KR20180051253A - Printed circuit board and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

A printed circuit board is disclosed. The printed circuit board according to an aspect of the present invention includes an insulating layer; an upper conductor pattern layer and a lower conductor pattern layer individually formed on the insulating layer; and a via which includes a high melting point metal layer and a low melting point metal layer having a melting point lower than that of the high melting point metal layer, and penetrates the insulating layer to connect the upper conductor pattern layer and the lower conductor pattern layer. The low melting point metal layer contains 0.1 wt% or more and 1 wt% or less of carbon with respect to the total weight of the low melting point metal layer. It is possible to improve connection reliability between a conductor pattern layer and a via.

Description

인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조방법{PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a printed circuit board (PCB)

본 발명은 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a printed circuit board and a method of manufacturing a printed circuit board.

통상적으로 인쇄회로기판은 코어 기판 상에 복수의 빌드업층을 순차적으로 적층하여 생산된다. 이렇게 순차적으로 빌드업층을 적층하여 인쇄회로기판을 생산하는 것을 순차적층공법이라고 칭할 수 있다.Typically, a printed circuit board is produced by sequentially laminating a plurality of buildup layers on a core substrate. The production of the printed circuit board by sequentially stacking the build-up layers can be referred to as a sequential layer construction method.

순차적층공법에 의해 인쇄회로기판을 제조할 경우, 인쇄회로기판의 층 수가 늘어나면 적층공정 수도 증가한다. 이러한 적층공정은 기존에 이미 적층되어 있는 부분에도 열을 가하기 때문에, 불필요하고 예측 불가능한 변형을 일으킬 수 있다. 이러한 변형이 많을수록 층간 정합이 어렵게 된다.When a printed circuit board is manufactured by a sequential lamination method, the number of lamination steps increases as the number of printed circuit boards increases. Such a lamination process may cause unnecessary and unpredictable deformation because heat is applied to a portion already existing in the lamination process. The more such deformation, the more difficult the interlayer matching becomes.

이에 따라, 각각의 빌드업층을 단위기판으로 분리 생산한 후 복수의 단위기판을 일괄적으로 동시에 적층하여 인쇄회로기판을 생산하는 일괄적층공법이 개발되었다.Accordingly, a batch lamination method has been developed in which a plurality of unit substrates are collectively laminated at the same time after the respective buildup layers are separated and produced as a unit substrate to produce a printed circuit board.

대한민국 공개특허공보 제10- 2011-0066044호 (2011.06.16)Korean Patent Publication No. 10- 2011-0066044 (June 16, 2011)

본 발명의 실시예에 따르면, 도체패턴층과 비아 간의 접속 신뢰성이 향상된 인쇄회로기판이 제공될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a printed circuit board with improved connection reliability between the conductor pattern layer and the via can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타내는 도면.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 적용되는 단위기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 도면.
도 9 및 도 10은 도 3 내지 도 8을 통해 제조된 단위기판을 일괄적으로 적층하는 것을 나타내는 도면.
1 shows a printed circuit board according to an embodiment of the invention.
2 illustrates a printed circuit board according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 3 to 8 sequentially illustrate a process of manufacturing a unit substrate according to an embodiment of the present invention. FIG.
Figs. 9 and 10 are views showing the unit substrates laminated through Figs. 3 to 8 in a lump.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 그리고, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof. In the specification, "on" means to be located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term " coupled " is used not only in the case of direct physical contact between the respective constituent elements in the contact relation between the constituent elements, but also means that other constituent elements are interposed between the constituent elements, Use them as a concept to cover each contact.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.The sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하, 본 발명에 따른 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like parts And redundant explanations thereof will be omitted.

인쇄회로기판Printed circuit board

(일 실시예)(One embodiment)

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타내는 도면이다.1 is a view illustrating a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)은 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510), 절연층(120, 220, 320, 420) 및 비아(V1)를 포함한다.1, a printed circuit board 1000 according to an embodiment of the present invention includes a conductive pattern layer 110, 210, 310, 410, 510, an insulating layer 120, 220, 320, V1).

우선, 도 1을 참고하면, 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)은 복수로 형성되지만 상호 간의 구별이 불필요한 경우 도체패턴층으로 통칭한다. 다만, 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 간의 구별이 필요한 경우 제1 도체패턴층(110), 제2 도체패턴층(210), 제3 도체패턴층(310), 제4 도체패턴층(410) 또는 제5 도체패턴층(510)으로 구별하기로 한다. 또한, 도 1을 참고하면, 절연층(120, 220, 320, 420)은 복수로 형성되지만 상호 간의 구별이 불필요한 경우 절연층으로 통칭한다. 다만, 절연층(120, 220, 320, 420) 간의 구별이 필요한 경우 제1 절연층(120), 제2 절연층(220), 제3 절연층(320) 또는 제4 절연층(420)으로 구별하기로 한다.Referring to FIG. 1, a plurality of conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, and 510 are formed, but they are collectively referred to as conductor pattern layers when they are not required to be distinguished from each other. However, when it is necessary to distinguish between the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510, the first conductor pattern layer 110, the second conductor pattern layer 210, the third conductor pattern layer 310, The conductor pattern layer 410 or the fifth conductor pattern layer 510 will be described. 1, the insulating layers 120, 220, 320, and 420 are collectively referred to as an insulating layer when a plurality of insulating layers 120, 220, 320, and 420 are not required to be distinguished from each other. However, the first insulating layer 120, the second insulating layer 220, the third insulating layer 320, or the fourth insulating layer 420 may be formed of the same material as the insulating layer 120, 220, 320, .

도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 각각은 서로 이격되게 형성된다. 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 각각은 신호패턴, 파워패턴, 그라운드패턴 또는 외부연결단자 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Each of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510 is formed to be spaced apart from each other. Each of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, and 510 may include at least one of a signal pattern, a power pattern, a ground pattern, and an external connection terminal.

도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)은 구리(Cu), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au) 또는 백금(Pt)으로 형성될 수 있다.The conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510 may be formed of copper (Cu), silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium And may be formed of platinum (Pt).

도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 각각의 패턴 형상은 모두 동일할 수도 있지만, 설계 디자인에 따라 서로 다르게 형성될 수도 있다.The pattern shapes of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, and 510 may be all the same, but may be formed differently depending on the design design.

도 1에는 5층의 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다. 본 실시예에 적용되는 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)의 개수는 설계 상의 필요 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.Although FIG. 1 shows five conductive pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510, this is only an example. The number of the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, and 510 applied to the present embodiment may be variously changed depending on design requirements and the like.

