KF- 5249L, X-21-5250, X-21-5250L and KP-562P (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.);

SilForm Flexible resin, SR1000, SS4230, SS4267, XS66-B8226, XS66-C1191, XS66-B8636(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬(합)제);SilForm Flexible Resin, SR1000, SS4230, SS4267, XS66-B8226, XS66-C1191, XS66-B8636 (above, Momentive Performance Materials Japan);

RSN-0749 Resin, DC593, 670Fluid, 680Fluid, MQ-1600 Solid Resin, MQ-1640 Solid Resin, AMS-C30 Cosmetic Wax, SW-8005 C30 Resin Wax, 580 Wax(이상, 도레이 다우코닝(주)제);RSN-0749 Resin, DC593, 670Fluid, 680Fluid, MQ-1600 Solid Resin, MQ-1640 Solid Resin, AMS-C30 Cosmetic Wax, SW-8005 C30 Resin Wax, 580 Wax (manufactured by Toray Dow Corning);

등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들 시판품을 단독으로 사용해도 되고, 복수종을 혼합해도 된다., But are not limited thereto. These commercially available products may be used alone or in combination of plural kinds.

본 발명에 있어서, (A) 성분과 (C) 성분의 혼합 비율을 적절히 설계함으로써, 가열 시의 연화성을 제어할 수 있기 때문에, 해당 수지 조성물은 접착성을 얻을 수 있다.In the present invention, by appropriately designing the mixing ratio of the component (A) and the component (C), the softening property at the time of heating can be controlled, so that the resin composition can obtain adhesiveness.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (C) 성분의 적합한 함유량은, (A) 성분과 (C) 성분의 합계량을 100중량%로 한 경우에, 0.5중량% 이상인 것이 바람직하고, 10중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 15중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 20중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 30중량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 70중량% 이하인 것이 바람직하고, 60중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. (C) 성분 함유량이 적합함으로써, 해당 수지 조성물은 가열 시에 의해 양호한 접착성을 발현한다.The preferable content of the component (C) in the resin composition of the present invention is 0.5 wt% or more, preferably 10 wt% or more when the total amount of the component (A) and the component (C) is 100 wt% More preferably 15% by weight or more, more preferably 20% by weight or more, and still more preferably 30% by weight or more. Further, it is preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and even more preferably 50% by weight or less. (C) content is suitable, the resin composition exhibits good adhesiveness upon heating.

(C) 성분의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 100,000이 바람직하고, 2,000 내지 50,000이 더욱 바람직하고, 3,000 내지 5,000이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, (C) 성분의 유리 전이점을 50 내지 200℃의 범위로 조정할 수 있다. (C) 성분의 중량 평균 분자량은 (A) 성분의 중량 평균 분자량과 동일한 측정으로 얻어지는 값이다.The weight average molecular weight of the component (C) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, and particularly preferably 3,000 to 5,000. When the weight average molecular weight is within the above range, the glass transition point of the component (C) can be controlled within the range of 50 to 200 占 폚. The weight average molecular weight of the component (C) is a value obtained by measuring the weight average molecular weight of the component (A).

(C) 성분의 유리 전이점은 바람직하게는 50 내지 200℃의 범위이며, 보다 바람직하게는 60 내지 150℃의 범위이며, 더욱 바람직하게는 70 내지 120℃의 범위이다.The glass transition temperature of the component (C) is preferably in the range of 50 to 200 占 폚, more preferably in the range of 60 to 150 占 폚, and still more preferably in the range of 70 to 120 占 폚.

(C) 성분의 유리 전이점이 상기 범위 내이면, 환경 온도 50℃ 미만의 경우, (C) 성분은 고체 형상이며 점착성은 발현되지 않는다. 이 때문에, (C) 성분을 포함하는 형광체 수지 조성물을 시트상으로 가공한 경우, 실온 하(25℃)에서는 점착성을 갖지 않기 때문에 용이하게 취급할 수 있다. 또한, 해당 조성물을 (C) 성분의 유리 전이점 이상으로 가열하면, (C) 성분은 용융되어 액체의 성상을 나타내기 때문에, 해당 수지 조성물은 연화되어 점착성을 발현할 수 있다.When the glass transition point of the component (C) is within the above range, when the environmental temperature is lower than 50 占 폚, the component (C) is in a solid form and no stickiness is exhibited. For this reason, when the phosphor resin composition containing the component (C) is processed into a sheet form, it can be handled easily because it does not have adhesiveness at room temperature (25 캜). Further, when the composition is heated to the glass transition point or higher of the component (C), the component (C) melts to exhibit the properties of a liquid, so that the resin composition can be softened to exhibit adhesiveness.

(형광체)(Phosphor)

본 발명의 수지 조성물은 형광체를 함유할 수 있다. 형광체는 LED 소자로부터 방출되는 광을 흡수한 후, 파장 변환을 행하여, LED 소자의 발광 파장과는 다른 파장의 광을 방출하는 물질이다. 이에 의해, LED 소자로부터 방출되는 광의 일부와 형광체로부터 방출되는 광의 일부가 혼합되어, 백색을 포함하는 다색계 발광 장치가 얻어진다.The resin composition of the present invention may contain a phosphor. The phosphor is a material that absorbs light emitted from the LED element, performs wavelength conversion, and emits light having a wavelength different from that of the LED element. Thereby, a part of the light emitted from the LED element and a part of the light emitted from the phosphor are mixed to obtain a multicolor light emitting device including white.

상술한 형광체는, 파장 변환이 가능하면, 유기물이어도 무기물이어도 되지만, 내열성, 내광성의 관점에서 무기물이 바람직하다. 구체적으로는, 녹색으로 발광하는 형광체, 청색으로 발광하는 형광체, 황색으로 발광하는 형광체, 적색으로 발광하는 형광체 등이 있다.The above-described phosphor may be an organic or an inorganic if it can convert wavelength, but is preferably an inorganic in view of heat resistance and light resistance. Specifically, there are a phosphor emitting green light, a fluorescent material emitting blue light, a fluorescent material emitting yellow light, and a fluorescent material emitting red light.

본 발명에 바람직하게 사용되는 무기 형광체로서는, 녹색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들어 SrAl2O4:Eu, Y2SiO5:Ce, Tb, MgAl11O19:Ce, Tb, Sr7Al12O25:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)Ga2S4:Eu, β형 사이알론 등이 있다.As the inorganic fluorescent material preferably used in the present invention, for example, SrAl 2 O 4 : Eu, Y 2 SiO 5 : Ce, Tb, MgAl 11 O 19 : Ce, Tb, Sr 7 Al 12 O 25 : Eu, at least one of Mg, Ca, Sr and Ba, Ga 2 S 4 : Eu, and β-type sialon.

청색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들어 Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu, (BaCa)5(PO4)3Cl:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)2B5O9Cl:Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)(PO4)6Cl2:Eu, Mn 등이 있다.As a phosphor that emits blue light, such as Sr 5 (PO 4) 3 Cl : Eu, (SrCaBa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (BaCa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (Mg, Ca, Sr, at least one of Ba) 2 B 5 O 9 Cl : and the like Eu, Mn: Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, at least one of Ba) (PO 4) 6 Cl 2.

녹색으로부터 황색으로 발광하는 형광체로서, 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨으로 부괄된 이트륨·가돌리늄·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·알루미늄·가닛 산화물 형광체, 및 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·갈륨·알루미늄 산화물 형광체 등이 있다(소위 YAG계 형광체). 구체적으로는 Ln3M5O12:R(Ln은 Y, Gd, La로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. M은 Al, Ca 중 적어도 어느 한쪽을 포함한다. R은 란타노이드계이다.), (Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12:R(R은 Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. 0<x<0.5, 0<y<0.5이다.)을 사용할 수 있다.A yttrium-aluminum-aluminum oxide phosphor activated with at least cerium, a yttrium-gadolinium-aluminum oxide phosphor enumerated with at least cerium, an yttrium-aluminum-garnet oxide phosphor activated with at least cerium, Activated yttrium-gallium-aluminum oxide phosphor (so-called YAG-base phosphor). Specifically, Ln 3 M 5 O 12 : R (Ln is at least one selected from Y, Gd and La, M includes at least one of Al and Ca, R is a lanthanoid system), ( Y 1-x Ga x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : R (R is at least one or more selected from Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, , 0 < y < 0.5) can be used.

적색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들어 Y2O2S:Eu, La2O2S:Eu, Y2 As the phosphor emitting red light, for example, Y 2 O 2 S: Eu, La 2 O 2 S: Eu, Y 2

O3:Eu, Gd2O2S:Eu 및 K2SiF6:Mn으로 표시되는 KSF 형광체를 들 수 있다.O 3 : Eu, Gd 2 O 2 S: Eu and K 2 SiF 6 : Mn.

또한, 현재 주류의 청색 LED에 대응하여 발광하는 형광체로서는, Y3(Al,Ga)5O12:Ce, (Y,Gd)3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce 등의 YAG계 형광체, Tb3Al5O12:Ce 등의 TAG계 형광체, (Ba,Sr)2SiO4:Eu계 형광체나 Ca3Sc2Si3O12:Ce계 형광체, (Sr,Ba,Mg)2SiO4:Eu 등의 실리케이트계 형광체, (Ca,Sr)2Si5N8:Eu, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu, CaSiAlN3:Eu 등의 나이트라이드계 형광체, Cax(Si,Al)12(O, N)16:Eu 등의 옥시나이트라이드계 형광체, 나아가 (Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu계 형광체, Ca8MgSi4O16Cl2:Eu계 형광체, SrAl2O4:Eu, Sr4Al14O25:Eu 등의 형광체를 들 수 있다.Examples of the phosphor which emits light by the current corresponding to the blue LED in the mainstream, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Lu 3 Al 5 O 12: Ce, A YAG-based phosphor such as Y 3 Al 5 O 12 : Ce, a TAG-based phosphor such as Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, a (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu-based phosphor, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce based phosphor, (Sr, Ba, Mg) 2 SiO 4: silicate-based phosphor, (Ca, Sr), such as Eu 2 Si 5 N 8: Eu , (Ca, Sr) AlSiN 3: Eu, CaSiAlN 3: Eu , etc. of (Si, Al) nitride-based phosphor, Cax 12 (O, N) 16: oxynitride-based fluorescent material such as Eu, addition (Ba, Sr, Ca) Si 2 O 2 N 2: Eu type phosphor, Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 : Eu-based phosphor, and SrAl 2 O 4 : Eu and Sr 4 Al 14 O 25 : Eu.

이들 중에서는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트계 형광체가, 발광 효율이나 휘도 등의 점에서 바람직하게 사용된다. 상기 이외에도, 용도나 목적으로 하는 발광색에 따라서 공지된 형광체를 사용할 수 있다.Among them, the YAG-base phosphor, the TAG-base phosphor and the silicate-base phosphor are preferably used in terms of light emission efficiency and brightness. In addition to the above, known phosphors may be used depending on the intended luminescent color for the purpose or purpose.

본 발명에 있어서의 형광체의 평균 1차 입경은, 5 내지 40㎛의 범위인 것이 바람직하다. 상기 범위 중 8㎛ 이상의 것이 바람직하고, 10㎛ 이상의 것이 보다 바람직하고, 15㎛ 이상의 것이 더욱 바람직하다. 한편, 40㎛ 이하의 것이 바람직하고, 20㎛ 이하의 것이 보다 바람직하다. 형광체의 평균 1차 입경이 상기 범위 내이면, 조성물 중에서의 분산 상태가 균일하면서 안정된 것이 되기 때문에, 해당 조성물로부터 제작되는 시트상 성형물(이하, 「형광체 시트」라 칭하는 경우가 있음)은, 색도가 균일한 것이 얻어진다. 형광체는 진구도가 높은 입자를 사용하는 것이 바람직하다.The average primary particle diameter of the phosphor in the present invention is preferably in the range of 5 to 40 mu m. More preferably 10 mu m or more, and more preferably 15 mu m or more. On the other hand, it is preferably 40 탆 or less, more preferably 20 탆 or less. When the average primary particle diameter of the phosphor is within the above range, the dispersed state in the composition becomes uniform and stable, so that the sheet-like molded product (hereinafter sometimes referred to as the &quot; phosphor sheet &quot; Uniformity is obtained. It is preferable that the phosphor has high sphericity.

형광체의 평균 1차 입경은 이하의 방법으로 구할 수 있다. 주사형 전자 현미경(SEM)으로 형광체를 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터, 형광체의 외연(外緣)과 2점에서 교차하는 직선의 당해 2개의 교점간의 거리가 최대가 되는 것을 산출하여, 그것을 입자 직경이라 정의한다. 또한 임의의 20개의 다른 형광체에 대하여 동일한 측정을 행하고, 얻어진 입자 직경의 평균값을 평균 1차 입경으로 한다. 예를 들어, 형광체 함유 수지 조성물에 존재하는 형광체의 입경을 측정하는 경우에는, 기계 연마법, 마이크로톰법, CP법(Cross-section Polisher) 및 집속 이온빔(FIB) 가공법 중 어느 한 방법으로, 형광체 함유 수지 조성물의 단면 연마를 행한 후, 얻어진 연마 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터, 상기 방법과 동일하게 하여 평균 1차 입경을 산출할 수 있다.The average primary particle diameter of the phosphor can be obtained by the following method. From the two-dimensional image obtained by observing the phosphor with a scanning electron microscope (SEM), it is calculated that the distance between the two intersections of the straight line intersecting the outer edge of the phosphor at two points is maximum, . The same measurement is carried out for any of the other 20 phosphors, and the average value of the obtained particle diameters is taken as the average primary particle diameter. For example, in the case of measuring the particle diameter of the fluorescent substance present in the fluorescent substance-containing resin composition, the particle size of the fluorescent substance contained in the fluorescent substance-containing resin composition may be measured by any one of mechanical polishing, microtome method, CP method (cross- section polisher) and focused ion beam The average primary particle diameter can be calculated from the two-dimensional image obtained by performing the end face polishing of the resin composition and observing the obtained end face of the polishing with a scanning electron microscope (SEM) in the same manner as the above method.

