KR20180028590A - Apparatus for measuring critical dimension of Pattern and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 투과성 재질로 된 기판에 형성된 회로패턴에 광을 조사하고, 회로패턴의 경사면을 기준으로 명암이 대비된 이미지를 획득하여 선폭을 측정하는 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a line width measuring apparatus and a line width measuring method using the same, and more particularly, to a line width measuring apparatus and a line width measuring method thereof that irradiate light onto a circuit pattern formed on a substrate made of a light transmitting material, And a line width measuring method using the line width measuring apparatus.
디스플레이 패널, 반도체, LED칩과 같은 전자부품이나 COF(Chip On Film) 테이프, TAB(Tape Automated Bonding) 테이프와 같은 접착테이프에는 포토 리소그래피 공정, 에칭 공정 등 다양한 공정에 의하여 고밀도로 집적된 회로패턴이 형성된다.Dense integrated circuit patterns are formed on various kinds of adhesive tapes such as display panels, semiconductors and LED chips, and adhesive tapes such as COF (Chip On Film) tape and TAB (Tape Automated Bonding) tape by various processes such as photolithography process and etching process .
회로패턴 간에 전기적 쇼트(상호 접합), 단선, 결실(top notch) 등이 생긴 불량한 기판을 검사하기 위해서는 회로패턴들을 정밀하게 측정하는 것이 필수적이다. 회로패턴의 형성 공정 전후에 정확한 치수로 회로패턴이 형성되는 지를 확인하기 위해 전기적 특성 검사하거나 회로패턴의 선폭을 측정한다.It is essential to measure circuit patterns precisely in order to inspect poor substrates where electrical shorts (interconnection), breaks, top notch, etc. occur between circuit patterns. Electrical characteristics are checked or the line width of the circuit pattern is measured to confirm whether a circuit pattern is formed with an accurate dimension before or after the circuit pattern forming process.
도 1은 종래의 선폭 측정장치 및 여기서 획득된 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a conventional line width measuring apparatus and an image obtained therefrom.
도 1을 참조하면, 종래의 선폭 측정장치는, 회로패턴(P)을 갖는 기판(S)의 하부에 조명부(10)가 이격되어 기판(S)을 향해 광을 조사하고, 조사된 광을 기판(S)의 상부에 이격된 영상취득부(20)에서 취득하여 명암이 대비된 이미지(I)를 얻으며, 이미지(I) 상에 나타난 한 쌍의 명암 경계선(L) 사이의 거리(R)를 측정하여 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 산출할 수 있도록 구성된다. 여기서 명암 경계선(L) 사이의 거리(R)와 대응되는 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)은 (a)에 확대되어 도시된 바와 같이 기판(S)에 부착되는 회로패턴(P)의 상면의 폭(W1) 또는 회로패턴(P)의 하면의 폭(W2)을 말한다.Referring to FIG. 1, a conventional line width measuring apparatus includes a substrate S having a circuit pattern P spaced apart from a lower portion of the substrate S to irradiate light toward the substrate S, (I) obtained by the image acquiring section (20) spaced from the upper part of the image (S) and obtains the distance (R) between the pair of light and dark boundary lines (L) And the line widths W1 and W2 of the circuit pattern P can be calculated. The line widths W1 and W2 of the circuit pattern P corresponding to the distance R between the light and dark boundary lines L are determined by the circuit pattern P attached to the substrate S as shown in an enlarged view in (a) The width W1 of the upper surface of the circuit pattern P or the width W2 of the lower surface of the circuit pattern P.
종래의 선폭 측정장치는 조명부(10)에서 조사되는 광이 회로패턴(P)의 하면에 막혀 차단됨에 따라 회로패턴(P)의 하면과 회로패턴(P)이 존재하지 않는 기판(S)의 공면(A1) 사이의 명암 차이만 이미지(I) 상에 확실히 나타나고, 회로패턴(P)의 상면과 이와 접한 경사면 사이(ED)의 명암 차이가 이미지(I) 상에 선명하지 않아 회로패턴(P)의 선폭(구체적으로 회로패턴의 상면의 폭, W1)을 정확하게 측정하기 어려운 문제점이 있었다.The conventional linewidth measuring apparatus is configured such that the light irradiated by the
즉, 회로패턴(P)의 상면의 일부분이 깨져 결실됐는지 여부, 회로패턴(P)의 상면의 선폭(W1)이 일정기준 이하로 작게 형성되어 최소 기준폭을 만족하는지 여부, 또는 회로패턴(P)의 상면이 일정경로를 따라 원하는 모양을 그리며 형성됐는지 여부 등을 확인할 수 없었다. 이로 인해 양질의 기판(S)을 생산할 수 없었다.That is, whether or not a part of the upper surface of the circuit pattern P is cracked and deleted, whether or not the line width W1 of the upper surface of the circuit pattern P is formed to be smaller than a predetermined reference, ) Could not be confirmed whether or not the top surface was formed with a desired shape along a certain path. As a result, the substrate S of good quality could not be produced.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에 형성된 회로패턴의 선폭을 측정하여 기판의 불량 여부를 명확하게 판별할 수 있는 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a line width measuring apparatus capable of clearly discriminating whether or not a substrate is defective by measuring a line width of a circuit pattern formed on a substrate, Method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 선폭 측정장치는, 광 투과성 재질로 된 기판의 일면을 따라 형성된 회로패턴의 선폭(critical dimension)을 측정하는 선폭 측정장치로서, 상기 회로패턴이 형성되지 않은 상기 기판의 이면을 지지하는 기판지지부; 상기 기판의 일면으로부터 이격되어 상기 기판을 향해 광을 조사하는 제1조명부; 상기 기판과 상기 기판지지부 사이에 개재되어 상기 제1조명부로부터 조사된 광을 반사시키는 반사부; 상기 제1조명부에서 이격되어 배치되고, 상기 제1조명부에서 상기 회로패턴의 상면으로 진행되는 직사광은 상기 상면에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 상기 반사부에서 반사되어 상기 회로패턴의 경사면으로 진행되는 제1반사광은 상기 경사면에 난반사되어 상기 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 상기 반사부에서 반사되어 상기 회로패턴이 존재하지 않는 공면으로 진행되는 제2반사광은 상기 제1휘도 및 상기 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지를 획득하는 영상취득부; 및 상기 제1휘도와 상기 제2휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리 또는 상기 제2휘도와 상기 제3휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리를 측정하여 상기 회로패턴의 선폭을 