KR20180026008A - 기판 처리 장치 및 배기 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 이를 배기하는 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인, 상기 메인 배기 라인을 개폐하는 개폐 밸브, 상기 배기 라인에 설치되며, 상기 배기 라인을 감압하는 감압 부재, 그리고 상기 챔버 및 상기 메인 배기 라인을 연결하는 공정 배기 부재를 포함하되. 상기 공정 배기 부재는 상기 챔버의 측벽에 설치되는 복수 개의 배기 포트들, 및 상기 메인 배기 라인을 상기 배기 포트들 각각에 연결하는 복수 개의 공정 배기 라인들을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 배기 방법{Apparatus for treatinf substrate and Exhausting method}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 이를 배기하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 가스 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하여 기판을 가스 처리한다. 챔버의 내부 공간은 외부로부터 밀폐된 공간으로 배기 유닛에 의해 배기된다. 챔버의 내부 분위기는 영역 별로 균일하게 배기되어야 하며, 이는 기판을 영역 별로 균일하게 처리하기 위한 것과 연관된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(2)에 연결된 배기 라인(6)에는 배기압을 조절하는 개폐 밸브(8)가 설치된다, 개폐 밸브(8)는 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동되도록 직선 이동 또는 스윙 이동된다.
그러나 개폐 밸브(8)에 의한 배기 라인(6)의 개구율은 비대칭적 개방 영역(4)을 가진다. 이로 인해 챔버(2) 내에는 가스가 비대칭적으로 흐르며, 이는 기판을 불균일하게 처리한다.
한국 공개 특허 번호 2012-0127544
본 발명은 기판을 균일하게 가스 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 챔버 내에서 가스의 흐름을 영역 별 균일하게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 이를 배기하는 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인, 상기 메인 배기 라인을 개폐하는 개폐 밸브, 상기 배기 라인에 설치되며, 상기 배기 라인을 감압하는 감압 부재, 그리고 상기 챔버 및 상기 메인 배기 라인을 연결하는 공정 배기 부재를 포함하되. 상기 공정 배기 부재는 상기 챔버의 측벽에 설치되는 복수 개의 배기 포트들, 및 상기 메인 배기 라인을 상기 배기 포트들 각각에 연결하는 복수 개의 공정 배기 라인들을 포함한다.
상기 배기 포트들은 동일 높이에 위치되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 상기 배기 포트들은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 아래에 위치될 수 있다. 상기 장치는 상기 처리 공간의 분위기를 영역 별로 균일하게 배기시키는 배플을 더 포함하되, 상기 배플은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 배기 포트들은 상기 배플보다 낮은 높이에 위치될 수 있다. 상기 메인 배기 라인에서 상기 분위기가 배기되는 방향에 대해 상기 감압 부재는 상기 개폐 밸브보다 하류에 위치되고, 상기 공정 배기 라인들은 상기 메인 배기 라인에서 상기 개폐 밸브와 상기 감압 부재 사이에 연결될 수 있다. 상기 장치는 상기 개폐 밸브 및 상기 공정 배기 라인들에 설치된 배기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 처리 공간은 상기 기판 지지 유닛에 기판이 안착된 상태에서 상기 개폐 밸브를 차단 및 상기 배기 밸브를 개방하고, 상기 기판 지지 유닛에 기판이 미안착된 상태에서 상기 개폐 밸브를 개방 및 상기 배기 밸브를 차단하도록 상기 개폐 밸브 및 상기 배기 밸브를 제어할 수 있다.
챔버 내에 형성된 처리 공간의 분위기를 배기하는 방법으로는, 상기 챔버에 연결된 메인 배기 라인을 통해 상기 처리 공간의 분위기를 배기하되, 상기 분위기를 배기하는 것은 상기 챔버 및 상기 메인 배기 라인을 연결하는 공정 배기 라인을 통해 상기 분위기를 배기하는 기판 처리 단계 및 상기 공정 배기 라인을 제외하고, 상기 메인 배기 라인을 통해 상기 분위기를 배기하는 메인터넌스 단계를 포함한다.
