KR20180039349A - 마이크로 센서 패키지 - Google Patents

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KR20180039349A
KR20180039349A KR1020160130540A KR20160130540A KR20180039349A KR 20180039349 A KR20180039349 A KR 20180039349A KR 1020160130540 A KR1020160130540 A KR 1020160130540A KR 20160130540 A KR20160130540 A KR 20160130540A KR 20180039349 A KR20180039349 A KR 20180039349A
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안범모
박승호
변성현
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(주)포인트엔지니어링
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Abstract

본 발명은 마이크로 센서 패키지에 관한 것으로써, 특히, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩과, 상기 센싱칩을 복개하며 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 구멍이 형성되는 커버와, 상기 구멍을 덮는 필터를 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하여, 열전도성이 낮은 마이크로 센서 패키지에 관한 것이다.

Description

마이크로 센서 패키지{Micro sensor package}
본 발명은 마이크로 센서 패키지에 관한 것으로써, 특히, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩과, 상기 센싱칩을 복개하며 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 구멍이 형성되는 커버와, 상기 구멍을 덮는 필터를 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하는 마이크로 센서 패키지에 관한 것이다.
가스의 양을 감지할 수 있는 종래의 가스센서용 초소형 패키지가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
절연성 재질로된 사각 판체상의 몸체부(1) 중앙부에 소정깊이로 칩안착부(2)가 형성되어 있고, 그 칩안착부(2)의 저면에는 에폭시(3)로 센서 칩(4)이 부착되어 있다.
상기 몸체부(1)의 내부에는 다수개의 회로선(5)들이 형성되어 있고, 상기 칩안착부(2)의 내측면 가장자리에는 내주면을 따라 소정높이의 단차부(6)가 형성되어 있다.
상기 단차부(6)에는 상기 회로선(5)의 일단부가 연장된 내측단자(5a)가 형성되어 있고, 상기 몸체부(1)의 하면 가장자리에는 타단부가 연장된 외측단자(5b)가 형성되어 있다.
상기 센서 칩(4)의 상면 중앙부에는 가스를 감지하는 감지막(16)이 형성되어 있고, 가장자리에는 감지막(16)에서 감지된 저항변화를 외부로 전달하는 복수개의 센서측 단자(11)들이 형성되어 있고, 그 센서측 단자(11)와 상기 회로선(5)의 내측단자(5a)는 실버 페이스트(12)에 의해 각각 전기적인 연결이 이루어져 있다.
상기 몸체부(1)의 상측에는 상기 칩안착부(2)가 복개되도록 캡(13)이 접착제(14)로 부착되어 있고, 그와 같이 결합된 캡(13)에는 가스가 칩안착부(2)의 내측으로 유입될 수 있도록 복수개의 가스홀(15)들이 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 가스센서용 초소형 패키지는 가스가 캡(13)의 가스홀(15)을 통하여 칩안착부(2)의 내측으로 유입되면, 그 유입된 가스에 의해 센서 칩(4)의 상면에 형성된 감지막(16)의 저항값이 변화하며, 그와 같이 변화하는 저항값이 회로선(5)을 통하여 제어부(미도시)에 전달되어 가스의 양을 검출하게 된다.
이러한 가스 센서에는 히터를 구비하기도 하는데 센서 칩(4)의 열전도성이 높아서 고온으로 온도를 높여야 할 경우 고전력을 사용해야 하는 문제점이 있다.
한국등록특허공보 제652571호 일본등록특허공보 제5403695호 일본등록특허공보 제5595230호 일본등록특허공보 제5483443호 한국공개특허공보 제2015-0031709호
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 열전도성이 낮은 마이크로 센서 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 패키지는, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩과, 상기 센싱칩을 복개하며 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 구멍이 형성되는 커버와, 상기 구멍을 덮는 필터를 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 패키지는, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩과, 상기 센싱칩을 복개하는 커버를 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하고, 상기 커버에는 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 다수개의 제2포어가 상하방향으로 관통되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 센서 플랫폼은 금속재질의 모재를 양극산화한 후 상기 모재를 제거한 양극산화 피막일 수 있다.
상기 센서 플랫폼은 상기 제1포어가 상하로 관통되는 양극산화 다공층일 수 있다.
상기 기판은 PCB로 구비될 수 있다.
상기 기판은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
상기 기판에는 다수개의 제3포어가 상하방향으로 형성될 수 있다.
상기 커버는 메탈 재질로 형성될 수 있다.
상기 필터에는 다수개의 제4포어가 상하로 관통되게 형성되며, 상기 제4포어는 상기 구멍에 연통될 수 있다.
상기 제4포어는 양극산화를 통해 형성될 수 있다.
상기 필터에는 소수성 처리가 될 수 있다.
상기 필터는 상기 커버의 외측에 설치될 수 있다.
상기 필터는 상기 커버의 내측에 설치될 수 있다.
상기 필터에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리가 될 수 있다.
상기 제2포어는 양극산화를 통해 형성될 수 있다.
상기 커버에는 소수성 처리가 될 수 있다.
상기 커버에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리가 될 수 있다.
상기 센서 플랫폼에는 상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체가 형성될 수 있다.
상기 저항체는 상기 센서전극이 형성되는 면과 동일한 면에 형성될 수 있다.
상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체가 구비되며, 상기 저항체는 상기 기판 상에 형성될 수 있다.
상기 센서전극과 상기 금속패턴은 와이어 본딩될 수 있다.
상기 제1포어는 상하방향으로 관통되게 형성되며, 상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 센서전극과 상기 금속패턴을 전기적으로 연결하는 제1연결부가 형성될 수 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 패키지는, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩을 포함하며, 상기 센싱칩은 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하며, 상기 기판은 다수개의 제3포어가 상하로 관통되게 형성되고, 상기 다수의 제3포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 금속패턴에 연결되는 제2연결부가 형성될 수 있다.
상기 기판은 양극산화 다공층일 수 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 패키지는, 상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩을 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하로 관통되게 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하며, 상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 금속패턴과 상기 센서전극을 연결하는 제1연결부가 형성되는 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 센서 패키지는, 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼에 형성되는 센서전극을 포함하는 센싱칩과, 상기 센서전극을 복개하는 커버를 포함하며, 상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부는 상하로 관통되며, 관통되는 상기 제1포어의 내부에는 상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 제1연결부가 형성되는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 마이크로 센서 패키지에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.
상면에 금속패턴이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩과, 상기 센싱칩을 복개하며 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 구멍이 형성되는 커버와, 상기 구멍을 덮는 필터를 포함하며, 상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하여, 열전도성이 낮아서, 저전력을 이용하여 고온으로 유지할 수 있다.
커버에는 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 다수개의 제2포어가 상하방향으로 관통되어 형성되어, 별도의 필터를 설치하지 않아도 되는 이점이 있다.
