KR20180044396A - Separation method of brittle substrate - Google Patents

Separation method of brittle substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20180044396A
KR20180044396A KR1020187008628A KR20187008628A KR20180044396A KR 20180044396 A KR20180044396 A KR 20180044396A KR 1020187008628 A KR1020187008628 A KR 1020187008628A KR 20187008628 A KR20187008628 A KR 20187008628A KR 20180044396 A KR20180044396 A KR 20180044396A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
trench line
crack
trench
brittle substrate
Prior art date
Application number
KR1020187008628A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102066120B1 (en
Inventor
히로시 소야마
Original Assignee
미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20180044396A publication Critical patent/KR20180044396A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102066120B1 publication Critical patent/KR102066120B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/037Controlling or regulating

Abstract

돌기부(PP)와 돌기부(PP)로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부(PS)를 갖는 날끝(51)을 취성 기판(4)의 하나의 면(SF1)상에서, 돌기부(PP)로부터 측부(PS)로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 하나의 면(SF1)상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 적어도 일부를 따라 취성 기판(4)의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)을 따라 취성 기판(4)이 분단된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 공정은, 크랙 라인(CL)의 형성 공정에 있어서, 크랙 라인(CL)이 트렌치 라인(TL)을 따라 신전하는 방향이, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향과 동일해지도록 행해진다.A blade edge 51 having a side PS extending from the projection PP and the projection PP and having a convex shape is disposed on one side SF1 of the brittle substrate 4 from the projection PP to the side PS The trench line TL having a groove shape is formed by causing plastic deformation on one surface SF1. A crack line CL is formed by extending a crack of the brittle substrate 4 along at least a part of the trench line TL. The brittle substrate 4 is divided along the crack line CL. The forming process of the trench line TL is the same as the direction in which the crack line CL is extended along the trench line TL in the process of forming the crack line CL in the direction in which the trench line TL is formed .

Description

취성 기판의 분단 방법Separation method of brittle substrate

본 발명은 취성 기판(brittle substrate)의 분단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of breaking a brittle substrate.

플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 기판을 분단(dividing)하는 것이 자주 필요해진다. 우선 기판상에 스크라이브 라인(scribing line)이 형성되고, 다음으로 이 스크라이브 라인을 따라 기판이 분단 된다. 스크라이브 라인은, 커터를 이용하여 기판을 기계적으로 가공함으로써 형성될 수 있다. 커터가 기판 상을 슬라이딩(sliding) 또는 전동(rolling)함으로써, 기판상에 소성 변형에 의한 트렌치가 형성됨과 동시에, 이 트렌치(trench)의 하방에는 수직 크랙이 형성된다. 그 후, 브레이크 공정이라고 칭해지는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전히 진행시킴으로써, 기판이 분단된다.It is often necessary to divide a brittle substrate such as a glass substrate in the production of an electric device such as a flat display panel or a solar cell panel. First, a scribing line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribing line. The scribe line can be formed by mechanically processing the substrate using a cutter. The cutter slides or rolls on the substrate to form a trench by plastic deformation on the substrate and a vertical crack is formed below the trench. Thereafter, a stress imparting called a braking process is performed. By fully advancing the crack in the thickness direction by the breaking process, the substrate is divided.

기판이 분단되는 공정은, 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 공정의 직후에 행해지는 경우가 많다. 그러나, 스크라이브 라인을 형성하는 공정과 브레이크 공정의 사이에 있어서 기판을 가공하는 공정을 행하는 것도 제안되고 있다. 기판을 가공하는 공정이란, 예를 들면, 기판상에 어떠한 부재를 형성하는 공정이다.The step of dividing the substrate is often performed immediately after the step of forming the scribe line on the substrate. However, it has also been proposed to perform a step of machining a substrate between a step of forming a scribe line and a step of breaking. The step of processing the substrate is, for example, a step of forming any member on the substrate.

예를 들면, 국제공개 제2002/104078호의 기술에 의하면, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 밀봉 캡을 장착하기 전에 각 유기 EL 디스플레이가 되는 영역마다 유리 기판상에 스크라이브 라인이 형성된다. 이 때문에, 밀봉 캡을 형성한 후에 유리 기판상에 스크라이브 라인을 형성했을 때에 문제가 되는 밀봉 캡과 유리 커터의 접촉을 회피시킬 수 있다.For example, according to the technique of International Publication No. 2002/104078, in the method of manufacturing an organic EL display, a scribe line is formed on a glass substrate for each region to be an organic EL display before mounting a sealing cap. Therefore, when the scribe line is formed on the glass substrate after the sealing cap is formed, contact between the sealing cap and the glass cutter can be avoided.

또한, 예를 들면 국제공개 제2003/006391호의 기술에 의하면, 액정 표시 패널의 제조 방법에 있어서, 2개의 유리 기판이, 스크라이브 라인이 형성된 후에 접합된다. 이에 따라 한번의 브레이크 공정으로 2매의 취성 기판을 동시에 브레이크할 수 있다.Further, according to the technique of International Publication No. 2003/006391, for example, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel, two glass substrates are bonded after a scribe line is formed. Thus, two brittle substrates can be simultaneously braked by a single braking process.

국제공개 제2002/104078호International Publication No. 2002/104078 국제공개 제2003/006391호International Publication No. 2003/006391

상기 종래의 기술에 의하면, 취성 기판으로의 가공이 스크라이브 라인의 형성 후에 행해지고, 그 후 응력 부여에 의해 브레이크 공정이 행해진다. 이것은, 취성 기판으로의 가공시에 수직 크랙이 이미 존재하는 것을 의미한다. 이 수직 크랙의 두께 방향에 있어서의 추가적인 신전(伸展)이 가공 중에 의도치 않게 발생함으로써, 가공 중은 일체이어야 할 취성 기판이 분단되어 버리는 경우가 있을 수 있었다. 또한, 스크라이브 라인의 형성 공정과 기판의 브레이크 공정의 사이에 기판의 가공 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 통상, 스크라이브 라인의 형성 공정의 후 또한 기판의 브레이크 공정의 전에 기판의 반송 또는 보관이 필요하고, 그 때에 기판이 의도치 않게 분단되어 버리는 경우가 있을 수 있었다. 이 때문에, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인(환언하면, 후술하는 「크랙리스(crackless) 상태」에 있는 라인)에 의해 규정할 수 있다면, 매우 유용하다. 또한 전술한 바와 같은 의도치 않는 분단으로의 배려가 불필요한 경우라도, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인에 의해 규정할 수 있다면, 당해 라인의 형성 공정에 있어서 취성 기판으로 날끝을 밀어붙이는 하중이 보다 작아도 충분해진다. 날끝의 하중의 경감은, 날끝의 마모 또는 취성 기판 표면의 손상을 경감하는데에 유용하다. 그러나, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를 규정할 수 있는, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인을, 날끝의 슬라이딩을 이용하여 형성하는 기술은, 지금까지 충분히 검토되어 오지 않았다. 오히려, 그와 같이 수직 크랙을 수반하지 않는 라인은, 날끝으로의 하중 부족 등에 기인한 단순한 불량 라인으로 밖에 인식되어 오지 않았던 것이 통상적이었다.According to the above conventional technique, machining into a brittle substrate is carried out after formation of the scribe line, and thereafter, the braking process is performed by stress application. This means that a vertical crack already exists at the time of processing into the brittle substrate. An additional extension in the thickness direction of the vertical cracks is unintentionally generated during processing, so that the brittle substrate, which is supposed to be a single piece during processing, may be divided. Further, even when the substrate processing step is not performed between the scribing line forming step and the substrate breaking step, it is usually necessary to carry or store the substrate after the scribing line forming step and before the substrate breaking step At that time, the substrate may be unintentionally divided. Therefore, it is very useful if the position at which the brittle substrate is divided can be defined by a line that does not involve a vertical crack (in other words, a line in a " crackless state " Further, even if the unintentional division as described above is unnecessary, if the position at which the brittle substrate is divided can be defined by a line not accompanied by a vertical crack, the brittle substrate A smaller load that pushes the blade tip is sufficient. The reduction of the load at the blade tip is useful for alleviating wear of the blade tip or damage to the surface of the brittle substrate. However, a technique of forming a line that does not involve vertical cracks, which can define a position where the brittle substrate is to be divided, by using the sliding of the edge has not been thoroughly studied so far. On the contrary, it has been common that the line which does not involve vertical cracks is recognized only by a simple defective line due to lack of load on the blade edge.

본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인에 의해 규정할 수 있는, 취성 기판의 분단 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of dividing a brittle substrate, in which a position where a brittle substrate is divided can be defined by a line not accompanied by a vertical crack .

본 발명의 일 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼c)를 갖고 있다.The breaking method of the brittle substrate according to one aspect of the present invention has the following steps a) to c).

a) 돌기부와 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면상에서, 돌기부로부터 측부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 하나의 면상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.a) By causing plastic deformation on one surface by sliding a projection having a projection extending from the projection and a side having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the projection to the side, Trench lines are formed. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.

b) 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.b) a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate along at least a portion of the trench line. Below the trench line by the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.

c) 크랙 라인을 따라 취성 기판이 분단된다.c) The brittle substrate is divided along the crack line.

공정 a)는, 공정 b)에 있어서 크랙 라인이 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 트렌치 라인이 형성된 방향과 동일해지도록 행해진다.The step a) is carried out so that the direction in which the crackline extends along the trench line in the step b) becomes the same as the direction in which the trench line is formed.

