KR20180081194A - 세라믹 분리막의 표면 개질 방법 - Google Patents

세라믹 분리막의 표면 개질 방법 Download PDF

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Abstract

내오염성이 우수한 세라믹 분리막의 표면 개질 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법은 (a) 졸겔(sol-gel)법을 이용하여, 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅하여 정전기적 특성을 포함하는 분리막의 표면 특성을 개질하는 단계; 및 (b) 상기 코팅된 분리막을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 열처리는 200~400℃에서 수행되는 것을 특징으로 한다.

Description

세라믹 분리막의 표면 개질 방법{SURFACE MODIFICATION METHOD FOR CERAMIC MEMBRANES}
본 발명은 세라믹 분리막의 표면 개질 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세라믹 분리막 표면의 친수성(hydrophilicity)과 정전기적 특성(electrostatic properties)을 제어하기 위한 표면 개질 방법에 관한 것이다.
수처리용 분리막은 최근 바이오테크놀로지, 바이오 의약 및 미생물 제거를 위한 식수 정화와 같은 다양한 분야에 적용되고 있다.
수처리용 분리막 중에서도 정밀 여과는 높은 여과 효율, 낮은 에너지 소비, 부산물 생성량 감소 등의 장점을 제공한다.
그러나, 최근, 유기 물질에 의한 분리막의 오염이 심각해지면서, 분리막의 표면 및 기공에 오염 물질의 비가역적인 흡착이 분리막의 작동 수명을 단축시키고 있다. 또한, 분리막을 장기간 사용함에 따라 막오염이 필연적으로 발생하며, 막오염으로 인해 수투과 유량의 감소가 발생하는 문제점이 있다.
한편, 막오염을 저감하기 위해 화학적 그래프팅 방법으로 분리막의 표면을 개질하는 연구가 진행되고 있으나, 그래프팅 방법은 공정 조건이 까다롭고 대면적화시키기 어려워 우수한 내오염성을 나타내기에는 한계가 있다.
이와 관련된 선행 문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2015-0040136호(2015.04.14. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 표면개질 분리막 및 분리막의 표면개질 방법이 기재되어 있다.
본 발명의 목적은 내오염성이 우수한 세라믹 분리막의 표면 개질 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법은 (a) 졸겔(sol-gel)법을 이용하여, 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅하여 정전기적 특성을 포함하는 분리막의 표면 특성을 개질하는 단계; 및 (b) 상기 코팅된 분리막을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 열처리는 200~400℃에서 수행 되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2세라믹은 제1세라믹보다 접촉각과 제타 포텐셜 값이 낮은 것일 수 있다.
상기 (a) 단계의 졸겔(sol-gel)법은 (a1) 제2세라믹 전구체를 유기 용매에 용해하여 졸(sol) 용액을 형성하는 단계; 및 (a2) 상기 졸(sol) 용액에 제1세라믹으로 형성된 분리막을 첨가하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 (a1) 단계에서, 제2세라믹 전구체의 함량은 용액 100중량부에 대하여, 1~20중량부 포함될 수 있다.
상기 제2세라믹의 몰농도는 0.05~1.0M일 수 있다.
상기 제1세라믹은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 산화물 세라믹, 규조토(Diatomite), 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 탄화규소(SiC), 탄화지르코늄(ZrC), 탄화텅스텐(WC), 코디어라이트(Cordierite) 및 뮬라이트(Mullite) 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 제2세라믹은 실리카(SiO2)를 포함할 수 있다.
상기 제1세라믹으로 형성된 분리막은 평균 입경이 0.1~10㎛인 기공을 포함하는 정밀 여과막(MF)을 포함하거나, 평균 입경이 0.1㎛ 이하인 기공을 포함하는 한외 여과막(UF) 또는 나노 여과막(NF)을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법은 분리막 표면을 실리카와 같은 친수성이면서 동시에 낮은 등전점을 보유한 세라믹으로 개질함에 따라, 부식산(humic acid)을 비롯한 상당수의 음전하를 띤 수질 오염물과의 정전기적 반발력을 형성하여 분리막의 오염을 감소시킬 수 있다.