상기 기판은 PCB로 구비되어, 저비용으로 마이크로 센서 패키지를 제조할 수 있다.
상기 기판에는 다수개의 제3포어가 상하방향으로 형성되어, 열전도성이 더욱 낮아질 수 있다.
상기 필터에는 소수성 처리가 되어, 가스를 감지하는 부분으로 수분이 침투하는 것이 방지된다.
상기 필터는 상기 커버의 외측에 설치되어, 상기 필터를 상기 커버에 용이하게 설치할 수 있다.
상기 필터에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리되어, 특정가스가 투과 또는 불투과 되도록 할 수 있어서 측정정밀도를 향상시킬 수 있다.
저항체는 상기 센서전극이 형성되는 면과 동일한 면에 형성되어, 상기 저항체를 용이하게 형성할 수 있고, 마이크로 센서 패키지의 부피를 줄일 수 있다.
상기 제1포어는 상하방향으로 관통되게 형성되며, 상기 제1포어의 내부에는 상기 센서전극과 상기 금속패턴을 전기적으로 연결하는 제1연결부가 형성되어, 와이어 본딩 없이 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 기판은 다수개의 제3포어가 상하로 관통되게 형성되고, 상기 제3포어 내부에는 상기 금속패턴에 연결되는 제2연결부가 형성되어, 와이어 본딩 없이 마이크로 센서 패키지를 프린트 기판에 실장시킬 수 있다.
도 1은 가스센서용 초소형 패키지의 종단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 센싱칩 평면도.
도 4는 도 3의 A부분 확대도.
도 5는 도 3의 B-B 단면도.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 11은 본 발명의 제7실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 12는 본 발명의 제8실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 13은 본 발명의 제9실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 14는 본 발명의 제10실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 15는 본 발명의 제11실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
도 16은 본 발명의 제12실시예에 따른 마이크로 센서 패키지 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
참고적으로, 이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
"아래", "위" 등의 상대적인 공간을 나타내는 용어는 도면에서 도시된 한 부분의 다른 부분에 대한 관계를 좀더 쉽게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에서 의도한 의미와 함께 사용중인 장치의 다른 의미나 동작을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 도면중의 장치를 뒤집으면, 다른 부분들의 "아래"에 있는 것으로 설명된 어느 부분들은 다른 부분들의 "위"에 있는 것으로 설명된다. 따라서 "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래 방향을 전부 포함한다. 장치는 90도회전 또는 다른 각도로 회전할 수 있고, 상대적인 공간을 나타내는 용어도 이에 따라서 해석된다.
===================<본 발명의 제1실시예 >===================
도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 마이크로 센서 패키지는, 상면에 금속패턴(3100)이 형성되는 기판(3000)과, 상기 기판(3000)의 상부에 배치되는 센싱칩(1000)과, 상기 센싱칩(1000)을 복개하며 상기 센싱칩(1000)에 가스를 공급하는 구멍(2100)이 형성되는 커버(2000)와, 상기 구멍(2100)을 덮는 필터(4000)를 포함하며, 상기 센싱칩(1000)은 다수개의 제1포어(102)가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼(100)과, 상기 센서 플랫폼(100)의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴(3100)에 전기적으로 연결되는 센서전극(300)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기판(3000)은 상면과 하면이 평평한 판형상으로 형성되어, 수평하게 배치된다.
기판(3000)은 절연재질로 형성된다. 또한, 기판(3000)은 열전도성이 낮은 재질로 형성될 수 있다.
기판(3000)의 상면 양측에는 금속패턴(3100)이 서로 이격되도록 형성된다. 금속패턴(3100)은 좌우방향으로 수평하게 형성된다. 기판(3000)의 상면에는 금속패턴(3100)이 다수개 형성된다. 금속패턴(3100) 상에는 센싱칩(1000)이 실장된다.
기판(3000)은 PCB 또는 세라믹 재질로 구비된다.
기판(3000)에는 금속패턴(3100)에 대응되는 위치에 관통공(3001)이 상하로 관통되게 형성된다. 관통공(3001)의 내부에는 금속부(3200)가 배치된다. 관통공(3001)에는 금속부(3200)가 충전된다.
금속부(3200)의 상부는 금속패턴(3100)에 연결된다.
금속부(3200)는 기판(3000)의 최하단보다 아래로 돌출되도록 형성된다.
이러한 금속부(3200)를 통해 마이크로 센서 패키지가 피씨비에 실장된다.
센싱칩(1000)은 기판(3000)의 상부에 배치되어, 기판(3000)에 실장된다.
센싱칩(1000)은 다수개의 제1포어(102)가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼(100)과, 상기 센서 플랫폼(100)의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴(3100)에 전기적으로 연결되는 센서전극(300)을 포함한다.
센서 플랫폼(100)은 다수개의 제1포어(102)가 상하방향으로 형성된 다공재로 형성되어 단열성능이 향상된다.
금속재질의 모재에 양극산화처리(anodizing)를 하면, 표면에 상부가 개방된 포어를 다수 가지는 양극산화 다공층이 형성된다. 포어는 나노미터크기로 형성된다. 여기서의 금속재질의 모재는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn) 등일 수 있으나, 경량이고, 가공이 용이하고, 열전도성이 우수하며, 중금속 오염의 우려가 없는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
나아가, 양극산화 다공층 하부에 존재하는 베리어층과 모재를 제거하면 양극산화 다공층에 형성된 포어는 상하로 관통되게 된다.
센서 플랫폼(100)에 형성된 제1포어(102)는 알루미늄을 양극산화처리를 하여 형성된다. 따라서, 센서 플랫폼(100)은 양극산화 다공층을 포함한다.
또한, 센서 플랫폼(100)은 양극산화된 알루미늄(AAO)에서 알루미늄과 베리어층이 제거되어, 제1포어(102)는 상하방향으로 관통된다.
전술한 바와 다르게, 센서 플랫폼은 금속재질의 모재를 양극산화한 후 상기 모재만 제거한 양극산화 피막일 수 있다. 즉, 센서 플랫폼은 양극산화 다공층과, 양극산화 다공층 아래에 있는 베리어층을 포함하는 양극산화 피막일 수 있다.
센서 플랫폼(100)은 평면형상이 사각형인 판재로 형성될 수 있다.
센서 플랫폼(100)은 센서 플랫폼(100)의 중심에 형성된 제1지지부(110)와, 제1지지부(110)와 이격되어 외측에 형성된 제2지지부(120)와, 제1지지부(110) 및 제2지지부(120)를 연결하는 브리지부를 포함하여 이루어진다.
제1지지부(110)는 전체적으로 원통 형상이고, 그 외주에 복수 개의 상기 브리지부가 연결된다.
또한, 센서 플랫폼(100)에는 제1지지부(110)의 주변, 즉 제1지지부(110)와 제2지지부(120) 사이에 다수 개의 에어갭(101)이 형성된다.
