KR20180057643A - 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 - Google Patents

레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 Download PDF

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Abstract

표면 및 이면을 가지는 가공 대상물에, 이면을 입사면으로 하여 레이저광을 집광시키고, 표면과 레이저광의 제1 집광점의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 서로 이웃하는 유효 영역과 비유효 영역의 사이를 통과하도록 설정된 절단 예정 라인을 따라서 제1 집광점을 이동시킴으로써, 상기 절단 예정 라인을 따라서 제1 개질 영역을 형성하는 제1 공정과, 상기 가공 대상물에, 상기 이면을 입사면으로 하여 상기 레이저광을 집광시키고, 상기 표면과 상기 레이저광의 제2 집광점의 거리를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 제2 집광점을 이동시킴으로써, 상기 절단 예정 라인을 따라서 제2 개질 영역을 형성하는 제2 공정을 구비하는 방법이다.

Description

레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
본 발명의 일 측면은 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
표면에 복수의 기능 소자가 매트릭스 모양으로 형성된 실리콘 기판을 포함하는 가공 대상물에, 실리콘 기판의 이면(裏面)을 레이저광 입사면으로 하여 레이저광을 조사함으로써, 서로 이웃하는 기능 소자의 사이를 통과하도록 격자 모양으로 설정된 절단 예정 라인을 따라서, 실리콘 기판에 있어서의 표면 근방에 개질 영역을 형성하고, 그 후에, 실리콘 기판이 소정의 두께가 되도록 실리콘 기판의 이면을 연마함으로써, 가공 대상물을 기능 소자마다 절단하는 레이저 가공 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1: 국제 공개 제03/077295호
상술한 것 같은 레이저 가공 방법에서는, 1개의 절단 예정 라인에 대한 레이저광의 스캔 횟수(즉, 1개의 절단 예정 라인에 대한 개질 영역의 형성 열수)를 감소시키는 것이, 가공 효율 향상의 관점에서 중요하다. 이에, 실리콘에 대해서 투과율이 높은 레이저광을 실리콘 기판에 집광(集光)시킴으로써, 개질 영역의 형성에 따라서 개질 영역으로부터 실리콘 기판의 두께 방향으로 균열을 크게 신전(伸展, 늘려서 펼침)시키는 경우가 있다. 그러나, 실리콘에 대해서 투과율이 높은 레이저광을 실리콘 기판에 집광시키면, 레이저광 입사면과는 반대측의 실리콘 기판의 표면에 손상이 생겨, 기능 소자의 특성이 열화되는 경우가 있다.
그런데, 가공 대상물로서는, 상기와 같은 실리콘 기판과, 실리콘 기판상에 형성된 기능 소자를 포함하는 유효 영역과, 실리콘 기판상에 형성된 비유효 영역을 포함하는 것이 있다. 유효 영역은 가공 대상물의 절단에 의해 기능 소자를 포함하는 칩이 되는 영역이고, 비유효 영역은 가공 대상물의 절단에 의해 불필요해지는 영역이다. 이러한 가공 대상물의 가공을 할 때에는, 특히, 유효 영역에 있어서 실리콘 기판의 표면에 손상이 생기는 것을 억제하고, 기능 소자의 특성의 열화를 억제하는 것이 중요해진다.
본 발명의 일 측면은 기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능한 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법은, 표면 및 이면을 가지는 반도체 기판과, 표면상에 형성된 복수의 유효 영역과, 유효 영역의 사이에 있어서 표면상에 형성된 비유효 영역을 가지는 가공 대상물에, 이면을 입사면으로 하여 레이저광을 집광시키고, 표면과 레이저광의 제1 집광점의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 서로 이웃하는 유효 영역과 비유효 영역의 사이를 통과하도록 설정된 절단 예정 라인을 따라서 제1 집광점을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인을 따라서 제1 개질 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정의 후에, 가공 대상물에, 이면을 입사면으로 하여 레이저광을 집광시키고, 표면과 레이저광의 제2 집광점의 거리를 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 절단 예정 라인을 따라서 제2 집광점을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인을 따라서 제2 개질 영역을 형성하는 제2 공정을 구비하고, 유효 영역은 기능 소자를 포함하고, 제2 공정에 있어서는, 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 대해서, 제1 집광점을 맞춘 위치보다도 유효 영역측으로 제2 집광점을 오프셋시키면서, 절단 예정 라인을 따라서 제2 집광점을 이동시킨다.
이 레이저 가공 방법에 있어서는, 제2 공정에 있어서, 레이저광의 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서, 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 레이저광의 제2 집광점을 오프셋시킨다. 이것에 의해, 레이저광의 입사면과는 반대측의 가공 대상물의 표면에 손상이 생기는 것을 억제할 수 있다. 특히, 제2 공정에 있어서는, 제2 집광점을, 제1 집광점을 맞춘 위치보다도 유효 영역측으로 오프셋시킨다. 이것에 의해, 가공 대상물의 표면에 대해서 손상이 생길 수 있는 위치를, 비유효 영역측으로 시프트시킬 수 있다. 즉, 손상이 생길 수 있는 위치를, 기능 소자를 포함하는 유효 영역보다도 비유효 영역측으로 제어할 수 있다. 이상의 관점에서, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능하다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법에 있어서는, 반도체 기판은 실리콘 기판이고, 레이저광은 1064nm 보다도 큰 파장을 가져도 된다. 이 경우, 1064nm 이하의 파장을 가지는 레이저광을 이용하는 경우에 비해, 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역의 형성에 따라서 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역으로부터 반도체 기판의 두께 방향으로 균열을 크게 신전시킬 수 있다. 따라서, 가공 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법에 있어서는, 레이저광은 1099μm 이상 1342μm 이하의 파장을 가져도 된다. 이 경우, 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역의 형성에 따라서 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역으로부터 반도체 기판의 두께 방향으로 균열을 보다 크게 신전시킬 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법에 있어서는, 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서, 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 제2 집광점을 오프셋시키는 거리는, 24μm 이하여도 된다. 이 경우, 제1 개질 영역과 제2 개질 영역의 사이에 균열을 확실하게 연결하여, 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역의 형성에 따라서 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역으로부터 반도체 기판의 두께 방향으로 균열을 확실하게 신전시킬 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법에 있어서는, 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서, 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 제2 집광점을 오프셋시키는 거리는, 2μm 이상 8μm 이하여도 된다. 이 경우, 제2 집광점의 오프셋의 거리를 필요 충분한 범위로 할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공 방법에 있어서는, 제1 공정에 있어서, 절단 예정 라인에 대해서, 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 제1 집광점을 오프셋시키는 거리를 0으로 유지하면서, 절단 예정 라인을 따라서 제1 집광점을 이동시켜도 된다. 이 경우, 제1 개질 영역으로부터 반도체 기판의 표면측으로 신전되는 균열을 절단 예정 라인상에 맞출 수 있다.