산출하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a linewidth measuring apparatus for measuring a critical dimension of a circuit pattern formed on a surface of a substrate made of a light transmitting material, A substrate support for supporting a back surface of the substrate; A first illumination unit spaced apart from one surface of the substrate and irradiating light toward the substrate; A reflecting portion interposed between the substrate and the substrate supporting portion to reflect light emitted from the first illuminating portion; The direct light that is emitted from the first illumination unit toward the upper surface of the circuit pattern is reflected on the upper surface to exhibit the first brightness and is reflected by the reflection unit to be advanced to the inclined surface of the circuit pattern The second reflected light reflected by the reflective portion and proceeding to the coplanar surface where the circuit pattern does not exist is reflected by the first brightness and the second brightness, An image acquisition unit for acquiring an image representing a third luminance higher than luminance; And a distance between a pair of first light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the first brightness and the second brightness or between a pair of second light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the second and third brightnesses. And a controller for calculating a line width of the circuit pattern by measuring a distance of the circuit pattern.
본 발명에 따른 선폭 측정장치에 있어서, 상기 제1조명부는, 상기 영상취득부의 둘레를 따라 배치되고, 상기 제1조명부에서 조사된 광이 임의의 초점에서 서로 만나는 원뿔대 형태의 링 조명일 수 있다.In the line width measuring apparatus according to the present invention, the first illuminating unit may be a truncated ring illumination arranged along the periphery of the image acquiring unit, and the light irradiated from the first illuminating unit may meet at an arbitrary focus.
본 발명에 따른 선폭 측정장치에 있어서, 상기 기판과 상기 반사부 사이에 개재되어 상기 기판의 평행도를 조절하고, 상기 기판과 접하는 상면이 일정수치 이상의 표면거칠기를 갖는 광 투과성 재질로 된 평행도 조절부;를 더 포함할 수 있다.The line width measuring apparatus according to the present invention may further include a parallelism adjusting unit interposed between the substrate and the reflecting unit to adjust a parallelism of the substrate and having a surface roughness of a predetermined value or more in contact with the substrate; As shown in FIG.
본 발명에 따른 선폭 측정장치에 있어서, 상기 영상취득부의 외측에 배치되어 상기 영상취득부를 향해 동축광을 조사하는 동축광원과, 상기 동축광원에서 조사된 상기 동축광이 상기 기판을 향하도록 변환하는 미러를 구비하는 제2조명부;를 더 포함할 수 있다.The line width measuring apparatus according to the present invention may further include a coaxial light source disposed outside the image capturing unit and irradiating the coaxial light toward the image capturing unit, a mirror for converting the coaxial light irradiated from the coaxial light source toward the substrate, And a second illumination unit including the illumination unit.
본 발명에 따른 선폭 측정장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1명암 경계선과 제2명암 경계선 사이의 거리와 미리 설정된 상기 회로패턴의 두께의 비를 산출하여 상기 회로패턴의 경사도를 측정할 수 있다.In the linewidth measuring apparatus according to the present invention, the controller may measure a slope of the circuit pattern by calculating a ratio of a distance between the first and second light-shield boundary lines to a predetermined thickness of the circuit pattern .
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 선폭 측정방법은, 광 투과성 재질로 된 기판의 일면을 따라 형성된 회로패턴의 선폭(critical dimension)을 측정하는 선폭 측정방법에 있어서, 원뿔대 형태의 링 조명을 이용하여 임의의 초점에서 서로 만나도록 상기 기판을 향해 광을 조사하는 광 조사단계; 상기 회로패턴의 상면으로 진행되는 직사광은 상기 상면에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 상기 기판을 통과한 광을 반사하는 반사부에서 상기 회로패턴의 경사면으로 반사되는 제1반사광은 상기 경사면에 난반사되어 상기 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 상기 반사부에서 상기 회로패턴이 존재하지 않는 공면으로 반사되는 제2반사광은 상기 제1휘도 및 상기 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지를 획득하는 영상 취득단계; 및 상기 제1휘도와 상기 제2휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리 또는 상기 제2휘도와 상기 제3휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리를 측정하여 상기 회로패턴의 선폭을 산출하는 선폭 산출단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a line width measuring method for measuring a critical dimension of a circuit pattern formed on a surface of a substrate made of a light transmitting material, A light irradiation step of irradiating light toward the substrate so as to meet each other at an arbitrary focal point; Wherein the first reflection light reflected by the slope of the circuit pattern at the reflection portion reflecting the light passing through the substrate is diffusedly reflected on the slope surface Wherein the second reflected light reflected by the reflective surface of the reflective portion has a third brightness higher than the first brightness and the second brightness, An image acquisition step And a distance between a pair of first light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the first brightness and the second brightness or between a pair of second light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the second and third brightnesses. And calculating a line width of the circuit pattern by measuring a distance of the circuit pattern.