본 발명의 다른 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼c)를 갖고 있다.The breaking method of the brittle substrate according to another aspect of the present invention has the following steps a) to c).

a) 돌기부와 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면상에서, 측부로부터 돌기부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 하나의 면상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.a) By causing plastic deformation on one surface by sliding a projection having a projection extending from the projection and a side having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the side toward the projection, Trench lines are formed. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.

b) 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.b) a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate along at least a portion of the trench line. Below the trench line by the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.

c) 크랙 라인을 따라 취성 기판이 분단된다.c) The brittle substrate is divided along the crack line.

공정 a)는, 공정 b)에 있어서 크랙 라인이 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 트렌치 라인이 형성된 방향과 반대가 되도록 행해진다.Step a) is carried out such that the direction in which the crackline extends along the trench line in step b) is opposite to the direction in which the trench line is formed.

본 발명에 의하면, 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그의 하방에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인은, 트렌치 라인의 형성 후에 그에 따라 크랙을 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인에 의해 규정할 수 있다.According to the present invention, as a line defining the position where the brittle substrate is divided, a trench line having no crack is formed under the line. The crack line to be used as a direct indicator of division is formed by expanding the crack accordingly after formation of the trench line. Thus, the position where the brittle substrate is divided can be defined by a line not accompanied by a vertical crack.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도(A) 및, 상기 기구가 갖는 날끝의 구성을 도 1(A)의 화살표 IB의 시점에서 개략적으로 나타내는 평면도(B)이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 구성을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서 형성되는 트렌치 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서 형성되는 크랙 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태 1의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태 1의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1의 제2 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 일공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 형태 2의 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 일공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 15는 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 16은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a side view (A) schematically showing the structure of a mechanism used in a method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 1 of the present invention, and Fig. 1 (B) schematically shown at the time.
Fig. 2 is a flow chart schematically showing a configuration of a brittle substrate cutting method according to the first embodiment of the present invention. Fig.
3 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate cutting method according to Embodiment 1 of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a trench line formed in the method of dividing a brittle substrate according to the first embodiment of the present invention.
5 is a top view schematically showing a second step of a brittle substrate breaking method according to Embodiment 1 of the present invention.
Fig. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a crack line formed in the method for separating a brittle substrate according to the first embodiment of the present invention. Fig.
7 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate cutting method according to the first modification of Embodiment 1 of the present invention.
8 is a top view schematically showing a second step of the brittle substrate breaking method according to the first modification of the first embodiment of the present invention.
9 is a top view schematically showing one step of a brittle substrate cutting method according to a second modification of Embodiment 1 of the present invention.
10 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate breaking method according to Embodiment 2 of the present invention.
Fig. 11 is a top view schematically showing a second step of the brittle substrate breaking method according to the second embodiment of the present invention. Fig.
12 is a top view schematically showing a third step of the bifurcating board breaking method according to the second embodiment of the present invention.
13 is a top view schematically showing one step of a brittle substrate cutting method according to a modification of the second embodiment of the present invention.
14 is a top view schematically showing one step of a brittle substrate cutting method according to Embodiment 3 of the present invention.
15 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate breaking method according to Embodiment 4 of the present invention.
16 is a top view schematically showing a second step of the brittle substrate breaking method according to the fourth embodiment of the present invention.

이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙여 그 설명은 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.

<실시 형태 1>≪ Embodiment 1 >

(커팅 기구의 구성) (Configuration of Cutting Mechanism)

도 1을 참조하여, 먼저, 본 실시 형태의 유리 기판(4)(취성 기판)의 분단 방법에 있어서의 트렌치 라인의 형성 공정에 이용되는 커팅 기구(50)의 구성에 대해서 설명한다. 커팅 기구(50)는 날끝(51) 및 생크(52)를 갖고 있다. 날끝(51)은, 그 홀더로서의 생크(52)에 고정됨으로써 지지되어(holding) 있다.1, the structure of the cutting mechanism 50 used in the step of forming the trench line in the method of cutting the glass substrate 4 (brittle substrate) of the present embodiment will be described first. The cutting mechanism 50 has a blade tip 51 and a shank 52. The blade tip 51 is held by being fixed to the shank 52 as its holder.

날끝(51)에는, 천면(SD1)(제1 면)과, 천면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면(SD2)(제2 면) 및 측면(SD3)(제3 면)을 포함한다. 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)(제1∼제3 면)은, 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)이 합류하는 정점(頂点)을 갖고, 이 정점에 의해 날끝(51)의 돌기부(PP)가 구성되어 있다. 또한 측면(SD2 및 SD3)은, 날끝(51)의 측부(PS)를 구성하는 능선을 이루고 있다. 측부(PS)는 돌기부(PP)로부터 선 형상으로 연장되어 있다. 또한 측부(PS)는, 전술한 바와 같이 능선인 점에서, 선 형상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다.A plurality of surfaces surrounding the ceiling surface SD1 (first surface) and the ceiling surface SD1 are formed in the blade 51. These plural surfaces include a side surface SD2 (second surface) and a side surface SD3 (third surface). The topsurface SD1 and the side surfaces SD2 and SD3 (first to third sides) face in different directions and are adjacent to each other. The blade tip 51 has a vertex at which the top face SD1 and the side faces SD2 and SD3 join together and forms the protruding portion PP of the blade tip 51 by the vertex. The side faces SD2 and SD3 form a ridge constituting the side portion PS of the blade edge 51. [ The side portion PS extends linearly from the projection PP. Further, the side portion PS has a convex shape extending in a linear shape at the ridgeline point as described above.

날끝(51)은 다이아몬드 포인트인 것이 바람직하다. 즉 날끝(51)은, 경도 및 표면 거칠기를 작게 할 수 있는 점에서 다이아몬드로 만들어져 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 날끝(51)은 단결정 다이아몬드로 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는 결정학적으로 말하여, 천면(SD1)은 {001}면이고, 측면(SD2 및 SD3)의 각각은 {111}면이다. 이 경우, 측면(SD2 및 SD3)은, 상이한 방향을 갖기는 하지만, 결정학상, 서로 등가의 결정면이다.The blade edge 51 is preferably a diamond point. That is, the blade tip 51 is preferably made of diamond in that it can reduce the hardness and the surface roughness. More preferably, the blade edge 51 is made of a single crystal diamond. More preferably, the crystallographic plane SD1 is the {001} plane and each of the sides SD2 and SD3 is the {111} plane. In this case, the side faces SD2 and SD3 are crystallographic and mutually equivalent crystal faces, though they have different directions.

또한 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 좋고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 좋다. 혹은, 미립의 그래파이트나 비(非)그래파이트상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 포함하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 좋다.Further, a diamond other than a single crystal may be used. For example, a polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, a sintered diamond obtained by bonding polycrystalline diamond particles sintered with fine particles of graphite or non-graphitized carbon, which does not contain a binding material such as an iron family element, with a binding material such as an iron family element may be used.

생크(52)는 축방향(AX)을 따라 연재(延在)하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1)의 법선 방향이 축방향(AX)에 대체로 따르도록 생크(52)에 부착되는 것이 바람직하다.The shank 52 extends along the axial direction AX. The blade tip 51 is preferably attached to the shank 52 such that the normal direction of the surface SD1 generally follows the axial direction AX.

(유리 기판의 분단 방법) (Method of dividing glass substrate)

본 실시 형태에 있어서는, 날끝(51)(도 1)을 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 방향 DA로 슬라이딩시키는 공정을 포함하는 유리 기판(4)의 분단 방법(도 2)에 대해서 설명한다.In this embodiment, description will be given of a method of dividing the glass substrate 4 (Fig. 2) including a step of sliding the blade tip 51 (Fig. 1) in the direction DA on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 do.

분단되는 유리 기판(4)은, 상면(SF1)(하나의 면)과, 그 반대의 하면(SF2)(다른 면)을 갖고 있다. 도 3을 참조하여, 상면(SF1)을 둘러싸는 가장자리는, 서로 대향하는 변 ED1(제1 변) 및 변 ED2(제2 변)를 포함한다. 도 3에서 나타내는 예에 있어서는, 가장자리는 직사각형상이다. 따라서 변 ED1 및 ED2는 서로 평행한 변이다. 또한 도 3에서 나타내는 예에 있어서는 변 ED1 및 ED2는 직사각형의 단변이다. 또한 유리 기판(4)은, 상면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖고 있다.The glass substrate 4 to be divided has an upper face SF1 (one face) and an opposite lower face SF2 (another face). Referring to Fig. 3, the edge surrounding the upper surface SF1 includes a side ED1 (first side) and a side ED2 (second side) facing each other. In the example shown in Fig. 3, the edges are rectangular. Therefore, the sides ED1 and ED2 are parallel sides. In the example shown in Fig. 3, the sides ED1 and ED2 are short sides of a rectangle. The glass substrate 4 has a thickness direction DT perpendicular to the upper surface SF1.

도 2 및 도 3을 참조하여, 스텝 S30에서 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 구체적으로는, 이하의 공정이 행해진다.Referring to Figs. 2 and 3, a trench line TL is formed at step S30. Specifically, the following steps are performed.

우선, 상면(SF1)에 날끝(51)의 돌기부(PP) 및 측부(PS)가 위치 N1에서 밀어붙여진다. 위치 N1의 상세는 후술한다. 날끝(51)의 밀어붙임은, 도 1(A)을 참조하여, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 날끝(51)의 돌기부(PP)가 변 ED1 및 측부(PS)의 사이에 배치되도록, 또한 날끝(51)의 측부(PS)가 돌기부(PP)와 변 ED2의 사이에 배치되도록 행해진다.First, the projection PP and the side PS of the blade tip 51 are pushed at the position N1 on the upper surface SF1. Details of the position N1 will be described later. 1 (A), the projecting portion PP of the blade tip 51 on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 is placed between the side ED1 and the side PS And the side PS of the blade 51 is arranged between the projection PP and the edge ED2.

