KR20180051581A - Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method - Google Patents

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KR20180051581A
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Abstract

본 발명은 몰드(3)를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치(100)를 제공하며, 상기 장치(100)는 몰드(3)를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛(2), 상기 보유지지 유닛(2)이 상기 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드(3)의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛(5), 상기 몰드(3)의 패턴면에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛(1), 및 상기 특정 유닛(1)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛(5)을 위치시키고 상기 클리닝 유닛(5)이 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질(4)을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛(26)을 포함한다.The present invention provides an imprint apparatus 100 for forming a pattern on a substrate using a mold 3 comprising a holding unit 2 configured to hold a mold 3, A cleaning unit 5 configured to perform cleaning on a part of the pattern surface of the mold 3 in a state in which the support unit 2 holds the mold 3, (1) configured to specify the position of the foreign matter (4), and a cleaning unit (5) for positioning the cleaning unit (5) based on the position of the foreign matter (4) specified by the specific unit ) To perform the cleaning process to remove the foreign substance (4).

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method

본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스의 미세패턴화의 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술 이외에, 기판 상의 미경화 임프린트재(수지 재료)를 몰드(다이)로 성형하고, 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세제작 기술이 주목을 받고 있다. 이 기술은, 임프린트 기술이라고도 불리며, 기판 상에 수 나노미터 정도의 미세 구조체를 형성할 수 있다.2. Description of the Related Art [0002] As the demand for fine patterning of semiconductor devices increases, in addition to the conventional photolithography techniques, a micro-fabrication process of forming a pattern of an imprint material on a substrate by molding an uncured imprint material (resin material) Technology is getting attention. This technique, also called imprint technology, can form microstructures of the order of a few nanometers on a substrate.

임프린트 기술의 하나의 예로서 광경화법이 있다. 광경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 샷 영역(임프린트 영역)에 임프린트재를 공급(도포)한다. 계속해서, 기판 상의 미경화의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시킨 상태에서 광을 조사해서 임프린트재를 경화시키고, 경화한 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.As an example of the imprint technique, there is a photocuring method. In the imprint apparatus employing the light curing method, first, an imprint material is supplied (applied) to a shot region (imprint region) on the substrate. Subsequently, a pattern is formed on the substrate by irradiating light in a state where the uncured imprint material and the mold on the substrate are in contact with each other to cure the imprint material, and separating the mold from the cured imprint material.

임프린트 장치에서는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 그러므로, 몰드에 이물질이 부착되어 있으면, 이러한 이물질이 그대로 전사되어, 기판 상에 형성되는 패턴에 불량(결함 등)이 발생한다. 또한, 몰드와 기판 사이에 이물질이 걸려 있고, 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하게 될 때 획득되는 압력에 의해 몰드가 손상될 수 있다.In the imprint apparatus, the mold and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other. Therefore, if a foreign substance is adhered to the mold, such foreign matter is transferred as it is, resulting in defects (defects, etc.) in the pattern formed on the substrate. Further, foreign matter is caught between the mold and the substrate, and the mold may be damaged by the pressure obtained when the imprint material on the substrate and the imprint material on the substrate come into contact with each other.

일본 특허 공개 제2009-16434호, 제2010-93245호 및 제2015-56589호 각각은 이러한 이물질을 제거하는 기술을 제안하고 있다. 일본 특허 공개 제2009-16434호는 플라즈마에 의해 이물질을 제거하는 기술을 개시하고 있다. 일본 특허 공개 제2010-93245호는, 클리닝 대상 부재를 클리닝하는 클리닝 장치를 노광 장치 내에 구비하는 기술을 개시하고 있다. 일본 특허 공개 제2015-56589호는, 임프린트 장치 내에서 몰드에 부착된 이물질을 검출하고, 이물질이 검출된 경우, 임프린트 장치로부터 몰드를 반출해서(즉, 임프린트 장치 외부로) 몰드를 클리닝하는 기술을 개시하고 있다.Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2009-16434, 2010-93245 and 2015-56589 each propose a technique for removing such foreign matter. Japanese Patent Laying-Open No. 2009-16434 discloses a technique for removing foreign matter by plasma. Japanese Patent Laying-Open No. 2010-93245 discloses a technique of providing a cleaning device for cleaning a member to be cleaned in an exposure apparatus. Japanese Patent Laying-Open No. 2015-56589 discloses a technique of detecting a foreign matter adhering to a mold in an imprint apparatus and cleaning the mold by taking out the mold from the imprint apparatus (that is, outside the imprint apparatus) when foreign matter is detected Lt; / RTI >

그러나, 종래 기술에서는, 몰드에 부착되어 있는 이물질의 위치를 특정하거나 이물질이 몰드에 부착된 타이밍에서 클리닝을 행하는 것이 불가능하다. 그러므로, 예를 들어 몰드의 전체 표면을 클리닝하거나 미리결정된 기간마다 몰드를 클리닝을 행함으로써 프로세스에 대한 영향을 최소화한다.However, in the prior art, it is impossible to specify the position of a foreign substance adhering to the mold or perform cleaning at the timing when the foreign matter adheres to the mold. Thus, for example, the entire surface of the mold is cleaned or the mold is cleaned at predetermined intervals to minimize the impact on the process.

그러나, 몰드의 전체 표면의 클리닝에는 30분 이상이 걸리고, 그 외에 예를 들어 임프린트 장치로부터 몰드를 반출하는 시간을 고려하면, 1시간 이상의 휴지시간이 발생하게 된다. 따라서, 종래 기술과 같이 미리결정된 시간마다 몰드를 클리닝하면 불필요한 클리닝이 행하여질 수 있다. 이러한 경우에, 장치의 가용성(스루풋)이 크게 저하될 수 있다. 또한, 몰드를 클리닝해야 할 타이밍에서 항상 클리닝이 행하여지는 것은 아니므로, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드에 대한 손상을 효과적으로 방지하는 것이 불가능하다.However, the cleaning of the entire surface of the mold takes more than 30 minutes, and in addition, for example, considering the time taken for the mold to be taken out of the imprint apparatus, a downtime of more than one hour is generated. Therefore, when the mold is cleaned at predetermined time intervals as in the conventional art, unnecessary cleaning can be performed. In such a case, the availability (throughput) of the apparatus may be greatly lowered. Further, since the cleaning is not always performed at the timing at which the mold is to be cleaned, it is impossible to effectively prevent defects in the pattern formed on the substrate and damage to the mold.

