JP2009084511A - Optical semiconductor sealing sheet and optical semiconductor element - Google Patents

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Mitsuru Tanigawa
満 谷川
Takashi Watanabe
貴志 渡邉
Takashi Nishimura
貴史 西村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor sealing sheet presenting a cured product having highly tight adhesiveness, high heat resistance and light resistance, and to provide an optical semiconductor element using the same. <P>SOLUTION: The optical semiconductor sealing sheet comprises a sealing sheet composition comprising a silicone resin A, liquid at 25°C and having cyclic ether-containing groups in molecules, a heat curing agent reacting with the cyclic ether-containing groups, and a silicone resin B having 30-150°C softening point. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、高い密着性、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を得ることができる光半導体用封止シート、及び、これを用いてなる光半導体素子に関する。 The present invention relates to an encapsulating sheet for optical semiconductors capable of obtaining a cured product having high adhesion, heat resistance and light resistance, and an optical semiconductor element using the same.

発光ダイオード(LED)等の光半導体素子の発光素子は、直接大気と触れると大気中の水分や浮遊するゴミ等により急速にその発光特性を低下させるため、通常、封止された構造となっている。これまで、発光素子を封止する方法としては、発光ダイオード等の発光素子をカップ中に配置し、ディスペンサ等を用いて液状の封止剤をカップに充填する方法等が主に用いられてきた。 A light emitting element of an optical semiconductor element such as a light emitting diode (LED) usually has a sealed structure because its light emission characteristics are rapidly deteriorated due to moisture in the atmosphere or floating dust when directly in contact with the atmosphere. Yes. Until now, as a method for sealing a light emitting element, a method of placing a light emitting element such as a light emitting diode in a cup and filling a liquid sealant into the cup using a dispenser or the like has been mainly used. .

しかしながら、近年、発光素子を照明用途等に用いる場合には、個々の発光素子パッケージを数個〜数十個並べて配置することが求められるケースが増加している。このような多数の発光素子パッケージの配置を要する用途では、個別に封止した発光素子パッケージを基板に実装すると、製造には多大な工数がかかり、生産性に劣るという問題が生じる。 However, in recent years, when light-emitting elements are used for lighting or the like, there are increasing cases in which several to several tens of individual light-emitting element packages are required to be arranged side by side. In such an application that requires the arrangement of a large number of light emitting device packages, when individually sealed light emitting device packages are mounted on a substrate, there is a problem that the manufacturing takes a lot of man-hours and the productivity is inferior.

このような問題に対して、プリント基板上に複数の発光素子を並べて、その上から液状の封止剤を垂らした後、封止剤を硬化させるという方法も考えられる。しかしながら、このような方法によると、熱硬化時に封止剤の液ダレが起こり、各発光素子について、封止剤の塗布高さが大きく変化し、封止剤の塗布高さがバラつくことが予想される。封止剤の塗布高さが変化してバラつくと、光学特性が変わってしまったり、発光素子を電気的に接続する金ワイヤーが封止剤の外に出てしまったりする等の不具合が発生することとなる。 In order to solve such a problem, a method of arranging a plurality of light emitting elements on a printed circuit board, dropping a liquid sealant on the printed circuit board, and then curing the sealant can be considered. However, according to such a method, dripping of the encapsulant occurs at the time of thermosetting, and the application height of the encapsulant changes greatly for each light emitting element, and the application height of the encapsulant varies. is expected. If the coating height of the sealant changes and varies, problems such as changes in optical characteristics and gold wires that electrically connect the light emitting elements go out of the sealant. Will be.

これに対しては、まず基板上の複数の発光素子を土手で囲み、土手内で液状の封止剤を垂らして封止剤を硬化させた後、土手を取り除く方法が考えられる。こうすれば各発光素子について、封止剤の塗布高さが大きく変化することはない。しかし、このような方法では、結局生産性に劣るという問題が生じる。
また、封止剤の塗布高さが大きくバラつかない程度に封止剤の粘度を高くすることも考えられるが、封止剤の粘度を高くすると、生産性が低下することがあり、特にワイヤーボンディング型の場合には、ワイヤーを損傷する等の問題を生じうる。
In order to solve this problem, a method is conceivable in which a plurality of light emitting elements on a substrate are first surrounded by a bank, a liquid sealant is dropped in the bank, the sealant is cured, and then the bank is removed. If it carries out like this, about each light emitting element, the application | coating height of a sealing agent will not change a lot. However, this method has a problem that it is inferior in productivity.
In addition, it is conceivable to increase the viscosity of the sealant to such an extent that the coating height of the sealant does not vary greatly, but if the viscosity of the sealant is increased, the productivity may decrease, especially the wire. In the case of the bonding type, problems such as wire damage may occur.

このような液状の封止剤を使用する問題に対して、シート状の封止材を用いて発光素子を封止する方法が検討されている。例えば、特許文献1〜4には、ポリカルボジイミド樹脂からなる層を有する光半導体用封止シートが提案されており、特許文献5には、エチレン−酢酸ビニル共重合体やポリビニルブチラール、ポリウレタン等の透明な熱可塑性樹脂及び接着性を有する樹脂からなる封止シートが提案されている。このような方法によれば、複数の発光素子を同時に封止することができるとともに、封止剤が液状ゆえに生じる塗布高さのバラツキ等の不具合を生じることもない。
しかしながら、これらの封止シートは、いずれについても得られる硬化物が、基材への密着性に劣り、充分な耐熱性及び耐光性を発揮することができないという問題があった。
特開2004−238441号公報 特開2005−294733号公報 特開2006−140362号公報 特開2007−110053号公報 特開2007−123452号公報
In order to solve the problem of using such a liquid sealing agent, a method of sealing a light emitting element using a sheet-like sealing material has been studied. For example, Patent Documents 1 to 4 propose a sealing sheet for an optical semiconductor having a layer made of a polycarbodiimide resin, and Patent Document 5 discloses an ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl butyral, polyurethane, and the like. A sealing sheet made of a transparent thermoplastic resin and an adhesive resin has been proposed. According to such a method, it is possible to seal a plurality of light emitting elements at the same time, and there is no problem such as variation in coating height caused by the liquid sealant.
However, these encapsulating sheets have a problem that the cured product obtained for each of them is inferior in adhesion to the substrate and cannot exhibit sufficient heat resistance and light resistance.
JP 2004-238441 A JP 2005-294733 A JP 2006-140362 A JP 2007-110053 A Japanese Patent Laid-Open No. 2007-123452

本発明は、上記現状に鑑み、高い密着性、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を得ることができる光半導体用封止シート、及び、これを用いてなる光半導体素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described situation, and an object thereof is to provide an optical semiconductor encapsulating sheet capable of obtaining a cured product having high adhesion, heat resistance and light resistance, and an optical semiconductor element using the same. And

25℃において液状の分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂Aと、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、軟化点が30〜150℃のシリコーン樹脂Bとを含有する封止シート用組成物からなる光半導体用封止シートである。
以下、本発明を詳述する。
A sealing sheet containing a silicone resin A having a cyclic ether-containing group in a liquid molecule at 25 ° C., a thermosetting agent that reacts with the cyclic ether-containing group, and a silicone resin B having a softening point of 30 to 150 ° C. It is the sealing sheet for optical semiconductors which consists of a composition for a semiconductor.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは、鋭意検討の結果、所定のシリコーン樹脂A、熱硬化剤及びシリコーン樹脂Bを含有する封止シート用組成物を用いることによって、シート形状の成形性に優れ、基材への密着性、耐熱性及び耐光性に優れた硬化物を得ることができる光半導体用封止シートを作製することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies, the inventors of the present invention are excellent in sheet shape moldability by using a composition for a sealing sheet containing a predetermined silicone resin A, a thermosetting agent, and a silicone resin B. The present inventors have found that an encapsulating sheet for optical semiconductors capable of obtaining a cured product excellent in adhesion, heat resistance and light resistance can be produced, and the present invention has been completed.

上記封止シート用組成物は、25℃で液状の分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂A(以下、単にシリコーン樹脂Aともいう)を含有する。
このようなシリコーン樹脂Aを含有することにより、本発明の光半導体用封止シートは、初期タック性を示すとともに、硬化後には優れた耐熱性、耐光性及び密着性を示すことができる。
The composition for sealing sheets contains a silicone resin A having a cyclic ether-containing group in a molecule that is liquid at 25 ° C. (hereinafter, also simply referred to as “silicone resin A”).
By containing such a silicone resin A, the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention exhibits initial tackiness and can exhibit excellent heat resistance, light resistance and adhesion after curing.

上記シリコーン樹脂Aは、E型粘度計を用いた25℃における1rpmの粘度の好ましい下限が10mPa・s、好ましい上限が100万mPa・sである。10mPa・s未満であると、得られる光半導体用封止シートのシート形状の形成が困難になることがある。100万mPa・sを超えると、得られる光半導体用封止シートの硬化物の密着性が低下することがある。 In the silicone resin A, a preferable lower limit of a viscosity at 1 rpm at 25 ° C. using an E-type viscometer is 10 mPa · s, and a preferable upper limit is 1,000,000 mPa · s. If it is less than 10 mPa · s, it may be difficult to form a sheet shape of the obtained sealing sheet for optical semiconductors. If it exceeds 1,000,000 mPa · s, the adhesiveness of the cured product of the obtained sealing sheet for optical semiconductors may be lowered.

上記シリコーン樹脂Aにおいて、上記環状エーテル含有基としては特に限定されず、例えば、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基、オキセタン基等が挙げられる。なかでも、グリシジル基及び/又はエポキシシクロヘキシル基が好適であり、特にエポキシシクロヘキシル基が好適である。 In the silicone resin A, the cyclic ether-containing group is not particularly limited, and examples thereof include a glycidyl group, an epoxycyclohexyl group, and an oxetane group. Of these, a glycidyl group and / or an epoxycyclohexyl group are preferable, and an epoxycyclohexyl group is particularly preferable.

上記グリシジル基としては特に限定されず、例えば、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、4,5−エポキシペンチル基、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等が挙げられる。 The glycidyl group is not particularly limited. For example, 2,3-epoxypropyl group, 3,4-epoxybutyl group, 4,5-epoxypentyl group, 2-glycidoxyethyl group, 3-glycidoxypropyl Group, 4-glycidoxybutyl group and the like.

上記エポキシシクロヘキシル基としては特に限定されず、例えば、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等が挙げられる。 The epoxycyclohexyl group is not particularly limited, and examples thereof include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, 3- (3,4-epoxycyclohexyl) propyl group, and the like.

このようなシリコーン樹脂Aとしては、分子内に1個以上の環状エーテル含有基を有するものであれば特に限定されないが、例えば、平均組成式が下記一般式(1)で表される樹脂成分を含有するものが好ましい。 The silicone resin A is not particularly limited as long as it has one or more cyclic ether-containing groups in the molecule. For example, a resin component having an average composition formula represented by the following general formula (1) is used. What is contained is preferable.

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(1)中、a、b、c及びdは、それぞれa/(a+b+c+d)=0〜0.2、b/(a+b+c+d)=0.3〜1.0、c/(a+b+c+d)=0〜0.5、d/(a+b+c+d)=0〜0.3を満たし、R〜Rは、少なくとも1個が環状エーテル含有基を表し、上記環状エーテル含有基以外のR〜Rは、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the general formula (1), a, b, c and d are a / (a + b + c + d) = 0 to 0.2, b / (a + b + c + d) = 0.3 to 1.0, c / (a + b + c + d) = 0 to 0.5 and d / (a + b + c + d) = 0 to 0.3 are satisfied, and R 1 to R 6 each represent at least one cyclic ether-containing group, and R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group. Represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof, and these may be the same or different.

上記シリコーン樹脂Aが、平均組成式が上記一般式(1)で表される樹脂成分を含有することで、本発明の光半導体用封止シートは、硬化させた硬化物の青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、光半導体素子を封止したときに、発光素子の発熱や発光による変色が無く耐熱性及び耐光性に優れるとともに、発光ダイオード等の光半導体素子の発光素子を封止した際に、該光半導体素子のハウジング材等への密着性に優れたものとなる。
なお、上記平均組成式が上記式(1)で表されるとは、本発明の光半導体用封止シートのシリコーン樹脂Aが上記式(1)で表される樹脂成分のみを含有する場合だけでなく、種々の構造の樹脂成分を含有する混合物である場合に、含有する樹脂成分の組成の平均をとると上記式(1)で表される場合も意味する。
When the silicone resin A contains a resin component having an average composition formula represented by the general formula (1), the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention has a blue to ultraviolet region of the cured product. Light-emitting elements of optical semiconductor elements such as light-emitting diodes have high transparency to short-wavelength light, have no heat generation or discoloration due to light emission when the optical semiconductor element is sealed, and have excellent heat resistance and light resistance. When sealed, the optical semiconductor element has excellent adhesion to the housing material and the like.
In addition, the said average composition formula is represented by the said Formula (1) only when the silicone resin A of the sealing sheet for optical semiconductors of this invention contains only the resin component represented by the said Formula (1). In addition, in the case of a mixture containing resin components having various structures, it means the case represented by the above formula (1) when the average of the composition of the resin components contained is taken.

上記シリコーン樹脂Aは、上記環状エーテル含有基の含有量の好ましい下限が0.1モル%、好ましい上限が50モル%である。0.1モル%未満であると、上記シリコーン樹脂Aと後述する熱硬化剤との反応性が著しく低下し、本発明の光半導体用封止シートの硬化性が不充分となることがある。50モル%を超えると、上記シリコーン樹脂Aと熱硬化剤との反応に関与しない環状エーテル含有基が増え、本発明の光半導体用封止シートの耐熱性が低下することがある。より好ましい下限は5モル%、より好ましい上限は30モル%である。
なお、本明細書において、上記環状エーテル含有基の含有量とは、上記シリコーン樹脂Aの平均組成物中に含まれる上記環状エーテル含有基の量を意味する。
In the silicone resin A, the preferable lower limit of the content of the cyclic ether-containing group is 0.1 mol%, and the preferable upper limit is 50 mol%. If it is less than 0.1 mol%, the reactivity between the silicone resin A and the thermosetting agent described later may be significantly reduced, and the curability of the optical semiconductor encapsulating sheet of the present invention may be insufficient. When it exceeds 50 mol%, the cyclic ether containing group which does not participate in reaction with the said silicone resin A and a thermosetting agent will increase, and the heat resistance of the sealing sheet for optical semiconductors of this invention may fall. A more preferred lower limit is 5 mol%, and a more preferred upper limit is 30 mol%.
In the present specification, the content of the cyclic ether-containing group means the amount of the cyclic ether-containing group contained in the average composition of the silicone resin A.

上記一般式(1)で表されるシリコーン樹脂Aにおいて、上記環状エーテル含有基以外のR〜Rは、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。 In the silicone resin A represented by the general formula (1), R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group represent a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. .

上記直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基等が挙げられる。 The linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, and an n-hexyl group. N-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, phenyl group, etc. Can be mentioned.

上記一般式(1)で表されるシリコーン樹脂Aにおいて、(RSiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記一般式(1−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシル基又はアルコキシ基を構成する構造を含む。 In the silicone resin A represented by the general formula (1), the structural unit represented by (R 4 R 5 SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) has the following general formula (1-2) ), That is, a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxyl group or an alkoxy group.

(RSiXO1/2) (1−2)
上記一般式(1−2)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。
(R 4 R 5 SiXO 1/2 ) (1-2)
In the general formula (1-2), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

また、上記一般式(1)で表されるシリコーン樹脂Aにおいて、(RSiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記一般式(1−3)又は(1−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシル基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシル基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含む。 In the silicone resin A represented by the general formula (1), the structural unit represented by (R 6 SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following general formula (1-3 ) Or (1-4), that is, a structure in which two oxygen atoms bonded to a silicon atom in a trifunctional structural unit each constitute a hydroxyl group or an alkoxy group, or a structure in a trifunctional structural unit It includes a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom constitutes a hydroxyl group or an alkoxy group.

(RSiX1/2) (1−3)
(RSiXO2/2) (1−4)
上記一般式(1−3)及び(1−4)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。
(R 6 SiX 2 O 1/2 ) (1-3)
(R 6 SiXO 2/2 ) (1-4)
In the general formulas (1-3) and (1-4), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

また、上記一般式(1)で表されるシリコーン樹脂Aにおいて、(SiO4/2)で表される構造単位(以下、四官能構造単位ともいう)は、下記一般式(1−5)、(1−6)又は(1−7)で表される構造、すなわち、四官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の3つ若しくは2つがヒドロキシル基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、四官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシル基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含む。
(SiX1/2) (1−5)
(SiX2/2) (1−6)
(SiXO3/2) (1−7)
上記一般式(1−5)、(1−6)及び(1−7)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。
In the silicone resin A represented by the general formula (1), the structural unit represented by (SiO 4/2 ) (hereinafter also referred to as tetrafunctional structural unit) is represented by the following general formula (1-5), A structure represented by (1-6) or (1-7), that is, a structure in which three or two oxygen atoms bonded to a silicon atom in a tetrafunctional structural unit constitute a hydroxyl group or an alkoxy group, or It includes a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in a tetrafunctional structural unit constitutes a hydroxyl group or an alkoxy group.
(SiX 3 O 1/2 ) (1-5)
(SiX 2 O 2/2) (1-6 )
(SiXO 3/2 ) (1-7)
In the general formulas (1-5), (1-6), and (1-7), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. To express.

上記一般式(1−2)〜(1−7)において、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げられる。 In the general formulas (1-2) to (1-7), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, and an n-propoxy group. N-butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group and the like.

また、上記一般式(1)中、aは、a/(a+b+c+d)の下限が0、上限が0.2の関係を満たす数値である。0.2を超えると、本発明の光半導体用封止シートの耐熱性が劣化することがある。 In the general formula (1), a is a numerical value that satisfies the relationship that the lower limit of a / (a + b + c + d) is 0 and the upper limit is 0.2. If it exceeds 0.2, the heat resistance of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention may deteriorate.