본 발명에 따른 선폭 측정방법에 있어서, 상기 영상 취득단계 과정에서, 상기 이미지의 밝기가 기준치 미만일 경우, 상기 영상취득부에 설치된 동축광원에서 상기 기판을 향해 동축광이 조사되도록 하여 상기 이미지의 밝기를 높이는 밝기 조정단계;를 더 포함할 수 있다.In the line width measuring method according to the present invention, when the brightness of the image is less than the reference value, the coaxial light source provided in the image capturing unit irradiates the coaxial light to the substrate, The height may further include a brightness adjusting step.
본 발명에 따른 선폭 측정방법에 있어서, 상기 광 조사단계에 앞서, 상기 반사부 상에 배치된 상기 기판의 평행도를 측정하여, 측정된 평행도와 반대되는 평행도를 갖도록 상면이 절삭되고, 광 투과성 재질로 된 평행도 조절부를 상기 기판과 상기 반사부 사이에 개재하는 수평 조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정방법.In the line width measuring method according to the present invention, before the light irradiation step, the parallelism of the substrate disposed on the reflective portion is measured, the upper surface is cut so as to have a parallelism opposite to the measured parallelism, And a horizontal adjustment step of interposing a parallelism adjusting part between the substrate and the reflection part.
본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 회로패턴의 선폭(구체적으로는 제1명암 경계선 사이의 거리)을 명확하게 측정할 수 있고, 이를 이용해 회로패턴의 경사도를 측정할 수 있다.According to the line width measuring apparatus of the present invention and the line width measuring method using the same, the line width of the circuit pattern (specifically, the distance between the first and the second boundary lines) can be measured clearly and the inclination degree of the circuit pattern can be measured .
또한, 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 측정된 선폭 또는 경사도의 값을 이용하여 불량인 기판을 가려냄으로써, 양질의 기판을 생산할 수 있다.Further, according to the line width measuring apparatus and the line width measuring method using the line width measuring apparatus of the present invention, it is possible to produce a high quality substrate by covering the defective substrate by using the measured line width or slope degree.
또한, 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 기판의 일정영역에 광을 집중적으로 조사하여 명암 대비가 선명하고 밝은 이미지를 획득할 수 있고, 영상취득부에서 얻어지는 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the linewidth measuring apparatus and the line width measuring method using the same of the present invention, light can be intensively irradiated to a certain region of the substrate to obtain a bright and bright image, and an image obtained by the image acquiring unit is distorted Can be prevented.
또한, 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 기판의 기울기를 보정하여 영상취득부에서 얻어지는 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the line width measuring apparatus and the line width measuring method using the line width measuring apparatus of the present invention, the image obtained by the image acquiring unit can be prevented from being distorted by correcting the inclination of the substrate.
또한, 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 선폭 측정이 끝난 기판을 평행도 조절부에서 원활하게 분리시킬 수 있다.Also, according to the line width measuring apparatus and the line width measuring method using the line width measuring apparatus of the present invention, the substrate having the line width measured can be smoothly separated by the parallelism adjusting unit.
또한, 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법에 따르면, 이미지의 밝기가 어두워 선폭 측정이 어려울 경우, 기판을 향해 동축광을 조사하여 이미지를 밝게 함으로써, 회로패턴의 선폭을 보다 명확하게 측정할 수 있다.According to the line width measuring apparatus and the line width measuring method using the same of the present invention, when the line width is difficult to measure due to the darkness of the image, the line width of the circuit pattern is more clearly measured can do.
도 1은 종래의 선폭 측정장치 및 여기서 획득된 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정장치 및 여기서 획득된 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2의 "A" 부분을 확대하여 나타낸 부분확대도이고,
도 4는 도 2의 선폭 측정장치에 있어서, 평행도 조절부에 의해 기판의 평행도가 조절되는 것을 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 도 2의 선폭 측정장치에 있어서, 회로패턴의 경사도의 정의를 설명하기 위한 부분확대도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정방법의 과정을 나타낸 블록도이다.1 is a schematic view of a conventional line width measuring apparatus and an image obtained therefrom,
FIG. 2 is a schematic view of a line width measuring apparatus according to an embodiment of the present invention and an image obtained therefrom,
3 is an enlarged partial enlarged view of the portion "A" in Fig. 2,
FIG. 4 is a view for explaining that the parallelism of the substrate is adjusted by the parallelism adjusting unit in the line width measuring apparatus of FIG. 2,
5 is a partially enlarged view for explaining the definition of the inclination of the circuit pattern in the linewidth measuring device of FIG. 2,
