KR20180031125A - 어레이 기판 및 이를 포함하는 반사형 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 반사판(또는 반사전극) 상에 위치하며 중공입자를 포함하는 중공입자층이 구성되는 어레이 기판과 반사형 표시장치를 제공한다.
본 발명에서는, 중공입자층의 두께가 감소하더라도 반사판(또는 반사전극)과 중공입자층에 의해 반사율과 반사되는 빛의 백감도가 향상된다.
따라서, 어레이 기판과 반사형 표시장치는 높은 휘도와 명암비를 갖고 그 두께가 감소한다.
본 발명에서는, 중공입자층의 두께가 감소하더라도 반사판(또는 반사전극)과 중공입자층에 의해 반사율과 반사되는 빛의 백감도가 향상된다.
따라서, 어레이 기판과 반사형 표시장치는 높은 휘도와 명암비를 갖고 그 두께가 감소한다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 우수한 반사율과 백감도(whiteness)를 갖는 어레이 기판 및 이를 포함하는 반사형 표시장치에 관한 것이다.
사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 유기발광다이오드표시장치(organic light emitting diode display device : OELD) 등과 같은 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
이와 같은 표시장치는 그 내부에 광원을 필요로 한다. 예를 들어, 액정표시장치는 액정패널 하부에 백라이트 유닛을 배치하고 백라이트 유닛으로부터의 빛에 대한 액정패널의 투과율을 조절함으로써 영상을 구현하게 된다.
그러나, 백라이트 유닛의 구동을 위해 소비 전력이 증가하는 문제가 있으며, 이를 해결하기 위해 반사형 표시장치가 제안되었다. 또한, 휘도의 증가를 위해 적색, 녹색, 청색 화소영역과 함께 백색 화소영역이 구비된 반사형 표시장치가 이용되고 있다.
각 화소영역에는 반사전극이 형성되고, 적색, 녹색 및 청색 화소영역 각각에는 적색, 녹색, 청색 컬러필터층이 형성된다. 또한, 백색 화소영역에는 반사전극만이 형성되거나 투명한 유기 절연층이 형성된다.
그러나, 이와 같은 구조의 WRGB 반사형 표시장치에서는 백색 화소영역에서의 백감도가 좋지 않기 때문에, 반사형 표시장치의 표시 품질이 저하된다.
본 발명은, 백색 화소영역에서의 낮은 백감도에 의한 반사형 표시장치의 표시품질 저하 문제를 해결하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 반사판 상에 위치하며 중공입자를 포함하는 중공입자층과, 중공입자층을 덮고 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되는 투명 전극이 구비된 어레이 기판과 이를 포함하는 반사형 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되는 반사전극과 반사전극 상에 위치하며 중공입자를 포함하는 중공입자층이 구비된 어레이 기판과 이를 포함하는 반사형 표시장치를 제공한다.
이때, 중공입자는 코어와 코어를 감싸는 쉘을 포함하고, 쉘의 굴절률은 코어의 굴절률보다 크다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에서는, 중공입자에 의해 산란된 빛이 반사판(또는 반사전극)에 의해 반사됨으로써 백색 화소영역에서의 반사율이 증가하고 반사되는 빛의 백감도가 향상된다.
또한, 중공입자층의 두께가 감소하더라도 반사율 및 백감도가 향상되기 때문에, 박형의 어레이 기판 및 반사형 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 중공입자층의 상부면이 투명전극에 의해 덮이기 때문에, 전기변색층 및/또는 전해질층 형성에 의한 중공입자의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 중공입자층은 빛을 반사시키는 것이 아니라 산란시키기 때문에, 중공입자층에 대한 마스크 공정이 가능하며, 이에 따라 중공입자층 상에 형성되는 투명전극과 박막트랜지스터가 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 반사형 표시장치의 구동 전압이 감소한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 중공입자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 중공입자의 개략적인 단면도이다.
본 발명은, 제 1 화소영역이 정의된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에, 상기 제 1 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 덮고 상기 박막트랜지스터의 제 1 전극을 노출하는 제 1 콘택홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상에 위치하는 반사판과, 상기 반사판 상에 위치하며 상기 제 1 콘택홀에 대응하는 제 2 콘택홀을 갖고 중공입자를 포함하는 중공입자층과, 상기 중공입자층을 덮고 상기 제 1 및 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결되는 제 1 투명 전극을 포함하는 어레이 기판을 제공한다.
다른 관점에서, 본 발명은, 전술한 어레이 기판과, 상기 어레이 기판과 마주하는 제 2 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하며 전기변색입자를 포함하는 전기변색층과, 상기 전기변색층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 전해질층과, 상기 전해질층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 카운터 전극과, 상기 카운터 전극과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 제 2 투명 전극을 포함하는 반사형 표시장치를 제공한다.
다른 관점에서, 본 발명은, 제 1 화소영역이 정의된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에, 상기 제 1 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 덮고 상기 박막트랜지스터의 제 1 전극을 노출하는 콘택홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상에 위치하며 상기 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 연결되는 반사전극과, 상기 반사판 상에 위치하며 중공입자를 포함하는 중공입자층을 포함하는 어레이 기판을 제공한다.