다음으로, 밀어붙여진 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 슬라이딩된다(도 3의 화살표 참조). 날끝(51)(도 1)은, 상면(SF1) 상에서, 돌기부(PP)로부터 측부(PS)로 향하는 방향 DA로 슬라이딩된다. 환언하면, 날끝(51)은, 돌기부(PP)로부터 측부(PS)로 향하는 방향을 상면(SF1) 상에 투영한 방향 DA로 슬라이딩된다. 방향 DA는, 돌기부(PP)의 근방에 있어서의 측부(PS)의 연재 방향을 상면(SF1) 상에 투영한 방향을 대체로 따르고 있다. 이 슬라이딩에 의해 상면(SF1) 상에 소성 변형이 발생된다. 이에 따라 상면(SF1)상에, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)(도면 중에서는 5개의 라인)이 형성된다. 이와 같이 트렌치 라인(TL)은 유리 기판(4)의 소성 변형에 의해 발생하고, 이 소성 변형은 유리 기판의 표면이 깎이지 않는, 낮은 하중에서 충분히 형성되지만, 유리 기판(4)이 약간 깎여도 좋다. 다만 이러한 깎임은, 바람직하지 않은 미세한 파편을 발생시킬 수 있는 점에서, 생기지 않는 것이 바람직하다.Next, the extruded edge 51 is slid on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 (see arrows in Fig. 3). The blade tip 51 (Fig. 1) is slid on the upper surface SF1 in the direction DA from the projection PP to the side PS. In other words, the blade point 51 is slid in the direction DA in which the direction from the projection PP to the side portion PS is projected onto the upper surface SF1. The direction DA generally follows the direction in which the extending direction of the side portion PS in the vicinity of the projection PP is projected onto the upper surface SF1. Plastic deformation occurs on the upper surface SF1 by this sliding. Thus, a trench line TL (five lines in the figure) having a groove shape is formed on the upper surface SF1. As described above, the trench line TL is generated by the plastic deformation of the glass substrate 4, and this plastic deformation is sufficiently formed at a low load without shaving the surface of the glass substrate. However, even if the glass substrate 4 is slightly shaved good. However, it is preferable that such a cut-off does not occur in that it can generate undesirable fine debris.

트렌치 라인(TL)의 형성은, 위치 N1 및 위치 N3의 사이에서 행해진다. 위치 N1 및 N3의 사이에는 위치 N2가 위치한다. 따라서 트렌치 라인(TL)은, 위치 N1 및 N2의 사이와, 위치 N2 및 N3의 사이에 형성된다.The formation of the trench line TL is performed between the positions N1 and N3. A position N2 is located between the positions N1 and N3. Therefore, the trench line TL is formed between the positions N1 and N2 and between the positions N2 and N3.

위치 N1 및 N3은, 도 3에 나타내는 바와 같이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리로부터 떨어져 위치해도 좋고, 혹은, 그 한쪽 또는 양쪽이 상면(SF1)의 가장자리에 위치해도 좋다. 형성되는 트렌치 라인(TL)은, 전자의 경우는 유리 기판(4)의 가장자리로부터 떨어져 있고, 후자의 경우는 유리 기판(4)의 가장자리에 접하고 있다.The positions N1 and N3 may be located apart from the edge of the upper surface SF1 of the glass substrate 4 as shown in Fig. 3, or one or both of them may be located at the edge of the upper surface SF1. The trench line TL to be formed is apart from the edge of the glass substrate 4 in the case of electrons and in contact with the edge of the glass substrate 4 in the latter case.

위치 N1 및 N2 중 위치 N1이 변 ED1에 보다 가깝고, 또한 위치 N1 및 N2 중 위치 N2의 쪽이 변 ED2에 보다 가깝다. 또한 도 3에 나타내는 예에서는, 위치 N1은 변 ED1 및 ED2 중 변 ED1에 가깝고, 위치 N2는 변 ED1 및 ED2 중 변 ED2에 가깝지만, 위치 N1 및 N2의 양쪽이 변 ED1 또는 ED2 중 어느 한쪽의 가까이에 위치해도 좋다.Position N1 of positions N1 and N2 is closer to edge ED1 and position N2 of positions N1 and N2 is closer to edge ED2. 3, the position N1 is close to the side ED1 of the sides ED1 and ED2, the position N2 is close to the side ED2 of the sides ED1 and ED2, but both the positions N1 and N2 are close to either the sides ED1 or ED2 .

트렌치 라인(TL)이 형성될 때에는, 본 실시 형태에 있어서는, 위치 N1로부터 위치 N2로 날끝(51)이 변위되고, 추가로 위치 N2로부터 위치 N3으로 변위된다. 즉, 도 1을 참조하여, 날끝(51)이, 변 ED1로부터 변 ED2로 향하는 방향인 방향 DA로 변위된다. 방향 DA는, 날끝(51)으로부터 연장되는 축방향(AX)을 상면(SF1) 상으로 투영한 방향에 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해 상면(SF1)상을 끌려간다.When the trench line TL is formed, in the present embodiment, the blade tip 51 is displaced from the position N1 to the position N2 and further displaced from the position N2 to the position N3. That is, referring to Fig. 1, the blade edge 51 is displaced in the direction DA from the side ED1 toward the side ED2. The direction DA corresponds to the direction in which the axial direction AX extending from the blade edge 51 is projected onto the upper surface SF1. In this case, the blade tip 51 is pulled by the shank 52 on the upper surface SF1.

도 4를 참조하여, 트렌치 라인(TL)을 형성하는 공정은, 트렌치 라인(TL)의 하방에 있어서 유리 기판(4)이 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 3에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향 DC에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해진다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의한 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있기는 하지만, 그에 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 따라서 종래의 브레이크 공정과 같이 유리 기판(4)에 단순히 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가해도, 트렌치 라인(TL)을 따른 분단은 용이하게는 발생하지 않는다. 이 때문에 크랙리스 상태에 있어서는 트렌치 라인(TL)을 따른 분단 공정은 행해지지 않는다. 크랙리스 상태를 얻기 위해, 날끝(51)에 가해지는 하중은, 스크라이브시에는 크랙이 발생하지 않을 정도로 작고, 또한, 후의 공정에서 크랙을 발생시킬 수 있는 내부 응력 상태를 만들어 내는 바와 같은 소성 변형이 발생할 정도로 조정된다.4, the step of forming the trench line TL is a step of forming the glass substrate 4 in the extending direction of the trench line TL (the lateral direction in Fig. 3) and the extending direction of the trench line TL below the trench line TL So as to obtain a crackle state in a state in which they are continuously connected to each other in the crossing direction DC. In the cracked state, the trench line TL due to plastic deformation is formed, but no crack is formed. Therefore, even when an external force such as a bending moment is simply applied to the glass substrate 4 as in the conventional breaking process, division along the trench line TL does not easily occur. Therefore, in the uncracked state, the division process along the trench line TL is not performed. In order to obtain a cracked state, the load applied to the blade 51 is small enough to prevent cracking during scribing, and plastic deformation such as to produce an internal stress state capable of generating a crack in a subsequent step It is adjusted so as to occur.

상기 크랙리스 상태는 소망하는 시간에 걸쳐 유지될 수 있다. 크랙리스 상태의 유지를 위해서는, 트렌치 라인(TL)에 있어서 유리 기판(4)에 대하여 과도한 응력이 가해지는 조작, 예를 들면 기판에 파손을 일으키는 바와 같은 큰 외부 응력의 인가 또는 큰 온도 변화를 수반하는 가열을 피할 수 있으면 좋다. 그 사이에, 유리 기판(4)이 반송되거나, 보관되거나, 가공되거나 할 수 있다. 유리 기판(4)의 가공은, 예를 들면, 유리 기판(4)상에 부재(도시하지 않음)를 형성하는 공정이라도 좋다.The crackle state can be maintained over a desired time. In order to maintain the cracked state, an operation of applying excessive stress to the glass substrate 4 in the trench line TL, for example, application of a large external stress such as causing breakage of the substrate or a large temperature change So long as the heating can be avoided. In the meantime, the glass substrate 4 may be transported, stored, or processed. The processing of the glass substrate 4 may be a step of forming a member (not shown) on the glass substrate 4, for example.

도 5를 참조하여, 스텝 S30(도 2)의 후의 스텝 S50(도 2)에서, 트렌치 라인(TL)의 적어도 일부를 따라 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 신전된다. 도 5에 있어서는, 형성되어 있던 트렌치 라인(TL)(도 3) 중 위치 N2 및 위치 N3의 사이의 부분을 따라 유리 기판(4)의 크랙이 신전된다. 이에 의해 크랙 라인(CL)이 형성된다.5, a crack of the glass substrate 4 in the thickness direction DT is stretched along at least a part of the trench line TL in step S50 (Fig. 2) after step S30 (Fig. 2) . 5, a crack of the glass substrate 4 is extended along the portion between the position N2 and the position N3 in the formed trench line TL (Fig. 3). Whereby a crack line CL is formed.

본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)과 위치 N2에서 교차하는 어시스트 라인(AL)이 형성되는 것을 계기로 하여, 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 어시스트 라인(AL)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙을 수반하는 통상의 스크라이브 라인이면 좋고, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡을 해방하는 것이다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 도 5에 나타내는 바와 같이, 상면(SF1)의 가장자리를 기점으로 하여 형성되어도 좋다.In this embodiment, the formation of the crack line CL starts with the fact that the assist line AL crossing the trench line TL at the position N2 is formed. The assist line AL may be a normal scribe line accompanied by a crack in the thickness direction DT and releases the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL. The method of forming the assist line AL is not particularly limited, but it may be formed with the edge of the upper surface SF1 as a starting point, as shown in Fig.