특히, 본 발명의 표면 개질 방법에 따라 표면특성(친수성, 정전기적 성질)이 개질된 세라믹 분리막은 200~400℃에서 소결함으로써, 기존 표면 개질을 수행하지 않은 세라믹 분리막 대비 높은 유량 특성 및 우수한 내오염성을 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 졸겔법의 화학식을 나타낸 모식도(step1, a), 알루미나 분리막의 표면 개질을 설명하기 위한 모식도(step2, a) 및 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막의 오염 저항 메커니즘 특성을 보여주는 모식도(b)이다.
도 3은 본 발명에 따른 표면 개질된 알루미나 분리막의 열처리 온도에 따라 변화하는 부식산 용액의 유량 패턴를 나타낸 그래프이다.
도 4는 기존 알루미나 분리막(Al2O3)과 표면 개질된 알루미나 분리막의 열처리 온도(200~1000℃)에 따른 분리막 오염거동을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 실리카 농도에 따른 XRD 결과를 나타낸 것이다.
도 6은 기존 알루미나 분리막(Al2O3)과 표면 개질된 알루미나 분리막(0.1M SiO2)의 SEM(a) 및 TEM(b)을 나타낸 것이다.
도 7은 기존 알루미나 분리막(Al2O3)과 표면 개질된 알루미나 분리막의 실리카 전구체 용액의 농도 증가(0.1~1.0M SiO2)에 따른 분리막 오염저항 거동을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법을 나타낸 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 세라믹 분리막의 표면 개질 방법은 분리막을 코팅하는 단계(S110) 및 열처리하는 단계(S120)를 포함한다.
세라믹 분리막을 코팅하는 단계(S110)
먼저, 본 발명의 세라믹 분리막은 상기 제1세라믹으로 형성된 분리막으로, 제1세라믹은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 산화물 세라믹, 규조토(Diatomite), 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 탄화규소(SiC), 탄화지르코늄(ZrC), 탄화텅스텐(WC), 코디어라이트(Cordierite) 및 뮬라이트(Mullite) 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
제1세라믹으로 형성된 분리막은 장시간 수처리 분리공정에 노출될 경우, 수질 오염 물질과 분리막 사이의 정전기적 인력에 의해, 유기 또는 무기물 입자의 분리막 표면과 내부기공 흡착으로 분리막의 오염도를 증가시킬 수 있다.
그 결과, 시스템 내부 압력의 증가, 유량 감소, 분리정제 효율 감소, 비용 증대가 발생한다. 이와 같은 분리막의 오염을 저감시키기 위해, 분리막 표면을 친수성이면서 음전하를 띤 제2세라믹으로 표면 개질하면 부식산과 같은 소수성의 음전하를 띤 거대분자의 흡착 및 침적을 감소시킬 수 있다.
본 발명에서 표면 개질은 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅하여, 제1세라믹이 보유하지 않은 새로운 표면 특성(친수성 및 정전기적 성질)을 제공하는 것을 의미한다.
제1세라믹으로 형성된 분리막을 제2세라믹으로 표면 개질하는 경우, 제2세라믹의 등전점(isoelectric point)은 제1세라믹의 등전점보다 낮은 것이 바람직하다. 즉, 제1세라믹은 pH 6.5~7.5의 중성 pH영역의 수용액에서 양전하를 띠는 반면, 제2세라믹으로 표면 개질한 경우 같은 조건의 수용액에서 강한 음전하를 띠어 수질 오염 물질과 분리막 사이에 정전기적 반발력을 생성할 수 있다.
또한, 중성 pH영역의 수용액에서 상기 제2세라믹은 제1세라믹보다 접촉각과 제타 포텐셜 값이 낮은 것이 바람직하다.
접촉각은 고체, 액체, 기체 3가지 상의 접촉점에서, 액체를 포함한 쪽의 각을 가리킨다. 접촉각의 측정 방법은 증류수를 분리막 표면에 한 방울 떨어뜨리고 2~3초간 대기한 후, 접촉각 장치를 이용하여 물방울이 분리막 표면과 접촉하는 각을 측정한다.