상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간이 제1압력을 가지도록 감압하고, 상기 메인터넌스 단계에는 상기 처리 공간이 제2압력을 가지도록 감압하되, 상기 제2압력은 상기 제1압력보다 낮을 수 있다. 상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간에 기판이 제공되고, 상기 메인터넌스 단계에는 상기 처리 공간에 상기 기판이 미제공될 수 있다. 상기 메인 배기 라인에는 이를 개폐하는 개폐 밸브가 설치되되, 상기 기판 처리 단계에는 상기 개폐 밸브에 의해 상기 메인 배기 라인이 차단되고, 상기 메인터넌스 단계에는 상기 개폐 밸브에 의해 상기 메인 배기 라인이 개방될 수 있다. 상기 공정 배기 라인은 상기 챔버의 측벽에 설치된 배기 포트에 연결되되, 상기 배기 포트는 상기 기판보다 낮은 높이에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내의 가스는 챔버의 측벽에 연결된 공정 배기 라인들을 통해 배기된다. 공정 배기 라인들은 균등하게 배치되므로, 챔버의 내부 영역을 균일하게 배기할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 챔버의 내부 공간은 기판 처리 중에 공정 배기 라인 및 메인 배기 라인을 통해 배기하고, 공정 대기 중에는 공정 배기 라인을 제외하고 메인 배기 라인을 통해 배기한다. 이로 인해 공정 대기 중에는 내부 공간을 보다 신속하게 배기할 수 있다.
도 1은 일반적인 챔버 내에서 가스의 흐름을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 개폐 밸브를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 유닛(10), 배기 유닛(20), 그리고 제어기를 포함한다. 공정 유닛(10)은 기판(W)을 플라즈마 처리한다. 배기 유닛(20)은 공정 유닛(10)의 내부를 감압한다. 공정 유닛(10)의 내부는 배기 유닛(20)에 의해 진공 분위기가 형성된다.
다음은 공정 유닛(10)에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 공정 유닛(10)은 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배플(500)을 포함한다.
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(106)을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)에는 배기 유닛(20)에 연결된다. 처리 공간(106)은 배기 유닛(20)에 의해 배기되며, 진공 분위기가 형성될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 지지판(210), 베이스(230), 그리고 포커스링(250)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)은 내측링(252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 5를 참조하면, 배플(500)은 처리 공간(106)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
다시 도 4를 참조하면, 배기 유닛(20)은 처리 공간(106)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(20)은 처리 공간(106)을 진공 분위기로 형성할 수 있다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 배기 유닛(20)을 통해 외부로 배출된다.
배기 유닛(20)은 메인 배기 라인(610), 개폐 밸브(620), 감압 부재(630), 그리고 공정 배기 부재(640,650)을 포함한다. 메인 배기 라인(610)은 챔버(100)의 바닥벽에 형성된 배기홀(150)에 연결된다. 감압 부재(630)는 메인 배기 라인(610)에 설치되며, 메인 배기 라인(610)을 감압한다.
개폐 밸브(620)는 감압 부재(630)로부터 제공되는 배기압을 조절한다. 개폐 밸브(620)는 메인 배기 라인(610)을 개폐한다. 개폐 밸브(620)는 개방 위치 및 차단 위치로 이동 가능하다. 개폐 밸브(620)는 직선 이동 또는 스윙 이동 가능하다. 여기서 개방 위치는 개폐 밸브(620)에 의해 메인 배기 라인(610)이 개방되는 위치이고, 차단 위치는 개폐 밸브(620)에 의해 메인 배기 라인(610)이 차단되는 위치이다. 개폐 밸브(620)는 메인 배기 라인(610)에서 처리 공간(106)의 분위기가 배기되는 방향에 대해 감압 부재(630)보다 상류에 위치된다.
공정 배기 부재(640,650)는 챔버(100)와 메인 배기 라인(610)을 연결한다. 공정 배기 부재(640,650)는 배기 포트(640) 및 공정 배기 라인(650)을 포함한다.