에어갭(101)은 상하방향으로 관통되어 형성된다. 즉, 에어갭(101)은 센서 플랫폼(100)의 상면에서 하면까지 관통되어 형성된 공간이다.
에어갭(101)의 최대폭(좌우폭)은 제1포어(102) 및 이하 서술되는 상기 센서배선 또는 발열배선(210)의 최대폭보다 넓게 형성된다. 에어갭(101)은 원호형상으로 형성되어, 4개 형성된다. 복수 개의 에어갭(101)은 원주방향으로 이격되게 배치된다.
에어갭(101)은 복수 개가 불연속적으로 형성될 수 있다. 제1지지부(110)의 주변을 둘러, 에어갭(101) 및 상기 브리지부가 교대로 배치된다. 따라서, 제1지지부(110)와 제2지지부(120)는 상기 브리지부 이외의 부분에서 에어갭(101)으로 인해 서로 이격된다. 이러한 상기 브리지부는 제1지지부(110) 주변을 에칭에 의해 불연속으로 에어갭(101)을 형성함으로써, 형성되는 것이다. 그래서 복수 개의 상기 브리지부의 일단은 제1지지부(110)에 연결되고, 타단은 제2지지부(120)에 연결된다. 제1지지부(110)와 제2지지부(120)는 네 개의 상기 브리지부에 의해 네 지점에서 서로 연결된다.
센서전극(300)은 센서 플랫폼(100)의 상면에 형성된다.
이러한 센서전극(300)은 감지물질(600)에 가스가 흡착되었을 때의 전기적 특성 변화를 감지한다.
센서전극(300)은 제1센서전극(300a)과, 제1센서전극(300a)과 이격되게 배치되는 제2센서전극(300b)을 포함한다. 제1센서전극(300a)과 제2센서전극(300b)은 이격되게 배치되며, 평면상에서 수직하게 배치되는 중심선을 기준으로 대칭되게 형성된다.
각각의 제1,2센서전극(300a, 300b)은 제1지지부(110)에 형성되는 상기 센서배선과, 상기 센서배선에 연결되어 상기 브리지부 및 제2지지부(120)에 형성되는 센서전극 패드를 포함한다.
제1센서전극(300a)은 제1지지부(110) 상면에 형성되는 제1센서배선(310a)과, 제1센서배선(310a)에 연결되는 제1센서전극 패드(320a)를 포함한다.
제2센서전극(300b)은 제1지지부(110) 상면에 형성되는 제2센서배선(310b)과, 제2센서배선(310b)에 연결되는 제2센서전극 패드(320b)를 포함한다.
상기 센서배선은 제1센서배선(310a)과 제2센서배선(310b)을 포함한다. 상기 센서전극 패드는 상기 제1센서전극 패드(320a)와 상기 제2센서전극 패드(320b)를 포함한다. 상기 센서배선의 폭은 일정하게 형성된다. 상기 센서전극 패드는 상기 브리지부 및 제2지지부(120)의 상면에 위치하고, 제1센서배선(310a) 및 제2센서배선(310b)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. 제1,2센서전극(300a, 300b)의 상기 센서전극 패드는 단부로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 상기 센서전극 패드는 제1센서배선(310a) 및 제2센서배선(310b)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다.
센서전극(300)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.
히터전극(200)은 센서 플랫폼(100)의 상면에 형성된다.
히터전극(200) 및 센서전극(300) 하부에 위치하는 제1포어(102)는 히터전극(200) 및 센서전극(300)에 의해 상부가 막히고 하부는 개방된다.
히터전극(200)은 상기 센서전극 패드보다 상기 센서배선에 근접하도록 제1지지부(110)에 형성되는 발열배선(210)과, 발열배선(210)에 연결되어 제2지지부(120) 및 상기 브리지부에 형성되는 상기 히터전극 패드를 포함하여 이루어진다.
발열배선(210)은 제1지지부(110)의 상면에 형성되며, 제1센서배선(310a) 및 제2센서배선(310b)의 적어도 일부를 그 외측에서 감싸면서 형성된다. 그리고 상기 히터전극 패드는 발열배선(210)의 양단에 각각 연결되어 서로 이격된 제1히터전극 패드(220a) 및 제2히터전극 패드(220b)를 포함한다.
평면상에서 볼 때, 발열배선(210)은 제1지지부(110)의 수직중심선에 대해 대칭을 이루도록 형성되되, 원호 형상으로 형성된 복수 개의 호부와, 호부를 연결하는 복수 개의 연결부를 포함한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 발열배선(210)은 에어갭(101)에 인접하여 원호 형상으로 형성된 제1호부(211a)와, 제1호부(211a)의 일단에서 제1지지부(110)의 내측을 향해 절곡 연장된 제1절곡부(212a)와, 제1절곡부(212a)의 단부에서 원호 형상으로 연장 형성되어 제1호부(211a)의 내측으로 이격 배치된 제2호부(211b)와, 제2호부(211b)의 단부에서 제1지지부(110)의 내측을 향해 연장 형성된 제2절곡부(212b)… 제3호부(211c)와 같은 방식으로 복수 개의 호부 및 연결부가 반복적으로 연결되어 형성된다.
발열배선(210)은 제1호부(211a)에서 제3호부(211c)까지 연결되어 일체를 이룬다.
발열배선(210)의 복수 개의 호부는 각각 대략 반원호 형상으로 형성되어, 전체적으로 원형을 이룬다. 이로 인해 제1지지부(110) 및 감지물질(600)의 온도 균일성이 향상된다.
발열배선(210)의 중심부는 양쪽의 호부가 서로 만나는 지점으로서, 두 개의 원호 형상의 호부가 합쳐져 일측이 개방된 원형을 이룬다. 그리고 그 내측에 이격공간부(214)가 형성된다. 이격공간부(214)는 제1지지부(110) 및 발열배선(210)의 중심부에서 제1지지부(110) 및 발열배선(210)의 최외측까지 연장되어 형성된다. 이격공간부(214)에는 상기 센서배선이 배치된다. 또한, 제1호부(211a)의 타단부에는 제1히터전극 패드(220a)가 연결되고, 제3호부(211c)의 일단부에는 제2히터전극 패드(220b)가 연결된다.
히터전극(200)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.
한편, 발열배선(210)의 양단, 즉 제1히터전극 패드(220a) 및 제2히터전극 패드(220b)가 각각 연결되는 제1호부(211a) 및 제3호부(211c)의 단부 사이에는 더미금속(500)이 형성된다. 더미금속(500)은 제1지지부(110)의 상면에 형성된다.
더미금속(500)은 히터전극(200)의 발열배선(210)과 에어갭(101) 사이에 원호 형상으로 배치된다. 더미금속(500)은 인접하는 발열배선(210)과는 이격된 채로 형성된다.