また、上記一般式(1)中、bは、b/(a+b+c+d)の下限が0.3、上限が1.0の関係を満たす数値である。0.3未満であると、本発明の光半導体用封止シートの硬化物が硬くなりすぎ、クラック等が発生することがある。 In the general formula (1), b is a numerical value that satisfies the relationship that the lower limit of b / (a + b + c + d) is 0.3 and the upper limit is 1.0. When it is less than 0.3, the cured product of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention becomes too hard, and cracks and the like may occur.

また、上記一般式(1)中、cは、c/(a+b+c+d)の下限が0、上限が0.5の関係を満たす数値である。0.5を超えると、上記封止シート用組成物としての適正な粘度を維持するのが困難になる場合がある。 In the general formula (1), c is a numerical value that satisfies the relationship that c / (a + b + c + d) has a lower limit of 0 and an upper limit of 0.5. If it exceeds 0.5, it may be difficult to maintain an appropriate viscosity as the composition for a sealing sheet.

更に、上記一般式(1)中、dは、d/(a+b+c+d)の下限が0、上限が0.3の関係を満たす数値である。0.3を超えると、上記封止シート用組成物としての適正な粘度を維持するのが困難になる場合がある。 Furthermore, in the general formula (1), d is a numerical value that satisfies the relationship that the lower limit of d / (a + b + c + d) is 0 and the upper limit is 0.3. If it exceeds 0.3, it may be difficult to maintain an appropriate viscosity as the composition for a sealing sheet.

上記一般式(1)で表されるシリコーン樹脂Aについて、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記一般式(1)の(RSiO1/2で表される構造単位に相当するピークは+10〜0ppm付近に現れ、上記一般式(1)の(RSiO2/2及び(1−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−30ppm付近に現れ、上記一般式(1)の(RSiO3/2、(1−3)及び(1−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−70ppm付近に現れ、上記一般式(1)の(SiO4/2、(1−5)、(1−6)及び(1−7)の四官能構造単位に相当する各ピークは−90〜−120ppm付近に現れる。
従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって一般式(1)の比率を測定することが可能である。
但し、上記TMSを基準にした29Si−NMR測定で上記一般式(1)の官能構造単位の見分けがつかない場合等のときは、29Si−NMR測定結果だけではなく、1H−NMRや19F−NMR等で測定した結果を必要に応じて用いることにより構造単位の比率を見分けることができる。
When the silicone resin A represented by the above general formula (1) is subjected to 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) based on tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), it varies slightly depending on the type of substituent. Although a peak corresponding to the structural unit represented by (R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) a in the general formula (1) appears in the vicinity of +10 to 0 ppm, (R 4 R 5 SiO 2/2 ) Each peak corresponding to the bifunctional structural unit of b and (1-2) appears in the vicinity of −10 to −30 ppm, and (R 6 SiO 3 / 2 ) Each peak corresponding to the trifunctional structural units of c , (1-3) and (1-4) appears in the vicinity of −50 to −70 ppm, and (SiO 4/2 ) d of the above general formula (1), Tetrafunctional structure of (1-5), (1-6) and (1-7) Each peak corresponding to a unit appears in the vicinity of -90 to-120 ppm.
Therefore, it is possible to measure the ratio of the general formula (1) by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals.
However, when the 29 Si-NMR measurement based on the TMS cannot be distinguished from the functional structural unit of the general formula (1), not only the 29 Si-NMR measurement result but also 1H-NMR or 19F The ratio of the structural units can be discriminated by using the results measured by -NMR as necessary.

上記シリコーン樹脂Aは、RSiO2/2の構造単位と、RSiO3/2の構造単位及び/又はSiO4/2の構造単位とを有することが好ましい。RSiO2/2の構造単位と、RSiO3/2の構造単位及び/又はSiO4/2の構造単位とを有することにより、本発明の光半導体用封止シートは、更に優れた耐熱性を有するものとなり、使用条件下での膜減り等の問題を防止することができる。また、SiO4/2の構造単位を適宜有することにより、上記封止シート用組成物の粘度を所望の範囲に調整することが容易となり、好ましい。なお、上記シリコーン樹脂Aが、RSiO2/2の構造単位のみを含有する場合、本発明の光半導体用封止シートは、耐熱性が不充分であったり、また、3次元的な架橋が不充分になりやすく、硬化後に膜減りを起こすことがある。
上記R〜Rは、少なくとも1個が環状エーテル含有基であり、環状エーテル含有基以外のR〜Rは、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。このようなR12〜R14としては、例えば、上述したR〜Rと同様のものが挙げられる。更に、上記RSiO2/2の構造単位、RSiO3/2の構造単位、及び、SiO4/2の構造単位には、上記一般式(1−2)〜(1−7)で表される二官能構造単位、三官能構造単位及び四官能構造単位と同様の構造が含まれる。
The silicone resin A preferably has a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2, a structural unit of R 9 SiO 3/2 and / or a structural unit of SiO 4/2 . By having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2, a structural unit of R 9 SiO 3/2 and / or a structural unit of SiO 4/2 , the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention further comprises It has excellent heat resistance and can prevent problems such as film loss under use conditions. Moreover, it becomes easy to adjust the viscosity of the said composition for sealing sheets to a desired range by having a structural unit of SiO4 / 2 suitably, and is preferable. When the silicone resin A contains only a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 , the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention is insufficient in heat resistance or is three-dimensional. Cross-linking tends to be insufficient, and film loss may occur after curing.
At least one of R 7 to R 9 is a cyclic ether-containing group, and R 7 to R 9 other than the cyclic ether-containing group are linear or branched hydrocarbons having 1 to 8 carbon atoms or fluorine thereof. Which may be the same or different from each other. Examples of such R 12 to R 14 include the same as R 4 to R 6 described above. Furthermore, the structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 , the structural unit of R 9 SiO 3/2 , and the structural unit of SiO 4/2 include the above general formulas (1-2) to (1-7 The same structure as the bifunctional structural unit, trifunctional structural unit and tetrafunctional structural unit represented by

上記封止シート用組成物において、RSiO2/2の構造単位と、RSiO3/2の構造単位及び/又はSiO4/2の構造単位とを有するとは、未硬化の状態で1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位と、RSiO3/2の構造単位及び/又はSiO4/2の構造単位とを有する樹脂を用いてもよく、RSiO2/2のみの構造単位を有する樹脂と、RSiO3/2の構造単位を有する樹脂及び/又はSiO4/2の構造単位を有する樹脂の混合物を用いてもよい。なかでも、樹脂の1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位及びRSiO3/2の構造単位を有する樹脂が好ましい。 In the composition for encapsulating sheets, having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 and / or a structural unit of SiO 4/2 is uncured. A resin having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 and / or a structural unit of SiO 4/2 in a skeleton of one molecule in a state may be used, A mixture of a resin having a structural unit of only R 7 R 8 SiO 2/2 and a resin having a structural unit of R 9 SiO 3/2 and / or a resin having a structural unit of SiO 4/2 may be used. Of these, a resin having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 in the skeleton of one molecule of the resin is preferable.

上記1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位とRSiO3/2の構造単位とを有する樹脂としては、上記一般式(1)中、a=d=0で表される樹脂を用いることができる。
この場合において、b/(a+b+c+d)の好ましい下限は0.5、好ましい上限は0.95であり、より好ましい下限は0.6、より好ましい上限は0.9である(以下、条件(1)ともいう)。またc/(a+b+c+d)の好ましい下限は0.05、好ましい上限は0.5、より好ましい下限は0.1、より好ましい上限は0.4である(以下、条件(2)ともいう)。
The resin having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 in the skeleton of one molecule is represented by a = d = 0 in the general formula (1). Can be used.
In this case, the preferable lower limit of b / (a + b + c + d) is 0.5, the preferable upper limit is 0.95, the more preferable lower limit is 0.6, and the more preferable upper limit is 0.9 (hereinafter, condition (1)) Also called). The preferable lower limit of c / (a + b + c + d) is 0.05, the preferable upper limit is 0.5, the more preferable lower limit is 0.1, and the more preferable upper limit is 0.4 (hereinafter also referred to as condition (2)).

上記シリコーン樹脂Aの1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位及びRSiO3/2の構造単位を有する樹脂としては具体的には、例えば、平均組成式が下記一般式(2)、(3)、(4)又は(5)で表される樹脂を用いることができる。 Specific examples of the resin having the structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and the structural unit of R 9 SiO 3/2 in the skeleton of one molecule of the silicone resin A include, for example, the following average composition formula: Resins represented by the formula (2), (3), (4) or (5) can be used.

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(2)において、R12は、環状エーテル含有基であり、R10、R11は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。e/(e+f)は、上記条件(1)を満し、f/(e+f)は上記条件(2)を満たす。 In the general formula (2), R 12 is a cyclic ether-containing group, R 10 and R 11 represent a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. These may be the same as or different from each other. e / (e + f) satisfies the above condition (1), and f / (e + f) satisfies the above condition (2).

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(3)において、R14及び/又はR15は、環状エーテル含有基であり、R13は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。また、R14又はR15のいずれか一方のみが環状エーテルである場合、他方は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。g/(g+h)は上記条件(1)を満たし、h/(g+h)は上記条件(2)を満たす。 In the general formula (3), R 14 and / or R 15 is a cyclic ether-containing group, and R 13 represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. When only one of R 14 and R 15 is a cyclic ether, the other represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. g / (g + h) satisfies the above condition (1), and h / (g + h) satisfies the above condition (2).

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(17)において、R60は、環状エーテル含有基であり、R56、R57、R58、R59は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。(B+C)/(B+C+D)は上記条件(1)を満たし、D/(B+C+D)は上記条件(2)を満たす。ただし、(R5657SiO2/2)と(R5859SiO2/2)とは構造が異なるものである。 In the general formula (17), R 60 is a cyclic ether-containing group, and R 56 , R 57 , R 58 , and R 59 are linear or branched hydrocarbons having 1 to 8 carbon atoms or fluorine thereof. Which may be the same or different from each other. (B + C) / (B + C + D) satisfies the above condition (1), and D / (B + C + D) satisfies the above condition (2). However, (R 56 R 57 SiO 2/2 ) and (R 58 R 59 SiO 2/2 ) have different structures.

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(4)において、R18及び/又はR19は、環状エーテル含有基であり、R16、R17、R20は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。また、R18又はR19のいずれか一方のみが環状エーテルである場合、他方は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。(i+j)/(i+j+k)は上記条件(1)を満たし、k/(i+j+k)は上記条件(2)を満たす。 In the general formula (4), R 18 and / or R 19 is a cyclic ether-containing group, and R 16 , R 17 , and R 20 are linear or branched hydrocarbons having 1 to 8 carbon atoms or It represents the fluorinated product, and these may be the same or different from each other. Further, when only one of R 18 or R 19 is a cyclic ether and the other represents a straight or branched chain hydrocarbon or a fluorinated compound having 1 to 8 carbon atoms. (I + j) / (i + j + k) satisfies the above condition (1), and k / (i + j + k) satisfies the above condition (2).

Figure 2009084511
Figure 2009084511

上記一般式(5)において、R23は、環状エーテル含有基であり、R21、R22、R24は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。l/(l+m+n)は上記条件(1)を満たし、(m+n)/(l+m+n)は上記条件(2)を満たす。 In the general formula (5), R 23 is a cyclic ether-containing group, and R 21 , R 22 , and R 24 each represent a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. These may be the same as or different from each other. l / (l + m + n) satisfies the condition (1), and (m + n) / (l + m + n) satisfies the condition (2).

なかでも、上記一般式(2)、(5)又は(17)で表される樹脂成分を含有することが好ましい。また、上記一般式(2)〜(5)中、環状エーテル含有基は、グリシジル基又はエポキシシクロヘキシル基のいずれか一方を含むことが好ましい。 Especially, it is preferable to contain the resin component represented by the said General formula (2), (5) or (17). In the general formulas (2) to (5), the cyclic ether-containing group preferably contains either one of a glycidyl group or an epoxycyclohexyl group.

また、上記1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位及びRSiO3/2の構造単位を有する樹脂は、RSiO3/2の構造単位中に環状エーテル含有基を有することが好ましい。環状エーテル含有基がRSiO3/2の構造単位中に含まれると、環状エーテル含有基がシリコーン樹脂Aのポリシロキサン骨格の外側に出やすくなり、本発明の光半導体用封止シートの硬化物が充分な3次元的架橋構造をとって耐熱性が充分なものとなり、また、硬化物に膜減りが生じることを好適に防止することができる。 The resin having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 in the skeleton of one molecule is a cyclic ether-containing group in the structural unit of R 9 SiO 3/2. It is preferable to have. When the cyclic ether-containing group is contained in the structural unit of R 9 SiO 3/2 , the cyclic ether-containing group is likely to come out of the polysiloxane skeleton of the silicone resin A, and the curing of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention is achieved. The product has a sufficient three-dimensional cross-linked structure to have sufficient heat resistance, and it is possible to suitably prevent the film from being reduced in the cured product.

上記1分子の骨格中にRSiO2/2の構造単位及びRSiO3/2の構造単位を有する樹脂であって、RSiO3/2の構造単位中に環状エーテル含有基を有する樹脂としては、例えば、平均組成式が下記一般式(6)、(7)又は(8)で表されることが好ましい。 A resin having a structural unit of R 7 R 8 SiO 2/2 and a structural unit of R 9 SiO 3/2 in the skeleton of one molecule, wherein the cyclic ether-containing group is contained in the structural unit of R 9 SiO 3/2 As the resin having, for example, the average composition formula is preferably represented by the following general formula (6), (7) or (8).

Figure 2009084511
一般式(6)中、o、pは、o/(o+p)=0.6〜0.95、p/(o+p)=0.05〜0.4を満たし、R27が環状エーテル含有基であり、R25、R26は、炭素数1〜8の炭化水素或いはフッ素化物であり、これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Figure 2009084511
In the general formula (6), o and p satisfy o / (o + p) = 0.6 to 0.95, p / (o + p) = 0.05 to 0.4, and R 27 is a cyclic ether-containing group. R 25 and R 26 are hydrocarbons or fluorinated compounds having 1 to 8 carbon atoms, and these may be the same or different.

Figure 2009084511
一般式(7)中、q、r、sは、(q+r)/(q+r+s)=0.6〜0.95、s/(q+r+s)=0.05〜0.4を満たし、R32が環状エーテル含有基であり、R28〜R31は、炭素数1〜8の炭化水素或いはフッ素化物であり、これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。ただし、(R2829SiO2/2)と(R3031SiO2/2)とは構造が異なるものである。
Figure 2009084511
In general formula (7), q, r, and s satisfy (q + r) / (q + r + s) = 0.6 to 0.95, s / (q + r + s) = 0.05 to 0.4, and R 32 is cyclic It is an ether-containing group, and R 28 to R 31 are hydrocarbons or fluorinated compounds having 1 to 8 carbon atoms, and these may be the same or different. However, (R 28 R 29 SiO 2/2 ) and (R 30 R 31 SiO 2/2 ) have different structures.

Figure 2009084511
一般式(8)中、t、u、vは、t/(t+u+v)=0.6〜0.95を満たし、(u+v)/(t+u+v)=0.05〜0.4を満たし、R36が環状エーテル含有基であり、R33、R34、R35は、炭素数1〜8の炭化水素或いはフッ素化物であり、これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Figure 2009084511
In general formula (8), t, u, and v satisfy t / (t + u + v) = 0.6 to 0.95, satisfy (u + v) / (t + u + v) = 0.05 to 0.4, and R 36 Is a cyclic ether-containing group, and R 33 , R 34 , and R 35 are hydrocarbons or fluorinated compounds having 1 to 8 carbon atoms, and these may be the same or different.

また、上記封止シート用組成物において、上記シリコーン樹脂Aは、環状エーテル含有基とポリシロキサン骨格とがケイ素−炭素結合を介して結合していることが好ましい。環状エーテル含有基とポリシロキサン骨格とがケイ素−炭素結合を介して結合していることにより、本発明の光半導体用封止シートは、耐熱性、耐光性、膜減りに対して優れたものとなり好ましい。例えば、OH基を反応させる付加反応により得られる樹脂を用いた場合には、環状エーテル含有基とポリシロキサン骨格とがケイ素−酸素結合を介して結合することとなり、このようなシリコーン樹脂Aは、耐熱性や耐光性が充分得られない場合があるだけでなく、膜減りが悪くなることがある。 Moreover, in the said composition for sealing sheets, it is preferable that the said silicone resin A has the cyclic ether containing group and the polysiloxane skeleton couple | bonded through the silicon-carbon bond. Since the cyclic ether-containing group and the polysiloxane skeleton are bonded via a silicon-carbon bond, the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention is excellent in heat resistance, light resistance, and film reduction. preferable. For example, when a resin obtained by an addition reaction in which an OH group is reacted is used, a cyclic ether-containing group and a polysiloxane skeleton are bonded via a silicon-oxygen bond. Not only may heat resistance and light resistance not be obtained sufficiently, film thickness may be deteriorated.

上記シリコーン樹脂Aは、アルコキシ基を下限が0.5モル%、上限が10モル%の範囲で含有することが好ましい。このようなアルコキシ基を含有することによって耐熱性や耐光性が飛躍的に向上する。これはシリコーン樹脂A中にアルコキシ基を含有することにより硬化速度を飛躍的に向上させることができるため、硬化時での熱劣化が防止できているためと考えられる。 The silicone resin A preferably contains an alkoxy group with a lower limit of 0.5 mol% and an upper limit of 10 mol%. By containing such an alkoxy group, heat resistance and light resistance are drastically improved. This is presumably because the silicone resin A contains an alkoxy group, and thus the curing rate can be dramatically improved, thereby preventing thermal deterioration during curing.