본 발명의 일 측면의 레이저 가공 장치는, 표면 및 이면을 가지는 반도체 기판과, 표면상에 형성된 복수의 유효 영역과, 유효 영역의 사이에 있어서 표면상에 형성된 비유효 영역을 가지는 가공 대상물을 지지하는 지지대와, 레이저광을 출사하는 레이저 광원과, 이면이 입사면이 되도록 지지대에 지지된 가공 대상물에, 레이저 광원으로부터 출사된 레이저광을 집광하는 집광 광학계와, 지지대, 레이저 광원 및 집광 광학계의 적어도 하나의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 유효 영역은 기능 소자를 포함하고, 제어부는 표면과 레이저광의 제1 집광점의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 서로 이웃하는 유효 영역과 비유효 영역의 사이를 통과하도록 설정된 절단 예정 라인을 따라서 제1 집광점을 이동시키고, 그 후에, 표면과 레이저광의 제2 집광점의 거리를 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 또한 반도체 기판의 두께 방향 및 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 대해 제1 집광점을 맞춘 위치보다도 유효 영역측으로 제2 집광점을 오프셋시키면서, 절단 예정 라인을 따라서 제2 집광점을 이동시킨다.
이 레이저 가공 장치에 의하면, 상술한 레이저 가공 방법과 마찬가지의 이유에 의해, 레이저광 입사면과는 반대측의 가공 대상물의 표면에 손상이 생기는 것을 억제함과 아울러, 손상이 생길 수 있는 위치를, 기능 소자를 포함하는 유효 영역보다도 비유효 영역측으로 제어할 수 있다. 따라서, 기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능하다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능한 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 개질 영역의 형성에 이용되는 레이저 가공 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 개질 영역의 형성의 대상이 되는 가공 대상물의 평면도이다.
도 3은 도 2의 가공 대상물의 III－III선을 따른 단면도이다.
도 4는 레이저 가공 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 5는 도 4의 가공 대상물의 V－V선을 따른 단면도이다.
도 6은 도 4의 가공 대상물의 VI－VI선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 레이저 가공 중인 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 절단 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 8의 (a)는 레이저 가공 중인 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 절단 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 9의 (a)는 레이저 가공 중인 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 절단 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 10의 (a)는 레이저 가공 중인 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 절단 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 11의 (a)는 절단 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, (b)는 절단 후의 실리콘 기판의 표면측의 사진을 나타내는 도면이다.
도 12의 (a)는 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역 형성 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, (b)는 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역 형성 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 수직인 면의 사진을 나타내는 도면이다.
도 13의 (a)는 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역 형성 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, (b)는 제1 개질 영역 및 제2 개질 영역 형성 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 수직인 면의 사진을 나타내는 도면이다.
도 14는 오프셋량과 균열의 길이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 오프셋량과 스플래쉬(splash)의 개수의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 16의 (a)는 절단 후의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, (b)는 절단 후의 실리콘 기판의 표면측의 사진을 나타내는 도면이다.
도 17의 (a)는 오프셋량 2μm인 경우에 있어서의 절단 후의 실리콘 기판의 표면측의 사진을 나타내는 도면이고, (b)는 오프셋량 4μm인 경우에 있어서의 절단 후의 실리콘 기판의 표면측의 사진을 나타내는 도면이고, (c)는 오프셋량 6μm인 경우에 있어서의 절단 후의 실리콘 기판의 표면측의 사진을 나타내는 도면이다.
도 18의 (a)는 오프셋량이 작은 경우에 있어서의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 수직인 면을 나타내는 도면이고, (b)는 오프셋량이 큰 경우에 있어서의 실리콘 기판의 절단 예정 라인에 수직인 면을 나타내는 도면이다.
도 19는 실시 형태의 레이저 가공 방법에 있어서의 가공 대상물을 나타내는 도면이다.
도 20은 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 23은 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 24는 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 25는 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 26은 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 27의 (a)는 연마 전의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 연마 후의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이다.
도 28의 (a)는 연마 전의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 연마 후의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이다.
도 29의 (a)는 연마 전의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이고, (b)는 연마 후의 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따른 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 측면의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다.
실시 형태에 따른 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치에서는, 가공 대상물에 레이저광을 집광함으로써, 절단 예정 라인을 따라서 가공 대상물에 개질 영역을 형성한다. 이에, 먼저, 개질 영역의 형성에 대해서, 도 1~도 6을 참조하여 설명한다.
도 1에 나타내지는 것처럼, 레이저 가공 장치(100)는 레이저광 L을 펄스 발진하는 레이저 광원(101)과, 레이저광 L의 광축(광로)의 방향을 90°바꾸도록 배치된 다이크로익 미러(dichroic mirror, 103)와, 레이저광 L을 집광하기 위한 집광용 렌즈(105)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공 장치(100)는 집광용 렌즈(105)에서 집광된 레이저광 L이 조사되는 가공 대상물(1)을 지지하기 위한 지지대(107)와, 지지대(107)를 이동시키기 위한 스테이지(111)와, 레이저광 L의 출력이나 펄스 폭, 펄스 파형 등을 조절하기 위해서 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 스테이지(111)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비하고 있다.
레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 레이저 광원(101)으로부터 출사된 레이저광 L은, 다이크로익 미러(103)에 의해서 그 광축의 방향을 90°바꿀 수 있어, 지지대(107)상에 재치된 가공 대상물(1)의 내부에 집광용 렌즈(105)에 의해서 집광된다. 이것과 함께, 스테이지(111)가 이동되어, 가공 대상물(1)이 레이저광 L에 대해서 절단 예정 라인(5)을 따라서 상대 이동된다. 이것에 의해, 절단 예정 라인(5)에 따른 개질 영역이 가공 대상물(1)에 형성된다. 또한, 여기에서는, 레이저광 L을 상대적으로 이동시키기 위해서 스테이지(111)를 이동시켰지만, 집광용 렌즈(105)를 이동시켜도 되고, 혹은 이들 양쪽을 이동시켜도 된다.
가공 대상물(1)로서는, 반도체 재료로 형성된 반도체 기판이나 압전 재료로 형성된 압전 기판 등을 포함하는 판 모양의 부재(예를 들면, 기판, 웨이퍼 등)가 이용된다. 도 2에 나타내지는 것처럼, 가공 대상물(1)에는 가공 대상물(1)을 절단하기 위한 절단 예정 라인(5)이 설정되어 있다. 절단 예정 라인(5)은 직선 모양으로 연장된 가상선이다. 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역을 형성하는 경우, 도 3에 나타내지는 것처럼, 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(집광 위치) P를 맞춘 상태로, 레이저광 L을 절단 예정 라인(5)을 따라서(즉, 도 2의 화살표 A방향으로) 상대적으로 이동시킨다. 이것에 의해, 도 4, 도 5 및 도 6에 나타내지는 것처럼, 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 가공 대상물(1)에 형성되고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된 개질 영역(7)이 절단 기점 영역(8)이 된다.
집광점 P란 레이저광 L이 집광되는 지점이다. 절단 예정 라인(5)은 직선 모양으로 한정되지 않고 곡선 모양이어도 되고, 이들이 조합된 3차원 모양이어도 되고, 좌표 지정된 것이어도 된다. 절단 예정 라인(5)은 가상선으로 한정되지 않고 가공 대상물(1)의 표면(3)에 실제로 그어진 선이어도 된다. 개질 영역(7)은 연속적으로 형성되는 경우도 있고, 단속적으로 형성되는 경우도 있다. 개질 영역(7)은 열 모양이어도 점 모양이어도 되며, 요점은 개질 영역(7)은 적어도 가공 대상물(1)의 내부에 형성되어 있으면 된다. 또, 개질 영역(7)을 기점으로 균열이 형성되는 경우가 있으며, 균열 및 개질 영역(7)은 가공 대상물(1)의 외표면(표면(3), 이면, 혹은 외주면(外周面))에 노출되어 있어도 된다. 개질 영역(7)을 형성할 때의 레이저광 입사면은 가공 대상물(1)의 표면(3)으로 한정되는 것이 아니고, 가공 대상물(1)의 이면이어도 된다.