도 6을 참조하여, 크랙 라인(CL)에 의해 트렌치 라인(TL)의 하방에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 5에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향 DC에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해 차단되지 않는 연결을 말한다. 또한, 전술한 바와 같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 통하여 유리 기판(4)의 부분끼리가 접촉하고 있어도 좋다. 또한, 트렌치 라인(TL)의 직하에 약간 연속적인 연결이 남겨져 있어도 좋다.6, the glass substrate 4 below the trench line TL by the crack line CL is tilted in the direction intersecting the extending direction (the lateral direction in Fig. 5) of the trench line TL The continuous connection is disconnected. Here, " continuous connection " means, in other words, a connection that is not blocked by a crack. Further, in the state where the continuous connection is broken as described above, the portions of the glass substrate 4 may be in contact with each other through the cracks of the crack line CL. Also, a slight continuous connection may be left directly under the trench line TL.

본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)(도 3)을 따라 크랙 라인(CL)(도 5)이 신전하는 방향(도 5의 파선 화살표)은, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향(도 3의 실선 화살표)과 동일하게 된다. 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 그와 같이 선택하기 위해서는, 트렌치 라인(TL)의 형성 방법이 적절히 선택되면 좋다.In the present embodiment, the direction in which the crack line CL (FIG. 5) extends (broken arrow in FIG. 5) along the trench line TL (FIG. 3) The solid line arrow of FIG. In order to select the extension direction of the crack line CL as such, the method of forming the trench line TL may be appropriately selected.

본 발명자의 검토에 의하면, 본 실시 형태와 같이 날끝(51)(도 1)의 방향 DA로의 슬라이딩에 의해 트렌치 라인(TL)이 형성되는 경우는, 날끝(51)의 축방향(AX)이 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 대하여 수직에 가까우면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 동일하게 된다. 또한, 본 실시 형태와 같이 날끝(51)(도 1)의 방향 DA로의 슬라이딩에 의해 트렌치 라인(TL)이 형성되는 경우에 있어서, 상기와는 반대로 축방향(AX)이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 법선 방향으로부터 크게 기울어 있으면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 반대로 된다. 축방향(AX)이 이들 중간적인 각도이면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 불안정하게 되어, 그 예측이 곤란해진다.According to the study by the present inventor, when the trench line TL is formed by sliding in the direction DA of the blade edge 51 (Fig. 1) as in the present embodiment, The extension direction of the crack line CL becomes the same as the extension direction of the trench line TL when the top surface SF1 of the substrate 4 is close to the vertical direction. When the trench line TL is formed by sliding in the direction DA of the blade tip 51 (Fig. 1) as in the present embodiment, the axial direction AX is formed on the glass substrate 4 The extension direction of the crack line CL is opposite to the extension direction of the trench line TL if the slope is inclined largely from the normal direction of the upper surface SF1. If the axial direction AX is at these intermediate angles, the extension direction of the crack line CL becomes unstable, and the prediction becomes difficult.

따라서 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 트렌치 라인(TL)의 형성 방향과, 보다 확실하게 동일하게 하기 위해서는, 축방향(AX)(도 1)의 각도가 상면(SF1)에 대하여 보다 수직에 가까워지도록 날끝(51)의 자세를 조정하면 좋다. 환언하면, 상면(SF1)과 측면(SD3)의 사이의 각도 AG1을 증대시키고, 또한 상면(SF1)과 천면(SD1)의 사이의 각도 AG2를 감소시킴으로써, 보다 확실하게, 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 동일하게 할 수 있다.Therefore, in order to more surely make the extension direction of the crack line CL equal to the formation direction of the trench line TL, the angle of the axial direction AX (FIG. 1) is more perpendicular to the upper surface SF1 The posture of the blade 51 may be adjusted. In other words, by increasing the angle AG1 between the upper surface SF1 and the side surface SD3 and decreasing the angle AG2 between the upper surface SF1 and the top surface SD1, The extension direction can be the same as the extension direction of the trench line TL.

전술한 바와 같이 날끝(51)(도 1)의 자세를 조정하면, 각도 AG1이 증대하고 또한 각도 AG2가 감소한다. 천면(SD1)과 측부(PS)의 사이의 각도가 158°인 날끝(51)을 이용한 제1 실험에 의하면, 각도 AG1=5°또한 각도 AG2=17°로 하면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 반대로 되었다. 축방향(AX)의 조정에 의해, 각도 AG1=각도 AG2=11°로 하면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 동일하게 되었다. 천면(SD1)과 측부(PS)의 사이의 각도가 165°인 날끝(51)을 이용한 제2 실험에 의하면, 각도 AG1=5°또한 각도 AG2=10°로 하면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 반대로 되었다. 축방향(AX)의 조정에 의해, 각도 AG1=7°또한 각도 AG2=8°로 하면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 동일하게 되었다. 또한, 날끝(51)의 돌기부(PP)는, 어느 정도 예리한 것이 요망되기 때문에, 천면(SD1)과 측부(PS)의 사이의 각도는 160°정도 이하인 것이 바람직하다. 그러한 조건하에 있어서는, 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 트렌치 라인(TL)의 신전 방향과 동일하게 하기 위해서는, 각도 AG2≤각도 AG1로 하는 것이 바람직하다.As described above, when the posture of the blade 51 (Fig. 1) is adjusted, the angle AG1 increases and the angle AG2 decreases. According to the first experiment using the edge 51 having an angle of 158 between the top face SD1 and the side face PS, when the angle AG1 = 5 占 and the angle AG2 = 17 占, the extension of the crack line CL The direction was opposite to the extension direction of the trench line TL. The extension direction of the crack line CL becomes equal to the extension direction of the trench line TL when the angle AG1 = the angle AG2 = 11 degrees by adjustment of the axial direction AX. According to the second experiment using the edge 51 having an angle of 165 between the top surface SD1 and the side surface PS, when the angle AG1 = 5 占 and the angle AG2 = 10 占 the extension of the crack line CL The direction was opposite to the extension direction of the trench line TL. The extension direction of the crack line CL becomes equal to the extension direction of the trench line TL by setting the angle AG1 = 7 DEG and the angle AG2 = 8 DEG by adjusting the axial direction AX. It is desirable that the projecting portion PP of the blade edge 51 should have a certain degree of sharpness so that the angle between the topsheet SD1 and the side surface PS is preferably about 160 DEG or less. Under such a condition, it is preferable to set the angle AG2 to the angle AG2 in order to make the extension direction of the crack line CL equal to the extension direction of the trench line TL.

상기와 같이 크랙 라인(CL)의 신전 방향이 선택되는 경우, 트렌치 라인(TL)을 따라 위치 N2로부터 위치 N3의 쪽으로(도 5 중, 파선 화살표 참조), 두께 방향(DT)(도 6)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 신전한다. 또한 위치 N2로부터 위치 N3으로의 방향에 비하여, 위치 N2로부터 위치 N1로의 방향으로는, 크랙 라인(CL)이 형성되기 어렵다. 즉 크랙 라인(CL)의 신전의 되기 용이함에는 방향 의존성이 존재한다. 따라서 크랙 라인(CL)이 위치 N2 및 N3의 사이에는 형성되고 위치 N2 및 N1의 사이에는 형성되지 않는다는 현상이 생길 수 있다. 본 실시 형태는 위치 N2 및 N3간을 따른 유리 기판(4)의 분단을 목적으로 하고 있고, 위치 N2 및 N1간을 따른 유리 기판(4)의 분리는 목적으로 하고 있지 않다. 따라서 위치 N2 및 N3간에서 크랙 라인(CL)이 형성되는 것이 필요한 한편으로, 위치 N2 및 N1간에서의 크랙 라인(CL)의 형성되기 어려움은 문제가 되지 않는다.6) along the trench line TL from the position N2 toward the position N3 (see the dashed arrow in Fig. 5) along the trench line TL when the extension direction of the crack line CL is selected as described above A crack of the glass substrate 4 in the glass substrate 4 is expanded. Further, the crack line CL is hardly formed in the direction from the position N2 to the position N1, as compared with the direction from the position N2 to the position N3. In other words, there is a direction dependency in easiness of extension of the crack line CL. Therefore, there may occur a phenomenon that the crack line CL is formed between the positions N2 and N3 and is not formed between the positions N2 and N1. The present embodiment aims at the division of the glass substrate 4 along the positions N2 and N3 and does not aim at the separation of the glass substrate 4 along the positions N2 and N1. Therefore, it is necessary that the crack line CL be formed between the positions N2 and N3, but the difficulty of forming the crack line CL between the positions N2 and N1 is not a problem.

다음으로, 스텝 S60(도 2)에서, 크랙 라인(CL)을 따라 유리 기판(4)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 유리 기판(4)으로의 외력의 인가에 의해 행할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판(4)의 상면(SF1)상의 크랙 라인(CL)(도 6)을 향해 하면(SF2)상에 응력 인가 부재를 밀어붙임으로써, 유리 기판(4)으로 크랙 라인(CL)을 여는 바와 같은 응력이 인가된다. 또한, 크랙 라인(CL)이 그 형성시에 두께 방향(DT)으로 완전히 진행된 경우는, 크랙 라인(CL)의 형성과 유리 기판(4)의 분단이 동시에 발생할 수 있다.Next, in step S60 (Fig. 2), the glass substrate 4 is divided along the crack line CL. Namely, a so-called brake process is performed. The breaking process can be performed, for example, by application of an external force to the glass substrate 4. [ For example, by applying a stress applying member onto the lower face SF2 toward the crack line CL (Fig. 6) on the upper face SF1 of the glass substrate 4, the crack line CL As shown in Fig. When the crack line CL is completely advanced in the thickness direction DT at the time of its formation, the formation of the crack line CL and the division of the glass substrate 4 can occur at the same time.