본 발명은 몰드의 클리닝에 유리한 임프린트 장치를 제공한다.The present invention provides an imprint apparatus advantageous for cleaning a mold.

본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 상기 장치는, 몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛, 상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛, 상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛; 및 상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛을 위치시키고 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는 임프린트 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus for forming a pattern on a substrate using a mold, the apparatus comprising: a holding unit configured to hold a mold; A cleaning unit configured to perform cleaning on a part of the pattern surface of the mold, a specific unit configured to specify a position of a foreign matter adhered to the pattern surface of the mold, And a processing unit configured to perform the processing for removing the foreign matter by positioning the cleaning unit based on the position of the foreign matter specified by the specific unit and causing the cleaning unit to perform the cleaning .

본 발명의 추가적인 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.Further aspects of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 몰드를 클리닝하는 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a view showing a configuration of an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a configuration of an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a configuration of an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart for explaining a process of cleaning the mold.
5 is a flowchart for explaining imprint processing in an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart for explaining the imprint process in the imprint apparatus according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 설명한다. 도면 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명은 주어지지 않는다.Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout the drawings, and no repetitive description thereof is given.

도 1은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(100)는, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 검출 유닛(1), 몰드(3)를 보유지지하면서 이동하는 몰드 보유지지 유닛(2), 기판(7)을 보유지지하면서 이동하는 기판 스테이지(6), 클리닝 유닛(5), 회수 유닛(8), 및 제어 유닛(20)을 포함한다.FIG. 1 is a view showing a configuration of an imprint apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus that performs an imprint process for forming a pattern on an imprint material on a substrate using a mold. The imprint apparatus 100 includes a detection unit 1, a mold holding unit 2 that moves while holding the mold 3, a substrate stage 6 that moves while holding the substrate 7, 5, a recovery unit 8, and a control unit 20.

검출 유닛(1)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태를 관찰함으로써, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다. 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)은 몰드 보유지지 유닛(2)에 배치된다. 그러나, 검출 유닛(1)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태, 즉 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출할 수 있는 위치에 배치될 수 있다.The detection unit 1 is capable of detecting the state of the pattern surface 3a of the mold 3 held by the mold holding unit 2 and detecting the state of the pattern surface 3a of the mold 3 4). In the present embodiment, the detection unit 1 is disposed in the mold holding unit 2. [ However, the detection unit 1 can be arranged at a position at which the pattern 3a of the mold 3, that is, the position at which the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a can be detected.

본 실시형태에서, 검출 유닛(1)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)을 촬상함으로써 화상을 취득하는 카메라(촬상 유닛)를 포함하고, 상기 화상으로부터 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 화상 검출 방식을 채용하고 있다. 그러나, 검출 유닛(1)이 포함하는 센서는 화상 검출 방식의 센서로 한정되지 않는다. 검출 유닛(1)은 와전류 방식, 광학 방식, 초음파 방식 등의 비접촉형 센서를 포함할 수 있다. 검출 유닛(1)이 비접촉형 센서를 포함하는 경우에는, 검출 유닛은, 몰드(3)의 기준이 되는 데이터(예를 들어, 높이)를 미리 구함으로써, 이러한 데이터와 임의의 타이밍에서의 검출 결과 사이의 차이로부터 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출할 수 있다. 이물질(4)로부터의 반사에 의해 패턴면(3a)의 상태를 관찰하는 것이 불가능하게 되는 경우에는, 검출 유닛(1)은 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착의 발생을 검출할 수 있다.In the present embodiment, the detection unit 1 includes a camera (image pickup unit) that captures an image by capturing the pattern surface 3a of the mold 3, and detects a foreign matter attached to the pattern surface 3a from the image An image detection system for detecting the image 4 is employed. However, the sensor included in the detection unit 1 is not limited to the sensor of the image detection system. The detection unit 1 may include a non-contact type sensor such as an eddy current type, an optical type, and an ultrasonic type. In the case where the detection unit 1 includes a non-contact type sensor, the detection unit obtains the data (for example, height) serving as a reference of the mold 3 in advance, The foreign matter 4 adhering to the pattern surface 3a of the mold 3 can be detected. The detection unit 1 can detect the adhesion of the foreign matter 4 to the pattern surface 3a of the mold 3 when the state of the pattern surface 3a can not be observed due to the reflection from the foreign matter 4. [ Occurrence can be detected.

검출 유닛(1)은, 비접촉형 센서가 아닌, 트랜스 방식, 스케일 방식 등의 접촉형 센서를 포함할 수 있다. 검출 유닛(1)이 접촉형 센서를 포함하는 경우에는, 몰드(3)가 투명한 매체이어도 패턴면(3a)의 상태를 정밀하게 관찰할 수 있다.The detection unit 1 may include a contact type sensor such as a trans system or a scale system other than the non-contact type sensor. In the case where the detection unit 1 includes a contact type sensor, the state of the pattern surface 3a can be observed precisely even if the mold 3 is a transparent medium.

검출 유닛(1)은, 예를 들어 검출할 이물질(4)의 크기나 종류, 검출 유닛(1)이 배치되는 공간, 몰드(3)에 대한 검출 각도, 또는 몰드(3)의 물성에 따라서 채용할 검출 방식을 선택할 수 있다. 대안적으로, 상이한 검출 방식을 채용하는 복수의 검출 유닛(1)이 배치될 수 있으며, 이물질(4)을 검출하는 최적의 검출 방식을 채용하는 검출 유닛(1)을 각각의 제조 프로세스마다 선택할 수 있다.The detection unit 1 is adapted to be employed depending on, for example, the size or type of the foreign matter 4 to be detected, the space where the detection unit 1 is disposed, the detection angle with respect to the mold 3, Can be selected. Alternatively, a plurality of detection units 1 employing different detection schemes can be arranged, and a detection unit 1 employing an optimum detection scheme for detecting the foreign matter 4 can be selected for each manufacturing process have.

클리닝 유닛(5)은, 몰드 보유지지 유닛(2)이 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서, 몰드(3)를 국소적으로 클리닝, 즉 몰드(3)의 패턴면(3a)의 일부분을 클리닝한다. 클리닝 유닛(5)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)에 대하여 이동가능하게 구성되고, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이 기판 스테이지(6)에 배치된다.The cleaning unit 5 can be used to clean the mold 3 locally, that is, to clean a part of the pattern surface 3a of the mold 3 in a state in which the mold holding unit 2 holds the mold 3 Clean. The cleaning unit 5 is configured to be movable with respect to the mold 3 held by the mold holding unit 2 and is disposed on the substrate stage 6, for example, as shown in Fig.