본 발명의 수지 조성물에 함유할 수 있는 형광체량은, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분을 합계한 100중량부에 대하여 20 내지 500중량부인 것이 바람직하다. 형광체 함유량을 상기 범위 내로 함으로써, 형광체의 재응집을 방지하여, 양호한 분산 안정성을 얻을 수 있다.The amount of the fluorescent substance that can be contained in the resin composition of the present invention is preferably 20 to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the component (A), the component (B) and the component (C). When the content of the phosphor is within the above range, re-aggregation of the phosphor is prevented, and good dispersion stability can be obtained.

(무기 입자)(Inorganic particles)

본 발명의 수지 조성물은 무기 입자 및/또는 실리콘 미립자를 포함하는 것이 바람직하다. 무기 입자로서는, 금속 입자, 금속 질화물 입자, 금속 산화물 입자, 금속염 입자 등을 들 수 있지만, 특히 금속 산화물 입자가 바람직하게 사용된다.The resin composition of the present invention preferably contains inorganic particles and / or silicon fine particles. As the inorganic particles, metal particles, metal nitride particles, metal oxide particles, metal salt particles and the like can be mentioned, but metal oxide particles are particularly preferably used.

금속 산화물 입자의 예로서는, 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 이트리아, 세리아, 마그네시아, 산화아연, 산화망간, 산화구리, 산화철, 산화홀뮴, 산화납, 산화주석 등을 들 수 있고, 특히 조성물 중에 분산시키기 쉬운 점으로부터 알루미나가 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물 중에 무기 입자를 포함함으로써, 해당 수지 조성물의 방열성이 향상되어, 수지의 열 열화를 억제할 수 있다. 특히 바람직하게는 실리카, 알루미나, 티타니아, 산화마그네슘 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이다.Examples of the metal oxide particles include silica, alumina, titania, zirconia, yttria, ceria, magnesia, zinc oxide, manganese oxide, copper oxide, iron oxide, holmium oxide, lead oxide and tin oxide, Alumina is preferable from the viewpoint of easiness of making. By including the inorganic particles in the resin composition of the present invention, the heat radiation property of the resin composition is improved, and thermal degradation of the resin can be suppressed. Particularly preferred is at least one selected from the group consisting of silica, alumina, titania, magnesium oxide and aluminum nitride.

실리콘 미립자로서는, 평균 단위식 (3)으로 표시되는 실리콘 미립자인 것이 바람직하다.The silicon fine particles are preferably silicon fine particles represented by the average unit formula (3).

Figure pct00003
Figure pct00003

여기서, R7 내지 R9는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, 각각 동일해도 상이해도 된다. t, u 및 w는 각 괄호 내의 구성 단위의 비율을 나타내는 숫자이며, 0.50≤t≤0.95, 0.05≤u+w≤0.50, t+u+w=1.0을 만족시킨다.Here, R 7 to R 9 are each a substituted or unsubstituted alkyl group, and they may be the same or different. t, u and w are numbers representing the proportion of the constituent units in the respective parentheses, and satisfy 0.50? t? 0.95, 0.05? u + w? 0.50, and t + u + w = 1.0.

본 발명에서는, 실리콘 미립자로서 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, KMP-590, KMP-597, KMP-598, KMP-594, KMP-701, X-52-854, X-52-875, X-52-1621(이상, 신에쯔 가가꾸 고교(주)제);In the present invention, a commercially available product may be used as the silicon fine particles. For example, KMP-590, KMP-597, KMP-598, KMP-594, KMP-701, X-52-854, X-52-875, X-52-1621 (subject);

EP-5500, EP-2601, EP-2720, EP-2600, E-606(이상, 도레이·다우코닝(주)제);EP-5500, EP-2601, EP-2720, EP-2600 and E-606 (all manufactured by Toray Dow Corning);

MSP-N050, MSP-N080, NH-RAS06, MSP-TK04, SilcrustaMK03, MSP-SN05, MSP-SN08, NH-RASN06, MSP-TKN04, MSP-150, MSP-200MSP-3500(이상, 닛코리카(주)제);MSP-N050, MSP-N080, NH-RAS06, MSP-TK04, SilcrustaMK03, MSP-SN05, MSP-SN08, NH- RASN06, MSP- TKN04, MSP- )My);

토스펄 120, 토스펄 130, 토스펄 145, 토스펄 240(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬(합)제);Tospel 120, Tospel 130, Tospel 145, Tospel 240 (Momentive Performance Materials, Japan);

등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들 시판품을 단독으로 사용해도 되고, 복수종을 혼합해도 된다., But are not limited thereto. These commercially available products may be used alone or in combination of plural kinds.

본 발명의 수지 조성물 중에 실리콘 미립자를 포함함으로써, 형광체의 분산 안정성이 향상되기 때문에, 보다 고농도로 형광체를 충전할 수 있다. 조성물 중의 형광체 충전율이 높아지면, 해당 수지 조성물의 열전도율이 높아지기 때문에, 형광체가 축열되는 것을 방지할 수 있어, 해당 수지 조성물의 내열성을 높일 수 있다.By including the silicon fine particles in the resin composition of the present invention, the dispersion stability of the phosphor is improved, so that the phosphor can be charged at a higher concentration. The higher the filling rate of the phosphor in the composition, the higher the thermal conductivity of the resin composition, the heat accumulation of the phosphor can be prevented, and the heat resistance of the resin composition can be increased.

본 발명의 수지 조성물 중의 무기 입자 및/또는 실리콘 미립자의 함유량으로서는, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분을 합계한 100중량%에 대하여, 하한으로서는 5중량부 이상인 것이 바람직하고, 10중량부 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상한으로서는 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다.The content of the inorganic particles and / or silicon fine particles in the resin composition of the present invention is preferably 5 parts by weight or more as a lower limit relative to 100% by weight of the total of the component (A), the component (B) and the component (C) More preferably 10 parts by weight or more. The upper limit is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less.

무기 입자를 5중량부 이상 함유함으로써, 특히 양호한 방열 효과가 얻어진다. 한편, 50중량부 이하의 함유에 의해 무기 입자의 응집을 억제한다. 실리콘 미립자에서는, 5중량부 이상 함유함으로써 특히 양호한 형광체 분산 안정화 효과가 얻어지고, 한편, 50중량부 이하의 함유에 의해 해당 수지 조성물의 점도를 과도하게 상승시키는 일이 없다.By containing at least 5 parts by weight of the inorganic particles, a particularly good heat radiation effect can be obtained. On the other hand, aggregation of the inorganic particles is suppressed by the content of 50 parts by weight or less. In the silicon fine particles, particularly good dispersing and stabilizing effect of the phosphor is obtained by containing not less than 5 parts by weight, and on the other hand, the content of not more than 50 parts by weight does not excessively increase the viscosity of the resin composition.

무기 입자 및 실리콘 미립자의 사이즈는 특별히 제한되지 않지만, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의해 얻어지는 체적 기준 입도 분포에 있어서, 소입경측으로부터의 통과분 적산 50%의 입자 직경(D50) 및/또는 평균 1차 입경이 0.01㎛ 내지 100㎛인 것이 바람직하다. 입자 직경이 상기 범위 내이면, 해당 수지 조성물 중에서의 형광체의 분산 안정성은 양호한 상태를 유지할 수 있다.The size of the inorganic particles and the silicon fine particles is not particularly limited, but the volume-based particle size distribution obtained by the laser diffraction scattering particle size distribution measurement method is preferably such that the particle diameter (D50) of 50% It is preferable that the tea particle diameter is 0.01 탆 to 100 탆. When the particle diameter is within the above range, the dispersion stability of the phosphor in the resin composition can be maintained in a favorable state.

평균 1차 입경은, 형광체와 동일하게 이하의 방법으로 구할 수 있다. 주사형 전자 현미경(SEM)으로 무기 입자 및/또는 실리콘 미립자를 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터, 해당 입자의 외연과 2점에서 교차하는 직선의 당해 2개의 교점간의 거리가 최대가 되는 것을 산출하여, 그것을 입자 직경이라 정의한다. 또한 임의의 20개의 다른 해당 입자에 대하여 동일한 측정을 행하고, 얻어진 입자 직경의 평균값을 평균 1차 입경으로 한다. 예를 들어, 수지 조성물에 존재하는 무기 입자 및/또는 실리콘 미립자의 입경을 측정하는 경우에는, 기계 연마법, 마이크로톰법, CP법(Cross-section Polisher) 및 집속 이온빔(FIB) 가공법 중 어느 한 방법으로 수지 조성물의 단면 연마를 행한 후, 얻어진 연마 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터, 상기 방법과 동일하게 하여 평균 1차 입경을 산출할 수 있다.The average primary particle diameter can be obtained by the following method in the same manner as the phosphor. From the two-dimensional image obtained by observing the inorganic particles and / or silicon fine particles with a scanning electron microscope (SEM), it is calculated that the distance between the two intersections of the straight line intersecting with the outer edge of the particle is maximum, It is defined as the particle diameter. In addition, the same measurement is carried out for arbitrary 20 other particles concerned, and the average value of the obtained particle diameters is taken as the average primary particle diameter. For example, when measuring the particle diameters of the inorganic particles and / or silicon fine particles present in the resin composition, any one of a mechanical polishing method, a microtome method, a cross-section polisher (CP) method and a focused ion beam (FIB) , The average primary particle diameter can be calculated from the two-dimensional image obtained by observing the cross section of the obtained polishing surface with a scanning electron microscope (SEM) in the same manner as the above method.

본 실시 형태에 사용되는 조성물에는, 상기 이외에도 발명의 작용·효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 밖의 성분을 임의로 배합할 수 있다. 구체적으로는 라디칼 금지제, 자외선 흡수제, 접착성 개량제, 난연제, 계면 활성제, 보존 안정 개량제, 오존 열화 방지제, 광안정화제, 증점제, 가소제, 산화 방지제, 도전성 부여제, 대전 방지제, 방사선 차단제, 유기 용매 등을 들 수 있다. 이들 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.The composition for use in the present embodiment may optionally contain other components as long as the functions and effects of the invention are not impaired. Specific examples thereof include radical inhibitors, ultraviolet absorbers, adhesion improvers, flame retardants, surfactants, preservation stabilizers, ozone deterioration inhibitors, photostabilizers, thickeners, plasticizers, antioxidants, conductivity-imparting agents, antistatic agents, . These components may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 수지 조성물은 시트상 성형물이어도 된다. 이것은 즉, 적어도 (A)와 (B)의 성분을 함유하고, (C) 성분을 더 함유하는 시트상 성형물이다. 해당 수지 조성물은 형광체의 분산 안정성이 우수하기 때문에 시트상으로 성형한 경우에 있어서도 형광체를 균일한 농도로 원하는 두께로 성형할 수 있다. 구체적으로는 베이스 기판 상에, 해당 수지 조성물을 도포, 건조시킴으로써 시트를 성형한다.The resin composition of the present invention may be a sheet-like molded product. This is a sheet-like molded product containing at least components (A) and (B) and further containing component (C). Since the resin composition has excellent dispersion stability of the phosphor, even when the resin composition is formed into a sheet form, the phosphor can be formed into a desired thickness at a uniform concentration. More specifically, a sheet is formed by applying and drying the resin composition on a base substrate.

형광체 시트의 제작 방법을 설명한다. 또한, 이하는 일례이며, 형광체 시트의 제작 방법은 이것에 한정되지 않는다.A manufacturing method of the phosphor sheet will be described. The following is only an example, and the manufacturing method of the phosphor sheet is not limited to this.

먼저, 형광체 시트 형성용 도포액으로서 형광체 함유 수지 조성물을 제작한다. 형광체 함유 수지 조성물은 형광체와 수지 조성물을 적당한 용매 중에서 혼합함으로써 얻어진다.First, a phosphor-containing resin composition is prepared as a coating liquid for forming a phosphor sheet. The phosphor-containing resin composition is obtained by mixing the phosphor and the resin composition in an appropriate solvent.

용매는 유동 상태의 수지 점도를 조정할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 헥산, 아세톤, 테르피네올 등을 들 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it can adjust the viscosity of the resin in a flowing state. For example, toluene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, hexane, acetone, terpineol and the like.

이들 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 균질기, 자공전형 교반기, 3개 롤러, 볼 밀, 유성식 볼 밀, 비즈 밀 등의 교반·혼련기로 균질하게 혼합 분산시킴으로써, 형광체 함유 수지 조성물이 얻어진다. 혼합 분산 후 또는 혼합 분산의 과정에서, 진공 또는 감압 조건 하에서 탈포시키는 것도 바람직하게 행해진다.These components are combined so as to have a predetermined composition, and homogeneously mixed and dispersed by a homogenizer, a self-ballasted stirrer, three rollers, a ball mill, a planetary ball mill and a bead mill to obtain a phosphor- Loses. It is also preferable to perform degassing under vacuum or reduced pressure conditions after the mixed dispersion or the mixed dispersion.

