KR20180081748A - Frc 플라즈마 위치 안정성을 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

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Abstract

FRC 플라즈마 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법. 시스템 및 방법은, 축 방향 불안정성을 안정화시키거나 또는 제어하면서, FRC의 축 방향으로 불안정한 평형 상태를 활용하여 반경 방향 안정성을 강제한다. 본 시스템 및 방법은, 플라즈마와 중심이 같은 외부 코일의 세트에 인가되는 전압에 작용하는 것에 의해 그리고 비선형 제어 기술을 사용하는 것에 의해, 플라즈마 평형 상태의 안정성 속성과는 독립적인 FRC 플라즈마 축 방향 위치의 피드백 제어를 제공한다.

Description

FRC 플라즈마 위치 안정성을 위한 시스템 및 방법
본원에서 설명되는 주제는 일반적으로, 자계 반전 구성(field reversed configuration: FRC)을 갖는 자기 플라즈마 구속 시스템(plasma confinement system)에 관한 것으로, 더 상세하게는, 반경 방향(radial direction) 및 축 방향(axial direction) 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성 및 FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마 위치의 제어를 용이하게 하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
자계 반전 구성(FRC)은 소형 토로이드(compact toroid; CT)로 알려진 자기 플라즈마 구속 토폴로지의 클래스에 속한다. 그것은 주로 폴로이드 자기장(poloidal magnetic field)을 나타내며 제로의 또는 작은 자기 생성 토로이드 자계(toroidal field)를 가지고 있다(M. Tuszewski, Nucl. Fusion 28, 2033 (1988) 참조). 그러한 구성의 매력은, 구성 및 유지 보수의 용이성을 위한 그것의 간단한 기하학적 형상, 에너지 추출 및 애쉬(ash) 제거를 용이하게 하기 위한 자연적인 비제한적 다이버터(divertor), 및 아주 높은 β(β는 FRC 내부의 평균 자기장 압력에 대한 평균 플라즈마 압력의 비율이다), 즉 높은 전력 밀도이다. 높은 β 성질은, 경제적인 동작에 그리고 D-He3 및 p-B11과 같은 진보된 무중성자 연료(advanced, aneutronic fuel)의 사용에 유익하다.
FRC 디바이스는, 다른 것들 중에서도, 열 핵융합 에너지를 생성하기 위한 목적을 위해 고온 플라즈마를 구속하기 위한 자기장에 의존하는 밀폐된 고진공 디바이스이다. 자기장의 성분은, 플라즈마에 대한 외부 코일에 의해 생성되는 자기장과 상호 작용하는, 플라즈마의 강한 토로이드 전류에 의해 반드시 생성되어야만 한다. 다른 자기 구속 디바이스와는 대조적으로, FRC 디바이스는 토로이드 자계를 생성하는 외부 코일이 없다. 통상적인 FRC 플라즈마는, 외부 코일 축을 따라 자신의 축을 갖는 회전 타원체(ellipsoid of revolution)와 유사하다. 타원체 경계는, 타원체의 회전 축을 따라 자신의 대칭 축을 갖는 소형의 토로이드 플라즈마를 구속하는 플라즈마 분리선(plasma separatrix)이다.
토로이드 자기장이 없기 때문에, FRC 플라즈마는, 보정 조치가 취해지지 않으면 증가된 에너지, 밀도 및 구속 손실로 이어질 수도 있는 축대칭성 파괴가 발생하기 쉽다. 가장 기본적인 불안정성은, FRC 플라즈마에서 플라즈마 전류가 외부 코일 전류와 반대 방향으로 흐른다는 사실에 관련되는데, 이는 플라즈마 전류 루프를 외부 자기장과 정렬시키는 방향으로 작동하는 토크를 생성한다(틸트 불안정성). 다른 축대칭성 파괴는, 반경 방향으로(radially) 시프트하는(반경 방향 시프트) 플라즈마 회전 축, FRC 허리의 타원 변형(회전 모드), 반경 방향 시프트 및 회전의 조합(워블(wobble) 모드), 플라즈마 미세난류(microturbulence), 및 등등에 관련된다. 플라즈마 질량 및 에너지의 양호한 구속을 가지기 위해서는, 플라즈마 불안정성으로 또한 알려져 있는 이들 축대칭성 파괴가 방지되어야만 한다.
반경 방향에서의 안정성을 달성하기 위해 제안되는 솔루션 중 하나는, FRC 평형 상태가 솔루션을 포함한다는 사실에 기초하는데, 그 솔루션에서는, 플라즈마 위치가 횡방향 또는 반경 방향에서 불안정한 것을 대가로 축 방향에서 안정하거나, 또는 축 방향에서 불안정한 것을 대가로 반경 방향에서 안정하지만, 그러나 동시에 둘 모두는 아니다. 제1 순서에서, 플라즈마 위치가 횡방향으로 안정한 평형 상태는, 축 방향에서 불안정한 것을 대가로, 축대칭인 소망되는 속성(property)을 갖는다. 그러나, 축 방향 위치 불안정성은, 축 방향 및 반경 방향 둘 모두에서 안정성을 얻도록 외부 축대칭 코일의 세트를 사용하여 능동적으로 제어될 수 있다.
전술한 관점에서, 따라서, FRC 플라즈마의 평형 상태의 축 방향 안정성 속성에 독립적인 방식으로, FRC 플라즈마의 축 방향 위치의 제어를 용이하게 하는 시스템 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 플라즈마 방전 동안 축 방향 불안정성 시나리오가 일시적으로 상실되어 회복되는 경우, 평형 상태가, FRC 방전의 상이한 단계(phase)에 대한 축 방향에서의 안정한 평형 상태와 불안정한 평형 상태 사이에서 이동해야 할 수도 있기 때문에, 이것은 중요하다.
본원에서 제공되는 본 실시형태는, FRC 플라즈마의 평형 상태의 축 방향 안정성 속성과는 독립적인 FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 제1 순서에서, 플라즈마 위치가 횡방향으로 또는 반경 방향으로 안정한 평형 상태는, 축 방향에서 불안정한 것을 대가로, 축대칭인 소망되는 속성을 갖는다. 그러나, 축 방향 위치 불안정성은, FRC 플라즈마 축 방향 위치를 제어하는 외부 축대칭 코일의 세트를 사용하여 능동적으로 제어된다.
본원에서 제시되는 실시형태는, 축 방향 불안정성을 안정화시키거나 또는 제어하면서, FRC의 축 방향으로 불안정한 평형 상태를 활용하여 반경 방향의 안정성을 강제한다. 이러한 방식에서, 축 방향 및 반경 방향 둘 모두에서의 안정성이 획득될 수 있다. 제어 방법론은, 외부 또는 평형 상태 자기장을 변경하여, 축 방향에서 불안정한 것을 대가로, FRC 플라즈마를 반경 방향으로 또는 횡방향으로 안정하게 만들도록, 그리고 그 다음, 구속 챔버의 중간 평면(mid-plane)=== 주위에서의 오버슈팅 및/또는 발진을 최소화하면서 중간 평면을 향해 FRC 플라즈마 위치를 신속하게 복원하기 위해 반경 방향 자계 코일 전류에 대해 작용하도록 설계된다. 이 솔루션의 이점은, 그것이 제어에 필요한 액추에이터의 복잡성을 줄인다는 것이다. 다수의 자유도를 갖는 종래의 솔루션과 비교하여, 본원에서 제시되는 실시형태의 방법론은 1 자유도를 갖는 FRC 플라즈마 회전 축을 따르는 제어 문제로 복잡성을 감소시킨다.
본원에서 설명되는 시스템 및 방법은 유익하게도 다음을 제공한다: 플라즈마와 중심이 같은 외부 코일의 세트에 인가되는 전압에 작용하는 것에 의한 FRC 플라즈마 축 방향 위치의 피드백 제어; 비선형 제어 기술을 사용한 FRC 축 방향 위치의 피드백 제어; 및 플라즈마 평형 상태의 안정성 속성과는 독립적인 FRC 축 방향 위치의 피드백 제어. 플라즈마 방전 동안 축 방향 불안정성 시나리오가 일시적으로 상실되어 회복되는 경우, 평형 상태가, FRC 방전의 상이한 단계에 대한 축 방향에서의 안정한 평형 상태와 불안정한 평형 상태 사이에서 이동해야 할 수도 있기 때문에, 이 독립성은 중요하다.
예시적인 실시형태의 시스템, 방법, 피쳐 및 이점은 다음의 도면 및 상세한 설명을 검토하면 통상의 기술을 가진 자에게 명백할 것이거나 또는 명백해질 것이다. 모든 이러한 추가적인 방법, 피쳐 및 이점이 본 설명에 포함되어야 하고, 첨부하는 청구범위에 의해 보호되어야 한다는 것이 의도된다. 또한, 청구범위는 예시적인 실시형태의 세부 사항을 요구하도록 제한되지 않는다는 것이 의도된다.
본 명세서의 일부로서 포함되는 첨부하는 도면은 현 시점에서의 예시적인 실시형태를 예시하며, 상기에서 주어지는 일반적인 설명 및 하기에서 주어지는 예시적인 실시형태의 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명 및 교시하도록 기능한다.
도 1은 고성능 FRC 체제(high performance FRC regime; HPF) 하에서의 본 FRC 시스템에서의 입자 구속을, 종래의 FRC 체제(conventional FRC regime; CR)와 대비하여, 그리고 다른 종래의 FRC 실험과 대비하여 예시한다.
도 2는 본 FRC 시스템의 컴포넌트 및 본 FRC 시스템에서 생성 가능한 FRC의 자기 토폴로지(magnetic topology)를 예시한다.
도 3a는 중성 빔, 전극, 플라즈마 건, 미러 플러그 및 펠릿 인젝터(pellet injector)의 바람직한 배열을 비롯한, 상부에서 봤을 때의 본 FRC 시스템의 기본 레이아웃을 예시한다.
도 3b는 상부에서 봤을 때의 중앙 구속 용기(central confinement vessel)를 예시하고, 중앙 구속 용기의 대칭 주축에 수직인 각도로 배열되는 중성 빔을 예시한다.
도 3c는 상부에서 봤을 때의 중앙 구속 용기를 예시하며 중앙 구속 용기의 대칭 주축에 수직보다 작은 각도로 배열되며 중앙 구속 용기의 중간 평면을 향해 입자를 주입하도록 지향되는 중성 빔을 예시한다.
도 4는 포메이션 섹션(formation section)에 대한 펄스형 전력 시스템(pulsed power system)의 컴포넌트의 개략도를 예시한다.
도 5는 개개의 펄스형 전력 포메이션 스키드(pulsed power formation skid)의 등각 투영도(isometric view)를 예시한다.
도 6은 포메이션 튜브 어셈블리(formation tube assembly)의 등각 투영도를 예시한다.
도 7은 중성 빔 시스템 및 주요 컴포넌트의 부분 단면 등각 투영도를 예시한다.
도 8은 구속 챔버 상의 중성 빔 배열의 등각 투영도를 예시한다.
도 9는 Ti 및 Li 게터링 시스템(gettering system)의 바람직한 배열의 부분 단면 등각 투영도를 예시한다.
도 10은 다이버터 챔버에 설치되는 플라즈마 건의 부분 단면 등각 투영도를 예시한다. 또한, 관련된 자기 미러 플러그 및 다이버터 전극 어셈블리가 도시되어 있다.
도 11은 구속 챔버의 축 방향 단부에서의 환형 바이어스 전극(annular bias electrode)의 바람직한 레이아웃을 예시한다.
도 12는 중앙 금속 구속 챔버 내에 매립되는 자기 프로브(magnetic probe) 및 두 개의 자계 반전된 쎄타 핀치 포메이션 섹션(field reversed theta pinch formation section)에서 일련의 외부 반자성 루프로부터 획득되는 FRC 시스템에서의 배제된 플럭스 반경(excluded flux radius)의 전개를 예시한다. 시간은 포메이션 소스에서 동기화된 자계 반전의 순간으로부터 측정되며, 거리 z는 머신의 축 방향 중간 평면을 기준으로 주어진다.
도 13의 (a) 내지 (d)는 본 FRC 시스템 상에서의 대표적인 비 HPF, 비 유지 방전(un-sustained discharge)으로부터의 데이터를 예시한다. (a) 중간 평면에서의 배제된 플럭스 반경, (b) 중간 평면 CO2 간섭계로부터의 라인 통합 밀도의 6 개의 코드(chord), (c) CO2 간섭계 데이터로부터의 아벨 반전된(Abel-inverted) 밀도 반경 방향 프로파일, 및 d) 압력 밸런스로부터의 전체 플라즈마 온도가 시간의 함수로서 도시된다.
도 14는 도 13에서 도시되는 본 FRC 시스템의 동일한 방전에 대한 선택된 시간에서의 배제된 플럭스 축 방향 프로파일을 예시한다.
도 15는 구속 챔버의 외부에 장착되는 새들 코일(saddle coil)의 등각 투영도를 예시한다.
도 16은 주입된 중성 빔의 펄스 길이 및 FRC 수명의 상관 관계를 예시한다. 도시되는 바와 같이, 더 긴 빔 펄스는 보다 긴 수명의 FRC를 생성한다.
도 17은, FRC 성능 및 HPF 체제의 달성에 대한 FRC 시스템의 상이한 컴포넌트의 개개의 영향 및 조합된 영향을 예시한다.
도 18의 (a) 내지 (d)는 본 FRC 시스템 상에서의 대표적인 HPF, 비 유지 방전으로부터의 데이터를 예시한다. (a) 중간 평면에서의 배제된 플럭스 반경, (b) 중간 평면 CO2 간섭계로부터의 라인 통합 밀도의 6 개의 코드(chord)===, (c) CO2 간섭계 데이터로부터의 아벨 반전된(Abel-inverted)=== 밀도 반경 방향 프로파일, 및 d) 압력 밸런스로부터의 전체 플라즈마 온도가 시간의 함수로서 도시된다.
도 19는 플럭스 구속(flux confinement)을 전자 온도(Te)의 함수로서 예시한다. 그것은 HPF 방전에 대한 새롭게 확립된 우수한 스케일링 체제의 그래픽 표현을 나타낸다.
도 20은 기울어지지 않고(non-angled) 주입된 중성 빔 및 기울어져 주입된 중성 빔의 펄스 길이에 대응하는 FRC 수명을 예시한다.
도 21a 및 도 21b는 소형 토로이드(CT) 인젝터의 기본 레이아웃을 예시한다.
도 22a 및 도 22b는, 중앙 구속 용기에 CT 인젝터가 장착되는 것을 도시하는 중앙 구속 용기를 예시한다.
도 23a 및 도 23b는, 드리프트 튜브를 커플링한 CT 인젝터의 대안적인 실시형태의 기본 레이아웃을 예시한다.
도 24는 구속용 용기(confining vessel; CV) 내에서의 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 메커니즘을 예시하는 개략도이다.
도 25는 일반적인 슬라이딩 모드 제어 스킴의 흐름도이다.
도 26은 슬라이딩 모드 축 방향 위치 제어 시뮬레이션의 예의 합성 그래프이다.
도 27은 슬라이딩 모드 축 방향 위치 제어 시뮬레이션의 예의 합성 그래프이다.
