KR20180028247A - 전기변색 소자의 제조방법 - Google Patents

전기변색 소자의 제조방법 Download PDF

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KR20180028247A
KR20180028247A KR1020160115701A KR20160115701A KR20180028247A KR 20180028247 A KR20180028247 A KR 20180028247A KR 1020160115701 A KR1020160115701 A KR 1020160115701A KR 20160115701 A KR20160115701 A KR 20160115701A KR 20180028247 A KR20180028247 A KR 20180028247A
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김기환
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 기재 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 대향하도록 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 고분자 전해질층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 전기변색층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 전기변색층에 사전 환원처리 하는 것을 포함하는 전기변색 소자의 제조방법에 대한 것이다.

Description

전기변색 소자의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROCHROMIC DEVICE}
본 발명은 전기변색 소자의 제조방법에 관한 것이다.
전기변색(Electrochromism)은 가해진 전압의 변화에 따라 발생되는 전기 화학적 산화/환원 반응에 의해 전극 구조 내에서 양이온의 삽입 또는 탈착과 함께 전자 밀도가 변하면서 물질의 색깔이 가역적으로 변하는 특성을 말한다.
이런 전기변색 소자는 배터리와 같은 구조로 크게 작업전극, 상대 전극, 전해질로 구성된다. 무기 전기변색 물질은 대부분 투명 전도성 전극 (ITO or FTO glass)에 필름 형태로 만들어 그 특성을 관찰하고 소자도 구성한다.
전기변색 필름에 특정 전위를 인가하면 전해질 내에서 H+, Li+ 또는 Na+ 과 같은 이온이 이동하고, 이와 동시에 외부 회로를 통해 전자가 이동함으로써 전기변색 물질의 전자 밀도가 변하여 광학적 성질의 변화가 나타난다. 즉 전기화학적 산화-환원 반응에 의해 전자와 이온의 삽입과 제거를 되었을 때 금속 산화물 표면에서 착색 또는 탈색 현상이 일어난다.
그러나, 보편적으로 금속층으로 많이 사용하고 있는 Ag의 경우 pH 10 ~ 14 를 제외한 거의 모든 구간에서 0.7V 이상의 전위를 인가했을 시 Ag 원자가 이온화(Ag →Ag+)되는 Corrosion이 진행되며 특히, 산이 포함된 환경에서의 Degradation 위험성이 높은 것으로 확인되고 있다.
따라서, 금속 원자가 이온화되는 전위를 낮춤으로써 금속을 안정적으로 구동할 수 있는 방법에 대한 연구 개발이 시급한 실정이다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-0132858호
본 발명은 전기변색 소자의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기재 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 대향하도록 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 고분자 전해질층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 전기변색층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 전기변색층에 사전 환원처리 하는 것을 포함하는 전기변색 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 전기변색 소자는 금속층의 금속 원자가 이온화 되는 전위를 낮춰, 낮은 전압에서 안정적으로 구동할 수 있다는 특징이 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 실시예와 비교예의 초기화 공정을 나타내는 사진이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 실시예와 비교예의 초기화 공정의 순환 정전용량 그래프이다.
도 3은 비교예에 따른 전기변색 소자의 탈색 공정을 보여주는 사진이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기재 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 대향하도록 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 고분자 전해질층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 전기변색층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 전기변색층에 사전 환원처리 하는 것을 포함하는 전기변색 소자의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 독립적으로 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 은을 포함하는 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고, 상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이며, 상기 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전기변색 소자의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 제1 전극 및 제2 전극은 높은 광 투과도를 가지며, 내부의 금속층에 의하여 높은 전기 전도도를 구현할 수 있다. 나아가, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 제1 전극 및 제2 전극은 금속층이 금속 산화물층 사이에 구비되는 구조적인 특성에 의하여 대기 중의 산소와 반응하여 금속층이 산화되는 문제를 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 15 ㎚ 이하일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 8 ㎚ 이상 12 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 10 ㎚일 수 있다.