절연층(120, 220, 320, 420) 각각은 인접한 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)을 서로 전기적으로 절연시키도록 인접한 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 사이에 형성된다. 예로써, 제1 절연층(120)은 서로 인접한 제1 도체패턴층(110)과 제5 도체패턴층(510)을 서로 절연시키도록 제1 도체패턴층(110)과 제5 도체패턴층(510) 사이에 형성된다.Each of the insulating layers 120, 220, 320 and 420 may include adjacent conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510 to electrically isolate adjacent conductor pattern layers 110, 210, 310, . For example, the first insulation layer 120 may include a first conductor pattern layer 110 and a fifth conductor pattern layer (not shown) so as to insulate the first conductor pattern layer 110 and the fifth conductor pattern layer 510, 510).

절연층(120, 220, 320, 420)은 감광성 물질을 포함할 수 있다. 즉, 절연층(120, 220, 320, 420)은 광에 반응하는 감광성 물질을 포함하는 광경화성 절연수지일 수 있다.The insulating layer 120, 220, 320, 420 may include a photosensitive material. That is, the insulating layer 120, 220, 320, and 420 may be a photo-curable insulating resin containing a photosensitive material responsive to light.

절연층(120, 220, 320, 420)이 광경화성인 경우, 절연층(120, 220, 320, 420)은 빛에 의하여 경화도가 조절될 수 있다. 다만, 광경화성의 절연층(120, 220, 320, 420)은 열경화성이기도 하며, 열에 의해서 경화도가 조절될 수 있다.When the insulating layers 120, 220, 320, and 420 are photocurable, the degree of curing of the insulating layers 120, 220, 320, and 420 may be controlled by light. However, the photo-curable insulating layers 120, 220, 320 and 420 are also thermosetting, and the degree of curing can be controlled by heat.

절연층(120, 220, 320, 420)이 광경화성인 경우, 절연층(120, 220, 320, 420)은 별도의 포토 레지스트가 없이도 포토리쏘그래피 공정, 즉, 노광 및 현상 공정이 진행될 수 있다. 이 경우, 포토리쏘그래피 공정을 이용해 절연층(120, 220, 320, 420)에 홀을 형성할 수 있다. 따라서, 복수의 홀이 어느 하나의 절연층(120, 220, 320, 420)에 동시에 형성될 수 있으므로 공정이 단순화된다. 또한, 절연층(120, 220, 320, 420)에 형성된 홀 형상을 다양하게 형성할 수 있다. 예를 들어, 홀의 종단면 형상은 역사다리꼴, 정사다리꼴, 직사각형 등이 될 수 있다.When the insulating layers 120, 220, 320, and 420 are photocurable, the insulating layers 120, 220, 320, and 420 may be subjected to a photolithography process, that is, an exposure and development process, without a separate photoresist. In this case, holes can be formed in the insulating layers 120, 220, 320, and 420 using a photolithography process. Therefore, the process can be simplified because a plurality of holes can be formed in any one of the insulating layers 120, 220, 320, and 420 at the same time. In addition, the shape of holes formed in the insulating layers 120, 220, 320, and 420 can be variously formed. For example, the shape of the vertical cross-section of the hole may be an inverted trapezoid, an orthogonal trapezoid, a rectangle, or the like.

광경화성의 절연층(120, 220, 320, 420)은 포지티브 타입(positive type) 또는 네거티브 타입(negative type)일 수 있다. 절연층(120, 220, 320, 420)이 포지티브 타입(positive type)인 경우, 노광된 부분의 광중합체 폴리머 결합이 끊어진다. 이후, 현상 공정을 수행하면, 빛을 받아 광중합체 폴리머 결합이 끊어진 부분이 제거된다.The photocurable insulating layers 120, 220, 320 and 420 may be of a positive type or a negative type. If the insulating layer 120, 220, 320, 420 is of a positive type, the photopolymer polymer bond of the exposed portion is broken. Thereafter, when the developing process is performed, a portion where the photopolymer polymer bond breaks due to light is removed.

절연층(120, 220, 320, 420)이 네거티브 타입(negative type)인 경우, 노광된 부분이 광중합 반응을 일으켜 단일구조에서 사슬구조의 3차원 망상 구조가 되며, 현상 공정을 수행하면, 빛을 받지 않은 부분이 제거된다.When the insulating layers 120, 220, 320 and 420 are of a negative type, the exposed portions cause a photopolymerization reaction to form a three-dimensional network structure of a chain structure in a single structure. When a developing process is performed, Unused parts are removed.

절연층(120, 220, 320, 420)은 광경화성 절연수지에 무기필러가 함유된 것일 수 있다. 무기필러는 절연층(120, 220, 320, 420)의 강성을 향상시킨다. 무기필러로는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 황산바륨(BaSO4), 탈크, 진흙, 운모가루, 수산화알루미늄(AlOH3), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산마그네슘(MgCO3), 산화마그네슘(MgO), 질화붕소(BN), 붕산알루미늄(AlBO3), 티탄산바륨(BaTiO3) 및 지르콘산칼슘(CaZrO3)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나 이상이 사용될 수 있다.The insulating layers 120, 220, 320, and 420 may include an inorganic filler in the photocurable insulating resin. The inorganic filler improves the rigidity of the insulating layers 120, 220, 320 and 420. As the inorganic filler, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), barium sulfate (BaSO 4 ), talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide (AlOH 3 ), magnesium hydroxide OH) 2 ), calcium carbonate (CaCO 3 ), magnesium carbonate (MgCO 3 ), magnesium oxide (MgO), boron nitride (BN), aluminum borate (AlBO 3 ), barium titanate (BaTiO 3 ) and calcium zirconate 3 ) may be used.

절연층(120, 220, 320, 420) 각각은 제1 내지 제4 도체패턴층(110, 210, 310, 410) 중 어느 하나와 함께 후술할 단위기판(100, 200, 300, 400)에 포함된다. 즉, 순차적층공법과 달리 일괄적층공법으로 인쇄회로기판을 제조하는 본 발명의 실시예에 따르면 절연층(120, 220, 320, 420) 각각은 서로 별개로 형성된 후 일괄적으로 동시에 적층된다.Each of the insulating layers 120, 220, 320 and 420 is included in the unit substrates 100, 200, 300 and 400 to be described later together with any one of the first to fourth conductive pattern layers 110, 210, 310 and 410. do. That is, unlike the sequential layering method, the insulating layers 120, 220, 320, and 420 are formed separately from each other and then laminated together at a time according to the embodiment of the present invention in which the printed circuit board is manufactured by the batch lamination method.