다른 관점에서, 본 발명은, 전술한 어레이 기판과, 상기 어레이 기판과 마주하는 제 2 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하며 전기변색입자를 포함하는 전기변색층과, 상기 전기변색층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 전해질층과, 상기 전해질층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 카운터 전극과, 상기 카운터 전극과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 투명 전극을 포함하는 반사형 표시장치를 제공한다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 중공입자는 코어와 상기 코어를 감싸는 쉘을 포함하고, 상기 쉘의 굴절률은 상기 코어의 굴절률보다 크다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 반사판은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 연결된다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 제 2 콘택홀이 크기는 상기 제 1 콘택홀보다 크다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판에는 제 2 화소영역이 더 정의되고, 상기 제 2 화소영역에는 상기 박막트랜지스터, 상기 보호층, 상기 반사판, 상기 제 1 투명 전극이 위치하며, 상기 제 2 화소영역의 상기 반사판과 상기 제 1 투명 전극 사이에 위치하는 컬러필터층을 더 포함한다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판에는 제 2 화소영역이 더 정의되고, 상기 제 2 화소영역에는 상기 박막트랜지스터, 상기 보호층, 상기 반사전극이 위치하며, 상기 제 2 화소영역의 상기 반사전극 상에 위치하는 컬러필터층을 더 포함한다.
본 발명의 어레이 기판과 반사형 표시장치에 있어서, 상기 중공입자층과 상기 컬러필터층은 동일한 두께를 갖는다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 반사형 표시장치(100)는 적색 화소영역(Rp)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다. 또한, 풀 컬러 영상의 구현을 위해 녹색, 청색 화소영역(미도시)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러 화소영역(적색 화소영역(Rp), 녹색 화소영역, 청색 화소영역)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다.
반사형 표시장치(100)는, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판(110, 180)과, 제 1 및 제 2 기판(110, 180) 사이에 위치하는 반사전극(140), 적색 화소영역(Rp)에 위치하는 적색 컬러필터층(142), 백색 화소영역(Wp)에 위치하는 백색 안료층(150), 전기변색층(160), 전해질층(170), 카운터 전극(184) 및 투명 전극(182)을 포함한다. 제 1 및 제 2 기판(110, 180) 각각은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 각 화소영역(Rp, Wp)을 구동하기 위한 박막트랜지스터(Tr)가 반사전극(140)에 연결되며 위치한다.
보다 구체적으로, 제 1 기판(110) 상에 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 적색 화소영역(게)과 백색 화소영역(Wp)을 정의하고, 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된다.
박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(112), 반도체층(120), 소스 전극(130), 드레인 전극(132)을 포함한다. 이때, 게이트 전극(112)과 반도체층(120) 사이에는 게이트 절연막(114)이 위치한다. 게이트 절연막(114)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(112)은 게이트 배선에 연결되고, 소스 전극(130)은 데이터 배선에 연결된다. 게이트 전극(112), 소스 전극(130), 드레인 전극(132) 각각은 알루미늄, 구리와 같은 저저항 금속물질로 이루어질 수 있다.
반도체층(120)은 게이트 전극(112)과 중첩하고 산화물 반도체 물질로 이루어진다. 이와 달리, 반도체층(120)은 순수 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon)으로 이루어지는 액티브층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘(impurity-doped amorphous silicon)으로 이루어지는 오믹콘택층(미도시)의 적층 구조를 가질 수도 있다.
소스 전극(130)과 드레인 전극(132)은 서로 이격하며 반도체층(120) 상에 위치한다.
박막트랜지스터(Tr)를 덮고 드레인 전극(132)을 노출하는 드레인 콘택홀(136)을 갖는 보호층(134)이 형성된다.
예를 들어, 보호층(134)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다. 또한, 보호층(134)과 소스 및 드레인 전극(130, 132) 사이에는 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어지는 절연층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
반사전극(140)은 드레인 콘택홀(136)을 통해 드레인 전극(132)에 연결되며 보호층(134) 상에 형성된다. 예를 들어, 반사전극(140)은 알루미늄과 같이 반사율이 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
이와 달리, 반사전극(140)은 투명 도전성 물질층과 반사층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 반사전극(140)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO)층, 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금층, ITO층의 삼중층 구조를 가질 수 있다.
적색 화소영역(Rp)에는, 반사전극(140) 상에 적색 컬러필터층(142)가 형성된다. 도시하지 않았으나, 녹색 및 청색 화소영역에는, 반사전극(140) 상에 녹색 및 청색 컬러필터층이 각각 형성된다.
백색 화소영역(Wp)에는, 반사전극(140) 상에 산화티타늄(TiO2) 입자(152)를 포함하는 백색 안료층(150)이 형성된다. 산화티타늄 입자(152)는 백색 안료(white pigment)로서 우수한 백감도(whiteness)를 갖는다.
백색 화소영역(Wp)에 박막트랜지스터(Tr), 보호층(134), 반사전극(140), 백색 안료층(150)이 형성된 기판(110)은 반사형 표시장치(100)의 어레이 기판을 구성한다. 또한, 어레이 기판은, 컬러 영상 구현을 위해 박막트랜지스터(Tr), 보호층(134), 반사전극(140), 컬러필터층(142)이 형성된 적색 화소영역(Rp)을 포함할 수 있고, 적색 화소영역(Rp)과 동일한 구조의 녹색 및 청색 화소영역(미도시)을 더 포함할 수 있다.
적색 컬러필터층(142)과 백색 안료층(150) 상에는 전기변색입자(162, electrochromic particle)를 포함하는 전기변색층(160)이 형성된다. 예를 들어, 전기변색입자(162)는 코어(미도시)와 코어를 덮고 전기변색물질로 이루어지는 쉘(미도시)의 구조를 갖는다.