6 is a block diagram illustrating a process of a linewidth measuring method according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a linewidth measuring apparatus according to an embodiment of the present invention and a line width measuring method using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정장치 및 여기서 획득된 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 "A" 부분을 확대하여 나타낸 부분확대도이고, 도 4는 도 2의 선폭 측정장치에 있어서, 평행도 조절부에 의해 기판의 평행도가 조절되는 것을 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 도 2의 선폭 측정장치에 있어서, 회로패턴의 경사도의 정의를 설명하기 위한 부분확대도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정방법의 과정을 나타낸 블록도이다.3 is a partially enlarged view showing an enlarged portion of the "A" portion of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the line width measuring apparatus according to the embodiment of FIG. FIG. 5 is a partial enlarged view for explaining the definition of the inclination of the circuit pattern in the line width measuring apparatus of FIG. 2; FIG. And FIG. 6 is a block diagram illustrating a process of a linewidth measuring method according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정장치는 광 투과성 재질로 된 기판의 일면을 따라 형성된 회로패턴의 선폭(critical dimension)을 측정하는 장치로서, 기판지지부(100)와, 제1조명부(200)와, 반사부(300)와, 영상취득부(400)와, 제어부(미도시)를 포함한다.2 to 6, the linewidth measuring apparatus according to an embodiment of the present invention measures a critical dimension of a circuit pattern formed along one surface of a substrate made of a light transmitting material, A
상기 기판지지부(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 회로패턴(P)이 형성되지 않은 기판(S)의 이면을 지지한다. 기판지지부(100)는 접촉되는 기판(S)과 반응성이 낮고 일정 강성을 갖는 강체(rigid body)면 충분하고, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.The
상기 제1조명부(200)는 기판(S)의 일면으로부터 이격되어 기판(S)을 향해 광을 조사한다. 제1조명부(200)는 백열등, 형광등, LED, 나트륨 램프, 세라믹 메탈 등 다양한 종류의 광원이 적용될 수 있으나, 에너지 효율이 좋고, 수명이 길며, 파장 영역이 다양하여 선명한 이미지를 얻을 수 있는 LED가 적합하다.The
제1조명부(200)는 후술되는 영상취득부(400)의 둘레를 따라 배치되고, 제1조명부(200)에서 조사된 광이 임의의 초점에서 서로 만나는 원뿔대 형태의 링 조명으로 구성된다. 이는 기판(S)의 일정영역에 광을 집중적으로 조사하여 명암 대비가 선명하고, 보다 밝은 이미지(I)를 획득하기 위함이고, 특히 제1조명부(200)가 영상취득부(400)의 시야에 직접 노출되지 않게 하여 플레어(이미지 상에 광원 테두리가 나타나는 것)/블루밍(이미지 상에 광원 주위가 번져 보이는 것)/스미어(이미지 상에 광원 주위로 흰선이 나타나는 것) 현상과 같은 이미지 왜곡 현상을 방지하기 위함이다. 이를 통해 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 정확히 측정할 수 있고, 측정의 신뢰도도 높일 수 있다.The
상기 반사부(300)는 기판(S)과 기판지지부(100) 사이에 개재되어 제1조명부(200)로부터 조사된 광을 반사시킨다. 반사부(300)는 광이 정반사되도록 평평한 거울이 사용되거나, 반사도가 높은 금속 재질의 필름 등이 사용될 수 있다.The
상기 영상취득부(400)는 도 2 또는 도 3에 도시된 바와 같이 제1조명부(200)에서 이격되어 배치되고, 제1조명부(200)에서 회로패턴(P)의 상면(P1)으로 진행되는 직사광(M1)은 회로패턴(P)의 상면(P1)에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 반사부(300)에서 반사되어 회로패턴(P)의 경사면(P2)으로 진행되는 제1반사광(M2)은 경사면(P2)에 난반사되어 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 반사부(300)에서 반사되어 회로패턴(P)이 존재하지 않는 공면(A1)으로 진행되는 제2반사광(M3)은 제1휘도 및 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지(I)를 획득한다.2 or 3, the
반사부(300)에서 반사되어 회로패턴(P)의 하면을 향해 진행하는 제3반사광(M4)은 회로패턴(P)의 하면(P3)에 막혀 차단된다.The third reflected light M4 reflected by the reflecting
영상취득부(400)는 본래 이미지(I)의 상을 일정배율로 확대시켜 나타내는 통상의 전자현미경 또는 CCD카메라가 부착된 광학식 현미경 등이 사용될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 영상취득부(400)에 의해 생성된 이미지(I)는 영상출력부(미도시)를 통해 이미지(I)의 픽셀 데이터 또는 벡터 데이터를 제어부로 출력할 수 있고, 그 데이터를 메모리에 저장할 수 있다.The
참고로, 휘도는 광의 단위면적당 밝기의 정도를 나타내는 척도로서, 광이 투과되는 면이나 반사되는 면의 표면 밝기이며, 단위는 cd/m^2이다.For reference, luminance is a measure of the degree of brightness per unit area of light, and is the surface brightness of the light-transmitting surface or the reflecting surface, and the unit is cd / m ^ 2.
직사광(M1)은 회로패턴(P)의 상면(P1)의 반사율에 따라 직사광(M1)이 갖는 제1휘도가 제2휘도보다 더 높은 휘도를 나타낼 수도 있고, 그 반대일 수도 있다.The direct light M1 may have a luminance higher than the second luminance in the first luminance of the direct light M1 or vice versa depending on the reflectance of the upper face P1 of the circuit pattern P. [
제1반사광(M2)은 경사면(P2)에서 난반사되는 과정에서 최초 휘도가 일정비율로 감소되어 이미지(I) 상에 일정 밝기(제2휘도)로 나타난다.The first reflected light M2 is reduced in a predetermined ratio in a process of being diffusedly reflected on the inclined plane P2 to appear as a constant brightness (second brightness) on the image I.
제2반사광(M3)은 회로패턴(P)이 존재하지 않는 공면(A1)을 투과하여 휘도 손실없이 영상취득부(400)로 진행되므로 이미지(I) 상에 가장 밝게(제3휘도)로 나타난다.The second reflected light M3 passes through the coplanar surface A1 on which the circuit pattern P does not exist and proceeds to the
따라서, 제1휘도와 제2휘도의 휘도 차이에 의해, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 회로패턴(P)의 상면(P1)과 경사면(P2)의 경계와 대응되는 한 쌍의 제1명암 경계선(L1)이 이미지(I)에 나타나고, 제2휘도와 상기 제3휘도의 휘도 차이에 의해, 회로패턴(P)의 경사면(P2)과 회로패턴(P)이 존재하지 않는 기판(S)의 공면(A1)의 경계와 대응되는 한 쌍의 제2명암 경계선(L2)이 이미지에 나타난다.2 (b), due to the difference in luminance between the first luminance and the second luminance, a pair of the first and second
상기 제어부는 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리(R1) 또는 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리(R2)를 측정하여 도 5에 도시된 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 산출한다. 제어부는 영상출력부에서 전송된 픽셀 데이터 또는 벡터 데이터를 이용하여 이미지(I) 상에 나타난 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리(R1) 또는 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리(R2)를 영상취득부(400)의 배율로 나누어 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 산출한다.The controller measures the line widths W1 and W2 of the circuit pattern P shown in Fig. 5 by measuring the distance R1 between the pair of first light-shielding boundary lines or the distance R2 between the pair of second light- . The control unit compares the distance R1 between a pair of first light and dark boundary lines displayed on the image I or the distance R2 between a pair of second light and dark boundary lines displayed on the image I using the pixel data or vector data transmitted from the image output unit, And the line widths W1 and W2 of the circuit pattern P are calculated.