덧붙여서, 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역(7)을 형성하는 경우에는, 레이저광 L은 가공 대상물(1)을 투과함과 아울러, 가공 대상물(1)의 내부에 위치하는 집광점 P근방에서 특히 흡수된다. 이것에 의해, 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)이 형성된다(즉, 내부 흡수형 레이저 가공). 이 경우, 가공 대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저광 L이 대부분 흡수되지 않기 때문에, 가공 대상물(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다. 한편, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 개질 영역(7)을 형성하는 경우에는, 레이저광 L은 표면(3)에 위치하는 집광점 P근방에서 특히 흡수되고, 표면(3)으로부터 용융되어 제거되어, 구멍이나 홈 등의 제거부가 형성된다(표면 흡수형 레이저 가공).
개질 영역(7)은 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 상이한 상태로 된 영역을 말한다. 개질 영역(7)으로서는, 예를 들면, 용융 처리 영역(일단 용융 후 재고체화된 영역, 용융 상태 중인 영역 및 용융으로부터 재고체화되는 상태 중인 영역 중 적어도 어느 하나를 의미함), 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역 등이 있고, 이들이 혼재된 영역도 있다. 또한, 개질 영역(7)으로서는, 가공 대상물(1)의 재료에 있어서 개질 영역(7)의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교하여 변화된 영역이나, 격자 결함이 형성된 영역이 있다. 가공 대상물(1)의 재료가 단결정 실리콘인 경우, 개질 영역(7)은 고전위밀도 영역이라고도 할 수 있다.
용융 처리 영역, 굴절률 변화 영역, 개질 영역(7)의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교하여 변화된 영역, 및 격자 결함이 형성된 영역은, 또한, 그들 영역의 내부나 개질 영역(7)과 비개질 영역의 계면(界面)에 균열(갈라짐, 마이크로 크랙)을 내포하고 있는 경우가 있다. 내포되는 균열은, 개질 영역(7)의 전면(全面)에 걸친 경우나 일부분만이거나 복수 부분에 형성되는 경우가 있다. 가공 대상물(1)은 결정 구조를 가지는 결정 재료로 이루어지는 기판을 포함한다. 예를 들면 가공 대상물(1)은 질화 갈륨(GaN), 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), LiTaO3, 및 사파이어(Al2O3)의 적어도 어느 것으로 형성된 기판을 포함한다. 환언하면, 가공 대상물(1)은, 예를 들면, 질화 갈륨 기판, 실리콘 기판, SiC 기판, LiTaO3 기판, 또는 사파이어 기판을 포함한다. 결정 재료는 이방성 결정 및 등방성 결정 중 어느 것이어도 된다. 또, 가공 대상물(1)은 비결정 구조(비정질 구조)를 가지는 비결정 재료로 이루어지는 기판을 포함하고 있어도 되고, 예를 들면 유리 기판을 포함하고 있어도 된다.
실시 형태에서는, 절단 예정 라인(5)을 따라서 개질 스팟(가공 흔적)을 복수 개 형성함으로써, 개질 영역(7)을 형성할 수 있다. 이 경우, 복수의 개질 스팟이 모임으로써 개질 영역(7)이 된다. 개질 스팟이란 펄스 레이저광의 1펄스의 쇼트(즉 1펄스의 레이저 조사：레이저 쇼트)로 형성되는 개질 부분이다. 개질 스팟으로서는, 크랙 스팟, 용융 처리 스팟 혹은 굴절률 변화 스팟, 또는 이들의 적어도 하나가 혼재하는 것 등을 들 수 있다. 개질 스팟에 대해서는, 요구되는 절단 정밀도, 요구되는 절단면의 평탄성, 가공 대상물(1)의 두께, 종류, 결정 방위 등을 고려하여, 그 크기나 발생하는 균열의 길이를 적당히 제어할 수 있다. 또, 실시 형태에서는, 절단 예정 라인(5)을 따라서, 개질 스팟을 개질 영역(7)으로서 형성할 수 있다.
다음에, 스플래쉬에 관한 검증 결과에 대해 설명한다. 또한, 「반도체 기판을 포함하는 가공 대상물을 대상으로 하고, 상술한 것 같은 레이저 가공을 실시했을 경우에, 레이저광 입사면과는 반대측의 가공 대상물의 표면에 생기는 손상」을 「스플래쉬」라고 칭한다. 또, 이하에서는, 반도체 기판으로서, 실리콘 기판을 예시한다.
도 7~도 10에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 금속막(11)이 형성된 것을 가공 대상물로서 준비했다. 금속막(11)은 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 기초로서 두께 20μm의 Cr막이 형성되고, 그 Cr막상에 두께 50μm의 Au막이 형성됨으로써, 구성되어 있다.
도 7의 (a)에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 레이저광 입사면으로 하여, 1064nm의 파장을 가지는 레이저광 L0을 실리콘 기판(10)의 내부에 집광시키고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 레이저광 L0의 집광점 P를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 개질 영역(7)을 형성했다. 이 때, 개질 영역(7)의 형성에 따라서 개질 영역(7)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 신전하는 균열 F(즉, 실리콘 기판(10)에 외력을 작용시키지 않더라도, 개질 영역(7)의 형성에 따라서 생기는 균열 F)가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하도록, 레이저광 L0의 조사 조건을 조정했다. 이 경우에는, 도 7의 (b)에 나타내지는 것처럼, 금속막(11)에 스플래쉬가 생기지 않았다.
도 8의 (a)에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 레이저광 입사면으로 하여, 1342nm의 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)의 내부에 집광시키고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 레이저광 L1의 집광점 P를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 개질 영역(7)을 형성했다. 이 때, 개질 영역(7)으로부터 신전되는 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하도록, 레이저광 L1의 조사 조건을 조정했다. 구체적으로는, 파장이 상이한 것을 제외하고, 레이저광 L1의 조사 조건을, 상술한 레이저광 L0의 조사 조건과 동일하게 했다. 이 경우에는, 도 8의 (b)에 나타내지는 것처럼, 금속막(11)에 스플래쉬 S가 생겼다.
도 9의 (a)에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 레이저광 입사면으로 하여, 1342nm의 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)의 내부에 집광시키고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 레이저광 L1의 집광점 P를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 개질 영역(7)을 형성했다. 이 때, 개질 영역(7)으로부터 신전되는 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하지 않고, 실리콘 기판(10)의 내부로 들어가도록, 레이저광 L1의 조사 조건을 조정했다. 구체적으로는, 도 8의 경우보다도 레이저광 L1의 펄스 에너지를 작게 했다. 이 경우에는, 도 9의 (b)에 나타내지는 것처럼, 금속막(11)에 스플래쉬가 생기지 않았다.
도 10의 (a)에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 레이저광 입사면으로 하여, 1342nm의 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)의 내부에 집광시키고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 레이저광 L1의 집광점 P를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)을 형성했다. 이 때, 제1 개질 영역(7a)을 형성한 것 만으로는 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하지 않고, 제1 개질 영역(7a)에 대해서 실리콘 기판(10)의 이면(10b)측에 제2 개질 영역(7b)을 형성했을 때 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하도록, 레이저광 L1의 조사 조건을 조정했다. 이 경우에는, 도 10의 (b)에 나타내지는 것처럼, 금속막(11)에 스플래쉬 S가 생겼다.