더미금속(500)은 발열배선(210)의 외측에 형성되며, 금속인 것이 바람직하다. 더미금속(500)의 재질은 전극 재질과 동일할 수 있고, 여기서의 전극재질은 백금, 알루미늄, 구리 등의 금속일 수 있다.
제1호부(211a) 및 제3호부(211c)는 그 내측의 나머지 호부들에 비해 중심각이 작게 형성된다. 발열배선(210)의 외주 중에서, 제1호부(211a) 및 제3호부(211c)의 단부 사이에는 공간(510)이 형성되고, 이 공간(510)에 더미금속(500)이 위치한다.
더미금속(500)의 형성 면적만큼 발열배선(210)의 외주의 공간(510)이 부분적으로 메워진다. 이로 인해 평면에서 봤을 때, 발열배선(210) 및 더미금속(500)의 외주가 실질적으로 원형을 이룸으로써, 제1지지부(110)의 온도 균일성이 향상되어, 저전력으로 승온된 제1지지부(110) 상의 발열배선(210)의 온도 분포가 보다 균일해 진다.
상기 히터전극 패드는 발열배선(210)의 양단에 각각 연결되는 제1, 2히터전극 패드(220a,220b)를 포함한다. 이와 같이, 상기 히터전극 패드는 적어도 2개 이상으로 형성된다. 상기 히터전극 패드는 외측으로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 상기 히터전극 패드는 발열배선(210)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다. 상기 히터전극 패드는 발열배선(210)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다.
상기 히터전극 패드와 상기 센서전극 패드는 제1지지부(110)를 중심으로 방사상으로 배치된다. 상기 히터전극 패드와 상기 센서전극 패드의 끝단은 서로 이격되게 배치된다.
히터전극(200) 및 센서전극(300) 상부 일부에 변색방지 보호층(미도시)이 형성된다. 상기 변색방지 보호층은 옥사이드 계열의 재질로 형성될 수 있다. 나아가, 상기 변색방지 보호층은 탄탈룸 산화물(TaOx)과 티타늄 산화물(TiO2)과 실리콘 산화물(SiO2)과 알루미늄 산화물(Al2O3) 중 적어도 하나로 형성된다.
발열배선(210) 및 제1,2센서배선(310a, 310b)은 에어갭(101)에 의해 둘러싸인다. 즉 발열배선(210) 및 제1,2센서배선(310a, 310b) 둘레에 에어갭(101)이 배치된다. 에어갭(101)은 발열배선(210) 및 제1,2센서배선(310a, 310b)의 측부에 배치된다.
상세하게는, 에어갭(101)은 제1센서전극(300a)의 제1센서전극 패드(320a)와 제1히터전극 패드(220a) 사이와, 제1히터전극 패드(220a)와 제2히터전극 패드(220b) 사이와, 제2히터전극 패드(220b)와 제2센서전극(300b)의 제2센서전극 패드(320b) 사이와, 제2센서전극(300b)의 제2센서전극 패드(320b)와 제1센서전극(300a)의 제1센서전극 패드(320a) 사이에 배치된다. 즉, 에어갭(101)은 히터전극(200) 및 센서전극(300)을 지지하는 부분을 제외한 영역에 형성된다.
에어갭(101)으로 인해, 센서 플랫폼(100)에는 발열배선(210) 및 상기 센서배선을 공통으로 지지하는 제1지지부(110)와, 상기 히터전극 패드 및 상기 센서전극 패드를 지지하는 제2지지부(120) 및 상기 브리지부가 형성된다.
제1지지부(110)는 발열배선(210) 및 상기 센서배선의 면적보다 넓게 형성된다.
제1지지부(110)에는 발열배선(210) 및 상기 센서배선을 덮는 감지물질(600)이 형성된다. 즉, 감지물질(600)은 제1지지부(110)에 대응되는 위치에 형성된다. 감지물질(600)은 프린팅되어 형성된다. 이와 같이 감지물질(600)이 프린팅되어 형성되면, 감지물질(600)을 형성한 이후에 감지물질(600)의 표면에 메쉬망 형태의 자국이 남는다.
나아가, 센서 플랫폼(100)에는 센서전극(300)의 상기 센서전극 패드에 전기적으로 연결되는 저항체(400)가 형성된다.
저항체(400)는 센서 플랫폼(100)의 상면에 형성되어, 센서전극(300)과 동일한 면상에 형성된다.
저항체(400)는 히터전극(200)과 이격되게 배치된다.
저항체(400)는 제2지지부(120)에 배치된다. 본 실시예에서 가스를 센싱하는 부분(센서전극 및 히터전극)은 센서 플랫폼(100)의 우측에 배치되고, 저항체(400)는 센서 플랫폼(100)의 좌측에 배치된다. 따라서, 저항체(400)와 제1지지부(110) 사이에는 에어갭(101)이 배치된다.
저항체(400)는 적어도 두개 이상의 저항을 포함한다.
상기 저항 중 적어도 하나는 면저항 또는 미세 패턴(선모양)형상으로 형성되어, 저항체(400)의 부피를 최소화할 수 있다.
상세하게는 저항체(400)는 제1,2,3,4,5저항패드(410a, 410b, 410c, 410d, 410e)와, 제1,2,3저항(420a, 420b, 420c)을 포함한다.
각각의 저항패드는 서로 이격되도록 배치된다.
제1저항패드(410a)는 센서전극(300)의 제1센서전극 패드(320a)에 연결된다. 전술한 바와 다르게, 제1저항패드는 센서전극(300)의 제2센서전극 패드에 연결될 수도 있다.
센서전극(300)에 연결되는 저항체(400)의 제1저항패드(410a)는 센서전극(300)의 제1센서전극 패드(320a) 또는 제2센서전극 패드(320b)에 일체로 형성된다. 따라서, 저항체(400)는 센서전극(300)에 일체로 형성된다. 이와 다르게, 저항체와 센서전극은 별도로 형성될 수도 있다.
제1저항패드(410a)는 적어도 하나의 다른 저항패드와 적어도 하나의 저항을 통해 연결된다.
상기 제1저항(420a)의 일측에는 상기 제1저항패드(410a)가 연결되고, 상기 제1저항(420a)의 타측에는 상기 제2저항패드(410b)가 연결된다.
상기 제2저항(420b)의 일측에는 상기 제3저항패드(410c)가 연결되고, 상기 제2저항(420b)의 타측에는 상기 제4저항패드(410d)가 연결된다.
상기 제3저항(420c)의 일측에는 제5저항패드(410e)가 연결되고, 상기 제3저항(420c)의 타측에는 상기 제6저항패드(410f)가 연결된다.
본 실시예에서는 상기 저항체는 5개의 저항을 포함할 수 있다. 상기 저항체는 제1,2,3,4,5저항(420a, 420b, 420c, 420d, 420e)을 포함한다.
