KR20180047318A - 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 Download PDF

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Abstract

(a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 실록산 공중합체와, (b) 광중합 개시제, 및 (c) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 전자 장치가 제공된다:
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
[화학식 2]
(R5)d(R6)e(R7)f-Si-(OR8)4-d-e-f
[화학식 3]
(R9)g(R10)h(R11)i-Si-(OR12)4-g-h-i
[화학식 4]
(R17O)3-j-k(R13)j(R14)k-Si-Y1-Si-(R15)l(R16)m(OR18)3-l-m
상기 화학식 1 내지 화학식 4에서의 각 치환기는 명세서 상에 정의한 바와 같다.

Description

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM PREPARED THEREFROM, AND ELECTRONIC DEVICE INCORPORATING CURED FILM}
본 기재는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
기존 액정 디스플레이(Liquid crystal display)의 층간 절연막으로는 무기소재인 SiNx 가 주로 사용되어 왔으나, 플렉서블 디스플레이(Flexible display)를 구현하는 데 있어서 폴딩 등의 유연성 테스트시 디스플레이가 깨지는 등의 신뢰성 이슈가 있어 왔다. 플렉서블 디스플레이(Flexible display) 구현을 위해서는 기판 자체가 깨지기 쉬운 글래스(glass)가 아닌 깨지지 않는 소재의 필름이어야 한다.
한편, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode) 소자 및 박막 트랜지스터 (TFT: Thin Film Transistor)의 위와 터치스크린 패털 (TSP: Touch screen panel)에는 층간에 배치되는 배선 간의 전기적 간섭을 막기 위해 층간 절연막을 사용하고 있다. 종래 네거티브 층간 절연막은, 바인더, 반응성 불포화 화합물, 광중합 개시제, 용매 등의 성분을 포함한 감광성 수지 조성물로부터 형성되고, 상기 바인더는 올레핀계 불포화 화합물을 포함하여 층간 절연막의 내열성을 관리하여 왔다.
그러나, 기존의 네거티브 감광성 수지 조성물은 100℃ 이하의 저온에서 경화가 불가능하고, 에치내성 등의 신뢰성이 약하여 플렉서블 디스플레이 제조 공정에 적용할 수 없다.　 이에, 기존 유기막보다 상당히 낮은 저온에서의 경화 특성을 가지면서도 쉽게 합성이 가능하고, 수급이 쉬운 바인더, 및 에치내성이 강한 소재에 대한 개발 필요성이 요구되고 있다.
일 구현예는 광조사에 의한 패턴 형성이 가능하고, 해상도가 우수할 뿐 아니라, 표면 경도, 투과율 및 내화학성 등이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공하기 위한 것이다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 얻어지는 실록산 공중합체와, (b) 광중합 개시제, 및 (c) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기,또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R1 내지 R3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤a+b+c <4 이다;
[화학식 2]
(R5)d(R6)e(R7)f-Si-(OR8)4-d-e-f
상기 화학식 2에서,
R5 내지 R7은 각각 독립적으로수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R5 내지 R7 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트기, 또는 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기,
R8 은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤ d+e+f< 4 이다;
[화학식 3]
(R9)g(R10)h(R11)i-Si-(OR12)4-g-h-i
상기 화학식 3에서,
R9 내지 R11 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기,또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R9 내지 R11 중 적어도 하나는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기이고,
R12는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤ g+h+i < 4 이다;
[화학식 4]
(R17O)3-j-k(R13)j(R14)k-Si-Y1-Si-(R15)l(R16)m(OR18)3-l-m
상기 화학식 4에서,
R13 내지 R16은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
Y1 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기로서, 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리이거나, 또는 하나의 방향족 고리 또는 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리가 단일결합, C1 내지 C10 알킬렌기에 의해 연결된 방향족 고리이고,
0 ≤ j+k < 3 이고,
0 ≤ l+m < 3 이다.
다른 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 경화시켜 제조된 경화막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 광조사에 의해 패턴 형성이 가능하고, 해상도가 우수할 뿐 아니라, 표면 경도, 투과율, 및 내화학성 등이 우수하다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를　의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를　의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를　의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고,　"아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를　의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고,　"알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C6 내지 C20의 아릴기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, C3 내지 C20의 사이클로알키닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메트)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메트)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학결합이 연결되어야 하는 위치에 화학결합이 연결되지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 얻어지는 실록산 공중합체와, (b) 광중합 개시제, 및 (c) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R3 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R1 내지 R3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤ a+b+c < 4 이다;
[화학식 2]
(R5)d(R6)e(R7)f-Si-(OR8)4-d-e-f
상기 화학식 2에서,
R5 내지 R7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R5 내지 R7 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트기, 또는 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기,
R8 은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤ d+e+f < 4 이다;
[화학식 3]
(R9)g(R10)h(R11)i-Si-(OR12)4-g-h-i
상기 화학식 3에서,
R9 내지 R11 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
R9 내지 R11 중 적어도 하나는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기이고,
R12 는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
1 ≤ g+h+i < 4 이다;
[화학식 4]
(R17O)3-j-k(R13)j(R14)k-Si-Y1-Si-(R15)l(R16)m(OR18)3-l-m
상기 화학식 4에서,
R13 내지 R16 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
Y1 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기로서, 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리이거나, 또는 하나의 방향족 고리 또는 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리가 단일결합, C1 내지 C10 알킬렌기에 의해 연결된 방향족 고리이고,
0 ≤ j+k < 3 이고,
0 ≤ l+m < 3 이다.