절연층(120, 220, 320, 420) 각각은 제1 내지 제4 도체패턴층(110, 210, 310, 410) 중 어느 하나를 매립할 수 있다. 즉, 제1 절연층(120)은 제1 도체패턴층(110)의 적어도 일부를 매립할 수 있다. 제2 내지 제4 절연층(220, 320, 420) 각각은 제2 내지 제4 도체패턴층(210, 310, 410) 각각을 매립한다.Each of the insulating layers 120, 220, 320, and 420 may fill any one of the first through fourth conductive pattern layers 110, 210, 310, and 410. That is, the first insulating layer 120 may fill at least a portion of the first conductor pattern layer 110. Each of the second to fourth insulating layers 220, 320 and 420 embeds the second to fourth conductive pattern layers 210, 310 and 410, respectively.

제5 도체패턴층(510)은 제1 내지 제4 도체패턴층(110, 210, 310, 410)과 달리, 절연층(120, 220, 320, 420)에 매립되지 않는다. 이는 후술할 본 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에서 자세히 설명한다.The fifth conductor pattern layer 510 is not buried in the insulating layers 120, 220, 320 and 420, unlike the first through fourth conductor pattern layers 110, 210, 310 and 410. This will be described in detail in a method for manufacturing a printed circuit board according to this embodiment, which will be described later.

비아(V1)는 인접한 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)을 서로 연결하도록 절연층(120, 220, 320, 420)을 관통한다. 예로써, 비아(V1)는 인접한 제1 도체패턴층(110)과 제5 도체패턴층(510)을 서로 연결하도록 제1 절연층(120)을 관통하여 형성된다. 또한, 비아(V1)는 인접한 제1 도체패턴층(110)과 제2 도체패턴층(210)을 서로 연결하도록 제2 절연층(220)을 관통하여 형성된다.Vias V1 pass through insulating layers 120, 220, 320 and 420 to connect adjacent conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510 to each other. For example, the via V1 is formed through the first insulating layer 120 to connect the adjacent first conductor pattern layer 110 and the fifth conductor pattern layer 510 with each other. The via V1 is formed through the second insulating layer 220 so as to connect the adjacent first conductor pattern layer 110 and the second conductor pattern layer 210 with each other.

비아(V1)는 고융점금속층(610) 및 고융점금속층(610)의 용융점보다 낮은 용융점을 가지는 저융점금속층(620)을 포함한다.The via V1 includes a low melting point metal layer 620 having a melting point lower than the melting point of the high melting point metal layer 610 and the high melting point metal layer 610.

고융점금속층(610)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 예로써, 고융점금속층(610)은 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 고융점금속층(610)은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au) 또는 백금(Pt)으로 형성될 수도 있고, 구리(Cu) 및 구리(Cu) 이외의 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수도 있다.The refractory metal layer 610 may include copper (Cu). By way of example, the refractory metal layer 610 may be formed of copper (Cu), but is not limited thereto. That is, the refractory metal layer 610 may be formed of Ag, Pd, Al, Ni, Ti, Au, or Pt, And an alloy including at least one of metals other than copper (Cu) and copper (Cu).

저융점금속층(620)은 고융점금속층(610)의 용융점보다 낮은 용융점을 가지고, 고융점금속층(610)과 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 사이에 형성된다. 저융점금속층(620)은 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)의 일괄적층 시 적어도 일부가 용융된다. 따라서, 저융점금속층(620)은 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)의 일괄적층 시 발생하는 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510) 사이의 압력 불균일 및/또는 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)과 고융점금속층(610) 사이의 압력 불균일을 방지할 수 있다. 저융점금속층(620)은 일괄적층 시 적어도 일부가 용융되므로, 고융점금속층(610) 및/또는 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)와 용이하게 층간금속화합물(Inter-Metallic Compound, IMC)을 형성할 수 있다. 층간금속화합물은 고융점금속층(610) 및/또는 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510)과 저융점금속층(620) 간의 결합력을 향상시킬 수 있고, 나아가 단위기판(100, 200, 300, 400, 500) 간의 결합력을 향상시킬 수 있다.The low melting point metal layer 620 has a lower melting point than the melting point of the high melting point metal layer 610 and is formed between the high melting point metal layer 610 and the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510. At least part of the low melting point metal layer 620 is melted when the unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are stacked together. Accordingly, the low-melting-point metal layer 620 may be formed by a pressure nonuniformity between the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410, and 510 generated during the laminating of the unit substrates 100, 200, 300, It is possible to prevent pressure unevenness between the pattern layers 110, 210, 310, 410, 510 and the refractory metal layer 610. Since the low-melting metal layer 620 is melted at least partially during the lamination, it is possible to easily form the inter-metallic compound 610 and / or the conductor pattern layer 110, 210, 310, , IMC) can be formed. The interlayer metal compound can improve the bonding force between the refractory metal layer 610 and / or the conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510 and the low melting point metal layer 620, 300, 400 and 500 can be improved.

저융점금속층(620)은 솔더 재질로 이루어질 수 있다. 여기서 '솔더'란 땜납에 사용될 수 있는 금속재료를 의미하며, 납(Pb)을 포함하는 합금일 수도 있지만, 납을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 저융점금속층(620)은 주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu), 비스무트(Bi) 및 인듐(In) 또는 이 중에서 선택된 금속들의 합금일 수 있다. 구체적으로 본 발명의 실시예에서 적용되는 솔더는, 은(Ag), 구리(Cu), 비스무트(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 어느 하나와 솔더 전체에 대해 90% 이상으로 함유된 주석(Sn)으로 이루어진 합금일 수 있다.The low melting point metal layer 620 may be made of a solder material. Here, 'solder' means a metal material which can be used for solder, and may be an alloy including lead (Pb), but may not contain lead. For example, the low melting point metal layer 620 may be an alloy of tin (Sn), silver (Ag), copper (Cu), bismuth (Bi) and indium (In) Specifically, the solder used in the embodiment of the present invention may be at least one of silver (Ag), copper (Cu), bismuth (Bi), and indium (In) ). ≪ / RTI >

저융점금속층(620)에는, 저융점금속층(620)의 전체 중량 대비 0.1 wt% 초과 1 wt% 이하의 탄소가 함유된다. 저융점금속층(620)에 함유된 탄소는 후술할 주석도금액에 함유된 유기화합물로부터 유래한다. The low melting point metal layer 620 contains 0.1 wt% or more and 1 wt% or less of carbon based on the total weight of the low melting point metal layer 620. The carbon contained in the low-melting-point metal layer 620 is derived from an organic compound contained in the tin-plated solution described later.