상기 금속층의 두께는 상기 제1 전극 및 제2 전극에 구비된 금속층의 평균 두께를 의미할 수 있다. 또한, 상기 금속층의 두께는 표준 편차가 1 ㎚ 이상 2 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 금속층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께가 5 nm 미만인 경우 연속적인 막이 형성되기 어려우므로 저저항을 구현하기 곤란한 문제점이 있으며, 20 nm 초과인 경우 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도가 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다.
본 명세서에서, 상기 굴절률은 광굴절률을 의미한다.
상기 제1 금속 산화물층은 고굴절 물질로서, 금속층을 이용한 다층막의 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도를 높이는 역할 및 금속층의 증착이 용이하도록 하는 역할을 할 수 있다.
상기 각 층의 굴절률은 상기 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도를 80 % 이상으로 구현할 수 있도록, 광설계를 통하여 얻어진 것이다. 그러므로, 상기 굴절률의 범위를 벗어나는 경우, 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도가 80 % 이하로 떨어지는 문제가 있다.
또한, 상기 각 층의 굴절율은 두께에 의하여 조절되는 것 외에도, 증착 공정을 조절하는 것에 의하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 각 층의 증착 조건을 조절하여 결정화도를 조절할 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께 및 재료라고 하더라도 굴절율이 상이할 수 있게 된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 30 nm 이상 40 nm 이하일 수 있다.
상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우 다층 박막 형태의 상기 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우, 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도가 낮아지는 문제가 발생한다. 또한, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우, 증착된 금속층의 불량률이 높아질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 40 nm 이상 50 nm 이하일 수 있다.
상기 제2 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위는 광학 설계를 통하여 얻어진 것으로서, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도가 낮아지는 문제가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비될 수 있다.
상기 투명 지지체는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리 올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 투명 전극일 수 있다. 구체적으로, 투과율이 80% 이상인 ITO를 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극의 두께는 각각 독립적으로 10 내지 500 nm이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 전해질층의 제조는 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(PETA) 단량체, 1M 이상의 LiClO4, 폴리카보네이트(PC)등을 이용할 수 있고, 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시상태에 있어서, 고분자 전해질층은 리튬 염, 가소제(Plasticizer), 올리고머(Oligomer), 모노머(Monomer), 첨가제(Additive), 라디칼 개시제(Radical initiator) 등을 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 올리고머(Oligomer)는 가소제(Plasticizer)와 상용성이 있어야 한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 전해질층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어 제1 이형필름 상에 전해질 용액을 코팅한 후, 제2 이형필름을 합착하고 UV 경화하여 전해질 필름을 형성하는 단계, 상기 제1 이형필름을 제거하고, 상기 제1 전기 변색부 상에 전해질 필름을 전사하는 단계, 및 상기 제2 이형필름을 제거하고, 상기 전해질 필름 상에 제2 전기 변색부를 합착하는 단계를 포함하는 제조방법을 이용할 수 있다.
상기 제1 이형필름 및 제2 이형필름은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다.
상기 고분자 전해질 조성물의 점도는 25를 기준으로 10 내지 100,000 cps일 수 있고, 1,000 내지 5,000 cps 일 수 있다. 상기 전해질 용액의 점도가 상기 범위를 만족하는 경우에, 코팅 공정성이 우수하고, 혼합공정 및 탈포 공정 불량을 방지하여 필름 형태의 코팅이 용이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 전해질층의 두께는 각각 독립적으로 10 내지 500 μm이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전기변색층은 전기변색층으로 통상적으로 사용되는 물질이라면 특별히 제한은 없으나, 텅스텐(W) 및 리튬(Li)을 포함하는 산화물을 포함하고, 크롬(Cr), 망간(Mn) 또는 니오븀(Nb) 등을 추가로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전기변색층은 텅스텐(W)을 포함하는 산화물을 포함하는 박막을 포함할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 박막의 밀도는 1 내지 4 g/cm3일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 텅스텐(W)을 포함하는 산화물은 화학식 WOz로 표시될 수 있고, z는 1 이상 3 이하의 실수이다.