도 11은 도 10의 경우의 조건으로 실리콘 기판(10)의 내부에 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)을 형성했을 때의 실리콘 기판(10)의 사진을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 11의 (a)는 절단 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, 도 11의 (b)는 절단 후의 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측(금속막(11))의 사진을 나타내는 도면이다. 도 11의 (b)를 참조하면, 금속막(11)에 있어서 일점 쇄선으로 둘러싸인 영역에, 거무스름한 부분이 존재하는 것을 확인할 수 있다. 이것이, 문제가 되는 스플래쉬 S이다.
1342nm와 같이 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하면, 1064nm 이하의 파장을 가지는 레이저광 L0을 이용하는 경우에 비해, 개질 영역(7)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 균열 F를 크게 신전시킬 수 있다. 또, 1342nm와 같이 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하면, 1064nm 이하의 파장을 가지는 레이저광 L0을 이용하는 경우에 비해, 실리콘 기판(10)의 레이저광 입사면으로부터 깊은 위치에 개질 영역(7)을 형성할 수 있다. 이것들은, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1 쪽이, 1064nm 이하의 파장을 가지는 레이저광 L0 보다도, 실리콘에 대해서 투과율이 높은 것에 기인한다. 따라서, 1개의 절단 예정 라인(5)에 대한 레이저광 L의 스캔 횟수(즉, 1개의 절단 예정 라인(5)에 대한 개질 영역(7)의 형성 열수)를 감소시켜, 가공 효율을 향상시키는 관점에서는, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하는 것이 바람직하다.
그러나, 상술한 도 8 및 도 10의 경우와 같이, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하여 균열 F를 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달시키려고 하면, 금속막(11)에 스플래쉬 S가 생겨 버린다. 레이저광 입사면과는 반대측의 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 기능 소자(예를 들면, 결정 성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토 다이오드 등의 수광 소자, 레이저 다이오드 등의 발광소자, 혹은 회로로서 형성된 회로 소자 등)가 형성되어 있는 경우에 스플래쉬 S가 생기면, 기능 소자의 특성이 열화될 우려가 있다.
따라서, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하여 균열 F를 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달시키는 경우에, 스플래쉬 S의 발생을 억제할 수 있으면, 기술적으로 큰 의의가 있다.
본 발명자 등은, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 스플래쉬 S가 생기는 것은, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하면, 형성 완료된 개질 영역(7)으로부터 크게 신전된 균열 F에 레이저광 L1을 집광시키게 되어, 소실광(레이저광 L1 중 개질 영역(7)의 형성에 기여하지 않고 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 소실되는 광)의 영향이 커지는 것에 기인한다고 생각했다. 그 알게된 내용으로부터, 본 발명자 등은, 도 10의 경우에 있어서 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때, 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키면, 스플래쉬 S의 발생의 원인이 되는 소실광의 영향을 작게 할 수 있다고 생각하여, 이하의 검증을 행했다. 또한, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때, 「제1 개질 영역(7a)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 맞춘 위치에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향(도 10의 (a)에 있어서의 실리콘 기판(10)의 단면에 수직인 방향)에 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키는」것을 간단하게 「레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨다」고 하고, 「레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키는 거리」를 「오프셋량」이라고 한다.
먼저, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전되는 균열 F의 방향에 대해 검증했다. 도 12는 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키지 않은 경우의 실리콘 기판(10)의 사진을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 12의 (a)는 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b) 형성 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, 도 12의 (b)는 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b) 형성 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인에 수직인 면의 사진을 나타내는 도면이다. 도 12의 (b)를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키지 않은 경우에는, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측에 곧게 (실리콘 기판(10)의 두께 방향을 따라서) 균열 F가 신전되는 것을 확인할 수 있다.
도 13은 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 경우(오프셋량 8μm인 경우)의 실리콘 기판(10)의 사진을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 13의 (a)는 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b) 형성 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, 도 13의 (b)는 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b) 형성 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인에 수직인 면의 사진을 나타내는 도면이다. 도 13의 (b)를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 경우에도, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측에 곧게 (실리콘 기판(10)의 두께 방향을 따라서) 균열 F가 신전되는 것을 확인할 수 있다.
이어서, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전되는 균열 F의 길이에 대해서 검증했다. 도 14는 오프셋량과 균열 F의 길이의 관계를 나타내는 그래프이다. 균열 F의 길이는 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전된 균열 F의 길이이다. 도 14를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시켜도, 오프셋시키지 않더라도(오프셋량 0μm인 경우에도), 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전되는 균열 F의 길이는 변하지 않는 것을 확인할 수 있다.
이어서, 스플래쉬 S의 발생량에 대해 검증했다. 도 15는 오프셋량과 스플래쉬 S의 개수의 관계를 나타내는 그래프이다. 스플래쉬 S의 개수는, 절단 예정 라인(5)으로부터 양측으로 20μm 이상 떨어진 영역에서 생긴 스플래쉬 S의 개수(절단 예정 라인(5)이 길이 15mm당 개수)이다. 도 15를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키면, 오프셋시키지 않은 경우(오프셋량 0μm인 경우)에 비해, 스플래쉬 S의 개수가 감소하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 절단 예정 라인(5)으로부터 양측으로 20μm 이상 떨어진 영역에서 생긴 스플래쉬 S의 개수를 카운트한 것은, 특히 그러한 스플래쉬 S가, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 형성된 기능 소자의 특성을 열화시키는 문제를 일으키기 때문이다. 절단 예정 라인(5)의 양측 20μm 이내의 영역에는, 다이싱 스트리트(dicing street)(서로 이웃하는 기능 소자 사이의 영역)가 마련되는 경우가 많기 때문에, 당해 영역에 생기는 스플래쉬 S가 기능 소자의 특성을 열화시키는 문제를 일으킬 가능성은 낮다.
도 12~도 15의 검증 결과로부터, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시켜도, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측에 곧게 (실리콘 기판(10)의 두께 방향을 따라서) 균열 F가 신전되고, 또, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전되는 균열 F의 길이가 변하지 않는 것을 알았다. 그 한편으로, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키면, 스플래쉬 S의 개수가 감소하는 것을 알았다. 또한, 도 12~도 15의 검증에 있어서, 오프셋량 이외의 레이저광의 조사 조건은 동일하다.
스플래쉬 S의 개수가 감소하는 것에 대한 본 발명자 등의 고찰은, 이하와 같다. 도 16은 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 경우의 실리콘 기판(10)의 사진을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 16의 (a)는 절단 후의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인(5)에 평행한 면의 사진을 나타내는 도면이고, 도 16의 (b)는 절단 후의 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측(금속막(11))의 사진을 나타내는 도면이다. 도 16의 (a)를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킴으로써, 형성 완료된 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 신전된 균열 F에 레이저광 L1이 집 광 되는 것이 억제되고, 제2 개질 영역(7b)이 크게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 즉, 제2 개질 영역(7b)의 형성에 기여하는 레이저광 L1의 비율이 증가하고, 소실광의 비율이 감소했다고 생각할 수 있다. 도 16의 (b)를 참조하면, 스플래쉬 S가 생기지 않은 것을 확인할 수 있다.