다음으로 형광체 함유 수지 조성물을 베이스 기판에 도포한다. 베이스 기판으로서는 특별히 제한은 없지만, 알루미늄(알루미늄 합금도 포함함), 아연, 구리, 철 등의 금속판이나 박, 셀룰로오스아세테이트, 유리, 세라믹, PET 필름, PP 필름, PPS 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리카르보네이트 필름, 아라미드 필름 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 형광체 시트를 LED 소자에 부착시킬 때의 접착성으로부터, 베이스 기판은 유연한 필름상인 것이 바람직하다. 또한, 필름상의 베이스 기판을 취급할 때에 파단 등의 우려가 없도록 강도가 높은 필름이 바람직하다. 그들의 요구 특성이나 경제성의 면에서 수지 필름이 바람직하고, 이들 중에서도, 경제성, 취급성의 면에서 PET 필름이 바람직하다. 또한, 수지의 경화나 형광체 시트를 LED 소자에 접합시킬 때에 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 경우에는, 내열성의 면에서 폴리이미드 필름이 바람직하다. 시트의 박리의 용이성으로부터, 베이스 기판은, 미리 표면이 이형 처리되어 있는 것이 바람직하다. 베이스 기판의 두께는 특별히 제한은 없지만, 하한으로서는 25㎛ 이상이 바람직하고, 40㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한으로서는 5000㎛ 이하가 바람직하고, 3000㎛ 이하가 보다 바람직하다.Next, the phosphor-containing resin composition is applied to the base substrate. The base substrate is not particularly limited, but may be a metal plate such as aluminum (including aluminum alloy), zinc, copper, and iron, or a metal plate such as foil, cellulose acetate, glass, ceramic, PET film, PP film, PPS film, polyimide film, A film, a polycarbonate film, an aramid film, or the like can be used. Among them, it is preferable that the base substrate is in the form of a flexible film in view of adhesiveness when the phosphor sheet is attached to the LED element. Further, a film having high strength is preferable so that there is no possibility of breakage or the like when handling a base substrate on a film. A resin film is preferable from the viewpoints of the required characteristics and economical efficiency. Of these, a PET film is preferable from the viewpoints of economy and handleability. In addition, when curing of the resin or a high temperature of 200 DEG C or more is required when bonding the phosphor sheet to the LED element, the polyimide film is preferable in terms of heat resistance. From the easiness of peeling of the sheet, it is preferable that the surface of the base substrate is treated in advance. Although the thickness of the base substrate is not particularly limited, it is preferably 25 占 퐉 or more and more preferably 40 占 퐉 or more as the lower limit. The upper limit is preferably 5000 탆 or less, more preferably 3000 탆 or less.

형광체 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 키스 코터, 슬릿 다이 코터, 다이렉트 그라비아 코터, 오프셋 그라비아 코터, 내츄럴 롤 코터, 에어나이프 코터, 롤 블레이드 코터, 바리바(baribar) 롤 블레이드 코터, 투 스트림 코터, 로드 코터, 와이어 바 코터, 어플리케이터, 딥 코터, 커튼 코터, 스핀 코터, 스크린 인쇄 등을 사용하여 행할 수 있지만, 그에 제한은 없다. 상기 방법 중, 막 두께 균일성을 얻기 위해서는, 슬릿 다이 코터로 도포하는 것이 바람직하다. 형광체 시트의 건조는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한, 시트의 가열 경화에는, 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은 통상 40 내지 250℃에서 1분 내지 5시간, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃에서 2분 내지 3시간이다.As a method of applying the phosphor resin composition, a reverse roll coater, blade coater, kiss coater, slit die coater, direct gravure coater, offset gravure coater, natural roll coater, air knife coater, roll blade coater, baribar roll blade coater , A twin-stream coater, a rod coater, a wire bar coater, an applicator, a dip coater, a curtain coater, a spin coater, a screen printing, and the like. Of the above-mentioned methods, in order to obtain film thickness uniformity, it is preferable to apply with a slit die coater. Drying of the phosphor sheet can be performed using a general heating apparatus such as a hot air dryer or an infrared ray dryer. For heating and curing the sheet, a general heating apparatus such as a hot-air dryer or an infrared dryer is used. In this case, the heat curing is usually carried out at 40 to 250 ° C for 1 minute to 5 hours, preferably at 100 to 200 ° C for 2 minutes to 3 hours.

형광체 시트의 막 두께는, 형광체 함유량과 원하는 광학 특성으로부터 결정된다. 형광체 함유량은 상술한 바와 같이 분산 안정성의 관점에서 한계가 있으므로, 막 두께는 10㎛ 이상인 것이 바람직하다. 형광체 시트의 광학 특성·내열성을 높이는 관점에서는, 형광체 함유 시트상 성형물의 막 두께는 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 200㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 형광체 시트를 1000㎛ 이하의 막 두께로 함으로써, LED 소자로부터의 발열을 효율적으로 방열하고, 해당 시트에서의 축열량을 저감시키기 때문에 내열성이 향상된다.The film thickness of the phosphor sheet is determined from the phosphor content and desired optical characteristics. Since the phosphor content has a limit in terms of dispersion stability as described above, the film thickness is preferably 10 mu m or more. From the viewpoint of enhancing the optical characteristics and heat resistance of the phosphor sheet, the film thickness of the phosphor-containing sheet-shaped product is preferably 1000 탆 or less, more preferably 200 탆 or less, and further preferably 100 탆 or less. By setting the phosphor sheet to a film thickness of 1000 mu m or less, the heat generated from the LED element is efficiently dissipated, and the amount of heat accumulated in the sheet is reduced, thereby improving the heat resistance.

본 발명에 있어서의 형광체 시트의 막 두께는, JIS K7130(1999) 플라스틱-필름 및 시트-두께 측정 방법에서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 기초하여 측정되는 막 두께(평균 막 두께)를 말한다.The film thickness of the phosphor sheet in the present invention is determined by the film thickness (average film thickness) measured on the basis of the method A for measuring the thickness by mechanical scanning in the method of measuring plastic-film and sheet-thickness according to JIS K7130 (1999) .

일반적으로 LED 발광 장치는 LED 칩으로부터 대량의 열이 발생하는 환경에 있다. 이러한 발열에 의해, 형광체의 온도가 상승하고, 형광체 내의 부활재가 실활됨으로써, 발광 장치의 전체 광속이 저하된다. 따라서, 발생한 열을 어떻게 효율적으로 방열하는지가 중요하다. 본 발명에 있어서는, 시트 막 두께를 상기 범위로 함으로써, 내열성이 우수한 형광체 시트를 얻을 수 있다.Generally, the LED light emitting device is in an environment where a large amount of heat is generated from the LED chip. Such heat generation increases the temperature of the phosphor, and the reactant in the phosphor is deactivated, thereby lowering the total flux of the light emitting device. Therefore, it is important how to efficiently dissipate generated heat. In the present invention, by setting the thickness of the sheet to the above range, a phosphor sheet excellent in heat resistance can be obtained.

또한, 시트 막 두께에 변동이 있으면, LED 칩마다 형광체량에 차이가 발생하고, 결과적으로 발광 스펙트럼(색온도, 휘도, 색도)에 변동이 발생한다. 따라서, 시트 막 두께의 변동은 바람직하게는 ±5% 이내, 더욱 바람직하게는 ±3% 이내이다.Further, if there is a variation in the sheet film thickness, there is a difference in the amount of the phosphor per LED chip, resulting in a variation in emission spectrum (color temperature, luminance, chromaticity). Therefore, the fluctuation of the sheet film thickness is preferably within ± 5%, more preferably within ± 3%.

또한, 여기에서 말하는 막 두께 변동이란, JIS K7130(1999) 플라스틱-필름 및 시트-두께 측정 방법에서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 기초하여 막 두께를 측정하고, 하기에 나타내는 식에 의해 산출된다.The film thickness variation referred to herein is a film thickness measurement based on the method A for measuring the thickness by mechanical scanning in the method of measuring plastic-film and sheet-thickness according to JIS K7130 (1999) Lt; / RTI &gt;

보다 구체적으로는, 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법의 측정 조건을 사용하여, 시판되고 있는 접촉식 두께계 등의 마이크로미터를 사용하여 막 두께를 측정하고, 얻어진 막 두께의 최댓값 또는 최솟값과 평균 막 두께의 차를 계산하고, 이 값을 평균 막 두께로 나누어 100분율로 나타낸 값이 막 두께 변동 B(%)가 된다.More specifically, the film thickness is measured using a micrometer such as a commercially available contact type thickness meter using the measuring conditions of Method A for measuring thickness by mechanical scanning, and the maximum or minimum value of the obtained film thickness The difference in average film thickness is calculated, and this value is divided by the average film thickness, and a value represented by a percentage of 100 is a film thickness variation B (%).

막 두께 변동 B(%)={(최대 막 두께 차이값*- 평균 막 두께)/평균 막 두께}×100Film thickness variation B (%) = {(maximum film thickness difference * - average film thickness) / average film thickness} × 100

* 최대 막 두께 차이값은 막 두께의 최댓값 또는 최솟값 중 평균 막 두께와의 차가 큰 쪽을 선택한다.* The maximum film thickness difference value is selected when the difference between the maximum film thickness or the minimum film thickness is larger than the average film thickness.

본 발명의 형광체 함유 수지 조성물로부터 성형되는 형광체 시트는, 25℃에서의 저장 탄성률이 0.01MPa 이상이고, 또한 100℃로 가열했을 때의 저장 탄성률이, 25℃ 및 200℃에서의 각각의 저장 탄성률보다 낮은 것이 바람직하다.The phosphor sheet formed from the phosphor-containing resin composition of the present invention has a storage elastic modulus at 25 캜 of 0.01 MPa or more and a storage elastic modulus at 25 캜 and 200 캜 Low.

여기에서 말하는 저장 탄성률이란, 동적 점탄성 측정을 행한 경우의 저장 탄성률이다. 동적 점탄성이란, 재료에 어떤 정현 주파수에서 전단 변형을 가했을 때, 정상 상태에 도달한 경우에 나타나는 전단 응력을 변형과 위상이 일치하는 성분(탄성적 성분)과, 변형과 위상이 90° 지연된 성분(점성적 성분)으로 분해하여, 재료의 동적인 역학 특성을 해석하는 방법이다. 여기서 전단 변형에 위상이 일치하는 응력 성분을 전단 변형으로 나눈 것이, 저장 탄성률 G'이며, 각 온도에서의 동적인 변형에 대한 재료의 변형, 추종을 나타내는 것이므로, 재료의 가공성이나 접착성에 밀접하게 관련되어 있다.Here, the storage elastic modulus is a storage elastic modulus when dynamic viscoelasticity measurement is performed. Dynamic viscoelasticity refers to the shear stress that appears when a material undergoes shear deformation at a sinusoidal frequency and when it reaches a steady state with a material that is in phase with the deformation (elastic component) A viscous component) and analyzing the dynamic dynamics of the material. Here, the storage modulus G 'obtained by dividing the stress component in phase with the shear strain by the shear strain represents the strain and follow-up of the material with respect to dynamic deformation at each temperature, so that it is closely related to the workability and adhesiveness of the material. .

형광체 시트가, 25℃에서의 저장 탄성률이 0.01MPa 이상이고, 또한 100℃로서 가열했을 때의 저장 탄성률이, 25℃ 및 200℃에서의 각각의 저장 탄성률보다 낮음으로써, 25℃로부터 가열해가면 해당 시트의 저장 탄성률은 저하되고, 대상물의 형상에 대하여 빠르게 변형되어 추종하여, 높은 점착성을 발현한다. 이 때문에, 해당 시트는 접착제를 사용하지 않고, LED 소자 상 또는 해당 소자 상에 형성된 폴리오르가노실록산층 상에 직접 부착될 수 있다. 100℃에서 0.01MPa 미만의 저장 탄성률이 얻어지는 형광체 시트이면, 100℃ 미만에서도 부착성은 온도 상승과 함께 양호해지지만 실용적인 접착성을 얻기 위해서는 80℃ 이상이 적합하다. 또한 이러한 형광체 시트는 100℃를 초과하여 가열함으로써 더욱 저장 탄성률의 저하가 진행되고, 부착성이 양호해지지만, 150 ℃를 초과하는 온도에서는, 통상 (A) 성분과 (B) 성분의 열경화 반응이 진행되기 때문에, 저장 탄성률이 상승되기 시작하고, 점착성은 저하된다. 따라서 적합한 가열 부착 온도는 50℃ 내지 150℃이다.The phosphor sheet has a storage elastic modulus at 25 캜 of at least 0.01 MPa and a storage elastic modulus at 25 캜 and 200 캜 when heated at 100 캜 is lower than the respective storage elastic moduli at 25 캜 and 200 캜, The storage elastic modulus of the sheet is lowered, and the shape of the object is rapidly deformed to conform to the shape of the object, thereby exhibiting high tackiness. For this reason, the sheet can be directly adhered onto the LED element or the polyorganosiloxane layer formed on the element, without using an adhesive. If the phosphor sheet has a storage elastic modulus at 100 deg. C of less than 0.01 MPa, adhesion at 80 deg. C or lower is favorable with increasing temperature, but 80 deg. C or higher is preferable to obtain practical adhesion. Further, such a phosphor sheet is heated more than 100 캜, the storage elastic modulus is further lowered, and the adhesiveness is improved. However, at a temperature exceeding 150 캜, the heat curing reaction between the component (A) The storage elastic modulus starts to increase and the tackiness decreases. A suitable heating attachment temperature is therefore 50 ° C to 150 ° C.

형광체 시트에 25℃에서의 저장 탄성률이 0.01MPa 이상임으로써, 실온(25℃)에서의 금형 펀칭 가공이나 날체에 의한 절단 가공에서, 높은 치수 정밀도로 가공할 수 있다. 실온에서의 저장 탄성률의 상한은 본 발명의 목적을 위해서는 특별히 제한되지 않지만, LED 소자와 접합시킨 후의 응력 변형을 저감시킬 필요성을 고려하면 1GPa 이하인 것이 바람직하다. 100℃에서의 저장 탄성률의 하한은 본 발명의 목적을 위해서는 특별히 제한되지 않지만, LED 소자 상으로의 가열 부착 시에 유동성이 너무 높으면, 형광체 시트의 막 두께를 유지할 수 없게 되므로, 0.001MPa 이상인 것이 바람직하다.Since the storage elastic modulus at 25 占 폚 of the phosphor sheet is 0.01 MPa or more, the phosphor sheet can be processed with high dimensional accuracy in mold punching processing at room temperature (25 占 폚) or cutting processing by heating. The upper limit of the storage elastic modulus at room temperature is not particularly limited for the purpose of the present invention, but it is preferable that the upper limit of the storage elastic modulus at room temperature is 1 GPa or less considering the necessity of reducing the stress deformation after bonding with the LED element. The lower limit of the storage elastic modulus at 100 캜 is not particularly limited for the purpose of the present invention. However, if the fluidity is too high at the time of adhering to the LED element, the film thickness of the phosphor sheet can not be maintained. Do.