이상에 의해 유리 기판(4)의 분단이 행해진다. 또한 전술한 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 이른바 브레이크 공정과 본질적으로 상이하다. 브레이크 공정은, 이미 형성되어 있는 크랙을 두께 방향으로 더욱 신전시켜, 기판을 완전히 분리하는 것이다. 한편, 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해 얻어진 크랙리스 상태로부터, 크랙을 갖는 상태로의 변화를 가져오는 것이다. 이 변화는, 크랙리스 상태가 갖는 내부 응력의 개방에 의해 발생한다고 생각된다. 트렌치 라인(TL)의 형성시의 소성 변형 및, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해 생성되는 내부 응력의 크기나 방향성 등의 상태는, 회전날의 전동이 이용되는 경우와, 본 실시 형태와 같이 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우에서는 상이하다고 생각되고, 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우에는, 보다 넓은 스크라이브 조건에 있어서 크랙이 발생하기 쉬워진다. 또한 내부 응력의 개방에는 그 계기로서 응력 인가가 필요하고, 본 실시 형태에 있어서는, 어시스트 라인(AL)의 형성이 그러한 계기로서 작용한다.As a result, the glass substrate 4 is divided. The above-described crack line CL forming process is essentially different from the so-called break process. In the breaking process, the already formed crack is further extended in the thickness direction to completely separate the substrate. On the other hand, the step of forming the crack line CL causes a change from a crackle state obtained by forming the trench line TL to a state having a crack. It is considered that this change is caused by the opening of the internal stress of the crackle state. The state such as the size and direction of the internal stress generated by the plastic deformation at the time of forming the trench line TL and the formation of the trench line TL is the same as in the case where the rotation of the rotary blade is used, In the case where sliding of the blade edge is used, it is considered to be different. When sliding of the blade edge is used, cracks tend to occur in a wider scribe condition. In addition, stress is required as an instrument to open the internal stress. In the present embodiment, the formation of the assist line AL serves as such an instrument.

또한 상기에 있어서는 상면(SF1)이 평탄한 경우에 대해서 설명했지만, 상면은 만곡하고 있어도 좋다. 또한 트렌치 라인(TL)이 직선 형상인 경우에 대해서 설명했지만, 트렌치 라인은 곡선 형상이라도 좋다. 또한 취성 기판으로서 유리 기판(4)이 이용되는 경우에 대해서 설명했지만, 취성 기판은, 유리 이외의 취성 재료로 만들어져 있어도 좋고, 예를 들면, 세라믹스, 실리콘, 화합물 반도체, 사파이어 또는 석영으로 만들어질 수 있다.In the above description, the upper surface SF1 is flat, but the upper surface may be curved. Although the case where the trench line TL is linear is described, the trench line may have a curved shape. The brittle substrate may be made of a brittle material other than glass and may be made of ceramics, silicon, a compound semiconductor, sapphire or quartz, for example. have.

(효과) (effect)

본 실시 형태에 의하면, 유리 기판(4)이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 하방에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인(TL)(도 4)이 형성된다. 분단의 직접 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)(도 6)은, 트렌치 라인(TL)의 형성 후에 그것을 따라 크랙을 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라, 유리 기판(4)이 분단되게 되는 위치를, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인인 트렌치 라인(TL)에 의해 규정할 수 있다.According to the present embodiment, as a line defining the position where the glass substrate 4 is divided, a trench line TL (Fig. 4) having no cracks is formed below the line. The crack line CL (FIG. 6) to be used as a direct instrument of division is formed by extending a crack along the trench line TL after formation thereof. Thus, the position where the glass substrate 4 is divided can be defined by the trench line TL which is a line which does not involve vertical cracks.

상기와 같이, 수직 크랙을 수반하지 않는 라인인 트렌치 라인(TL)은, 수직 크랙을 수반하는 통상의 스크라이브 라인에 비하여, 유리 기판(4)으로 날끝(51)을 밀어붙이는 하중이 비교적 작아도 형성하기 쉽다. 날끝(51)의 하중의 경감은, 날끝(51)의 마모 또는 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 손상을 경감시키는데 유용하다.As described above, the trench line TL, which is a line that does not involve vertical cracks, can be formed even if the load to push the blade tip 51 with the glass substrate 4 is relatively small as compared with a normal scribe line involving vertical cracks easy. The reduction of the load on the blade tip 51 is useful for alleviating wear of the blade tip 51 or damage to the upper surface SF1 of the glass substrate 4. [

또한 본 실시 형태와 같이 날끝(51)이 방향 DA(도 1)를 향하여 슬라이딩되는 경우, 날끝(51)이 방향 DB를 향해 슬라이딩되는 경우에 비하여, 날끝(51)의 국소적인 마모가 생기기 어려워진다. 이에 의해 날끝(51)의 수명이 길어진다.Also, when the blade 51 is slid toward the direction DA (FIG. 1) as in the present embodiment, local wear of the blade 51 is less likely to occur than when the blade 51 slides toward the direction DB . Thus, the life of the blade 51 becomes longer.

또한, 트렌치 라인(TL)의 형성 후 또한 크랙 라인(CL)의 형성 전의 유리 기판(4)(도 3)은, 유리 기판(4)이 분단되는 위치가 트렌치 라인(TL)에 의해 규정되면서도, 크랙 라인(CL)이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 상태에 있다. 이 상태를 이용함으로써, 유리 기판(4)이 분단되는 위치를 미리 규정하면서도, 분단되어야 할 시점보다 전에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단 되는 것을 막을 수 있다. 예를 들면, 반송 중에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단되는 것을 막을 수 있다. 또한, 이 유리 기판(4)으로의 어떠한 가공 중에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단되는 것을 막을 수 있다.The glass substrate 4 (Fig. 3) after the formation of the trench line TL and before the formation of the crack line CL is defined by the trench line TL at the position where the glass substrate 4 is divided, Since the crack line CL has not been formed yet, the fracture is not easily generated. By using this state, it is possible to prevent the glass substrate 4 from being unintentionally divided before the time when the glass substrate 4 is to be divided, while stipulating the position at which the glass substrate 4 is divided. For example, it is possible to prevent the glass substrate 4 from being unintentionally divided during transportation. In addition, it is possible to prevent the glass substrate 4 from being unintentionally divided during any processing on the glass substrate 4.

또한, 후술하는 실시 형태 2와 달리 본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 시점(도 3)에서는 어시스트 라인(AL)(도 5)은 아직 형성되어 있지 않다. 따라서 크랙리스 상태를, 어시스트 라인(AL)으로부터의 영향 없이, 보다 안정적으로 유지할 수 있다.In the present embodiment, unlike the second embodiment described later, the assist line AL (FIG. 5) is not yet formed at the time when the trench line TL is formed (FIG. 3). Therefore, the crackle state can be more stably maintained without the influence from the assist line (AL).

(제1 변형예) (First Modification)

도 7을 참조하여, 제1 변형예는, 어시스트 라인(AL)과 트렌치 라인(TL)의 위치 N2에서의 교차에서는 크랙 라인(CL)(도 5)의 형성 개시의 계기가 충분히 얻어지지 않는 경우에 관한 것이다. 도 8을 참조하여, 유리 기판(4)으로, 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가함으로써, 어시스트 라인(AL)을 따라 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙이 신전하고, 그 결과, 유리 기판(4)이 분리된다. 이것을 계기로 하여 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 본 변형예에 의하면, 트렌치 라인(TL)으로부터 크랙 라인(CL)을, 보다 확실하게 형성할 수 있다.Referring to Fig. 7, in the first modification, when the moment of initiation of formation of the crack line CL (Fig. 5) is not sufficiently obtained at the intersection of the assist line AL and the trench line TL at the position N2 . 8, cracks in the thickness direction DT are exerted along the assist line AL by applying an external force to the glass substrate 4 to generate a bending moment or the like. As a result, 4) are separated. With this as a trigger, the formation of the crack line CL is started. According to this modification, the crack line CL can be more reliably formed from the trench line TL.

또한 본 변형예에 있어서는, 유리 기판(4)의 분리에 의해 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡이 해방되고, 그에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 따라서 어시스트 라인(AL) 자신이, 트렌치 라인(TL)에 응력을 가함으로써 형성된 크랙 라인(CL)이라도 좋다.In this modification, the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL is released by the separation of the glass substrate 4, and thereby the formation of the crack line CL is started. Therefore, the assist line AL itself may be a crack line CL formed by stressing the trench line TL.

또한, 도 7에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 형성되지만, 어시스트 라인(AL)은 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃상, 위치 N2에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다.7, the assist line AL is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4. However, the assist line AL may be formed on the lower surface SF2. In this case, the assist line AL and the trench line TL cross each other at the position N2 in the plan layout, but do not make direct contact with each other.

(제2 변형예)(Second Modification)

도 9를 참조하여, 제2 변형예에 있어서는, 스텝 S30(도 2)에서 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 위치 N3에 비하여 위치 N2에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치 N4를 위치 N3 및 N2의 사이의 위치로 하여, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치 N4에 이른 시점에서, 날끝(51)의 하중이 저감된다. 환언하면, 날끝(51)의 하중이, 위치 N3에 비하여, 트렌치 라인(TL)의 시단부인 위치 N1 및 N4의 사이에서 높여진다. 이에 따라, 시단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치 N2로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.9, in the second modification, when the trench line TL is formed in step S30 (FIG. 2), the edge 51 is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 in comparison with the position N3 And is pushed to a greater force at position N2. Specifically, when the position N4 is located between the positions N3 and N2 and the formation of the trench line TL reaches the position N4, the load on the blade tip 51 is reduced. In other words, the load of the blade tip 51 is higher than the position N3 between the positions N1 and N4, which are the start ends of the trench line TL. This makes it easier to cause the formation of the crack line CL from the position N2 while reducing the load at the portion other than the leading end portion.