플렉서블 디스플레이에 적용되는 층간 절연막은 저온 경화성과 내화학성, 내에칭성 등이 중요하다. 특히 저온에서 경화가 제대로 되지 않으면 상부막의 CVD(chemical vapor deposition) 공정 시 헤이즈(haze)나 아웃가스(outgas) 발생 및 후공정의 에칭(etching) 내성 감소에 따라 panel 문제를 야기할 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 얻어지는 실록산 공중합체, 즉, 아릴기 또는 아릴알킬기, (메트)아크릴레이트기 또는 (메트)아크릴로일옥시기, 및 산무수물기를 실리콘 원자의 치환기로 포함함으로써, 저온에서 경화 가능하고, 알칼리 현상액에 현상되며, 패턴 특성이 구현되는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
특히, 상기 실록산 공중합체 내 실리콘 원자가 아릴기 및 산무수물기를 치환기로 포함함으로써, 우수한 에칭 내성 및 내화학성을 가짐으로써, 플렉서블 층간 절연막 등으로 사용함에 있어 우수한 신뢰성 확보가 가능할 뿐 아니라, 해상도가 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물 각 성분에 대하여, 구체적으로 설명한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (a) 실록산 공중합체를 포함한다. 상기 실록산 공중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성한다:
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
[화학식 2]
(R5)d(R6)e(R7)f-Si-(OR8)4-d-e-f
[화학식 3]
(R9)g(R10)h(R11)i-Si-(OR12)4-g-h-i
[화학식 4]
(R17O)3-j-k(R13)j(R14)k-Si-Y1-Si-(R15)l(R16)m(OR18)3-l-m
상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,
R1 내지 R3, R5 내지 R7, R9 내지 R11, 및 R13 내지 R16 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
상기 화학식 1의 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
상기 화학식 2의 R5 내지 R7 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트기, 또는 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,
상기 화학식 3의 R9 내지 R11 중 적어도 하나는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기이고,
R4, R8, R12, R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
Y1 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기로서, 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리이거나, 또는 하나의 방향족 고리 또는 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리가 단일결합, C1 내지 C10 알킬렌기에 의해 연결된 방향족 고리이고,
1 ≤ a+b+c < 4, 1 ≤ d+e+f < 4 , 1 ≤ g+h+i < 4 , 0 ≤ j+k < 3, 및 0 ≤ l+m < 3 이다.
일 예로, 상기 화학식 1에서 a+b+c=1일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1에서, a+b+c는 2일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1의 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 예를 들어, C6 내지 C18 아릴기, 예를 들어, C6 내지 C12 아릴기, 예를 들어, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1의 R4는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기, 예를 들어, 메틸기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 실록산 공중합체의 전체 치환기 100몰% 중 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기의 함량은 30몰% 내지 75몰%, 예컨대 35몰% 내지 70몰%, 예컨대 35몰% 내지 65몰%, 예컨대 40몰% 내지 65몰%, 예컨대 40몰% 내지 60몰%,예컨대 45몰% 내지 60몰%, 예컨대 45몰% 내지 55몰% 범위로 포함될 수 있다.
아릴기 또는 아릴알킬기의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 표면 경도, 해상도, 및 에칭내성이 우수한 경화막 형성이 가능하다.
일 예로, 상기 화학식 2에서 d+e+f는 1일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2의 R5 내지 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 예를 들어, 아크릴옥시기로 치환된 프로필기 또는 메타크릴옥시기로 치환된 프로필기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2의 R8 은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 예를 들어,C1 내지 C4 알킬기, 예를 들어, 메틸기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 실록산 공중합체의 전체 치환기 100몰% 중 상기 (메트)아크릴레이트기, 또는 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기의 함량은 5몰% 내지 50몰%, 예컨대, 10몰% 내지 50몰%, 예컨대 10몰% 내지 30몰%, 예컨대 10몰% 내지 20몰% 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 저온에서의 경화 및 패턴 형성이 가능하고, 우수한 해상도를 갖는 경화막을 제조할 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 3에서 g+h+i는 1일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 3의 R9 내지 R11 중 적어도 하나는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기일 수 있다.
일 예로, 상기 R9 내지 R11 중 적어도 하나는 디카르복실산 무수물기로, 예를 들어, 하기 화학식 A 내지 D로 표시되는 어느 하나일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 A] [화학식 B] [화학식 C] [화학식 D]
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
상기 화학식 A 내지 D에서, *은 이웃한 실리콘 원자 또는 C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기와 연결되는 위치를 나타내고, 상기 화학식 C의 X는 -CH2- 또는 -O- 이다.
일 예로, 상기 화학식 3의 R12 는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기, 예를 들어 메틸기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 실록산 공중합체의 전체 치환기 100 몰% 중 상기 산무수물기는 1 몰% 내지 20 몰%, 예컨대, 1 몰% 내지 10 몰%, 예컨대, 1 몰% 내지 8 몰%, 예컨대, 1 몰% 내지 5 몰%의 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 실록산 공중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물은 현상액에 대한 우수한 가용성을 가지며, 경화막이 높은 해상도를 가질 수 있다.