また、このように硬化速度が飛躍的に向上することにより、後述する硬化促進剤の添加量が比較的少ない場合でも充分な硬化性が得られるようになる。 In addition, since the curing speed is dramatically improved in this way, sufficient curability can be obtained even when the amount of the curing accelerator described later is relatively small.

アルコキシ基が0.5モル%未満であると、硬化速度が充分に得られず耐熱性が悪くなることがあり、10モル%を超えると、シリコーン樹脂Aや上記封止シート用組成物の貯蔵安定性が悪くなったり、耐熱性が悪くなったりする。より好ましい下限は1モル%であり、より好ましい上限は5モル%である。 If the alkoxy group is less than 0.5 mol%, the curing rate may not be sufficiently obtained and the heat resistance may be deteriorated. If it exceeds 10 mol%, the silicone resin A or the composition for sealing sheet is stored. Stability deteriorates and heat resistance deteriorates. A more preferred lower limit is 1 mol%, and a more preferred upper limit is 5 mol%.

なお、本明細書において、上記アルコキシ基の含有量は、上記シリコーン樹脂Aの平均組成物中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。 In the present specification, the content of the alkoxy group means the amount of the alkoxy group contained in the average composition of the silicone resin A.

上記シリコーン樹脂Aはシラノール基を含有しないほうが好ましい。シラノール基はポリマーの貯蔵安定性を著しく悪化させるほか、樹脂組成物としたときの貯蔵安定性も著しく悪くなるために好ましくない。このようなシラノール基は、真空下で加熱することで減少させることが可能であり、シラノール基の量は赤外分光法等を用いて測定可能である。 It is preferable that the silicone resin A does not contain a silanol group. The silanol group is not preferable because the storage stability of the polymer is remarkably deteriorated and the storage stability when the resin composition is obtained is also remarkably deteriorated. Such silanol groups can be reduced by heating under vacuum, and the amount of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy or the like.

上記封止シート用組成物において、上記シリコーン樹脂Aの数平均分子量(Mn)の好ましい下限は1000、好ましい上限は5万である。1000未満であると、熱硬化時に揮発成分が多くなり、硬化物に膜減りが多くなり好ましくない。5万を超えると、粘度調節が困難になるため好ましくない。より好ましい下限は1500、より好ましい上限は15000である。
なお、本明細書において、数平均分子量(Mn)とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いてポリスチレンをスタンダードとして求めた値であり、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いて測定した値を意味する。
In the composition for a sealing sheet, the preferable lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the silicone resin A is 1000, and the preferable upper limit is 50,000. If it is less than 1000, volatile components increase at the time of thermal curing, and the film loss of the cured product increases, which is not preferable. If it exceeds 50,000, viscosity adjustment becomes difficult, which is not preferable. A more preferred lower limit is 1500, and a more preferred upper limit is 15000.
In the present specification, the number average molecular weight (Mn) is a value obtained using polystyrene as a standard using gel permeation chromatography (GPC), and is a measuring device manufactured by Waters (column: manufactured by Showa Denko KK). It means a value measured using Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) × 2, measurement temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene.

上記シリコーン樹脂Aを合成する方法としては特に限定されず、例えば、(1)SiH基を有するシリコーン樹脂A(a)と、環状エーテル基を有するビニル化合物のハイドロシリレーション反応により置換基を導入する方法、(2)シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物とを縮合反応させる方法等が挙げられる。 The method for synthesizing the silicone resin A is not particularly limited. For example, (1) a substituent is introduced by a hydrosilylation reaction between a silicone resin A (a) having a SiH group and a vinyl compound having a cyclic ether group. Examples thereof include (2) a method in which a siloxane compound and a siloxane compound having a cyclic ether-containing group are subjected to a condensation reaction.

上記方法(1)において、ハイドロシリレーション反応とは、必要に応じて触媒の存在下、SiH基とビニル基とを反応させる方法である。 In the above method (1), the hydrosilylation reaction is a method of reacting a SiH group and a vinyl group in the presence of a catalyst as necessary.

上記SiH基を有するシリコーン樹脂A(a)としては、分子内にSiH基を含有し、上記環状エーテル含有基を有するビニル化合物を反応させた後、上述した一般式(1)で表される構造、好ましくは、上記一般式(2)〜(8)又は(17)のいずれかで表される構造となるようなものを使用すればよい。 The silicone resin A (a) having the SiH group has a structure represented by the general formula (1) described above after reacting a vinyl compound having a SiH group in the molecule and the cyclic ether-containing group. Preferably, a material having a structure represented by any of the above general formulas (2) to (8) or (17) may be used.

上記環状エーテル含有基を有するビニル化合物としては、分子内に1個以上の環状エーテル含有基を有するビニル化合物であれば特に限定されず、例えば、ビニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリシジル(メタ)アクリレート、ブタジエンモノオキサイド、ビニルシクロヘキセンオキシド、アリルシクロヘキセンオキシド等エポキシ基含有化合物等が挙げられる。なお、上記(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。 The vinyl compound having a cyclic ether-containing group is not particularly limited as long as it is a vinyl compound having one or more cyclic ether-containing groups in the molecule. For example, vinyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate , Epoxy group-containing compounds such as butadiene monooxide, vinylcyclohexene oxide, and allylcyclohexene oxide. In addition, the said (meth) acryl means acryl or methacryl.

上記ハイドロシリレーション反応時に必要に応じて使用する触媒としては、例えば、周期表第8属の金属の単体、該金属固体をアルミナ、シリカ、カーボンブラック等の担体に担持させたもの、該金属の塩、錯体等が挙げられる。上記周期表第8族の金属としては、具体的には、例えば、白金、ロジウム、ルテニウムが好適であり、特に白金が好ましい。
上記白金を用いたハイドロシリレーション化反応触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトンとの錯体、白金−ビニルシロキサン錯体、白金−ホスフィン錯体、白金−ホスファイト錯体、ジカルボニルジクロロ白金等が挙げられる。
Examples of the catalyst used as necessary during the hydrosilylation reaction include, for example, a simple substance of Group 8 metal, a metal solid supported on a carrier such as alumina, silica, carbon black, and the like. Examples include salts and complexes. Specifically, as the metal of Group 8 of the periodic table, for example, platinum, rhodium, and ruthenium are preferable, and platinum is particularly preferable.
As the hydrosilation reaction catalyst using platinum, for example, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid and alcohol, aldehyde, ketone complex, platinum-vinylsiloxane complex, platinum-phosphine complex, platinum-phosphite complex, And dicarbonyldichloroplatinum.

上記ハイドロシリレーション反応時の反応条件としては特に限定されないが、反応温度は、反応の速度と収率とを考慮すると好ましい下限は10℃、好ましい上限は200℃である。より好ましい下限は30℃、より好ましい上限は150℃であり、更に好ましい下限は50℃、更に好ましい上限は120℃である。 The reaction conditions during the hydrosilylation reaction are not particularly limited, but the reaction temperature is preferably 10 ° C. and the preferred upper limit is 200 ° C. in consideration of the reaction rate and yield. A more preferred lower limit is 30 ° C., a more preferred upper limit is 150 ° C., a still more preferred lower limit is 50 ° C., and a still more preferred upper limit is 120 ° C.

また、上記ハイドロシリレーション反応は、無溶媒で行ってもよく、溶媒を使用して行ってもよい。
上記溶媒としては特に限定されず、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエーテル系溶媒;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒;トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール等のアルコール系溶媒等が挙げられる。なかでも、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、炭化水素系溶媒が好ましく、具体的には、ジオキサン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸ブチルが原料の溶解性と溶媒回収率から特に好ましい。
Moreover, the said hydrosilylation reaction may be performed without a solvent and may be performed using a solvent.
The solvent is not particularly limited, and examples thereof include ether solvents such as dioxane, tetrahydrofuran and propylene glycol monomethyl ether acetate; ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; hydrocarbon solvents such as toluene, xylene and cyclohexane; acetic acid Examples include ester solvents such as ethyl and butyl acetate; alcohol solvents such as butyl cellosolve and butyl carbitol. Of these, ether solvents, ester solvents, ketone solvents, and hydrocarbon solvents are preferred. preferable.

上記方法(2)において、シロキサン化合物としては、例えば、下記一般式(9)、(10)、(11)及び(12)のシロキサン単位を持つアルコキシシラン又はその部分加水分解物が挙げられる。 In the above method (2), examples of the siloxane compound include alkoxysilanes having a siloxane unit represented by the following general formulas (9), (10), (11), and (12), or partial hydrolysates thereof.

Figure 2009084511
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Figure 2009084511
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Figure 2009084511
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Figure 2009084511

上記一般式(9)〜(12)中、R37〜R42は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。 In the general formulas (9) to (12), R 37 to R 42 represent a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof, and OR represents a linear or branched chain. Represents an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

上記一般式(9)〜(12)中、R37〜R42が直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素である場合、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基等が挙げられる。 In the general formulas (9) to (12), when R 37 to R 42 are linear or branched hydrocarbons having 1 to 8 carbon atoms, specifically, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group Group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, phenyl group and the like.

また、上記一般式(9)〜(12)中、ORで表される直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基は、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げられる。 In the general formulas (9) to (12), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by OR is specifically, for example, a methoxy group, an ethoxy group, n -Propoxy group, n-butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group and the like.

上記シロキサン化合物において、一般式(9)〜(12)で表されるシロキサン単位を持つアルコキシシラン又はその部分加水分解物の配合比としては、後述する環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物と縮合反応させて合成したシリコーン樹脂Aが、上述した一般式(1)で表される構造、好ましくは上記一般式(2)〜(8)又は(17)のいずれかで表される構造となるように適宜調整する。 In the siloxane compound, the compounding ratio of the alkoxysilane having a siloxane unit represented by the general formulas (9) to (12) or a partial hydrolyzate thereof is subjected to a condensation reaction with a siloxane compound having a cyclic ether-containing group described later. The silicone resin A synthesized in this manner is appropriately selected so as to have a structure represented by the above general formula (1), preferably a structure represented by any one of the above general formulas (2) to (8) or (17). adjust.

上記環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物としては、例えば、下記一般式(13)、(14)で表される環状エーテル含有基を有するアルコキシシラン又はその部分加水分解物が挙げられる。 Examples of the siloxane compound having a cyclic ether-containing group include alkoxysilanes having a cyclic ether-containing group represented by the following general formulas (13) and (14) or partial hydrolysates thereof.

Figure 2009084511
Figure 2009084511

Figure 2009084511
Figure 2009084511

一般式(13)、(14)中、R43及び/又はR44、並びに、R45は、環状エーテル含有基であり、R43又はR44のいずれか一方のみが環状エーテル含有基である場合、他方は、直鎖若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素又はそのフッ素化物を表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。 In the general formulas (13) and (14), R 43 and / or R 44 and R 45 are cyclic ether-containing groups, and only one of R 43 and R 44 is a cyclic ether-containing group. The other represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

一般式(13)、(14)中、R43及び/又はR44、並びに、R45で表される環状エーテル含有基としては特に限定されず、例えば、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基、オキセタン基等が挙げられる。なかでも、グリシジル基及び/又はエポキシシクロヘキシル基が好適である。 In general formulas (13) and (14), R 43 and / or R 44 and the cyclic ether-containing group represented by R 45 are not particularly limited, and examples thereof include a glycidyl group, an epoxycyclohexyl group, and an oxetane group. Is mentioned. Of these, a glycidyl group and / or an epoxycyclohexyl group are preferable.

上記グリシジル基としては特に限定されず、例えば、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、4,5−エポキシペンチル基、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等が挙げられる。 The glycidyl group is not particularly limited. For example, 2,3-epoxypropyl group, 3,4-epoxybutyl group, 4,5-epoxypentyl group, 2-glycidoxyethyl group, 3-glycidoxypropyl Group, 4-glycidoxybutyl group and the like.

上記エポキシシクロヘキシル基としては特に限定されず、例えば、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等が挙げられる。 The epoxycyclohexyl group is not particularly limited, and examples thereof include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, 3- (3,4-epoxycyclohexyl) propyl group, and the like.

上記一般式(13)中、R43及び/又はR44のいずれか一方が直鎖若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素又はそのフッ素化物である場合、具体的には、例えば、上記一般式(1)において説明したものと同様のものが挙げられる。 In the general formula (13), when either one of R 43 and / or R 44 is a straight-chain or branched hydrocarbon or a fluorinated compound having 1 to 8 carbon atoms, specifically, for example, the The thing similar to what was demonstrated in General formula (1) is mentioned.

また、上記一般式(13)、(14)中、ORで表される直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基は、具体的には、上述した一般式(1−2)〜(1−7)において説明したものと同様のものが挙げられる。 In the general formulas (13) and (14), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by OR is specifically the general formula (1-2) described above. The thing similar to what was demonstrated in-(1-7) is mentioned.

上記一般式(13)で表される環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物としては、具体的には、例えば、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジブトキシシラン、2,3−エポキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(メチル)ジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(メチル)ジエトキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the siloxane compound having a cyclic ether-containing group represented by the general formula (13) include 3-glycidoxypropyl (methyl) dimethoxysilane and 3-glycidoxypropyl (methyl) di Ethoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) dibutoxysilane, 2,3-epoxypropyl (methyl) dimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl (methyl) dimethoxysilane, 2- (3 4-epoxycyclohexyl) ethyl (methyl) diethoxysilane and the like.

上記一般式(14)で表される環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物としては、具体的には、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリメトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the siloxane compound having a cyclic ether-containing group represented by the general formula (14) include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltributoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 2,3-epoxypropyltrimethoxysilane, 2, Examples include 3-epoxypropyltriethoxysilane.

上記方法(2)において、上記シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物とを縮合反応させる具体的な方法としては、例えば、上記シロキサン化合物と環状エーテル基を有する化合物とを水、及び、酸又は塩基性触媒の存在下で反応させてシリコーン樹脂Aを合成する方法が挙げられる。
また、上記シロキサン化合物を水、及び、酸又は塩基性触媒の存在下で予め反応させておき、その後に環状エーテル基を有するシロキサン化合物を反応させてもよい。
In the method (2), as a specific method for the condensation reaction of the siloxane compound and the siloxane compound having a cyclic ether-containing group, for example, the siloxane compound and the compound having a cyclic ether group are mixed with water and an acid. Alternatively, a method of synthesizing the silicone resin A by reacting in the presence of a basic catalyst can be mentioned.
The siloxane compound may be reacted in advance in the presence of water and an acid or basic catalyst, and then the siloxane compound having a cyclic ether group may be reacted.

上記方法(2)において、上記シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有する化合物とを水、及び、酸又は塩基性触媒の存在下で反応させる際に、上記環状エーテル含有基を有する化合物は、上記環状エーテル含有基が、上記シロキサン化合物及び環状エーテル含有基を有する化合物のケイ素原子に結合する全有機基に対して、下限が0.1モル%、上限が50モル%となるように配合する。 In the method (2), when the siloxane compound and the compound having a cyclic ether-containing group are reacted in the presence of water and an acid or a basic catalyst, the compound having the cyclic ether-containing group is It mix | blends so that a lower limit may be 0.1 mol% and an upper limit may be 50 mol% with respect to all the organic groups couple | bonded with the silicon atom of the said siloxane compound and the compound which has a cyclic ether containing group.

上記水の配合量としては、上記環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物中のケイ素原子に結合したアルコキシ基を加水分解できる量であれば特に限定されず、適宜調整される。 The blending amount of the water is not particularly limited as long as it is an amount capable of hydrolyzing the alkoxy group bonded to the silicon atom in the siloxane compound having the cyclic ether-containing group, and is appropriately adjusted.

上記酸性触媒は、上記シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物とを反応させるための触媒であり、例えば、リン酸、ホウ酸、炭酸等の無機酸;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ラク酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、オレイン酸等の有機酸;これらの酸無水物又は誘導体等が挙げられる。 The acidic catalyst is a catalyst for reacting the siloxane compound with a siloxane compound having a cyclic ether-containing group. For example, inorganic acids such as phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid; formic acid, acetic acid, propionic acid, and lactic acid , Lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid, oleic acid and other organic acids; their acid anhydrides or derivatives .

上記塩基性触媒は、上記シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物とを反応させるための触媒であり、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属の水酸化物;ナトリウム−t−ブトキシド、カリウム−t−ブトキシド、セシウム−t−ブトキシド等のアルカリ金属のアルコキシド;ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物、セシウムシラノレート化合物等のアルカリ金属のシラノール化合物等が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒及びセシウム系触媒が好適である。 The basic catalyst is a catalyst for reacting the siloxane compound with a siloxane compound having a cyclic ether-containing group, and examples thereof include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, cesium hydroxide; Examples include alkali metal alkoxides such as sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide; and alkali metal silanol compounds such as sodium silanolate compounds, potassium silanolate compounds, and cesium silanolate compounds. Of these, potassium-based catalysts and cesium-based catalysts are preferred.

上記酸又は塩基性触媒の添加量としては特に限定されないが、上記シロキサン化合物及び環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物との合計量に対して、好ましい下限は10ppm、好ましい上限は1万ppmであり、より好ましい下限は100ppm、より好ましい上限は5000ppmである。
なお、上記酸又は塩基性触媒は、固形分をそのまま添加してもよく、少量の水や上記シロキサン化合物等に溶解してから添加してもよい。
The addition amount of the acid or basic catalyst is not particularly limited, but the preferred lower limit is 10 ppm and the preferred upper limit is 10,000 ppm with respect to the total amount of the siloxane compound and the siloxane compound having a cyclic ether-containing group, A more preferred lower limit is 100 ppm, and a more preferred upper limit is 5000 ppm.
The acid or basic catalyst may be added as it is, or may be added after dissolving in a small amount of water or the siloxane compound.