도면은 반드시 축척대로 묘화된 것은 아니며 유사한 구조 또는 기능의 엘리먼트는 도면 전체에 걸쳐 예시적인 목적을 위해 동일한 참조 번호에 의해 일반적으로 표시된다는 것을 유의해야 한다. 도면은 본원에 기재된 다양한 실시형태의 설명을 용이하게 하도록 의도되는 것에 불과하다는 것을 또한 유의해야 한다. 도면은 본원에서 개시되는 교시의 모든 양태를 반드시 설명하지는 않으며 청구항의 범위를 제한하지 않는다.
본원에서 제공되는 본 실시형태는, FRC 플라즈마의 평형 상태의 축 방향 안정성 속성과는 독립적인 FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 이들 추가적인 피쳐 및 교시 중 많은 것을 개별적으로 그리고 조합하여 활용하는 본원에서 설명되는 실시형태의 대표적인 예가, 이제 첨부 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다. 이 상세한 설명은 본 발명의 교시의 바람직한 양태를 실시하기 위한 추가적인 상세를 기술 분야의 숙련된 자에게 교시하도록 의도되는 것에 불과하며, 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되는 것은 아니다. 따라서, 이하의 상세한 설명에서 개시되는 피쳐 및 단계의 조합은, 최광의의 의미에서 본 발명을 실시하는 데 필수적이지는 않을 수도 있으며, 대신, 단지 본 교시의 대표적인 예를 특정하게 설명하도록 교시되는 것에 불과하다.
또한, 대표적인 예 및 종속항의 다양한 피쳐는, 본 교시의 추가적인 유용한 실시형태를 제공하기 위해, 구체적으로 그리고 명시적으로 열거되지 않은 방식으로 결합될 수도 있다. 또한, 상세한 설명 및/또는 청구범위에서 개시되는 모든 피쳐는, 원래의 개시의 목적을 위해, 뿐만 아니라, 실시형태 및/또는 청구된 주제를, 청구범위에서의 피쳐의 구성과 무관하게, 제한하는 목적을 위해, 서로 독립적으로 그리고 개별적으로 개시되도록 의도된다는 것이 명시적으로 언급된다. 또한, 엔티티의 그룹의 모든 값 범위 또는 표시는, 원래의 개시의 목적을 위해, 뿐만 아니라 청구된 주제를 제한하는 목적을 위해, 모든 가능한 중간 값 또는 중간 엔티티를 개시하는 것이 명시적으로 언급된다.
FRC 불안정성에 대한 종래의 솔루션은 통상적으로 반경 방향으로 불안정한 것을 대가로 축 방향에서의 안정성을 제공하거나, 또는 축 방향에서 불안정한 것을 대가로 반경 방향에서의 안정성을 제공하지만, 그러나 동시에 양 방향에서의 안정성을 제공하지는 못한다. 제1 순서에서, 플라즈마 위치가 횡방향으로 또는 반경 방향으로 안정한 평형 상태는, 축 방향에서 불안정한 것을 대가로, 축대칭인 소망되는 속성을 갖는다. 상기의 관점에서, 본원에서 제공되는 실시형태는, FRC 플라즈마의 평형 상태의 축 방향 안정성 속성과는 독립적인 FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 그러나, 축 방향 위치 불안정성은, FRC 플라즈마 축 방향 위치를 제어하는 외부 축대칭 코일의 세트를 사용하여 능동적으로 제어된다. 본 시스템 및 방법은, 플라즈마와 중심이 같은 외부 코일의 세트에 인가되는 전압에 작용하는 것에 의해 그리고 비선형 제어 기술을 사용하는 것에 의해, 플라즈마 평형 상태의 안정성 속성과는 독립적인 FRC 플라즈마 축 방향 위치의 피드백 제어를 제공한다.
본원에서 제시되는 실시형태는, 축 방향 불안정성을 안정화시키거나 또는 제어하면서, FRC의 축 방향으로 불안정한 평형 상태를 활용하여 반경 방향 안정성을 강제한다. 이러한 방식에서, 축 방향 및 반경 방향 둘 모두에서의 안정성이 획득될 수 있다. 제어 방법론은, 외부 또는 평형 상태 자기장을 변경하여, 축 방향에서 불안정한 것을 대가로, FRC 플라즈마를 반경 방향으로 또는 횡방향으로 안정하게 만들도록, 그리고 그 다음, 구속 챔버의 중간 평면(mid-plane)=== 주위에서의 오버슈팅 및/또는 발진을 최소화하면서 중간 평면을 향해 FRC 플라즈마 위치를 신속하게 복원하기 위해 반경 방향 자계 코일 전류에 대해 작용하도록 설계된다. 이 솔루션의 이점은, 그것이 제어에 필요한 액추에이터의 복잡성을 줄인다는 것이다. 다수의 자유도를 갖는 종래의 솔루션과 비교하여, 본원에서 제시되는 실시형태의 방법론은 1 자유도를 갖는 FRC 플라즈마 회전 축을 따르는 제어 문제로 복잡성을 감소시킨다.
축 방향으로 불안정한 플라즈마를 야기하는 코일 전류, 연료 공급(fueling) 및 중성 빔 전력에서의 파형의 조합은, 플라즈마를 축 방향의 불안정한 상황으로 설정하는 플라즈마 제어 시나리오를 정의한다. 그 시나리오는, 시뮬레이션 또는 실험에 대한 사전 지식을 사용하여 사전 프로그래밍될 수 있거나, 또는 축 방향으로 불안정한 평형 상태를 유지하도록 피드백을 제어될 수 있다. 플라즈마 위치는 방전 동안 평형 상태의 안정성 속성과는 독립적으로 제어되어야 한다, 예를 들면, 제어 스킴은 축 방향으로 안정한 또는 축 방향으로 불안정한 플라즈마에 대해 최대 한도까지 작동해야 한다. 제어될 수 있는 축 방향으로 가장 불안정한 플라즈마는 용기의 스킨 시간(skin time)에 필적하는 성장 시간을 가지고 있다.
FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법을 살펴보기 이전에, 종래의 FRC보다 우수한 안정성뿐만 아니라 우수한 입자, 에너지 및 플럭스 구속을 갖는 고성능 FRC를 형성 및 유지하기 위한 시스템 및 방법의 논의가 제공된다. 이러한 고성능 FRC는, (의료 동위 원소 생산, 핵 폐기물 치료(nuclear waste remediation), 재료 연구, 중성자 방사선 및 단층 촬영용의) 소형의 중성자 소스, (화학적 생산 및 프로세싱을 위한) 소형의 광자 소스, 질량 분리 및 농축 시스템, 및 미래 세대의 에너지를 위한 가벼운 핵의 융합을 위한 원자로 코어를 포함하는 아주 다양한 애플리케이션에 대한 통로를 제공한다.
FRC에서 우수한 구속 체제가 존재하는지의 여부를 평가하기 위해 다양한 부수적인 시스템 및 동작 모드가 조사되었다. 이들 노력은 본원에서 설명되는 고성능 FRC 패러다임의 획기적인 발견과 개발로 이어졌다. 이 새로운 패러다임에 따르면, 본 시스템 및 방법은, 도 1에서 예시되는 바와 같이 FRC 구속을 극적으로 향상시킬 뿐만 아니라 부작용 없이 안정성 제어를 제공하기 위해, 많은 신규의 아이디어 및 수단을 결합한다. 하기에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 도 1은, FRC를 형성 및 유지하기 위한 종래 체제 CR에 따라 동작하는 것과 대비하여, 그리고 다른 실험에서 사용되는 FRC를 형성 및 유지하기 위한 종래 체제에 따른 입자 구속과 대비하여, FRC를 형성 및 유지하기 위한 고성능 FRC 체제(HPF)에 따라 동작하는, 하기에서 설명되는 FRC 시스템(10)(도 2 및 도 3 참조)에서의 입자 구속을 묘사한다. 본 개시는 FRC 시스템(10)의 혁신적인 개개의 컴포넌트 및 방법뿐만 아니라 그들의 총괄적인 효과를 개략적으로 그리고 상세히 설명할 것이다.
FRC 시스템
진공 시스템
도 2 및 도 3은 본 FRC 시스템(10)의 개략도를 묘사한다. FRC 시스템(10)은, 두 개의 정반대로 대향된 반전 자계 쎄타 핀치(reverse-field-theta-pinch) 포메이션 섹션(200)에 의해 둘러싸이는 중앙 구속 용기(100) 및, 포메이션 섹션(200)을 넘어, 중성 밀도(neutral density) 및 불순물 오염을 제어하기 위한 두 개의 다이버터 챔버(300)를 포함한다. 본 FRC 시스템(10)은 초고 진공을 수용하도록 제조되었으며 10"8 torr의 통상적인 기저 압력에서 동작한다. 이러한 진공 압력은, 결합 컴포넌트(mating component), 금속 O 링, 고순도 내부 벽 사이의 이중 펌핑 결합 플랜지의 사용뿐만 아니라, 조립 이전의 모든 부품의 신중한 초기 표면 컨디셔닝, 예컨대 물리적 및 화학적 클리닝 및 후속하는 24 시간의 250 ℃ 진공 베이킹 및 수소 글로우 방전 클리닝을 필요로 한다.
반전 자계 쎄타 핀치 포메이션 섹션(200)은, 비록 하기에서 상세히 논의되는 진보된 펄스형 전력 포메이션 시스템(도 4 내지 도 6 참조)을 가지지만, 표준 자계 반전 쎄타 핀치(field-reversed-theta-pinch; FRTP)이다. 각각의 포메이션 섹션(200)은 초고순도 석영의 2 mm 내부 라이닝을 특징으로 하는 표준 불투명 산업 등급의 석영 튜브로 만들어진다. 구속 챔버(100)는 다수의 반경 방향 및 접선 방향 포트를 허용하도록 스테인리스 스틸로 제조된다; 그것은 또한 하기에서 설명되는 실험의 시간 척도(timescale) 상에서 플럭스 보존자(flux conserver)로 기능하고 빠른 자기 과도 현상(magnetic transient)을 제한한다. 진공은, 건식 스크롤 러핑 펌프(dry scroll roughing pump), 터보 분자 펌프(turbo molecular pump) 및 저온 펌프(cryo pump)의 세트를 사용하여 FRC 시스템(10) 내에서 생성 및 유지된다.
자기 시스템
자기 시스템(400)은 도 2 및 도 3에서 예시된다. 도 2는, 다른 피쳐 중에서도, FRC 시스템(10)에 의해 생성 가능한 FRC(450)에 관한 FRC 자속(magnetic flux) 및 밀도 윤곽(density contour)을 (반경 방향 및 축 좌표의 함수로서) 예시한다. 이들 윤곽은 FRC 시스템(10)에 대응하는 시스템 및 방법을 시뮬레이팅하기 위해 개발된 코드를 사용하여 2D 저항성 홀 MHD 수치 시뮬레이션(2-D resistive Hall-MHD numerical simulation)에 의해 획득되었으며, 측정된 실험 데이터와 잘 일치한다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, FRC(450)는 분리선(451) 내부의 FRC(450)의 내부(453)에 있는 닫힌 자계 라인의 원환체, 및 분리선(451) 바로 외측의 개방된 자계 라인(open field line)(452) 상의 환형 에지 층(456)으로 이루어진다. 에지 층(456)은 FRC 길이를 초과하는 제트(jet)(454)로 합쳐져, 자연스러운 다이버터를 제공한다.
메인 자기 시스템(410)은, FRC 시스템(10)의 컴포넌트를 따라, 즉 구속 챔버(100), 포메이션 섹션(200) 및 다이버터(300)를 따라 특정한 축 방향 위치에 배치되는 일련의 준 직류 코일(quasi-dc coil)(412, 414 및 416)을 포함한다. 준 직류 코일(412, 414 및 416)은 준 직류 스위칭 전력 공급부(quasi-dc switching power supply)에 의해 전력을 공급받고, 구속 챔버(100), 포메이션 섹션(200) 및 다이버터(300)에서 약 0.1 T의 기본 바이어스 자기장(basic magnetic bias field)을 생성한다. 준 자기 코일(412, 414 및 416) 외에, 메인 자기 시스템(410)은 (스위칭 공급부에 의해 전력을 공급받는) 준 직류 미러 코일(quasi-dc mirror coil)(420)을, 구속 챔버(100)의 단부와 인접한 포메이션 섹션(200) 사이에 포함한다. 준 직류 미러 코일(420)은 최대 5의 자기 미러 비율(magnetic mirror ratio)을 제공하고 평형 상태 성형 제어를 위해 독립적으로 에너지를 공급받을 수 있다. 또한, 다이버터(300)와 포메이션 섹션(200)의 각각의 사이에 미러 플러그(440)가 배치된다. 미러 플러그(440)는 소형의 준 직류 미러 코일(430) 및 미러 플러그 코일(444)을 포함한다. 준 직류 미러 코일(430)은, 미러 플러그 코일(444)을 통과하는 작은 직경 통로(442)를 향하여 자속 표면(magnetic flux surface)(455)을 집중시키도록 추가적인 안내 자계(guide field)를 생성하는 세 개의 코일(432, 434, 및 436)(스위칭 공급부에 의해 전력을 공급받음)을 포함한다. 작은 직경 통로(442)를 감싸며 LC 펄스형 전력 회로부(LC pulsed power circuitry)에 의해 전력을 공급받는 미러 플러그 코일(444)은 최대 4 T의 강한 미러 자기장(magnetic mirror field)를 생성한다. 이 전체 코일 배열의 목적은, 자속 표면(455) 및 엔드 스트리밍 플라즈마 제트(end-streaming plasma jet)(454)를 단단히 묶어서 다이버터(300)의 원격 챔버(310) 안으로 안내하는 것이다. 최종적으로, 새들 코일 "안테나"(460)의 세트(도 15 참조)는 구속 챔버(100)의 외부에 위치되고, 두 개는 중간 평면의 각각의 면 상에 있고, 직류 전력 공급부에 의해 전력을 공급받는다. 새들 코일 안테나(460)는, 회전 불안정성 및/또는 전자 전류 제어를 제어하기 위한 약 0.01 T의 준 정적 자기 쌍극자(dipole) 또는 4 극자(quadrupole) 자계를 제공하도록 구성될 수 있다. 새들 코일 안테나(460)는, 인가된 전류의 방향에 의존하여, 머신의 중간 평면에 대해 대칭인 또는 반대칭인(antisymmetric) 자기장을 유연하게 제공할 수 있다.
펄스형 전력 포메이션 시스템
펄스형 전력 포메이션 시스템(210)은 수정된 쎄타 핀치 원리 상에서 동작한다. 포메이션 섹션(200) 중 하나에 전력을 각각 공급하는 두 개의 시스템이 있다. 도 4 내지 도 6은 포메이션 시스템(210)의 메인 빌딩 블록 및 배열을 예시한다. 포메이션 시스템(210)은, 포메이션 석영 튜브(240) 주위를 감싸는 스트랩 어셈블리(230)(= 스트랩)의 코일(232)의 서브세트에 에너지를 각각 공급하는 개개의 유닛(= 스키드)(220)으로 구성되는 모듈식 펄스형 전력 배열체(modular pulsed power arrangement)로 이루어진다. 각각의 스키드(220)는 커패시터(221), 인덕터(223), 고속 고전류 스위치(225) 및 관련 트리거(222) 및 덤프 회로부(224)로 구성된다. 전체적으로, 각각의 포메이션 시스템(210)은 350 내지 400 kJ 사이의 용량성 에너지를 저장하는데, 이것은 최대 35 GW의 전력을 제공하여 FRC를 형성하고 가속시킨다. 이들 컴포넌트의 협력된 동작은, 각각의 포메이션 섹션(200) 상의 포메이션 시스템(210) 사이의 동기화된 타이밍을 허용하고 스위칭 지터를 수십 나노초로 최소화하는 최첨단 트리거 및 제어 시스템(222 및 224)을 통해 달성된다. 이 모듈식 설계의 이점은 그것의 유연한 동작이다: FRC는 인시튜로(in-situ) 형성되고 그 다음 가속 및 주입될 수 있거나(= 정적 포메이션) 또는 동시에 형성 및 가속될 수 있다(= 동적 포메이션).