또한, 상기 화학식 4의 화합물은 실록산 공중합체 내에서 가교제 역할을 하며, 이의 함량을 적절히 조절하여 포함함으로써, 경도 조절이 용이하여 고경도의 도막을 형성할 수 있다. 이 때 제조되는 고경도의 도막은 고온에서 높은 내크랙성을 가지며, 동시에 유기 용제의 침투 또한 효과적으로 막아줌으로써, 현상 후 막 두께가 감소되어 평탄한 막을 이루지 못하는 잔막률 문제를 해결할 수 있다. 또한 경화 후 내화학성 및 고온 내크랙성, 내에칭성 등이 우수한 유기 절연막을 실현할 수 있다.
상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 실록산 공중합체를 형성하는 화합물의 전체 몰수를 기준으로 20 몰% 이하 포함될 수 있다. 예컨대, 1 몰% 내지 20 몰%, 예컨대, 2 몰% 내지 20 몰%, 예컨대, 2 몰% 내지 15 몰%, 예컨대, 2 몰% 내지 10 몰%, 예컨대, 3 몰% 내지 10 몰%, 예컨대, 3 몰% 내지 8 몰%, 예컨대, 4 몰% 내지 6 몰%, 예컨대, 5 몰% 범위로 포함될 수 있다.
상기 화학식 4로 표시되는 화합물을 상기 범위로 포함하여 제조되는 실록산 공중합체는 경화막으로 형성시 실록산 공중합체 내 가교결합을 형성하여 보다 치밀한 막을 형성함으로써, 높은 표면 경도, 내화학성, 및 높은 잔막률을 가지는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 실록산 공중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 더 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성될 수 있다:
[화학식 5]
(R19)n(R20)o(R21)p-Si-(OR22)4-n-o-p
상기 화학식 5에서,
R19 내지 R21 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
R22는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
0 ≤ n+o+p < 4 이다.
일 예로, 상기 화학식 5에서 n+o+p는 0 또는 1일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 5의 R22는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기, 예를 들어 메틸기일 수 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시키거나, 상기 화학식 1 내지 화학식 5로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성된 실록산 공중합체는, 알칼리 현상액에 현상 및 패턴형성이 가능하고, 무기물 절연막 대체용으로 OLED 소자에 영향을 주지 않는 수준의 낮은 경화 온도, 예를 들어, 100℃ 이하의 온도에서 경화 가능하다. 또한, 상기 실록산 공중합체를 포함한 감광성 수지 조성물은 코팅 후 경화 시 우수한 경화율에 따른 높은 광 투과율, 표면 경도, 및 우수한 폴딩(folding) 특성을 가진다. 특히, 아릴기를 실록산 공중합체에 아릴기 또는 아릴알킬기를 적정 함량 포함함으로써 에치내성이 우수한 경화막을 제조할 수 있다.
상기 구현예에 따른 실록산 공중합체는, 1,000 내지 10,000의 중량평균분자량(g/mole)을 가질 수 있다. 상기 실록산 공중합체의 중량평균분자량이 상기 범위 내인 경우, 고경도 특성을 가지면서도, 표면주름 및 끈적임을 줄일 수 있는 효과를 가질 수 있다.
상기 실록산 공중합체는 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 5 중량% 내지 50 중량%, 예컨대, 5 중량% 내지 30 중량%, 예컨대, 10 중량% 내지 25 중량%, 예컨대, 15 중량% 내지 20 중량% 범위로 포함될 수 있다. 상기 실록산 공중합체가 감광성 수지 조성물 총량에 대해 5 중량% 미만으로 포함된 경우, 산소 존재 하에서 감도가 저하하기 쉽고 패턴 형성이 어려우며, 50 중량%를 초과하면 도막 형성후 도막 표면이 거칠어 질 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (b) 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 상기 광중합 개시제는 감광성 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 개시제로서, 예를 들어 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 아세토페논계의 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로 아세토페논, p-t-부틸디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논,4,4'-디메틸아미노벤조페논,4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.
상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2-(4-메톡시나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진 등을 들 수 있다.
상기 옥심계 화합물의 예로는 O-아실옥심계 화합물, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 　상기 O-아실옥심계 화합물의 구체적인 예로는, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트 및 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트　등을 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제는 상기 화합물 이외에도 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄 보레이트계 화합물, 디아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제는 빛을 흡수하여 들뜬 상태가 된 후 그 에너지를 전달함으로써 화학반응을 일으키는 광 증감제와 함께 사용될 수도 있다. 상기 광 증감제의 예로는, 테트라에틸렌글리콜 비스-3-머캅토 프로피오네이트, 펜타에리트리톨 테트라키스-3-머캅토 프로피오네이트, 디펜타에리트리톨 테트라키스-3-머캅토 프로피오네이트 등을 들 수 있다.
상기 광중합 개시제는 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 0.1 중량% 내지 10 중량%, 예컨대 0.5 중량% 내지 5 중량%, 예컨대 0.5 중량% 내지 3 중량%, 예컨대 1 중량% 내지 3 중량%, 예컨대 1 중량% 내지 2.5 중량%, 예컨대 1 중량% 내지 2 중량%, 예컨대 1.5 중량%로 포함될 수 있다. 광중합 개시제의 함량이 0.1 중량% 미만이면 산소에 의한 라디칼의 감도 저하가 발생하기 쉽고, 10 중량%를 초과하면 용액의 색 농도가 높아지거나 석출이 되는 일이 발생할 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 점도 등을 조절하기 위해 (c) 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 상기 실록산 공중합체 및 광중합 개시제와의 상용성을 가지되, 이들과 반응하지 않는 물질들이 사용될 수 있다.