제타포텐셜(zeta potential)은 이중층 내의 각 점에서 교질 표면으로부터 거리에 따라 양이온과 음이온의 분포가 달라지며, 이에 해당하는 전기적 전위를 가리킨다. 제타포텐셜 측정 방법은 분리막을 스트리밍 포텐셜 장치에 삽입하고 pH 3.5~9.5 범위의 용액에 노출하여 각 pH에 대한 제타포텐셜 값을 획득하면 분리막 소재의 등전점을 확인할 수 있다.
도 2의 (a), (b)를 참조하면, 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면에 제2세라믹을 코팅하여 정전기적 성질을 양전하에서 음전하로 제어하였다. 이에 따라, 지표수에 만연한 대표적인 유기물질(natural organic matters)인 부식산(humic acid)을 포함하여, 음전하를 띤 다양한 소수성 수질 오염 물질과 정전기적 반발력을 형성하여 분리막의 오염을 감소시키는 효과가 있다.
본 발명에서는 졸겔(sol-gel)법을 이용하여, 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅한다.
졸겔법은 일반적으로, 전구체의 가수분해(hydrolysis)와 응축(condensation) 반응으로 수행되며, 콜로이드 입자가 분산되어 유동성을 가지는 졸(sol)에서 점도가 상승하여 반고체처럼 굳어진 겔(gel)로 전이되는 과정을 포함한다.
보다 구체적으로는, 제2세라믹 전구체를 유기 용매에 용해하여 졸(sol) 용액을 형성하는 단계, 및 상기 졸(sol) 용액에 제1세라믹으로 형성된 분리막을 침지하는 단계를 수행하여 코팅이 수행될 수 있다.
먼저, 제2세라믹 전구체가 유기 용매에 고르게 분산되어 있는 졸(sol) 용액을 형성한다.
유기 용매는 메탄올, 에탄올, n-프로필알코올, 이소프로필알코올, n-부탄올, sec-부탄올 등이 사용될 수 있다.
제2세라믹 전구체는 90˚보다 낮은 접촉각을 나타내는 것으로, 예를 들어, TEOS(tetraethyl orthosilicate) 등이 사용될 수 있다. 제2세라믹 전구체를 유기 용매에 용해할 때, 유기 용매는 증류수와 혼합될 수 있으며, 부피비로 유기 용매 : 증류수 = 5 : 1 ~ 2 : 1로 혼합될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2세라믹 전구체의 함량은 용액 100중량부에 대하여, 1~20중량부 포함될 수 있다. 전구체의 함량이 1중량부 미만인 경우, 분리막 표면에 제2세라믹의 코팅이 불충분할 수 있고, 함량이 20중량부를 초과하는 경우, 전구체의 함량이 많아지면서 코팅 시 코팅층의 두께가 두꺼워지며, 이에 따라, 분리막에 포함된 기공의 평균 입경이 감소되어 분리막의 투과성이 저해될 수 있다. 더욱 심각한 경우는 분리막의 기공을 완전히 막아, 분리막의 기능을 상실할 수도 있다.
또한, 상기 제2세라믹의 몰농도는 0.05~1.0M인 것이 바람직하다.
즉, 제2세라믹 전구체의 몰농도는 0.05~1.0M인 것이 바람직하며, 몰농도가 0.05M 미만인 경우 분리막 표면의 코팅층 형성이 불충분하여 친수성 및 정전기적 반발력이 감소함으로써, 수질 오염 물질에 대한 내오염 특성이 급격히 감소된다. 반대로, 몰농도가 1.0M을 초과하는 경우, 제2세라믹의 생성이 과다하여 분리막 평균 입경의 감소 및 표면 거칠기 증가 등으로 인해 분리막의 투과성을 저해하는 문제점이 있다.