예를 들어, 코어는 In2O3, SnO2, ZnO, ITO, ATO, IZO, TiO2 중에서 선택되는 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 쉘은 전압에 따라 광 흡수 정도를 달리하여, 전기변색입자(162)가 투명 또는 차광 특성을 갖게 한다. 예를 들어, 쉘은 비올로겐 유도체로 형성될 수 있다, 그러나, 코어와 쉘의 물질은 이에 한정되지 않는다.
전기변색층(160) 상에는 전해질층(170)이 위치한다. 예를 들어, 전해질층(170)은 이온 전도체인 이온성 염과, 가소제와, 고분자 바인더를 포함하는 고체 전해질일 수 있다. 예를 들어, 이온성 염은 리튬(Li) 염일 수 있다.
전기변색층(160) 상에는 제 2 투명 전극(182)과 카운터 전극(184)이 형성된 제 2 기판(180)이 위치한다.
제 2 투명 전극(182)은 ITO 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 카운터 전극(184)은 투명 전극(182)과 전해질층(170) 사이에 위치한다. 카운터 전극(184)은 전기변색입자(162)에서의 산화-환원 반응이 원활하게 일어나도록 하기 위해 형성된다. 예를 들어, 카운터 전극(184)은 PEDOT, 페로센 화합물, 트리페닐 아민, 다이페닐 아민, 페녹사진계 고분자와 같은 도전성 고분자 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이와 같은 구조의 반사형 표시장치(100)에서는, 전압 인가에 따른 전기변색입자(162)의 광흡수 정도(또는 투과도) 변화와 반사전극(140) 및/또는 백색 안료층(150)에서의 반사에 의해 영상을 구현하게 된다.
예를 들어, 반사전극(140)과 투명전극(182)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 전기변색 입자(162)는 투명한 상태를 갖고, 외부의 빛이 반사전극(140)에 의해 반사되어 적색 컬러필터층(142)을 통과하면서 적색을 표시하게 된다. 또한, 백색 화소영역(Wp)에서는 외부의 빛이 백색 안료층(150) 및/또는 반사전극(140)에 의해 반사되어 백색을 표시하게 된다.
한편, 반사전극(140)과 투명전극(182)에 전압이 인가된 상태에서 전기변색 입자(162)는 불투명한 상태를 가져 외부 빛을 흡수함으로써, 반사형 표시장치(100)는 블랙 상태가 된다.
이때, 산화티타늄 입자(152)를 포함하는 백색 안료층(150)에 의해 외부 빛이 반사되며 산화티타늄 입자(152)에 의해 백감도와 반사율이 향상된다.
그런데, 백색 안료층(150)이 전기변색층(160)과 접하고 전해질층(170)과는 전기변색층(160)만이 개재된 상태로 인접하기 때문에, 전기변색층(160) 및/또는 전해질층(170)에 이용되는 용제(또는 용매)에 의해 백색 안료층(150)이 손상되는 문제가 발생한다. 이러한 문제는 적색 컬러필터층(142)에서도 발생될 수 있다.
또한, 반사형 표시장치(100)의 백색 화소영역(Wp)에서 높은 반사율을 얻기 위해서는 산화티타늄 입자(152)를 포함하는 백색 안료층(150)의 두께가 크게 증가하여야 한다. 즉, 백색 안료층(150)이 적색 컬러필터층(142)과 유사하게 약 2㎛의 두께를 갖는다면, 백색 안료층(150) 하부에 반사전극(140)이 위치하더라도 높은 반사율을 얻는데 한계가 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 반사형 표시장치(200)는 적색 화소영역(Rp)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다. 또한, 풀 컬러 영상의 구현을 위해 녹색, 청색 화소영역(미도시)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러 화소영역(적색 화소영역(Rp), 녹색 화소영역, 청색 화소영역)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다.
반사형 표시장치(200)는, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판(210, 280)과, 제 1 및 제 2 기판(210, 280) 사이에 위치하는 반사전극(240), 적색 화소영역(Rp)에 위치하는 적색 컬러필터층(242), 백색 화소영역(Wp)에 위치하는 백색 안료층(250), 제 1 투명 전극(254), 전기변색층(260), 전해질층(270), 카운터 전극(284) 및 제 2 투명 전극(282)을 포함한다. 제 1 및 제 2 기판(210, 280) 각각은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 각 화소영역(Rp, Wp)을 구동하기 위한 박막트랜지스터(Tr)가 제 2 투명 전극(254)과 연결되며 위치한다. 박막트랜지스터(Tr)는 반사전극(240)에도 연결된다. 이와 달리, 반사전극(240)은 박막트랜지스터(Tr)와 전기적으로 분리될 수도 있다.
제 1 기판(210) 상에 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 적색 화소영역(게)과 백색 화소영역(Wp)을 정의하고, 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된다.
박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(212), 반도체층(220), 소스 전극(230), 드레인 전극(232)을 포함한다. 게이트 전극(212)과 반도체층(220) 사이에는 게이트 절연막(214)이 위치한다.
박막트랜지스터(Tr)를 덮고 드레인 전극(232)을 노출하는 드레인 콘택홀(236)을 갖는 보호층(234)이 형성되고, 반사전극(240)은 드레인 콘택홀(236)을 통해 드레인 전극(232)에 연결되며 보호층(234) 상에 형성된다.
반사전극(240)은 알루미늄과 같이 반사율이 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 반사전극(240)은 투명 도전성 물질층과 반사층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 반사전극(240)은 ITO층, APC 합금층, ITO층의 삼중층 구조를 가질 수 있다.