이때, 제어부는 제1명암 경계선(L1)과 제2명암 경계선(L2) 사이의 거리(d1, d2)와 미리 설정된 회로패턴의 두께(t)의 비를 산출하여 회로패턴(P)의 경사도(θ)까지 동시에 측정할 수 있다.At this time, the controller calculates the ratio of the distances d1 and d2 between the first and second light-shielding boundary lines L1 and L2 and the thickness t of the predetermined circuit pattern to calculate the inclination degree of the circuit pattern P &thetas;).
이와 같이 본 발명의 선폭 측정장치는 제1, 2명암 경계선(L1, L2)을 기준으로 회로패턴(P)의 영역별 명암이 명확하게 대비되므로, 회로패턴(P)의 선폭(구체적으로는 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리, W1)을 명확하게 측정할 수 있고, 이를 이용해 회로패턴(P)의 경사도(θ)까지 측정할 수 있다.As described above, in the line width measuring apparatus of the present invention, since the contrast of the circuit pattern P is clearly contrasted with respect to the first and second boundary lines L1 and L2, the line width of the circuit pattern P W1) between the first and second light boundary lines of the pair can be clearly measured and can be measured up to the inclination (?) Of the circuit pattern (P).
또한, 측정된 선폭(W1, W2) 또는 경사도(θ)의 값이 기준범위에서 벗어난 경우, 회로패턴(P)의 상면(P1)의 일부분이 깨져 결실됐거나, 회로패턴(P)의 상면(P1)의 선폭(W1)이 최소 기준폭을 만족하지 못하거나, 회로패턴(P)의 하면(P3)의 선폭(W2)이 최대 기준폭을 넘어섰거나, 또는 회로패턴(P)의 상면(P1)이 일정경로를 따라 원하는 모양을 그리며 형성되지 않았거나 하는 등과 같은 회로패턴(P)의 불량 여부를 판단할 수 있으므로, 불량인 기판(S)을 가려내어 양질의 기판(S)을 생산할 수 있게 된다.When the value of the measured line width W1 or W2 or inclination degree is out of the reference range, a part of the upper surface P1 of the circuit pattern P is broken and lost or the upper surface P1 of the circuit pattern P The line width W1 of the circuit pattern P does not satisfy the minimum reference width or the line width W2 of the lower surface P3 of the circuit pattern P exceeds the maximum reference width or the upper surface P1 of the circuit pattern P Is not formed in a desired shape along a predetermined path, it is possible to determine whether the circuit pattern P is defective or not, so that it is possible to detect a defective substrate S and to produce a substrate S of good quality do.
한편, 본 발명의 선폭 측정장치는 평행도 조절부(500)와 제2조명부(600)를 더 포함할 수 있다.The line width measuring apparatus of the present invention may further include a
상기 평행도 조절부(500)는 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(S)과 반사부(300) 사이에 개재되어 기판(S)의 평행도(θ')를 조절하고, 기판(S)과 접하는 표면이 일정수치 이상의 표면거칠기를 갖는 광 투과성 재질로 제작된다.The
평행도 조절부(500)는 반사부(300) 상에 배치된 기판(S)의 기준면(B1)에 대한 평행도(구체적으로는 X,Y,Z축 을 기준으로 한 기울기, θ')를 측정하여, 측정된 평행도(θ')와 반대되는 평행도(-θ')를 갖도록 표면이 절삭되거나 혹은 절삭된 형상을 갖도록 마련되어 기판(S)과 반사부(300) 사이에 개재된다.The
가공공차, 조립공차 등의 이유로 기판(S)이 한쪽으로 기울어져 있는 경우, 쐐기 형상으로 된 평행도 조절부(500)에 의해 기판(S)의 평행도(θ)가 기준면(B1)에 평행하게 보정됨으로써, 영상취득부(400)에서 얻어지는 이미지(I)가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.When the substrate S is tilted to one side due to the machining tolerance and the assembly tolerance, the parallelism? Of the substrate S is corrected to be parallel to the reference plane B1 by the wedge- It is possible to prevent the image I obtained by the
평행도 조절부(500)의 표면은 일정수치 이상의 표면거칠기를 갖는데, 이는 다음과 같은 부가적인 작용효과를 얻을 수 있다.The surface of the
만약, 기판(S)이 놓이는 평행도 조절부(500)의 표면이 매끈하게 처리되어 있으면, 평행도 조절부(500)와 기판(S) 사이가 진공상태가 되어 기판(S)이 대기압에 의해 평행도 조절부(500)에 압착된다. 따라서, 선폭(W1, W2) 측정이 끝난 기판(S)을 평행도 조절부(500)에서 분리시키기 어렵고, 분리하는 과정에서 두께가 얇은 기판(S)이 외력에 의해 파손될 수 있다. 또한, 평행도 조절부(500)와 기판(S) 사이에는 전하의 분포 차이 즉, 정전기에 의한 인력이 작용하게 되는데, 정전기의 크기가 클 경우에도 기판을 분리하는 과정에서 기판이 파손될 수 있다.If the surface of the
이에 반해, 본 발명은 평행도 조절부(500)의 표면이 표면거칠기를 갖도록 다수의 요홈(501)이 형성되어 있으므로, 평행도 조절부(500)의 표면에 기판(S)이 놓이더라도 요홈(501)에 공기가 수용됨으로써, 평행도 조절부(500)와 기판(S) 사이에 진공이 형성되지 않는다. 그리고 평행도 조절부(500)와 기판(S) 사이의 접촉면적이 크게 줄어들기 때문에 평행도 조절부(500)와 기판(S) 사이에 작용하는 정전기의 크기도 줄어들게 된다. 따라서, 상술한 기존의 문제점을 해소할 수 있다.In contrast, in the present invention, since the plurality of
상기 제2조명부(600)는 도 2에 도시된 바와 같이 영상취득부(400)의 외측에 배치되어 영상취득부(400)를 향해 동축광(M5)을 조사하는 동축광원(610)과, 동축광원(610)에서 조사된 동축광(M5)이 기판(S)을 향하도록 변환하는 미러(620)를 구비한다.2, the second illuminating
영상취득부(400)에서 획득된 이미지(I)의 밝기가 기준치 미만일 경우, 영상취득부(400)에 설치된 동축광원(610)에서 기판(S)을 향해 동축광(M5)이 조사되도록 함으로써, 선폭(W1, W2) 측정이 가능한 밝기로 이미지(I)의 밝기를 높이는 것이다. 이를 통해 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 보다 명확하게 측정할 수 있다.When the brightness of the image I acquired by the
이와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정장치는 다음과 같은 과정, 즉 선폭 측정방법을 통해 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 측정한다. 도 6을 참조하면,The linewidth measuring apparatus according to an embodiment of the present invention configured as described above measures line widths W1 and W2 of the circuit pattern P through the following process, that is, a linewidth measuring method. Referring to FIG. 6,
(S2 : 광 조사단계)(S2: light irradiation step)