다음으로, 제1세라믹으로 형성된 분리막을 졸 용액에 침지하여, 분리막 표면에 제2세라믹을 포함하는 코팅층을 형성한다. 이 단계는 상온에서 10~30시간 동안 수행된 후, 결과물을 유기 용매로 세척하여 40~60℃에서 건조될 수 있다.
이처럼, 졸겔(sol-gel)법을 이용함으로써 공정이 단순한 특징이 있으며, 졸겔법에 의해 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅함에 따라 친수성으로 개질할 수 있다. 그 결과, 분리막의 개질된 표면에서는 부식산을 포함하는 음전하를 띤 소수성 수질 오염 물질과 정전기적 반발력이 형성되어, 분리막의 내오염성이 향상되는 효과가 있다.
상기 제1세라믹으로 형성된 분리막은 기공의 평균 입경이 0.1~10㎛인 정밀여과막(MF) 외에 기공의 평균 입경이 0.1㎛ 이하인 한외여과막(UF) 또는 나노여과막(NF)을 포함하며, 우수한 분리정제 효율을 나타낼 수 있다.
열처리하는 단계(S120)
다음으로, 코팅된 분리막을 열처리한다.
열처리는 분리막에 잔존하는 증류수, 유기 용매를 제거하고 분리막과 코팅층 사이의 접착을 강화하기 위해 수행되는 단계로, 열처리는 200~400℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 열처리 온도가 100~500℃일 때 유량이 400L/m2·h·bar 이상이고, 200~400℃일 때 유량이 700L/m2·h·bar 이상으로 가장 높은 유량을 보여준다.
열처리의 온도가 200~400℃를 벗어나는 경우, 표면 개질된 분리막의 유량이 감소하거나 분리막이 손상될 수 있다. 또한, 도 4에서와 같이, 열처리를 수행하지 않은 분리막(no sintering)은 가장 낮은 유량을 보여주는데, 이러한 결과는 열처리가 제2세라믹으로 개질한 분리막의 안정성, 유량 특성, 내오염성에 영향을 미치는 것을 의미한다.
따라서, 본 발명에서는 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅하여 친수성으로 개질함으로써, 분리막의 개질된 표면에서 부식산을 포함하는 음전하를 띤 소수성 수질 오염 물질과 정전기적 반발력이 형성되어, 세라믹 분리막의 내오염성을 향상시키는 효과가 있다.
이와 같이 세라믹 분리막의 표면 개질 방법에 대하여 그 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.
1. 세라믹 분리막의 표면 개질 및 결과
0.1M, 0.5M, 1.0M SiO2 전구체 용액을 제조하기 위해, TEOS(Tetraethyl Orthosilicate)를 에탄올과 증류수의 혼합물에 용해시키고 상온에서 6시간 동안 교반하였다. 그 다음, 전구체 용액 각각에 1.0M NH4OH을 적가하여 용액의 pH를 9.0으로 조절하였고, 용액을 안정화시켰다. 알루미나 분리막은 에탄올에 6시간 동안 담지된 후 24시간 동안 건조하였다.
그 다음, 알루미나 분리막을 24시간 동안 졸 용액에 담지시킨 후, 에탄올로 3번 세척한 후 50℃의 오븐에서 건조시켰다. 마지막으로, 결과물을 열처리하여, 분리막에 잔존하는 증류수와 유기 용매를 제거하고 실리카 코팅층과 분리막 사이의 접착력을 강화하였다. 열처리는 200~400℃에서 6시간 동안 수행되었다. 그 결과, 알루미나 분리막의 표면을 실리카(SiO2)로 균일하게 개질하였다.
도 2 내지 도 7에 기재된 Al2O3는 기존 알루미나 분리막이고, 0.1M SiO2는 0.1M의 TEOS 용액으로 표면 개질한 알루미나 분리막, 0.5M SiO2는 0.5M의 TEOS 용액으로 표면 개질한 알루미나 분리막, 1.0M SiO2는 1.0M의 TEOS 용액으로 표면 개질한 알루미나 분리막을 의미한다.