상기 용매의 예로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸-n-아밀케톤,2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산 이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 젖산 메틸, 젖산 에틸 등의 젖산 에스테르류; 옥시 초산 메틸, 옥시 초산 에틸, 옥시 초산 부틸 등의 옥시 초산 알킬 에스테르류; 메톡시 초산 메틸, 메톡시 초산 에틸, 메톡시 초산 부틸, 에톡시 초산 메틸, 에톡시 초산 에틸 등의 알콕시 초산 알킬 에스테르류; 3-옥시 프로피온산 메틸, 3-옥시 프로피온산 에틸 등의 3-옥시 프로피온산 알킬에스테르류; 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸,3-에톡시 프로피온산 메틸 등의 3-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시 프로피온산 메틸, 2-옥시 프로피온산 에틸, 2-옥시 프로피온산 프로필 등의 2-옥시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸 등의 2-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에스테르류, 2-메톡시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-알콕시-2-메틸 프로피온산 알킬류의 모노옥시 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 히드록시 초산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸 등의 에스테르류; 피루빈산 에틸 등의 케톤산 에스테르류 등이 있으며, 또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등의 고비점 용매를 들 수 있다.
이들 중 좋게는 상용성 및 반응성을 고려하여, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 2-히드록시 프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류가 사용될 수 있다.
상기 용매는 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 잔부량, 예컨대 50 중량% 내지 90 중량%로 포함될 수 있다. 용매가 상기 범위 내로 포함될 경우 균일한 코팅성과 내부 조성물의 용해도가 향상되게 된다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (d) 아크릴계 바인더 수지, (e) 반응성 불포화 화합물, (f) 에폭시기 함유 커플링제, 및 (g) 에폭시 개환반응 개시제 중 적어도 하나의 성분을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 (d) 아크릴계 바인더 수지는, 적어도 하나의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 포함하는 아크릴산 또는 (메트)아크릴산의 다관능 에스테르이다. 구체적으로, 제1 에틸렌성 불포화 단량체　및 이와 공중합 가능한 제2 에틸렌성 불포화 단량체의 공중합체로, 하나 이상의 아크릴계 반복단위를 포함하는 수지로, 중량평균분자량이 5,000 내지 50,000이고, 산가는 20 내지 120 mgKOH/g 일 수 있다.
상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 하나 이상의 카르복실기를 함유하는 에틸렌성 불포화 단량체이며, 이의 구체적인 예로는　(메트)아크릴산, 말레산, 이타콘산, 푸마르산　또는 이들의 조합을 들 수 있다.
상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 상기 아크릴계 바인더 수지 총량에 대하여 5 중량% 내지 50 중량%, 예컨대 10 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다.
상기 제2 에틸렌성 불포화 단량체는 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시 부틸(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 에스테르 화합물; 2-아미노에틸(메트)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 아미노 알킬 에스테르 화합물; 초산비닐, 안식향산 비닐 등의 카르복시산 비닐 에스테르 화합물; 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 글리시딜 에스테르 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메트)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물; 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 또는 둘 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 바인더 수지의 구체적인 예로는 아크릴산/벤질메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/벤질메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 메타크릴산/벤질메타크릴레이트/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 배합하여 사용할 수도 있다.
상기 아크릴계 바인더 수지는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%, 예컨대 3 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 　상기 아크릴계 바인더 수지가 상기 범위 내로 포함되는 경우 우수한 감도, 내열성, 내화학성 및 현상성을 얻을 수 있다.
일 실시예에 따른 (e) 반응성 불포화 화합물은, 상기 반응성 불포화 화합물은 감광성 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 모노머 또는 올리고머로서, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메트)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르가 사용될 수 있다.
일관능 (메트)아크릴레이트로는 시판품으로서 예를 들면 아로닉스 M-101, 동 M-111, 동 M-114(도아 고세이 가가꾸 고교(주) 제품), AKAYARAD TC-110S, 동 TC-120S(니혼 가야꾸(주) 제품), V-158, V-2311(오사카 유끼 가가꾸 고교(주) 제품) 등을 들 수 있다. 이관능 (메트)아크릴레이트로는 시판품으로서 예를 들면 아로닉스 M-210, 동 M-240, 동 M-6200(도아 고세이 가가꾸 고교(주) 제품), KAYARAD HDDA, 동 HX-220, 동 R-604(니혼 가야꾸(주) 제품), V260, V312, V335 HP (오사카 유끼 가가꾸 고교(주) 제품) 등을 들 수 있다. 또 삼관능 이상의 (메트) 아크릴레이트로는 트리메틸롤 프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 트리스 아크릴로일 옥시에틸 포스페이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사 아크릴레이트가 있고, 시판품으로는 예를 들면 아로닉스 M-309, 동 M-400, 동 M-405, 동 M-450, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060(도아 고세이 가가꾸 고교(주) 제품), KAYARAD TMPTA, 동 DPCA-20, 동-30, 동-60, 동-120(니혼 가야꾸(주) 제품), V-295, 동-300, 동-360, 동-GPT, 동-3PA, 동-400(오사카 유끼 가야꾸 고교(주) 제품) 등을 들 수 있으며, 이들 화합물은 단독 또는 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.