본 실시형태에서, 클리닝 유닛(5)은 플라즈마에 의해 몰드(3)를 클리닝하는 플라즈마 클리닝 기구를 포함한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)를 클리닝할 수 있는 기구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 클리닝 유닛(5)은, 반도체의 분야에서 일반적으로 사용되는 정전기 제거 기구(이오나이저), 물리적 클리닝 기구 등을 포함할 수 있다. 또한, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있는 구성이 채용되는 한, 복수의 클리닝 유닛(5)이 배치될 수 있거나, 복수의 클리닝 유닛(5)은 상이한 클리닝 방식을 가질 수 있다. 몰드(3)의 클리닝은 접촉식 또는 비접촉식으로 한정되지 않는다.In this embodiment, the cleaning unit 5 includes a plasma cleaning mechanism for cleaning the mold 3 by plasma. However, the present invention is not limited thereto. The cleaning unit 5 may include a mechanism capable of cleaning the mold 3. For example, the cleaning unit 5 may include a static eliminator (ionizer) generally used in the field of semiconductors, a physical cleaning mechanism, and the like. A plurality of cleaning units 5 may be arranged or a plurality of cleaning units 5 may be provided so long as a configuration capable of removing the foreign matter 4 adhered to the pattern surface 3a of the mold 3 is adopted, May have different cleaning methods. The cleaning of the mold 3 is not limited to a contact type or a non-contact type.

회수 유닛(8)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 근방에 배치되고, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝할 때 발생하는 가스, 특히 임프린트 처리를 방해하는 가스를 회수한다. 임프린트 처리를 방해하는 가스가 발생되지 않는 경우에는, 회수 유닛(8)은 반드시 필요한 구성 요소가 아니다.The recovery unit 8 is disposed in the vicinity of the mold 3 held by the mold holding unit 2 and detects the gas generated when the cleaning unit 5 cleans the mold 3, The gas that interferes with the gas is recovered. In the case where no gas that interferes with the imprint process is generated, the collection unit 8 is not necessarily a necessary component.

제어 유닛(20)은 전체 임프린트 장치(100)를 제어한다. 예를 들어, 제어 유닛(20)은, 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 제어함으로써 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 처리에서는, 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 임프린트재를 경화시키며, 경화된 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.The control unit 20 controls the entire imprint apparatus 100. [ For example, the control unit 20 performs the imprint processing by controlling each unit of the imprint apparatus 100. [ In the imprint process, an imprint material is supplied onto a substrate, the imprint material is cured in a state in which the imprint material on the mold 3 and the substrate are in contact with each other, and the mold 3 is separated from the cured imprint material, .

상술한 바와 같이, 임프린트 처리에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재는 동일한 공간에 존재하고, 이들은 서로 접촉된다. 결과적으로, 몰드(3)(패턴면(3a))에 이물질(4)이 부착될 수 있다. 예를 들어, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시키거나, 기판 상의 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리하는 것에 의해 몰드(3)가 대전될 수 있고, 몰드(3)의 근방에 존재하는 파티클이 몰드(3)에 끌어 당겨져서 이물질(4)로서 부착될 수 있다. 또한, 몰드(3)에 잔류한 임프린트재가 퇴적되어 이물질(4)로서 부착될 수 있다.As described above, in the imprint process, the mold 3 and the imprint material on the substrate exist in the same space, and they are in contact with each other. As a result, the foreign matter 4 can be attached to the mold 3 (pattern surface 3a). For example, the mold 3 can be charged by contacting the mold 3 and the imprint material on the substrate with each other, or by separating the mold 3 from the imprint material on the substrate, The existing particles can be attracted to the mold 3 and attached as the foreign matter 4. Further, the imprint material remaining in the mold 3 may be deposited and adhered as the foreign matter 4.

몰드(3), 특히 그 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있으면, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상이 발생한다. 이를 해결하기 위해서, 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출하고, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출하면, 이물질(4)의 위치를 특정한다. 그리고, 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)의 패턴면(3a)의, 이물질(4)이 부착된 부분(일부분)을 클리닝한다. 이러한 처리를 실현하기 위해서, 제어 유닛(20)은 특정 유닛(22), 생성 유닛(24), 및 처리 유닛(26)을 포함한다.If the foreign matter 4 adheres to the mold 3, particularly the pattern surface 3a thereof, a defect in the pattern formed on the substrate or damage to the mold 3 occurs. In order to solve this problem, in the present embodiment, the detection unit 1 detects attachment of the foreign matter 4 to the pattern surface 3a of the mold 3, and the detection unit 1 detects the adhesion of the foreign matter 4 to the pattern surface 3a of the mold 3 The position of the foreign matter 4 is specified by detecting the attachment of the foreign matter 4 to the foreign matter 3a. The cleaning unit 5 then cleans the pattern surface 3a of the mold 3 with a portion (a part) to which the foreign matter 4 is attached. In order to realize such processing, the control unit 20 includes a specific unit 22, a generating unit 24, and a processing unit 26. [

특정 유닛(22)은, 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정한다. 생성 유닛(24)은, 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치를 나타내는 이물질 정보(12)를 생성한다. 이물질 정보(12)는, 예를 들어 몰드(3)의 패턴면(3a)에서의 이물질(4)의 위치(좌표)를 나타내는 데이터, 이물질(4)의 크기를 나타내는 데이터, 이물질(4)의 높이를 나타내는 데이터 등을 포함한다. 처리 유닛(26)은, 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치에 기초하여 클리닝 유닛(5)을 위치시키고, 클리닝 유닛(5)이 클리닝을 행하게 함으로써 이물질(4)을 제거하는 처리를 행한다. 예를 들어, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치하도록 클리닝 유닛을 이동시킨다. 도 1에서는, 클리닝 유닛(5)이 기판 스테이지(6)에 배치되어 있기 때문에, 기판 스테이지(6)를 이동시키기만 하면 된다.The specific unit 22 specifies the position of the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 based on the detection result of the detection unit 1. [ The generating unit 24 generates foreign matter information 12 indicating the position of the foreign matter 4 specified by the specific unit 22. [ The foreign substance information 12 includes data indicating the position (coordinate) of the foreign matter 4 on the pattern surface 3a of the mold 3, data indicating the size of the foreign matter 4, Data indicating the height, and the like. The processing unit 26 removes the foreign matter 4 by positioning the cleaning unit 5 based on the position of the foreign matter 4 specified by the specific unit 22 and causing the cleaning unit 5 to perform cleaning . For example, the processing unit 26 may be configured to detect, on the basis of the foreign substance information 12 generated by the generating unit 24, the foreign substance 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3, The cleaning unit is moved so that the cleaning unit 5 is positioned. In Fig. 1, since the cleaning unit 5 is disposed on the substrate stage 6, only the substrate stage 6 needs to be moved.