그 한편으로, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키지 않은 경우의 실리콘 기판(10)의 사진을 나타내는 도면 11의 (a)를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)이 작게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이것은, 형성 완료된 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 신전된 균열 F에 레이저광 L1이 집광되어, 소실광이 많아지고 있는 것에 기인한다고 생각할 수 있다. 또한, 도 11 및 도 16의 검증에 있어서, 오프셋량 이외의 레이저광의 조사 조건은 동일하다.
도 17은 절단 후의 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측(금속막(11))의 사진을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 17의 (a)는 오프셋량 2μm인 경우이고, 도 17의 (b)는 오프셋량 4μm인 경우이고, 도 17의 (c)는 오프셋량 6μm인 경우이다. 각 경우에 있어서, 오프셋량 이외의 레이저광의 조사 조건은 동일하다. 도 17의 (a) 및 (b)를 참조하면, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 측과는 반대측에 스플래쉬 S가 생겨 있는 것, 및 오프셋량을 크게 할수록 스플래쉬 S가 절단 예정 라인(5)으로부터 떨어져 있는 것을 확인할 수 있다. 또, 도 17의 (a), (b) 및 (c)를 참조하면, 오프셋량을 크게 할수록 스플래쉬 S의 발생 영역이 감소하고 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 17의 (a) 및 (b)의 경우에도, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시키지 않은 경우에 비하면, 스플래쉬 S의 발생 영역은 감소하고 있다.
도 17의 (a), (b) 및 (c)의 결과가 얻어진 이유는, 다음과 같이 생각할 수 있다. 도 18의 (a)는 오프셋량이 작은 경우에 있어서의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인(5)에 수직인 면을 나타내는 도면이고, 도 18의 (b)는 오프셋량이 큰 경우에 있어서의 실리콘 기판(10)의 절단 예정 라인(5)에 수직인 면을 나타내는 도면이다. 또한, 「제1 개질 영역(7a)을 형성할 때의 레이저광 L1의 집광점 P」를 「제1 집광점 P1」이라고 하고, 「제2 개질 영역(7b)을 형성할 때의 레이저광 L1의 집광점 P」를 「제2 집광점 P2」라고 한다.
도 18의 (a)에 나타내지는 것처럼, 오프셋량이 작은 경우에는, 형성 완료된 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 신전된 균열 F 중, 레이저광 L1의 제2 집광점 P2가 맞춰지는 부분 F1이, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 D에 대해서 작은 각도로 경사져 있다. 그 때문에, 당해 부분 F1에 대한 레이저광 L1의 입사각 θ가 커진다. 따라서, 레이저광 L1 중 제2 개질 영역(7b)의 형성에 기여하지 않은 소실광 L2는, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 D에 대해서 작은 각도로, 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 측과는 반대측으로 진행한다. 이것에 의해, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하는 소실광 L2의 광로 길이가 짧아져, 실리콘 기판(10) 내에서의 소실광 L2의 흡수량 및 산란 정도가 작아진다. 또한, 「작다」, 「크다」, 「짧다」 등은, 도 18의 (b)의 경우와의 비교로 이용하고 있다.
그 한편으로, 도 18의 (b)에 나타내지는 것처럼, 오프셋량이 큰 경우에는, 형성 완료된 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 신전된 균열 F 중, 레이저광 L1의 제2 집광점 P2가 맞춰지는 부분 F1이, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 D에 대해서 큰 각도로 경사져 있다. 그 때문에, 당해 부분 F1에 대한 레이저광 L1의 입사각 θ가 작아진다. 따라서, 레이저광 L1 중 제2 개질 영역(7b)의 형성에 기여하지 않은 소실광 L2는, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 D에 대해서 큰 각도로, 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 측과는 반대측으로 진행한다. 이것에 의해, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하는 소실광 L2의 광로 길이가 길어져, 실리콘 기판(10) 내에서의 소실광 L2의 흡수량 및 산란 정도가 커진다. 또한, 「크다」, 「작다」, 「길다」 등은, 도 18의 (a)의 경우와의 비교로 이용하고 있다.
이상의 도 18의 고찰로부터, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 집광점 P를 오프셋시킨 측과는 반대측에 스플래쉬 S가 생겨, 오프셋량을 크게 할수록 스플래쉬 S가 절단 예정 라인(5)으로부터 떨어지고, 오프셋량을 크게 할수록 스플래쉬 S의 발생 영역이 감소한다고 생각할 수 있다.
다음에, 실시 형태의 레이저 가공 방법을 이용한 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명한다. 먼저, 도 19에 나타내지는 것처럼, 가공 대상물(1)을 준비한다. 가공 대상물(1)은 실리콘 기판(반도체 기판)(10)과, 기능 소자층(15)을 가진다. 실리콘 기판(10)은 표면(10a)과, 표면(10a)의 반대측의 이면(10b)을 포함한다. 기능 소자층(15)은 표면(10a)상에 형성되어 있다. 기능 소자층(15)은 복수의 유효 영역(15a)과, 복수의 비유효 영역(15b)을 포함한다. 유효 영역(15a)은 각각, 기능 소자를 포함한다. 따라서, 유효 영역(15a)은 가공 대상물(1)의 절단에 의해 기능 소자를 포함하는 반도체 칩이 되는 영역이다. 비유효 영역(15b)은 가공 대상물(1)의 절단에 의해 불필요해지는(불필요칩이 되는) 영역이다. 비유효 영역(15b)은, 예를 들면 TEG 영역이다.
유효 영역(15a)은 표면(10a)상에 제1 및 제2 방향을 따라서 2차원 모양으로 배열되어 있다. 제1 방향과 제2 방향은, 서로 교차(직교)하고 있다. 비유효 영역(15b)은 표면(10a)상에 있어서, 서로 이웃하는 유효 영역(15a)의 사이에 마련되어 있다. 여기에서는, 비유효 영역(15b)은 제1 및 제2 방향 중 제1 방향에만 대해서, 서로 이웃하는 유효 영역(15a)의 사이에 배치되어 있다. 또한, 제1 방향에 대해서, 가장 가공 대상물(1)의 단부(端部)측에 위치하는 유효 영역(15a)의 외측에도, 추가로 비유효 영역(15b)이 마련되어 있어도 된다.
제1 방향에 대해 서로 이웃하는 유효 영역(15a)과 비유효 영역(15b)의 사이에는, 제2 방향으로 연장되는 다이싱 스트리트 DS가 마련되어 있다. 또, 제2 방향에 대해 서로 이웃하는 유효 영역(15a)의 사이에는, 제1 방향으로 연장되는 다이싱 스트리트 DS가 마련되어 있다. 여기에서는, 제2 방향으로 연장되는 다이싱 스트리트 DS 내에, 절단 예정 라인(5a)이 설정되어 있다. 또, 제1 방향으로 연장되는 다이싱 스트리트 DS 내에, 절단 예정 라인(5b)이 설정되어 있다. 따라서, 여기에서는, 절단 예정 라인(5)은, 서로 이웃하는 기능 소자의 사이를 통과하도록 격자 모양으로 설정되어 있다.