본 발명의 수지 조성물로부터 성형되는 형광체 시트는, 150℃에서 100시간 가열 처리한 후의 색도가, 가열 처리 전과 비교하여, Clx±0.01, 또한 Cly±0.01의 범위 내인 것이 바람직하다.The phosphor sheet formed from the resin composition of the present invention preferably has a chromaticity after heat treatment at 150 占 폚 for 100 hours is in the range of Clx 占 0.01 and Cly 占 0.01 compared with that before the heat treatment.

시트의 색도 측정 방법을 설명한다. 또한, 이하는 일례이며 형광체 시트의 색도 측정 방법은, 이것에 한정되지 않는다. 형광체 시트가 청색 LED 소자에 부착되어 이루어지는 발광 장치에, 20mA의 전류를 흐르게 하여 LED 소자를 점등시키고, 순간 멀티측광 시스템(MCPD-3000, 오츠카 덴시(주)제)을 사용하여 측정한다. 이어서, 해당 발광 장치를 점등한 채, 열풍 오븐에 넣어 150℃, 100시간 가열 처리한 후, 측광 시스템에서 재측정하고, 가열 처리 전후의 색도 변화(최댓값과 최솟값의 차)를 산출할 수 있다.A method of measuring the chromaticity of the sheet will be described. The following is merely an example, and the method of measuring the chromaticity of the phosphor sheet is not limited to this. A current of 20 mA is applied to the light emitting device in which the phosphor sheet is adhered to the blue LED element and the LED element is turned on and measured using an instantaneous multi-photometry system (MCPD-3000, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.). Subsequently, the light emitting device is turned on and heated in a hot air oven at 150 DEG C for 100 hours, and then the light is measured again by a photometry system, and the chromaticity change (difference between the maximum value and the minimum value) before and after the heat treatment can be calculated.

형광체 시트를 부착시킨 발광 장치의 색도 변화는, 주로 고온에 의한 형광체 열화와 수지 성분의 열화에서 기인하고 있다. 본 발명에 의한 형광체 시트는 형광체의 우수한 분산 안정성에 의해 박막화할 수 있고, LED 소자로부터의 발열을 효율적으로 방열할 수 있기 때문에, 형광체의 열화를 억제할 수 있다.The change in chromaticity of the light emitting device to which the phosphor sheet is attached is mainly caused by deterioration of the phosphor due to high temperature and deterioration of the resin component. The phosphor sheet according to the present invention can be thinned by the excellent dispersion stability of the phosphor and efficiently dissipate the heat generated from the LED element, so that deterioration of the phosphor can be suppressed.

또한, 형광체 시트를 구성하는 수지 성분은 (A) 성분 및 (C) 성분이며, 규소에 결합하는 치환기는 알킬기, 알케닐기, 에폭시기, 아미노기 및 수소 원자이다. 이 때문에, 150℃ 이상의 고온 환경 하에서도, 수지 구조상 라디칼이 발생하지 않기 때문에, 청색 흡수(착색)의 원인이 되는 공액계 형성이 일어나지 않고, 열 열화를 일으키기 어렵다. 이상의 관점에서 발광 장치의 색도 변화를 상기 범위 내로 억제할 수 있다.The resin component constituting the phosphor sheet is the component (A) and the component (C), and the substituent bonded to silicon is an alkyl group, an alkenyl group, an epoxy group, an amino group and a hydrogen atom. Therefore, even under a high temperature environment of 150 占 폚 or more, radicals are not generated due to the resin structure, so that formation of a conjugated system causing blue absorption (coloring) does not occur and thermal deterioration is hardly caused. From the above viewpoint, the change in chromaticity of the light emitting device can be suppressed within the above range.

또한, 형광체 시트를 청색 LED 소자에 부착시킨 발광 장치에 있어서, LED 주위 온도(Ta) 100℃에서 1000시간 연속 점등한 경우의 광속 유지율은, 90% 이상인 것이 바람직하다.Further, in the light emitting device in which the phosphor sheet is attached to the blue LED element, it is preferable that the light flux retention ratio when the LED is continuously lit for 1000 hours at an ambient temperature (Ta) of 100 占 폚 is 90% or more.

발광 장치의 광속 측정 방법을 설명한다. 또한, 이하는 일례이며, 광속 측정 방법은 이것에 한정되지 않는다. 형광체 시트가 청색 LED 소자에 부착되어 이루어지는 발광 장치에, 20mA의 전류를 흐르게 하여 LED 소자를 점등시키고, 순간 멀티측광 시스템(MCPD-300, 오츠카 덴시(주)제)을 사용하여 전체 광속을 측정한다. (초기값 A) 이어서, 해당 발광 장치를 100℃로 설정한 열풍 오븐에 넣고, 점등시킨 상태에서 1000시간 두고, 그 후 25℃까지 방냉시켜, 다시 전체 광속을 측정한다. (측정값 B) 이어서, 각각의 측정값을 이하의 식에 대입하여, 광속 유지율을 산출한다.A method of measuring the luminous flux of the light emitting device will be described. The following is only an example, and the method of measuring the luminous flux is not limited to this. A current of 20 mA is applied to the light emitting device in which the phosphor sheet is attached to the blue LED element to light the LED element and the whole luminous flux is measured using an instantaneous multi-photometry system (MCPD-300, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) . (Initial value A) Then, the light emitting device is placed in a hot air oven set at 100 DEG C, left in a lighting state for 1000 hours, then cooled to 25 DEG C, and the total luminous flux is measured again. (Measurement value B) Subsequently, each measurement value is substituted into the following equation to calculate the light flux retention rate.

광속 유지율={(측정값 B)/(초기값 A)}×100.Luminous flux maintenance rate = {(measured value B) / (initial value A)} x 100.

본 발명의 수지 조성물과 형광체로부터 성형되는 형광체 시트는, LED 소자 상 또는 해당 소자 상에 형성된 실리콘 수지층 상에 파장 변환층으로서 부착되어, 발광 장치로서 사용할 수 있다. 또한, LED 소자의 바로 위뿐만 아니라 측면을 덮도록 부착시켜 사용해도 된다.The phosphor sheet formed from the resin composition of the present invention and the phosphor can be used as a light emitting device by being attached as a wavelength conversion layer on a LED element or a silicon resin layer formed on the LED element. Further, it may be used by being attached so as to cover not only the upper side but also the side surface of the LED element.

발광 장치의 제조 방법으로서는, LED 소자 상 또는 해당 소자 상에 형성된 실리콘 수지층 상에 해당 형광체 시트를 부착시킬 때, 소자를 소정의 온도로 가열하여 부착시킨다. 가열 온도는 50℃ 이상 200℃ 이하이다. 50℃ 이상으로 함으로써, (C) 성분이 충분히 연화되고, 해당 형광체 시트가 접착성을 발현시킬 정도로 저장 탄성률을 낮출 수 있다. 또한, 200℃ 이하로 함으로써, (A) 성분의 열경화 반응을 제어하고, 부착에 필요한 저장 탄성률을 적절히 확보할 수 있다.As a manufacturing method of the light emitting device, when attaching the phosphor sheet on the LED element or the silicon resin layer formed on the element, the element is heated to a predetermined temperature and attached. The heating temperature is not less than 50 ° C and not more than 200 ° C. By setting the temperature at 50 占 폚 or higher, the component (C) is sufficiently softened, and the storage modulus can be lowered to such an extent that the phosphor sheet exhibits adhesiveness. By controlling the temperature to 200 占 폚 or less, the thermosetting reaction of the component (A) can be controlled, and the storage modulus necessary for adhesion can be appropriately secured.

본 발명에 의한 LED 발광 장치의 신뢰성 향상을 위해서는, 형광체 함유 시트상 성형물과 LED 소자 사이에 응력 변형이 없는 것이 바람직하다. 그 때문에, 접합 온도는 LED 발광 장치의 동작 온도 부근, 바람직하게는 동작 온도의 ±20℃ 이내로 해두는 것이 바람직하다. LED 발광 장치는, 점등 시에는 70℃ 내지 180℃까지 온도가 상승한다. 따라서, 동작 온도와 접합 온도를 근접시키는 의미에서도, 접합 온도는 50℃ 이상 200℃ 이하가 바람직하다.In order to improve the reliability of the LED light emitting device according to the present invention, it is preferable that there is no stress deformation between the fluorescent substance-containing sheet-like molded product and the LED element. Therefore, it is preferable that the junction temperature is set to be within the vicinity of the operating temperature of the LED light emitting device, preferably within ± 20 ° C of the operating temperature. The temperature of the LED light emitting device rises from 70 ° C to 180 ° C at the time of lighting. Therefore, the junction temperature is preferably not less than 50 DEG C and not more than 200 DEG C in the sense of bringing the operating temperature close to the junction temperature.

형광체 시트를 LED 소자 상 또는 해당 소자 상에 형성된 실리콘 수지층 상에 접합시키는 방법으로서는, 소정의 온도에서 가열 압착할 수 있는 장치이면 기존의 임의의 장치를 이용할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 해당 형광체 시트를 개편으로 절단하고 나서, 개별의 LED 소자에 접합시키는 방법과, 다이싱 전의 LED 소자를 만들어 붙인 웨이퍼에 일괄 접합을 거쳐, 웨이퍼의 다이싱과 형광체 시트의 절단을 일괄해서 행하는 방법이 있지만, 형광체 시트를 개편으로 분할하고 나서 접합시키는 방법의 경우에는, 플립 칩 본더를 이용할 수 있다. 웨이퍼 레벨의 LED 소자에 일괄해서 부착시킬 때에는, 100mm각(角) 정도의 가열 부분을 갖는 가열 압착 툴 등으로 접합시킨다. 모든 경우에, 고온에서 형광체 시트를 LED 소자 상에 접착시키고 나서, 실온까지 방냉시키고, 베이스 기판을 박리한다.As a method of bonding the phosphor sheet onto the LED element or the silicone resin layer formed on the element, any existing apparatus can be used as long as it can be hot-pressed at a predetermined temperature. As described later, the phosphor sheet is cut into individual pieces and bonded to individual LED elements, and a method in which dicing of the wafer and cutting of the phosphor sheet are performed through a batch bonding to a wafer on which the LED element before dicing is formed A flip chip bonder can be used in the case of a method in which the phosphor sheet is divided and then bonded. When collectively attaching to wafer-level LED elements, they are bonded by a heat-pressing tool having a heating portion of about 100 mm square. In all cases, the phosphor sheet is adhered to the LED element at a high temperature, and then is cooled to room temperature, and the base substrate is peeled off.

형광체 시트를 LED 소자의 측면까지 접합시키는 방법으로서는, 상기 동일한 가열 압착할 수 있는 장치를 사용하지만, 그 경우에, 먼저 형광체 시트를, 융점이 40 내지 100℃ 정도인 열가소성 수지 베이스 기판에 부착시키는 것이 바람직하다.As a method of bonding the phosphor sheet to the side surface of the LED element, the above-mentioned apparatus capable of heating and pressing can be used. In this case, however, the phosphor sheet is first attached to the thermoplastic resin base substrate having a melting point of about 40 to 100 캜 desirable.

열가소성 수지 베이스 기판으로의 형광체 시트의 부착은, 열가소성 수지 베이스 기판이 연화 유동되는 상태에서 압박하여 행한다. 따라서, 부착 온도는 열가소성 수지 베이스 기판이 연화되어 유동하는 정도의 온도가 바람직하다. 또한 공기 고임의 잔존을 방지하기 위해서, 0.01MPa 이하의 감압 하에서 부착을 행하는 것이 바람직하다. 이러한 부착을 행하는 제조 장치로서는, 진공 다이어프램 라미네이터 등이 예시되지만, 그에 제한은 없다.The attachment of the phosphor sheet to the thermoplastic resin base substrate is performed by pressing under a state in which the thermoplastic resin base substrate is softened. Therefore, the attachment temperature is preferably such a temperature that the thermoplastic resin base substrate softens and flows. Further, in order to prevent the remaining air, it is preferable to carry out the adhesion under a reduced pressure of 0.01 MPa or less. A vacuum diaphragm laminator or the like is exemplified as a manufacturing apparatus for performing such attachment, but there is no limitation thereto.

다음으로 LED 소자의 측면까지 형광체 시트를 접합시키기 위해서는, 열가소성 수지 베이스 기판에 부착된 형광체 시트를, 베이스 기판에 사용하고 있는 열가소성 수지의 융점 이상으로 가열하고, LED 소자에 접하도록 하여 상면으로부터 가압 적층함으로써, LED 소자의 측면까지 형광체 시트를 접합시킬 수 있다.Next, in order to bond the phosphor sheet to the side surface of the LED element, the phosphor sheet attached to the thermoplastic resin base substrate is heated to a temperature not lower than the melting point of the thermoplastic resin used for the base substrate, The phosphor sheet can be bonded to the side surface of the LED element.

형광체 시트를 LED 소자의 상면에 접합시킬 때의 절단 가공하는 방법에 대하여 설명한다. 형광체 시트는 LED 소자로의 부착 전에 미리 개편으로 절단하여, 개별의 LED 소자에 부착시키는 방법과, 웨이퍼 레벨의 LED 소자에 형광체 시트를 부착시키고 나서 웨이퍼의 다이싱과 동시에 일괄해서 형광체 시트를 절단하는 방법이 있다.A method of cutting a phosphor sheet when it is bonded to the upper surface of the LED element will be described. The phosphor sheet is preliminarily cut into individual pieces before being attached to the LED element, and the phosphor sheet is attached to the individual LED elements. A method of attaching the phosphor sheet to the wafer level LED element is followed by cutting the phosphor sheet collectively at the same time as dicing the wafer There is a way.

부착 전에 미리 절단하는 경우에는, 균일하게 형성된 형광체 시트를, 레이저에 의한 가공 또는 칼날에 의한 절삭에 의해 소정의 형상으로 가공하여 분할한다. 레이저에 의한 가공은 고에너지가 부여되므로, 수지의 눌음이나 형광체의 열화를 회피하는 것이 매우 어려워, 칼날에 의한 절삭이 바람직하다.In the case of preliminarily cutting before attaching, the uniformly formed phosphor sheet is processed into a predetermined shape by cutting with a laser or cutting with a blade and divided. Since high energy is imparted to the processing by the laser, it is very difficult to avoid the crushing of the resin and deterioration of the phosphor, and cutting by the blade is preferable.