일 실시상태에 있어서, 상기 텅스텐(W)을 포함하는 산화물은 텅스텐 삼산화물(WO3)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전기변색층의 두께는 10 nm 이상 1μm 이하이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전기변색층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 전기변색 소자는 상기 제2 전극 상에 필름을 더 구비할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 필름은 당 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 광학필름을 제한없이 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 필름은 재료로는 트리아세틸셀룰로우즈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리카보네이트, 아크릴계 수지 등을 이용할 수 있고, 전기변색 소자의 조건 및 광학필름 재료의 고유한 물성에 따라 적절한 재료를 선택할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 필름의 두께는 50μm 이상 200μm 이하인 것을 이용할 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 필름은 광투과도가 70% 이상인 것을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전기변색 소자의 제조방법은, 상기 사전 환원처리는 퍼텐쇼스탯(potentiostat) 장치에 의해서 이루어지며, 0 내지 -2.0V로 30 내지 60초 동안 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다. 더욱 구체적으로는 -0.5 내지 -1.5V로 45 내지 55초 동안 이루어 질 수 있다.
상기 퍼텐쇼스탯 장치는 정전위장치로, 퍼텐쇼스탯 장치는 동작전극(working electrode), 기준전극 및 대향전극을 가진다. 퍼텐쇼스탯 장치를 본 실시예의 사전 환원처리에 사용하는 경우, 각 전극간의 간섭을 막고, 동작전극과 기준전극 사이의 전압을 일정하게 유지한다. 퍼텐쇼스탯 장치가 일정하게 전압을 걸어주어, 전기변색 전극에 이온을 고정시켜 환원시킬 수 있다.
또한, 상기 사전 환원처리에 의해 상기 고분자 전해질층의 이온이 충전이 될 수 있다. 상기 고분자 전해질층의 이온은 그 종류에 있어서 특별히 한정이 있는 것은 아니나, 리튬이온(Li+)일 수 있다.
이하 각 구성을 형성하는 방법에 대해서 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 기재 상에 제1 전극을 형성하는 단계는 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 전술한 기재 재료 상에 스퍼터링, 전자빔 증착, 화학기상증착, 졸-겔 코팅법 등을 이용하여 형성할 수 있고, 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시상태에 있어서, 기재 상에 직류전원 스퍼터링(DC sputtering)을 이용하여 제1 전극을 형성할 수 있다.
전기변색 소자에 사용되는 이온 저장층은 박막의 밀도가 높을수록 리튬 이온의 삽입과 탈리가 어려우므로 전기 변색 효율을 저해하는 요인이 된다. 따라서, 박막의 기공도(porosity)를 높일 수 있도록 진공 조건에서의 공정이 적합하다.
상기 이온 저장층을 형성하는 단계 및 전기변색층을 형성하는 단계는 전술한 제1 전극을 형성하는 단계와 마찬가지의 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 이온 저장층을 형성하는 단계 및 상기 전기변색층을 형성하는 단계는 진공 증착법 또는 직류전원 스퍼터링(DC Sputtering)에 의하여 수행될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 고분자 전해질층을 형성하는 단계는 제1 이형필름 상에 고분자 전해질 용액을 코팅한 후, 제2 이형필름을 합착하고 UV 경화하여 고분자 전해질 필름을 형성하는 단계, 상기 제1 이형필름을 제거하고, 상기 제1 전기 변색부 상에 고분자 전해질 필름을 전사하는 단계, 및 상기 제2 이형필름을 제거하고, 상기 고분자 전해질 필름 상에 제2 전기 변색부를 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 이형필름 및 제2 이형필름은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 고분자 전해질층을 형성하는 단계는, 상기 전기변색층 상에 고분자 전해질 조성물을 코팅 및 UV 경화하여 고분자 전해질 필름을 형성하는 단계; 상기 전해질 필름 상에 이온 저장층을 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 고분자 전해질층은 전술한 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(PETA) 단량체, 1M 이상의 LiClO4, 폴리카보네이트(PC) 등을 이용할 수 있고, 리튬 염, 가소제(Plasticizer), 올리고머(Oligomer), 모노머(Monomer), 첨가제(Additive), 라디칼 개시제(Radical initiator) 등을 더 포함할 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예
대전극으로 백금(Pt)→프루시안 블루(PB)/ITO를 사용하였고, 작업전극으로는 직류전원 스퍼터링 방법에 의하여 WO3(300nm) / ITO(50nm) / 은(Ag)을 포함하는 TCO를 증착하였다.