적색 화소영역(Rp)에는, 반사전극(240) 상에 적색 컬러필터층(242)이 형성된다. 도시하지 않았으나, 녹색 및 청색 화소영역에는, 반사전극(240) 상에 녹색 및 청색 컬러필터층이 각각 형성된다.
백색 화소영역(Wp)에는, 반사전극(240) 상에 산화티타늄(TiO2) 입자(252)를 포함하는 백색 안료층(250)이 형성된다. 산화티타늄 입자(252)는 백색 안료(white pigment)로서 우수한 백감도(whiteness)를 갖는다.
드레인 콘택홀(236)은 보호층(234)과 백색 안료층(250)에 형성되어 드레인 전극(232)이 노출된다. 즉, 보호층(234)에는 제 1 콘택홀이 형성되고, 백색 안료층(250)에는 제 2 콘택홀이 형성되며, 제 1 및 제 2 콘택홀이 드레인 콘택홀(236)을 이룬다. 이때, 반사전극(240)은 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극(232)에 연결된다.
제 1 투명 전극(254)은 적색 컬러필터층(242)과 백색 안료층(250) 상에 형성된다. 제 1 투명 전극(254)은 드레인 콘택홀(236)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(232)에 연결되며 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 즉, 제 1 투명 전극(254)은 제 2 콘택홀(236)을 통해 드레인 전극(232)에 전기적으로 연결된다.
컬러필터층(242)과 백색 안료층(250)은 반사전극(240)과 제 1 투명 전극(254) 사이에 위치하여 이들은 샌드위치 구조를 이루며, 이에 의해 백색 안료층(250)이 보호된다.
백색 화소영역(Wp)에 박막트랜지스터(Tr), 보호층(234), 반사전극(240), 백색 안료층(250) 및 제 1 투명 전극(254)이 형성된 기판(210)은 반사형 표시장치(200)의 어레이 기판을 구성한다. 또한, 어레이 기판은, 컬러 영상 구현을 위해 박막트랜지스터(Tr), 보호층(234), 반사전극(240), 컬러필터층(242), 제 1 투명 전극(254)이 형성된 적색 화소영역(Rp)을 포함할 수 있고, 적색 화소영역(Rp)과 동일한 구조의 녹색 및 청색 화소영역(미도시)을 더 포함할 수 있다.
제 1 투명 전극(254) 상에는 전기변색입자(262)를 포함하는 전기변색층(260)이 위치하고, 전기변색층(260) 상에는 전해질층(270)이 위치한다.
또한, 전기변색층(260) 상에는 제 2 투명 전극(282)과 카운터 전극(284)이 형성된 제 2 기판(280)이 위치한다.
이와 같은 구조의 반사형 표시장치(200)에서는, 전압 인가에 따른 전기변색입자(262)의 광흡수 정도(또는 투과도) 변화와 반사전극(240) 및/또는 백색 안료층(250)에서의 반사에 의해 영상을 구현하게 된다.
예를 들어, 제 1 투명 전극(254)과 제 2 투명전극(282)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 전기변색 입자(262)는 투명한 상태를 갖고, 외부의 빛이 반사전극(240)에 의해 반사되어 적색 컬러필터층(242)을 통과하면서 적색을 표시하게 된다. 또한, 백색 화소영역(Wp)에서는 외부의 빛이 백색 안료층(250) 및/또는 반사전극(240)에 의해 반사되어 백색을 표시하게 된다.
한편, 제 1 투명 전극(254)과 제 2 투명전극(282)에 전압이 인가된 상태에서 전기변색 입자(262)는 불투명한 상태를 가져 외부 빛을 흡수함으로써, 반사형 표시장치(200)는 블랙 상태가 된다.
전술한 바와 같이, 산화티타늄 입자(252)를 포함하는 백색 안료층(250)은 반사전극(240)과 제 1 투명 전극(254)에 의해 하부 및 상부가 덮이기 때문에, 전기변색층(260) 및/또는 전해질층(270)에 이용되는 용제(또는 용매)에 의해 백색 안료층(250)이 손상되는 문제가 방지된다. 또한, 적색 컬러필터층(242) 역시 반사전극(240)과 제 1 투명 전극(254)에 의해 하부 및 상부가 덮인 상태를 갖기 때문에, 적색 컬러필터층(242)의 손상도 방지된다.
또한, 백색 안료층(250)은 컬러필터층(242)의 제 1 두께(t1)보다 큰 제 2 두께(t2)를 갖기 때문에, 백색 화소영역(Wp)에서 충분한 반사율을 확보할 수 있다.
그런데, 백색 안료층(250)의 두께가 증가함에 따라 반사형 표시장치(200)의 두께 증가 문제가 발생한다.
또한, 백색 안료층(250)의 두께 증가에 따라, 제 1 투명 전극(254)을 드레인 전극(232)에 연결시키기 위한 드레인 콘택홀(236) 형성 공정에 문제가 발생한다.
즉, 드레인 콘택홀(236)을 형성하기 위해서는, 적색 컬러필터층(242)과 백색 안료층(250)에 대한 마스크 공정이 진행되어야 하는데, 반사 특성을 갖는 산화티타늄 입자(252)를 포함하는 백색 안료층(250)에는 노광 공정의 진행이 어렵다. 다시 말해, 백색 안료층(250)의 선택적 제거를 위해 진행되어야 하는 노광 공정에서의 광이 산화티타늄 입자(252)에 의해 반사되기 때문에, 백색 안료층(250)에 대한 마스크 공정에 문제가 발생하고 드레인 전극(232)이 노출되지 않게 된다.