본 실시예의 각각의 저항은 양측에 각각 저항패드를 구비한다. 따라서, 나머지 저항인 제4,5저항(420d, 420e)의 일측과 타측에도 각각의 저항패드가 연결된다.
5개의 저항은 각각 다른 저항값을 가지거나, 5개의 저항 중 적어도 두개는 다른 저항값을 가진다.
센서전극(300)의 제1센서전극 패드(320a)에 연결되는 제1저항(420a)은 5개의 저항 중 가장 큰 값이 되도록 할 수 있다. 제1,2,3,4,5저항(420a, 420b, 420c, 420d, 420e)은 면저항으로 구비되어, 선폭(전후폭)이 얇을수록 저항이 크고, 선폭이 넓을수록 저항이 작은 값을 갖는다.
저항체(400)는 센서전극(300)의 제1센서전극 패드(320a)에만 연결되어 센서전극(300)은 저항체(400)에 직렬연결된다.
각각의 저항패드는 감지물질(600)의 저항에 따라 와이어 본딩 등을 통해 센서전극(300)에 선택적으로 연결될 수 있다.
상기 저항 중 적어도 두개는 직렬연결되거나 병렬연결되도록 형성될 수 있다.
상기 센서전극 패드 또는 상기 저항패드 또는 상기 히터전극 패드 아래에 있는 제1포어(102)는 상하방향으로 관통되게 형성된다. 상기 센서전극 패드 또는 상기 저항패드 또는 상기 히터전극 패드와 금속패턴(3100) 사이에 배치되는 제1포어(102)는 상하방향으로 관통되게 형성된다.
즉, 제1포어(102)는 상기 센서전극 패드 또는 상기 저항패드 또는 상기 히터전극 패드가 형성된 면에서 반대면으로 관통하도록 형성된다.
상기 센서전극 패드 또는 상기 저항패드 또는 상기 히터전극 패드 아래에 있는 다수개의 제1포어(102)의 내부에는 센서전극(300)의 상기 센서전극 패드 또는 히터전극(200)의 상기 히터전극 패드와, 센서전극(300) 및 히터전극(200)과 반대쪽에 배치되는 금속패턴(3100)을 전기적으로 연결하는 제1연결부(340)가 형성된다. 즉, 제1포어(102)에는 제1연결부(340)가 충전된다. 제1연결부(340)의 하부는 센서 플랫폼(100)의 하면보다 아래로 돌출되도록 형성될 수 있다.
제1연결부(340)는 센서전극(300)과 반대쪽에 배치되는 금속 또는 패턴 또는 전극을 접속시키는 매개체 역할을 한다.
상기 연결은 직접연결 또는 간접연결을 의미한다. 전술한 바와 다르게, 센서 플랫폼에서 센서전극 및 히터전극 및 저항체가 형성된 면의 반대면인 하면에는 제1연결부의 하부에 연결되는 센서본딩부가 더 형성될 수 있다. 상기 센서본딩부의 상부는 다수개의 제1연결부와 연결되도록 좌우방향으로 수평하게 형성된다. 상기 센서본딩부의 하부에 금속패턴이 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1연결부와 상기 금속패턴이 상기 센서본딩부를 통해 간접연결되도록 할 수도 있다.
제1연결부(340)는 수 나노미터의 직경을 갖는 기둥형상으로 형성된다.
본 실시예에서는 센서전극(300)의 제1센서전극 패드(320a)에 저항체(400)가 일체로 형성되므로, 제1연결부(340)의 상부에는 저항체(400)의 제2,3,4,5저항패드(410b, 410c, 410d, 410e) 중 적어도 하나 또는 제2센서전극 패드(320b)와 제1,2히터전극 패드(220a, 220b)에 연결된다.
이와 같이 제1포어(102) 내부에 제1연결부(340)를 형성하여, 별도의 에칭작업 없이도 제1연결부(340)를 형성할 수 있으며, 와이어 본딩 없이 SMD(Surface Mount Device)형태로 실장할 수 있다.
전술한 바와 다르게, 기판도 전술한 센서 플랫폼(100)과 같이 다수개의 제3포어가 상하방향으로 형성된 양극산화 다공층을 포함하도록 형성될 수 있다.
상기 기판의 상기 제3포어는 상하로 관통되게 형성될 수 있다. 이러한 경우에 상기 금속패턴과 마이크로 센서 패키지가 실장되는 피씨비는 상기 제3포어 내부에 배치되는 제2연결부에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2연결부는 상기 제3포어에 충전되어, 상기 제2연결부의 상부는 상기 금속패턴에 연결되고, 하부는 마이크로 센서 패키지가 실장되는 피씨비에 연결된다. 나아가 상기 기판의 하면에는 상기 제2연결부의 하부와 마이크로 센서 패키지가 실장되는 피씨비 사이에 배치되도록 기판본딩부가 좌우방향으로 형성될 수 있다. 상기 기판본딩부는 상기 제2연결부의 하부에 연결된다.
커버(2000)는 센서전극(300)을 포함하는 센싱칩(1000)을 복개하며 센싱칩(1000)에 가스를 공급하는 구멍(2100)이 형성된다.
커버(2000)는 스테인레스(SUS)와 같은 메탈 재질로 형성된다.
커버(2000)는 기판(3000)의 상면에 접착제 등을 통해 설치된다. 커버(2000)의 하단은 기판(3000)의 가장자리를 따라 부착된다.
커버(2000)에는 센싱칩(1000) 및 금속패턴(3100)이 배치되는 캐비티가 형성된다. 상기 캐비티는 하부가 개방되도록 형성된다. 커버(2000)는 센싱칩(1000)의 상부 및 측부와, 금속패턴(3100)을 둘러싼다.
한편, 커버(2000)는 기판(3000)과 수축률 또는 팽창률이 동일 또는 유사한 재질로 형성되어, 제조가 더욱 용이해지고, 커버(2000) 및 기판(3000)이 수축 또는 팽창되더라도 분리되는 것이 방지될 수 있다.
커버(2000)에는 상하방향으로 관통되게 구멍(2100)이 형성된다. 구멍(2100)은 상기 캐비티에 연통된다.
구멍(2100)은 감지물질(600)의 위치에 대응되도록 배치된다.
필터(4000)는 구멍(2100)을 덮도록 구비된다.
따라서, 가스는 필터(4000)를 통과한 후에 센싱칩(1000)에 공급된다.
필터(4000)는 판형상으로 형성되며, 커버(2000)의 상판의 상면에 접착제 등을 통해 부착되어 설치된다. 따라서, 필터(4000)는 커버(2000)의 외측에 설치된다.
필터(4000)는 다공성 재질로 형성될 수 있다.
나아가, 필터(4000)는 양극산화를 통해 다수개의 제4포어가 상하로 관통되게 형성되는 양극산화 알루미늄 다공층으로 형성될 수 있다. 상기 제4포어는 구멍(2100)에 연통된다.