칼날로 절단하는 데 있어서 가공성을 향상시키기 위해서, 형광체 시트의 25℃에서의 태크가 없는 것이 매우 중요하다. 칼날에 의한 절삭 방법으로서는, 단순한 칼날을 압입하여 자르는 방법과, 회전날에 의해 자르는 방법이 있으며, 모두 적합하게 사용할 수 있다. 회전날에 의해 절단하는 장치로서는, 다이서라 불리는 반도체 기판을 개별 칩으로 절단(다이싱)하는 데 사용하는 장치를 적합하게 이용할 수 있다. 다이서를 사용하면, 회전날의 두께나 조건 설정에 의해, 분할 라인의 폭을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 단순한 칼날의 압입에 의해 절단하는 것보다도 높은 가공 정밀도가 얻어진다.In order to improve the workability in cutting with a blade, it is very important that there is no tag at 25 DEG C of the phosphor sheet. As a method of cutting with a blade, there are a method of cutting a simple blade by press-fitting and a method of cutting by a rotating blade, all of which can be suitably used. As a device for cutting by a rotary blade, a device used for cutting (dicing) a semiconductor substrate called a die stop into individual chips can be suitably used. By using the dicer, the width of the divided line can be precisely controlled by setting the thickness and condition of the rotary blade, so that higher processing accuracy can be obtained than when cutting is performed by simply pressing the blade.

베이스 기판과 적층된 상태의 형광체 시트를 절단하는 경우에는, 베이스 기판마다 개편화해도 되고, 또는 형광체 시트는 개편화하면서, 베이스 기판은 절단하지 않아도 상관없다. 또는 베이스 기판은 관통되지 않은 절입 라인이 들어가는, 소위 하프컷이어도 된다. 그렇게 개편화된 형광체 시트를, 개별의 LED 소자의 상면에 가열 압착시킨다.When the base substrate and the phosphor sheet in the stacked state are cut, the base substrate may be divided into individual pieces or the base sheet may not be cut while the phosphor sheet is separated. Alternatively, the base substrate may be a so-called half cut in which a not-penetrated infeed line is inserted. The phosphor sheet thus separated is heat-pressed on the upper surface of the individual LED element.

형광체 시트를 베이스 기판마다 개편화하는 경우의, 개편화·LED 소자 접합·다이싱의 공정의 일례를 도 1에 도시한다. 도 1의 공정에는, 형광체 시트를 개편으로 절단하는 공정, 및 해당 개편으로 절단된 형광체 시트를 가열하여 LED 소자에 부착시키는 공정이 포함된다.FIG. 1 shows an example of the steps of individualization, LED element bonding and dicing when the phosphor sheet is divided into pieces per base substrate. The step of Fig. 1 includes a step of cutting the phosphor sheet with individual pieces, and a step of heating the phosphor sheet cut by the individual pieces and attaching the sheet to the LED element.

도 1의 (a)는, 베이스 기판(2)과 적층된 상태의 본 발명 형광체 시트(1)를 임시 고정 시트(3)에 고정한 것이다. 도 1에 도시한 공정에서는, 형광체 시트(1)와 베이스 기판(2)은 모두 개편화되므로, 취급이 용이하도록 임시 고정 시트(3)에 고정해둔다.Fig. 1 (a) shows the phosphor sheet 1 of the present invention in a state of being laminated with the base substrate 2, which is fixed to the temporary fixing sheet 3. Fig. In the process shown in Fig. 1, since the phosphor sheet 1 and the base substrate 2 are both separated, they are fixed to the temporary fixing sheet 3 for easy handling.

다음으로, 도 1의 (b)에 나타내는 바와 같이 형광체 시트(1)와 베이스 기판(2)을 절단하여 개편화한다.Next, as shown in Fig. 1 (b), the phosphor sheet 1 and the base substrate 2 are cut into individual pieces.

계속해서, 도 1의 (c)에 나타내는 바와 같이, 실장 기판(5)에 실장된 LED 소자(4) 상에, 개편화된 형광체 시트(1)와 베이스 기판재(2)를 위치 정렬하여, 도 1의 (d)에 나타내는 바와 같이 가열 압착 툴로 압착한다. 이 때, 형광체 시트(1)와 LED 소자(4) 사이에 공기가 들어가지 않도록, 압착 공정은 진공 하 또는 감압 하에서 행하는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (c), the separated phosphor sheet 1 and the base substrate material 2 are aligned on the LED element 4 mounted on the mounting substrate 5, As shown in Fig. 1 (d). At this time, it is preferable that the pressing step is performed under vacuum or under reduced pressure so that air does not enter between the phosphor sheet 1 and the LED element 4. [

압착 후에 실온까지 방냉시키고, 도 1의 (e)에 나타내는 바와 같이 베이스 기판(2)을 박리한다.After compression, the substrate is cooled to room temperature, and the base substrate 2 is peeled off as shown in Fig. 1 (e).

또한, 베이스 기판이 연속된 그대로 형광체 시트를 개편화한 경우에는, 그대로 일괄해서 다이싱 전의 웨이퍼 레벨의 LED 소자에 접착시켜도 된다.In the case where the phosphor sheet is divided into pieces as the base substrate continues to be continuous, they may be adhered to the wafer level LED element before dicing as they are.

베이스 기판이 연속된 그대로 형광체 시트를 개편화하는 경우의, 개편화·LED 소자 접합·다이싱의 공정의 일례를, 도 2에 도시한다. 도 2의 공정에도, 형광체 시트를 개편으로 절단하는 공정, 및 해당 개편으로 절단된 형광체 시트를 가열하여 LED 소자의 상면에 부착시키는 공정이 포함된다.Fig. 2 shows an example of the steps of discretization, LED element bonding and dicing in the case of disposing the phosphor sheet as the base substrate is continuous. The step shown in Fig. 2 also includes a step of cutting the phosphor sheet with individual pieces, and a step of heating the phosphor sheet cut with the corresponding piece to adhere to the upper surface of the LED element.

도 2에 나타내는 공정의 예에서는, 먼저 도 2의 (b)에 나타내는 공정에서 형광체 시트(1)를 개편화할 때에 베이스 기판(2)은 개편화되지 않는다. 도 2의 (b)에서는 베이스 기판(2)은 전혀 절단되어 있지 않지만, 베이스 기판(2)이 연속되어 있는 한, 부분적으로 절단되어도 상관없다.In the example of the process shown in Fig. 2, first, the base substrate 2 is not separated when the phosphor sheet 1 is divided in the step shown in Fig. 2 (b). 2 (b), the base substrate 2 is not cut at all, but it may be partially cut as long as the base substrate 2 is continuous.

다음으로 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 개편화된 형광체 시트(1)를 다이싱 전의 LED 소자를 표면에 형성한 웨이퍼(7)에 대향시켜, 위치 정렬을 행한다.Next, as shown in Fig. 2 (c), the individualized phosphor sheet 1 is positioned so as to face the wafer 7 on which the LED element before dicing is formed on the surface.

도 2의 (d)에 나타내는 공정에서 가열 압착 툴에 의해, 형광체 시트(1)와 다이싱 전의 LED 소자를 표면에 형성한 웨이퍼(7)를 압착한다. 이 때, 이 때, 형광체 시트(1)와 LED 소자(4) 사이에 공기가 들어가지 않도록, 압착 공정은 진공 하 또는 감압 하에서 행하는 것이 바람직하다.In the step shown in Fig. 2 (d), the wafer 7 having the phosphor sheet 1 and the LED element before dicing formed on the surface thereof is pressed by means of a hot press tool. At this time, it is preferable that the pressing step is performed under vacuum or under reduced pressure so that air does not enter between the phosphor sheet 1 and the LED element 4 at this time.

압착 후에 실온까지 방냉시키고, 도 2의 (e)에 나타내는 바와 같이 베이스 기판(2)을 박리한 후, 웨이퍼를 다이싱하여 개편화하고, 도 2의 (f)에 나타내는 바와 같이 개편화된 형광체 시트 부착 LED 소자를 얻는다.2 (e), the base substrate 2 is peeled off, and then the wafer is diced into individual pieces, and as shown in FIG. 2 (f) Thereby obtaining an LED element with a sheet.

다이싱 전의 웨이퍼 레벨의 LED 소자에 일괄해서 형광체 시트를 접착시키는 경우에는, 접합 후에 LED 소자 웨이퍼의 다이싱과 함께, 형광체 시트를 절단할 수도 있다.When the phosphor sheet is bonded to the wafer-level LED element before dicing, the phosphor sheet may be cut together with the dicing of the LED element wafer after bonding.

형광체 시트와 웨이퍼를 접합 후에 일괄해서 다이싱하는 경우의 공정의 일례를 도 3에 도시한다. 도 3의 공정에는, 복수의 LED 소자의 상면에 형광체 시트를 가열하여 일괄해서 부착시키는 공정, 및 형광체 시트와 LED 소자를 일괄 다이싱하는 공정이 포함된다.FIG. 3 shows an example of a process in which dicing is performed collectively after bonding a phosphor sheet and a wafer. The step of Fig. 3 includes a step of heating and attaching the phosphor sheet on the upper surface of the plurality of LED elements collectively, and a step of collectively dicing the phosphor sheet and the LED element.

도 3의 공정에서는, 본 발명의 형광체 시트(1)는 미리 절단 가공하지 않고, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이 형광체 시트(1)측을 다이싱 전의 LED 소자를 표면에 형성한 웨이퍼(7)에 대향시켜 위치 정렬한다.In the process of Fig. 3, the phosphor sheet 1 of the present invention is not subjected to cutting processing in advance, and the phosphor sheet 1 side as shown in Fig. 3 (a) 7).

다음으로 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가열 압착 툴에 의해 형광체 시트(1)와 다이싱 전의 LED 소자를 표면에 형성한 웨이퍼(7)를 압착한다. 이 때, 형광체 시트(1)와 LED 소자(4) 사이에 공기가 들어가지 않도록, 압착 공정은 진공 하 또는 감압 하에서 행하는 것이 바람직하다.Next, as shown in Fig. 3 (b), the wafer 7 having the phosphor sheet 1 and the LED element before dicing formed on the surface thereof is pressed by a hot press tool. At this time, it is preferable that the pressing step is performed under vacuum or under reduced pressure so that air does not enter between the phosphor sheet 1 and the LED element 4. [

압착 후에 실온까지 방냉시키고, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 베이스 기판(2)을 박리한 후, 웨이퍼를 다이싱함과 동시에, 형광체 시트(1)를 절단하여 개편화하고, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이 개편화된 형광체 시트 부착 LED 소자를 얻는다.After the base member 2 was peeled off as shown in Fig. 3 (c), the wafer was diced and the phosphor sheet 1 was cut into individual pieces, d), an LED element with a discrete phosphor sheet is obtained.

상술한 도 1 내지 3 중 어느 공정을 채용하는 경우에도, 본 발명의 형광체 시트를 상면에 전극이 있는 LED 소자에 부착시키는 경우에는, 전극 부분의 형광체 시트를 제거하기 위해 형광체 시트의 접합 전에 미리 그 부분에 펀칭 가공을 해두는 것이 바람직하다. 펀칭 가공은 레이저 가공, 금형 펀칭, 날체에 의한 절단 등의 공지된 방법을 적합하게 사용할 수 있지만, 레이저 가공은 수지의 눌음이나 형광체의 열화를 야기하므로, 금형에 의한 펀칭 가공이 보다 바람직하다.In the case where the phosphor sheet of the present invention is attached to the LED element having the electrode on the upper surface, the phosphor sheet of the electrode portion is removed before the bonding of the phosphor sheet, It is preferable to punch the portion. Known methods such as laser processing, die punching and cutting by a blade can be suitably used for punching, but laser machining causes punching of the resin and deterioration of the phosphor, and therefore punching by a die is more preferable.

펀칭 가공을 실시하는 경우, 형광체 시트를 LED 소자에 부착시킨 후에는 펀칭 가공은 불가능하므로, 형광체 시트에는 부착 전에 펀칭 가공을 실시하는 것이 필수가 된다. 금형에 의한 펀칭 가공은, 접합시키는 LED 소자의 전극 형상 등에 의해 임의의 형상이나 크기의 구멍을 뚫을 수 있다. 구멍의 크기나 형상은 금형을 설계한다면, 임의의 것을 형성할 수 있지만, 1mm각 내외의 LED 소자 상의 전극 접합 부분은, 발광면의 면적을 작게 하지 않기 위해서는 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 구멍은 그 크기에 따라서 500㎛ 이하로 형성된다. 또한, 와이어 본딩 등을 행하는 전극은 어느 정도의 크기가 필요하고, 적어도 50㎛ 정도의 크기가 되므로, 구멍은 그 크기에 따라서 50㎛ 정도이다. 구멍의 크기는 전극보다 너무 크면, 발광면이 노출되어 광 누설이 발생하고, LED 발광 장치의 색 특성이 저하된다. 또한, 전극보다 너무 작으면, 와이어 본딩 시에 와이어가 접촉되어 접합 불량을 일으킨다. 따라서, 펀칭 가공은 50㎛ 이상 500㎛ 이하의 작은 구멍을 ±10% 이내의 고정밀도로 가공할 필요가 있다.In the case of performing the punching process, since the punching process can not be performed after the phosphor sheet is attached to the LED element, it is necessary to perform the punching process on the phosphor sheet before attachment. In the punching process by the mold, holes of an arbitrary shape and size can be punched by the electrode shape of the LED element to be bonded. The size and the shape of the hole can be arbitrarily determined by designing the metal mold. However, it is preferable that the electrode joint portion on the LED element of about 1 mm in each case is not larger than 500 탆 in order not to reduce the area of the light emitting surface, Depending on the size. In addition, an electrode for wire bonding or the like needs a certain size and has a size of at least about 50 mu m, so the hole is about 50 mu m depending on its size. If the size of the hole is too large as compared with the electrode, the light emitting surface is exposed, light leakage occurs, and the color characteristic of the LED light emitting device is deteriorated. In addition, if the electrode is too small, the wire contacts the wire at the time of wire bonding, thereby causing defective bonding. Therefore, in the punching process, it is necessary to process small holes of 50 μm or more and 500 μm or less with high accuracy within ± 10%.