따라서, 전기변색입자(262)의 광 흡수 정도(또는 투과도) 조절을 위한 제 1 투명 전극(254)에 전압이 인가되지 않고 반사형 표시장치(200)의 구동에 문제가 발생하게 된다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 반사형 표시장치(300)는 적색 화소영역(Rp)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다. 또한, 풀 컬러 영상의 구현을 위해 녹색, 청색 화소영역(미도시)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러 화소영역(적색 화소영역(Rp), 녹색 화소영역, 청색 화소영역)과 백색 화소영역(Wp)을 포함한다.
반사형 표시장치(300)는, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판(310, 380)과, 제 1 및 제 2 기판(310, 380) 사이에 위치하는 반사전극(340), 적색 화소영역(Rp)에 위치하는 적색 컬러필터층(342), 백색 화소영역(Wp)에 위치하는 중공입자층(350), 제 1 투명 전극(354), 전기변색층(360), 전해질층(370), 카운터 전극(384) 및 제 2 투명 전극(382)을 포함한다. 제 1 및 제 2 기판(310, 380) 각각은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 각 화소영역(Rp, Wp)을 구동하기 위한 박막트랜지스터(Tr)가 제 2 투명 전극(354)과 연결되며 위치한다. 박막트랜지스터(Tr)는 반사전극(340)에도 연결된다. 이와 달리, 반사전극(340)은 박막트랜지스터(Tr)와 전기적으로 분리될 수도 있다.
제 1 기판(310) 상에 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 적색 화소영역(Rp)과 백색 화소영역(Wp)을 정의하고, 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된다.
박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(312), 반도체층(320), 소스 전극(330), 드레인 전극(332)을 포함한다. 게이트 전극(312)과 반도체층(320) 사이에는 게이트 절연막(314)이 위치한다.
박막트랜지스터(Tr)를 덮고 드레인 전극(332)을 노출하는 드레인 콘택홀(336)을 갖는 보호층(334)이 형성되고, 반사전극(340)은 드레인 콘택홀(336)을 통해 드레인 전극(332)에 연결되며 보호층(334) 상에 형성된다.
반사전극(340)은 알루미늄과 같이 반사율이 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 반사전극(340)은 알루미늄, 구리, 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 반사전극(340)은 투명 도전성 물질층과 반사층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 반사전극(340)은 ITO층, APC 합금층, ITO층의 삼중층 구조를 가질 수 있다.
반사전극(340)은 드레인 전극(332)에 연결되지 않고 반사판 역할을 할 수도 있다.
적색 화소영역(Rp)에는, 반사전극(340) 상에 적색 컬러필터층(342)이 형성된다. 도시하지 않았으나, 녹색 및 청색 화소영역에는, 반사전극(340) 상에 녹색 및 청색 컬러필터층이 각각 형성된다.
백색 화소영역(Wp)에는, 반사전극(340) 상에 중공입자(hollow particle, 352)를 포함하는 중공입자층(350)이 형성된다. 중공입자층(350)은 포토리소그라피 공정이 가능하도록 감광성(photo-sensitive) 레진을 더 포함한다.
중공입자(352)는 빛을 산란시키며 반사전극(340)에 의해 산란된 빛이 반사된다. 이때, 본 발명의 중공입자(352)는 높은 산란 특성을 가져 반사전극(340)에 의해 반사되는 빛의 백감도가 향상된다.
드레인 콘택홀(236)은 보호층(234)과 중공입자층(350)에 형성되어 드레인 전극(332)가 노출된다. 즉, 보호층(334)에는 제 1 콘택홀이 형성되고, 중공입자층(350)에는 제 2 콘택홀이 형성되며, 제 1 및 제 2 콘택홀이 드레인 콘택홀(336)을 이룬다. 이때, 반사전극(340)은 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극(332)에 연결된다.
중공입자층(350)은 레진(또는 바인더, 미도시)과 레진에 분산된 중공입자(350)를 포함한다.
중공입자의 개략적인 단면도인 도 4를 참조하면, 중공입자(352)는 제1 굴절률을 갖는 코어(392)와 제 1 굴절률보다 큰 제 2 굴절률을 갖고 코어(392)를 감싸는 쉘(394)을 포함한다.
예를 들어, 코어(392)는 공기층일 수 있다. 또한, 쉘(394)은 약 1.4~1.6의 굴절률을 갖고 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 쉘(394)은 styrene 계열의 고분자(굴절률 1.59), polymethylmethacrylate(PMMA, 굴절률 1.49)와 같은 유기 물질 또는 산화실리콘(SiO2, 굴절률 1.4)과 같은 무기물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 중공입자층(350)이 반사전극(340) 상에 배치되면, 중공입자층(350)이 낮은 두께를 갖더라도 백색 화소영역(Wp)에서 반사율과 백감도가 향상된다. 따라서, 중공입자층(350)과 컬러필터층(342)가 실질적으로 동일한 두께(t1)를 가질 수 있다.
제 1 투명 전극(354)은 적색 컬러필터층(342)과 중공입자층(350) 상에 형성된다. 제 1 투명 전극(354)은 드레인 콘택홀(336)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(332)에 연결되며 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 즉, 제 1 투명 전극(354)은 제 2 콘택홀(336)을 통해 드레인 전극(332)에 전기적으로 연결된다.