중성 빔 인젝터
중성 원자 빔(600)은 가열 및 전류 구동을 제공 하도록 뿐만 아니라 고속 입자 압력을 전개하도록 FRC 시스템(10) 상에 배치된다. 도 3a, 도 3b 및 도 8에서 도시되는 바와 같이, 중성 원자 빔 인젝터 시스템(610 및 640)을 포함하는 개개의 빔 라인은 중심 구속 챔버(100) 주위에 위치되고, 고속 입자를, 목표 포획 구역(target trapping zone)이 분리선(451)(도 2 참조) 내에 있도록 하는 충격 파라미터를 가지고, 접선 방향으로(그리고 중앙 구속 용기(100)의 대칭 주축에 수직인 또는 수직에 대해 비스듬히) FRC 플라즈마에 주입한다. 각각의 인젝터 시스템(610 및 640)은 20 keV와 40 keV 사이의 입자 에너지를 가지고 FRC 플라즈마에 1 MW까지의 중성 빔 전력을 주입할 수 있다. 시스템(610 및 640)은 양이온 다중 개구 추출 소스(positive ion multi-aperture extraction source)에 기초하고 기하학적 포커싱, 이온 추출 그리드의 관성 냉각 및 차동 펌핑을 활용한다. 상이한 플라즈마 소스를 사용하는 것 외에, 시스템(610 및 640)은, 측면 및 상부 주입 성능을 산출하는, 그들 각각의 장착 위치를 충족하기 위한 그들의 물리적인 설계에 의해 주로 구별된다. 이들 중성 빔 인젝터의 통상적인 컴포넌트는, 측면 인젝터 시스템(610)에 대해 도 7에서 구체적으로 예시된다. 도 7에서 도시되는 바와 같이, 각각의 개개의 중성 빔 시스템(610)은 입력 단부(이것은 시스템(640)에서 아크 소스로 대체됨)에 RF 플라즈마 소스(612)를 포함하는데, 자기 스크린(614)이 단부를 덮고 있다. 이온 광학 소스(ion optical source) 및 가속 그리드(616)는 플라즈마 소스(612)에 커플링되고 게이트 밸브(620)는 이온 광학 소스와 가속 그리드(616) 및 중성화기(neutralizer)(622) 사이에 배치된다. 출구 단부에서 조준 디바이스(aiming device)(630)와 중성화기(622) 사이에 편향 자석(624) 및 이온 덤프(628)가 위치된다. 냉각 시스템은 두 개의 저온 냉각기(cryo-refrigerator)(634), 두 개의 저온 패널(cryopanel)(636) 및 LN2 보호대(shroud)(638)를 포함한다. 이 유연한 설계는, 광범위한 FRC 파라미터에 대한 동작을 허용한다.
중성 원자 빔 인젝터(600)에 대한 대안적인 구성은, FRC 플라즈마에 접선 방향으로, 그러나 중앙 구속 용기(100)의 대칭 주축에 대해 90° 미만의 각도(A)를 가지면서 고속 입자를 주입하는 것이다. 빔 인젝터(615)의 이들 타입의 방위는 도 3c에 도시되어 있다. 또한, 빔 인젝터(615)는, 중앙 구속 용기(100)의 중간 평면의 양측에 있는 빔 인젝터(615)가 중간 평면을 향해 그들의 입자를 주입하도록 배향될 수도 있다. 최종적으로, 이들 빔 시스템(600)의 축 방향 위치는 중간 평면에 더 가깝게 선택될 수도 있다. 이들 대안적인 주입 실시형태는 더 많은 중앙 연료 공급 옵션을 용이하게 하는데, 이것은 빔의 더 나은 커플링 및 주입된 고속 입자의 더 높은 포획 효율성(trapping efficiency)을 제공한다. 또한, 각도 및 축 방향 위치에 따라, 빔 인젝터(615)의 이러한 배열은 FRC(450)의 축 방향 신장(elongation) 및 다른 특성의 더욱 직접적이고 독립적인 제어를 허용한다. 예를 들면, 용기의 대칭 주축에 대해 얕은 각도(A)에서 빔을 주입하는 것은, 더 긴 축 방향 연장 및 더 낮은 온도를 갖는 FRC 플라즈마를 생성할 것이고, 한편 더욱 수직인 각도(A)를 선택하는 것은 축 방향에서 더 짧지만 그러나 더 고온의 플라즈마로 이어질 것이다. 이러한 방식에서, 주입 각도(A) 및 빔 인젝터(615)의 위치는 상이한 목적을 위해 최적화될 수 있다. 또한, 빔 인젝터(615)의 이러한 기울임(angling) 및 위치 결정은, 더 높은 에너지의 빔(이것은 일반적으로 더 적은 빔 발산을 가지고 더 많은 전력을 퇴적시키는(depositing) 데 더 유리하다)이, 다르게는 이러한 빔을 포획하는 데 필요할 것보다 더 낮은 자기장으로 주입되는 것을 허용할 수 있다. 이것은, 고속 이온 궤도 스케일(이것은 용기의 대칭 주축에 대한 주입 각도가 일정한 빔 에너지로 감소됨에 따라 점진적으로 작아지게 됨)을 결정하는 것이 에너지의 방위각 성분이다는 사실에 기인한다. 또한, 중간 평면을 향하는 그리고 중간 평면에 가까운 축 방향 빔 위치를 갖는 기울어진 주입은, FRC 플라즈마가 축소되더라도 또는 다르게는 주입 기간 동안 축 방향으로 수축하더라도, 빔 플라즈마 커플링(beam-plasma coupling)을 향상시킨다.
도 3d 및 도 3e를 참조하면, 다른 대안적인 구성은 기울어진 빔 인젝터(615)에 추가하여 내부 다이버터(302)를 포함한다. 내부 다이버터(302)는, 포메이션 섹션(200)과 구속 챔버(100) 사이에 위치되며, 외부 다이버터(300)와 실질적으로 유사하게 구성되고 동작한다. 내부에 고속 스위칭 마그네틱 코일을 포함하는 내부 다이버터(302)는, 포메이션 FRC가 구속 챔버(100)의 중간 평면을 향해 병진함에 따라 포메이션 FRC가 내부 다이버터(302)를 통과하는 것을 가능하게 하기 위해, 포메이션 프로세스 동안 사실상 비활성이다. 포메이션 FRC가 내부 다이버터(302)를 통해 구속 챔버(100) 안으로 이동하면, 내부 다이버터는 활성화되어 외부 다이버터와 실질적으로 유사하게 동작하고 포메이션 섹션(200)으로부터 구속 챔버(100)를 격리시킨다.
펠릿 인젝터
새로운 입자를 주입하고 FRC 입자 재고(particle inventory)를 더 잘 제어하기 위한 수단을 제공하기 위해, 12 배럴 펠릿 인젝터(700)(예를 들면, 2010년 9월 27일 ~ 10월 1일의 제26차 핵융합 과학 기술 심포지엄의 회보의 I. Vinyar 등등의 "Pellet Injectors Developed at PELIN for JET, TAE, and HL-2A" 참조)가 FRC 시스템(10) 상에서 활용된다. 도 3은 FRC 시스템(10) 상에서의 펠릿 인젝터(700)의 레이아웃을 예시한다. 원통형 펠릿(D ~ 1 mm, L ~ 1 내지 2 mm)은 150 내지 250 km/s의 범위 내의 속도로 FRC 안으로 주입된다. 각각의 개개의 펠릿은 약 5×1019 개의 수소 원자를 함유하는데, 이것은 FRC 입자 재고에 필적한다.
게터링 시스템
중성 할로 가스(halo gas)는 모든 구속 시스템에서 심각한 문제인 것으로 잘 알려져 있다. 전하 교환 및 재순환(recycling)(벽으로부터 차가운 불순물 물질 배출) 프로세스는 에너지 및 입자 구속에 치명적인 영향을 미칠 수 있다. 또한, 에지에서의 또는 그 부근에서의 중성 가스의 임의의 상당한 밀도는, 주입된 대형 궤도(고 에너지) 입자의 즉각적인 상실로 이어질 것이거나 또는 주입된 대형 궤도 입자의 수명을 적어도 심각하게 줄일 것이다(큰 궤도는, FRC 토폴로지의 스케일 상에서의 궤도 또는 특성 자기장 그래디언트 길이 스케일보다 훨씬 더 큰 최소 궤도 반경을 갖는 입자를 지칭한다) - 보조 빔 가열을 통한 융합을 비롯한, 모든 활동적인 플라즈마 애플리케이션에 유해한 사실.
표면 컨디셔닝은, 중성 가스 및 불순물의 유해한 효과가 구속 시스템에서 제어 또는 감소될 수 있게 하는 수단이다. 이를 위해, 본원에서 제공되는 FRC 시스템(10)은, 구속 챔버(또는 용기)(100) 및 다이버터(300 및 302)의 플라즈마 대향 표면을 Ti 및/또는 Li의 막(수십 마이크로미터 두께)으로 코팅하는 티타늄 및 리튬 퇴적 시스템(810 및 820)을 활용한다. 코팅은 증착(vapor deposition) 기술을 통해 달성된다. 고체 Li 및/또는 Ti는 증발 및/또는 승화되고 가까운 표면 상에 분무되어 코팅을 형성한다. 소스는 안내 노즐(Li의 경우)(822)을 갖는 원자 오븐 또는 안내 보호판(guide shrouding)(Ti의 경우)(812)을 갖는 고체의 가열된 구체이다. Li 증발기 시스템(evaporator system)은 통상적으로 연속 모드에서 동작하고, 한편 Ti 승화기는 플라즈마 동작 사이에서 주로 간헐적으로 동작된다. 이들 시스템의 동작 온도는 빠른 퇴적 속도를 획득하기 위해 600 ℃ 이상이다. 양호한 벽 커버리지를 달성하기 위해서는, 다수의 전략적으로 위치된 증발기/승화기 시스템이 필요하다. 도 9는 FRC 시스템(10)에서의 게터링 퇴적 시스템(810 및 820)의 바람직한 배열을 묘사한다. 코팅은 게터링 표면으로서 작용하고 원자 및 분자 수소 종(H 및 D)을 효과적으로 펌핑한다. 코팅은 또한 탄소 및 산소와 같은 다른 통상적인 불순물을 무의미한 레벨까지 감소시킨다.
미러 플러그
상기에서 언급되는 바와 같이, FRC 시스템(10)은 도 2 및 도 3에서 도시되는 바와 같이 미러 코일(420, 430 및 444)의 세트를 활용한다. 미러 코일(420)의 제1 세트는 구속 챔버(100)의 두 개의 축 방향 단부에 위치되고 메인 자기 시스템(410)의 구속 코일(confinement coil)(412, 414, 416)로부터 독립적으로 에너지를 공급받는다. 미러 코일(420)의 제1 세트는, 주로, 병합 동안 FRC(450)를 조종하여 축 방향으로 포함하는 것을 돕고 유지(sustainment) 동안 평형 상태 성형 제어(equilibrium shaping control)를 제공한다. 제1 미러 코일 세트(420)는, 중앙 구속 코일(412)에 의해 생성되는 중앙 구속 자계(central confinement field)보다 명목상으로 더 높은 자기장(대략 0.4 내지 0.5 T)을 생성한다. 세 개의 소형의 준 직류 미러 코일(432, 434, 436)을 포함하는 미러 코일(430)의 제2 세트는, 포메이션 섹션(200)과 다이버터(300) 사이에 위치되며 공통 스위칭 전력 공급부에 의해 구동된다. 미러 코일(432, 434 및 436)은, (용량성 전력 공급부에 의해 전력을 공급받는) 더 소형의 펄스형 미러 플러그 코일(444) 및 물리적 수축부(442)와 함께, (약 10 내지 20 ms의 상승 시간을 갖는 2와 4 T 사이의) 매우 높은 자기장을 갖는 좁은 저 가스 컨덕턴스 경로를 제공하는 미러 플러그(440)를 형성한다. 가장 소형의 펄스형 미러 코일(444)은, 구속 코일(412, 414 및 416)의 미터 단위를 넘는 스케일의 보어(meter-plus-scale bore) 및 팬케이크 설계와 비교하여, 20 cm의 보어 및 유사한 길이의 소형의 반경 방향 치수를 갖는다. 미러 플러그(440)의 목적은 다양하다: (1) 코일(432, 434, 436 및 444)은 자기 플럭스 표면(452) 및 엔드 스트리밍 플라즈마 제트(end-streaming plasma jet)(454)를 단단히 묶어서 원격 다이버터 챔버(300) 안으로 안내한다. 이것은, 배기 입자가 다이버터(300)에 적절하게 도달하는 것 및 중앙 FRC(450)의 개방된 자계 라인(452) 영역으로부터 다이버터(300)까지 계속 추적하는 연속 플럭스 표면(455)이 있다는 것을 보장한다. (2) 코일(432, 434, 436 및 444)이 자속 표면(452) 및 플라즈마 제트(454)의 통과를 가능하게 하는 FRC 시스템(10)의 물리적 수축부(442)는, 다이버터(300) 내에 놓여 있는 플라즈마 건(350)으로부터의 중성 가스 흐름에 방해를 제공한다. 동일한 맥락에서, 수축부(442)는 포메이션 섹션(200)으로부터 다이버터(300)로의 가스의 역류를 방지하고 그에 의해, FRC의 기동을 시작할 때 전체 FRC 시스템(10)으로 도입되어야 하는 중성 입자의 수를 감소시킨다. (3) 코일(432, 434, 436 및 444)에 의해 생성되는 강한 축 방향 미러는 축 방향 입자 손실을 감소시키고 그에 의해 개방된 자계 라인에서 평행 입자 확산을 감소시킨다.
도 3d 및 도 3e에서 도시되는 대안적인 구성에서, 로우 프로파일 네킹 코일(low profile necking coil)(421)의 세트는, 내부 다이버터(302)와 포메이션 섹션(200) 사이의 위치된다.
축 방향 플라즈마 건
다이버터(300)의 다이버터 챔버(310)에 장착되는 건(350)으로부터의 플라즈마 스트림은, 안정성 및 중성 빔 성능을 향상시키도록 의도된다. 건(350)은 도 3 및 도 10에서 예시되는 바와 같이 다이버터(300)의 챔버(310) 내부의 축 상에 장착되고 다이버터(300) 내에서 개방된 플럭스 라인(452)을 따라 그리고 구속 챔버(100)의 중앙을 향해 흐르는 플라즈마를 생성한다. 건(350)은 와셔 스택 채널(washer-stack channel)의 고밀도 가스 방전에서 동작하고, 5 내지 10 ms 동안 수 킬로 암페어의 완전히 이온화된 플라즈마를 생성하도록 설계된다. 건(350)은, 출력 플라즈마 스트림을 구속 챔버(100) 내에서의 플라즈마의 소망되는 사이즈와 매치시키는 펄스형 자기 코일을 포함한다. 건(350)의 기술적 파라미터는, 외경이 5 내지 13 cm이고 내경이 약 10 cm까지인 채널에 의해 특성 묘사되며, 0.5 내지 2.3 T 사이의 건 내부 자기장에서 400 내지 600 V에서 10 내지 15 kA의 방전 전류를 제공한다.