이어서, 도 20에 나타내지는 것처럼, 링 모양의 유지 부재(20)에 유지된 보호 필름(22)에, 가공 대상물(1)의 기능 소자층(15)측을 붙인다. 이어서, 서로 이웃하는 기능 소자의 사이를 통과하도록 격자 모양으로 설정된 절단 예정 라인(5)의 각각을 따라서, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)을 형성한다. 이 공정에 대해서, 보다 상세하게 설명한다.
이 공정에서는, 도 20 및 도 21에 나타내지는 것처럼, 먼저, 절단 예정 라인(5a)의 각각을 따라서 제1 개질 영역(7a)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 입사면으로 하여, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)에 집광시키고, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)과 레이저광 L의 제1 집광점 P1의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제1 집광점 P1을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제1 개질 영역(7a)을 형성한다(제1 공정). 이 때, 절단 예정 라인(5a)에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5a)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 제1 집광점 P1을 오프셋시키는 거리를 0으로 유지하면서, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제1 집광점 P1을 이동시킨다. 즉, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제1 집광점 P1이 절단 예정 라인(5a)상에 위치한 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 레이저광 L의 제1 집광점 P1을 이동시킨다. 이것에 의해, 제1 개질 영역(7a)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5a)상에 위치한 상태로, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 형성된다.
이어서, 절단 예정 라인(5a)의 각각을 따라서, 제2 개질 영역(7b)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 입사면으로 하여, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)에 집광시키고, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)과 레이저광 L1의 제2 집광점 P2의 거리를 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 또한 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시키면서, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제2 집광점 P2를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제2 개질 영역(7b)을 형성한다(제2 공정). 즉, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제2 집광점 P2가 절단 예정 라인(5a)으로부터 소정 거리만큼 떨어진 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 (절단 예정 라인(5)과 평행하게) 레이저광 L의 제2 집광점 P2를 이동시킨다. 이것에 의해, 제2 개질 영역(7b)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5a)으로부터 소정 거리만큼 떨어진 상태로, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 (절단 예정 라인(5a)에 평행하게) 실리콘 기판(10)의 내부에 형성된다.
이 때, 제2 집광점 P2의 오프셋의 방향을 다음과 같이 설정한다. 즉, 절단 예정 라인(5a)은 서로 이웃하는 유효 영역(15a) 및 비유효 영역(15b)의 사이에 설정되어 있다. 그리고, 제2 공정에 있어서는, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5a)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 대해서, 제1 집광점 P1을 맞춘 위치 D1 보다도 유효 영역(15a)측(즉, 비유효 영역(15b)과 반대측)으로 제2 집광점 P2를 오프셋시킨다. 즉, 제2 집광점 P2는 제1 집광점 P1을 맞춘 위치 D1과 유효 영역(15a) 사이의 위치 D2에 맞춰진다. 위치 D1과 위치 D2 사이의 거리가, 오프셋량 OA가 된다. 여기서의 오프셋량 OA는, 일례로서, 24μm 이하(더욱이는, 예를 들면 2μm 이상 8μm 이하)이다.
이것에 의해, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 신전된 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하여, 절단 예정 라인(5a)을 따라서, 기능 소자층(15)이 유효 영역(15a) 및 비유효 영역(15b)마다 절단된다. 또한, 일례로서, 실리콘 기판(10)의 두께는 775μm이고, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)은, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)으로부터 깊이 160μm까지의 영역에 형성된다.
이어서, 절단 예정 라인(5b)의 각각에 따라 제1 개질 영역(7a)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 입사면으로 하여, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)에 집광시키고, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)과 레이저광 L의 제1 집광점 P1의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제1 집광점 P1을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제1 개질 영역(7a)을 형성한다(제3 공정). 이 때, 절단 예정 라인(5b)에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5b)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 제1 집광점 P1을 오프셋시키는 거리를 0으로 유지하면서, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제1 집광점 P1을 이동시킨다. 즉, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제1 집광점 P1이 절단 예정 라인(5b)상에 위치한 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 레이저광 L의 제1 집광점 P1을 이동시킨다. 이것에 의해, 제1 개질 영역(7a)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5b)상에 위치한 상태로, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 실리콘 기판(10)의 내부에 형성된다.
이어서, 절단 예정 라인(5b)의 각각을 따라서, 제2 개질 영역(7b)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 입사면으로 하여, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 실리콘 기판(10)에 집광시키고, 실리콘 기판(10)의 표면(10a)과 레이저광 L1의 제2 집광점 P2의 거리를 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 또한 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시키면서, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제2 집광점 P2를 이동시킴으로써, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제2 개질 영역(7b)을 형성한다(제4 공정). 즉, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제2 집광점 P2가 절단 예정 라인(5b)으로부터 소정 거리만큼 떨어진 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 (절단 예정 라인(5b)과 평행하게) 레이저광 L의 제2 집광점 P2를 이동시킨다. 이것에 의해, 제2 개질 영역(7b)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5b)으로부터 소정 거리만큼 떨어진 상태로, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 (절단 예정 라인(5b)과 평행하게) 실리콘 기판(10)의 내부에 형성된다.
이것에 의해, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 신전된 균열 F가 실리콘 기판(10)의 표면(10a)에 도달하여, 절단 예정 라인(5b)을 따라서, 기능 소자층(15)이 유효 영역(15a)마다 절단된다.
이상의 제1 공정 ~ 제4 공정은, 상술한 레이저 가공 장치(100)에 의해서 실시된다. 즉, 지지대(107)가 가공 대상물(1)을 지지한다. 레이저 광원(101)이, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 출사한다. 집광용 렌즈(집광 광학계)(105)가, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)이 레이저광 입사면이 되도록 지지대(107)에 지지된 가공 대상물(1)에, 레이저 광원(101)으로부터 출사된 레이저광 L1을 집광한다. 그리고, 스테이지 제어부(제어부)(115) 및 레이저 광원 제어부(제어부)(102)가, 상술한 제1 공정~ 제4 공정이 실시되도록, 각각, 지지대(107) 및 레이저 광원(101)의 동작을 제어한다. 또한, 절단 예정 라인(5)에 대한 레이저광 L의 제1 집광점 P1 및 제2 집광점 P2의 이동은, 집광용 렌즈(105)측의 동작에 의해서 실현되어도 되고, 지지대(107)측 및 집광용 렌즈(105)측의 양쪽의 동작에 의해서 실현되어도 된다.
이어서, 도 22에 나타내지는 것처럼, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마함으로써, 가공 대상물(1)을 소정의 두께로 박형화한다. 이것에 의해, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 신전된 균열 F가 실리콘 기판(10)의 이면(10b)에 도달하여, 가공 대상물(1)이 유효 영역(15a) 및 비유효 영역(15b)마다 절단된다. 또한, 일례로서, 실리콘 기판(10)은 두께 200μm로 박형화된다.
이어서, 도 23에 나타내지는 것처럼, 확장 필름(23)을 실리콘 기판(10)의 이면(10b) 및 유지 부재(20)에 붙인다. 이어서, 도 24에 나타내지는 것처럼, 보호 필름(22)을 제거한다. 이어서, 도 25에 나타내지는 것처럼, 확장 필름(23)에 압압 부재(24)를 누름으로써, 유효 영역(15a) 및 비유효 영역(15b)마다 절단된 가공 대상물(1), 즉, 기능 소자를 포함하는 복수의 반도체 칩(1A) 및 불필요 칩(1B)을 서로 이격시킨다. 이어서, 도 26에 나타내지는 것처럼, 확장 필름(23)에 자외선을 조사함으로써 확장 필름(23)의 점착력을 저하시키고, 각 반도체 칩(1A)을 픽업한다.