배기 포트(640)는 복수 개로 제공된다. 배기 포트들(640)은 챔버(100)의 측벽에 설치된다. 배기 포트들(640)은 원주 방향을 따라 배열된다. 배기 포트들(640)은 서로 간에 동일 높이에 위치된다. 서로 인접한 2 개의 배기 포트들(640) 간에 간격은 동일하게 제공된다. 배기 포트들(640)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W)보다 아래에 위치된다. 일 예에 의하면, 배기 포트들(640)은 배플(500)보다 낮은 높이에 위치될 수 있다. 배기 포트들(640)은 베이스(230)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 배기 포트들(640)은 8 개일 수 있다.
공정 배기 라인(650)은 배기 포트(640)와 메인 배기 라인(610)을 서로 연결한다. 공정 배기 라인(650)은 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 공정 배기 라인(650)은 배기 포트(640)와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 각각의 공정 배기 라인(650)은 배기 포트(640)와 일대일 대응되도록 연결될 수 있다. 공정 배기 라인(650)이 메인 배기 라인(610)에 연결되는 지점은 개폐 밸브(620)와 감압 부재(630) 사이로 제공된다. 이에 따라 감압 부재(630)로부터 발생되는 배기압은 개폐 밸브(620)의 영향없이 공정 배기 라인(650)으로 전달될 수 있다.
제어기(700)는 배기 유닛(20)을 제어한다. 제어기(700)는 개폐 밸브(620) 및 공정 배기 라인(650)들 각각에 설치된 배기 밸브들(660)을 제어한다. 제어기(700)는 기판 처리 단계 및 메인터넌스 단계에 따라 개폐 밸브(620) 및 배기 밸브들(660)을 상이하게 조절한다. 여기서 기판 처리 단계는 기판(W)을 가스 처리하는 단계이고, 메인터넌스 단계는 처리 공간(106)에 기판(W)이 미제공된 상태에서 기판 처리 장치를 유지 보수하는 단계일 수 있다. 메인터넌스 단계는 가스 처리 단계에 비해 처리 공간(106)을 더 낮은 압력으로 감압한다. 예컨대. 기판 처리 단계에는 처리 공간(106)을 제1압력으로 감압하고, 메인터넌스 단계에는 처리 공간(106)을 제2압력으로 감압할 수 있다. 제2압력은 제1압력에 비해 낮은 압력일 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 챔버(100) 내에 형성된 처리 공간(106)의 분위기를 배기하는 방법을 설명한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 챔버(100)의 배기 방법은 기판 처리 단계 및 메인터넌스 단계를 포함한다. 기판 처리 단계 및 메인터넌스 단계는 교대로 반복 진행될 수 있고, 기판 처리 단계가 복수 회 진행된 후에 메인터넌스 단계가 진행될 수 있다.
기판 처리 단계에는 기판 지지 유닛(200)에 기판(W)을 안착시키고, 처리 공간(106)으로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스는 여기되어 기판(W)을 플라즈마 처리한다. 개폐 밸브(620)는 차단 위치로 이동되고, 배기 밸브(660)들은 개방된다. 처리 공간(106)은 제1압력을 가지도록 감압된다. 이에 따라 처리 공간(106)에 발생된 공정 부산물 및 공정 가스는 공정 배기 라인(650) 및 메인 배기 라인(610)을 순차적으로 통해 배기된다.
이와 달리 메인터넌스 단계에는 챔버(100)의 내부를 세정하기 위한 단계로, 처리 공간(106)에 기판(W)이 미제공된다. 챔버(100) 내에는 세정용 가스가 공급된다. 세정용 가스는 비활성 가스일 수 있다. 메인터넌스 단계에는 개폐 밸브(620)가 개방 위치로 이동되고, 배기 밸브들(660)은 차단된다. 처리 공간(106)은 제1압력보다 낮은 제2압력을 가지도록 감압된다. 이에 따라 처리 공간(106)에서 발생된 세정 부산물은 공정 배기 라인(650)을 거치지 않고, 개폐 밸브(620) 및 메인 배기 라인(610)을 통해 배기된다.