임프린트 장치(100)에서는, 몰드 보유지지 유닛(2)이 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서(즉, 몰드(3)를 반출하지 않은 상태), 몰드(3)의 패턴면(3a)의 일부분을 클리닝함으로써 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있다. 그러므로, 임프린트 장치(100)는, 몰드(3)의 전체 표면이 클리닝되는 경우와 비교하여, 몰드(3)를 클리닝하는데 요구되는 시간을 크게 단축할 수 있고, 따라서 장치의 가용성(스루풋)의 저하를 억제할 수 있다.In the imprint apparatus 100, the mold holding unit 2 holds the mold 3 on the pattern surface 3a of the mold 3 in a state of holding the mold 3 (i.e., The foreign matter 4 adhered to the pattern surface 3a can be removed by cleaning a part thereof. Therefore, the imprint apparatus 100 can considerably shorten the time required for cleaning the mold 3, as compared with the case where the entire surface of the mold 3 is cleaned, and accordingly, the deterioration of the availability (throughput) Can be suppressed.

임프린트 장치(100)에서는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출 유닛(1)에 의해 항상 검출할 수 있다. 이는 몰드(3)가 클리닝되어야 하는 타이밍에 몰드를 클리닝할 수 있게 한다. 그러므로, 임프린트 장치(100)는, 미리결정된 기간마다 몰드(3)를 클리닝하는 경우에 비하여, 불필요한 클리닝이 행하여질 가능성을 저감할 수 있고, 기판 상에 형성된 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상을 효과적으로 방지할 수 있다.The imprint apparatus 100 can always detect the adhesion of the foreign matter 4 to the pattern surface 3a of the mold 3 by the detection unit 1. [ This makes it possible to clean the mold at the timing at which the mold 3 is to be cleaned. Therefore, compared with the case where the mold 3 is cleaned every predetermined period, the imprint apparatus 100 can reduce the possibility of performing unnecessary cleaning, and it is possible to prevent a defect in the pattern formed on the substrate, The damage can be effectively prevented.

클리닝 유닛(5)은, 기판 스테이지(6)에 배치되지 않고, 도 2에 도시한 바와 같이 몰드(3)를 보유지지하여 몰드 보유지지 유닛(2)에 반송하는 반송 유닛(9)에 배치될 수 있다. 이 경우, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치되도록, 반송 유닛(9)을 이동시킨다. 클리닝 유닛(5)을 반송 유닛(9)에 배치함으로써, 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)와 기판(7)이 존재하는 공간에 영구적으로 설치될 필요가 없다. 또한, 몰드(3)를 반송하는 단계에 몰드(3)의 클리닝을 통합시킬 수 있다. 도 2는, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)의 반송 유닛(9)에 배치되는 경우를 나타낸다. 그러나, 기판(7)을 보유지지하여 기판 스테이지(6)에 반송하는 반송 유닛에 클리닝 유닛(5)을 배치하는 경우에도 동일하게 적용된다.The cleaning unit 5 is not disposed on the substrate stage 6 but is disposed in the transfer unit 9 that holds the mold 3 and conveys the mold 3 to the mold holding unit 2 as shown in Fig. . In this case, the processing unit 26 generates a cleaning unit (not shown) under the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 based on the foreign matter information 12 generated by the generating unit 24 5) is positioned. By arranging the cleaning unit 5 in the transfer unit 9, the cleaning unit 5 need not be permanently installed in the space where the mold 3 and the substrate 7 exist. Further, the cleaning of the mold 3 can be integrated in the step of conveying the mold 3. [ 2 shows a case in which the cleaning unit 5 is disposed in the transfer unit 9 of the mold 3. However, the same applies to the case where the cleaning unit 5 is arranged in a transfer unit that holds the substrate 7 and transfers it to the substrate stage 6. [

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 클리닝 유닛(5)과 검출 유닛(1)을 동일한 이동 유닛(10)에 배치할 수 있다. 이동 유닛(10)은, 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)을 보유지지하여 이동하는 기능을 갖는다. 이동 유닛(10)은, 기판 스테이지(6), 반송 유닛(9) 등과 마찬가지로, 몰드(3)의 패턴면(3a)의 지정 부분에 대응하는 위치로 이동할 수 있으며, 기판 스테이지(6) 및 반송 유닛(9)과 독립적으로 이동할 수 있는 기구이다.Further, as shown in Fig. 3, the cleaning unit 5 and the detection unit 1 can be arranged in the same mobile unit 10. Fig. The mobile unit 10 has a function of holding and moving the cleaning unit 5 and the detection unit 1. [ The movable unit 10 can move to a position corresponding to a designated portion of the pattern surface 3a of the mold 3 like the substrate stage 6 and the transport unit 9 and can be moved Unit 9 is a mechanism that can move independently.

클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)이 이동 유닛(10)에 배치되는 경우에도, 처리 유닛(26)은 상술한 바와 같이 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 더 구체적으로는, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치하도록, 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 그러나, 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)이 이동 유닛(10)에 배치되는 경우에는, 처리 유닛(26)은, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 위치로부터, 이동 유닛(10)에 설치된 클리닝 유닛(5)과 검출 유닛(1) 사이의 거리만큼 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 이 경우에도, 몰드(3)의 패턴면(3a)의, 이물질(4)이 부착된 부분을 클리닝 유닛(5)에 의해 클리닝할 수 있다.Even when the cleaning unit 5 and the detection unit 1 are disposed in the mobile unit 10, the processing unit 26 can move the mobile unit 10 as described above. More specifically, the processing unit 26 performs cleaning (cleaning) on the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 based on the foreign matter information 12 generated by the generating unit 24. [ The mobile unit 10 can be moved so that the unit 5 is positioned. However, when the cleaning unit 5 and the detection unit 1 are disposed in the mobile unit 10, the processing unit 26 is arranged so that the detection unit 1 is attached to the pattern surface 3a of the mold 3 It is possible to move the mobile unit 10 by a distance between the detection unit 1 and the cleaning unit 5 provided in the mobile unit 10 from a position where the foreign matter 4 is detected. Even in this case, the portion of the pattern surface 3a of the mold 3 on which the foreign matter 4 is adhered can be cleaned by the cleaning unit 5.