필터(4000)의 상기 제4포어 내부에는 소수성 표면처리가 되어, 가스를 감지하는 부분으로 수분이 침투하는 것이 방지된다.
필터(4000)에는 특정 가스가 선택적으로 투과되거나 불투과되도록 표면처리가 될 수 있다. 이와 다르게, 필터(4000)는 가스의 선택적 투과를 위해 상기 제4포어의 직경이 달라지도록 할 수 있다. 즉, 감지하고자 하는 가스의 종류에 따라 제4포어의 직경을 다르게 할 수 있다.
이하, 전술한 구성을 갖는 본 실시예의 작용을 설명한다.
가스 농도를 측정하기 위해서 먼저 히터전극(200)의 2 개의 히터전극 패드에 일정한 전력을 인가하여 감지물질(600)을 일정한 온도로 가열한다.
승온된 감지물질(600)에는 필터(4000)를 통과한 상기 캐비티 내부의 가스가 흡착 또는 탈착된다.
이로 인해 제1센서배선(310a)과 제2센서배선(310b) 사이의 전기전도도가 변화하게 되며, 이러한 감지신호는 저항체(400)를 통해 증폭되어, 가스를 감지한다.
또한, 더욱 정밀한 측정을 위해서는 감지물질(600)에 기존 흡착되어 있는 여타 가스종이나 수분들을 히터전극(200)으로 고온 가열하여 강제적으로 제거하여 감지물질(600)을 초기 상태로 복구시킨 후 관심 가스의 농도를 측정한다.
===================<본 발명의 제2실시예 >===================
본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 상면에 금속패턴(3100)이 형성되는 기판(3000)과, 상기 기판(3000)의 상부에 배치되는 센싱칩(1000)과, 상기 센싱칩(1000)을 복개하는 커버(2000')를 포함하며, 상기 센싱칩(1000)은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴(3100)에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하고, 상기 커버(2000')에는 상기 센싱칩(1000)에 가스를 공급하는 다수개의 제2포어(2001)가 상하방향으로 관통되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
기판(3000)과 센싱칩(1000)은 전술한 제1실시예와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
커버(2000')는 기판(3000)의 상면에 접착제 등을 통해 설치된다. 커버(2000')의 하단은 기판(3000)의 가장자리를 따라 설치된다.
커버(2000')에는 센싱칩(1000) 및 금속패턴(3100)이 배치되는 캐비티가 형성된다. 상기 캐비티는 하부가 개방되도록 형성된다. 커버(2000')는 센싱칩(1000)의 상부 및 측부와, 금속패턴(3100)을 둘러싼다.
커버(2000')의 일부 또는 전부에는 센싱칩(1000)에 가스를 공급하는 다수개의 제2포어(2001)가 상하방향으로 관통되어 형성된다. 즉, 커버(2000')에는 다공층이 구비된다. 제2포어(2001)는 상기 캐비티에 연통된다. 제2포어(2001)는 나노미터크기의 직경을 갖는다.
이와 같이 커버(2000')에 제2포어(2001)가 형성되어, 커버(2000')가 필터의 역할도 동시에 할 수 있다.
제2포어(2001)가 커버(2000')의 일부에만 형성될 경우에는 상기 다공층은 커버(2000')의 상판에 형성된다. 더욱 상세하게는, 상기 다공층은 감지물질의 위치에 대응되도록 배치된다.
제2포어(2001)는 알루미늄을 양극산화처리하여 형성된다.
커버(2000')의 제2포어(2001) 내부에는 소수성 표면처리가 될 수 있다.
나아가, 커버(2000')에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리가 될 수 있다. 전술한 바와 다르게, 감지하고자 하는 가스의 종류에 따라 커버(2000')의 제2포어(2001)의 직경을 다르게 할 수 있다.
센싱칩(1000)에는 상기 센서 플랫폼의 상면에 저항체가 형성되어 있다. 상기 저항체는 상기 센서전극에 일체로 형성된다. 상기 저항체와 금속패턴(3100)은 상기 센서 플랫폼의 제1포어 내부에 충전된 제1연결부를 통해 연결된다.
===================<본 발명의 제3실시예 >===================
본 발명의 제3실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제3실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000')에 제1연결부가 형성되지 않고, 센싱칩(1000')의 센서전극과 기판(3000)의 상면에 형성되는 금속패턴(3100)은 와이어(5000)를 통해 와이어 본딩된다.
제1실시예에서와 같이, 센싱칩(1000')은 상기 센서 플랫폼의 상면에 저항체(400)가 형성되어 있다. 저항체(400)는 상기 센서전극의 제1센서전극 패드에 일체로 형성된다.
따라서, 상기 제1센서전극 패드에 연결되는 와이어(5000)의 일단은 저항체(400)의 저항패드에 연결되며, 타단은 금속패턴(3100)에 연결된다. 따라서, 상기 제1센서전극 패드는 저항체(400)를 통해 금속패턴(3100)에 와이어(5000)로 연결된다.
나머지 와이어(5000)의 일단은 제2센서전극 패드와 제1,2히터전극 패드에 각각 연결되고, 타단은 금속패턴(3100)에 각각 연결된다.
와이어(5000)는 커버(2000') 내부에 배치된다. 커버(2000')는 제2실시예에서와 같이 양극산화 다공층을 구비하여 필터 역할도 동시에 한다.
===================<본 발명의 제4실시예 >===================
본 발명의 제4실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제4실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000'')의 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
저항체(400')는 센싱칩(1000'')의 외측에 배치되도록 기판(3000')의 상면에 형성된다. 저항체(400')는 금속패턴(3100')에 일체로 형성될 수 있다.
센싱칩(1000'')의 제1연결부의 상부에는 히터전극 패드가 연결되고, 상기 제1연결부의 하부에는 금속패턴(3100')이 연결된다.
상기 센서전극 패드 중 하나(제1센서전극 패드)에 연결되는 금속패턴(3100')은 저항체(400')의 일측에 연결된다. 저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다. 나머지 금속패턴(3100')은 금속부(3200)에 바로 연결된다. 전술한 바와 다르게, 금속패턴(3100')을 거치지 않고 바로 저항체(400')의 일측에 상기 제1연결부의 하부가 연결되도록 할 수도 있다.
저항체(400')는 커버(2000') 내부에 배치된다.
커버(2000')는 제2실시예에서와 같이 양극산화 다공층을 구비하여 필터 역할도 동시에 한다.
===================<본 발명의 제5실시예 >===================
본 발명의 제5실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제5실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000''')에 제1연결부가 형성되지 않고, 센싱칩(1000''')의 센서전극과 기판(3000')의 상면에 형성되는 금속패턴(3100')은 와이어(5000)를 통해 연결되며, 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
센싱칩(1000''')의 제2센서전극 패드와 히터전극 패드는 와이어(5000)를 통해 금속패턴(3100')에 연결된다. 금속패턴(3100')에는 금속부(3200)가 연결된다.