저융점금속층(620)은, 광택도금이라고 통칭되는 저조도 형성이 가능한 전해도금을 통해 형성된다. 단위기판(100, 200, 300, 400)을 일괄적층 하기 전 저융점금속층(620)은 0.1㎛ 이하의 표면조도(Ra)를 가진다. 구체적으로, 제1 내지 제4 단위기판(100, 200, 300, 400) 중 어느 하나에 형성된 저융점금속층(620)은 다른 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)의 도체패턴층(110, 210, 310, 410)과 접하게 될 표면의 조도가 0.1㎛ 이하로 형성된다. The low-melting-point metal layer 620 is formed through electrolytic plating, which is known as glossy plating, which can form a low-luminance. The low melting point metal layer 620 before the unit substrates 100, 200, 300, and 400 are stacked together has a surface roughness Ra of 0.1 m or less. Specifically, the low-melting-point metal layer 620 formed on any one of the first to fourth unit substrates 100, 200, 300, and 400 may be formed of a conductor pattern layer (not shown) of the other unit substrates 100, 200, 300, 110, 210, 310, and 410 are formed to have a roughness of 0.1 탆 or less.

저융점금속층(620)의 표면조도가 0.1㎛ 이하로 형성됨으로써, 일괄적층 시 도체패턴층(110, 210, 310, 410)과 저융점금속층(620) 사이의 보이드(void) 발생이 감소된다. 따라서, 본 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)은 도체패턴층(110, 210, 310, 410)과 저융점금속층(620) 사이의 접합 신뢰성이 향상될 수 있다.The formation of voids between the conductor pattern layers 110, 210, 310, and 410 and the low melting point metal layer 620 is reduced by the formation of the low-melting-point metal layer 620 with a surface roughness of 0.1 μm or less. Accordingly, the reliability of bonding between the conductor pattern layers 110, 210, 310, and 410 and the low melting point metal layer 620 can be improved in the printed circuit board 1000 according to the present embodiment.

한편, 도 1에는 도시하지 않았으나 본 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)은 최외층에 형성된 제4 도체패턴층(410) 및/또는 제5 도체패턴층(510)을 보호하도록 제4 도체패턴층(410) 및/또는 제5 도체패턴층(510)에 형성된 솔더레지스트층을 더 포함할 수 있다.1, the printed circuit board 1000 according to the present embodiment includes a fourth conductor pattern layer 410 and / or a fifth conductor pattern layer 510 formed on the outermost layer to protect the fourth conductor pattern layer 410 and / And / or a solder resist layer formed on the fifth conductive pattern layer 510. [0034]

솔더레지스트층은 본 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)의 외부접속단자를 외부로 노출하는 개구부가 형성될 수 있다. 솔더레지스트층은 감광성 물질을 포함할 수 있고, 이 경우 개구부는 포토리쏘그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. 또는, 솔더레지스트층의 개구부는 레이저드릴링을 통해 형성될 수 있다.The solder resist layer may be formed with openings for exposing the external connection terminals of the printed circuit board 1000 according to the present embodiment to the outside. The solder resist layer may comprise a photosensitive material, in which case the opening may be formed through a photolithography process. Alternatively, the opening of the solder resist layer may be formed through laser drilling.

(다른 실시예)(Another embodiment)

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판을 나타내는 도면이다.2 is a view illustrating a printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 2을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 인쇄회로기판(2000)은 도체패턴층(110, 210, 310, 410, 510), 절연층(120, 220, 320, 420, 520), 제1 비아(V1) 및 제2 비아(V2)를 포함한다.2, a printed circuit board 2000 according to another embodiment of the present invention includes conductor pattern layers 110, 210, 310, 410 and 510, insulating layers 120, 220, 320, 420 and 520, And includes a first via V1 and a second via V2.

본 실시예에 따른 인쇄회로기판(2000)과 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)을 비교하면, 제2 비아(V2)가 상이하므로 이를 중심으로 설명한다. 한편, 본 실시예에 적용되는 제1 비아(V1)는 본 발명의 일 실시예에서 설명한 비아(V1)에 대응된다.A printed circuit board 2000 according to an embodiment of the present invention and a printed circuit board 1000 according to an embodiment of the present invention are compared with each other because the second vias V2 are different. Meanwhile, the first via V1 applied to the present embodiment corresponds to the via V1 described in the embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제2 비아(V2)는 인접하는 제1 도체패턴층(110)과 제5 도체패턴층(510)을 연결하도록 제1 절연층(120) 및 제5 절연층(520)에 형성된다. 제2 비아(V2)는 제1 비아(V1)와 달리 3층 구조로 형성된다. 즉, 제1 비아(V1)는 고융점금속층(610)-저융점금속층(620)의 2층 구조이나, 제2 비아(V2)는 고융점금속층(610)-저융점금속층(620)-고융점금속층(610)의 3층 구조이다.2, the second via V2 includes a first insulating layer 120 and a fifth insulating layer 520 to connect the adjacent first conductor pattern layer 110 and the fifth conductor pattern layer 510, As shown in FIG. The second vias V2 are formed in a three-layer structure unlike the first vias V1. That is, the first via V1 has a two-layer structure of the refractory metal layer 610 and the low melting point metal layer 620, while the second via V2 includes the refractory metal layer 610, the low melting point metal layer 620, And a melting point metal layer (610).

제2 비아(V2)의 고융점금속층(610)과 저융점금속층(620)은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)에서 설명하였으므로 자세한 설명을 생략한다.The refractory metal layer 610 and the low melting point metal layer 620 of the second via V2 have been described in the printed circuit board 1000 according to an embodiment of the present invention and therefore will not be described in detail.

제2 비아(V2)가 3층 구조로 형성되는 것은, 제5 단위기판(500)이 제5 절연층(520)을 포함하기 때문이다. 또한, 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)을 일괄적층 시 제5 단위기판(500)이 나머지 단위기판(100, 200, 300, 400)과 달리 제5 도체패턴층(510)이 상부를 향하도록 배치되기 때문이다.The reason why the second vias V2 are formed in a three-layer structure is that the fifth unit substrate 500 includes the fifth insulating layer 520. Unlike the other unit substrates 100, 200, 300, and 400, the fifth unit substrate 500 has a fifth conductor pattern layer 510, which is different from the other unit substrates 100, 200, 300, As shown in FIG.

제5 절연층(520)에는 본 발명의 일 실시예에서 설명한 제1 내지 제4 절연층(120, 220, 320, 420)에 대한 설명이 그대로 적용된다.The description of the first to fourth insulating layers 120, 220, 320, and 420 described in the embodiment of the present invention is directly applied to the fifth insulating layer 520.