上記シロキサン化合物と環状エーテル含有基を有するシロキサン化合物とを縮合反応においては、合成するシリコーン樹脂Aが反応系から析出することを防止できるとともに、上記水及び上記縮合反応による遊離水を共沸により除去できることから、有機溶剤を用いることが好ましい。
上記有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶剤;アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系有機溶剤;ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族系有機溶剤等が挙げられる。なかでも、芳香族系有機溶剤が好適に用いられる。
In the condensation reaction of the siloxane compound and the siloxane compound having a cyclic ether-containing group, the synthesized silicone resin A can be prevented from precipitating from the reaction system, and the water and free water by the condensation reaction are removed by azeotropic distillation. It is preferable to use an organic solvent because it can be used.
Examples of the organic solvent include aromatic organic solvents such as toluene and xylene; ketone organic solvents such as acetone and methyl isobutyl ketone; aliphatic organic solvents such as hexane, heptane and octane. Of these, aromatic organic solvents are preferably used.

上記縮合反応時の反応温度としては特に限定されないが、好ましい下限は40℃、好ましい上限は200℃であり、より好ましい下限は50℃、より好ましい上限は150℃である。また、上記有機溶剤を用いる場合、該有機溶剤として沸点が40〜200℃の範囲内にあるものを用いることで、還流温度で容易に上記縮合反応を行うことができる。 Although it does not specifically limit as reaction temperature at the time of the said condensation reaction, A preferable minimum is 40 degreeC and a preferable upper limit is 200 degreeC, A more preferable minimum is 50 degreeC and a more preferable upper limit is 150 degreeC. Moreover, when using the said organic solvent, the said condensation reaction can be easily performed at reflux temperature by using what has a boiling point in the range of 40-200 degreeC as this organic solvent.

アルコキシ基の量を調節する観点から上記方法(2)でシリコーン樹脂Aを合成するのが好ましい。
上記アルコキシ基を適切な範囲にするには上記方法(2)は、反応の温度、反応の時間、触媒量や水の量を調節することによって上記アルコキシ基を適切な範囲にすることが可能である。
From the viewpoint of adjusting the amount of the alkoxy group, it is preferable to synthesize the silicone resin A by the above method (2).
In order to bring the alkoxy group into an appropriate range, the above method (2) can bring the alkoxy group into an appropriate range by adjusting the reaction temperature, reaction time, amount of catalyst and amount of water. is there.

上記封止シート用組成物は、分子内にグリシジル含有基を1個以上有する二官能シリコーン樹脂Aを含有することが好ましい。
このような二官能シリコーン樹脂Aを含有することにより、本発明の光半導体用封止シートは、硬化物の耐クラック性が著しく向上する。これは、上記硬化物において、分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂Aの環状エーテル含有基の反応により発生する架橋点の隙間に、上記シリコーン樹脂Aと比較すると骨格が柔軟な上記二官能シリコーン樹脂Aが入り込むからであると推察される。
The sealing sheet composition preferably contains a bifunctional silicone resin A having one or more glycidyl-containing groups in the molecule.
By containing such a bifunctional silicone resin A, the sealing sheet for optical semiconductors of the present invention significantly improves the crack resistance of the cured product. This is because in the cured product, the bifunctional skeleton is more flexible than the silicone resin A in the gap between the crosslinking points generated by the reaction of the cyclic ether-containing group of the silicone resin A having a cyclic ether-containing group in the molecule. It is assumed that this is because the silicone resin A enters.

本明細書において、グリシジル含有基とは、グリシジル基を少なくとも基の一部に含んでいればよく、例えば、アルキル基、アルキルエーテル基等の他の骨格とグリシジル基とを含有していてもよい基を意味する。
上記グリシジル含有基としては特に限定されず、例えば、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、4,5−エポキシペンチル基、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等が挙げられる。
In the present specification, the glycidyl-containing group only needs to contain a glycidyl group as at least a part of the group, and may contain, for example, another skeleton such as an alkyl group or an alkyl ether group and a glycidyl group. Means group.
The glycidyl-containing group is not particularly limited. For example, 2,3-epoxypropyl group, 3,4-epoxybutyl group, 4,5-epoxypentyl group, 2-glycidoxyethyl group, 3-glycidoxy A propyl group, 4-glycidoxybutyl group, etc. are mentioned.

上記二官能シリコーン樹脂Aとしては、例えば、上記一般式(1)中、a=c=d=0で表される樹脂を用いることができ、具体的には、平均組成式が下記一般式(15)又は(16)で表される樹脂成分を含有することが好ましい。上記二官能シリコーン樹脂Aが下記一般式(15)又は(16)で表される樹脂成分を含有することで、本発明の光半導体用封止シートは、硬化物が適度な柔軟性を有することとなり、耐クラック性が極めて優れたものとなる。なお、二官能シリコーン樹脂Aが、平均組成式が下記一般式(15)又は(16)で表されるとは、上記封止シート用組成物が二官能シリコーン樹脂Aとしては下記一般式(15)又は(16)で表される樹脂成分のみを含有する場合だけでなく、種々の構造の樹脂成分を含有する混合物である場合に、含有する樹脂成分の組成の平均をとると下記一般式(15)又は(16)で表される場合も意味する。 As the bifunctional silicone resin A, for example, a resin represented by a = c = d = 0 in the general formula (1) can be used. Specifically, the average composition formula is represented by the following general formula ( It is preferable to contain the resin component represented by 15) or (16). When the bifunctional silicone resin A contains a resin component represented by the following general formula (15) or (16), the cured product of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention has appropriate flexibility. Thus, the crack resistance is extremely excellent. The bifunctional silicone resin A has an average composition formula represented by the following general formula (15) or (16). The bifunctional silicone resin A has the following general formula (15). ) Or (16) not only containing only the resin component represented, but also in the case of a mixture containing resin components of various structures, the following general formula ( It also means the case represented by 15) or (16).

Figure 2009084511
一般式(15)中、R48及び/又はR49は、グリシジル含有基であり、R46、R47は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。また、R48又はR49のいずれか一方のみがグリシジル含有基である場合、他方は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。また、w/(w+x)の好ましい下限は0.6、好ましい上限は0.95、より好ましい下限は0.7、より好ましい上限は0.9であり、x/(w+x)の好ましい下限は0.05、好ましい上限は0.4、より好ましい下限は0.1、より好ましい上限は0.3である。
Figure 2009084511
In the general formula (15), R 48 and / or R 49 is a glycidyl-containing group, and R 46 and R 47 represent a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. These may be the same as or different from each other. When only one of R 48 and R 49 is a glycidyl-containing group, the other represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. The preferred lower limit for w / (w + x) is 0.6, the preferred upper limit is 0.95, the more preferred lower limit is 0.7, the more preferred upper limit is 0.9, and the preferred lower limit for x / (w + x) is 0. 0.05, a preferred upper limit is 0.4, a more preferred lower limit is 0.1, and a more preferred upper limit is 0.3.

Figure 2009084511
一般式(16)中、R54及び/又はR55は、グリシジル含有基であり、R50、R51、R52、R53は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。また、R54又はR55のいずれか一方のみがグリシジル含有基である場合、他方は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。また、y+z/(y+z+A)の好ましい下限は0.6、好ましい上限は0.95、より好ましい下限は0.7、より好ましい上限は0.9であり、A/(y+z+A)の好ましい下限は0.05、好ましい上限は0.4、より好ましい下限は0.1、より好ましい上限は0.3である。ただし、(R5051SiO2/2)と(R5253SiO2/2)とは構造が異なるものである。
Figure 2009084511
In the general formula (16), R 54 and / or R 55 is a glycidyl-containing group, and R 50 , R 51 , R 52 , and R 53 are linear or branched hydrocarbons having 1 to 8 carbon atoms. Or the fluoride is represented, and these may be the same as each other or different. When only one of R 54 and R 55 is a glycidyl-containing group, the other represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof. The preferred lower limit of y + z / (y + z + A) is 0.6, the preferred upper limit is 0.95, the more preferred lower limit is 0.7, the more preferred upper limit is 0.9, and the preferred lower limit of A / (y + z + A) is 0. 0.05, a preferred upper limit is 0.4, a more preferred lower limit is 0.1, and a more preferred upper limit is 0.3. However, (R 50 R 51 SiO 2/2 ) and (R 52 R 53 SiO 2/2 ) have different structures.

上記二官能シリコーン樹脂Aの数平均分子量(Mn)の好ましい下限は1500、好ましい上限は5万である。1500未満であると、本発明の光半導体用封止シートの硬化物の耐クラック性が不充分となることがあり、5万を超えると、上記封止シート用組成物の粘度調節が困難になることがある。より好ましい下限は2000、より好ましい上限は2万である。 The preferable lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the bifunctional silicone resin A is 1500, and the preferable upper limit is 50,000. If it is less than 1500, the crack resistance of the cured product of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention may be insufficient, and if it exceeds 50,000, it is difficult to adjust the viscosity of the composition for encapsulating sheet. May be. A more preferable lower limit is 2000, and a more preferable upper limit is 20,000.

このような二官能シリコーン樹脂Aの合成方法としては特に限定されず、例えば、上述したシリコーン樹脂Aを合成する方法と同様の方法が挙げられる。すなわち、SiH基を有するシリコーン樹脂A(b)と、グリシジル含有基を有するビニル化合物とのハイドロシリレーション反応により置換基を導入する方法(方法(3))、アルコキシシラン化合物とグリシジル含有基を有するアルコキシシラン化合物とを縮合反応させる方法(方法(4))等が挙げられる。 A method for synthesizing such a bifunctional silicone resin A is not particularly limited, and examples thereof include the same method as the method for synthesizing silicone resin A described above. That is, a method of introducing a substituent by a hydrosilylation reaction between a silicone resin A (b) having a SiH group and a vinyl compound having a glycidyl-containing group (method (3)), having an alkoxysilane compound and a glycidyl-containing group Examples thereof include a method (method (4)) for causing a condensation reaction with an alkoxysilane compound.

上記方法(3)で二官能シリコーン樹脂Aを合成する場合、上記SiH基を有するシリコーン樹脂A(b)としては、例えば、分子内にSiH基を含有し、上記グリシジル含有基を有するビニル化合物と反応させた後、上述した一般式(15)又は(16)で表される構造となるようなものが挙げられる。 When the bifunctional silicone resin A is synthesized by the method (3), the silicone resin A (b) having the SiH group includes, for example, a vinyl compound having a SiH group in the molecule and the glycidyl-containing group. After the reaction, those having a structure represented by the above general formula (15) or (16) can be mentioned.

上記グリシジル含有基を有するビニル化合物としては、分子内に1個以上のグリシジル含有基を有するビニル化合物であれば特に限定されず、例えば、ビニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリシジル(メタ)アクリレート、ブタジエンモノオキサイド等が挙げられる。 The vinyl compound having a glycidyl-containing group is not particularly limited as long as it is a vinyl compound having one or more glycidyl-containing groups in the molecule. For example, vinyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate, butadiene A monooxide etc. are mentioned.

また、上記ハイドロシリレーション反応時には、上述したシリコーン樹脂Aを合成する場合と同様に、必要に応じて触媒を使用してもよく、また、無溶媒で行ってもよく、溶媒を使用して行ってもよい。 Moreover, at the time of the hydrosilylation reaction, as in the case of synthesizing the silicone resin A described above, a catalyst may be used as necessary, or it may be carried out without a solvent, or using a solvent. May be.

上記方法(4)で上記二官能シリコーン樹脂Aを合成する場合、上記アルコキシシラン化合物としては特に限定されず、例えば、上述した一般式(10)のジアルコキシシラン化合物と同様のものが挙げられる。
また、上記グリシジル含有基を有するアルコキシシラン化合物としては、例えば、上述した一般式(13)のジアルコキシシラン化合物と同様のものが挙げられる。
When the bifunctional silicone resin A is synthesized by the method (4), the alkoxysilane compound is not particularly limited, and examples thereof include the same compounds as the dialkoxysilane compound of the general formula (10) described above.
Moreover, as an alkoxysilane compound which has the said glycidyl containing group, the thing similar to the dialkoxysilane compound of General formula (13) mentioned above is mentioned, for example.

上記グリシジル含有基を有するジアルコキシシランとしては具体的には、例えば、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジブトキシシラン、2,3−エポキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the dialkoxysilane having a glycidyl-containing group include 3-glycidoxypropyl (methyl) dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) diethoxysilane, 3-glycidoxypropyl ( And methyl) dibutoxysilane and 2,3-epoxypropyl (methyl) dimethoxysilane.

上記アルコキシシラン化合物とグリシジル含有基を有するアルコキシシラン化合物とを縮合反応させる具体的な方法としては、例えば、上述したシリコーン樹脂Aを合成する場合のアルコキシシラン化合物と環状エーテル含有基を有するアルコキシシラン化合物とを反応させる場合と同様の方法が挙げられる。 As a specific method for the condensation reaction of the alkoxysilane compound and the alkoxysilane compound having a glycidyl-containing group, for example, the alkoxysilane compound and the alkoxysilane compound having a cyclic ether-containing group in the case of synthesizing the silicone resin A described above. The same method as in the case of reacting with is mentioned.

上記封止シート用組成物において、上述したシリコーン樹脂Aに対する上記二官能シリコーン樹脂Aの配合量としては特に限定されないが、上記シリコーン樹脂A100重量部に対して、好ましい下限は10重量部、好ましい上限は120重量部である。10重量部未満であると、本発明の光半導体用封止シートの硬化物の耐クラック性が充分に発揮されないことがあり、120重量部を超えると、本発明の光半導体用封止シートの硬化物の耐熱性に劣り、該硬化物が熱環境下で黄変しやすくなる場合がある。より好ましい下限は15重量部、より好ましい上限は100重量部である。 In the composition for a sealing sheet, the amount of the bifunctional silicone resin A to the silicone resin A described above is not particularly limited, but the preferred lower limit is 10 parts by weight and the preferred upper limit with respect to 100 parts by weight of the silicone resin A. Is 120 parts by weight. If it is less than 10 parts by weight, the crack resistance of the cured product of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention may not be sufficiently exhibited. If it exceeds 120 parts by weight, the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention The cured product is inferior in heat resistance, and the cured product may be easily yellowed in a thermal environment. A more preferred lower limit is 15 parts by weight, and a more preferred upper limit is 100 parts by weight.

上記封止シート用組成物は、上記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤(以下、単に熱硬化剤ともいう)を含有する。
上記熱硬化剤としては、上記シリコーン樹脂の環状エーテル含有基と反応可能なものであれば特に限定されず、例えば、エチレンジアミン、トリエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジアミン、ダイマー酸変性エチレンジアミン、N−エチルアミノピペラジン、イソホロンジアミン等の脂肪族アミン類、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェノルスルホン、4,4’−ジアミノジフェノルメタン、4,4’−ジアミノジフェノルエーテル等の芳香族アミン類、メルカプトプロピオン酸エステル、エポキシ樹脂の末端メルカプト化合物等のメルカプタン類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールAD、テトラメチルビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、テトラクロロビスフェノールA、テトラフルオロビスフェノールA、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、4,4−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビスフェノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールAノボラック、臭素化フェノールノボラック、臭素化ビスフェノールAノボラック等のフェノール樹脂類;これらフェノール樹脂類の芳香環を水素化したポリオール類、ポリアゼライン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、シクロヘキサン−1,2,3−トリカルボン酸−1,2無水物、シクロヘキサン−1,2,4−トリカルボン酸−1,2無水物等の脂環式酸無水物類、3−メチルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数1〜8のアルキル基を有する3−アルキルグルタル酸無水物、2−エチル−3−プロピルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数1〜8のアルキル基を有する2,3−ジアルキルグルタル酸無水物、2,4−ジエチルグルタル酸無水物、2,4−ジメチルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数1〜8のアルキル基を有する2,4−ジアルキルグルタル酸無水物等のアルキル置換グルタル酸無水物類、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の芳香族酸無水物類、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類及びその塩類、上記脂肪族アミン類、芳香族アミン類、及び/又はイミダゾール類とエポキシ樹脂との反応により得られるアミンアダクト類、アジピン酸ジヒドラジド等のヒドラジン類、ジメチルベンジルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等の第3級アミン類、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、ジシアンジアミド等が挙げられる。これらの熱硬化剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なお、上記一般式(15)又は(16)で表される樹脂成分等、上記二官能シリコーン樹脂を含有する場合、上記熱硬化剤は、該二官能シリコーン樹脂のグリシジル含有基とも反応可能である。
The composition for sealing sheets contains a thermosetting agent that reacts with the cyclic ether-containing group (hereinafter also simply referred to as a thermosetting agent).
The thermosetting agent is not particularly limited as long as it can react with the cyclic ether-containing group of the silicone resin. For example, ethylenediamine, triethylenepentamine, hexamethylenediamine, dimer acid-modified ethylenediamine, N-ethylamino Aliphatic amines such as piperazine and isophoronediamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenolsulfone, 4,4′-diaminodiphenormethane, Aromatic amines such as 4,4'-diaminodiphenol ether, mercaptans such as mercaptopropionic acid esters, terminal mercapto compounds of epoxy resins, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, tetramethylbisphenol A, tetramethylbisphenol F, tetramethylbisphenol AD, tetramethylbisphenol S, tetrabromobisphenol A, tetrachlorobisphenol A, tetrafluorobisphenol A, biphenol, dihydroxynaphthalene, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ) Methane, 4,4- (1- (4- (1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) phenyl) ethylidene) bisphenol, phenol novolak, cresol novolak, bisphenol A novolak, brominated phenol novolak, bromine Phenolic resins such as bisphenol A novolac; polyols obtained by hydrogenating aromatic rings of these phenolic resins, polyazeline acid anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, tetrahydride Phthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3- Dicarboxylic anhydride, methyl-norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, cyclohexane-1,2,3-tricarboxylic acid-1,2 anhydride, cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2 anhydride 3-alkylglutaric anhydride having an optionally branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as alicyclic acid anhydrides, 3-methylglutaric anhydride, etc., 2-ethyl-3- 2,3-dialkylglutaric anhydride, 2,4-diethylglutar having a C1-C8 alkyl group which may be branched, such as propylglutaric anhydride Alkyl-substituted glutaric anhydrides such as 2,4-dialkylglutaric anhydride having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may be branched, such as anhydride, 2,4-dimethylglutaric anhydride, anhydrous Aromatic acid anhydrides such as phthalic acid, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and salts thereof, the above aliphatic Amines, aromatic amines, and / or amine adducts obtained by reaction of imidazoles with epoxy resins, hydrazines such as adipic acid dihydrazide, dimethylbenzylamine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] Tertiary amines such as undecene-7, organic phosphines such as triphenylphosphine, dicyandiamide, etc. Can be mentioned. These thermosetting agents may be used independently and 2 or more types may be used together. In addition, when it contains the said bifunctional silicone resin, such as the resin component represented by the said General formula (15) or (16), the said thermosetting agent can also react with the glycidyl containing group of this bifunctional silicone resin. .