클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)을 1개의 이동 유닛(10)에 배치하여 이동시킴으로써, 복수의 이동 기구를 서로 동기시켜서 이동시킬 필요가 없다. 이는 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)의 이동의 제어를 더 용이하게 한다. 이는 또한 이동 유닛(10)에서의 메인터넌스성도 향상시킬 수 있다.It is not necessary to move the plurality of moving mechanisms in synchronism with each other by moving the cleaning unit 5 and the detection unit 1 in one moving unit 10. [ This makes it easier to control the movement of the cleaning unit 5 and the detection unit 1. This can also improve the maintenance in the mobile unit 10.

클리닝 유닛(5)을 전용 이동 유닛(10)에 배치함으로써, 예를 들어 기판(7)의 교환 등의 프로세스에 관계되지 않는 기간에, 몰드(3)를 클리닝할 수 있다. 또한, 임프린트 처리가 행해지는 기간에도, 예를 들어 디스펜서로부터 기판 상에 임프린트재를 공급하는 기간 같이 몰드(3) 아래에 기판(7)이 배치되어 있지 않은 기간에도, 몰드(3)를 클리닝할 수 있다.By disposing the cleaning unit 5 in the dedicated moving unit 10, the mold 3 can be cleaned in a period not related to a process such as replacement of the substrate 7, for example. Even in a period during which the imprint process is performed, the mold 3 is cleaned even during a period in which the substrate 7 is not disposed under the mold 3, for example, during a period in which the imprint material is supplied from the dispenser onto the substrate .

임프린트 장치(100)가 상이한 클리닝 방식의 복수의 클리닝 유닛(5)을 포함하는 경우, 처리 유닛(26)은, 이물질 정보(12)에 기초하여, 복수의 클리닝 유닛(5)으로부터 몰드(3)의 클리닝에 사용되는 클리닝 유닛(5)을 선택할 수 있다. 예를 들어, 처리 유닛(26)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 크기, 이물질(4)이 부착된 타이밍 등에 기초하여, 최적의 클리닝 방식의 클리닝 유닛(5)을 선택한다. 복수의 클리닝 유닛(5) 중 몇 가지를 조합해서 몰드(3)를 클리닝할 수 있거나, 복수의 클리닝 유닛(5) 각각에 의해 순차적으로 몰드(3)를 클리닝할 수 있다.When the imprint apparatus 100 includes a plurality of cleaning units 5 of different cleaning types, the processing unit 26 is configured to remove the mold 3 from a plurality of cleaning units 5, based on the foreign matter information 12, It is possible to select the cleaning unit 5 to be used for the cleaning. For example, the processing unit 26 may determine the optimum cleaning type cleaning unit 4 based on the size of the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3, the timing at which the foreign matter 4 is attached, (5) is selected. The mold 3 can be cleaned by combining several of the plurality of cleaning units 5 or the mold 3 can be sequentially cleaned by each of the plurality of cleaning units 5. [

도 4를 참조하여, 몰드(3)를 클리닝하는 처리에 대해서 설명한다. 단계 S401에서, 검출 유닛(1)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태를 관찰함으로써, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다.The process of cleaning the mold 3 will be described with reference to Fig. In step S401, the detection unit 1 detects the state of the pattern surface 3a of the mold 3 held by the mold holding unit 2, and detects the state of the pattern surface 3a on the pattern surface 3a of the mold 3 Thereby detecting the foreign matter 4 attached thereto.

단계 S402에서, 처리 유닛(26)(제어 유닛(20))은, 단계 S401에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있는지 여부를 판정한다. 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있지 않을 경우에는, 몰드(3)는 클리닝될 필요가 없기 때문에, 처리를 종료한다. 한편, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있는 경우에는, 처리는 단계 S403로 이행한다.In step S402, based on the detection result of the detection unit 1 in step S401, the processing unit 26 (control unit 20) judges whether or not the foreign matter 4 is present on the pattern surface 3a of the mold 3 It is determined whether or not it is attached. When the foreign matter 4 is not attached to the pattern surface 3a of the mold 3, the mold 3 does not need to be cleaned, and thus the process is terminated. On the other hand, when the foreign matter 4 is attached to the pattern surface 3a of the mold 3, the process proceeds to step S403.

단계 S403에서, 특정 유닛(22)은, 단계 S401에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정한다. 단계 S404에서, 생성 유닛(24)은, 단계 S403에서 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치를 나타내는 이물질 정보(12)를 생성한다.The specific unit 22 specifies the position of the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 based on the detection result of the detection unit 1 in step S401 in step S403. In step S404, the generating unit 24 generates foreign matter information 12 indicating the position of the foreign matter 4 specified by the specific unit 22 in step S403.

단계 S405에서, 처리 유닛(26)은, 단계 S404에서 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여 클리닝 유닛(5)을 위치시키고, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝하게 함으로써 이물질(4)을 제거한다. 이때, 클리닝 유닛(5)은 상술한 바와 같이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 위치된다.In step S405, the processing unit 26 positions the cleaning unit 5 based on the foreign matter information 12 generated in step S404, and causes the cleaning unit 5 to clean the mold 3 to remove the foreign matter 4 ). At this time, the cleaning unit 5 is positioned below the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 as described above.

클리닝 유닛(5)이 몰드(3)의 클리닝을 종료한 후에, 처리는 단계 S401로 이행한다. 처리는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)이 제거된 것이 확인될 때(즉, 단계 S402에서 아니오)까지 계속된다. 임프린트 장치(100)의 클리닝 유닛(5)에 의해 제거될 수 없는 이물질(4)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착될 수 있다. 그러므로, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝하는 횟수에 대해 상한이 설정되고, 상한을 초과한 경우에는 몰드(3)를 클리닝하는 처리를 종료할 수 있다. 상술한 바와 같이 임프린트 장치 내에서 몰드(3)에 부착된 이물질이 제거될 수 없다고 판정되는 경우에는, 몰드(3)는 임프린트 장치(100)로부터 반출될 수 있다. 몰드(3)는 임프린트 장치 외부에서 클리닝될 수 있고, 그 후 다시 임프린트 장치(100) 내에 반입되거나, 새로운 몰드가 임프린트 장치(100) 내에 반입될 수 있다.After the cleaning unit 5 finishes cleaning the mold 3, the process proceeds to step S401. The process continues until it is confirmed that the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 has been removed (that is, NO in step S402). A foreign matter 4 that can not be removed by the cleaning unit 5 of the imprint apparatus 100 can be attached to the pattern surface 3a of the mold 3. [ Therefore, the upper limit is set for the number of times the cleaning unit 5 cleans the mold 3, and when the upper limit is exceeded, the process for cleaning the mold 3 can be terminated. The mold 3 can be taken out of the imprint apparatus 100 when it is determined that the foreign matter adhered to the mold 3 in the imprint apparatus can not be removed as described above. The mold 3 can be cleaned from the outside of the imprint apparatus and then again into the imprint apparatus 100 or a new mold can be brought into the imprint apparatus 100. [