상술한 실시예에는 기판 처리 단계에서 처리 공간(106)이 제1압력을 가지도록 감압하고, 메인터넌스 단계에서 처리 공간(106)이 제2압력을 가지도록 감압하는 것으로 설명하였다.
그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며. 기판 처리 단계에서 처리 공간(106)이 제2압력을 가지도록 감압하고, 메인터넌스 단계에서 처리 공간(106)이 제1압력을 가지도록 감압할 수 있다. 또한 메인터넌스 단계에는 공정 배기 라인(650)을 통해 처리 공간(106)을 배기할 수 있다.
20: 배기 유닛 610: 메인 배기 라인
620: 개페 밸브 630: 감압 부재
640: 배기 포트 650: 공정 배기 라인

Claims (11)

  1. 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인과;
    상기 메인 배기 라인을 개폐하는 개폐 밸브와;
    상기 배기 라인에 설치되며, 상기 배기 라인을 감압하는 감압 부재와;
    상기 챔버 및 상기 메인 배기 라인을 연결하는 공정 배기 부재를 포함하되.
    상기 공정 배기 부재는,
    상기 챔버의 측벽에 설치되는 복수 개의 배기 포트들과;
    상기 메인 배기 라인을 상기 배기 포트들 각각에 연결하는 복수 개의 공정 배기 라인들을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 포트들은 동일 높이에 위치되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 배기 포트들은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 아래에 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 처리 공간의 분위기를 영역 별로 균일하게 배기시키는 배플을 더 포함하되,
    상기 배플은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며,
    상기 배기 포트들은 상기 배플보다 낮은 높이에 위치되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메인 배기 라인에서 상기 분위기가 배기되는 방향에 대해 상기 감압 부재는 상기 개폐 밸브보다 하류에 위치되고,
    상기 공정 배기 라인들은 상기 메인 배기 라인에서 상기 개폐 밸브와 상기 감압 부재 사이에 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 개폐 밸브 및 상기 공정 배기 라인들에 설치된 배기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 처리 공간은 상기 기판 지지 유닛에 기판이 안착된 상태에서 상기 개폐 밸브를 차단 및 상기 배기 밸브를 개방하고, 상기 기판 지지 유닛에 기판이 미안착된 상태에서 상기 개폐 밸브를 개방 및 상기 배기 밸브를 차단하도록 상기 개폐 밸브 및 상기 배기 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 챔버 내에 형성된 처리 공간의 분위기를 배기하는 방법에 있어서,
    상기 챔버에 연결된 메인 배기 라인을 통해 상기 처리 공간의 분위기를 배기하되,
    상기 분위기를 배기하는 것은,
    상기 챔버 및 상기 메인 배기 라인을 연결하는 공정 배기 라인을 통해 상기 분위기를 배기하는 기판 처리 단계와;
    상기 공정 배기 라인을 제외하고, 상기 메인 배기 라인을 통해 상기 분위기를 배기하는 메인터넌스 단계를 포함하는 배기 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간이 제1압력을 가지도록 감압하고,
    상기 메인터넌스 단계에는 상기 처리 공간이 제2압력을 가지도록 감압하되,
    상기 제2압력은 상기 제1압력보다 낮은 배기 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간에 기판이 제공되고,
    상기 메인터넌스 단계에는 상기 처리 공간에 상기 기판이 미제공되는 배기 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메인 배기 라인에는 이를 개폐하는 개폐 밸브가 설치되되,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 개폐 밸브에 의해 상기 메인 배기 라인이 차단되고,
    상기 메인터넌스 단계에는 상기 개폐 밸브에 의해 상기 메인 배기 라인이 개방되는 배기 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 공정 배기 라인은 상기 챔버의 측벽에 설치된 배기 포트에 연결되되,
    상기 배기 포트는 상기 기판보다 낮은 높이에 위치되는 배기 방법.


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