상기 광 조사단계(S2)는 원뿔대 형태의 링 조명을 이용하여 임의의 초점에서 서로 만나도록 기판(S)을 향해 광을 조사하는 단계이다.The light irradiation step S2 is a step of irradiating light toward the substrate S so as to meet each other at an arbitrary focus using a ring-shaped ring illumination.
(S1 : 수평 조절단계)(S1: leveling step)
상기 광 조사단계(S2)에 앞서 수평 조절단계(S1)가 더 포함될 수 있다.The horizontal adjustment step S1 may be further included before the light irradiation step S2.
상기 수평 조절단계(S1)는 광을 반사하는 반사부(300) 상에 배치된 기판(S)의 평행도(θ')를 측정하여, 측정된 평행도(θ')와 반대되는 평행도(-θ')를 갖도록 광 투과성 재질로 된 평행도 조절부(500)의 표면을 절삭하거나 혹은 절삭된 형상으로 평행도 조절부(500)를 마련하고, 이를 기판(S)과 반사부(300) 사이에 개재하는 단계이다.The horizontal adjustment step S1 measures the parallelism? 'Of the substrate S disposed on the
기판(S)의 평행도(θ')는 수평계와 같은 물리적 측정 방법, 또는 적외선과 같은 빔을 대상물체를 향해 조사하고, 반사되어 돌아오는 빔의 위상 차를 계산하는 광학 측정 방법 등을 통해 측정될 수 있다.The parallelism? 'Of the substrate S can be measured by a physical measurement method such as a horizontal system or an optical measurement method of irradiating a beam such as infrared rays toward a target object and calculating a phase difference of a reflected beam .
(S3 : 영상 취득단계)(S3: image acquisition step)
상기 영상 취득단계(S3)는 회로패턴(P)의 상면(P1)으로 진행되는 직사광(M1)은 상면(P1)에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 반사부(300)에서 반사되어 회로패턴(P)의 경사면(P2)으로 진행되는 제1반사광(M2)은 경사면(P2)에 난반사되어 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 반사부(300)에서 회로패턴(P)이 존재하지 않는 공면(A1)으로 반사되는 제2반사광(M3)은 제1휘도 및 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지(I)를 획득하는 단계이다.In the image capturing step S3, the direct light M1 proceeding to the upper surface P1 of the circuit pattern P is reflected on the upper surface P1 to exhibit the first luminance, reflected by the
영상 취득단계(S3)를 수행하는 과정에서, 획득된 이미지(I)의 밝기가 기준치 미만일 경우, 영상취득부(400)에 설치된 동축광원(610)에서 기판(S)을 향해 동축광(M5)이 조사되도록 하여 이미지(I)의 밝기를 높이는 밝기 조정단계(S3a)를 더 포함할 수 있다. 즉, 이미지(I)가 어두워 선폭(W1, W2)을 판별하기 어려운 경우에 밝기 조정단계(S3a)를 통해 이미지(I)를 밝게 하는 것이다.When the brightness of the obtained image I is less than the reference value in the process of performing the image acquisition step S3, the coaxial
(S4 : 선폭 산출단계)(S4: line width calculating step)
상기 선폭 산출단계(S4)는 제1휘도와 제2휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리(R1) 또는 제2휘도와 제3휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리(R2)를 측정하여 회로패턴(P)의 선폭(W1, W2)을 산출하는 단계이다.The line width calculating step S4 calculates the line width of each of the pair of first light-shielding boundary lines R1 and / or the pair of first and second brightness / And the line widths W1 and W2 of the circuit pattern P are calculated by measuring the distance R2 between the second light and dark boundary lines of the circuit pattern P. [
이때, 제1명암 경계선과 제2명암 경계선 사이의 거리(d1, d2)와 미리 설정된 회로패턴(P)의 두께(t)의 비를 산출하여 회로패턴(P)의 경사도(θ)까지 동시에 측정할 수 있다. 또한, 산출된 선폭(W1, W2) 및 경사도(θ)의 값이 기준범위에서 벗어났는 지를 확인하고, 벗어난 정도에 따라 기판(S)의 불량을 판단하는 불량 판단단계를 더 포함할 수도 있다.At this time, the ratio of the distance (d1, d2) between the first and second light-shielding boundary lines to the thickness t of the predetermined circuit pattern P is calculated and measured simultaneously to the inclination degree of the circuit pattern P can do. The apparatus may further include a failure determination step of determining whether the calculated line widths W1 and W2 and the inclination degrees are out of the reference range and determining the failure of the substrate S according to the deviation.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 제1, 2명암 경계선을 기준으로 회로패턴의 영역별 명암이 명확하게 대비되므로, 회로패턴의 선폭(구체적으로는 제1명암 경계선 사이의 거리)을 명확하게 측정할 수 있고, 이를 이용해 회로패턴의 경사도까지 측정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The line width measuring apparatus of the present invention constructed as described above and the line width measuring method using the line width measuring apparatus of the present invention clearly compares the lightness and darkness of each circuit pattern region with respect to the first and second boundary lines, The distance between the light and dark boundary lines) can be clearly measured, and the effect of measuring the inclination degree of the circuit pattern can be obtained.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 측정된 선폭 또는 경사도의 값이 기준범위에서 벗어났는 지를 판단하여 불량인 기판을 가려냄으로써, 양질의 기판을 생산할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the line width measuring apparatus of the present invention constructed as described above and the line width measuring method using the same can judge whether the measured line width or slope value deviates from the reference range, The effect can be obtained.