다음으로 형광체 시트를 LED 소자의 측면까지 접합시킬 때의 절단 방법에 대해서 예시한다. 제조예를 도 4에 도시한다.Next, a cutting method for joining the phosphor sheet to the side surface of the LED element will be exemplified. A production example is shown in Fig.

도 4의 (a) LED 소자(4)를 패키지 기판(5) 상의 패키지 전극(9)에 금 범프(8)를 통해 접합시킨다.4 (a), the LED element 4 is bonded to the package electrode 9 on the package substrate 5 through the gold bumps 8. [

도 4의 (b) 베이스 기판(2) 상의 형광체 시트(1)가 LED 소자(4)에 접하도록 하여 적층한다.The phosphor sheet 1 on the base substrate 2 of FIG. 4 (b) is brought into contact with the LED element 4 to be laminated.

도 4의 (c) 그 적층물을 진공 다이어프램 라미네이터(10)의 하부 챔버(13)에 넣은 후, 가열하면서 배기/흡기구(11)를 통해 배기하여 상부 챔버(12) 및 하부 챔버(13)를 감압시킨다. 베이스 기판(2)이 유동될 때까지 감압 가열을 행한 후, 상부 챔버(12)에 배기/흡기구(11)를 통해 대기를 흡입함으로써 다이어프램(14)을 팽창시켜, 베이스 기판(2)을 통해 형광체 시트(1)를 압박하고, LED 소자(4)의 발광면에 추종하도록 부착시킨다.4 (c), the laminate is placed in the lower chamber 13 of the vacuum diaphragm laminator 10 and then exhausted through the exhaust / air inlet 11 while heating to separate the upper chamber 12 and the lower chamber 13 Decompressed. The diaphragm 14 is inflated by sucking air through the exhaust / air inlet 11 to the upper chamber 12 after the reduced pressure heating is performed until the base substrate 2 flows, The sheet 1 is pressed and attached so as to follow the light emitting surface of the LED element 4. [

도 4의 (d) 상하 챔버를 대기압으로 복귀시킨 후, 적층물을 진공 다이어프램 라미네이터(10)로부터 취출하고, 방냉 후에 베이스 기판(2)을 박리한다. 계속해서 얻어진 피복체를 절단 부분의 위치에서 절단한다.After returning the upper and lower chambers to the atmospheric pressure, the laminate is taken out from the vacuum diaphragm laminator 10, and the base substrate 2 is peeled off after air cooling. Subsequently, the thus obtained coated body is cut at the position of the cut portion.

도 4의 (e) 개편화된 형광체 시트 부착 LED 소자를 얻는다.Fig. 4 (e) shows a disassembled LED element with a phosphor sheet.

실시예Example

이하에, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited thereto.

<원료><Raw materials>

A 성분Component A

<합성예 1> 알케닐기 함유 실리콘 수지(A1-1)의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of alkenyl group-containing silicone resin (A1-1)

1L의 3구 플라스크에 교반 장치 및 리비히 냉각기를 설치하고, 메틸트리메톡시실란(KBM-13, 신에쯔 가가꾸 고교(주)제) 136g, 디메틸디메톡시실란(KBM-22, 신에쯔 가가꾸 고교(주)제) 24g, 트리메틸에톡시실란(T1394, 도꾜 가세이 고교(주)제) 13.6g, 디메틸비닐클로로실란(도꾜 가세이 고교(주)제) 10g, 이소부틸알코올 120g을 넣고, 20℃에서 교반하였다. 이어서, 0.05N의 염산 용액 60g을 30분에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 80℃로 가열하면서 1시간 교반하였다. 이어서, 105℃로 가열하면서 1시간 교반하였다. 이어서, 반응 용액을 25℃까지 방냉시키고, 크실렌 150g을 넣어 희석하였다. 그 후, 반응 용액을 분액 깔때기에 넣어, 순수 300g으로 세정 조작을 5회 반복하였다. 그 후, 정제 용액을 110℃로 가열하고, 물을 제거하여, 무색 투명 수지 100g을 얻었다. 얻어진 수지를 구조 분석한 결과, 평균 단위식은(KBM-13, manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.), 136 g of dimethyldimethoxysilane (KBM-22, available from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) , 13 g of trimethylethoxysilane (T1394, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), 10 g of dimethylvinylchlorosilane (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 120 g of isobutyl alcohol were placed, 0.0 &gt; 20 C. &lt; / RTI &gt; Subsequently, 60 g of a 0.05 N hydrochloric acid solution was added dropwise over 30 minutes. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 1 hour while heating to 80 캜. Subsequently, the mixture was stirred for 1 hour while heating to 105 캜. Subsequently, the reaction solution was allowed to stand still at 25 DEG C and diluted with 150 g of xylene. Thereafter, the reaction solution was put into a separating funnel, and the washing operation was repeated five times with 300 g of pure water. Thereafter, the purified solution was heated to 110 DEG C and water was removed to obtain 100 g of a colorless transparent resin. As a result of the structural analysis of the obtained resin,

Figure pct00004
Figure pct00004

였다. 이 무색 투명 수지의 중량 평균 분자량은 5,000, 굴절률은 1.43, 유리 전이점은 -30℃였다. 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 94%였다.Respectively. The colorless transparent resin had a weight average molecular weight of 5,000, a refractive index of 1.43, and a glass transition point of -30 占 폚. Of the organic groups bonded to the silicon atom, the methyl group was 94%.

<합성예 2> 알케닐기 함유 실리콘 수지(A1-2)의 합성Synthesis Example 2 Synthesis of Alkenyl Group-Containing Silicone Resin (A1-2)

105℃로 가열 교반하는 시간을 5시간으로 한 것 이외에는, 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여, 무색 투명 수지 100g을 얻었다.100 g of a colorless transparent resin was obtained by synthesizing in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the heating and stirring at 105 DEG C were for 5 hours.

얻어진 수지를 구조 분석한 결과, 평균 단위식은As a result of the structural analysis of the obtained resin,

Figure pct00005
Figure pct00005

였다. 이 무색 투명 수지의 중량 평균 분자량은 16,000, 굴절률은 1.43, 유리 전이점은 -70℃였다. 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 91%였다.Respectively. The colorless transparent resin had a weight average molecular weight of 16,000, a refractive index of 1.43, and a glass transition point of -70 占 폚. Among the organic groups bonded to the silicon atom, the methyl group was 91%.

<합성예 3> 알케닐기 함유 실리콘 수지(A1-3)의 합성Synthesis Example 3 Synthesis of Alkenyl Group-Containing Silicone Resin (A1-3)

105℃로 가열 교반하는 시간을 15시간으로 한 것 이외에는, 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여, 무색 투명 수지 100g을 얻었다. 얻어진 수지를 구조 분석한 결과, 평균 단위식은100 g of a colorless transparent resin was obtained by synthesizing in the same manner as in Synthesis Example 1, except that the heating and stirring were carried out at 105 캜 for 15 hours. As a result of the structural analysis of the obtained resin,

Figure pct00006
Figure pct00006

이었다. 이 무색 투명 수지의 중량 평균 분자량은 350,000, 굴절률은 1.43, 유리 전이점은 -90℃였다. 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 96%였다.. The colorless transparent resin had a weight average molecular weight of 350,000, a refractive index of 1.43, and a glass transition point of -90 占 폚. The methyl group bonded to the silicon atom was 96%.

<합성예 4> 히드로실릴기 함유 실리콘 수지(A2-1)의 합성SYNTHESIS EXAMPLE 4 Synthesis of Hydrosilyl Group-Containing Silicone Resin (A2-1)

원료를 디메틸비닐실란(도꾜 가세이 고교(주)제)으로부터 디메틸클로로실란(도꾜 가세이 고교(주)제) 15g으로 변경한 것 이외에는, 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산 화합물 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여, 무색 투명 수지 100g을 얻었다. 얻어진 수지를 구조 분석한 결과, 평균 단위식은Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 of alkenyl group-containing polyorganosiloxane compound except that the raw material was changed from dimethylvinylsilane (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) to 15 g of dimethylchlorosilane (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) To obtain 100 g of a colorless transparent resin. As a result of the structural analysis of the obtained resin,

Figure pct00007
Figure pct00007

이었다. 이 무색 투명 수지의 중량 평균 분자량은 4,500, 굴절률은 1.43, 유리 전이점은 -90℃였다. 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 91%였다.. The colorless transparent resin had a weight average molecular weight of 4,500, a refractive index of 1.43, and a glass transition point of -90 占 폚. Among the organic groups bonded to the silicon atom, the methyl group was 91%.

(B) 성분Component (B)

경화 촉매 B-1: 백금(1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산) 착체 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 용액 백금 함유량 5중량% .Curing catalyst B-1: Platinum (1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane) complex 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane solution Platinum 5% by weight.

(C) 성분(C) Component

실리콘 수지 C-1: SR-1000(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬(합)제), 유리 전이점 80℃, 중량 평균 분자량 3,800, 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 92%였다. 평균 단위식은Silicone resin C-1: SR-1000 (manufactured by Momentive Performance Materials Japan), glass transition point 80 캜, weight average molecular weight 3,800, and methyl group in organic groups bonded to silicon atom was 92%. The average unit formula

Figure pct00008
Figure pct00008

이었다..

실리콘 수지 C-2: X-40-3237(신에쯔 가가꾸 고교(주)제), 유리 전이점 130℃, 중량 평균 분자량 6,000, 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 93%였다. 평균 단위식은Silicone resin C-2: X-40-3237 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), glass transition point of 130 占 폚, weight average molecular weight of 6,000, and the methyl group bonded to the silicon atom was 93%. The average unit formula

Figure pct00009
Figure pct00009

였다.Respectively.

실리콘 수지 C-3: CB-1002(도레이·다우코닝(주)제), 유리 전이점 160℃, 중량 평균 분자량 70,000, 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 97%였다. 평균 단위식은Silicone resin C-3: CB-1002 (manufactured by Toray-Dow Corning Incorporated), glass transition point 160 캜, weight average molecular weight 70,000, and the methyl group bonded to the silicon atom was 97%. The average unit formula

Figure pct00010
Figure pct00010

이었다..

실리콘 수지 C-4: MQ-1640(도레이·다우코닝(주)제), 유리 전이점 250℃, 중량 평균 분자량 150,000, 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 91%였다. 평균 단위식은Silicone resin C-4: MQ-1640 (manufactured by Toray-Dow Corning Incorporated), glass transition point 250 캜, weight average molecular weight 150,000, and the methyl group bonded to the silicon atom was 91%. The average unit formula

Figure pct00011
Figure pct00011

이었다..

실리콘 수지 C-5: KR-515(신에쯔 가가꾸 고교(주)제), 유리 전이점 -100℃, 중량 평균 분자량 900, 규소 원자에 결합한 유기기 중 메틸기는 90%였다. 평균 단위식은Silicone resin C-5: KR-515 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), glass transition point -100 占 폚, weight average molecular weight 900, and the methyl group bonded to silicon atom was 90%. The average unit formula

Figure pct00012
Figure pct00012

였다.Respectively.

형광체Phosphor

형광체 D-1: "NYAG-02"(Intematix(주)제) 비중: 4.8g/cm3, D50: 8㎛.Phosphor D-1: "NYAG-02" (manufactured by Intematix) Specific gravity: 4.8 g / cm 3 , D50: 8 μm.

형광체 D-2: "BY-202/A"(미쯔비시 가가꾸(주)제) 비중: 4.8g/cm3, D50: 12㎛).Phosphor D-2: "BY-202 / A" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) specific gravity: 4.8 g / cm 3 , D50: 12 μm).

형광체 D-3: "EY4254"(Intematix(주)제) 비중: 4.7g/cm3, D50: 16㎛).Phosphor D-3: "EY4254" ( Intematix ( Ltd.)), specific gravity: 4.7g / cm 3, D50: 16㎛).

무기 입자Inorganic particle

<무기 입자 1> 알루미나 분말 "Aeroxide"(닛본 에어로실(주)제) 평균 입자 직경 D50 13nm<Inorganic Particle 1> Alumina powder "Aeroxide" (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) Average particle diameter D50 13 nm

실리콘 미립자Silicon fine particles

<합성예 5> 미립자 1&Lt; Synthesis Example 5 >

3L의 4구 둥근 바닥 플라스크에 교반기, 온도계, 환류관, 적하 깔때기를 설치하고, 플라스크에 pH 12(25℃)의 2.5wt% 암모니아 수용액 1600g과 비이온계 계면 활성제 에말겐 1108(가오(주)제) 0.004g을 첨가하였다. 300rpm으로 교반하면서 적하 깔때기로부터 메틸트리메톡시실란 150g을 20분에 걸쳐 적하하였다. 그 후, 중합 용액을 30분에 걸쳐 50℃까지 승온하고, 추가로 60분간 교반을 계속하였다. 이어서, 중합 용액을 실온까지 냉각시킨 후, 아세트산암모늄 10g을 첨가하고, 150rpm으로 10분간 교반하였다. 이어서, 중합 용액을 250ml 원심병(나르겐(주)제) 8개로 소분하고, 원심 분리기(테이블 톱 원심기 4000, (주)구보타 세이사쿠쇼제)로 3000rpm, 10분간의 조건에서 원심 분리를 행한 후, 상청액을 제거하였다. 이어서, 해당 원심병에 순수 200g을 첨가하고, 스파튤러로 교반한 후, 상기 조건에서 다시 원심 분리를 행하였다. 세정 조작을 5회 반복하였다. 이어서, 원심병에 남은 케이크를 버킷에 옮기고, 열풍 오븐에서 100℃, 8시간 건조시켜 백색 분말 70g을 얻었다. 얻어진 분말의 평균 입자 직경(D50)은 0.5㎛, 평균 단위식은A stirrer, a thermometer, a reflux condenser, and a dropping funnel were placed in a 3 L four-neck round bottom flask, and 1600 g of a 2.5 wt% aqueous ammonia solution of pH 12 (25 ° C) 0.004 g) was added. 150 g of methyltrimethoxysilane was added dropwise from the dropping funnel over 20 minutes while stirring at 300 rpm. Thereafter, the polymerization solution was heated to 50 DEG C over 30 minutes, and stirring was further continued for 60 minutes. Subsequently, the polymerization solution was cooled to room temperature, 10 g of ammonium acetate was added, and the mixture was stirred at 150 rpm for 10 minutes. Subsequently, the polymerization solution was subdivided into 8 pieces of 250 ml of Myonchi (manufactured by Nalgene KK) and centrifuged at 3000 rpm for 10 minutes using a centrifugal separator (table top centrifuge 4000, manufactured by Kubota Seisakusho Co., Ltd.) After that, the supernatant was removed. Subsequently, 200 g of pure water was added to the prescription bottle, stirred with a spatula, and centrifuged again under the above conditions. The washing operation was repeated five times. Then, the remaining cake was transferred to a bucket and dried in a hot air oven at 100 DEG C for 8 hours to obtain 70 g of a white powder. The average particle diameter (D50) of the obtained powder was 0.5 mu m, and the average unit formula

Figure pct00013
Figure pct00013

이었다..