또한, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마할 때에는, 도 27에 나타내지는 것처럼, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)이 남도록 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마해도 되고, 도 28에 나타내지는 것처럼, 제1 개질 영역(7a)이 남고 제2 개질 영역(7b)이 남지 않도록 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마해도 되고, 도 29에 나타내지는 것처럼, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)이 남지 않도록 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마해도 된다.
이상 설명한 것처럼, 실시 형태의 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치(100)에서는, 레이저광 L1의 제1 집광점 P1을 맞춘 위치 D1에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5a)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시킨다. 이것에 의해, 레이저광 L1의 입사면과는 반대측의 가공 대상물(1)의 표면(10a)에 손상(스플래쉬 S)이 생기는 것을 억제할 수 있다. 특히, 절단 예정 라인(5a)을 따른 가공시(제2 공정)에는, 제2 집광점 P2를, 제1 집광점 P1을 맞춘 위치보다도 유효 영역(15a)측으로 오프셋시킨다. 이것에 의해, 레이저광 L1의 입사면과는 반대측의 가공 대상물(1)의 표면(10a)에 대해서 스플래쉬 S가 생길 수 있는 위치를, 비유효 영역(15b)측으로 시프트시킬 수 있다. 즉, 스플래쉬 S가 생길 수 있는 위치를, 기능 소자의 특성에 영향을 주지 않는 위치로 제어할 수 있다. 이상의 관점에서, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치(100)에 의하면, 기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능하다.
또한, 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하면, 1064nm 이하의 파장을 가지는 레이저광 L0을 이용하는 경우에 비해, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성에 따라서 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 균열 F를 크게 신전시킬 수 있다.
또, 1099μm 이상 1342μm 이하의 파장을 가지는 레이저광 L1을 이용하면, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성에 따라서 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 균열 F를 보다 크게 신전시킬 수 있다. 특히 1342μm의 파장을 가지는 레이저광 L1는, 당해 균열 F를 보다 크게 신전시킬 수 있다.
또, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시키는 오프셋량을 24μm 이하로 하면, 제1 개질 영역(7a)과 제2 개질 영역(7b)의 사이에 균열 F를 확실히 연결하여, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성에 따라서 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 균열 F를 확실히 신전시킬 수 있다. 또한, 당해 오프셋량을 4μm 이상 18μm 이하로 하면, 제1 개질 영역(7a)과 제2 개질 영역(7b)의 사이에서 균열 F를 보다 확실히 연결하여, 제1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)으로부터 실리콘 기판(10)의 두께 방향으로 균열 F를 보다 확실히 신전시킬 수 있다. 특히 당해 오프셋량을 6μm 이상 16μm 이하로 하면, 스플래쉬 S 발생의 억제와 균열 F의 연결 및 신전을 밸런스 좋게 실현할 수 있다.
여기서, 상술한 것처럼, 스플래쉬 S는 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시킨 측과는 반대측에 생길 수 있다. 따라서, 유효 영역(15a)과 비유효 영역(15b)의 사이에 설정된 절단 예정 라인(5a)을 따라서 제2 개질 영역(7b)을 형성하는 경우(제2 공정)에 있어서는, 상기와 같이 오프셋의 방향을 설정함으로써, 스플래쉬 S가 생길 수 있는 위치를 비유효 영역(15b)측으로 제어할 수 있다. 이 때문에, 기능 소자의 특성 열화의 억제에 있어서, 스플래쉬 S의 발생 자체를 억제하는 요구가 상대적으로 낮다. 이 때문에, 제2 집광점 P2의 오프셋량 OA는 24μm 이하의 범위에 있어서, 특히 2μm 이상 8μm 이하의 범위에서 필요 충분하다. 이것에 의하면, 제1 개질 영역(7a)과 제2 개질 영역(7b)의 오프셋의 거리도 비교적 작아지므로, 절단면의 단차(段差)도 작아진다.
이것에 대해서, 유효 영역(15a)끼리의 사이에 설정된 절단 예정 라인(5b)을 따라서 제2 개질 영역(7b)을 형성하는 경우(제4 공정)에 있어서는, 절단 예정 라인(5b)의 양측이 유효 영역(15a)이기 때문에, 스플래쉬 S의 발생 자체를 억제하는 요구가 상대적으로 높다. 따라서, 이 경우에는, 24μm 이하의 범위에 있어서, 특히, 4μm 이상 18μm 이하의 범위로 할 수 있다.
또, 실시 형태의 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치(100)에서는, 제1 개질 영역(7a)을 형성할 때, 절단 예정 라인(5)(절단 예정 라인(5a, 5b))에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향으로 레이저광 L1의 제1 집광점 P1을 오프셋시키는 거리를 0으로 유지하면서, 절단 예정 라인(5)을 따라서 레이저광 L1의 제1 집광점 P1을 이동시킨다. 이것에 의해, 제1 개질 영역(7a)으로부터 실리콘 기판(10)의 표면(10a)측으로 신전되는 균열 F를 절단 예정 라인(5)상에 맞출 수 있다.
이상, 본 발명의 일 측면의 일 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명의 일 측면은, 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 각 청구항에 기재한 요지를 변경하지 않는 범위에서 변형하거나, 또는 다른 것에 적용해도 된다. 예를 들면, 제1 개질 영역(7a)을 형성할 때, 절단 예정 라인(5)에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 있어서의 한쪽 측에 레이저광 L1의 제1 집광점 P1을 오프셋시키고, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때, 절단 예정 라인(5)에 대해서, 실리콘 기판(10)의 두께 방향 및 절단 예정 라인(5)의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 있어서의 다른 쪽 측에 레이저광 L1의 제2 집광점 P2를 오프셋시켜도 된다. 즉, 제1 개질 영역(7a)을 형성할 때, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제1 집광점 P1이 절단 예정 라인(5)으로부터 한쪽 측으로 소정 거리만큼 떨어진 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5)을 따라서 (절단 예정 라인(5)과 평행하게) 레이저광 L의 제1 집광점 P1을 이동시키고, 제2 개질 영역(7b)을 형성할 때, 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 레이저광 L의 제2 집광점 P2가 절단 예정 라인(5)으로부터 다른 쪽 측으로 소정 거리만큼 떨어진 상태를 유지하면서, 절단 예정 라인(5)을 따라서 (절단 예정 라인(5)과 평행하게) 레이저광 L의 제2 집광점 P2를 이동시켜도 된다. 이것에 의해, 제1 개질 영역(7a)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5)으로부터 한쪽 측으로 소정 거리만큼 떨어진 상태로, 절단 예정 라인(5)을 따라서 (절단 예정 라인(5)과 평행하게) 실리콘 기판(10)의 내부에 형성되고, 제2 개질 영역(7b)은 실리콘 기판(10)의 두께 방향에서 보았을 경우에 절단 예정 라인(5)으로부터 다른 쪽 측으로 소정 거리만큼 떨어진 상태로, 절단 예정 라인(5)을 따라서 (절단 예정 라인(5)과 평행하게) 실리콘 기판(10)의 내부에 형성된다. 이 경우, 절단 예정 라인(5)에 대해서 한쪽 측 및 다른 쪽 측에 제 1 개질 영역(7a) 및 제2 개질 영역(7b)을 밸런스 좋게 형성할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에 있어서는, 격자 모양으로 설정된 모든 절단 예정 라인(5) 중 제2 방향으로 연장되는 절단 예정 라인(5a)에 대해서 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정)을 실시하고, 이어서, 당해 제2 방향으로 연장되는 절단 예정 라인(5a)에 대해서 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정)을 실시했다. 그리고, 격자 모양으로 설정된 모든 절단 예정 라인(5) 중 제1 방향으로 연장되는 절단 예정 라인(5b)에 대해서 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제3 공정)을 실시하고, 그 후에, 당해 제1 방향으로 연장되는 절단 예정 라인(5b)에 대해서 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제4 공정)을 실시했다.