전술한 바와 같이, 백색 안료층(도 2의 250)의 산화티타늄 입자(252)는 빛을 반사시키기 때문에, 마스크 공정을 진행하여 백색 안료층(250)에 드레인 콘택홀(도 2의 236)을 형성하는 것은 매우 어렵거나 불가능하다. 따라서, 백색 안료층(250) 상에 형성되는 제 1 투명 전극(254)은 박막트랜지스터(Tr)과 전기적으로 연결되지 못한다.
그러나, 중공입자층(350)은 빛을 산란시키며 투과시키기 때문에, 마스크 공정(노광 공정을 포함하는 포토리소그라피 공정)에 의해 중공입자층(350)에 드레인 콘택홀(336)을 형성할 수 있다. 따라서, 제 1 투명 전극(254)이 박막트랜지스터(Tr)에 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 제 1 기판(310) 상부로 보호층(334)을 형성한 후, 마스크 공정(포토리소그라피 공정)을 진행 제 1 콘택홀(드레인 콘택홀, 336)을 형성하고, 높은 반사율을 갖는 금속물질을 증착하고 마스크 공정을 진행하여 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극(332)에 연결되는 반사전극(340)을 형성한다.
한편, 제 1 콘택홀 형성 공정 없이 높은 반사율을 갖는 물질층을 형성하고 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써 보호층(334) 상에 적색 화소영역(Rp)와 백색 화소영역(Wp) 각각에 대응하는 반사판을 형성할 수도 있다.
다음, 적색 컬러필터층(342)과 중공입자층(350)이 적색 화소영역(Rp)과 백색 화소영역(Wp)에 각각 형성된다. 중공입자층(350)은 중공입자, 모노머 및/또는 올리고머, 개시제, 용매가 포함된 조성물을 코팅하고 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 적색 컬러필터층(342)과 중공입자층(350)에는 마스크 공정에 의해 제 2 콘택홀(드레인 콘택홀)이 형성된다.
전술한 바와 같이, 중공입자층(350)은 빛을 반사시키는 것이 아니라 산란시키기 때문에, 마스크 공정에 의해 중공입자층(350)에 제 2 콘택홀을 형성할 수 있다.
마스크 공정의 노광 공정에서 중공입자층(350)에 의해 빛이 산란되기 때문에, 중공입자층(350)에 형성되는 제 2 콘택홀의 크기(평면적)는 보호층(334)에 형성되는 제 1 콘택홀보다 클 수 있다. 또한, 중공입자층(350)에 형성되는 제 2 콘택홀의 크기는 적색 컬러필터층(342)에 형성되는 제 2 콘택홀보다 클 수 있다.
다음, 적색 컬러필터층(342)과 중공입자층(350) 상에 투명 도전성 물질을 증착하고 마스크 공정을 진행함으로써, 제 1 투명전극(354)이 형성된다.
컬러필터층(342)과 중공입자층(350)은 반사전극(340)과 제 1 투명 전극(354) 사이에 위치하여 이들은 샌드위치 구조를 이루며, 이에 의해 중공입자층(350)이 보호된다.
백색 화소영역(Wp)에 박막트랜지스터(Tr), 보호층(334), 반사전극(340), 백색 안료층(350) 및 제 1 투명 전극(354)이 형성된 기판(310)은 반사형 표시장치(300)의 어레이 기판을 구성한다. 또한, 어레이 기판은, 컬러 영상 구현을 위해 박막트랜지스터(Tr), 보호층(334), 반사전극(340), 컬러필터층(342), 제 1 투명 전극(354)이 형성된 적색 화소영역(Rp)을 포함할 수 있고, 적색 화소영역(Rp)과 동일한 구조의 녹색 및 청색 화소영역(미도시)을 더 포함할 수 있다.
제 1 투명 전극(354) 상에는 전기변색입자(362)를 포함하는 전기변색층(360)이 위치하고, 전기변색층(360) 상에는 전해질층(370)이 위치한다.
전기변색층(360)과 접하는 제 1 투명 전극(354)이 박막트랜지스터(Tr)에 전기적으로 연결되기 때문에, 전기변색층(360)을 구동시키기 위한 구동 전압이 감소한다. 따라서, 반사형 표시장치(300)의 구동 전압과 소비 전력이 감소한다.
또한, 전기변색층(360) 상에는 제 2 투명 전극(382)과 카운터 전극(384)이 형성된 제 2 기판(380)이 위치한다.
한편, 다시 도 1을 참조하면, 중공입자층(350)은 백색 안료층(150) 대신에 형성될 수도 있다. 즉, 중공입자층(350)은 반사전극(140) 상에 위치하며 전기변색층(160)과 접할 수도 있다. 본 발명의 중공입자층(350)은 반사전극(140) 상에 위치하며 낮은 두께를 갖더라도 반사율과 백감도에서 우수한 특성을 갖는다. 따라서, 중공입자층(350)이 컬러필터층(142)과 실질적으로 동일한 두께를 갖더라도, 어레이 기판 및 반사형 표시장치는 높은 반사율과 우수한 백감도를 갖는다.
이와 같은 구조의 반사형 표시장치(300)에서는, 전압 인가에 따른 전기변색입자(362)의 광 흡수 정도(또는 투과도) 변화와 중공입자층(350)에서의 빛 산란 및 반사전극(340)에서의 반사에 의해 영상을 구현하게 된다.