도 5를 참조하여, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 도 5에 도시하는 임프린트 처리는 도 4에 도시하는 몰드(3)를 클리닝하는 처리를 포함한다.The imprint process in the imprint apparatus 100 will be described with reference to Fig. The imprint process shown in Fig. 5 includes a process of cleaning the mold 3 shown in Fig.

단계 S501에서, 임프린트 장치(100) 내에 몰드(3) 및 기판(7)이 반입된다. 더 구체적으로는, 몰드(3)는 몰드 보유지지 유닛(2)에 반송하고, 기판(7)은 기판 스테이지(6)에 반송된다. 단계 S502에서, 몰드(3) 및 기판(7)의 반입(단계 S501)과 함께, 도 4에 도시된 몰드(3)를 클리닝하는 처리도 동시에 행해진다. 상술한 바와 같이, 임프린트 처리를 행하기 전이며, 몰드(3) 및 기판(7) 중 적어도 하나가 반송되는 기간에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해진다. 대안적으로, 몰드(3) 및 기판(7)의 반송이 완료된 후이며, 임프린트 처리를 행하기 전에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해질 수 있다. 이에 의해, 임프린트 처리를 행하기 전에, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있기 때문에, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)의 손상을 억제할 수 있다.In step S501, the mold 3 and the substrate 7 are carried into the imprint apparatus 100. [ More specifically, the mold 3 is conveyed to the mold holding unit 2, and the substrate 7 is conveyed to the substrate stage 6. In step S502, the process of cleaning the mold 3 shown in Fig. 4 is performed simultaneously with the loading of the mold 3 and the substrate 7 (step S501). As described above, during the period during which at least one of the mold 3 and the substrate 7 is transported before the imprint process is performed, the process of cleaning the mold 3 is performed. Alternatively, after the transfer of the mold 3 and the substrate 7 is completed, a process of cleaning the mold 3 may be performed before the imprint process is performed. This makes it possible to remove the foreign matter 4 adhering to the pattern surface 3a of the mold 3 before the imprinting process is performed so that the defects of the pattern formed on the substrate and the damage of the mold 3 can be prevented .

그리고, 기판 상의 각 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행해진다. 단계 S503에서, 기판 상의, 임프린트 처리가 행해지는 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급된다. 단계 S504에서, 기판 상의 대상 샷 영역이 몰드(3) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(6)를 이동시킴으로써, 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬이 행해진다. 단계 S505에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화한 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.Then, imprint processing is performed for each shot area on the substrate. In step S503, the imprint material is supplied to the target shot area on which the imprint process is to be performed. In step S504, alignment between the mold 3 and the substrate 7 is performed by moving the substrate stage 6 so that the target shot area on the substrate is positioned below the mold 3. [ In step S505, a pattern is formed on the substrate by curing the imprint material while separating the mold 3 and the imprint material on the substrate, and separating the mold 3 from the cured imprint material.

단계 S506에서, 임프린트재의 공급(단계 S503) 및 정렬(단계 S504)과 동시에 도 4에 도시하는 몰드(3)를 클리닝하는 처리도 행해진다. 상술한 바와 같이, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급되는 기간, 혹은 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉되기 전에 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬을 행하는 기간에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해진다. 상술한 바와 같이, 몰드(3)가 기판 상의 임프린트재에 접촉하지 않는 기간에 몰드(3)를 클리닝함으로써, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 이는, 특히 도 3에 도시한 바와 같이 기판 스테이지(6) 및 반송 유닛(9)과 독립적으로 이동할 수 있는 기구에 클리닝 유닛(5)이 배치될 때 유리하다.In step S506, the process of cleaning the mold 3 shown in Fig. 4 is performed at the same time as the supply of the imprint material (step S503) and alignment (step S504). As described above, during the period during which the imprint material is supplied to the target shot area on the substrate, or during the period in which the alignment between the mold 3 and the substrate 7 is performed before the mold 3 and the imprint material on the substrate come into contact with each other, 3) is performed. As described above, the mold 3 is cleaned during a period in which the mold 3 does not contact the imprint material on the substrate, thereby suppressing a decrease in throughput. This is advantageous particularly when the cleaning unit 5 is arranged in a mechanism which can move independently of the substrate stage 6 and the conveying unit 9 as shown in Fig.

기판 상의 각각의 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진 후에, 단계 S507에서 임프린트 장치(100)로부터 몰드(3) 및 기판(7)을 반출한다. 더 구체적으로는, 몰드 보유지지 유닛(2)으로부터 몰드(3)를 반송하고, 기판 스테이지(6)로부터 기판(7)을 반송한다.After the imprint process is performed on each shot area on the substrate, the mold 3 and the substrate 7 are taken out from the imprint apparatus 100 in step S507. More specifically, the mold 3 is transported from the mold holding unit 2 and the substrate 7 is transported from the substrate stage 6.

도 6을 참조하여, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 도 6에 나타내는 임프린트 처리에서는, 몰드(3)를 클리닝하는 처리는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 처리와, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거하는 처리로 나누어서 행해진다. 여기에서는, 몰드(3) 및 기판(7)을 반입하는 단계 및 몰드(3) 및 기판(7)을 반출하는 단계의 도시를 생략하고, 기판 상의 1개의 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 예로 들어 설명한다.The imprint process in the imprint apparatus 100 will be described with reference to Fig. 6, the process of cleaning the mold 3 includes a process of detecting the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 and a process of detecting the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3. In the imprint process shown in Fig. And removing the foreign substance 4 adhered to the surface of the wafer W. Here, the step of carrying in the mold 3 and the substrate 7 and the step of taking out the mold 3 and the substrate 7 are omitted, and the imprint processing for one shot area on the substrate is described as an example do.