なかでも、脂環式酸無水物類、アルキル置換グルタル酸無水物類、芳香族酸無水物類等の酸無水物が好ましく、より好ましくは、脂環式酸無水物類、アルキル置換グルタル酸無水物類であり、特に好ましくは、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、シクロヘキサン−1,2,3−トリカルボン酸−1,2無水物、シクロヘキサン−1,2,4−トリカルボン酸−1,2無水物、2,4−ジエチルグルタル酸無水物である。 Among these, acid anhydrides such as alicyclic acid anhydrides, alkyl-substituted glutaric acid anhydrides, and aromatic acid anhydrides are preferable, and alicyclic acid anhydrides and alkyl-substituted glutaric acid anhydrides are more preferable. And particularly preferably methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, methyl-norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, cyclohexane-1,2. , 3-tricarboxylic acid-1,2 anhydride, cyclohexane-1,2,4-tricarboxylic acid-1,2 anhydride, 2,4-diethylglutaric anhydride.

上記熱硬化剤の配合量としては特に限定されないが、上記シリコーン樹脂A100重量部に対して、好ましい下限は10重量部、好ましい上限は200重量部である。この範囲であると、本発明の光半導体用封止シートは、充分に架橋反応が進行し、耐熱性及び耐光性に優れるとともに、透湿度が充分に低いものとなる。より好ましい下限は20重量部、より好ましい上限は150重量部である。 The blending amount of the thermosetting agent is not particularly limited, but a preferable lower limit is 10 parts by weight and a preferable upper limit is 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin A. Within this range, the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention sufficiently undergoes a crosslinking reaction, is excellent in heat resistance and light resistance, and has a sufficiently low moisture permeability. A more preferred lower limit is 20 parts by weight, and a more preferred upper limit is 150 parts by weight.

上記封止シート用組成物は、軟化点が30〜150℃のシリコーン樹脂B(以下、単にシリコーン樹脂Bともいう)を含有する。
このようなシリコーン樹脂Bを含有することによって、上記封止シート用組成物をシート状に成形することが可能となる。
The composition for sealing sheets contains a silicone resin B having a softening point of 30 to 150 ° C. (hereinafter also simply referred to as silicone resin B).
By containing such silicone resin B, it becomes possible to shape | mold the said composition for sealing sheets in a sheet form.

上記シリコーン樹脂Bは、軟化点の下限が30℃、上限が150℃である。
30℃未満であると、上記シリコーン樹脂Aと配合して得られる封止シート用組成物をシート化することが困難となったり、シートが得られても取扱性に劣ったりすることがある。軟化点が150℃を超えると、シート化した際に、硬くなり過ぎて、封止の際に発光素子等に損傷を与えてしまうことがある。特にワイヤーボンディング型の場合に、ワイヤーを損傷させてしまうことがある。
好ましい下限は50℃、好ましい上限は120℃である。
なお、本明細書において、軟化点とは、樹脂が軟化する時の温度をいい、JIS K7234の環球法に準拠して測定したものをいう。
The lower limit of the softening point of the silicone resin B is 30 ° C., and the upper limit is 150 ° C.
When the temperature is less than 30 ° C., it may be difficult to form a composition for a sealing sheet obtained by blending with the silicone resin A, or the handleability may be inferior even if a sheet is obtained. When the softening point exceeds 150 ° C., it becomes too hard when formed into a sheet, and the light emitting element or the like may be damaged during sealing. Especially in the case of a wire bonding type, the wire may be damaged.
A preferred lower limit is 50 ° C and a preferred upper limit is 120 ° C.
In the present specification, the softening point refers to the temperature at which the resin softens, and is measured according to the ring and ball method of JIS K7234.

上記シリコーン樹脂Bとしては、軟化点が30〜150℃であれば特に限定されず、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂、メチルフェニルシリコーン樹脂、メチルシルセスキオキサン、フェニルシルセスキオキサン、メチルフェニルシルセスキオキサン、官能基を有するジメチルシリコーン樹脂、官能基を有するメチルフェニルシリコーン樹脂、官能基を有するメチルシルセスキオキサン、官能基を有するフェニルシルセスキオキサン、官能基を有するメチルフェニルシルセスキオキサン等が挙げられる。 The silicone resin B is not particularly limited as long as the softening point is 30 to 150 ° C. For example, dimethyl silicone resin, diphenyl silicone resin, methyl phenyl silicone resin, methyl silsesquioxane, phenyl silsesquioxane, methyl Phenyl silsesquioxane, dimethyl silicone resin having functional group, methyl phenyl silicone resin having functional group, methyl silsesquioxane having functional group, phenyl silsesquioxane having functional group, methyl phenyl sil having functional group Examples include sesquioxane.

上記シリコーン樹脂Bが有する官能基としては特に限定されず、例えば、水酸基、アミノ基、(メタ)アクリル基、環状エーテル基、カルボキシル基等が挙げられる。なかでも、得られる光半導体用封止シートが優れた密着性を有することから、環状エーテル基であることが好ましい。
なお、本明細書において、(メタ)アクリル基とは、アクリル基又はメタクリル基を意味する。
The functional group that the silicone resin B has is not particularly limited, and examples thereof include a hydroxyl group, an amino group, a (meth) acryl group, a cyclic ether group, and a carboxyl group. Especially, since the sealing sheet for optical semiconductors obtained has the outstanding adhesiveness, it is preferable that it is a cyclic ether group.
In the present specification, the (meth) acryl group means an acryl group or a methacryl group.

上記シリコーン樹脂Bの市販品としては、例えば、PPSQ−H、PPSQ−E、PPSQ−T、PMPSQ−E(以上、小西化学社製)、SILRES 603、SILRES 604、SILRES 605、SILRES 610、SILRES MK、SILRES H44、SILRES REN100、SILRES SY430、SILRES IC836(以上、旭化成ワッカーシリコーン社製)等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the silicone resin B include, for example, PPSQ-H, PPSQ-E, PPSQ-T, PMPSQ-E (manufactured by Konishi Chemical Co., Ltd.), SILRES 603, SILRES 604, SILRES 605, SILRES 610, SILRES MK. , SILRES H44, SILRES REN100, SILRES SY430, SILRES IC836 (manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone).

上記シリコーン樹脂Bの配合量としては特に限定はされないが、上記シリコーン樹脂A100重量部に対して、好ましい下限は5重量部、好ましい上限は120重量部である。5重量部未満であると、シート形状を保持するのが困難となることがあり、120重量部を超えると、シートが硬くなり過ぎて形状に追従できなかったり、密着性が低下したりすることがある。より好ましい下限は10重量部、より好ましい上限は100重量部である。 The blending amount of the silicone resin B is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 parts by weight and a preferable upper limit is 120 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin A. If the amount is less than 5 parts by weight, it may be difficult to maintain the sheet shape. If the amount exceeds 120 parts by weight, the sheet may become too hard to follow the shape, or the adhesion may decrease. There is. A more preferred lower limit is 10 parts by weight, and a more preferred upper limit is 100 parts by weight.

上記封止シート用組成物は、酸化ケイ素微粒子を含有することが好ましい。
上記酸化ケイ素微粒子を含有することによって、本発明の光半導体用封止シートを構成する上記封止シート用組成物の強靭なシート性を付与することが可能になる。
The encapsulating sheet composition preferably contains silicon oxide fine particles.
By containing the silicon oxide fine particles, it becomes possible to impart tough sheet properties of the composition for encapsulating sheets constituting the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention.

上記酸化ケイ素微粒子は、BET比表面積の好ましい下限が30m/g、好ましい上限が400m/gである。30m/g未満であると、得られる封止シート用組成物の粘度が低下してしまうことがある。400m/gを超えると、酸化ケイ素微粒子の凝集が生じ、分散性が悪化することがある。 The said silicon oxide microparticles | fine-particles have a preferable minimum of BET specific surface area of 30 m < 2 > / g, and a preferable upper limit of 400 m < 2 > / g. If it is less than 30 m 2 / g, the viscosity of the resulting composition for sealing sheets may decrease. When it exceeds 400 m 2 / g, aggregation of the silicon oxide fine particles may occur and dispersibility may deteriorate.

上記酸化ケイ素微粒子の一次粒子径の好ましい下限は5nm、好ましい上限は200nmである。5nm未満であると、酸化ケイ素微粒子を有機ケイ素系化合物で表面処理してなる微粉シリカの分散性が低下し、得られる光半導体用熱硬化性組成物の硬化物の透明性が劣ることがある。200nmを超えると、酸化ケイ素微粒子を有機ケイ素系化合物で表面処理してなる微粉シリカに起因した光散乱が発生しやすくなり、得られる光半導体用熱硬化性組成物の硬化物の透明性が低下することがある。より好ましい下限は8nm、より好ましい上限は150nmである。
なお、本明細書において、上記酸化ケイ素微粒子の一次粒子径とは、上記酸化ケイ素微粒子が球形である場合には酸化ケイ素微粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化ケイ素微粒子の長径の平均値を意味する。
The preferable lower limit of the primary particle diameter of the silicon oxide fine particles is 5 nm, and the preferable upper limit is 200 nm. If it is less than 5 nm, the dispersibility of fine silica obtained by surface-treating silicon oxide fine particles with an organosilicon compound is lowered, and the transparency of the cured product of the resulting thermosetting composition for optical semiconductors may be inferior. . If it exceeds 200 nm, light scattering caused by finely divided silica formed by surface-treating silicon oxide fine particles with an organosilicon compound is likely to occur, and the transparency of the cured product of the resulting thermosetting composition for optical semiconductors is reduced. There are things to do. A more preferred lower limit is 8 nm, and a more preferred upper limit is 150 nm.
In the present specification, the primary particle diameter of the silicon oxide fine particles means an average value of the diameter of the silicon oxide fine particles when the silicon oxide fine particles are spherical, and silicon oxide when the silicon oxide fine particles are non-spherical. It means the average value of the major axis of fine particles.

上記酸化ケイ素微粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ;コロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、透明性が高いことから、フュームドシリカが好適に用いられる。 The silicon oxide fine particles are not particularly limited, and examples thereof include silica produced by a dry method such as fumed silica and fused silica; silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica and precipitated silica. . Especially, since there are few volatile components and transparency is high, fumed silica is used suitably.

上記フュームドシリカとしては特に限定されず、例えば、Aerosil 50(比表面積:50m/g)、Aerosil 90(比表面積:90m/g)、Aerosil 130(比表面積:130m/g)、Aerosil 200(比表面積:200m/g)、Aerosil 300(比表面積:300m/g)、Aerosil 380(比表面積:380m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 The fumed silica is not particularly limited. For example, Aerosil 50 (specific surface area: 50 m 2 / g), Aerosil 90 (specific surface area: 90 m 2 / g), Aerosil 130 (specific surface area: 130 m 2 / g), Aerosil 200 (specific surface area: 200 m 2 / g), Aerosil 300 (specific surface area: 300 m 2 / g), Aerosil 380 (specific surface area: 380 m 2 / g) (all manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like.

上記酸化ケイ素微粒子は、有機ケイ素系化合物によって表面処理されていることが好ましい。酸化ケイ素微粒子の表面がこのように表面処理されることによって、上記封止シート用組成物の粘度を容易に所望の範囲に調整することができる。 The silicon oxide fine particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound. By subjecting the surface of the silicon oxide fine particles to such surface treatment, the viscosity of the sealing sheet composition can be easily adjusted to a desired range.

上記有機ケイ素系化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有するケイ素系化合物、アミノ基を有するケイ素系化合物、(メタ)アクリル基を有するケイ素系化合物、エポキシ基を有するケイ素系化合物等が挙げられる。なかでも、トリメチルシリル基を有する化合物、又は、ポリジメチルシロキサン基を有するシラン系化合物であることが好ましく、アルコキシ化合物であることがより好ましい。
なお、本明細書において、上記(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。
The organosilicon compound is not particularly limited, and examples thereof include a silane compound having an alkyl group, a silicon compound having a siloxane skeleton such as dimethylsiloxane, a silicon compound having an amino group, and a silicon having a (meth) acryl group. Examples thereof include silicon compounds and silicon compounds having an epoxy group. Among these, a compound having a trimethylsilyl group or a silane compound having a polydimethylsiloxane group is preferable, and an alkoxy compound is more preferable.
In addition, in this specification, the said (meth) acryl means acryl or methacryl.

上記トリメチルシリル基を有する化合物としては、具体的には例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド、トリメチルメトキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the compound having a trimethylsilyl group include hexamethyldisilazane, trimethylsilyl chloride, and trimethylmethoxysilane.

上記トリメチルシリル基を有する化合物によって表面処理された酸化ケイ素微粒子の市販品としては、RX200(比表面積:140m/g)、R8200(比表面積:140m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Examples of commercially available silicon oxide fine particles surface-treated with the compound having a trimethylsilyl group include RX200 (specific surface area: 140 m 2 / g), R8200 (specific surface area: 140 m 2 / g) (all manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), etc. Is mentioned.

上記ポリジメチルシロキサン基を有するシラン系化合物としては、具体的には例えば、ポリジメチルシロキサンの末端にシラノール基を持つ化合物、環状シロキサン等が挙げられる。 Specific examples of the silane compound having a polydimethylsiloxane group include compounds having a silanol group at the terminal of polydimethylsiloxane, cyclic siloxane, and the like.

上記ポリジメチルシロキサン基を有するシラン系化合物によって表面処理された酸化ケイ素微粒子の市販品としては、RY200(比表面積:120m/g)(日本アエロジル社製)等が挙げられる。 RY200 (specific surface area: 120 m 2 / g) (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) can be mentioned as a commercial product of silicon oxide fine particles surface-treated with a silane compound having a polydimethylsiloxane group.

上記有機ケイ素系化合物によって上記酸化ケイ素微粒子の表面を処理する方法としては特に限定されず、例えば、ヘンシェルミキサー、V型ミキサー等の高速攪拌可能なミキサー中に酸化ケイ素微粒子を添加し、攪拌しながら有機ケイ素系化合物を、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加する乾式法、酸化ケイ素微粒子のスラリー中に有機ケイ素系化合物を添加するスラリー法、及び、酸化ケイ素微粒子の乾燥工程後に有機ケイ素系化合物をスプレー付与するスプレー法等の直接処理法;本発明の光半導体用熱硬化性組成物の調製時において、酸化ケイ素微粒子と後述するシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂との混合時に有機ケイ素系化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等が挙げられる。 The method for treating the surface of the silicon oxide fine particles with the organosilicon compound is not particularly limited. For example, the silicon oxide fine particles are added to a mixer capable of high-speed stirring such as a Henschel mixer and a V-type mixer while stirring. A dry method in which an organosilicon compound is added directly or as an alcohol aqueous solution, an organic solvent solution or an aqueous solution, a slurry method in which an organosilicon compound is added to a slurry of silicon oxide fine particles, and a step of drying the silicon oxide fine particles Direct treatment method such as spray method for spraying an organosilicon compound; organosilicon during mixing of silicon oxide fine particles and a matrix resin such as a silicone resin described later in preparing the thermosetting composition for optical semiconductors of the present invention Examples include an integral blend method in which a system compound is directly added.

上記酸化ケイ素微粒子の配合量としては特に限定されないが、上記封止樹脂組成物100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が30重量部である。1重量部未満であると、配合効果が充分得られないことがある。30重量部を超えると、密着性が低下する等の不具合が発生することがある。 The blending amount of the silicon oxide fine particles is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.1 parts by weight and a preferable upper limit is 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the sealing resin composition. If it is less than 1 part by weight, the blending effect may not be sufficiently obtained. If it exceeds 30 parts by weight, problems such as a decrease in adhesion may occur.

上記封止シート用組成物は、分散剤を含有することが好ましい。
上記分散剤を含有することによって、上記酸化ケイ素微粒子の分散性が向上し、より透明性の高い光半導体素子用封止シートが得られる。
It is preferable that the said composition for sealing sheets contains a dispersing agent.
By containing the said dispersing agent, the dispersibility of the said silicon oxide microparticles | fine-particles improves, and the sealing sheet for optical semiconductor elements with higher transparency is obtained.

上記分散剤としては、例えば、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。 Examples of the dispersant include polyalkylene oxide surfactants, poly (meth) acrylate surfactants, fluorine surfactants, and silicone surfactants.

上記分散剤の含有量としては、上記シリコーン樹脂100重量部に対して、好ましい下限は0.01重量部、好ましい上限は5重量部である。0.01重量部未満であると、上記分散剤を配合する効果を殆ど得ることができず、5重量部を超えると、本発明の光半導体用封止シートの硬化物の硬度が上述した範囲を外れる場合がある。より好ましい下限は0.05重量部、より好ましい上限は3重量部である。 As a content of the dispersing agent, a preferable lower limit is 0.01 part by weight and a preferable upper limit is 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin. When the amount is less than 0.01 part by weight, the effect of blending the dispersant can hardly be obtained. May be off. A more preferred lower limit is 0.05 parts by weight, and a more preferred upper limit is 3 parts by weight.