상기 반응성 불포화 화합물의 함량은 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 1 중량% 내지 20 중량%, 예컨대 3 중량% 내지 15 중량%, 예컨대 3 중량% 내지 10 중량% 이다. 반응성 불포화 화합물의 함량이 1 중량% 미만이면 산소 존재 하에서 감도가 저하하기 쉽고, 패턴 형성이 어려우며, 20 중량%를 초과하면 카도계 바인더 수지와의 상용성이 저하되기 쉬우며, 도막 형성 후 도막 표면이 거칠어 질 수 있다.
일 실시예에 따른 (f) 에폭시기 함유 커플링제는, 감광성 수지 조성물은 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 에폭시기가 포함된 가수분해성 모노머 또는 올리고머 실란계 커플링제 또는 에폭시기가 포함된 일반적인 커플링제일 수 있다.
상기 에폭시기 함유 커플링제의 예로는, γ-글리시독시 프로필 트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시기 함유 커플링제는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 0.01 중량% 내지 10 중량%, 예컨대 0.01 중량% 내지 5 중량%, 예컨대, 0.01 중량% 내지 2 중량%, 예컨대, 0.01 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.
일 실시예에 따른 (g) 에폭시 개환반응 개시제는,설포늄계 양이온과 보레이트계 음이온의 염을 포함하는 열개시제로서, 100℃ 이하의 온도, 예컨대 75℃ 이상 90℃ 이하의 온도에서 에폭시 개환반응을 개시할 수 있고, 이로 인해, 상기 에폭시 개환반응개시제를 포함하는 일 구현예에 따른 조성물은 저온, 예를 들어, 85 이하의 온도에서 경화 가능할 수 있다.
예컨대, 상기 에폭시 개환반응 개시제는 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00005
상기 화학식 6에서,
R31 내지 R34는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
X-은 보레이트계 음이온이다.
상기 화학식 6에서, R31 내지 R34는, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C4 알킬기, 또는 C1 내지 C4 의 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기일 수 있다.
일 실시예에서, R31 과 R34 중 하나는 C1 내지 C4 알킬기를 나타내고, 다른 하나는 C1 내지 C4 알킬기, C6 내지 C20 아릴알킬기, 또는 C1 내지 C4 알킬기로 치환되거나 비치환된 나프틸기를 나타내고, R33은 C1 내지 C4 알킬기, 예를 들어, 메틸기를 나타내고, R34는 수소 또는 C1 내지 C4 알킬기를 나타낼 수 있다.
상기 보레이트계 음이온은 하기 화학식 7로 표시될 수 있다:
[화학식 7]
Figure pat00006
상기 화학식 7에서,
R26 내지 R30은, 각각 독립적으로, F, Cl, Br 또는 I 이다.
일 실시예에서, R26 내지 R30은 모두 F 이다.
예컨대, 상기 에폭시 개환반응 열개시제는 하기 화학식 8로 표시되는 4-아세톡시페닐 메틸 벤질 설포늄·테트라키스(2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐) 보레이트, 또는 4-아세톡시페닐 메틸(2-메틸 벤질) 설포늄·테트라키스(펜타플루오로페닐) 보레이트, 4-아세톡시페닐 3-메틸 페닐벤질메틸설포늄·테트라키스(펜타플루오로페닐) 보레이트 등을 사용할 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
[화학식 8]
Figure pat00007
상기 에폭시 개환반응 개시제는 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 0.001 중량% 내지 5 중량%, 예컨대, 0.001 중량% 내지 2 중량%, 예컨대, 0.01 중량% 내지 2 중량%, 예컨대, 0.01 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.
상기 에폭시 개환 반응 개시제가 상기 범위로 사용됨으로써 상기 에폭시기 함유 커플링제의 에폭시기들이 100℃ 이하에서 개환되어 다른 실록산 화합물들과 축합 반응을 일으킬 수 있게 하며, 따라서, 100℃ 이하의 낮은 온도에서 충분한 표면 경도를 가지는 경화막을 제조할 수 있게 한다. 이에 따라, 상기 구현예에 따른 조성물, 및 그로부터 얻어지는 경화막은, OLED 소자 등의 상부에서 오버코트 층을 형성하여 플렉서블 디스플레이 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 네거티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 100℃ 이하, 예컨대 90℃ 이하, 예컨대 75℃ 내지 90℃의 저온에서 경화가 가능할 수 있다.
다른 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공한다. 　상기 경화막은 절연막일 수 있다.
상기 절연막의 제조 방법은 다음과 같다.
(1) 도포 및 도막 형성 단계
전술한 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께, 예를 들어 1.2㎛ 내지 3.5㎛의 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 90℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용매를 제거함으로써 도막을 형성한다.
(2) 노광 단계
상기 얻어진 도막에 필요한 패턴 형성을 위해 소정 형태의 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 　조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 자외선, X선, 전자선 등도 이용할 수 있다. 　
노광 강도는 상기 감광성 수지 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 예를 들어 10 mW/cm3 내지 50 mW/cm3(365 nm 센서에 의함)일 수 있고, 조사 시간은 5초 내지 1분일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
(3) 현상 단계
상기 노광 단계에 이어, 알칼리성 수용액을 현상액으로 이용하여 불필요한 부분을 용해, 제거함으로써 노광 부분만을 잔존시켜 화상 패턴을 형성시킨다. 　
(4) 후처리 단계
상기 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도, 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위해, 다시 가열하거나 활성선 조사 등을 행하여 경화시킬 수 있다.