건 플라즈마 스트림은 미러 플러그(440)의 자기장을 관통하여 포메이션 섹션(200) 및 구속 챔버(100) 안으로 유동할 수 있다. 미러 플러그(440)를 통한 플라즈마 전달의 효율성은, 건(350)과 플러그(440) 사이의 거리가 감소함에 따라 그리고 플러그(440)를 더 넓고 더 짧게 만드는 것에 의해 증가한다. 합리적인 조건 하에서, 건(350) 각각은, 각각, 약 150 내지 300 eV 및 약 40 내지 50 eV의 높은 이온 및 전자 온도에서 2 내지 4 T 미러 플러그(440)를 통해 초당 대략적으로 1022 개의 양성자를 전달할 수 있다. 건(350)은 FRC 에지 층(456)의 상당한 연료 재공급(refueling) 및 향상된 전체 FRC 입자 구속을 제공한다.
플라즈마 밀도를 추가로 증가시키기 위해, 가스 박스가 활용되어 건(350)으로부터의 플라즈마 스트림 안으로 추가적인 가스를 퍼핑할(puff) 수 있다. 이 기술은 주입된 플라즈마 밀도에서의 수 배 증가를 허용한다. FRC 시스템(10)에서, 미러 플러그(440)의 다이버터(300) 측 상에 설치되는 가스 박스는, FRC 에지 층(456)의 연료 재공급, FRC(450)의 포메이션, 및 플라즈마 라인 결합(plasma line-tying)을 향상시킨다.
상기에서 논의되는 모든 조정 파라미터가 주어지면 그리고 또한 단지 하나의 또는 둘 모두의 건을 사용한 동작이 가능하다는 것을 고려하면, 광범위한 동작 모드가 액세스 가능하다는 것이 쉽게 명백해진다.
바이어싱 전극
개방된 플럭스 표면의 전기적 바이어싱은, 속도 전단(velocity shear)을 통한 개방된 자계 라인 플라즈마뿐만 아니라 실제 FRC 코어(450)의 회전을 제어하기 위한, 노브를 돌리는 것과 유사한 제어 메커니즘을 제공하는 방위각 E×B 모션을 발생시키는 반경 방향 전위를 제공할 수 있다. 이러한 제어를 달성하기 위해, FRC 시스템(10)은 머신의 다양한 부품에 전략적으로 배치되는 다양한 전극을 활용한다. 도 3은 FRC 시스템(10) 내에서 바람직한 위치에 배치되는 바이어싱 전극을 묘사한다.
원칙적으로, 4 클래스의 전극이 존재한다: (1) FRC(450)의 에지에서 특정한 개방된 자계 라인(452)과 접촉하여 국소적인 충전을 제공하는 구속 챔버(100) 내의 점 전극(point electrode)(905), (2) 방위각적으로 대칭인 방식으로 파 에지 플럭스 층(far-edge flux layer)(456)을 충전하기 위한, 구속 챔버(100)와 포메이션 섹션(200) 사이의 환형 전극(annular electrode)(900), (3) 다수의 중심이 같은 플럭스 층(455)을 충전하기 위한, 다이버터(300) 내의 동심의 전극(910)의 스택(이에 의해 층의 선택은, 적절한 전극(910) 상에서 소망되는 플럭스 층(456)이 종료하도록 코일(416)을 조정하여 다이버터 자기장을 조정하는 것에 의해 제어 가능하다), 및 최종적으로 (4) 플라즈마 건(350) 자체(이것은 FRC(450)의 분리선 근처에서 내부의 개방된 플럭스 표면(455)을 차단함)의 애노드(920)(도 10 참조). 도 10 및 도 11은 이들 중 일부에 대한 어떤 통상적인 설계를 도시한다.
모든 경우에, 이들 전극은 약 800 V까지의 전압에서 펄스형 또는 직류 전원에 의해 구동된다. 전극 사이즈 및 어떤 플럭스 표면이 교차되는지에 따라, 전류는 킬로 암페어 범위에서 인출될 수 있다.
FRC 시스템의 비 유지 동작 - 종래의 체제
FRC 시스템(10) 상에서의 표준 플라즈마 포메이션은 잘 발달된 반전 자계 쎄타 핀치 기술을 따른다. FRC를 기동시키기 위한 통상적인 프로세스는, 준 직류 코일(412, 414, 416, 420, 432, 434 및 436)을 정상 상태 동작으로 구동시키는 것에 의해 시작한다. 그 다음, 펄스형 전력 포메이션 시스템(210)의 RFTP 펄스형 전력 회로는, 펄스형 고속 반전 자장 코일(pulsed fast reversed magnet field coil)(232)을 구동하여 포메이션 섹션(200)에서 약 -0.05 T의 일시적인 반전 바이어스를 생성한다. 이 지점에서, 9 내지 20 psi의 미리 결정된 양의 중성 가스가, 포메이션 섹션(200)의 외부 단부 상에 위치되는 플랜지에서 방위각적으로 배향된 퍼프 밸브의 세트를 통해, (북쪽 및 남쪽) 포메이션 섹션(200)의 석영 튜브 챔버(240)에 의해 정의되는 두 개의 포메이션 볼륨 안으로 주입된다. 다음으로, 작은 RF(~ 수백 킬로헤르츠) 자계가 석영 튜브(240)의 표면 상의 안테나 세트로부터 발생되어 중성 가스 칼럼 내에서 국소적인 시드 이온화 영역의 형태로 예비 이온화를 생성한다. 후속하여, 펄스형 반전 자장 코일(232)을 구동하는 전류에 쎄타 링잉 변조(theta-ringing modulation)를 적용하는데, 이것은 가스 칼럼의 더욱 전역적인 예비 이온화로 이어진다. 최종적으로, 펄스형 전력 포메이션 시스템(210)의 메인 펄스형 전력 뱅크는 펄스형 고속 반전 자장 코일(232)을 구동하도록 점화되어 최대 0.4 T의 순방향 바이어스된 자계를 생성한다. 이 단계는, 포메이션 튜브(240)의 길이 전체에 걸쳐 순방향 바이어스된 자계가 균일하게 생성되도록(정적 포메이션) 또는 포메이션 튜브(240)의 축을 따라 연속하는 연동 자계 변조가 달성되도록(동적 포메이션), 시간 시퀀스화될 수 있다.
이 전체 포메이션 프로세스에서, 플라즈마에서의 실제 자계 반전은 신속하게, 약 5 ㎲ 이내에 발생한다. 형성되는 플라즈마에 전달되는 멀티 기가와트 펄스형 전력(multi-gigawatt pulsed power)은, 고온 FRC를 쉽게 생성하는 데, 고온 FRC는, 그 다음, 순방향 자기장의 시간 시퀀스화된 변조(자기 연동) 또는 (축 방향에서 구속 챔버(100)를 향해 가리키는 축 방향 자기장 그래디언트를 형성하는) 포메이션 튜브(210)의 축 방향의 외부 단부 근처의 코일 세트(232)의 마지막 코일에서의 일시적으로 증가된 전류 중 어느 하나의 적용을 통해 포메이션 섹션(200)으로부터 분출된다. 이렇게 형성되고 가속된 두 개의(북쪽 및 남쪽) 포메이션 FRC는, 그 다음, 더 큰 직경의 구속 챔버(100) 안으로 확장하는데, 여기서 준 직류 코일(412)은 순방향 바이어스된 자계를 생성하여 반경 방향 확장을 제어하고 평형 상태 외부 자속을 제공한다.
일단 북쪽 및 남쪽 포메이션 FRC가 구속 챔버(100)의 중간 평면 근처에 도달하면, FRC는 충돌한다. 충돌 동안, 북쪽 및 남쪽 포메이션 FRC의 축 방향 운동 에너지는, FRC가 궁극적으로 단일 FRC(450)로 병합함에 따라, 대부분 열중성자화된다(thermalized). FRC(450)의 평형을 연구하기 위해 구속 챔버(100)에서 플라즈마 진단의 큰 세트가 이용 가능하다. FRC 시스템(10)에서의 통상적인 동작 조건은 약 0.4 m의 분리선 반경 및 약 3 m의 축 방향 연장을 갖는 복합 FRC를 생성한다. 추가적인 특성은, 약 0.1 T의 외부 자기장, 약 5×1019 m-3의 플라즈마 밀도 및 최대 1 keV의 전체 플라즈마 온도이다. 어떠한 유지도 없으면, 즉, 중성자 빔 주입 또는 다른 보조 수단을 통한 가열 및/또는 전류 구동이 없으면, 이들 FRC의 수명은, 고유의 특성 구성 감쇠 시간인 약 1 ms로 제한된다.
비 유지 동작의 실험적 데이터 - 종래의 체제
도 12는, FRC(450)의 쎄타 핀치 병합 프로세스의 동역학을 예시하기 위해, 분리선 반경 rs를 근사하는 배제된 자속 반경 rΔΦ의 통상적인 시간 전개를 도시한다. 두 개의(북쪽 및 남쪽) 개개의 플라즈모이드(plasmoid)가 동시에 생성되고, 그 다음, 각각의 포메이션 섹션(200)으로부터 초음속(vz ~ 250 km/s)으로 가속되고, z = 0의 중간 평면 근처에서 충돌한다. 충돌 동안 플라즈모이드는, 궁극적으로 FRC(450)을 형성하기 이전에, 축 방향으로 압축되고, 후속하여, 반경 방향 및 축 방향에서 급속하게 팽창한다. 병합 FRC(450)의 반경 방향 및 축 방향 동역학 둘 모두는 상세한 밀도 프로파일 측정 및 볼로미터 기반의 단층 촬영(bolometer-based tomography)에 의해 입증된다.
FRC 시스템(10)의 대표적인 비 유지 방전으로부터의 데이터가, 도 13에서 시간의 함수로서 도시된다. FRC는 t = 0에서 시작된다. 머신의 축 방향 중간 평면에서의 배제된 자속 반경은 도 13의 (a)에서 도시된다. 이 데이터는, 축 방향 자기장을 측정하는, 구속 챔버의 스테인레스 스틸 벽 바로 내부에 위치되는 자기 프로브의 어레이로부터 획득된다. 스틸 벽은 이 방전의 시간 스케일 상에서 양호한 플럭스 보존자이다.
z = 0에 위치되는 6 코드 CO2/He-Ne 간섭계로부터의 라인 집적 밀도가 도 13의 (b)에서 도시된다. 볼로미터 단층 촬영(bolometric tomography)에 측정되는 바와 같은 수직(y) FRC 변위를 고려하면, 아벨 반전은 도 13의 (c)의 밀도 윤곽을 산출한다. 처음 0.1 ms 동안의 약간의 축 방향 및 반경 방향의 슬로싱(sloshing) 이후, FRC는 중공의(hollow) 밀도 프로파일을 가지고 안정화된다. 이 프로파일은, 통상적인 2D FRC 평형 상태에 의해 요구되는 바와 같이, 축 상에서 상당한 밀도를 가지면서, 상당히 평평하다.
압력 밸런스로부터 유도되며 톰슨(Thomson) 산란 및 분광학 측정과 완전히 일치하는 전체 플라즈마 온도가 도 13의 (d)에서 도시된다.
배제된 플럭스 어레이 전체로부터의 분석은, (배제된 플럭스 축 방향 프로파일에 의해 근사되는) FRC 분리선의 형상이 경주장(racetrack)으로부터 타원형으로 점진적으로 진화 한다는 것을 나타낸다. 도 14에서 도시되는 이 진화는, 두 개로부터 단일의 FRC로의 점진적인 자기 재연결과 일치한다. 실제, 대략적인 추정은, 이 특별한 순간에, 두 개의 초기 FRC 자속 중 약 10 %가 충돌 동안 재연결된다는 것을 시사한다.
FRC 길이는 FRC 수명 동안 3에서부터 약 1 m까지 꾸준히 수축한다. 도 14에서 볼 수 있는 이 수축은, 대부분의 대류 에너지 손실이 FRC 구속을 지배한다는 것을 시사한다. 분리선 내부의 플라즈마 압력이 외부 자기 압력보다 더 빠르게 감소함에 따라, 단부 영역에서의 자기장 라인 장력은 FRC를 축 방향으로 압축하여, 축 방향 및 반경 방향의 평형 상태를 회복시킨다. 도 13 및 도 14에서 논의되는 방출의 경우, FRC 자속, 입자 재고, 및 열 에너지(각각, 약 10 mWb, 7×1019 개의 입자, 및 7 kJ)는, FRC 평형 상태가 가라 앉는 것처럼 보일 때, 최초 밀리초에서 대략 10의 1승배만큼 감소한다.
유지된 동작 - HPF 체제
도 12 내지 도 14의 예는 어떠한 유지도 없는 감쇠하는 FRC의 특성이다. 그러나, FRC 구속(내부 코어 및 에지 층)을 HPF 체제로 더욱 향상시키고 구성을 유지하기 위한 여러 가지 기술이 FRC 시스템(10) 상에서 배치된다.
중성 빔
먼저, 여덟 개의 중성 빔 인젝터(600)로부터의 빔에서 고속(H) 중성선(neutrals)이 Bz에 수직으로 주입된다. 고속 중성선의 빔은 북쪽 및 남쪽 포메이션 FRC가 구속 챔버(100)에서 하나의 FRC(450)로 병합하는 순간부터 주입된다. 주로 전하 교환에 의해 생성되는 고속 이온은, FRC(450)의 방위각 전류에 추가되는 (FRC 토폴로지의 스케일 상에서 주 반경을 갖는 또는 특성 자기장 그래디언트 길이 스케일보다 적어도 훨씬 더 큰) 베타트론(betatron) 궤도를 갖는다. 방전의 일부 이후(샷(shot)으로의 0.5 내지 0.8 ms 이후), 충분히 크게 빠른 이온 모집단(population)이 내부 FRC의 안정성 및 구속 속성을 크게 향상시킨다(예를 들면, MW Binderbauer and N. Rostoker, Plasma Phys. 56, part 3, 451 (1996) 참조). 또한, 유지 관점에서, 중성 빔 인젝터(600)로부터의 빔은 또한, 전류를 구동시키고 FRC 플라즈마를 가열하기 위한 주 수단이다.
FRC 시스템(10)의 플라즈마 체제에서, 고속 이온은 주로 플라즈마 전자에 대해 느려진다. 방전 초기 부분 동안, 고속 이온의 통상적인 궤도 평균 속도 감속 시간은 0.3 내지 0.5 ms인데, 이것은 주로 전자의 상당한 FRC 가열로 나타난다. 고속 이온은, 내부 FRC 자기장이 본질적으로 낮기 때문에(0.1 T 외부 축 방향 자계에 대해 평균해서 약 0.03 T), 분리선 외부에서 큰 반경 방향 편위를 만든다. 중성 가스 밀도가 분리선 외부에서 너무 높으면, 고속 이온은 전하 교환 손실에 취약할 것이다. 따라서, FRC 시스템(10) 상에서 배치되는 벽 게터링 및 다른 기술(예컨대, 다른 것들 중에서도, 가스 제어에 기여하는 플라즈마 건(350) 및 미러 플러그(440))은 에지 중성선을 최소화하는 경향이 있고, 고속 이온 전류의 요구된 빌드업을 가능하게 한다.