한편, 도 2에는, 제2 비아(V2)가 제1 도체패턴층(110)과 제5 도체패턴층(510)을 서로 연결하도록 제1 절연층(120) 및 제5 절연층(520)에 형성된 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다. 즉, 제2 비아(V2)는 제1 도체패턴층(110)과 제2 도체패턴층(210)을 서로 연결하도록 제1 절연층(120)과 제2 절연층(220)에 형성될 수도 있다.2, the second via V2 is formed on the first insulating layer 120 and the fifth insulating layer 520 so as to connect the first conductor pattern layer 110 and the fifth conductor pattern layer 510 to each other. But this is merely an example. That is, the second vias V2 may be formed in the first insulating layer 120 and the second insulating layer 220 to connect the first conductor pattern layer 110 and the second conductor pattern layer 210 to each other .

본 실시예에 따른 인쇄회로기판(2000)은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판(1000)과 달리 일괄적층 후 제5 도체패턴층(510)을 형성하는 공정이 삭제될 수 있다.Unlike the printed circuit board 1000 according to the embodiment of the present invention, the printed circuit board 2000 according to the present embodiment can eliminate the process of forming the fifth conductor pattern layer 510 after collective lamination.

인쇄회로기판의 제조 방법Manufacturing method of printed circuit board

도 3 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.3 to 10 are views sequentially illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 적용되는 단위기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 도면이고, 도 9 및 도 10은 도 3 내지 도 8를 통해 제조된 단위기판을 일괄적으로 적층하는 것을 나타내는 도면이다.3 and 8 are views sequentially illustrating a process of manufacturing a unit substrate according to an embodiment of the present invention. FIGS. 9 and 10 are sectional views of FIGS. 3 to 8, Fig. 3 is a view showing the unit substrates manufactured through the above process.

도 3 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은, 복수의 단위기판 각각을 형성하는 단계 및 복수의 단위기판을 일괄적층하는 단계를 포함한다.3 to 10, a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes forming each of a plurality of unit substrates and stacking a plurality of unit substrates collectively.

복수의 단위기판 각각을 형성하는 단계는, 도체패턴층을 형성하는 단계, 도체패턴층을 매립하는 절연층을 형성하는 단계, 절연층에 고융점금속층을 형성하는 단계, 및 저융점금속층을 고융점금속층에 형성하는 단계를 포함한다.The step of forming each of the plurality of unit substrates includes the steps of forming a conductor pattern layer, forming an insulating layer for embedding the conductor pattern layer, forming a refractory metal layer on the insulating layer, To form a metal layer.

이하에서는 단위기판을 형성하는 단계와 단위기판을 일괄적층하는 단계를 구별하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the step of forming the unit substrate and the step of laminating the unit substrates together will be described separately.

(단위기판의 제조방법)(Manufacturing Method of Unit Substrate)

도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 적용되는 단위기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 도면이다. 구체적으로, 도 3 내지 도 8은 제4 절연층과 제4 도체패턴층을 포함하는 제4 단위기판의 제조공정을 나타내는 도면이다.FIGS. 3 to 8 are views sequentially illustrating steps of manufacturing a unit substrate, which is applied to a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 3 to 8 are views showing a manufacturing process of the fourth unit substrate including the fourth insulating layer and the fourth conductor pattern layer.

제4 단위기판(400)의 제조공정에 대한 설명은 제1 내지 제3 단위기판(100, 200, 300)의 제조공정에 그대로 적용된다. 따라서, 제4 단위기판(400)의 제조공정만을 설명하고, 제1 내지 제3 단위기판(100, 200, 300)의 제조공정에 대한 설명은 생략한다.The description of the manufacturing process of the fourth unit substrate 400 is directly applied to the manufacturing processes of the first through third unit substrates 100, 200, and 300. Therefore, only the manufacturing process of the fourth unit substrate 400 will be described, and the manufacturing process of the first, second, and third unit substrates 100, 200, 300 will be omitted.

본 실시예의 경우 제1 내지 제4 단위기판(100, 200, 300, 400)과 달리 제5 단위기판(500)은 절연층을 포함하지 않고 제5 도체패턴층 형성용 동박만으로 구성된다. 제5 단위기판(500)인 제5 도체패턴층 형성용 동박은 통상의 기술자에게 용이하므로 자세한 설명을 생략한다.Unlike the first through fourth unit substrates 100, 200, 300, and 400, the fifth unit substrate 500 does not include an insulating layer but includes only a copper foil for forming a fifth conductor pattern layer. The copper foil for forming the fifth conductor pattern layer, which is the fifth unit substrate 500, is easy for an ordinary artisan, so a detailed description thereof will be omitted.

우선, 도 3을 참고하면 지지필름(F)의 양면에 동박(CF)이 형성된 캐리어(C) 를 준비한다. 동박(CF)은 지지필름(F)과 별도로 형성된 후 지지필름(F)에 압착될 수 있다. 또는, 동박(CF)은 지지필름(F)의 양면에 동도금을 통해 형성될 수 있다. 한편, 도시하지는 않았지만, 캐리어(C)는 지지필름(F)과 동박(CF) 사이에 형성된 이형층을 더 포함할 수 있다. 이형층은 추후 제4 단위기판(400)으로부터 지지필름(F) 제거 시 지지필름(F)과 동박(CF)이 용이하게 분리될 수 있게 한다.First, referring to FIG. 3, a carrier C having copper foil CF formed on both sides of a supporting film F is prepared. The copper foil CF can be pressed onto the support film F after being formed separately from the support film F. [ Alternatively, the copper foil CF may be formed on both sides of the support film F through copper plating. On the other hand, although not shown, the carrier C may further include a release layer formed between the support film F and the copper foil CF. The release layer allows the support film (F) and the copper foil (CF) to be easily separated when the support film (F) is removed from the fourth unit substrate (400).

다음으로, 도 4를 참고하면 캐리어(C)에 제4 도체패턴층(410)을 형성한다. 제4 도체패턴층(410)은, 동박(CF) 상에 제4 도체패턴층(410)의 패턴이 역전사된 도금레지스트를 형성한 후 동박(CF)을 시드층으로 하는 전해도금을 통해 형성될 수 있다. 제4 도체패턴층(410) 형성 후 도금레지스트는 동박(CF)으로부터 제거된다. 도금레지스트는 동박(CF)의 상면 전영역에 도금레지스트 형성용 물질을 형성한 후 포토리쏘그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. 도금레지스트는 드라이필름으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Next, referring to FIG. 4, a fourth conductor pattern layer 410 is formed on the carrier C. As shown in FIG. The fourth conductor pattern layer 410 is formed by forming a plating resist in which a pattern of the fourth conductor pattern layer 410 is reversely formed on the copper foil CF and then plating the copper foil CF by electrolytic plating using the copper foil as a seed layer . After forming the fourth conductor pattern layer 410, the plating resist is removed from the copper foil CF. The plating resist may be formed through a photolithography process after forming a material for forming a plating resist on the entire upper surface area of the copper foil CF. The plating resist may be formed of a dry film, but is not limited thereto.