알루미나 분리막의 표면이 실리카로 개질됨에 따라, 균일한 실리카 코팅층이 형성되었다. 그 결과, 친수성의 낮은 등전점을 보유한 실리카에 의해 분리막은 음전하를 띠고, 소수성의 음전하를 띠는 부식산과의 정전기적 반발력에 의해 분리막의 오염을 줄일 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 실리카 농도에 따른 알루미나 분리막의 XRD(X-ray diffraction) 패턴을 보여주는 그래프이다. 실리카로 표면 개질된 분리막은 모두, 2θ 값이 20˚근처에서 무정형 실리카 특유의 넓은 피크를 나타내었다.
알루미나 분리막의 평균 기공크기는 0.80㎛로 측정되었다. 그러나, 표면 개질에 사용된 TEOS 농도가 높아짐에 따라 개질된 분리막의 기공 크기가 0.76㎛(0.1M SiO2), 0.75㎛(0.5M SiO2), 0.72㎛(1.0M SiO2)로 감소하였다. 이는 표면 개질 과정에서, 실리카 코팅층의 두께가 두꺼워짐에 따라 기공이 입경이 좁아진 것을 의미한다. 이로 인해, 기공크기가 작은 분리막의 수투과성이 다소 감소한 것을 확인하였다.
이때, 알루미나 분리막의 투과성은 699L·m-2·h-1·bar-1로 측정되었으며, 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막은 682L·m-2·h-1·bar-1(0.1M SiO2), 640L·m-2·h-1·bar-1(0.5M SiO2), 632L·m-2·h-1·bar-1(1.0M SiO2) 로 측정되었다. 이러한 결과는 TEOS 농도가 높아짐에 따라 분리막의 투과성이 감소되었음을 보여준다.
즉, 기공의 입경이 감소함에 따라, 세라믹 분리막의 수투과성은 감소한다.
도 6의 (a)는 기존 알루미나 분리막(Al2O3)과 표면 개질된 알루미나 분리막(0.1M SiO2)의 SEM(scanning electronic microscopy)을 나타낸 것이고, (b)는 TEM(transmission electron microscopy)을 나타낸 것이다. 도 6의 (a)를 참조하면, 분리막의 표면이 결함없이 매끄러운 것을 확인할 수 있으며, 이로부터 표면 개질이 알루미나 분리막의 표면 형태(morphology)에는 영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 게다가, (b)를 참조하면, 0.1M SiO2를 이용하여 표면 개질한 후, 분리막 표면에 무정형의 실리카 코팅층이 형성된 것을 확인할 수 있다.
도 7은 기존 알루미나 분리막(Al2O3)과 표면 개질된 알루미나 분리막의 실리카 전구체 용액의 농도 증가(0.1~1.0M SiO2)에 따른 분리막 오염저항 거동을 나타낸 그래프이다.
분리막은 분리막 여과장치에 장착되어 연속공정(cross flow) 시스템으로 운전되었다.
1단계 공정은 순수(pure water)를 30분간 공급하여 분리막의 유량을 안정시켰다.
그 다음, 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막의 오염 저감 특성을 증명하기 위해, 2단계 공정에 10mg/L 농도의 부식산(pH 6.5~7.0)을 투입하여 60분간 가동하였다.
기존 알루미나 분리막(Al2O3)의 경우, 부식산 용액에 대한 유량 변화는 거의 선형적인 패턴으로 급격히 감소하는 반면, 실리카로 표면 개질된 분리막은 약 30분간 원래의 유량특성을 100% 유지하는 높은 수치를 나타내었다.
양전하를 띠는 기존 알루미나 분리막(Al2O3)은 음전하를 띄는 부식산과의 정전기적 인력에 의해 분리막의 급격하나 오염이 감지된다. 즉, 기존 유량 대비 30%에 머무르는 가장 심각한 오염 수준을 보인다.
반면, 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막(0.1M SiO2, 0.5M SiO2, 1.0M SiO2)은 부식산과 정전기적 반발력을 유도하여, 부식산이 흡착되는 것을 방지함으로써 분리막 오염 저감 특성이 향상되었음을 보여준다.