전술한 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막은 낮은 온도에서 경화됨에도 불구하고, 높은 표면 경도 및 그에 따른 높은 기계적 강도를 가지고 또한 내화학성이 우수하다. 또한, 후술하는 실시예로부터 알 수 있는 것처럼, 높은 광 투과율과 해상도 및 내화학성 등을 나타낸다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다.　　다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
합성예 1: 실록산 공중합체 (PTMS:TEOS:BSB:APTMS:MPTMS:TESP-SA) 합성
(PTMS: 페닐트리메톡시실란(Phenyltrimethoxysilane)
TEOS: 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate)
BSB: 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠(1,4-Bis(triethoxysilyl)benzene)
APTMS:아크릴옥시프로필 트리메톡시실란(Acryloxypropyltrimethoxysilane)
MPTMS: 메트아크릴옥시프로필트리메톡시실란(Methacryloxypropyltrimethoxysilane)
TESP-SA: 3-(트리에톡시실릴)프로필 숙신산무수물(3-(Triethoxysilyl)propyl succinic anhydride))
물과 PGME(Propylene Glycol Monomethyl Ether)를 중량비 5:5로 혼합한 혼합용액 160g을 1L 3구 플라스크에 투입한 후 65℃로 유지하면서 상기 PTMS, TEOS, BSB, APTMS, MPTMS, 및 TESP-SA 를 50:25:5:10:5:5 의 몰비로 포함한 혼합물 300g을 적하하였다. 적하가 완료된 후 80℃로 3시간 가열하면서 축중합 반응을 실시하였다. 이어서 실온으로 냉각한 후 감압증류를 통해 축중합으로 발생되는 물 및 알코올, 반응 부산물을 제거하여 상기 화학식으로 표시되는 실록산 공중합체를 얻었다.
상기 실록산 공중합체를 폴리스티렌을 표준으로 한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 5,300g/mol 이다.
합성예 2: 실록산 공중합체 (PTMS:TEOS:BSB:APTMS:MPTMS:TESP-SA) 합성
PTMS, TEOS, BSB, APTMS, MPTMS, 및 TESP-SA 를 30:25:15:15:10:5 의 몰비로 포함하여 합성한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실록산 공중합체를 합성하였다.
상기 실록산 공중합체를 폴리스티렌을 표준으로 한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 7,800g/mol 이다.
합성예 3: 실록산 공중합체 (PTMS:DPSDO:BSB:APTMS:MPTMS:TESP-SA) 합성
(DPSDO: 디페닐실란디올(Diphenylsilanediol))
PTMS, DPSDO, BSB, APTMS, MPTMS, 및 TESP-SA 를 30:25:15:15:10:5 의 몰비로 포함하여 합성한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 실록산 공중합체를 합성하였다.
상기 실록산 공중합체를 폴리스티렌을 표준으로 한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 3,900g/mol 이다.
합성예 4: 실록산 공중합체 (MTMS:TEOS:BSB:APTMS:MPTMS:TESP-SA) 합성
(MTMS: 메틸트리메톡시실란(Methyltrimethoxysilane))
MTMS, TEOS, BSB, APTMS, MPTMS, 및 TESP-SA를 50:25:5:10:5:5 의 몰비로 포함하여 합성한 것을 제외하고는, 상기 합성예 1 과 동일한 방법으로 실록산 공중합체를 합성하였다.
상기 실록산 공중합체를 폴리스티렌 표준으로 한 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정 결과, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 1,800g/mol 이다.
합성예 5: Si 결합된 수소 원자를 갖는 실록산 공중합체 제조
(Me: 메틸기, Ph: 페닐기)
물과 톨루엔을 중량비 5:5로 혼합한 혼합용매 1kg을 3구 플라스크에 투입한 후 17℃로 유지하면서 테트라메틸디실록산 및 디페닐디클로로실란을 67:33의 몰비로 포함한 혼합물을 2시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후 90℃로 3시간 가열 환류하면서 축중합 반응을 수행하였다. 이어서, 실온 상태에서 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 용액을 제조하였다. 이어서, 얻어진 용액을 물로 세정하여 반응 부산물을 제거하였다. 상기 고분자 용액을 감압증류하여 톨루엔을 제거하고, 하기 화학식으로 표시되는 수평균 분자량 332 g/mole의 실록산 공중합체를 얻었다.
(Me 2 HSiO 1/2 ) 0.67 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.33
합성예 6: Si 결합된 비닐기를 갖는 실록산 공중합체 제조
(Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기)
물과 톨루엔을 혼합한 혼합용매 1kg을 3구 플라스크에 투입한 후 23로 유지하면서, 비닐디메틸클로로실란(vinyldimethylchlorosilane), 페닐메틸디클로로실란(phenylmethyldichlorosilane), 및 페닐트리클로로실란을 15:25:6의 몰비로 포함한 혼합물을 2 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후, 90℃로 3 시간 가열 환류하면서 축중합 반응을 실시하였다. 이어서, 실온으로 냉각한 후 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 세정하여 반응 부산물을 제거하였다. 상기 고분자 용액을 감압증류하여 톨루엔을 제거하고, 하기 화학식으로 표시되는 수평균 분자량 3,218 g/mole의 실록산 공중합체를 얻었다.