한편, 이상에서는 제4 도체패턴층(410) 형성방법을 소위 MSAP(Modified Semi Additive Process)법으로 설명하였으나, 이와 달리 서브트랙티브법, 세미애더티브법 또는 풀애더티브법으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 앞서 설명한 캐리어(C)의 구조와 다른 구조의 캐리어가 이용될 수도 있다.Although the method of forming the fourth conductor pattern layer 410 has been described by the so-called Modified Semi Additive Process (MSAP) method, it is also possible to form the fourth conductor pattern layer 410 by the subtractive method, the semiadaptive method or the pull additive method . In this case, a carrier having a structure different from that of the above-described carrier C may be used.

또한, 이상에서는 캐리어(C)의 상면을 기준으로 제4 도체패턴층(410)이 형성되는 공정을 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 필요에 따라 캐리어(C)의 하면에도 제1 내지 제4 도체패턴층(110, 210, 310, 410) 중 어느 하나를 형성하기 위한 공정이 동시에 진행될 수 있다. 이는, 도 5 내지 도 7에도 그대로 적용되는 바 이하의 설명에서는 캐리어(C)의 상면만을 기준으로 설명한다.Although the process of forming the fourth conductor pattern layer 410 with reference to the upper surface of the carrier C has been described above, the present invention is not limited thereto. That is, the process for forming any one of the first through fourth conductor pattern layers 110, 210, 310, and 410 may be performed concurrently on the lower surface of the carrier C, if necessary. This is also applied to FIGS. 5 to 7, and only the upper surface of the carrier C will be described with reference to the following description.

다음으로, 도 5를 참고하면 제4 도체패턴층(410)의 적어도 일부를 매립하도록 제4 절연층(420)을 형성하고 제4 절연층(420)에 비아홀(H)을 형성한다. 제4 절연층(420)은 광경화성이므로, 비아홀(H)은 포토리쏘그래피 공정을 통해 제4 절연층(420)에 형성될 수 있다. 또는 비아홀(H)은 레이저드릴링을 통해 형성될 수 있다.5, a fourth insulating layer 420 is formed to fill at least a portion of the fourth conductive pattern layer 410, and a via hole H is formed in the fourth insulating layer 420. Referring to FIG. Since the fourth insulating layer 420 is photo-curable, the via hole H may be formed in the fourth insulating layer 420 through a photolithography process. Or the via hole H may be formed through laser drilling.

제4 절연층(420)은 진공 라미네이터를 이용하여 캐리어(C) 상에 라미네이트 될 수 있다. 다만, 라미네이트되어 선택적 노광 공정을 거친 제4 절연층(420)은 일괄적층 공정 전까지 후경화 공정을 거치지 않기 때문에 반경화 상태(B-stage)로 있게 된다. 예로써, 선택적 노광 공정을 거친 제4 절연층(420)은 완전경화 상태(C-stage) 대비 10~20% 경화도를 가질 수 있다. 한편, 필요에 따라, 제4 절연층(420)이 별도의 공정을 통하여 완전경화 상태(C-stage) 대비 50% 경화도를 가지도록 반경화시킬 수 있다. 별도의 반경화 공정은 비아홀(H)을 형성하기 위한 포토리쏘그래피 공정에 사용되는 광을 이용하여 이루어질 수 있다. 그러나 이 경우에도, 제4 절연층(420)은 일괄적층 공정 전까지 완전경화되지 않는다.The fourth insulating layer 420 may be laminated on the carrier C using a vacuum laminator. However, since the fourth insulating layer 420 which has been laminated and subjected to the selective exposure process is not subjected to the post-curing process before the batch-laminating process, the semi-cured state (B-stage) is obtained. For example, the fourth insulating layer 420 having undergone the selective exposure process may have a degree of curing of 10 to 20% as compared with the fully cured state (C-stage). On the other hand, if necessary, the fourth insulating layer 420 may be semi-cured through a separate process so as to have a 50% curability relative to the fully cured state (C-stage). The separate semi-curing process may be performed using light used in the photolithography process for forming the via hole H. [ However, also in this case, the fourth insulating layer 420 is not completely cured before the batch-laminating process.

다음으로, 도 6을 참고하면 제4 절연층(420)에 고융점금속층(610)을 형성한다. 고융점금속층(610)은 전해도금을 통해 형성될 수 있다. 전해도금의 경우 이방성 또는 등방성 도금을 모두 포함한다. 고융점금속층(610)은 구리전해도금을 통해 형성되어 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 고융점금속층(610)을 전해도금으로 형성함에 있어 시드층은 제4 도체패턴층(410) 일 수 있다. 또는 시드층은 제4 도체패턴층(410)이 아닌 별도의 공정을 통해 형성된 것일 수 있다. 후자의 예로써, 제4 도체패턴층(410)을 형성한 후 제4 도체패턴층(410)의 표면을 따라 무전해도금을 이용해 시드층을 형성하고 그 위에 제4 절연층(420)을 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 6, a refractory metal layer 610 is formed on the fourth insulating layer 420. The refractory metal layer 610 may be formed through electrolytic plating. In the case of electrolytic plating, it includes both anisotropic and isotropic plating. The refractory metal layer 610 may be formed through copper electroplating to include copper (Cu). In forming the refractory metal layer 610 by electrolytic plating, the seed layer may be the fourth conductor pattern layer 410. Or the seed layer may be formed through a separate process other than the fourth conductor pattern layer 410. In the latter example, after forming the fourth conductor pattern layer 410, a seed layer is formed by electroless plating along the surface of the fourth conductor pattern layer 410, and a fourth insulating layer 420 is formed thereon can do.

다음으로, 도 7을 참고하면, 고융점금속층(610)에 저융점금속층(620)을 형성한다. 저융점금속층(620)은, 고융점금속층(610)과 접하는 일면과 대향하는 타면의 표면조도(Ra)가 0.1㎛ 이하로 형성된다. 저융점금속층(620)은, 통상 광택도금이라고 지칭되고 저조도 형성이 가능한 전해도금을 통해 형성되므로 타면의 조도(Ra)가 0.1㎛ 이하로 형성될 수 있다. 이러한 저융점금속층(620)을 형성하기 위해 주석 및 유기화합물이 포함된 주석도금액을 이용한다.Next, referring to FIG. 7, a low melting point metal layer 620 is formed on the high melting point metal layer 610. The low melting point metal layer 620 is formed such that the surface roughness Ra of the other surface opposite to the one surface contacting the high melting point metal layer 610 is 0.1 탆 or less. The low-melting-point metal layer 620 is generally called a glossy plating and is formed through electrolytic plating capable of low-luminance formation, so that the surface roughness Ra of the other surface can be formed to be 0.1 占 퐉 or less. In order to form such a low melting point metal layer 620, a tin plating solution containing tin and an organic compound is used.