이후 전기변색층인 WO3에 3-electrode로 -1V를 50초 동안 사전환원 처리하였다. 염으로는 1M의 LiClO4를 사용하였으며, 용매로는 PC 100%를 사용하였다. 그리고, 사전환원처리한 WO3를 클리닝하는 단계를 진행하였다.
GPE 라미네이션 단계를 진행하여 WO3/TCO - PB/ITO에 접합면을 형성하였으며, 블리칭은 1.0V로 50초, 컬러링은 2.0V로 50초 수행하였다.
비교예
상기 실시예 1에서, 전기변색층을 사전환원 처리하고 클리닝하는 단계를 제외하고 동일하게 수행하였으며, Pb의 초기화 공정으로 3.5V로 24시간을 구동하였다.
<전기변색 소자 구동 평가>
도 1 및 도 2는 각각 상기 실시예와 비교예에 의한 전기변색 소자의 초기화 단계를 나타낸 사진과 순환 정전용량 그래프이다. 도 1을 참고하면, 실시예 및 비교예에 따른 전기변색 소자의 초기 탈색 준위는 각각 0.6 V 및 3.5 V로 약 2.9 V가 감소하여 OMO 전극을 사용한 전기변색 소자의 안정적인 구동이 가능해지는 것을 알 수 있다.
도 2를 참고하면, 비교예의 경우 3V로 30분간 초기화 공정을 적용하며, 전하량 기준으로 7.5K cycle 정도의 순환 정전용량을 나타낸다. 반면에 사전환원 처리를 한 실시예의 경우, 액상 전해액 1 V, 50초로 WO3 착색 공정을 진행하고 10K cycle을 진행한 이후에도 열화현상이 나타나지 않는 것을 볼 수 있다.
또한, 도 3은 비교예에 따른 전기변색 소자에서 요구되는 초기 탈색 공정을 보여주는 것으로, 약 3 V 이상의 구동 전위보다 높은 전위로 30분 이상 진행해야 하며, 해당 공정 진행 시 TCO 및 전기변색층의 부반응이 발생할 수 있다.
착색 시, 인가하는 전위에 따라 색 변동이 가능하며, 프루시안 블루(+0.5 V)에서 프루시안 그린(+1.0 V)로 변동되는 것을 도 3을 보면 알 수 있다.

Claims (11)

  1. 기재 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 대향하도록 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 고분자 전해질층을 형성하는 단계; 및
    상기 고분자 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 전기변색층을 형성하는 단계; 를 포함하고,
    상기 전기변색층에 사전 환원처리 하는 것을 포함하는 전기변색 소자의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전기변색층은 전기변색층은 텅스텐(W) 및 리튬(Li)을 포함하는 산화물을 포함하는 전기변색 소자의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 사전 환원처리는 퍼텐쇼스탯(potentiostat) 장치에 의해서 이루어지며,
    0 내지 -2.0V로 30 내지 60초 동안 이루어지는 전기변색 소자의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 사전 환원처리에 의해 상기 고분자 전해질층의 리튬이온(Li+)이 충전되는 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 독립적으로, 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 은을 포함하는 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고,
    상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이며,
    상기 제1 전극 및 제2 전극의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전기변색 소자의 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함하는 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 및 2 금속 산화물층의 두께는 각각 독립적으로, 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하인 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극은 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비되는 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 고분자 전해질층은 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(PETA) 단량체, LiClO4 및 폴리카보네이트(PC)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 고분자 전해질층의 두께는 10 내지 500 μm인 것인 전기변색 소자의 제조방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 전기변색층의 두께는 10 nm 이상 1μm 이하인 것인 전기변색 소자의 제조방법.
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