예를 들어, 제 1 투명 전극(354)과 제 2 투명전극(382)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 전기변색 입자(362)는 투명한 상태를 갖고, 외부의 빛이 반사전극(340)에 의해 반사되어 적색 컬러필터층(342)을 통과하면서 적색을 표시하게 된다. 또한, 백색 화소영역(Wp)에서는 외부의 빛이 중공입자층(350)에 의해 산란되고 반사전극(340)에 의해 반사되어 백색을 표시하게 된다.
한편, 제 1 투명 전극(354)과 제 2 투명전극(382)에 전압이 인가된 상태에서 전기변색 입자(362)는 불투명한 상태를 가져 외부 빛을 흡수함으로써, 반사형 표시장치(300)는 블랙 상태가 된다.
전술한 바와 같이, 중공입자(352)를 포함하는 중공입자층(350)은 반사전극(340)과 제 1 투명 전극(354)에 의해 하부 및 상부가 덮이기 때문에, 전기변색층(360) 및/또는 전해질층(370)에 이용되는 용제(또는 용매)에 의해 중공입자층(350)이 손상되는 문제가 방지된다. 또한, 적색 컬러필터층(342) 역시 반사전극(340)과 제 1 투명 전극(354)에 의해 하부 및 상부가 덮인 상태를 갖기 때문에, 적색 컬러필터층(342)의 손상도 방지된다.
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치(300)에서는, 중공입자층(350)과 반사전극(340)에 의해 높은 반사율이 확보되기 때문에, 중공입자층(350)과 컬러필터층(342)이 동일한 두께(t1)를 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 표시장치(도 2의 200)에서와 같은 두께 증가의 문제가 발생하지 않는다.
또한, 본 발명의 중공입자(352)는 빛을 반사시키지 않기 때문에, 드레인 콘택홀(336)의 형성 공정에 문제가 발생하지 않으며, 이에 따라 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 표시장치(도 2의 200)에서와 같은 구동 불량 문제는 발생하지 않는다.
즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치(300)는, 표시장치의 두께 증가와 구동 불량 없이 백색 화소영역(Wp)에서의 높은 반사율과 우수한 백감도에 의해 높은 휘도와 우수한 표시품질을 제공할 수 있다.
중공입자의 합성
증류수 150그램을 질소 가스로 30분 동안 퍼지(purge)한 후 스타이렌 15그램과 아크릴릭 엑시드 2.5그램을 넣었다. 이후, 포타슘 퍼설페이트가 0.7퍼센트의 중량비로 용해된 증류수 150그램을 넣고 스터링(stirring)을 지속하며 70℃로 승온시켜(분당 1℃씩 상승) 8시간 동안 유지시켰다. 이후 5회의 원심분리를 통하여 잔류물을 제거하고, 얻어진 고체 1그램을 60그램의 증류수에 분산시켰다.
이후, 질소 가스를 이용하여 30분간 퍼지시켰다. 혼합물에 다이비닐벤젠 1.5그램, 메틸메타아크릴레이트 1.6그램, 아크릴산(acrylic acid) 0.18그램, 포타슘 퍼설페이트 0.02그램을 넣고 스터링을 지속하며 80℃로 승온시켜(분당 1.5℃씩 상승) 5시간 동안 유지시켰다. 이후 5회의 원심분리를 통하여 잔류물을 제거하고 중공입자를 얻었다.
반사표시장치의 제작
MoTi(500Å)와 Cu(2000Å)를 기판에 증착한 후 photolithography 공정을 통해 패터닝하였다. 질화실리콘(4000Å)을 증착하였다. a-Si(2000Å)를 증착한 후, n+ 도핑 공정을 진행하고 photolithography 공정을 통해 패터닝하였다. MoTi(500Å)와 Cu(2000Å)를 증착하고 photolithography 공정을 통해 패터닝하였다.
질화실리콘층(3000Å)과 투명 포토아크릴층(20000Å)을 형성한 후, 홀(hole)을 형성하였다. 포토아크릴층 상에 ITO(100Å), APC(1000Å), ITO(100Å)를 순차 증착하고 패터닝하였다.
이후, 위에서 합성한 중공입자를 포함하는 중공입자층(약 2.0㎛)을 도포하고 photolithography 공정을 통한 패터닝 공정과 홀 형성 공정을 진행하였다.
중공입자층 상에 ITO(1000Å)를 증착하고 패터닝하여 반사형 표시장치용 어레이 기판을 제작하였다.
실험예1
합성예에서 얻은 중공입자 10wt%, propylene glycol methyl ether acetate(PGMEA) 70~80wt%, 하이드록시 알킬 비닐 에테르와 무수 말레산 모노머의 혼합물(6:4) 5~10wt%, 벤질 아크릴레이트 3~5wt%, 트리아릴술포늄염, 디아릴 요도늄염, 술포네이트, N-히드록시숙신이미드 트리플레이트의 혼합물 0.5~2wt%, 트리이소부틸아민 0.01~1wt%를 전체가 100wt%가 되도록 혼합하여 포토 패턴이 가능한 중공입자 조성물(중공입자 10wt%)을 코팅하여 중공입자층(2.0㎛)을 형성하였다.
실험예2
실험예1에서, 중공입자의 중량비를 20wt%로 변경하였다.
실험예3
실험예1에서, 중공입자의 중량비를 30wt%로 변경하였다.
실험예4
실험예1에서, 중공입자 대신에 입자크기가 300nm인 산화티타늄(TiO2)를 이용하여 중공입자층 대신에 백색 안료층을 형성하였다.