유기화합물은 아세트알데히드(acetaldehyde)를 포함한다. 도금액에 포함된 아세트알데히드는 저융점금속층(620)의 표면조도를 낮출 수 있다. 유기화합물은 유황계 화합물을 더 포함할 수 있다. 유황계 화합물은 티오요소(Thiourea) 및 사카린(Saccarine) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 유황계 화합물은 아세트알데히드와 마찬가지로 저융점금속층(620)의 표면조도를 낮출 수 있다.The organic compound includes acetaldehyde. The acetaldehyde contained in the plating solution can lower the surface roughness of the low melting point metal layer 620. The organic compound may further include a sulfur-based compound. The sulfur-based compound may include one or more of thiourea and saccarine. The sulfur-based compound can lower the surface roughness of the low melting point metal layer 620 like acetaldehyde.

주석도금액에 포함된 유기화합물의 농도는 100ppm을 초과한다. 통상의 주석도금액에서 유기화합물의 농도가 수십ppm인 것에 비하여, 본 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 적용되는 주석도금액은 유기화합물의 농도가 100ppm을 초과한다. 따라서, 저융점금속층(620)은 통상의 주석도금층과 비교하여 탄소의 함량이 상대적으로 높다. 구체적으로 저융점금속층(620)에는, 저융점금속층(620)의 전체 중량 대비 0.1 wt% 초과 1 wt% 이하의 탄소가 함유된다. 이는 통상의 주석도금층에는 주석도금층의 전체 중량 대비 0.1 wt% 이하의 탄소가 함유되는 것과 대비된다.The concentration of the organic compound contained in the tin plating solution exceeds 100 ppm. The concentration of the organic compound in the conventional tin plating solution is several tens of ppm, whereas the concentration of the organic compound in the tin plating solution used in the method of manufacturing the printed circuit board according to the present embodiment exceeds 100 ppm. Therefore, the low-melting-point metal layer 620 has a relatively high content of carbon as compared with a conventional tin-plated layer. Specifically, the low melting point metal layer 620 contains 0.1 wt% or more and 1 wt% or less of carbon based on the total weight of the low melting point metal layer 620. This is in contrast to the conventional tin plating layer containing 0.1 wt% or less of carbon relative to the total weight of the tin plating layer.

다음으로, 도 8을 참고하면 제4 절연층(420)으로부터 캐리어(C)를 제거함으로써 제4 단위기판(400)이 제조된다. 이 때, 캐리어(C)의 동박(CF)과 지지필름(F) 사이에 형성된 이형층을 기준으로 지지필름(F)을 먼저 제거한 후 제4 절연층(420)의 하면에 결합된 동박(CF)을 제거함으로써 제4 단위기판(400)이 제조될 수 있다. 다만, 제4 단위기판(400)의 강성을 위해 동박(CF)은 일괄적층 공정 직전에 제거될 수 있다.Next, referring to FIG. 8, the fourth unit substrate 400 is manufactured by removing the carrier C from the fourth insulating layer 420. At this time, the support film F is firstly removed on the basis of the release layer formed between the copper foil CF of the carrier C and the support film F, and then the copper foil CF bonded to the lower surface of the fourth insulation layer 420 The fourth unit substrate 400 can be manufactured. However, for the rigidity of the fourth unit substrate 400, the copper foil CF can be removed immediately before the batch-laminating process.

(단위기판을 일괄적층하는 단계) (Step of collectively laminating unit substrates)

도 9 및 도 10은 도 3 내지 도 8를 통해 제조된 단위기판을 일괄적으로 적층하는 것을 나타내는 도면이다.Figs. 9 and 10 are views showing the unit substrates laminated through Figs. 3 to 8 in a lump.

도 9를 참조하면, 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)을 상하로 배치하여 서로 정렬시킨다. 이 때, 단위기판(100, 200, 300, 400, 500) 각각에 형성된 정렬 마크를 통해 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)을 서로 정렬한다.Referring to FIG. 9, the unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are vertically arranged to align with each other. At this time, the unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are aligned with each other through alignment marks formed on the unit substrates 100, 200, 300, 400 and 500.

다음으로, 도 10을 참고하면 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)을 일괄적으로 접합한 후 제5 도체패턴층(510)을 형성한다. V-press 적층기 등을 이용하여 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)을 일괄적으로 고온압착한다.Next, referring to FIG. 10, a fifth conductor pattern layer 510 is formed after the unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are bonded together. The unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 are collectively hot-pressed using a V-press laminator or the like.

일괄적층 시, 온도는 180~200℃도로 설정되고, 프레스 압력은 30~50kg/cm2로 설정될 수 있으나, 이러한 수치로 한정되는 것은 아니며, 일괄적층 온도와 압력은 절연층(120, 220, 320, 420)의 성분 또는 저융점금속층(620)의 성분 등에 의해서 다르게 설정될 수 있다. 특히, 일괄적층 시의 온도는 저융점금속층(620)의 용융점 이상일 수 있다. In the batch lamination, the temperature may be set at 180 to 200 DEG C and the press pressure may be set to 30 to 50 kg / cm < 2 > , 420, or the components of the low-melting-point metal layer 620, and the like. In particular, the temperature at the time of laminating may be more than the melting point of the low melting point metal layer 620.

일괄적층 시에 저융점금속층(620)은 용융되면서 이웃하는 제1 내지 제4 도체패턴층(110, 210, 310, 410) 및 제5 단위기판(500)을 서로 접합시킬 수 있다. 이 경우, 일괄적층 시의 압력으로 인해 저융점금속층(620)이 절연층(120, 220, 320, 420) 측으로 퍼질 수 있다. 따라서, 저융점금속층(620)의 상부 단면적과 저융점금속층(620)의 하부 단면적은 서로 다를 수 있다.The low melting point metal layer 620 is melted to bond the neighboring first to fourth conductor pattern layers 110, 210, 310 and 410 and the fifth unit substrate 500 to each other. In this case, the low-melting-point metal layer 620 can spread toward the insulating layers 120, 220, 320, and 420 due to the pressure during the laminating process. Therefore, the upper cross-sectional area of the low melting point metal layer 620 and the lower cross-sectional area of the low melting point metal layer 620 may be different from each other.

반경화 상태에 있던 절연층(120, 220, 320, 420)은 일괄적층 후에 완전 경화 상태가 된다.The insulating layers 120, 220, 320, and 420 in the semi-cured state are in a fully cured state after the collective lamination.