그렇지만, 제1~ 제4 공정의 실시 순서는, 이 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 격자 모양으로 설정된 모든 절단 예정 라인(5)(절단 예정 라인(5a, 5b))에 대해서 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정 및 제3 공정)을 실시하고, 그 후에, 격자 모양으로 설정된 모든 절단 예정 라인(5)(절단 예정 라인(5a, 5b))에 대해서 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정 및 제4 공정)을 실시해도 된다. 또, 복수 개의 절단 예정 라인(5)에 대해서, 1개의 절단 예정 라인(5)마다, 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정 또는 제3 공정)을 실시하고, 그 후에, 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정 또는 제4 공정)을 실시해도 된다. 즉, 1개의 절단 예정 라인(5)에 대해서 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정 또는 제3 공정) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정 또는 제4 공정)을 실시하고, 이어서, 다른 1개의 절단 예정 라인(5)에 대해서 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정 또는 제3 공정) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정 또는 제4 공정)을 실시해도 된다.
또, 가공 대상물(1)은 실리콘 기판(10)을 대신하여, 다른 반도체 재료로 이루어지는 반도체 기판을 구비하고 있어도 된다. 그 경우에는, 레이저광 L1의 파장은, 반드시 1064μm 보다도 크지 않아도 된다(예를 들면 1064μm여도 된다).
또한, 제1 개질 영역(7a)의 형성 공정(제1 공정 및 제3 공정) 및 제2 개질 영역(7b)의 형성 공정(제2 공정 및 제4 공정)의 후에, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마하지 않아도 되다. 1개의 절단 예정 라인(5)당 형성되는 개질 영역(7)의 열수(列數)에 대해서 가공 대상물(1)의 두께가 상대적으로 작은 경우, 혹은, 가공 대상물(1)의 두께에 대해서 1개의 절단 예정 라인(5)당 형성되는 개질 영역(7)의 열수가 상대적으로 많은 경우 등에는, 실리콘 기판(10)의 이면(10b)을 연마하지 않아도, 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단할 수 있는 경우가 있다.
[산업상의 이용 가능성]
기능 소자의 특성의 열화를 억제 가능한 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
1 … 가공 대상물 5, 5a, 5b … 절단 예정 라인
7a … 제1 개질 영역 7b … 제2 개질 영역
10 … 실리콘 기판(반도체 기판) 10a … 표면
10b … 이면 15a … 유효 영역
15b … 비유효 영역 100 … 레이저 가공 장치
101 … 레이저 광원 102 … 레이저 광원 제어부(제어부)
105 … 집광용 렌즈(집광 광학계) 107 … 지지대
115 … 스테이지 제어부(제어부) L1 … 레이저광
P1 … 제1 집광점 P2 … 제2 집광점

Claims (7)

  1. 표면(表面) 및 이면(裏面)을 가지는 반도체 기판과, 상기 표면상에 형성된 복수의 유효 영역과, 상기 유효 영역의 사이에 있어서 상기 표면상에 형성된 비유효 영역을 가지는 가공 대상물에, 상기 이면을 입사면으로 하여 레이저광을 집광시키고, 상기 표면과 상기 레이저광의 제1 집광점의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 서로 이웃하는 상기 유효 영역과 상기 비유효 영역의 사이를 통과하도록 설정된 절단 예정 라인을 따라서 상기 제1 집광점을 이동시킴으로써, 상기 절단 예정 라인을 따라서 제1 개질 영역을 형성하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정의 후에, 상기 가공 대상물에, 상기 이면을 입사면으로 하여 상기 레이저광을 집광시키고, 상기 표면과 상기 레이저광의 제2 집광점의 거리를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 제2 집광점을 이동시킴으로써, 상기 절단 예정 라인을 따라서 제2 개질 영역을 형성하는 제2 공정을 구비하고,
    상기 유효 영역은, 기능 소자를 포함하고,
    상기 제2 공정에 있어서는, 상기 반도체 기판의 두께 방향 및 상기 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 대해서, 상기 제1 집광점을 맞춘 위치보다도 상기 유효 영역측으로 상기 제2 집광점을 오프셋시키면서, 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 제2 집광점을 이동시키는 레이저 가공 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 기판은 실리콘 기판이고,
    상기 레이저광은 1064nm 보다도 큰 파장을 가지는 레이저 가공 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 레이저광은 1099μm 이상 1342μm 이하의 파장을 가지는 레이저 가공 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서, 상기 반도체 기판의 상기 두께 방향 및 상기 절단 예정 라인의 상기 연장 방향의 양방향에 수직인 상기 방향으로 상기 제2 집광점을 오프셋시키는 거리는, 24μm 이하인 레이저 가공 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서, 상기 반도체 기판의 상기 두께 방향 및 상기 절단 예정 라인의 상기 연장 방향의 양방향에 수직인 상기 방향으로 상기 제2 집광점을 오프셋시키는 상기 거리는, 2μm 이상 8μm 이하인 레이저 가공 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정에 있어서, 상기 절단 예정 라인에 대해서, 상기 반도체 기판의 상기 두께 방향 및 상기 절단 예정 라인의 상기 연장 방향의 양방향에 수직인 상기 방향으로 상기 제1 집광점을 오프셋시키는 거리를 0으로 유지하면서, 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 제1 집광점을 이동시키는 레이저 가공 방법.
  7. 표면 및 이면을 가지는 반도체 기판과, 상기 표면상에 형성된 복수의 유효 영역과, 상기 유효 영역의 사이에 있어서 상기 표면상에 형성된 비유효 영역을 가지는 가공 대상물을 지지하는 지지대와,
    레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 이면이 입사면이 되도록 상기 지지대에 지지된 상기 가공 대상물에, 상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광을 집광하는 집광 광학계와,
    상기 지지대, 상기 레이저 광원 및 상기 집광 광학계의 적어도 하나의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 유효 영역은 기능 소자를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 표면과 상기 레이저광의 제1 집광점의 거리를 제1 거리로 유지하면서, 서로 이웃하는 상기 유효 영역과 상기 비유효 영역의 사이를 통과하도록 설정된 절단 예정 라인을 따라서 상기 제1 집광점을 이동시키고, 그 후에, 상기 표면과 상기 레이저광의 제2 집광점의 거리를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리로 유지하면서, 또한 상기 반도체 기판의 두께 방향 및 상기 절단 예정 라인의 연장 방향의 양방향에 수직인 방향에 대해 상기 제1 집광점을 맞춘 위치보다도 상기 유효 영역측으로 상기 제2 집광점을 오프셋시키면서, 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 제2 집광점을 이동시키는 레이저 가공 장치.
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