(Me 2 ViSiO 1/2 ) 0.15 (PhMeSiO 2/2 ) 0.25 (PhSiO 3/2 ) 0.6
실시예 1 내지 실시예 6 및 비교예 1 내지 비교예 3: 감광성 수지 조성물 제조
합성예 1 내지 합성예 3에서 제조한 실록산 공중합체, 및 하기 기재한 성분들을 각각 하기 표 1에 나타낸 조성으로 혼합하여 상온에서 교반한 후 0.2 ㎛의 테프론 필터로 여과하여, 각각 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
아크릴계 바인더 수지:SP-RY10 (Showa-denko 社)
반응성 불포화 화합물:DPHA (닛폰카야쿠 社)
실란 커플링제:KBM-403 (Shinetsu 社)
광중합 개시제:OXE-01 (BASF 社)
에폭시 개환반응 개시제:SI-B3A(Sanshin chemical社)
용매:PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate)
비교예 1 및 2: 감광성 수지 조성물 제조
합성예 4에서 제조한 실록산 공중합체, 및 상기 합성예 1에 기재한 성분들을 각각 하기 표 1에 나타낸 조성으로 혼합하여 상온에서 교반한 후 0.2 ㎛의 테플론필터로 여과하여, 각각 비교예 1 및 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 3: 감광성 수지 조성물 제조
합성예 5에 따른 실록산 공중합체와 합성예 6에 따른 실록산 공중합체를 하기 표 1에 기재한 비율로 혼합한 후, 이 혼합물의 총 중량을 기준으로 수소규소화 촉매 Pt-CS 2.0 (Unicore 社)을 3 ppm 농도로 첨가하여 진공, 탈포함으로써, 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물을 제조한다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 비교예 1 비교예 2 비교예 3
실록산
화합물		 합성예 1 15 20 - - 30 - - - -
합성예 2 - - 15 - 30 - - -
합성예 3 - - - 15 - - - - -
합성예 4 - - - - - - 15 20
합성예 5 - - - - - - - - 25
합성예 6 - - - - - - - - 75
아크릴계
바인더 수지		 15 10 15 15 - - 15 10 -
반응성 불포화
화합물		 3.5 3.5 3.5 3.5 - - 3.5 3.5 -
실란 커플링제 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 -
광중합 개시제 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 -
에폭시 개환반응
개시제		 0.04 0.04 0.04 0.04 - - 0.04 0.04 -
용매 64.5 64.5 64.5 64.5 68 68 64.5 64.5 -
수소규소화 촉매 - - - - - - - - 3ppm
(단위: wt%)
경화막의 제조 및 평가
실시예 1 내지 실시예 6, 및 비교예 1 내지 비교예 3에서 제조된 감광성 수지 조성물을 유리 기판 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A150)를 사용하여 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 85℃에서 120 초 동안 프리베이킹(pre-baking)하여 막을 형성한 후, 상기 막에 365 nm 에서의 감도가 25.0 mJ/cm3인 자외선을 노광기(UX-1200SM-AKS02, USHIO社)를 이용하여 8.0 초간 조사하였다.
이후, 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 25℃에서 60초 동안 현상한 후, 초순수로 60초간 세정한 다음, 압축공기로 불어 건조하였다. 상기 형성된 막을 오븐 속에서 85℃로 60분간 가열, 경화시켜, 포토레지스트 막을 얻었다.
(1) 연필 경도 평가
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 포토레지스트 막에 ASTM D3363 시험규격을 기준으로 연필경도 시험기 KP-M5000M (Maker : Kipae E&T)를 이용하여 상온에서 연필경도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(2) 광 투과율 평가
MultiSpec-1500(상품명, SHIMADZU Corporation 제품)을 이용하고, 우선 글래스 기판만의 광투과율을 측정하여, 이 자외 가시 흡수스펙트럼을 레퍼런스로 했다. 이어서, 글래스 기판 상에, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 포토레지스트 막을 형성(패턴 노광은 실시하지 않음)하고, 이 샘플을 싱글 빔으로 측정해, 1㎛ 당 파장 450 nm의 광투과율을 구해 상기 레퍼런스와의 차이를 경화막의 광투과율로 하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(3) 에칭 내성 평가
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 포토레지스트 막 표면에 CFx계열의 dry etch 공정을 가하여 FE-SEM을 통해 막 표면을 분석하고, 하기 기준에 따라 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
○: 기존과 동일, △: 표면 roughness 불안정, X: 표면 roughness 심하거나 뜯김.
(4) 현상성 평가
2.38 중량%의 TMAH로 25에서 60초간 현상한 후에 광학 현미경을 통하여 pattern 상태를 관찰하고, 하기 기준에 따라 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
○: 잔사 및스컴(scum) 양호, △: 홀 내 잔사가 조금 있음, X: 패턴 형성 안되거나 표면 뜯김.