제5 도체패턴층(510)은 제5 단위기판(500)인 제5 도체패턴층 형성용 동박을 선택적으로 에칭하여 형성된다. 제5 도체패턴층 형성용 동박(500)에 제5 도체패턴층(510)의 패턴이 역전사된 에칭레지스트를 형성한 후 제5 도체패턴층 형성용 동박(500)을 선택적으로 에칭함으로써 제5 도체패턴층(510)이 형성될 수 있다. 이후 에칭레지스트는 제거된다.The fifth conductor pattern layer 510 is formed by selectively etching the copper foil for forming the fifth conductor pattern layer which is the fifth unit substrate 500. An etching resist in which the pattern of the fifth conductor pattern layer 510 is reversed is formed on the copper foil 500 for forming a fifth conductor pattern layer 510 and then the copper foil 500 for forming the fifth conductor pattern layer is selectively etched, A pattern layer 510 may be formed. The etching resist is then removed.

이후, 도시하지는 않았으나 제4 도체패턴층(410) 및/또는 제5 도체패턴층(510) 각각에 솔더레지스트층이 형성될 수 있다. 솔더레지스트층은 솔더레지스트를 제4 도체패턴층(410) 및/또는 제5 도체패턴층(510)의 전면에 형성한 후 제4 도체패턴층(410) 및/또는 제5 도체패턴층(510)의 일부를 개방하여 형성될 수 있다.Although not shown, a solder resist layer may be formed on the fourth conductor pattern layer 410 and / or the fifth conductor pattern layer 510, respectively. The solder resist layer may be formed by forming a solder resist on the entire surface of the fourth conductor pattern layer 410 and / or the fifth conductor pattern layer 510 and then forming the fourth conductor pattern layer 410 and / As shown in FIG.

솔더레지스트층은 상술한 바와 같이, 일괄적층 공정 이후에 형성될 수도 있으나, 일괄적층 공정에서 단위기판(100, 200, 300, 400, 500)과 함께 적층될 수도 있다.The solder resist layer may be formed after the batch laminating process as described above, but may be laminated together with the unit substrates 100, 200, 300, 400, and 500 in the batch laminating process.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경 또는 삭제 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

C: 캐리어
CF: 동박
F: 지지필름
H: 비아홀
V1: 제1 비아
V2: 제2 비아
100, 200, 300, 400, 500: 단위기판
110, 210, 310, 410, 510: 도체패턴층
210, 220, 320, 420, 520: 절연층
610: 고융점금속층
620: 저융점금속층
1000, 2000: 인쇄회로기판
C: Carrier
CF: Copper
F: Support film
H: Via hole
V1: 1st Via
V2: Second Via
100, 200, 300, 400, 500: unit substrate
110, 210, 310, 410, 510: conductor pattern layer
210, 220, 320, 420, 520: insulating layer
610: High melting point metal layer
620: Low melting point metal layer
1000, 2000: printed circuit board

Claims (9)

절연층;
상기 절연층에 각각 형성되는 상부 도체패턴층 및 하부 도체패턴층; 및
고융점금속층 및 상기 고융점금속층의 용융점보다 낮은 용융점을 가지는 저융점금속층을 포함하고, 상기 상부 도체패턴층과 상기 하부 도체패턴층을 연결하도록 상기 절연층을 관통하는 비아;를 포함하고,
상기 저융점금속층에는, 상기 저융점금속층의 전체 중량 대비 0.1 wt% 초과 1 wt% 이하의 탄소가 함유된, 인쇄회로기판.
Insulating layer;
An upper conductor pattern layer and a lower conductor pattern layer respectively formed on the insulating layer; And
And a via hole penetrating the insulating layer so as to connect the upper conductive pattern layer and the lower conductive pattern layer, wherein the low melting point metal layer has a melting point lower than the melting point of the high melting point metal layer,
Wherein the low melting point metal layer contains 0.1 wt% or more and 1 wt% or less of carbon based on the total weight of the low melting point metal layer.
제1항에 있어서,
상기 저융점금속층은 주석(Sn)을 포함하는, 인쇄회로기판.
The method according to claim 1,
Wherein the low melting point metal layer comprises tin (Sn).
제2항에 있어서,
상기 저융점금속층은,
은(Ag), 구리(Cu), 비스무트(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는, 인쇄회로기판.
3. The method of claim 2,
The low-melting-
Further comprising at least one of silver (Ag), copper (Cu), bismuth (Bi), and indium (In).
제1항에 있어서,
상기 절연층은 감광성 물질을 포함하는, 인쇄회로기판.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating layer comprises a photosensitive material.
복수의 단위기판 각각을 형성하는 단계; 및
상기 복수의 단위기판을 일괄적층하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 단위기판 각각을 형성하는 단계는,
도체패턴층을 형성하는 단계,
상기 도체패턴층을 매립하는 절연층을 형성하는 단계,
상기 절연층에 고융점금속층을 형성하는 단계, 및
상기 고융점금속층과 접하는 일면과 대향하는 타면의 표면조도(Ra)가 0.1㎛ 이하인 저융점금속층을 상기 고융점금속층에 형성하는 단계를 포함하는, 인쇄회로기판의 제조방법.
Forming each of a plurality of unit substrates; And
And a step of collectively laminating the plurality of unit substrates,
Wherein forming the plurality of unit substrates comprises:
Forming a conductor pattern layer,
Forming an insulating layer for embedding the conductor pattern layer,
Forming a refractory metal layer on the insulating layer, and
And forming a low-melting-point metal layer on the high-melting-point metal layer, the low-melting-point metal layer having a surface roughness (Ra) of 0.1 mu m or less on the other surface opposite to the one surface contacting the high- melting- point metal layer.
제5항에 있어서,
상기 저융점금속층은,
주석(Sn) 및 유기화합물을 포함하는 도금액을 이용한 전해도금으로 형성되는, 인쇄회로기판의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The low-melting-
(Sn) and an organic compound. 2. A method for manufacturing a printed circuit board, comprising the steps of:
제6항에 있어서,
상기 유기화합물은 아세트알데히드(acetaldehyde)를 포함하는, 인쇄회로기판의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the organic compound comprises acetaldehyde. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제7항에 있어서,
상기 유기화합물은 유황계 화합물을 더 포함하는, 인쇄회로기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the organic compound further comprises a sulfur-based compound.
제6항에 있어서,
상기 도금액에서 상기 유기화합물의 농도는 100ppm을 초과하는, 인쇄회로기판의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein a concentration of the organic compound in the plating solution exceeds 100 ppm.
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