上記封止シート用組成物は、硬化促進剤を含有することが好ましい。
上記硬化促進剤を含有することによって、本発明の光半導体用封止シートを加熱後早期に硬化させることができる。
上記硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類;1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等の第3級アミン類及びその塩類;トリフェニルホスフィン等のホスフィン類;トリフェニルホスホニウムブロマイド等のホスホニウム塩類;アミノトリアゾール類、オクチル酸錫、ジブチル錫ジラウレート等の錫系、オクチル酸亜鉛等の亜鉛系、アルミニウム、クロム、コバルト、ジルコニウム等のアセチルアセトナート等の金属触媒類等が挙げられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
It is preferable that the said composition for sealing sheets contains a hardening accelerator.
By containing the said hardening accelerator, the sealing sheet for optical semiconductors of this invention can be hardened early after a heating.
The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include imidazoles such as 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole; and third compounds such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7. Phosphines such as triphenylphosphine; phosphonium salts such as triphenylphosphonium bromide; tins such as aminotriazoles, tin octylate and dibutyltin dilaurate, zincs such as zinc octylate, aluminum, And metal catalysts such as acetylacetonate such as chromium, cobalt, and zirconium. These hardening accelerators may be used independently and may use 2 or more types together.

上記硬化促進剤の配合量としては特に限定されないが、上記シリコーン樹脂100重量部に対して、好ましい下限は0.01重量部、好ましい上限5重量部である。0.01重量部未満であると、上記硬化促進剤を添加する効果が得られず、5重量部を超えると、硬化物の着色や耐熱性、耐光性の低下が著しくなるため好ましくない。より好ましい下限は0.05重量部であり、より好ましい上限は1.5重量部である。 Although it does not specifically limit as a compounding quantity of the said hardening accelerator, A preferable minimum is 0.01 weight part with respect to 100 weight part of said silicone resins, and a preferable upper limit is 5 weight part. If it is less than 0.01 part by weight, the effect of adding the curing accelerator cannot be obtained, and if it exceeds 5 parts by weight, the coloration of the cured product, heat resistance, and light resistance are significantly reduced, which is not preferable. A more preferred lower limit is 0.05 parts by weight, and a more preferred upper limit is 1.5 parts by weight.

上記封止シート用組成物は、酸化防止剤を含有することが好ましい。
上記酸化防止剤としては、例えば、ホスファイト骨格、ホスホナイト骨格、ホスフェート骨格及びホスフィネート骨格からなる群より選択される少なくとも1種の骨格を有するリン系化合物(以下、単にリン系化合物ともいう)、及び、少なくとも第2位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体であるフェノール系化合物(以下、単にフェノール系化合物ともいう)が好適に用いられる。
酸化防止剤として、上記リン系化合物及びフェノール系化合物を含有することで、本発明の光半導体用封止シートは、使用環境下において硬化物に黄変が生じることがなく耐熱性に優れたものとなる。これは、以下に挙げる理由によると考えられる。
It is preferable that the said composition for sealing sheets contains antioxidant.
Examples of the antioxidant include a phosphorus compound having at least one skeleton selected from the group consisting of a phosphite skeleton, a phosphonite skeleton, a phosphate skeleton, and a phosphinate skeleton (hereinafter also simply referred to as a phosphorus compound), and A phenolic compound which is a substituted phenol derivative having an alkyl group at least at the second position (hereinafter also simply referred to as a phenolic compound) is preferably used.
By containing the above phosphorus compound and phenol compound as an antioxidant, the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention has excellent heat resistance without yellowing in the cured product under the usage environment. It becomes. This is considered to be due to the following reasons.

すなわち、従来のエポキシシリコーン樹脂を含有する熱硬化性組成物の硬化物に生じる黄変は、高温環境時(使用条件下)に生じたラジカルや過酸化物等から生成する黄変原因物質であると考えられており、一方、フェノール系化合物は、高温環境時(使用条件下)に生じたラジカルを安定化させる機能を有し、上記リン系化合物は、上記過酸化物を分解する機能を有する。上記封止シート用組成物が、酸化防止剤として、上記リン系化合物及びフェノール系化合物を併用することで、上記フェノール化合物及びリン系化合物のそれぞれ有する機能の相乗効果が生まれ、上記黄変原因物質を効率的に安定化又は分解することができるものと考えられる。
より詳細には、上記封止シート用組成物において、上記リン系化合物は、後述するようにリン原子に隣接する酸素原子を有するものであるため、該酸素原子と上記フェノール系化合物の水酸基とが水素結合を形成することで、上記フェノール系化合物とリン系化合物との相互作用が大きくなる。その結果、上記黄変原因物質を安定化及び分解する機能が高められ、耐熱性が従来のエポキシシリコーンを含有する熱硬化性組成物と比較して極めて優れたものとなると考えられる。
更に、上記リン系化合物が後述する芳香族環を有する構造であると、フェノール系化合物の芳香族環との間で相互作用が生じ、上記黄変原因物質を安定化及び分解する機能がより一層高められると考えられる。
That is, yellowing that occurs in a cured product of a thermosetting composition containing a conventional epoxy silicone resin is a substance that causes yellowing that is generated from radicals, peroxides, and the like that are generated in a high-temperature environment (use conditions). On the other hand, the phenolic compound has a function of stabilizing radicals generated under a high temperature environment (use conditions), and the phosphorus compound has a function of decomposing the peroxide. . When the composition for sealing sheets uses the phosphorus compound and the phenol compound together as an antioxidant, a synergistic effect of the functions of the phenol compound and the phosphorus compound is born, and the yellowing cause substance It is considered that can be efficiently stabilized or decomposed.
More specifically, in the composition for encapsulating sheets, since the phosphorus compound has an oxygen atom adjacent to the phosphorus atom as described later, the oxygen atom and the hydroxyl group of the phenol compound are By forming a hydrogen bond, the interaction between the phenol compound and the phosphorus compound increases. As a result, it is considered that the function of stabilizing and decomposing the yellowing cause substance is enhanced, and the heat resistance is extremely excellent as compared with a thermosetting composition containing a conventional epoxy silicone.
Furthermore, when the phosphorus compound has a structure having an aromatic ring, which will be described later, an interaction occurs with the aromatic ring of the phenol compound, and the function of stabilizing and decomposing the yellowing cause substance is further enhanced. It is thought that it is raised.

上記リン系化合物は、ホスファイト骨格、ホスホナイト骨格、ホスフェート骨格及びホスフィネート骨格からなる群より選択される少なくとも1種の骨格を有するものである。これらの骨格を有することで、上記リン系化合物は、リン原子に隣接する酸素原子を有するものとなり、上記封止シート用組成物中に発生する黄変原因物質を効率よく分解することができる。なかでも、ホスファイト骨格及び/又はホスホナイト骨格を有するリン系化合物が好ましい。 The phosphorus compound has at least one skeleton selected from the group consisting of a phosphite skeleton, a phosphonite skeleton, a phosphate skeleton, and a phosphinate skeleton. By having these skeletons, the phosphorus compound has an oxygen atom adjacent to the phosphorus atom, and can efficiently decompose the yellowing cause substance generated in the composition for a sealing sheet. Of these, phosphorus compounds having a phosphite skeleton and / or a phosphonite skeleton are preferable.

上記ホスファイト骨格を有するリン系化合物としては特に限定されず、例えば、1,1,3−トリス(2−メチル−4−ジトリデシルホスファイト−5−tert−ブチルフェニル)ブタン、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルビスフェノールAペンタエリスリトールジホスファイト、ジシクロヘキシルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス(ジエチルフェニル)ホスファイト、トリス(ジ−イソプロピルフェニル)ホスファイト、トリス(ジ−n−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)(2−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェニル)(2−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、2,2’−エチリデンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェニル)(2−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト等が挙げられる。 The phosphorus compound having the phosphite skeleton is not particularly limited. For example, 1,1,3-tris (2-methyl-4-ditridecylphosphite-5-tert-butylphenyl) butane, distearyl pentaerythritol Diphosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, bis (2,6-di-tert-butyl-4-methylphenyl) pentaerythritol diphosphite, phenylbisphenol A penta Erythritol diphosphite, dicyclohexylpentaerythritol diphosphite, tris (diethylphenyl) phosphite, tris (di-isopropylphenyl) phosphite, tris (di-n-butylphenyl) phosphite, tris (2,4-di-) tert Butylphenyl) phosphite, tris (2,6-di-tert-butylphenyl) phosphite, tris (2,6-di-tert-butylphenyl) phosphite, 2,2′-methylenebis (4,6-di) -Tert-butylphenyl) (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, 2,2'-methylenebis (4,6-di-tert-butylphenyl) (2-tert-butyl-4-methylphenyl) ) Phosphite, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenyl) (2-tert-butyl-4-methylphenyl) phosphite, 2,2′-ethylidenebis (4-methyl-6) -Tert-butylphenyl) (2-tert-butyl-4-methylphenyl) phosphite.

上記ホスホナイト骨格を有するリン系化合物としては特に限定されず、例えば、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,3’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−3,3’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,3’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)−3,3’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−フェニルホスホナイト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−3−フェニル−フェニルホスホナイト、ビス(2,6−ジ−n−ブチルフェニル)−3−フェニル−フェニルホスホナイト、ビス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−フェニルホスホナイト、ビス(2,6−ジ−tert−ブチルフェニル)−3−フェニル−フェニルホスホナイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチル−5−メチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト等が挙げられる。 The phosphorus compound having the phosphonite skeleton is not particularly limited, and examples thereof include tetrakis (2,4-di-tert-butylphenyl) -4,4′-biphenylenediphosphonite, tetrakis (2,4-di-tert). -Butylphenyl) -4,3'-biphenylenediphosphonite, tetrakis (2,4-di-tert-butylphenyl) -3,3'-biphenylenediphosphonite, tetrakis (2,6-di-tert-butyl) Phenyl) -4,4′-biphenylenediphosphonite, tetrakis (2,6-di-tert-butylphenyl) -4,3′-biphenylenediphosphonite, tetrakis (2,6-di-tert-butylphenyl) -3,3'-biphenylenediphosphonite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) -4-fe Ru-phenylphosphonite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) -3-phenyl-phenylphosphonite, bis (2,6-di-n-butylphenyl) -3-phenyl-phenylphosphonite, Bis (2,6-di-tert-butylphenyl) -4-phenyl-phenylphosphonite, bis (2,6-di-tert-butylphenyl) -3-phenyl-phenylphosphonite, tetrakis (2,4- And di-tert-butyl-5-methylphenyl) -4,4′-biphenylenediphosphonite.

上記ホスフェート骨格を有するリン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクロルフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルクレジルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられる。 The phosphorus compound having the above phosphate skeleton is not particularly limited, and examples thereof include tributyl phosphate, trimethyl phosphate, tricresyl phosphate, triphenyl phosphate, trichlorophenyl phosphate, triethyl phosphate, diphenyl cresyl phosphate, diphenyl monoorthoxenyl phosphate. , Tributoxyethyl phosphate, dibutyl phosphate, dioctyl phosphate, diisopropyl phosphate and the like.

上記ホスフィネート骨格を有するリン系化合物としては特に限定されず、例えば、9,10−ジ−ヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントロリン−10−オキシド等が挙げられる。 The phosphorus compound having the phosphinate skeleton is not particularly limited, and examples thereof include 9,10-di-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthroline-10-oxide.

上記リン系化合物は、分子内に1以上の芳香族環を有する化合物であることが好ましい。このような分子内に1以上の芳香族環を有するリン系酸化防止剤は、分子内の芳香族環と後述するフェノール系化合物の芳香族環との間で相互作用が生じ、上述したリン系化合物とフェノール系化合物との相互作用がより大きくなる。その結果、上述した黄変原因物質の安定化又は分解させる機能がより高めることができ、上記封止シート用組成物の耐熱性をより高めることができる。
なお、上記封止シート用組成物において、上述したリン系化合物は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
The phosphorus compound is preferably a compound having one or more aromatic rings in the molecule. Such a phosphorus-based antioxidant having one or more aromatic rings in the molecule causes an interaction between the aromatic ring in the molecule and the aromatic ring of the phenolic compound described later, and the phosphorus-based compound described above. The interaction between the compound and the phenolic compound is further increased. As a result, the function of stabilizing or decomposing the yellowing cause substance described above can be further enhanced, and the heat resistance of the sealing sheet composition can be further enhanced.
In addition, in the said composition for sealing sheets, the phosphorus compound mentioned above may be used independently, and 2 or more types may be used together.

上記リン系化合物の配合量としては特に限定されないが、上記シリコーン樹脂100重量部に対して、好ましい下限は0.01重量部、好ましい上限は2.0重量部である。0.01重量部未満であると、上記リン系化合物を添加する効果が得られないことがあり、2.0重量部を超えると、耐光性の低下が著しくなるため好ましくない。より好ましい下限は0.05重量部であり、より好ましい上限は1.0重量部である。 The amount of the phosphorus compound is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.01 part by weight and a preferable upper limit is 2.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin. If the amount is less than 0.01 parts by weight, the effect of adding the phosphorus compound may not be obtained. If the amount exceeds 2.0 parts by weight, the light resistance is significantly lowered, which is not preferable. A more preferred lower limit is 0.05 parts by weight, and a more preferred upper limit is 1.0 part by weight.

上記フェノール系化合物は、少なくとも第2位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体である。上記フェノール系化合物が、第2位にアルキル基を有さないものであると、高温環境時に生じたラジカルを安定化させる機能が見られなくなってしまうものとなる。
なお、本明細書において上記置換フェノール誘導体におけるアルキル基等の置換基の位置番号は、OH基に結合した炭素を第1位として時計回り、又は、反時計回りに第2、第3、第4、第5、第6と番号を振った場合の番号を意味する。従って、IUPACの命名法とは必ずしも一致しない。
The phenolic compound is a substituted phenol derivative having an alkyl group at least at the second position. If the phenolic compound does not have an alkyl group at the second position, the function of stabilizing radicals generated in a high temperature environment will not be observed.
In the present specification, the position numbers of the substituents such as alkyl groups in the substituted phenol derivatives are the second, third, and fourth positions clockwise or counterclockwise with the carbon bonded to the OH group as the first position. , 5 and 6 means the number when numbered. Therefore, it does not necessarily match the IUPAC nomenclature.

上記置換フェノール誘導体におけるアルキル基は、分岐点を有していてもよく、炭素数1〜8であるアルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基としては具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−オクチル基等が挙げられる。なかでも、メチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基のいずれかであることが好ましい。
The alkyl group in the substituted phenol derivative may have a branch point, and is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a tert-pentyl group, and a tert-octyl group. Can be mentioned. Of these, a methyl group, a tert-butyl group, or a tert-pentyl group is preferable.

上記少なくとも第2位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体としては特に限定されないが、例えば、第2位及び第6位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体、第2位にアルキル基を有し、第6位にメチレン基又はメチン基を有する置換フェノール誘導体、及び、第2位及び第5位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体からなる群より選択される少なくとも1種が好適に用いられる。 The substituted phenol derivative having an alkyl group at least at the second position is not particularly limited. For example, a substituted phenol derivative having an alkyl group at the second position and the sixth position, an alkyl group at the second position, At least one selected from the group consisting of a substituted phenol derivative having a methylene group or a methine group at the position and a substituted phenol derivative having an alkyl group at the 2nd and 5th positions is preferably used.

上記第2位及び第6位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体としては特に限定はされず、例えば、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、n−オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、テトラキス[メチレン−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、2,4−ジ−tert−ブチル−6−メチルフェノール、1,6−ヘキサンジオール−ビス−[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、ペンタエリスリチル−テトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、3,9−ビス−〔2−[3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニルオキシ]−1,1−ジメチルエチル〕−2,4,8,10−テトラオキサスピロ〔5,5〕ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等が挙げられる。 The substituted phenol derivative having an alkyl group at the second position and the sixth position is not particularly limited, and examples thereof include 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, n-octadecyl-3- (3, 5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tetrakis [methylene-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane, 2,4-di-tert-butyl -6-methylphenol, 1,6-hexanediol-bis- [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris (3,5-di-tert-butyl-4 -Hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl- -Hydroxybenzyl) benzene, pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 3,9-bis- [2- [3- (3-tert- Butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) -propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane, triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and the like.

上記第2位にアルキル基を有し、第6位にメチレン基又はメチン基を有する置換フェノール誘導体としては特に限定されず、例えば、2,2’−ブチリデンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、2−tert−ブチル−6−(3−tert−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェノールアクリレート、2−[1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−tert−ペンチルフェニルアクリレート等が挙げられる。 The substituted phenol derivative having an alkyl group at the 2nd position and a methylene group or a methine group at the 6th position is not particularly limited. For example, 2,2′-butylidenebis (4,6-di-tert-butylphenol ), 4,4′-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-ethyl-6) -Tert-butylphenol), 2-tert-butyl-6- (3-tert-butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-methylphenol acrylate, 2- [1- (2-hydroxy-3,5 -Di-tert-pentylphenyl) ethyl] -4,6-di-tert-pentylphenyl acrylate and the like.

上記第2位及び第5位にアルキル基を有する置換フェノール誘導体としては特に限定されず、例えば、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)等が挙げられる。 The substituted phenol derivative having an alkyl group at the second position and the fifth position is not particularly limited. For example, 4,4′-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-butylidenebis ( 3-methyl-6-tert-butylphenol) and the like.