펠릿 주입
더 높은 전자 온도 및 더 긴 FRC 수명을 가지면서, 상당한 고속 이온 모집단이 FRC(450) 내에서 구축되는 경우, 동결된 H 또는 D 펠릿이 펠릿 인젝터(700)로부터 FRC(450) 안으로 주입되어 FRC(450)의 FRC 입자 재고를 유지한다. 예상된 제거 시간 척도는 상당한 FRC 입자 소스를 제공하기에 충분히 짧다. 이 레이트는 또한, 펠릿 인젝터(700)의 배럴 또는 주입 튜브 내에 있는 동안 그리고 구속 챔버(100)에 들어가기 이전에 개개의 펠릿을 더 작은 단편으로 분해하는 것에 의해 주입된 부분(piece)의 표면적을 확대시킴으로써 증가될 수 있는데, 구속 챔버(100)로 들어가기 직전에 주입 튜브의 최종 세그먼트의 굴곡 반경을 조임으로써 주입 튜브의 벽과 펠릿 사이의 마찰을 증가시키는 것에 의해 달성될 수 있는 단계. 12 개의 배럴(주입 튜브)의 점화 시퀀스 및 레이트뿐만 아니라 단편화를 변경하는 덕분에, 바로 소망되는 레벨의 입자 재고 유지를 제공하도록 펠릿 주입 시스템(700)을 조정하는 것이 가능하다. 결과적으로, 이것은 FRC(450)에서의 내부 운동 압력 및 FRC(450)의 유지 동작 및 수명을 유지하는 데 도움이 된다.
일단 제거된 원자가 FRC(450)에서 상당한 플라즈마를 만나면, 그들은 완전히 이온화된다. 그러면, 결과적으로 나타나는 차가운 플라즈마 성분은 고유의 FRC 플라즈마에 의해 충돌식으로 가열된다. 소망되는 FRC 온도를 유지하는 데 필요한 에너지는 궁극적으로 빔 인젝터(600)에 의해 공급된다. 이러한 의미에서, 중성 빔 인젝터(600)와 함께 펠릿 인젝터(700)는 정상 상태를 유지하고 FRC(450)를 유지하는 시스템을 형성한다.
CT 인젝터
펠릿 인젝터에 대한 대안으로서, 주로 자계 반전 구성(field-reversed configuration: FRC) 플라즈마에 연료를 공급하기 위한 소형 토로이드(CT) 인젝터가 제공된다. CT 인젝터(720)는, 도 21에서 도시되는 바와 같이, 동축의 원통형 내부 및 외부 전극(722 및 724), 내부 전극(726) 내부에 배치되는 바이어스 코일 및 CT 인젝터(720)의 방전에 대향하는 단부 상의 전기 브레이크(728)를 포함하는 자화된 동축 플라즈마 건(magnetized coaxial plasma-gun; MCPG)을 포함한다. 가스는 내부 및 외부 전극(722, 724) 사이의 공간 안으로 가스 주입 포트(730)를 통해 주입되고, 방전에 의해 그로부터 스페로막(Spheromak)형 플라즈마가 생성되고 로렌츠(Lorentz) 힘에 의해 건으로부터 밖으로 푸시된다. 도 22a 및 도 22b에서 도시되는 바와 같이, CT를 구속 용기(100) 내의 중앙 FRC 플라즈마 안으로 주입하기 위해, 용기(100)의 중간 평면의 반대 면 근처에서 그리고 반대 면 상에서 한 쌍의 CT 인젝터(720)가 구속 용기(100)에 커플링된다. CT 인젝터(720)의 방출 단부는 중성 빔 인젝터(615)와 유사하게 구속 용기(100)의 길이방향 축에 대해 비스듬하게 구속 용기(100)의 중간 평면을 향해 지향된다.
다른 실시형태에서, 도 23a 및 도 23b에서 도시되는 바와 같은 CT 인젝터(720)는, CT 인젝터(720)의 방전 단부에 커플링되는 가늘고 긴(elongate) 원통형 튜브를 포함하는 드리프트 튜브(drift tube)(740)를 포함한다. 묘사되는 바와 같이, 드리프트 튜브(740)는, 튜브 주위에 배치되며 튜브를 따라 축 방향으로 이격되는 드리프트 튜브 코일(742)을 포함한다. 복수의 진단 포트(744)가 튜브의 길이를 따라 묘사된다.
CT 인젝터(720)의 이점은 다음과 같다: (1) 주입된 CT마다의 입자 재고의 제어 및 조정; (2) (극저온의 펠릿 대신) 따뜻한 플라즈마가 퇴적됨; (3) 시스템은 연속적인 연료 공급을 허용하도록 반복률 모드(rep-rate mode)에서 동작될 수 있음; (4) 시스템은 또한, 주입된 CT가 임베딩된 자기장을 전달할 때 약간의 자속을 복원할 수 있음. 실험 용도의 실시형태에서, 외부 전극의 내경은 83.1 mm이고, 내부 전극의 외경은 54.0 mm이다. 내부 전극(722)의 표면은, 전극(722)으로부터 나오는 불순물을 감소시키기 위해, 텅스텐으로 코팅되는 것이 바람직하다. 묘사되는 바와 같이, 바이어스 코일(726)은 내부 전극(722)의 내부에 장착된다.
최근 실험에서 ~ 100 km/s까지의 초음속 CT 변환 속도가 달성되었다. 다른 통상적인 플라즈마 파라미터는 다음과 같다: 전자 밀도 ~ 5×1021 m-3, 전자 온도 ~ 30 내지 50 eV, 및 ~ 0.5-1.0×1019의 입자 재고. CT의 높은 운동 압력은, 주입된 플라즈마가 FRC 안으로 깊숙이 침투하여 분리선 내부에 입자를 퇴적하는 것을 허용한다. 최근의 실험에서 FRC 입자 연료 공급은, ~ 10 내지 20 %의 FRC 입자 재고가 CT 인젝터에 의해 성공적으로 제공되는 것으로 나타나는데, FRC 플라즈마를 붕괴시키지 않으면서 연료 공급이 쉽게 수행될 수 있다는 것을 나타낸다.
새들 코일
정상 상태의 전류 구동을 달성하고 필요로 되는 이온 전류를 유지하기 위해서는, (충돌하는 이온 전자 모멘텀 전달로부터 유래하는) 전자 이온 마찰력에 기인하는 전자 스핀 업을 방지하거나 상당히 감소시키는 것이 바람직하다. FRC 시스템(10)은, 외부적으로 인가된 정적 자기 쌍극자 또는 4 극자 자계를 통해 전자 차단(electron breaking)을 제공하기 위한 혁신적인 기술을 활용한다. 이것은 도 15에서 묘사되는 외부 새들 코일(460)을 통해 달성된다. 새들 코일(460)로부터 횡방향으로 인가된 반경 방향 자기장은 회전하는 FRC 플라즈마에서 축 방향 전기장을 유도한다. 결과적으로 나타나는 축 방향 전자 전류는 반경 방향 자기장과 상호 작용하여 전자에 대한 방위각 차단력(azimuthal breaking force),
Figure pct00001
을 발생시킨다. FRC 시스템(10)에서의 통상적인 조건의 경우, 적절한 전자 차단을 제공하기 위해 플라즈마 내부에서의 필요로 되는 자기 쌍극자(또는 4 극자) 자계는 0.001 T 정도만을 필요로 한다. 약 0.015 T의 대응하는 외부 자계는, 인식 가능한 고속 입자 손실을 일으키지 않을 만큼 또는 다르게는 구속에 부정적인 영향을 미치지 않을 만큼 충분히 작다. 사실, 인가된 자기 쌍극자(또는 4 극자) 자계는 불안정성을 억제하는 데 기여한다. 접선의 중성 빔 주입 및 축 방향 플라즈마 주입과 결합하여, 새들 코일(460)은 전류 유지 보수 및 안정성과 관련하여 추가적인 레벨의 제어를 제공한다.
미러 플러그
미러 플러그(440) 내의 펄스형 코일(444)의 설계는 적당한(약 100 kJ) 용량성 에너지를 갖는 높은 자기장(2 내지 4 T)의 국소적인 생성을 허용한다. FRC 시스템(10)의 현재 동작을 대표하는 자계의 포메이션을 위해, 포메이션 볼륨 내의 모든 자계 라인은, 도 2의 자기장 라인에 의해 제안되는 바와 같이 미러 플러그(440)에서 수축부(442)를 통과하고, 플라즈마 벽 접촉은 발생하지 않는다. 또한, 준 직류 다이버터 자석(416)과 직렬로 연결되는 미러 플러그(440)는, 자계 라인을 다이버터 전극(910) 상으로 안내하도록 또는 단부 끝 구성(end cusp configuration)(도시되지 않음)에서 자계 라인을 나팔꽃 모양으로 벌리도록(flare) 조정될 수 있다. 후자는 안정성을 향상시키고 평행 전자 열 전도를 억제한다.
미러 플러그(440)는 그 자체로도 또한 중성 가스 제어에 기여한다. 미러 플러그(440)는, 다이버터(300)로의 가스 역류가 플러그의 작은 가스 전도도(미미한 500 L/s)에 의해 현저히 감소되기 때문에, FRC 포메이션 동안 석영 튜브 안으로 퍼핑되는 중수소 가스의 더 나은 활용을 허용한다. 포메이션 튜브(210) 내부의 잔류 퍼프 가스(residual puffed gas)의 대부분은 신속하게 이온화된다. 또한, 미러 플러그(440)를 통해 흐르는 고밀도 플라즈마는 효율적인 중성 이온화를 그러므로 효율적인 가스 장벽을 제공한다. 결과적으로, FRC 에지 층(456)으로부터 다이버터(300)에서 재순환되는 대부분의 중성선은 구속 챔버(100)로 복귀하지 않는다. 또한, (하기에서 논의되는 바와 같이) 플라즈마 건(350)의 동작과 관련되는 중성선은 대부분 다이버터(300)에 국한될 것이다.
마지막으로, 미러 플러그(440)는 FRC 에지 층 구속을 향상시키는 경향이 있다. 20 내지 40 범위의 미러 비율(플러그/구속 자기장)에서, 그리고 북쪽 및 남쪽 미러 플러그(440) 사이의 15m의 길이에서, 에지 층 입자 구속 시간
Figure pct00002
는 10의 1승배까지 증가된다.
Figure pct00003
를 향상시키는 것은, FRC 입자 구속을 쉽게 증가시킨다.
분리선 볼륨(453)으로부터의 반경 방향 확산(D) 입자 손실이 에지 층(456)으로부터의 축 방향 손실(
Figure pct00004
)에 의해 균형을 이루는 것으로 가정하면,
Figure pct00005
를 획득하는데, 이로부터, 분리선 밀도 그래디언트 길이는
Figure pct00006
로 다시 기록될 수 있다. 여기서, rs, Ls 및 ns는, 각각, 분리선 반경, 분리선 길이 및 분리선 밀도이다. FRC 입자 구속 시간은
Figure pct00007
인데, 여기서
Figure pct00008
이고, a = rs/4이다. 물리적으로,
Figure pct00009
를 향상시키는 것은, 증가된
Figure pct00010
(감소된 분리선 밀도 그래디언트 및 드리프트 파라미터)로, 따라서, 감소된 FRC 입자 손실로 이어진다. FRC 입자 구속에서의 전체적인 향상은, ns
Figure pct00011
로 증가하기 때문에, 일반적으로, 2차보다 다소 작다.
Figure pct00012
에서의 상당한 향상은 또한, 에지 층(456)이 극도로 안정하게 유지되는 것을 필요로 한다(즉, n = 1 플루트(flute), 파이어호스(firehose), 또는 개방된 시스템을 대표하는 다른 MHD 불안정성이 없음). 플라즈마 건(350)의 사용은 이러한 바람직한 에지 안정성을 제공한다. 이러한 의미에서, 미러 플러그(440) 및 플라즈마 건(350)은 효과적인 에지 제어 시스템을 형성한다.
플라즈마 건
플라즈마 건(350)은 라인 결합(line-tying)에 의한 FRC 배기 제트(454)의 안정성을 향상시킨다. 플라즈마 건(350)으로부터의 건 플라즈마는 방위각 각운동량 없이 생성되는데, 이것은 FRC 회전 불안정성을 제어하는 데 유용하다는 것을 증명한다. 그러한 만큼, 건(350)은 구형 4 극자 안정화 기술에 대한 필요 없이 FRC 안정성을 제어하는 효과적인 수단이다. 결과적으로, 플라즈마 건(350)은 본 개시에서 개설되는 바와 같이 고속 입자의 유익한 효과를 이용하는 것 또는 진보된 하이브리드 운동 FRC 체제에 액세스하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 플라즈마 건(350)은 FRC 시스템(10)이 전자 차단에 단지 충분하지만 그러나 FRC 불안정성을 야기할 및/또는 극적으로 빠른 입자 확산으로 이어질 임계치 아래의 새들 코일 전류를 사용하여 동작되는 것을 가능하게 한다.
상기의 미러 플러그의 설명에서 언급되는 바와 같이,
Figure pct00013
가 현저하게 향상될 수 있다면, 공급된 건 플라즈마는 에지 층 입자 손실율(~ 1022/s)에 필적할 것이다. FRC 시스템(10)에서의 건에 의해 생성된 플라즈마의 수명은 밀리초 범위 내에 있다. 실제로, 엔드 미러 플러그(440) 사이에서 구속되는, ~ 1013 cm-3의 밀도(ne) 및 약 200 eV의 이온 온도를 갖는 건 플라즈마를 고려한다. 트랩 길이(L) 및 미러 비율(R)은, 각각, 약 15m 및 20이다. 쿨롱(Coulomb) 충돌에 기인하는 이온 평균 자유 경로는
Figure pct00014
이며,
Figure pct00015
이기 때문에, 이온은 기체 역학 체제 내에 구속된다. 이 체제에서의 플라즈마 구속 시간은
Figure pct00016
인데, 여기서 Vs는 이온 음속이다. 비교를 위해, 이들 플라즈마 파라미터에 대한 고전적인 이온 구속 시간은
Figure pct00017
일 것이다. 변칙적인 횡단 확산(anomalous transverse diffusion)은, 원칙적으로, 플라즈마 구속 시간을 단축시킬 수도 있다. 그러나, FRC 시스템(10)에서, 봄(Bohm) 확산 속도를 가정하면, 건 플라즈마에 대한 추정된 횡단 구속 시간(transverse confinement time)은
Figure pct00018
이다. 따라서, 건은 FRC 에지 층(456)의 상당한 연료 재공급 및 향상된 전체 FRC 입자 구속을 제공할 것이다.
또한, 건 플라즈마 스트림은 약 150 내지 200 마이크로초 내에 턴온될 수 있는데, 이것은 FRC 기동, 병진, 및 구속 챔버(100) 안으로의 병합에서의 사용을 허용한다. t ~ 0(FRC 메인 뱅크 초기화) 부근에서 턴온되면, 건 플라즈마는 현재 동적으로 형성되고 병합된 FRC(450)를 유지하는 데 도움이 된다. 포메이션 FRC로부터의 그리고 건으로부터의 결합된 입자 재고는, 중성 빔 포착, 플라즈마 가열, 및 장기간 유지에 적합하다. -1 내지 0 ms의 범위 내의 t에서 턴온되면, 건 플라즈마는 석영 튜브(210)를 플라즈마로 채우거나 또는 석영 튜브 내로 퍼핑되는 가스를 이온화할 수 있고, 따라서 감소된 또는 심지어 어쩌면 제로의 퍼핑된 가스를 갖는 FRC 포메이션을 허용한다. 후자는 반전된 바이어스 자기장의 신속한 확산을 허용하기 위해 충분히 차가운 포메이션 플라즈마를 필요로 할 수도 있다. t < -2 ms에서 턴온되면, 플라즈마 스트림은 포메이션 섹션(200) 및 구속 챔버(100)의 포메이션 영역 및 구속 영역의 약 1 내지 3 m3 자계 라인 볼륨을, FRC 도달 이전에 중성 빔 빌드업을 허용하기에 충분한, 수(few) 1013 cm-3의 목표 플라즈마 밀도로 채울 수 있다. 그 다음, 포메이션 FRC는 형성되어 결과적으로 나타나는 구속 용기 플라즈마로 변환될 수 있다. 이러한 방식에서, 플라즈마 건(350)은 매우 다양한 동작 조건 및 파라미터 체제를 가능하게 한다.