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 임의의 초점에서 서로 만나는 원뿔대 형태의 링 조명을 사용함으로써, 기판의 일정영역에 광을 집중적으로 조사하여 명암 대비가 선명하고 밝은 이미지를 획득할 수 있고, 영상취득부의 시야에 조명이 직접 노출되지 않게 함으로써, 영상취득부에서 얻어지는 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the line width measuring apparatus of the present invention constructed as described above and the linewidth measuring method using the same are capable of concentrating the light on a certain region of the substrate by using a ring- It is possible to obtain a clear and bright image and prevent the image obtained by the image acquiring unit from being distorted by preventing the illumination from being directly exposed to the field of view of the image acquiring unit.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 평행도 조절부를 통해 기판의 기울기를 보정함으로써, 영상취득부에서 얻어지는 이미지가 왜곡되는 것을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the line width measuring apparatus of the present invention configured as described above and the line width measuring method using the same can obtain the effect of preventing the image obtained by the image obtaining unit from being distorted by correcting the inclination of the substrate through the parallelism adjusting unit have.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 평행도 조절부의 상면이 표면거칠기를 갖도록 함으로써, 선폭 측정이 끝난 기판을 평행도 조절부에서 원활하게 분리시킬 수 있는 부가적인 효과를 얻을 수 있다.Further, the line width measuring apparatus of the present invention constructed as described above and the line width measuring method using the apparatus have the surface roughness of the upper surface of the parallelism adjusting unit, so that the substrate having the line width measured can be smoothly separated from the parallel- Effect can be obtained.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 선폭 측정장치 및 이를 이용한 선폭 측정방법은, 이미지의 밝기가 어두워 선폭 측정이 어려울 경우, 기판을 향해 동축광을 조사하여 이미지를 밝게 함으로써, 회로패턴의 선폭을 보다 명확하게 측정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Further, in the line width measuring apparatus and the line width measuring method using the same according to the present invention, when the line width is difficult to measure due to the darkness of the image, the line width of the circuit pattern is increased It is possible to obtain an effect that can be more clearly measured.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but can be implemented in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
100 : 기판지지부
200 : 제1조명부
300 : 반사부
400 : 영상취득부
500 : 평행도 조절부
600 : 제2조명부100:
200: first illumination unit
300:
400:
500: parallelism adjusting section
600: second illumination unit
Claims (8)
상기 회로패턴이 형성되지 않은 상기 기판의 이면을 지지하는 기판지지부;
상기 기판의 일면으로부터 이격되어 상기 기판을 향해 광을 조사하는 제1조명부;
상기 기판과 상기 기판지지부 사이에 개재되어 상기 제1조명부로부터 조사된 광을 반사시키는 반사부;
상기 제1조명부에서 이격되어 배치되고, 상기 제1조명부에서 상기 회로패턴의 상면으로 진행되는 직사광은 상기 상면에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 상기 반사부에서 반사되어 상기 회로패턴의 경사면으로 진행되는 제1반사광은 상기 경사면에 난반사되어 상기 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 상기 반사부에서 반사되어 상기 회로패턴이 존재하지 않는 공면으로 진행되는 제2반사광은 상기 제1휘도 및 상기 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지를 획득하는 영상취득부; 및
상기 제1휘도와 상기 제2휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리 또는 상기 제2휘도와 상기 제3휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리를 측정하여 상기 회로패턴의 선폭을 산출하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정장치.A line width measuring apparatus for measuring a critical dimension of a circuit pattern formed along one surface of a substrate made of a light transmitting material,
A substrate supporting part for supporting a back surface of the substrate on which the circuit pattern is not formed;
A first illumination unit spaced apart from one surface of the substrate and irradiating light toward the substrate;
A reflecting portion interposed between the substrate and the substrate supporting portion to reflect light emitted from the first illuminating portion;
The direct light that is emitted from the first illumination unit toward the upper surface of the circuit pattern is reflected on the upper surface to exhibit the first brightness and is reflected by the reflection unit to be advanced to the inclined surface of the circuit pattern The second reflected light reflected by the reflective portion and proceeding to the coplanar surface where the circuit pattern does not exist is reflected by the first brightness and the second brightness, An image acquisition unit for acquiring an image representing a third luminance higher than luminance; And
A distance between a pair of first light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the first brightness and the second brightness or a distance between a pair of second light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the second brightness and the third brightness And a control unit for calculating a line width of the circuit pattern by measuring a distance.