<실시 형태 2>≪ Embodiment 2 >

본 실시 형태에 있어서의 유리 기판(4)의 분단 방법에 대해서, 도 10∼도 12를 이용하면서, 이하에 설명한다.The method of dividing the glass substrate 4 in the present embodiment will be described below with reference to Figs. 10 to 12. Fig.

도 10을 참조하여, 본 실시 형태에 있어서는, 실시 형태 1과 달리, 어시스트 라인(AL)이 트렌치 라인(TL)의 형성 전에 형성된다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법 자체는, 도 5(실시 형태 1)와 동일하다.Referring to Fig. 10, in this embodiment, an assist line AL is formed before formation of the trench line TL, unlike the first embodiment. The method of forming the assist line AL itself is the same as that of Fig. 5 (Embodiment 1).

도 11을 참조하여, 다음으로, 스텝 S20(도 2)에서 상면(SF1)에 날끝(51)이 밀어붙여지고, 그리고 스텝 S30(도 2)에서, 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 방법 자체는, 도 3(실시 형태 1)과 동일하다. 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은 위치 N2에서 서로 교차한다.11, next, the blade tip 51 is pushed against the upper surface SF1 in step S20 (Fig. 2), and the trench line TL is formed in step S30 (Fig. 2). The formation method of the trench line TL itself is the same as that of Fig. 3 (Embodiment 1). The assist line (AL) and the trench line (TL) cross each other at the position N2.

도 12를 참조하여, 다음으로, 유리 기판(4)에 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 더하는 통상의 브레이크 공정에 의해, 어시스트 라인(AL)을 따라 유리 기판(4)이 분리된다. 이에 따라, 스텝 S50(도 2)으로서, 실시 형태 1과 동일한 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 또한, 도 10에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 형성되지만, 유리 기판(4)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 유리 기판(4)의 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃상, 위치 N2에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다.Next, referring to Fig. 12, the glass substrate 4 is detached along the assist line AL by a normal breaking process of adding an external force to the glass substrate 4 to generate a bending moment or the like. Thus, as step S50 (Fig. 2), formation of the crack line CL similar to that of the first embodiment is started (see the dashed arrow in the figure). 10, the assist line AL is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4, but the assist line AL for separating the glass substrate 4 is formed on the lower surface of the glass substrate 4 SF2). In this case, the assist line AL and the trench line TL cross each other at the position N2 in the plan layout, but do not make direct contact with each other.

또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 상술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하다.The configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the above-described first embodiment.

도 13을 참조하여, 다음으로 변형예에 대해서 설명한다. 본 변형예에 있어서는, 스텝 S30(도 2)에서 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 위치 N3에 비하여 위치 N2에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치 N4를 위치 N3 및 N2의 사이의 위치로 하여, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치 N4에 이른 시점에서, 날끝(51)의 하중이 저감된다. 환언하면, 날끝(51)의 하중이, 위치 N3에 비하여, 트렌치 라인(TL)의 시단부인 위치 N1 및 N4의 사이에서 높여진다. 이에 따라, 시단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치 N2로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.Next, a modification will be described with reference to FIG. In this modification, when the trench line TL is formed in step S30 (Fig. 2), the edge 51 is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 with a larger force at the position N2 Is pushed. Specifically, when the position N4 is located between the positions N3 and N2 and the formation of the trench line TL reaches the position N4, the load on the blade tip 51 is reduced. In other words, the load of the blade tip 51 is higher than the position N3 between the positions N1 and N4, which are the start ends of the trench line TL. This makes it easier to cause the formation of the crack line CL from the position N2 while reducing the load at the portion other than the leading end portion.

<실시 형태 3>≪ Embodiment 3 >

본 실시 형태에 있어서는, 실시 형태 1 및 2와 달리 트렌치 라인(TL)이, 날끝(51)(도 1)을 유리 기판(4)의 상면(SF1)상에서, 방향 DA를 대신하여 방향 DB로 슬라이딩시킴으로써 형성된다.구체적으로는, 이하의 공정이 행해진다.In the present embodiment, unlike the first and second embodiments, the trench line TL slides on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 in the direction DB instead of the direction DA, Specifically, the following steps are carried out.

도 14를 참조하여, 우선, 상면(SF1)에 날끝(51)의 돌기부(PP) 및 측부(PS)가 위치 N3에서 밀어붙여진다. 날끝(51)의 밀어붙임은, 도 1(A)를 참조하여, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 날끝(51)의 돌기부(PP)가 변 ED1 및 측부(PS)의 사이에 배치되도록, 또한 날끝(51)의 측부(PS)가 돌기부(PP)와 변 ED2의 사이에 배치되도록 행해진다.Referring to Fig. 14, first, the projection PP and the side portion PS of the blade tip 51 are pushed to the upper surface SF1 at the position N3. 1 (A), the projecting portion PP of the blade tip 51 on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 is disposed between the side ED1 and the side PS And the side PS of the blade 51 is arranged between the projection PP and the edge ED2.

다음으로, 밀어붙여진 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 슬라이딩된다(도면 중의 화살표 참조). 날끝(51)(도 1)은, 상면(SF1) 상에서, 측부(PS)로부터 돌기부(PP)로 향하는 방향 DB로 슬라이딩된다. 환언하면, 날끝(51)(도 1)은, 측부(PS)로부터 돌기부(PP)로 향하는 방향을 상면(SF1) 상에 투영 한 방향 DB로 슬라이딩된다. 방향 DB는, 돌기부(PP)의 근방에 있어서의 측부(PS)의 연재 방향을 상면(SF1)상에 투영한 방향을 대체로 따르고 있다. 이 슬라이딩에 의해, 실시 형태 1과 동일하게, 트렌치 라인(TL)이 형성된다.Next, the extruded edge 51 is slid on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 (see arrows in the drawing). The edge 51 (Fig. 1) is slid onto the upper surface SF1 in the direction DB directed from the side PS to the projection PP. In other words, the nib 51 (Fig. 1) is slid in the direction DB in which the direction from the side PS to the projection PP is projected on the upper surface SF1. The direction DB generally follows the direction in which the extending direction of the side portion PS in the vicinity of the projection PP is projected onto the upper surface SF1. By this sliding, the trench line TL is formed in the same manner as in the first embodiment.

트렌치 라인(TL)이 형성될 때, 본 실시 형태에 있어서는, 위치 N3으로부터 위치 N2로 날끝(51)이 변위되고, 추가로 위치 N2로부터 위치 N1로 변위된다. 즉, 도 1을 참조하여, 날끝(51)이, 변 ED2로부터 변 ED1로 향하는 방향인 방향 DB로 변위된다. 방향 DB는, 날끝(51)으로부터 연장되는 축방향(AX)을 상면(SF1) 상으로 투영한 방향과 반대의 방향에 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해 상면(SF1)상을 밀어나아가진다.When the trench line TL is formed, in this embodiment, the blade tip 51 is displaced from the position N3 to the position N2 and further displaced from the position N2 to the position N1. That is, referring to Fig. 1, the blade tip 51 is displaced in the direction DB which is the direction from the side ED2 to the side ED1. The direction DB corresponds to a direction opposite to a direction in which the axial direction AX extending from the edge 51 is projected onto the upper surface SF1. In this case, the blade 51 pushes the upper surface SF1 by the shank 52. [

다음으로, 실시 형태 1(도 5)과 동일하게, 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)의 신전 방향은 실시 형태 1의 것(도 5에 있어서의 파선 화살표)과 동일하다. 따라서 본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)(도 14)을 따라 크랙 라인(CL)(도 5)이 신전하는 방향(도 5의 파선 화살표)은, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향(도 14의 실선 화살표)과 반대로 된다. 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 그와 같이 선택하기 위해서는, 트렌치 라인(TL)의 형성 방법이 적절히 선택되면 좋다. 구체적으로는, 날끝(51)의 자세가 실시 형태 1과 동일하게 선택되면 좋다. 본 발명자의 검토에 의하면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향은, 트렌치 라인(TL)의 형성 방향이 아니라, 날끝(51)의 자세에 의해 주로 결정된다.Next, crack line CL is formed in the same manner as in Embodiment 1 (Fig. 5). The extension direction of the crack line CL is the same as that of the first embodiment (broken line arrow in Fig. 5). Therefore, in the present embodiment, the direction in which the crack line CL (FIG. 5) extends (broken arrow in FIG. 5) along the trench line TL (FIG. 14) 14). In order to select the extension direction of the crack line CL as such, the method of forming the trench line TL may be appropriately selected. Specifically, the posture of the blade 51 may be selected as in the first embodiment. According to the study by the present inventor, the extension direction of the crack line CL is mainly determined by the posture of the edge 51, not the formation direction of the trench line TL.

또한 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1에 있어서의 제1 변형예(도 7 및 도 8) 및 제2 변형예(도 9)와 동일한 변형예가 적용 가능하다. 또한 실시 형태 2 및 그 변형예와 동일하게, 트렌치 라인(TL)이 형성되기 전에 어시스트 라인(AL)이 형성되어도 좋다.Also in this embodiment, the same modifications as those of the first modification (Figs. 7 and 8) and the second modification (Fig. 9) in the first embodiment are applicable. As in the second embodiment and its modification, the assist line AL may be formed before the trench line TL is formed.