전기 바이어싱
에지 층(456)에서의 반경 방향 전기장 프로파일의 제어는 FRC 안정성 및 구속에 대해 다양한 방식으로 유익하다. FRC 시스템(10)에 배치되는 혁신적인 바이어싱 컴포넌트 덕분에, 구속 챔버(100)의 중앙 구속 영역의 충분히 외측의 영역으로부터 머신 전체에 걸쳐 개방된 플럭스 표면의 그룹에 다양한 계획적인 분포의 전위를 적용하는 것이 가능하다. 이러한 방식에서, 반경 방향 전기장이 FRC(450) 바로 외측의 에지 층(456)에 걸쳐 생성될 수 있다. 그 다음, 이들 반경 방향 전기장은 에지 층(456)의 방위각 회전을 수정하고 E×B 속도 전단을 통해 그 구속을 실행한다. 그 다음, 에지 층(456)과 FRC 코어(453) 사이의 임의의 차동 회전은 전단에 의해 FRC 플라즈마의 내부로 전달될 수 있다. 결과적으로, 에지 층(456)을 제어하는 것은 FRC 코어(453)에 직접적으로 영향을 미친다. 또한, 플라즈마 회전에서의 자유 에너지가 또한 불안정성을 담당할 수 있기 때문에, 이 기술은 불안정성의 발생 및 성장을 제어하는 직접적인 수단을 제공한다. FRC 시스템(10)에서, 적절한 에지 바이어싱은, 개방된 자계 라인 수송(open field line transport) 및 회전뿐만 아니라 FRC 코어 회전의 효과적인 제어를 제공한다. 다양한 제공된 전극(900, 905, 910 및 920)의 위치 및 형상은, 플럭스 표면(455)의 상이한 그룹의 그리고 상이하고 독립적인 전위에서의 제어를 허용한다. 이러한 방식에서, 상이한 전기장 구성 및 강도의 광범위한 어레이가 실현될 수 있는데, 각각은 플라즈마 성능에 대한 상이한 특성 영향을 갖는다.
모든 이들 혁신적인 바이어싱 기술의 주요 이점은, 코어 및 에지 플라즈마 거동이 FRC 플라즈마의 충분히 외측으로부터 수행될 수 있다는 사실이다, 즉, 어떠한 물리적 컴포넌트도 중앙 고온 플라즈마(이것은, 에너지, 플럭스 및 입자 손실에 대해 심각한 영향을 미칠 것이다)와 접촉하게 될 필요가 없다는 사실이다. 이것은 HPF 개념의 모든 잠재적 애플리케이션 및 성능에 대해 주요하고 유익한 영향을 미친다.
실험적 데이터 - HPF 동작
중성 빔 건(600)으로부터의 빔을 통한 고속 입자의 주입은 HPF 체제를 가능하게 함에 있어서 중요한 역할을 한다. 도 16은 이 사실을 예시한다. 묘사된 것은, FRC 수명이 빔 펄스의 길이와 어떻게 상관 관계가 있는지를 보여주는 곡선의 세트이다. 모든 다른 동작 조건은 본 연구를 포함하는 모든 방전에 대해 일정하게 유지된다. 데이터는 다수의 샷에 걸쳐 평균되고, 따라서, 통상적인 거동을 나타낸다. 더 긴 빔 지속 기간은 더 긴 수명의 FRC를 생성한다는 것이 분명하다. 이 연구 동안 이 증거뿐만 아니라 다른 진단 결과를 살펴보면, 그것은 빔이 안정성을 증가시키고 손실을 감소시킨다는 것을 나타낸다. 빔 펄스 길이와 FRC 수명 사이의 상관 관계는, 빔 포획이 소정의 플라즈마 사이즈 미만에서 비효율적으로 되기 때문에 완벽하지는 않다, 즉, FRC(450)가 물리적 사이즈에서 축소됨에 따라, 주입된 빔 모두가 인터셉트되고 포획되는 것은 아니다. FRC의 수축은 주로, 방전 동안 FRC 플라즈마로부터의 순 에너지 손실(방전 중간에서 약 ~ 4 MW)이 특정한 실험적 셋업을 위해 중성 빔(~ 2.5 MW)을 통해 FRC로 공급되는 전체 전력보다 다소 더 크다는 사실에 기인한다. 용기(100)의 중간 평면에 더 가까운 위치에서 빔을 위치시키는 것은, 이들 손실을 감소시키고 FRC 수명을 연장시키는 경향이 있을 것이다.
도 17은 HPF 체제를 달성하기 위한 상이한 컴포넌트의 영향을 예시한다. 그것은 FRC(450)의 수명을 시간의 함수로 묘사하는 통상적인 곡선의 군(family)을 도시한다. 모든 경우에, 일정하고 완만한 양의 빔 파워(약 2.5 MW)가 각각의 방전의 전체 지속 기간 동안 주입된다. 각각의 곡선은 컴포넌트의 상이한 조합을 나타낸다. 예를 들면, 어떠한 미러 플러그(440), 플라즈마 건(350) 또는 게터링 시스템(800)으로부터의 게터링 없이, FRC 시스템(10)을 동작시키는 것은, 회전 불안정성의 신속한 발생 및 FRC 토폴로지의 손실을 초래한다. 미러 플러그(440)만을 추가하는 것은 불안정성의 발생을 지연시키고 구속을 증가시킨다. 미러 플러그(440) 및 플라즈마 건(350)의 조합을 활용하는 것은, 불안정성을 더욱 감소시키고 FRC 수명을 증가시킨다. 최종적으로, 건(350) 및 플러그(440) 위에 게터링(이 경우 Ti)을 추가하는 것은, 최상의 결과를 산출한다 - 결과적으로 나타나는 FRC는 불안정성이 없으며 가장 긴 수명을 나타낸다. 이 실험적 시연으로부터, 컴포넌트의 완전한 조합이 최상의 효과를 생성하며 빔에게 최적의 목표 조건을 제공한다는 것은 분명하다.
도 1에서 도시되는 바와 같이, 새롭게 발견된 HPF 체제는 극적으로 향상된 수송 거동을 나타낸다. 도 1은 종래의 체제와 HPF 체제 사이에서 FRC 시스템(10)에서의 입자 구속 시간의 변화를 예시한다. 알 수 있는 바와 같이, HPF 체제에서 그것은 5 배 넘게 향상되었다. 또한, 도 1은 종래의 FRC 실험에서의 입자 구속 시간에 대한 FRC 시스템(10)에서의 입자 구속 시간을 상세히 나타낸다. 이들 다른 머신과 관련하여, FRC 시스템(10)의 HPF 체제는 5 배 내지 20 배 가까이 구속을 향상시켰다. 마지막으로 가장 중요하게는, HPF 체제에서의 FRC 시스템(10)의 구속 스케일링의 본질은 모든 이전의 측정과는 극적으로 상이하다. FRC 시스템(10)에서 HPF 체제의 확립 이전에, 이전의 FRC 실험에서 구속 시간을 예측하기 위해 데이터로부터 다양한 경험적 스케일링 법칙이 도출되었다. 모든 그들 스케일링 규칙은 대부분 비율
Figure pct00019
에 의존하는데, 여기서 R은 자기장 널(magnetic field null)의 반경(머신의 물리적 스케일의 느슨한 척도)이고,
Figure pct00020
는 외부적으로 인가된 자계에서 평가되는 이온 라머 반경(ion larmor radius)이다(인가된 자기장의 느슨한 척도). 도 1로부터, 종래의 FRC에서의 긴 구속은 큰 머신 사이즈 및/또는 높은 자기장에서만 가능하다는 것이 명백하다. 종래의 FRC 체제(CR)에서 FRC 시스템(10)을 동작시키는 것은, 도 1에서 나타내어지는 바와 같이, 이들 스케일링 규칙을 따르는 경향이 있다. 그러나, HPF 체제는 매우 우수하며 큰 머신 사이즈 또는 높은 자기장 없이도 훨씬 더 나은 구속이 도달가능하다는 것을 보여준다. 더 중요하게는, 도 1로부터, HPF 체제가 CR 체제에 비해 감소된 플라즈마 사이즈에서 향상된 구속 시간으로 나타난다는 것이 또한 명백하다. 플럭스 및 에너지 구속 시간에 대해서도 유사한 경향을 또한 보이게 되는데, 하기에서 설명되는 바와 같이, FRC 시스템(10)에서 3 내지 8 배 넘게 증가하였다. 따라서, HPF 체제의 획기적인 진전은, 적절한 빔 전력, 더 낮은 자기장 및 더 작은 사이즈의 사용이, FRC 시스템(10) 및 미래의 고 에너지 머신에서 FRC 평형 상태를 떠받치고 유지하는 것을 가능하게 한다. 이들 향상과의 협력은, 더 낮은 동작 및 구성 비용뿐만 아니라 감소된 엔지니어링 복잡성으로 다가온다.
추가적인 비교를 위해, 도 18은 FRC 시스템(10)에서의 대표적인 HPF 체제 방전으로부터의 데이터를 시간의 함수로서 도시한다. 도 18의 (a)는 중간 평면에서의 배제된 자속 반경을 묘사한다. 이들 더 긴 시간 척도 동안, 전도성 스틸 벽은 더 이상 양호한 플럭스 보존자가 아니며 벽 내부의 자기 프로브는, 스틸을 통한 자속 확산을 적절하게 고려하기 위해, 벽 외부의 프로브로 보강된다. 종래의 체제(CR)에서의 통상적인 성능과 비교하여, 도 13에서 도시되는 바와 같이, HPF 체제 동작 모드는 400 % 넘게 더 긴 수명을 나타낸다.
라인 집적 밀도 트레이스의 대표적인 코드가 도 18의 (b)에 도시되며, 자신의 아벨 반전 보완(Abel inverted complement)인, 밀도 윤곽이 도 18의 (c)에서 도시된다. 종래의 FRC 체제(CR)와 비교하여, 도 13에서 도시되는 바와 같이, 플라즈마는 펄스 전체에 걸쳐 더욱 정지해 있고, 매우 안정적인 동작을 나타낸다. 피크 밀도는 또한 HPF 샷에서 약간 더 낮다 - 이것은 도 18의 (d)에서 도시되는 바와 같이 (2 배까지의) 더 뜨거워진 전체 플라즈마 온도의 결과이다.
도 18에 예시되는 각각의 방전에 대해, 에너지, 입자 및 플럭스 구속 시간은, 각각, 0.5 ms, 1 ms 및 1 ms이다. 방전으로의 1 ms의 기준 시간에서, 저장된 플라즈마 에너지는 2 kJ이고, 한편 손실은 약 4 MW인데, 이 목표를 중성 빔 유지에 매우 적합하게 만든다.
도 19는 HPF 체제의 모든 이점을, 새로 확립된 실험적 HPF 플럭스 구속 스케일링의 형태로 요약한다. 도 19에서 알 수 있는 바와 같이, t = 0.5 ms 전후에, 즉 t ≤ 0.5 ms 및 t > 0.5 ms에 취해지는 측정치에 기초하여, 플럭스 구속(및 마찬가지로, 입자 구속 및 에너지 구속)은, 주어진 분리선 반경(rs)에 대한 전자 온도(Te)의 대략 제곱으로 스케일링된다. Te의 양의 멱승(positive power)(그리고 음의 멱승은 아님)을 사용한 이 강력한 스케일링은, 구속이 전자 온도의 몇 승에 통상적으로 반비례하는 종래의 토코막(tokomak)에 의해 나타내어지는 것과는 완전히 반대이다. 이 스케일링의 발현은 HPF 상태 및 큰 궤도(즉, FRC 토폴로지의 스케일 및/또는 적어도 특성 자기장 그래디언트 길이 스케일 상에서의 궤도) 이온 모집단의 직접적인 결과이다. 근본적으로, 이 새로운 스케일링은 실질적으로 높은 동작 온도를 선호하고 상대적으로 적당한 사이즈의 반응로를 가능하게 한다.
HPF 체제가 제시하는 이점으로, 중성 빔에 의해 구동되는 그리고 적절한 펠릿 주입을 사용하는 FRC 유지 또는 정상 상태가 달성 가능한데, 플라즈마 열 에너지, 전체 입자 수, 플라즈마 반경 및 길이뿐만 아니라 자속과 같은 전역적 플라즈마 파라미터가 실질적인 감쇠 없이 합리적인 레벨에서 유지 가능하다는 것을 의미한다. 비교를 위해, 도 20은 FRC 시스템(10)에서의 대표적인 HPF 체제 방전으로부터의 데이터를 플롯 A에서 시간의 함수로서 도시하고 FRC 시스템(10)에서의 투영된 대표적인 HPF 체제 방전에 대한 데이터를 플롯 B에서 시간의 함수로서 도시하는데, 여기서 FRC(450)는 중성 빔 펄스의 지속 기간 동안 감쇠 없이 유지된다. 플롯 A의 경우, 약 2.5 내지 2.9 MW 범위 내의 전체 전력을 갖는 중성 빔이 약 6 ms의 활성 빔 펄스 길이 동안 FRC(450)에 주입되었다. 플롯 A에서 묘사되는 플라즈마 반자성 수명은 약 5.2 ms였다. 더욱 최근의 데이터는, 약 7 ms의 활성 빔 펄스 길이에서, 약 7.2 ms의 플라즈마 반자성 수명이 달성 가능하다는 것을 나타낸다.
도 16과 관련하여 상기에서 언급되는 바와 같이, 빔 펄스 길이와 FRC 수명 사이의 상관 관계는, 빔 포획이 소정의 플라즈마 사이즈 미만에서 비효율적으로 되기 때문에 완벽하지는 않다, 즉, FRC(450)가 물리적 사이즈에서 축소됨에 따라, 주입된 빔 모두가 인터셉트되고 포획되는 것은 아니다. FRC의 수축 또는 감쇠는 주로, 방전 동안 FRC 플라즈마로부터의 순 에너지 손실(방전 중간에서 약 - 4 MW)이 특정한 실험적 셋업을 위해 중성 빔(- 2.5 MW)을 통해 FRC로 공급되는 전체 전력보다 다소 더 크다는 사실에 기인한다. 도 3c와 관련하여 언급된 바와 같이, 중성 빔 건(600)으로부터 중간 평면을 향하는 기울어진 빔 주입은, FRC 플라즈마가 주입 기간 동안 수축하는 또는 다르게는 축 방향으로 수축하는 경우에도, 빔 플라즈마 커플링을 향상시킨다. 또한, 적절한 펠릿 연료 공급은 필수 플라즈마 밀도를 유지할 것이다.