상기 제1조명부는, 상기 영상취득부의 둘레를 따라 배치되고, 상기 제1조명부에서 조사된 광이 임의의 초점에서 서로 만나는 원뿔대 형태의 링 조명인 것을 특징으로 하는 선폭 측정장치.The method according to claim 1,
Wherein the first illumination unit is arranged along the periphery of the image acquisition unit and is a truncated ring illumination in which the light emitted from the first illumination unit meets at an arbitrary focus.
상기 기판과 상기 반사부 사이에 개재되어 상기 기판의 평행도를 조절하고, 상기 기판과 접하는 상면이 일정수치 이상의 표면거칠기를 갖는 광 투과성 재질로 된 평행도 조절부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정장치.The method according to claim 1,
And a parallelism adjusting unit formed of a light transmitting material interposed between the substrate and the reflector to adjust a degree of parallelism of the substrate and having a surface roughness equal to or greater than a predetermined value in contact with the substrate. Device.
상기 영상취득부의 외측에 배치되어 상기 영상취득부를 향해 동축광을 조사하는 동축광원과, 상기 동축광원에서 조사된 상기 동축광이 상기 기판을 향하도록 변환하는 미러를 구비하는 제2조명부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정장치.The method according to claim 1,
And a second illuminating unit disposed on the outside of the image acquiring unit and coaxially illuminating the coaxial light toward the image acquiring unit and a mirror for converting the coaxial light irradiated from the coaxial light source toward the substrate Wherein the line width measuring device is a line width measuring device.
상기 제어부는, 상기 제1명암 경계선과 제2명암 경계선 사이의 거리와 미리 설정된 상기 회로패턴의 두께의 비를 산출하여 상기 회로패턴의 경사도를 측정하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정장치.The method according to claim 1,
Wherein the control unit measures the inclination of the circuit pattern by calculating a ratio of a distance between the first light-shield boundary line and the second light-darkness boundary line to a predetermined thickness of the circuit pattern.
원뿔대 형태의 링 조명을 이용하여 임의의 초점에서 서로 만나도록 상기 기판을 향해 광을 조사하는 광 조사단계;
상기 회로패턴의 상면으로 진행되는 직사광은 상기 상면에 반사되어 제1휘도를 나타내고, 상기 기판을 통과한 광을 반사하는 반사부에서 상기 회로패턴의 경사면으로 반사되는 제1반사광은 상기 경사면에 난반사되어 상기 제1휘도와 다른 제2휘도를 나타내며, 상기 반사부에서 상기 회로패턴이 존재하지 않는 공면으로 반사되는 제2반사광은 상기 제1휘도 및 상기 제2휘도보다 높은 제3휘도를 나타내는 이미지를 획득하는 영상 취득단계; 및
상기 제1휘도와 상기 제2휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제1명암 경계선 사이의 거리 또는 상기 제2휘도와 상기 제3휘도의 휘도 차이에 의해 생긴 한 쌍의 제2명암 경계선 사이의 거리를 측정하여 상기 회로패턴의 선폭을 산출하는 선폭 산출단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정방법.A line width measuring method for measuring a critical dimension of a circuit pattern formed along one surface of a substrate made of a light transmitting material,
A light irradiation step of irradiating light toward the substrate so as to meet each other at an arbitrary focus by using a ring-shaped ring illumination;
Wherein the first reflection light reflected by the slope of the circuit pattern at the reflection portion reflecting the light passing through the substrate is diffusedly reflected on the slope surface Wherein the second reflected light reflected by the reflective surface of the reflective portion has a third brightness higher than the first brightness and the second brightness, An image acquisition step And
A distance between a pair of first light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the first brightness and the second brightness or a distance between a pair of second light and dark boundary lines caused by a difference in brightness between the second brightness and the third brightness And a line width calculation step of calculating a line width of the circuit pattern by measuring a distance.
상기 영상 취득단계 과정에서,
상기 이미지의 밝기가 기준치 미만일 경우, 상기 영상취득부에 설치된 동축광원에서 상기 기판을 향해 동축광이 조사되도록 하여 상기 이미지의 밝기를 높이는 밝기 조정단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정방법.The method according to claim 6,
In the image acquisition step,
Further comprising: a brightness adjustment step of increasing the brightness of the image by causing the coaxial light source provided in the image acquisition unit to irradiate the coaxial light toward the substrate when the brightness of the image is less than the reference value.
상기 광 조사단계에 앞서,
상기 반사부 상에 배치된 상기 기판의 평행도를 측정하여, 측정된 평행도와 반대되는 평행도를 갖도록 상면이 절삭되고, 광 투과성 재질로 된 평행도 조절부를 상기 기판과 상기 반사부 사이에 개재하는 수평 조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정방법.The method according to claim 6,
Prior to the light irradiation step,
A horizontal adjustment step of measuring a degree of parallelism of the substrate disposed on the reflective part, cutting the upper surface to have a parallelism opposite to the measured parallelism, and interposing a parallelism adjusting part made of a light transmitting material between the substrate and the reflecting part The method further comprising the step of:
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