또한, 1.0M SiO2로 표면 개질된 알루미나 분리막은 기존 유량 대비 70%에 다다르는 가장 높은 유량 패턴을 보여주었다. 또한, 0.1M SiO2와 0.5M SiO2로 표면 개질된 알루미나 분리막은 0.53%, 0.62%의 유량 특성을 보여주어, 기존 알루미나 분리막(Al2O3)의 유량 패턴과는 상당히 개선된 결과를 나타내었다.
따라서, 사용된 SiO2 전구체(TEOS) 용액의 농도가 높아짐에 따라, 분리막의 내오염 특성이 상승하는 것을 알 수 있다.
3단계에서는 오염된 분리막을 역세척하였고, 4단계에서는 다시 순수(pure water)를 공급하여 안정된 유량 패턴을 확인하였다.
도 7의 그래프를 바탕으로, 하기 식 (1)을 적용하여, 유량 감소율(%, flux reduction ratio)을 계산하였다. 유량 감소율(%)로부터 분리막의 내오염 특성을 알 수 있는데, 개질하지 않은 알루미나 분리막의 유량 감소율은 66%로 가장 높은 반면, 실리카로 표면 개질한 분리막의 유량 감소율은 알루미나 분리막보다 훨씬 낮으며, TEOS 농도가 증가할수록 점차 감소하는 경향을 보였다(0.1M SiO2 : 39%, 0.5M SiO2 : 30%, 1.0M SiO2 : 26%).
이러한 결과는 무정형 실리카 코팅층에 의해, 분리막의 오염 저항 특성이 크게 향상되었음을 보여준다.
유량 회복율(%, flux recovery ratio)은 하기 식(2)에 의해 계산되었으며, 표면 개질 여부와 상관없이 모든 샘플에서 95%이상 회복하였으나, 실리카가 코팅된 분리막의 경우, 보다 높은 유량 회복율을 보였다.
[식 1 & 2]
Figure pat00001
식 1, 2에서 J0는 1단계에서 순수 유량, J는 2단계에서 부식산 용액의 유량, J1은 4단계에서 순수의 유량이다.
따라서, 음전하를 띤 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막은 가장 낮은 유량 감소율(%), 가장 높은 유량 회복율을 가지는 등 우수한 분리막 오염 방지 성능을 나타낸다. 결국, 음전하를 띄는 실리카로 표면 개질된 알루미나 분리막이 오염 방지 특성 면에서 가장 우수한 효과를 나타낸다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (8)

  1. (a) 졸겔(sol-gel)법을 이용하여, 제1세라믹으로 형성된 분리막 표면을 제2세라믹으로 코팅하여 정전기적 특성을 포함하는 분리막의 표면 특성을 개질하는 단계; 및
    (b) 상기 코팅된 분리막을 열처리하는 단계;를 포함하고,
    상기 열처리는 200~400℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2세라믹은 제1세라믹보다 접촉각과 제타 포텐셜 값이 낮은 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계의 졸겔(sol-gel)법은
    (a1) 제2세라믹 전구체를 유기 용매에 용해하여 졸(sol) 용액을 형성하는 단계; 및
    (a2) 상기 졸(sol) 용액에 제1세라믹으로 형성된 분리막을 침지하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 (a1) 단계에서, 제2세라믹 전구체의 함량은 용액 100중량부에 대하여, 1~20중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2세라믹의 몰농도는 0.05~1.0M인 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1세라믹은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 산화물 세라믹, 규조토(Diatomite), 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 탄화규소(SiC), 탄화지르코늄(ZrC), 탄화텅스텐(WC), 코디어라이트(Cordierite) 및 뮬라이트(Mullite) 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2세라믹은 실리카(SiO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1세라믹으로 형성된 분리막은 평균 입경이 0.1~10㎛인 기공을 포함하는 정밀 여과막(MF)을 포함하거나,
    평균 입경이 0.1㎛ 이하인 기공을 포함하는 한외 여과막(UF) 또는 나노 여과막(NF)을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 분리막의 표면 개질 방법.
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