플롯 B는 약 6 ms의 활성 빔 펄스 길이 및 약 10 MW보다 약간 더 큰 중성 빔 건(600)으로부터의 전체 빔 전력을 사용하여 실행된 시뮬레이션의 결과인데, 여기서 중성 빔은, 약 15 keV의 입자 에너지를 갖는 H(또는 D) 중성선을 주입해야 한다. 빔의 각각에 의해 주입되는 등가 전류는 약 110 A이다. 플롯 B의 경우, 디바이스 축에 대한 빔 주입 각도는 약 20°, 목표 반경은 0.19 m였다. 주입 각도는 15° 내지 25° 범위 이내에서 변경될 수 있다. 빔은 방위각적으로 병류 방향(co-current direction)에서 주입되어야 한다. 중성 빔 운동량 주입으로부터의 순 측면 힘뿐만 아니라 순 축 방향 힘은 최소화되어야 한다. 플롯 A에서와 같이, 고속(H) 중성선은 북쪽 및 남쪽 포메이션 FRC가 구속 챔버(100)에서 하나의 FRC(450)로 병합되는 순간부터 중성 빔 인젝터(600)로부터 주입된다.
플롯 B에 대한 기초는, 상호 작용적 손실 프로세스를 모델링하기 위해, 배경 플라즈마 및 평형 상태에 대해 다차원 홀 MHD 솔버를, 활동적인 빔 성분 및 모든 산란 프로세스에 대해 완전히 운동학적인 몬테카를로(Monte-Carlo) 기반의 솔버를, 뿐만 아니라 모든 플라즈마 종에 대해 많은 커플링된 수송 방정식(transport equation)을 사용하는 시뮬레이션. 수송 컴포넌트는 실험적으로 조정되고 실험 데이터베이스에 대해 광범위하게 벤치마킹된다.
플롯 B에 의해 도시되는 바와 같이, FRC(450)의 정상 상태의 반자성 수명은 빔 펄스의 길이일 것이다. 그러나, 주요 상관 관계 플롯 B는 빔이 턴 오프되면 플라즈마 또는 FRC가 그 시간에 감쇠하기 시작하지만 이전에는 그렇지 않다는 것을 나타낸다는 것을 유의하는 것이 중요하다. 감쇠는 빔이 지원되지 않는 - 어쩌면 빔 턴 오프 시간을 1 ms 정도 지난 - 방전에서 관찰되는 것과 유사할 것이고, 단순히, 내재하는 손실 프로세스에 의해 구동되는 플라즈마의 특성 감쇠 시간의 반영이다.
플라즈마 안정성 및 축 방향 위치 제어
이제 FRC 플라즈마 구속 챔버의 대칭 축을 따르는 FRC 플라즈마의 축 방향 위치 제어 및 반경 방향 및 축 방향 둘 모두에서의 FRC 플라즈마의 안정성을 용이하게 하는 시스템 및 방법을 살펴보면, 도 24는 축 방향 위치 제어 메커니즘(510)의 예시적인 실시형태를 예시하는 단순화된 스킴을 도시한다. 구속 챔버(100) 내에서 도시되는 회전하는 FRC 플라즈마(520)는 플라즈마 전류(522) 및 축 변위 방향(524)을 갖는다. 평형 상태 자계(equilibrium field)(도시되지 않음)는, 예를 들면, 준 직류 코일(412)(도 2 및 도 3 참조)과 같은 대칭적인 전류 성분에 의해 챔버(100) 내에서 생성된다. 평형 상태 자계는 축 방향의 변위 방향(524)에서 순 힘을 생성하지 않지만, 그러나 횡방향에서/반경 방향에서 또는 축 방향에서 안정한 플라즈마를 생성하도록 조정될 수 있다. 본원에서 제시되는 실시형태의 목적을 위해, 평형 상태 자계는 횡방향에서/반경 방향에서 안정한 FRC 플라즈마(520)를 생성하도록 조정된다. 상기에서 언급되는 바와 같이, 이것은 축 방향의 불안정성을, 따라서 축 변위 방향(524)에서 FRC 플라즈마(520)의 축 방향 변위를 초래한다. FRC 플라즈마(520)가 축 방향으로 이동함에 따라, 그것은 비대칭인, 즉 구속 챔버(100)의 중간 평면의 각각의 면 상의 구속 챔버(100)의 벽에서 반대 방향의 비대칭인 전류(514 및 516)를 유도한다. FRC 플라즈마(520)는 용기 및 또한 외부 코일 둘 모두에서 이러한 타입의 전류 성분을 유도할 것이다. 이 반대칭 전류 성분(514 및 516)은 반경 방향 자계를 생성하는데, 반경 방향 자계는 토로이드 플라즈마 전류(522)와 상호 작용하여 FRC 플라즈마(520)의 이동과 반대인 힘을 생성하고, 이 힘의 결과는 그것이 플라즈마 축 방향 변위를 늦춘다는 것이다. 이들 전류(514, 516)는, 구속 챔버(100)의 저항성으로 인해, 시간에 따라 점차적으로 소산한다.
중간 평면의 각각의 면 상의 구속 챔버(100) 둘레에 배치되는 반경 방향 자계 코일(530 및 531)은 코일(530 및 531)의 반대 방향으로 유도되는 전류(532 및 534)에 기인하는 추가적인 반경 방향 자계 성분을 제공한다. 반경 방향 자계 코일(530 및 531)은 구속 용기(100)의 내부 또는 외부에 위치될 수도 있는 축대칭 코일의 세트를 포함할 수도 있다. 반경 방향 코일(530 및 531)은 준 직류 코일(412)(도 2 및 도 3 참조)과 유사하게 구속 용기(100)의 외부에 위치되는 것으로 도시되어 있다. 코일(530 및 531)의 각각, 또는 코일의 세트는, 중간 평면의 대향하는 면 상의 코일과는 상이한 전류를 전달할 수도 있지만, 그러나 전류는 구속 용기(100)의 중간 평면에 대해 반대칭이며, 중간 평면을 따라 Bz≠0, Br = 0를 갖는 자기장 구조체를 생성한다. 반경 방향 자계 코일(530, 531)은 토로이드 플라즈마 전류(522)와 상호 작용하여 축 방향 힘을 생성하는 보조 반경 방향 자계 성분을 생성한다. 축 방향 힘은, 이어서, 플라즈마를 구속 챔버(100)의 중간 평면을 향해 다시 이동시킨다.
제어 메커니즘(510)은, 머신 중간 평면 주위의 오버슈팅 및/또는 발진을 최소화하면서, 중간 평면을 향해 플라즈마 위치를 신속하게 복원하기 위해 반경 방향 자계 코일 전류에 작용하도록 구성되는 제어 시스템을 포함한다. 제어 시스템은 반경 방향 자계 코일(530 및 531), 준 직류 코일(412), 그들 각각의 전력 공급부, 및, 예를 들면, 플라즈마 위치, 플라즈마 속도, 및 능동 코일 전류 측정치를 제공하는 자기 센서와 같은 다른 컴포넌트에 동작 가능하게 커플링되는 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 본 출원에서 설명되는 계산 및 분석을 수행하도록 구성될 수도 있고, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는 하나 이상의 메모리를 포함할 수도 있거나 또는 하나 이상의 메모리에 통신 가능하게 커플링될 수도 있다. 그것은, 마이크로컨트롤러, 축약형 명령어 세트 컴퓨터(reduced instruction set computer; RISC), 주문형 반도체(application specific integrated circuit; ASIC), 로직 회로, 및 본원에서 설명되는 기능을 실행할 수 있는 임의의 다른 회로 또는 프로세서를 사용하는 시스템을 포함하는 프로세서 기반의 또는 마이크로 프로세서 기반의 시스템을 포함할 수도 있다. 상기의 예는 예시적인 것에 불과하며, 따라서, 용어 "프로세서" 또는 "컴퓨터"의 정의 및/또는 의미를 어떤 식으로든 제한하도록 의도되지는 않는다.
프로세서의 기능은, 소프트웨어 루틴, 하드웨어 컴포넌트, 또는 이들의 조합을 사용하여 구현될 수도 있다. 하드웨어 컴포넌트는, 예를 들면, 집적 회로 또는 개별 전자 컴포넌트를 포함하는 다양한 기술을 사용하여 구현될 수도 있다. 프로세서 유닛은 통상적으로 판독 가능한/기록 가능한 메모리 저장 디바이스를 포함하고 통상적으로 또한 메모리 저장 디바이스에 기록 및/또는 판독하기 위한 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 포함한다.
프로세서는, 컴퓨팅 디바이스, 입력 디바이스, 디스플레이 유닛, 및 예를 들면, 인터넷에 액세스하기 위한 인터페이스를 포함할 수도 있다. 컴퓨터 또는 프로세서는 마이크로프로세서를 포함할 수도 있다. 마이크로프로세서는 통신 버스에 연결될 수도 있다. 컴퓨터 또는 프로세서는 또한 메모리를 포함할 수도 있다. 메모리는 랜덤 액세스 메모리(random access memory; RAM) 및 리드 온리 메모리(Read Only Memory; ROM)를 포함할 수도 있다. 컴퓨터 또는 프로세서는 또한, 하드 디스크 드라이브 또는 착탈식 저장 드라이브 예컨대 플로피 디스크 드라이브, 광학 디스크 드라이브, 및 등등일 수도 있는 저장 디바이스를 포함할 수도 있다. 저장 디바이스는 또한, 컴퓨터 프로그램 또는 다른 명령어를 컴퓨터 또는 프로세서로 로딩하기 위한 다른 유사한 수단일 수도 있다.
프로세서는, 입력 데이터를 프로세싱하기 위해, 하나 이상의 저장 엘리먼트에 저장되는 명령어의 세트를 실행한다. 저장 엘리먼트는 또한, 소망되는 대로 또는 필요로 되는 대로 데이터 또는 다른 정보를 저장할 수도 있다. 저장 엘리먼트는 프로세싱 머신 내의 물리적 메모리 엘리먼트 또는 정보 소스의 형태일 수도 있다.
반경 방향 자계 코일 액추에이터를 사용하여 축 방향으로 안정한 또는 불안정한 FRC 구성의 위치를 제어하는 문제는, 슬라이딩 모드 제어로 알려져 있는 비선형 제어 이론의 한 분야를 사용하여 해결된다. 시스템 상태의 선형 함수(슬라이딩 표면)는, 소망되는 점근적으로 안정한(슬라이딩) 거동을 갖는 에러 신호로서 작용한다. 슬라이딩 표면은 리야푸노프(Liapunov) 이론을 사용하여 광범위한 FRC 동적 파라미터에서 점근 안정성을 나타내도록 설계된다. 그 다음, 제안된 제어 스킴은, 슬라이딩 표면에서 사용되는 파라미터를 재조정할 필요 없이, 축 방향으로 안정한 플라즈마 및 축 방향으로 불안정한 플라즈마 둘 모두에 대해 사용될 수 있다. 앞서 언급되는 바와 같이, 평형 상태가 FRC 방전의 상이한 단계에서 축 방향으로 안정한 평형 상태와 축 방향으로 불안정한 평형 상태 사이에서 이동해야 할 수도 있기 때문에, 이 속성은 유익하다.
제어 스킴(500)의 구성은 도 25에서 도시된다. 저역 통과 필터는 소망되는 제어 대역폭 내에서 스위칭 주파수를 제한한다. 하나의 샘플 지연을 갖는 샘플링 및 신호 송신을 필요로 하는 디지털 제어 루프가 가정된다. 오차 신호(슬라이딩 표면)는, 코일 전류, 플라즈마 위치 및 플라즈마 속도의 선형 조합이다. 플라즈마 위치 및 플라즈마의 속도는 외부 자기 측정으로부터 획득된다. 활성 코일 시스템에서의 전류는 표준 방법에 의해 측정될 수 있다.
코일 전류 및 플라즈마 위치는 위치 제어를 구현하는 데 필요로 된다. 플라즈마 속도는 성능을 향상시키는 데 필요하지만 그러나 옵션 사항이다(optional). 이 오차 신호의 비선형 함수(릴레이 제어 법칙)는 중간 평면 대칭 코일에 연결되는 전력 공급부의 모든 쌍에 대한 개별 전압 레벨을 생성한다. 중간 평면 대칭 코일은 동일한 강도의 그러나 반대 부호의 릴레이 전압을 공급받는다. 이것은 중간 평면을 향해 플라즈마 위치를 복원하기 위한 반경 방향 자계 성분을 생성한다.
제어 스킴의 실현 가능성을 나타내기 위해, 플라즈마 동역학을 시뮬레이팅하도록 강체 플라즈마 모델(rigid plasma model)이 사용된다. 그 모델은 자석 기하학적 형상을 활용한다. 플라즈마 전류 분포는, 플라즈마 및 용기만 고려될 때, 2 ms의 성장 시간을 갖는 축 방향으로 불안정한 평형 상태에 대응한다. 전력 공급부는, 이산 전압 레벨에서, 통상적으로 800 V 단계로 작동하도록 가정된다.
도 26은, 축 방향으로 20 cm만큼 변위된 플라즈마를 중간 평면으로 다시 가져가기 위해 필요로 되는 코일 피크 전류 및 램프 레이트와 함께, 코일에 대한 인가된 전압과 플라즈마 위치 설정 시간 사이의 관계를 하이라이트하는 몇 가지 플라즈마 제어 시뮬레이션을 도시한다. 이들 슬라이딩 모드 축 방향 위치 제어 시뮬레이션 예는, 네 쌍의 외부 트림 코일을 사용하여 0.3 T에서 실행된다. 200 V(속이 찬 정사각형), 400 V(속이 찬 원), 800 V(속이 찬 삼각형) 및 1600 V(속이 비어 있는 정사각형)의 단계의 이산 전압 레벨을 갖는 전력 공급부와 대응하는 네 가지 경우가 도시된다. 모든 네 가지 경우에 대해, 제어 대역폭은 16 kHz이고 샘플링 주파수는 32 kHz이다. 플라즈마 위치(상단 도면), 가장 바깥 쪽 코일 쌍의 전류(가운데) 및 코일 전류 램프 레이트(하단)가 표시된다. 플라즈마 변위가 20cm에 도달할 때까지 그것은 불안정하게 성장하도록 허용된다. 이 지점에서 피드백 제어가 적용된다.
시뮬레이션 결과는 다음을 나타낸다:
1. 5 ms 이내에 중간 평면으로 플라즈마를 되돌리기 위해(속이 찬 정사각형 트레이스), 0.5 MA/s의 코일 증대율(ramp-up rate)이 충분하며, 200 V 전력 공급부를 필요로 한다.
2. 2.3 ms 이내에 중간 평면으로 플라즈마를 되돌리기 위해(속이 찬 원 트레이스), 1 MA/s의 코일 증대율이 충분하며, 400 V 전력 공급부를 필요로 한다.
3. 1.3 ms 이내에 중간 평면으로 플라즈마를 되돌리기 위해(속이 찬 삼각형 트레이스), 2 MA/s의 코일 증대율이 충분하며, 800 V 전력 공급부를 필요로 한다.
4. 1.0 ms 이내에 중간 평면으로 플라즈마를 되돌리기 위해(속이 비어 있는 정사각형 트레이스), 4 MA/s의 코일 증대율이 충분하며, 1600 V 전력 공급부를 필요로 한다.