제1센서전극 패드는 와이어(5000)를 통해 저항체(400')의 일측에 연결된다.
저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다.
이와 같이 저항체(400')가 기판(3000''')에 형성될 경우에는 상기 센서전극의 일부는 와이어(5000)와 저항체(400')를 통해 금속부(3200)에 연결되고, 상기 센서전극의 나머지와 히터전극은 와이어(5000)와 금속패턴(3100')을 통해 금속부(3200)에 연결된다.
와이어(5000) 및 저항체(400')는 커버(2000') 내부에 배치된다.
커버(2000')는 제2실시예에서와 같이 양극산화 다공층을 구비하여 필터 역할도 동시에 한다.
===================<본 발명의 제6실시예 >===================
본 발명의 제6실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제6실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000')에 제1연결부가 형성되지 않고, 센싱칩(1000')의 센서전극과 기판(3000)의 상면에 형성되는 금속패턴(3100)은 와이어(5000)를 통해 와이어 본딩된다.
제1실시예에서와 같이, 센싱칩(1000')은 상기 센서 플랫폼의 상면에 저항체(400)가 형성되어 있다. 저항체(400)는 상기 센서전극의 제1센서전극 패드에 일체로 형성된다.
따라서, 와이어(5000)의 일단은 저항체(400)의 저항패드에 연결되며, 타단은 금속패턴(3100)에 연결된다.
와이어(5000)는 커버(2000) 내부에 배치된다. 제1실시예에서와 같이 커버(2000)의 위에는 필터(4000)가 부착된다.
===================<본 발명의 제7실시예 >===================
본 발명의 제7실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제7실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000'')의 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
저항체(400')는 센싱칩(1000'')의 외측에 배치되도록 기판(3000')의 상면에 형성된다.
센싱칩(1000'')의 제1연결부의 상부에는 센서전극 패드 및 히터전극 패드가 연결되고, 상기 제1연결부의 하부에는 금속패턴(3100')이 연결된다.
상기 센서전극 패드 중 하나에 연결되는 금속패턴(3100')은 저항체(400')의 일측에 연결된다. 저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다. 나머지 금속패턴(3100')은 금속부(3200)에 바로 연결된다.
저항체(400')는 커버(2000) 내부에 배치된다. 제1실시예에서와 같이 커버(2000)의 위에는 필터(4000)가 부착된다.
===================<본 발명의 제8실시예 >===================
본 발명의 제8실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6,7실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제8실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000''')의 센서전극과 기판(3000')의 상면에 형성되는 금속패턴(3100')은 와이어(5000)를 통해 연결되며, 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
센싱칩(1000''')의 제2센서전극 패드와 히터전극 패드는 와이어(5000)를 통해 금속패턴(3100')에 연결된다. 금속패턴(3100')에는 금속부(3200)가 연결된다.
제1센서전극 패드는 와이어(5000)를 통해 저항체(400')의 일측에 연결된다.
저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다.
와이어(5000) 및 저항체(400')는 커버(2000) 내부에 배치된다. 제1실시예에서와 같이 커버(2000)의 위에는 필터(4000)가 부착된다.
===================<본 발명의 제9실시예 >===================
본 발명의 제9실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6,7.8실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제9실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 커버(2000) 내측에 필터(4000')가 설치된다.
필터(4000')는 커버(2000)의 상판의 하면에 부착된다. 구멍(2100)을 통해 유입된 가스는 필터(4000')를 통과한 후에 커버(2000)의 캐비티로 유입된다.
필터(4000')의 재질은 제1실시예의 필터와 동일하게 구비될 수 있다.
센싱칩(1000)에는 센서 플랫폼의 상면에 저항체(400)가 형성되어 있다. 저항체(400)는 센서전극에 일체로 형성된다. 저항체(400)와 기판(3000)의 금속패턴(3100)은 상기 센서 플랫폼의 제1포어 내부에 충전된 제1연결부를 통해 연결된다.
===================<본 발명의 제10실시예 >===================
본 발명의 제10실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6,7,8,9실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제10실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000')의 센서전극과 기판(3000)의 상면에 형성되는 금속패턴(3100)은 와이어(5000)를 통해 와이어 본딩된다.
제1실시예에서와 같이, 센싱칩(1000')은 상기 센서 플랫폼의 상면에 저항체(400)가 형성되어 있다. 저항체(400)는 상기 센서전극의 제1센서전극 패드에 일체로 형성된다.
따라서, 와이어(5000) 중 하나의 일단은 저항체(400)의 저항패드에 연결되며, 타단은 금속패턴(3100)에 연결된다.
와이어(5000)는 커버(2000) 내부에 배치된다. 필터(4000')는 커버(2000)의 상판 하면에 부착된다.
===================<본 발명의 제11실시예 >===================
본 발명의 제11실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제11실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000'')의 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
센싱칩(1000'')의 제1연결부의 상부에는 센서전극 패드 및 히터전극 패드가 연결되고, 상기 제1연결부의 하부에는 금속패턴(3100')이 연결된다.
상기 센서전극 패드 중 하나에 연결되는 금속패턴(3100')은 저항체(400')의 일측에 연결된다. 저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다. 나머지 금속패턴(3100')은 금속부(3200)에 바로 연결된다.
저항체(400')는 커버(2000) 내부에 배치된다. 필터(4000')는 커버(2000)의 상판 하면에 부착된다.
===================<본 발명의 제12실시예 >===================
본 발명의 제12실시예에 따른 마이크로 센서 패키지를 설명함에 있어서, 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11실시예에 따른 마이크로 센서 패키지와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 상세한 설명 및 도시를 생략하기로 한다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제12실시예에 따른 마이크로 센서 패키지는 센싱칩(1000''')의 센서전극과 기판(3000')의 상면에 형성되는 금속패턴(3100')은 와이어(5000)를 통해 연결되며, 저항체(400')가 기판(3000') 상에 형성된다.
센싱칩(1000''')의 제2센서전극 패드와 히터전극 패드는 와이어(5000)를 통해 금속패턴(3100')에 연결된다. 금속패턴(3100')에는 금속부(3200)가 연결된다.
제1센서전극 패드는 와이어(5000)를 통해 저항체(400')의 일측에 연결된다.
저항체(400')의 타측에는 금속부(3200)의 상부가 연결된다.