(5) 해상도 평가
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 포토레지스트 막에서 광학 현미경을 통하여 홀 가운데에 눈에 띄는 잔사가 없는 홀 패턴 치수를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(6) 내화학성 평가
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 포토레지스트 막의 초기 두께를 측정한 후, NMP 용매에 60℃, 3분간 정치시킨 후 초순수로 30초간 세정한 다음 압축공기로 불어 건조하였다. 이후 두께를 재측정(Alpha-step, Surface profiler KLA tencor社)하여 막의 두께 변화 비율을 통하여 내화학성을 확인하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 비교예 1 비교예 2 비교예 3
연필 경도 2H 3H H 3H 3H 3H B HB < 6B
광 투과율
(%)		 99.3 99.1 99.0 99.1 99.2 99.1 99.0 99.1 99.2
에칭내성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ △ △ X
2.38% TMAH 현상성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ X
홀 패턴
해상도
(um)		 8 8 14 12 10 10 16 16 -
내화학성 (%) 95 97 95 94 95 94 88 89 79
실시예 1 내지 실시예 3, 실시예 5 및 실시예 6 의 감광성 수지 조성물은 아릴기, (메트)아크릴레이트기 및 산무수물기를 포함하는 치환기를 가지며, 특히 아릴기의 함량이 전체 치환기의 몰수를 기준으로 30 몰% 이상 75 몰% 이하인 상기 각 작용기를 포함하는 실록산 공중합체를 포함함으로써, 표면경도, 에치내성, 해상도, 및 내화학성이 비교예 1 내지 3에 따른 감광성 수지 조성물에 비해 훨씬 우수한 효과를 발휘함을 알 수 있다.
반면, 비교예 1 및 2의 감광성 수지 조성물은 아릴기, (메트)아크릴레이트기, 및 산무수물기를 치환기로서 포함하나, 상기 치환기 중 아릴기의 함량이 5 몰%로, 상기 실시예 1 내지 6에 따른 감광성 수지 조성물 내 실록산 공중합체의 아릴기 함량 대비 현저히 적은 함량으로 포함된 실록산 공중합체를 포함한다.
이에, 비교예 1 및 비교예 2의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 경화막은 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 감광성 수지 조성물로부터 제조된 경화막에 비해 표면 경도, 에치내성, 해상도, 및 내화학성 평가 결과가 좋지 않다.
한편, 아릴기를 적정함량 포함하나, 실록산 공중합체 내 치환기로서, (메트)아크릴레이트기 및 산무수물기를 포함하지 않는 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물로부터 제조된 경화막은 표면 경도, 에치내성, 및 내화학성이 크게 떨어지고, 2.38 중량%의 TMAH에서 현상이 되지 않았으며, 현상성 홀 패턴의 치수 측정이 불가능하였다.
이상 살펴본 바와 같이, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 100℃ 이하의 저온에서도 경화가 잘 되고, 현상성이 우수하며, 표면 경도, 광투과율, 해상도, 에치내성, 및 내화학성이 모두 우수한 경화막을 제조할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 고온 경화가 불가능한 플렉서블 디스플레이 등의 절연막 제조 등의 공정에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　　그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (9)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 실록산 공중합체와, (b) 광중합 개시제, 및 (c) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    (R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
    상기 화학식 1에서,
    R1 내지 R3 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
    R1 내지 R3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
    R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    1 ≤ a+b+c < 4 이고,
    [화학식 2]
    (R5)d(R6)e(R7)f-Si-(OR8)4-d-e-f
    상기 화학식 2에서,
    R5 내지 R7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
    R5 내지 R7 중 적어도 하나는 (메트)아크릴레이트기, 또는 (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기,
    R8 은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    1 ≤ d+e+f < 4 이고,
    [화학식 3]
    (R9)g(R10)h(R11)i-Si-(OR12)4-g-h-i
    상기 화학식 3에서,
    R9 내지 R11 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되되,
    R9 내지 R11 중 적어도 하나는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기이고,
    R12 는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    1 ≤ g+h+i < 4 이다;
    [화학식 4]
    (R17O)3-j-k(R13)j(R14)k-Si-Y1-Si-(R15)l(R16)m(OR18)3-l-m
    상기 화학식 4에서,
    R13 내지 R16 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    Y1 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기로서, 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리이거나, 또는 하나의 방향족 고리 또는 2 이상의 방향족 고리가 축합된 방향족 고리가 단일결합, C1 내지 C10 알킬렌기에 의해 연결된 방향족 고리이고,
    0 ≤ j+k < 3 이고, 0 ≤ l+m < 3 이다.
  2. 제1항에서,
    상기 실록산 공중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 더 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것인 감광성 수지 조성물:
    [화학식 5]
    (R19)n(R20)o(R21)p-Si-(OR22)4-n-o-p
    상기 화학식 5에서,
    R19 내지 R21 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    R22는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합으로부터 선택되고,
    0 ≤ n+o+p < 4 이다.
  3. 제1항에서,
    상기 실록산 공중합체 전체 치환기 100 몰% 중 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기의 함량이 30 몰% 내지 75 몰% 인, 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에서,
    상기 실록산 공중합체 전체 치환기 100 몰% 중 상기 (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일옥시기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기의 함량이 5 몰% 내지 50 몰% 인, 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 실록산 공중합체 전체 치환기 100 몰% 중 상기 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 산무수물기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기의 함량이 1 몰% 내지 20 몰% 인, 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에서,
    상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여, 상기 실록산 공중합체 1 중량% 내지 30 중량%; 상기 광중합 개시제 0.1 중량% 내지 10 중량% 및 용매 잔부량을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 감광성 수지 조성물은 아크릴계 바인더 수지; 반응성 불포화 화합물; 에폭시기 함유 커플링제; 및 에폭시 개환반응 개시제 중 적어도 하나의 성분을 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막.
  9. 제8항의 경화막을 포함하는 전자 장치.
KR1020160143292A 2016-10-31 2016-10-31 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 KR102072209B1 (ko)

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