상기에서 연구된 제3 경우(2MA/s 램프 레이트의 경우)에 대한 모든 트림 코일에 대한 피크 전류는 도 27에서 트림 코일 위치의 함수로서 또한 도시되어 있다. 슬라이딩 모드 축 방향 위치 제어 시뮬레이션 예는, 32 kHz 샘플링 레이트, 16 kHz의 제어 대역폭 및 세 개의 레벨(+800V, 0, -800V)을 갖는 전력 공급부를 사용하는 외부 트림 코일의 네 개의 쌍을 사용하여 0.3 T에서 실행된다. 1.3 ms 이내에 플라즈마를 중간 평면으로 되돌리기 위해, 2 MA/s의 코일 증대율이 필요로 된다. 모든 코일 쌍에서 필요로 되는 피크 전류는 1.5 kA 미만이다. 필요로 되는 실제 스위칭 주파수(약 2kHz)는 제어 시스템 대역폭보다 훨씬 낮다.
제어 시스템은 또한, 플라즈마 위치 없이, 코일 전류 및 플라즈마 속도만의 함수인 목표 표면으로 구현될 수 있다. 이 경우 축 방향 위치 제어 루프는 축 방향 동역학의 안정화만을 제공하고 제어는 제공하지 않는다. 이것은, 플라즈마가 준 안정(metastable) 상황에 있고 자신의 축을 따라 천천히 표류할 수 있다는 것을 의미한다. 그 다음, 위치 제어는, 플라즈마 분리선과 용기 사이의 플라즈마 갭을 제어하는 추가적인 피드백 루프를 사용하여 제공되고, 그러므로 그것은 플라즈마 형상 및 위치 제어를 동시에 수행한다.
유사한 제어 시스템이 사용되는 다른 플라즈마 구속 디바이스는 토카막(tokamak)이다. 플라즈마 구속을 유지하기 위해, 토카막 내의 플라즈마 전류는, 플라즈마 밀도 및 토로이드 자계에 각각 대략적으로 비례하는 상한과 하한 사이에서 유지되어야만 한다. 높은 플라즈마 밀도에서 동작하기 위해서는, 플라즈마 전류가 증가되어야만 한다. 동시에 폴로이드 자계는 가능한 한 낮게 유지되어야만 하고 따라서 q 안전 계수는 q = 2보다 높다. 이것은 머신 축 방향을 따라 플라즈마를 길게 하여, 경계 자기장을 그 안전 한계치 위로 증가시키지 않으면서 큰 플라즈마 전류에 적합하는 것(따라서 높은 플라즈마 밀도를 허용하는 것)을 허용하는 것에 의해 달성된다. 이들 길게 된 플라즈마는 머신 축 방향(토카막 전문 용어로 수직 방향으로 알려져 있음)을 따라 불안정하며, 또한 플라즈마 안정화 메커니즘을 필요로 한다. 토카막에서의 수직 플라즈마 위치 제어는 또한, 반경 방향 자계 코일의 세트를 사용하여 복원되며, 따라서 그것은 RFC 위치 제어 문제와 매우 유사하다. 그러나, 토카막과 FRC에서 안정화를 필요로 하는 이유는 상이하다. 토카막에서, 플라즈마 수직 불안정성은 큰 플라즈마 전류에서 동작하기 위해 지불되어야 하는 대가인데, 큰 플라즈마 전류는, 높은 토로이드 자계와 동작하기 위해 플라즈마 신장을 필요로 한다. FRC의 경우, 플라즈마 불안정성은 횡방향 안정성을 얻기 위해 지불되어야 하는 대가이다. 토카막은, 구성을 안정화시키는 토로이드 자계를 가지며, 따라서 그들은 횡방향 안정화를 필요로 하지 않는다.
본원에서 제공되는 예시적인 실시형태는, 미국 특허 가출원 제62/255,258호 및 미국 특허 가출원 제62/309,344호에서 설명되어 있는데, 이들 출원은 참조에 의해 통합된다.
그러나, 본원에서 제공되는 예시적인 실시형태는 단지 예시적인 예로서 의도되는 것에 불과하며 어떠한 방식으로든 제한하지는 않는다.
본원에서 제공되는 임의의 실시형태와 관련하여 설명된 모든 피쳐, 엘리먼트, 컴포넌트, 기능 및 단계는, 임의의 다른 실시형태로부터의 것들과 자유롭게 결합 가능하고 대체 가능하도록 의도된다. 소정의 피쳐, 엘리먼트, 컴포넌트, 기능 또는 단계가 단지 하나의 실시형태와 관련하여 설명되는 경우, 명시적으로 달리 언급되지 않는 한, 그 피쳐, 엘리먼트, 컴포넌트, 기능 또는 단계는 본원에서 설명되는 모든 다른 실시형태와 함께 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 이 단락은, 후속하는 설명이, 특정한 경우에, 조합 또는 대체가 가능하다는 것을 명시적으로 언급하지 않더라도, 임의의 시간에, 상이한 실시형태로부터의 피쳐, 엘리먼트, 컴포넌트, 기능 및 단계를 결합하는, 또는 하나의 실시형태로부터의 피쳐, 엘리먼트, 컴포넌트, 기능 및 단계를, 다른 실시형태의 것들로 대체하는 청구항의 도입을 위한 선행 기준 및 서면 지원(written support)으로서 기능한다. 특히, 본 설명의 판독시, 각각의 그리고 모든 이러한 조합 및 치환의 허용 가능성이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 쉽게 인식될 것이다는 것을 고려하면, 모든 가능한 조합 및 치환의 명시적인 표현은 과도한 부담이다.
많은 경우, 엔티티는 본원에서 다른 엔티티에 커플링되는 것으로 설명된다. 용어 "커플링되는(coupled)" 및 "연결되는(connected)"(또는 이들 형태 중 임의의 것)은 본원에서 상호 교환적으로 사용되고, 두 경우 모두, 두 개의 엔티티의 직접적인 커플링(어떠한 무시할 수 없는(예를 들면, 기생성) 개재하는 엔티티도 없음) 및 두 개의 엔티티의 간접적인 커플링(하나 이상의 무시할 수 없는 개재하는 엔티티를 가짐)에 대해 일반적이다는 것이 이해되어야 한다. 엔티티가 직접적으로 함께 커플링되는 것으로 도시되거나, 또는 임의의 개재하는 엔티티의 설명 없이 함께 커플링되는 것으로 설명된 경우, 문맥 상 명확하게 달리 지시하지 않는 한, 이들 엔티티는 또한, 간접적으로 함께 커플링될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
실시형태가 다양한 수정 및 대안적인 형태를 허락하지만, 그 특정한 예가 도면에 도시되어 있으며, 본원에서 상세히 설명되었다. 그러나, 이들 실시형태는 개시되는 특정한 형태로 제한되지 않으며, 반대로, 이들 실시형태는 본 발명의 취지 내에 속하는 모든 수정예, 등가예 및 대안예를 포괄할 것이다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시형태의 임의의 피쳐, 기능, 단계, 또는 엘리먼트는, 청구범위뿐만 아니라, 청구항의 발명적 범위를, 그 범위 내에 있지 않은 피쳐, 기능, 단계, 또는 엘리먼트에 의해 정의하는 부정적인 제한에서 열거될 수도 있거나 또는 그들에 추가될 수도 있다.

Claims (24)

  1. 자계 반전 구성(field reversed configuration; FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법으로서,
    구속 챔버(confinement chamber)의 중간 평면(mid-plane)에 인접하여 상기 구속 챔버의 길이방향 축을 따라 위치되는 FRC 플라즈마를 형성하기 위해 상기 구속 챔버 내에서 회전하는 플라즈마에 대한 FRC 자기장을 형성하는 단계; 및
    상기 길이방향 축에 대해 축대칭인 상기 FRC 플라즈마를 위치시키기 위해 상기 길이방향 축에 수직인 반경 방향에서 그리고 상기 중간 평면에 대해 축대칭인 상기 FRC 플라즈마를 위치시키기 위해 상기 길이방향 축을 따르는 축 방향에서 상기 FRC 플라즈마를 안정화시키는 단계
    를 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 주위에서 연장하는 준 직류 코일(quasi-dc coil)을 사용하여 상기 챔버 내에 인가된 자기장을 생성하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반경 방향에서 상기 FRC 플라즈마를 안정화시키는 단계는, 상기 인가된 자기장을 조정하여 상기 FRC 플라즈마에서 반경 방향 안정성(radial stability) 및 축 방향 불안정성을 유도하는 단계를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 FRC 플라즈마를 축 방향으로 안정화시키는 단계는, 제1 및 제2 반경 방향 자기장(radial magnetic field)을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 중간 평면에 대해 축대칭인 상기 FRC 플라즈마를 위치시키기 위해 상기 제1 및 제2 반경 방향 자기장은 상기 FRC와 상호 작용하여 상기 FRC 플라즈마를 축 방향으로 이동시키는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반경 방향 자기장은 상기 중간 평면에 대하여 반대칭인(antisymmetric) 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반경 방향 자기장은, 상기 구속 챔버 주위에 배치되는 제1 및 제2 반경 방향 코일(radial coil)에서 반대 방향으로 유도되는 전류로 인해 생성되는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 FRC 플라즈마를 안정화시키는 단계는, 상기 플라즈마의 위치를 모니터링하는 단계를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마의 상기 위치를 모니터링하는 단계는, 상기 FRC 플라즈마와 관련되는 자기 측정치를 모니터링하는 단계를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반경 방향 코일에서의 전류를 측정하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 FRC 플라즈마의 속도를 모니터링하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    중성 빔 인젝터로부터의 고속 중성 원자의 빔을 상기 구속 챔버의 상기 중간 평면을 향해 비스듬히 상기 FRC 플라즈마 안으로 주입하고 소형의 토로이드 플라즈마(toroid plasma)를 상기 FRC 안으로 주입하는 것에 의해, 상기 FRC를 감쇠 없이 일정 값에서 또는 일정한 값 근처에서 유지시키는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 챔버의 대향 단부 주위에서 연장하는 준 직류 미러 코일을 사용하여 상기 챔버의 대향 단부 내에 미러 자기장(mirror magnetic field)을 생성하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 FRC를 형성하는 단계는, 상기 구속 챔버의 단부에 커플링되는 포메이션 섹션(formation section)에 포메이션 FRC(formation FRC)를 형성하는 단계 및 상기 FRC를 형성하기 위해 상기 챔버의 상기 중간 평면을 향해 상기 포메이션 FRC를 가속시키는 단계를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 FRC를 형성하는 단계는, 상기 구속 챔버의 제2 단부에 커플링되는 제2 포메이션 섹션에 제2 포메이션 FRC를 형성하는 단계 및 상기 챔버의 상기 중간 평면을 향해 상기 제2 포메이션 FRC를 가속시키는 단계를 포함하고, 상기 두 개의 포메이션 FRC는 병합하여 상기 FRC를 형성하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 FRC를 형성하는 단계는, 포메이션 FRC를 형성하고 동시에 상기 포메이션 FRC를 상기 챔버의 상기 중간 평면을 향해 가속시키는 단계 및 포메이션 FRC를 형성하고 그 다음 상기 포메이션 FRC를 상기 챔버의 상기 중간 평면을 향해 가속시키는 단계 중 하나를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 FRC의 자속 표면(magnetic flux surface)을 상기 제1 및 제2 포메이션 섹션의 상기 단부에 커플링되는 다이버터로 안내하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버, 포메이션 섹션, 및 다이버터의 내부 표면을 게터링 시스템(gettering system)으로 컨디셔닝하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 게터링 시스템은 티타늄 퇴적 시스템 및 리튬 퇴적 시스템 중 하나를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  19. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    축 방향으로 장착된 플라즈마 건으로부터 상기 FRC 안으로 플라즈마를 축 방향으로 주입하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 FRC의 에지 층에서 반경 방향 전기장 프로파일을 제어하는 단계를 더 포함하는, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 FRC의 에지 층에서 상기 반경 방향 전기장 프로파일을 제어하는 단계는, 바이어싱 전극을 이용하여 상기 FRC의 개방된 플럭스 표면의 그룹에 전위의 분포를 적용하는 단계를 포함하는 것인, 자계 반전 구성(FRC) 플라즈마를 안정화시키기 위한 방법.
  22. 자계 반전 구성(FRC)을 갖는 자기장을 생성하고 안정화시키기 위한 시스템으로서,
    구속 챔버;
    상기 구속 챔버에 커플링되는 제1 및 제2의 정반대로 대향된 FRC 포메이션 섹션 - 상기 포메이션 섹션은 FRC를 생성하고 상기 FRC를 상기 구속 챔버의 중간 평면을 향해 병진시키기 위한 모듈화된 포메이션 시스템을 포함함 -;
    상기 제1 및 제2 포메이션 섹션에 커플링되는 제1 및 제2 다이버터;
    상기 제1 및 제2 다이버터, 상기 제1 및 제2 포메이션 섹션 및 상기 구속 챔버에 동작 가능하게 커플링되는 제1 및 제2 축 방향 플라즈마 건;
    상기 구속 챔버에 커플링되며 상기 구속 챔버의 길이방향 축에 수직인 것보다 더 작은 각도에서 상기 구속 챔버의 중간 평면을 향해 중성 원자 빔을 주입하도록 배향되는 복수의 중성 원자 빔 인젝터;
    상기 구속 챔버, 상기 제1 및 제2 포메이션 섹션, 및 상기 제1 및 제2 다이버터 주위에 배치되는 복수의 준 직류 코일 - 준 직류 미러 코일의 제1 및 제2 세트는 상기 구속 챔버와 상기 제1 및 제2 포메이션 섹션 사이에 배치됨 -, 및 상기 제1 및 제2 포메이션 섹션과 상기 제1 및 제2 다이버터 사이에 배치되는 제1 및 제2 미러 플러그를 포함하는 자기 시스템;
    상기 구속 챔버 및 상기 제1 및 제2 다이버터에 커플링되는 게터링 시스템;
    챔버 내에 제1 및 제2 반경 방향 자기장을 생성하도록 구성되는 반경 방향 자기장 코일의 제1 및 제2 세트; 및
    상기 준 직류 코일 및 상기 제1 및 제2 반경 방향 자기장 코일에 동작 가능하게 커플링되는 제어 시스템
    을 포함하고,
    상기 제어 시스템은 복수의 명령어를 포함하는 비일시적 메모리에 커플링되는 프로세서를 포함하고, 상기 복수의 명령어는, 실행시, 상기 프로세서로 하여금, 길이방향 축에 대해 축대칭인 상기 FRC 플라즈마를 위치시키기 위해 상기 챔버의 상기 길이방향 축에 수직인 반경 방향에서 그리고 상기 중간 평면에 대해 축대칭인 상기 FRC 플라즈마를 위치시키기 위해 상기 길이방향 축을 따르는 축 방향에서 FRC 플라즈마를 안정화시키도록, 상기 복수의 준 직류 코일 및 상기 제1 및 제2 반경 방향 자계 코일에 의해 생성되는 상기 자기장을 조정하게 하는 것인, 자계 반전 구성(FRC)을 갖는 자기장을 생성하고 안정화시키기 위한 시스템.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 시스템은 FRC를 생성하여 상기 FRC를 감쇠 없이 일정한 값에서 또는 일정한 값 근처에서 유지하도록 구성되고, 동시에, 중성 원자 빔이 상기 FRC 안으로 주입되는 것인, 자계 반전 구성(FRC)을 갖는 자기장을 생성하고 안정화시키기 위한 시스템.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반경 방향 자기장은 상기 중간 평면에 대하여 반대칭인 것인, 자계 반전 구성(FRC)을 갖는 자기장을 생성하고 안정화시키기 위한 시스템.
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