와이어(5000) 및 저항체(400')는 커버(2000) 내부에 배치된다. 필터(4000')는 커버(2000)의 상판 하면에 부착된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1000 : 센싱칩 100: 센서 플랫폼
101: 에어갭 102: 제1포어
110: 제1지지부 120: 제2지지부
200: 히터전극 210: 발열배선
211a: 제1호부 211b: 제2호부
211c: 제3호부 212a: 제1절곡부
212b: 제2절곡부 214: 이격공간부
220a: 제1히터전극 패드 220b: 제2히터전극 패드
300: 센서전극 300a: 제1센서전극
300b: 제2센서전극 310a: 제1센서배선
310b: 제2센서배선 320a: 제1센서전극 패드
320b: 제2센서전극 패드 340 : 제1연결부
400 : 저항체 410a: 제1저항패드
410b: 제2저항패드 410c: 제3저항패드
410d: 제4저항패드 410e: 제5저항패드
410f: 제6저항패드 420a : 제1저항
420b: 제2저항 420c: 제3저항
420d: 제4저항 420e: 제5저항
500: 더미금속 510: 공간
600 : 감지물질 2000 : 커버
2100 : 구멍 3000 : 기판
3001 : 관통공 3100 : 금속패턴
3200 : 금속부 4000 : 필터
5000 : 와이어

Claims (26)

  1. 상면에 금속패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩;
    상기 센싱칩을 복개하며 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 구멍이 형성되는 커버;
    상기 구멍을 덮는 필터를 포함하며,
    상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  2. 상면에 금속패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩;
    상기 센싱칩을 복개하는 커버를 포함하며,
    상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하고,
    상기 커버에는 상기 센싱칩에 가스를 공급하는 다수개의 제2포어가 상하방향으로 관통되어 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서 플랫폼은 금속재질의 모재를 양극산화한 후 상기 모재를 제거한 양극산화 피막인 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서 플랫폼은 상기 제1포어가 상하로 관통되는 양극산화 다공층인 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판은 PCB로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판은 세라믹 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판에는 다수개의 제3포어가 상하방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 커버는 메탈 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 필터에는 다수개의 제4포어가 상하로 관통되게 형성되며,
    상기 제4포어는 상기 구멍에 연통되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제4포어는 양극산화를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  11. 제 1항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 필터에는 소수성 처리가 된 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 필터는 상기 커버의 외측에 설치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 필터는 상기 커버의 내측에 설치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 필터에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리가 되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  15. 제 2항에 있어서,
    상기 제2포어는 양극산화를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  16. 제 2항에 있어서,
    상기 커버에는 소수성 처리가 된 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  17. 제 2항에 있어서,
    상기 커버에는 특정 가스가 선택적으로 투과되도록 표면처리가 되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  18. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서 플랫폼에는 상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 저항체는 상기 센서전극이 형성되는 면과 동일한 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  20. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 저항체가 구비되며,
    상기 저항체는 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  21. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서전극과 상기 금속패턴은 와이어 본딩되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  22. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제1포어는 상하방향으로 관통되게 형성되며,
    상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 센서전극과 상기 금속패턴을 전기적으로 연결하는 제1연결부가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  23. 상면에 금속패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩을 포함하며,
    상기 센싱칩은 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하며,
    상기 기판은 다수개의 제3포어가 상하로 관통되게 형성되고,
    상기 다수의 제3포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 금속패턴에 연결되는 제2연결부가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 기판은 양극산화 다공층인 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  25. 상면에 금속패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 센싱칩을 포함하며,
    상기 센싱칩은 다수개의 제1포어가 상하로 관통되게 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼의 상부 또는 하부에 형성되며 상기 금속패턴에 전기적으로 연결되는 센서전극을 포함하며,
    상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부의 내부에는 상기 금속패턴과 상기 센서전극을 연결하는 제1연결부가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
  26. 다수개의 제1포어가 상하방향으로 형성되는 센서 플랫폼과, 상기 센서 플랫폼에 형성되는 센서전극을 포함하는 센싱칩;
    상기 센서전극을 복개하는 커버를 포함하며,
    상기 다수의 제1포어 중 적어도 일부는 상하로 관통되며, 관통되는 상기 제1포어의 내부에는 상기 센서전극에 전기적으로 연결되는 제1연결부가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 센서 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210262967A1 (en) * 2018-06-08 2021-08-26 Omron Corporation Micro-hotplate and mems gas sensor

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9983183B2 (en) 2012-04-13 2018-05-29 University Of Maryland, College Park Highly selective nanostructure sensors and methods of detecting target analytes
JP6565867B2 (ja) * 2016-10-28 2019-08-28 株式会社デンソー 空気物理量センサ
DE102018108723A1 (de) * 2018-04-12 2019-10-17 Tdk Corporation Sensorvorrichtung, Verfahren zum Betreiben einer Sensorvorrichtung und elektronische Baugruppe, die eine Sensorvorrichtung aufweist
US10983102B2 (en) * 2018-09-14 2021-04-20 N5 Sensors, Inc. Single package optically-activated gas sensors
CN110304604B (zh) * 2019-06-18 2023-04-28 上海应用技术大学 一种mems传感器的封装方法
US20210383698A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-09 Capital One Services, Llc Systems and methods for providing an autonomous vehicle vendor lot
JP2022020159A (ja) * 2020-07-20 2022-02-01 Tdk株式会社 センサーモジュール
JP2022183481A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 ローム株式会社 ガスセンサ
KR20230076579A (ko) * 2021-11-24 2023-05-31 현대자동차주식회사 Mems 소자 및 그 제조방법
CN115656341A (zh) * 2022-11-03 2023-01-31 江苏光微半导体有限公司 基于mems技术的量子声波传感器及阵列声纹系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2859294B2 (ja) * 1989-05-29 1999-02-17 株式会社東芝 酸素センサ
US6705152B2 (en) * 2000-10-24 2004-03-16 Nanoproducts Corporation Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
KR100370066B1 (ko) * 2000-04-14 2003-01-29 엘지전자 주식회사 마이크로 절대 습도 센서 및 제조 방법
US6840084B2 (en) * 2002-07-24 2005-01-11 Elena Nikolskaya Gas monitoring system and method
US20040124092A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Black Charles T. Inorganic nanoporous membranes and methods to form same
DE10319664A1 (de) * 2003-05-02 2004-11-18 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Detektion von Teilchen
JP2009300430A (ja) * 2008-05-13 2009-12-24 Yazaki Corp 接触燃焼式ガスセンサ
JP5403695B2 (ja) * 2010-09-30 2014-01-29 フィガロ技研株式会社 ガスセンサ
US8354729B2 (en) * 2010-12-27 2013-01-15 Industrial Technology Research Institute Gas sensor and manufacturing method thereof
CN102838079B (zh) * 2012-09-24 2015-04-22 江苏物联网研究发展中心 用于传感器芯片的开放式封装结构及其制造方法
US10015841B2 (en) * 2014-09-24 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Micro heater and micro sensor and manufacturing methods thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210262967A1 (en) * 2018-06-08 2021-08-26 Omron Corporation Micro-hotplate and mems gas sensor

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