다음으로 변형예에 대해서 설명한다. 우선은, 상기 본 실시 형태와 동일하게, 날끝(51)의 방향 DB(도 1)로의 슬라이딩에 의해 트렌치 라인(TL)이 위치 N3으로부터 N2를 경유하여 N1까지 형성된다. 그 후, 본 변형예에 있어서는, 날끝(51)의 슬라이딩이 위치 N1에서 되꺾인다. 그리고 위치 N1로부터 위치 N2까지, 이미 형성되어 있는 트렌치 라인(TL)상을 날끝(41)이 재차 슬라이딩된다. 환언하면, 날끝(51)의 방향 DB로의 슬라이딩에 의해 형성된 트렌치 라인(TL)의 종단부에 있어서, 날끝(51)의 방향 DA로의 재차 슬라이딩이 행해진다. 이 재차 슬라이딩을 계기로 하여, 트렌치 라인(TL) 중 날끝(51)의 상기 재차 슬라이딩을 받은 부분으로부터 크랙 라인(CL)이 위치 N3을 향해 신전한다. 본 변형예에 의하면, 어시스트 라인(AL)(도 5) 등의 형성을 특별히 필요로 하는 일 없이, 크랙 라인(CL)의 형성이 개시되는 계기를 유리 기판(4)으로 용이하게 부여할 수 있다. 이 재차의 슬라이딩은 위치 N3으로부터 위치 N1까지와 동일하게 방향 DB로 행해져도 좋지만, 위치 N1에 있어서 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF)으로부터 떨어지는 일 없이(즉, 날끝(51)이 상면(SF)에 접촉한 상태가 유지되면서) 반대 방향으로 되꺾어 슬라이딩됨으로써, 확실하게 위치 N1로부터 위치 N2로, 이미 형성된 트렌치 라인(TL)상에 날끝(51)을 재차 슬라이딩시킬 수 있다.Next, a modified example will be described. First, as in the case of the present embodiment, the trench line TL is formed from the position N3 to N1 via N2 by sliding in the direction DB (FIG. 1) of the blade tip 51. [ Thereafter, in this modification, the sliding of the blade 51 is reversed at the position N1. Then, from the position N1 to the position N2, the blade 41 slides again on the already formed trench line TL. In other words, at the end of the trench line TL formed by the sliding of the blade tip 51 in the direction DB, sliding is again performed in the direction DA of the blade tip 51. [ The crack line CL is extended toward the position N3 from the part of the trench line TL which has been slid again by the edge 51 as a trigger. According to this modified example, it is possible to easily provide the glass substrate 4 with a mechanism in which the formation of the crack line CL is started without particularly requiring the formation of the assist line AL (Fig. 5) or the like . This sliding operation may be performed in the same direction DB from the position N3 to the position N1. However, at the position N1, the cutting edge 51 does not fall from the upper surface SF of the glass substrate 4 Is held in contact with the upper surface SF), it is possible to slide the nib 51 again on the already formed trench line TL from the position N1 to the position N2 .

또한, 이 변형예에서는, 날끝(51)의 슬라이딩에 의한 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서, 날끝(51)의 재차 슬라이딩을 받게 되는 부분이 형성될 때에, 날끝(51)의 하중이 높여져도 좋다. 구체적으로는, 위치 N3으로부터 위치 N2까지의 하중과 비교하여, 위치 N2로부터 위치 N1까지의 하중이 높여져도 좋다. 그 후, 날끝(51)이 위치 N1에서 되꺾여 위치 N2까지 슬라이딩할 때도, 이 높여진 하중이 유지되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 날끝(51)이 중복하여 슬라이딩되는 구간(즉 위치 N1과 위치 N2의 사이의 구간) 이외의 구간에서의 날끝(51)의 하중을 경감하면서, 날끝(51)이 중복하여 슬라이딩되는 구간으로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.In this modified example, in the formation of the trench line TL by the sliding of the blade 51, when the portion of the blade 51 to be subjected to sliding again is formed, even if the load of the blade 51 is increased good. More specifically, the load from the position N2 to the position N1 may be higher than the load from the position N3 to the position N2. Thereafter, it is preferable that the raised load is maintained even when the blade 51 slides back from the position N1 to the position N2. This reduces the load on the blade tip 51 in the section other than the section where the blade tip 51 is slidingly overlapped (that is, the section between the positions N1 and N2), and the section where the blade tip 51 is slidingly overlapped It is possible to easily cause the formation of the crack line CL from the crack line CL.

<실시 형태 4>≪ Fourth Embodiment >

도 15를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서는, 날끝(51)의 방향 DB(도 1)로의 슬라이딩에 의해 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)이, 유리 기판(4)의 가장자리인 변 ED1에 위치하는 위치 N0을 통과한다. 이에 따라 날끝(51)은 위치 N0에 있어서 유리 기판(4)의 가장자리를 잘라내린다. 이것을 계기로 하여, 도 16에 나타내는 바와 같이, 크랙 라인(CL)이 위치 N0으로부터 위치 N3을 향하여 신전한다. 본 실시 형태에 의하면, 어시스트 라인(AL)(도 5) 등의 형성을 특별히 필요로 하는 일 없이, 크랙 라인(CL)의 형성이 개시되는 계기를 유리 기판(4)으로 용이하게 부여할 수 있다.15, in the present embodiment, when the trench line TL is formed by sliding in the direction DB (Fig. 1) of the blade tip 51, the blade tip 51 is located at the edge of the glass substrate 4 Passes through a position N0 located on a side ED1. Thus, the edge 51 cuts the edge of the glass substrate 4 at the position N0. With this as an occasion, as shown in Fig. 16, the crack line CL is extended from the position N0 toward the position N3. According to the present embodiment, it is possible to easily impart the glass substrate 4 with a mechanism for starting the formation of the crack line CL without particularly requiring the formation of the assist line AL (Fig. 5) or the like .

또한, 크랙 라인(CL)의 형성은, 트렌치 라인(TL) 상의 소정의 개소에 있어서 유리 기판(4)에, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡을 해방하는 바와 같은 응력을 인가함으로써 개시된다. 응력의 인가는, 실시 형태 1∼3에서 설명한 어시스트 라인(AL)의 형성 혹은 그에 따른 유리 기판의 분리, 또는 실시 형태 4에서 설명한 유리 기판(4)의 가장자리를 잘라내림에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 형성된 트렌치 라인(TL)상 또는 그 부근에 재차 날끝을 밀어붙이는 것에 의한 외부 응력의 인가, 또는, 레이저광의 조사 등에 의한 가열에 의해서도 행할 수 있다.The crack line CL can be formed by applying stress to the glass substrate 4 at a predetermined location on the trench line TL by applying stress such as to relax the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL do. The application of the stress is not limited to the formation of the assist line AL described in the first to third embodiments or the subsequent separation of the glass substrate or the cutting of the edge of the glass substrate 4 described in the fourth embodiment, For example, application of an external stress by pushing the blade tip again on or near the formed trench line TL, or heating by irradiation with a laser beam or the like can be performed.

<부기(付記)><Appendix>

상기의 모든 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서의 날끝(51)(도 1)의 슬라이딩 방향이 방향 DA인 경우는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향과 동일한 방향으로 크랙 라인(CL)이 형성된다. 또한 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서의 날끝(51)(도 1)의 슬라이딩 방향이 방향 DB인 경우는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향과 반대 방향으로 크랙 라인(CL)이 형성된다. 어느 경우에 있어서도, 날끝(51)의 축방향(AX)이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 법선 방향으로부터 보다 기울어 지면, 크랙 라인(CL)의 신전 방향을, 전술한 것과는 반대로 할 수 있다. 즉, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서의 날끝(51)(도 1)의 슬라이딩 방향이 방향 DA인 경우에, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향과 반대의 방향으로 크랙 라인(CL)이 형성될 수 있다. 또한 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서의 날끝(51)(도 1)의 슬라이딩 방향이 방향 DB인 경우는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향과 동일한 방향으로 크랙 라인(CL)이 형성될 수 있다. 이 경우, 도 1에 있어서의 각도 AG2>각도 AG1로 되는 것이 바람직하다.In all of the above embodiments, in the case where the sliding direction of the edge 51 (FIG. 1) in the formation of the trench line TL is the direction DA, (CL) is formed. When the sliding direction of the edge 51 (FIG. 1) in the formation of the trench line TL is the direction DB, the crack line CL is formed in the direction opposite to the direction in which the trench line TL is formed. In any case, if the axial direction AX of the blade edge 51 is more inclined from the normal line direction of the upper surface SF1 of the glass substrate 4, the extension direction of the crack line CL can be reversed have. That is, when the sliding direction of the nib 51 (FIG. 1) in the formation of the trench line TL is the direction DA, the crack line CL is formed in the direction opposite to the direction in which the trench line TL is formed . When the sliding direction of the edge 51 (FIG. 1) in the formation of the trench line TL is the direction DB, the crack line CL may be formed in the same direction as the direction in which the trench line TL is formed have. In this case, it is preferable that the angle AG2 in Fig. 1> the angle AG1.

또한, 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성되는 계기가 되는 응력 인가의 위치는, 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 고려하여 선택되면 좋다. 예를 들면, 응력 인가로서 어시스트 라인(AL)이 형성되는 경우, 어시스트 라인(AL)이 트렌치 라인(TL)과 교차하는 위치는, 크랙 라인(CL)의 신전 방향을 고려하여 선택된다.In addition, the position of stress application to be the instrument for forming the crack line CL along the trench line TL may be selected in consideration of the extension direction of the crack line CL. For example, when the assist line AL is formed as the stress application, the position where the assist line AL crosses the trench line TL is selected in consideration of the extension direction of the crack line CL.

상기 내용에 기초하여, 하기 (1) 또는 (2)에 기재된 유리 기판(취성 기판)의 분단 방법이 실시될 수 있다.On the basis of the above contents, the method of breaking the glass substrate (brittle substrate) described in the following (1) or (2) can be carried out.