단계 S601에서, 기판 상의 샷 영역에 임프린트재를 공급한다. 단계 S602에서, 기판 상의 샷 영역이 몰드(3) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(6)를 이동시킴으로써, 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬이 행해진다. 단계 S603에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된다. 단계 S604에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된 상태에서 임프린트재가 경화된다. 단계 S605에서, 기판 상의 경화한 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리한다.In step S601, the imprint material is supplied to the shot area on the substrate. In step S602, alignment between the mold 3 and the substrate 7 is performed by moving the substrate stage 6 so that the shot area on the substrate is positioned below the mold 3. [ In step S603, the mold 3 and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other. In step S604, the imprint material is hardened in a state where the mold 3 and the imprint material on the substrate are in contact with each other. In step S605, the mold 3 is separated from the cured imprint material on the substrate.

몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉이 개시된 후에, 단계 S606에서 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다. 상술한 바와 같이, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지의 기간에 이물질(4)을 검출한다. 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)은 몰드(3)의 패턴면(3a)을 촬상함으로써 화상을 취득하는 카메라를 포함한다. 따라서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지의 기간에, 몰드(3)의 패턴면(3a)과 기판(7) 사이의 거리에 대응하는 간섭 무늬가 관찰된다. 따라서, 간섭 무늬로부터, 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 것이 가능하다. 현 상황하에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지 몇 초가 걸린다. 따라서, 그 시간 내에 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 것이 충분히 가능하고, 스루풋의 저하를 초래하지 않는다.The foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 held by the mold holding unit 2 is detected in step S606 after the contact between the mold 3 and the imprint material on the substrate is started do. As described above, the foreign matter 4 is detected during the period from the start to the end of the contact between the mold 3 and the imprint material on the substrate. In the present embodiment, the detection unit 1 includes a camera for capturing an image by capturing the pattern surface 3a of the mold 3. [ An interference fringe corresponding to the distance between the pattern surface 3a of the mold 3 and the substrate 7 is observed during the period from the start to the end of the contact between the mold 3 and the imprint material on the substrate. Therefore, it is possible to detect the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a from the interference fringe. Under the present circumstances, it takes several seconds from the start to the end of the contact between the mold 3 and the imprint material on the substrate. Therefore, it is sufficiently possible to detect the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 within that time, and does not cause a reduction in throughput.

단계 S607에서는, 단계 S606에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 처리 유닛(26)(제어 유닛(20))은 몰드(3)를 클리닝할지 여부를 판정한다. 이 판정은 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 유무 또는 크기를 기준으로 하여 행해질 수 있다. 대안적으로, 판정은 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)이 장래에 기판 상에 형성되는 패턴 및 몰드(3)에 영향을 주는 정도를 기준으로 행해질 수 있다. 몰드(3)가 클리닝되지 않는 경우, 처리는 종료된다. 한편, 몰드(3)가 클리닝되는 경우에는, 처리는 단계 S608로 이행한다.In step S607, based on the detection result of the detection unit 1 in step S606, the processing unit 26 (control unit 20) determines whether to clean the mold 3 or not. This determination can be made based on the presence or the size of the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3. Alternatively, the determination can be made based on the degree to which the foreign matter 4 attached to the pattern surface 3a of the mold 3 affects the pattern and the mold 3 formed on the substrate in the future. When the mold 3 is not cleaned, the process is terminated. On the other hand, when the mold 3 is cleaned, the process proceeds to step S608.

단계 S608에서, 몰드(3)는 클리닝된다. 몰드(3)는, 단계 S606에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 도 4에 도시하는 단계 S403, S404 및 S405를 행함으로써 클리닝될 수 있다. 따라서, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.In step S608, the mold 3 is cleaned. The mold 3 can be cleaned by performing steps S403, S404 and S405 shown in Fig. 4 based on the detection result of the detection unit 1 in step S606. Therefore, detailed description is omitted here.

상술한 바와 같이, 몰드(3)가 클리닝이 필요한 경우에는, 다음 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 행하기 전에 몰드(3)를 클리닝함으로써, 다음 샷 영역에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상을 억제할 수 있다.As described above, when cleaning of the mold 3 is required, the mold 3 is cleaned before the imprint process is performed on the next shot area, so that the defects of the pattern formed in the next shot area, It is possible to suppress the damage to the surface.

임프린트 장치(100)는, 몰드(3)를 클리닝하는 처리의 결과를 나타내는 표시 장치를 포함할 수 있다. 임프린트 장치 내에서 이물질을 제거하는 처리를 행한 결과로서, 클리닝 유닛(5)에 의해 제거될 수 없는 이물질이 몰드(3)에 부착되어 있다고 판정되는 경우, 표시 장치가 그 결과를 표시하게 할 수 있다.The imprint apparatus 100 may include a display device that displays the result of the process of cleaning the mold 3. As a result of performing the process of removing foreign matter in the imprint apparatus, when it is determined that foreign matter that can not be removed by the cleaning unit 5 is attached to the mold 3, the display apparatus can display the result .

물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 저장 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 상기 제조 방법은, 임프린트 장치(100)를 사용해서 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 유사 기판 등)에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 처리 단계는 패턴의 잔막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계는 또한 패턴을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭하는 단계 같은 다른 주지의 단계를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 종래 기술에 비해 우수하다.A method of manufacturing a device (semiconductor device, magnetic storage medium, liquid crystal display element, etc.) as an article will be described. The manufacturing method includes a step of forming a pattern on a substrate (a wafer, a glass plate, a film-like substrate, or the like) using the imprint apparatus 100. The manufacturing method further includes processing the patterned substrate. The processing step may include removing the residual film of the pattern. The processing step may also include other known steps such as etching the substrate using the pattern as a mask. The article manufacturing method according to the present embodiment is superior to the prior art in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article.

본 발명은, 임프린트 장치에 한정되지 않고, 반도체 클리닝 장치, 반도체 제조 장치, 및 액정 제조 장치로 대표되는 산업 기기, 즉 몰드나 원판을 클리닝하는 기구를 포함하는 장치에 적용될 수 있다.The present invention is not limited to the imprint apparatus, but may be applied to an apparatus including a semiconductor cleaning apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, and an industrial apparatus represented by a liquid crystal manufacturing apparatus, that is, a mechanism for cleaning a mold or an original plate.

본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

본 출원은 전문에 본원에 참조로 통합되는 2015년 9월 15일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-182230호의 우선권을 청구한다.This application claims priority from Japanese Patent Application No. 2015-182230, filed September 15, 2015, which is incorporated herein by reference in its entirety.