<베이스 기판><Base substrate>

기재 1: 이형제 부착 PET 필름 "세라필" BLK(도레이 필름 가공(주)제)Substrate 1: PET film with releasing agent "Serafil" BLK (manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.)

박리력 5.7N/50mmPeel force 5.7N / 50mm

<저장 탄성률 측정>&Lt; Measurement of storage elastic modulus &

측정 장치: 점탄성 측정 장치 ARES-G2(TA 인스트루먼트 재팬(주)제)Measuring device: Viscoelasticity measuring device ARES-G2 (TA Instrument Japan Co., Ltd.)

지오메트리: 평행 원판형(15mm)Geometry: Parallel disk (15mm)

변형: 1%Variation: 1%

각주파수: 1HzEach frequency: 1Hz

온도 범위: 25℃ 내지 200℃Temperature range: 25 캜 to 200 캜

승온 속도: 5℃/분Heating rate: 5 ° C / min

측정 분위기: 대기 중.Measuring Atmosphere: Atmosphere.

<저장 점탄성 측정의 측정 샘플 조정>&Lt; Measurement sample adjustment of storage viscoelasticity measurement >

폴리에틸렌제 용기를 사용하여, (A) 성분을 70중량부, (B) 성분 0.005중량부, (C) 성분을 30중량부, 형광체를 100중량부의 비율로 혼합하였다. 그 후, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보(주)제)을 사용하고, 1000rpm으로 20분간 교반·탈포하여 형광체 함유 수지 조성물을 얻었다. 슬릿 다이 코터를 사용하여 형광체 함유 수지 조성물을 기재 1 상에 도포하고, 100℃에서 1시간 가열, 건조시켜 반경화된 형광체 시트를 얻었다. 얻어진 시트를 8매 적층하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 가열 압착하여 600㎛ 이상의 일체화된 막(시트)을 제작하고, 직경 15mm로 잘라내어 측정 샘플로 하였다. 상기 조작으로 제작한 각 측정 샘플을 상기 조건에서 측정하고, 25℃, 100℃, 200℃에서의 저장 탄성률을 표 1에 나타냈다.70 parts by weight of the component (A), 0.005 parts by weight of the component (B), 30 parts by weight of the component (C) and 100 parts by weight of the fluorescent substance were mixed using a polyethylene container. Thereafter, a phosphor-containing resin composition was obtained by using a planetary stirring and defoaming device "Mazerstar KK-400" (manufactured by Kurabo Industries, Ltd.) with stirring and degassing at 1000 rpm for 20 minutes. The phosphor-containing resin composition was coated on the substrate 1 using a slit die coater and heated at 100 占 폚 for 1 hour and dried to obtain a semi-cured phosphor sheet. Eight sheets thus obtained were laminated and heated and pressed on a hot plate at 100 占 폚 to prepare an integrated film (sheet) of 600 占 퐉 or more, and cut into a diameter of 15 mm to obtain a measurement sample. Each measurement sample produced by the above operation was measured under the above conditions, and the storage elastic modulus at 25 ° C, 100 ° C, and 200 ° C is shown in Table 1.

<접착성 평가>&Lt; Evaluation of adhesiveness &

1mm각으로 커트한 형광체 시트를, LED 소자에 100℃에서 접합시켜 소정의 시간 압착 후에 실온으로 되돌리고, 베이스 기판을 박리했을 때, 형광체 시트가 모두 LED 소자에 접착되어 베이스 기판 상에 남지 않은 최소의 시간을 접착 가능 시간으로 하였다. 가열 압착 시간이 100℃, 3분 이내에 형광체 함유 시트상 성형물이 모두 LED 소자에 접착되어 베이스 기판 상에 남지 않은 것을 접착성 A라 하고, 100℃, 3분 이내에 접착되지 않지만 5분 이내에 접착되는 것을 접착성 B라 하며, 5분에 접착되지 않지만 10분에 접착되는 것을 접착성 C라 하고, 150℃, 15분 이내에 접착되는 것을 접착성 D라 하고, 150℃ 15분 이상 가열 압착해도 LED 소자 상에 접착되지 않거나 또는 부분적으로 접착되어도 일부가 베이스 기판 상에 남는 경우에는, 접착성 E(접착 불량)라 하였다.The phosphor sheet cut at 1 mm square was bonded to the LED element at 100 ° C for a predetermined time and returned to the room temperature. When the base substrate was peeled off, the phosphor sheet adhered to the LED element and left on the base substrate The time was set as the sticking time. All of the molded articles on the fluorescent substance-containing sheet in the heat-press contact time of 100 ° C and not remaining on the base substrate are referred to as adhesiveness A, and those which are not bonded within 3 minutes at 100 ° C, Adhesion B is defined as Adhesion C, which is not adhered in 5 minutes but Adhesion C in 10 minutes, Adhesive D is adhered within 150 minutes at 15O 0 C, (Adhesion failure) in the case where a part is left on the base substrate even if it is not adhered to the base substrate or partially adhered to the base substrate.

<색온도 변동><Color temperature variation>

형광체 시트를 LED 소자에 실장시킨 LED 발광 장치에, 20mA의 전류를 흐르게 하여 LED 소자를 점등시키고, 순간 멀티측광 시스템(MCPD-3000, 오츠카 덴시(주)제)을 사용하여 상관 색온도를 측정하였다. 10개의 샘플을 제작하고, 계측한 상관 색온도(CCT)의 최댓값과 최솟값의 차를 색온도 변동으로 하였다.A correlated color temperature was measured using an instantaneous multi-photometry system (MCPD-3000, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) by turning on the LED element by passing a current of 20 mA through the LED light emitting device in which the phosphor sheet was mounted on the LED element. Ten samples were made and the difference between the maximum and minimum values of the correlated color temperature (CCT) measured was regarded as the color temperature variation.

<내열성 평가>&Lt; Evaluation of heat resistance &

형광체 시트를 LED 소자에 실장시킨 LED 발광 장치에, 20mA의 전류를 흐르게 하여 LED 소자를 점등시키고, 순간 멀티측광 시스템(MCPD-3000, 오츠카 덴시(주)제)을 사용하여 색도를 측정하였다. 이어서, 해당 발광 장치를 점등한 채 열풍 오븐에 넣어 150℃, 100시간 가열 처리한 후, 측광 시스템에서 색도를 재측정하고, 가열 처리 전후의 색도 변동폭을 산출하였다.The LED device was turned on by flowing a current of 20 mA to the LED light emitting device in which the phosphor sheet was mounted on the LED device and the chromaticity was measured using an instantaneous multi-photometry system (MCPD-3000, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.). Subsequently, the light emitting device was turned on and heated in a hot air oven at 150 DEG C for 100 hours. Then, the chromaticity was re-measured in the photometric system, and the fluctuation of chromaticity before and after the heat treatment was calculated.

<LED 광속 유지율 평가>&Lt; Evaluation of LED luminous flux maintenance rate &

형광체 시트를 LED 소자에 실장시킨 LED 발광 장치에, 20mA의 전류를 흐르게 하여 LED 소자를 점등시키고, 순간 멀티측광 시스템(MCPD-3000, 오츠카 덴시(주)제)을 사용하여 전체 광속을 측정하고, 이것을 초기값 A로 하였다. 이어서, 해당 발광 장치를 100℃로 설정한 열풍 오븐에 넣어, 점등시킨 상태에서 1000시간 두고, 그 후 열풍 오븐으로부터 취출하고, 25℃까지 방냉시켜, 측광 시스템에서 전체 광속을 측정하고, 이것을 측정값 B로 하였다. 다음으로 각각의 측정값을, 이하의 식에 대입하여 광속 유지율을 산출하였다.The LED device was turned on by flowing a current of 20 mA to the LED light emitting device in which the phosphor sheet was mounted on the LED device and the total luminous flux was measured using an instantaneous multi-photometry system (MCPD-3000, manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) The initial value A was defined as this. Then, the light emitting device was placed in a hot air oven set at 100 DEG C and left in a lighting state for 1000 hours, then taken out from the hot air oven and allowed to cool to 25 DEG C, B, respectively. Next, each measured value was substituted into the following equation to calculate the light flux retention rate.

광속 유지율={(측정값 B)/(초기값 A)}×100.Luminous flux maintenance rate = {(measured value B) / (initial value A)} x 100.

(실시예 1)(Example 1)

폴리에틸렌제 용기를 사용하여, 실리콘 수지 A1-1을 56중량부, 실리콘 수지 A2-1을 14중량부, 실리콘 수지 C-1을 30중량부, 경화 촉매 B-1을 0.005중량부, 형광체 D-1을 100중량부의 비율로 혼합하였다. 그 후, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보(주)제)을 사용하고, 1000rpm으로 20분간 교반·탈포하여 형광체 함유 수지 조성물을 얻었다. 슬릿 다이 코터를 사용하여 형광체 함유 수지 조성물을 기재 1 상에 도포하고, 100℃에서 1시간 가열, 건조시켜 반경화된 형광체 시트를 얻었다. 얻어진 시트의 막 두께를 측정한 결과, 80㎛, 막 두께차는 1.5%였다. 이어서, 해당 시트의 각 온도에서의 저장 탄성률은 0.15MPa(25℃), 0.03MPa(100℃), 0.25MPa(200℃)였다. 이어서, 해당 시트의 접착성을 평가한 결과, 접착성 A였다. 이어서, 해당 시트를 사용하여 제작한 LED 발광 장치는, 10개 중 10개가 점등되고, 색온도 변동은 104K, 내열성(변동폭)은 ΔClx 0, ΔCly 0, 광속 유지율은 100%였다.56 parts by weight of the silicone resin A1-1, 14 parts by weight of the silicone resin A2-1, 30 parts by weight of the silicone resin C-1, 0.005 parts by weight of the curing catalyst B-1, 1 were mixed at a ratio of 100 parts by weight. Thereafter, a phosphor-containing resin composition was obtained by using a planetary stirring and defoaming device "Mazerstar KK-400" (manufactured by Kurabo Industries, Ltd.) with stirring and degassing at 1000 rpm for 20 minutes. The phosphor-containing resin composition was coated on the substrate 1 using a slit die coater and heated at 100 占 폚 for 1 hour and dried to obtain a semi-cured phosphor sheet. The film thickness of the obtained sheet was measured and found to be 80 탆, and the film thickness difference was 1.5%. Then, the storage elastic modulus of the sheet at each temperature was 0.15 MPa (25 캜), 0.03 MPa (100 캜), and 0.25 MPa (200 캜). Subsequently, the adhesive property of the sheet was evaluated. As a result, the adhesive property A was obtained. Subsequently, ten LED light emitting devices manufactured using the sheet were turned on, ten color temperature fluctuations were 104 K, heat resistance (fluctuation width) was ΔClx 0, ΔCly 0, and the luminous flux retention ratio was 100%.

(실시예 2 내지 9) 실리콘 수지(C) 성분의 첨가량(Examples 2 to 9) Amount of silicone resin (C) added

(B) 성분의 비율은 바꾸지 않고, (A) 성분과 (C) 성분의 비율을 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성, 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타냈다. 실시예 2 내지 3에서는 접착성 B, 실시예 4 내지 5는 접착성 C, 실시예 6 내지 8은 접착성 D였지만, 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율은 양호하였다.A phosphor sheet was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ratio of the component (A) to the component (C) was changed without changing the ratio of the component (B) Color temperature fluctuation, heat resistance, and luminous flux maintenance rate were evaluated. The results are shown in Table 1. The adhesiveness B in Examples 2 to 3, the adhesiveness C in Examples 4 to 5, and the adhesiveness D in Examples 6 to 8 were good, but the color temperature variation, heat resistance, and light flux retention were good.

(실시예 10 내지 11) (A) 성분의 종류(Examples 10 to 11) [0154]

(A) 성분의 종류를 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성, 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타냈다. 실시예 1과 비교하여 실시예 9 및 10의 색온도 변동은 억제되고, 형광체의 분산 안정성이 향상된 것을 알 수 있다. 한편, 내열성의 색도 변동폭은 실시예 1보다도 크게 되었지만, 비교적 양호하였다.A phosphor sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the kind of the component (A) was changed, and the sheet thickness, the storage elastic modulus, the adhesion, the color temperature variation, the heat resistance and the light flux retention were evaluated. The results are shown in Table 2. Compared with Example 1, the color temperature fluctuations of Examples 9 and 10 were suppressed and the dispersion stability of the phosphor was improved. On the other hand, the fluctuation range of chromaticity of the heat resistance was larger than that of Example 1, but was relatively good.

(실시예 12 내지 15) (C) 성분의 종류(Examples 12 to 15) (C)

첨가하는 실리콘 수지(C) 성분의 종류를 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성, 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타냈다. 실시예 12 내지 15의 접착성이 저하되었다.A phosphor sheet was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kind of the silicone resin (C) to be added was changed, and the sheet thickness, the storage elastic modulus, the adhesion, the color temperature variation, the heat resistance and the light flux retention were evaluated . The results are shown in Table 2. The adhesiveness of Examples 12 to 15 was lowered.

(실시예 16 내지 17) 형광체의 종류(Examples 16 to 17) Types of phosphors

첨가하는 형광체의 종류를 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성, 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다. 실시예 16 내지 17은 색온도 변동이 커졌지만, 비교적 양호한 결과였다.A phosphor sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the kind of the phosphor to be added was changed, and the sheet film thickness, storage elastic modulus, adhesion, color temperature variation, heat resistance and luminous flux maintenance rate were evaluated. The results are shown in Table 3. In Examples 16 to 17, although the color temperature fluctuation was large, it was a relatively good result.

(실시예 18 내지 20) 무기 입자 또는 실리콘 미립자의 첨가 효과(Examples 18 to 20) Effect of adding inorganic particles or silicon fine particles

실시예 18은 무기 입자(1)를 5중량%, 실시예 19는 무기 입자(1)를 20중량%, 실시예 20은 미립자(1)를 20중량%를 추가로 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다. 실시예 18 내지 20에 있어서, 실시예 1 내지 17보다도 색온도 변동이 개선되었다.Example 18 was the same as Example 1 except that 5% by weight of the inorganic particles (1), 20% by weight of the inorganic particles (1) in Example 19 and 20% by weight of the fine particles (1) 1, and evaluated for sheet film thickness, storage elastic modulus, adhesive color temperature variation, heat resistance, and light flux retention ratio. The results are shown in Table 3. In Examples 18 to 20, the color temperature fluctuation was improved as compared with Examples 1 to 17.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실리콘 수지(C) 성분을 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 형광체 시트를 제작하고, 시트 막 두께, 저장 탄성률, 접착성 색온도 변동, 내열성 및 광속 유지율의 평가를 행하였다. 결과를 표 4에 나타냈다. 얻어진 시트는, 막 두께차가 6%, 접착성은 발현되지 않고, 평가는 접착성 E였다. 또한, 시트가 접착되지 않았기 때문에, 색온도 변동, 내열성, 광속 유지율의 평가를 할 수 없었다.A phosphor sheet was prepared in the same manner as in Example 1 except that the silicone resin (C) component was not added, and the sheet film thickness, storage elastic modulus, adhesive color temperature variation, heat resistance, and light flux retention were evaluated. The results are shown in Table 4. The resulting sheet had a film thickness difference of 6% and no adhesion was exhibited. Further, since the sheet was not adhered, it was impossible to evaluate the color temperature variation, heat resistance, and light flux retention ratio.

Figure pct00014
Figure pct00014

Figure pct00015
Figure pct00015

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

1 형광체 시트
2 지지 기재
3 임시 고정 시트
4 LED 소자
5 실장 기판
6 가열 압착툴
7 LED 소자를 표면에 형성한 웨이퍼
8 금 범프
9 패키지 전극
10 진공 다이어프램 라미네이터
11 배기/흡기구
12 상부 챔버
13 하부 챔버
14 다이어프램
1 phosphor sheet
2 support substrate
3 temporary fixing sheet
4 LED elements
5 mounting substrate
6 Hot pressing tool
7 Wafer formed on the surface of LED element
8 gold bump
9 package electrode
10 Vacuum Diaphragm Laminator
11 Exhaust / intake port
12 upper chamber
13 Lower chamber
14 Diaphragm

Claims (17)

적어도 하기 (A)와 (B)의 성분을 함유하고, (C) 성분을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
(A) 성분: 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 반응성 실리콘 수지;
(B) 성분: 경화 촉매;
(C) 성분: 규소 원자에 결합한 유기기 중 90% 이상이 메틸기인 비반응성 실리콘 수지.
A resin composition comprising at least the following components (A) and (B), and further containing a component (C).
(A): a reactive silicone resin in which at least 90% of organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups;
Component (B): curing catalyst;
(C): a non-reactive silicone resin in which at least 90% of organic groups bonded to silicon atoms are methyl groups.
제1항에 있어서, (C) 성분이 평균 단위식 (2)로 표시되는 실리콘 수지를 포함하는 수지 조성물.
Figure pct00018

(R4 내지 R6은 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 알콕시기이며, 각각 동일해도 상이해도 된다. k, p 및 s는 각 괄호 내의 구성 단위의 비율을 나타내는 숫자이며, 0.01≤k≤0.50, k+p+s=1.0을 만족시키는 양의 수이다. m, n, q 및 r은 m+n=2, q+r=1을 만족시키는 0 이상의 정수이다. 규소 원자에 결합한 치환 또는 비치환된 알킬기 중 메틸기의 총 수를 M이라 한 경우, M/{3k+2p+s}≥0.90을 만족시킨다.)
The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) comprises a silicone resin represented by the average unit formula (2).
Figure pct00018

(Wherein R 4 to R 6 are a substituted or unsubstituted alkyl group or alkoxy group, and may be the same or different), k, p and s are numbers representing the proportion of constituent units in the respective parentheses, 0.01? K? m, n, q and r are integers of 0 or more satisfying m + n = 2 and q + r = 1. The substituted or unsubstituted When the total number of methyl groups in the alkyl group is M, M / {3k + 2p + s}? 0.90 is satisfied.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 (A) 성분의 유리 전이점이 -100 내지 20℃의 범위이며, (C) 성분의 유리 전이점이 50 내지 200℃의 범위인 수지 조성물.3. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the glass transition point of the component (A) in the resin composition is in the range of -100 to 20 占 폚 and the glass transition point of the component (C) is in the range of 50 to 200 占 폚. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 형광체를 더 포함하는 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising a phosphor. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 (C) 성분의 함유량이, (A) 성분과 (C) 성분의 합계량을 100중량%로 한 경우, 0.50 내지 70중량%인 수지 조성물.The positive resist composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the component (C) in the resin composition is 0.50 to 70% by weight when the total amount of the component (A) and the component (C) Lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 조성물 중의 (C) 성분의 중량 평균 분자량이, 폴리스티렌 환산으로, 1,000 내지 100,000인 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the weight average molecular weight of the component (C) in the resin composition is 1,000 to 100,000 in terms of polystyrene. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 무기 입자 및/또는 실리콘 미립자를 더 포함하는 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising inorganic particles and / or silicon fine particles. 제7항에 있어서, 상기 수지 조성물이 무기 입자를 포함하며, 상기 무기 입자가 실리카, 알루미나, 티타니아, 산화마그네슘 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 입자인 수지 조성물.The resin composition according to claim 7, wherein the resin composition comprises inorganic particles, and the inorganic particles are at least one particle selected from the group consisting of silica, alumina, titania, magnesium oxide and aluminum nitride. 제7항에 있어서, 상기 수지 조성물이 실리콘 미립자를 포함하며, 상기 실리콘 미립자가 평균 단위식 (3)으로 표시되는 실리콘 미립자인 수지 조성물.
Figure pct00019

(R7 내지 R9는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, 각각 동일해도 상이해도 된다. t, u 및 w는 각 괄호 내의 구성 단위의 비율을 나타내는 숫자이며, 0.50≤t≤0.95, 0.05≤u+w≤0.50, t+u+w=1.0을 만족시킨다.)
The resin composition according to claim 7, wherein the resin composition comprises silicon fine particles, and the silicon fine particles are silicon fine particles represented by an average unit formula (3).
Figure pct00019

(Wherein R 7 to R 9 are each a substituted or unsubstituted alkyl group and may be the same or different), t, u and w are numbers representing the ratio of the constituent units in the parentheses, 0.50? T? w? 0.50, and t + u + w = 1.0.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체의 평균 1차 입경이 5.0 내지 40㎛의 범위인 수지 조성물.10. The resin composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the phosphor has an average primary particle diameter of 5.0 to 40 mu m. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 시트상 성형물.A sheet-form molding of the resin composition according to any one of claims 1 to 10. 제11항에 있어서, 25℃에서의 저장 탄성률이 0.010MPa 이상, 또한 100℃로 가열했을 때의 저장 탄성률(G')이, 25℃ 및 200℃에서의 각각의 저장 탄성률보다 낮은 것을 특징으로 한 시트상 성형물.The method according to claim 11, wherein the storage elastic modulus at 25 占 폚 is 0.010 MPa or more and the storage elastic modulus (G ') when heated at 100 占 폚 is lower than the storage elastic modulus at 25 占 폚 and 200 占 폚 Sheet - shaped moldings. 제11항 또는 제12항에 기재된 시트상 성형물이, LED 소자 상 또는 LED 소자 상에 형성된 실리콘 수지층 상에 부착되어 이루어지는 발광 장치.A light-emitting device in which the sheet-like molded article according to claim 11 or 12 is adhered onto a LED element or a silicon resin layer formed on an LED element. 제13항에 있어서, 제11항 또는 제12항에 기재된 시트상 성형물이, LED 소자의 측면까지 부착되어 이루어지는 발광 장치.14. The light emitting device according to claim 13, wherein the sheet-like molded article according to claim 11 or 12 is attached to the side surface of the LED element. 적어도, LED 소자의 발광면 또는 발광면 상에 형성된 실리콘 수지층에, 제11항 또는 제12항에 기재된 시트상 성형물을 가열하여 부착시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a light emitting device, comprising at least a step of heating and adhering a sheet-shaped molding according to claim 11 or 12 to a silicone resin layer formed on a light emitting surface or an emitting surface of an LED element. 제15항에 있어서, 제11항 또는 제12항에 기재된 시트상 성형물을 개편으로 절단하는 공정, 및 해당 개편으로 절단된 시트상 성형물을 가열하여 LED 소자 또는 LED 소자 상에 형성된 실리콘 수지층에 부착시키는 공정을 포함하는 제조 방법.The method according to claim 15, further comprising a step of cutting the sheet-form molding according to claim 11 or 12 into individual pieces, and heating the sheet-shaped product cut with the individual pieces to adhere to the silicone resin layer formed on the LED element or the LED element &Lt; / RTI &gt; 제15항 또는 제16항에 있어서, 제11항 또는 제12항에 기재된 시트상 성형물을 부착시키는 온도가 50℃ 이상 200℃ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 15 or 16, wherein the temperature for adhering the sheet-form molding according to claim 11 or 12 is 50 ° C or more and 200 ° C or less.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10193030B2 (en) * 2016-08-08 2019-01-29 General Electric Company Composite materials having red emitting phosphors
JP6863367B2 (en) * 2017-02-23 2021-04-21 東レ株式会社 Fluorescent material sheet, LED chip and LED package using it, manufacturing method of LED package, and light emitting device including LED package, backlight unit and display
JP7004721B2 (en) * 2017-07-28 2022-01-21 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 A method for manufacturing a resin sheet for an optical member, an optical member including the resin sheet, a laminate or a light emitting device, and a resin sheet for the optical member.
CN115449184B (en) * 2022-08-31 2024-02-20 江苏中科科化新材料股份有限公司 Low-warpage thermosetting epoxy resin composite material and preparation method and application thereof

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002294076A (en) * 2001-04-02 2002-10-09 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd Silicone gel composition for molding in metal mold
JP2009084511A (en) 2007-10-02 2009-04-23 Sekisui Chem Co Ltd Optical semiconductor sealing sheet and optical semiconductor element
KR20100136426A (en) * 2009-06-18 2010-12-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Addition-curable silicone pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive adhesive tape
JP2011107717A (en) 2010-12-22 2011-06-02 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method for producing phosphor-containing silicone resin lens
JP2013001791A (en) 2011-06-16 2013-01-07 Toray Ind Inc Phosphor-containing sheet, led emitter using the same and method for producing the same
KR20130090351A (en) * 2012-02-03 2013-08-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Adhesive silicone composition sheet containing phosphor, and method for manufacturing light emitting device using the same
JP2014034679A (en) 2012-08-10 2014-02-24 Dow Corning Toray Co Ltd Curable silicone composition and cured material of the same
JP2015071662A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 信越化学工業株式会社 Thermally conductive silicone composition and cured product of the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61159450A (en) * 1984-12-29 1986-07-19 Toshiba Silicone Co Ltd Polyorganosiloxane composition
JP4071639B2 (en) * 2003-01-15 2008-04-02 信越化学工業株式会社 Silicone resin composition for light emitting diode element
CN101230245A (en) * 2007-12-20 2008-07-30 宁波安迪光电科技有限公司 Gluewater for packaging light-emitting diode and uses thereof
TWI502004B (en) * 2009-11-09 2015-10-01 Dow Corning Process for preparing clustered functional polyorganosiloxanes, and methods for their use
JP2014093403A (en) * 2012-11-02 2014-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd Thermosetting silicone resin sheet and process of manufacturing the same, and light-emitting device using the same and process of manufacturing the same
JP6070498B2 (en) * 2012-12-21 2017-02-01 信越化学工業株式会社 Thermosetting silicone resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, method for producing light-emitting device using the same, and sealed light-emitting semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002294076A (en) * 2001-04-02 2002-10-09 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd Silicone gel composition for molding in metal mold
JP2009084511A (en) 2007-10-02 2009-04-23 Sekisui Chem Co Ltd Optical semiconductor sealing sheet and optical semiconductor element
KR20100136426A (en) * 2009-06-18 2010-12-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Addition-curable silicone pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive adhesive tape
JP2011107717A (en) 2010-12-22 2011-06-02 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method for producing phosphor-containing silicone resin lens
JP2013001791A (en) 2011-06-16 2013-01-07 Toray Ind Inc Phosphor-containing sheet, led emitter using the same and method for producing the same
KR20130090351A (en) * 2012-02-03 2013-08-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Adhesive silicone composition sheet containing phosphor, and method for manufacturing light emitting device using the same
JP2013177553A (en) 2012-02-03 2013-09-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Adhesive silicone composition sheet containing phosphor, and method of producing light-emitting device using the same
JP2014034679A (en) 2012-08-10 2014-02-24 Dow Corning Toray Co Ltd Curable silicone composition and cured material of the same
JP2015071662A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 信越化学工業株式会社 Thermally conductive silicone composition and cured product of the same

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