실험예5
실험예4에서, 백색 안료층의 두께를 10㎛로 변경하였다.
실험예6
실험예4에서, 백색 안료층의 두께를 70㎛로 변경하였다.
실험예7
실험예1에 의해 제작된 어레이 기판 상에 전기변색층, 전해질층 및 카운터 전극을 순차 형성하고, ITO가 증착된 기판을 카운터 전극 상에 부착하여 반사형 표시장치를 제작하였다.
위 실험예1 내지 6과 A4용지(비교예1) 및 금속판(비교예2, 은-팔라듐-구리합금)의 광학특성(반사율(RY), 색좌표(CIE(x), CIE(y)) 및 백감도(white index (WI) ASTM e313)을 측정하여 아래 표1에 기재하였다.
표1에서 보여지는 바와 같이, 실험예1 내지 3에서와 같이 중공입자를 포함하는 중공입자층이 형성된 어레이 기판은, 중공입자층의 두께가 작은 경우에도 높은 반사율과 우수한 백감도를 갖는다.
실험예1의 반사모드와, 실험예7의 반사모드 및 차광모드에서의 평균투과율(평균반사율)을 측정하여 아래 표2에 기재하였다.
표 2에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사형 표시장치(300)는 반사모드에서 높은 반사율(투과율)과 차광모드에서 낮은 반사율을 갖는다. 따라서, 반사형 표시장치(300)의 휘도와 명암비가 향상된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200, 300: 반사형 표시장치
110, 210, 310: 제 1 기판
140, 240, 340: 반사전극(반사판) 150, 250: 백색 안료층
152, 252: 산화티타늄 입자 160, 260, 360: 전기변색층
162, 262, 362: 전기변색층 170, 270, 370: 전해질층
180, 280, 380: 제 2 기판
182, 254, 282, 354, 382: 투명 전극
184, 284, 384: 카운터 전극 350: 중공입자층
352: 중공입자
140, 240, 340: 반사전극(반사판) 150, 250: 백색 안료층
152, 252: 산화티타늄 입자 160, 260, 360: 전기변색층
162, 262, 362: 전기변색층 170, 270, 370: 전해질층
180, 280, 380: 제 2 기판
182, 254, 282, 354, 382: 투명 전극
184, 284, 384: 카운터 전극 350: 중공입자층
352: 중공입자
Claims (10)
- 제 1 화소영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상에, 상기 제 1 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터를 덮고 상기 박막트랜지스터의 제 1 전극을 노출하는 제 1 콘택홀을 갖는 보호층과;
상기 보호층 상에 위치하는 반사판과;
상기 반사판 상에 위치하며 상기 제 1 콘택홀에 대응하는 제 2 콘택홀을 갖고 중공입자를 포함하는 중공입자층과;
상기 중공입자층을 덮고 상기 제 1 및 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결되는 제 1 투명 전극
을 포함하는 어레이 기판.
- 제 1 화소영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상에, 상기 제 1 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터를 덮고 상기 박막트랜지스터의 제 1 전극을 노출하는 콘택홀을 갖는 보호층과;
상기 보호층 상에 위치하며 상기 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 연결되는 반사전극과;
상기 반사판 상에 위치하며 중공입자를 포함하는 중공입자층
을 포함하는 어레이 기판.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 중공입자는 코어와 상기 코어를 감싸는 쉘을 포함하고, 상기 쉘의 굴절률은 상기 코어의 굴절률보다 큰 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사판은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 1 전극에 연결되는 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 콘택홀의 크기는 상기 제 1 콘택홀보다 큰 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판에는 제 2 화소영역이 더 정의되고, 상기 제 2 화소영역에는 상기 박막트랜지스터, 상기 보호층, 상기 반사판, 상기 제 1 투명 전극이 위치하며,
상기 제 2 화소영역의 상기 반사판과 상기 제 1 투명 전극 사이에 위치하는 컬러필터층을 더 포함하는 어레이 기판.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 기판에는 제 2 화소영역이 더 정의되고, 상기 제 2 화소영역에는 상기 박막트랜지스터, 상기 보호층, 상기 반사전극이 위치하며,
상기 제 2 화소영역의 상기 반사전극 상에 위치하는 컬러필터층을 더 포함하는 어레이 기판.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 중공입자층과 상기 컬러필터층은 동일한 두께를 갖는 어레이 기판.
- 제 1 항의 어레이 기판과;
상기 어레이 기판과 마주하는 제 2 기판과;
상기 어레이 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하며 전기변색입자를 포함하는 전기변색층과;
상기 전기변색층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 전해질층과;
상기 전해질층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 카운터 전극과;
상기 카운터 전극과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 제 2 투명 전극
을 포함하는 반사형 표시장치.
- 제 2 항의 어레이 기판과;
상기 어레이 기판과 마주하는 제 2 기판과;
상기 어레이 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하며 전기변색입자를 포함하는 전기변색층과;
상기 전기변색층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 전해질층과;
상기 전해질층과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 카운터 전극과;
상기 카운터 전극과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 투명 전극
을 포함하는 반사형 표시장치.
Priority Applications (1)
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| KR1020160119056A KR102666767B1 (ko) | 2016-09-19 | 어레이 기판 및 이를 포함하는 반사형 표시장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160119056A KR102666767B1 (ko) | 2016-09-19 | 어레이 기판 및 이를 포함하는 반사형 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180031125A true KR20180031125A (ko) | 2018-03-28 |
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| WO2021163975A1 (zh) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、其驱动方法及显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) |