また、上記フェノール系化合物は、第6位にアルキル基を有さない置換フェノール誘導体であることが好ましい。このような置換フェノール誘導体を含有することで、本発明の光半導体用封止シートの耐熱性がより一層向上する。これは、上記第6位にアルキル基を有さない置換フェノール誘導体は、OH基に対して一方のオルト位のみにアルキル基を有する構造であり、OH基周辺の立体障害を取り除くことができるため、上記リン系化合物のリン原子に隣接する酸素原子と、フェノール系化合物のOH基との水素結合が形成されやすくなると考えられる。その結果、上記リン系化合物とフェノール系化合物との相互作用が大きくなり、上述の黄変原因物質を安定化、又は、分解させる機能が高まるからであると考えられる。 Moreover, it is preferable that the said phenol type compound is a substituted phenol derivative which does not have an alkyl group in 6th position. By containing such a substituted phenol derivative, the heat resistance of the optical semiconductor encapsulating sheet of the present invention is further improved. This is because the substituted phenol derivative having no alkyl group at the 6-position has a structure having an alkyl group only at one ortho position with respect to the OH group, so that steric hindrance around the OH group can be removed. It is considered that a hydrogen bond between the oxygen atom adjacent to the phosphorus atom of the phosphorus compound and the OH group of the phenol compound is likely to be formed. As a result, it is considered that the interaction between the phosphorus compound and the phenol compound is increased, and the function of stabilizing or decomposing the yellowing cause substance is enhanced.

上記第6位にアルキル基を有さない置換フェノール誘導体としては特に限定はされず、例えば、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2,4−ジ−tert−ブチルフェノール、2,4−ジ−tert−ペンチルフェノール、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、ビス−[3,3−ビス−(4’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチルフェニル)−ブタノイックアシッド]−グリコールエステル等が挙げられる。 The substituted phenol derivative having no alkyl group at the 6-position is not particularly limited, and examples thereof include 2-tert-butyl-4-methylphenol, 2,4-di-tert-butylphenol, 2,4-di -Tert-pentylphenol, 4,4'-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol), bis- [3,3-bis -(4'-hydroxy-3'-tert-butylphenyl) -butanoic acid] -glycol ester and the like.

上記フェノール系化合物は、第4位に4級炭素含有基を有することが好ましい。このようなフェノール系化合物を含有することで、本発明の光半導体用封止シートの耐熱性がより一層向上する。これは、第4位に4級炭素を有さないフェノール系化合物は、過酷な条件での使用中に分子内反応や分子間反応でキノン骨格を有する黄変原因物質を生成し、黄変が生じる可能性があるのに対し、上記第4位に4級炭素含有基を有するフェノール系化合物は、上記黄変原因物質の生成を防ぐことができるためと考えられる。 The phenolic compound preferably has a quaternary carbon-containing group at the fourth position. By containing such a phenolic compound, the heat resistance of the encapsulating sheet for optical semiconductors of the present invention is further improved. This is because a phenolic compound having no quaternary carbon at the 4th position generates a yellowing cause substance having a quinone skeleton by an intramolecular reaction or an intermolecular reaction during use under severe conditions. While this may occur, the phenolic compound having a quaternary carbon-containing group at the fourth position is considered to be able to prevent generation of the yellowing cause substance.

上記第4位に4級炭素含有基を有するフェノール系化合物としては特に限定されず、例えば、2,4−ジ−tert−ブチルフェノール、2,4−ジ−tert−ペンチルフェノール、2−[1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−tert−ペンチルフェニルアクリレート、ビス−[3,3−ビス−(4’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチルフェニル)−ブタノイックアシッド]−グリコールエステル等が挙げられる。 The phenolic compound having a quaternary carbon-containing group at the fourth position is not particularly limited. For example, 2,4-di-tert-butylphenol, 2,4-di-tert-pentylphenol, 2- [1- (2-hydroxy-3,5-di-tert-pentylphenyl) ethyl] -4,6-di-tert-pentylphenyl acrylate, bis- [3,3-bis- (4′-hydroxy-3′-tert) -Butylphenyl) -butanoic acid] -glycol ester and the like.

上述したフェノール系化合物のなかでも、特に、ビス−[3,3−ビス−(4’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチルフェニル)−ブタノイックアシッド]−グリコールエステル、2−[1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−tert−ペンチルフェニルアクリレートを用いることが好ましい。 Among the phenolic compounds mentioned above, in particular, bis- [3,3-bis- (4′-hydroxy-3′-tert-butylphenyl) -butanoic acid] -glycol ester, 2- [1- ( 2-hydroxy-3,5-di-tert-pentylphenyl) ethyl] -4,6-di-tert-pentylphenyl acrylate is preferably used.

上記フェノール系化合物は、市販品を用いることもできる。市販されているフェノール系化合物としては特に限定されず、例えば、IRGANOX 1010、IRGANOX 1035、IRGANOX 1076、IRGANOX 1135、IRGANOX 245、IRGANOX 259、IRGANOX 295(以上、いずれもチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)、アデカスタブ AO−30、アデカスタブ AO−40、アデカスタブ AO−50、アデカスタブ AO−60、アデカスタブ AO−70、アデカスタブ AO−80、アデカスタブ AO−90、アデカスタブ AO−330(以上、いずれもADEKA社製)、Sumilizer GA−80、Sumilizer MDP−S、Sumilizer BBM−S、Sumilizer GM、Sumilizer GS(F)、Sumilizer GP(以上、いずれも住友化学工業社製)、HOSTANOX O10、HOSTANOX O16、HOSTANOX O14、HOSTANOX O3、(以上、いずれもクラリアント社製)、アンテージ BHT、アンテージ W−300、アンテージ W−400、アンテージ W500(以上、いずれも川口化学工業社製)、SEENOX 224M、SEENOX 326M(以上、いずれもシプロ化成社製)等が挙げられる。 A commercial item can also be used for the said phenolic compound. It does not specifically limit as a phenol type compound marketed, For example, IRGANOX 1010, IRGANOX 1035, IRGANOX 1076, IRGANOX 1135, IRGANOX 245, IRGANOX 259, IRGANOX 295 (all are the Ciba Specialty Chemicals company make), ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO-90, ADK STAB AO-330 (all of which are manufactured by ADEKA), Sumiliz GA-80, Sumilizer MDP-S, Sumilizer BBM-S, Sumilizer GM, Sumilizer G S (F), Sumilizer GP (all of which are manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), HOSTANOX O10, HOSTANOX O16, HOSTANOX O14, HOSTANOX O3 (all of which are manufactured by Clariant), Antage BHT, Antage W-300, Antage W-400, Antage W500 (all are manufactured by Kawaguchi Chemical Industry Co., Ltd.), SEENOX 224M, SEENOX 326M (all are manufactured by Sipro Kasei Co., Ltd.), and the like.

上記フェノール系化合物の配合量としては特に限定されないが、上記シリコーン樹脂100重量部に対して、好ましい下限は0.01重量部、好ましい上限は2.0重量部である。0.01重量部未満であると、上記フェノール系化合物を添加する効果が得られないことがあり、2.0重量部を超えると、耐光性の低下が著しくなるため好ましくない。より好ましい下限は0.05重量部であり、より好ましい上限は1.0重量部である。 The blending amount of the phenol compound is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.01 part by weight and a preferable upper limit is 2.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin. If the amount is less than 0.01 parts by weight, the effect of adding the phenolic compound may not be obtained. If the amount exceeds 2.0 parts by weight, the light resistance is significantly lowered, which is not preferable. A more preferred lower limit is 0.05 parts by weight, and a more preferred upper limit is 1.0 part by weight.

上記封止シート用組成物が上記リン系化合物とフェノール系化合物とを含有する場合、上記リン系化合物とフェノール系化合物との配合比としては特に限定されないが、「リン系化合物/フェノール系化合物」(重量比)の好ましい下限が0.1、好ましい上限が20である。0.1未満であると、リン系化合物を添加する効果が得られないことがあり、20を超えると、フェノール系化合物を添加する効果が得られないことがある。より好ましい下限は0.5であり、より好ましい上限は10である。 When the composition for a sealing sheet contains the phosphorus compound and the phenol compound, the compounding ratio of the phosphorus compound and the phenol compound is not particularly limited, but “phosphorus compound / phenol compound” A preferred lower limit (weight ratio) is 0.1, and a preferred upper limit is 20. If it is less than 0.1, the effect of adding a phosphorus compound may not be obtained, and if it exceeds 20, the effect of adding a phenol compound may not be obtained. A more preferred lower limit is 0.5, and a more preferred upper limit is 10.

上記封止シート用組成物は、蛍光体を含有することが好ましい。
上記蛍光体は、本発明の光半導体素子用封止シートを用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるものであれば特に限定されず、少なくとも1種の蛍光体を適宜選択して用いることができる。すなわち、上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
It is preferable that the said composition for sealing sheets contains fluorescent substance.
The phosphor can absorb light emitted from a light emitting element encapsulated using the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention and generate fluorescence to finally obtain light of a desired color. Any material can be used without particular limitation, and at least one phosphor can be appropriately selected and used. That is, the phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.

上記発光素子と蛍光体との組み合わせとしては特に限定されないが、例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましく、発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。 The combination of the light-emitting element and the phosphor is not particularly limited. For example, when it is intended to finally obtain white light using an ultraviolet LED chip as the light-emitting element, a blue phosphor or a red phosphor The green phosphor and the green phosphor are preferably used in combination. When the blue LED chip is used as the light emitting element and the final goal is to obtain white light, the green phosphor and the red phosphor are used in combination. Or a yellow phosphor is preferably used.

上記青色蛍光体としては、紫外線を吸収し青色の蛍光を発する蛍光体であれば特に限定されず、例えば、(Sr、Ca、Ba、Mg)10(POCl:Eu、(Ba、Sr)MgAl1017:Eu、(Sr、Ba)MgSi:Eu等が挙げられる。 The blue phosphor is not particularly limited as long as it absorbs ultraviolet rays and emits blue fluorescence. For example, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, (Ba , Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu, and the like.

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)SI:Eu、CaSiN:Eu、CaAlSiN:Eu、YS:Eu、LaS:Eu、LiW:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(POCl:(Eu、Mn)、BaMgSi:(Eu、Mn)等が挙げられる。 The red phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 SI 5 N 8 : Eu, CaSiN 2 : Eu, CaAlSiN 3 : Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y(Al、Ga)12:Ce、SrGa:Eu、CaScSi12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl1017(Eu、Mn)、SrAl:Eu等が挙げられる。 The green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、YAl12:Ce、(Y、Gd)Al12:Ce、TbAl12:Ce、CaGa:Eu、SrSiO:Eu等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes the yellow phosphor, for example, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, CaGa 2 S 4: Eu , Sr 2 SiO 4 : Eu, and the like.

上記蛍光体としてはこの他にも、有機蛍光体として、ペリレン系化合物等が挙げられる。 In addition to the above phosphors, perylene compounds and the like can be cited as organic phosphors.

上記蛍光体は、ナノ粒子化されていることが好ましい。ナノ粒子化されることによって、光の散乱を低減することが可能となる。 The phosphor is preferably made into nanoparticles. By forming nanoparticles, light scattering can be reduced.

上記蛍光体は、一次粒子径の好ましい下限が0.1μm、好ましい上限が100μmである。0.1μm未満であると、封止剤への分散性が低下することがある。100μmを超えると、得られる光半導体素子(パッケージ)から外に出る光の量が著しく減少してしまうことがある。
なお、本明細書において、上記蛍光体の一次粒子径とは、上記蛍光体が球形である場合には蛍光体の直径の平均値を意味し、非球形である場合には蛍光体の長径の平均値を意味する。
The phosphor has a preferable lower limit of the primary particle diameter of 0.1 μm and a preferable upper limit of 100 μm. If it is less than 0.1 μm, the dispersibility in the sealant may decrease. When the thickness exceeds 100 μm, the amount of light emitted from the obtained optical semiconductor element (package) may be significantly reduced.
In the present specification, the primary particle diameter of the phosphor means an average value of the diameter of the phosphor when the phosphor is spherical, and the major diameter of the phosphor when the phosphor is non-spherical. Mean value.

上記蛍光体の配合量としては特に限定されないが、上記樹脂成分100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が20重量部である。0.1重量部未満であると、所望の色の光が得られないことがある。20重量部を超えると、得られる光半導体素子(パッケージ)から外に出る光の量が著しく減少してしまうことがある。 The blending amount of the phosphor is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.1 part by weight and a preferable upper limit is 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. If it is less than 0.1 part by weight, light of a desired color may not be obtained. If the amount exceeds 20 parts by weight, the amount of light emitted from the resulting optical semiconductor element (package) may be significantly reduced.

上記封止シート用組成物は、接着性付与のためにカップリング剤を含有してもよい。
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤等が挙げられる。これらカップリング剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
The composition for sealing sheets may contain a coupling agent for imparting adhesion.
The coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, Examples thereof include silane coupling agents such as N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane. These coupling agents may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記カップリング剤の配合割合としては、上記シリコーン樹脂100重量部に対して、好ましい下限が0.1重量部、好ましい上限が5重量部である。0.1重量部未満であると、カップリング剤の配合効果が充分発揮されないことがあり、5重量部を超えると、余剰のカップリング剤が揮発し、本発明の光半導体用封止シートを硬化させたときに、膜減り等を起こすことがある。 As a blending ratio of the coupling agent, a preferable lower limit is 0.1 part by weight and a preferable upper limit is 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin. If the amount is less than 0.1 parts by weight, the effect of blending the coupling agent may not be sufficiently exhibited. If the amount exceeds 5 parts by weight, the excess coupling agent volatilizes, and the optical semiconductor sealing sheet of the present invention is used. When cured, it may cause film loss.

上記封止シート用組成物は、必要に応じて、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー、難燃剤等の添加剤が配合されていてもよい。 The sealing sheet composition may contain additives such as an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, a heat conductive filler, and a flame retardant, as necessary.

上記封止シート用組成物の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記シリコーン樹脂A、熱硬化剤、上記シリコーン樹脂B、及び、必要に応じて、上記酸化ケイ素微粒子、硬化促進剤、酸化防止剤等の各所定量を混合する方法等が挙げられる。 The method for producing the composition for a sealing sheet is not particularly limited. For example, using a mixer such as a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader, a triple roll, a bead mill, Below, the said silicone resin A, the thermosetting agent, the said silicone resin B, and the method of mixing each predetermined amount of the said silicon oxide microparticles | fine-particles, a hardening accelerator, antioxidant, etc. as needed are mentioned.

本発明の光半導体用封止シートは、上記封止シート用組成物からなる。
本発明の光半導体用封止シートの製造方法としては特に限定されず、上記封止シート用組成物を溶剤で希釈し混合・脱泡する。その後、例えば、スクリーン印刷等の方法を用いて、上記溶剤で希釈した封止シート用組成物を離型PETシート等の基材上に塗工し、加熱・乾燥する方法、バーコーターを用いて上記溶剤で希釈した封止シート用組成物を離型PETシート等の基材上に塗工し、加熱・乾燥する方法等が挙げられる。
上記加熱・乾燥の条件としては特に限定されず、熱風循環式オーブンや遠赤外線加熱炉等を用いて、10秒〜30分間、50〜150℃の温度で乾燥する方法等が挙げられる。
The sealing sheet for optical semiconductors of this invention consists of the said composition for sealing sheets.
It does not specifically limit as a manufacturing method of the sealing sheet for optical semiconductors of this invention, The said composition for sealing sheets is diluted with a solvent, and is mixed and degassed. Then, for example, using a method such as screen printing, the composition for a sealing sheet diluted with the above solvent is coated on a base material such as a release PET sheet, heated and dried, using a bar coater Examples include a method of coating a composition for a sealing sheet diluted with the above solvent on a substrate such as a release PET sheet, and heating and drying.
The heating / drying conditions are not particularly limited, and examples thereof include a method of drying at a temperature of 50 to 150 ° C. for 10 seconds to 30 minutes using a hot air circulating oven, a far infrared heating furnace, or the like.

本発明の光半導体用封止シートの製造方法において、上記封止シート用組成物の希釈に用いる溶剤としては特に限定されず、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;ヘキサン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒等が挙げられる。なかでも、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、具体的には例えば、酢酸エチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等が好ましい。 In the method for producing an optical semiconductor encapsulating sheet of the present invention, the solvent used for diluting the encapsulating sheet composition is not particularly limited. For example, ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl Examples include ketone solvents such as ketone and cyclohexanone; hydrocarbon solvents such as hexane, toluene, xylene and cyclohexane; ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate; alcohol solvents such as methanol and ethanol. Of these, ester solvents and ketone solvents are preferable, and specifically, for example, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and the like are preferable.

本発明の光半導体素子用封止シートは、硬化させた硬化物の耐光性試験後の光線透過率の低下率が10%未満であることが好ましい。10%以上であると、本発明の光半導体素子用封止シートを用いてなる光半導体素子の光学特性が不充分となることがある。なお、上記耐光性試験とは、本発明の光半導体素子用封止シートを硬化させた厚さ1mmの硬化物に、高圧水銀ランプに波長340nm以下の光をカットするフィルターを装着し、100mW/cmで24時間照射する試験であり、上記耐光試験後の光線透過率は、上記耐光性試験後の上記硬化物を用いて、波長400nmの光の透過率を日立製作所社製「U−4000」を用いて測定した値である。 In the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention, it is preferable that the reduction rate of the light transmittance after the light resistance test of the cured product is less than 10%. When it is 10% or more, the optical characteristics of the optical semiconductor element using the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention may be insufficient. The light resistance test described above is a 1 mm thick cured product obtained by curing the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention, and a high-pressure mercury lamp fitted with a filter that cuts light having a wavelength of 340 nm or less. The light transmittance after the light resistance test is a test of irradiating at cm 2 for 24 hours, and the light transmittance at a wavelength of 400 nm is set to “U-4000” manufactured by Hitachi, Ltd. using the cured product after the light resistance test. It is the value measured using "."