(1) 제1 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼c)를 갖고 있다.(1) The first brittle substrate cutting method has the following steps a) to c).

a) 돌기부와 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면 상에서, 돌기부로부터 측부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 하나의 면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.a) By causing plastic deformation on one surface by sliding a projection having a projection extending from the projection and a side having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the projection toward the side, Trench lines are formed. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.

b) 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.b) a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate along at least a portion of the trench line. Below the trench line by the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.

c) 크랙 라인을 따라 취성 기판이 분단된다.c) The brittle substrate is divided along the crack line.

공정 a)는, 공정 b)에 있어서 크랙 라인이 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 트렌치 라인이 형성된 방향과 반대가 되도록 행해진다.Step a) is carried out such that the direction in which the crackline extends along the trench line in step b) is opposite to the direction in which the trench line is formed.

(2) 제2 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼c)를 갖고 있다.(2) The second brittle substrate cutting method has the following steps a) to c).

a) 돌기부와 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면 상에서, 측부로부터 돌기부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 하나의 면상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.a) By causing plastic deformation on one surface by sliding a projection having a protrusion and a protruding portion and having side portions having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the side portion to the protrusion portion, Trench lines are formed. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.

b) 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.b) a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate along at least a portion of the trench line. Below the trench line by the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.

c) 크랙 라인을 따라 취성 기판이 분단된다.c) The brittle substrate is divided along the crack line.

공정 a)는, 공정 b)에 있어서 크랙 라인이 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 트렌치 라인이 형성된 방향과 동일해지도록 행해진다.The step a) is carried out so that the direction in which the crackline extends along the trench line in the step b) becomes the same as the direction in which the trench line is formed.

4 : 유리 기판(취성 기판)
51 : 날끝
AL : 어시스트 라인
CL : 크랙 라인
SF1 : 상면(하나의 면)
TL : 트렌치 라인
PP : 돌기부
PS : 측부
4: Glass substrate (brittle substrate)
51: End point
AL: assist line
CL: crack line
SF1: Top surface (one surface)
TL: Trench line
PP: protrusion
PS: Side

Claims (3)

a) 돌기부와 상기 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면상에서, 상기 돌기부로부터 상기 측부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 상기 하나의 면상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 트렌치 라인은, 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성되고, 추가로
b) 상기 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
c) 상기 크랙 라인을 따라 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하고,
상기 공정 a)는, 상기 공정 b)에 있어서 상기 크랙 라인이 상기 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 상기 트렌치 라인이 형성된 방향과 동일해지도록 행해지는,
취성 기판의 분단 방법.
a) generating a plastic deformation on the one surface by sliding a projection having a projection and a side extending from the projection and having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the projection toward the side, And forming a trench line having a groove shape, wherein the trench line is in a cracked state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction intersecting the trench line below the trench line And further,
b) forming a crack line by extending a crack in the brittle substrate along at least a portion of the trench line, wherein the brittle substrate under the trench line crosses the trench line Continuous connection in the direction is disconnected,
c) dividing the brittle substrate along the crack line,
The step a) is performed so that the direction in which the crack line extends along the trench line in the step b) is the same as the direction in which the trench line is formed,
Method of breaking a brittle substrate.
a) 돌기부와 상기 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖는 날끝을 취성 기판의 하나의 면상에서, 상기 측부로부터 상기 돌기부로 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 상기 하나의 면상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 트렌치 라인은, 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성되고, 추가로
b) 상기 트렌치 라인의 적어도 일부를 따라 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
c) 상기 크랙 라인을 따라 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하고,
상기 공정 a)는, 상기 공정 b)에 있어서 상기 크랙 라인이 상기 트렌치 라인을 따라 신전하는 방향이, 상기 트렌치 라인이 형성된 방향과 반대가 되도록 행해지는,
취성 기판의 분단 방법.
a) generating a plastic deformation on the one surface by sliding a projection having a projection and a side extending from the projection and having a convex shape on one surface of the brittle substrate in a direction from the side to the projection, And forming a trench line having a groove shape, wherein the trench line is in a cracked state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction intersecting the trench line below the trench line And further,
b) forming a crack line by extending a crack in the brittle substrate along at least a portion of the trench line, wherein the brittle substrate under the trench line crosses the trench line Continuous connection in the direction is disconnected,
c) dividing the brittle substrate along the crack line,
Wherein the step a) is performed so that the direction in which the crack line extends along the trench line in the step b) is opposite to the direction in which the trench line is formed,
Method of breaking a brittle substrate.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 날끝은, 서로 이웃하는 제1 내지 제3 면과, 상기 제1 내지 제3 면이 합류하는 정점과, 상기 제2 및 제3 면이 이루는 능선을 갖고,
상기 날끝의 상기 돌기부는 상기 정점으로 구성되고, 상기 날끝의 상기 측부는 상기 능선으로 구성되는, 취성 기판의 분단 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The edge has a ridge line formed by the first to third surfaces neighboring to each other, the apex at which the first to third surfaces join together, and the second and third surfaces,
Wherein the projecting portion of the blade edge is constituted by the vertexes and the side portion of the blade edge is constituted by the ridgeline.
KR1020187008628A 2015-09-29 2016-09-06 Dividing Method of Brittle Substrate KR102066120B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-191047 2015-09-29
JP2015191047 2015-09-29
PCT/JP2016/076184 WO2017056876A1 (en) 2015-09-29 2016-09-06 Method for cutting brittle substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180044396A true KR20180044396A (en) 2018-05-02
KR102066120B1 KR102066120B1 (en) 2020-01-14

Family

ID=58423357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187008628A KR102066120B1 (en) 2015-09-29 2016-09-06 Dividing Method of Brittle Substrate

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6555354B2 (en)
KR (1) KR102066120B1 (en)
CN (1) CN108136618B (en)
TW (1) TWI609754B (en)
WO (1) WO2017056876A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6589381B2 (en) * 2015-05-29 2019-10-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 Method for forming vertical crack in brittle material substrate and method for dividing brittle material substrate
JP6955754B2 (en) * 2017-07-25 2021-10-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 Diamond cutting edge and substrate cutting method
CN116238058B (en) * 2023-05-12 2023-07-11 山东理工大学 Efficient low-loss processing method for brittle material

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002104078A1 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Production device for organic el display and production method for organic el display
WO2003006391A1 (en) 2001-07-12 2003-01-23 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Flat display panel and method of dividing the flat display panel
KR20110095411A (en) * 2005-07-06 2011-08-24 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Brittle material scribing wheel, and scribing method, scribing apparatus and scribing tool using such brittle material scribing wheel
KR20120134000A (en) * 2011-05-31 2012-12-11 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Scribe method, diamond point and scribe apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07240571A (en) * 1994-02-28 1995-09-12 Kyocera Corp Manufacture of ceramic substrate with split groove
JP4038431B2 (en) * 2001-03-16 2008-01-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing method, cutter wheel, scribing apparatus using the cutter wheel, and cutter wheel manufacturing apparatus for manufacturing the cutter wheel
WO2004048058A1 (en) * 2002-11-22 2004-06-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. Method for dividing substrate and method for manufacturing substrate using such method
JP3868940B2 (en) * 2003-09-03 2007-01-17 テクダイヤ株式会社 Scribing tool and its holder and apparatus
CN101610870B (en) * 2007-10-16 2013-09-11 三星钻石工业股份有限公司 Method of machining u-shaped groove of substrate of fragile material, removal method, boring method and chamfering method using the same method
TWI466749B (en) * 2007-11-02 2015-01-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method for Segmentation of Fragile Material Substrate
KR101041140B1 (en) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 Method for cutting substrate using the same
TWI494284B (en) * 2010-03-19 2015-08-01 Corning Inc Mechanical scoring and separation of strengthened glass
JP5987829B2 (en) * 2011-07-20 2016-09-07 旭硝子株式会社 Sheet glass manufacturing method and apparatus for manufacturing the same
JP5479424B2 (en) * 2011-09-30 2014-04-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing wheel for brittle material, scribing device and scribing tool for brittle material substrate using the same
CN104303270B (en) * 2012-04-24 2016-04-13 株式会社东京精密 cutter
CN105143123B (en) * 2013-07-08 2018-06-29 川崎重工业株式会社 The method for dividing and break-up device of the plank of fragile material
JP6201608B2 (en) * 2013-10-08 2017-09-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing method
JP2015140289A (en) * 2014-01-29 2015-08-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 Break apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002104078A1 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Production device for organic el display and production method for organic el display
WO2003006391A1 (en) 2001-07-12 2003-01-23 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Flat display panel and method of dividing the flat display panel
KR20110095411A (en) * 2005-07-06 2011-08-24 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Brittle material scribing wheel, and scribing method, scribing apparatus and scribing tool using such brittle material scribing wheel
KR20120134000A (en) * 2011-05-31 2012-12-11 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Scribe method, diamond point and scribe apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201711820A (en) 2017-04-01
WO2017056876A1 (en) 2017-04-06
TWI609754B (en) 2018-01-01
CN108136618B (en) 2020-06-09
CN108136618A (en) 2018-06-08
JPWO2017056876A1 (en) 2018-06-21
JP6555354B2 (en) 2019-08-07
KR102066120B1 (en) 2020-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6508263B2 (en) Method of dividing brittle material substrate
JP6519638B2 (en) Method of manufacturing brittle substrate
KR20180044396A (en) Separation method of brittle substrate
KR101856558B1 (en) Method for splitting brittle substrate
KR101901631B1 (en) Method for cutting brittle substrate
KR101856556B1 (en) Method for splitting brittle substrate
KR20160026706A (en) Method of manufacturing liquid crystal display panel
JP6648817B2 (en) Method of cutting brittle substrate
KR101851070B1 (en) Method for dividing brittle substrate
JP2017065007A (en) Method of segmenting brittle substrate
JP2017065006A (en) Method of segmenting brittle substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant