KR20180028869A - 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 - Google Patents

모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 모판은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크 제조시 사용되는 모판(Mother Plate)으로서, 도금막(15)이 형성되는 도금부(21) 및 모판(20)의 일면 상에 형성되며, 모판(20) 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴(28)을 포함하는 복수의 절연부(25)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 {MOTHER PLATE AND PRODUCING METHOD OF THE SAME, AND PRODUCING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전주 도금 방식을 이용하여 도금막을 형성함과 동시에 도금막에 테이퍼 형상을 가지는 패턴을 형성할 수 있으며, 더 나아가 테이퍼 각도 및 패턴의 폭까지 조절할 수 있는 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.
한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.
도 1 및 도 2는 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 기존의 마스크 제조 방법은, 마스크로 사용될 금속 박판(1)을 마련하고[도 1의 (a)], 금속 박판(1) 상에 PR(Photoresist; 2) 코팅 후 패터닝을 하거나, 패턴을 가지도록 PR(2) 코팅한 후[도 1의 (b)], 식각을 통해 패턴(P)을 가지는 마스크(3)를 제조하였다.
도 2를 참조하면, 도금을 이용한 기존의 마스크 제조 방법은, 기판(4)[도 2의 (a)]을 준비하고, 기판(4) 상에 소정의 패턴을 가지는 PR(2)을 코팅한다[도 2의 (b)]. 이어서, 기판(4) 상에 도금을 수행하여 금속 박판(3)을 형성한다[도 2의 (c)]. 이어서, PR(2)을 제거하고[도 2의 (d)], 기판(4)으로부터 패턴(P)이 형성된 마스크(3)[또는, 금속 박판(3)]을 분리한다[도 2의 (e)].
위와 같은 종래의 FMM 제조 과정은, 매번 기판에 PR을 코팅하고, 식각하는 공정이 수반되므로, 공정 시간, 비용이 증가하고, 생산성이 낮아지는 문제점이 있었다.
도 3은 종래의 OLED 화소 형성 공정을 나타내는 개략도이다.
도 3의 (a)를 참조하면, FMM 법을 사용하는 화소 형성 공정을 위해, 먼저, 대상 기판(9)과 패턴이 형성된 새도우 마스크(3)를 최대한 밀착시킨다. 그리고, 일정 경로를 왕복하는 소스 공급 수단(5)을 통해 유기물, 저분자 등의 소스(6)를 증착한다. 새도우 마스크(3)를 얼라인하면서 R, G, B 소스(6)를 순차적으로 증착하여 화소(8)를 형성한다. 하지만, 도 3의 (a)과 같이, 화소(8)가 화소 패턴(F)을 따라 균일한 두께를 가지지 않고 화소(8)의 양단으로 갈수록 두께가 얇아지는, 오차(E)가 발생하였다. 이는 직각 패턴으로 인해, 직진하는 소스(6)가 새도우 마스크(3) 패턴 모서리에 가려지게 되는, 이른바 새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 것이다.
그리하여, 도 3의 (b)와 같이, 화소(8)가 화소 패턴(F)을 따라 균일한 두께를 가지도록, 새도우 마스크(3) 패턴을 테이퍼(Taper) 형상으로 경사지게 형성(T)하여 오차(E)를 최소화 하는 방법이 제안되었다. 하지만, 테이퍼 형상(T)을 만들기 위한 만들기 위해 별도의 공정이 수반되므로, 공정 시간, 비용이 증가하고, 생산성이 낮아지는 문제점이 있었다. 또한, 테이퍼 형상(T)의 각도를 조절하기가 어려운 문제점이 있었다. 그리고, 마스크 패턴에 테이퍼 형상(T)을 만드는 과정에서 마스크의 패턴에 손상이 가해지거나 변형이 생기는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는, 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 별도의 공정 없이, 기울어진 형상, 테이퍼 형상을 가지는 마스크 패턴을 도금 공정만으로 형성할 수 있는, 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 도금 공정 중에 조절할 수 있는, 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 마스크 패턴의 폭을 도금 공정 중에 조절할 수 있는, 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 음극체(Cathode Body)로 사용되는 모판을 한번 제조하면, 이후 공정에서 반복적으로 재사용 할 수 있어, 공정 시간, 비용을 감축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있는, 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크 제조시 사용되는 모판(Mother Plate)으로서, 도금막이 형성되는 도금부; 및 모판의 일면 상에 형성되며, 모판 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부;를 포함하는, 모판에 의해 달성된다.
음각 패턴 내에서 도금막이 형성되고, 절연부 상에서 도금막의 형성이 방지되어 도금막이 패턴을 가지게 될 수 있다.
음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성될 수 있다.
모판은 전도성 재질일 수 있다.
절연부의 두께는 5㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
도금부 및 음각 패턴 내에 도금막을 형성할 수 있는 전기장이 작용할 수 있다.
절연부는 SOG(Spin On Glass)를 포함하는 재질일 수 있다.
패턴을 가지는 도금막은 FMM(Fine Metal Mask)으로 사용될 수 있다.
모판은 전주 도금에서 음극체(Cathode Body)로 사용될 수 있다.
전주 도금을 반복하여 수행해도 모판의 일면 상에 절연부가 잔존할 수 있다.
도금부와 도금막 사이의 접착력보다, 모판의 일면과 절연부 사이의 접착력이 더 강할 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, 음극체(Cathode Body)의 일면 상에, 음극체 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 형성되고, 음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고, 음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재의 일면 상에, 전도성 기재 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부를 형성하는 단계; (c) 음극체 및 음극체에 이격되어 배치되는 양극체(Anode Body)의 적어도 일부를 도금액에 침지하고, 음극체 및 양극체 사이에 전기장을 인가하는 단계를 포함하며, 음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고, 음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, (a) 상기 모판을 음극체(Cathode Body)로 배치하는 단계; 및 (b) 음극체 및 음극체에 이격되어 배치되는 양극체(Anode Body)의 적어도 일부를 도금액에 침지하고, 음극체 및 양극체 사이에 전기장을 인가하는 단계를 포함하며, 음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고, 음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.
도금막은 인바(Invar) 또는 수퍼 인바(Super Invar) 재질일 수 있다.
음각 패턴의 높이를 초과하는 두께만큼, 측부 방향으로 도금막이 더 형성될 수 있다.
절연부가 점유하는 부분의 형상 및 절연부 상에서 도금막이 형성되지 않은 부분의 형상은 마스크 패턴에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
마스크 패턴의 폭은 적어도 30㎛보다 작을 수 있다.
마스크 패턴의 폭은, 절연부의 폭과 절연부 상에 형성되는 도금막의 폭의 차이일 수 있다.
절연부의 두께, 또는 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막의 폭 중 적어도 하나를 조절하여, 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 조절할 수 있다.
마스크 패턴의 테이퍼 각도는 55° 내지 59°일 수 있다.
마스크 패턴의 테이퍼 각도 θ(°)는, θ=tan-1(절연부의 두께/절연부 상에 형성되는 도금막의 폭) 일 수 있다.
전주 도금을 반복하여 수행해도 음극체의 일면 상에 절연부가 잔존할 수 있다.
음극체의 일면과 도금막 사이의 접착력보다, 음극체의 일면과 절연부 사이의 접착력이 더 강할 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 일면 상에 형성된 음극체(Cathode Body), 및 양극체(Anode Body)의 사이에 전기장을 인가하는 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 중에, 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 조절하는 방법으로서, 절연부의 두께, 또는 음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 형성된 도금막이 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 폭 중 적어도 하나를 조절하는, 마스크 패턴의 테이퍼 각도 조절 방법에 의해 달성된다.
음극체 및 양극체 사이에 인가하는 전기장의 세기가 커질수록 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 형성되는 폭이 커질 수 있다.
마스크 패턴의 테이퍼 각도는 55° 내지 59°일 수 있다.
마스크 패턴의 테이퍼 각도 θ(°)는, θ=tan-1(절연부의 두께/절연부 상에 형성되는 도금막의 폭) 일 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 일면 상에 형성된 음극체(Cathode Body), 및 양극체(Anode Body)의 사이에 전기장을 인가하는 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 중에, 마스크 패턴의 폭을 조절하는 방법으로서, 음각 패턴의 높이를 초과하는 두께만큼, 측부 방향으로 도금막이 더 형성되는 것을 조절하는, 마스크 패턴의 폭 조절 방법에 의해 달성된다.
음극체 및 양극체 사이에 인가하는 전기장의 세기가 커질수록 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 폭이 커지게 되어 마스크 패턴의 폭이 작아질 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 제조된 마스크를 사용하는 OLED 화소 증착 방법으로서, (a) 상기 마스크의 제조 방법을 이용하여 제조한 마스크를 대상 기판에 대응시키는 단계; (b) 대상 기판에 마스크를 통하여 유기물 소스를 공급하는 단계; 및 (c) 유기물 소스가 마스크의 패턴을 통과하여 대상 기판에 증착되는 단계를 포함하는, OLED 화소 증착 방법에 의해 달성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 별도의 공정 없이, 기울어진 형상, 테이퍼 형상을 가지는 마스크 패턴을 도금 공정만으로 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 도금 공정 중에 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 폭을 도금 공정 중에 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 음극체(Cathode Body)로 사용되는 모판을 한번 제조하면, 이후 공정에서 반복적으로 재사용 할 수 있어, 공정 시간, 비용을 감축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 OLED 화소 형성 공정을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 모판의 외면을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크의 패턴을 나타내는 확대도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시 예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시 예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시 예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시 예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시 예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시 예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.
도 4를 참조하면, OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.
마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.
증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.
새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴은 단차가 형성될 수 있다. 단차는 수직한 측면(101)과 수평한 측면(103)을 포함하여 형성될 수 있고, 수평한 측면(103)은 라운딩된 상부면(105)과 연결될 수 있다. 패턴이 경사지게 형성(S)된 것은 아니지만, 수직한 측면(101)과 수평한 측면(103)을 포함하는 단차가 형성되어, 단차의 모서리를 가상의 직선으로 연결하면 테이퍼 형상(S)과 유사한 형상이 만들어질 수 있다. 단차에 의한 가상의 직선 형태는 테이퍼 형상(S)과 같이, 대각선 방향으로 유기물 소스(600)들이 진입할 수 있는 경로를 제공한다. 따라서, 이하에서 언급하는 테이퍼 형상은 단차에서 양 모서리를 연결한 형상을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.
수직한 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들과 더불어, 단차에 의해 가려진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치(10)를 나타내는 개략도이다. 도 5에는 평면 전주 도금 장치(10)를 도시하였지만, 본 발명은 도 5에 도시된 형태에 제한되지는 않으며 평면 전주 도금 장치, 연속 전주 도금 장치 등 공지의 전주 도금 장치에 모두 적용될 수 있음을 밝혀둔다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치(10)는, 도금조(11), 음극체(Cathode Body; 20), 양극체(Anode Body; 30), 전원공급부(40)를 포함한다. 이 외에, 음극체(20)를 이동시키기 위한 수단, 마스크로 사용될 도금막(15)[또는, 금속 박판(15)]을 음극체(20)로부터 분리시키기 위한 수단, 커팅하기 위한 수단 등(미도시)을 더 포함할 수 있다.
도금조(11) 내에는 도금액(12)이 수용된다. 도금액(12)은 전해액으로서, 마스크로 사용될 도금막(15)의 재료가 될 수 있다. 일 실시 예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(15)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액(12)으로 사용할 수 있다. 다른 실시 예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(15)으로 제조하는 경우, 일 예로, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액(12)으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용되며, 전자빔을 형광체에 정확하게 유도할 수 있는 역할을 한다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 약 1.0 X 10-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(15)에 대한 도금액(12)을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(15)을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명한다.
도금액(12)이 외부의 도금액 공급수단(미도시)으로부터 도금조(11)로 공급될 수 있으며, 도금조(11) 내에는 도금액(12)을 순환시키는 순환 펌프(미도시), 도금액(12)의 불순물을 제거하는 필터(미도시) 등이 더 구비될 수 있다.
음극체(20)는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액(12) 내에 음극체(20)의 전부가 침지될 수 있다. 도 5에는 음극체(20) 및 양극체(30)가 수직으로 배치되는 형태가 도시되어 있으나, 수평으로 배치될 수도 있으며, 이 경우에는 도금액(12) 내에 음극체(20)의 적어도 일부 또는 전부가 침지될 수 있다.
음극체(20)는 도금액(12)과 반응하지 않는 티타늄(Ti), 스테인리스 스틸(SUS), 도핑된 실리콘, 기판 위에 코팅된 ITO 등과 같은 전도성 재료로 구성될 수 있다. 이 중에서 도핑된 실리콘, 특히, 도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함(Defect)이 없기 때문에 전주도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(15)이 생성될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 메탈, 다결정 실리콘의 경우에는 메탈 옥사이드 같은 불순물, 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)와 같은 결함에 의해 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(15)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있으므로, 이러한 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 수도 있다.
음극체(20)의 표면 상에 도금막(15)이 전착되고, 도금막(15)에 음극체(20)의 절연부(25)와 대응하는 패턴이 형성될 수 있다. 본 발명의 음극체(20)는 도금막(15)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 음극체(20)를 "모판"(Mother Plate; 20) 또는 "몰드"라고 표현하고 병기하여 사용한다. 모판(20)[또는, 음극체(20)] 표면의 구체적인 구성은 후술한다.
양극체(30)는 음극체(20)와 대향하도록 소정 간격 이격 설치되고, 음극체(20)에 대응하는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액(12) 내에 양극체(30)의 전체가 침지될 수 있다. 양극체(30)는 티타늄(Ti), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등과 같은 불용성 재료로 구성될 수 있다. 음극체(20)와 양극체(30)는 수cm 정도로 이격 설치될 수 있다.
전원공급부(40)는 음극체(20)와 양극체(30)에 전기 도금에 필요한 전류를 공급할 수 있다. 전원공급부(40)의 (-) 단자는 음극체(20), (+) 단자는 양극체(30)에 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크(100: 100a, 100b)를 나타내는 개략도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 모판(20)[또는, 음극체(20)]을 포함하는 전주 도금 장치(10)를 사용하여 제조된 마스크(100: 100a, 100b)가 도시되어 있다. 도 6의 (a)에 도시된 마스크(100a)는 스틱형(Stick-Type) 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 6의 (b)에 도시된 마스크(100b)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다. 도 6의 (c)는 도 6의 (a) 및 (b)의 A-A' 확대 측단면도이다.
마스크(100: 100a, 100b)의 바디(Body)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응하는 패턴이다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부에 단차가 형성되어, 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상과 유사한 역할을 할 수 있다[도 6의 (c) 참조]. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(100: 100a, 100b)에 형성될 수 있다.
즉, 본 명세서에서 디스플레이 패턴(DP)은 패턴 하나를 나타내는 개념은 아니며, 하나의 디스플레이에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)들이 군집된 개념으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서 "디스플레이 패턴(DP)"과 "절연부(25)"는 같은 스케일에서 대응될 수 있고, "화소 패턴(PP)"과 "절연부(25)의 영역 내 패턴화된 단위 절연체(26)"는 같은 스케일에서 대응될 수 있다.
본 발명의 마스크(100)는 별도의 패터닝 공정을 거칠 필요 없이, 곧바로 복수의 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)을 가지며 제조되는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명의 마스크(100)는 별도의 테이퍼 형성 공정을 거칠 필요 없이, 테이퍼 형상과 동일한 기능을 하는, 단차를 포함하는 패턴[화소 패턴(PP)]을 가지며 제조되는 것을 특징으로 한다. 다시 말해, 전주 도금 장치에서 모판(20)[또는, 음극체(20)]의 표면에 전착되는 도금막(15)은 디스플레이 패턴(DP) 및 단차를 포함하는 화소 패턴(PP)이 형성되면서 전착될 수 있다. 이하에서, 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)은 패턴으로 혼용되어 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 모판(20)의 외면을 나타내는 개략도이다. 도 7의 (a) 는 평판 전주 도금 장치(10)의 평판 형태 모판(20)을 나타내는 평면도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 B-B' 확대 측단면도이다.
도 7의 (a)를 참조하면, 모판(20)[또는, 음극체(20)]의 외면(표면)은 도금부(21) 및 절연부(25)를 포함한다.
도금부(21)는 도금막(15)[또는, 마스크(100)]이 실질적으로 전착되어 생성되는 모판(20)의 표면 부분(제1 영역)을 지칭하며, 도전 특성을 가질 수 있다. 도금부(21)와 양극체(30) 사이에서는 도금에 필요한 전기장이 형성될 수 있으며, 도금부(21)와 양극체 사이에서 도금막(15)이 전착될 수 있다.
그리고, 절연부(25)는 도금막(15)의 생성을 방지하도록, 모판(20)의 일면 상에 돌출되도록(양각으로) 형성한 부분이다. 또는, 절연부(25)는 패턴화된 복수의 단위 절연체(26)들이 군집된 영역(제2 영역)을 지칭할 수 있다.
도 7의 (b)를 참조하면, 절연부(25)는 음각 패턴(28)을 포함하고, 음각 패턴(28)은 모판(20) 일면에 대하여 수직하게 형성될 수 있다. 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)]의 두께는 약 5㎛ 내지 10㎛ 일 수 있지만 이에 제한되지는 않는다.
절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)]는 절연 특성을 가진 재질로 형성할 수 있다. 절연부(25)는 SOG(Spin On Glass), BPSG(Borophosphosilicate Glass), PSG(Phosphosilicate Glass)를 포함하는 재질일 수 있다. SOG 등을 사용할 때, 약 10㎛ 이상의 두께를 형성하기 유리하도록, SOG에 유무기 복합재를 혼합하여 사용할 수 있다.
전주 도금이 반복 수행되는 동안, 절연부(25)는 모판(20)의 일면 상에서 모판(20)과 일체화되어 잔존할 수 있다. 즉, 모판(20) 상에 도금막(15) 전착 후, 도금막(15)을 모판(20)과 분리, 모판(20) 세정 등의 일련의 과정에서도, 절연부(25)가 물리적 또는 화학적으로 제거, 손상, 분리됨이 없이 모판(20)의 일면 상에 잔존할 수 있다. 따라서, 절연부(25)까지 포함하여 모판, 몰드, 음극체 등으로 명명한다.
다른 관점에서, 모판(20)의 일면[또는, 도금부(21)]과 전착된 도금막(15) 사이의 접착력보다, 모판(20)의 일면과 절연부(25)와의 접착력이 더 강하다고 할 수 있다. 그리하여, 도금막(15)을 전착한 후에 모판(20)의 일면으로부터 분리하는 공정을 수행하여도, 도금막(15)과 같이 분리되거나 손상되지 않고, 모판(20)의 일면 상에 여전히 접착되어 잔존할 수 있다.
위와 같이, 본 발명은 절연부(25)가 반복된 공정 내에서도 잔족할 수 있으므로, 도금부(21)와 절연부(25)를 포함하는 모판(20)[또는, 음극체(20), 몰드(20)]를 한번만 제조하면 계속적으로 재사용이 가능한 이점이 있다. 이는 공정 시간, 비용의 감축, 생산성의 향상에 직결될 수 있다.
도 6에서 상술한 디스플레이 패턴(DP)과 유사하게, 하나의 절연부(25)는 디스플레이 하나에 대응할 수 있다.
절연부(25)를 확대하면, 절연부(25)는 모판(20) 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴(28)을 포함하고 있으며, 음각 패턴(28)에 의해 패턴화 된 복수의 단위 절연체(26)들이 배열된 것을 확인할 수 있다. 복수의 단위 절연체(26)는, 모판(20)[또는, 음극체(20)]을 통해 제조되는 마스크(100)의 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 형성하기 위한 것이다. 복수의 단위 절연체(26)들이 군집을 이루어 절연부(25)를 구성할 수 있다.
즉, 본 명세서에서 절연부(25)는 실선으로 표현되어 있으나, 실선으로 표현한 영역 전부가 절연된다는 의미는 아니고, 절연부(25)는 하나의 디스플레이에 대응하는 복수의 단위 절연체(26)들이 군집된 개념으로서, 단위 절연체(26)의 부분이 절연된다는 의미로 이해되어야 한다. 다시 말해, 모판(20)의 표면 상에 형성된 단위 절연체(26)들을 포괄하여 절연부(25)로 지칭하며, 단위 절연체(26)와 단위 절연체(26) 사이의 영역인 음각 패턴(28)을 포함한, 단위 절연체(26)가 형성되지 않은 모판(20)의 표면 상의 영역은 도금막이 생성될 수 있는 영역으로서, 도금부(21)로 지칭할 수 있다.
절연부(25)[또는, 절연체(26)]가 절연 특성을 가지므로, 절연부(25)[또는, 절연체(26)]와 양극체(30) 사이에서는 전기장이 형성되지 않거나, 도금이 수행되기 어려운 정도의 미약한 전기장만이 형성된다. 따라서, 모판(20)에서 도금막(15)이 생성되지 않는, 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)]에 대응하는 부분은 도금막(15)의 패턴, 홀(Hole) 등을 구성할 수 있다.
구체적으로, 모판(20)에서 절연체(26)에 대응하는 부분은, 도금막(15)의 화소 패턴(PP)을 구성할 수 있다. 단위 절연체(26)는 수직한 형상이므로, 화소 패턴(PP)[구체적으로, 화소 패턴(PP)의 하부(PP1)(도 9 참조)]도 절연체(26)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 그리고, 단위 절연체(26)의 집합체인 절연부(25)에 대응하는 부분은, 도금막(15)의 화소 패턴(PP)의 집합체인 디스플레이 패턴(DP)을 구성할 수 있다. 다시 말해, 모판(20)에서 절연부(25)를 제외한 표면 및 음각 패턴(28) 내에서 도금막이 형성되어 도금막(15) 바디를 구성하고, 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)]에 대응하는 부분은 도금막(15)의 패턴[디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)의 하부(PP1)]을 형성할 수 있다.
또한, 음각 패턴(28)의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 단위 절연체(26) 상의 소정의 부분까지 도금막이 더 형성되어 도금막(15) 바디를 구성할 수 있고, 단위 절연체(26) 상에서 도금막이 형성되지 않은 부분은 도금막(15)의 패턴[화소 패턴(PP)의 상부(PP2)(도 9 참조)]을 형성할 수 있다.
디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)이 형성된 도금막(15)은 OLED 화소 공정에서 새도우 마스크, FMM(100: 100a, 100b)[도 6 참조]으로 사용될 수 있으므로, 화소 패턴(PP)의 폭은 고해상도 화소 증착에 적절하도록 30㎛보다 작게 형성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크(100)[또는, 도금막(15)]의 제조 방법을 나타내는 개략도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크의 패턴을 나타내는 확대도이다.
먼저, 도 8의 (a)를 참조하면, 모판(20)을 준비한다. 모판(20)은 전도성 기재(21) 상에, 수직하게 형성된 음각 패턴(28)으로 패턴화된 단위 절연체(26)를 형성함에 따라 제조할 수 있다.
전도성 기재(21)는 음극체(20)로 사용되는 재질로서, 티타늄(Ti), 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 금속, 도핑된 실리콘 기판 등을 사용할 수 있다. 전도성 기재(21)의 표면에서 절연부(25)가 형성된 부분을 제외하고는 도금막(15)이 생성될 수 있으므로, 이하에서는 전도성 기재(21)[절연부(25) 제외]와 도금부(21)를 혼용하여 사용한다.
단위 절연체(26)들은 SOG(Spin On Glass)를 포함하는 재질을 사용하여 전도성 기재(21) 상에서 곧바로 패턴을 가지도록 형성할 수 있다. 또는, SOG(Spin On Glass)를 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드 등의 코팅 방법을 사용하여 절연층을 형성한 후, 리소그래피 공정을 통해 음각 패턴(28)을 형성할 수 있다.
절연체(26)의 두께는 제조하고자 하는 마스크(100)의 두께와 유사하거나 약간 작을 수 있으며, 약 5㎛ 내지 10㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 도금막(15)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 모판(20)[또는, 음극체(20)]과 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(30)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(20)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 모판(20)[또는, 음극체(20)]과 대향하는 양극체 사이에 형성된 전기장으로 인해 도금막(15)이 모판(20)의 표면에서 전착되어 생성될 수 있다.
전주 도금 초기에는 모판(20)의 도금부(21) 영역 및 음각 패턴(28) 내에서만 도금막(15)이 생성되고, 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)] 영역에서는 도금막(15)이 생성되지 않는다. 모판(20)의 음각 패턴(28) 바닥에서부터 도금막(15)[도 9의 도면부호 15a 참조]이 점차 전착될 수 있다.
계속 전기장이 인가됨에 따라 도금막(15)의 전착이 더 진행되면, 음각 패턴(28)의 높이[또는, 단위 절연체(26)의 두께]를 초과하도록 도금막(15)이 생성될 수 있다. 음각 패턴(28)의 높이를 초과하는 두께로 도금막(15)이 생성되면, 도금막(15)은 상부 방향으로 두꺼워짐과 동시에 측부 방향으로 퍼지게 될 수 있다. 다시 말해, 단위 절연체(26)의 상부의 소정 부분에까지 도금막(15)이 더 형성될 수 있다. 단위 절연체(26)의 상부의 소정 부분은 단위 절연체(26) 상부면의 모서리에서 중심부로 점점 확대될 수 있다. 전기장은 구배(Gradient)를 가지기 때문에, 도금막(15)이 측부 방향으로 퍼지게 되는 크기는 음각 패턴(28)의 높이를 초과하는 크기와 실질적으로 동일하다. 즉, 음각 패턴(28) 내의 공간을 도금막(15)이 다 채우게 된 이후에, 음각 패턴(28)의 높이를 초과하는 영역에서는 등방성을 가지고 도금막(15)이 생성될 수 있다.
도 9를 참조하여 더 살펴보면, 음각 패턴(28)의 높이(D1)[또는, 절연체(26)의 두께]를 초과하여 생성된 도금막(15b)의 두께(D2)와, 음각 패턴(28)의 폭(D4)을 넘어서 측부 방향으로 퍼져 생성된 도금막(15c)의 폭(D3)은 실질적으로 동일하게 된다.
따라서, 전기장의 세기를 조절하여, 음각 패턴(28)의 높이(D1)를 초과하여 생성되는 도금막(15b)의 두께(D2)를 조절함에 따라, 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막(15c)의 폭(D3)을 조절할 수 있다. 전기장의 세기가 커질수록 음각 패턴(28)의 높이(D1)를 초과하여 생성되는 도금막(15b)의 두께(D2)가 커지므로, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막(15c)이 형성되는 폭(D3)이 커질 수 있다.
절연체(26)의 두께(D1)는 제조하고자 하는 마스크(100)의 두께를 고려하여 약 5㎛ 내지 10㎛로 형성할 수 있으며, 전기장의 세기를 조절하여 상기 도금막(15)의 폭(D3)을 조절할 수 있으므로, 테이퍼 형상(S)에 대한 테이퍼 각도(TA)를 조절할 수 있다. 테이퍼 각도(TA) θ (°)는 아래 수학식으로 나타낼 수 있다.
θ = tan-1(절연부의 두께/절연부 상에 형성되는 도금막의 폭)
= tan-1(D1/D3)
= tan-1(D1/D2)
위와 같이, 본 발명은 절연체(26)의 두께, 또는 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막의 폭(D3) 중 적어도 하나를 조절하여 마스크 패턴(PP)의 테이퍼 각도(TA)를 조절하는 것을 특징으로 한다. 테이퍼 각도(TA)는 약 45°~70°일 수 있으며, 절연체(26)의 두께 및 전착되는 도금막(15)의 두께에 따른 각도 형성의 용이성, 증착 화소 두께의 균일성 등을 고려할 때, 55~59°가 이상적일 수 있다.
다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 모판(20)[또는, 음극체(20)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 도금막(15)과 모판(20)를 분리하면, 도금막(15)이 생성된 부분은 마스크(100)[또는, 마스크 바디]를 구성하고, 도금막(15)이 생성되지 않은 부분은 디스플레이 패턴(DP), 화소 패턴(PP)[또는, 마스크 패턴]을 구성할 수 있다.
다시, 도 9를 참조하여 더 살펴보면, 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)가 점유하는 부분의 형상 및 절연체(26) 상에서 도금막(15c)이 형성되지 않은 부분의 형상의 합이 마스크 패턴[또는, 화소 패턴(PP)]에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 절연부(25)[또는, 단위 절연체(26)]가 점유하는 부분의 형상은 화소 패턴 하부(PP1)에 대응하고, 절연체(26) 상에서 도금막(15c)이 형성되지 않은 부분의 형상은 화소 패턴 상부(PP2)에 대응할 수 있다.
유기물 소스가 통과하는 화소 패턴(PP)의 폭(D6)은 절연체(26)의 폭(D5)과 절연체(26) 상에 형성되는 도금막(15c)의 폭(D3)의 차이로 결정될 수 있다. 절연체(26)의 폭(D5)은 음각 패턴(28)을 형성할 때, 음각 패턴(28)의 폭(D6)을 조절함에 따라 조절할 수 있다. 그리고, 전기장의 세기를 조절하여, 음각 패턴(28)의 높이(D1)를 초과하여 생성되는 도금막(15b)의 두께(D2)를 조절함에 따라, 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막(15c)의 폭(D3)을 조절할 수 있다.
전기장의 세기가 커질수록 음각 패턴(28)의 높이(D1)를 초과하여 생성되는 도금막(15b)의 두께(D2)가 커지므로, 절연부(25) 상의 소정 부분에까지 도금막(15c)이 형성되는 폭(D3)이 커질 수 있다. 결국, 음각 패턴(28)의 폭(D6)을 고정된 값으로 고려하면, 화소 패턴(PP)의 폭(D6)도 상기 도금막(15c)의 폭(D3)을 제어함에 따라 조절할 수 있다. 수치적으로는, D6 = D5-(D3*2)로 나타낼 수 있다.
위와 같이, 본 발명은 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막의 폭(D3)을 조절하여 화소 패턴(PP)[또는, 마스크 패턴]의 폭(D6)을 조절하는 것을 특징으로 한다. 화소 패턴(PP)의 폭은 고해상도 화소 증착에 적절하도록 30㎛보다 작게 형성될 수 있다.
위와 같이, 본 발명은 전주 도금 공정에서 도금막(15)을 형성하는 공정만으로 패턴을 가지는 마스크(100)를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 별도의 공정 없이, 기울어진 형상(S), 테이퍼 형상을 가지는 마스크 패턴을 도금 공정만으로 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 음각 패턴(28)의 높이(D1)를 초과하여 도금막(15b)을 생성하도록 전기장의 세기를 조절하면, 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 도금막(15c)이 형성될 수 있으므로, 마스크 패턴의 측면에 단차를 형성할 수 있는 효과가 있다. 이 단차는 유기물 소스(600)들이 대각선 방향으로 진입할 수 있는 경로인 테이퍼 형상(S)과 동일한 역할을 하는 효과가 있다. 그리고, 테이퍼 각도(TA)를 도금막(15) 생성 중에 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 전기장의 세기를 조절하여 절연체(26) 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막(15c)의 폭을 조절함에 따라, 마스크 패턴의 폭(D6)을 도금막(15) 생성 중에 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 도금부(21)와 절연부(25)를 포함하는 모판(20)[또는, 음극체(20)]를 한번 제조하면, 이후에 반복적으로 재사용 할 수 있어 공정 시간, 비용을 감축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 모판(20)의 절연부(25) 패턴을 미세하게 형성할 수 있으므로, OLED의 FMM의 패턴을 미세하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 전주 도금 장치
11: 도금조
12: 도금액
15: 도금막
20: 음극체, 모판
21: 전도성 기재, 도금부
25: 절연부
26: 단위 절연체
28: 음각 패턴
30: 양극체
40: 전원공급부
100: 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask)
200: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
PP: 화소 패턴
D1: 절연부 두께, 음각 패턴 높이
D2: 음각 패턴 높이를 초과하여 형성된 도금막의 두께
D3: 절연부 상의 소정 부분에 형성되는 도금막의 폭
D4: 음각 패턴의 폭
D5: 절연체의 폭
D6: 마스크 패턴(화소 패턴)의 폭
S: 마스크 패턴 측면의 테이퍼 형상, 기울어진 형상
TA: 테이퍼 각도

Claims (31)

  1. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크 제조시 사용되는 모판(Mother Plate)으로서,
    도금막이 형성되는 도금부; 및
    모판의 일면 상에 형성되며, 모판 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부;
    를 포함하는, 모판.
  2. 제1항에 있어서,
    음각 패턴 내에서 도금막이 형성되고, 절연부 상에서 도금막의 형성이 방지되어 도금막이 패턴을 가지게 되는, 모판.
  3. 제2항에 있어서,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되는, 모판.
  4. 제1항에 있어서,
    모판은 전도성 재질인, 모판.
  5. 제1항에 있어서,
    절연부의 두께는 5㎛ 내지 10㎛인, 모판.
  6. 제1항에 있어서,
    도금부 및 음각 패턴 내에 도금막을 형성할 수 있는 전기장이 작용하는, 모판.
  7. 제1항에 있어서,
    절연부는 SOG(Spin On Glass)를 포함하는 재질인, 모판.
  8. 제2항에 있어서,
    패턴을 가지는 도금막은 FMM(Fine Metal Mask)으로 사용되는, 모판.
  9. 제1항에 있어서,
    모판은 전주 도금에서 음극체(Cathode Body)로 사용되는, 모판.
  10. 제1항에 있어서,
    전주 도금을 반복하여 수행해도 모판의 일면 상에 절연부가 잔존하는, 모판.
  11. 제1항에 있어서,
    도금부와 도금막 사이의 접착력보다, 모판의 일면과 절연부 사이의 접착력이 더 강한, 모판.
  12. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
    음극체(Cathode Body)의 일면 상에, 음극체 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 형성되고,
    음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법.
  13. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
    (a) 전도성 기재를 제공하는 단계;
    (b) 전도성 기재의 일면 상에, 전도성 기재 일면에 대하여 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부를 형성하는 단계;
    (c) 음극체 및 음극체에 이격되어 배치되는 양극체(Anode Body)의 적어도 일부를 도금액에 침지하고, 음극체 및 양극체 사이에 전기장을 인가하는 단계
    를 포함하며,
    음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법.
  14. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
    (a) 제1항의 모판을 음극체(Cathode Body)로 배치하는 단계; 및
    (b) 음극체 및 음극체에 이격되어 배치되는 양극체(Anode Body)의 적어도 일부를 도금액에 침지하고, 음극체 및 양극체 사이에 전기장을 인가하는 단계
    를 포함하며,
    음극체의 절연부를 제외한 표면 및 음각 패턴 내에서 도금막이 형성되어 마스크 바디를 구성하고,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 도금막이 형성되면, 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 더 형성되어 마스크 바디를 구성하는, 마스크의 제조 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    도금막은 인바(Invar) 또는 수퍼 인바(Super Invar) 재질인, 마스크의 제조 방법.
  16. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께만큼, 측부 방향으로 도금막이 더 형성되는, 마스크의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    절연부가 점유하는 부분의 형상 및 절연부 상에서 도금막이 형성되지 않은 부분의 형상은 마스크 패턴에 대응하는 형상을 가지는, 마스크의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    마스크 패턴의 폭은 적어도 30㎛보다 작은, 마스크의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    마스크 패턴의 폭은, 절연부의 폭과 절연부 상에 형성되는 도금막의 폭의 차이인, 마스크의 제조 방법.
  20. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    절연부의 두께, 또는 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 도금막의 폭 중 적어도 하나를 조절하여, 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 조절하는, 마스크의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    마스크 패턴의 테이퍼 각도는 55° 내지 59°인, 마스크의 제조 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    마스크 패턴의 테이퍼 각도 θ(°)는,
    θ=tan-1(절연부의 두께/절연부 상에 형성되는 도금막의 폭)
    인, 마스크의 제조 방법.
  23. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    전주 도금을 반복하여 수행해도 음극체의 일면 상에 절연부가 잔존하는, 마스크의 제조 방법.
  24. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    음극체의 일면과 도금막 사이의 접착력보다, 음극체의 일면과 절연부 사이의 접착력이 더 강한, 마스크의 제조 방법.
  25. 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 일면 상에 형성된 음극체(Cathode Body), 및 양극체(Anode Body)의 사이에 전기장을 인가하는 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 중에, 마스크 패턴의 테이퍼 각도를 조절하는 방법으로서,
    절연부의 두께, 또는
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께로 형성된 도금막이 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 폭
    중 적어도 하나를 조절하는, 마스크 패턴의 테이퍼 각도 조절 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    음극체 및 양극체 사이에 인가하는 전기장의 세기가 커질수록 절연부 상의 소정 부분에까지 도금막이 형성되는 폭이 커지는, 마스크 패턴의 테이퍼 각도 조절 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    마스크 패턴의 테이퍼 각도는 55° 내지 59°인, 마스크 패턴의 테이퍼 각도 조절 방법.
  28. 제25항에 있어서,
    마스크 패턴의 테이퍼 각도 θ(°)는,
    θ=tan-1(절연부의 두께/절연부 상에 형성되는 도금막의 폭)
    인, 마스크 패턴의 테이퍼 각도 조절 방법.
  29. 수직하게 형성된 음각 패턴을 포함하는 복수의 절연부가 일면 상에 형성된 음극체(Cathode Body), 및 양극체(Anode Body)의 사이에 전기장을 인가하는 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 중에, 마스크 패턴의 폭을 조절하는 방법으로서,
    음각 패턴의 높이를 초과하는 두께만큼, 측부 방향으로 도금막이 더 형성되는 것을 조절하는, 마스크 패턴의 폭 조절 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    음극체 및 양극체 사이에 인가하는 전기장의 세기가 커질수록 절연부 상의 소정 부분에까지 형성되는 폭이 커지게 되어 마스크 패턴의 폭이 작아지는, 마스크 패턴의 폭 조절 방법.
  31. 전주 도금(Electroforming)으로 제조된 마스크를 사용하는 OLED 화소 증착 방법으로서,
    (a) 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항의 마스크의 제조 방법을 이용하여 제조한 마스크를 대상 기판에 대응시키는 단계;
    (b) 대상 기판에 마스크를 통하여 유기물 소스를 공급하는 단계; 및
    (c) 유기물 소스가 마스크의 패턴을 통과하여 대상 기판에 증착되는 단계
    를 포함하는, OLED 화소 증착 방법.
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