本発明の光半導体素子用封止シートは、硬化させた硬化物の耐熱性試験後の光線透過率の低下率が10%未満であることが好ましい。10%以上であると、本発明の光半導体素子用封止シートを用いてなる光半導体素子の光学特性が不充分となることがある。なお、上記耐熱性試験とは、本発明の光半導体素子用封止シートを硬化させた厚さ1mmの硬化物を150℃のオーブンに500時間放置する試験であり、上記耐熱性試験後の光線透過率は、上記耐熱性試験後の上記硬化物を用いて、波長400nmの光の透過率を日立製作所社製「U−4000」を用いて測定した値である。 In the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention, it is preferable that the reduction rate of the light transmittance after the heat resistance test of the cured product is less than 10%. When it is 10% or more, the optical characteristics of the optical semiconductor element using the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention may be insufficient. The heat resistance test is a test in which a cured product having a thickness of 1 mm obtained by curing the sealing sheet for optical semiconductor elements of the present invention is left in an oven at 150 ° C. for 500 hours. The transmittance is a value obtained by measuring the transmittance of light having a wavelength of 400 nm using “U-4000” manufactured by Hitachi, Ltd., using the cured product after the heat resistance test.

本発明の光半導体素子用封止シートを用いて発光素子を封止することによって、光半導体素子を製造することができる。本発明の光半導体用封止シートを用いてなる光半導体素子もまた、本発明の1つである。 An optical semiconductor element can be manufactured by sealing a light emitting element using the sealing sheet for optical semiconductor elements of this invention. The optical semiconductor element using the sealing sheet for optical semiconductors of the present invention is also one aspect of the present invention.

上記発光素子としては特に限定されず、例えば、上記光半導体素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上に半導体材料を積層して形成したものが挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、SiC等が挙げられる。
上記基板としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料の間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層としては、例えば、GaN、AlN等が挙げられる。
The light emitting element is not particularly limited. For example, when the optical semiconductor element is a light emitting diode, for example, a semiconductor material stacked on a substrate can be used. In this case, examples of the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.
Examples of the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. In addition, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the buffer layer include GaN and AlN.

上記基板上へ半導体材料を積層する方法としては特に限定されず、例えば、MOCVD法、HDVPE法、液相成長法等が挙げられる。
上記発光素子の構造としては、例えば、MIS接合、PN接合、PIN接合を有するホモ接合、ヘテロ接合、ダブルヘテロ構造等が挙げられる。また、単一又は多重量子井戸構造とすることもできる。
The method for laminating the semiconductor material on the substrate is not particularly limited, and examples thereof include MOCVD, HDVPE, and liquid phase growth.
Examples of the structure of the light emitting element include a homojunction having a MIS junction, a PN junction, and a PIN junction, a heterojunction, and a double heterostructure. Moreover, it can also be set as a single or multiple quantum well structure.

本発明の光半導体素子用封止シートで発光素子を封止する方法としては特に限定されず、例えば、複数の発光素子の上に、本発明の光半導体用封止シートを載置した後、加熱圧着する方法、真空化に減圧した後に過熱圧着する方法等が挙げられる。
上記いずれの方法であっても、本発明の光半導体素子用封止シートは、初期タック性と適度な柔軟性とを有し、ラミネート性が高い。また、本発明の光半導体用封止シートは、シート形状を有するため、複数の発光素子を封止した場合であっても、各発光素子について封止シートの高さが異なることなく、得られる光学特性にバラツキが生じることもない。更に、本発明の光半導体用封止シートは、加熱により硬化した後には、優れた密着性、耐熱性及び耐光性を発揮することができる。そのため、複数の発光素子を同時に効率良く封止することが可能である。
The method for sealing the light emitting element with the sealing sheet for optical semiconductor elements of the present invention is not particularly limited. For example, after placing the sealing sheet for optical semiconductors of the present invention on a plurality of light emitting elements, Examples thereof include a method of thermocompression bonding, a method of overheat pressure bonding after reducing the pressure to vacuum.
In any of the above methods, the encapsulating sheet for optical semiconductor elements of the present invention has initial tackiness and moderate flexibility and high laminating properties. Moreover, since the sealing sheet for optical semiconductors of this invention has a sheet | seat shape, even if it is a case where a several light emitting element is sealed, it can obtain without the height of a sealing sheet differing about each light emitting element. There is no variation in optical characteristics. Furthermore, the optical semiconductor encapsulating sheet of the present invention can exhibit excellent adhesion, heat resistance and light resistance after being cured by heating. Therefore, it is possible to efficiently seal a plurality of light emitting elements simultaneously.

本発明の光半導体素子は、具体的には、例えば、発光ダイオード、半導体レーザー、フォトカプラ等が挙げられる。このような本発明の光半導体素子は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト、スイッチング素子等に好適に用いることができる。 Specific examples of the optical semiconductor element of the present invention include a light emitting diode, a semiconductor laser, and a photocoupler. Such an optical semiconductor element of the present invention includes, for example, a backlight such as a liquid crystal display, illumination, various sensors, a light source such as a printer and a copy machine, a vehicle measuring instrument light source, a signal light, a display light, a display device, and a planar light emission It can be suitably used for body light sources, displays, decorations, various lights, switching elements and the like.

本発明によれば、高い密着性、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を得ることができる光半導体用封止シート、及び、これを用いてなる光半導体素子を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sealing sheet for optical semiconductors which can obtain the hardened | cured material which has high adhesiveness, heat resistance, and light resistance, and an optical semiconductor element using the same can be provided.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited only to these examples.

(合成例1)
2000mLの温度計、滴下装置付セパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン(440g)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(160g)を入れ50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム(1.2g)/水(170g)をゆっくりと滴下し、滴下し終わってから50℃で6時間攪拌した。その中に、酢酸(1.3g)を入れ、減圧下で揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過してポリマーを得た。得られたポリマーをヘキサン/水を用いて洗浄を行い減圧下で揮発成分を除去し、ポリマーAを得た。ポリマーAの分子量はMn=2300、Mw=4800であり、29Si−NMRより
(MeSiO2/20.84(EpSiO3/20.16
であり、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基含有量は22モル%、エポキ
シ等量は550g/eq.であった。
なお、分子量は、ポリマーA(10mg)にテトラヒドロフラン(1mL)を入れ溶解するまで攪拌し、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製、Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いてGPC測定により測定した。また、エポキシ当量は、JIS K−7236に準拠して求めた。
(Synthesis Example 1)
Dimethyldimethoxysilane (440 g) and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (160 g) were placed in a 2000 mL thermometer and a separable flask equipped with a dropping device, and the mixture was stirred at 50 ° C. Into this, potassium hydroxide (1.2 g) / water (170 g) was slowly added dropwise, and after completion of the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours. The acetic acid (1.3g) was put in it, the volatile component was removed under reduced pressure, and potassium acetate was filtered, and the polymer was obtained. The obtained polymer was washed with hexane / water and volatile components were removed under reduced pressure to obtain polymer A. The molecular weight of the polymer A is Mn = 2300, Mw = 4800, and (Me 2 SiO 2/2 ) 0.84 (EpSiO 3/2 ) 0.16 from 29 Si-NMR.
The 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group content was 22 mol%, and the epoxy equivalent was 550 g / eq. Met.
The molecular weight of the polymer A (10 mg) was stirred until tetrahydrofuran (1 mL) was dissolved and dissolved, and a waters measuring device (column: Showa Denko, Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) × 2 pieces) Measurement temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene), and measurement by GPC measurement. Moreover, the epoxy equivalent was calculated | required based on JISK-7236.

(実施例1)
ポリマーA(60g)、SILRES H44(軟化点75℃のメチルフェニルシリコーンレジン、旭化成ワッカーシリコーン社製、40g)、リカシッドMH−700G(酸無水物、新日本理化社製、20g)、2MZA−PW(硬化促進剤、四国化成社製、0.2g)、R8200(微粉シリカ[トリメチルシリル処理、比表面積:160m/g]、日本アエロジル社製、20g)、メチルエチルケトン(60g)を入れ混合・脱泡を行い、塗液を作製した。作製した塗液を50μmの離形PETシートに塗工し、オーブンにて50℃で10分、続けて100℃で20分間乾燥し、100μm及び500μm厚の光半導体用封止シートを作製した。作製した500μ厚のシートを熱ラミネーターで2枚張り合わせることにより1mm厚の光半導体用封止シートを作製した。
また、この1mm厚の光半導体用封止シートを120℃で1時間及び150℃で3時間の条件で加熱して硬化させ、硬化物を得た。
Example 1
Polymer A (60 g), SILRES H44 (methyl phenyl silicone resin having a softening point of 75 ° C., manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., Ltd., 40 g), Rikacid MH-700G (acid anhydride, Shin Nippon Rika Co., Ltd., 20 g), 2MZA-PW ( Curing accelerator, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 0.2 g), R8200 (fine silica [trimethylsilyl treatment, specific surface area: 160 m 2 / g], Nippon Aerosil Co., Ltd., 20 g), methyl ethyl ketone (60 g) mixed and defoamed The coating liquid was prepared. The prepared coating solution was applied to a 50 μm release PET sheet and dried in an oven at 50 ° C. for 10 minutes and then at 100 ° C. for 20 minutes to prepare sealing sheets for optical semiconductors having a thickness of 100 μm and 500 μm. Two sheets of the prepared 500 μm thick sheet were laminated with a thermal laminator to prepare a 1 mm thick sealing sheet for optical semiconductors.
Moreover, this 1 mm-thick sealing sheet for optical semiconductors was heated and cured at 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours to obtain a cured product.

(評価)
実施例で作製した光半導体用封止シート及びその硬化物について以下の評価を行った。結果を表1に示した。
(Evaluation)
The following evaluation was performed about the sealing sheet for optical semiconductors and the hardened | cured material which were produced in the Example. The results are shown in Table 1.

(1)密着性試験
真空ラミネーター(MVLP−500、メイキ製作所社製)を用いて、アルミニウム基板(Al基板)、ポリフタルアミド樹脂基板(PPA基板)、銅基板に銀メッキを施した基板(Ag基板)、ガラスエポキシ基板(Ep基板)上に、作製した100μm厚の光半導体用封止シートを50℃の条件下でラミネートし、120℃で1時間及び150℃で3時間の条件で加熱して硬化させた。JIS K−5400に準拠し、すきま間隔1mm、100個のます目で碁盤目テープ法を用いて密着性試験を行った。
なお、表1中、剥離個数0の場合:○、剥離個数1〜70の場合:△、剥離個数71〜100の場合:×とした。
(1) Adhesion test Using a vacuum laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), an aluminum substrate (Al substrate), a polyphthalamide resin substrate (PPA substrate), and a copper substrate subjected to silver plating (Ag Substrate) and a glass epoxy substrate (Ep substrate), the 100 μm-thick sealing sheet for optical semiconductors is laminated at 50 ° C., and heated at 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours. And cured. In accordance with JIS K-5400, an adhesion test was performed using a grid tape method with a clearance of 1 mm and 100 squares.
In Table 1, when the number of peels was 0: ◯, when the number of peels 1 to 70: Δ, and when the number of peels 71 to 100: x.

(2)初期光線透過率
厚さ1mmの硬化物を用いて400nmの光線透過率を日立製作所社製U−4000を用いて測定を行った。
(2) Initial light transmittance A light transmittance of 400 nm was measured using U-4000 manufactured by Hitachi, Ltd. using a cured product having a thickness of 1 mm.

(3)耐光性試験後の光線透過率
厚さ1mmの硬化物に高圧水銀ランプに340nm以下をカットするフィルターを装着し、100mW/cmで24時間照射し、400nmの光線透過率を日立製作所社製U−4000を用いて測定を行った。なお、表1中、初期からの光線透過率の低下率が10%未満の場合:○、10〜40%未満の場合:△、40以上の場合:×とした。
(3) Light transmittance after light resistance test A cured product with a thickness of 1 mm is attached to a high-pressure mercury lamp with a filter that cuts 340 nm or less, irradiated at 100 mW / cm 2 for 24 hours, and has a light transmittance of 400 nm. The measurement was performed using U-4000 manufactured by the company. In Table 1, when the rate of decrease in light transmittance from the initial stage is less than 10%: ○, when less than 10-40%: Δ, when 40 or more: x.

(4)耐熱性試験後の光線透過率
厚さ1mmの硬化物を150℃のオーブンに500時間放置し、400nmの光線透過率を日立製作所社製U−4000を用いて測定を行った。なお、表1中、初期からの光線透過率の低下率が10%未満の場合:○、10〜40%未満の場合:△、40以上の場合:×とした。
(4) Light transmittance after heat resistance test A cured product having a thickness of 1 mm was left in an oven at 150 ° C. for 500 hours, and a light transmittance of 400 nm was measured using U-4000 manufactured by Hitachi, Ltd. In Table 1, when the rate of decrease in light transmittance from the initial stage is less than 10%: ○, when less than 10-40%: Δ, when 40 or more: x.

(5)厚みのバラツキ
厚み計(ID−F125、ミツトヨ社製)を用いて、硬化物の厚みを10点計測し、厚みのバラツキが10%未満のものを○、20%未満のものを△、20%以上のものを×とした。
(5) Thickness variation Using a thickness gauge (ID-F125, manufactured by Mitutoyo Corporation), the thickness of the cured product is measured at 10 points. The thickness variation is less than 10%, and less than 20% is Δ. 20% or more was rated as x.

(6)発光の可否
真空ラミネーター(MVLP−500、メイキ製作所社製)を用いて、基板上に金ワイヤーで電気的に接続された発光素子に、作製した1mm厚の光半導体用封止シートを50℃の条件下でラミネートし、120℃で1時間及び150℃で3時間の条件で加熱して硬化させ、光半導体素子を得た。得られた光半導体素子に電圧を印加し、発光するものを○、発光しないものを×とした。
(6) Whether or not to emit light Using a vacuum laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), the produced 1 mm-thick sealing sheet for optical semiconductors is applied to the light-emitting element electrically connected to the substrate with a gold wire. Lamination was carried out under conditions of 50 ° C. and cured by heating under conditions of 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours to obtain an optical semiconductor element. When a voltage was applied to the obtained optical semiconductor element, a light emitting element was indicated as ◯, and a non-light emitting element was indicated as ×.

Figure 2009084511
Figure 2009084511

本発明によれば、高い密着性、耐熱性及び耐光性を有する硬化物を得ることができる光半導体用封止シート、及び、これを用いてなる光半導体素子を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sealing sheet for optical semiconductors which can obtain the hardened | cured material which has high adhesiveness, heat resistance, and light resistance, and the optical semiconductor element using this can be provided.

Claims (8)

25℃において液状の分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂Aと、
前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、
軟化点が30〜150℃のシリコーン樹脂Bとを含有する封止シート用組成物からなる
ことを特徴とする光半導体用封止シート。
Silicone resin A having a cyclic ether-containing group in a molecule that is liquid at 25 ° C .;
A thermosetting agent that reacts with the cyclic ether-containing group;
The sealing sheet for optical semiconductors which consists of a composition for sealing sheets containing the silicone resin B whose softening point is 30-150 degreeC.
軟化点が30〜150℃のシリコーン樹脂Bは、環状エーテル含有基を有することを特徴とする請求項1記載の光半導体用封止シート。 The encapsulating sheet for optical semiconductors according to claim 1, wherein the silicone resin B having a softening point of 30 to 150 ° C has a cyclic ether-containing group. 封止シート用組成物は、更に、酸化ケイ素微粒子を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体用封止シート。 The encapsulating sheet for optical semiconductors according to claim 1 or 2, wherein the composition for encapsulating sheet further contains silicon oxide fine particles. 酸化ケイ素微粒子は、表面がトリメチルシリル基、ポリジメチルシロキサン基で表面処理されていることを特徴とする請求項3記載の光半導体用封止シート。 4. The encapsulating sheet for optical semiconductor according to claim 3, wherein the surface of the silicon oxide fine particles is surface-treated with a trimethylsilyl group or a polydimethylsiloxane group. 酸化ケイ素微粒子のBET比表面積が30〜400m/gであることを特徴とする請求項3又は4記載の光半導体用封止シート。 5. The encapsulating sheet for optical semiconductors according to claim 3, wherein the silicon oxide fine particles have a BET specific surface area of 30 to 400 m 2 / g. 25℃において液状分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂Aは、平均組成式が下記一般式(1)で表される樹脂成分を含有することを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の光半導体用封止シート。
Figure 2009084511
一般式(1)中、a、b、c及びdは、それぞれa/(a+b+c+d)=0〜0.2、b/(a+b+c+d)=0.3〜1.0、c/(a+b+c+d)=0〜0.5、d/(a+b+c+d)=0〜0.3を満たし、R〜Rは、少なくとも1個が環状エーテル含有基を表し、前記環状エーテル含有基以外のR〜Rは、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
The silicone resin A having a cyclic ether-containing group in a liquid molecule at 25 ° C. contains a resin component having an average composition formula represented by the following general formula (1): 4. A sealing sheet for optical semiconductors according to 4 or 5.
Figure 2009084511
In the general formula (1), a, b, c and d are a / (a + b + c + d) = 0 to 0.2, b / (a + b + c + d) = 0.3 to 1.0, c / (a + b + c + d) = 0, respectively. To 0.5, d / (a + b + c + d) = 0 to 0.3, at least one of R 1 to R 6 represents a cyclic ether-containing group, and R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group are Represents a linear or branched hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms or a fluorinated product thereof, and these may be the same or different from each other.
封止シート用組成物は、更に、蛍光体を含有することを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の光半導体用封止シート。 The encapsulating sheet for optical semiconductor according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6, wherein the composition for encapsulating sheet further contains a phosphor. 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の光半導体用封止シートを用いてなることを特徴とする光半導体素子。

An optical semiconductor element comprising the optical semiconductor sealing sheet according to claim 1, 2, 3, 4, 6, or 7.

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