Claims (13)

몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛;
상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛;
상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛; 및
상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛을 위치시키고 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.An imprint apparatus for forming a pattern on a substrate using a mold,
A holding unit configured to hold a mold;
A cleaning unit configured to perform cleaning on a part of the pattern surface of the mold while the holding unit holds the mold;
A specific unit configured to specify a position of a foreign matter adhered to a pattern surface of the mold; And
And a processing unit configured to perform processing for removing the foreign matter by positioning the cleaning unit based on the position of the foreign matter specified by the specific unit and causing the cleaning unit to perform the cleaning. 제1항에 있어서,
상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질을 검출하도록 구성된 검출 유닛을 더 포함하며,
상기 특정 유닛은 상기 검출 유닛의 검출 결과에 기초하여 상기 이물질의 위치를 특정하는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a detection unit configured to detect a foreign matter adhering to a pattern surface of the mold held by the holding unit,
And the specific unit specifies the position of the foreign matter on the basis of the detection result of the detection unit. 제1항에 있어서,
상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치를 나타내는 정보를 생성하도록 구성된 생성 유닛을 더 포함하며,
상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질에 대응하여 위치되도록 상기 클리닝 유닛을 이동시키는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a generating unit configured to generate information indicating the position of the foreign object specified by the specific unit,
And the processing unit moves the cleaning unit such that the cleaning unit is positioned corresponding to the foreign matter on the basis of the information. 제3항에 있어서,
상기 기판을 보유지지하면서 이동하도록 구성된 스테이지를 더 포함하고,
상기 클리닝 유닛은 상기 스테이지에 배치되며,
상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 스테이지를 이동시키는, 임프린트 장치.The method of claim 3,
Further comprising a stage configured to move while holding the substrate,
Wherein the cleaning unit is disposed on the stage,
And the processing unit moves the stage so that the cleaning unit is positioned below the foreign matter, based on the information. 제3항에 있어서,
상기 몰드를 보유지지하여 상기 보유지지 유닛에 반송하도록 구성된 반송 유닛을 더 포함하고,
상기 클리닝 유닛은 상기 반송 유닛에 배치되며,
상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 반송 유닛을 이동시키는, 임프린트 장치.The method of claim 3,
Further comprising a transfer unit configured to hold the mold and transfer it to the holding unit,
Wherein the cleaning unit is disposed in the transfer unit,
And the processing unit moves the transport unit so that the cleaning unit is positioned below the foreign matter, based on the information. 제2항에 있어서,
상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치를 나타내는 정보를 생성하도록 구성된 생성 유닛, 및
상기 클리닝 유닛 및 상기 검출 유닛을 보유지지하여 이동하도록 구성된 이동 유닛을 더 포함하며,
상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 이동 유닛을 이동시키는, 임프린트 장치.3. The method of claim 2,
A generating unit configured to generate information indicating the position of the foreign object specified by the specific unit, and
Further comprising a moving unit configured to move while holding the cleaning unit and the detection unit,
And the processing unit moves the moving unit such that the cleaning unit is positioned below the foreign matter, based on the information. 제1항에 있어서,
상기 클리닝 유닛은 플라즈마에 의해 상기 클리닝을 행하며,
상기 임프린트 장치는 상기 클리닝에 의해 발생되는 가스를 회수하도록 구성된 회수 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Wherein the cleaning unit performs the cleaning by plasma,
Wherein the imprinting device further comprises a recovery unit configured to recover gas generated by the cleaning. 제1항에 있어서,
상기 처리 유닛은, 상기 임프린트 처리를 행하기 전에, 상기 몰드 및 상기 기판 중 하나 이상이 반송되는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Wherein the processing unit performs the processing in a period during which at least one of the mold and the substrate is transported before performing the imprint processing. 제1항에 있어서,
상기 처리 유닛은, 임프린트재가 상기 기판에 공급되는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Wherein the processing unit performs the processing in a period during which the imprint material is supplied to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시키기 전에 상기 몰드와 상기 기판 사이의 정렬이 행해지는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.The method according to claim 1,
Wherein the processing unit performs the processing in a period in which alignment between the mold and the substrate is performed before bringing the imprint material on the substrate and the imprint material on the substrate into contact with each other. 제2항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료시까지의 기간에, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 몰드의 상기 패턴면에 부착된 이물질을 상기 검출 유닛이 검출하게 하고,
상기 기간에서의 상기 검출 유닛의 검출 결과에 기초하여, 상기 클리닝을 행할지의 여부를 판정하며,
상기 처리 유닛이 상기 클리닝을 행한다고 판정하는 경우에, 상기 기판 상의 경화한 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리한 후에, 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.3. The method of claim 2,
The processing unit includes:
Causing the detection unit to detect a foreign matter adhering to the pattern surface of the mold held by the holding unit during a period from the start to the end of the contact between the mold and the imprint material on the substrate,
Based on the detection result of the detection unit in the period, whether or not the cleaning is to be performed,
And the processing is performed after separating the mold from the cured imprint material on the substrate when it is determined that the processing unit performs the cleaning. 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하는 단계;
상기 특정하는 단계에서 특정된 상기 이물질의 위치에 기초하여, 상기 몰드의 패턴면의 일부분을 클리닝함으로써 상기 이물질을 제거하는 단계; 및
상기 이물질이 제거된 상기 몰드를 사용해서 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.An imprint method for forming a pattern on a substrate using a mold,
Specifying a position of a foreign matter adhering to a pattern surface of the mold;
Removing the foreign matter by cleaning a part of the pattern surface of the mold based on the position of the foreign matter specified in the specifying step; And
And forming a pattern on the substrate using the mold from which the foreign substance has been removed. 물품 제조 방법이며,
임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하며,
상기 임프린트 장치는,
몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛;
상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛;
상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛; 및
상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛을 위치시키고 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.A method of manufacturing an article,
Forming a pattern on a substrate using an imprint apparatus; And
And processing the substrate on which the pattern is formed,
Wherein the imprint apparatus forms the pattern on the substrate using a mold,
The imprint apparatus includes:
A holding unit configured to hold a mold;
A cleaning unit configured to perform cleaning on a part of the pattern surface of the mold while the holding unit holds the mold;
A specific unit configured to specify a position of a foreign matter adhered to a pattern surface of the mold; And
And a processing unit configured to perform processing for removing the foreign matter by positioning the cleaning unit based on the position of the foreign matter specified by the specific unit and causing the cleaning unit to perform the cleaning.
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